JP2011035706A - Reverse-phase distribution circuit - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、マイクロ波帯やミリ波帯で使用される逆相分配回路に関する。 The present invention relates to a reverse phase distribution circuit used in a microwave band and a millimeter wave band.
従来の逆相分配回路は、入力端子と第1出力端子との間に接続された第1伝送線路と、入力端子と第2出力端子との間に接続された第2伝送線路と、第1出力端子と第2出力端子との間に接続された第3伝送線路とを備え、入力端子に入力された高周波信号を分配して、第1出力端子および第2出力端子から互いに逆相で出力している。 The conventional reverse phase distribution circuit includes a first transmission line connected between the input terminal and the first output terminal, a second transmission line connected between the input terminal and the second output terminal, A third transmission line connected between the output terminal and the second output terminal, distributing a high-frequency signal input to the input terminal, and outputting the opposite phases from the first output terminal and the second output terminal; is doing.
ここで、第1伝送線路、第2伝送線路および第3伝送線路は、所定の周波数帯域の中心周波数において、それぞれほぼ1/4波長、3/4波長および1/2波長の電気長を有している。また、第1伝送線路、第2伝送線路および第3伝送線路の特性インピーダンスは、互いに等しい値に設定されている。
このような逆相分配回路では、中心周波数を含む広い周波数帯域にわたって、分配される高周波信号間の位相差、すなわち分配位相差をほぼ180°に維持することができる(例えば、特許文献1参照)。
Here, the first transmission line, the second transmission line, and the third transmission line have electrical lengths of approximately 1/4 wavelength, 3/4 wavelength, and 1/2 wavelength, respectively, at the center frequency of a predetermined frequency band. ing. The characteristic impedances of the first transmission line, the second transmission line, and the third transmission line are set to be equal to each other.
In such a reverse phase distribution circuit, the phase difference between distributed high frequency signals, that is, the distribution phase difference can be maintained at approximately 180 ° over a wide frequency band including the center frequency (see, for example, Patent Document 1). .
しかしながら、従来技術には、以下のような課題がある。
従来の逆相分配回路では、上述したように、分配位相差については、広い周波数帯域にわたってほぼ180°に維持することができる。ところが、分配される高周波信号間の振幅差、すなわち分配振幅差については、分配位相差がほぼ180°に維持される周波数帯域においても、高周波信号の周波数が中心周波数から離れるにつれて大きくなり、高周波信号の伝送品質が劣化するという問題があった。
However, the prior art has the following problems.
In the conventional anti-phase distribution circuit, as described above, the distribution phase difference can be maintained at approximately 180 ° over a wide frequency band. However, the amplitude difference between the distributed high-frequency signals, that is, the distributed amplitude difference increases as the frequency of the high-frequency signal goes away from the center frequency even in the frequency band where the distributed phase difference is maintained at approximately 180 °. There was a problem that the transmission quality of the system deteriorated.
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、広い周波数帯域にわたって、分配位相差をほぼ180°に維持するとともに、分配振幅差を低減することができる逆相分配回路を得ることを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and maintains a distribution phase difference at approximately 180 ° over a wide frequency band and can reduce a distribution amplitude difference. The purpose is to obtain.
この発明に係る逆相分配回路は、入力端子に入力された高周波信号を分配して、第1出力端子および第2出力端子から互いに逆相で出力する逆相分配回路であって、入力端子と第1出力端子との間に接続され、所定の周波数帯域の中心周波数において1/4波長の電気長を有する第1伝送線路と、入力端子と第2出力端子との間に接続され、中心周波数において3/4波長の電気長を有する第2伝送線路と、第1出力端子と第2出力端子との間に接続され、中心周波数において1/2波長の電気長を有する第3伝送線路とを備え、第1伝送線路および第2伝送線路の特性インピーダンスを互いに等しい値とし、第3伝送線路の特性インピーダンスを、第1伝送線路および第2伝送線路の特性インピーダンスよりも小さな値とするものである。 A negative-phase distribution circuit according to the present invention is a negative-phase distribution circuit that distributes a high-frequency signal input to an input terminal and outputs the high-frequency signal from the first output terminal and the second output terminal in opposite phases to each other. A first transmission line connected between the first output terminal and having an electrical length of ¼ wavelength at a center frequency in a predetermined frequency band; and connected between the input terminal and the second output terminal; A second transmission line having an electrical length of 3/4 wavelength and a third transmission line connected between the first output terminal and the second output terminal and having an electrical length of ½ wavelength at the center frequency. Provided, the characteristic impedance of the first transmission line and the second transmission line are set to be equal to each other, and the characteristic impedance of the third transmission line is set to a value smaller than the characteristic impedance of the first transmission line and the second transmission line. .
この発明に係る逆相分配回路によれば、所定の周波数帯域の中心周波数において1/4波長の電気長を有する第1伝送線路と、中心周波数において3/4波長の電気長を有する第2伝送線路との特性インピーダンスを互いに等しい値とし、中心周波数において1/2波長の電気長を有する第3伝送線路の特性インピーダンスを、第1伝送線路および第2伝送線路の特性インピーダンスよりも小さな値とすることにより、広い周波数帯域にわたって、分配位相差をほぼ180°に維持するとともに、分配振幅差を低減することができる逆相分配回路を得ることができる。 According to the reverse phase distribution circuit of the present invention, the first transmission line having an electrical length of ¼ wavelength at the center frequency of the predetermined frequency band and the second transmission having an electrical length of ¾ wavelength at the center frequency. The characteristic impedance with the line is made equal to each other, and the characteristic impedance of the third transmission line having an electrical length of ½ wavelength at the center frequency is made smaller than the characteristic impedance of the first transmission line and the second transmission line. Thus, it is possible to obtain an antiphase distribution circuit capable of maintaining the distribution phase difference at approximately 180 ° and reducing the distribution amplitude difference over a wide frequency band.
以下、この発明の逆相分配回路の好適な実施の形態につき図面を用いて説明するが、各図において同一、または相当する部分については、同一符号を付して説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the reverse phase distribution circuit of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts will be described with the same reference numerals.
実施の形態1.
図1は、この発明の実施の形態1に係る逆相分配回路を示す回路図である。
図1において、この逆相分配回路は、入力端子1に入力された高周波信号を分配して、第1出力端子2および第2出力端子3から互いに逆相で出力する。
Embodiment 1 FIG.
1 is a circuit diagram showing a negative phase distribution circuit according to Embodiment 1 of the present invention.
In FIG. 1, this anti-phase distribution circuit distributes the high-frequency signal input to the input terminal 1 and outputs the high-frequency signal from the
入力端子1と第1出力端子2との間には、所定の周波数帯域の中心周波数において、1/4波長(λ/4)の電気長を有する第1伝送線路4が接続されている。入力端子1と第2出力端子3との間には、所定の周波数帯域の中心周波数において、3/4波長(3λ/4)の電気長を有する第2伝送線路5が接続されている。また、第1出力端子2と第2出力端子3との間には、所定の周波数帯域の中心周波数において、1/2波長(λ/2)の電気長を有する第3伝送線路6が接続されている。
A
第1伝送線路4と第2伝送線路5との接続点P1と、入力端子1との間には、入力伝送線路7が接続されている。第1伝送線路4と第3伝送線路6との接続点P2と、第1出力端子2との間には、第1出力伝送線路8が接続されている。また、第2伝送線路5と第3伝送線路6との接続点P3と、第2出力端子3との間には、第2出力伝送線路9が接続されている。なお、第1出力伝送線路8と第2出力伝送線路9とは、互いに等しい電気長に設定されている。
An input transmission line 7 is connected between a connection point P1 between the
ここで、第1伝送線路4の特性インピーダンスをZc1、第2伝送線路5の特性インピーダンスをZc2、第3伝送線路6の特性インピーダンスをZc3とし、入力伝送線路7、第1出力伝送線路8および第2出力伝送線路9の特性インピーダンスをともにZcとする。また、入力端子1、第1出力端子2および第2出力端子3のそれぞれに接続される負荷抵抗をともにRとする。
Here, the characteristic impedance of the
なお、ここでは、入力伝送線路7、第1出力伝送線路8および第2出力伝送線路9の特性インピーダンスZcと、入力端子1、第1出力端子2および第2出力端子3のそれぞれに接続される負荷抵抗Rとは、互いに等しい値に設定されている。すなわち、入力端子1、第1出力端子2および第2出力端子3は、特性インピーダンスZcの負荷によって終端されている。
Here, the characteristic impedance Zc of the input transmission line 7, the first output transmission line 8 and the second output transmission line 9 is connected to the input terminal 1, the
また、第1伝送線路4の特性インピーダンスZc1および第2伝送線路5の特性インピーダンスZc2は、互いに等しい値(負荷抵抗Rに2の平方根(√2)を乗じた値)に設定されている。また、第3伝送線路6の特性インピーダンスZc3は、第1伝送線路4および第2伝送線路5の特性インピーダンスZc1、Zc2よりも小さな値に設定されている。
The characteristic impedance Zc1 of the
続いて、上記構成の逆相分配回路の動作について説明する。
入力端子1に入力された高周波信号は、入力伝送線路7を伝送し、接続点P1で2分配される。分配された2つの高周波信号は、それぞれ接続点P2、P3に伝送される。ここで、第1伝送線路4を伝送して接続点P2に到達する高周波信号と、第2伝送線路5および第3伝送線路6を伝送して接続点P2に到達する高周波信号とは、中心周波数において同相となるので、第1出力伝送線路8を伝送し、第1出力端子2から出力される。
Next, the operation of the negative phase distribution circuit having the above configuration will be described.
The high frequency signal input to the input terminal 1 is transmitted through the input transmission line 7 and divided into two at the connection point P1. The two distributed high frequency signals are transmitted to the connection points P2 and P3, respectively. Here, the high-frequency signal transmitted through the
また、第1伝送線路4および第3伝送線路6を伝送して接続点P3に到達する高周波信号と、第2伝送線路5を伝送して接続点P3に到達する高周波信号とは、中心周波数において同相となるので、第2出力伝送線路9を伝送し、第2出力端子3から出力される。このとき、第1出力端子2および第2出力端子3からそれぞれ出力される高周波信号の振幅は、互いに等しくなっている。
Further, the high frequency signal transmitted through the
また、第1出力端子2および第2出力端子3からそれぞれ出力される高周波信号は、中心周波数において、接続点P1から接続点P2までの長さと、接続点P1から接続点P3までの長さの差であるλ/2、すなわち180°の位相差を有している。つまり、第1出力端子2および第2出力端子3からそれぞれ出力される高周波信号は、等振幅でかつ逆相となるので、この回路は逆相分配回路として動作する。
Further, the high frequency signals output from the
次に、上記構成の逆相分配回路の伝送特性について説明する。
この実施の形態1では、中心周波数を2GHz、入力端子1、第1出力端子2および第2出力端子3のそれぞれに接続される負荷抵抗Rを50Ωとし、第3伝送線路6の特性インピーダンスZc3を、第1伝送線路4および第2伝送線路5の特性インピーダンスZc1、Zc2の半分の値とする。したがって、入力伝送線路7、第1出力伝送線路8および第2出力伝送線路9の特性インピーダンスZcは50Ω、第1伝送線路4および第2伝送線路5の特性インピーダンスZc1、Zc2は70.71Ω(=Zc×√2)、第3伝送線路6の特性インピーダンスZc3は35.36Ωとなる。
Next, transmission characteristics of the anti-phase distribution circuit having the above configuration will be described.
In the first embodiment, the center frequency is 2 GHz, the load resistance R connected to each of the input terminal 1, the
上記のように条件が与えられた逆相分配回路の伝送特性(Sパラメータの周波数特性)の計算値を図2に示す。また、比較のために、上述した特許文献1の逆相分配回路の伝送特性(Sパラメータの周波数特性)の計算値を図3に示す。なお、特許文献1の逆相分配回路において、第3伝送線路の特性インピーダンスが第1伝送線路および第2伝送線路の特性インピーダンスと等しい値(70.71Ω)に設定されている他は、実施の形態1の逆相分配回路と同一の条件が与えられている。 FIG. 2 shows the calculated values of the transmission characteristics (frequency characteristics of the S parameter) of the anti-phase distribution circuit given the conditions as described above. For comparison, FIG. 3 shows calculated values of the transmission characteristics (frequency characteristics of S parameters) of the above-described antiphase distribution circuit of Patent Document 1. In the antiphase distribution circuit of Patent Document 1, the characteristic impedance of the third transmission line is set to a value (70.71Ω) equal to the characteristic impedance of the first transmission line and the second transmission line. The same conditions as those of the antiphase distribution circuit of the form 1 are given.
図2(a)〜(c)において、横軸は、周波数を示している。図2(a)の縦軸は、入力端子1に入力された高周波信号の振幅に対する第1出力端子2および第2出力端子3からそれぞれ出力された高周波信号の振幅の割合、すなわち分配振幅|S21|、|S31|を示している。図2(b)の縦軸は、第1出力端子2および第2出力端子3からそれぞれ出力された高周波信号の位相差、すなわち分配位相差∠(S31/S21)を示している。また、図2(c)の縦軸は、入力端子1に入力された高周波信号の振幅に対する入力端子1で反射された高周波信号の振幅の割合、すなわち入力反射振幅|S11|を示している。なお、図3(a)〜(c)においても、横軸および縦軸は、図2(a)〜(c)と同様のものを示している。
2A to 2C, the horizontal axis indicates the frequency. The vertical axis in FIG. 2A represents the ratio of the amplitude of the high-frequency signal output from the
図2(a)〜(c)より、例えば、比帯域幅10%の周波数帯域、すなわち1.9〜2.1GHzの周波数範囲において、分配振幅|S21|と分配振幅|S31|との差は0.05dB以内、分配位相差∠(S31/S21)は−180°から±0.06°以内、入力反射振幅|S11|は−40.7dB以下になることが分かる。また、比帯域幅20%の周波数帯域、すなわち1.8〜2.2GHzの周波数範囲において、分配振幅|S21|と分配振幅|S31|との差は0.21dB以内、分配位相差∠(S31/S21)は−180°から±0.52°以内、入力反射振幅|S11|は−28.7dB以下になることが分かる。 2A to 2C, for example, in the frequency band with a specific bandwidth of 10%, that is, in the frequency range of 1.9 to 2.1 GHz, the distribution amplitude | S 21 | and the distribution amplitude | S 31 | It can be seen that the difference is within 0.05 dB, the distribution phase difference ∠ (S 31 / S 21 ) is within −180 ° to ± 0.06 °, and the input reflection amplitude | S 11 | is −40.7 dB or less. Further, in the frequency band with a specific bandwidth of 20%, that is, in the frequency range of 1.8 to 2.2 GHz, the difference between the distribution amplitude | S 21 | and the distribution amplitude | S 31 | is within 0.21 dB, and the distribution phase difference ∠ It can be seen that (S 31 / S 21 ) is within −0.52 ° from −180 °, and the input reflection amplitude | S 11 | is −28.7 dB or less.
図3(a)〜(c)より、例えば、比帯域幅10%の周波数帯域において、分配振幅|S21|と分配振幅|S31|との差は0.11dB以内、分配位相差∠(S31/S21)は−180°から±0.08°以内、入力反射振幅|S11|は−31.0dB以下になることが分かる。また、比帯域幅20%の周波数帯域において、分配振幅|S21|と分配振幅|S31|との差は0.46dB以内、分配位相差∠(S31/S21)は−180°から±0.68°以内、入力反射振幅|S11|は−24.8dB以下になることが分かる。 3A to 3C, for example, in the frequency band having a specific bandwidth of 10%, the difference between the distribution amplitude | S 21 | and the distribution amplitude | S 31 | is within 0.11 dB, and the distribution phase difference ∠ ( S 31 / S 21 ) is within −0.08 ° from −180 °, and the input reflection amplitude | S 11 | is −31.0 dB or less. Further, in the frequency band with a specific bandwidth of 20%, the difference between the distribution amplitude | S 21 | and the distribution amplitude | S 31 | is within 0.46 dB, and the distribution phase difference ∠ (S 31 / S 21 ) is from −180 °. It can be seen that the input reflection amplitude | S 11 | is −24.8 dB or less within ± 0.68 °.
ここで、図2(a)〜(c)と図3(a)〜(c)とを比較すると、実施の形態1の逆相分配回路では、比帯域幅10%の周波数帯域において、特許文献1の逆相分配回路よりも、分配振幅差が0.06dB、入力反射振幅が9.7dBそれぞれ改善されることが分かる。また、実施の形態1の逆相分配回路では、比帯域幅20%の周波数帯域において、特許文献1の逆相分配回路よりも、分配振幅差が0.25dB、入力反射振幅が3.9dBそれぞれ改善されることが分かる。また、実施の形態1の逆相分配回路では、わずかではあるが、分配位相差も改善されることが分かる。 Here, when FIGS. 2A to 2C are compared with FIGS. 3A to 3C, the antiphase distribution circuit according to the first embodiment is disclosed in the patent document in the frequency band having a specific bandwidth of 10%. It can be seen that the distribution amplitude difference is improved by 0.06 dB and the input reflection amplitude is improved by 9.7 dB, compared with the 1 antiphase distribution circuit. Further, in the anti-phase distribution circuit of the first embodiment, the distribution amplitude difference is 0.25 dB and the input reflection amplitude is 3.9 dB, respectively, in the frequency band with a relative bandwidth of 20%, compared to the anti-phase distribution circuit of Patent Document 1. It can be seen that it is improved. In addition, it can be seen that, in the anti-phase distribution circuit of the first embodiment, the distribution phase difference is also improved although it is slight.
すなわち、実施の形態1の逆相分配回路では、比帯域幅10%や20%といった広い周波数帯域において、良好な分配位相差特性を維持しつつ、分配振幅差特性および入力反射振幅特性の改善が図られている。 That is, in the antiphase distribution circuit of the first embodiment, the distribution amplitude difference characteristic and the input reflection amplitude characteristic are improved while maintaining a good distribution phase difference characteristic in a wide frequency band such as a specific bandwidth of 10% or 20%. It is illustrated.
なお、第3伝送線路6の特性インピーダンスZc3を、第1伝送線路4および第2伝送線路5の特性インピーダンスZc1、Zc2よりも小さな値にすればするほど、分配振幅差を低減することができる。しかしながら、第3伝送線路6の特性インピーダンスZc3をある程度の値よりも小さくすると、入力反射振幅が悪化する。第3伝送線路6の特性インピーダンスZc3を、第1伝送線路4および第2伝送線路5の特性インピーダンスZc1、Zc2のほぼ半分の値としたときが、分配振幅差および入力反射振幅の双方について、最もよい特性を得ることができる。
The distribution amplitude difference can be reduced as the characteristic impedance Zc3 of the third transmission line 6 is set to a value smaller than the characteristic impedances Zc1 and Zc2 of the
以上のように、実施の形態1によれば、所定の周波数帯域の中心周波数において1/4波長の電気長を有する第1伝送線路と、中心周波数において3/4波長の電気長を有する第2伝送線路との特性インピーダンスを互いに等しい値とし、中心周波数において1/2波長の電気長を有する第3伝送線路の特性インピーダンスを、第1伝送線路および第2伝送線路の特性インピーダンスよりも小さな値とすることにより、広い周波数帯域にわたって、分配位相差をほぼ180°に維持するとともに、分配振幅差を低減することができる逆相分配回路を得ることができる。 As described above, according to the first embodiment, the first transmission line having an electrical length of ¼ wavelength at the center frequency of the predetermined frequency band, and the second having the electrical length of ¾ wavelength at the center frequency. The characteristic impedance of the transmission line is made equal to each other, and the characteristic impedance of the third transmission line having an electrical length of ½ wavelength at the center frequency is made smaller than the characteristic impedance of the first transmission line and the second transmission line. By doing so, it is possible to obtain an anti-phase distribution circuit capable of maintaining the distribution phase difference at approximately 180 ° and reducing the distribution amplitude difference over a wide frequency band.
なお、上記実施の形態1において、このような逆相分配回路は、例えば、誘電体基板の表面に形成されたストリップ導体、および誘電体基板の裏面に形成された接地導体からなるマイクロストリップ線路を用いて構成することができる。この場合には、第1伝送線路4、第2伝送線路5、第3伝送線路6、入力伝送線路7、第1出力伝送線路8および第2出力伝送線路9をマイクロストリップ線路により構成し、図1に示すように、それぞれの伝送線路を接続点P1〜P3で接続する。さらに、誘電体基板の端部に向けて延在する入力伝送線路7、第1出力伝送線路8および第2出力伝送線路9にそれぞれ入力端子1、第1出力端子2および第2出力端子3を接続することにより、逆相分配回路が構成される。
In the first embodiment, such a reverse phase distribution circuit includes, for example, a microstrip line including a strip conductor formed on the surface of the dielectric substrate and a ground conductor formed on the back surface of the dielectric substrate. Can be configured. In this case, the
また、この他にも、逆相分配回路は、例えば、誘電体基板の内部に形成されたストリップ導体、および誘電体基板の表面および裏面に形成された接地導体からなるストリップ線路(トリプレート線路)を用いて構成することができる。この場合には、第1伝送線路4、第2伝送線路5、第3伝送線路6、入力伝送線路7、第1出力伝送線路8および第2出力伝送線路9をストリップ線路により構成し、図1に示すように、それぞれの伝送線路を接続点P1〜P3で接続する。さらに、誘電体基板の端部に向けて延在する入力伝送線路7、第1出力伝送線路8および第2出力伝送線路9にそれぞれ入力端子1、第1出力端子2および第2出力端子3を接続することにより、逆相分配回路が構成される。
In addition to this, the reverse phase distribution circuit includes, for example, a strip line (triplate line) formed of a strip conductor formed inside the dielectric substrate and a ground conductor formed on the front and back surfaces of the dielectric substrate. Can be used. In this case, the
1 入力端子、2 第1出力端子、3 第2出力端子、4 第1伝送線路、5 第2伝送線路、6 第3伝送線路、Zc1、Zc2、Zc3 特性インピーダンス。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Input terminal, 2 1st output terminal, 3 2nd output terminal, 4 1st transmission line, 5 2nd transmission line, 6 3rd transmission line, Zc1, Zc2, Zc3 Characteristic impedance.
Claims (4)
前記入力端子と前記第1出力端子との間に接続され、所定の周波数帯域の中心周波数において1/4波長の電気長を有する第1伝送線路と、
前記入力端子と前記第2出力端子との間に接続され、前記中心周波数において3/4波長の電気長を有する第2伝送線路と、
前記第1出力端子と前記第2出力端子との間に接続され、前記中心周波数において1/2波長の電気長を有する第3伝送線路と、を備え、
前記第1伝送線路および前記第2伝送線路の特性インピーダンスを互いに等しい値とし、前記第3伝送線路の特性インピーダンスを、前記第1伝送線路および前記第2伝送線路の特性インピーダンスよりも小さな値とする
ことを特徴とする逆相分配回路。 A negative phase distribution circuit that distributes a high-frequency signal input to an input terminal and outputs the high-frequency signal from the first output terminal and the second output terminal in opposite phases;
A first transmission line connected between the input terminal and the first output terminal and having an electrical length of ¼ wavelength at a center frequency of a predetermined frequency band;
A second transmission line connected between the input terminal and the second output terminal and having an electrical length of 3/4 wavelength at the center frequency;
A third transmission line connected between the first output terminal and the second output terminal and having an electrical length of ½ wavelength at the center frequency;
The characteristic impedances of the first transmission line and the second transmission line are made equal to each other, and the characteristic impedance of the third transmission line is made smaller than the characteristic impedances of the first transmission line and the second transmission line. A reverse phase distribution circuit characterized by that.
ことを特徴とする請求項1に記載の逆相分配回路。 2. The antiphase distribution circuit according to claim 1, wherein the characteristic impedance of the third transmission line is set to a value approximately half of the characteristic impedance of the first transmission line and the second transmission line.
前記誘電体基板の表面に形成されたストリップ導体と、
前記誘電体基板の裏面に形成された接地導体と、を有し、
前記第1伝送線路、前記第2伝送線路および前記第3伝送線路を、それぞれ前記ストリップ導体および前記接地導体からなるマイクロストリップ線路により構成し、
前記誘電体基板の端部に、前記入力端子、前記第1出力端子および前記第2出力端子を配設する
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の逆相分配回路。 A dielectric substrate;
A strip conductor formed on the surface of the dielectric substrate;
A ground conductor formed on the back surface of the dielectric substrate,
The first transmission line, the second transmission line, and the third transmission line are each constituted by a microstrip line composed of the strip conductor and the ground conductor,
The reverse phase distribution circuit according to claim 1, wherein the input terminal, the first output terminal, and the second output terminal are disposed at an end portion of the dielectric substrate.
前記誘電体基板の内部に形成されたストリップ導体と、
前記誘電体基板の表面および裏面に形成された接地導体と、を有し、
前記第1伝送線路、前記第2伝送線路および前記第3伝送線路を、それぞれ前記ストリップ導体および前記接地導体からなるストリップ線路により構成し、
前記誘電体基板の端部に、前記入力端子、前記第1出力端子および前記第2出力端子を配設する
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の逆相分配回路。 A dielectric substrate;
A strip conductor formed inside the dielectric substrate;
A grounding conductor formed on the front and back surfaces of the dielectric substrate,
The first transmission line, the second transmission line, and the third transmission line are each constituted by a strip line composed of the strip conductor and the ground conductor,
The reverse phase distribution circuit according to claim 1, wherein the input terminal, the first output terminal, and the second output terminal are disposed at an end portion of the dielectric substrate.
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JPS58161502A (en) * | 1982-03-19 | 1983-09-26 | Yoshiyuki Naito | Hybrid ring directional coupler |
JP2004032046A (en) * | 2002-06-21 | 2004-01-29 | Mitsubishi Electric Corp | Inverse phase feeding circuit and antenna apparatus |
-
2009
- 2009-08-03 JP JP2009180595A patent/JP2011035706A/en active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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