JP2011034622A - Built-in memory - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は内蔵メモリに関し、特に、撮像装置等の電子機器に内蔵される内蔵メモリに関する。 The present invention relates to a built-in memory, and more particularly to a built-in memory built in an electronic apparatus such as an imaging apparatus.
特許文献1は、バーンイン・テストを行う半導体集積回路の試験方法を開示する。半導体集積回路の出荷前にバーンイン・テストを行うことにより、半導体集積回路内の不良な領域を予めアクセスできない領域とすることができる。
しかしながら、内蔵メモリ等の半導体集積回路に対して、バーンイン・テストを出荷前に行うと、その分だけ出荷までに時間がかかることとなる。結果として、内蔵メモリ等の半導体集積回路のコストも高くなってしまう。 However, if a burn-in test is performed on a semiconductor integrated circuit such as a built-in memory before shipping, it will take time until shipping. As a result, the cost of a semiconductor integrated circuit such as a built-in memory also increases.
本発明は、比較的安価であって、かつ、ある程度品質も確保した内蔵メモリを提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a built-in memory that is relatively inexpensive and has a certain level of quality.
上記課題を解決するために、本発明にかかる内蔵メモリは、データを記憶する複数のメモリと、メモリへのデータの記録、若しくメモリ内に格納されているデータの読み出しをするためにメモリへ電圧をかける第1の電圧手段と、第1の電圧手段がメモリにかける電圧よりも高い電圧をメモリにかける第2の電圧手段と、自装置の使用が開始されてから所定の要件を満たすまでは、第1の電圧手段が複数のメモリのうちの一部のメモリへ電圧をかけるのに応じて、一部のメモリ以外のメモリのうちの全部又は一部のメモリに電圧をかけるよう第2の電圧手段を制御する制御手段と、を備える。 In order to solve the above-mentioned problems, the built-in memory according to the present invention includes a plurality of memories for storing data and a memory for recording data in the memory or reading data stored in the memory. A first voltage means for applying a voltage; a second voltage means for applying a voltage higher than the voltage applied to the memory by the first voltage means; The second voltage means applies a voltage to all or some of the memories other than some of the memories in response to the first voltage means applying a voltage to some of the plurality of memories. Control means for controlling the voltage means.
本発明によれば、比較的安価であって、かつ、ある程度品質も確保した内蔵メモリを提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a built-in memory that is relatively inexpensive and has a certain level of quality.
〔1.実施の形態1〕
〔1−1.構成〕
〔1−2−1.電気的構成〕
本実施の形態にかかるデジタルビデオカメラ100の電気的構成について図1を用いて説明する。図1は、デジタルビデオカメラ100の構成を示すブロック図である。デジタルビデオカメラ100は、1又は複数のレンズからなる光学系110により形成された被写体像をイメージセンサー140で撮像する。イメージセンサー140で生成された映像データは、画像処理部160で各種処理が施され、内蔵メモリ240に格納される。以下、デジタルビデオカメラ100の構成を詳細に説明する。
[1. Embodiment 1]
[1-1. Constitution〕
[1-2-1. Electrical configuration)
An electrical configuration of the digital video camera 100 according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of the digital video camera 100. The digital video camera 100 captures an object image formed by the
光学系110は、ズームレンズやフォーカスレンズから構成される。ズームレンズを光軸に沿って移動させることにより、被写体像の拡大、縮小をすることができる。また、フォーカスレンズを光軸に沿って移動させることにより、被写体像のピントを調整することができる。
The
レンズ駆動部120は、光学系110に含まれる各種レンズを駆動する。例えばズームレンズを駆動するズームモータや、フォーカスレンズを駆動するフォーカスモータがこれにあたる。
The
絞り300は、使用者の設定に応じて若しくは自動で、開口部の大きさを調整し、透過する光の量を調整する。
The
イメージセンサー140は、光学系110で形成された被写体像を撮像して、映像データを生成する。イメージセンサー140は、露光、転送、電子シャッターなどの各種動作を行う。
The
A/Dコンバータ150は、イメージセンサー140で生成されたアナログ映像データをデジタル映像データに変換する。
The A /
画像処理部160は、イメージセンサー140で生成された映像データに対して各種処理を施す。画像処理部160は、イメージセンサー140で生成された映像データに対して処理を施し、表示モニタ220に表示するための映像データを生成したり、内蔵メモリ240に格納するための映像データを生成したりする。例えば、画像処理部160は、イメージセンサー140で生成された映像データに対してガンマ補正やホワイトバランス補正、傷補正などの各種処理を行う。また、画像処理部160は、イメージセンサー140で生成された映像データに対して、AVCHD規格等の国際標準規格に準拠した圧縮形式等により映像データを圧縮する。画像処理部160は、DSPやマイコンなどでも実現可能である。
The
コントローラー180は、全体を制御する制御手段である。コントローラー180は、半導体素子などで実現可能である。コントローラー180は、ハードウェアのみで構成してもよいし、ハードウェアとソフトウェアとを組み合わせることにより実現してもよい。コントローラー180は、マイコンなどで実現できる。
The
カードスロット190は、メモリカード200を着脱可能である。カードスロット190は、機械的及び電気的にメモリカード200と接続可能である。メモリカード200は、フラッシュメモリや強誘電体メモリなどを内部に含み、画像処理部160で生成された映像データ等のデータを格納可能である。
The
内蔵メモリ240は、フラッシュメモリや強誘電低メモリなどで構成される。内蔵メモリ240は、画像処理部160で生成された映像データ等のデータを格納可能である。
The built-in
操作部材210は、使用者からの操作を受け付けるユーザーインターフェースの総称である。例えば、使用者からの操作を受け付ける十字キー、決定釦、モードダイヤル、記録開始釦等がこれにあたる。
The
表示モニタ220は、イメージセンサー140で生成した映像データが示す映像(スルー映像)や、メモリカード200から読み出した映像データが示す映像を表示可能である。また、表示モニタ220は、デジタルビデオカメラ100の各種設定を行うための各種メニュー画面等も表示可能である。
The
〔1−2−2.内蔵メモリの構成〕
内蔵メモリ240の構成について図2を用いて詳細に説明する。図2は、内蔵メモリ240の構成を説明するための模式図である。
[1-2-2. Internal memory configuration)
The configuration of the built-in
NAND−0〜NAND−7は、それぞれフラッシュメモリに代表される半導体不揮発性メモリである。大容量の内蔵メモリを構成する為に複数チップのフラッシュメモリで内蔵メモリを構成する。本実施の形態では8チップのフラッシュメモリで内蔵メモリ240を構成する。
NAND-0 to NAND-7 are semiconductor nonvolatile memories represented by flash memories, respectively. In order to construct a large-capacity built-in memory, the built-in memory is composed of a multi-chip flash memory. In the present embodiment, the built-in
例えば4GBのフラッシュメモリを8チップ使用すると総容量32GBの内蔵メモリを実現する事ができる。NANDコントローラー258は、マイコンあるいは専用LSIで構成される。通常、コントローラー180を構成するマイコン等は、直接複数チップのフラッシュメモリに対して書込み読出しを制御する機能を有さない、NANDコントローラー258は、コントローラー180からの指示に基づいて、複数チップのフラッシュメモリ(NAND−0〜NAND−7)へのデータの書込み・読出しを制御する。
For example, if 8 chips of 4 GB flash memory are used, a built-in memory with a total capacity of 32 GB can be realized. The
〔1−3.動作〕
〔1−3−1.アクセスするチップの選択動作〕
内蔵メモリ240内の複数のチップのうち、アクセスするチップを選択するための動作について図3を用いて説明する。図3は、アクセスするチップの選択動作を説明するためのフローチャートである。
[1-3. Operation)
[1-3-1. (Selection operation of chip to access)
An operation for selecting a chip to be accessed among a plurality of chips in the built-in
デジタルビデオカメラ100は、撮影した映像を内蔵メモリに記録する場合、内蔵メモリ240に電源を供給する(S100)。内蔵メモリ240への電源の供給が開始されると、フラッシュメモリが使用された累積時間を計測する為に、NANDコントローラー258は、コントローラー180から内蔵メモリ240に与えられるコマンド数のカウントを開始する(S101)。コマンドには、例えば初期化コマンド、WRITEコマンド、READコマンドなどがあるが、それらコマンドのいずれかあるいは全てをカウントする事によってフラッシュメモリの使用された累積時間を計測する事ができる。また、デジタルビデオカメラ100は、カウント数をフラッシュメモリチップのいずれかに記録する事ができる。
The digital video camera 100 supplies power to the
最初に内蔵メモリ240を使用し始める場合において、カウント数が所定数に達していない場合、デジタルビデオカメラ100は、NAND−0チップ250だけを使用してデータの書込み・読出しを行なう(S102)。ここで、データの書込み・読出しは、NANDコントローラー258がチップに対して電圧を5(V)かけるように制御することにより行われる。
When the
コントローラー180からコマンドが発行されるのに応じて、NANDコントローラー258は、NAND−0チップに対してデータの書込み・読出しを行い、NAND−1〜7のチップに対してErase処理を実行する(S103)。ここで、NANDメモリのErase処理には一般的にRead処理よりもかなり高い電圧をメモリーセルに供給する必要があり、またReadがブロック単位で制御するのに対してErase処理はより大きなアクセスブロックに対して制御する事ができる。この2点においてErase処理が前述のバーンイン処理に適している。Erase処理は、NANDコントローラー258がチップ上の昇圧回路259に対して電圧を20(V)かけるように制御することにより行われる。チップのうち不良な領域は、Erase処理を複数回受け付けることにより、データの書込みを受け付けないようになる。このように、実際にチップを使用する前にチップへのアクセスを行い、不良領域についてデータの書込みを受け付けないようにし、チップの品質を向上する処理をバーンイン(Burn in)処理という。
In response to a command issued from the
実行されたコマンド数が所定数に達した場合には(S104)、NANDコントローラー258は、書込み・読出しを行うフラッシュメモリのチップ数を増やす(S105)。例えば、使用するチップを1個から2個に増やす際の所定数を100回とし、使用するチップを2個から4個に増やす際の所定数を1000回とし、使用するチップを4個から8個に増やす際の所定数を10000回とする。
When the number of commands executed reaches a predetermined number (S104), the
この場合、実行されたコマンド数が100回に達した場合、NANDコントローラー258は、使用するフラッシュメモリチップをNAND−0とNAND−1との2チップに増やす。この際、NANDコントローラー258は、NAND−1〜7のチップに対して、100回のErase処理が実行していることとなる。
In this case, when the number of executed commands reaches 100 times, the
更にコマンド数のカウントを続け、1000回のコマンドが実行された場合、NANDコントローラー258は、更に使用するフラッシュメモリチップの数を4チップに増やす。この時点で、NANDコントローラー258は、NAND−2〜7のフラッシュメモリチップに対して、1100回のErase処理を実行していることとなる。
When the command count is further continued and 1000 commands are executed, the
更にコマンド数が10000回に達した場合、NANDコントローラー258は、使用するチップ数を8チップ全て使用するように増やす。この時点で、NANDコントローラー258は、NAND−4〜7のフラッシュメモリチップに対して、11100回のErase処理を実行していることとなる。
Further, when the number of commands reaches 10,000 times, the
8チップ全てが使用されるようになった後は、デジタルビデオカメラ100は、常に8チップ全てを使用する状態で内蔵メモリ240を使用する事となる。
After all 8 chips are used, the digital video camera 100 uses the built-in
このように、本実施の形態にかかるデジタルカメラ100は、使用者が使用を開始してから一定期間は内蔵メモリに含まれるチップのうち一部のチップに対して、Erase処理を繰り返す。これにより、デジタルビデオカメラ100は、内蔵メモリに対するバーンイン処理を事前に実行していない場合においても、内蔵メモリ内の一部のチップに対してバーンイン処理を行うことができ、内臓メモリの特性を安定させることができる。 As described above, the digital camera 100 according to the present embodiment repeats the erase process for a part of the chips included in the built-in memory for a certain period after the user starts use. As a result, the digital video camera 100 can perform burn-in processing on a part of the chips in the built-in memory even when the burn-in processing for the built-in memory is not performed in advance, and the characteristics of the built-in memory can be stabilized. Can be made.
〔1−3−2.チップへのアクセス動作〕
内蔵メモリ240内のチップへのアクセス動作について図4および図5を用いて説明する。図4、図5は、それぞれチップへのアクセス動作を説明するための模式図である。
[1-3-2. (Chip access operation)
The access operation to the chip in the built-in
初期モード(1)は、フラッシュメモリを1チップ使用するモードである。初期モード(1)において、デジタルビデオカメラ100は、NAND−0チップ4GBを使用して映像データの書き込み読出しを行なう。この期間において、NANDコントローラー258は、コントローラー180からコマンドが発行される度、NAND−1〜7の7チップに対してErase処理を実行する。
The initial mode (1) is a mode in which one chip of flash memory is used. In the initial mode (1), the digital video camera 100 writes and reads video data using the NAND-0 chip 4GB. During this period, the
初期モード(2)は、フラッシュメモリを2チップ使用するモードである。初期モード(2)において、デジタルビデオカメラ100は、NAND−0とNAND−1との2チップ、合計8GBを使用して映像データの書込み・読出しを行なう。書込みが行なわれない残りの6チップに対してErase処理が行なわれるのは、上述のモードと同じである。この際、NAND−0とNAND−1のそれぞれ4GBを例えば2MB単位の小容量ブロックに分割し交互に配置して書込み読み出しを行なう。NAND−0あるいはNAND−1のいずれかのフラッシュメモリに対しての書込みの集中を防止するためである。これにより、NAND−0及びNAND−1の品質劣化の程度を低減できる。 The initial mode (2) is a mode that uses two chips of flash memory. In the initial mode (2), the digital video camera 100 performs video data writing / reading using a total of 8 GB of NAND-0 and NAND-1 chips. The erase process is performed on the remaining six chips that are not written in the same manner as in the above-described mode. At this time, 4 GB of each of NAND-0 and NAND-1 is divided into small-capacity blocks of, for example, 2 MB, and alternately arranged to perform writing and reading. This is to prevent concentration of writing to either the flash memory NAND-0 or NAND-1. Thereby, the degree of quality degradation of NAND-0 and NAND-1 can be reduced.
初期モード(4)は、フラッシュメモリを4チップ使用するモードである。初期モード(4)において、デジタルビデオカメラ100は、4チップ16GBを使用して映像データの書き込み読出しを行なう。書込みが行なわれない残りの4チップに対してErase処理が行なわれるのは、上述のモードと同じである。また、NAND−0〜3の4チップをそれぞれ例えば2MBの小ブロックに分割して交互に配置し、内蔵メモリ240の品質劣化の程度を低減する事も上述のモードと同様である。
The initial mode (4) is a mode that uses four chips of flash memory. In the initial mode (4), the digital video camera 100 writes and reads video data using the 4-chip 16 GB. The erase process is performed on the remaining four chips that are not written in the same manner as in the above-described mode. Similarly to the above-described mode, the four chips NAND-0 to 3 are divided into, for example, small blocks of 2 MB and arranged alternately to reduce the degree of quality deterioration of the built-in
通常モードは、初期モード(1)〜(4)を終了した後のモードでありフラッシュメモリ8チップ全てを使用して32GBの内蔵メモリとして映像データの書き込み読出しを行なう。 The normal mode is a mode after the initial modes (1) to (4) are completed, and video data is written and read as a 32 GB built-in memory using all 8 chips of the flash memory.
本発明は、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ等の撮像装置や、カメラ機能付き携帯電話等の電子機器に内蔵可能な内蔵メモリに適用できる。 The present invention can be applied to an imaging device such as a digital still camera and a digital video camera, and a built-in memory that can be built in an electronic device such as a mobile phone with a camera function.
100 デジタルカメラ
110 光学系
120 レンズ駆動部
140 イメージセンサー
150 A/Dコンバータ
160 画像処理部
180 コントローラー
190 カードスロット
200 メモリカード
210 操作部材
220 表示モニタ
240 内蔵メモリ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100
Claims (1)
前記メモリへのデータの記録、若しく前記メモリ内に格納されているデータの読み出しをするために前記メモリへ電圧をかける第1の電圧手段と、
前記第1の電圧手段が前記メモリにかける電圧よりも高い電圧を前記メモリにかける第2の電圧手段と、
自装置の使用が開始されてから所定の要件を満たすまでは、前記第1の電圧手段が前記複数のメモリのうちの一部のメモリへ電圧をかけるのに応じて、前記一部のメモリ以外のメモリのうちの全部又は一部のメモリに電圧をかけるよう前記第2の電圧手段を制御する制御手段と、を備える、
内蔵メモリ。 A plurality of memories for storing data;
First voltage means for applying a voltage to the memory in order to record data in the memory or to read data stored in the memory;
Second voltage means for applying a voltage to the memory that is higher than a voltage applied to the memory by the first voltage means;
The first voltage means applies a voltage to a part of the plurality of memories until the predetermined requirement is satisfied after the use of the own device is started. Control means for controlling the second voltage means to apply a voltage to all or a part of the memories of
Built-in memory.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009178652A JP2011034622A (en) | 2009-07-31 | 2009-07-31 | Built-in memory |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009178652A JP2011034622A (en) | 2009-07-31 | 2009-07-31 | Built-in memory |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011034622A true JP2011034622A (en) | 2011-02-17 |
Family
ID=43763553
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2009178652A Pending JP2011034622A (en) | 2009-07-31 | 2009-07-31 | Built-in memory |
Country Status (1)
Country | Link |
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2009
- 2009-07-31 JP JP2009178652A patent/JP2011034622A/en active Pending
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