JP2011032401A - Resist ink and method for producing resist pattern - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、微細パターンを必要とする各種電子部品の製造において、エッチング工程を用いて微細パターンを形成する際に、レジスト材料として好適に使用できるレジストインキに関する。 The present invention relates to a resist ink that can be suitably used as a resist material when forming a fine pattern using an etching process in the manufacture of various electronic components that require a fine pattern.
これまで各種電気部品の製造には、高精細なパターニングが可能なフォトリソグラフィ法(フォトリソ法)が用いられてきた。例えばITO(インジウム錫酸化物)などの導体を用いてタッチパネル用の電極パターンを形成する際には、導体膜を形成した上にレジストを全面に塗布し、マスクを用いて露光し、未硬化部のレジストを除去した後、エッチングで不要な導体膜を除去し、さらに使用済みのレジストを除去する。しかしながら、フォトリソ法では、生産工程が長くなること、マスクの使用や露光、レジストを全面塗工することのために、ランニングコストが増大することなど、多くの問題がある。生産工程を短縮するため、印刷法による各種電子部品の製造が望まれている。 Until now, photolithography (photolithography) capable of high-definition patterning has been used for manufacturing various electrical components. For example, when forming an electrode pattern for a touch panel using a conductor such as ITO (indium tin oxide), a resist film is applied on the entire surface of the conductor film, exposed using a mask, and an uncured portion. After removing the resist, unnecessary conductor film is removed by etching, and used resist is removed. However, the photolithography method has many problems such as a long production process, use of a mask, exposure, and application of a resist on the entire surface, resulting in an increase in running cost. In order to shorten the production process, it is desired to manufacture various electronic components by a printing method.
フォトリソ法に関連する技術として、配線板の回路パターンをエッチング法で形成するためのレジスト用インキ(光硬化型印刷インキ)が知られている(例えば特許文献1〜4参照)。このレジスト用インキは、スクリーン印刷や通常のグラビア印刷等でパターン印刷した後、紫外線硬化させることでレジストパターンが得られるものであり、マスクが不要である。しかしながら、スクリーン印刷やグラビア印刷等ではフォトリソ法に匹敵するファインパターンが形成できない。 As a technique related to the photolithography method, a resist ink (photo-curable printing ink) for forming a circuit pattern of a wiring board by an etching method is known (see, for example, Patent Documents 1 to 4). This resist ink is a pattern that is printed by screen printing, ordinary gravure printing, or the like, and is then cured by ultraviolet rays, so that a resist pattern is obtained, and a mask is unnecessary. However, a fine pattern comparable to the photolithography method cannot be formed by screen printing or gravure printing.
プレート中にパターンをエッチングで形成した平板状のグラビアプレートを用いたレジストパターン形成方法も知られている(例えば特許文献5参照)。しかしながら、溶剤のブランケットへの吸収が十分に考慮されず、基材への転写が必ずしも十分ではなかった。 A resist pattern forming method using a flat gravure plate in which a pattern is formed by etching in a plate is also known (see, for example, Patent Document 5). However, the absorption of the solvent into the blanket was not sufficiently considered, and the transfer to the substrate was not always sufficient.
本発明の第一の課題は、各種電子部品として所望される最適(微細)な画像を、エッチングで得るために用いる、レジスト適性はもとより、印刷適性に優れるレジストインキを提供することにある。第二の課題は、細線再現性、連続印刷性、機上安定性に優れるレジストパターンの形成方法を提供することにある。 A first object of the present invention is to provide a resist ink that is excellent in printability as well as resist suitability, which is used for obtaining an optimum (fine) image desired for various electronic components by etching. A second problem is to provide a method for forming a resist pattern that is excellent in fine line reproducibility, continuous printability, and on-machine stability.
かかる課題を解決するため、本発明は第一に、酸価が150(gKOH/g)以上、重量平均分子量が500〜5,000、且つ、25℃において固体であるアルカリ可溶性樹脂、及び、20℃に於ける蒸気圧が0.02kPa以下、シリコーンブランケット膨潤率が5〜20%である有機溶剤を含有し、25℃に於ける粘度が5〜20Pa・sであることを特徴とするレジストインキを提供する。 In order to solve this problem, the present invention firstly has an acid value of 150 (gKOH / g) or more, a weight average molecular weight of 500 to 5,000, and an alkali-soluble resin which is solid at 25 ° C., and 20 A resist ink comprising an organic solvent having a vapor pressure of 0.02 kPa or less at 5 ° C., a silicone blanket swelling ratio of 5 to 20%, and a viscosity at 25 ° C. of 5 to 20 Pa · s. I will provide a.
更に、本発明は第二に、少なくとも、レジストパターンを有する凹版印刷版にレジストインキを供給する工程、シリコーンブランケットを押圧し、レジストインキを該ブランケット上に転移する工程、該ブランケット上のレジストインキを、予め基板上に形成されたエッチング可能な層上に転写する工程を有するレジストパターン形成方法であって、該レジストインキが、酸価が150(gKOH/g)以上、重量平均分子量が500〜5,000、且つ、25℃において固体であるアルカリ可溶性樹脂、及び、20℃に於ける蒸気圧が0.02kPa以下、シリコーンブランケット膨潤率が5〜20%である有機溶剤を含有し、25℃に於ける粘度が5〜20Pa・sであるレジストインキであることを特徴とするレジストパターン形成方法を提供する。 Furthermore, the present invention secondly includes a step of supplying a resist ink to at least an intaglio printing plate having a resist pattern, a step of pressing a silicone blanket and transferring the resist ink onto the blanket, and a resist ink on the blanket. A resist pattern forming method comprising a step of transferring onto an etchable layer previously formed on a substrate, wherein the resist ink has an acid value of 150 (gKOH / g) or more and a weight average molecular weight of 500 to 5 And an organic solvent that is solid at 25 ° C. and an organic solvent having a vapor pressure at 20 ° C. of 0.02 kPa or less and a silicone blanket swelling ratio of 5 to 20%. Resist pattern formation method characterized by being a resist ink having a viscosity of 5 to 20 Pa · s To provide.
本発明に於いて、有機溶剤のシリコーンブランケット膨潤率とは、2cm角のシリコーンブランケット(金陽社製シリコーンブランケット T−60 C/C)を、該溶剤に、25℃環境下、10時間浸漬した後のブランケットの質量増加率を言う。 In the present invention, the silicone blanket swelling ratio of the organic solvent means that a 2 cm square silicone blanket (silicone blanket T-60 C / C manufactured by Kinyo Co., Ltd.) is immersed in the solvent for 10 hours in an environment of 25 ° C. The mass increase rate of the blanket.
本明細書において、レジストインキの粘度は、ラレー粘度計により測定した値で定義する。 In this specification, the viscosity of the resist ink is defined by a value measured with a Raleigh viscometer.
本発明によれば、各種電子部品として所望される最適(微細)な画像を、エッチングで得るために用いる、レジスト適性はもとより、印刷適性に優れるレジストインキを提供することができる。又、細線再現性、連続印刷性、機上安定性に優れるレジストパターンの形成方法を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the resist ink which is excellent in printing aptitude as well as resist aptitude used in order to obtain the optimal (fine) image desired as various electronic components by an etching can be provided. In addition, it is possible to provide a method for forming a resist pattern that is excellent in fine line reproducibility, continuous printability, and on-machine stability.
以下、最良の形態に基づいて本発明を説明する。 The present invention will be described below based on the best mode.
(レジストインキ)
本発明のレジストインキは、酸価が150(gKOH/g)以上、重量平均分子量が500〜5,000、且つ、25℃において固体であるアルカリ可溶性樹脂、及び、20℃に於ける蒸気圧が0.02kPa以下、シリコーンブランケット膨潤率が5〜20%である有機溶剤を含有し、25℃に於ける粘度が5〜20Pa・sであることを特徴とする。
(Resist ink)
The resist ink of the present invention has an acid value of 150 (gKOH / g) or more, a weight average molecular weight of 500 to 5,000, an alkali-soluble resin that is solid at 25 ° C., and a vapor pressure at 20 ° C. An organic solvent having a silicone blanket swelling ratio of 5 to 20% is contained at 0.02 kPa or less, and a viscosity at 25 ° C. is 5 to 20 Pa · s.
(レジストパターン形成方法)
本発明のレジストパターン形成方法は、前記した本発明のレジストインキを用い、少なくとも、レジストパターンを有する凹版印刷版にレジストインキを供給する工程、シリコーンブランケットを押圧し、レジストインキを該ブランケット上に転移する工程、該ブランケット上のレジストインキを、予め基板上に形成されたエッチング可能な層上に転写する工程を有することを特徴とする。
(Resist pattern formation method)
The resist pattern forming method of the present invention uses the resist ink of the present invention described above, and at least a step of supplying the resist ink to the intaglio printing plate having the resist pattern, pressing the silicone blanket, and transferring the resist ink onto the blanket And a step of transferring the resist ink on the blanket onto an etchable layer previously formed on the substrate.
本発明のレジストインキは、凹版印刷版を用い、シリコーンブランケットを介するオフセット法によりエッチングレジストパターンを形成するために用いることができる。本発明のレジストインキに用いる各成分は、エッチング液に対して化学的に耐え得る成分を適宜選択して用いることが望ましいが、組成物全体として、形成したパターンが所望の耐エッチング性を有すれば使用可能である。 The resist ink of the present invention can be used to form an etching resist pattern by an offset method using a silicone blanket using an intaglio printing plate. As each component used in the resist ink of the present invention, it is desirable to appropriately select and use a component that can withstand the etching solution. However, as a whole composition, the formed pattern has desired etching resistance. Can be used.
本発明のレジストインキに用いるアルカリ可溶性樹脂は、酸価が150(gKOH/g)以上、重量平均分子量が500〜5,000、且つ、25℃において固体であるアルカリ可溶性樹脂である。酸価は、200以上であることが好ましい。酸価が150(gKOH/g)未満であると、アルカリ洗浄時に残渣が残る。重量平均分子量が500未満では、印刷に必要な粘度を十分に得ることが難しく、5,000を超えると、インキの弾性が強くなりレジストパターンを有する凹版印刷版にレジストインキを供給する工程に不具合が生じる。 The alkali-soluble resin used in the resist ink of the present invention is an alkali-soluble resin having an acid value of 150 (gKOH / g) or more, a weight average molecular weight of 500 to 5,000, and a solid at 25 ° C. The acid value is preferably 200 or more. If the acid value is less than 150 (gKOH / g), a residue remains during alkali cleaning. If the weight average molecular weight is less than 500, it is difficult to obtain a sufficient viscosity necessary for printing, and if it exceeds 5,000, the elasticity of the ink becomes strong and the process of supplying resist ink to the intaglio printing plate having a resist pattern is defective. Occurs.
このようなアルカリ可溶性樹脂としては、ロジンエステル樹脂、アクリル樹脂、エステル樹脂、ウレタン樹脂が挙げられる。特に好ましくは、ロジンエステル樹脂、アクリル樹脂である。 Examples of such alkali-soluble resins include rosin ester resins, acrylic resins, ester resins, and urethane resins. Particularly preferred are rosin ester resins and acrylic resins.
本発明のレジストインキに用いる有機溶剤は、20℃に於ける蒸気圧が0.02kPa以下、シリコーンブランケット膨潤率が5〜20%である有機溶剤である。20℃に於ける蒸気圧が0.02kPaを超えると、印刷機上でインキの増粘が起こり安定的な連続印刷適性を出すことが出来ない。 The organic solvent used in the resist ink of the present invention is an organic solvent having a vapor pressure at 20 ° C. of 0.02 kPa or less and a silicone blanket swelling ratio of 5 to 20%. When the vapor pressure at 20 ° C. exceeds 0.02 kPa, the viscosity of the ink increases on the printing press, and stable continuous printability cannot be obtained.
本発明のレジストパターン形成方法において、シリコーンブランケットには、凹版からの転写性、及び、基材への転写性が求められる。特に、基材への十分な転写性を得るためには、ブランケット表面で、レジストインキ中の有機溶剤を一定割合で吸収することが必要である。吸収が不十分であると基材への転写時にレジストインキ層が層間剥離を起こし易く、逆に、一定割合を超えて吸収するとブランケット表面でレジストインキが乾燥し、基材への転写不良を起こし易い。本明細書では、シリコーンブランケットへの有機溶剤の吸収度合いを前述の「膨潤率」で定義するものである。 In the resist pattern forming method of the present invention, the silicone blanket is required to have transferability from an intaglio and transferability to a substrate. In particular, in order to obtain sufficient transferability to the substrate, it is necessary to absorb the organic solvent in the resist ink at a certain ratio on the blanket surface. Insufficient absorption tends to cause delamination of the resist ink layer at the time of transfer to the substrate, and conversely if absorbed beyond a certain ratio, the resist ink dries on the blanket surface, causing transfer failure to the substrate. easy. In the present specification, the degree of absorption of the organic solvent into the silicone blanket is defined by the aforementioned “swelling rate”.
すなわち、シリコーンブランケット膨潤率が5%未満の有機溶剤を用いると、シリコーンブランケットから基材への転写工程で、レジストインキ層が層間剥離を起こし易くなり、シリコーンブランケット膨潤率が20%を超える有機溶剤を用いると、ブランケット表面でレジストインキが乾燥し過ぎ、転写不良を起し易くなる。斯様な状況の下、シリコーンブランケットを用いたレジストパターン形成方法に、最も適するレジストインキを提供することが本発明の主要な目的とするところある。 That is, when an organic solvent having a silicone blanket swelling ratio of less than 5% is used, the resist ink layer is likely to delaminate in the transfer process from the silicone blanket to the base material, and the organic solvent having a silicone blanket swelling ratio exceeding 20%. When is used, the resist ink is excessively dried on the blanket surface, and transfer defects are likely to occur. Under such circumstances, it is a main object of the present invention to provide a resist ink most suitable for a resist pattern forming method using a silicone blanket.
このような有機溶剤としては、2cm角のシリコーンブランケット(金陽社製シリコーンブランケット T−60 C/C)を、該溶剤に、25℃環境下、10時間浸漬した後のブランケットの質量増加率が5〜20%である有機溶剤を選択することができる。 As such an organic solvent, a 2 cm square silicone blanket (silicone blanket T-60 C / C manufactured by Kinyo Co., Ltd.) is immersed in the solvent in a 25 ° C. environment for 10 hours, and the blanket has a mass increase rate of 5 to 5. An organic solvent that is 20% can be selected.
特に好ましくは、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート又はジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートであるが、数種の溶剤を組合せた結果、シリコーンブランケットの膨潤率は5〜20%が好ましい。 Particularly preferred is diethylene glycol monobutyl ether acetate or diethylene glycol monoethyl ether acetate. As a result of combining several solvents, the swelling rate of the silicone blanket is preferably 5 to 20%.
本発明のレジストインキは、25℃に於ける粘度が5〜20Pa・sであることを特徴としている。粘度が5Pa・s未満であると、画線のコーナー部分やマトリックスの交差点にピンホール欠陥を起こし易く、粘度が20Pa・sを上回ると、凹版へのインキング性に劣り、画線の直線性が劣る。 The resist ink of the present invention is characterized in that the viscosity at 25 ° C. is 5 to 20 Pa · s. If the viscosity is less than 5 Pa · s, pinhole defects are likely to occur at the corners of the image line or at the intersections of the matrix. If the viscosity exceeds 20 Pa · s, the inking property on the intaglio is inferior and the image line is linear. Is inferior.
本発明のレジストインキには、更に、重量平均分子量が500〜5,000のポリエーテルを含有してもよい。重量平均分子量が500〜5,000、且つ、30℃において液状又は半固形状のポリエーテルの添加により、10μm以下の線幅の細線再現性の効果を奏する。レジストインキ中の樹脂固形部に対するポリエーテルの含有比率は、0.1〜3%が好ましい。 The resist ink of the present invention may further contain a polyether having a weight average molecular weight of 500 to 5,000. The addition of a liquid or semi-solid polyether having a weight average molecular weight of 500 to 5,000 and a temperature of 30 ° C. exhibits the effect of fine line reproducibility with a line width of 10 μm or less. The content ratio of the polyether relative to the resin solid part in the resist ink is preferably 0.1 to 3%.
このようなポリエーテルとしては、保土ヶ谷化学社製PTG-L1000、PTG-L2000、PTG-L3000、PTG850、PTG1000、PTG1400、PTG1800、PTG2000、PTG3000、ダイアケミカル社製PTMG650、PTMG850、PTMG1000、PTMG1300、PTMG1500、PTMG1800、PTMG2000、PTMG3000等が挙げられる。特に好ましくは、PTG-L1000、PTG-L2000、PTMG650、PTMG850、PTMG1000である。 Examples of such polyethers include PTG-L1000, PTG-L2000, PTG-L3000, PTG850, PTG1000, PTG1400, PTG1800, PTG2000, PTG3000, PTMG650, PTMG850, PTMG1000, PTMG1300, PTMG1500, manufactured by Hodogaya Chemical Co., Ltd. Examples include PTMG1800, PTMG2000, and PTMG3000. Particularly preferred are PTG-L1000, PTG-L2000, PTMG650, PTMG850, and PTMG1000.
(レジストインキの組成)
本発明のレジストインキの、アルカリ可溶性樹脂と有機溶剤の比率は、75:25〜55:45の範囲が好ましく、更に好ましくは、70:30〜60:40である。レジストインキ中のアルカリ可溶性樹脂の含有量は、75〜55質量%が好ましく、より好ましくは70〜60質量%である。任意成分としてのレジストインキ中のポリエーテルの含有量は、対象とする線幅に応じて0.1〜3%で使用できる。より好ましくは0.5%〜1.5%である。
(Resist ink composition)
The ratio of the alkali-soluble resin and the organic solvent in the resist ink of the present invention is preferably in the range of 75:25 to 55:45, and more preferably 70:30 to 60:40. The content of the alkali-soluble resin in the resist ink is preferably 75 to 55% by mass, more preferably 70 to 60% by mass. The content of the polyether in the resist ink as an optional component can be 0.1 to 3% depending on the target line width. More preferably, it is 0.5% to 1.5%.
本発明のレジストインキでは、上述の成分以外にも、染料や顔料等の着色成分、顔料分散剤、消泡剤、可塑剤などの各種添加剤を適宜適量配合することができる。 In the resist ink of the present invention, in addition to the above-mentioned components, coloring components such as dyes and pigments, various additives such as pigment dispersants, antifoaming agents, and plasticizers can be appropriately blended.
本発明のレジストインキは、上述の原料を混練し、均一化することで製造することができる。 The resist ink of the present invention can be produced by kneading and homogenizing the above raw materials.
本発明のレジストパターン形成方法は、凹版印刷版の溝部にレジストインキ供給する工程、シリコーンブランケットを凹版印刷版表面に押圧し、凹版印刷版溝部のレジストインキをブランケット表面に転写する工程、ブランケット表面のレジストインキを基材に転写する工程を有する。 The resist pattern forming method of the present invention includes a step of supplying a resist ink to a groove portion of an intaglio printing plate, a step of pressing a silicone blanket against the surface of the intaglio printing plate, and transferring a resist ink of the intaglio printing plate groove portion to the surface of the blanket, A step of transferring the resist ink to the substrate.
本発明のレジストパターン形成方法に用いる凹版印刷版としては、通常のグラビア版、ガラス板上の感光性樹脂を露光、現像、洗浄により形成した凹版、ガラス板をケミカルエッチングおよびレーザーエッチングにより形成した凹版が使用できる。 As the intaglio printing plate used in the resist pattern forming method of the present invention, an ordinary gravure plate, an intaglio plate formed by exposing, developing and washing a photosensitive resin on a glass plate, an intaglio plate formed by chemical etching and laser etching on a glass plate Can be used.
本発明のレジストパターン形成方法に用いるシリコーンブランケットは、シリコーンゴム層、PET層、スポンジ層の様な層構造を有するシートである。通常、ブランケット胴と称される剛性のある円筒に巻きつけた状態で使用する。 The silicone blanket used in the resist pattern forming method of the present invention is a sheet having a layer structure such as a silicone rubber layer, a PET layer, and a sponge layer. Usually, it is used in a state of being wound around a rigid cylinder called a blanket cylinder.
(基材)
このレジストインキを用いてレジストパターンを形成する基材は、特に限定はなく、例えばプラスチック、紙、ガラス、セラミックス、金属などが挙げられる。具体的には、ITOを蒸着したガラスやPETフィルム、アルミニウムやモリブデンを蒸着もしくは均一塗工されたガラスやPETフィルムが挙げられる。
(Base material)
The base material on which the resist pattern is formed using this resist ink is not particularly limited, and examples thereof include plastic, paper, glass, ceramics, and metal. Specifically, glass or PET film on which ITO is vapor-deposited, glass or PET film on which aluminum or molybdenum is vapor-deposited or uniformly coated, and the like can be mentioned.
以下、実施例をもって本発明を具体的に説明する。ここで「%」は、特に断らない限り「質量%」である。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples. Here, “%” is “% by mass” unless otherwise specified.
(有機溶剤の選択)
2cm角に切り出したシリコーンブランケット(金陽社製シリコーンブランケット T−60 C/C)の質量を測定した後に、25℃環境下で、各溶剤50gに10時間浸漬させ、表面に付着した溶剤を拭き取りブランケットの質量を測定した。溶剤浸漬前後のブランケットの質量変化をブランケット膨潤率として算出した。
(Selection of organic solvent)
After measuring the mass of a silicone blanket cut into 2 cm square (Silicon blanket T-60 C / C manufactured by Kinyo Co., Ltd.), it was immersed in 50 g of each solvent for 10 hours in a 25 ° C. environment, and the solvent adhering to the surface was wiped off. The mass was measured. The mass change of the blanket before and after the solvent immersion was calculated as the blanket swelling rate.
(実施例1インキの調製)
アルカリ可溶性樹脂として、ベッカサイトJ896(DIC社製:酸価200(gKOH/g)、重量平均分子量900)65g、有機溶剤としてジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート(ダイセル化学工業社製:20℃に於ける蒸気圧、0.01kPa、シリコーンブランケット膨潤率、11%)35gを加え、80℃で加熱攪拌して実施例1インキを得た(インキ粘度10Pa・s程度)。
(Preparation of Example 1 ink)
As an alkali-soluble resin, 65 g of Becacite J896 (manufactured by DIC: acid value 200 (gKOH / g), weight average molecular weight 900), diethylene glycol monobutyl ether acetate (manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd .: vapor pressure at 20 ° C.) as an organic solvent , 0.01 kPa, silicone blanket swelling ratio, 11%) 35 g was added and heated and stirred at 80 ° C. to obtain Example 1 ink (ink viscosity of about 10 Pa · s).
(実施例2インキの調製)
アルカリ可溶性樹脂として、ベッカサイトJ896(DIC社製:酸価200(gKOH/g)、重量平均分子量900)65g、有機溶剤としてジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート(ダイセル化学工業社製:20℃に於ける蒸気圧、0.01kPa、シリコーンブランケット膨潤率、11%)34g、PTG-L1000(保土ヶ谷化学社製)を1g加え、80℃で加熱攪拌して実施例2インキを得た(インキ粘度10Pa・s程度)。
Example 2 Preparation of Ink
As an alkali-soluble resin, 65 g of Becacite J896 (manufactured by DIC: acid value 200 (gKOH / g), weight average molecular weight 900), diethylene glycol monobutyl ether acetate (manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd .: vapor pressure at 20 ° C.) as an organic solvent , 0.01 kPa, silicone blanket swelling ratio, 11%) 34 g, 1 g of PTG-L1000 (Hodogaya Chemical Co., Ltd.) was added, and the mixture was heated and stirred at 80 ° C. to obtain Example 2 ink (ink viscosity about 10 Pa · s). .
(比較例1インキの調製)
アルカリ可溶性樹脂として、ベッカサイトJ896(DIC社製:酸価200(gKOH/g)、重量平均分子量900)62g、有機溶剤としてジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート(ダイセル化学工業社製:20℃に於ける蒸気圧、0.01kPa、シリコーンブランケット膨潤率、11%)38gを加え、80℃で加熱攪拌して比較例1インキを得た。(インキ粘度4Pa・s程度)
(Comparative Example 1 Preparation of Ink)
62 g of Beccasite J896 (manufactured by DIC: acid value 200 (gKOH / g), weight average molecular weight 900) as an alkali-soluble resin, and diethylene glycol monobutyl ether acetate (manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd .: vapor pressure at 20 ° C.) as an organic solvent. , 0.01 kPa, silicone blanket swelling ratio, 11%) 38 g was added, and the mixture was heated and stirred at 80 ° C. to obtain Comparative Example 1 ink. (Ink viscosity about 4 Pa · s)
(比較例2インキの調製)
アルカリ可溶性樹脂として、ベッカサイトJ896(DIC社製:酸価200(gKOH/g)、重量平均分子量900)68g、有機溶剤としてジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート(ダイセル化学工業社製:20℃に於ける蒸気圧、0.01kPa、シリコーンブランケット膨潤率、11%)32gを加え、80℃で加熱攪拌して比較例2インキを得た。(インキ粘度30Pa・s程度)
(Comparative Example 2 Preparation of Ink)
68 g of Beccasite J896 (manufactured by DIC: acid value 200 (gKOH / g), weight average molecular weight 900) as an alkali-soluble resin, and diethylene glycol monobutyl ether acetate (manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd .: vapor pressure at 20 ° C.) as an organic solvent. , 0.01 kPa, silicone blanket swelling ratio, 11%) 32 g was added, and the mixture was heated and stirred at 80 ° C. to obtain Comparative Example 2 ink. (Ink viscosity about 30 Pa · s)
(比較例3インキの調製)
アルカリ可溶性樹脂として、ベッカサイトJ896(DIC社製:酸価200(gKOH/g)、重量平均分子量900)68.2g、有機溶剤としてジエチレングリコールモノブチルエーテル(ダイセル化学工業社製:20℃に於ける蒸気圧、0.003kPa、シリコーンブランケット膨潤率、3%)31.8gを加え、80℃で加熱攪拌して比較例3インキを得た。(インキ粘度10Pa・s程度)
(Comparative Example 3 Preparation of Ink)
As an alkali-soluble resin, Becacite J896 (manufactured by DIC: acid value 200 (gKOH / g), weight average molecular weight 900) 68.2 g, diethylene glycol monobutyl ether (manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd .: vapor at 20 ° C.) as an organic solvent Pressure, 0.003 kPa, silicone blanket swelling ratio, 31.8 g) was added, and the mixture was heated and stirred at 80 ° C. to obtain Comparative Example 3 ink. (Ink viscosity about 10 Pa · s)
(比較例4インキの調製)
アルカリ可溶性樹脂として、アクトフローCBB−3098(綜研化学社製:酸価100(gKOH/g、25℃において液状樹脂)、重量平均分子量2000)65g、有機溶剤としてジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート(ダイセル化学工業社製:20℃に於ける蒸気圧、0.01kPa、シリコーンブランケット膨潤率、11%)35gを加え、攪拌して比較例4インキを得た(インキ粘度2Pa・s程度)。
(Comparative Example 4 Preparation of Ink)
As an alkali-soluble resin, Actflow CBB-3098 (manufactured by Soken Chemical Co., Ltd .: acid value 100 (gKOH / g, liquid resin at 25 ° C.), weight average molecular weight 2000) 65 g, diethylene glycol monobutyl ether acetate (Daicel Chemical Industries, Ltd.) as an organic solvent Manufactured: 35 g of vapor pressure at 20 ° C., 0.01 kPa, silicone blanket swelling ratio, 11%) was added and stirred to obtain Comparative Example 4 ink (ink viscosity of about 2 Pa · s).
(比較例5インキの調製)
アルカリ可溶性樹脂として、ベッカサイトJ896(DIC社製:酸価200(gKOH/g)、重量平均分子量900)65g、有機溶剤としてエチレングリコールモノメチルエーテル(ダイセル化学工業社製:20℃に於ける蒸気圧、0.70kPa、シリコーンブランケット膨潤率、11%)35gを加え、80℃で加熱攪拌して比較例5インキを得た(インキ粘度8Pa・s程度)。
(Comparative Example 5 Preparation of Ink)
As an alkali-soluble resin, Bekkasite J896 (manufactured by DIC: acid value 200 (gKOH / g), weight average molecular weight 900) 65 g, as an organic solvent, ethylene glycol monomethyl ether (manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd .: vapor pressure at 20 ° C.) , 0.70 kPa, silicone blanket swelling ratio, 11%) 35 g was added, and the mixture was heated and stirred at 80 ° C. to obtain a comparative example 5 ink (ink viscosity of about 8 Pa · s).
(レジストパターンの形成)
ガラス板上に感光性樹脂をスピンコータで均一塗工し、マスクを通して露光を行い、その後、現像、洗浄を行うことで実験用の凹版を形成した。尚、細線パターンは、100μm幅再現性評価部分、20μm幅再現性評価部分、10μm幅再現性評価部分の3通りのパターンを形成した。
(Formation of resist pattern)
A photosensitive resin was uniformly coated on a glass plate with a spin coater, exposed through a mask, and then developed and washed to form an experimental intaglio. In addition, the thin line pattern formed three patterns of a 100 μm width reproducibility evaluation portion, a 20 μm width reproducibility evaluation portion, and a 10 μm width reproducibility evaluation portion.
シリコーンブランケットは、シリコーンゴム層、PET層、スポンジ層の層構造を有する金陽社製T−60 C/Cブランケットを用いた。 As the silicone blanket, a T-60 C / C blanket manufactured by Kinyo Co., Ltd. having a layer structure of a silicone rubber layer, a PET layer, and a sponge layer was used.
上記で形成した凹版に実施例1インキを、ドクターブレードを用いてインキングした後、ブランケットを巻き付けたブランケット胴をニップ幅10cm程度で押圧し、パターン化された実施例1インキを該ブランケット上に転移させた。その後、ITOの厚さ10nmのITOガラス基板に該ブランケット上の実施例1インキを転写し、転写パターンを形成した。 After inking Example 1 ink on the intaglio plate formed above using a doctor blade, the blanket cylinder on which the blanket was wound was pressed with a nip width of about 10 cm, and the patterned Example 1 ink was placed on the blanket. Transferred. Thereafter, the ink of Example 1 on the blanket was transferred to an ITO glass substrate having a thickness of 10 nm, and a transfer pattern was formed.
実施例2インキ、比較例1〜5インキで同様の操作を行い、以下の評価方法で評価した。評価結果を表2に示す。 The same operation was performed with the ink of Example 2 and Comparative Examples 1 to 5, and the following evaluation methods were used. The evaluation results are shown in Table 2.
(インキ粘度)
25℃にて、ラレー粘度計で測定した。
(Ink viscosity)
It measured with the Raleigh viscometer at 25 degreeC.
(インキング可否)
凹版上でインキをブレーディングしたのち、凹版を光学顕微鏡(×1000)で観察した。
(Inking or not)
After the ink was braided on the intaglio, the intaglio was observed with an optical microscope (x1000).
(細線再現性)
前記した、100μm幅再現性評価部分、20μm幅再現性評価部分、10μm幅再現性評価部分に対応した転写パターンを光学顕微鏡(×1000)下で目視評価した。
(Fine line reproducibility)
The transfer patterns corresponding to the 100 μm width reproducibility evaluation portion, the 20 μm width reproducibility evaluation portion, and the 10 μm width reproducibility evaluation portion described above were visually evaluated under an optical microscope (× 1000).
(コーナリング)
直角クランクを有する100μm幅の特定転写パターンや100μm幅の直線の終わりの部分を光学顕微鏡(×1000)下で観察し、印刷方向に対して垂直となる部分に発生するピンホール欠陥の有無を目視評価した。
(cornering)
Observe the specific transfer pattern of 100 μm width with a right-angle crank and the end of the 100 μm width straight line under an optical microscope (× 1000), and visually check for the presence of pinhole defects occurring in the part perpendicular to the printing direction evaluated.
(連続印刷性)
転写パターンを10回連続で形成したときの、前記した、100μm幅再現性評価部分、20μm幅再現性評価部分、10μm幅再現性評価部分に対応した転写パターンを光学顕微鏡(×1000)下で目視評価した。
(Continuous printability)
The transfer pattern corresponding to the 100 μm width reproducibility evaluation part, the 20 μm width reproducibility evaluation part, and the 10 μm width reproducibility evaluation part when the transfer pattern is formed 10 times continuously is visually observed under an optical microscope (× 1000). evaluated.
(機上安定性)
インキを厚さ10μm程度に引き伸ばした状態で10時間放置し、その前後でインキの粘度を測定し10%以上の増粘がないかを確認した。
(Onboard stability)
The ink was stretched to a thickness of about 10 μm and allowed to stand for 10 hours, and the viscosity of the ink was measured before and after that to confirm that there was no thickening of 10% or more.
(ブランケット残渣)
基材への転写工程時に起こる粘着力不足による転写不良、レジストインキの内部凝集力不足による転写不良をブランケット表面に残るレジストインキ残渣として、目視評価を行った。
(Blanket residue)
Visual evaluation was performed using the transfer failure due to insufficient adhesive force occurring during the transfer process to the substrate and the transfer failure due to insufficient internal cohesion of the resist ink as resist ink residues remaining on the blanket surface.
比較例3−5インキは、前述したブランケット残渣1の評価で、転写不良や内部凝集力破壊の現象を呈したため、以降の評価を実施しなかった。 Since Comparative Example 3-5 ink exhibited the phenomenon of transfer failure and internal cohesive force destruction in the evaluation of the blanket residue 1 described above, the subsequent evaluation was not performed.
本発明は、各種の電気部品・電子部品の製造にエッチング用のレジストインキとして利用することができる。最終製品としては、例えばタッチパネル用の電極やディスプレイの画素電極等が挙げられる。 The present invention can be used as a resist ink for etching in the production of various electric parts and electronic parts. Examples of the final product include a touch panel electrode and a display pixel electrode.
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