JP2010509995A - 低周波信号によってインビトロ・システム又は哺乳類システムをトランスデュースするための装置および方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、信号を電磁波に変換又はトランスデュースするシステムによって読出し可能な信号ならびにそのような信号を生成および適用する方法に関する。
化学および生化学の分野で受け入れられるパラダイムの1つは、化学的又は生化学的エフェクタ・エージェント(effector agent)、例えば、分子は、イオン、電荷又は分散による力など各種の物理化学力を介して、あるいは、共有結合又はイオン結合の切断又は形成を介して標的システムと相互作用するということである。これらの力は、エフェクタ・エージェント又は標的システムのいずれかのなかにエネルギー・モードを含んでいる。
(a)エージェントを含むサンプルを磁気および電磁遮蔽を備えたサンプル容器に設置する工程であって、ここで、サンプルは、低周波分子信号の信号源として機能し、また磁気遮蔽は、低温容器の外部にある工程と、
(b)選ばれた刺激磁場条件下で、サンプルに対して刺激磁場を注入する工程と、
(c)低温容器に注入された刺激磁場に重畳されたサンプル・ソース放射を含む低周波時間ドメイン信号を記録する工程と、
(d)複数の異なる刺激磁場条件の各々について、工程(b)および(c)を反復する工程と、
(e)工程(c)で記録された信号のうちから、記録信号中で与えられた閾値を超える低周波コンポネントの数を測定する採点アルゴリズムによって解析されるときに、最も高い信号得点を有する1又は複数の信号を同定する工程と、
(f)インビトロ・システムが電磁トランデューサの環境内で信号によってトランスデュースされるとき、エージェントに応答するコンポネントを含むインビトロ・システム中にエージェント固有の応答を生成する能力について、工程(e)で同定された各信号を試験する工程と、
(g)インビトロ・システム中で最も大きいエージェント固有のトランスダクション効果を生ずる1又は複数の信号を選択する工程と、
を含む。
(i)時間ドメイン信号の自己相関を取り、DCから8kHzの範囲で選ばれた周波数範囲にわたり自己相関信号のFFT(高速フーリエ変換)を生成し、FFT信号に対し雑音平均値を超えるピーク数に関する得点を割り当てて、得点に基づいて時間ドメイン信号を選択する方法と、
(ii)2つの時間ドメイン信号に対して一対の位相空間を計算し、算術比較を実行して2つの間の差異の尺度を提供する方法と、
(iii)fを時間ドメイン信号をサンプリングするときのサンプリング・レートとしたとき、DCから8kHzの範囲で選ばれた周波数範囲にわたり各事象ビンfについて各ビンの事象カウント数を表示するヒストグラムを生成し、ヒストグラムに対し与えられた閾値を超えるビン数に関する得点を割り当てて、得点に基づいて時間ドメイン信号を選択する方法と、
(iv)時間ドメイン信号の冒頭部に近い小さいデータ・ブロックと時系列の残りのものとの相互相関を取り、結果の相互相関が与えられた閾値を超える事象の発生を計数する工程と、
(v)DCと8kHzとの間で選ばれた周波数範囲において、複数の定義された期間の各々にわたり時間ドメイン信号の一連のフーリエ・スペクトルを計算し、フーリエ・スペクトルを平均して、平均のFFT信号に対して雑音平均値を超えるピーク数に関する得点を割り当てて、得点に基づいて時間ドメイン信号を選択する方法。
(a)エージェントを含むサンプルを磁気および電磁遮蔽を備えたサンプル容器に設置する工程であって、ここで、サンプルは、分子信号の信号源として機能し、また磁気遮蔽は、低温容器の外部にある工程と、
(b)(i)サンプルの場所に0と1G(ガウス)との間の選ばれた磁場を生成すると計算された電圧レベルで注入される白色雑音、(ii)サンプルの場所に0と1Gとの間の選ばれた磁場を生成すると計算された電圧レベルで注入されるDCオフセットおよび(iii)サンプルの場所に0と1Gとの間の選ばれた磁場を生成すると計算された注入電圧で、少なくとも約0−1kHzの間の掃引範囲にわたり連続的に注入される低周波範囲にわたる掃引を含むグループから選ばれた刺激磁場条件下で、サンプルに激磁場を注入する工程と、
(c)低温容器に注入された刺激磁場に重畳されたサンプル・ソース放射を含む低周波時間ドメイン信号を記録する工程と、
(d)複数の異なる刺激磁場条件の各々について、工程(b)および(c)を反復する工程と、
(e)工程(c)で記録された信号のうちで、記録信号中で与えられた閾値を超える低周波コンポネントの数を測定する採点アルゴリズムによって解析するとき、最も高い信号得点を有する1又は複数の信号を同定する工程と、
(f)電磁トランスデューサの環境にインビトロ・システム又は哺乳類システムを設置して、工程(e)で同定された信号によってサンプルをトランスデュースすることによって、システムをトランスデュースする工程と、
を含む。
方法の工程(e)は、例えば、時間ドメイン信号の自己相関を取り、DCから8kHzの範囲で選ばれた周波数範囲にわたり自己相関信号のFFT(高速フーリエ変換)を生成し、FFT信号に対し雑音平均値を超えるピーク数に関する得点を割り当てて、得点に基づいて時間ドメイン信号を選択する工程によって実行される。
(a)磁気的および電磁的の両方の遮蔽を備えた、エージェントのサンプルを受け入れるのに適したサンプル容器であって、サンプルは、分子信号の信号源として機能し、磁気遮蔽は、低温容器の外部にあるサンプル容器と、
(b)サンプルを容器に入れた状態で、(i)サンプルの場所に0と1G(ガウス)との間の選ばれた磁場を生成すると計算された電圧レベルで注入される白色雑音、(ii)サンプルの場所に0と1Gとの間の選ばれた磁場を生成すると計算された電圧レベルで注入されるDCオフセット、(iii)サンプルの場所に0と1Gとの間の選ばれた磁場を生成すると計算された注入電圧レベルで、少なくとも約0−1kHzの間の掃引範囲にわたり連続的に注入される低周波範囲にわたる掃引を含むグループから選ばれた複数の選ばれた刺激磁場条件の各々において、容器中に刺激磁場を注入するように動作可能な調節可能なパワー源と、
(c)前記パワー源(b)によって注入された異なる刺激磁場条件の各々において、注入刺激磁場に重畳されたサンプル・ソース放射を含む電磁時間ドメイン信号を記録する検出器と、
(d)検出器によって記録された信号を記憶するメモリ装置と、
(e)コンピュータであって、
(i)メモリ装置に記憶された時間ドメイン信号を取り出し、
(ii)取り出した時間ドメイン信号を、記録信号中で与えられた閾値を超える低周波数コンポネントの数を測定する採点アルゴリズムによって解析し、
(iii)閾値を超える低周波数コンポネントの最大数を有する時間ドメイン信号を同定する
ように動作可能なコンピュータと、
を含む。
(i)時間ドメイン信号の自己相関を取り、DCから8kHzの範囲で選ばれた周波数範囲にわたり自己相関信号のFFT(高速フーリエ変換)を発生させ、FFT信号に対し雑音平均値を超えるピーク数に関する得点を割り当てて、得点に基づいて時間ドメイン信号を選択する。
(ii)2つの時間ドメイン信号に対して一対の位相空間を計算し、算術比較を実行して、2つの間の差異の尺度を提供する。
(iii)fを時間ドメイン信号をサンプリングするときのサンプリング・レートとしたとき、DCから8kHzの間で選ばれた周波数範囲にわたり各事象ビンfについて各ビンの事象カウント数を表示するヒストグラムを生成し、ヒストグラムに対し与えられた閾値を超えるビン数に関する得点を割り当てて、得点に基づいて時間ドメイン信号を選択する。
(iv)時間ドメイン信号の冒頭部に近い小さいデータ・ブロックと時系列の残りのものとの相互相関を取り、結果の相互相関が与えられた閾値を超える事象発生を計数する。
(v)DCと8kHzとの間で選ばれた周波数範囲において、複数の定義された期間の各々にわたり時間ドメイン信号の一連のフーリエ・スペクトルを計算し、フーリエ・スペクトルを平均し、平均のFFT信号に対し雑音平均値を超えるピーク数に関する得点を割り当てて、得点に基づいて時間ドメイン信号を選択する。
(1)記憶メディアであって、次の
(a)それに対して哺乳類システムが応答するサンプルを、磁気および電磁遮蔽の両方を備えたサンプル容器に設置する工程であって、ここでサンプルは、低周波分子信号の信号源として機能し、また磁気遮蔽は、低温容器の外部にある工程と、
(b)選ばれた刺激磁場条件下で、サンプルに刺激磁場を注入する工程と、
(c)低温容器に注入された刺激磁場に重畳されたサンプル・ソース放射を含む低周波時間ドメイン信号を記録する工程と、
(d)複数の異なる刺激磁場条件の各々について、工程(b)および(c)を反復する工程と、
(e)工程(c)で記録された信号のうちで、記録信号中で与えられた閾値を超える低周波コンポネントの数を測定する採点アルゴリズムによって解析するとき、最も高い信号得点を有する1又は複数の信号を同定する工程と、
(f)インビトロ・システムが電磁トランスデューサの環境下で信号によってトランスデュースされるときに、エージェントに応答するコンポネントを含むインビトロ・システム中にエージェント固有の応答を発生させる能力について、工程(e)で同定された各信号を試験する工程と、
によって生成されるエージェント固有の低周波時間ドメイン信号をその上に記憶する記憶メディアと、
(2)サンプルが受け入れられる磁気環境を定義する内側領域を有する1又は複数の電磁コイルを含む電磁トランスデューサと、
(3)記憶メディアからの信号を増幅し、増幅した信号をトランスダクション・コイル(単数又は複数)に供給する増幅器と、
を含む。
電磁トランスデューサは、それらの間に内側領域を定義する一対の整列したヘルムホルツ・コイルを含む。
(a)それに対して哺乳類システムが応答するサンプルを、磁気および電磁遮蔽の両方を備えたサンプル容器に設置する工程であって、ここでサンプルは、低周波分子信号の信号源として機能し、また磁気遮蔽は、低温容器の外部にある工程と、
(b)選ばれた刺激磁場条件下で、サンプルに刺激磁場を注入する工程と、
(c)低温容器に注入された刺激磁場に重畳されたサンプル・ソース放射を含む低周波時間ドメイン信号を記録する工程と、
(d)複数の異なる刺激磁場条件の各々について、工程(b)および(c)を反復する工程と、
(e)工程(c)で記録された信号のうちで、記録信号中で与えられた閾値を超える低周波コンポネントの数を測定する採点アルゴリズムによって解析するとき、最も高い信号得点を有する1又は複数の信号を同定する工程と、
(f)インビトロ・システムが電磁トランスデューサの環境下で信号によってトランスデュースされるときに、エージェントに応答するコンポネントを含むインビトロ・システム中でエージェント固有の応答を発生する能力について、工程(e)で同定された各信号を試験する工程と、
によって生成されるエージェント固有の低周波時間ドメイン信号をその上に記憶する記憶メディアを含む。
(I.定義)
次の用語は、特に断らない限り以下の定義を有する。
(II.記録装置および方法)
(III.候補となる最適な時間ドメイン信号を同定する方法)
(A.スペクトル情報を生成するヒストグラム法)
(B.自己相関信号のFFT)
(C.平均のFFT)
(D.相互相関閾値)
(相互相関の詳細)
は、相関を意味する。
および
yj=0, j<0 又は j>=m
そうすると、CrossCorrelationVIは次式を用いてhの要素を得る。
j=−(n−1),−(n−2),...,−2,−1,0,1,2,...,m−1
i=0,1,2,...,size−1,size=n+m−1
(E.位相空間比較)
差分=(sum
((sqrt(Ps(xyz)*Pr(xyz)))*(abs(ln(Ps(xyz)/Pr(xyz))))))/(sum(sqrt(Ps(xyz)*Pr(xyz))))
(IV.トランスダクション装置およびプロトコル)
(V.哺乳類システムに対してエージェント固有の効果を生成できる時間ドメイン信号の発生方法)
(VI.トランスダクションNMR信号の形成)
(1.03ppm−0.00ppm)*300000000Hz=310Hz
(1.13ppm−0.00ppm)*300000000Hz=340Hz
(1.23ppm−0.00ppm)*300000000Hz=370Hz
理論上、TMSは、顕著な化学シフトを呈さないため、それのピーク位置は、単純に300000000Hzのラーマー周波数である。このように、メチル基の実際の周波数は、次のようになる。
300000000Hz+310Hz=300000310Hz
300000000Hz+340Hz=300000340Hz
300000000Hz+370Hz=300000370Hz
もし化学シフトがなければ(低磁場でのように)、メチル基の周波数は、ラーマー周波数を中心としたものとなり、それから遠ざかる方向にシフトしない。すなわち、メチル中央バンドは、ラーマー周波数に中心を持ち、2つのサイド・バンドは、ラーマー周波数に対して+30Hzおよび−30Hzに位置するはずである。
370Hz−340Hz=+30Hz
310Hz−340Hz=−30Hz
7マイクロテスラの磁場中でのラーマー周波数は、(42.58MHz/T)*(7μT)=300Hzである。すなわち、メチル基は、中央バンドをラーマー周波数300Hzに示し、2つのサイド・バンドを300Hz+30Hz=330Hzと300Hz−30Hz=270Hzとに示す。従って、メチル基の正味のスペクトルは、330Hz、300Hzおよび270Hzとなる。
これは、7μTの磁場で発生するはずとして理論的に計算されたNMRスペクトルである。この計算は、最後の周波数が負になるほど低くない低磁場強度についてのみ有効である点に注意すべきである。
Claims (31)
- 哺乳類システムが電磁トランデューサの環境内で信号によってトランスデュースされるときに、哺乳類システムに対するエージェント固有の効果を生成できる信号を発生する方法であって、
(a)エージェントを含むサンプルを、磁気的および電磁的遮蔽を備えたサンプル容器に入れる工程であって、サンプルが低周波分子信号の信号源として機能し、磁気遮蔽が低温容器の外部にある工程と、
(b)選ばれた刺激磁場条件下で、サンプルに刺激磁場を注入する工程と、
(c)低温容器内で注入された刺激磁場に重畳されたサンプル信号源放射を含む低周波時間ドメイン信号を記録する工程と、
(d)複数の異なる刺激磁場条件の各々において、工程(b)および(c)を反復する工程と、
(e)工程(c)で記録された信号のうちから、記録信号中で与えられた閾値を超える低周波コンポネントの数を測定する採点アルゴリズムによって解析するときに最も高い得点を有する1又は複数の信号を同定する工程と、
(f)エージェントに応答するコンポネントを含むインビトロ・システムにおいて電磁トランデューサの環境内でインビトロ・システムが信号によってトランスデュースされるときにエージェント固有の応答を生成する能力について、工程(e)で同定された各信号を試験する工程と、
(g)インビトロ・システムで最も大きいエージェント固有のトランスダクション効果を生ずる1又は複数の信号を選択する工程と、
を含む方法。 - 請求項1記載の方法であって、刺激磁場の異なる条件が、
(i)サンプルの場所に0と1G(ガウス)との間の選ばれた磁場を生成すると計算された電圧レベルで注入される白色雑音と、
(ii)サンプルの場所に0と1Gとの間の選ばれた磁場を生成すると計算された電圧レベルで注入されるDCオフセットと、
(iii)サンプルの場所に0と1Gとの間の選ばれた磁場を生成すると計算された電圧レベルで、少なくとも約0−1kHzの間の掃引範囲にわたって連続的に注入される低周波域にわたる掃引と、
を含むグループから選ばれた条件を含む前記方法。 - 請求項2記載の方法であって、刺激磁場の異なる条件が、サンプルの場所に0と1Gとの間の選ばれた磁場を生成すると計算された電圧レベルで注入されるDCオフセットを含む前記方法。
- 請求項2記載の方法であって、刺激磁場の異なる条件が、サンプルの場所に0と1Gとの間の選ばれた磁場を生成すると計算された電圧レベルで、少なくとも約0−1kHzの間の低周波域にわたる連続的な掃引を含む前記方法。
- 請求項1記載の方法であって、工程(f)が更に、エージェントに応答するコンポネントを含むインビトロ・システムでエージェント固有の応答を生成する能力について時間ドメイン信号を試験したあとで、電磁トランデューサの環境内で印加されるトランスダクション電圧の変動を含む変化するトランスダクション条件の下でエージェント固有の応答を生成する能力について信号を試験することによって哺乳類システムでのトランスダクションのためのトランスダクション条件を最適化する工程を含む前記方法。
- 請求項1記載の方法であって、工程(e)が
(i)時間ドメイン信号の自己相関を取り、DCから8kHzの範囲で選ばれた周波数範囲にわたり自己相関信号のFFT(高速フーリエ変換)を発生させて、FFT信号に雑音平均値を超えるピークの数に関する得点を割り当て、得点に基づいて時間ドメイン信号を選択する工程と、
(ii)2つの時間ドメイン信号に対して一対の位相空間を計算し、算術比較を行って2つの間の差分の尺度を得る工程と、
(iii)fを時間ドメイン信号をサンプリングするサンプリング・レートとしたとき、DCから8kHzのなかで選ばれた周波数範囲にわたって各々の事象ビンfに対して、各ビン中の事象カウント数を示すヒストグラムを発生させて、ヒストグラムに対し与えられた閾値を超えるビンの数に関する得点を割り当て、得点に基づいて時間ドメイン信号を選択する工程と、
(iv)時間ドメイン信号の冒頭部付近の小さいデータ・ブロックと、時系列の残りの部分とで相互相関を取り、結果の相互相関が与えられた閾値を超える回数を計数する工程と、
(v)DCから8kHzの間の選ばれた周波数範囲で、複数の定義された期間の各々にわたり時間ドメイン信号の一連のフーリエ・スペクトルを計算し、フーリエ・スペクトルを平均し、平均のFFT信号に対し雑音値平均値を超えるピーク数に関する得点を割り当て、得点に基づいて時間ドメイン信号を選択する工程と、
を含むグループのうちから選ばれた方法によって実行される前記方法。 - 請求項6記載の方法であって、工程(e)が、時間ドメイン信号の自己相関を取り、DCから8kHzの範囲内で選ばれた周波数範囲にわたって自己相関信号のFFT(高速フーリエ変換)を発生させ、FFT信号に対し雑音値平均値を超えるピーク数に関する得点を割り当て、得点に基づいて時間ドメイン信号を選択することによって実行される前記方法。
- 請求項1記載の方法であって、電磁トランスデューサは、それらの間に露出ステーションを定義して電磁環境の環境を構成する一対の整列した電磁コイルを含むヘルムホルツ・コイルを含み、工程(f)は、整列したコイル内にインビトロ・システムを設置する工程と、工程(e)で同定されたエージェント固有の時間度ドメイン信号でシステムをトランスデュースする工程とを含む前記方法。
- 請求項1記載の方法であって、エージェントは、インビトロ・システム中に無細胞の状態でチューブリン凝集を促進するのに有効な抗悪性腫瘍薬であり、工程(f)は、電磁トランスデューサの環境にチューブリンを含むコンポジションを設置する工程と、工程(e)で同定されたエージェント固有の時間ドメイン信号でコンポジションをトランスデュースする工程とを含む前記方法。
- 電磁トランスデューサの環境内でインビトロ・システム又は哺乳類システムが信号によってトランスデュースされるときに、システムに対してエージェント固有の効果を及ぼすことにできる信号を発生させる方法であって、
(a)磁気的および電磁的の両方の遮蔽を備える容器のなかに、エージェントを含むサンプルを設置する工程であって、サンプルが分子信号の信号源として働き、磁気遮蔽が低温容器の外にある方法と、
(b)(i)サンプルの場所に0と1G(ガウス)との間の選ばれた磁場を生成すると計算された電圧レベルで注入される白色雑音と、(ii)サンプルの場所に0と1Gとの間の選ばれた磁場を生成すると計算された電圧レベルで注入されるDCオフセットと、(iii)サンプルの場所に0と1Gとの間の選ばれた磁場を生成すると計算された電圧レベルで、少なくとも約0−1kHzの間の掃引範囲にわたって連続的に注入される低周波域にわたる掃引とを含むグループのうちから選ばれた刺激磁場条件の下で、サンプル中に刺激磁場を注入する工程と、
(c)低温容器中の注入された刺激磁場に重畳されたサンプル・ソース放射を含む低周波時間ドメイン信号を記録する工程と、
(d)複数の異なる刺激磁場条件の各々において、工程(b)および(c)を反復する工程と、
(e)工程(c)で記録された信号のうちから、記録信号のなかで与えられた閾値を超える低周波コンポネントの数を測定する採点アルゴリズムによって解析するとき、最も高い信号得点を有する1又は複数の信号を同定する工程と、
(f)システムを電磁トランスデューサの環境に設置して、工程(e)で同定された信号によってサンプルをトランスデュースする工程と、
を含む方法。 - 請求項10記載の方法であって、刺激磁場の異なる条件は、約±0.01から±1ボルトの間のオフセット電圧で注入されるDCオフセットを含む前記方法。
- 請求項10記載の方法であって、刺激磁場の異なる条件は、約±0.01から±1ボルトの間の掃引電圧で注入され、少なくとも約0−1kHzの間の低周波域にわたる連続的な掃引を含む前記方法。
- 請求項10記載の方法であって、工程(e)は、時間ドメイン信号の自己相関を取り、DCから8kHzの範囲内の選ばれた周波数範囲にわたる自己相関信号のFFT(高速フーリエ変換)を発生させ、FFT信号に対し雑音平均値を超えるピーク数に関する得点を割り当て、得点に基づいて時間ドメイン信号を選択することによって実行される前記方法。
- 請求項10記載の方法であって、電磁トランスデューサは、それらの間に露出ステーションを定義して電磁環境の環境を構成する一対の整列した電磁コイルを含むヘルムホルツ・コイルを含み、工程(f)は、整列したコイル内に化学的な、インビトロ・システム又は哺乳類システムを設置する工程と、工程(e)で同定されたエージェント固有の時間ドメイン信号によってシステムをトランスデュースする工程とを含む前記方法。
- 請求項14記載の方法であって、エージェントは、インビトロ・システム中にチューブリン凝集を促進するのに有効な抗悪性腫瘍薬であり、工程(f)は、電磁トランスデューサの環境にチューブリンを含むコンポジションを設置する工程と、工程(e)で同定されたエージェント固有の時間ドメイン信号によって、コンポジション中のチューブリンの信号に依存した凝集を生成するのに有効な条件下で、コンポジションをトランスデュースする工程とを含む前記方法。
- 選ばれたエージェントの存在に応答するインビトロ・システム又は哺乳類システムをトランスデュースするための候補となる低周波時間ドメイン信号を発生させる装置であって、
(a)エージェントのサンプルを受け入れるように適応し、磁気的および電磁的遮蔽を備えた容器と、
(b)(i)サンプルの場所に0と1G(ガウス)との間の選ばれた磁場を生成すると計算された電圧レベルで注入される白色雑音と、(ii)サンプルの場所に0と1Gとの間の選ばれた磁場を生成すると計算された電圧レベルで注入されるDCオフセットと、(iii)サンプルの場所に0と1Gとの間の選ばれた磁場を生成すると計算された電圧レベルで、少なくとも約0−1kHzの間の掃引範囲にわたって連続的に注入される低周波域にわたる掃引とを含むグループのうちから選ばれた複数の刺激磁場条件の各々において、そのなかにサンプルを入れた状態で容器中に刺激磁場を注入するように動作する調節可能なパワー源と、
(c)前記パワー源(b)によって注入される異なる刺激磁場条件の各々において、注入された刺激磁場に重畳されたサンプル・ソース放射を含む電磁的時間ドメイン信号を記録するための検出器と、
(d)検出器によって記録される信号を記憶するためのメモリ装置と、
(e)コンピュータであって、
(i)メモリ装置に記憶された時間ドメイン信号を取り出す工程と、
(ii)記録信号中で与えられた閾値を超える低周波コンポネントの数を測定する採点アルゴリズムによって取り出した時間ドメイン信号を解析する工程と、
(iii)閾値を超える低周波コンポネントの数が最も大きい時間ドメイン信号を同定する工程と、
を実行できるコンピュータと、
を含む装置。 - 請求項16記載の装置であって、容器は、サンプル保持用の領域と、領域を取り囲む磁気遮蔽ケージと、磁気遮蔽ケージ内に含まれて、領域を取り囲むファラデー・ケージとを有する減衰チューブであり、ガウス雑音源は、ガウス雑音発生器と磁気ケージおよびファラデー・ケージのなかに含まれたヘルムホルツ・コイルとを含み、雑音発生器から雑音出力信号を受信し、更に時間依存信号の定常的な雑音コンポネントを除去するときに使用するための、雑音源およびSQUID(超伝導量子干渉デバイス)とに接続されて動作する信号インバータを含み、信号インバータは、雑音源からガウス雑音を受信して、サンプルに注入されたガウス雑音に対して反転したガウス雑音をSQUID中に出力するようになった前記装置。
- 請求項16記載の装置であって、前記パワー源は、サンプルの場所に0と1Gとの間の選ばれた磁場を発生させると計算された複数の選ばれたオフセット電圧の各々において、サンプルをそのなかに入れた状態で容器中にオフセット電圧を注入するように動作する前記装置。
- 請求項16記載の装置であって、前記パワー源は、サンプルの場所に0と1Gとの間の選ばれた磁場を発生させると計算された複数の異なる掃引電圧の各々において、少なくとも0と1kHzとの間の掃引周波数範囲にわたって連続した掃引を注入、生成するように動作する前記装置。
- 請求項16記載の装置であって、取り出した時間ドメイン信号を解析するときに、前記コンピュータは、
(i)時間ドメイン信号の自己相関を取り、DCから8kHzの範囲内の選ばれた周波数範囲にわたって自己相関信号のFFT(高速フーリエ変換)を発生させ、FFTに対し雑音平均値を超えるピーク数に関する得点を割り当て、得点に基づいて時間ドメイン信号を選択する工程と、
(ii)2つの時間ドメイン信号について一対の位相空間を計算し、算術比較を行って1つの間の差分の尺度を与える工程と、
(iii)fを時間ドメイン信号をサンプリングするサンプリング・レートとしたとき、DCから8kHzのなかで選ばれた周波数範囲にわたって各々の事象ビンfに対して、各ビン中の事象カウント数を示すヒストグラムを発生させて、ヒストグラムに対し与えられた閾値を超えるビンの数に関する得点を割り当て、得点に基づいて時間ドメイン信号を選択する工程と、
(iv)時間ドメイン信号の冒頭部付近の小さいデータ・ブロックと、時系列の残りの部分とで相互相関を取り、結果の相互相関が与えられた閾値を超える回数を計数する工程と、
(v)DCから8kHzの間の選ばれた周波数範囲で、複数の定義された期間の各々にわたり時間ドメイン信号の一連のフーリエ・スペクトルを計算し、フーリエ・スペクトルを平均し、平均のFFT信号に対し雑音平均値を超えるピーク数に関する得点を割り当て、得点に基づいて時間ドメイン信号を選択する工程と、
を含むグループのうちから選ばれた解析アルゴリズムを適用するように動作する前記装置。 - 請求項20記載の装置であって、取り出した時間ドメイン信号を解析するときに、前記コンピュータは、時間ドメイン信号の自己相関を取る工程と、DCから8kHzの範囲内で選ばれた周波数範囲にわたって自己相関信号のFFT(高速フーリエ変換)を発生させる工程と、FFT信号に対し雑音平均値を超えるピーク数に関する得点を割り当てる工程と、得点に基づいて時間ドメイン信号を選択する工程とを含む解析アルゴリズムを適用するように動作する前記装置。
- 哺乳類装置に対してエージェント固有の効果を生成するシステムであって、
(1)記憶メディアであって、次の工程
(a)それに対して哺乳類システムが応答するサンプルを磁気的と電磁的の両方の遮蔽を備えるサンプル容器に設置する工程であって、サンプルは、低周波分子信号の信号源として働き、磁気遮蔽は、低温容器の外にある工程と、
(b)選ばれた刺激磁場条件の下で、サンプル中に刺激磁場を注入する工程と、
(c)低温容器中の注入された刺激磁場に重畳されたサンプル・ソース放射を含む低周波時間ドメイン信号を記録する工程と、
(d)複数の異なる刺激磁場条件の各々において、工程(b)および(c)を反復する工程と、
(e)工程(c)で記録された信号のうちから、記録信号のなかで与えられた閾値を超える低周波コンポネントの数を測定する採点アルゴリズムによって解析するとき、最も高い信号得点を有する1又は複数の信号を同定する工程と、
(f)インビトロ・システムが電磁トランスデューサの環境内で信号によってトランスデュースされるときに、エージェントに応答するコンパウンドを含むインビトロ・システムにおいてエージェント固有の応答を発生させる能力について、工程(e)で同定された信号を試験する工程と、
によって生成されるエージェント固有の低周波時間ドメイン信号をその上に記憶する記憶メディアと、
(2)サンプルを受け入れるトランスデューサ環境を定義する内部領域を有する1又は複数の磁気コイルを含む電磁トランスデューサと、
(3)記憶メディアから受信した信号を増幅して、増幅信号をトランスデューサ・コイル(単数又は複数)に供給する増幅器と、
を含むシステム。 - 請求項22記載の装置であって、エージェント固有の低周波時間ドメイン信号を発生させるときに使用される刺激磁場の異なる条件は、
(i)サンプルの場所に0と1G(ガウス)との間の選ばれた磁場を生成すると計算された電圧レベルで注入される白色雑音と、(ii)サンプルの場所に0と1Gとの間の選ばれた磁場を生成すると計算された電圧レベルで注入されるDCオフセットと、(iii)サンプルの場所に0と1Gとの間の選ばれた磁場を生成すると計算された電圧レベルで、少なくとも約0−1kHzの間の掃引範囲にわたって連続的に注入される低周波域にわたる掃引とを含むグループのうちから選ばれる前記装置。 - 請求項23記載の装置であって、エージェント固有の低周波時間ドメイン信号を生成するときに使用される刺激磁場の異なる条件は、サンプルの場所に0と1Gとの間の選ばれた磁場を生成すると計算された電圧で注入されるDCオフセットを含む刺激磁場の異なる条件を含む前記装置。
- 請求項23記載の装置であって、エージェント固有の低周波時間ドメイン信号を生成するときに使用される刺激磁場の異なる条件は、サンプルの場所に0と1Gとの間の選ばれた磁場を生成すると計算された掃引電圧で注入される、少なくとも約0−1kHzの間の低周波域にわたる連続的な掃引を含む前記装置。
- 請求項22記載の装置であって、電磁トランスデューサは、それらの間に内部領域を定義する一対の整列した電磁コイルを有するヘルムホルツ・コイルを含む前記装置。
- 記憶メディアであって、
(a)それに対して哺乳類システムが応答するサンプルを磁気的と電磁的の両方の遮蔽を備えるサンプル容器に設置する工程であって、サンプルは、低周波分子信号の信号源として働き、磁気遮蔽は、低温容器の外にある工程と、
(b)選ばれた刺激磁場条件の下で、サンプル中に刺激磁場を注入する工程と、
(c)低温容器中の注入された刺激磁場に重畳されたサンプル・ソース放射を含む低周波時間ドメイン信号を記録する工程と、
(d)複数の異なる刺激磁場条件の各々において、工程(b)および(c)を反復する工程と、
(e)工程(c)で記録された信号のうちから、記録信号のなかで与えられた閾値を超える低周波コンポネントの数を測定する採点アルゴリズムによって解析するとき、最も高い信号得点を有する1又は複数の信号を同定する工程と、
(f)インビトロ・システムが電磁トランスデューサの環境内で信号によってトランスデュースされるときに、エージェントに応答するコンパウンドを含むインビトロ・システムにおいてエージェント固有の応答を発生させる能力について、工程(e)で同定された信号を試験する工程と、
によって生成されるエージェント固有の低周波時間ドメイン信号を、その上に有する記憶メディア。 - 請求項27記載の記憶メディアであって、エージェント固有の低周波時間ドメイン信号を生成するときに使用される刺激磁場の異なる条件は、次のものを含むグループのうちから選ばれたものである前記記憶メディア。
- 請求項28記載の記憶メディアであって、エージェント固有の低周波時間ドメイン信号を生成するときに使用される刺激磁場の異なる条件は、サンプルの場所に0と1Gとの間の選ばれた磁場を生成すると計算された電圧レベルで注入されるDCオフセットを含む前記記憶メディア。
- 請求項29記載の記憶メディアであって、エージェント固有の低周波時間ドメイン信号を生成するときに使用される刺激磁場の異なる条件は、サンプルの場所に0と1Gとの間の選ばれた磁場を生成すると計算された掃引電圧で注入される、少なくとも約0−1kHzの間の低周波域にわたる連続的な掃引を含む前記メディア。
- 請求項29記載の記憶メディアであって、エージェント固有の時間ドメイン信号が、インビトロ・システムにおいてチューブリン凝集を促進するのに有効な抗悪性腫瘍薬のサンプルから生成される前記メディア。
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