JP2010219372A - Electron beam drawing device, and method of deciding cathode life of electron gun - Google Patents

Electron beam drawing device, and method of deciding cathode life of electron gun Download PDF

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裕規 溝口
Yuji Fukutome
裕ニ 福留
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device capable of detecting abnormality of an electron gun and a high-voltage power circuit. <P>SOLUTION: The drawing device 100 includes: the electron gun 201 which emits an electron beam 200; the high-voltage power circuit 110 which applies an acceleration voltage for electron to the electron gun 201; an emitter resistance variation detection circuit 54 arranged in the high-voltage power circuit 110 and detecting variation in emitter resistance of the electron gun 201; a recording circuit 80 arranged in the high-voltage power circuit 110 and recording the detected variation in emitter resistance; and an electron optical system which irradiates a desired position of a sample with the electron beam 200 emitted by the electron gun 201. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、電子ビーム描画装置及び電子銃のカソード寿命の判定方法に関し、特に、電子銃の異常を監視する機能を備えた電子ビーム描画装置に関する。   The present invention relates to an electron beam drawing apparatus and a method for determining the cathode life of an electron gun, and more particularly to an electron beam drawing apparatus having a function of monitoring an abnormality of an electron gun.

半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、LSIの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン(レチクル或いはマスクともいう。)が必要となる。ここで、電子線(電子ビーム)描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。   Lithography technology, which is responsible for the progress of miniaturization of semiconductor devices, is an extremely important process for generating a pattern among semiconductor manufacturing processes. In recent years, with the high integration of LSI, circuit line widths required for semiconductor devices have been reduced year by year. In order to form a desired circuit pattern on these semiconductor devices, a highly accurate original pattern (also referred to as a reticle or a mask) is required. Here, the electron beam (electron beam) drawing technique has an essentially excellent resolution, and is used for producing a high-precision original pattern.

図10は、従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。可変成形型電子線(EB:Electron beam)描画装置は、以下のように動作する。第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形例えば長方形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340の描画領域に描画される。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。   FIG. 10 is a conceptual diagram for explaining the operation of a conventional variable shaping type electron beam drawing apparatus. The variable shaped electron beam (EB) drawing apparatus operates as follows. In the first aperture 410, a rectangular opening for forming the electron beam 330, for example, a rectangular opening 411 is formed. Further, the second aperture 420 is formed with a variable shaping opening 421 for shaping the electron beam 330 having passed through the opening 411 of the first aperture 410 into a desired rectangular shape. The electron beam 330 irradiated from the charged particle source 430 and passed through the opening 411 of the first aperture 410 is deflected by the deflector, passes through a part of the variable shaping opening 421 of the second aperture 420, and passes through a predetermined range. The sample 340 mounted on a stage that continuously moves in one direction (for example, the X direction) is irradiated. That is, the drawing area of the sample 340 mounted on the stage in which the rectangular shape that can pass through both the opening 411 of the first aperture 410 and the variable shaping opening 421 of the second aperture 420 is continuously moved in the X direction. Drawn on. A method of creating an arbitrary shape by passing both the opening 411 of the first aperture 410 and the variable shaping opening 421 of the second aperture 420 is referred to as a variable shaping method.

電子ビーム描画装置では、電子銃から電子ビームが放出され、かかる電子銃には加速電圧を印加する高圧電源回路が接続されている。従来、かかる電子銃及び高圧電源回路の異常を検知することが困難となっていた。特に、消耗品となるカソードの寿命は判断することは困難であった。そのため、従来、描画装置を運用中に急遽、カソード交換を迫られることが多く、ユーザは想定外の装置停止を強いられていた。そのため、カソードの寿命を予測する手法が求められていた。また、電子銃に印加する高圧電源の異常についても描画中に高精度にその異常を検知することが困難となっていた。昨今のパターンの微細化に伴い、パターン寸法に影響を与える例えば加速電圧については高精度に制御することが求められる。しかし、従来、例えば、10〜100倍程度の非常に大きな変動について確認することができるに留まっていたため、加速電圧の高精度な変動を検知することが困難であった。   In an electron beam drawing apparatus, an electron beam is emitted from an electron gun, and a high voltage power supply circuit for applying an acceleration voltage is connected to the electron gun. Conventionally, it has been difficult to detect abnormalities in such an electron gun and a high-voltage power supply circuit. In particular, it was difficult to determine the lifetime of the cathode that is a consumable. For this reason, conventionally, there are many cases in which the cathode has to be replaced suddenly during operation of the drawing apparatus, and the user has been forced to stop the apparatus unexpectedly. Therefore, a method for predicting the life of the cathode has been demanded. Further, it is difficult to detect an abnormality of a high-voltage power source applied to an electron gun with high accuracy during drawing. With the recent miniaturization of patterns, for example, acceleration voltage that affects pattern dimensions must be controlled with high accuracy. However, conventionally, for example, it has been possible to confirm a very large fluctuation of about 10 to 100 times, and it has been difficult to detect a highly accurate fluctuation of the acceleration voltage.

ここで、電子銃に関連する技術として、電流密度が略一定になるように、描画中に定期的に電流密度を測定し、測定された電流密度に応じて制御値を変化させるPID制御を行なう技術が開示されている(例えば、特許文献1参照)。   Here, as a technique related to the electron gun, PID control is performed in which the current density is periodically measured during drawing so that the current density becomes substantially constant, and the control value is changed according to the measured current density. A technique is disclosed (for example, see Patent Document 1).

特開2009−010078号公報JP 2009-010078 A

上述したように、電子銃及び高圧電源回路の異常を描画中に検知することが困難となっていた。また、消耗品となるカソードの寿命は判断することは困難であった。   As described above, it has been difficult to detect abnormalities in the electron gun and the high-voltage power supply circuit during drawing. In addition, it is difficult to determine the life of the cathode that is a consumable.

本発明は、かかる問題点を克服し、電子銃及び高圧電源回路の異常を検知することが可能な装置および方法を提供することを目的とする。   It is an object of the present invention to provide an apparatus and a method that can overcome such problems and detect an abnormality in an electron gun and a high-voltage power supply circuit.

本発明の一態様の電子ビーム描画装置は、
電子ビームを放出する電子銃と、
電子銃に電子の加速電圧を印加する高圧電源回路と、
高圧電源回路内に配置され、電子銃のエミッタ抵抗の変動を検知するエミッタ抵抗変動検知部と、
高圧電源回路内に配置され、検知されたエミッタ抵抗の変動を記録する記録部と、
電子銃から放出される電子ビームを試料の所望する位置に照射する電子光学系と、
を備えたことを特徴とする。
An electron beam drawing apparatus according to one embodiment of the present invention includes:
An electron gun that emits an electron beam;
A high voltage power supply circuit for applying an electron acceleration voltage to the electron gun;
An emitter resistance variation detector that is disposed in the high voltage power supply circuit and detects the variation of the emitter resistance of the electron gun,
A recording unit that is arranged in the high-voltage power supply circuit and records the detected variation of the emitter resistance;
An electron optical system for irradiating a desired position of the sample with an electron beam emitted from an electron gun;
It is provided with.

本発明の他の態様の電子ビーム描画装置は、
電子ビームを放出する電子銃と、
電子銃に電子の加速電圧を印加する高圧電源回路と、
高圧電源回路内に配置され、電子銃に印加される加速電圧の直流成分の変動を検知する加速電圧直流変動検知部と、
高圧電源回路内に配置され、閾値を超えた検知された加速電圧の直流成分の変動を記録する記録部と、
電子銃から放出される電子ビームを試料の所望する位置に照射する電子光学系と、
を備えたことを特徴とする。
An electron beam drawing apparatus according to another aspect of the present invention includes:
An electron gun that emits an electron beam;
A high voltage power supply circuit for applying an electron acceleration voltage to the electron gun;
An acceleration voltage DC fluctuation detection unit that is arranged in the high-voltage power supply circuit and detects fluctuations in the DC component of the acceleration voltage applied to the electron gun;
A recording unit that is arranged in the high-voltage power supply circuit and records a change in the DC component of the detected acceleration voltage exceeding the threshold;
An electron optical system for irradiating a desired position of the sample with an electron beam emitted from an electron gun;
It is provided with.

本発明の他の態様の電子ビーム描画装置は、
電子ビームを放出する電子銃と、
電子銃に電子の加速電圧を印加する高圧電源回路と、
高圧電源回路内に配置され、電子銃に流れるエミッション電流の変動を検知するエミッション電流変動検知部と、
高圧電源回路内に配置され、電子銃に印加されるバイアス電圧の変動を検知するエミッション電流変動検知部と、
高圧電源回路内に配置され、閾値を超えた検知されたエミッション電流の変動とバイアス電圧の変動とを記録する記録部と、
電子銃から放出される電子ビームを試料の所望する位置に照射する電子光学系と、
を備えたことを特徴とする。
An electron beam drawing apparatus according to another aspect of the present invention includes:
An electron gun that emits an electron beam;
A high voltage power supply circuit for applying an electron acceleration voltage to the electron gun;
An emission current fluctuation detection unit that is arranged in the high-voltage power supply circuit and detects fluctuations in the emission current flowing through the electron gun;
An emission current fluctuation detection unit that is arranged in the high-voltage power supply circuit and detects fluctuations in the bias voltage applied to the electron gun;
A recording unit that is arranged in the high-voltage power supply circuit and records the detected emission current fluctuation and bias voltage fluctuation exceeding a threshold;
An electron optical system for irradiating a desired position of the sample with an electron beam emitted from an electron gun;
It is provided with.

本発明の他の態様の電子ビーム描画装置は、
電子ビームを放出する電子銃と、
電子銃に電子の加速電圧を印加する高圧電源回路と、
高圧電源回路内に配置され、電子銃のフィラメントに供給される電力変動を検知する加速電圧直流変動検知部と、
高圧電源回路内に配置され、閾値を超えた検知されたフィラメントの電力変動を記録する記録部と、
電子銃から放出される電子ビームを試料の所望する位置に照射する電子光学系と、
を備えたことを特徴とする。
An electron beam drawing apparatus according to another aspect of the present invention includes:
An electron gun that emits an electron beam;
A high voltage power supply circuit for applying an electron acceleration voltage to the electron gun;
An accelerating voltage DC fluctuation detection unit that is arranged in the high-voltage power supply circuit and detects fluctuations in power supplied to the filament of the electron gun;
A recording unit that is arranged in the high-voltage power supply circuit and records the detected power fluctuation of the filament exceeding the threshold;
An electron optical system for irradiating a desired position of the sample with an electron beam emitted from an electron gun;
It is provided with.

本発明の一態様の電子銃のカソード寿命の判定方法は、
描画中に電子ビームを放出する電子銃のエミッタ抵抗の変動を検知する工程と、
検知されたエミッタ抵抗の変動を記録する工程と、
エミッタ抵抗の変動が、所定の頻度と所定の大きさの少なくとも一方を越えた場合に、電子銃のカソードの寿命と判定する工程と、
を備えたことを特徴とする。
The method for determining the cathode life of the electron gun of one embodiment of the present invention is as follows.
Detecting a change in emitter resistance of an electron gun that emits an electron beam during drawing;
Recording the detected variations in emitter resistance;
Determining the lifetime of the cathode of the electron gun when the variation of the emitter resistance exceeds at least one of a predetermined frequency and a predetermined magnitude;
It is provided with.

本発明の一態様によれば、エミッタ抵抗の異常を検出することができる。また、本発明の一態様によれば、エミッション電流の異常を検出することができる。また、本発明の一態様によれば、バイアス電圧の異常を検出することができる。また、本発明の一態様によれば、フィラメントの電力異常を検出することができる。また、本発明の一態様によれば、カソードの寿命を判定することができる。   According to one embodiment of the present invention, an abnormality in emitter resistance can be detected. Further, according to one embodiment of the present invention, an abnormality in the emission current can be detected. Further, according to one embodiment of the present invention, abnormality in the bias voltage can be detected. Further, according to one embodiment of the present invention, it is possible to detect an abnormal power of a filament. In addition, according to one embodiment of the present invention, the lifetime of the cathode can be determined.

実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。1 is a conceptual diagram illustrating a configuration of a drawing apparatus according to Embodiment 1. FIG. 実施の形態1における高圧電源回路と電子銃の内部構成を示す概念図である。2 is a conceptual diagram illustrating an internal configuration of a high-voltage power supply circuit and an electron gun according to Embodiment 1. FIG. 実施の形態1における直流成分の変動要因の一例を示す図である。6 is a diagram illustrating an example of a variation factor of a DC component in Embodiment 1. FIG. 実施の形態1における直流成分の変動要因の他の一例を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing another example of the DC component variation factor in the first embodiment. 実施の形態1における直流成分の変動の一例を示す図である。6 is a diagram illustrating an example of fluctuations of a direct current component in the first embodiment. FIG. 実施の形態1における交流成分の変動の一例を示す図である。6 is a diagram illustrating an example of fluctuations in alternating current components in the first embodiment. FIG. 実施の形態1における交流成分の変動の一例を示す図である。6 is a diagram illustrating an example of fluctuations in alternating current components in the first embodiment. FIG. 実施の形態1におけるエミッタ抵抗の変動の一例を示す図である。6 is a diagram showing an example of variations in emitter resistance in the first embodiment. FIG. 実施の形態1におけるJドロップの様子の一例を示す図である。6 is a diagram showing an example of a state of J drop in Embodiment 1. FIG. 可変成形型電子線露光装置の動作を説明するための概念図である。It is a conceptual diagram for demonstrating operation | movement of a variable shaping type | mold electron beam exposure apparatus.

実施の形態1.
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、高圧電源回路110と制御計算機120と制御回路140と描画部150を備えている。描画装置100は、電子ビーム200を用いて試料101に所望するパターンを描画する。描画部150は、電子鏡筒102、及び描画室103を有している。
Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a conceptual diagram illustrating a configuration of a drawing apparatus according to the first embodiment. In FIG. 1, the drawing apparatus 100 includes a high-voltage power supply circuit 110, a control computer 120, a control circuit 140, and a drawing unit 150. The drawing apparatus 100 draws a desired pattern on the sample 101 using the electron beam 200. The drawing unit 150 includes an electron column 102 and a drawing chamber 103.

電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、及び偏向器208を有している。照明レンズ202、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、及び偏向器208は、電子光学系の一例である。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画対象となる試料101が載置される。   In the electron column 102, an electron gun 201, an illumination lens 202, a first aperture 203, a projection lens 204, a deflector 205, a second aperture 206, an objective lens 207, and a deflector 208 are provided. The illumination lens 202, the first aperture 203, the projection lens 204, the deflector 205, the second aperture 206, the objective lens 207, and the deflector 208 are examples of an electron optical system. An XY stage 105 is disposed in the drawing chamber 103. On the XY stage 105, a sample 101 to be drawn is placed.

高圧電源回路110と制御計算機120と制御回路140は、図示しないバスにより互いに接続されている。また、高圧電源回路110と制御回路140は、制御計算機120によって制御される。高圧電源回路110は、高圧ケーブル130で電子銃201に接続される。描画部150は、制御回路140によって制御される。   The high-voltage power supply circuit 110, the control computer 120, and the control circuit 140 are connected to each other by a bus (not shown). The high voltage power supply circuit 110 and the control circuit 140 are controlled by the control computer 120. The high voltage power supply circuit 110 is connected to the electron gun 201 by a high voltage cable 130. The drawing unit 150 is controlled by the control circuit 140.

図1では、実施の形態1を説明する上で必要な構成部分について記載している。描画装置100にその他の構成が含まれても構わない。試料101にパターンを描画する際の描画部150の動作について以下に説明する。   In FIG. 1, constituent parts necessary for explaining the first embodiment are shown. The drawing apparatus 100 may include other configurations. The operation of the drawing unit 150 when drawing a pattern on the sample 101 will be described below.

電子銃201から放出された電子ビーム200は、照明レンズ202により矩形例えば長方形の穴を持つ第1のアパーチャ203全体を照明する。ここで、電子ビーム200をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第1のアパーチャ203を通過した第1のアパーチャ像の電子ビーム200は、投影レンズ204により第2のアパーチャ206上に投影される。かかる第2のアパーチャ206上での第1のアパーチャ像の位置は、偏向器205によって制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。そして、第2のアパーチャ206を通過した第2のアパーチャ像の電子ビーム200は、対物レンズ207により焦点を合わせ、偏向器208により偏向されて、移動可能に配置されたXYステージ105上の試料101の所望する位置に照射される。   The electron beam 200 emitted from the electron gun 201 illuminates the entire first aperture 203 having a rectangular hole, for example, a rectangular hole, by the illumination lens 202. Here, the electron beam 200 is first formed into a rectangle, for example, a rectangle. Then, the electron beam 200 of the first aperture image that has passed through the first aperture 203 is projected onto the second aperture 206 by the projection lens 204. The position of the first aperture image on the second aperture 206 is controlled by the deflector 205, and the beam shape and size can be changed. Then, the electron beam 200 of the second aperture image that has passed through the second aperture 206 is focused by the objective lens 207, deflected by the deflector 208, and the sample 101 on the XY stage 105 that is movably disposed. The desired position is irradiated.

図2は、実施の形態1における高圧電源回路と電子銃の内部構成を示す概念図である。図2において、電子銃201は、カソード21及びアノード23を有している。カソード21は、ウェネルト電極26、エミッタ27、フィラメント28、及び碍子29を有している。また、アノード23は、図示していないが接地(地絡)されている。2極のフィラメントの結合した先端部分にエミッタ27が配置される。フィラメント28の両極には、高圧電源回路110から高圧ケーブル130を介して、フィラメント28の両極の中間電圧に直流の加速電圧の負極(−)側が印加された状態で加熱電流が流される。また、フィラメント28の両極の中間電圧とウェネルト電極26間には、高圧電源回路110から高圧ケーブル130を介して直流のバイアス電圧(ウェネルト電圧)が印加される。そして、直流の加速電圧の正極(+)側は地絡されている。そして、フィラメント28で加熱されたエミッタ27から電子が放出されることでエミッション電流が流れる。そして、放出された電子はアノード23に引っ張られることで加速して、電子銃201から放出される。   FIG. 2 is a conceptual diagram showing the internal configuration of the high-voltage power supply circuit and the electron gun in the first embodiment. In FIG. 2, the electron gun 201 has a cathode 21 and an anode 23. The cathode 21 has a Wehnelt electrode 26, an emitter 27, a filament 28, and an insulator 29. The anode 23 is grounded (ground fault) although not shown. An emitter 27 is disposed at a tip portion where two bipolar filaments are coupled. A heating current is passed through the two poles of the filament 28 through the high-voltage power supply circuit 110 via the high-voltage cable 130 in a state where the negative voltage (−) side of the DC acceleration voltage is applied to the intermediate voltage between the two poles of the filament 28. Further, a DC bias voltage (Wernert voltage) is applied from the high voltage power supply circuit 110 via the high voltage cable 130 between the intermediate voltage of the both electrodes of the filament 28 and the Wehnelt electrode 26. The positive electrode (+) side of the DC acceleration voltage is grounded. An emission current flows as electrons are emitted from the emitter 27 heated by the filament 28. The emitted electrons are accelerated by being pulled by the anode 23 and emitted from the electron gun 201.

高圧電源回路110内には、昇圧回路10、フィルター回路20、バイアス回路30、エミッション電流検出回路40、フィラメント回路50、加速電圧検出回路60、判定回路70、及び記録回路80(記録部の一例)が配置されている。また、フィルター回路20内にはバイアス電圧直流・交流変動検知回路22(バイアス電圧変動検知部の一例)が配置される。バイアス回路30内には、加速電圧交流変動検知回路32(加速電圧変動検知部の一例)が配置される。エミッション電流検出回路40内には、エミッション電流直流・交流変動検知回路42(エミッション電流変動検知部の一例)が配置される。フィラメント回路50内には、フィラメント直流・交流変動検知回路52(フィラメント電力変動検知部の一例)及びエミッタ抵抗変動検知回路54(エミッタ抵抗変動検知部の一例)が配置される。加速電圧検出回路60内には加速電圧直流変動検知回路62(加速電圧変動検知部の一例)が配置される。   In the high voltage power supply circuit 110, there are a booster circuit 10, a filter circuit 20, a bias circuit 30, an emission current detection circuit 40, a filament circuit 50, an acceleration voltage detection circuit 60, a determination circuit 70, and a recording circuit 80 (an example of a recording unit). Is arranged. A bias voltage DC / AC fluctuation detection circuit 22 (an example of a bias voltage fluctuation detection unit) is disposed in the filter circuit 20. An acceleration voltage AC fluctuation detection circuit 32 (an example of an acceleration voltage fluctuation detection unit) is disposed in the bias circuit 30. In the emission current detection circuit 40, an emission current DC / AC fluctuation detection circuit 42 (an example of an emission current fluctuation detection unit) is arranged. In the filament circuit 50, a filament DC / AC fluctuation detection circuit 52 (an example of a filament power fluctuation detection unit) and an emitter resistance fluctuation detection circuit 54 (an example of an emitter resistance fluctuation detection unit) are arranged. An acceleration voltage DC fluctuation detection circuit 62 (an example of an acceleration voltage fluctuation detection unit) is disposed in the acceleration voltage detection circuit 60.

ユーザ側の電源から供給された電力の電圧が昇圧回路10で昇圧された後、フィルター回路20で整流され、バイアス電圧(ウェネルト電圧)がウェネルト電極26に印加される。また、昇圧された電圧はバイアス回路30に出力され、バイアス回路30は、フィラメント28の両極の中間電圧に直流の加速電圧の負極側を印加すると共に、エミッション電流検出回路40からエミッション電流検出回路40が検出したエミッション電流に基づく制御信号を例えば所定の一定時間経過する毎に定期的にフィードバックするように入力し、目標となるエミッション電流になるようにバイアス電圧を可変制御する。そして、フィラメント回路50は、加熱電流をフィラメント28の両極に流す。また、加速電圧検出回路60は、定期的に加速電圧を検出し、検出した加速電圧に基づく制御信号を例えば所定の一定時間経過する毎に定期的にフィードバックするように昇圧回路10に出力し、昇圧回路10を制御する。   After the voltage of the power supplied from the power supply on the user side is boosted by the booster circuit 10, it is rectified by the filter circuit 20, and a bias voltage (Wernert voltage) is applied to the Wehnelt electrode 26. Further, the boosted voltage is output to the bias circuit 30. The bias circuit 30 applies the negative side of the DC acceleration voltage to the intermediate voltage between the two poles of the filament 28, and from the emission current detection circuit 40 to the emission current detection circuit 40. A control signal based on the detected emission current is input so as to be periodically fed back every time a predetermined fixed time elapses, for example, and the bias voltage is variably controlled so as to become a target emission current. Then, the filament circuit 50 allows a heating current to flow through both electrodes of the filament 28. Further, the acceleration voltage detection circuit 60 periodically detects the acceleration voltage, and outputs a control signal based on the detected acceleration voltage to the booster circuit 10 so as to be periodically fed back every time a predetermined fixed time elapses, for example. The booster circuit 10 is controlled.

ここで、バイアス電圧直流・交流変動検知回路22は、バイアス電圧の直流成分とノイズとなる交流成分との各変動を常時検知して、検知された結果を判定回路70に出力する。加速電圧交流変動検知回路32は、加速電圧のノイズとなる交流成分の変動を常時検知して、検知された結果を判定回路70に出力する。エミッション電流直流・交流変動検知回路42は、エミッション電流の直流成分とノイズとなる交流成分との各変動を常時検知して、検知された結果を判定回路70に出力する。フィラメント直流・交流変動検知回路52は、フィラメント電力の直流成分とノイズとなる交流成分との各変動を常時検知して、検知された結果を判定回路70に出力する。エミッタ抵抗変動検知回路54は、フィラメント電力の計算の元になった電圧値と電流値からエミッタ抵抗を算出し、かかるエミッタ抵抗の変動を常時検知して、検知された結果を判定回路70に出力する。   Here, the bias voltage DC / AC fluctuation detection circuit 22 constantly detects each fluctuation between the DC component of the bias voltage and the AC component that becomes noise, and outputs the detected result to the determination circuit 70. The acceleration voltage AC fluctuation detection circuit 32 constantly detects the fluctuation of the AC component that becomes noise of the acceleration voltage, and outputs the detected result to the determination circuit 70. The emission current DC / AC fluctuation detection circuit 42 always detects each fluctuation of the DC component of the emission current and the AC component that becomes noise, and outputs the detected result to the determination circuit 70. The filament DC / AC fluctuation detection circuit 52 constantly detects each fluctuation between the DC component of the filament power and the AC component that becomes noise, and outputs the detected result to the determination circuit 70. The emitter resistance fluctuation detection circuit 54 calculates the emitter resistance from the voltage value and the current value that are the basis of the filament power calculation, constantly detects such emitter resistance fluctuation, and outputs the detected result to the determination circuit 70. To do.

図3は、実施の形態1における直流成分の変動要因の一例を示す図である。図3に示すように、各検出対象の直流成分は、例えば、径時変化に伴うドリフトによって長期的で緩やかな変動が生じる場合がある。   FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a variation factor of the DC component in the first embodiment. As shown in FIG. 3, the DC component of each detection target may have a long-term and gentle fluctuation due to, for example, a drift accompanying a change with time.

図4は、実施の形態1における直流成分の変動要因の他の一例を示す図である。図4に示すように、各検出対象の直流成分は、例えば、急峻な変動の後、出力値がずれたままになるシフトという現象による変動が生じる場合がある。   FIG. 4 is a diagram showing another example of the variation factor of the DC component in the first embodiment. As shown in FIG. 4, the DC component of each detection target may vary due to, for example, a phenomenon that the output value remains shifted after a steep variation.

図5は、実施の形態1における直流成分の変動の一例を示す図である。図5では、一例として、加速電圧の直流成分の変動を示している。判定回路70は、制御計算機120から直流変動検知用平均値算出要求を入力する。かかる要求に基づいて、判定回路70は、所定の期間に検出された、例えば、加速電圧の直流成分の値の平均値を算出する。かかる平均値が基準となる。また、判定回路70は、制御計算機120から、例えば、加速電圧の直流成分変動用の閾値を入力する。閾値は基準となる平均値からの上限下限の変動許容範囲となる。また、判定回路70は、制御計算機120から監視(モニター)開始要求を入力する。監視開始要求が入力されると、判定回路70は、常時検出される、例えば、加速電圧の直流成分が閾値を超えたかどうかを判定する。直流成分については、例えば1点だけ急峻に変動した結果については閾値を超えたとは判定しない。急激な変化は後述する交流成分で判定する。以上の動作をバイアス電圧、エミッション電流、及びフィラメント電力についても同様の動作を行なう。   FIG. 5 is a diagram illustrating an example of fluctuations in the DC component in the first embodiment. FIG. 5 shows, as an example, fluctuations in the DC component of the acceleration voltage. The determination circuit 70 receives a DC fluctuation detection average value calculation request from the control computer 120. Based on such a request, the determination circuit 70 calculates, for example, an average value of the DC component values of the acceleration voltage detected during a predetermined period. Such an average value is a reference. Further, the determination circuit 70 receives, for example, a threshold value for dc component variation of the acceleration voltage from the control computer 120. The threshold value is an allowable variation range between the upper and lower limits from the reference average value. The determination circuit 70 also receives a monitoring (monitoring) start request from the control computer 120. When the monitoring start request is input, the determination circuit 70 determines whether or not the DC component of the acceleration voltage that is constantly detected, for example, exceeds a threshold value. As for the direct current component, for example, the result of steep fluctuation by one point is not determined to exceed the threshold value. A sudden change is determined by an AC component described later. The same operation is performed for the bias voltage, emission current, and filament power.

記録回路80は、例えば、加速電圧の直流成分について、判定回路70が閾値を超えたと判定した箇所について、発生時刻、収束時刻、及び最大変動量を記録する。そして、制御計算機120から記録出力要求を入力すると、記録された結果を制御計算機120に出力する。以上の動作をバイアス電圧、エミッション電流、及びフィラメント電力についても同様の動作を行なう。   The recording circuit 80 records, for example, the generation time, the convergence time, and the maximum fluctuation amount for the portion where the determination circuit 70 determines that the threshold value has been exceeded for the DC component of the acceleration voltage. When a recording output request is input from the control computer 120, the recorded result is output to the control computer 120. The same operation is performed for the bias voltage, emission current, and filament power.

図6は、実施の形態1における交流成分の変動の一例を示す図である。図6に示すように、各検出対象の交流成分については、瞬間的な変動を捉える。   FIG. 6 is a diagram illustrating an example of fluctuations in the AC component in the first embodiment. As shown in FIG. 6, instantaneous fluctuations are captured for the AC components to be detected.

図7は、実施の形態1における交流成分の変動の一例を示す図である。図7では、一例として、加速電圧のノイズとなる交流成分の変動を示している。交流変動を検知する際には、各検知回路は、直流成分の値を取り除き、加速電圧及びバイアス電圧の基準電圧、エミッション電流の基準電流、及びフィラメント電力の基準電力を0にする。これによりノイズ成分だけのレンジで検知することができる。その結果、検出する際の解像度を向上させることができる。そして、直流成分が除去された各検出結果を判定回路70が入力する。判定回路70は、制御計算機120から、例えば、加速電圧の交流成分変動用の閾値を入力する。閾値は基準となる値0からの上限下限の変動許容範囲となる。また、判定回路70は、制御計算機120から監視(モニター)開始要求を入力する。監視開始要求が入力されると、判定回路70は、常時検出される、例えば、加速電圧の交流成分が閾値を超えたかどうかを判定する。交流成分については、瞬間的に変動した結果についても閾値を超えたと判定する。以上の動作をバイアス電圧、エミッション電流、及びフィラメント電力についても同様の動作を行なう。   FIG. 7 is a diagram illustrating an example of the variation of the AC component in the first embodiment. FIG. 7 shows, as an example, fluctuations in the AC component that becomes noise of the acceleration voltage. When detecting the AC fluctuation, each detection circuit removes the value of the DC component, and sets the reference voltage of the acceleration voltage and the bias voltage, the reference current of the emission current, and the reference power of the filament power to zero. Thereby, it can detect in the range only of a noise component. As a result, the resolution at the time of detection can be improved. Then, the determination circuit 70 inputs each detection result from which the DC component has been removed. The determination circuit 70 inputs, for example, a threshold for changing the AC component of the acceleration voltage from the control computer 120. The threshold value is an allowable range of fluctuation between the upper and lower limits from the reference value 0. The determination circuit 70 also receives a monitoring (monitoring) start request from the control computer 120. When the monitoring start request is input, the determination circuit 70 determines whether or not the AC component of the acceleration voltage that is constantly detected, for example, exceeds a threshold value. As for the AC component, it is determined that the result of instantaneous fluctuation has also exceeded the threshold. The same operation is performed for the bias voltage, emission current, and filament power.

記録回路80は、例えば、加速電圧の直流成分について、判定回路70が閾値を超えたと判定した箇所について、発生時刻及び最大変動量を記録する。そして、制御計算機120から記録出力要求を入力すると、記録された結果を制御計算機120に出力する。以上の動作をバイアス電圧、エミッション電流、及びフィラメント電力についても同様の動作を行なう。   The recording circuit 80 records, for example, the generation time and the maximum fluctuation amount at a location where the determination circuit 70 determines that the threshold value has been exceeded for the DC component of the acceleration voltage. When a recording output request is input from the control computer 120, the recorded result is output to the control computer 120. The same operation is performed for the bias voltage, emission current, and filament power.

以上のようにして記録された結果は、制御計算機120からの記録出力要求に応じて記録回路80が制御計算機120に出力する。そして、描画完了後、或いは描画中に定期的に検知記録を確認することで各検出対象に異常があったかどうかを監視することができる。或いは、制御計算機120が、異常があった時点で描画動作を中止するように制御してもよい。   The result recorded as described above is output to the control computer 120 by the recording circuit 80 in response to a recording output request from the control computer 120. Then, it is possible to monitor whether or not each detection target has an abnormality by checking the detection record periodically after the drawing is completed or during the drawing. Alternatively, the control computer 120 may control to stop the drawing operation when there is an abnormality.

次に、エミッタ抵抗の変動について説明する。
図8は、実施の形態1におけるエミッタ抵抗の変動の一例を示す図である。エミッタ抵抗の変動の挙動と電流密度の変動の挙動は、図8に示すようにほぼ一致していることを発明者は見出した。
Next, the variation of the emitter resistance will be described.
FIG. 8 is a diagram illustrating an example of variation in emitter resistance in the first embodiment. The inventor has found that the behavior of the variation of the emitter resistance and the behavior of the variation of the current density substantially coincide as shown in FIG.

図9は、実施の形態1におけるJドロップの様子の一例を示す図である。描画装置では、図9に示すように、電流密度が、瞬時に最大変動値に到達し、数分〜十数分かけて序々に変動前の値に収束する現象(かかる現象を「Jドロップ」と定義する)が発生することがある。かかる現象が発生すると電子ビームの照射量に大きな誤差が生じてしまうためパターン寸法に異常をきたすことになる。そのため、かかる現象が起こるカソード21は既に寿命が尽きたものと言える。そのため、かかる現象が発生する前にカソード21を交換することが求められる。しかし、従来、かかる現象がいつ発生するのか予測することが困難であり、カソード寿命の判定が困難であった。   FIG. 9 is a diagram illustrating an example of a J drop state according to the first embodiment. In the drawing apparatus, as shown in FIG. 9, the current density instantaneously reaches the maximum fluctuation value and gradually converges to the value before the fluctuation over several minutes to ten and several minutes (this phenomenon is referred to as “J drop”). Defined) may occur. When such a phenomenon occurs, a large error occurs in the electron beam irradiation amount, resulting in an abnormal pattern dimension. Therefore, it can be said that the cathode 21 in which such a phenomenon occurs has already expired. Therefore, it is required to replace the cathode 21 before such a phenomenon occurs. Conventionally, however, it has been difficult to predict when such a phenomenon will occur, and it has been difficult to determine the cathode life.

そこで、実施の形態1では、図8で示したように、電流密度の変動の挙動と実質的に同じ挙動を示すエミッタ抵抗の変動を常時監視することで、カソード寿命の判定を行なう。判定回路70は、制御計算機120から、エミッタ抵抗用の閾値を入力する。閾値は基準となる安定期の値からの上限下限の変動許容範囲となる。或いは、閾値はエミッタ抵抗の変動頻度の許容範囲となる。そして、判定回路70は、制御計算機120から監視(モニター)開始要求を入力する。監視開始要求が入力されると、判定回路70は、常時検出されるエミッタ抵抗の変動が、閾値で示される頻度或いは大きさを超えたかどうかを判定する。   Therefore, in the first embodiment, as shown in FIG. 8, the cathode life is determined by constantly monitoring the variation of the emitter resistance that exhibits substantially the same behavior as the variation of the current density. The determination circuit 70 receives the emitter resistance threshold value from the control computer 120. The threshold value is an allowable range of fluctuation between the upper and lower limits from the reference stable period value. Alternatively, the threshold value is an allowable range of the variation frequency of the emitter resistance. Then, the determination circuit 70 inputs a monitoring start request from the control computer 120. When the monitoring start request is input, the determination circuit 70 determines whether or not the constantly detected variation of the emitter resistance exceeds the frequency or magnitude indicated by the threshold value.

記録回路80は、エミッタ抵抗の変動を記録すると共に、判定回路70が閾値を超えたと判定した箇所について、発生時刻及び最大変動量を記録する。そして、制御計算機120から記録出力要求を入力すると、記録された結果を制御計算機120に出力する。そして、制御計算機120は、エミッタ抵抗の変動が、かかる頻度と大きさの少なくとも一方を越えた場合に、電子銃201のカソードの寿命と判定し、結果を出力する。或いは、エミッタ抵抗の変動の様子を出力し、ユーザがかかる変動の様子から電子銃201のカソードの寿命を判定してもよい。いずれにしても、かかる寿命を超える前にカソード21を交換すればよい。制御計算機120には、モニタ、プリンタ、或いはネットワークに情報を出力するための外部インターフェース等の図示しない出力機能が接続される。   The recording circuit 80 records the variation of the emitter resistance, and also records the occurrence time and the maximum variation amount at the location determined by the determination circuit 70 that exceeds the threshold value. When a recording output request is input from the control computer 120, the recorded result is output to the control computer 120. Then, the control computer 120 determines that the life of the cathode of the electron gun 201 is at least one of the frequency and the magnitude of the fluctuation of the emitter resistance, and outputs the result. Alternatively, the state of variation of the emitter resistance may be output, and the user may determine the life of the cathode of the electron gun 201 from the state of variation. In any case, the cathode 21 may be replaced before the lifetime is exceeded. The control computer 120 is connected to an output function (not shown) such as an external interface for outputting information to a monitor, a printer, or a network.

以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。   The embodiments have been described above with reference to specific examples. However, the present invention is not limited to these specific examples.

また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置100を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。   In addition, although descriptions are omitted for parts and the like that are not directly required for the description of the present invention, such as a device configuration and a control method, a required device configuration and a control method can be appropriately selected and used. For example, although the description of the control unit configuration for controlling the drawing apparatus 100 is omitted, it goes without saying that the required control unit configuration is appropriately selected and used.

その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての高圧電源回路および描画装置は、本発明の範囲に包含される。   In addition, all high-voltage power supply circuits and drawing apparatuses that include the elements of the present invention and that can be appropriately modified by those skilled in the art are included in the scope of the present invention.

10 昇圧回路
20 フィルター回路
21 カソード
22 バイアス電圧直流・交流変動検知回路
23 アノード
26 ウェネルト電極
27 エミッタ
28 フィラメント
29 碍子
30 バイアス回路
32 加速電圧交流変動検知回路
40 エミッション電流検出回路
42 エミッション電流直流・交流変動検知回路
50 フィラメント回路
52 フィラメント直流・交流変動検知回路
54 エミッタ抵抗変動検知回路
60 加速電圧検出回路
62 加速電圧直流変動検知回路
70 判定回路
80 記録回路
100 描画装置
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 高圧電源回路
120 制御計算機
130 高圧ケーブル
140 制御回路
150 描画部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,206,410,420 アパーチャ
204 投影レンズ
205,208 偏向器
207 対物レンズ
330 電子線
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Booster circuit 20 Filter circuit 21 Cathode 22 Bias voltage DC / AC fluctuation detection circuit 23 Anode 26 Wehnelt electrode 27 Emitter 28 Filament 29 Insulator 30 Bias circuit 32 Acceleration voltage AC fluctuation detection circuit 40 Emission current detection circuit 42 Emission current DC / AC fluctuation Detection circuit 50 Filament circuit 52 Filament DC / AC fluctuation detection circuit 54 Emitter resistance fluctuation detection circuit 60 Acceleration voltage detection circuit 62 Acceleration voltage DC fluctuation detection circuit 70 Determination circuit 80 Recording circuit 100 Drawing apparatus 101, 340 Sample 102 Electronic lens barrel 103 Drawing Chamber 105 XY stage 110 High voltage power supply circuit 120 Control computer 130 High voltage cable 140 Control circuit 150 Drawing unit 200 Electron beam 201 Electron gun 202 Illumination lenses 203, 206, 410, 42 Aperture 204 a projection lens 205, 208 the deflector 207 an objective lens 330 electron beam 411 opening 421 variable-shaped opening 430 a charged particle source

Claims (5)

電子ビームを放出する電子銃と、
前記電子銃に電子の加速電圧を印加する高圧電源回路と、
前記高圧電源回路内に配置され、前記電子銃のエミッタ抵抗の変動を検知するエミッタ抵抗変動検知部と、
前記高圧電源回路内に配置され、検知されたエミッタ抵抗の変動を記録する記録部と、
前記電子銃から放出される電子ビームを試料の所望する位置に照射する電子光学系と、
を備えたことを特徴とする電子ビーム描画装置。
An electron gun that emits an electron beam;
A high-voltage power supply circuit for applying an electron acceleration voltage to the electron gun;
An emitter resistance variation detector disposed in the high-voltage power supply circuit for detecting variations in the emitter resistance of the electron gun;
A recording unit that is disposed in the high-voltage power supply circuit and records the detected variation of the emitter resistance;
An electron optical system for irradiating a desired position of the sample with an electron beam emitted from the electron gun;
An electron beam drawing apparatus comprising:
電子ビームを放出する電子銃と、
前記電子銃に電子の加速電圧を印加する高圧電源回路と、
前記高圧電源回路内に配置され、前記電子銃に印加される加速電圧の直流成分の変動を検知する加速電圧直流変動検知部と、
前記高圧電源回路内に配置され、閾値を超えた検知された加速電圧の直流成分の変動を記録する記録部と、
前記電子銃から放出される電子ビームを試料の所望する位置に照射する電子光学系と、
を備えたことを特徴とする電子ビーム描画装置。
An electron gun that emits an electron beam;
A high-voltage power supply circuit for applying an electron acceleration voltage to the electron gun;
An acceleration voltage DC fluctuation detection unit that is arranged in the high-voltage power supply circuit and detects a fluctuation of a DC component of the acceleration voltage applied to the electron gun;
A recording unit that is arranged in the high-voltage power supply circuit and records a change in a DC component of a detected acceleration voltage that exceeds a threshold value;
An electron optical system for irradiating a desired position of the sample with an electron beam emitted from the electron gun;
An electron beam drawing apparatus comprising:
電子ビームを放出する電子銃と、
前記電子銃に電子の加速電圧を印加する高圧電源回路と、
前記高圧電源回路内に配置され、前記電子銃に流れるエミッション電流の変動を検知するエミッション電流変動検知部と、
前記高圧電源回路内に配置され、前記電子銃に印加されるバイアス電圧の変動を検知するエミッション電流変動検知部と、
前記高圧電源回路内に配置され、閾値を超えた検知されたエミッション電流の変動とバイアス電圧の変動とを記録する記録部と、
前記電子銃から放出される電子ビームを試料の所望する位置に照射する電子光学系と、
を備えたことを特徴とする電子ビーム描画装置。
An electron gun that emits an electron beam;
A high-voltage power supply circuit for applying an electron acceleration voltage to the electron gun;
An emission current fluctuation detection unit that is arranged in the high-voltage power supply circuit and detects fluctuations in the emission current flowing through the electron gun;
An emission current fluctuation detection unit that is arranged in the high-voltage power supply circuit and detects a fluctuation of a bias voltage applied to the electron gun;
A recording unit that is disposed in the high-voltage power supply circuit and records a detected emission current fluctuation and a bias voltage fluctuation exceeding a threshold;
An electron optical system for irradiating a desired position of the sample with an electron beam emitted from the electron gun;
An electron beam drawing apparatus comprising:
電子ビームを放出する電子銃と、
前記電子銃に電子の加速電圧を印加する高圧電源回路と、
前記高圧電源回路内に配置され、前記電子銃のフィラメントに供給される電力変動を検知する加速電圧直流変動検知部と、
前記高圧電源回路内に配置され、閾値を超えた検知されたフィラメントの電力変動を記録する記録部と、
前記電子銃から放出される電子ビームを試料の所望する位置に照射する電子光学系と、
を備えたことを特徴とする電子ビーム描画装置。
An electron gun that emits an electron beam;
A high-voltage power supply circuit for applying an electron acceleration voltage to the electron gun;
An accelerating voltage DC fluctuation detection unit that is arranged in the high-voltage power supply circuit and detects a power fluctuation supplied to the filament of the electron gun;
A recording unit that is arranged in the high-voltage power supply circuit and records a detected power fluctuation of the filament that exceeds a threshold value;
An electron optical system for irradiating a desired position of the sample with an electron beam emitted from the electron gun;
An electron beam drawing apparatus comprising:
描画中に電子ビームを放出する電子銃のエミッタ抵抗の変動を検知する工程と、
検知されたエミッタ抵抗の変動を記録する工程と、
前記エミッタ抵抗の変動が、所定の頻度と所定の大きさの少なくとも一方を越えた場合に、前記電子銃のカソードの寿命と判定する工程と、
を備えたことを特徴とする電子銃のカソード寿命の判定方法。
Detecting a change in emitter resistance of an electron gun that emits an electron beam during drawing;
Recording the detected variations in emitter resistance;
Determining the lifetime of the cathode of the electron gun when the variation of the emitter resistance exceeds at least one of a predetermined frequency and a predetermined magnitude;
A method for determining the cathode life of an electron gun, comprising:
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