JP2010270820A - Pipe, cooling device, exposure device, and method for manufacturing device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pipe securing the vacuum within a chamber with high reliability while maintaining flexibility of the pipe, an exposure device, and a method for manufacturing a device. <P>SOLUTION: The pipe includes a first pipe 34 in which a refrigerant flows; a second pipe 35 covering the outside of the first pipe 34 with the inner circumferential surface thereof being separated from the outer circumferential surface of the first pipe 34 by a predetermined distance; and liquid mercury filled between the outer circumferential surface of the first pipe 34 and the inner circumferential surface of the second pipe 35. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えば露光装置のチャンバ内に設けられる配管、該配管を備える冷却装置、該冷却装置を備える露光装置、及び該露光装置を用いたデバイスの製造方法に関する。   The present invention relates to, for example, piping provided in a chamber of an exposure apparatus, a cooling apparatus including the piping, an exposure apparatus including the cooling apparatus, and a device manufacturing method using the exposure apparatus.

一般に、EUV(Extreme Ultraviolet )光やEB(Electron Beam )等を用いてウエハにパターンの像を転写する露光装置では、露光光の減衰を抑制するために、チャンバの内部が真空雰囲気に設定されている。こうした露光装置では、ウエハが露光光の一部を吸収して熱変形した状態で露光処理が行われた場合、ウエハに転写されるパターンの像が歪んでしまう虞があった。そこで、通常、露光装置では、ウエハを支持するウエハステージに対して冷媒を供給するための配管が接続されている。そして、ウエハは、この配管を通じて供給される冷媒によって冷却されることで、その熱変形が抑制されるようになっている。また、近年では、ウエハステージに接続される配管として、ウエハステージがウエハの位置決めに際して駆動するときの動きの変化に対応できるように、柔軟性を確保した配管が種々提案されている(例えば、特許文献1)。   Generally, in an exposure apparatus that transfers an image of a pattern onto a wafer using EUV (Extreme Ultraviolet) light, EB (Electron Beam), or the like, the interior of the chamber is set to a vacuum atmosphere in order to suppress attenuation of the exposure light. Yes. In such an exposure apparatus, when the exposure process is performed in a state where the wafer absorbs a part of the exposure light and is thermally deformed, there is a possibility that the pattern image transferred to the wafer is distorted. Therefore, in an exposure apparatus, piping for supplying a coolant to a wafer stage that supports a wafer is usually connected. The wafer is cooled by the refrigerant supplied through the pipe, so that the thermal deformation is suppressed. In recent years, various pipes that ensure flexibility have been proposed as pipes connected to the wafer stage so that they can respond to changes in movement when the wafer stage is driven during wafer positioning (for example, patents). Reference 1).

すなわち、この特許文献1に示す配管は、柔軟性の高い樹脂材料からなる内側樹脂層と、該樹脂層の外側を覆う薄膜状の金属層と、該金属層の外側を覆う外側樹脂層とから構成されている。そして、一般に、金属は、樹脂に比べて、液体や気体を透過する量が極めて小さいという性状を有している。そのため、金属層は、その配管における内側樹脂層内を流動する冷媒が内側樹脂層及び外側樹脂層を透過して配管の外部に漏出することを抑制する役割を果たしている。また、金属層は、その肉厚が十分に小さい薄膜状に成形されているため、配管の柔軟性を維持することが可能となっている。   That is, the pipe shown in Patent Document 1 includes an inner resin layer made of a highly flexible resin material, a thin metal layer that covers the outside of the resin layer, and an outer resin layer that covers the outside of the metal layer. It is configured. In general, metal has a property that the amount of liquid or gas that permeates is extremely small as compared with resin. Therefore, the metal layer plays a role of suppressing the refrigerant flowing in the inner resin layer in the pipe from passing through the inner resin layer and the outer resin layer and leaking out of the pipe. Moreover, since the metal layer is formed into a thin film with a sufficiently small thickness, the flexibility of the pipe can be maintained.

特開2003−247676号公報JP 2003-247676 A

ところで、特許文献1に示す配管では、ウエハステージ(位置決め装置)の動きの変化に連動して繰り返し変形した場合に、内側樹脂層と外側樹脂層との間に介在する金属層が金属疲労によって破断することが有り得る。この場合、破断した箇所では、内側樹脂層の外周面と外側樹脂層の内周面とが金属層の破断した隙間を介して対向した状態となる。そのため、内側樹脂層の内部を流動する冷媒が内側樹脂層を透過した場合には、この金属層の破断した隙間を介して外側樹脂層の内周面に至った後、その外側樹脂層の外周面側に透過してチャンバ内に漏洩することによってチャンバ内の真空度を低下させる虞があった。   By the way, in the piping shown in Patent Document 1, the metal layer interposed between the inner resin layer and the outer resin layer is broken by metal fatigue when repeatedly deformed in conjunction with the change in the movement of the wafer stage (positioning device). It is possible to do. In this case, at the broken location, the outer peripheral surface of the inner resin layer and the inner peripheral surface of the outer resin layer are opposed to each other through a fractured gap of the metal layer. Therefore, when the refrigerant flowing inside the inner resin layer permeates the inner resin layer, after reaching the inner peripheral surface of the outer resin layer via the fractured gap of the metal layer, the outer periphery of the outer resin layer There is a possibility that the degree of vacuum in the chamber is lowered by permeating to the surface side and leaking into the chamber.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、配管の柔軟性を維持しつつ、配管内を流動する流体が配管外に漏出することを抑制できる配管、該配管を備える冷却装置、該冷却装置を備える露光装置、及び該露光装置を用いたデバイスの製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a pipe capable of suppressing the fluid flowing in the pipe from leaking out of the pipe while maintaining the flexibility of the pipe, and the pipe. A cooling apparatus including the above, an exposure apparatus including the cooling apparatus, and a device manufacturing method using the exposure apparatus.

上記の課題を解決するため、本発明は、実施形態に示す図1〜図5に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の配管は、流体が内部を流動する第1配管(34)と、該第1配管(34)の外周面に対して内周面が所定間隔離れた状態で前記第1配管(34)の外側を覆う第2配管(35)と、前記第1配管(34)の外周面と前記第2配管(35)の内周面との間に充填される液体状の充填材と、を備えたことを要旨とする。
In order to solve the above-described problems, the present invention adopts the following configuration corresponding to FIGS. 1 to 5 shown in the embodiment.
The pipe of the present invention includes a first pipe (34) through which a fluid flows, and the first pipe (34) in a state in which an inner peripheral surface is separated from the outer peripheral surface of the first pipe (34) by a predetermined distance. A second pipe (35) covering the outside of the first pipe (34), and a liquid filler filled between the outer peripheral surface of the first pipe (34) and the inner peripheral surface of the second pipe (35). This is the summary.

上記構成によれば、第1配管の内部を流動する流体は、第1配管及び第2配管を透過して配管外に漏出することが、第1配管の外周面と第2配管の内周面との間に充填された液体状の充填材によって抑制される。また、液体状の充填材は、流動性を有しているため、配管が変形する場合には配管の変形に応じて第1配管の外周面と第2配管の内周面との間を流動することにより、配管の柔軟性を維持することができる。   According to the above configuration, the fluid flowing in the first pipe passes through the first pipe and the second pipe and leaks out of the pipe. The outer peripheral surface of the first pipe and the inner peripheral surface of the second pipe It is suppressed by the liquid filler filled in between. Further, since the liquid filler has fluidity, when the pipe is deformed, it flows between the outer peripheral surface of the first pipe and the inner peripheral surface of the second pipe according to the deformation of the pipe. By doing so, the flexibility of the piping can be maintained.

なお、本発明をわかりやすく説明するために実施形態に示す図面の符号に対応付けて説明したが、本発明が実施形態に限定されるものではないことは言うまでもない。   In order to explain the present invention in an easy-to-understand manner, the description has been made in association with the reference numerals of the drawings shown in the embodiments, but it goes without saying that the present invention is not limited to the embodiments.

本願発明によれば、配管の柔軟性を維持しつつ、配管内を流動する流体が配管外に漏出することを抑制できる。   According to the present invention, it is possible to suppress the fluid flowing in the pipe from leaking out of the pipe while maintaining the flexibility of the pipe.

本実施形態の露光装置を示す概略構成図。1 is a schematic block diagram that shows an exposure apparatus of the present embodiment. 本実施形態の第1冷却水供給管路を示す断面図。Sectional drawing which shows the 1st cooling water supply pipeline of this embodiment. 図2の3−3線矢視断面図。FIG. 3 is a sectional view taken along line 3-3 in FIG. 2. デバイスの製造例のフローチャート。The flowchart of the manufacture example of a device. 半導体デバイスの場合の基板処理に関する詳細なフローチャート。The detailed flowchart regarding the board | substrate process in the case of a semiconductor device.

以下、本発明を具体化した一実施形態について図1〜図5に基づき説明する。
図1に示すように、本実施形態の露光装置11は、光源装置12から射出される、波長が100nm程度以下の軟X線領域である極端紫外光、即ちEUV(Extreme Ultraviolet )光を露光光EL(放射ビーム)として用いるEUV露光装置である。こうした露光装置11は、照明光学系14、レチクル保持機構15、投影光学系16、ウエハ保持機構17が内部に設置されるチャンバ13(図1では二点鎖線で示す。)を備えている。このチャンバ13内は、真空雰囲気に設定されており、その真空度は、チャンバ13内でEUV光を用いて露光処理を行うために適切な高真空となっている。
Hereinafter, an embodiment embodying the present invention will be described with reference to FIGS.
As shown in FIG. 1, the exposure apparatus 11 of this embodiment uses extreme ultraviolet light, ie, EUV (Extreme Ultraviolet) light, which is a soft X-ray region having a wavelength of about 100 nm or less, emitted from a light source device 12 as exposure light. This is an EUV exposure apparatus used as an EL (radiation beam). Such an exposure apparatus 11 includes a chamber 13 (indicated by a two-dot chain line in FIG. 1) in which an illumination optical system 14, a reticle holding mechanism 15, a projection optical system 16, and a wafer holding mechanism 17 are installed. The inside of the chamber 13 is set to a vacuum atmosphere, and the degree of vacuum is high enough to perform exposure processing using EUV light in the chamber 13.

そして、光源装置12からチャンバ13内に入射した露光光ELは、該チャンバ13内に配置される照明光学系14を介してレチクル保持機構15に保持されるレチクルRを照明する。このレチクルRは、所定のパターンが形成された反射型レチクル(反射型マスク)で構成される。また、レチクルRで反射した露光光ELは、チャンバ13内に配置される投影光学系16を介してウエハ保持機構17に保持されるウエハWを照射するようになっている。このウエハWの表面には、レジストなどの感光性材料が塗布されている。   Then, the exposure light EL that has entered the chamber 13 from the light source device 12 illuminates the reticle R held by the reticle holding mechanism 15 via the illumination optical system 14 disposed in the chamber 13. The reticle R is composed of a reflective reticle (reflective mask) on which a predetermined pattern is formed. Further, the exposure light EL reflected by the reticle R irradiates the wafer W held by the wafer holding mechanism 17 via the projection optical system 16 arranged in the chamber 13. A photosensitive material such as a resist is applied to the surface of the wafer W.

照明光学系14は、チャンバ13の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される筐体18を備えている。この筐体18内には、光源装置12から筐体18内に入射された露光光ELを反射可能な複数枚の図示しない反射ミラーが設けられている。そして、各反射ミラーによって順に反射された露光光ELは、後述する鏡筒23内に設置された折り返し用の反射ミラー19に入射し、該反射ミラー19で反射した露光光ELがレチクル保持機構15に保持されるレチクルRに導かれる。   The illumination optical system 14 includes a housing 18 in which the inside is set to a vacuum atmosphere, similarly to the inside of the chamber 13. In the casing 18, a plurality of reflection mirrors (not shown) that can reflect the exposure light EL incident from the light source device 12 into the casing 18 are provided. Then, the exposure light EL sequentially reflected by the respective reflection mirrors is incident on a reflection mirror 19 for folding installed in a lens barrel 23 described later, and the exposure light EL reflected by the reflection mirror 19 is reflected by the reticle holding mechanism 15. To the reticle R held on the surface.

レチクル保持機構15は、投影光学系16の物体面側に配置されており、レチクルRを静電吸着するための第1静電吸着保持装置20と、該第1静電吸着保持装置20を介してレチクルRを支持するレチクルステージ21と、該レチクルステージ21をY軸方向(図1における左右方向)に所定ストロークで移動させるレチクルステージ駆動部22とを備えている。そして、本実施形態では、レチクルステージ21が、レチクルステージ駆動部22の駆動に応じて変位しつつレチクルRを保持する保持部(第1保持部)として機能する。   The reticle holding mechanism 15 is disposed on the object plane side of the projection optical system 16, and includes a first electrostatic chuck holding device 20 for electrostatic chucking of the reticle R, and the first electrostatic chuck holding device 20. A reticle stage 21 that supports the reticle R, and a reticle stage drive unit 22 that moves the reticle stage 21 in the Y-axis direction (left-right direction in FIG. 1) with a predetermined stroke. In this embodiment, the reticle stage 21 functions as a holding unit (first holding unit) that holds the reticle R while being displaced according to the driving of the reticle stage driving unit 22.

投影光学系16は、露光光ELでレチクルRのパターン面Raを照明することにより形成されたパターンの像を所定の縮小倍率(例えば1/4倍)に縮小させる光学系であって、チャンバ13の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される鏡筒23を備えている。この鏡筒23内には、複数枚(一例としては6枚であって、図1では1枚のみ図示)の反射型のミラー24が収容されている。そして、物体面側であるレチクルR側から導かれた露光光ELは、各ミラー24に順に反射され、ウエハ保持機構17に保持されるウエハWに導かれる。   The projection optical system 16 is an optical system that reduces an image of a pattern formed by illuminating the pattern surface Ra of the reticle R with exposure light EL to a predetermined reduction magnification (for example, 1/4 times). As with the interior of the lens, a lens barrel 23 whose interior is set to a vacuum atmosphere is provided. A plurality of reflection mirrors 24 (six as an example, only one is shown in FIG. 1) are accommodated in the lens barrel 23. Then, the exposure light EL guided from the reticle R side, which is the object surface side, is sequentially reflected by each mirror 24 and guided to the wafer W held by the wafer holding mechanism 17.

ウエハ保持機構17は、ウエハWを静電吸着するための第2静電吸着保持装置25と、該第2静電吸着保持装置25を介してウエハWを支持するウエハステージ26と、該ウエハステージ26をY軸方向に所定ストロークで移動させるウエハステージ駆動部27とを備えている。そして、本実施形態では、ウエハステージ26が、ウエハステージ駆動部27の駆動に応じて変位しつつウエハWを保持する保持部(第2保持部)として機能する。   The wafer holding mechanism 17 includes a second electrostatic chuck holding device 25 for electrostatic chucking of the wafer W, a wafer stage 26 for supporting the wafer W via the second electrostatic chuck holding device 25, and the wafer stage. And a wafer stage drive unit 27 that moves the motor 26 with a predetermined stroke in the Y-axis direction. In this embodiment, the wafer stage 26 functions as a holding unit (second holding unit) that holds the wafer W while being displaced in accordance with the driving of the wafer stage driving unit 27.

そして、本実施形態の露光装置11を用いてウエハWにパターンの像を投影する場合、照明光学系14による照明領域をレチクルRに照射した状態で、レチクルステージ駆動部22の駆動によって、レチクルステージ21と共にレチクルRをY軸方向(例えば、+Y方向側から−Y方向側(図1では右側から左側))に所定ストローク毎に移動させる。また同時に、ウエハステージ駆動部27の駆動によって、ウエハステージ26と共にウエハWをレチクルRのY軸方向に沿った移動に対して投影光学系16の縮小倍率に応じた速度比でY軸方向(例えば、−Y方向側から+Y方向側(図1では左側から右側))に同期して移動させる。そして、一つのショット領域へのパターンの形成が終了した場合、ウエハWの他のショット領域に対するパターンの形成が連続して行われる。   When a pattern image is projected onto the wafer W using the exposure apparatus 11 of the present embodiment, the reticle stage is driven by the reticle stage drive unit 22 while the illumination area of the illumination optical system 14 is irradiated onto the reticle R. 21 and the reticle R are moved at predetermined strokes in the Y-axis direction (for example, from the + Y direction side to the -Y direction side (in FIG. 1, from the right side to the left side)). At the same time, the wafer stage driving unit 27 drives the wafer W together with the wafer stage 26 at a speed ratio corresponding to the reduction magnification of the projection optical system 16 with respect to the movement of the reticle R along the Y axis direction (for example, the Y axis direction (for example, , And move in synchronization with the + Y direction (from left to right in FIG. 1) from the −Y direction. When the pattern formation on one shot area is completed, the pattern formation on the other shot areas of the wafer W is continuously performed.

次に、レチクルステージ21及びウエハステージ26を冷却するための冷却装置28について説明する。
図1に示すように、冷却装置28には、レチクルステージ21内に冷却用水を供給し且つレチクルステージ21側から冷却用水を回収するための配管としての第1冷却水供給管路29が設けられている。また、レチクルステージ21内には、冷却装置28から第1冷却水供給管路29を介して供給される冷却用水が流動する第1流体流路30が形成されている。そして、第1流体流路30内を流動する冷却用水は、第1静電吸着保持装置20を介してレチクルRから熱エネルギーを吸熱することにより、レチクルRを冷却するようになっている。
Next, a cooling device 28 for cooling the reticle stage 21 and the wafer stage 26 will be described.
As shown in FIG. 1, the cooling device 28 is provided with a first cooling water supply pipe 29 as a pipe for supplying cooling water into the reticle stage 21 and collecting cooling water from the reticle stage 21 side. ing. In the reticle stage 21, a first fluid flow path 30 is formed in which cooling water supplied from the cooling device 28 via the first cooling water supply pipe 29 flows. The cooling water flowing in the first fluid flow path 30 absorbs heat energy from the reticle R via the first electrostatic adsorption holding device 20 to cool the reticle R.

また、冷却装置28には、ウエハステージ26内に冷却用水を供給し且つウエハステージ26側から冷却用水を回収するための配管としての第2冷却水供給管路31が設けられている。また、ウエハステージ26内には、冷却装置28から第2冷却水供給管路31を介して供給される冷却用水が流動する第2流体流路32が形成されている。そして、第2流体流路32内を流動する冷却用水は、第2静電吸着保持装置25を介してウエハWから熱エネルギーを吸熱することにより、ウエハWを冷却するようになっている。   Further, the cooling device 28 is provided with a second cooling water supply pipe 31 as a pipe for supplying cooling water into the wafer stage 26 and collecting the cooling water from the wafer stage 26 side. In addition, a second fluid flow path 32 in which cooling water supplied from the cooling device 28 via the second cooling water supply conduit 31 flows is formed in the wafer stage 26. The cooling water flowing in the second fluid flow path 32 cools the wafer W by absorbing thermal energy from the wafer W via the second electrostatic adsorption holding device 25.

次に、冷却装置28から延設された配管の構成について図2及び図3に基づき以下説明する。なお、本実施形態では、冷却装置28とレチクルステージ21及びウエハステージ26とを接続する各冷却水供給管路29,31は互いに同一の構成となっている。そのため、以下の説明においては、冷却装置28とレチクルステージ21とを接続する第1冷却水供給管路29の構成について詳述する。   Next, the configuration of the pipe extending from the cooling device 28 will be described below with reference to FIGS. In the present embodiment, the cooling water supply pipes 29 and 31 that connect the cooling device 28 to the reticle stage 21 and the wafer stage 26 have the same configuration. Therefore, in the following description, the configuration of the first cooling water supply conduit 29 that connects the cooling device 28 and the reticle stage 21 will be described in detail.

図2及び図3に示すように、第1冷却水供給管路29は、内部に流体としての冷却用水を流動させるための流路33が形成された円筒状の第1配管34と、該第1配管34よりも管径が太くて該第1配管34の外周面に対して内周面が所定間隔離れた状態で該第1配管34の外側を覆うように配置される円筒状の第2配管35とから構成されている。すなわち、第1冷却水供給管路29は、第1配管34及び第2配管35のうち相対的に大径の第2配管35内に相対的に小径の第1配管34が第2配管35と同軸配置となるように挿通された二重配管構造をしている。なお、第1配管34及び第2配管35は何れも柔軟性を有する可撓性材料であるウレタン樹脂からなり、第1冷却水供給管路29は、その長手方向の途中箇所が蛇行するように変形可能とされている。   As shown in FIGS. 2 and 3, the first cooling water supply pipe 29 includes a cylindrical first pipe 34 in which a flow path 33 for flowing cooling water as a fluid is formed, and the first cooling water supply pipe 29. A cylindrical second pipe is arranged so as to cover the outside of the first pipe 34 in a state where the pipe diameter is larger than that of the first pipe 34 and the inner peripheral surface is separated from the outer peripheral surface of the first pipe 34 by a predetermined distance. It consists of a pipe 35. That is, the first cooling water supply pipe 29 has a relatively small first pipe 34 and a second pipe 35 in the relatively large diameter second pipe 35 of the first pipe 34 and the second pipe 35. It has a double piping structure inserted so as to be coaxially arranged. In addition, both the 1st piping 34 and the 2nd piping 35 consist of urethane resin which is a flexible material which has a softness | flexibility, and the 1st cooling water supply conduit 29 is meandering in the middle of the longitudinal direction. It can be deformed.

また、第1冷却水供給管路29における第1配管34の外周面と第2配管35の内周面の間には、断面略円環状の空間域36が第1冷却水供給管路29の延設方向に沿って延びるように形成されている。そして、第1配管34及び第2配管35は、その長手方向の一端部(本実施形態では、レチクルステージ21側の端部)同士が断面略円環状の空間域36の開口を封止するように熱溶着によって接合されている。その一方、第1配管34及び第2配管35は、その長手方向の他端部(本実施形態では、冷却装置28側の端部)における空間域36の開口が断面略円環状の封止材37の封入により封止されている。   Further, a space area 36 having a substantially annular cross section is formed between the outer peripheral surface of the first pipe 34 and the inner peripheral surface of the second pipe 35 in the first cooling water supply pipe 29. It is formed so as to extend along the extending direction. The first pipe 34 and the second pipe 35 have one end in the longitudinal direction (the end on the reticle stage 21 side in this embodiment) that seals the opening of the space region 36 having a substantially annular cross section. Are joined to each other by heat welding. On the other hand, the first pipe 34 and the second pipe 35 are each a sealing material in which the opening of the space region 36 at the other end in the longitudinal direction (the end on the cooling device 28 side in this embodiment) has a substantially annular cross section. 37 is sealed.

このように構成された第1冷却水供給管路29において、第1配管34の外周面と第2配管35の内周面との間に形成された空間域36内に、その長手方向の他端部側の開口を介して液体金属の一種である水銀(Hg)を充填した状態で、その他端部の開口が封止材37によって液密状に封止される構成となっている。この点で、第1冷却水供給管路29の長手方向の一端部において空間域36の開口を封止するように互いに接合される第1配管34及び第2配管35の一端部同士、及び、第1冷却水供給管路29の長手方向の他端部において空間域36の開口に封入される封止材37は、第1配管34の外周面と第2配管35の内周面との間の空間域36内に水銀が充填された場合に該水銀を空間域36内に封じ込め可能とする封止部として機能する。   In the first cooling water supply pipe 29 configured as described above, the other in the longitudinal direction is formed in the space region 36 formed between the outer peripheral surface of the first pipe 34 and the inner peripheral surface of the second pipe 35. In a state where mercury (Hg), which is a kind of liquid metal, is filled through the opening on the end side, the opening on the other end is sealed in a liquid-tight manner by the sealing material 37. In this respect, one end portions of the first pipe 34 and the second pipe 35 joined to each other so as to seal the opening of the space region 36 at one end portion in the longitudinal direction of the first cooling water supply pipe line 29, and The sealing material 37 sealed in the opening of the space region 36 at the other end in the longitudinal direction of the first cooling water supply pipe 29 is between the outer peripheral surface of the first pipe 34 and the inner peripheral surface of the second pipe 35. When the mercury is filled in the space area 36, it functions as a sealing portion that enables the mercury to be contained in the space area 36.

なお、水銀は、その金属としての特性により、第1配管34内の流路33を流動する冷却用水等の液体や気体に対する透過性が、第1配管34及び第2配管35を構成するウレタン樹脂等の樹脂材よりも極めて低い性状を有している。そのため、水銀は、第1配管34内の流路33を流動する冷却用水が第1配管34及び第2配管35を透過して第1冷却水供給管路29の外部に漏出することがないように抑制する液体状の充填材として機能する。   Mercury is a urethane resin that constitutes the first pipe 34 and the second pipe 35 due to its characteristics as a metal and has a permeability to liquids and gases such as cooling water flowing in the flow path 33 in the first pipe 34. It has properties that are extremely lower than resin materials such as. Therefore, mercury does not allow cooling water flowing through the flow path 33 in the first pipe 34 to pass through the first pipe 34 and the second pipe 35 and leak out of the first cooling water supply pipe 29. It functions as a liquid filler that suppresses the liquid.

次に、上記のように構成された露光装置11の作用について、特に、第1冷却水供給管路29がレチクルステージ21の変位に連動して変形しつつ、チャンバ13内の真空度を確保する際の作用に着目して以下説明する。   Next, with regard to the operation of the exposure apparatus 11 configured as described above, in particular, the first cooling water supply conduit 29 is deformed in conjunction with the displacement of the reticle stage 21 and ensures the degree of vacuum in the chamber 13. The following description will be given focusing on the action at the time.

さて、露光装置11の露光時には、レチクル保持機構15においてレチクルRを支持するレチクルステージ21がレチクルステージ駆動部22の駆動によりY軸方向(図1における左右方向)に変位する。すると、このレチクルステージ21に長手方向の一端部を接続された第1冷却水供給管路29には、レチクルステージ21側から第1冷却水供給管路29を変形させようとする応力が加わる。このとき、第1冷却水供給管路29は、第1配管34及び第2配管35が共に柔軟性の高いウレタン樹脂から構成されると共に、これらの配管34,35の間の空間域36に封じ込められている水銀は流動性を有した液体金属であるため、レチクルステージ21の変位に追随して容易に変形する。すなわち、第1冷却水供給管路29は、レチクルステージ21が変位するとき、そのレチクルステージ21の動きを規制するようなことはなく、レチクルRの位置決め精度に影響を及ぼすこともほとんどない。   When the exposure apparatus 11 performs exposure, the reticle stage 21 that supports the reticle R in the reticle holding mechanism 15 is displaced in the Y-axis direction (left-right direction in FIG. 1) by driving the reticle stage drive unit 22. Then, stress is applied to the first cooling water supply conduit 29 connected to the reticle stage 21 at one end in the longitudinal direction from the reticle stage 21 side to deform the first cooling water supply conduit 29. At this time, the first cooling water supply pipe 29 is configured such that both the first pipe 34 and the second pipe 35 are made of highly flexible urethane resin, and are enclosed in a space 36 between the pipes 34 and 35. Since mercury is a liquid metal having fluidity, it easily deforms following the displacement of the reticle stage 21. That is, the first cooling water supply conduit 29 does not restrict the movement of the reticle stage 21 when the reticle stage 21 is displaced, and hardly affects the positioning accuracy of the reticle R.

また、第1冷却水供給管路29において第1配管34と第2配管35との間の空間域36に封じ込められた水銀は流動性を有している。そのため、第1冷却水供給管路29では、これらの配管34,35の間に形成される空間域36の一部がレチクルステージ21の変位に連動して押し潰されるように歪み変形した場合であっても、この空間域36内に封じ込められている水銀は、金属疲労によって破断し得る固体金属とは異なり、その流動性によって第1冷却水供給管路29の延設方向に沿って途切れることなく連なった態様を維持し続ける。その結果、この空間域36内に封入された水銀は、第1冷却水供給管路29の延設方向の全域で第1配管34の外周面を被覆することになる。したがって、第1冷却水供給管路29では、第1配管34内の流路33を流れる冷却用水が第1配管34を透過した場合でも、そのように透過した冷却用水は第1配管34の外周面全域を被覆する水銀によって第2配管35側に至ることを抑制される。そのため、第1冷却水供給管路29は、真空雰囲気に設定されたチャンバ13内に挿通された領域(即ち、レチクルステージ21に対する接続部の近傍領域)において、第1配管34内の流路33を流動する冷却用水が第2配管35を介してチャンバ13内に漏洩することが抑制されるため、チャンバ13内の真空度を確保することが可能となる。   In addition, the mercury contained in the space 36 between the first pipe 34 and the second pipe 35 in the first cooling water supply pipe 29 has fluidity. Therefore, in the first cooling water supply pipe 29, when a part of the space area 36 formed between these pipes 34 and 35 is deformed and deformed so as to be crushed in conjunction with the displacement of the reticle stage 21. Even in this case, mercury contained in the space region 36 is interrupted along the extending direction of the first cooling water supply pipe 29 due to its fluidity, unlike solid metal that can be broken by metal fatigue. Continue to maintain an unbroken aspect. As a result, the mercury sealed in the space region 36 covers the outer peripheral surface of the first pipe 34 in the entire extending direction of the first cooling water supply pipe 29. Therefore, in the first cooling water supply pipe 29, even when the cooling water flowing through the flow path 33 in the first pipe 34 permeates the first pipe 34, the permeated cooling water is the outer periphery of the first pipe 34. The mercury covering the entire surface is suppressed from reaching the second pipe 35 side. Therefore, the first cooling water supply pipe 29 is a flow path 33 in the first pipe 34 in a region inserted into the chamber 13 set in a vacuum atmosphere (that is, a region in the vicinity of the connection portion to the reticle stage 21). Since the cooling water that flows through the second pipe 35 is suppressed from leaking into the chamber 13, the degree of vacuum in the chamber 13 can be secured.

さらに、本実施形態の第1冷却水供給管路29によれば、第1配管34及び第2配管35を構成するウレタン樹脂は水銀をほとんど透過しない性状を有している。そのため、第1配管34と第2配管35との間の空間域36に封じ込められている水銀は、第1配管34及び第2配管35を透過することが抑制される。したがって、第1冷却水供給管路29では、これらの配管34,35の間の空間域36に封じ込められている水銀が、第1配管34を介して流路33内に漏洩することが抑制される。また同様に、第1冷却水供給管路29では、真空雰囲気に設定されたチャンバ13内に挿通された領域(即ち、レチクルステージ21に対する接続部の近傍領域)において、これらの配管34,35の間の空間域36に封じ込められている水銀が、第2配管35を介してチャンバ13内に漏洩することが規制されるため、チャンバ13内の真空度を確保することが可能となる。   Furthermore, according to the first cooling water supply pipe 29 of the present embodiment, the urethane resin constituting the first pipe 34 and the second pipe 35 has a property of hardly transmitting mercury. Therefore, the mercury confined in the space region 36 between the first pipe 34 and the second pipe 35 is prevented from passing through the first pipe 34 and the second pipe 35. Therefore, in the first cooling water supply pipe 29, the mercury contained in the space region 36 between these pipes 34 and 35 is suppressed from leaking into the flow path 33 through the first pipe 34. The Similarly, in the first cooling water supply pipe 29, in the region inserted into the chamber 13 set in a vacuum atmosphere (that is, the region near the connection portion to the reticle stage 21), these pipes 34 and 35 are connected. Since mercury contained in the space area 36 is restricted from leaking into the chamber 13 through the second pipe 35, the degree of vacuum in the chamber 13 can be ensured.

したがって、本実施形態では以下に示す効果を得ることができる。
(1)第1配管34内の流路33を流動する冷却用水は、第1配管34及び第2配管35を透過して各冷却水供給管路29,31外に漏出することが、第1配管34の外周面と第2配管35の内周面との間の空間域36に充填された水銀によって抑制される。そのため、冷却用水が各冷却水供給管路29,31内からチャンバ13内に漏洩することを確実に抑制でき、チャンバ13内の真空性を信頼性よく確保することができる。
Therefore, in this embodiment, the following effects can be obtained.
(1) The cooling water flowing through the flow path 33 in the first pipe 34 passes through the first pipe 34 and the second pipe 35 and leaks out of the cooling water supply pipes 29 and 31. It is suppressed by the mercury filled in the space region 36 between the outer peripheral surface of the pipe 34 and the inner peripheral surface of the second pipe 35. Therefore, it is possible to reliably suppress cooling water from leaking from the cooling water supply pipes 29 and 31 into the chamber 13 and to ensure the vacuum in the chamber 13 with high reliability.

(2)第1配管34及び第2配管35は水銀に対して非透過性を有するウレタン樹脂から構成されている。そのため、水銀が第1配管34を透過して流路33内に漏洩することを抑制できると共に、同じく水銀が第2配管35を透過してチャンバ13内に漏洩することを抑制できる。   (2) The first pipe 34 and the second pipe 35 are made of urethane resin that is impermeable to mercury. Therefore, mercury can be prevented from passing through the first pipe 34 and leaking into the flow path 33, and similarly, mercury can be prevented from passing through the second pipe 35 and leaking into the chamber 13.

(3)各冷却水供給管路29,31を構成する第1配管34及び第2配管35は柔軟性を有する可撓性材料のウレタン樹脂からなるため、対応するステージ21,26の変位に伴い各冷却水供給管路29,31が変形する場合には、各冷却水供給管路29,31の剛性によってステージ21,26の動きが規制されることを抑制できる。   (3) Since the first piping 34 and the second piping 35 constituting the cooling water supply pipes 29 and 31 are made of a flexible flexible urethane resin, the displacement of the corresponding stages 21 and 26 is accompanied. When the cooling water supply pipes 29 and 31 are deformed, it is possible to suppress the movement of the stages 21 and 26 from being restricted by the rigidity of the cooling water supply pipes 29 and 31.

(4)第1配管34の外周面と第2配管35の内周面との間の空間域36に充填されて封じ込められた水銀は流動性を有しているため、対応するステージ21,26の変位に伴い各冷却水供給管路29,31が空間域36の一部を押し潰すように変形する場合であっても、固体金属の場合と異なり破断することはない。したがって、各冷却水供給管路29,31の変形に応じて第1配管34の外周面全域を被覆した状態を維持することにより、第1冷却水供給管路29の柔軟性を維持しつつ、第1配管34内の流路33を流動する冷却用水が第1配管34を透過した場合でも、そのように透過した冷却用水が第2配管35側に至ることを抑制できる。   (4) Since the mercury filled and contained in the space region 36 between the outer peripheral surface of the first pipe 34 and the inner peripheral surface of the second pipe 35 has fluidity, the corresponding stages 21 and 26 Even when the cooling water supply pipes 29 and 31 are deformed so as to crush a part of the space region 36 in accordance with the displacement, unlike the case of the solid metal, they are not broken. Therefore, by maintaining the state of covering the entire outer peripheral surface of the first pipe 34 according to the deformation of each cooling water supply pipe 29, 31, while maintaining the flexibility of the first cooling water supply pipe 29, Even when the cooling water flowing through the flow path 33 in the first pipe 34 permeates the first pipe 34, it is possible to suppress the permeated cooling water from reaching the second pipe 35.

(5)露光装置11の露光時には、レチクルステージ21及びウエハステージ26に対して冷却装置28から各冷却水供給管路29,31を介して冷却用水を供給できるため、各ステージ21,26により保持されているレチクルRやウエハWが熱変形することを抑制できる。   (5) During exposure of the exposure apparatus 11, cooling water can be supplied from the cooling device 28 to the reticle stage 21 and the wafer stage 26 via the cooling water supply pipes 29, 31, and is thus held by the stages 21, 26. It is possible to suppress thermal deformation of the reticle R and the wafer W that have been performed.

なお、本実施形態は、以下のような別の実施形態に変更してもよい。
・上記実施形態において、第1配管34と第2配管35との間の空間域36に充填されて封じ込められる液体として、高分子液体を採用してもよい。この場合、高分子液体は、その架橋によって得られる立体構造の隙間が、第1配管34内の流路33を流動する流体(例えば、水)の分子よりも小さな構造を有し、流体に対して非透過性を有する材質であることが望ましい。
Note that this embodiment may be changed to another embodiment as described below.
In the above embodiment, a polymer liquid may be employed as the liquid that is filled and contained in the space region 36 between the first pipe 34 and the second pipe 35. In this case, the polymer liquid has a structure in which the three-dimensional structure gap obtained by the cross-linking is smaller than the molecule of the fluid (for example, water) flowing through the flow path 33 in the first pipe 34, Therefore, it is desirable that the material be non-permeable.

・上記実施形態において、第1配管34と第2配管35との間の空間域36に充填されて封じ込められる液体として、油を採用してもよい。ここで、一般に、油は、全体としての極性が比較的小さな分子構造であるため、第1配管34の内部を流動する流体が水等のように極性分子である場合に好適に漏洩抑制機能を発揮することができる。   In the above embodiment, oil may be used as the liquid that is filled and contained in the space region 36 between the first pipe 34 and the second pipe 35. Here, since oil generally has a molecular structure with a relatively small polarity as a whole, when the fluid flowing inside the first pipe 34 is a polar molecule such as water, the oil preferably has a leakage suppressing function. It can be demonstrated.

・上記実施形態において、第1配管34及び第2配管35を構成する材質は、ウレタン樹脂に限定されず、柔軟性を有する材質であれば任意の材質を採用することができる。但し、チャンバ13内の真空度を維持するためには、フッ素樹脂等のように、真空雰囲気下であってもその揮発量が比較的低い材質であることが望ましい。   -In the said embodiment, the material which comprises the 1st piping 34 and the 2nd piping 35 is not limited to urethane resin, Arbitrary materials can be employ | adopted if it is a flexible material. However, in order to maintain the degree of vacuum in the chamber 13, it is desirable that the material has a relatively low volatilization amount even in a vacuum atmosphere, such as a fluororesin.

・上記実施形態において、第1冷却水供給管路29の内部を流動する流体は冷却用水等の冷媒に限定されず、流動性を有する流体であれば任意の媒体を採用することができる。
・上記実施形態において、第1配管34と第2配管35との間の空間域36に液体を充填して封じ込めた状態で、両配管34,35の長手方向の両端部の開口をそれぞれ封止材37によって液密状に封止する構成としてもよい。
In the above embodiment, the fluid flowing in the first cooling water supply pipe 29 is not limited to a coolant such as cooling water, and any medium can be adopted as long as it has fluidity.
In the above embodiment, the openings at both ends in the longitudinal direction of both the pipes 34 and 35 are sealed in a state where the space 36 between the first pipe 34 and the second pipe 35 is filled with liquid and sealed. It is good also as a structure sealed by the material 37 in a liquid-tight state.

・上記実施形態において、上記構成の配管構造は、真空雰囲気となるチャンバ13内に変位可能に配置された部材であれば、レチクルステージ21及びウエハステージ26以外の任意の部材に接続する構成としてもよい。   In the above embodiment, the piping structure having the above configuration may be connected to any member other than the reticle stage 21 and the wafer stage 26 as long as it is a member that is displaceable in the chamber 13 that is in a vacuum atmosphere. Good.

次に、本発明の実施形態の露光装置11によるデバイスの製造方法をリソグラフィー工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図4は、マイクロデバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造例のフローチャートを示す図である。   Next, an embodiment of a microdevice manufacturing method using the device manufacturing method by the exposure apparatus 11 of the embodiment of the present invention in the lithography process will be described. FIG. 4 is a flowchart showing a manufacturing example of a micro device (a semiconductor chip such as an IC or LSI, a liquid crystal panel, a CCD, a thin film magnetic head, a micro machine, etc.).

まず、ステップS101(設計ステップ)において、マイクロデバイスの機能・性能設計(例えば、半導体デバイスの回路設計等)を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップS102(マスク製作ステップ)において、設計した回路パターンを形成したマスク(レチクルRなど)を製作する。一方、ステップS103(基板製造ステップ)において、シリコン、ガラス、セラミックス等の材料を用いて基板(シリコン材料を用いた場合にはウエハWとなる。)を製造する。   First, in step S101 (design step), function / performance design (for example, circuit design of a semiconductor device) of a micro device is performed, and pattern design for realizing the function is performed. Subsequently, in step S102 (mask manufacturing step), a mask (reticle R or the like) on which the designed circuit pattern is formed is manufactured. On the other hand, in step S103 (substrate manufacturing step), a substrate (a wafer W when a silicon material is used) is manufactured using a material such as silicon, glass, or ceramics.

次に、ステップS104(基板処理ステップ)において、ステップS101〜ステップS104で用意したマスクと基板を使用して、後述するように、リソグラフィー技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップS105(デバイス組立ステップ)において、ステップS104で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。このステップS105には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程(チップ封入)等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップS106(検査ステップ)において、ステップS105で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。   Next, in step S104 (substrate processing step), as will be described later, an actual circuit or the like is formed on the substrate using the mask and substrate prepared in steps S101 to S104, as will be described later. Next, in step S105 (device assembly step), device assembly is performed using the substrate processed in step S104. Step S105 includes processes such as a dicing process, a bonding process, and a packaging process (chip encapsulation) as necessary. Finally, in step S106 (inspection step), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the microdevice manufactured in step S105 are performed. After these steps, the microdevice is completed and shipped.

図5は、半導体デバイスの場合におけるステップS104の詳細工程の一例を示す図である。
ステップS111(酸化ステップ)おいては、基板の表面を酸化させる。ステップS112(CVDステップ)においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップS113(電極形成ステップ)においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップS114(イオン打込みステップ)においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップS111〜ステップS114のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a detailed process of step S104 in the case of a semiconductor device.
In step S111 (oxidation step), the surface of the substrate is oxidized. In step S112 (CVD step), an insulating film is formed on the substrate surface. In step S113 (electrode formation step), an electrode is formed on the substrate by vapor deposition. In step S114 (ion implantation step), ions are implanted into the substrate. Each of the above steps S111 to S114 constitutes a pretreatment process at each stage of the substrate processing, and is selected and executed according to a necessary process at each stage.

基板プロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップS115(レジスト形成ステップ)において、基板に感光性材料を塗布する。引き続き、ステップS116(露光ステップ)において、上で説明したリソグラフィシステム(露光装置11)によってマスクの回路パターンを基板に転写する。次に、ステップS117(現像ステップ)において、ステップS116にて露光された基板を現像して、基板の表面に回路パターンからなるマスク層を形成する。さらに続いて、ステップS118(エッチングステップ)において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップS119(レジスト除去ステップ)において、エッチングが済んで不要となった感光性材料を取り除く。すなわち、ステップS118及びステップS119において、マスク層を介して基板の表面を加工する。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、基板上に多重に回路パターンが形成される。   When the above-mentioned pretreatment process is completed in each stage of the substrate process, the posttreatment process is executed as follows. In this post-processing process, first, in step S115 (resist formation step), a photosensitive material is applied to the substrate. Subsequently, in step S116 (exposure step), the circuit pattern of the mask is transferred to the substrate by the lithography system (exposure apparatus 11) described above. Next, in step S117 (development step), the substrate exposed in step S116 is developed to form a mask layer made of a circuit pattern on the surface of the substrate. Subsequently, in step S118 (etching step), the exposed member other than the portion where the resist remains is removed by etching. In step S119 (resist removal step), the photosensitive material that has become unnecessary after the etching is removed. That is, in step S118 and step S119, the surface of the substrate is processed through the mask layer. By repeatedly performing these pre-processing steps and post-processing steps, multiple circuit patterns are formed on the substrate.

11…露光装置、12…光源装置、13…チャンバ、21…保持部及び第1保持部としてのレチクルステージ、26…保持部及び第2保持部としてのウエハステージ、28…冷却装置、29…配管としての第1冷却水供給管路、31…配管としての第2冷却水供給管路、34…第1配管、35…第2配管、EL…放射ビームとしての露光光、R…被保持部材及びマスクとしてのレチクル、W…被保持部材及び基板としてのウエハ。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Exposure apparatus, 12 ... Light source device, 13 ... Chamber, 21 ... Reticle stage as holding part and 1st holding part, 26 ... Wafer stage as holding part and 2nd holding part, 28 ... Cooling device, 29 ... Piping First cooling water supply pipe, 31 ... second cooling water supply pipe as pipe, 34 ... first pipe, 35 ... second pipe, EL ... exposure light as radiation beam, R ... held member, and A reticle as a mask, W ... a member to be held and a wafer as a substrate.

Claims (10)

流体が内部を流動する第1配管と、
該第1配管の外周面に対して内周面が所定間隔離れた状態で前記第1配管の外側を覆う第2配管と、
前記第1配管の外周面と前記第2配管の内周面との間に充填される液体状の充填材と、を備えたことを特徴とする配管。
A first pipe through which the fluid flows;
A second pipe that covers the outside of the first pipe in a state in which the inner peripheral face is spaced apart from the outer peripheral face of the first pipe by a predetermined distance;
A pipe comprising a liquid filler filled between an outer peripheral surface of the first pipe and an inner peripheral surface of the second pipe.
請求項1に記載の配管において、
前記第1配管及び前記第2配管は、可撓性材料から構成されていることを特徴とする配管。
The piping according to claim 1,
The first pipe and the second pipe are made of a flexible material.
請求項1又は請求項2に記載の配管において、
前記液体状の充填材は、液体金属であることを特徴とする配管。
In the piping according to claim 1 or 2,
The piping, wherein the liquid filler is a liquid metal.
請求項1又は請求項2に記載の配管において、
前記液体状の充填材は、高分子液体であることを特徴とする配管。
In the piping according to claim 1 or 2,
The piping, wherein the liquid filler is a polymer liquid.
請求項1又は請求項2に記載の配管において、
前記液体状の充填材は、油であることを特徴とする配管。
In the piping according to claim 1 or 2,
The piping, wherein the liquid filler is oil.
請求項1〜5のいずれか一項に記載の配管において、
前記液体状の充填材を前記第1配管の外周面と前記第2配管の内周面との間に封じ込める封止部を有することを特徴とする配管。
In piping as described in any one of Claims 1-5,
A pipe having a sealing portion for containing the liquid filler between an outer peripheral surface of the first pipe and an inner peripheral surface of the second pipe.
内部が所定雰囲気に設定されるチャンバ内に配置され、被保持部材を保持する保持部を冷却する冷却装置であって、
前記保持部には、請求項1〜請求項6のうち何れか一項に記載の配管を介して冷媒が供給されることを特徴とする冷却装置。
A cooling device that is disposed in a chamber whose interior is set to a predetermined atmosphere and cools a holding unit that holds a held member,
A cooling device, wherein a refrigerant is supplied to the holding portion via the pipe according to any one of claims 1 to 6.
所定のパターンが形成されたマスクを光源装置から射出される放射ビームで照明し、前記マスクを介した放射ビームを基板に照射する露光装置であって、
前記マスクを保持する第1保持部と、
前記基板を保持する第2保持部と、
を備え、
前記第1保持部及び前記第2保持部のうち少なくとも一方は、請求項7に記載の冷却装置を有することを特徴とする露光装置。
An exposure apparatus that illuminates a mask on which a predetermined pattern is formed with a radiation beam emitted from a light source device and irradiates the substrate with the radiation beam via the mask,
A first holding unit for holding the mask;
A second holding unit for holding the substrate;
With
An exposure apparatus, wherein at least one of the first holding unit and the second holding unit includes the cooling device according to claim 7.
請求項7に記載の露光装置において、
前記各保持部のうち、前記冷却装置を有する保持部は変位可能であることを特徴とする露光装置。
The exposure apparatus according to claim 7, wherein
Of the holding units, the holding unit having the cooling device is displaceable.
リソグラフィー工程を含むデバイスの製造方法において、
前記リソグラフィー工程は、請求項8又は請求項9に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。
In a device manufacturing method including a lithography process,
10. The device manufacturing method using the exposure apparatus according to claim 8 or 9, wherein the lithography step.
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