JP2010519765A - エクスサイチュドープされたナノ粒子半導体輸送層 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図3
Description
(a)コロイド溶液において表面有機配位子を有する半導体ナノ粒子の第一の組を成長させ;
(b)コロイド溶液において表面有機配位子を有するドーパント材料ナノ粒子の第二の組を成長させ;
(c)該半導体ナノ粒子の第一の組と該ドーパント材料ナノ粒子の第二の組の混合物を表面に付着させ、そこではドーパント材料ナノ粒子より多くの半導体ナノ粒子が存在し;
(d)該ナノ粒子の第一および第二の組の表面から該有機配位子がボイルオフするように、該付着したナノ粒子の混合物を第一アニーリングし;および
(e)該半導体ナノ粒子が融合して連続的な半導体層を形成し、且つ該ドーパント材料原子が該ドーパント材料ナノ粒子から該連続的な半導体層に拡散してエクスサイチュでドープされた半導体輸送層を提供するように、該付着した混合物を第二アニーリングすること。
ドープされたおよびドープされていない半導体輸送層を、ガラス基板上に形成した。この試験組織は、ZnTeであり、Cuドーピング(カチオンサイト上で置き換えられるZnTeのためのアクセプター)を伴うものと伴わないものであった。ドープされていないZnTe半導体ナノ粒子310を、ZnSe球状ドットを形成するために一般的に使用される手順を適用することにより合成した(M.A.Hinesら、J.Phys.Chem.B102,3655(1998))。より具体的には、4gの乾燥し脱ガスしたヘキサデシルアミン(HDA)を三つ首フラスコに入れて加熱し、アルゴン下で、シュレンクライン上で290℃にした。Te前駆体については、トリオクチルフォスフィン(TOP)中Teの0.25M溶液(TOPTeと呼ばれる)を、真空下でTe粉末とTOPの混合物を、3〜4時間、活発に撹拌しながら、190℃で加熱することによって形成した。結果として得られた溶液は透明で、且つ緑−黄色の外観を有していた。乾燥箱の中で、シリンジに0.4mモルのジエチル亜鉛(ヘキサン溶液中の1Mジエチル亜鉛に由来)、1.6mモルのTOPTe、および2.0mlの追加のTOPを充填した。このシリンジ内容物は、三ツ首フラスコに迅速に注入され、その溶液は活発に撹拌されていた。室温のZn/Teストック溶液に注入した結果として、反応温度は急速に約25℃下がった。それを、オレンジ−赤発行ZnTeナノ結晶(室内光で見ることができる)を形成するために、10分間265℃で維持した。ZnTe粗製溶液の蛍光スペクトルが図4に示される。ZnTe量子ドット粗製溶液の紫外−可視(UV−VIS)吸収スペクトルは、このドットが明確な室温第一励起子吸収ピークを約430nmに有することを示す。
100 基板
105 発光ダイオードデバイス
110 p−接触層
120 p−輸送層
130 本来的に備わっているエミッタ層
140 n−輸送層
150 n−接触層
160 アノード
170 カソード
200 半導体コア
205 無機ナノ粒子
210 有機配位子
300 エクスサイチュでドープされた半導体輸送層
310 半導体ナノ粒子
320 ドーパント材料ナノ粒子
330 半導体輸送層
340 ドーパント材料原子
Claims (17)
- 電子デバイスにおいて使用するためのエクスサイチュでドープされた半導体輸送層を製造する方法であって、
(a)コロイド溶液において表面有機配位子を有する半導体ナノ粒子の第一の組を成長させ;
(b)コロイド溶液において表面有機配位子を有するドーパント材料ナノ粒子の第二の組を成長させ;
(c)該半導体ナノ粒子の第一の組と該ドーパント材料ナノ粒子の第二の組の混合物を表面に付着させ、そこではドーパント材料ナノ粒子より多くの半導体ナノ粒子が存在し;
(d)該ナノ粒子の第一および第二の組の表面から該有機配位子がボイルオフするように、該付着したナノ粒子の混合物を第一アニーリングし;および
(e)該半導体ナノ粒子が融合して連続的な半導体層を形成し、且つ該ドーパント材料原子が該ドーパント材料ナノ粒子から該連続的な半導体層に拡散してエクスサイチュでドープされた半導体輸送層を提供するように、該付着した混合物を第二アニーリングすること、
を含んでなる、方法。 - 該半導体が、IV、III−V、II−VI、またはIV−VI型半導体材料から選択される、請求項1に記載の方法。
- 該半導体がII−VI型化合物であり、且つ該ドーパント材料が、Ia、Ib、III、またはV族元素である、請求項1に記載の方法。
- 該半導体がIII−V型化合物であり、且つ該ドーパント材料がIIa、IIb、IV、またはVI族元素である、請求項1に記載の方法。
- 該半導体がIV型材料であり、且つ該ドーパント材料がIIIまたはV族元素である、請求項1に記載の方法。
- 該半導体がIV−VI型材料であり、且つ該ドーパント材料がIIIまたはV族元素である、請求項1に記載の方法。
- 該半導体ナノ粒子が、量子ドット、ロッド、細線、または量子閉じ込め効果を示す任意の多数重なって繋げられたナノ粒子のいずれかである、請求項1に記載の方法。
- 該ドーパント材料ナノ粒子が、量子ドット、ロッド、細線、または任意の多数重なって繋げられたナノ粒子のいずれかである、請求項1に記載の方法。
- 該第一アニーリングが、220℃未満の温度である、請求項1に記載の方法。
- 該第二アニーリングが、250℃〜500℃の間の温度である、請求項1に記載の方法。
- 該第二アニーリングが、環状炉または高速熱アニール装置のいずれかを用いることを含む、請求項10に記載の方法。
- 電子デバイスにおいて使用するためのエクスサイチュでドープされた半導体輸送層を製造する方法であって、
(a)コロイド溶液において表面有機配位子を有する半導体ナノ粒子の第一の組を成長させ;
(b)コロイド溶液において表面有機配位子を有するドーパント材料ナノ粒子の第二の組を成長させ;
(c)配位子交換を行って、該半導体およびドーパント材料ナノ粒子の表面を、沸点が200℃未満である有機配位子でカバーし;
(d)該配位子交換された半導体およびドーパント材料ナノ粒子ならびに有機溶媒を含む分散体を製造し、そこではドーパント材料ナノ粒子より多くの半導体ナノ粒子が存在し;
(e)該分散体を表面にコーティングし;
(f)該半導体およびドーパント材料ナノ粒子の表面から該有機配位子がボイルオフするように、該付着したナノ粒子の混合物を第一アニーリングし;および
(g)該半導体ナノ粒子が融合して連続的な半導体層を形成し、且つ該ドーパント材料原子が該ドーパント材料ナノ粒子から該連続的な半導体層に拡散してエクスサイチュでドープされた半導体輸送層を提供するように、該付着した混合物を第二アニーリングすること、
を含んでなる、方法。 - 該交換された配位子がピリジンである、請求項12に記載の方法。
- 該溶媒が極性を有する、請求項12に記載の方法。
- 該分散体が、スピンコーティング、ドロップキャスティング、またはインクジェットのいずれかによってコーティングされる、請求項12に記載の方法。
- 該第一アニーリングが、220℃未満の温度である、請求項12に記載の方法。
- 該第二アニーリングが、250℃〜500℃の間の温度である、請求項12に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/677,794 | 2007-02-22 | ||
US11/677,794 US7375011B1 (en) | 2007-02-22 | 2007-02-22 | Ex-situ doped semiconductor transport layer |
PCT/US2007/025211 WO2008103161A1 (en) | 2007-02-22 | 2007-12-10 | Ex-situ doped semiconductor transport layer |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010519765A true JP2010519765A (ja) | 2010-06-03 |
JP2010519765A5 JP2010519765A5 (ja) | 2011-12-22 |
JP5171848B2 JP5171848B2 (ja) | 2013-03-27 |
Family
ID=39370788
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009550856A Expired - Fee Related JP5171848B2 (ja) | 2007-02-22 | 2007-12-10 | エクスサイチュドープされたナノ粒子半導体輸送層 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7375011B1 (ja) |
EP (1) | EP2122673B1 (ja) |
JP (1) | JP5171848B2 (ja) |
CN (1) | CN101611480B (ja) |
TW (1) | TWI411016B (ja) |
WO (1) | WO2008103161A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7785657B2 (en) * | 2006-12-11 | 2010-08-31 | Evident Technologies, Inc. | Nanostructured layers, method of making nanostructured layers, and application thereof |
US7718707B2 (en) * | 2006-12-21 | 2010-05-18 | Innovalight, Inc. | Method for preparing nanoparticle thin films |
US20090014423A1 (en) * | 2007-07-10 | 2009-01-15 | Xuegeng Li | Concentric flow-through plasma reactor and methods therefor |
US8471170B2 (en) * | 2007-07-10 | 2013-06-25 | Innovalight, Inc. | Methods and apparatus for the production of group IV nanoparticles in a flow-through plasma reactor |
US8968438B2 (en) * | 2007-07-10 | 2015-03-03 | Innovalight, Inc. | Methods and apparatus for the in situ collection of nucleated particles |
US20090053878A1 (en) * | 2007-08-21 | 2009-02-26 | Maxim Kelman | Method for fabrication of semiconductor thin films using flash lamp processing |
GB2461079A (en) | 2008-06-19 | 2009-12-23 | Mighton Products Ltd | Sash window restrictor having a protruding member and retaining mechanism |
EP2360289A1 (de) * | 2010-02-23 | 2011-08-24 | Saint-Gobain Glass France | Vorrichtung und Verfahren zum Abscheiden einer aus mindestens zwei Komponenten bestehenden Schicht auf einem Gegenstand |
CN113795611A (zh) * | 2019-05-05 | 2021-12-14 | 多伦多大学管理委员会 | 在电解池中碳酸盐转化为合成气或c2+产物 |
TWI702405B (zh) * | 2019-08-12 | 2020-08-21 | 久盛光電股份有限公司 | 光敏式薄膜電晶體及電磁波檢測裝置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005106082A1 (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Nanoco Technologies Limited | Preparation of nanoparticle materials |
WO2007044098A1 (en) * | 2005-06-27 | 2007-04-19 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5262357A (en) * | 1991-11-22 | 1993-11-16 | The Regents Of The University Of California | Low temperature thin films formed from nanocrystal precursors |
US6878871B2 (en) | 2002-09-05 | 2005-04-12 | Nanosys, Inc. | Nanostructure and nanocomposite based compositions and photovoltaic devices |
GB0225202D0 (en) * | 2002-10-30 | 2002-12-11 | Hewlett Packard Co | Electronic components |
US7879696B2 (en) * | 2003-07-08 | 2011-02-01 | Kovio, Inc. | Compositions and methods for forming a semiconducting and/or silicon-containing film, and structures formed therefrom |
CN100387101C (zh) * | 2005-07-01 | 2008-05-07 | 中山大学 | 一种提高有机电致发光器件寿命的方法 |
-
2007
- 2007-02-22 US US11/677,794 patent/US7375011B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-12-10 EP EP07862703A patent/EP2122673B1/en not_active Not-in-force
- 2007-12-10 CN CN2007800515631A patent/CN101611480B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-12-10 WO PCT/US2007/025211 patent/WO2008103161A1/en active Application Filing
- 2007-12-10 JP JP2009550856A patent/JP5171848B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-12-20 TW TW096149078A patent/TWI411016B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005106082A1 (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Nanoco Technologies Limited | Preparation of nanoparticle materials |
WO2007044098A1 (en) * | 2005-06-27 | 2007-04-19 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2122673A1 (en) | 2009-11-25 |
US7375011B1 (en) | 2008-05-20 |
TWI411016B (zh) | 2013-10-01 |
EP2122673B1 (en) | 2013-02-13 |
CN101611480B (zh) | 2012-09-05 |
WO2008103161A1 (en) | 2008-08-28 |
TW200845149A (en) | 2008-11-16 |
JP5171848B2 (ja) | 2013-03-27 |
CN101611480A (zh) | 2009-12-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
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