JP2010270820A - Pipe, cooling device, exposure device, and method for manufacturing device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、例えば露光装置のチャンバ内に設けられる配管、該配管を備える冷却装置、該冷却装置を備える露光装置、及び該露光装置を用いたデバイスの製造方法に関する。 The present invention relates to, for example, piping provided in a chamber of an exposure apparatus, a cooling apparatus including the piping, an exposure apparatus including the cooling apparatus, and a device manufacturing method using the exposure apparatus.
一般に、EUV(Extreme Ultraviolet )光やEB(Electron Beam )等を用いてウエハにパターンの像を転写する露光装置では、露光光の減衰を抑制するために、チャンバの内部が真空雰囲気に設定されている。こうした露光装置では、ウエハが露光光の一部を吸収して熱変形した状態で露光処理が行われた場合、ウエハに転写されるパターンの像が歪んでしまう虞があった。そこで、通常、露光装置では、ウエハを支持するウエハステージに対して冷媒を供給するための配管が接続されている。そして、ウエハは、この配管を通じて供給される冷媒によって冷却されることで、その熱変形が抑制されるようになっている。また、近年では、ウエハステージに接続される配管として、ウエハステージがウエハの位置決めに際して駆動するときの動きの変化に対応できるように、柔軟性を確保した配管が種々提案されている(例えば、特許文献1)。 Generally, in an exposure apparatus that transfers an image of a pattern onto a wafer using EUV (Extreme Ultraviolet) light, EB (Electron Beam), or the like, the interior of the chamber is set to a vacuum atmosphere in order to suppress attenuation of the exposure light. Yes. In such an exposure apparatus, when the exposure process is performed in a state where the wafer absorbs a part of the exposure light and is thermally deformed, there is a possibility that the pattern image transferred to the wafer is distorted. Therefore, in an exposure apparatus, piping for supplying a coolant to a wafer stage that supports a wafer is usually connected. The wafer is cooled by the refrigerant supplied through the pipe, so that the thermal deformation is suppressed. In recent years, various pipes that ensure flexibility have been proposed as pipes connected to the wafer stage so that they can respond to changes in movement when the wafer stage is driven during wafer positioning (for example, patents). Reference 1).
すなわち、この特許文献1に示す配管は、柔軟性の高い樹脂材料からなる内側樹脂層と、該樹脂層の外側を覆う薄膜状の金属層と、該金属層の外側を覆う外側樹脂層とから構成されている。そして、一般に、金属は、樹脂に比べて、液体や気体を透過する量が極めて小さいという性状を有している。そのため、金属層は、その配管における内側樹脂層内を流動する冷媒が内側樹脂層及び外側樹脂層を透過して配管の外部に漏出することを抑制する役割を果たしている。また、金属層は、その肉厚が十分に小さい薄膜状に成形されているため、配管の柔軟性を維持することが可能となっている。 That is, the pipe shown in Patent Document 1 includes an inner resin layer made of a highly flexible resin material, a thin metal layer that covers the outside of the resin layer, and an outer resin layer that covers the outside of the metal layer. It is configured. In general, metal has a property that the amount of liquid or gas that permeates is extremely small as compared with resin. Therefore, the metal layer plays a role of suppressing the refrigerant flowing in the inner resin layer in the pipe from passing through the inner resin layer and the outer resin layer and leaking out of the pipe. Moreover, since the metal layer is formed into a thin film with a sufficiently small thickness, the flexibility of the pipe can be maintained.
ところで、特許文献1に示す配管では、ウエハステージ(位置決め装置)の動きの変化に連動して繰り返し変形した場合に、内側樹脂層と外側樹脂層との間に介在する金属層が金属疲労によって破断することが有り得る。この場合、破断した箇所では、内側樹脂層の外周面と外側樹脂層の内周面とが金属層の破断した隙間を介して対向した状態となる。そのため、内側樹脂層の内部を流動する冷媒が内側樹脂層を透過した場合には、この金属層の破断した隙間を介して外側樹脂層の内周面に至った後、その外側樹脂層の外周面側に透過してチャンバ内に漏洩することによってチャンバ内の真空度を低下させる虞があった。 By the way, in the piping shown in Patent Document 1, the metal layer interposed between the inner resin layer and the outer resin layer is broken by metal fatigue when repeatedly deformed in conjunction with the change in the movement of the wafer stage (positioning device). It is possible to do. In this case, at the broken location, the outer peripheral surface of the inner resin layer and the inner peripheral surface of the outer resin layer are opposed to each other through a fractured gap of the metal layer. Therefore, when the refrigerant flowing inside the inner resin layer permeates the inner resin layer, after reaching the inner peripheral surface of the outer resin layer via the fractured gap of the metal layer, the outer periphery of the outer resin layer There is a possibility that the degree of vacuum in the chamber is lowered by permeating to the surface side and leaking into the chamber.
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、配管の柔軟性を維持しつつ、配管内を流動する流体が配管外に漏出することを抑制できる配管、該配管を備える冷却装置、該冷却装置を備える露光装置、及び該露光装置を用いたデバイスの製造方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a pipe capable of suppressing the fluid flowing in the pipe from leaking out of the pipe while maintaining the flexibility of the pipe, and the pipe. A cooling apparatus including the above, an exposure apparatus including the cooling apparatus, and a device manufacturing method using the exposure apparatus.
上記の課題を解決するため、本発明は、実施形態に示す図1〜図5に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の配管は、流体が内部を流動する第1配管(34)と、該第1配管(34)の外周面に対して内周面が所定間隔離れた状態で前記第1配管(34)の外側を覆う第2配管(35)と、前記第1配管(34)の外周面と前記第2配管(35)の内周面との間に充填される液体状の充填材と、を備えたことを要旨とする。
In order to solve the above-described problems, the present invention adopts the following configuration corresponding to FIGS. 1 to 5 shown in the embodiment.
The pipe of the present invention includes a first pipe (34) through which a fluid flows, and the first pipe (34) in a state in which an inner peripheral surface is separated from the outer peripheral surface of the first pipe (34) by a predetermined distance. A second pipe (35) covering the outside of the first pipe (34), and a liquid filler filled between the outer peripheral surface of the first pipe (34) and the inner peripheral surface of the second pipe (35). This is the summary.
上記構成によれば、第1配管の内部を流動する流体は、第1配管及び第2配管を透過して配管外に漏出することが、第1配管の外周面と第2配管の内周面との間に充填された液体状の充填材によって抑制される。また、液体状の充填材は、流動性を有しているため、配管が変形する場合には配管の変形に応じて第1配管の外周面と第2配管の内周面との間を流動することにより、配管の柔軟性を維持することができる。 According to the above configuration, the fluid flowing in the first pipe passes through the first pipe and the second pipe and leaks out of the pipe. The outer peripheral surface of the first pipe and the inner peripheral surface of the second pipe It is suppressed by the liquid filler filled in between. Further, since the liquid filler has fluidity, when the pipe is deformed, it flows between the outer peripheral surface of the first pipe and the inner peripheral surface of the second pipe according to the deformation of the pipe. By doing so, the flexibility of the piping can be maintained.
なお、本発明をわかりやすく説明するために実施形態に示す図面の符号に対応付けて説明したが、本発明が実施形態に限定されるものではないことは言うまでもない。 In order to explain the present invention in an easy-to-understand manner, the description has been made in association with the reference numerals of the drawings shown in the embodiments, but it goes without saying that the present invention is not limited to the embodiments.
本願発明によれば、配管の柔軟性を維持しつつ、配管内を流動する流体が配管外に漏出することを抑制できる。 According to the present invention, it is possible to suppress the fluid flowing in the pipe from leaking out of the pipe while maintaining the flexibility of the pipe.
以下、本発明を具体化した一実施形態について図1〜図5に基づき説明する。
図1に示すように、本実施形態の露光装置11は、光源装置12から射出される、波長が100nm程度以下の軟X線領域である極端紫外光、即ちEUV(Extreme Ultraviolet )光を露光光EL(放射ビーム)として用いるEUV露光装置である。こうした露光装置11は、照明光学系14、レチクル保持機構15、投影光学系16、ウエハ保持機構17が内部に設置されるチャンバ13(図1では二点鎖線で示す。)を備えている。このチャンバ13内は、真空雰囲気に設定されており、その真空度は、チャンバ13内でEUV光を用いて露光処理を行うために適切な高真空となっている。
Hereinafter, an embodiment embodying the present invention will be described with reference to FIGS.
As shown in FIG. 1, the
そして、光源装置12からチャンバ13内に入射した露光光ELは、該チャンバ13内に配置される照明光学系14を介してレチクル保持機構15に保持されるレチクルRを照明する。このレチクルRは、所定のパターンが形成された反射型レチクル(反射型マスク)で構成される。また、レチクルRで反射した露光光ELは、チャンバ13内に配置される投影光学系16を介してウエハ保持機構17に保持されるウエハWを照射するようになっている。このウエハWの表面には、レジストなどの感光性材料が塗布されている。
Then, the exposure light EL that has entered the
照明光学系14は、チャンバ13の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される筐体18を備えている。この筐体18内には、光源装置12から筐体18内に入射された露光光ELを反射可能な複数枚の図示しない反射ミラーが設けられている。そして、各反射ミラーによって順に反射された露光光ELは、後述する鏡筒23内に設置された折り返し用の反射ミラー19に入射し、該反射ミラー19で反射した露光光ELがレチクル保持機構15に保持されるレチクルRに導かれる。
The illumination
レチクル保持機構15は、投影光学系16の物体面側に配置されており、レチクルRを静電吸着するための第1静電吸着保持装置20と、該第1静電吸着保持装置20を介してレチクルRを支持するレチクルステージ21と、該レチクルステージ21をY軸方向(図1における左右方向)に所定ストロークで移動させるレチクルステージ駆動部22とを備えている。そして、本実施形態では、レチクルステージ21が、レチクルステージ駆動部22の駆動に応じて変位しつつレチクルRを保持する保持部(第1保持部)として機能する。
The
投影光学系16は、露光光ELでレチクルRのパターン面Raを照明することにより形成されたパターンの像を所定の縮小倍率(例えば1/4倍)に縮小させる光学系であって、チャンバ13の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される鏡筒23を備えている。この鏡筒23内には、複数枚(一例としては6枚であって、図1では1枚のみ図示)の反射型のミラー24が収容されている。そして、物体面側であるレチクルR側から導かれた露光光ELは、各ミラー24に順に反射され、ウエハ保持機構17に保持されるウエハWに導かれる。
The projection
ウエハ保持機構17は、ウエハWを静電吸着するための第2静電吸着保持装置25と、該第2静電吸着保持装置25を介してウエハWを支持するウエハステージ26と、該ウエハステージ26をY軸方向に所定ストロークで移動させるウエハステージ駆動部27とを備えている。そして、本実施形態では、ウエハステージ26が、ウエハステージ駆動部27の駆動に応じて変位しつつウエハWを保持する保持部(第2保持部)として機能する。
The
そして、本実施形態の露光装置11を用いてウエハWにパターンの像を投影する場合、照明光学系14による照明領域をレチクルRに照射した状態で、レチクルステージ駆動部22の駆動によって、レチクルステージ21と共にレチクルRをY軸方向(例えば、+Y方向側から−Y方向側(図1では右側から左側))に所定ストローク毎に移動させる。また同時に、ウエハステージ駆動部27の駆動によって、ウエハステージ26と共にウエハWをレチクルRのY軸方向に沿った移動に対して投影光学系16の縮小倍率に応じた速度比でY軸方向(例えば、−Y方向側から+Y方向側(図1では左側から右側))に同期して移動させる。そして、一つのショット領域へのパターンの形成が終了した場合、ウエハWの他のショット領域に対するパターンの形成が連続して行われる。
When a pattern image is projected onto the wafer W using the
次に、レチクルステージ21及びウエハステージ26を冷却するための冷却装置28について説明する。
図1に示すように、冷却装置28には、レチクルステージ21内に冷却用水を供給し且つレチクルステージ21側から冷却用水を回収するための配管としての第1冷却水供給管路29が設けられている。また、レチクルステージ21内には、冷却装置28から第1冷却水供給管路29を介して供給される冷却用水が流動する第1流体流路30が形成されている。そして、第1流体流路30内を流動する冷却用水は、第1静電吸着保持装置20を介してレチクルRから熱エネルギーを吸熱することにより、レチクルRを冷却するようになっている。
Next, a
As shown in FIG. 1, the
また、冷却装置28には、ウエハステージ26内に冷却用水を供給し且つウエハステージ26側から冷却用水を回収するための配管としての第2冷却水供給管路31が設けられている。また、ウエハステージ26内には、冷却装置28から第2冷却水供給管路31を介して供給される冷却用水が流動する第2流体流路32が形成されている。そして、第2流体流路32内を流動する冷却用水は、第2静電吸着保持装置25を介してウエハWから熱エネルギーを吸熱することにより、ウエハWを冷却するようになっている。
Further, the
次に、冷却装置28から延設された配管の構成について図2及び図3に基づき以下説明する。なお、本実施形態では、冷却装置28とレチクルステージ21及びウエハステージ26とを接続する各冷却水供給管路29,31は互いに同一の構成となっている。そのため、以下の説明においては、冷却装置28とレチクルステージ21とを接続する第1冷却水供給管路29の構成について詳述する。
Next, the configuration of the pipe extending from the cooling
図2及び図3に示すように、第1冷却水供給管路29は、内部に流体としての冷却用水を流動させるための流路33が形成された円筒状の第1配管34と、該第1配管34よりも管径が太くて該第1配管34の外周面に対して内周面が所定間隔離れた状態で該第1配管34の外側を覆うように配置される円筒状の第2配管35とから構成されている。すなわち、第1冷却水供給管路29は、第1配管34及び第2配管35のうち相対的に大径の第2配管35内に相対的に小径の第1配管34が第2配管35と同軸配置となるように挿通された二重配管構造をしている。なお、第1配管34及び第2配管35は何れも柔軟性を有する可撓性材料であるウレタン樹脂からなり、第1冷却水供給管路29は、その長手方向の途中箇所が蛇行するように変形可能とされている。
As shown in FIGS. 2 and 3, the first cooling
また、第1冷却水供給管路29における第1配管34の外周面と第2配管35の内周面の間には、断面略円環状の空間域36が第1冷却水供給管路29の延設方向に沿って延びるように形成されている。そして、第1配管34及び第2配管35は、その長手方向の一端部(本実施形態では、レチクルステージ21側の端部)同士が断面略円環状の空間域36の開口を封止するように熱溶着によって接合されている。その一方、第1配管34及び第2配管35は、その長手方向の他端部(本実施形態では、冷却装置28側の端部)における空間域36の開口が断面略円環状の封止材37の封入により封止されている。
Further, a
このように構成された第1冷却水供給管路29において、第1配管34の外周面と第2配管35の内周面との間に形成された空間域36内に、その長手方向の他端部側の開口を介して液体金属の一種である水銀(Hg)を充填した状態で、その他端部の開口が封止材37によって液密状に封止される構成となっている。この点で、第1冷却水供給管路29の長手方向の一端部において空間域36の開口を封止するように互いに接合される第1配管34及び第2配管35の一端部同士、及び、第1冷却水供給管路29の長手方向の他端部において空間域36の開口に封入される封止材37は、第1配管34の外周面と第2配管35の内周面との間の空間域36内に水銀が充填された場合に該水銀を空間域36内に封じ込め可能とする封止部として機能する。
In the first cooling
なお、水銀は、その金属としての特性により、第1配管34内の流路33を流動する冷却用水等の液体や気体に対する透過性が、第1配管34及び第2配管35を構成するウレタン樹脂等の樹脂材よりも極めて低い性状を有している。そのため、水銀は、第1配管34内の流路33を流動する冷却用水が第1配管34及び第2配管35を透過して第1冷却水供給管路29の外部に漏出することがないように抑制する液体状の充填材として機能する。
Mercury is a urethane resin that constitutes the
次に、上記のように構成された露光装置11の作用について、特に、第1冷却水供給管路29がレチクルステージ21の変位に連動して変形しつつ、チャンバ13内の真空度を確保する際の作用に着目して以下説明する。
Next, with regard to the operation of the
さて、露光装置11の露光時には、レチクル保持機構15においてレチクルRを支持するレチクルステージ21がレチクルステージ駆動部22の駆動によりY軸方向(図1における左右方向)に変位する。すると、このレチクルステージ21に長手方向の一端部を接続された第1冷却水供給管路29には、レチクルステージ21側から第1冷却水供給管路29を変形させようとする応力が加わる。このとき、第1冷却水供給管路29は、第1配管34及び第2配管35が共に柔軟性の高いウレタン樹脂から構成されると共に、これらの配管34,35の間の空間域36に封じ込められている水銀は流動性を有した液体金属であるため、レチクルステージ21の変位に追随して容易に変形する。すなわち、第1冷却水供給管路29は、レチクルステージ21が変位するとき、そのレチクルステージ21の動きを規制するようなことはなく、レチクルRの位置決め精度に影響を及ぼすこともほとんどない。
When the
また、第1冷却水供給管路29において第1配管34と第2配管35との間の空間域36に封じ込められた水銀は流動性を有している。そのため、第1冷却水供給管路29では、これらの配管34,35の間に形成される空間域36の一部がレチクルステージ21の変位に連動して押し潰されるように歪み変形した場合であっても、この空間域36内に封じ込められている水銀は、金属疲労によって破断し得る固体金属とは異なり、その流動性によって第1冷却水供給管路29の延設方向に沿って途切れることなく連なった態様を維持し続ける。その結果、この空間域36内に封入された水銀は、第1冷却水供給管路29の延設方向の全域で第1配管34の外周面を被覆することになる。したがって、第1冷却水供給管路29では、第1配管34内の流路33を流れる冷却用水が第1配管34を透過した場合でも、そのように透過した冷却用水は第1配管34の外周面全域を被覆する水銀によって第2配管35側に至ることを抑制される。そのため、第1冷却水供給管路29は、真空雰囲気に設定されたチャンバ13内に挿通された領域(即ち、レチクルステージ21に対する接続部の近傍領域)において、第1配管34内の流路33を流動する冷却用水が第2配管35を介してチャンバ13内に漏洩することが抑制されるため、チャンバ13内の真空度を確保することが可能となる。
In addition, the mercury contained in the
さらに、本実施形態の第1冷却水供給管路29によれば、第1配管34及び第2配管35を構成するウレタン樹脂は水銀をほとんど透過しない性状を有している。そのため、第1配管34と第2配管35との間の空間域36に封じ込められている水銀は、第1配管34及び第2配管35を透過することが抑制される。したがって、第1冷却水供給管路29では、これらの配管34,35の間の空間域36に封じ込められている水銀が、第1配管34を介して流路33内に漏洩することが抑制される。また同様に、第1冷却水供給管路29では、真空雰囲気に設定されたチャンバ13内に挿通された領域(即ち、レチクルステージ21に対する接続部の近傍領域)において、これらの配管34,35の間の空間域36に封じ込められている水銀が、第2配管35を介してチャンバ13内に漏洩することが規制されるため、チャンバ13内の真空度を確保することが可能となる。
Furthermore, according to the first cooling
したがって、本実施形態では以下に示す効果を得ることができる。
(1)第1配管34内の流路33を流動する冷却用水は、第1配管34及び第2配管35を透過して各冷却水供給管路29,31外に漏出することが、第1配管34の外周面と第2配管35の内周面との間の空間域36に充填された水銀によって抑制される。そのため、冷却用水が各冷却水供給管路29,31内からチャンバ13内に漏洩することを確実に抑制でき、チャンバ13内の真空性を信頼性よく確保することができる。
Therefore, in this embodiment, the following effects can be obtained.
(1) The cooling water flowing through the
(2)第1配管34及び第2配管35は水銀に対して非透過性を有するウレタン樹脂から構成されている。そのため、水銀が第1配管34を透過して流路33内に漏洩することを抑制できると共に、同じく水銀が第2配管35を透過してチャンバ13内に漏洩することを抑制できる。
(2) The
(3)各冷却水供給管路29,31を構成する第1配管34及び第2配管35は柔軟性を有する可撓性材料のウレタン樹脂からなるため、対応するステージ21,26の変位に伴い各冷却水供給管路29,31が変形する場合には、各冷却水供給管路29,31の剛性によってステージ21,26の動きが規制されることを抑制できる。
(3) Since the
(4)第1配管34の外周面と第2配管35の内周面との間の空間域36に充填されて封じ込められた水銀は流動性を有しているため、対応するステージ21,26の変位に伴い各冷却水供給管路29,31が空間域36の一部を押し潰すように変形する場合であっても、固体金属の場合と異なり破断することはない。したがって、各冷却水供給管路29,31の変形に応じて第1配管34の外周面全域を被覆した状態を維持することにより、第1冷却水供給管路29の柔軟性を維持しつつ、第1配管34内の流路33を流動する冷却用水が第1配管34を透過した場合でも、そのように透過した冷却用水が第2配管35側に至ることを抑制できる。
(4) Since the mercury filled and contained in the
(5)露光装置11の露光時には、レチクルステージ21及びウエハステージ26に対して冷却装置28から各冷却水供給管路29,31を介して冷却用水を供給できるため、各ステージ21,26により保持されているレチクルRやウエハWが熱変形することを抑制できる。
(5) During exposure of the
なお、本実施形態は、以下のような別の実施形態に変更してもよい。
・上記実施形態において、第1配管34と第2配管35との間の空間域36に充填されて封じ込められる液体として、高分子液体を採用してもよい。この場合、高分子液体は、その架橋によって得られる立体構造の隙間が、第1配管34内の流路33を流動する流体(例えば、水)の分子よりも小さな構造を有し、流体に対して非透過性を有する材質であることが望ましい。
Note that this embodiment may be changed to another embodiment as described below.
In the above embodiment, a polymer liquid may be employed as the liquid that is filled and contained in the
・上記実施形態において、第1配管34と第2配管35との間の空間域36に充填されて封じ込められる液体として、油を採用してもよい。ここで、一般に、油は、全体としての極性が比較的小さな分子構造であるため、第1配管34の内部を流動する流体が水等のように極性分子である場合に好適に漏洩抑制機能を発揮することができる。
In the above embodiment, oil may be used as the liquid that is filled and contained in the
・上記実施形態において、第1配管34及び第2配管35を構成する材質は、ウレタン樹脂に限定されず、柔軟性を有する材質であれば任意の材質を採用することができる。但し、チャンバ13内の真空度を維持するためには、フッ素樹脂等のように、真空雰囲気下であってもその揮発量が比較的低い材質であることが望ましい。
-In the said embodiment, the material which comprises the
・上記実施形態において、第1冷却水供給管路29の内部を流動する流体は冷却用水等の冷媒に限定されず、流動性を有する流体であれば任意の媒体を採用することができる。
・上記実施形態において、第1配管34と第2配管35との間の空間域36に液体を充填して封じ込めた状態で、両配管34,35の長手方向の両端部の開口をそれぞれ封止材37によって液密状に封止する構成としてもよい。
In the above embodiment, the fluid flowing in the first cooling
In the above embodiment, the openings at both ends in the longitudinal direction of both the
・上記実施形態において、上記構成の配管構造は、真空雰囲気となるチャンバ13内に変位可能に配置された部材であれば、レチクルステージ21及びウエハステージ26以外の任意の部材に接続する構成としてもよい。
In the above embodiment, the piping structure having the above configuration may be connected to any member other than the
次に、本発明の実施形態の露光装置11によるデバイスの製造方法をリソグラフィー工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図4は、マイクロデバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造例のフローチャートを示す図である。
Next, an embodiment of a microdevice manufacturing method using the device manufacturing method by the
まず、ステップS101(設計ステップ)において、マイクロデバイスの機能・性能設計(例えば、半導体デバイスの回路設計等)を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップS102(マスク製作ステップ)において、設計した回路パターンを形成したマスク(レチクルRなど)を製作する。一方、ステップS103(基板製造ステップ)において、シリコン、ガラス、セラミックス等の材料を用いて基板(シリコン材料を用いた場合にはウエハWとなる。)を製造する。 First, in step S101 (design step), function / performance design (for example, circuit design of a semiconductor device) of a micro device is performed, and pattern design for realizing the function is performed. Subsequently, in step S102 (mask manufacturing step), a mask (reticle R or the like) on which the designed circuit pattern is formed is manufactured. On the other hand, in step S103 (substrate manufacturing step), a substrate (a wafer W when a silicon material is used) is manufactured using a material such as silicon, glass, or ceramics.
次に、ステップS104(基板処理ステップ)において、ステップS101〜ステップS104で用意したマスクと基板を使用して、後述するように、リソグラフィー技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップS105(デバイス組立ステップ)において、ステップS104で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。このステップS105には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程(チップ封入)等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップS106(検査ステップ)において、ステップS105で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。 Next, in step S104 (substrate processing step), as will be described later, an actual circuit or the like is formed on the substrate using the mask and substrate prepared in steps S101 to S104, as will be described later. Next, in step S105 (device assembly step), device assembly is performed using the substrate processed in step S104. Step S105 includes processes such as a dicing process, a bonding process, and a packaging process (chip encapsulation) as necessary. Finally, in step S106 (inspection step), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the microdevice manufactured in step S105 are performed. After these steps, the microdevice is completed and shipped.
図5は、半導体デバイスの場合におけるステップS104の詳細工程の一例を示す図である。
ステップS111(酸化ステップ)おいては、基板の表面を酸化させる。ステップS112(CVDステップ)においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップS113(電極形成ステップ)においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップS114(イオン打込みステップ)においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップS111〜ステップS114のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a detailed process of step S104 in the case of a semiconductor device.
In step S111 (oxidation step), the surface of the substrate is oxidized. In step S112 (CVD step), an insulating film is formed on the substrate surface. In step S113 (electrode formation step), an electrode is formed on the substrate by vapor deposition. In step S114 (ion implantation step), ions are implanted into the substrate. Each of the above steps S111 to S114 constitutes a pretreatment process at each stage of the substrate processing, and is selected and executed according to a necessary process at each stage.
基板プロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップS115(レジスト形成ステップ)において、基板に感光性材料を塗布する。引き続き、ステップS116(露光ステップ)において、上で説明したリソグラフィシステム(露光装置11)によってマスクの回路パターンを基板に転写する。次に、ステップS117(現像ステップ)において、ステップS116にて露光された基板を現像して、基板の表面に回路パターンからなるマスク層を形成する。さらに続いて、ステップS118(エッチングステップ)において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップS119(レジスト除去ステップ)において、エッチングが済んで不要となった感光性材料を取り除く。すなわち、ステップS118及びステップS119において、マスク層を介して基板の表面を加工する。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、基板上に多重に回路パターンが形成される。 When the above-mentioned pretreatment process is completed in each stage of the substrate process, the posttreatment process is executed as follows. In this post-processing process, first, in step S115 (resist formation step), a photosensitive material is applied to the substrate. Subsequently, in step S116 (exposure step), the circuit pattern of the mask is transferred to the substrate by the lithography system (exposure apparatus 11) described above. Next, in step S117 (development step), the substrate exposed in step S116 is developed to form a mask layer made of a circuit pattern on the surface of the substrate. Subsequently, in step S118 (etching step), the exposed member other than the portion where the resist remains is removed by etching. In step S119 (resist removal step), the photosensitive material that has become unnecessary after the etching is removed. That is, in step S118 and step S119, the surface of the substrate is processed through the mask layer. By repeatedly performing these pre-processing steps and post-processing steps, multiple circuit patterns are formed on the substrate.
11…露光装置、12…光源装置、13…チャンバ、21…保持部及び第1保持部としてのレチクルステージ、26…保持部及び第2保持部としてのウエハステージ、28…冷却装置、29…配管としての第1冷却水供給管路、31…配管としての第2冷却水供給管路、34…第1配管、35…第2配管、EL…放射ビームとしての露光光、R…被保持部材及びマスクとしてのレチクル、W…被保持部材及び基板としてのウエハ。
DESCRIPTION OF
Claims (10)
該第1配管の外周面に対して内周面が所定間隔離れた状態で前記第1配管の外側を覆う第2配管と、
前記第1配管の外周面と前記第2配管の内周面との間に充填される液体状の充填材と、を備えたことを特徴とする配管。 A first pipe through which the fluid flows;
A second pipe that covers the outside of the first pipe in a state in which the inner peripheral face is spaced apart from the outer peripheral face of the first pipe by a predetermined distance;
A pipe comprising a liquid filler filled between an outer peripheral surface of the first pipe and an inner peripheral surface of the second pipe.
前記第1配管及び前記第2配管は、可撓性材料から構成されていることを特徴とする配管。 The piping according to claim 1,
The first pipe and the second pipe are made of a flexible material.
前記液体状の充填材は、液体金属であることを特徴とする配管。 In the piping according to claim 1 or 2,
The piping, wherein the liquid filler is a liquid metal.
前記液体状の充填材は、高分子液体であることを特徴とする配管。 In the piping according to claim 1 or 2,
The piping, wherein the liquid filler is a polymer liquid.
前記液体状の充填材は、油であることを特徴とする配管。 In the piping according to claim 1 or 2,
The piping, wherein the liquid filler is oil.
前記液体状の充填材を前記第1配管の外周面と前記第2配管の内周面との間に封じ込める封止部を有することを特徴とする配管。 In piping as described in any one of Claims 1-5,
A pipe having a sealing portion for containing the liquid filler between an outer peripheral surface of the first pipe and an inner peripheral surface of the second pipe.
前記保持部には、請求項1〜請求項6のうち何れか一項に記載の配管を介して冷媒が供給されることを特徴とする冷却装置。 A cooling device that is disposed in a chamber whose interior is set to a predetermined atmosphere and cools a holding unit that holds a held member,
A cooling device, wherein a refrigerant is supplied to the holding portion via the pipe according to any one of claims 1 to 6.
前記マスクを保持する第1保持部と、
前記基板を保持する第2保持部と、
を備え、
前記第1保持部及び前記第2保持部のうち少なくとも一方は、請求項7に記載の冷却装置を有することを特徴とする露光装置。 An exposure apparatus that illuminates a mask on which a predetermined pattern is formed with a radiation beam emitted from a light source device and irradiates the substrate with the radiation beam via the mask,
A first holding unit for holding the mask;
A second holding unit for holding the substrate;
With
An exposure apparatus, wherein at least one of the first holding unit and the second holding unit includes the cooling device according to claim 7.
前記各保持部のうち、前記冷却装置を有する保持部は変位可能であることを特徴とする露光装置。 The exposure apparatus according to claim 7, wherein
Of the holding units, the holding unit having the cooling device is displaceable.
前記リソグラフィー工程は、請求項8又は請求項9に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。 In a device manufacturing method including a lithography process,
10. The device manufacturing method using the exposure apparatus according to claim 8 or 9, wherein the lithography step.
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2009
- 2009-05-20 JP JP2009122298A patent/JP2010270820A/en active Pending
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