JP2011009379A - Vaporizer - Google Patents

Vaporizer Download PDF

Info

Publication number
JP2011009379A
JP2011009379A JP2009150243A JP2009150243A JP2011009379A JP 2011009379 A JP2011009379 A JP 2011009379A JP 2009150243 A JP2009150243 A JP 2009150243A JP 2009150243 A JP2009150243 A JP 2009150243A JP 2011009379 A JP2011009379 A JP 2011009379A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pmda
vaporizer
particles
vaporized
vaporization
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009150243A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koji Fukumori
弘司 福森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2009150243A priority Critical patent/JP2011009379A/en
Publication of JP2011009379A publication Critical patent/JP2011009379A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vaporizer capable of stably subliming particles of solids.SOLUTION: The vaporizer for vaporizing the particles of the solids in a solid state at ordinary temperature includes: a supply section for supplying the particles of the solids; and a vaporization section including a heating section for vaporizing the particles of the solids supplied from the supply section. The problem can be solved by providing the vaporizer where the heating section has an inclination and the particles of the solids roll on the inclination for vaporization.

Description

本発明は、気化器に関する。   The present invention relates to a vaporizer.

半導体デバイスに用いられる材料は、近年無機材料から有機材料へと幅を広げつつあり、無機材料にはない有機材料の特質等から半導体デバイスの特性や製造プロセスをより最適なものとすることができる。   In recent years, the materials used for semiconductor devices are expanding from inorganic materials to organic materials, and the characteristics and manufacturing processes of semiconductor devices can be optimized due to the characteristics of organic materials not found in inorganic materials. .

このような有機材料の1つとして、ポリイミドが挙げられる。ポリイミドは密着性が高く、リーク電流も低いことから絶縁膜として用いることができ、半導体デバイスにおける絶縁膜として用いることも可能である。   One such organic material is polyimide. Polyimide can be used as an insulating film because of its high adhesiveness and low leakage current, and can also be used as an insulating film in a semiconductor device.

このようなポリイミド膜を成膜する方法としては、原料モノマーとして、無水ピロメリット酸(PMDA:pyromellitic dianhydride)と4,4'−オキシジアニリン(ODA:4,4'-oxydianiline)を用いた蒸着重合による成膜方法が知られている(例えば、特許文献1)。   As a method for forming such a polyimide film, vapor deposition using pyromellitic dianhydride (PMDA) and 4,4′-oxydianiline (ODA: ODA: 4,4′-oxydianiline) as raw material monomers. A film forming method by polymerization is known (for example, Patent Document 1).

この蒸着重合は、原料モノマーとして用いられるPMDA及びODAを昇華させてチャンバー内で重合させる方式であるが、良好なポリイミド膜を得るためには、気化させたPMDA及びODAを継続的に一定量チャンバー内に供給する必要がある。しかしながら、PMDAはODAよりも気化する温度が高く、継続して一定量をチャンバー内に供給することは困難であった。   This vapor deposition polymerization is a system in which PMDA and ODA used as raw material monomers are sublimated and polymerized in the chamber. In order to obtain a good polyimide film, a constant amount of vaporized PMDA and ODA are continuously chambered. Need to be supplied within. However, PMDA vaporizes at a higher temperature than ODA, and it is difficult to continuously supply a constant amount into the chamber.

一方、昇華性を有する有機化合物材料を昇華させて成膜する成膜方法として、フラッシュ蒸着法を有機化合物材料の成膜に適用することができるよう改良した成膜方法が開示されている(例えば、特許文献2)。   On the other hand, as a film forming method for sublimating an organic compound material having sublimability, a film forming method improved so that a flash vapor deposition method can be applied to film formation of an organic compound material is disclosed (for example, Patent Document 2).

特開2006−141821号公報JP 2006-141821 A 特開2004−346371号公報JP 2004-346371 A

ところで、成膜されたポリイミド膜を半導体素子の一部として用いる場合、密着性の高い良好なポリイミド膜が要求される。このため、PMDA及びODAを単に加熱することにより気化させてチャンバー内に供給する方法では、気化したPMDA及びODAを一定量継続して安定的に供給することが困難であるため、半導体素子の一部として用いることが可能な良好なポリイミド膜を得ることは困難である。   By the way, when using the formed polyimide film as a part of the semiconductor element, a good polyimide film with high adhesion is required. For this reason, in the method in which PMDA and ODA are vaporized simply by heating and supplied into the chamber, it is difficult to stably supply the vaporized PMDA and ODA in a constant amount. It is difficult to obtain a good polyimide film that can be used as a part.

また、引用文献2に記載される方法を利用して有機化合物材料を昇華させる場合であっても、PMDAを変質等させることなく厳密に気化したPMDAを一定量継続して安定的に供給することは困難である。   In addition, even when the organic compound material is sublimated using the method described in the cited document 2, a constant amount of PMDA that is strictly vaporized is continuously supplied stably without changing the PMDA. It is difficult.

本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、PMDAを安定的に気化させてチャンバー内に供給することにより、半導体素子を形成する材料としても用いることが可能な良好なポリイミド膜を形成するため気化器を提供するものである。   This invention is made | formed in view of the above, and forms the favorable polyimide film | membrane which can be used also as a material which forms a semiconductor element by vaporizing PMDA stably and supplying in a chamber. Therefore, a vaporizer is provided.

本発明は、常温において固体状態である固体の粒子を気化させる気化器において、前記固体の粒子を供給するための供給部と、前記供給部より供給された前記固体の粒子を気化するための加熱部を有する気化部と、を有し、前記加熱部には傾斜が設けられており、前記固体の粒子は前記傾斜を転がりながら気化することを特徴とする。   The present invention relates to a vaporizer that vaporizes solid particles that are in a solid state at room temperature, a supply unit for supplying the solid particles, and heating for vaporizing the solid particles supplied from the supply unit A vaporization section having a section, wherein the heating section is provided with an inclination, and the solid particles are vaporized while rolling the inclination.

また、本発明は、前記気化器は、チャンバー内に設置された基板に、気化した第1の物質と気化した第2の物質とを供給し反応させることにより前記基板上に第3の物質の膜を形成する成膜装置に接続されており、前記固体の粒子は前記第1の物質の粒子であって、前記気化器は、気化した第1の物質を前記チャンバー内に供給するものであることを特徴とする。   Further, according to the present invention, the vaporizer supplies and reacts the vaporized first substance and the vaporized second substance to the substrate installed in the chamber, whereby the third substance is formed on the substrate. The solid particles are connected to a film forming apparatus for forming a film, and the solid particles are particles of the first substance, and the vaporizer supplies the vaporized first substance into the chamber. It is characterized by that.

また、本発明は、前記加熱部には複数の傾斜が設けられており、前記固体の粒子は、前記複数の傾斜において、上方の傾斜を転がった後、下方の傾斜を順次転がることを特徴とする特徴とする。   Further, the present invention is characterized in that the heating unit is provided with a plurality of slopes, and the solid particles roll on the lower slope sequentially after rolling the upper slope in the plurality of slopes. It is characterized by

また、本発明は、前記加熱部において、前記複数の傾斜の配列されている方向は重力の働く方向であって、前記複数の傾斜の向きが交互となるよう配置されていることを特徴とする。   In the heating unit, the direction in which the plurality of inclinations are arranged is a direction in which gravity acts, and the plurality of inclination directions are arranged alternately. .

また、本発明は、前記傾斜の配置される間隔は、重力が働く方向に従って狭くなっており、前記傾斜のうち最下部に存在する傾斜よりも下側において、キャリアガスが導入されていることを特徴とする。   Further, according to the present invention, the interval at which the inclination is arranged is narrow according to the direction in which gravity works, and the carrier gas is introduced below the inclination existing at the lowermost portion of the inclination. Features.

また、本発明は、前記気化部には、前記固体の粒子が気化した気体が通過する気化経路を有しており、前記気化経路は、重力が働く方向に気流が流れる下方向気化経路と、前記下方向気化経路とは反対方向に流れる上方向気化経路とを有し、前記下方向気化経路と前記上方向気化経路とは、重力が働く方向の端部において接続されており、前記気化した気体は、前記下方向気化経路の前記端部とは反対側から流入し、前記下方向気化経路の前記端部とは反対側から排出されることを特徴とする。   Further, according to the present invention, the vaporization unit has a vaporization path through which the gas vaporized from the solid particles passes, and the vaporization path includes a downward vaporization path in which an airflow flows in a direction in which gravity works, An upward vaporization path that flows in a direction opposite to the downward vaporization path, and the downward vaporization path and the upward vaporization path are connected at an end of a direction in which gravity acts, and the vaporized The gas flows in from the side opposite to the end of the downward vaporization path and is discharged from the side opposite to the end of the downward vaporization path.

また、本発明は、前記第1の物質はPMDAであり、前記第2の物質はODAであり、前記第3の物質はポリイミドであることを特徴とする。   In the invention, it is preferable that the first substance is PMDA, the second substance is ODA, and the third substance is polyimide.

本発明によれば、原料モノマーとしてPMDAとODAを用いて良好なポリイミド膜を形成することが可能な気化器を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the vaporizer | carburetor which can form a favorable polyimide film using PMDA and ODA as a raw material monomer can be provided.

第1の実施の形態における成膜装置の構成図Configuration diagram of a film forming apparatus in the first embodiment 第1の実施の形態におけるPMDA気化器の構成図Configuration diagram of PMDA vaporizer in the first embodiment 第1の実施の形態におけるPMDA気化器の説明図Explanatory drawing of PMDA vaporizer in 1st Embodiment 第2の実施の形態におけるPMDA気化器の構成図Configuration diagram of PMDA vaporizer in the second embodiment 第2の実施の形態におけるPMDA気化器の説明図Explanatory drawing of the PMDA vaporizer in 2nd Embodiment

本発明を実施するための形態について、以下に説明する。   The form for implementing this invention is demonstrated below.

〔第1の実施の形態〕
第1の実施の形態は、原料モノマーとしてPMDAとODAを用いて蒸着重合によりポリイミド膜を成膜するための成膜装置に関するものである。
[First Embodiment]
The first embodiment relates to a film forming apparatus for forming a polyimide film by vapor deposition polymerization using PMDA and ODA as raw material monomers.

(成膜装置)
図1に基づき、本実施の形態における成膜装置について説明する。
(Deposition system)
Based on FIG. 1, the film forming apparatus in the present embodiment will be described.

本実施の形態における成膜装置は、不図示の真空ポンプ等により排気が可能なチャンバー11内にポリイミド膜が成膜されるウエハWを複数設置することが可能なウエハボート12を有している。また、チャンバー11内には、気化したPMDA及びODAを供給するためのインジェクター13及び14を有している。このインジェクター13及び14の側面には開口部が設けられており、インジェクター13及び14より気化したPMDA及びODAが図面において矢印で示すようにウエハWに供給される。供給された気化したPMDA及びODAは、ウエハW上で反応し蒸着重合によりポリイミド膜が成膜される。尚、ポリイミド膜の成膜に寄与しない気化したPMDA及びODA等は、そのまま流れ、排気口15よりチャンバー11の外に排出される。また、ウエハW上に均一にポリイミド膜が成膜されるようにウエハボート12は、回転部16により回転するように構成されている。更に、チャンバー11の外部には、チャンバー11内のウエハWを一定の温度に加熱するためのヒーター17が設けられている。   The film forming apparatus in the present embodiment has a wafer boat 12 in which a plurality of wafers W on which a polyimide film is formed can be installed in a chamber 11 that can be evacuated by a vacuum pump (not shown). . In addition, the chamber 11 has injectors 13 and 14 for supplying vaporized PMDA and ODA. Openings are provided in the side surfaces of the injectors 13 and 14, and PMDA and ODA vaporized from the injectors 13 and 14 are supplied to the wafer W as indicated by arrows in the drawing. The supplied vaporized PMDA and ODA react on the wafer W to form a polyimide film by vapor deposition polymerization. Note that vaporized PMDA, ODA, and the like that do not contribute to the formation of the polyimide film flow as they are and are discharged from the chamber 11 through the exhaust port 15. Further, the wafer boat 12 is configured to be rotated by the rotating unit 16 so that the polyimide film is uniformly formed on the wafer W. Further, a heater 17 for heating the wafer W in the chamber 11 to a constant temperature is provided outside the chamber 11.

また、インジェクター13及び14は、PMDA気化器21及びODA気化器22とバルブ23及び24を介し導入部25において、それぞれ接続されており、PMDA気化器21及びODA気化器22より気化したPMDA及びODAが供給される。   The injectors 13 and 14 are connected to the PMDA vaporizer 21 and the ODA vaporizer 22 via the valves 23 and 24 at the introduction unit 25, respectively. The PMDA and ODA vaporized from the PMDA vaporizer 21 and the ODA vaporizer 22 are respectively connected. Is supplied.

PMDA気化器21には高温の窒素ガスをキャリアガスとして供給し、PMDA気化器21においてPMDAを昇華させることにより気化した状態で供給する。このため、PMDA気化器21は、260℃の温度に保たれている。また、ODA気化器22では、高温の窒素ガスをキャリアガスとして供給し、高温に加熱され液体状態となったODAを供給された窒素ガスによりバブリングすることにより、窒素ガスに含まれるODAの蒸気とし、気化した状態で供給する。このため、ODA気化器22は220℃の温度に保たれている。この後、バルブ23及び24、導入部25を介し、気化したPMDA及びODAは、インジェクター13及び14内に供給され、更に、インジェクター13及び14より気化したPMDAと気化したODAとが、チャンバー11内に供給されて、ウエハW上において反応しポリイミド膜が成膜される。   High temperature nitrogen gas is supplied to the PMDA vaporizer 21 as a carrier gas, and the PMDA vaporizer 21 is supplied in a vaporized state by sublimating PMDA. For this reason, the PMDA vaporizer 21 is maintained at a temperature of 260 ° C. In the ODA vaporizer 22, high temperature nitrogen gas is supplied as a carrier gas, and the ODA heated to a high temperature and in a liquid state is bubbled with the supplied nitrogen gas, whereby ODA vapor contained in the nitrogen gas is obtained. Supply in a vaporized state. For this reason, the ODA vaporizer 22 is maintained at a temperature of 220 ° C. Thereafter, the vaporized PMDA and ODA are supplied into the injectors 13 and 14 through the valves 23 and 24 and the introduction unit 25. Further, the PMDA vaporized from the injectors 13 and 14 and the vaporized ODA are contained in the chamber 11. And reacts on the wafer W to form a polyimide film.

従って、本実施の形態における成膜装置では、インジェクター13及び14より横方向に、気化したPMDAと気化したODAとが噴出し、ウエハW上において反応し蒸着重合によりポリイミド膜が成膜される。   Therefore, in the film forming apparatus in the present embodiment, vaporized PMDA and vaporized ODA are ejected laterally from the injectors 13 and 14, and react on the wafer W to form a polyimide film by vapor deposition polymerization.

(PMDA気化器)
次に、図2に基づき本実施の形態の成膜装置に用いられるPMDA気化器21について説明する。このPMDA気化器21は、PMDA供給部31と、絞り32、PMDA気化部33により構成されている。PMDA気化部33は、加熱部34、気化経路35及び気化PMDA排出口36により構成されている。
(PMDA vaporizer)
Next, the PMDA vaporizer 21 used in the film forming apparatus of the present embodiment will be described with reference to FIG. The PMDA vaporizer 21 includes a PMDA supply unit 31, a throttle 32, and a PMDA vaporization unit 33. The PMDA vaporization unit 33 includes a heating unit 34, a vaporization path 35, and a vaporization PMDA discharge port 36.

PMDA供給部31では、粒子状のPMDA粒子30が納められており、絞り32を調節することにより、PMDA粒子30の供給量が制御される。PMDA粒子30の供給は連続的であっても断続的であってもよいが、好ましくは連続的である。   In the PMDA supply unit 31, particulate PMDA particles 30 are accommodated, and the supply amount of the PMDA particles 30 is controlled by adjusting the aperture 32. The supply of PMDA particles 30 may be continuous or intermittent, but is preferably continuous.

PMDA気化部33は、全体がPMDAを気化するために設定された温度である260℃で加熱されており、内部において、重力の働く方向に傾斜板が配列された加熱部34が設けられている。加熱部34では各々の傾斜板34a、34b、34c、34d,34e、34fにおける傾斜の向きが交互となるよう配置されている。即ち、PMDA供給部31より絞り32を介して、矢印Aに示す方向に供給されたPMDA粒子30が、重力に従って転がり落ちるように配置されている。尚、本実施の形態では、PMDAを気化するための温度として260℃に設定されているが、PMDAが気化する温度であって、再凝固しない温度であれば、より低い温度であってもよい。   The PMDA vaporization unit 33 is entirely heated at 260 ° C., which is a temperature set for vaporizing PMDA, and a heating unit 34 in which inclined plates are arranged in the direction in which gravity acts is provided inside. . In the heating unit 34, the inclined plates 34a, 34b, 34c, 34d, 34e, and 34f are arranged so that the inclination directions are alternate. That is, the PMDA particles 30 supplied in the direction indicated by the arrow A through the diaphragm 32 from the PMDA supply unit 31 are arranged so as to roll down according to gravity. In this embodiment, the temperature for vaporizing PMDA is set to 260 ° C. However, the temperature may be lower as long as it is a temperature at which PMDA vaporizes and does not resolidify. .

具体的には、傾斜板34aは図面において左方向にPMDA粒子30が転がるように設置されており、傾斜板34bは図面において右方向にPMDA粒子30が転がるように設置されており、傾斜板34cは図面において左方向にPMDA粒子30が転がるように設置されており、傾斜板34dは図面において右方向にPMDA粒子30が転がるように設置されており、傾斜板34eは図面において左方向にPMDA粒子30が転がるように設置されており、傾斜板34fは図面において右方向にPMDA粒子30が転がるように設置されている。   Specifically, the inclined plate 34a is installed so that the PMDA particles 30 roll in the left direction in the drawing, and the inclined plate 34b is installed so that the PMDA particles 30 roll in the right direction in the drawing, and the inclined plate 34c. Is arranged so that the PMDA particles 30 roll in the left direction in the drawing, the inclined plate 34d is arranged so that the PMDA particles 30 roll in the right direction in the drawing, and the inclined plate 34e is arranged in the left direction in the drawing. 30 is installed to roll, and the inclined plate 34f is installed so that the PMDA particles 30 roll in the right direction in the drawing.

また、傾斜板34aの端部、即ち、図面における左端まで転がったPMDA粒子30は、傾斜板34aの端部より傾斜板34bに落下し、傾斜板34bの端部、即ち、図面における右端まで転がったPMDA粒子30は、傾斜板34bの端部より傾斜板34cに落下し、傾斜板34cの端部、即ち、図面における左端まで転がったPMDA粒子30は、傾斜板34cの端部より傾斜板34dに落下し、傾斜板34dの端部、即ち、図面における左端まで転がったPMDA粒子30は、傾斜板34dの端部より傾斜板34eに落下し、傾斜板34eの端部、即ち、図面における左端まで転がったPMDA粒子30は、傾斜板34eの端部より傾斜板34fに落下する。   Further, the PMDA particles 30 that have rolled to the end of the inclined plate 34a, that is, the left end in the drawing, fall from the end of the inclined plate 34a to the inclined plate 34b, and roll to the end of the inclined plate 34b, that is, the right end in the drawing. The PMDA particles 30 fall onto the inclined plate 34c from the end of the inclined plate 34b, and the PMDA particles 30 rolled to the end of the inclined plate 34c, that is, the left end in the drawing, are inclined plate 34d from the end of the inclined plate 34c. The PMDA particles 30 that have fallen to the end of the inclined plate 34d, that is, rolled to the left end in the drawing, fall onto the inclined plate 34e from the end of the inclined plate 34d, and the end of the inclined plate 34e, that is, the left end in the drawing. The PMDA particles 30 that have been rolled up to fall to the inclined plate 34f from the end of the inclined plate 34e.

前述のとおり、PMDA気化部33は全体が加熱されているため、各々の傾斜板34a、34b、34c、34d、34e、34fの表面上を転がるPMDA粒子30は、傾斜板34a、34b、34c、34d、34e、34fからの加熱によって、気化することにより、粒径は次第に小さくなる。   As described above, since the entire PMDA vaporization section 33 is heated, the PMDA particles 30 rolling on the surfaces of the respective inclined plates 34a, 34b, 34c, 34d, 34e, 34f are inclined plates 34a, 34b, 34c, By evaporating by heating from 34d, 34e, and 34f, the particle size gradually decreases.

このことを図3に基づき説明する。図3は加熱部34の傾斜板34a、34b、34cを転がる様子を示す概念図である。最初、図に示されるように傾斜板34aを転がるPMDA粒子30の粒径は大きい。このPMDA粒子30は傾斜板34a、34b、34cより加熱されて気化しるため次第に粒径が小さくなる。よって、傾斜板34aの下に設けられている傾斜板34bを転がるPMDA粒子30の粒径は、傾斜板34aを転がるPMDA粒子30の粒径よりも小さくなり、同様に、傾斜板34bの下に設けられている傾斜板34cを転がるPMDA粒子30の粒径は、傾斜板34bを転がるPMDA粒子30の粒径よりも小さくなる。   This will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a conceptual diagram showing how the inclined plates 34a, 34b, and 34c of the heating unit 34 roll. Initially, as shown in the figure, the particle size of the PMDA particles 30 rolling on the inclined plate 34a is large. Since the PMDA particles 30 are heated and vaporized by the inclined plates 34a, 34b, and 34c, the particle diameter gradually decreases. Therefore, the particle size of the PMDA particles 30 rolling on the inclined plate 34b provided below the inclined plate 34a is smaller than the particle size of the PMDA particles 30 rolling on the inclined plate 34a, and similarly below the inclined plate 34b. The particle size of the PMDA particles 30 rolling on the provided inclined plate 34c is smaller than the particle size of the PMDA particles 30 rolling on the inclined plate 34b.

このように、加熱部34においては、傾斜板34a、34b、34c、34d、34e、34fを順に転がり落ちていくに従い、PMDA粒子30は気化することより小さくなっていく。尚、加熱部34の加熱温度の設定等により、加熱部34の設けられている領域において、PMDA粒子30をすべて気化させることも可能であるが、加熱部34においてPMDA粒子30が完全に気化されず微粒子として残存する場合がある。この場合には、傾斜板34fの下のPMDA気化部の底面に堆積する。   As described above, in the heating unit 34, the PMDA particles 30 become smaller than vaporized as the inclined plates 34a, 34b, 34c, 34d, 34e, and 34f are rolled down in order. Although it is possible to vaporize all the PMDA particles 30 in the region where the heating unit 34 is provided by setting the heating temperature of the heating unit 34, the PMDA particles 30 are completely vaporized in the heating unit 34. May remain as fine particles. In this case, it accumulates on the bottom surface of the PMDA vaporization section below the inclined plate 34f.

この後、加熱部34において気化したPMDAは、気化経路35に矢印B1に示す方向に流れる。尚、本実施の形態におけるPMDA気化器21には、キャリアガスとして窒素(N)ガスが、窒素ガス供給部41よりPMDA供給部31に供給されており、また、窒素ガス供給部42より絞り32とPMDA気化部33との間に供給されている。キャリアガスとして供給された窒素ガスにより、気化したPMDAは気化経路35に導かれる。 Thereafter, the PMDA vaporized in the heating unit 34 flows in the direction indicated by the arrow B1 in the vaporization path 35. In the PMDA vaporizer 21 in the present embodiment, nitrogen (N 2 ) gas is supplied as a carrier gas from the nitrogen gas supply unit 41 to the PMDA supply unit 31, and the nitrogen gas supply unit 42 restricts it. 32 and the PMDA vaporization unit 33. The vaporized PMDA is guided to the vaporization path 35 by the nitrogen gas supplied as the carrier gas.

気化経路35は、下方向気化経路35aと上方向気化経路35bとにより構成されている。気化経路35に導かれた気化したPMDAは、最初に、下方向気化経路35aを矢印B2に示すように下向きに流れる。尚、下方向気化経路35aの形成される方向は重力方向と略同一方向である。下方向気化経路35aの端まで流れた気化したPMDAは、この後、矢印B3に示すように上向気化経路35bに入り込み、上向気化経路35bを矢印B4に示すように上向きに流れる。上向気化経路35bの端部近傍には、気化PMDA排出口36が設けられており、気化したPMDAは矢印B5に示す方向に流れ、バルブ23を介し、インジェクター13に供給される。尚、上向気化経路35bにおいて気化したPMDAが流れる方向は、下方向気化経路35aにおいて気化したPMDAが流れる方向と逆方向、即ち、重力方向とは逆方向となるように構成されている。   The vaporization path 35 includes a downward vaporization path 35a and an upward vaporization path 35b. The vaporized PMDA guided to the vaporization path 35 first flows downward in the downward vaporization path 35a as indicated by an arrow B2. The direction in which the downward vaporization path 35a is formed is substantially the same as the direction of gravity. The vaporized PMDA that has flown to the end of the downward vaporization path 35a then enters the upward vaporization path 35b as indicated by arrow B3, and flows upward through the upward vaporization path 35b as indicated by arrow B4. A vaporized PMDA discharge port 36 is provided in the vicinity of the end of the upward vaporization path 35b, and the vaporized PMDA flows in the direction indicated by the arrow B5 and is supplied to the injector 13 through the valve 23. The direction in which the vaporized PMDA flows in the upward vaporization path 35b is configured to be opposite to the direction in which the vaporized PMDA flows in the downward vaporization path 35a, that is, the direction opposite to the direction of gravity.

本実施の形態におけるPMDA気化器21では、気化経路35に下方向気化経路35aと上方向気化経路35bとを設け、更に、気化PMDA排出口36を上方気化経路35bの上部に設けることにより、気化したPMDAと一緒に気化経路35内に流れ込む粉末状のPMDA微粒子を除去することが可能である。即ち、上方向気化経路35bにおける流速を粉末状のPMDA微粒子が上昇することのない流速とすることにより、気化PMDA排出口36よりPMDA微粒子が排出されることなく、下方向気化経路35aと上方向気化経路35bとの接続領域となる底部35cにおいてPMDA微粒子を堆積させ、除去することが可能である。尚、このような流速の制御は、窒素ガス供給部41及び42からの窒素ガスの供給量を制御することにより行うことが可能である。   In the PMDA vaporizer 21 in the present embodiment, the vaporization path 35 is provided with the lower vaporization path 35a and the upper vaporization path 35b, and further, the vaporization PMDA discharge port 36 is provided above the upper vaporization path 35b. It is possible to remove the powdery PMDA fine particles flowing into the vaporization path 35 together with the PMDA. That is, by setting the flow rate in the upward vaporization path 35b to a flow rate at which the powdery PMDA fine particles do not rise, the PMDA fine particles are not discharged from the vaporization PMDA discharge port 36, and the upward vaporization path 35a and the upward direction. PMDA fine particles can be deposited and removed at the bottom 35c, which is a connection region with the vaporization path 35b. Such a flow rate can be controlled by controlling the amount of nitrogen gas supplied from the nitrogen gas supply units 41 and 42.

本実施の形態におけるPMDA気化器21は、前述のとおり、PMDA気化部33の全体がPMDAを気化するために設定された温度である260℃、または、これ以上の温度に設定されているため、PMDA気化部33内の壁面に凝固し付着することはない。   Since the PMDA vaporizer 21 in the present embodiment is set to 260 ° C., which is the temperature set for vaporizing the PMDA, or higher, as described above, It does not solidify and adhere to the wall surface in the PMDA vaporization section 33.

本実施の形態の説明においてはキャリアガスとして窒素ガスを用いた場合について説明したが、キャリアガスはアルゴン(Ar)等の不活性ガスであってもよい。   Although the case where nitrogen gas is used as the carrier gas has been described in the description of the present embodiment, the carrier gas may be an inert gas such as argon (Ar).

本実施の形態におけるPMDA気化器21において、供給されるPMDA粒子30の粒径は250μmであり、比重は1.68×10kg/mである。また、本実施の形態における各々の傾斜板34の傾斜板34a、34b、34c、34d、34e、34fの傾斜角は、水平面に対し、1.5°であり、斜面方向の長さは400mmである。 In the PMDA vaporizer 21 in the present embodiment, the particle diameter of the supplied PMDA particles 30 is 250 μm, and the specific gravity is 1.68 × 10 3 kg / m 3 . In addition, the inclination angles of the inclined plates 34a, 34b, 34c, 34d, 34e, and 34f of each inclined plate 34 in the present embodiment are 1.5 ° with respect to the horizontal plane, and the length in the inclined direction is 400 mm. is there.

本実施の形態におけるPMDA気化器21では、加熱部34は複数の傾斜板34a、34b、34c、34d、34e、34fにより構成されているため、PMDA粒子30が転がる距離が長くても、気化器全体の大きさを小さくすることができる。また、PMDA粒子30は、転がりながら気化するため、PMDA粒子30が一定の場所に長時間滞留し、長時間加熱され、PMDAが熱により変質してしまうおそれがない。   In the PMDA vaporizer 21 according to the present embodiment, the heating unit 34 is composed of a plurality of inclined plates 34a, 34b, 34c, 34d, 34e, and 34f. Therefore, even if the distance over which the PMDA particles 30 roll is long, the vaporizer The overall size can be reduced. Further, since the PMDA particles 30 are vaporized while rolling, there is no possibility that the PMDA particles 30 stay in a certain place for a long time and are heated for a long time, and the PMDA is not deteriorated by heat.

即ち、長時間加熱され、PMDAが熱により変質してしまうと、気化したPMDAは安定的に供給されないのみならず、変質したPMDAが異物として気化したPMDAに混入し供給される場合がある。この場合、ウエハW上に成膜されるポリイミド膜の膜質に悪影響を与えてしまう。しかしながら、本実施の形態におけるPMDA供給器21では、加熱により変質したPMDAが気化したPMDAに混入することがないため、純度の高い気化したPMDAのみを供給することができる。   That is, if the PMDA is deteriorated by heat after being heated for a long time, not only the vaporized PMDA is stably supplied, but the deteriorated PMDA may be mixed and supplied as a foreign substance in the vaporized PMDA. In this case, the film quality of the polyimide film formed on the wafer W is adversely affected. However, in the PMDA supply device 21 in the present embodiment, PMDA that has been altered by heating is not mixed into the vaporized PMDA, and therefore, only highly purified vaporized PMDA can be supplied.

尚、PMDA気化器21は、絞り32によりPMDA粒子30の供給量を制御されるが、不図示のコンピュータで動作する制御プログラムにより制御することも可能である。また、この制御プログラムは、コンピュータにより読み取ることが可能な記憶媒体に記憶させておくことも可能である。   The PMDA vaporizer 21 controls the supply amount of the PMDA particles 30 by the throttle 32, but can also be controlled by a control program operating on a computer (not shown). The control program can also be stored in a storage medium that can be read by a computer.

〔第2の実施の形態〕
次に、第2の実施の形態について説明する。本実施の形態におけるPMDA気化器は、PMDA気化部の底部近傍よりキャリアガスを導入した構成ものである。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment will be described. The PMDA vaporizer in the present embodiment has a configuration in which a carrier gas is introduced from the vicinity of the bottom of the PMDA vaporizer.

図4に基づき本実施の形態におけるPMDA気化器について説明する。本実施の形態におけるPMDA気化器は、PMDA供給部51と、絞り52、PMDA気化部53により構成されている。PMDA気化部53は、加熱部54、気化経路55及び気化PMDA排出口56により構成されている。   The PMDA vaporizer in the present embodiment will be described based on FIG. The PMDA vaporizer in the present embodiment includes a PMDA supply unit 51, a throttle 52, and a PMDA vaporization unit 53. The PMDA vaporization unit 53 includes a heating unit 54, a vaporization path 55, and a vaporization PMDA discharge port 56.

PMDA供給部51では、粒子状のPMDA粒子30が納められており、絞り52を調節することにより、PMDA粒子30の供給量が制御される。PMDA粒子30の供給は連続的であっても断続的であってもよいが、好ましくは連続的である。   The PMDA supply unit 51 stores particulate PMDA particles 30, and the supply amount of the PMDA particles 30 is controlled by adjusting the diaphragm 52. The supply of PMDA particles 30 may be continuous or intermittent, but is preferably continuous.

PMDA気化部53は、全体がPMDAを気化するために設定された温度である260℃に加熱されており、内部において、重力の働く方向に傾斜板が配列された加熱部54が設けられている。加熱部54では各々の傾斜板54a、54b、54c、54d,54e、54fにおける傾斜の向きが交互となるよう配置されている。即ち、PMDA供給部51より絞り52を介して矢印Cに示す方向に供給されたPMDA粒子30が、重力に従って転がり落ちるように位置されている。   The PMDA vaporization unit 53 is entirely heated to 260 ° C., which is a temperature set for vaporizing PMDA, and a heating unit 54 in which inclined plates are arranged in the direction in which gravity acts is provided inside. . In the heating part 54, it arrange | positions so that the direction of the inclination in each inclination board 54a, 54b, 54c, 54d, 54e, 54f may become alternate. That is, the PMDA particles 30 supplied from the PMDA supply unit 51 through the diaphragm 52 in the direction indicated by the arrow C are positioned so as to roll down according to gravity.

具体的には、傾斜板54aは図面において左方向にPMDA粒子30が転がるように設置されており、傾斜板54bは図面において右方向にPMDA粒子30が転がるように設置されており、傾斜板54cは図面において左方向にPMDA粒子30が転がるように設置されており、傾斜板54dは図面において右方向にPMDA粒子30が転がるように設置されており、傾斜板54eは図面において左方向にPMDA粒子30が転がるように設置されており、傾斜板54fは図面において右方向にPMDA粒子30が転がるように設置されている。   Specifically, the inclined plate 54a is installed so that the PMDA particles 30 roll in the left direction in the drawing, and the inclined plate 54b is installed so that the PMDA particles 30 roll in the right direction in the drawing, and the inclined plate 54c. Is arranged so that the PMDA particles 30 roll in the left direction in the drawing, the inclined plate 54d is arranged so that the PMDA particles 30 roll in the right direction in the drawing, and the inclined plate 54e is arranged in the left direction in the drawing. 30 is installed to roll, and the inclined plate 54f is installed so that the PMDA particles 30 roll in the right direction in the drawing.

また、傾斜板54aの端部、即ち、図面における左端まで転がったPMDA粒子30は、傾斜板54aの端部より傾斜板54bに落下し、傾斜板54bの端部、即ち、図面における右端まで転がったPMDA粒子30は、傾斜板54bの端部より傾斜板54cに落下し、傾斜板54cの端部、即ち、図面における左端まで転がったPMDA粒子30は、傾斜板54cの端部より傾斜板54dに落下し、傾斜板54dの端部、即ち、図面における左端まで転がったPMDA粒子30は、傾斜板54dの端部より傾斜板54eに落下し、傾斜板54eの端部、即ち、図面における左端まで転がったPMDA粒子30は、傾斜板54eの端部より傾斜板54fに落下するように配置されている。   Further, the PMDA particles 30 that have rolled to the end of the inclined plate 54a, that is, the left end in the drawing, fall from the end of the inclined plate 54a to the inclined plate 54b, and roll to the end of the inclined plate 54b, that is, the right end in the drawing. The PMDA particles 30 fall on the inclined plate 54c from the end of the inclined plate 54b, and the PMDA particles 30 rolled to the end of the inclined plate 54c, that is, the left end in the drawing, are inclined plate 54d from the end of the inclined plate 54c. The PMDA particles 30 that have fallen to the end of the inclined plate 54d, that is, rolled to the left end in the drawing, fall onto the inclined plate 54e from the end of the inclined plate 54d, and the end of the inclined plate 54e, that is, the left end in the drawing. The PMDA particles 30 that have been rolled up are disposed so as to fall onto the inclined plate 54f from the end of the inclined plate 54e.

また、本実施の形態においては、加熱部54における各々の傾斜板54a、54b、54c、54d,54e、54fは、重力方向において、順に、その間隔が狭くなるように配置されている。具体的には、54aと54bとの間隔K1、54bと54cとの間隔K2、54cと54dとの間隔K3、54dと54eとの間隔K4、54eと54fとの間隔K5とした場合に、K1>K2>K3>K4>K5となるように配置されている。   Moreover, in this Embodiment, each inclination board 54a, 54b, 54c, 54d, 54e, 54f in the heating part 54 is arrange | positioned so that the space | interval may become narrow sequentially in a gravitational direction. Specifically, when the distance K1 between 54a and 54b, the distance K2 between 54b and 54c, the distance K3 between 54c and 54d, the distance K4 between 54d and 54e, and the distance K5 between 54e and 54f, K1 > K2> K3> K4> K5.

第1の実施の形態と同様に、PMDA気化部53は全体が加熱されているため、各々の傾斜板54a、54b、54c、54d、54e、54fの表面上を転がるPMDA粒子30は、傾斜板54a、54b、54c、54d、54e、34fからの加熱によって、気化することにより、粒径は次第に小さくなる。   As in the first embodiment, since the entire PMDA vaporization section 53 is heated, the PMDA particles 30 rolling on the surfaces of the respective inclined plates 54a, 54b, 54c, 54d, 54e, 54f By vaporizing by heating from 54a, 54b, 54c, 54d, 54e, and 34f, the particle size gradually decreases.

本実施の形態におけるPMDA気化器のPMDA気化部53の底部近傍、即ち、PMDA気化部53の底部と傾斜板54fとの間には、窒素ガス供給部60より窒素(N)がキャリアガスとして導入されている。導入されるキャリアガスは、加熱部54において、各々の傾斜板54a、54b、54c、54d、54e、54fの間を下から上、即ち、キャリアガスが流れていない場合に、PMDA粒子30が転がる方向とは逆方向に流れる。よって、キャリアガスは、キャリアガスが通過する領域の断面積が狭いところでは流速が速く、キャリアガスが通過する領域の断面積が広いところでは流速が遅くなる。これにより、粒径の大きなPMDA粒子30をより下の傾斜板に導くことができる。 In the vicinity of the bottom of the PMDA vaporizer 53 of the PMDA vaporizer in this embodiment, that is, between the bottom of the PMDA vaporizer 53 and the inclined plate 54f, nitrogen (N 2 ) is supplied as a carrier gas from the nitrogen gas supply unit 60. Has been introduced. The introduced carrier gas causes the PMDA particles 30 to roll in the heating section 54 when the carrier gas is not flowing from the bottom between the inclined plates 54a, 54b, 54c, 54d, 54e, and 54f. Flows in the opposite direction. Therefore, the carrier gas has a high flow velocity when the cross-sectional area of the region through which the carrier gas passes is small, and slows down when the cross-sectional area of the region through which the carrier gas passes is large. Thereby, the PMDA particle | grains 30 with a large particle size can be guide | induced to the lower inclination board.

このことを、図5に基づき説明する。図5(a)に示すように、傾斜板の間隔が広い場合、即ち、加熱部54における傾斜板54aと54bのように、その間隔K1が広い場合では、キャリアガスの流速は、矢印D1に示すように遅くなる。このため、大きな粒径のPMDA粒子30a、中程度の粒径のPMDA粒子30b、小さな粒径のPMDA粒子30cは、全て傾斜板54bにおける傾斜に沿って転がる。但し、PMDA粒子30の粒径の大きさに応じてキャリアガスより受ける力が異なることから、大きな粒径のPMDA粒子30aは比較的速い速度で傾斜を転がり落ち、小さな粒径のPMDA粒子30cは比較的遅い速度で傾斜を転がり落ち、中程度の粒径のPMDA粒子30bは大きな粒径のPMDA粒子30aと小さな粒径のPMDA粒子30cとの中間程度の速度で傾斜を転がり落ちる。   This will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 5A, when the interval between the inclined plates is wide, that is, when the interval K1 is wide like the inclined plates 54a and 54b in the heating section 54, the flow velocity of the carrier gas is indicated by the arrow D1. Slower as shown. For this reason, all of the PMDA particles 30a having a large particle size, the PMDA particles 30b having a medium particle size, and the PMDA particles 30c having a small particle size roll along the inclination of the inclined plate 54b. However, since the force received from the carrier gas varies depending on the size of the particle size of the PMDA particle 30, the PMDA particle 30a having a large particle size rolls down at a relatively high speed, and the PMDA particle 30c having a small particle size is The slope rolls down at a relatively slow speed, and the medium-sized PMDA particles 30b roll down the slope at an intermediate speed between the large-sized PMDA particles 30a and the small-sized PMDA particles 30c.

次に、図5(b)に示すように、傾斜板の間隔が狭い場合、即ち、加熱部54における傾斜板54cと54dのように、その間隔K3が狭い程度の場合では、キャリアガスの流速は、矢印D2に示すように速くなる。このため、大きな粒径のPMDA粒子30aは傾斜板54dを傾斜に沿って転がり落ちるが、小さな粒径のPMDA粒子30cはキャリアガスにより受ける力により、傾斜板54dの傾斜とは逆方向に転がり、逆に傾斜をさかのぼる。また、中程度の粒径のPMDA粒子30bは、キャリアガスにより受ける力により減速し停止してしまう。従って、大きな粒径のPMDA粒子30aのみが傾斜に沿って転がり落ちる。   Next, as shown in FIG. 5B, when the interval between the inclined plates is narrow, that is, when the interval K3 is narrow as in the inclined plates 54c and 54d in the heating unit 54, the flow velocity of the carrier gas. Becomes faster as shown by the arrow D2. For this reason, the PMDA particles 30a having a large particle diameter roll down the inclined plate 54d along the inclination, but the PMDA particles 30c having a small particle diameter roll in the opposite direction to the inclination of the inclined plate 54d by the force received by the carrier gas, Conversely, go back up the slope. Further, the medium-sized PMDA particles 30b are decelerated and stopped by the force received by the carrier gas. Therefore, only the PMDA particles 30a having a large particle size roll down along the inclination.

このようにして、PMDA粒子30のうち粒径の大きなものは加熱部54において、速く転がり落とすことができる。傾斜板54a、54b、54c、54d,54e、54fはPMDAが気化する温度に加熱されておりPMDA粒子30が気化することにより、粒径は下段にいくに従い小さくなり、最後には、完全に気化され蒸発してしまう。加熱部54の上段部では、PMDA粒子30の粒径が大きく、同じ場所に供給されるため傾斜板において温度降下等が生じ、効率的にPMDAを気化することができない場合があるが、加熱部54の下段部では、PMDA粒子30の粒径が小さくなっており、また分散されており、気化するための余剰能力を有している。よって、大きなPMDA粒子30であっても効率的に気化させることができる。このため、大きな粒径のPMDA粒子30aを加熱部54の下段に導き、効率よくPMDA粒子30を気化させることができる。   In this way, large particles of the PMDA particles 30 can be quickly rolled off in the heating unit 54. The inclined plates 54a, 54b, 54c, 54d, 54e, and 54f are heated to a temperature at which PMDA is vaporized, and the PMDA particles 30 are vaporized. As a result, the particle size decreases as it goes to the lower stage, and finally vaporizes completely. And will evaporate. In the upper part of the heating unit 54, the particle size of the PMDA particles 30 is large and supplied to the same place, so that a temperature drop or the like occurs in the inclined plate, and PMDA may not be efficiently vaporized. In the lower part of 54, the particle size of the PMDA particles 30 is small and dispersed, and has an extra capacity for vaporization. Therefore, even large PMDA particles 30 can be efficiently vaporized. For this reason, the PMDA particles 30a having a large particle diameter can be guided to the lower stage of the heating unit 54, and the PMDA particles 30 can be efficiently vaporized.

次に、加熱部54において気化したPMDAは、気化経路55に矢印E1に示す方向に流れる。尚、本実施の形態におけるPMDA気化器には、別のキャリアガスとして窒素(N)ガスが、窒素ガス供給部61よりPMDA供給部51に供給されており、また、窒素ガス供給部62より絞り52とPMDA気化部53との間に供給されている。別のキャリアガスとして供給された窒素ガスにより、気化したPMDAを気化経路55に導く。気化経路55は、下方向気化経路55aと上方向気化経路55bとにより構成されている。気化経路55に導かれた気化したPMDAは、最初に、下方向気化経路55aを矢印E2に示すように下向きに流れる。尚、下方向気化経路55aの形成される方向は重力方向と略同一方向である。下方向気化経路55aの端まで流れた気化したPMDAは、この後、矢印E3に示すように上向気化経路55bに入り込み、上向気化経路55bを矢印E4に示すように上向きに流れる。上向気化経路55bの端部近傍には、気化PMDA排出口56が設けられており、気化したPMDAは矢印E5に示す方向に流れ、バルブ23を介し、インジェクター13に供給される。尚、上向気化経路55bにおいて気化したPMDAが流れる方向は、下方向気化経路55aにおいて気化したPMDAが流れる方向と逆方向、即ち、重力方向とは逆方向となるように構成されている。 Next, the PMDA vaporized in the heating unit 54 flows in the direction indicated by the arrow E1 in the vaporization path 55. In the PMDA vaporizer according to the present embodiment, nitrogen (N 2 ) gas is supplied from the nitrogen gas supply unit 61 to the PMDA supply unit 51 as another carrier gas, and from the nitrogen gas supply unit 62. It is supplied between the diaphragm 52 and the PMDA vaporization unit 53. The vaporized PMDA is guided to the vaporization path 55 by nitrogen gas supplied as another carrier gas. The vaporization path 55 includes a downward vaporization path 55a and an upward vaporization path 55b. The vaporized PMDA guided to the vaporization path 55 first flows downward in the downward vaporization path 55a as indicated by an arrow E2. The direction in which the downward vaporization path 55a is formed is substantially the same as the direction of gravity. The vaporized PMDA that has flowed to the end of the downward vaporization path 55a then enters the upward vaporization path 55b as indicated by arrow E3, and flows upward through the upward vaporization path 55b as indicated by arrow E4. A vaporized PMDA discharge port 56 is provided in the vicinity of the end of the upward vaporization path 55b. The vaporized PMDA flows in the direction indicated by the arrow E5 and is supplied to the injector 13 through the valve 23. The direction in which the vaporized PMDA flows in the upward vaporization path 55b is configured to be opposite to the direction in which the vaporized PMDA flows in the downward vaporization path 55a, that is, the direction opposite to the direction of gravity.

本実施の形態におけるPMDA気化器では、気化経路55に下方向気化経路55aと上方向気化経路55bとを設け、更に、気化PMDA排出口56を上方気化経路55bの上部に設けることにより、気化したPMDAと一緒に流れる気化していない粉末状のPMDA微粒子を除去することが可能である。即ち、上方向気化経路55bにおける流速を粉末状のPMDA微粒子が上昇することのない流速とすることにより、気化PMDA排出口56よりPMDA微粒子が排出されることなく、下方向気化経路55aと上方向気化経路55bとの接続領域の底部55cにおいてPMDA微粒子を堆積させ、除去することができる。尚、このような流速の制御は、窒素ガス供給部60、61及び62からの窒素ガスの供給量を制御することにより行うことが可能である。   In the PMDA vaporizer in the present embodiment, the vaporization path 55 is vaporized by providing the lower vaporization path 55a and the upper vaporization path 55b, and further providing the vaporization PMDA discharge port 56 at the upper part of the upper vaporization path 55b. It is possible to remove the non-vaporized PMDA fine particles flowing together with the PMDA. That is, by setting the flow rate in the upward vaporization path 55b to a flow rate at which the powdery PMDA fine particles do not rise, the PMDA fine particles are not discharged from the vaporization PMDA discharge port 56, and the upward vaporization path 55a and the upward direction. PMDA fine particles can be deposited and removed at the bottom 55c of the connection region with the vaporization path 55b. Note that such a flow rate can be controlled by controlling the amount of nitrogen gas supplied from the nitrogen gas supply units 60, 61 and 62.

本実施の形態におけるPMDA気化器は、前述のとおり、PMDA気化部53の全体がPMDAを気化するために設定された温度である260℃、または、これ以上の温度に設定されているため、PMDA気化部53内の壁面に凝固し付着することはない。   As described above, the PMDA vaporizer according to the present embodiment is set to 260 ° C., which is the temperature set for vaporizing PMDA, or higher, as described above. It does not solidify and adhere to the wall surface in the vaporization part 53.

本実施の形態の説明においてはキャリアガスとして窒素ガスを用いた場合について説明したが、キャリアガスはアルゴン(Ar)等の不活性ガスであってもよい。   Although the case where nitrogen gas is used as the carrier gas has been described in the description of the present embodiment, the carrier gas may be an inert gas such as argon (Ar).

本実施の形態におけるPMDA気化器において、供給されるPMDA粒子30の粒径は250μmであり、比重は1.68×10kg/mである。また、本実施の形態における各々の加熱部54における傾斜板54a、54b、54c、54d、54e、54fの傾斜角は、水平方向に対し、1.5°であり、斜面方向の長さは400mmである。窒素ガス供給部60より供給されるキャリアガスの流量は、50sccmである。 In the PMDA vaporizer in the present embodiment, the particle diameter of the supplied PMDA particles 30 is 250 μm, and the specific gravity is 1.68 × 10 3 kg / m 3 . In addition, the inclination angle of the inclined plates 54a, 54b, 54c, 54d, 54e, 54f in each heating unit 54 in the present embodiment is 1.5 ° with respect to the horizontal direction, and the length in the inclined direction is 400 mm. It is. The flow rate of the carrier gas supplied from the nitrogen gas supply unit 60 is 50 sccm.

本実施の形態における気化器では、加熱部54は複数の傾斜板54a、54b、54c、54d、54e、54fにより構成されているため、PMDA粒子30が転がる距離が長くても、気化器全体の大きさを小さくすることができる。また、PMDA粒子30は、転がりながら気化するため、PMDA粒子30が一定の場所に長時間滞留し、長時間加熱され、PMDAが熱により変質してしまうおそれがない。   In the vaporizer according to the present embodiment, the heating unit 54 includes a plurality of inclined plates 54a, 54b, 54c, 54d, 54e, and 54f. Therefore, even if the distance over which the PMDA particles 30 roll is long, the entire vaporizer The size can be reduced. Further, since the PMDA particles 30 are vaporized while rolling, there is no possibility that the PMDA particles 30 stay in a certain place for a long time and are heated for a long time, and the PMDA is not deteriorated by heat.

また、窒素ガス供給部60より供給された窒素ガスにより、PMDA粒子30の粒径の大きなものほど、加熱部54の下段に向かいやすくなるため、加熱部54において、より均一に、効率よくPMDA粒子30を気化させることが可能である。更に、本実施の形態における気化器では、PMDA粒子30の粒径の大きさを均一にする必要がないことから、PMDA粒子30の前加工や前処理等を必要としないため、より低コストでポリイミド膜を形成することが可能である。   Moreover, since the larger the particle size of the PMDA particles 30 is, the easier it is to go to the lower stage of the heating unit 54 due to the nitrogen gas supplied from the nitrogen gas supply unit 60, the PMDA particles are more uniformly and efficiently performed in the heating unit 54. 30 can be vaporized. Further, in the vaporizer according to the present embodiment, since the size of the particle size of the PMDA particles 30 does not need to be uniform, pre-processing and pretreatment of the PMDA particles 30 are not required, so that the cost is lower. A polyimide film can be formed.

尚、本実施の形態のPMDA気化器は、第1の実施の形態におけるPMDA気化器と同様に、ポリイミド膜の成膜装置に用いることが可能である。また、上記以外の内容については、第1の実施の形態と同様である。   The PMDA vaporizer according to the present embodiment can be used in a polyimide film forming apparatus, similarly to the PMDA vaporizer according to the first embodiment. The contents other than those described above are the same as those in the first embodiment.

以上、本発明の実施に係る形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではない。   As mentioned above, although the form which concerns on implementation of this invention was demonstrated, the said content does not limit the content of invention.

11 チャンバー
12 ウエハボート
13 インジェクター
14 インジェクター
15 排気口
16 回転部
17 ヒーター
21 PMDA気化器
22 ODA気化器
23 バルブ
24 バルブ
25 導入部
30 PMDA粒子
31 PMDA供給部
32 絞り
33 PMDA気化部
34 加熱部
34a、34b、34c、34d、34e、34f 傾斜板
35 気化経路
35a 下方向気化経路
35b 上方向気化経路
36 気化PMDA排出口
41 窒素ガス供給部
42 窒素ガス供給部
W ウエハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Chamber 12 Wafer boat 13 Injector 14 Injector 15 Exhaust port 16 Rotation part 17 Heater 21 PMDA vaporizer 22 ODA vaporizer 23 Valve 24 Valve 25 Introduction part 30 PMDA particle 31 PMDA supply part 32 Restriction 33 PMDA vaporization part 34 Heating part 34a, 34b, 34c, 34d, 34e, 34f Inclined plate 35 Evaporation path 35a Downward evaporation path 35b Upward evaporation path 36 Evaporation PMDA outlet 41 Nitrogen gas supply part 42 Nitrogen gas supply part W Wafer

Claims (7)

常温において固体状態である固体の粒子を気化させる気化器において、
前記固体の粒子を供給するための供給部と、
前記供給部より供給された前記固体の粒子を気化するための加熱部を有する気化部と、を有し、
前記加熱部には傾斜が設けられており、前記固体の粒子は前記傾斜を転がりながら気化することを特徴とする気化器。
In a vaporizer that vaporizes solid particles that are in a solid state at room temperature,
A supply unit for supplying the solid particles;
A vaporization unit having a heating unit for vaporizing the solid particles supplied from the supply unit,
The heating unit is provided with an inclination, and the solid particles are vaporized while rolling the inclination.
前記気化器は、チャンバー内に設置された基板に、気化した第1の物質と気化した第2の物質とを供給し反応させることにより前記基板上に第3の物質の膜を形成する成膜装置に接続されており、
前記固体の粒子は前記第1の物質の粒子であって、
前記気化器は、気化した第1の物質を前記チャンバー内に供給するものであることを特徴とする請求項1に記載の気化器。
The vaporizer forms a third material film on the substrate by supplying the vaporized first material and the vaporized second material to a substrate installed in the chamber and reacting them. Connected to the device,
The solid particles are particles of the first substance,
2. The vaporizer according to claim 1, wherein the vaporizer supplies the vaporized first substance into the chamber.
前記加熱部には複数の傾斜が設けられており、
前記固体の粒子は、前記複数の傾斜において、上方の傾斜を転がった後、下方の傾斜を順次転がることを特徴とする特徴とする請求項1または2に記載の気化器。
The heating unit is provided with a plurality of slopes,
3. The vaporizer according to claim 1, wherein the solid particles sequentially roll on a lower slope after rolling on an upper slope in the plurality of slopes. 4.
前記加熱部において、前記複数の傾斜の配列されている方向は重力の働く方向であって、前記複数の傾斜の向きが交互となるよう配置されていることを特徴とする請求項3に記載の気化器。   4. The heating unit according to claim 3, wherein the direction in which the plurality of inclinations are arranged is a direction in which gravity acts, and the plurality of inclination directions are alternately arranged. 5. Vaporizer. 前記傾斜の配置される間隔は、重力が働く方向に従って狭くなっており、
前記傾斜のうち最下部に存在する傾斜よりも下側において、キャリアガスが導入されていることを特徴とする請求項3または4に記載の気化器。
The interval at which the inclination is arranged is narrow according to the direction in which gravity works,
The vaporizer according to claim 3 or 4, wherein a carrier gas is introduced below a slope existing at a lowermost part of the slope.
前記気化部には、前記固体の粒子が気化した気体が通過する気化経路を有しており、
前記気化経路は、重力が働く方向に気流が流れる下方向気化経路と、前記下方向気化経路とは反対方向に流れる上方向気化経路とを有し、
前記下方向気化経路と前記上方向気化経路とは、重力が働く方向の端部において接続されており、
前記気化した気体は、前記下方向気化経路の前記端部とは反対側から流入し、前記下方向気化経路の前記端部とは反対側から排出されることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の気化器。
The vaporization part has a vaporization path through which the gas vaporized from the solid particles passes,
The vaporization path includes a downward vaporization path in which an airflow flows in a direction in which gravity works, and an upward vaporization path in a direction opposite to the downward vaporization path,
The downward vaporization path and the upward vaporization path are connected at the end of the direction in which gravity works,
6. The vaporized gas flows in from a side opposite to the end of the downward vaporization path and is discharged from a side opposite to the end of the downward vaporization path. The vaporizer as described in any one of.
前記第1の物質はPMDAであり、前記第2の物質はODAであり、前記第3の物質はポリイミドであることを特徴とする請求項2に記載の気化器。   The vaporizer according to claim 2, wherein the first material is PMDA, the second material is ODA, and the third material is polyimide.
JP2009150243A 2009-06-24 2009-06-24 Vaporizer Pending JP2011009379A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009150243A JP2011009379A (en) 2009-06-24 2009-06-24 Vaporizer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009150243A JP2011009379A (en) 2009-06-24 2009-06-24 Vaporizer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011009379A true JP2011009379A (en) 2011-01-13

Family

ID=43565707

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009150243A Pending JP2011009379A (en) 2009-06-24 2009-06-24 Vaporizer

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2011009379A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015050344A (en) * 2013-09-02 2015-03-16 東京エレクトロン株式会社 Deposition method and deposition apparatus
JP2016521318A (en) * 2014-05-09 2016-07-21 韓国生産技術研究院Korea Institute Of Industrial Technology Liquid precursor supply device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015050344A (en) * 2013-09-02 2015-03-16 東京エレクトロン株式会社 Deposition method and deposition apparatus
JP2016521318A (en) * 2014-05-09 2016-07-21 韓国生産技術研究院Korea Institute Of Industrial Technology Liquid precursor supply device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6199744B2 (en) Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method, and vaporizing apparatus
US6228436B1 (en) Method of making light emitting polymer composite material
JP3578989B2 (en) Flash evaporation of liquid monomer particle mixtures
US6228434B1 (en) Method of making a conformal coating of a microtextured surface
JP3680220B2 (en) Method and vaporizer for providing reactant vapor to a point of use
KR20110005637A (en) Vacuum vapor deposition apparatus
KR910002567B1 (en) Carrier gas cluster source for thermally conditioned clusters
JP2010518224A (en) Co-flash evaporation of polymerizable monomer and non-polymerizable carrier solvent / salt mixture / solution
JP2019007082A (en) Evaporator, deposition arrangement, deposition apparatus, and methods of operation thereof
TW200938644A (en) In-line film-formation apparatus
JP2004140328A (en) Gas supply system and treatment system
CN104040017B (en) Direct liquid deposition
CN102150234A (en) Film-forming apparatus, film-forming method and semiconductor device
JP2011009379A (en) Vaporizer
KR101753758B1 (en) Vaporizer and substrate disposition apparatus including the same
WO2007037268A1 (en) Raw material feeder and vapor deposition apparatus
JP5281146B2 (en) Substrate processing apparatus, trap apparatus, substrate processing apparatus control method, and trap apparatus control method
TWI418644B (en) Gasifier
JP2010219147A (en) Film forming device, vaporizer, control program and computer readable storage medium
JPH11172418A (en) Film forming device
Wu et al. Surface-tension-confined assembly of a metal–organic framework in femtoliter droplet arrays
JP2006225758A (en) Vacuum deposition apparatus
JP2011009440A (en) Vaporizer
JP2009239297A (en) Processing system
US6468352B2 (en) Method and apparatus for modifying particles