JP2010230719A - Semiconductor device and image display device mounting the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、液晶ディスプレイ及びプラズマディスプレイ等の画像表示装置の画像を駆動する半導体装置並びに該半導体装置を搭載した画像表示装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor device that drives an image of an image display device such as a liquid crystal display and a plasma display, and an image display device including the semiconductor device.
近年、画像表示装置は、画像品質が高いため液晶ディスプレイ及びプラズマディスプレイが主流となっている。液晶ディスプレイ及びプラズマディスプレイ等の画像表示装置には、画像駆動用の半導体装置が設けられている。 In recent years, liquid crystal displays and plasma displays have become mainstream in image display devices because of high image quality. Image display devices such as liquid crystal displays and plasma displays are provided with semiconductor devices for image driving.
図3は従来の画像駆動用の半導体装置を示している(例えば、特許文献1を参照。)。図3に示すように、画像駆動用の半導体装置9は、フィルム基板2の上に半導体素子1が保持され、半導体素子1の保持部にはネジ孔7を有する放熱板3が貼付けられている。図示しないが、半導体装置9は、半導体素子1と放熱板3との間に、グリス等の熱伝達材が設けられ、半導体素子1の電力によって発生した熱を放熱板3に逃がす機構を有している。フィルム基板2の互いに対向する両端部には出力端子部5と入力端子部6とがそれぞれ設けられ、半導体素子1と出力端子部5とは、複数の配線8により接続されている。フィルム基板2には、配線8が延びる方向に長辺を有し、各配線8を横断しないスリット4が設けられている。
FIG. 3 shows a conventional semiconductor device for image driving (see, for example, Patent Document 1). As shown in FIG. 3, in the
図4は従来の画像駆動用の半導体装置が画像表示装置の一部として搭載された状態を示している。図4に示すように、シャーシ10には、コネクタ12及び回路基板14が設けられている。シャーシ10のコネクタ12等が設けられた面と反対側の面にパネル11が設けられ、シャーシ10及びパネル11を挟むように半導体装置9が設けられている。ここで、図3に示す入力端子部6はコネクタ12により回路基板14と接続され、出力端子部5は異方性導電フィルム(Anisotropic Conductive Film:ACF)等の導電材によりパネル11と接続され、半導体装置9はネジ孔7においてネジ13によりシャーシ10に固定されている。また、フィルム基板2の基材はポリイミドが用いられ、放熱板3の材料は一般にアルミニウム(Al)が用いられる。
FIG. 4 shows a state in which a conventional semiconductor device for image driving is mounted as a part of an image display device. As shown in FIG. 4, the
電力の印加により、画像表示装置の温度は上昇する。パネル11とシャーシ10とは熱膨張係数の差があるため、画像表示装置の温度の上昇によりパネル11とシャーシ10との位置関係にずれが生じて、画像駆動用の半導体装置9に応力が加わる。半導体装置9に加わる応力によって、フィルム基板2に設けられた配線8が断線する問題があり、特に、大画面パネルでは、前記の位置関係のずれが大きく、本問題は顕著となる。そこで、図3及び図4に示す従来の半導体装置9は、該半導体装置9に加わる応力を緩和するために、フィルム基板2にスリット4を設けている。
しかしながら、さらなる低コスト化のためにフィルム基板を薄くする必要があり、そのような場合、フィルム基板にスリットを設けたとしても配線が断線するおそれがある。 However, it is necessary to make the film substrate thin for further cost reduction. In such a case, even if a slit is provided in the film substrate, the wiring may be disconnected.
本発明は、前記従来の問題に鑑み、その目的は、画像表示装置の温度上昇により生じる半導体装置に対する応力によってフィルム基板に設けられた配線が断線することを防止できるようにすることにある。 The present invention has been made in view of the above-described conventional problems, and an object thereof is to prevent a wiring provided on a film substrate from being disconnected due to a stress applied to a semiconductor device due to a temperature increase of an image display device.
前記の目的を達成するために、本発明は、半導体装置をフィルム基板に設けられた配線が波線形状である構成とする。具体的に、本発明に係る半導体装置は、フィルム基板の上に保持された半導体素子と、フィルム基板に設けられた出力端子部と、フィルム基板に設けられ、半導体素子と出力端子部とを接続する配線とを備え、配線は、同一の円弧寸法又は異なる円弧寸法からなる波線形状を有していることを特徴とする。 In order to achieve the above object, according to the present invention, a semiconductor device has a structure in which a wiring provided on a film substrate has a wavy shape. Specifically, a semiconductor device according to the present invention includes a semiconductor element held on a film substrate, an output terminal portion provided on the film substrate, and a semiconductor device connected to the output terminal portion provided on the film substrate. And the wiring has a wavy line shape having the same or different arc dimensions.
本発明の半導体装置によると、配線が波線形状を有しているため、配線にかかる応力を緩和できるので、大画面パネルに搭載しても配線の断線が起こらない、品質が優れた半導体装置を得ることができる。 According to the semiconductor device of the present invention, since the wiring has a wavy line shape, the stress applied to the wiring can be relieved, so that a semiconductor device having excellent quality that does not cause disconnection of the wiring even when mounted on a large screen panel. Obtainable.
また、本発明の半導体装置において、フィルム基板は、半導体素子と出力端子部との間に、配線が延びる方向に沿って設けられたスリットを有しており、配線における少なくともスリットの周辺部分は、波線形状を有していてもよい。 Moreover, in the semiconductor device of the present invention, the film substrate has a slit provided along the direction in which the wiring extends between the semiconductor element and the output terminal portion, and at least the peripheral portion of the slit in the wiring is It may have a wavy line shape.
この場合、スリットは、その周縁部に、配線と並行に蛇行する波線形状を有していることが好ましい。 In this case, it is preferable that the slit has a wavy shape that meanders in parallel with the wiring at the peripheral edge thereof.
さらにこの場合、フィルム基板におけるスリットの周囲に設けられ、閉じた形状を有するダミー配線をさらに備えていることが好ましい。 Further, in this case, it is preferable to further include a dummy wiring provided around the slit in the film substrate and having a closed shape.
また、本発明の半導体装置において、波線形状の円弧の曲率半径は、100μm以上であることが好ましい。 In the semiconductor device of the present invention, the radius of curvature of the wavy circular arc is preferably 100 μm or more.
本発明に係る画像表示装置は、本発明の半導体装置が搭載されていることを特徴とする。 An image display device according to the present invention is characterized in that the semiconductor device of the present invention is mounted.
本発明の画像表示装置によると、搭載した半導体装置の配線が波線形状を有しているため、配線にかかる応力を緩和できるので、配線の断線が起こらない、品質が優れた画像表示装置を得ることができる。 According to the image display device of the present invention, since the wiring of the mounted semiconductor device has a wavy line shape, stress applied to the wiring can be relieved, so that an image display device with excellent quality that does not cause disconnection of the wiring is obtained. be able to.
本発明に係る半導体装置及び画像表示装置によると、画像駆動用の半導体装置に設けられた配線が波線形状を有しているため、配線にかかる応力が緩和できるので、画像表示装置の温度上昇により生じる半導体装置に対する応力によって起こるフィルム基板に設けられた配線の断線を防ぐことができる。 According to the semiconductor device and the image display device according to the present invention, since the wiring provided in the image driving semiconductor device has a wavy shape, the stress applied to the wiring can be relieved, so that the temperature of the image display device increases. The disconnection of the wiring provided in the film substrate caused by the stress with respect to the generated semiconductor device can be prevented.
本発明の一実施形態に係る半導体装置及び画像表示装置について、図面を参照しながら説明する。 A semiconductor device and an image display device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
図1は本発明に係る画像駆動用の半導体装置の平面図を示している。図1(a)は画像駆動用の半導体装置の全体図であり、図1(b)及び(c)はそれぞれ図1(a)のA部の拡大図の1例を示している。 FIG. 1 is a plan view of a semiconductor device for image driving according to the present invention. FIG. 1A is an overall view of an image driving semiconductor device, and FIGS. 1B and 1C each show an example of an enlarged view of a portion A in FIG.
図1(a)及び(b)に示すように、画像駆動用の半導体装置9は、フィルム基板2の上に半導体素子1が保持され、半導体素子1の保持部にはネジ孔7を有する放熱板3が貼付けられている。図示しないが、半導体装置9は、半導体素子1と放熱板3との間に、グリス等の熱伝達材が設けられ、半導体素子1の電力によって発生した熱を放熱板3に逃がす機構を有している。フィルム基板2の互いに対向する両端部には出力端子部5と入力端子部6とがそれぞれ設けられ、半導体素子1と出力端子部5とは、複数の配線8により接続されている。フィルム基板2には、配線8が延びる方向に長辺を有し、各配線8を横断しないスリット4が設けられている。本実施形態は、各配線8におけるフィルム基板2上の半導体素子1から出力端子部5の間の部分が、同一の円弧寸法からなる波線形状を有していることを特徴とする。
As shown in FIGS. 1A and 1B, a
図1(c)に示すように、スリット4の周囲に閉じた形状を有するダミー配線15をさらに設けることが好ましい。また、スリット4は波線形状を有する配線8と並行に蛇行する波線形状とすることが好ましい。
As shown in FIG. 1C, it is preferable to further provide a
図2は、本実施形態に係る画像駆動用の半導体装置が画像表示装置の一部として搭載された状態の斜視図を示している。 FIG. 2 is a perspective view showing a state in which the image driving semiconductor device according to the present embodiment is mounted as a part of the image display device.
図2に示すように、シャーシ10には、コネクタ12及び回路基板14が設けられている。シャーシ10のコネクタ12等が設けられた面と反対側の面にパネル11が設けられ、シャーシ10及びパネル11を挟むように半導体装置9が設けられている。ここで、図1(a)に示す入力端子部6はコネクタ12により回路基板14と接続され、出力端子部5はパネル11と接続され、半導体装置9はネジ孔7においてネジ13によりシャーシ10に固定されている。
As shown in FIG. 2, the
本実施形態によると、画像駆動用の半導体装置9が画像表示装置の一部として搭載され、パネル11とシャーシ10との熱膨張係数の差による応力がフィルム基板2に設けられた配線8に及んでも、配線8は波線形状であるため配線8にかかる応力を緩和できるので、断線を防ぐことができる。また、図1(a)及び(b)に示すように、従来技術と同様に、半導体素子1から出力端子部5の間の配線の間にフィルム基板2のスリット4を設けるとフィルム基板2にかかる応力をさらに緩和できるため、配線8にかかる応力も緩和されるので有効である。
According to this embodiment, the
図1(c)に示すように、スリット4が波線形状の配線8と並行に蛇行する波線形状とすると、スリット4にかかる応力が緩和されて、スリット4の破断を防ぐことによりフィルム基板2の破断を防ぐこととなり望ましい。また、スリット4の周囲に閉じた形状を有するダミー配線15を設けると、極端にフィルム基板2が薄くなった場合でもフィルム基板2のスリット4が応力により破断するのを防ぐことができる。
As shown in FIG. 1C, when the
また、前記の全ての波線形状において、円弧の曲率半径が100μm以上であれば、断線対策の効果として十分であることが実験により分かっており、また、円弧は真円形状でも楕円形状でもよい。 In addition, in all the wavy shapes described above, it has been experimentally found that if the radius of curvature of the arc is 100 μm or more, it is sufficient as an effect of measures against disconnection, and the arc may be a perfect circle or an ellipse.
半導体素子1と出力端子5との間の全ての円弧形状が同一寸法である必要はなく、必要に応じ、フィルム基板2に設けられた配線8を部分ごとにそれぞれ別々の円弧寸法を有するブロックとして分け、ブロック内は同一の円弧寸法となるように配置されていてもよい。
It is not necessary that all the arc shapes between the
なお、図1(a)においては放熱板3を含む構造としているが、今後の技術の進展により、半導体素子1に印加される電力が下がり、放熱板3が不要となった場合にも本発明は有効である。また、その場合は、シャーシ10とパネル11との熱膨張係数の差による応力は放熱板3により遮れず、半導体素子1と入力端子部6との間にも及ぶため、波線形状は半導体素子1と出力端子部5との間の配線8のみではなく、半導体素子1と入力端子部6との間の配線8にも適用されることが望ましい。
Although FIG. 1A shows a structure including the
ここで、図2では、画像駆動用の半導体装置9の入力端子部6はコネクタ12により回路基板14と接続されている。但し、接続方法としては、異方性導電フィルム(ACF)による接続等でもよいが、この限りではない。また、図2では、ネジ13により半導体装置9をシャーシ10に固定しているが、固定方法としては、この限りではない。
Here, in FIG. 2, the
本発明に係る半導体装置及び画像表示装置は、パネルとシャーシとの熱膨張係数の差から生じる画像駆動用の半導体装置に設けられた配線に対する応力を緩和し、配線の断線を防ぐことができ、液晶ディスプレイ及びプラズマディスプレイ等に有用である。 The semiconductor device and the image display device according to the present invention can relieve stress on the wiring provided in the semiconductor device for image driving resulting from the difference in thermal expansion coefficient between the panel and the chassis, and prevent disconnection of the wiring. It is useful for liquid crystal displays and plasma displays.
1 半導体素子
2 フィルム基板
3 放熱板
4 スリット
5 出力端子部
6 入力端子部
7 ネジ孔
8 配線
9 半導体装置
10 シャーシ
11 パネル
12 コネクタ
13 ネジ
14 回路基板
15 ダミー配線
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記フィルム基板に設けられた出力端子部と、
前記フィルム基板に設けられ、前記半導体素子と前記出力端子部とを接続する配線とを備え、
前記配線は、同一の円弧寸法又は異なる円弧寸法からなる波線形状を有していることを特徴とする半導体装置。 A semiconductor element held on a film substrate;
An output terminal provided on the film substrate;
Provided on the film substrate, comprising wiring for connecting the semiconductor element and the output terminal portion,
The semiconductor device according to claim 1, wherein the wiring has a wavy line shape having the same or different arc dimensions.
前記配線における少なくとも前記スリットの周辺部分は、前記波線形状を有していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 The film substrate has a slit provided along the direction in which the wiring extends between the semiconductor element and the output terminal portion,
The semiconductor device according to claim 1, wherein at least a peripheral portion of the slit in the wiring has the wavy shape.
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