JP2010257672A - Lighting device, image display device, and electronic equipment - Google Patents

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敏宏 小田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To accurately detect quantity of light incident to an illuminated object in a lighting device without enlarging a size of the device. <P>SOLUTION: The lighting device has a transparent sealing substrate 214, a transparent lighting substrate 210 opposite to the sealing substrate 214, light-emitting elements 211 arranged between the sealing substrate 214 and the lighting substrate 210 and to light-emit toward the lighting substrate 210, light detection elements arranged between the sealing substrate 214 and the lighting substrate 210 and outputting detection signals of sizes corresponding to the quantity of light incident from the lighting substrate 210, and light shielding layers 213 formed on the sealing substrate 214 and shielding light incident from the sealing substrate 214 to the light detection element. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、照明装置、画像表示装置および電子機器に関する。   The present invention relates to a lighting device, an image display device, and an electronic apparatus.

特許文献1及び2には、外光を反射して画像を表示する反射型の液晶表示装置と、この装置を前面(表示面)から照らすフロントライトとを備えた画像表示装置が記載されている。この画像表示装置には、十分な量の外光が液晶表示装置に入射しない場合でも表示品質が低下しないという利点がある。この画像表示装置のフロントライトは、光源として有機EL(Electro Luminescent)素子を備える。有機EL素子は、液晶表示装置の表示面を漏れなく照らすように、例えば格子状に配置される。   Patent Documents 1 and 2 describe an image display device including a reflective liquid crystal display device that reflects external light and displays an image, and a front light that illuminates the device from the front surface (display surface). . This image display device has an advantage that the display quality does not deteriorate even when a sufficient amount of external light is not incident on the liquid crystal display device. The front light of this image display device includes an organic EL (Electro Luminescent) element as a light source. The organic EL elements are arranged, for example, in a lattice shape so as to illuminate the display surface of the liquid crystal display device without omission.

特許3797007号公報(図5)Japanese Patent No. 3797007 (FIG. 5) 特開2006−154402号公報(図1)JP 2006-154402 A (FIG. 1)

特許文献1および2には記載されていないが、フロントライト付きの反射型表示装置では、表示面に入射する光量に基づいてフロントライトの明るさ(発光量)を調整するのが望ましい。例えば、省電力の観点では、表示面に入射する外光の光量が十分に多ければフロントライトをオフにするのが望ましい。また例えば、表示面に入射する光量が減ればフロントライトの発光量が増え、表示面に入射する光量が増えればフロントライトの発光量が減るようにすれば、表示品質を低下させることなく消費電力を低減することができる。   Although not described in Patent Documents 1 and 2, in a reflective display device with a front light, it is desirable to adjust the brightness (light emission amount) of the front light based on the amount of light incident on the display surface. For example, from the viewpoint of power saving, it is desirable to turn off the front light if the amount of external light incident on the display surface is sufficiently large. For example, if the amount of light incident on the display surface decreases, the amount of light emitted by the front light increases, and if the amount of light incident on the display surface increases, the amount of light emitted by the front light decreases, the power consumption without degrading the display quality. Can be reduced.

上記の調整を可能とする方法としては、反射型表示装置の外部に、表示面へ向かう外光の光量を検出する光センサーを設け、この光センサーの検出結果に基づいてフロントライトの発光量を調整する方法が考えられる。しかし、この方法では、光センサーが反射型表示装置の外部に位置するから、画像表示装置のサイズが大きくなってしまうとともに、光センサーに入射する光に占める表示面へ向かう光の割合が小さくなってしまう。後者は、表示面に入射する光量の正確な検出を困難とする一因となる。   As a method for enabling the above adjustment, an optical sensor for detecting the amount of external light directed to the display surface is provided outside the reflective display device, and the light emission amount of the front light is determined based on the detection result of the optical sensor. A method of adjusting can be considered. However, in this method, since the optical sensor is located outside the reflective display device, the size of the image display device is increased, and the proportion of light toward the display surface in the light incident on the optical sensor is reduced. End up. The latter contributes to the difficulty in accurately detecting the amount of light incident on the display surface.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、装置サイズを大きくすることなく、入射光量の正確な検出を可能とする照明装置、画像表示装置および電子機器を提供することを解決課題としている。   The present invention has been made in view of such circumstances, and solves the problem of providing an illumination device, an image display device, and an electronic apparatus that can accurately detect the amount of incident light without increasing the size of the device. It is an issue.

この課題を解決するために、本発明は、透明な第1基板と、前記第1基板に対向する透明な第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に設けられ、前記第2基板へ向けて発光する発光素子と、前記第1基板と前記第2基板との間に設けられ、前記第1基板から入射する光量に応じた大きさの検出信号を出力する光検出素子と、前記第2基板に形成され、前記第2基板から前記光検出素子に向けて入射する光を遮光する第1遮光層と、を備えた照明装置を提供する。
この照明装置で対象物を照らす場合、第2基板側に照らす物(対象物)を配置することになる。光検出素子には、第1基板を透過して対象物へ向かう外光の一部が入射する。発光素子の発光のうち対象物により反射されて光検出素子へ向かう光は、第2基板を透過するが、第1遮光層で遮られる。
この照明装置によれば、光検出素子が発光素子とともに第1基板と第2基板との間に設けられるから、装置サイズを大きくせずに済むとともに、光検出素子と発光素子とを互いに近接して配置することができる。通常、対象物は発光素子の近くに配置されるから、光検出素子を発光素子に近接して設けることにより、対象物に入射する外光と同様の光量の外光が光検出素子に入射することになる。また、この照明装置によれば、遮光層が第2基板から光検出素子に向けて入射する光を遮光する。よって、この照明装置によれば、入射光量の正確な検出が可能となる。
In order to solve this problem, the present invention is provided between a transparent first substrate, a transparent second substrate facing the first substrate, the first substrate and the second substrate, A light-emitting element that emits light toward the second substrate, and a light-detecting element that is provided between the first substrate and the second substrate and outputs a detection signal having a magnitude corresponding to the amount of light incident from the first substrate And a first light shielding layer that is formed on the second substrate and shields light incident from the second substrate toward the light detection element.
When illuminating an object with this illumination device, an object (object) to be illuminated is arranged on the second substrate side. Part of the external light that passes through the first substrate and travels toward the object enters the light detection element. Of the light emitted from the light emitting element, the light that is reflected by the object and travels toward the light detecting element is transmitted through the second substrate, but is blocked by the first light shielding layer.
According to this illumination device, since the light detection element is provided between the first substrate and the second substrate together with the light emitting element, it is not necessary to increase the device size, and the light detection element and the light emitting element are brought close to each other. Can be arranged. Usually, since the object is arranged near the light emitting element, by providing the light detection element close to the light emitting element, external light having the same amount of light as the external light incident on the object enters the light detection element. It will be. Further, according to this illumination device, the light shielding layer shields light incident from the second substrate toward the light detection element. Therefore, according to this illumination device, it is possible to accurately detect the amount of incident light.

この照明装置において、前記発光素子は陰極と陽極とを備え、前記光検出素子は陰極と陽極とを備え、前記発光素子は前記第2基板の上に形成され、前記光検出素子は前記第1遮光層の上に形成され、前記発光素子の陰極と前記光検出素子の陰極とは同一の材料で形成されるようにしてもよい。この照明装置には、発光素子の陰極と光検出素子の陰極とを同種のプロセス(例えば、同一の材料を用いた蒸着)で形成可能という利点がある。さらに、前記光検出素子の陰極を透明とし、この陰極を第1基板側に配置可能としてもよい。さらに、前記発光素子は前記第2基板上に形成され、前記発光素子に対応する前記第1基板上の領域に前記発光素子からの光を遮光する第2遮光層が形成され、前記第2遮光層の前記第2基板と対向する面に前記発光素子からの光を反射する反射材を用いるようにしてもよい。この照明装置によれば、発光素子の発光の多くを第2基板へ向かわせることができる。   In the illumination device, the light emitting element includes a cathode and an anode, the light detection element includes a cathode and an anode, the light emitting element is formed on the second substrate, and the light detection element is the first detection element. It is formed on the light shielding layer, and the cathode of the light emitting element and the cathode of the light detecting element may be formed of the same material. This lighting device has an advantage that the cathode of the light emitting element and the cathode of the light detecting element can be formed by the same type of process (for example, vapor deposition using the same material). Furthermore, the cathode of the light detection element may be transparent, and the cathode may be disposed on the first substrate side. Further, the light emitting element is formed on the second substrate, and a second light shielding layer that shields light from the light emitting element is formed in a region on the first substrate corresponding to the light emitting element, and the second light shielding element is formed. A reflective material that reflects light from the light emitting element may be used on the surface of the layer facing the second substrate. According to this illumination device, most of the light emitted from the light emitting element can be directed to the second substrate.

上記の各照明装置において、前記発光素子は有機EL素子で構成され、前記有機EL素子は、正孔注入層を備え、前記光検出素子は、P型の半導体層と、N型の半導体層とを備え、前記正孔注入層と前記P型の半導体層とは同一の材料で形成されるようにしてもよい。さらに、この照明装置において、発光素子の陰極と光検出素子の陰極とを同種のプロセスで形成可能としてもよい。これらの照明装置の各々には、発光素子を構成する層(電極)と光検出素子を構成する層(電極)とを同種のプロセス(例えば、同一の材料を用いた蒸着)で形成可能という利点がある。さらに、両層の厚さを互いに等しくして、両層を同一のプロセス(同一の材料を用いた一回の蒸着)で一斉に形成可能としてもよい   In each of the above lighting devices, the light emitting element is composed of an organic EL element, the organic EL element includes a hole injection layer, and the light detection element includes a P-type semiconductor layer, an N-type semiconductor layer, and the like. The hole injection layer and the P-type semiconductor layer may be formed of the same material. Further, in this lighting device, the cathode of the light emitting element and the cathode of the light detecting element may be formed by the same kind of process. Each of these lighting devices has an advantage that a layer (electrode) constituting a light emitting element and a layer (electrode) constituting a light detection element can be formed by the same type of process (for example, vapor deposition using the same material). There is. Further, the thicknesses of both layers may be equal to each other, and both layers may be formed simultaneously by the same process (one vapor deposition using the same material).

上記の各照明装置において、前記光検出素子は、複数のフォトダイオードで構成され、前記複数のフォトダイオードは直列に接続され、前記検出信号は電圧として与えられ、直列に接続された複数の前記フォトダイオードから出力される電圧の総和を、当該照明装置に入射する光量に応じた大きさを示す光量信号として外部に出力するようにしてもよいし、前記光検出素子は、複数のフォトダイオードで構成され、前記複数のフォトダイオードは並列に接続され、前記検出信号は電流として与えられ、並列に接続された複数の前記フォトダイオードから出力される電流の総和を、当該照明装置に入射する光量に応じた大きさを示す光量信号として外部に出力するようにしてもよいし、複数の第1検出線と、複数の第2検出線とを備え、前記光検出素子は、複数のフォトダイオードで構成され、前記複数のフォトダイオードは、前記複数の第1検出線と前記複数の第2検出線の交差に対応して各々配置される、ようにしてもよい。   In each of the illumination devices described above, the light detection element includes a plurality of photodiodes, the plurality of photodiodes are connected in series, the detection signal is given as a voltage, and the plurality of photodiodes connected in series is provided. The sum of the voltages output from the diode may be output to the outside as a light amount signal indicating a magnitude corresponding to the amount of light incident on the illumination device, and the light detection element is constituted by a plurality of photodiodes. The plurality of photodiodes are connected in parallel, the detection signal is given as a current, and the sum of the currents output from the plurality of photodiodes connected in parallel depends on the amount of light incident on the lighting device. Or a plurality of first detection lines and a plurality of second detection lines, and the light The output element may be composed of a plurality of photodiodes, and the plurality of photodiodes may be arranged corresponding to intersections of the plurality of first detection lines and the plurality of second detection lines, respectively. .

また、上記の課題を解決するために、本発明は、上記の各照明装置と、当該照明装置の前記第2基板に表示面が接する表示装置とを備えたことを特徴とする画像表示装置を提供する。この画像表示装置において、前記表示装置を反射型液晶装置としてもよいし、前記照明装置の前記光検出素子によって検出された前記検出信号に基づいて、前記発光素子の発光量を調整する調整手段を備えるようにしてもよいし、両者を組み合わせてもよい。   In order to solve the above-described problems, the present invention provides an image display device comprising: each of the lighting devices described above; and a display device in which a display surface is in contact with the second substrate of the lighting device. provide. In this image display device, the display device may be a reflective liquid crystal device, and an adjustment unit that adjusts the light emission amount of the light emitting element based on the detection signal detected by the light detection element of the illumination device. You may make it provide, and may combine both.

また、上記の課題を解決するために、本発明は、上記の第1検出線と第2検出線とを備える照明装置と、前記複数の第1検出線を順次選択する第1選択回路と、前記複数の第2検出線を順次選択する第2選択回路と、前記第1選択回路によって選択された第1検出線と、前記第2選択回路によって選択された第2検出線との交差に対応した前記フォトダイオードから出力される前記検出信号に基づいて、前記照明装置の前記第1基板に物体が触れた位置を特定する特定手段と、当該照明装置の前記第2基板に表示面が接する表示装置とを、備えた画像表示装置を提供する。   In order to solve the above problems, the present invention provides an illumination device including the first detection line and the second detection line, a first selection circuit that sequentially selects the plurality of first detection lines, Corresponding to an intersection of a second selection circuit that sequentially selects the plurality of second detection lines, a first detection line selected by the first selection circuit, and a second detection line selected by the second selection circuit Based on the detection signal output from the photodiode, a specifying unit that specifies a position where the object touches the first substrate of the lighting device, and a display in which the display surface is in contact with the second substrate of the lighting device An image display device comprising the device is provided.

また、上記の課題を解決するために、本発明は、上記の第1検出線と第2検出線とを備える照明装置を有する各画像表示装置を備えた電子機器を提供する。   Moreover, in order to solve said subject, this invention provides the electronic device provided with each image display apparatus which has an illuminating device provided with said 1st detection line and 2nd detection line.

本発明の第1実施形態に係る画像表示装置1の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the image display apparatus 1 which concerns on 1st Embodiment of this invention. 図1のA−A´断面図である。It is AA 'sectional drawing of FIG. 図2の一部を拡大して示す断面図である。It is sectional drawing which expands and shows a part of FIG. 画像表示装置1における発光素子211およびフォトダイオード212の配置を示す平面図である。3 is a plan view showing an arrangement of light emitting elements 211 and photodiodes 212 in the image display device 1. FIG. 発光素子211およびフォトダイオード212の電気的な接続関係を示す回路図である。3 is a circuit diagram showing an electrical connection relationship between a light emitting element 211 and a photodiode 212. FIG. 第1実施形態の変形例に係るフフォトダイオードの配置を示す平面図である。It is a top view which shows arrangement | positioning of the photo-diode which concerns on the modification of 1st Embodiment. 本発明の第2実施形態に係る画像表示装置7の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the image display apparatus 7 which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 画像表示装置7の動作を説明するためのタイミングチャートである。6 is a timing chart for explaining the operation of the image display device 7; 本発明に係る電子機器の具体例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the specific example of the electronic device which concerns on this invention. 本発明に係る電子機器の別の具体例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows another specific example of the electronic device which concerns on this invention. 本発明に係る電子機器のさらに別の具体例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows another specific example of the electronic device which concerns on this invention.

図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。ただし、各図面においては、各部の寸法の比率が実際のものとは適宜に相違している。また、本発明は、以下に述べる各実施形態に限定されるものではなく、各実施形態を変形して得られる各種の変形例や、各実施形態またはその変形例を応用して得られる形態をも技術的範囲に含みうる。なお、各図において共通する部分には同一の符号が付されている。   Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. However, in each drawing, the ratio of the dimension of each part is appropriately different from the actual one. Further, the present invention is not limited to the embodiments described below, and various modifications obtained by modifying the embodiments, and forms obtained by applying the embodiments or modifications thereof. Can also be included in the technical scope. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the common part in each figure.

<第1実施形態>
図1は本発明の第1実施形態に係る画像表示装置1の構成を示す図であり、そのA−A´断面図が図2である。これらの図に示すように、画像表示装置1は、マトリクス状に配置された複数の液晶素子LCを有する反射型液晶パネル101を備える。各液晶素子LCは、液晶と当該液晶に電圧を印加する二つの電極とを有し、液晶の光透過率を制御して階調を表示するものであり、反射型液晶パネル101は、その前面(表示面FS)内に、これらの階調で表される画像を表示する表示領域102を有する。また反射型液晶パネル101は、図示を略すが、行方向に延在する複数の走査線と、列方向に延在する複数のデータ線とを備える。液晶素子LCは、走査線とデータ線との各交差に対応する位置に一つずつ設けられている。
<First Embodiment>
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an image display device 1 according to the first embodiment of the present invention, and FIG. As shown in these drawings, the image display device 1 includes a reflective liquid crystal panel 101 having a plurality of liquid crystal elements LC arranged in a matrix. Each liquid crystal element LC has a liquid crystal and two electrodes for applying a voltage to the liquid crystal, and controls the light transmittance of the liquid crystal to display a gradation. The reflective liquid crystal panel 101 has a front surface. (Display surface FS) has a display area 102 for displaying an image represented by these gradations. Although not shown, the reflective liquid crystal panel 101 includes a plurality of scanning lines extending in the row direction and a plurality of data lines extending in the column direction. One liquid crystal element LC is provided at a position corresponding to each intersection of the scanning line and the data line.

また画像表示装置1は、総ての走査線を駆動する走査線駆動回路103と、総てのデータ線を駆動するデータ線駆動回路104と、両回路を制御する制御回路105とを備える。制御回路105による両回路の制御は、クロック信号を含む制御信号C1を走査線駆動回路103へ供給し、表示すべき画像に応じたデータ信号を含む制御信号C2をデータ線駆動回路104へ供給することにより行われる。走査線駆動回路103は、制御信号C1に基づいて走査線を一つずつ巡回的に選択し、データ線駆動回路104は、制御信号C2に基づいて、選択中の走査線に対応する1行分の液晶素子LCの各々に、液晶の光透過率を設定するための信号を、対応するデータ線経由で供給する。この走査により、表示すべき画像が表示領域102に表示される。   The image display device 1 also includes a scanning line driving circuit 103 that drives all scanning lines, a data line driving circuit 104 that drives all data lines, and a control circuit 105 that controls both circuits. Control of both circuits by the control circuit 105 supplies a control signal C1 including a clock signal to the scanning line driving circuit 103, and supplies a control signal C2 including a data signal corresponding to an image to be displayed to the data line driving circuit 104. Is done. The scanning line driving circuit 103 cyclically selects one scanning line at a time based on the control signal C1, and the data line driving circuit 104 selects one row corresponding to the selected scanning line based on the control signal C2. A signal for setting the light transmittance of the liquid crystal is supplied to each of the liquid crystal elements LC via a corresponding data line. By this scanning, an image to be displayed is displayed in the display area 102.

以上の説明から明らかなように、反射型液晶パネル101、走査線駆動回路103、データ線駆動回路104および制御回路105は、光反射率を制御して画像を表示する反射型表示装置を構成している。なお、走査線駆動回路103、データ線駆動回路104および制御回路105の少なくとも一つを、反射型液晶パネル101と一体化させてもよい。   As is clear from the above description, the reflective liquid crystal panel 101, the scanning line driving circuit 103, the data line driving circuit 104, and the control circuit 105 constitute a reflective display device that displays an image by controlling the light reflectance. ing. Note that at least one of the scanning line driving circuit 103, the data line driving circuit 104, and the control circuit 105 may be integrated with the reflective liquid crystal panel 101.

また画像表示装置1は、反射型液晶パネル101の表示面FSに接着されたフロントライト106を有する。フロントライト106は、供給される電源信号C4に応じた光量(輝度)で発光する複数の発光素子211を有し、表示領域102の全域を照らす。また、フロントライト106は、入射する光量に応じた大きさの検出信号を出力する複数のフォトダイオード212を有し、総てのフォトダイオード212の検出信号を合成した光量信号DAを制御回路105へ供給する。   The image display device 1 also includes a front light 106 bonded to the display surface FS of the reflective liquid crystal panel 101. The front light 106 includes a plurality of light emitting elements 211 that emit light with a light amount (luminance) corresponding to the supplied power signal C4, and illuminates the entire display area 102. The front light 106 includes a plurality of photodiodes 212 that output detection signals having a magnitude corresponding to the amount of incident light. A light amount signal DA obtained by synthesizing all the detection signals of the photodiodes 212 is supplied to the control circuit 105. Supply.

また画像表示装置1は調光回路107を備える。制御回路105は、フロントライト106の光検出素子からの光量信号DAに基づいて、総ての発光素子211の発光量を制御するための制御信号C3を生成し、調光回路107へ供給し、調光回路107は、制御信号C3に基づいて、総ての発光素子211の発光量を一律に調整する。調光回路107には電源が供給されており、調光回路107は、この電源を用いて、制御信号C3に応じた電位の電源信号C4を生成し、各発光素子211へ供給する。この調光により、発光素子211の発光量はフォトダイオード212に入射する光量に応じた量となる。   Further, the image display device 1 includes a light control circuit 107. The control circuit 105 generates a control signal C3 for controlling the light emission amount of all the light emitting elements 211 based on the light amount signal DA from the light detection element of the front light 106, and supplies the control signal C3 to the dimming circuit 107. The dimming circuit 107 uniformly adjusts the light emission amounts of all the light emitting elements 211 based on the control signal C3. Power is supplied to the light control circuit 107, and the light control circuit 107 generates a power signal C <b> 4 having a potential corresponding to the control signal C <b> 3 using the power supply and supplies the power signal to each light emitting element 211. By this light control, the light emission amount of the light emitting element 211 becomes an amount corresponding to the amount of light incident on the photodiode 212.

以上の説明から明らかなように、制御回路105および調光回路107は、発光素子211の発光量を調整する調整手段を構成している。また、フロントライト106、制御回路105および調光回路107は、表示領域102の全域を照らす照明装置を構成している。なお、制御回路105および調光回路107の一方または両方を、フロントライト106と一体化させてもよい。   As is apparent from the above description, the control circuit 105 and the dimming circuit 107 constitute an adjusting unit that adjusts the light emission amount of the light emitting element 211. Further, the front light 106, the control circuit 105, and the dimming circuit 107 constitute an illumination device that illuminates the entire display area 102. One or both of the control circuit 105 and the dimming circuit 107 may be integrated with the front light 106.

図2は、図1のA−A´断面図である。この図に示すように、表示領域102に重なる領域では、反射型液晶パネル101上にフロントライト106が重なっている。反射型液晶パネル101は、表示基板201と、表示基板201上に形成された複数のTFT(薄膜トランジスタ)202と、TFT202を覆って表示基板201上に形成された絶縁層203と、その上に形成された光反射性の複数の画素電極204とを有する。画素電極204は、絶縁層203に形成されたコンタクトホールを介して、対応するTFT202と電気的に接続されている。   2 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. As shown in this figure, the front light 106 overlaps the reflective liquid crystal panel 101 in the region overlapping the display region 102. The reflective liquid crystal panel 101 includes a display substrate 201, a plurality of TFTs (thin film transistors) 202 formed on the display substrate 201, an insulating layer 203 formed on the display substrate 201 so as to cover the TFTs 202, and formed thereon. And a plurality of light-reflective pixel electrodes 204. The pixel electrode 204 is electrically connected to the corresponding TFT 202 through a contact hole formed in the insulating layer 203.

また反射型液晶パネル101は、画素電極204を覆うように絶縁層203上に形成された液晶205と、液晶205上に形成された共通電極206と、共通電極206上に設けられた対向基板207と、対向基板207上に形成された偏光板208と、偏光板208上に形成された接着層209とを有する。一つの画素電極204と、この画素電極204に重なる共通電極206と、両電極間に挟持された液晶205とは、一つの液晶素子LCを構成しており、液晶205の光透過率は、両電極間の電位差に応じて変化する。   The reflective liquid crystal panel 101 includes a liquid crystal 205 formed on the insulating layer 203 so as to cover the pixel electrode 204, a common electrode 206 formed on the liquid crystal 205, and a counter substrate 207 provided on the common electrode 206. A polarizing plate 208 formed over the counter substrate 207 and an adhesive layer 209 formed over the polarizing plate 208. One pixel electrode 204, a common electrode 206 overlapping the pixel electrode 204, and a liquid crystal 205 sandwiched between the two electrodes constitute one liquid crystal element LC. The light transmittance of the liquid crystal 205 is It changes according to the potential difference between the electrodes.

フロントライト106は、接着層209上に設けられた透明な照明基板(第2基板)210と、照明基板210上に形成された複数の発光素子211と、照明基板210上に形成された複数のフォトダイオード212と、外気や水分等から発光素子211およびフォトダイオード212を保護するために照明基板210と対向して設けられた透明な封止基板(第1基板)214と、照明基板210と封止基板214との間に形成された遮光層213とを有する。照明基板210および封止基板214は、例えばガラスで形成され、両者の間に、総ての発光素子211および総てのフォトダイオード212が設けられている。   The front light 106 includes a transparent lighting substrate (second substrate) 210 provided on the adhesive layer 209, a plurality of light emitting elements 211 formed on the lighting substrate 210, and a plurality of light emitting elements 211 formed on the lighting substrate 210. A photodiode 212, a transparent sealing substrate (first substrate) 214 provided to face the illumination substrate 210 to protect the light emitting element 211 and the photodiode 212 from outside air, moisture, and the like, and the illumination substrate 210 and the sealing A light shielding layer 213 formed between the stop substrate 214 and the light blocking layer 214. The illumination substrate 210 and the sealing substrate 214 are made of, for example, glass, and all the light emitting elements 211 and all the photodiodes 212 are provided therebetween.

遮光層213は、発光素子211から封止基板214へ向かう光の遮断と、照明基板210からフォトダイオード212へ向かう光(反射光)の遮断とを目的として設けられ、各発光素子211と封止基板214との間に介在するとともに、各フォトダイオード212と照明基板210との間に介在する。したがって、発光素子211は照明基板210へ向けて発光することになり、フォトダイオード212に入射する光の大部分は封止基板214を透過した外光となる。したがって、フォトダイオード212に入射する外光の光量は、フォトダイオード212の近傍の液晶素子LCへ入射する外光の光量と同様となり、フォトダイオード212の検出信号は、近傍の液晶素子LCへ入射する外光の光量に応じた信号となる。よって、フォトダイオード212は、封止基板214から入射する光の光量に応じた大きさの検出信号を出力することになる。   The light shielding layer 213 is provided for the purpose of blocking light from the light emitting element 211 toward the sealing substrate 214 and blocking light (reflected light) from the illumination substrate 210 toward the photodiode 212. It is interposed between the substrate 214 and between each photodiode 212 and the illumination substrate 210. Therefore, the light emitting element 211 emits light toward the illumination substrate 210, and most of the light incident on the photodiode 212 is external light transmitted through the sealing substrate 214. Therefore, the amount of external light incident on the photodiode 212 is the same as the amount of external light incident on the liquid crystal element LC in the vicinity of the photodiode 212, and the detection signal of the photodiode 212 enters the liquid crystal element LC in the vicinity. The signal corresponds to the amount of external light. Therefore, the photodiode 212 outputs a detection signal having a magnitude corresponding to the amount of light incident from the sealing substrate 214.

遮光層213としては、封止基板214から入射した外光を反射しないものが好ましい。遮光層213は、この事情と上記の目的とに応じた材料を用いて形成されている。好適には、クロム・酸化クロム・クロムと酸化クロムとの積層膜などの光反射率の低い金属薄膜、もしくは光透過率の低い樹脂材料である。なお、発光素子211に重なる遮光層213とフォトダイオード212に重なる遮光層213とで形成材料を相違させてもよい。   As the light shielding layer 213, a layer that does not reflect external light incident from the sealing substrate 214 is preferable. The light shielding layer 213 is formed using a material according to this situation and the above-described purpose. A metal thin film having a low light reflectance such as chromium, chromium oxide, a laminated film of chromium and chromium oxide, or a resin material having a low light transmittance is preferable. Note that the formation material may be different between the light-blocking layer 213 that overlaps with the light-emitting element 211 and the light-blocking layer 213 that overlaps with the photodiode 212.

なお、発光素子211の発光には、各液晶素子LCへ向かう光が含まれており、これらの光は、照明基板210を透過し、各液晶素子LCへ入射する。また、液晶素子LCには、封止基板214から当該液晶素子LCへ向かう外光が入射する。液晶素子LC(画素電極204)の反射光には、この外光の反射光と、各発光素子211から発して当該液晶素子LCへ入射した光の反射光とが含まれる。   Note that light emitted from the light emitting element 211 includes light traveling toward each liquid crystal element LC, and the light passes through the illumination substrate 210 and enters each liquid crystal element LC. Further, external light from the sealing substrate 214 toward the liquid crystal element LC enters the liquid crystal element LC. The reflected light of the liquid crystal element LC (pixel electrode 204) includes the reflected light of the outside light and the reflected light of the light emitted from each light emitting element 211 and incident on the liquid crystal element LC.

図3は、図2の一部を拡大して示す断面図である。発光素子211は、有機EL素子であり、この図に示すように、照明基板210上にITOで形成された陽極301と、その上に形成された正孔注入層302と、その上に形成された正孔輸送層303と、その上に形成された発光層304と、その上に形成された電子輸送層305と、その上に形成された電子注入層306と、その上に形成された陰極307とを有する。陽極301には電源信号C4が供給される。   FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of a part of FIG. The light emitting element 211 is an organic EL element. As shown in this figure, the anode 301 formed of ITO on the illumination substrate 210, the hole injection layer 302 formed thereon, and the anode injection layer 302 are formed thereon. Hole transport layer 303, light emitting layer 304 formed thereon, electron transport layer 305 formed thereon, electron injection layer 306 formed thereon, and cathode formed thereon 307. A power supply signal C4 is supplied to the anode 301.

正孔注入層302は、銅フタロシアニン薄膜であり、その膜厚は約30nmである。正孔輸送層303は、例えばNPD薄膜であり、その膜厚は約20nmである。発光層304は、例えば低分子白色発光材料の薄膜であり、その膜厚は約20nmである。電子輸送層305は、例えばアルミキノリノール錯体(tris(8-hydroxyquinoline)aluminum)の薄膜であり、その膜厚は約30nmである。電子注入層306は、例えばフッ化リチウム薄膜であり、その膜厚は約1nmである。陰極307は、アルミニウム薄膜であり、その膜厚は約150nmである。   The hole injection layer 302 is a copper phthalocyanine thin film having a thickness of about 30 nm. The hole transport layer 303 is an NPD thin film, for example, and the film thickness is about 20 nm. The light emitting layer 304 is a thin film of a low molecular white light emitting material, for example, and the film thickness is about 20 nm. The electron transport layer 305 is, for example, a thin film of aluminum quinolinol complex (tris (8-hydroxyquinoline) aluminum), and the film thickness is about 30 nm. The electron injection layer 306 is, for example, a lithium fluoride thin film, and the film thickness is about 1 nm. The cathode 307 is an aluminum thin film having a thickness of about 150 nm.

フォトダイオード212は、有機フォトダイオードであり、この図に示すように、照明基板210上に形成された遮光層213上にITOで形成された陽極308と、その上に形成されたP型半導体層309と、その上に形成されたN型半導体層310と、その上に形成された陰極312とを有する。P型半導体層309は、銅フタロシアニン薄膜であり、その膜厚は約30nmである。N型半導体層310は、PTCDI(3,4,9,10-perylene-tetracarboxylic-diimide)薄膜であり、その膜厚は約50nmである。陰極312は、光透過性の高い透明材料で形成されている。   The photodiode 212 is an organic photodiode. As shown in this figure, an anode 308 formed of ITO on a light shielding layer 213 formed on the illumination substrate 210 and a P-type semiconductor layer formed thereon. 309, an N-type semiconductor layer 310 formed thereon, and a cathode 312 formed thereon. The P-type semiconductor layer 309 is a copper phthalocyanine thin film having a thickness of about 30 nm. The N-type semiconductor layer 310 is a PTCDI (3,4,9,10-perylene-tetracarboxylic-diimide) thin film, and the film thickness is about 50 nm. The cathode 312 is made of a transparent material with high light transmittance.

上述したことから明らかなように、正孔注入層302とP型半導体層309は、同一の材料(銅フタロシアニン)を用いたマスク蒸着、すなわち同種のプロセスによって形成可能である。これは、製造工程の簡素化に寄与する利点であり、陽極301と陽極308にもあてはまる。さらに、正孔注入層302の膜厚とP型半導体層309の膜厚とは等しいから、正孔注入層302とP型半導体層309を同一のプロセス(同一の材料を用いた一回の蒸着)によって一斉に形成可能である。これは、陰極307と陰極312にもあてはまる。なお、陰極307を陰極312と同一の透明材料で形成し、両者の膜厚を等しくし、両者についても一斉に形成可能としてもよい。この場合、遮光層213の発光素子211に重なる部分(第2遮光層)の、照明基板210と対向する面に、発光素子211からの光を反射する反射材を用いることが好ましい。こうすることにより、発光素子211から発して封止基板214へ向かう光は、反射材で反射し、照明基板210へ向かうから、発光素子211の発光の多くを照明基板210へ向かわせることができる。   As is apparent from the above, the hole injection layer 302 and the P-type semiconductor layer 309 can be formed by mask vapor deposition using the same material (copper phthalocyanine), that is, the same process. This is an advantage that contributes to the simplification of the manufacturing process, and also applies to the anode 301 and the anode 308. Further, since the thickness of the hole injection layer 302 is equal to the thickness of the P-type semiconductor layer 309, the hole injection layer 302 and the P-type semiconductor layer 309 are formed in the same process (one deposition using the same material). ) Can be formed simultaneously. This also applies to the cathode 307 and the cathode 312. Note that the cathode 307 may be formed of the same transparent material as that of the cathode 312, and the thicknesses of the two may be made equal to each other. In this case, it is preferable to use a reflective material that reflects light from the light emitting element 211 on the surface of the light shielding layer 213 that overlaps with the light emitting element 211 (second light shielding layer) and faces the illumination substrate 210. By doing so, the light emitted from the light emitting element 211 and traveling toward the sealing substrate 214 is reflected by the reflecting material and travels toward the illumination substrate 210, so that most of the light emission of the light emitting element 211 can be directed to the illumination substrate 210. .

もちろん、上述した形成材料および膜厚は一例に過ぎない。例えば、陰極312の形成材料は金でもアルミニウムでもよいし、P型半導体層309の形成材料をルブレンとしてもよいし、P型半導体層309やN型半導体層310の膜厚を変更してもよい。また例えば、発光素子212から、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層および電子注入層のうち、少なくとも一つの層を削除してもよい。いずれの場合でも、同一の材料で形成された層が発光素子211とフォトダイオード212とに含まれていれば、発光素子211に含まれる当該層とフォトダイオード212に含まれる当該層とを同種のプロセスで形成可能となり、さらに両層の膜厚が等しければ、同一のプロセスで一斉に形成可能となる。   Of course, the above-described forming materials and film thicknesses are only examples. For example, the formation material of the cathode 312 may be gold or aluminum, the formation material of the P-type semiconductor layer 309 may be rubrene, and the film thickness of the P-type semiconductor layer 309 or the N-type semiconductor layer 310 may be changed. . Further, for example, at least one of a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and an electron injection layer may be deleted from the light emitting element 212. In any case, if a layer formed of the same material is included in the light-emitting element 211 and the photodiode 212, the layer included in the light-emitting element 211 and the layer included in the photodiode 212 are the same type. It can be formed by a process, and if both layers have the same film thickness, they can be formed all at once by the same process.

図4は、画像表示装置1における発光素子211およびフォトダイオード212の配置を示す平面図である。この図には、照明基板210と封止基板214との間に設けられた4本の電源配線(陽極配線401および403と陰極配線402および404)を封止基板214側から眺めて示してある。   FIG. 4 is a plan view showing the arrangement of the light emitting elements 211 and the photodiodes 212 in the image display device 1. In this figure, four power supply wires (anode wires 401 and 403 and cathode wires 402 and 404) provided between the illumination substrate 210 and the sealing substrate 214 are viewed from the sealing substrate 214 side. .

陽極配線401は、総ての発光素子211の陽極301を含む櫛状の配線であり、調光回路107からの電源信号C4(高電位)を各陽極301へ供給する。陰極配線402は、総ての発光素子211の陰極307と接する櫛状の配線であり、接地電位(低電位)を各陰極307へ供給する。陽極配線401と陰極配線402は、櫛の歯が交互に噛み合うように照明基板210上に配置されており、各歯には複数の発光素子211が対応している。   The anode wiring 401 is a comb-like wiring including the anodes 301 of all the light emitting elements 211, and supplies the power supply signal C <b> 4 (high potential) from the dimming circuit 107 to each anode 301. The cathode wiring 402 is a comb-shaped wiring that is in contact with the cathodes 307 of all the light emitting elements 211, and supplies a ground potential (low potential) to each cathode 307. The anode wiring 401 and the cathode wiring 402 are arranged on the illumination substrate 210 so that comb teeth are alternately meshed, and a plurality of light emitting elements 211 correspond to each tooth.

陽極配線403は、総てのフォトダイオード212の陽極308を含む櫛状の配線であり、各陽極308と制御回路105とを接続している。陰極配線404は、総てのフォトダイオード212の陰極312と接する櫛状の配線であり、接地電位(低電位)を各陰極312へ供給する。陽極配線403と陰極配線404は、櫛の歯が交互に噛み合うように照明基板210上に配置されており、各歯には複数のフォトダイオード212が対応している。また、図4から明らかなように、陽極配線401は陰極配線402にも陰極配線404にも重ならず、陽極配線403は陰極配線402にも陰極配線404にも重ならない。つまり、陽極配線および陰極配線は互いに重ならない。これは、製造工程の簡素化に寄与する利点である。   The anode wiring 403 is a comb-like wiring including the anodes 308 of all the photodiodes 212, and connects each anode 308 and the control circuit 105. The cathode wiring 404 is a comb-shaped wiring in contact with the cathodes 312 of all the photodiodes 212 and supplies a ground potential (low potential) to each cathode 312. The anode wiring 403 and the cathode wiring 404 are arranged on the illumination substrate 210 so that the comb teeth are alternately meshed, and a plurality of photodiodes 212 correspond to each tooth. As is clear from FIG. 4, the anode wiring 401 does not overlap the cathode wiring 402 or the cathode wiring 404, and the anode wiring 403 does not overlap the cathode wiring 402 or the cathode wiring 404. That is, the anode wiring and the cathode wiring do not overlap each other. This is an advantage that contributes to simplification of the manufacturing process.

図5は、発光素子211およびフォトダイオード212の電気的な接続関係を示す回路図である。この図を参照して両者の電気的な接続関係を説明するが、ここでは、理解を容易とするために、電極と配線とを別体として取り扱う。図に示すように、総ての陽極301は陽極配線401と、総ての陰極307は陰極配線402と、総ての陽極308は陽極配線403と、総ての陰極312は陰極配線404と電気的に接続されている。つまり、総ての発光素子211は陽極配線401と陰極配線402との間で並列接続されて一つの発光素子として機能し、総てのフォトダイオード212は陽極配線403と陰極配線404との間で並列接続されて一つの光検出素子として機能する。   FIG. 5 is a circuit diagram showing an electrical connection relationship between the light emitting element 211 and the photodiode 212. The electrical connection relationship between the two will be described with reference to this figure. Here, in order to facilitate understanding, the electrode and the wiring are handled separately. As shown in the figure, all the anodes 301 are connected to the anode wiring 401, all the cathodes 307 are connected to the cathode wiring 402, all the anodes 308 are connected to the anode wiring 403, and all the cathodes 312 are connected to the cathode wiring 404. Connected. That is, all the light emitting elements 211 are connected in parallel between the anode wiring 401 and the cathode wiring 402 and function as one light emitting element, and all the photodiodes 212 are connected between the anode wiring 403 and the cathode wiring 404. It is connected in parallel and functions as one photodetecting element.

この光検出素子の出力電流が光量信号DAとして制御回路105へ供給される。制御回路105は、光量信号DAに基づいて制御信号C3を生成する。この生成方法は任意である。例えば、光量信号DAが示す値とフロントライト106の照明光の光量に応じた値との差分に基づいて制御信号C3を生成するようにしてもよいし、光量信号DAのみに基づいて制御信号C3を生成するようにしてもよい。   The output current of the light detection element is supplied to the control circuit 105 as a light quantity signal DA. The control circuit 105 generates a control signal C3 based on the light amount signal DA. This generation method is arbitrary. For example, the control signal C3 may be generated based on the difference between the value indicated by the light amount signal DA and the value corresponding to the light amount of the illumination light of the front light 106, or the control signal C3 based only on the light amount signal DA. May be generated.

図6は、本実施形態の変形例に係るフォトダイオードの配置を示す平面図である。この図に係る画像表示装置は、陰極配線404に代えて陰極配線601を備える。陰極配線601は櫛状の配線であり、陰極配線601と陽極配線403は、櫛の歯が交互に噛み合うように照明基板210上に配置されている。また、陰極配線601の歯の先端は、陽極配線403の歯の根元に沿って折れ曲がっている。この画像表示装置が備えるフォトダイオード、すなわち光検出素子を構成するフォトダイオードは、一つのフォトダイオード602のみである。フォトダイオード602は、陽極配線403上の櫛状の領域に形成されており、この領域は、陰極配線601に接する陰極603に覆われている。この画像表示装置では、フォトダイオード602を流れる電流が光量信号DAとして制御回路105へ供給される。なお、図6から明らかなように、陽極配線403と陰極配線601は互いに重ならない。これは、製造工程の簡素化に寄与する利点である。   FIG. 6 is a plan view showing the arrangement of photodiodes according to a modification of the present embodiment. The image display apparatus according to this figure includes a cathode wiring 601 instead of the cathode wiring 404. The cathode wiring 601 is a comb-like wiring, and the cathode wiring 601 and the anode wiring 403 are arranged on the illumination substrate 210 so that the comb teeth are alternately meshed. Further, the tips of the teeth of the cathode wiring 601 are bent along the roots of the teeth of the anode wiring 403. The photodiode included in the image display device, that is, the photodiode constituting the light detection element is only one photodiode 602. The photodiode 602 is formed in a comb-like region on the anode wiring 403, and this region is covered with a cathode 603 that is in contact with the cathode wiring 601. In this image display device, a current flowing through the photodiode 602 is supplied to the control circuit 105 as a light amount signal DA. As is apparent from FIG. 6, the anode wiring 403 and the cathode wiring 601 do not overlap each other. This is an advantage that contributes to simplification of the manufacturing process.

以上説明したように、画像表示装置1は、透明な照明基板210と、照明基板210に対向する透明な封止基板214と、照明基板210と封止基板214との間に設けられ、照明基板210へ向けて発光する発光素子211と、照明基板210と封止基板214との間に設けられ、封止基板214から入射する光量に応じた大きさの検出信号を出力する光検出素子と、照明基板210に形成され、照明基板210から光検出素子に向けて入射する光を遮光する遮光層213とを備える。また、画像表示装置1では、発光素子を構成するフォトダイオード212が発光素子211とともに照明基板210と封止基板214との間に互いに近接して設けられている。こうした構成を採ることにより、装置サイズを大きくせずに済んでおり、反射型液晶パネル101に入射する外光と同様の光量の外光が光検出素子に入射するという利点も得られる。加えて、画像表示装置1では、遮光層213が照明基板210からフォトダイオード212に向けて入射する光を遮光する。よって、画像表示装置1によれば、対象物へ入射する光量を正確に検出することができる。   As described above, the image display device 1 is provided with the transparent illumination substrate 210, the transparent sealing substrate 214 facing the illumination substrate 210, and the illumination substrate 210 and the sealing substrate 214. A light-emitting element 211 that emits light toward 210, a light-detecting element that is provided between the illumination substrate 210 and the sealing substrate 214, and that outputs a detection signal having a magnitude corresponding to the amount of light incident from the sealing substrate 214; A light shielding layer 213 that is formed on the illumination substrate 210 and shields light incident from the illumination substrate 210 toward the light detection element. Further, in the image display device 1, the photodiode 212 constituting the light emitting element is provided close to each other between the illumination substrate 210 and the sealing substrate 214 together with the light emitting element 211. By adopting such a configuration, it is not necessary to increase the device size, and there is also an advantage that external light having the same amount of light as the external light incident on the reflective liquid crystal panel 101 is incident on the photodetecting element. In addition, in the image display device 1, the light shielding layer 213 shields light incident from the illumination substrate 210 toward the photodiode 212. Therefore, according to the image display device 1, the amount of light incident on the object can be accurately detected.

なお、上述した実施形態では、光検出素子を構成する複数のフォトダイオード212が並列に接続されており、検出信号が電流として与えられ、これらのフォトダイオード212から出力される電流の総和が光量信号DAとしてフロントライト106の外部に出力されるが、これを変形し、光検出素子を構成する複数のフォトダイオード212が直列に接続されており、検出信号が電圧として与えられ、これらのフォトダイオード212から出力される電圧の総和が光量信号DAとしてフロントライト106の外部に出力されるようにしてもよい。   In the above-described embodiment, the plurality of photodiodes 212 constituting the light detection element are connected in parallel, the detection signal is given as a current, and the sum of the currents output from these photodiodes 212 is the light quantity signal. DA is output to the outside of the front light 106, but this is modified, and a plurality of photodiodes 212 constituting a light detection element are connected in series, and a detection signal is given as a voltage. The total sum of the voltages output from may be output to the outside of the front light 106 as the light amount signal DA.

また、上述した実施形態を変形し、フロントライト106が、複数の第1検出線と、複数の第2検出線とを備え、光検出素子を構成する複数のフォトダイオード212が、複数の第1検出線と複数の第2検出線の交差に対応して各々配置されるようにしてもよい。この場合、制御回路105は、光量信号DAが示すm×n個のフォトダイオード212の検出値に基づいて制御信号C3を生成することになる。この生成の好ましい方法としては、これらの検出値の平均値や中央値を算出し、この算出結果に基づいて制御信号C3を生成する方法が挙げられる。   Further, by modifying the above-described embodiment, the front light 106 includes a plurality of first detection lines and a plurality of second detection lines, and the plurality of photodiodes 212 constituting the light detection element include a plurality of first detection lines. You may make it each arrange | position corresponding to the intersection of a detection line and several 2nd detection line. In this case, the control circuit 105 generates the control signal C3 based on the detection values of the m × n photodiodes 212 indicated by the light amount signal DA. As a preferable method of this generation, there is a method of calculating an average value or median value of these detection values and generating the control signal C3 based on the calculation result.

<第2実施形態>
図7は本発明の第2実施形態に係る画像表示装置7の構成を示す図であり、図8はその動作を説明するためのタイミングチャートである。画像表示装置7は、指やペン等の物体Zが触れた位置を特定可能な装置であり、制御回路105に代えて制御回路701を、フロントライト106に代えてフロントライト702を備える。
<Second Embodiment>
FIG. 7 is a diagram showing a configuration of an image display device 7 according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a timing chart for explaining the operation thereof. The image display device 7 is a device that can specify a position touched by an object Z such as a finger or a pen, and includes a control circuit 701 instead of the control circuit 105 and a front light 702 instead of the front light 106.

制御回路701が制御回路105と大きく異なる点は、光量信号DAに代えて信号DBが供給される点と、各フォトダイオードに検出信号を出力させるための制御信号C5およびC6を生成して出力する点である。フロントライト702は、m×n個のフォトダイオード212を有する。これらのフォトダイオード212は、m本の第1検出線703とn本の第2検出線704の交差に対応して、各々配置されている。各フォトダイオード212の陽極308は対応する第2検出線704と電気的に接続されており、陰極312は対応する第1検出線703と電気的に接続されている。なお、第1検出線703と第2検出線704とが交差している部分では、第1検出線703の層と第2検出線704の層との間に絶縁層が介挿されている。   The control circuit 701 is significantly different from the control circuit 105 in that a signal DB is supplied instead of the light amount signal DA, and control signals C5 and C6 for causing each photodiode to output a detection signal are generated and output. Is a point. The front light 702 includes m × n photodiodes 212. These photodiodes 212 are arranged corresponding to the intersections of the m first detection lines 703 and the n second detection lines 704, respectively. The anode 308 of each photodiode 212 is electrically connected to the corresponding second detection line 704, and the cathode 312 is electrically connected to the corresponding first detection line 703. Note that an insulating layer is interposed between the layer of the first detection line 703 and the layer of the second detection line 704 at a portion where the first detection line 703 and the second detection line 704 intersect.

また画像表示装置7は、行方向に延在するm本の第1検出線703と、列方向に延在するn本の第2検出線704と、制御信号C5に基づいてm本の第1検出線703を順次選択するYドライバ(第1選択回路)705と、制御信号C6に基づいてn本の第2検出線704を順次選択するXドライバ(第2選択回路)706とを備える。制御信号C5は、周期が1Yのクロック信号と、m本の第1検出線703を順次選択するための行選択パルスとを含む。このクロック信号のm周期が行選択パルスの一周期となり、このm周期のうちの一周期において行選択パルスがアクティブレベルとなる。制御信号C6は、周期が1Xのクロック信号と、n本の第2検出線704を順次選択するための列選択パルスとを含む。1X=1Y/nである。このクロック信号のn周期が行選択パルスの一周期となり、このn周期のうちの一周期において列選択パルスがアクティブレベルとなる。   In addition, the image display device 7 includes m first detection lines 703 extending in the row direction, n second detection lines 704 extending in the column direction, and m first detection lines based on the control signal C5. A Y driver (first selection circuit) 705 that sequentially selects the detection lines 703 and an X driver (second selection circuit) 706 that sequentially selects n second detection lines 704 based on the control signal C6 are provided. The control signal C5 includes a clock signal having a cycle of 1Y and a row selection pulse for sequentially selecting the m first detection lines 703. The m cycle of the clock signal is one cycle of the row selection pulse, and the row selection pulse becomes an active level in one cycle of the m cycles. The control signal C6 includes a clock signal having a cycle of 1X and a column selection pulse for sequentially selecting the n second detection lines 704. 1X = 1Y / n. The n cycle of the clock signal is one cycle of the row selection pulse, and the column selection pulse is at the active level in one cycle of the n cycles.

Yドライバ705は、制御信号C5が供給されるm段のシフトレジスタ707と、m本の第1検出線703にそれぞれ対応して設けられ、各々が対応する第1検出線703と接地電位(陰極配線402)とを繋ぐm個のスイッチ708とを有する。シフトレジスタ707は、クロック信号に基づいて行選択期間(1Y)毎にシフトを行うものであり、その初段には行選択パルスが入力される。シフトレジスタ707の各段は、各第1検出線703と1対1で対応しており、各スイッチ708は、対応する段からの行選択信号Y1〜Ymに基づいてオン/オフする。   The Y driver 705 is provided corresponding to each of the m-stage shift register 707 to which the control signal C5 is supplied and the m first detection lines 703, and each of the corresponding first detection lines 703 and the ground potential (cathode). M switches 708 connecting the wiring 402). The shift register 707 shifts every row selection period (1Y) based on a clock signal, and a row selection pulse is input to the first stage. Each stage of the shift register 707 has a one-to-one correspondence with each first detection line 703, and each switch 708 is turned on / off based on the row selection signals Y1 to Ym from the corresponding stage.

行選択信号Y1〜Ymは、m本の第1検出線703を順次選択するための信号であり、図8に示すように、1番目の行選択期間(1Y)では行選択信号Y1のみがアクティブレベルとなり、2番目の行選択期間では行選択信号Y2のみがアクティブレベルとなり、…、m番目の行選択期間では行選択信号Ymのみがアクティブレベルとなり、m+1番目の行選択期間では行選択信号Y1のみがアクティブレベルとなる。したがって、図7のm本の第1検出線703は、m個のスイッチ708のオン/オフによって択一的かつ巡回的に選択されることになる。   The row selection signals Y1 to Ym are signals for sequentially selecting the m first detection lines 703. As shown in FIG. 8, only the row selection signal Y1 is active in the first row selection period (1Y). In the second row selection period, only the row selection signal Y2 is active level,..., Only the row selection signal Ym is in the active level in the mth row selection period, and the row selection signal Y1 in the m + 1th row selection period. Only becomes the active level. Therefore, the m first detection lines 703 in FIG. 7 are selected alternatively and cyclically by turning on / off the m switches 708.

Xドライバ706は、制御信号C6が供給されるn段のシフトレジスタ709と、入力信号を増幅して出力する増幅器711と、n本の第2検出線704にそれぞれ対応して設けられ、各々が対応する第2検出線704と増幅器711の入力端とを繋ぐn個のスイッチ710と、クロック信号に基づいて動作するサンプルホールド回路712とを有する。シフトレジスタ709は、クロック信号に基づいて列選択期間(1X)毎にシフトを行うものであり、その初段には列選択パルスが入力される。シフトレジスタ709の各段は、各第2検出線704と1対1で対応しており、各スイッチ710は、対応する段からの列選択信号X1〜Xmに基づいてオン/オフする。   The X driver 706 is provided corresponding to the n-stage shift register 709 to which the control signal C6 is supplied, the amplifier 711 that amplifies and outputs the input signal, and the n second detection lines 704, respectively. It has n switches 710 that connect the corresponding second detection lines 704 and the input ends of the amplifier 711, and a sample and hold circuit 712 that operates based on a clock signal. The shift register 709 performs a shift every column selection period (1X) based on a clock signal, and a column selection pulse is input to the first stage. Each stage of the shift register 709 has a one-to-one correspondence with each second detection line 704, and each switch 710 is turned on / off based on column selection signals X1 to Xm from the corresponding stage.

列選択信号X1〜Xnは、n本の第2検出線704を順次選択するための信号であり、図8に示すように、1番目の列選択期間(1X)では列選択信号X1のみがアクティブレベルとなり、2番目の列選択期間では列選択信号X2のみがアクティブレベルとなり、…、n番目の列選択期間では列選択信号Xnのみがアクティブレベルとなり、n+1番目の列選択期間では列選択信号X1のみがアクティブレベルとなる。したがって、図7のn本の第2検出線704は、n個のスイッチ710のオン/オフによって択一的かつ巡回的に選択されることになる。また、前述したように、1X=1Y/nである。よって、n本の第2検出線704は、各行選択期間(1Y)において、n個のスイッチ710のオン/オフによって順次選択されることになる。   The column selection signals X1 to Xn are signals for sequentially selecting the n second detection lines 704. As shown in FIG. 8, only the column selection signal X1 is active in the first column selection period (1X). In the second column selection period, only the column selection signal X2 becomes active level,..., Only the column selection signal Xn becomes active level in the nth column selection period, and the column selection signal X1 in the n + 1th column selection period. Only becomes the active level. Therefore, the n second detection lines 704 in FIG. 7 are selected alternatively and cyclically by turning on / off the n switches 710. Further, as described above, 1X = 1Y / n. Therefore, the n second detection lines 704 are sequentially selected by turning on / off the n switches 710 in each row selection period (1Y).

こうして、m×n個のフォトダイオード212が順次選択される。選択中のフォトダイオード212は、その陰極312には接地電位が供給され、その陽極308は増幅器711の入力端と電気的に接続されるから、入射する光量に応じた大きさの電流を増幅器711へ供給する。m本の各第2検出線704を流れる電流をそれぞれ検出信号d1〜dnとしたとき、増幅器711の入力端と電気的に接続される第2検出線704は列選択期間毎に切り換わるから、図8に示すように、増幅器711には、検出信号d1〜dnを列選択期間毎に並べた信号dが供給される。   In this way, m × n photodiodes 212 are sequentially selected. In the selected photodiode 212, a ground potential is supplied to the cathode 312 and the anode 308 is electrically connected to the input terminal of the amplifier 711. Therefore, a current having a magnitude corresponding to the amount of incident light is supplied to the amplifier 711. To supply. When the currents flowing through the m second detection lines 704 are the detection signals d1 to dn, respectively, the second detection line 704 electrically connected to the input terminal of the amplifier 711 is switched every column selection period. As shown in FIG. 8, the amplifier 711 is supplied with a signal d in which the detection signals d1 to dn are arranged for each column selection period.

信号dは増幅器711で増幅されてサンプルホールド回路712へ供給される。サンプルホールド回路712は、容量素子を有し、この容量素子に、信号dに応じた電荷を蓄積し、この容量素子に保持されている電圧をサンプリング期間(T)毎にサンプリングし、最後にサンプリングした電圧を示す信号DBを出力し続ける。T=1Xであるが、容量素子の保持電圧が安定してからサンプリングが行われるようにするために、サンプリングが行われる時点t1,t2,…は、いずれも、列選択期間の終了直前となるように定められている。なお、Xドライバ706にA/D変換器を持たせ、サンプルホールド回路712の出力信号をA/D変換したものを信号DBとしてもよい。   The signal d is amplified by the amplifier 711 and supplied to the sample and hold circuit 712. The sample hold circuit 712 has a capacitive element, accumulates electric charge corresponding to the signal d in the capacitive element, samples the voltage held in the capacitive element every sampling period (T), and finally samples. The signal DB indicating the measured voltage is continuously output. Although T = 1X, sampling is performed at times t1, t2,... Immediately before the end of the column selection period in order to perform sampling after the holding voltage of the capacitive element is stabilized. It is prescribed as follows. The X driver 706 may be provided with an A / D converter, and the output signal of the sample hold circuit 712 may be A / D converted as the signal DB.

制御回路701は、封止基板214に物体Zが触れた位置を信号DBに基づいて特定する特定手段として機能する。この特定の方法は任意である。例えば、予め定められた閾値と比較して信号DBを二値化(ビット化)し、m行n列のマトリクスにわたるビットパターンに基づいて、一または複数の位置を物体の接触位置として特定するようにしてもよい。なお、本実施の形態を変形し、制御回路701が、物体の接触位置ではなく、物体との接触の有無を検出するようにしてもよい。   The control circuit 701 functions as a specifying unit that specifies the position where the object Z touches the sealing substrate 214 based on the signal DB. This particular method is arbitrary. For example, the signal DB is binarized (bited) in comparison with a predetermined threshold value, and one or a plurality of positions are specified as the contact position of the object based on a bit pattern over a matrix of m rows and n columns. It may be. Note that the present embodiment may be modified so that the control circuit 701 detects the presence or absence of contact with an object instead of the contact position of the object.

なお、制御回路701は、制御回路105と同様に、総ての発光素子211の発光量を制御するための制御信号C3を生成する。ただし、本実施形態では、信号DBが示すm×n個のフォトダイオード212の検出値の平均値を算出し、この算出結果に基づいて制御信号C3が生成される。もちろん、これを変形し、信号DBが示すm×n個のフォトダイオード212の検出値の中央値を算出し、この算出結果に基づいて制御信号C3を生成するようにしてもよい。また、各発光素子211の発光量を制御しないようにしてもよい。この場合には、制御信号C3の生成が不要となり、調光回路107に代えて固定電源を用いることができる。   Note that, similarly to the control circuit 105, the control circuit 701 generates a control signal C3 for controlling the light emission amounts of all the light emitting elements 211. However, in the present embodiment, the average value of the detection values of the m × n photodiodes 212 indicated by the signal DB is calculated, and the control signal C3 is generated based on the calculation result. Of course, this may be modified to calculate the median of the detection values of the m × n photodiodes 212 indicated by the signal DB, and the control signal C3 may be generated based on the calculation result. Further, the light emission amount of each light emitting element 211 may not be controlled. In this case, the generation of the control signal C3 becomes unnecessary, and a fixed power source can be used in place of the dimming circuit 107.

<他の変形例>
上述した各実施形態では、発光素子211の陽極301とフォトダイオード212の陽極308とが同一材料で形成されているが、両者を互いに異なる材料で形成してもよい。このことは、発光素子211の正孔注入層302とフォトダイオード212のP型半導体層309との間にもあてはまり、発光素子211の陰極307とフォトダイオード212の陰極312との間にもあてはまる。
<Other variations>
In each of the above-described embodiments, the anode 301 of the light emitting element 211 and the anode 308 of the photodiode 212 are formed of the same material, but they may be formed of different materials. This also applies between the hole injection layer 302 of the light emitting element 211 and the P-type semiconductor layer 309 of the photodiode 212, and also applies between the cathode 307 of the light emitting element 211 and the cathode 312 of the photodiode 212.

また、上述した各実施形態では、照明装置が照らす対象が反射型液晶装置に限定されているが、これを変形し、照明装置が他の対象物を照らすようにしてもよい。他の対象物としては、反射型液晶表示装置以外の反射型の表示装置や、数値を針で指し示すアナログメーター等の計器、紙のポスター等の掲示物を例示可能である。また、液晶素子として、液晶の厚み方向に電圧が印加される液晶素子以外の液晶素子(当該方向とは異なる方向に電圧が印加される液晶素子)を採用してもよい。また、発光素子として、有機EL素子以外の発光素子(例えばLED(Light Emitting Diode)やLD(Laser Diode))を採用してもよい。また、陰極310を封止基板214側に配置せずに済むのであれば、陰極310を光透過率の低い不透明材料で形成してもよい。   Moreover, in each embodiment mentioned above, although the object which a illuminating device illuminates is limited to a reflection type liquid crystal device, this may be deform | transformed and an illuminating device may illuminate another target object. Examples of other objects include a reflective display device other than the reflective liquid crystal display device, an instrument such as an analog meter that indicates a numerical value with a needle, and a post such as a paper poster. Further, as the liquid crystal element, a liquid crystal element other than a liquid crystal element in which a voltage is applied in the thickness direction of the liquid crystal (a liquid crystal element in which a voltage is applied in a direction different from the direction) may be employed. Moreover, you may employ | adopt light emitting elements (for example, LED (Light Emitting Diode) and LD (Laser Diode)) other than an organic EL element as a light emitting element. Alternatively, the cathode 310 may be formed using an opaque material with low light transmittance as long as the cathode 310 does not have to be disposed on the sealing substrate 214 side.

<応用例>
次に、本発明に係る表示装置を利用した電子機器について説明する。この説明では、本発明の実施形態またはその変形例に係る画像表示装置を「画像表示装置8」と記す。図9は、画像表示装置8を表示部として採用したモバイル型のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピューター2000は、表示部としての画像表示装置8と本体部2010とを備える。本体部2010には、電源スイッチ2001およびキーボード2002が設けられている。
図10に、画像表示装置8を適用した携帯電話機の構成を示す。携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001およびスクロールボタン3002、ならびに表示部としての画像表示装置8を備える。スクロールボタン3002を操作することによって、画像表示装置8に表示される画面がスクロールされる。
図11に、画像表示装置8を適用した携帯情報端末(PDA:Personal Digital Assistants)の構成を示す。携帯情報端末4000は、複数の操作ボタン4001および電源スイッチ4002、ならびに表示部としての画像表示装置8を備える。
なお、本発明に係る画像表示装置が適用される電子機器としては、図9から図11に示したもののほか、テレビ、デジタルスチルカメラ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、複写機、ビデオプレーヤーなどが挙げられる。
<Application example>
Next, an electronic apparatus using the display device according to the present invention will be described. In this description, an image display device according to an embodiment of the present invention or a modification thereof is referred to as “image display device 8”. FIG. 9 is a perspective view showing a configuration of a mobile personal computer adopting the image display device 8 as a display unit. The personal computer 2000 includes an image display device 8 as a display unit and a main body 2010. The main body 2010 is provided with a power switch 2001 and a keyboard 2002.
FIG. 10 shows a configuration of a mobile phone to which the image display device 8 is applied. The cellular phone 3000 includes a plurality of operation buttons 3001, scroll buttons 3002, and an image display device 8 as a display unit. By operating the scroll button 3002, the screen displayed on the image display device 8 is scrolled.
FIG. 11 shows a configuration of a personal digital assistant (PDA) to which the image display device 8 is applied. The portable information terminal 4000 includes a plurality of operation buttons 4001, a power switch 4002, and an image display device 8 as a display unit.
The electronic apparatus to which the image display device according to the present invention is applied includes, in addition to those shown in FIGS. 9 to 11, a television, a digital still camera, a video camera, a car navigation device, an electronic notebook, electronic paper, a calculator, Examples include word processors, workstations, videophones, copiers, and video players.

1,7……画像表示装置、101……反射型液晶パネル、105,701……制御回路、106,702……フロントライト、107……調光回路、210……照明基板(第2基板)、211……発光素子、212,602……フォトダイオード、213……遮光層、214……封止基板(第1基板)、301,308……陽極、302……正孔注入層、307,312,603……陰極、309……P型半導体層、703……第1検出線、704……第2検出線、705……Yドライバ、706……Xドライバ、2000……パーソナルコンピューター(電子機器)、3000……携帯電話機(電子機器)、4000……携帯情報端末(電子機器)、d1〜dn……検出信号、DA……光量信号、FS……表示面。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,7 ... Image display apparatus, 101 ... Reflective type liquid crystal panel, 105,701 ... Control circuit, 106,702 ... Front light, 107 ... Dimming circuit, 210 ... Lighting board (second board) , 211... Light emitting element, 212, 602... Photodiode, 213... Light shielding layer, 214... Sealing substrate (first substrate), 301, 308. 312, 603... Cathode, 309... P-type semiconductor layer, 703... First detection line, 704... Second detection line, 705... Y driver, 706. Equipment), 3000 ... cellular phone (electronic equipment), 4000 ... portable information terminal (electronic equipment), d1 to dn ... detection signal, DA ... light quantity signal, FS ... display surface.

Claims (13)

透明な第1基板と、
前記第1基板に対向する透明な第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に設けられ、前記第2基板へ向けて発光する発光素子と、
前記第1基板と前記第2基板との間に設けられ、前記第1基板から入射する光量に応じた大きさの検出信号を出力する光検出素子と、
前記第2基板に形成され、前記第2基板から前記光検出素子に向けて入射する光を遮光する第1遮光層と、
を備えた照明装置。
A transparent first substrate;
A transparent second substrate facing the first substrate;
A light emitting element provided between the first substrate and the second substrate and emitting light toward the second substrate;
A photodetecting element that is provided between the first substrate and the second substrate and outputs a detection signal having a magnitude corresponding to the amount of light incident from the first substrate;
A first light shielding layer that is formed on the second substrate and shields light incident from the second substrate toward the light detection element;
A lighting device comprising:
前記発光素子は陰極と陽極とを備え、
前記光検出素子は陰極と陽極とを備え、
前記発光素子は前記第2基板の上に形成され、
前記光検出素子は前記第1遮光層の上に形成され、
前記発光素子の陰極と前記光検出素子の陰極とは同一の材料で形成される、
ことを特徴とする請求項1に記載の照明装置。
The light emitting device includes a cathode and an anode,
The photodetecting element comprises a cathode and an anode,
The light emitting device is formed on the second substrate;
The photodetecting element is formed on the first light shielding layer,
The cathode of the light emitting element and the cathode of the light detection element are formed of the same material.
The lighting device according to claim 1.
前記光検出素子の陰極は透明であることを特徴とする請求項2に記載の照明装置。   The lighting device according to claim 2, wherein a cathode of the light detection element is transparent. 前記発光素子は前記第2基板上に形成され、
前記発光素子に対応する前記第1基板上の領域に前記発光素子からの光を遮光する第2遮光層が形成され、
前記第2遮光層の前記第2基板と対向する面に前記発光素子からの光を反射する反射材を用いる、
ことを特徴とする請求項3に記載の照明装置。
The light emitting device is formed on the second substrate;
A second light shielding layer for shielding light from the light emitting element is formed in a region on the first substrate corresponding to the light emitting element;
A reflective material that reflects light from the light emitting element is used on a surface of the second light shielding layer that faces the second substrate.
The lighting device according to claim 3.
前記発光素子は有機EL素子で構成され、
前記有機EL素子は、正孔注入層を備え、
前記光検出素子は、P型の半導体層と、N型の半導体層とを備え、
前記正孔注入層と前記P型の半導体層とは同一の材料で形成される、
ことを特徴とする請求項2乃至4のうちいずれか1項に記載の照明装置。
The light emitting element is composed of an organic EL element,
The organic EL element includes a hole injection layer,
The photodetecting element includes a P-type semiconductor layer and an N-type semiconductor layer,
The hole injection layer and the P-type semiconductor layer are formed of the same material.
The lighting device according to claim 2, wherein the lighting device is a light source.
前記光検出素子は、複数のフォトダイオードで構成され、
前記複数のフォトダイオードは直列に接続され、
前記検出信号は電圧として与えられ、
直列に接続された複数の前記フォトダイオードから出力される電圧の総和を、当該照明装置に入射する光量に応じた大きさを示す光量信号として外部に出力する、
ことを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載の照明装置。
The photodetecting element is composed of a plurality of photodiodes,
The plurality of photodiodes are connected in series,
The detection signal is given as a voltage;
The sum of the voltages output from the plurality of photodiodes connected in series is output to the outside as a light amount signal indicating a magnitude corresponding to the amount of light incident on the illumination device.
The lighting device according to any one of claims 1 to 5, wherein:
前記光検出素子は、複数のフォトダイオードで構成され、
前記複数のフォトダイオードは並列に接続され、
前記検出信号は電流として与えられ、
並列に接続された複数の前記フォトダイオードから出力される電流の総和を、当該照明装置に入射する光量に応じた大きさを示す光量信号として外部に出力する、
ことを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載の照明装置。
The photodetecting element is composed of a plurality of photodiodes,
The plurality of photodiodes are connected in parallel,
The detection signal is given as a current,
The total sum of currents output from the plurality of photodiodes connected in parallel is output to the outside as a light amount signal indicating a magnitude corresponding to the amount of light incident on the illumination device.
The lighting device according to any one of claims 1 to 5, wherein:
複数の第1検出線と、
複数の第2検出線とを備え、
前記光検出素子は、複数のフォトダイオードで構成され、
前記複数のフォトダイオードは、前記複数の第1検出線と前記複数の第2検出線の交差に対応して、各々配置される、
ことを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載の照明装置。
A plurality of first detection lines;
A plurality of second detection lines,
The photodetecting element is composed of a plurality of photodiodes,
The plurality of photodiodes are respectively arranged corresponding to intersections of the plurality of first detection lines and the plurality of second detection lines.
The lighting device according to any one of claims 1 to 5, wherein:
請求項1乃至8のうちいずれか1項に記載の照明装置と、
当該照明装置の前記第2基板に表示面が接する表示装置とを、
備えたことを特徴とする画像表示装置。
The lighting device according to any one of claims 1 to 8,
A display device having a display surface in contact with the second substrate of the illumination device;
An image display device comprising:
前記表示装置は反射型液晶装置であることを特徴とする請求項9に記載の画像表示装置。   The image display device according to claim 9, wherein the display device is a reflective liquid crystal device. 前記照明装置の前記光検出素子によって検出された前記検出信号に基づいて、前記発光素子の発光量を調整する調整手段を備えることを特徴とする請求項9または10に記載の画像表示装置。   The image display device according to claim 9, further comprising an adjusting unit that adjusts a light emission amount of the light emitting element based on the detection signal detected by the light detection element of the illumination device. 請求項8に記載の照明装置と、
前記複数の第1検出線を順次選択する第1選択回路と、
前記複数の第2検出線を順次選択する第2選択回路と、
前記第1選択回路によって選択された第1検出線と、前記第2選択回路によって選択された第2検出線との交差に対応した前記フォトダイオードから出力される前記検出信号に基づいて、前記照明装置の前記第1基板に物体が触れた位置を特定する特定手段と、
当該照明装置の前記第2基板に表示面が接する表示装置とを、
備えたことを特徴とする画像表示装置。
A lighting device according to claim 8;
A first selection circuit for sequentially selecting the plurality of first detection lines;
A second selection circuit for sequentially selecting the plurality of second detection lines;
The illumination based on the detection signal output from the photodiode corresponding to the intersection of the first detection line selected by the first selection circuit and the second detection line selected by the second selection circuit. Specifying means for specifying a position where an object touches the first substrate of the apparatus;
A display device having a display surface in contact with the second substrate of the illumination device;
An image display device comprising:
請求項9乃至12のうちいずれか1項に記載の画像表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。
An electronic apparatus comprising the image display device according to claim 9.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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