JP2011027519A - Contactor, test method and tester of semiconductor integrated circuit - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a contactor for eliminating a cleaning process implemented each time a final test is repeated several times, and improving the productivity of the semiconductor integrated circuit, and a test method and a tester of the semiconductor integrated circuit. <P>SOLUTION: A polishing sheet 31 is disposed between an IC mount section 20 in which the semiconductor integrated circuit 11 is placed and a base member 23 in which a contact pin 26 is perpendicularly provide. A slit is provided in the polishing sheet 31 so as to cause the contact pin 26 to penetrate it. When the semiconductor integrated circuit 11 is lowered, a tip of the contact pin 26 is abraded and polished by the polishing sheet 31, and a foreign substance attached to the tip of the contact pin 26 is removed. After the semiconductor integrated circuit 11 is additionally lowered, the contact pin 26 contacts a connection terminal of the semiconductor integrated circuit 11. The semiconductor integrated circuit 11 is driven in the state and determines the quality by an output signal. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体集積回路(IC:Integrated Circuit)の試験に使用するコンタクタ、半導体集積回路の試験方法及び試験装置に関する。   The present invention relates to a contactor used for testing a semiconductor integrated circuit (IC), a test method for a semiconductor integrated circuit, and a test apparatus.

近年、携帯通信端末、携帯電話及びデジタルカメラ等の携帯型電子機器が広く普及しており、これらの電子機器のより一層の小型化、高性能化及び軽量化が要望されている。また、これらの電子機器に使用される半導体集積回路にも小型化、高性能化及び軽量化が要求されており、半導体集積回路の接続端子の数が増加するとともに接続端子の配列ピッチが狭くなる傾向がある。   In recent years, portable electronic devices such as mobile communication terminals, mobile phones, and digital cameras have become widespread, and further reduction in size, performance, and weight of these electronic devices are desired. In addition, semiconductor integrated circuits used in these electronic devices are also required to be reduced in size, performance and weight, and the number of connection terminals of the semiconductor integrated circuit increases and the arrangement pitch of the connection terminals becomes narrower. Tend.

携帯型電子機器に使用される半導体集積回路のパッケージには、BGA(Ball Grid Array)、FBGA(Fine-pitch Ball Grid Array)、LGA(Land Grid Array)、及びFLGA(Fine-pitch Land Grid Array)等がある。BGA及びFBGAでははんだにより形成されたボール状の電極を接続端子としてパッケージ底面に格子状に並べており、リフロー炉により配線基板上にはんだ付けする。LGA及びFLGAは、はんだボールの替わりに平面電極パッドを接続端子としてパッケージ底面に格子状に並べたものであり、はんだ付け又はICソケットを介して配線基板に実装される。   Semiconductor integrated circuit packages used in portable electronic devices include BGA (Ball Grid Array), FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array), LGA (Land Grid Array), and FLGA (Fine-pitch Land Grid Array). Etc. In BGA and FBGA, ball-shaped electrodes formed by solder are arranged in a grid pattern on the bottom of the package as connection terminals, and are soldered onto a wiring board by a reflow furnace. LGA and FLGA are arranged in a grid pattern on the bottom surface of the package using planar electrode pads as connection terminals instead of solder balls, and are mounted on a wiring board via soldering or IC sockets.

ところで、半導体集積回路製造時の最終工程において、最終試験(ファイナルテスト)が実施される。この最終試験では、ICテスターを用いて半導体集積回路の電気特性を測定して良否を判定する。ICテスター本体と半導体集積回路との電気的接続は、例えば多数のコンタクトピンを有するコンタクタ(電気的接続をとるための冶具)を介して行う。   By the way, a final test is performed in the final process when manufacturing the semiconductor integrated circuit. In this final test, the pass / fail is determined by measuring the electrical characteristics of the semiconductor integrated circuit using an IC tester. The electrical connection between the IC tester main body and the semiconductor integrated circuit is made, for example, via a contactor (a jig for making an electrical connection) having a large number of contact pins.

特開2005−44825号公報JP-A-2005-44825 特開平11−233220号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-233220 特開2004−219144号公報JP 2004-219144 A

最終試験は、半導体集積回路を高速動作させた状態で実施されることが多く、要求される電気特性も厳しい。また、コンタクトピンと半導体集積回路の接続端子との間の接触抵抗が電気特性の測定結果に与える影響が大きく、接触抵抗の管理が厳しく要求されている。しかし、従来の試験装置は、単にコンタクトピンを半導体集積回路の接続端子(はんだボール又は平面電極等)に接触させるだけである。そのため、最終試験を繰り返し行うとコンタクトピンの先端に異物(例えばめっき物から剥がれためっき膜等)が付着して接触抵抗が増大し、電気特性を正確に測定できないことがある。   The final test is often performed in a state where the semiconductor integrated circuit is operated at high speed, and the required electrical characteristics are also severe. In addition, the contact resistance between the contact pin and the connection terminal of the semiconductor integrated circuit has a great influence on the measurement result of the electrical characteristics, and management of the contact resistance is strictly required. However, the conventional test apparatus simply contacts the contact pins with the connection terminals (such as solder balls or flat electrodes) of the semiconductor integrated circuit. Therefore, when the final test is repeated, foreign matter (for example, a plating film peeled off from the plated product) adheres to the tip of the contact pin, the contact resistance increases, and the electrical characteristics may not be measured accurately.

このような不具合を回避するために、従来は例えば最終試験を所定回数繰り返した後、コンタクトピンの先端を研磨又は薬液洗浄するクリーニング工程を実行している。しかしながら、クリーニング工程を頻繁に行うと、半導体集積回路の製造(最終試験工程を含む)に要する時間が長くなり、生産性が低下するという問題がある。   In order to avoid such a problem, conventionally, for example, after a final test is repeated a predetermined number of times, a cleaning process is performed in which the tip of the contact pin is polished or chemically cleaned. However, if the cleaning process is frequently performed, the time required for manufacturing the semiconductor integrated circuit (including the final test process) becomes long, and there is a problem that productivity is lowered.

以上から、最終試験を所定回数繰り返す毎に行うクリーニング工程を不要とし、半導体集積回路の生産性を向上できるコンタクタ、半導体集積回路の試験方法及び試験装置を提供することを目的とする。   Accordingly, it is an object of the present invention to provide a contactor, a semiconductor integrated circuit test method, and a test apparatus that can improve the productivity of a semiconductor integrated circuit without the need for a cleaning process that is performed every time the final test is repeated a predetermined number of times.

一観点によれば、半導体集積回路が載置されるIC搭載部と、ベース部材と、前記ベース部材に立設される複数のコンタクトピンと、前記IC搭載部及び前記ベース部材の少なくとも一方を移動させて前記コンタクトピンの先端を前記半導体集積回路の接続端子に接触させる接触手段と、前記IC搭載部に載置された前記半導体集積回路と前記ベース部材との間に配置され、前記接触手段による前記半導体集積回路又は前記コンタクトピンの移動時に前記コンタクトピンの先端を擦る研磨シートとを有する半導体集積回路用コンタクタが提供される。   According to one aspect, an IC mounting portion on which a semiconductor integrated circuit is placed, a base member, a plurality of contact pins erected on the base member, and at least one of the IC mounting portion and the base member are moved. A contact means for bringing a tip of the contact pin into contact with a connection terminal of the semiconductor integrated circuit, and the semiconductor integrated circuit placed on the IC mounting portion and the base member. There is provided a contactor for a semiconductor integrated circuit having a semiconductor integrated circuit or a polishing sheet for rubbing the tip of the contact pin when the contact pin is moved.

上記一観点によれば、IC搭載部に載置された半導体集積回路とベース部材との間に、研磨シートを配置している。この研磨シートは、例えばコンタクトピンが通るスリット又は穴が設けられており、接触手段による半導体集積回路又はコンタクトピンの移動時にコンタクトピンの先端を擦るようになっている。このため、仮にコンタクトピンの先端に異物が付着していても、研磨シートにより異物が除去される。これにより、コンタクトピンと半導体集積回路の接続端子との接触状態を常に良好にすることができる。上記一観点によれば、試験を行うたびにコンタクトピンの先端が清浄化されるので、試験工程とは別にコンタクトピンを研磨したり洗浄したりする工程が不要になり、生産性が向上する。   According to the one aspect, the polishing sheet is disposed between the semiconductor integrated circuit placed on the IC mounting portion and the base member. The polishing sheet is provided with, for example, a slit or a hole through which the contact pin passes, and rubs the tip of the contact pin when the semiconductor integrated circuit or the contact pin is moved by the contact means. For this reason, even if a foreign material adheres to the tip of the contact pin, the foreign material is removed by the polishing sheet. Thereby, the contact state between the contact pin and the connection terminal of the semiconductor integrated circuit can be always improved. According to the above aspect, since the tip of the contact pin is cleaned every time a test is performed, a process of polishing or cleaning the contact pin separately from the test process is unnecessary, and productivity is improved.

図1は、第1の実施形態に係る試験装置を示す模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a test apparatus according to the first embodiment. 図2は、コンタクタの断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of the contactor. 図3は、コンタクトピンを示す模式図である。FIG. 3 is a schematic view showing a contact pin. 図4は、IC搭載部及びカバー部材を上から見た状態を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing the IC mounting portion and the cover member as viewed from above. 図5は、図4の一部(角部)を拡大して示す図である。FIG. 5 is an enlarged view of a part (corner portion) of FIG. 図6(a)〜(c)は、研磨シートの取り付け方法の一例を示す図である。6A to 6C are diagrams illustrating an example of a method for attaching the polishing sheet. 図7は、第1の実施形態に係る半導体集積回路の試験方法を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing the test method for the semiconductor integrated circuit according to the first embodiment. 図8は、第1の実施形態に係る半導体集積回路の試験方法を示す模式図である。FIG. 8 is a schematic view showing a test method for the semiconductor integrated circuit according to the first embodiment. 図9(a)〜(d)は、研磨シートのスリットの例を示す図である。9A to 9D are diagrams showing examples of slits in the polishing sheet. 図10(a),(b)は、第2の実施形態に係る試験装置のコンタクタ及びその試験装置を用いた試験方法を示す断面図である。10A and 10B are cross-sectional views showing a contactor of a test apparatus according to the second embodiment and a test method using the test apparatus. 図11(a)〜(c)は、最終試験時におけるコンタクトピンの先端部の動きを示す模式図である。FIGS. 11A to 11C are schematic views showing the movement of the tip of the contact pin during the final test. 図12(a),(b)は、第3の実施形態に係る試験装置のコンタクタ及びその試験装置を用いた試験方法を示す断面図である。FIGS. 12A and 12B are cross-sectional views showing a contactor of a test apparatus according to the third embodiment and a test method using the test apparatus. 図13は、4枚の研磨シートをそれぞれ示す平面図である。FIG. 13 is a plan view showing four polishing sheets. 図14は、コンタクトピンが研磨シートを透過して半導体集積回路の接続端子と接続した状態を示す模式図である。FIG. 14 is a schematic diagram showing a state in which the contact pins pass through the polishing sheet and are connected to the connection terminals of the semiconductor integrated circuit. 図15は、第4の実施形態に係る試験装置のコンタクタ及びその試験装置を用いた試験方法を示す断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view showing a contactor of a test apparatus according to the fourth embodiment and a test method using the test apparatus. 図16(a),(b)は、第5の実施形態に係る試験装置のコンタクタ及びその試験装置を用いた試験方法を示す断面図である。16A and 16B are cross-sectional views showing a contactor of a test apparatus according to the fifth embodiment and a test method using the test apparatus. 図17(a)〜(c)は、最終試験時におけるコンタクトピンの先端部の動きを示す模式図である。FIGS. 17A to 17C are schematic diagrams showing the movement of the tip of the contact pin during the final test. 図18(a),(b)は、第6の実施形態に係る試験装置のコンタクタ及びその試験装置を用いた試験方法を示す断面図である。18A and 18B are cross-sectional views showing a contactor of a test apparatus according to the sixth embodiment and a test method using the test apparatus. 図19(a)〜(c)は、最終試験時におけるコンタクトピンの先端の動きを示す模式図である。FIGS. 19A to 19C are schematic diagrams showing the movement of the tip of the contact pin during the final test. 図20は、半導体集積回路に対し最終試験を自動で行う半導体集積回路試験システムの概要を示す図である。FIG. 20 is a diagram showing an outline of a semiconductor integrated circuit test system that automatically performs a final test on a semiconductor integrated circuit. 図21(a),(b)は、第3の搬送装置と、試験ステージに配置されたコンタクタとを示す図である。FIGS. 21A and 21B are views showing a third transfer device and a contactor arranged on the test stage.

以下、実施形態について、添付の図面を参照して説明する。   Hereinafter, embodiments will be described with reference to the accompanying drawings.

(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態に係る試験装置(ICテスター)を示す模式図である。本実施形態に係る試験装置は、被試験体である半導体集積回路が搭載されるテスターヘッド20と、予め設定されたプログラムにしたがって試験信号を発生し半導体集積回路の電気特性を測定する試験装置本体10とを有している。試験装置本体10とテスターヘッド20との間は、ケーブル15により電気的に接続されている。
(First embodiment)
FIG. 1 is a schematic diagram showing a test apparatus (IC tester) according to the first embodiment. The test apparatus according to the present embodiment includes a tester head 20 on which a semiconductor integrated circuit as a device under test is mounted, and a test apparatus main body that generates a test signal according to a preset program and measures the electrical characteristics of the semiconductor integrated circuit. 10. The test apparatus main body 10 and the tester head 20 are electrically connected by a cable 15.

テスターヘッド20は、試験回路基板21と、この試験回路基板21上に搭載されたコンタクタ22とを有している。試験回路基板21には所定のパターンで電極及び配線が形成されている。図1では試験回路基板21上に2個のコンタクタ22が搭載されている例を示しているが、試験回路基板21上に搭載するコンタクタ22の数は1個でもよく、3個以上でもよい。   The tester head 20 includes a test circuit board 21 and a contactor 22 mounted on the test circuit board 21. Electrodes and wirings are formed on the test circuit board 21 in a predetermined pattern. Although FIG. 1 shows an example in which two contactors 22 are mounted on the test circuit board 21, the number of contactors 22 mounted on the test circuit board 21 may be one, or three or more.

コンタクタ22には、蝶番を介して蓋部30が取り付けられている。この蓋部30には、コンタクタ22上に搭載された半導体集積回路を押圧する押圧部30aが設けられている。   A lid 30 is attached to the contactor 22 via a hinge. The lid portion 30 is provided with a pressing portion 30 a that presses the semiconductor integrated circuit mounted on the contactor 22.

図2は、コンタクタ22の断面図である。この図2に示すように、コンタクタ22は、ベース部材23,24と、カバー部材25と、多数のコンタクトピン26と、ガイドピン27と、コイルばね28と、IC搭載部29とを有している。IC搭載部29には、被試験体である半導体集積回路11に整合する大きさの凹部が設けられており、この凹部内に半導体集積回路11を載置するようになっている。   FIG. 2 is a cross-sectional view of the contactor 22. As shown in FIG. 2, the contactor 22 includes base members 23 and 24, a cover member 25, a large number of contact pins 26, guide pins 27, a coil spring 28, and an IC mounting portion 29. Yes. The IC mounting portion 29 is provided with a recess having a size matching the semiconductor integrated circuit 11 that is a device under test, and the semiconductor integrated circuit 11 is placed in the recess.

図3はコンタクトピン26を示す模式図である。コンタクトピン26は電気抵抗が小さい金属により形成されており、円筒状の固定部26aと、固定部26a内に配置されたコイルばね26bと、コイルばね26bにより上下方向に移動可能に支持された可動部26cとを有している。可動部26cの先端(上端)には、半導体集積回路11の接続端子に接触する接触部26bが設けられている。また、固定部26aの下端は、試験回路基板21に設けられた電極と電気的に接続される。   FIG. 3 is a schematic view showing the contact pin 26. The contact pin 26 is made of a metal having a small electric resistance, and is movable and supported by a cylindrical fixed portion 26a, a coil spring 26b disposed in the fixed portion 26a, and a coil spring 26b so as to be movable in the vertical direction. Part 26c. A contact portion 26b that contacts the connection terminal of the semiconductor integrated circuit 11 is provided at the tip (upper end) of the movable portion 26c. In addition, the lower end of the fixing portion 26 a is electrically connected to an electrode provided on the test circuit board 21.

図2に示すように、ベース部材23は、試験回路基板21上に配置される。ベース部材24も試験回路基板21上に配置されるが、ベース部材24の下側にはベース部材23を内包する空間が設けられている。これらのベース部材23,24は絶縁材料により形成されており、コンタクトピン26を立設するための多数の孔(コンタクトピン立設用孔)が設けられている。これらの孔の配列ピッチは、半導体集積回路11の接続端子の配列ピッチと同一に設定されている。   As shown in FIG. 2, the base member 23 is disposed on the test circuit board 21. Although the base member 24 is also disposed on the test circuit board 21, a space for containing the base member 23 is provided below the base member 24. These base members 23 and 24 are made of an insulating material, and are provided with a number of holes (contact pin standing holes) for standing the contact pins 26. The arrangement pitch of these holes is set to be the same as the arrangement pitch of the connection terminals of the semiconductor integrated circuit 11.

また、ベース部材23,24のコンタクトピン立設用孔が設けられた領域の外側には複数(この例では2本)のガイドピン27が立設されている。これらのガイドピン27の上部はIC搭載部29に設けられたガイド穴に挿入されるようになっている。ガイドピン27の周囲にはコイルばね28が巻かれている。IC搭載部29は、これらのガイドピン27及びコイルばね28によりコンタクトピン26の上に保持されている。後述するように、IC搭載部29の上に半導体集積回路11を載置し、蓋部30(押圧部30a)により半導体集積回路11を押し下げると、ガイドピン27に沿ってIC搭載部29が下降し、半導体集積回路11の接続端子とコンタクトピン26の接触部26dとが接触する。   A plurality (two in this example) of guide pins 27 are erected outside the region of the base members 23 and 24 where the contact pin erection holes are provided. The upper portions of these guide pins 27 are inserted into guide holes provided in the IC mounting portion 29. A coil spring 28 is wound around the guide pin 27. The IC mounting portion 29 is held on the contact pin 26 by the guide pin 27 and the coil spring 28. As will be described later, when the semiconductor integrated circuit 11 is placed on the IC mounting portion 29 and the semiconductor integrated circuit 11 is pushed down by the lid portion 30 (pressing portion 30a), the IC mounting portion 29 is lowered along the guide pins 27. Then, the connection terminal of the semiconductor integrated circuit 11 and the contact portion 26d of the contact pin 26 come into contact with each other.

ベース部材24の上にはカバー部材25が配置されている。図2に示すように、カバー部材25にはIC搭載部29に対応する大きさの開口部が設けられている。初期状態(蓋部30による押圧前の状態)では、カバー部材25の開口部側の縁部下側がコイルばね28により押し上げられたIC搭載部29の縁部に当接して、IC搭載部29の位置が決定される。   A cover member 25 is disposed on the base member 24. As shown in FIG. 2, the cover member 25 is provided with an opening having a size corresponding to the IC mounting portion 29. In the initial state (the state before pressing by the lid portion 30), the lower side of the edge portion on the opening side of the cover member 25 abuts on the edge portion of the IC mounting portion 29 pushed up by the coil spring 28, and the position of the IC mounting portion 29 is reached. Is determined.

図4はIC搭載部29及びカバー部材25を上から見た状態を示す平面図、図5は図4の一部(角部)を拡大して示す図である。前述したように、IC搭載部29には半導体集積回路11に整合する大きさの凹部が設けられている。この凹部の底部には研磨シート31が取り付けられており、図4,図5に示すように研磨シート31には多数の十字状のスリット31aが設けられている。スリット31aの配列ピッチは、半導体集積回路11の接続端子の配列ピッチと同じに設定されている。   4 is a plan view showing the IC mounting portion 29 and the cover member 25 as viewed from above, and FIG. 5 is an enlarged view showing a part (corner portion) of FIG. As described above, the IC mounting portion 29 is provided with a recess having a size matching the semiconductor integrated circuit 11. A polishing sheet 31 is attached to the bottom of the recess, and the polishing sheet 31 is provided with a number of cross-shaped slits 31a as shown in FIGS. The arrangement pitch of the slits 31 a is set to be the same as the arrangement pitch of the connection terminals of the semiconductor integrated circuit 11.

研磨シート31は、例えば表面に研磨剤が付着した柔軟性のある薄板からなる。研磨シート31は、後述するように最終試験(高速動作試験)時にコンタクトピン26の先端を擦って異物を除去するものである。また、IC搭載部29は、研磨シート31を容易に交換できる構造であることが好ましい。   The polishing sheet 31 is made of a flexible thin plate with an abrasive attached to the surface, for example. As will be described later, the polishing sheet 31 rubs the tip of the contact pin 26 during a final test (high-speed operation test) to remove foreign matter. Moreover, it is preferable that the IC mounting portion 29 has a structure in which the polishing sheet 31 can be easily replaced.

図6は、研磨シート31の取り付け方法の一例を示す図である。図6(a)はIC搭載部29の断面図、図6(b),(c)はIC搭載部29の部分拡大図である。   FIG. 6 is a diagram illustrating an example of a method for attaching the polishing sheet 31. 6A is a cross-sectional view of the IC mounting portion 29, and FIGS. 6B and 6C are partial enlarged views of the IC mounting portion 29.

図6(a)に示すIC搭載部29は、IC搭載部本体41と、研磨シート31を挟んでIC搭載部本体41の下側に配置される研磨シート保持具42とを有している。IC搭載部本体41の下面側にはガイド穴41aが複数設けられており、研磨シート保持具42にはガイド穴41aに挿入される凸状の位置決めポスト42aが設けられている。また、研磨シート31には、位置決めポスト42aに対応する位置に位置決め穴40aが設けられている。   The IC mounting portion 29 shown in FIG. 6A includes an IC mounting portion main body 41 and a polishing sheet holder 42 disposed below the IC mounting portion main body 41 with the polishing sheet 31 interposed therebetween. A plurality of guide holes 41a are provided on the lower surface side of the IC mounting portion main body 41, and the polishing sheet holder 42 is provided with a convex positioning post 42a to be inserted into the guide hole 41a. The polishing sheet 31 is provided with positioning holes 40a at positions corresponding to the positioning posts 42a.

位置決めポスト42aは、図6(a)に示すように、水平面に対し中心側(研磨シート保持具42の中心側)の面がほぼ垂直、外側の面が斜めであって、頂部の幅が研磨シート31の位置決め穴40aの幅よりも小さく、底部の幅がIC搭載部本体41のガイド穴41aの幅とほぼ同じに設定されている。   As shown in FIG. 6 (a), the positioning post 42a has a surface on the center side (center side of the polishing sheet holder 42) that is substantially perpendicular to the horizontal plane, and the outer surface is slanted, and the top width is polished. The width of the bottom portion is smaller than the width of the positioning hole 40 a of the sheet 31, and is set to be substantially the same as the width of the guide hole 41 a of the IC mounting portion main body 41.

IC搭載部29に研磨シート31を設置する場合、図6(b)に示すように研磨シート保持具42の位置決めポスト42aに研磨シート31の位置決め穴40aを嵌め合わせる。その後、図6(c)に示すように、位置決めポスト42aをIC搭載部本体41のガイド穴41aに嵌め込む。このとき、位置決めポスト42aの外側の傾斜面に沿って研磨シート31が外側に引っ張られ、研磨シート31の全体に張力が発生する。これにより、IC搭載部29に研磨シート31を平坦な状態で張り付けることができる。また、研磨シート31が摩耗した場合、研磨シート31を容易に交換することができる。   When the polishing sheet 31 is installed in the IC mounting portion 29, the positioning hole 40a of the polishing sheet 31 is fitted into the positioning post 42a of the polishing sheet holder 42 as shown in FIG. Thereafter, as shown in FIG. 6C, the positioning post 42 a is fitted into the guide hole 41 a of the IC mounting portion main body 41. At this time, the polishing sheet 31 is pulled outward along the outer inclined surface of the positioning post 42 a, and tension is generated in the entire polishing sheet 31. As a result, the polishing sheet 31 can be attached to the IC mounting portion 29 in a flat state. Further, when the polishing sheet 31 is worn, the polishing sheet 31 can be easily replaced.

以下、図7,図8を参照して、本実施形態に係る半導体集積回路の試験方法について説明する。なお、図7(a),(b)は最終試験(ファイナルテスト)時におけるコンタクタ22の動きを示す断面図であり、図8(a)〜(c)は最終試験時におけるコンタクトピン26の先端部の動きを示す模式図である。また、図7(a),(b)において、符号30はコンタクタ22に取り付けられた蓋部を示し、符号30aは蓋部30に設けられた押圧部を示している(図1参照)。   Hereinafter, a method for testing a semiconductor integrated circuit according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 7A and 7B are cross-sectional views showing the movement of the contactor 22 during the final test (final test), and FIGS. 8A to 8C are the tips of the contact pins 26 during the final test. It is a schematic diagram which shows the motion of a part. Further, in FIGS. 7A and 7B, reference numeral 30 indicates a lid portion attached to the contactor 22, and reference numeral 30a indicates a pressing portion provided on the lid portion 30 (see FIG. 1).

まず、図7(a)に示すように、IC搭載部29の凹部に半導体集積回路11を載置する。この状態では、IC搭載部29はコイルばね28によりコンタクトピン26の上方に保持されており、図8(a)に示すように、半導体集積回路11の接続端子(はんだボール)11aとコンタクトピン26とは接触していない。   First, as shown in FIG. 7A, the semiconductor integrated circuit 11 is placed in the concave portion of the IC mounting portion 29. In this state, the IC mounting portion 29 is held above the contact pin 26 by the coil spring 28, and as shown in FIG. 8A, the connection terminal (solder ball) 11 a of the semiconductor integrated circuit 11 and the contact pin 26. There is no contact.

次に、蓋部30を閉じて押圧部30aにより半導体集積回路11を押圧する。そうすると、半導体集積回路11がIC搭載部29とともにガイドピン27に沿って下降し、図8(b)に示すように、コンタクトピン26の先端の接触部26dが研磨シート31のスリット31aを通り抜ける。このとき、研磨シート31によりコンタクトピン26の接触部26dが擦られて研磨(ワイピング)される。これにより、接触部26dに異物が付着していても、異物が接触部26dから除去される。   Next, the lid 30 is closed and the semiconductor integrated circuit 11 is pressed by the pressing portion 30a. Then, the semiconductor integrated circuit 11 descends along with the IC mounting portion 29 along the guide pin 27, and the contact portion 26d at the tip of the contact pin 26 passes through the slit 31a of the polishing sheet 31 as shown in FIG. At this time, the contact portion 26d of the contact pin 26 is rubbed and polished (wiped) by the polishing sheet 31. Thereby, even if the foreign substance has adhered to the contact part 26d, a foreign substance is removed from the contact part 26d.

その後、更に押圧部30aにより半導体集積回路11及びIC搭載部29を押圧して下降させると、図7(b),図8(c)に示すように、コンタクトピン26の先端部(接続部26d)が半導体集積回路11の接続端子11aと接触する。   Thereafter, when the semiconductor integrated circuit 11 and the IC mounting portion 29 are further pressed and lowered by the pressing portion 30a, as shown in FIGS. 7 (b) and 8 (c), the tip end portion (connecting portion 26d) of the contact pin 26 is obtained. ) Is in contact with the connection terminal 11 a of the semiconductor integrated circuit 11.

このようにしてコンタクトピン26と半導体集積回路11の接続端子11aとを接触させた後、試験装置本体10(図1参照)から試験信号を出力して半導体集積回路11を動作させ、半導体集積回路11の電気特性を測定する。そして、その測定結果に基づき、半導体集積回路11の良否を判定する。   After the contact pin 26 and the connection terminal 11a of the semiconductor integrated circuit 11 are brought into contact in this way, a test signal is output from the test apparatus body 10 (see FIG. 1) to operate the semiconductor integrated circuit 11, and the semiconductor integrated circuit 11 electrical characteristics are measured. Then, the quality of the semiconductor integrated circuit 11 is determined based on the measurement result.

本実施形態では、蓋部30(押圧部30a)により半導体集積回路11を押圧してIC搭載部29を下方に移動させると、コンタクトピン26の先端(接続部26d)が研磨シート31により擦られて研磨(ワイピング)される。このため、仮にコンタクトピン26の先端に異物が付着していても、コンタクトピン26が半導体集積回路11の接続端子11aに接触する前に異物が除去される。これにより、最終試験において半導体集積回路11の電気特性を常に良好な精度で測定することができ、最終試験の信頼性が向上する。また、最終試験とは別にコンタクトピン26を研磨又は洗浄するクリーニング工程が不要となるので、半導体集積回路の製造(最終試験工程を含む)に要する時間が短縮される。その結果、半導体集積回路の生産性が向上する。更に、従来の方法ではコンタクトピン26を過剰に研磨したり薬液によりコンタクトピン26の電気特性を劣化させるおそれがあるが、本実施形態ではそれらのおそれがなく、コンタクトピン26の寿命が延びるという利点もある。   In the present embodiment, when the semiconductor integrated circuit 11 is pressed by the lid portion 30 (pressing portion 30 a) and the IC mounting portion 29 is moved downward, the tip (connecting portion 26 d) of the contact pin 26 is rubbed by the polishing sheet 31. Polishing (wiping). For this reason, even if foreign matter is attached to the tip of the contact pin 26, the foreign matter is removed before the contact pin 26 contacts the connection terminal 11 a of the semiconductor integrated circuit 11. As a result, the electrical characteristics of the semiconductor integrated circuit 11 can always be measured with good accuracy in the final test, and the reliability of the final test is improved. Further, since a cleaning process for polishing or cleaning the contact pins 26 is not required separately from the final test, the time required for manufacturing the semiconductor integrated circuit (including the final test process) is reduced. As a result, the productivity of the semiconductor integrated circuit is improved. Further, in the conventional method, the contact pin 26 may be excessively polished or the electrical characteristics of the contact pin 26 may be deteriorated by a chemical solution. However, in this embodiment, there is no such risk, and the advantage that the life of the contact pin 26 is extended. There is also.

図9(a)〜(d)は、研磨シート31のスリットの例を示す図である。図9(a)は上述の実施形態で説明したようにスリットを十字状としたものであり、図9(b),(c)はコンタクトピン26の接触部26dに対応する位置に接触部26dよりも小径の円形の穴を設け、更に円形の穴から放射状に直線状のスリットを配置したものである。更に、図9(d)はコンタクトピン26の接触部26dの形状に合わせて穴及びスリットを設けた例である。これらの図9(a)〜(d)に示すように、研磨シート31の穴又はスリットの形状は、適宜設定すればよい。   9A to 9D are diagrams illustrating examples of slits in the polishing sheet 31. FIG. FIG. 9A shows a slit having a cross shape as described in the above embodiment. FIGS. 9B and 9C show the contact portion 26d at a position corresponding to the contact portion 26d of the contact pin 26. FIG. A circular hole having a smaller diameter is provided, and linear slits are arranged radially from the circular hole. Further, FIG. 9D shows an example in which holes and slits are provided in accordance with the shape of the contact portion 26 d of the contact pin 26. As shown in FIGS. 9A to 9D, the shape of the hole or slit of the polishing sheet 31 may be set as appropriate.

(第2の実施形態)
図10(a),(b)は、第2の実施形態に係る試験装置のコンタクタ及びその試験装置を用いた試験方法を示す断面図である。また、図11(a)〜(c)は、最終試験時におけるコンタクトピン26の先端部の動きを示す模式図である。なお、図10(a),(b)において、図7(a),(b)と同一物には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
(Second Embodiment)
10A and 10B are cross-sectional views showing a contactor of a test apparatus according to the second embodiment and a test method using the test apparatus. FIGS. 11A to 11C are schematic diagrams showing the movement of the tip of the contact pin 26 during the final test. 10A and 10B, the same components as those in FIGS. 7A and 7B are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

本実施形態の試験装置の基本的な構造は第1の実施形態と同様であるが、図10(a),(b)に示すように、本実施形態においてはIC搭載部29に2枚の研磨シート32a,32bが上下方向に相互に離隔して配置されている。これらの研磨シート32a,32bには、第1の実施形態の研磨シート31と同様に、多数の十字形のスリットが設けられている。これらのスリットの配列ピッチは、被試験体である半導体集積回路11の接続端子の配列ピッチと同じに設定されている。   Although the basic structure of the test apparatus of this embodiment is the same as that of the first embodiment, as shown in FIGS. 10A and 10B, in this embodiment, two IC mounting portions 29 are provided in the IC mounting portion 29. The polishing sheets 32a and 32b are arranged apart from each other in the vertical direction. These polishing sheets 32a and 32b are provided with a large number of cross-shaped slits, similarly to the polishing sheet 31 of the first embodiment. The arrangement pitch of these slits is set to be the same as the arrangement pitch of the connection terminals of the semiconductor integrated circuit 11 which is the device under test.

試験前の状態では、図10(a),図11(a)に示すように、コンタクトピン26の接触部26dは第1の研磨シート32aの下方に位置している。蓋部30(図1,図7参照)に設けられた押圧部30aにより半導体集積回路11が下方に押し下げられると、図11(b)に示すようにコンタクトピン26の接触部26dは第1の研磨シート32aのスリットを透過する。そして、更に半導体集積回路11が押し下げられると、図10(b),図11(c)に示すようにコンタクトピン26の接触部26dは第2の研磨シート32bのスリットも透過して、半導体集積回路11の接続端子11aに接触する。   In the state before the test, as shown in FIGS. 10A and 11A, the contact portion 26d of the contact pin 26 is located below the first polishing sheet 32a. When the semiconductor integrated circuit 11 is pushed downward by the pressing portion 30a provided on the lid portion 30 (see FIGS. 1 and 7), the contact portion 26d of the contact pin 26 is in contact with the first portion as shown in FIG. It passes through the slit of the polishing sheet 32a. When the semiconductor integrated circuit 11 is further pushed down, the contact portion 26d of the contact pin 26 also passes through the slit of the second polishing sheet 32b as shown in FIGS. It contacts the connection terminal 11a of the circuit 11.

本実施形態においては、IC搭載部29の1回の移動(下降)によりコンタクトピン26の接触部26dが第1及び第2の研磨シート32a,32bにより合計2回研磨(ワイピング)される。このため、本実施形態においては、第1の実施形態に比べて接触部26dに付着した異物をより確実に除去できるという利点がある。   In the present embodiment, the contact portion 26d of the contact pin 26 is polished (wiped) a total of two times by the first and second polishing sheets 32a and 32b by one movement (lowering) of the IC mounting portion 29. For this reason, in this embodiment, there exists an advantage that the foreign material adhering to the contact part 26d can be removed more reliably compared with 1st Embodiment.

なお、本実施形態ではIC搭載部29に2枚の研磨シート32a,32bが配置される場合について説明したが、3枚以上の研磨シートを上下方向に相互に離隔して配置してもよい。   In this embodiment, the case where the two polishing sheets 32a and 32b are arranged on the IC mounting portion 29 has been described. However, three or more polishing sheets may be arranged apart from each other in the vertical direction.

(第3の実施形態)
図12(a),(b)は、第3の実施形態に係る試験装置のコンタクタ及びその試験装置を用いた試験方法を示す断面図である。なお、図12(a),(b)において、図7(a),(b)と同一物には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
(Third embodiment)
FIGS. 12A and 12B are cross-sectional views showing a contactor of a test apparatus according to the third embodiment and a test method using the test apparatus. In FIGS. 12A and 12B, the same components as those in FIGS. 7A and 7B are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

本実施形態の試験装置の基本的な構造は第1の実施形態と同様であるが、図12(a),(b)に示すように、本実施形態においてはIC搭載部29に4枚の研磨シート33a〜33dが上下方向に相互に離隔して配置されている。   The basic structure of the test apparatus of this embodiment is the same as that of the first embodiment. However, as shown in FIGS. 12A and 12B, in this embodiment, four IC mounting portions 29 are provided on the IC mounting portion 29. The polishing sheets 33a to 33d are arranged apart from each other in the vertical direction.

図13は、各研磨シート33a〜33dをそれぞれ示す平面図である。この図13に示すように、各研磨シート33a〜33dにはそれぞれスリット34a及び貫通穴34bが設けられている。これらのスリット34a及び貫通穴34bの配列ピッチは、半導体集積回路11の接続端子の配列ピッチと同じに設定されている。   FIG. 13 is a plan view showing each of the polishing sheets 33a to 33d. As shown in FIG. 13, each of the polishing sheets 33a to 33d is provided with a slit 34a and a through hole 34b. The arrangement pitch of the slits 34 a and the through holes 34 b is set to be the same as the arrangement pitch of the connection terminals of the semiconductor integrated circuit 11.

スリット34aは第1の実施形態と同様に十字形に形成されており、コンタクトピン26が通る際にコンタクトピン26の先端(接触部)を擦るようになっている。また、貫通穴34bはコンタクトピン26の先端の径よりも若干大きく形成されており、コンタクトピン26が通る際に研磨シートに接触しないようになっている。   The slit 34a is formed in a cross shape as in the first embodiment, and rubs the tip (contact portion) of the contact pin 26 when the contact pin 26 passes through. Further, the through hole 34b is formed to be slightly larger than the diameter of the tip of the contact pin 26 so that the contact pin 26 does not come into contact with the polishing sheet.

図14は、コンタクトピン26が研磨シート32a〜33dを透過して半導体集積回路11の接続端子11aと接続した状態を示す模式図である。この図14及び上述した図13に示すように、各研磨シート32a〜32に形成されたスリット34aの位置はそれぞれずれており、IC搭載部29の1回の移動(下降)により各コンタクトピン26がそれぞれ1回だけスリット34aを通過するようになっている。   FIG. 14 is a schematic view showing a state in which the contact pin 26 passes through the polishing sheets 32 a to 33 d and is connected to the connection terminal 11 a of the semiconductor integrated circuit 11. As shown in FIG. 14 and FIG. 13 described above, the positions of the slits 34 a formed in the respective polishing sheets 32 a to 32 are shifted, and each contact pin 26 is moved by one movement (downward movement) of the IC mounting portion 29. Each pass through the slit 34a only once.

第1の実施形態では1枚の研磨シート31で全てのコンタクトピン26の先端を研磨(ワイピング)するので、コンタクトピン26の数が多い場合は研磨シート31に大きな負荷がかかり、研磨シート31が破損することが考えられる。これに対し、本実施形態においては、1枚の研磨シートにはスリット34aの数と同数のコンタクトピン26しか接触しない。すなわち、本実施形態においては、研磨シート33a〜33dに負荷をかけるコンタクトピン26の数をそれぞれ制限でき、研磨シート33a〜33dの破損を確実に回避できる。   In the first embodiment, since the tips of all the contact pins 26 are polished (wiped) with one polishing sheet 31, a large load is applied to the polishing sheet 31 when the number of contact pins 26 is large. It may be damaged. On the other hand, in the present embodiment, only one contact pin 26 as many as the number of slits 34a comes into contact with one polishing sheet. That is, in the present embodiment, the number of contact pins 26 that apply a load to the polishing sheets 33a to 33d can be limited, respectively, and damage to the polishing sheets 33a to 33d can be reliably avoided.

研磨シートの枚数、研磨シートに形成するスリット34a及び貫通穴34bの数、並びにスリット34a及び貫通穴34bのレイアウトは、半導体集積回路11の接続端子の数や研磨シートの耐久性などを考慮して適宜設定すればよい。   The number of polishing sheets, the number of slits 34a and through-holes 34b formed in the polishing sheet, and the layout of the slits 34a and through-holes 34b take into account the number of connection terminals of the semiconductor integrated circuit 11 and the durability of the polishing sheet. What is necessary is just to set suitably.

なお、上述の実施形態においては、IC搭載部29の1回の移動(下降)により全てのコンタクトピン26がいずれも1回だけスリット34aを通過するものとしている。しかし、半導体集積回路11のNC(Non-Connection)端子に接触するコンタクトピン26がある場合に、各研磨シートの当該コンタクトピン26に対応する部分にスリット34aを設けず、貫通穴34bだけとしてもよい。これにより、研磨シート33a〜33dにかかる負荷をより一層軽減することができる。   In the above-described embodiment, it is assumed that all the contact pins 26 pass through the slit 34a only once by the movement (lowering) of the IC mounting portion 29 once. However, when there is a contact pin 26 that contacts an NC (Non-Connection) terminal of the semiconductor integrated circuit 11, a slit 34a is not provided in a portion corresponding to the contact pin 26 of each polishing sheet, and only the through hole 34b is provided. Good. Thereby, the load concerning polishing sheet 33a-33d can be reduced further.

また、電気特性が厳しく要求されない接続端子に接続するコンタクトピン26がある場合にも、同様に各研磨シートの当該コンタクトピン26に対応する部分にはスリット34aを設けず、貫通穴34bのみとしてもよい。   Also, when there is a contact pin 26 connected to a connection terminal that does not require strict electrical characteristics, similarly, a portion corresponding to the contact pin 26 of each polishing sheet is not provided with a slit 34a, and only a through hole 34b may be provided. Good.

更に、最終試験時にダミーのコンタクトピン使用する場合も、各研磨シートの当該ダミーコンタクトピンに対応する部分にはスリット34aを設けず、貫通穴34bのみとしてもよい。   Further, when using dummy contact pins in the final test, the slits 34a are not provided in the portions corresponding to the dummy contact pins of each polishing sheet, and only the through holes 34b may be provided.

(第4の実施形態)
図15は、第4の実施形態に係る試験装置のコンタクタ及びその試験装置を用いた試験方法を示す断面図である。なお、図15において、図2と同一物には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。
(Fourth embodiment)
FIG. 15 is a cross-sectional view showing a contactor of a test apparatus according to the fourth embodiment and a test method using the test apparatus. In FIG. 15, the same components as those in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

本実施形態の試験装置の基本的な構造は第1の実施形態と同様であるが、図15に示すように、本実施形態においてはIC搭載部29に2種類の研磨シート35a,35bを上下方向に相互に離隔して配置している。   The basic structure of the test apparatus of the present embodiment is the same as that of the first embodiment, but as shown in FIG. 15, in this embodiment, two types of polishing sheets 35a and 35b are vertically mounted on the IC mounting portion 29. They are spaced apart from each other in the direction.

下側に配置された研磨シート35aは粒度が粗い研磨材を含有しており、上側に配置された研磨シート35bは粒度が細かい研磨材を含有している。これらの研磨シート35a、35bには、第1の実施形態の研磨シート31と同様に、十字状のスリットが配列して形成されている。それらのスリットの配列ピッチは、被試験体である半導体集積回路11の接続端子の配列ピッチと同じに設定されている。   The polishing sheet 35a arranged on the lower side contains an abrasive having a coarse particle size, and the polishing sheet 35b arranged on the upper side contains an abrasive having a fine particle size. Similar to the polishing sheet 31 of the first embodiment, cross-shaped slits are arranged in these polishing sheets 35a and 35b. The arrangement pitch of these slits is set to be the same as the arrangement pitch of the connection terminals of the semiconductor integrated circuit 11 which is the device under test.

IC搭載部29上に半導体集積回路11を載置して蓋部(加圧部)により半導体集積回路11を押圧すると、半導体集積回路11はIC搭載部29とともにガイドピン27に沿って下降する。そして、コンタクトピン26の先端(接触部)が研磨シート35aのスリットを透過する。このとき、コンタクトピン26の先端が研磨シート35aにより擦られ、粗研磨される。   When the semiconductor integrated circuit 11 is placed on the IC mounting portion 29 and the semiconductor integrated circuit 11 is pressed by the lid portion (pressurizing portion), the semiconductor integrated circuit 11 is lowered along the guide pins 27 together with the IC mounting portion 29. And the front-end | tip (contact part) of the contact pin 26 permeate | transmits the slit of the polishing sheet 35a. At this time, the tip of the contact pin 26 is rubbed by the polishing sheet 35a and rough polished.

更にIC搭載部29が下降すると、コンタクトピン26の先端が研磨シート35bのスリットを透過する。このとき、コンタクトピン26の先端が研磨シート35bにより擦られ、仕上げ研磨される。   When the IC mounting portion 29 is further lowered, the tip of the contact pin 26 passes through the slit of the polishing sheet 35b. At this time, the tips of the contact pins 26 are rubbed by the polishing sheet 35b and finish-polished.

本実施形態では、IC搭載部29の1回の移動(下降)の際に研磨の程度が異なる2種類の研磨シート35a,35bによりコンタクトピン26の先端を研磨する。このため、コンタクトピン26の研磨状態を任意に設定することができる。   In the present embodiment, the tip of the contact pin 26 is polished by two types of polishing sheets 35a and 35b having different levels of polishing when the IC mounting portion 29 is moved (lowered) once. For this reason, the grinding | polishing state of the contact pin 26 can be set arbitrarily.

なお、本実施形態のように複数枚の研磨シートを使用する場合、それらの研磨シートの間隔を変更できるようにしてもよい。例えば図15のように2枚の研磨シート35a,35bを使用する場合、コンタクトピン26の先端が1枚目の研磨シート35aと接触すると、コンタクトピン26はばね26b(図3参照)により収縮し、研磨シート35aを通り抜けると負荷がとれて一気に伸長する。2枚目の研磨シート35bを1枚目の研磨シート35aの近くに配置するか離れたところに配置するかにより、2枚目の研磨シート35bとコンタクトピン26との接触圧が変わる。すなわち、研磨シート35a,35bの間隔を変えることにより、研磨状態を調整することができる。   In addition, when using a some polishing sheet like this embodiment, you may enable it to change the space | interval of those polishing sheets. For example, when two polishing sheets 35a and 35b are used as shown in FIG. 15, when the tip of the contact pin 26 comes into contact with the first polishing sheet 35a, the contact pin 26 is contracted by the spring 26b (see FIG. 3). When passing through the polishing sheet 35a, the load is removed, and the polishing sheet 35a extends at a stretch. The contact pressure between the second polishing sheet 35b and the contact pin 26 varies depending on whether the second polishing sheet 35b is disposed near or away from the first polishing sheet 35a. That is, the polishing state can be adjusted by changing the interval between the polishing sheets 35a and 35b.

(第5の実施形態)
図16(a),(b)は、第5の実施形態に係る試験装置のコンタクタ及びその試験装置を用いた試験方法を示す断面図である。また、図17(a)〜(c)は、最終試験時におけるコンタクトピンの先端部の動きを示す模式図である。なお、図16(a),(b)において、図6(a),(b)と同一物には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
(Fifth embodiment)
16A and 16B are cross-sectional views showing a contactor of a test apparatus according to the fifth embodiment and a test method using the test apparatus. FIGS. 17A to 17C are schematic diagrams showing the movement of the tip of the contact pin during the final test. In FIGS. 16A and 16B, the same components as those in FIGS. 6A and 6B are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

本実施形態の基本的な構造は第1の実施形態と同様であるが、図16,図17に示すように、本実施形態においては、IC搭載部29に取り付ける研磨シート36が、2枚のフィルム36aの間にゴム等の弾性体に研磨剤を含んで形成された球36bを挟んだ構造を有している。フィルム36aには被試験体である半導体集積回路11の接続端子の配列ピッチと同じピッチで、コンタクトピン26が挿通する穴が設けられている。   Although the basic structure of this embodiment is the same as that of the first embodiment, as shown in FIGS. 16 and 17, in this embodiment, two polishing sheets 36 are attached to the IC mounting portion 29. It has a structure in which a sphere 36b formed by containing an abrasive in an elastic body such as rubber is sandwiched between the films 36a. The film 36a is provided with holes through which the contact pins 26 are inserted at the same pitch as the arrangement pitch of the connection terminals of the semiconductor integrated circuit 11 which is the device under test.

最終試験前の状態では、図16(a),図17(a)に示すように、コンタクトピン26の接続部26aは研磨シート36の下方に位置している。蓋部(図1参照)により半導体集積回路11が下方に押し下げられると、図17(b)に示すようにコンタクトピン26の先端(接触部26d)は研磨シート36内に入る。このとき、コンタクトピン26の先端が球36bにより擦られて研磨される。   In the state before the final test, as shown in FIGS. 16A and 17A, the connection portion 26 a of the contact pin 26 is located below the polishing sheet 36. When the semiconductor integrated circuit 11 is pushed downward by the lid (see FIG. 1), the tip (contact portion 26d) of the contact pin 26 enters the polishing sheet 36 as shown in FIG. At this time, the tip of the contact pin 26 is rubbed and polished by the ball 36b.

そして、更に半導体集積回路11が押し下げられると、図16(b),図17(c)に示すように、コンタクトピン26の先端は研磨シート36を通り抜け、半導体集積回路11の接続端子11aに接触する。本実施形態においても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。   When the semiconductor integrated circuit 11 is further pushed down, the tips of the contact pins 26 pass through the polishing sheet 36 and come into contact with the connection terminals 11a of the semiconductor integrated circuit 11 as shown in FIGS. To do. Also in this embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.

(第6の実施形態)
図18(a),(b)は、第6の実施形態に係る試験装置のコンタクタ及びその試験装置を用いた試験方法を示す断面図である。また、図19(a)〜(c)は、最終試験時におけるコンタクトピンの先端の動きを示す模式図である。なお、図18(a),(b)において、図6(a),(b)と同一物には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
(Sixth embodiment)
18A and 18B are cross-sectional views showing a contactor of a test apparatus according to the sixth embodiment and a test method using the test apparatus. FIGS. 19A to 19C are schematic views showing the movement of the tip of the contact pin during the final test. 18A and 18B, the same components as those in FIGS. 6A and 6B are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

本実施形態の基本的な構造は第1の実施形態と同様であるが、図18,図19に示すように、本実施形態においては、IC搭載部29に取り付ける研磨シート37が、ゴム等の弾性体に研磨剤を含んだ材料により形成されている。研磨シート37には、被試験体である半導体集積回路11の接続端子の配列ピッチと同じピッチで穴37aが設けられている。穴37aの直径は、コンタクトピン26の先端(接続部26d)の直径よりも若干小さく設定されている。   Although the basic structure of this embodiment is the same as that of the first embodiment, as shown in FIGS. 18 and 19, in this embodiment, the polishing sheet 37 attached to the IC mounting portion 29 is made of rubber or the like. The elastic body is made of a material containing an abrasive. The polishing sheet 37 is provided with holes 37a at the same pitch as the arrangement pitch of the connection terminals of the semiconductor integrated circuit 11 which is a device under test. The diameter of the hole 37a is set slightly smaller than the diameter of the tip of the contact pin 26 (connecting portion 26d).

研磨前の状態では、図18(a),図19(a)に示すように、コンタクトピン26の接続部26aは研磨シート37の下方に位置している。蓋部(図1参照)により半導体集積回路11が下方に押し下げられると、図19(b)に示すようにコンタクトピン26の先端(接触部26d)は研磨シート37の穴37a内に入る。このとき、コンタクトピン26の先端が研磨シート37(穴37aの壁面)に擦られて研磨される。   In the state before polishing, the connecting portion 26a of the contact pin 26 is located below the polishing sheet 37, as shown in FIGS. 18 (a) and 19 (a). When the semiconductor integrated circuit 11 is pushed downward by the lid (see FIG. 1), the tip of the contact pin 26 (contact portion 26d) enters the hole 37a of the polishing sheet 37 as shown in FIG. At this time, the tip of the contact pin 26 is rubbed and polished by the polishing sheet 37 (wall surface of the hole 37a).

そして、更に半導体集積回路11が押し下げられると、図18(b),図19(c)に示すように、コンタクトピン26の先端は研磨シート37を通り抜け、半導体集積回路11の接続端子11aに接触する。本実施形態においても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。   When the semiconductor integrated circuit 11 is further pushed down, the tips of the contact pins 26 pass through the polishing sheet 37 and come into contact with the connection terminals 11a of the semiconductor integrated circuit 11 as shown in FIGS. 18B and 19C. To do. Also in this embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.

(第7の実施形態)
図20は、半導体集積回路に対し最終試験(ファイナルテスト)を自動で行う半導体集積回路試験システムの概要を示す図である。
(Seventh embodiment)
FIG. 20 is a diagram showing an outline of a semiconductor integrated circuit test system that automatically performs a final test (final test) on a semiconductor integrated circuit.

試験すべき半導体集積回路は、トレイに収納されて未試験品トレイ収納部51に載置される。第1の搬送装置52は、未試験品トレイ収納部51から未試験の半導体集積回路を吸着し、プリヒート部53まで搬送する。プリヒート部53では、必要に応じて半導体集積回路を所定の温度まで加温する。常温で最終試験(ファイナルテスト)を実施する場合は、プリヒート部53を設けなくてもよい。   A semiconductor integrated circuit to be tested is stored in a tray and placed in an untested product tray storage unit 51. The first transport device 52 sucks the untested semiconductor integrated circuit from the untested product tray storage unit 51 and transports it to the preheating unit 53. In the preheating unit 53, the semiconductor integrated circuit is heated to a predetermined temperature as necessary. When the final test (final test) is performed at room temperature, the preheating unit 53 may not be provided.

第2の搬送装置54は、プレヒート部53に載置された半導体集積回路を、アライメント部55に搬送する。このアライメント部55では、半導体集積回路の位置及び向きが調整される。第3の搬送装置57は、アライメント部55に載置された半導体集積回路を吸着し、コンタクタが配置された試験ステージ56まで搬送する。   The second transport device 54 transports the semiconductor integrated circuit placed on the preheating unit 53 to the alignment unit 55. The alignment unit 55 adjusts the position and orientation of the semiconductor integrated circuit. The third transport device 57 sucks the semiconductor integrated circuit placed on the alignment unit 55 and transports it to the test stage 56 on which the contactor is arranged.

図21(a),(b)は、第3の搬送装置57と、試験ステージ56に配置されたコンタクタとを示す図である。なお、本実施形態で使用するコンタクタは蓋部を有しないこと以外は基本的に第1の実施形態で説明したコンタクタと同様の構造を有しているので、図21(a),(b)において図2と同一物には同一符号を付している。また、以下の説明では、図1,図8も随時参照する。   FIGS. 21A and 21B are views showing the third transfer device 57 and the contactor arranged on the test stage 56. FIG. Since the contactor used in the present embodiment has basically the same structure as the contactor described in the first embodiment except that the contactor does not have a cover, FIGS. In FIG. 2, the same components as those in FIG. In the following description, FIGS. 1 and 8 are also referred to as needed.

図21(a)に示すように、第3の搬送装置57は、ヘッド部73と、ヘッド部73の下部に配置されて半導体集積回路11を吸着するチャック74と、ヘッド部73を垂直方向(上下方向)に移動させる垂直移動部と、ヘッド部73を水平方向に移動させる水平移動部とを有している。垂直移動部は、モータ(図示せず)及びリードスクリュー72等により構成されており、水平移動部はモータ(図示せず)及びガイドレール71等により構成されている。   As shown in FIG. 21A, the third transport device 57 includes a head unit 73, a chuck 74 that is disposed below the head unit 73 and sucks the semiconductor integrated circuit 11, and the head unit 73 in the vertical direction ( A vertical movement unit that moves in the vertical direction) and a horizontal movement unit that moves the head unit 73 in the horizontal direction. The vertical moving part is constituted by a motor (not shown), a lead screw 72 and the like, and the horizontal moving part is constituted by a motor (not shown) and a guide rail 71 and the like.

第3の搬送装置57は、図21(a)に示すようにコンタクタ22の上方まで半導体集積回路11を搬送すると、ヘッド部73を下降させて半導体集積回路11をコンタクタ22のIC搭載部29の上に配置する。   When the third transport device 57 transports the semiconductor integrated circuit 11 to above the contactor 22 as shown in FIG. 21A, the head unit 73 is lowered to move the semiconductor integrated circuit 11 to the IC mounting portion 29 of the contactor 22. Place on top.

次に、第3の搬送装置57は、ヘッド部73を更に下降させ、半導体集積回路11を介してIC搭載部29を押圧する。これにより、IC搭載部29がガイドピン27に沿って下降し、コンタクトピン26と半導体集積回路11の接続端子11aとが接触する。このとき、図8(a)〜(c)に示すように、コンタクトピン26の先端(接続部26d)が研磨シート31により擦られて清浄化される。   Next, the third transport device 57 further lowers the head unit 73 and presses the IC mounting unit 29 via the semiconductor integrated circuit 11. As a result, the IC mounting portion 29 is lowered along the guide pins 27, and the contact pins 26 and the connection terminals 11 a of the semiconductor integrated circuit 11 come into contact with each other. At this time, as shown in FIGS. 8A to 8C, the tip of the contact pin 26 (connection portion 26 d) is rubbed and cleaned by the polishing sheet 31.

次に、試験装置本体10(図1参照)からコンタクタ22を介して半導体集積回路11に試験信号が供給され、半導体集積回路11から試験信号に応じた信号が出力される。試験装置本体10は、半導体集積回路11に入力された信号と半導体集積回路11から出力された信号とを調べ、当該半導体集積回路11の良否を判定する。   Next, a test signal is supplied from the test apparatus body 10 (see FIG. 1) to the semiconductor integrated circuit 11 via the contactor 22, and a signal corresponding to the test signal is output from the semiconductor integrated circuit 11. The test apparatus body 10 examines a signal input to the semiconductor integrated circuit 11 and a signal output from the semiconductor integrated circuit 11 to determine whether the semiconductor integrated circuit 11 is good or bad.

このようにして最終試験が終了した後、第3の搬送装置57は、半導体集積回路11を吸着したままヘッド部73を上昇させ、仮置き場58まで半導体集積回路11を搬送する。第4の搬送装置59は、仮置き場58に載置された半導体集積回路11を吸着し、最終試験の結果に応じて良品収納トレイ60又は不良品収納トレイ61まで半導体集積回路11を搬送する。   After the final test is completed in this way, the third transport device 57 raises the head unit 73 while adsorbing the semiconductor integrated circuit 11 and transports the semiconductor integrated circuit 11 to the temporary storage place 58. The fourth transport device 59 sucks the semiconductor integrated circuit 11 placed in the temporary storage place 58 and transports the semiconductor integrated circuit 11 to the good product storage tray 60 or the defective product storage tray 61 according to the result of the final test.

本実施形態においては、多数の半導体集積回路に対し最終試験を自動で連続的に実施することができる。この場合、最終試験を実施する毎にコンタクトピン26の先端が研磨シート31に擦られて清浄化されるので、コンタクトピン26と半導体集積回路11の接続端子11aとの接続状態が常に安定な状態となり、最終試験の信頼性が向上する。   In the present embodiment, the final test can be automatically and continuously performed on a large number of semiconductor integrated circuits. In this case, every time the final test is performed, the tip of the contact pin 26 is cleaned by being rubbed against the polishing sheet 31, so that the connection state between the contact pin 26 and the connection terminal 11a of the semiconductor integrated circuit 11 is always stable. Thus, the reliability of the final test is improved.

なお、上述した第1〜第7の実施形態ではいずれも半導体集積回路11のパッケージがBGAの場合について説明したが、上記に開示した技術をFBGA、LGA及びFLGA等のCSP(Chip Size Package)タイプの半導体集積回路、並びにQFP(Quad Flat Package)及びSOP(Small Outline Package)等のリードタイプの半導体集積回路に適用することもできる。   In the first to seventh embodiments described above, the case where the package of the semiconductor integrated circuit 11 is a BGA has been described. However, the technology disclosed above is a CSP (Chip Size Package) type such as FBGA, LGA, and FLGA. The present invention can also be applied to semiconductor integrated circuits of the above type, and lead type semiconductor integrated circuits such as QFP (Quad Flat Package) and SOP (Small Outline Package).

以下、本発明の諸態様を、付記としてまとめて記載する。   Hereinafter, various aspects of the present invention will be collectively described as supplementary notes.

(付記1)半導体集積回路が載置されるIC搭載部と、
ベース部材と、
前記ベース部材に立設される複数のコンタクトピンと、
前記IC搭載部及び前記ベース部材の少なくとも一方を移動させて前記コンタクトピンの先端を前記半導体集積回路の接続端子に接触させる接触手段と、
前記IC搭載部に載置された前記半導体集積回路と前記ベース部材との間に配置され、前記接触手段による前記半導体集積回路又は前記コンタクトピンの移動時に前記コンタクトピンの先端を擦る研磨シートと
を有することを特徴とする半導体集積回路用コンタクタ。
(Appendix 1) an IC mounting portion on which a semiconductor integrated circuit is mounted;
A base member;
A plurality of contact pins erected on the base member;
Contact means for moving at least one of the IC mounting portion and the base member to bring the tip of the contact pin into contact with the connection terminal of the semiconductor integrated circuit;
A polishing sheet disposed between the semiconductor integrated circuit placed on the IC mounting portion and the base member and rubbing the tip of the contact pin when the semiconductor integrated circuit or the contact pin is moved by the contact means; A contactor for a semiconductor integrated circuit, comprising:

(付記2)前記研磨シートには、研磨剤が含まれていることを特徴とする付記1に記載の半導体集積回路用コンタクタ。   (Supplementary note 2) The contactor for a semiconductor integrated circuit according to supplementary note 1, wherein the polishing sheet contains an abrasive.

(付記3)前記研磨シートが、前記IC搭載部に着脱自在に取り付けられていることを特徴とする付記1又は2に記載の半導体集積回路用コンタクタ。   (Appendix 3) The contactor for a semiconductor integrated circuit according to appendix 1 or 2, wherein the polishing sheet is detachably attached to the IC mounting portion.

(付記4)前記IC搭載部には、前記研磨シートを取り付けるときに前記研磨シートに対し張力を付加する張力付加機構が設けられていることを特徴とする付記3に記載の半導体集積回路用コンタクタ。   (Supplementary note 4) The contactor for a semiconductor integrated circuit according to supplementary note 3, wherein the IC mounting portion is provided with a tension applying mechanism that applies tension to the polishing sheet when the polishing sheet is attached. .

(付記5)前記IC搭載部に載置された前記半導体集積回路と前記ベース部材との間に配置された前記研磨シートの数が複数であることを特徴とする付記1乃至3のいずれか1項に記載の半導体集積回路用コンタクタ。   (Supplementary Note 5) Any one of Supplementary Notes 1 to 3, wherein the number of the polishing sheets disposed between the semiconductor integrated circuit placed on the IC mounting portion and the base member is plural. A contactor for a semiconductor integrated circuit according to the item.

(付記6)前記複数の研磨シートには、前記コンタクトピンに接触するスリットと、前記コンタクトピンに接触しない貫通穴とが選択的に設けられていることを特徴とする付記5に記載の半導体集積回路用コンタクタ。   (Supplementary Note 6) The semiconductor integrated circuit according to Supplementary Note 5, wherein the plurality of polishing sheets are selectively provided with slits that contact the contact pins and through holes that do not contact the contact pins. Circuit contactor.

(付記7)半導体集積回路と試験装置本体に電気的に接続された複数のコンタクトピンとの間に研磨シートを配置する工程と、
前記コンタクトピン及び前記研磨シートの少なくとも一方を移動させて前記研磨シートにより前記コンタクトピンの先端を擦る工程と、
更に前記コンタクトピン及び前記半導体集積回路の少なくとも一方を移動させて前記コ タクトピンの先端を前記半導体集積回路の接続端子に接触させる工程と、
前記試験装置本体から前記半導体集積回路に試験信号を供給して前記半導体集積回路の電気特性を測定する工程と
を有することを特徴とする半導体集積回路の試験方法。
(Appendix 7) A step of disposing an abrasive sheet between the semiconductor integrated circuit and a plurality of contact pins electrically connected to the test apparatus body;
Rubbing the tip of the contact pin with the polishing sheet by moving at least one of the contact pin and the polishing sheet;
A step of moving at least one of the contact pin and the semiconductor integrated circuit to bring the tip of the contact pin into contact with the connection terminal of the semiconductor integrated circuit;
And a step of supplying a test signal from the test apparatus main body to the semiconductor integrated circuit to measure electrical characteristics of the semiconductor integrated circuit.

(付記8)試験信号を発生する試験装置本体と、半導体集積回路が載置され前記試験装置本体から出力される試験信号を前記半導体集積回路に伝達するコンタクタとを有し、
前記コンタクタが、
ベース部材と、
前記ベース部材に立設される複数のコンタクトピンと、
前記ベース部材から離隔して配置され前記半導体集積回路が載置されるIC搭載部と、
前記IC搭載部及び前記ベース部材の少なくとも一方を移動させて前記コンタクトピンの先端を前記半導体集積回路の接続端子に接触させる接触手段と、
前記IC搭載部に載置された前記半導体集積回路と前記ベース部材との間に配置され、前記接触手段による前記半導体集積回路又は前記コンタクトピンの移動時に前記コンタクトピンの先端を擦る研磨シートと
を有することを特徴とする半導体集積回路の試験装置。
(Additional remark 8) It has a test device main body which generates a test signal, and a contactor on which a semiconductor integrated circuit is mounted and which transmits a test signal output from the test device main body to the semiconductor integrated circuit,
The contactor is
A base member;
A plurality of contact pins erected on the base member;
An IC mounting portion that is disposed apart from the base member and on which the semiconductor integrated circuit is mounted;
Contact means for moving at least one of the IC mounting portion and the base member to bring the tip of the contact pin into contact with the connection terminal of the semiconductor integrated circuit;
A polishing sheet disposed between the semiconductor integrated circuit placed on the IC mounting portion and the base member and rubbing the tip of the contact pin when the semiconductor integrated circuit or the contact pin is moved by the contact means; A test apparatus for a semiconductor integrated circuit, comprising:

(付記9)試験信号を発生する試験装置本体と、半導体集積回路が載置され前記試験装置本体から出力される試験信号を前記半導体集積回路に伝達するコンタクタと、試験前の前記半導体集積回路を前記コンタクタまで搬送し、試験終了後の前記半導体集積回路を前記コンタクタから搬出する搬送装置とを有し、
前記コンタクタが、
ベース部材と、
前記ベース部材に立設される複数のコンタクトピンと、
前記ベース部材から離隔して配置され前記半導体集積回路が載置されるIC搭載部と、
前記IC搭載部及び前記ベース部材の少なくとも一方を移動させて前記コンタクトピンの先端を前記半導体集積回路の接続端子に接触させる接触手段と、
前記IC搭載部に載置された前記半導体集積回路と前記ベース部材との間に配置され、前記接触手段による前記半導体集積回路又は前記コンタクトピンの移動時に前記コンタクトピンの先端を擦る研磨シートと
を有することを特徴とする半導体集積回路の試験システム。
(Supplementary note 9) A test apparatus main body for generating a test signal, a contactor for mounting a semiconductor integrated circuit and transmitting a test signal output from the test apparatus main body to the semiconductor integrated circuit, and the semiconductor integrated circuit before the test. A transport device for transporting the contactor to the contactor and transporting the semiconductor integrated circuit after completion of the test from the contactor;
The contactor is
A base member;
A plurality of contact pins erected on the base member;
An IC mounting portion that is disposed apart from the base member and on which the semiconductor integrated circuit is mounted;
Contact means for moving at least one of the IC mounting portion and the base member to bring the tip of the contact pin into contact with the connection terminal of the semiconductor integrated circuit;
A polishing sheet disposed between the semiconductor integrated circuit placed on the IC mounting portion and the base member and rubbing the tip of the contact pin when the semiconductor integrated circuit or the contact pin is moved by the contact means; A test system for a semiconductor integrated circuit, comprising:

(付記10)前記搬送装置が、試験中も前記半導体集積回路を保持し続けることを特徴とする付記9に記載の半導体集積回路の試験システム。   (Supplementary note 10) The semiconductor integrated circuit test system according to supplementary note 9, wherein the transfer device continues to hold the semiconductor integrated circuit during the test.

10…試験装置本体、11…半導体集積回路、11a…接続端子、15…ケーブル、20…テスターヘッド、21…試験回路基板、22…コンタクタ、23,24…ベース部材、25…カバー部、26…コンタクトピン、27…ガイドピン、28…コイルばね、29…IC搭載部、30…蓋部、30a…押圧部、31,32a,32b,33a〜33d,35a,35b,36,37…研磨シート、31a,34a…スリット、34b…貫通穴、40…位置決め穴、41…IC搭載部本体、41a…ガイド穴、42…研磨シート保持具、42a…位置決めポスト、51…未試験品トレイ収納部、52…第1の搬送装置、53…プリヒート部、54…第2の搬送装置、55…アライメント部、56…試験ステージ、57…第3の搬送装置、58…仮置き場、59…第4の搬送装置、60…良品収納トレイ、61…不良品収納トレイ、71…ガイドレール、72…リードスクリュー、73…ヘッド部、74…チャック。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Test apparatus main body, 11 ... Semiconductor integrated circuit, 11a ... Connection terminal, 15 ... Cable, 20 ... Tester head, 21 ... Test circuit board, 22 ... Contactor, 23, 24 ... Base member, 25 ... Cover part, 26 ... Contact pin, 27 ... guide pin, 28 ... coil spring, 29 ... IC mounting portion, 30 ... lid portion, 30a ... pressing portion, 31, 32a, 32b, 33a to 33d, 35a, 35b, 36, 37 ... polishing sheet, 31a, 34a ... slit, 34b ... through hole, 40 ... positioning hole, 41 ... IC mounting portion main body, 41a ... guide hole, 42 ... polishing sheet holder, 42a ... positioning post, 51 ... untested tray storage portion, 52 ... 1st conveying apparatus, 53 ... Preheating part, 54 ... 2nd conveying apparatus, 55 ... Alignment part, 56 ... Test stage, 57 ... 3rd conveying apparatus, 58 Temporary storage, 59 ... fourth transport device 60 ... good storage tray, 61 ... defective storage tray, 71 ... guide rail, 72 ... lead screw, 73 ... head section, 74 ... chuck.

Claims (5)

半導体集積回路が載置されるIC搭載部と、
ベース部材と、
前記ベース部材に立設される複数のコンタクトピンと、
前記IC搭載部及び前記ベース部材の少なくとも一方を移動させて前記コンタクトピンの先端を前記半導体集積回路の接続端子に接触させる接触手段と、
前記IC搭載部に載置された前記半導体集積回路と前記ベース部材との間に配置され、前記接触手段による前記半導体集積回路又は前記コンタクトピンの移動時に前記コンタクトピンの先端を擦る研磨シートと
を有することを特徴とする半導体集積回路用コンタクタ。
An IC mounting portion on which a semiconductor integrated circuit is mounted;
A base member;
A plurality of contact pins erected on the base member;
Contact means for moving at least one of the IC mounting portion and the base member to bring the tip of the contact pin into contact with the connection terminal of the semiconductor integrated circuit;
A polishing sheet disposed between the semiconductor integrated circuit placed on the IC mounting portion and the base member and rubbing the tip of the contact pin when the semiconductor integrated circuit or the contact pin is moved by the contact means; A contactor for a semiconductor integrated circuit, comprising:
前記IC搭載部に載置された前記半導体集積回路と前記ベース部材との間に配置された前記研磨シートの数が複数であることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路用コンタクタ。   2. The contactor for a semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the number of the polishing sheets disposed between the semiconductor integrated circuit placed on the IC mounting portion and the base member is plural. 前記複数の研磨シートには、前記コンタクトピンに接触するスリットと、前記コンタクトピンに接触しない貫通穴とが選択的に設けられていることを特徴とする請求項2に記載の半導体集積回路用コンタクタ。   The contactor for a semiconductor integrated circuit according to claim 2, wherein the plurality of polishing sheets are selectively provided with slits that contact the contact pins and through holes that do not contact the contact pins. . 半導体集積回路と検査装置本体に電気的に接続された複数のコンタクトピンとの間に研磨シートを配置する工程と、
前記コンタクトピン及び前記研磨シートの少なくとも一方を移動させて前記研磨シートにより前記コンタクトピンの先端を擦る工程と、
更に前記コンタクトピン及び前記半導体集積回路の少なくとも一方を移動させて前記コンタクトピンの先端を前記半導体集積回路の接続端子に接触させる工程と、
前記検査装置本体から前記半導体集積回路に試験信号を供給して前記半導体集積回路の電気特性を測定する工程と
を有することを特徴とする半導体集積回路の試験方法。
Arranging a polishing sheet between the semiconductor integrated circuit and a plurality of contact pins electrically connected to the inspection apparatus body;
Rubbing the tip of the contact pin with the polishing sheet by moving at least one of the contact pin and the polishing sheet;
A step of moving at least one of the contact pin and the semiconductor integrated circuit to bring a tip of the contact pin into contact with a connection terminal of the semiconductor integrated circuit;
And a step of supplying a test signal from the inspection apparatus main body to the semiconductor integrated circuit to measure electrical characteristics of the semiconductor integrated circuit.
試験信号を発生する試験装置本体と、半導体集積回路が載置され前記試験装置本体から出力される試験信号を前記半導体集積回路に伝達するコンタクタとを有し、
前記コンタクタが、
ベース部材と、
前記ベース部材に立設される複数のコンタクトピンと、
前記ベース部材から離隔して配置され前記半導体集積回路が載置されるIC搭載部と、
前記IC搭載部及び前記ベース部材の少なくとも一方を移動させて前記コンタクトピンの先端を前記半導体集積回路の接続端子に接触させる接触手段と、
前記IC搭載部に載置された前記半導体集積回路と前記ベース部材との間に配置され、前記接触手段による前記半導体集積回路又は前記コンタクトピンの移動時に前記コンタクトピンの先端を擦る研磨シートと
を有することを特徴とする半導体集積回路の試験装置。
A test apparatus body for generating a test signal; and a contactor for mounting a semiconductor integrated circuit and transmitting a test signal output from the test apparatus body to the semiconductor integrated circuit,
The contactor is
A base member;
A plurality of contact pins erected on the base member;
An IC mounting portion that is disposed apart from the base member and on which the semiconductor integrated circuit is mounted;
Contact means for moving at least one of the IC mounting portion and the base member to bring the tip of the contact pin into contact with the connection terminal of the semiconductor integrated circuit;
A polishing sheet disposed between the semiconductor integrated circuit placed on the IC mounting portion and the base member and rubbing the tip of the contact pin when the semiconductor integrated circuit or the contact pin is moved by the contact means; A test apparatus for a semiconductor integrated circuit, comprising:
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