JP2010248586A - Diamond coating structure and method for manufacturing the same - Google Patents
Diamond coating structure and method for manufacturing the same Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010248586A JP2010248586A JP2009100462A JP2009100462A JP2010248586A JP 2010248586 A JP2010248586 A JP 2010248586A JP 2009100462 A JP2009100462 A JP 2009100462A JP 2009100462 A JP2009100462 A JP 2009100462A JP 2010248586 A JP2010248586 A JP 2010248586A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diamond
- porous substrate
- coated
- nanodiamond particles
- diamond coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Insulating Bodies (AREA)
Abstract
Description
本発明はダイヤモンド被覆構造体及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a diamond-coated structure and a method for producing the same.
ダイヤモンドは硬度、弾性率が地球上の物質の中で最も大きいため、多孔性基材をダイヤモンドで被覆した構造体は、硬度及び弾性率が大きいものであることが期待できる。 Since diamond has the largest hardness and elastic modulus among the substances on the earth, a structure in which a porous substrate is coated with diamond can be expected to have a high hardness and elastic modulus.
また、ダイヤモンドは熱伝導性、絶縁性にも優れているため、多孔性基材をダイヤモンドで被覆した構造体は、放熱材料又は電気絶縁材料としての応用が期待できる。 Further, since diamond is excellent in thermal conductivity and insulation, a structure in which a porous substrate is coated with diamond can be expected to be applied as a heat dissipation material or an electrical insulation material.
このようなダイヤモンドによって被覆する方法として、「形のある物品の上へのダイヤモンドの化学蒸着のための方法であって、(a)液体中の研磨粉末(ダイヤモンド粉末、粒径:約0.25〜1μm)の懸濁液中に該形のある物品を配置すること[ここで、該粉末の材料は該形のある物品の材料の硬さよりも大きい硬さを有する]、(b)該形のある物品の表面が研磨されたようになるのに十分な時間の間、該形のある物品を含む該懸濁液を撹拌すること、(c)該形のある物品を該懸濁液から取り出しそして該形のある物品を乾燥すること、及び(d)該化学蒸着によって該形のある物品の上に該ダイヤモンドを蒸着させることのステップを含んで成る方法。」が知られている(特許文献1)。実際、特許文献1においては、0.25μmのダイヤモンドペーストの懸濁液を使用し、CVD法によりグラファイト繊維又は炭化ケイ素繊維をダイヤモンドで被覆したことを開示している。 As a method for coating with such a diamond, “a method for chemical vapor deposition of diamond on a shaped article, (a) polishing powder in liquid (diamond powder, particle size: about 0.25 Placing the shaped article in a suspension of ˜1 μm, wherein the powder material has a hardness greater than that of the shaped article material, (b) the shaped Agitating the suspension containing the shaped article for a time sufficient for the surface of the shaped article to become polished; (c) removing the shaped article from the suspension; A method comprising the steps of: removing and drying the shaped article; and (d) depositing the diamond on the shaped article by chemical vapor deposition. Reference 1). In fact, Patent Document 1 discloses that a suspension of a 0.25 μm diamond paste was used, and graphite fibers or silicon carbide fibers were coated with diamond by a CVD method.
しかしながら、特許文献1に開示の方法によりグラファイト繊維等の基材表面を被覆しようとしても、ダイヤモンド粉末と基材表面との間にボイドが発生しやすいため、所望の電気絶縁性能を得ることができなかった。また、特許文献1に開示の方法により基材表面に連続的な皮膜を形成するのが困難であるため、十分な放熱性能を得ることが困難であった。なお、連続的な皮膜を形成するために、CVD法による蒸着時間を長くすることはできるが、この場合にはダイヤモンド被覆構造体の生産性が悪くなる。 However, even if an attempt is made to cover the surface of a substrate such as graphite fiber by the method disclosed in Patent Document 1, voids are likely to occur between the diamond powder and the surface of the substrate, so that a desired electrical insulation performance can be obtained. There wasn't. Moreover, since it is difficult to form a continuous film on the substrate surface by the method disclosed in Patent Document 1, it has been difficult to obtain sufficient heat dissipation performance. In order to form a continuous film, the deposition time by the CVD method can be increased, but in this case, the productivity of the diamond-coated structure is deteriorated.
本発明は上述の問題点を解決するためになしたものであり、ダイヤモンド皮膜と多孔性基材表面との間にボイドがないか、極めて少なく、また、多孔性基材表面にダイヤモンドの連続的な皮膜が形成された、生産性良く製造できるダイヤモンド被覆構造体、及びその製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and there is no or very little void between the diamond coating and the porous substrate surface, and the continuous surface of diamond on the porous substrate surface. An object of the present invention is to provide a diamond-coated structure that can be manufactured with high productivity and a manufacturing method thereof.
本発明の請求項1にかかる発明は、「多孔性基材が、一次粒子径が1〜20nmのナノダイヤモンド粒子を核として成長したダイヤモンド皮膜によって被覆されているダイヤモンド被覆構造体。」である。 The invention according to claim 1 of the present invention is “a diamond-coated structure in which a porous substrate is coated with a diamond film grown using nanodiamond particles having a primary particle diameter of 1 to 20 nm as a nucleus”.
本発明の請求項2にかかる発明は、「構造体の表面粗さが50nm以下である、請求項1に記載のダイヤモンド被覆構造体。」である。
The invention according to
本発明の請求項3にかかる発明は、「多孔性基材が直径10μm以下の繊維からなる繊維シートである、請求項1又は請求項2に記載のダイヤモンド被覆構造体。」である。
The invention according to claim 3 of the present invention is “the diamond-coated structure according to
本発明の請求項4にかかる発明は、「(1)一次粒子径が1〜20nmのナノダイヤモンド粒子を主体とする分散溶液を調製する工程、(2)前記分散溶液を多孔性基材に付与し、多孔性基材にナノダイヤモンド粒子を付着させる工程、(3)前記ナノダイヤモンド粒子を核として成長させ、多孔性基材をダイヤモンド皮膜によって被覆する工程、とを含む、ダイヤモンド被覆構造体の製造方法。」である。 The invention according to claim 4 of the present invention includes: (1) a step of preparing a dispersion solution mainly composed of nanodiamond particles having a primary particle diameter of 1 to 20 nm, and (2) applying the dispersion solution to a porous substrate. And (3) growing the nanodiamond particles as nuclei and coating the porous substrate with a diamond film, thereby producing a diamond-coated structure. Method. "
本発明の請求項1にかかる発明は、成長核となるナノダイヤモンド粒子の一次粒子径が1〜20nmと非常に小さいことによって、ダイヤモンド皮膜が成長した場合に多孔性基材との間にボイドが発生しにくいこと、ナノダイヤモンド粒子の一次粒子径が非常に小さいことによって、多孔性基材上に付着できるナノダイヤモンド粒子数が非常に多く、その密度を高めることができる結果、生産性良く、連続的なダイヤモンド皮膜を形成できることを見出したものである。 In the invention according to claim 1 of the present invention, when the primary particle diameter of the nanodiamond particles serving as the growth nucleus is as very small as 1 to 20 nm, voids are formed between the porous base material and the diamond film when grown. It is difficult to generate, and the primary particle size of nanodiamond particles is very small, so that the number of nanodiamond particles that can adhere to the porous substrate is very large and the density can be increased. It has been found that a typical diamond film can be formed.
本発明の請求項2にかかる発明は、構造体の表面粗さが50nm以下と非常に平滑であるため、ダイヤモンド皮膜量が少なく、生産性良く製造できたものである。つまり、一次粒子径が1〜20nmのナノダイヤモンド粒子を核としているため、表面粗さが50nmを超えるということは、ダイヤモンド皮膜を構成するグレインの粗大化が進み、緻密なダイヤモンド皮膜が形成されていないことを意味するため、構造体の表面粗さが50nm以下であると、必要最低限の量の緻密なダイヤモンド皮膜で被覆された、生産性良く製造されたダイヤモンド被覆構造体である。
In the invention according to
本発明の請求項3にかかる発明は、多孔性基材が直径10μm以下の繊維からなる繊維シートであるため、ダイヤモンドの特性を十分に発揮できるものである。つまり、直径10μm以下の繊維は表面積が非常に広く、この繊維を被覆したダイヤモンド皮膜の表面積も非常に広いため、ダイヤモンドの特性を十分に発揮できるものである。 In the invention according to claim 3 of the present invention, since the porous substrate is a fiber sheet made of fibers having a diameter of 10 μm or less, the characteristics of diamond can be sufficiently exhibited. That is, the fiber having a diameter of 10 μm or less has a very large surface area, and the surface area of the diamond film coated with this fiber is also very large, so that the characteristics of diamond can be sufficiently exhibited.
本発明の請求項4にかかる発明は、一次粒子径が1〜20nmのナノダイヤモンド粒子を主体とする分散溶液を使用しているため、請求項1のダイヤモンド被覆構造体を製造できる。 Since the invention according to claim 4 of the present invention uses a dispersion solution mainly composed of nanodiamond particles having a primary particle diameter of 1 to 20 nm, the diamond-coated structure according to claim 1 can be produced.
本発明のダイヤモンド被覆構造体(以下、単に「被覆構造体」と表記することがある)は、一次粒子径が1〜20nmのナノダイヤモンド粒子を核として使用している点に、特に特徴がある。このような非常に細かいナノダイヤモンド粒子を核とすることによって、ダイヤモンド皮膜が成長した場合に多孔性基材との間にボイドが発生しにくく、また、多孔性基材に付着できるナノダイヤモンド粒子数が非常に多く、しかも高い密度で多孔性基材上に付着できることから、生産性良く、連続的なダイヤモンド皮膜を形成できる。 The diamond-coated structure of the present invention (hereinafter sometimes simply referred to as “coated structure”) is particularly characterized in that nanodiamond particles having a primary particle diameter of 1 to 20 nm are used as nuclei. . By using such very fine nanodiamond particles as the core, when the diamond film grows, it is difficult for voids to form between the porous substrate and the number of nanodiamond particles that can adhere to the porous substrate. Since it can be deposited on a porous substrate at a high density, a continuous diamond film can be formed with high productivity.
ナノダイヤモンド粒子は前述のような作用を奏するように、一次粒子径は1〜20nmであるが、より前記作用を奏するように、一次粒子径は1〜10nmであるのが好ましく、2〜7nmであるのがより好ましく、3〜5nmであるのが更に好ましい。なお、「一次粒子径」はナノダイヤモンド粒子の大きさのことをいい、濃度が2mass%のナノダイヤモンド粒子の分散溶液を、濃厚系粒径アナライザーFPAR−1000(大塚電子株式会社製)を用い、動的光散乱による粒度分布測定により得られる値をいう。 The nanodiamond particles have a primary particle diameter of 1 to 20 nm so as to exhibit the above-described action, but preferably have a primary particle diameter of 1 to 10 nm so as to exhibit the above-described action. More preferably, it is 3 to 5 nm. The “primary particle diameter” refers to the size of the nanodiamond particles, and a dispersion solution of nanodiamond particles having a concentration of 2 mass% is used with a concentrated particle size analyzer FPAR-1000 (manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.) The value obtained by measuring the particle size distribution by dynamic light scattering.
このようなナノダイヤモンド粒子は、例えば、爆発法により製造したナノダイヤモンド粗凝膠体を、セラミックビーズ又は金属ビーズを用いる高速回転湿式ミリングによって解砕する方法によって得ることができる。 Such nanodiamond particles can be obtained, for example, by a method in which nanodiamond coarse agglomerates produced by an explosion method are crushed by high-speed rotary wet milling using ceramic beads or metal beads.
本発明の被覆構造体は多孔性基材がダイヤモンド皮膜によって被覆されたものであるが、ダイヤモンド皮膜は前述のようなナノダイヤモンド粒子を核として成長したものである。その成長は、例えば、CVD法により成長することができる。なお、CVD法としては、熱フィラメント法、プラズマ法(例えば、直流、高周波、マイクロ波など)、電子サイクロトロン共鳴プラズマ法などを例示できる。 The coated structure of the present invention is a porous base material coated with a diamond film, and the diamond film is grown using nanodiamond particles as a nucleus as described above. The growth can be performed, for example, by a CVD method. Examples of the CVD method include a hot filament method, a plasma method (eg, direct current, high frequency, microwave, etc.), an electron cyclotron resonance plasma method, and the like.
本発明の被覆構造体を構成する基材は多孔性であるため、ダイヤモンドの性能を十分に発揮することができる。つまり、基材が多孔性であることによって多孔性基材の表面積は広く、これをダイヤモンド皮膜で被覆した被覆構造体はダイヤモンド皮膜の表面積が広いため、ダイヤモンドの性能を十分に発揮することができる。この多孔性基材としては特に限定するものではないが、例えば、織物、編物、不織布などの繊維シート、発泡体、多孔フィルムなどを挙げることができる。これらの中でも表面積の広い繊維シートが好適であり、この繊維シートが直径10μm以下の繊維からなると、繊維の表面積が広いことによってダイヤモンド皮膜の表面積も広くなるためより好適であり、繊維シートが不織布であると、繊維間に適度な空隙があり、有効に繊維表面のダイヤモンド皮膜を利用できるため、更に好適である。なお、繊維直径は小さい方がより表面積が広くなるため、5μm以下であるのがより好ましく、2μm以下であるのが更に好ましく、1μm以下であるのが更に好ましい。なお、繊維直径の下限は特に限定するものではないが、取り扱い性の点から10nm以上であるのが好ましい。なお、繊維シートを構成する繊維はダイヤモンド皮膜による性能(例えば、熱伝導性)に優れるように、L/D[=長さ(単位:μm)/繊維直径(単位:μm)]が100以上の長繊維であるのが好ましい。したがって、直径2μm以下の長繊維からなる不織布であるのが好ましく、直径1μm以下の長繊維からなる不織布であるのが最も好ましい。なお、このような直径2μm以下の長繊維からなる不織布は、例えば、静電紡糸法、紡糸液に対してガスを作用させ、ガスの剪断力によって紡糸液を延伸し、繊維化する方法により製造することができる。本発明における「繊維直径」は繊維の横断面形状が円形である場合にはその直径を意味し、横断面形状が非円形である場合には横断面積と同じ面積を有する円の直径を意味する。 Since the base material constituting the coating structure of the present invention is porous, the diamond performance can be sufficiently exhibited. In other words, the porous base material has a large surface area due to the porous base material, and the coated structure coated with the diamond film has a large surface area of the diamond film. . The porous substrate is not particularly limited, and examples thereof include fiber sheets such as woven fabrics, knitted fabrics, and nonwoven fabrics, foams, and porous films. Among these, a fiber sheet having a large surface area is preferable. If the fiber sheet is made of fibers having a diameter of 10 μm or less, the surface area of the diamond film is increased due to the large surface area of the fiber, and the fiber sheet is a non-woven fabric. If there is, there is an appropriate gap between the fibers, and a diamond film on the fiber surface can be used effectively, which is more preferable. In addition, since the surface area becomes wider as the fiber diameter is smaller, it is more preferably 5 μm or less, further preferably 2 μm or less, and further preferably 1 μm or less. In addition, although the minimum of a fiber diameter is not specifically limited, It is preferable that it is 10 nm or more from the point of handleability. In addition, L / D [= length (unit: μm) / fiber diameter (unit: μm)] is 100 or more so that the fibers constituting the fiber sheet are excellent in performance (for example, thermal conductivity) by the diamond film. Long fibers are preferred. Therefore, a nonwoven fabric made of long fibers having a diameter of 2 μm or less is preferred, and a nonwoven fabric made of long fibers having a diameter of 1 μm or less is most preferred. Such a nonwoven fabric composed of long fibers having a diameter of 2 μm or less is manufactured by, for example, an electrostatic spinning method, a method in which a gas is applied to a spinning solution, and the spinning solution is stretched by a shearing force of the gas to be fiberized. can do. In the present invention, “fiber diameter” means the diameter when the cross-sectional shape of the fiber is circular, and means the diameter of a circle having the same area as the cross-sectional area when the cross-sectional shape is non-circular. .
本発明の被覆構造体は表面粗さが50nm以下である程度に平滑であるのが好ましい。本発明においては、一次粒子径が1〜20nmのナノダイヤモンド粒子を核としているため、表面粗さが50nmを超えるということは、ダイヤモンド皮膜を構成するグレインの粗大化が進み、緻密なダイヤモンド皮膜が形成されていないことを意味するが、構造体の表面粗さが50nm以下であると、必要最低限の量の緻密なダイヤモンド皮膜で被覆された、生産性良く製造されたダイヤモンド被覆構造体である。より好ましい表面粗さは20nm以下であり、更に好ましくは10nm以下である。表面粗さの下限は特に限定するものではないが、ナノダイヤモンド粒子の一次粒子径が1〜20nmであることから、1nm以上である。本発明の表面粗さ(Sa)は、原子間力顕微鏡(Nano−R:Pacific nanotechnology社製)を用いて、ノンコンタクトモードで、ダイヤモンド被覆構造体の200nm×200nmエリアを、Siプローブ(ナノワールド社製)を使用して測定した平均粗さをいう。なお、ダイヤモンド被覆構造体が傾いていたり、曲率を有する場合には、レベリングを行い、ダイヤモンド被覆構造体の表面を水平面に補正した後に平均粗さを測定する。 The coated structure of the present invention preferably has a surface roughness of 50 nm or less and is smooth to some extent. In the present invention, since nano-diamond particles having a primary particle diameter of 1 to 20 nm are used as the core, the surface roughness exceeding 50 nm means that the grains constituting the diamond film are coarsened, and a dense diamond film is formed. This means that it is not formed, but if the surface roughness of the structure is 50 nm or less, it is a diamond-coated structure manufactured with high productivity and coated with a minimum amount of a dense diamond film. . More preferable surface roughness is 20 nm or less, and further preferably 10 nm or less. Although the minimum of surface roughness is not specifically limited, Since the primary particle diameter of a nano diamond particle is 1-20 nm, it is 1 nm or more. The surface roughness (Sa) of the present invention was measured using an atomic force microscope (Nano-R: manufactured by Pacific nanotechnology) in a non-contact mode in a 200 nm × 200 nm area of a diamond-coated structure with a Si probe (nanoworld). Means the average roughness measured using When the diamond covering structure is inclined or has a curvature, leveling is performed, and the average roughness is measured after correcting the surface of the diamond covering structure to a horizontal plane.
このような本発明の被覆構造体は、例えば、次のような方法により製造することができる。 Such a covering structure of the present invention can be manufactured, for example, by the following method.
まず、(1)一次粒子径が1〜20nmのナノダイヤモンド粒子を主体とする分散溶液を調製する工程を実施する。このような分散溶液は、例えば、爆発法により製造したナノダイヤモンド粗凝膠体を、セラミックビーズ又は金属ビーズを用いる高速回転湿式ミリングによって解砕する方法によって得ることができる。なお、「主体とする」とは一次粒子径が1〜20nmであるダイヤモンド粒子を90mass%以上含むことを意味する。一次粒子径が1〜20nmであるダイヤモンド粒子が多ければ多いほど、ダイヤモンド皮膜が成長した場合に多孔性基材との間にボイドが発生しにくく、また、ダイヤモンド粒子が高い密度で多孔性基材上に付着でき、均一な厚さのダイヤモンド皮膜を形成できるため、95mass%以上であるのが好ましく、98mass%以上であるのがより好ましく、99.9mass%以上であるのが更に好ましい。 First, (1) a step of preparing a dispersion solution mainly composed of nanodiamond particles having a primary particle diameter of 1 to 20 nm is performed. Such a dispersion solution can be obtained, for example, by a method of crushing nano-diamond coarse agglomerates produced by an explosion method by high-speed rotary wet milling using ceramic beads or metal beads. Note that “mainly” means that 90% by mass or more of diamond particles having a primary particle diameter of 1 to 20 nm are included. As the number of diamond particles having a primary particle diameter of 1 to 20 nm increases, voids are less likely to be generated between the porous substrate and the diamond substrate when the diamond film grows. Since it can adhere to the surface and a diamond film having a uniform thickness can be formed, it is preferably 95 mass% or more, more preferably 98 mass% or more, and further preferably 99.9 mass% or more.
なお、「爆発法」とは酸素欠如型の軍事用爆薬組成物CompositionBを水などの不活性媒体中で爆発させて生成した煤を集め、熱濃硝酸による酸化によって無定形炭素を取り除く方法である。そのため、分散溶液を構成する溶媒はナノダイヤモンド粗凝膠体を製造する際に使用した水などの不活性媒体である。 The “explosion method” is a method of collecting soot generated by decomposing oxygen-deficient military explosive composition Composition B in an inert medium such as water and removing amorphous carbon by oxidation with hot concentrated nitric acid. . Therefore, the solvent constituting the dispersion solution is an inert medium such as water used in producing the nanodiamond coarse aggregate.
本発明のナノダイヤモンド分散溶液の濃度は、分散溶液が安定に存在するように、10mass%以下であるのが好ましく、5mass%以下であるのがより好ましく、1mass%以下であるのが更に好ましい。また、ナノダイヤモンド粒子を多孔性基材に対して高密度で付着させるために、0.001mass%以上であるのが好ましく、0.01mass%以上であるのがより好ましく、0.05mass%以上であるのが更に好ましい。 The concentration of the nanodiamond dispersion solution of the present invention is preferably 10 mass% or less, more preferably 5 mass% or less, and even more preferably 1 mass% or less so that the dispersion solution exists stably. Further, in order to attach the nanodiamond particles to the porous substrate at a high density, it is preferably 0.001 mass% or more, more preferably 0.01 mass% or more, and 0.05 mass% or more. More preferably.
次に、(2)前記分散溶液を多孔性基材に付与し、多孔性基材にナノダイヤモンド粒子を付着させる工程を実施する。この工程は、例えば、多孔性基材を分散溶液に浸漬した後に乾燥する方法、引き上げ法などにより分散溶液を多孔性基材にコーティングした後に乾燥する方法、分散溶液を多孔性基材に散布した後に乾燥する方法により実施することができる。多孔性基材にナノダイヤモンド粒子を高密度で付着させるという点から、多孔性基材を分散溶液に浸漬した後に乾燥する方法により付着させるのが好ましい。なお、乾燥はナノダイヤモンド粒子が高密度で付着した状態を維持したまま行うことができる方法であれば良く、特に限定するものではないが、例えば、熱風乾燥機、オーブン、真空オーブン、マイクロ波照射により実施することができる。 Next, (2) a step of applying the dispersion solution to the porous substrate and attaching nanodiamond particles to the porous substrate is performed. In this step, for example, a method in which the porous substrate is dried after being immersed in the dispersion solution, a method in which the dispersion solution is coated on the porous substrate by a pulling method or the like, and a method in which the dispersion solution is dried are sprayed on the porous substrate. It can implement by the method of drying later. From the viewpoint of attaching the nanodiamond particles to the porous substrate at a high density, it is preferable to attach the porous substrate by dipping in the dispersion solution and then drying. The drying is not particularly limited as long as the method can be performed while maintaining the state in which the nanodiamond particles are adhered at a high density. For example, a hot air dryer, oven, vacuum oven, microwave irradiation Can be implemented.
なお、多孔性基材を分散溶液に浸漬した際には、ナノダイヤモンド分散溶液におけるナノダイヤモンド粒子の分散状態を維持できるように、超音波を作用させるのが好ましい。この超音波はナノダイヤモンド粒子の分散状態を維持できるものであれば良く、特に限定するものではないが、例えば、超音波洗浄装置、ホーン形高出力超音波装置などを使用できる。 When the porous substrate is immersed in the dispersion solution, it is preferable to apply ultrasonic waves so that the dispersed state of the nanodiamond particles in the nanodiamond dispersion solution can be maintained. The ultrasonic wave is not particularly limited as long as it can maintain the dispersed state of the nanodiamond particles. For example, an ultrasonic cleaning device, a horn type high output ultrasonic device, or the like can be used.
そして、(3)前記ナノダイヤモンド粒子を核として成長させ、多孔性基材をダイヤモンド皮膜によって被覆する工程を実施して、本発明の被覆構造体を製造することができる。本発明においては、一次粒子径が1〜20nmのナノダイヤモンド粒子を核として成長するため、ダイヤモンド皮膜と多孔性基材との間にボイドを発生することなく成長する。この工程は、例えば、CVD法により実施することができる。CVD法としては、熱フィラメント法、プラズマ法(例えば、直流、高周波、マイクロ波など)、電子サイクロトロン共鳴プラズマ法などを例示できる。 Then, (3) a process of growing the nanodiamond particles as nuclei and coating the porous substrate with a diamond film can be performed to produce the coated structure of the present invention. In the present invention, since the nano-diamond particles having a primary particle diameter of 1 to 20 nm are grown as nuclei, they grow without generating voids between the diamond film and the porous substrate. This step can be performed by, for example, a CVD method. Examples of the CVD method include a hot filament method, a plasma method (eg, direct current, high frequency, microwave, etc.), an electron cyclotron resonance plasma method, and the like.
以下に、本発明の実施例を記載するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。 Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to the following examples.
(実施例1)
(1)4.6±0.8nmの一次粒子を98.8mass%、59.4±22.8nmの凝集体を1.2mass%含む水分散ナノダイヤモンドコロイド(株式会社 ナノ炭素研究所製 ナノアマンド5.0mass%)を100倍希釈し、0.05mass%のナノダイヤモンド水分散液を調製した。
Example 1
(1) Water-dispersed nanodiamond colloid containing 98.8 mass% of primary particles of 4.6 ± 0.8 nm and 1.2 mass% of aggregates of 59.4 ± 22.8 nm (Nanoamando 5 manufactured by Nanocarbon Laboratory Co., Ltd.) 0.0 mass%) was diluted 100 times to prepare a 0.05 mass% nanodiamond aqueous dispersion.
(2)テトラエトキシシラン、エタノール、水及び1規定の塩酸を、1:5:2:0.003のモル比で混合し、温度78℃で10時間の還流操作を行い、次いで、溶媒をロータリーエバポレーターにより除去して濃縮した後、温度60℃に加熱して、粘度が2ポイズのゾル溶液を形成した。得られたゾル溶液を紡糸液として用い、特開2005−264374号公報に開示の静電紡糸装置1を用いてゲル状シリカ繊維ウエブを作成した。つまり、図1の対向電極5として、図2(a)(b)の沿面放電素子25を使用した。詳細を以下に示す。
(2) Tetraethoxysilane, ethanol, water and 1N hydrochloric acid are mixed at a molar ratio of 1: 5: 2: 0.003 and refluxed at a temperature of 78 ° C. for 10 hours. After removing by an evaporator and concentrating, it was heated to a temperature of 60 ° C. to form a sol solution having a viscosity of 2 poise. Using the obtained sol solution as a spinning solution, a gel-like silica fiber web was prepared using the electrostatic spinning device 1 disclosed in JP-A-2005-264374. That is, the creeping
紡糸ノズル2:内径0.4mmの金属製注射針(先端カット)
紡糸ノズル2と対向電極5との距離:200mm
対向電極5及びイオン発生電源(両電極を兼ねる):ステンレス板(誘起電極28)上に厚さ1mmのアルミナ膜(誘電体基板26)を溶射し、その上に直径30μmのタングステンワイヤ(放電電極27)を10mmの等間隔で張った沿面放電素子25(タングステンワイヤ面を紡糸ノズル2と対向させると共に接地し、ステンレス板26とタングステンワイヤ間に交流高電圧電源29により50Hzの交流高電圧を印加)
第1高電圧電源7:−16kV
第2高電圧電源8:±5kV(交流沿面のピーク電圧:5kV、50Hz)
水平方向の気流30a:25cm/sec.
鉛直方向の気流30b:15cm/sec.
紡糸室31の雰囲気:温度25℃、湿度40%RH以下
連続紡糸時間:30分以上
Spinning nozzle 2: Metal injection needle with 0.4mm inner diameter (tip cut)
Distance between spinning
Counter electrode 5 and ion generating power source (also serving as both electrodes): An alumina film (dielectric substrate 26) having a thickness of 1 mm is sprayed on a stainless steel plate (induction electrode 28), and a tungsten wire (discharge electrode) having a diameter of 30 μm thereon. 27) creeping
First high voltage power supply 7: -16 kV
Second high-voltage power supply 8: ± 5 kV (peak voltage along the AC surface: 5 kV, 50 Hz)
Vertical air flow 30b: 15 cm / sec.
Spinning
次に、得られたゲル状シリカ繊維ウエブを温度500℃で焼成することにより、シリカ繊維ウエブを作製した。 Next, the obtained silica gel fiber web was fired at a temperature of 500 ° C. to prepare a silica fiber web.
一方、繊維間接着に用いる接着用無機系ゾル溶液として、テトラエトキシシラン、エタノール、水及び1規定の硝酸を、1:7.2:7:0.0039のモル比で混合し、温度25℃、攪拌条件300rpmで15時間反応させた。反応後、酸化ケイ素の固形分濃度が0.25%となるようにエタノールで希釈し、シリカゾル希薄溶液(接着用無機系ゾル溶液)とした。 On the other hand, as an inorganic sol solution for bonding used for interfiber bonding, tetraethoxysilane, ethanol, water and 1N nitric acid are mixed at a molar ratio of 1: 7.2: 7: 0.0039, and the temperature is 25 ° C. The mixture was reacted for 15 hours at 300 rpm with stirring conditions. After the reaction, it was diluted with ethanol so that the solid content concentration of silicon oxide was 0.25%, and a diluted silica sol solution (adhesive inorganic sol solution) was obtained.
次いで、このシリカゾル希薄溶液に前記シリカ繊維ウエブを浸漬した後、吸引により余剰のゾル溶液を除去し、シリカゾル希薄溶液含有シリカ繊維ウエブを作製した。 Next, after the silica fiber web was immersed in this silica sol dilute solution, the excess sol solution was removed by suction to produce a silica sol dilute solution-containing silica fiber web.
続いて、シリカゾル希薄溶液含有シリカ繊維ウエブを110℃の雰囲気中に30分間保持した後、800℃で焼成することによって、シリカ長繊維からなる不織布(=多孔性基材、目付:23g/m2、繊維径:1μm)を作製した。 Subsequently, the silica fiber web containing the silica sol dilute solution is kept in an atmosphere of 110 ° C. for 30 minutes and then baked at 800 ° C. to thereby form a nonwoven fabric composed of silica long fibers (= porous substrate, basis weight: 23 g / m 2). , Fiber diameter: 1 μm).
そして、このシリカ長繊維不織布を20×20mmの大きさに切断した後、前記ナノダイヤモンド水分散液中に浸漬し、30分間、超音波処理を行った。処理後、ナノダイヤモンド水分散液からシリカ長繊維不織布(多孔性基材)を取り出し、100mlの純水で洗浄し、120℃の熱風乾燥機で1時間乾燥し、シリカ長繊維不織布(多孔性基材)にナノダイヤモンド粒子を付着させた。 And after cut | disconnecting this silica long fiber nonwoven fabric to a magnitude | size of 20x20 mm, it was immersed in the said nanodiamond aqueous dispersion, and ultrasonic treatment was performed for 30 minutes. After the treatment, the silica long fiber nonwoven fabric (porous substrate) is taken out from the nanodiamond aqueous dispersion, washed with 100 ml of pure water, dried in a hot air dryer at 120 ° C. for 1 hour, and the silica long fiber nonwoven fabric (porous base) Nanodiamond particles were adhered to the material.
(3)次いで、前記ナノダイヤモンド粒子の付着したシリカ長繊維不織布(多孔性基材)に、マイクロ波プラズマCVD法によってダイヤモンド皮膜でシリカ長繊維不織布を被覆し、本発明のダイヤモンド被覆構造体を製造した。このCVD法の条件は、原料ガス流量:CH4=0.1sccm、H2=100.0sccm、合成圧力:7kPa、マイクロ波出力:400W、時間:30min.とした。 (3) Next, the silica long fiber nonwoven fabric (porous substrate) to which the nanodiamond particles are adhered is coated with a diamond coating by a microwave plasma CVD method to produce the diamond coated structure of the present invention. did. The conditions of this CVD method are as follows: raw material gas flow rate: CH 4 = 0.1 sccm, H 2 = 100.0 sccm, synthesis pressure: 7 kPa, microwave output: 400 W, time: 30 min. It was.
(比較例1)
粒径106.0±41.1nmの爆発法ナノダイヤモンド凝集体(Amati International社製)の0.05mass%水分散液を用いた以外は、実施例1と同じ方法でダイヤモンド被覆構造体を製造した。この構造体においては、シリカ長繊維不織布に定着するナノダイヤモンド粒子の数が少なく、連続的なダイヤモンド皮膜を形成できなかった。
(Comparative Example 1)
A diamond-coated structure was produced in the same manner as in Example 1 except that a 0.05 mass% aqueous dispersion of an explosion-method nanodiamond aggregate (manufactured by Amati International) having a particle size of 106.0 ± 41.1 nm was used. . In this structure, the number of nanodiamond particles fixed on the silica long fiber nonwoven fabric was small, and a continuous diamond film could not be formed.
(比較例2)
マイクロ波プラズマCVD法によるダイヤモンド成膜時間を12時間とした以外は、比較例1と同じ方法でダイヤモンド被覆構造体を製造した。CVDを長時間行ったことで連続的なダイヤモンド皮膜を形成できた。
(Comparative Example 2)
A diamond-coated structure was produced in the same manner as in Comparative Example 1 except that the diamond film formation time by the microwave plasma CVD method was 12 hours. A continuous diamond film could be formed by performing CVD for a long time.
(比較例3)
粒径106.0±41.1nmの爆発法ナノダイヤモンド凝集体(Amati International社製)の1.0mass%水分散液を用いた以外は、実施例1と同じ方法でダイヤモンド被覆構造体を製造した。この構造体においては、シリカ長繊維不織布に定着する凝集体の数が増え、連続的なダイヤモンド皮膜を形成できた。
(Comparative Example 3)
A diamond-coated structure was produced in the same manner as in Example 1 except that a 1.0 mass% aqueous dispersion of an explosion-method nanodiamond aggregate (manufactured by Amati International) having a particle size of 106.0 ± 41.1 nm was used. . In this structure, the number of aggregates fixed on the silica long-fiber nonwoven fabric increased, and a continuous diamond film could be formed.
(比較例4)
粒径0.25〜1μmのミクロダイヤモンド(EID社製)の0.05mass%水分散液を用いた以外は、実施例1と同じ方法でダイヤモンド被覆構造体を製造しようとしたが、ミクロダイヤモンド粒子を定着させることはできなかった。
(Comparative Example 4)
An attempt was made to produce a diamond-coated structure by the same method as in Example 1 except that a 0.05 mass% aqueous dispersion of microdiamond (manufactured by EID) having a particle size of 0.25 to 1 μm was used. Could not be fixed.
(表面粗さの評価)
原子間力顕微鏡(Nano−R:Pacific nanotechnology社製)を用いて、実施例1及び比較例1〜4のダイヤモンド被覆構造体の200nm×200nmエリアにおける表面粗さ(Sa)を測定した。この結果は表1に示す通りであった。なお、測定はノンコンタクトモードで行い、プローブにはSiプローブ(ナノワールド社製)、背面アルミコートPPP−NCHRを用いた。
(Evaluation of surface roughness)
Using an atomic force microscope (Nano-R: manufactured by Pacific nanotechnology), the surface roughness (Sa) in the 200 nm × 200 nm area of the diamond-coated structures of Example 1 and Comparative Examples 1 to 4 was measured. The results are shown in Table 1. The measurement was performed in a non-contact mode, and a Si probe (manufactured by Nanoworld) and a back surface aluminum coated PPP-NCHR were used as the probe.
(電気絶縁性の評価)
まず、エポキシ当量450−500のビスフェノール形エポキシ樹脂100重量部に対して、硬化剤であるジシアンジアミド(DICY)を5重量部添加し、ワニスを調製した。
(Evaluation of electrical insulation)
First, 5 parts by weight of dicyandiamide (DICY) as a curing agent was added to 100 parts by weight of a bisphenol type epoxy resin having an epoxy equivalent of 450 to 500 to prepare a varnish.
次いで、このワニスに実施例1、比較例1〜4並びにナノダイヤモンド粒子を付着させていないシリカ長繊維不織布(比較例5)をそれぞれ浸漬した後、145〜160℃で2時間乾燥し、プリプレグを調製した。その後、プリプレグ全体に対して均一に3kgf/cm2の圧力を印加し、厚さ0.23±0.03mmの複合体試料をそれぞれ作製した。 Then, after immersing Example 1, Comparative Examples 1 to 4 and silica long-fiber nonwoven fabric (Comparative Example 5) to which no nanodiamond particles were adhered, this varnish was dried at 145 to 160 ° C. for 2 hours to prepare a prepreg. Prepared. Thereafter, a pressure of 3 kgf / cm 2 was uniformly applied to the entire prepreg to prepare composite samples having a thickness of 0.23 ± 0.03 mm.
そして、各複合体試料を一対の円柱電極(直径:10mm、試料に接する面における周縁は半径3.0mmの丸みを付けてある)により、200gfの圧力ではさみ、各複合体試料が水平な状態で置いた後、印加電圧として60Hzの交流電圧を使用し、10kV/60sec.の速度で前記一対の円柱電極に印加し、絶縁破壊電圧を測定した。この結果は表1に示す通りであった。なお、シリカ長繊維不織布とダイヤモンド皮膜との間にボイドが発生している場合、また、ダイヤモンド被覆構造体とワニスとの間にボイドが発生している場合に、電気絶縁性が悪くなり、絶縁破壊電圧が低くなる。 Each composite sample is sandwiched between a pair of cylindrical electrodes (diameter: 10 mm, the periphery of the surface in contact with the sample is rounded with a radius of 3.0 mm) at a pressure of 200 gf, and each composite sample is in a horizontal state. Then, an AC voltage of 60 Hz is used as the applied voltage, and 10 kV / 60 sec. The voltage was applied to the pair of cylindrical electrodes at a speed of 5 to measure the breakdown voltage. The results are shown in Table 1. In addition, when a void is generated between the silica long-fiber nonwoven fabric and the diamond film, or when a void is generated between the diamond-coated structure and the varnish, the electrical insulating property is deteriorated and the insulation is reduced. The breakdown voltage is lowered.
(熱伝導性の評価)
図3に示すような方法で熱伝導性を評価した。つまり、水冷装置Cの上に、実施例1及び比較例1〜5を用いた前記複合体試料H、及び抵抗Rとして、縦10mm×横10mm×高さ10mmのステンレス(SUS304)を順に載置した。
(Evaluation of thermal conductivity)
Thermal conductivity was evaluated by the method shown in FIG. That is, on the water cooling apparatus C, as the composite sample H using Example 1 and Comparative Examples 1 to 5 and the resistance R, stainless steel (SUS304) having a length of 10 mm, a width of 10 mm, and a height of 10 mm is sequentially placed. did.
次いで、定電流源を使用し、抵抗Rに対して100Wの熱量を与えた時の、10分後における抵抗Rの上昇温度を放射温度計で測定した。この結果は表1に示す通りであった。なお、複合体試料の熱伝導性が高ければ高い程、水冷装置Cによって冷やされるため、抵抗Rの上昇温度は低くなる。 Next, using a constant current source, the rising temperature of the resistance R after 10 minutes when a heat amount of 100 W was applied to the resistance R was measured with a radiation thermometer. The results are shown in Table 1. Note that the higher the thermal conductivity of the composite sample, the lower the temperature at which the resistance R rises because it is cooled by the water cooling device C.
表1から明らかなように、本発明の被覆構造体は絶縁破壊電圧の高い、電気絶縁性能の優れるものであった。これは、シリカ長繊維不織布とダイヤモンド皮膜との間にボイドが発生していないこと、及びダイヤモンド被覆構造体の表面が平滑であることによって、ダイヤモンド被覆構造体とワニスとの間にボイドが発生していないためであると考えられた。 As apparent from Table 1, the coating structure of the present invention had a high dielectric breakdown voltage and an excellent electrical insulation performance. This is because voids are not generated between the silica long-fiber non-woven fabric and the diamond coating, and voids are generated between the diamond coated structure and the varnish due to the smooth surface of the diamond coated structure. It was thought that it was not.
また、本発明の被覆構造体は抵抗の上昇温度が低い、熱伝導性に優れるものであった。これはシリカ長繊維不織布表面が連続的なダイヤモンド皮膜によって緻密に被覆されているためであると考えられた。 In addition, the coated structure of the present invention has a low resistance rise temperature and excellent thermal conductivity. This was thought to be because the surface of the silica long fiber nonwoven fabric was densely covered with a continuous diamond film.
本発明のダイヤモンド被覆構造体は電気絶縁性能、熱伝導性等に優れるものであるため、放熱材料又は電気絶縁材料として好適に使用できる。 Since the diamond-coated structure of the present invention is excellent in electrical insulation performance, thermal conductivity, etc., it can be suitably used as a heat dissipation material or an electrical insulation material.
1 静電紡糸装置
2 紡糸ノズル
3 繊維回収容器
4 捕集部材
5 対向電極
5a イオン
6 ゾル溶液供給機
7 第1高電圧電源
8 第2高電圧電源
9 吸引機
25 沿面放電素子
26 誘電体基板
27 放電電極
28 誘起電極
29 交流高電圧電源
30a 水平方向の気流
30b 鉛直方向の気流
31 紡糸室
H 複合体試料
C 水冷装置
R 抵抗
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (4)
(2)前記分散溶液を多孔性基材に付与し、多孔性基材にナノダイヤモンド粒子を付着させる工程、
(3)前記ナノダイヤモンド粒子を核として成長させ、多孔性基材をダイヤモンド皮膜によって被覆する工程、
とを含む、ダイヤモンド被覆構造体の製造方法。 (1) a step of preparing a dispersion solution mainly composed of nanodiamond particles having a primary particle diameter of 1 to 20 nm;
(2) A step of applying the dispersion solution to a porous substrate and attaching nanodiamond particles to the porous substrate;
(3) growing the nanodiamond particles as nuclei and coating a porous substrate with a diamond film;
A method for producing a diamond-coated structure.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009100462A JP2010248586A (en) | 2009-04-17 | 2009-04-17 | Diamond coating structure and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009100462A JP2010248586A (en) | 2009-04-17 | 2009-04-17 | Diamond coating structure and method for manufacturing the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010248586A true JP2010248586A (en) | 2010-11-04 |
Family
ID=43311236
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009100462A Pending JP2010248586A (en) | 2009-04-17 | 2009-04-17 | Diamond coating structure and method for manufacturing the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010248586A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7504445B2 (en) | 2020-09-16 | 2024-06-24 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | Method for producing a thin film consisting of a nanosheet monolayer film |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07196399A (en) * | 1993-07-22 | 1995-08-01 | Asahi Glass Co Ltd | Diamond thin film and treatment of substrate for synthesis of diamond thin film |
JPH08503026A (en) * | 1992-11-19 | 1996-04-02 | イー・アイ・デユポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | Shaped articles coated with diamond and their manufacture |
JPH0925110A (en) * | 1995-07-10 | 1997-01-28 | Ishizuka Kenkyusho:Kk | Fine hydrophilic diamond particles and their production |
JPH11343197A (en) * | 1997-10-09 | 1999-12-14 | Mitsubishi Materials Corp | Seed diamond ponder excellent in adhesion to artificial diamond film forming face |
JP2006045026A (en) * | 2004-08-06 | 2006-02-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Substrate coated with electric conductive diamond |
JP2006078375A (en) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Diamond electrode and its manufacturing method |
JP2007039742A (en) * | 2005-08-03 | 2007-02-15 | Permelec Electrode Ltd | Electrode for electrolysis and its producing method |
JP2008063607A (en) * | 2006-09-06 | 2008-03-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Diamond-covered substrate, electrode and method for electrochemical treatment, and manufacturing method of diamond-covered substrate |
-
2009
- 2009-04-17 JP JP2009100462A patent/JP2010248586A/en active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08503026A (en) * | 1992-11-19 | 1996-04-02 | イー・アイ・デユポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | Shaped articles coated with diamond and their manufacture |
JPH07196399A (en) * | 1993-07-22 | 1995-08-01 | Asahi Glass Co Ltd | Diamond thin film and treatment of substrate for synthesis of diamond thin film |
JPH0925110A (en) * | 1995-07-10 | 1997-01-28 | Ishizuka Kenkyusho:Kk | Fine hydrophilic diamond particles and their production |
JPH11343197A (en) * | 1997-10-09 | 1999-12-14 | Mitsubishi Materials Corp | Seed diamond ponder excellent in adhesion to artificial diamond film forming face |
JP2006045026A (en) * | 2004-08-06 | 2006-02-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Substrate coated with electric conductive diamond |
JP2006078375A (en) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Diamond electrode and its manufacturing method |
JP2007039742A (en) * | 2005-08-03 | 2007-02-15 | Permelec Electrode Ltd | Electrode for electrolysis and its producing method |
JP2008063607A (en) * | 2006-09-06 | 2008-03-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Diamond-covered substrate, electrode and method for electrochemical treatment, and manufacturing method of diamond-covered substrate |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7504445B2 (en) | 2020-09-16 | 2024-06-24 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | Method for producing a thin film consisting of a nanosheet monolayer film |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5518722B2 (en) | Carbon nanotube assembly | |
CN102557728A (en) | Method for preparing graphene film and graphene composite carbon film | |
Kaushik et al. | Improved electron field emission from metal grafted graphene composites | |
AU2020232976A1 (en) | Vertical branched graphene | |
Chang et al. | Electrophoresis of nanodiamond on the growth of ultrananocrystalline diamond films on silicon nanowires and the enhancement of the electron field emission properties | |
CN101559939B (en) | Preparation method of carbon nano tube | |
CN111943130A (en) | Nano needle array and preparation method and application thereof | |
CN106832937A (en) | One kind prepares high pressure resistant composite and method using technique for atomic layer deposition is carbon nano-tube modified | |
Zhai et al. | In situ construction of hierarchical diamond supported on carbon nanowalls/diamond for enhanced electron field emission | |
Varga et al. | Great variety of man-made porous diamond structures: Pulsed microwave cold plasma system with a linear antenna arrangement | |
CN110527973A (en) | A method of boron-doped diamond is prepared using solid state doping source | |
Kim et al. | In-flight kinetic measurements of the aerosol growth of carbon nanotubes by electrical mobility classification | |
US20100272977A1 (en) | Charge exchange device | |
JP2012162437A (en) | Fibrous columnar structure aggregate and heat dissipation member | |
WO2001092150A1 (en) | Method of fixing carbon nanotubes | |
CN108735561A (en) | High field emission current density carbon nano pipe array cold cathode and preparation method thereof | |
WO2013115145A1 (en) | Sample fixing member for time-of-flight secondary ion mass spectrometer | |
Kim et al. | Synthesis of high-density carbon nanotube films by microwave plasma chemical vapor deposition | |
JP2010248586A (en) | Diamond coating structure and method for manufacturing the same | |
JP2010185164A (en) | Inorganic fiber nonwoven fabric and method for producing the same | |
Kim et al. | Growth of carbon nanotube field emitters on single strand carbon fiber: a linear electron source | |
Zheng et al. | Vertically aligned boron-doped diamond hollow nanoneedle arrays for enhanced field emission | |
WO2013115144A1 (en) | Sample fixing member for atomic force microscope | |
JPWO2009038193A1 (en) | Carbon material and manufacturing method thereof | |
JP2014126470A (en) | Sample fixing member for auger electron spectroscopic analyzer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120215 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130607 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130625 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130822 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131210 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140408 |