JP2010192472A - Organic electroluminescent device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子ということがある。)、照明装置、面状光源及び表示装置に関する。 The present invention relates to an organic electroluminescence element (hereinafter sometimes referred to as an organic EL element), a lighting device, a planar light source, and a display device.
有機EL素子は一対の電極と、該電極間に設けられる有機化合物を含む発光層(以下、有機発光層という場合がある)とを含んで構成される。有機EL素子に電圧を印加すると、陽極から正孔が注入されるとともに陰極から電子が注入され、これら正孔と電子とが有機発光層において結合することによって発光する。 The organic EL element includes a pair of electrodes and a light emitting layer containing an organic compound provided between the electrodes (hereinafter sometimes referred to as an organic light emitting layer). When a voltage is applied to the organic EL element, holes are injected from the anode and electrons are injected from the cathode, and light is emitted by combining these holes and electrons in the organic light emitting layer.
通常の有機EL素子は1層の有機発光層を含んで構成されている。発光素子としては当然に、高輝度で発光することが求められている。そのため発光を担う有機発光層を2層以上備える有機EL素子が検討されている。例えば有機発光層を含む発光ユニットを複数段積層した構成のいわゆるマルチフォトン型の有機EL素子が提案されている。なお有機発光層を含む発光ユニットを単に積層しただけでは特性の高い有機EL素子を得ることができないので、発光ユニット間には所定の電荷発生層が設けられている(例えば、特許文献1参照)。 A normal organic EL element includes one organic light emitting layer. Naturally, a light emitting element is required to emit light with high luminance. Therefore, an organic EL element including two or more organic light emitting layers responsible for light emission has been studied. For example, a so-called multiphoton type organic EL element having a structure in which a plurality of light emitting units including an organic light emitting layer are stacked has been proposed. Note that an organic EL element having high characteristics cannot be obtained by simply laminating a light emitting unit including an organic light emitting layer. Therefore, a predetermined charge generation layer is provided between the light emitting units (for example, see Patent Document 1). .
有機EL素子は通常、基板上に設けられる。いわゆるボトムエミッション型の有機EL素子は、一対の電極のうちの基板寄りに配置される電極および基板を通して、基板側から光を出射する。そのため基板寄りに配置される電極には透明電極が用いられている。このような透明電極としては、インジウムスズ酸化物(ITO:Indium Tin Oxide)等の金属酸化物からなる薄膜が知られている(例えば、特許文献2参照)。 The organic EL element is usually provided on a substrate. A so-called bottom emission type organic EL element emits light from the substrate side through an electrode and a substrate disposed near the substrate of the pair of electrodes. Therefore, a transparent electrode is used as an electrode disposed near the substrate. As such a transparent electrode, a thin film made of a metal oxide such as indium tin oxide (ITO) is known (for example, see Patent Document 2).
マルチフォトン型の有機EL素子は、1層の有機発光層を備える通常の有機EL素子に比べると構成が複雑になるが、確かに、マルチフォトン型の有機EL素子を構成することにより、素子内において発生する光の量が増加するので、その輝度を向上させることは可能である。しかしながら、素子内において発生する光の量を増加させることを目的として、構成が複雑なマルチフォトン型の構成を敢えて採用したとしても、素子内において発生する光の一部は基板表面などで反射して、外に出射しないために、有機EL素子の輝度は必ずしも十分とはいえない。 The multi-photon type organic EL element has a complicated structure as compared with a normal organic EL element having a single organic light emitting layer. However, by constructing the multi-photon type organic EL element, Since the amount of light generated in is increased, the luminance can be improved. However, for the purpose of increasing the amount of light generated in the element, even if a multi-photon type structure having a complicated structure is used, a part of the light generated in the element is reflected on the substrate surface or the like. In addition, the luminance of the organic EL element is not necessarily sufficient because it does not emit to the outside.
本発明は上記従来技術における問題点に鑑みてなされたものであり、その課題は、光取出し効率および輝度の高いマルチフォトン型の有機EL素子、並びにこの有機EL素子を備える照明装置、面状光源および表示装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-described problems in the prior art, and the problems thereof are a multiphoton type organic EL element having high light extraction efficiency and high brightness, an illumination device including the organic EL element, and a planar light source. And providing a display device.
上記の課題を解決するため、本発明では、下記の構成を採用した。
[1] 光透過性を有する基板と、
陽極および陰極のうちのいずれか一方の電極であり、前記基板に接して設けられる光透過性を有する第1電極と、
前記陽極および陰極のうちの他方の電極である第2電極と、
前記第1電極および第2電極間に設けられ、かつそれぞれが有機発光層を含む複数の発光ユニットと、
前記発光ユニットに挟持されて配置される電荷発生層とを備え、
前記電荷発生層は、仕事関数が3.0eV以下の金属およびその化合物からなる群(A)から選ばれるものの1種類以上と、仕事関数が4.0eV以上の化合物(B)の1種類以上とを含み、
前記第1電極の屈折率をn1、前記基板の屈折率をn2とすると、n1およびn2がそれぞれ次式(1):
有機エレクトロルミネッセンス素子。
[2] 前記発光ユニットが、塗布法により形成されてなる有機発光層を含む、上記[1]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[3] 前記有機発光層が、高分子有機化合物を含む、上記「1」又は[2]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[4] 前記電荷発生層が、前記群(A)から選ばれるものの1種類以上を含む第1の層と、前記化合物(B)の1種類以上を含む第2の層とを含んで成り、前記第1の層が、前記第2の層よりも、前記陽極としての第1または第2電極寄りに配置される、上記[1]から[3]のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[5] 前記電荷発生層は、前記群(A)から選ばれるものの1種類以上と、前記化合物(B)の1種類以上とが混合されてなる層である、上記[1]から[3]のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[6] 前記仕事関数が3.0eV以下の金属が、アルカリ金属、及びアルカリ土類金属からなる群から選択される、上記[1]から[5]のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[7] 前記化合物(B)が遷移金属酸化物である、上記[1]から[6]のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[8] 前記遷移金属酸化物が、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Tc、及びReからなる群から選ばれる1種類以上の金属の酸化物である、上記[7]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[9] 前記仕事関数が3.0eV以下の金属がLiであり、前記仕事関数が4.0eV以上の化合物がV2O5である、上記[1]から[8]のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[10] 前記第1電極が、塗布法により形成される、上記[1]から[9]のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[11] 前記第1電極が、
光透過性を有する膜本体と、
該膜本体中に配置され、導電性を有するワイヤ状の導電体とを含む、上記[1]から[10]のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[12] 前記ワイヤ状の導電体の径が200nm以下である、上記[11]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[13] 前記ワイヤ状の導電体が、前記膜本体中において網目構造を構成している、上記[12]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[14] 前記膜本体が、導電性を有する樹脂を含む、上記[11]から[13]のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[15] 前記第1電極が、陽極である、上記[1]から[14]のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[16] 上記[1]から[15]のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える照明装置。
[17] 上記[1]から[15]のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える面状光源。
[18] 上記[1]から[15]のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える表示装置。
In order to solve the above problems, the present invention employs the following configuration.
[1] a substrate having optical transparency;
A first electrode having one of an anode and a cathode and having light transmissivity provided in contact with the substrate;
A second electrode that is the other of the anode and the cathode;
A plurality of light emitting units provided between the first electrode and the second electrode, each including an organic light emitting layer;
A charge generation layer disposed between the light emitting units,
The charge generation layer includes at least one selected from the group consisting of metals and compounds thereof having a work function of 3.0 eV or less, and at least one compound (B) having a work function of 4.0 eV or more. Including
When the refractive index of the first electrode is n1 and the refractive index of the substrate is n2, n1 and n2 are represented by the following formula (1):
Organic electroluminescence device.
[2] The organic electroluminescent element according to the above [1], wherein the light emitting unit includes an organic light emitting layer formed by a coating method.
[3] The organic electroluminescent element according to the above [1] or [2], wherein the organic light emitting layer contains a polymer organic compound.
[4] The charge generation layer comprises a first layer containing one or more selected from the group (A) and a second layer containing one or more of the compound (B), The organic electroluminescence according to any one of [1] to [3], wherein the first layer is disposed closer to the first or second electrode as the anode than the second layer. element.
[5] The charge generation layer is a layer formed by mixing one or more types selected from the group (A) and one or more types of the compound (B). Organic electroluminescent element as described in any one of these.
[6] The organic electroluminescence according to any one of [1] to [5], wherein the metal having a work function of 3.0 eV or less is selected from the group consisting of alkali metals and alkaline earth metals. element.
[7] The organic electroluminescence device according to any one of [1] to [6], wherein the compound (B) is a transition metal oxide.
[8] In the above [7], the transition metal oxide is an oxide of one or more metals selected from the group consisting of V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Tc, and Re. The organic electroluminescent element of description.
[9] The above [1] to [8], wherein the metal having a work function of 3.0 eV or less is Li, and the compound having a work function of 4.0 eV or more is V 2 O 5. The organic electroluminescent element of description.
[10] The organic electroluminescence element according to any one of [1] to [9], wherein the first electrode is formed by a coating method.
[11] The first electrode is
A film body having optical transparency;
The organic electroluminescence element according to any one of [1] to [10], including a wire-like conductor disposed in the film body and having conductivity.
[12] The organic electroluminescent element according to the above [11], wherein the wire-like conductor has a diameter of 200 nm or less.
[13] The organic electroluminescent element according to the above [12], wherein the wire-like conductor forms a network structure in the film main body.
[14] The organic electroluminescence element according to any one of [11] to [13], wherein the film body includes a resin having conductivity.
[15] The organic electroluminescence element according to any one of [1] to [14], wherein the first electrode is an anode.
[16] An illumination device including the organic electroluminescence element according to any one of [1] to [15].
[17] A planar light source comprising the organic electroluminescence element according to any one of [1] to [15].
[18] A display device comprising the organic electroluminescence element according to any one of [1] to [15].
本発明によれば、光取出し効率および輝度の高い、発光性能の優れたマルチフォトン型の有機EL素子を実現することができる。したがって、本発明の有機EL素子は、照明装置、面状光源、フラットパネルディスプレイ等の表示装置に好適に用いることができる。 According to the present invention, it is possible to realize a multi-photon type organic EL element having high light extraction efficiency, high luminance, and excellent light emission performance. Therefore, the organic EL element of the present invention can be suitably used for display devices such as lighting devices, planar light sources, and flat panel displays.
以下、本発明の有機EL素子の実施の一形態について図面を参照しつつ説明する。なお理解の容易のため、図面における各部材の縮尺は実際とは異なる場合がある。また本発明は以下の記述によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。層構造等の説明の便宜上、下記に示す例においては基板を下に配置した図と共に有機EL素子の説明をするが、本発明の有機EL素子およびこれを搭載した有機EL装置は、必ずしもこの配置で製造されたり、使用されたりするわけではない。なお以下の説明において支持基板の厚み方向の一方を上または上方といい、支持基板の厚み方向の他方を下または下方という場合がある。 Hereinafter, an embodiment of the organic EL element of the present invention will be described with reference to the drawings. For ease of understanding, the scale of each member in the drawing may differ from the actual scale. The present invention is not limited to the following description, and can be appropriately changed without departing from the gist of the present invention. For convenience of explanation of the layer structure and the like, in the example shown below, the organic EL element will be described together with the figure in which the substrate is placed below. However, the organic EL element of the present invention and the organic EL device equipped with the organic EL element are not necessarily arranged in this manner. It is not manufactured or used. In the following description, one of the support substrate in the thickness direction may be referred to as “upper” or “upper”, and the other of the support substrate in the thickness direction may be referred to as “lower” or “lower”.
1.本発明の有機EL素子
本発明の有機EL素子は、光透過性を有する基板と、陽極および陰極のうちのいずれか一方の電極であり、前記基板に接して設けられる光透過性を有する第1電極と、前記陽極および陰極のうちの他方の電極である第2電極と、前記第1電極および第2電極間に設けられ、かつそれぞれが有機発光層を含む複数の発光ユニットと、前記発光ユニットに挟持されて配置される電荷発生層とを備え、前記電荷発生層は、仕事関数が3.0eV以下の金属およびその化合物からなる群(A)から選ばれるものの1種類以上と、仕事関数が4.0eV以上の化合物(B)の1種類以上とを含み、前記第1電極の屈折率をn1、前記基板の屈折率をn2とすると、n1およびn2がそれぞれ次式(1):
なお本明細書では「光透過性を有する支持基板」、「光透過性を有する電極」は、入射した光の少なくとも一部が透過する支持基板、電極をそれぞれ意味する。
1. Organic EL Device of the Present Invention The organic EL device of the present invention is a light transmissive substrate and one of an anode and a cathode, and a light transmissive first electrode provided in contact with the substrate. An electrode, a second electrode which is the other of the anode and the cathode, a plurality of light emitting units provided between the first electrode and the second electrode, each including an organic light emitting layer, and the light emitting unit A charge generation layer disposed between and at least one selected from the group (A) consisting of a metal having a work function of 3.0 eV or less and a compound thereof, and the work function is When the refractive index of the first electrode is n1 and the refractive index of the substrate is n2, n1 and n2 are represented by the following formula (1):
In the present specification, “light-transmitting support substrate” and “light-transmitting electrode” mean a support substrate and an electrode through which at least part of incident light is transmitted.
本実施形態の有機EL素子は、電荷発生層を介して複数の発光ユニットが複数段積層された構成のマルチフォトン型の有機EL素子である。有機EL素子のとりうる層構成を以下に示す。
(i)陽極/第1の発光ユニット/電荷発生層/第2の発光ユニット/陰極
(ii)陽極/発光ユニット/(電荷発生層/発光ユニット)x/陰極
ここで記号「/」は、記号「/」を挟む層が隣接して積層されていることを表す。また記号「x」は2以上の整数を表し、「(電荷発生層/発光ユニット)x」は、電荷発生層と発光ユニットとからなる積層体がx段積層されていることを表す。有機EL素子は、(i)または(ii)に示す構成の積層体(以下、発光機能部という場合がある。)が支持基板上に設けられて構成される。なお発光機能部は、陽極および陰極のうちの一方の電極を支持基板寄りに配置させて、支持基板上に設けられている。
The organic EL element of the present embodiment is a multi-photon type organic EL element having a configuration in which a plurality of light emitting units are stacked through a charge generation layer. The layer structure which an organic EL element can take is shown below.
(I) Anode / first light emitting unit / charge generating layer / second light emitting unit / cathode (ii) anode / light emitting unit / (charge generating layer / light emitting unit) x / cathode It represents that the layers sandwiching “/” are stacked adjacent to each other. The symbol “x” represents an integer of 2 or more, and “(charge generation layer / light emitting unit) x” represents that x layers of the layered structure including the charge generation layer and the light emitting unit are stacked. The organic EL element is configured by providing a laminated body (hereinafter, sometimes referred to as a light emitting function unit) having the configuration shown in (i) or (ii) on a support substrate. The light emitting function unit is provided on the support substrate with one of the anode and the cathode disposed near the support substrate.
[第1の実施形態]
図1を参照しつつ、第1の実施形態の有機EL素子およびその変形例について説明する。図1は、本発明の第1の実施形態の有機EL素子を示す正面図である。
本実施形態における有機EL素子10は、発光機能部17と、この発光機能部17が搭載される支持基板15とを備える。
[First Embodiment]
With reference to FIG. 1, the organic EL element of the first embodiment and a modification thereof will be described. FIG. 1 is a front view showing an organic EL element according to the first embodiment of the present invention.
The
発光機能部17は通常、前述した(i)または(ii)の構成において、光透過性を有する第1電極としての陽極14を最も支持基板15寄りに配置するようにして、支持基板15上に設けられる。本実施形態における発光機能部17は、第1電極としての陽極14、第1の発光ユニット11、電荷発生層13、第2の発光ユニット12、および第2電極としての陰極16が、支持基板15側からこの順で積層されて構成される。このように、本実施形態では、第1及び第2の発光ユニット11、12が電荷発生層13を介して積層されたマルチフォトン型の有機EL素子10が構成される。
The light emitting
本実施の形態では発光機能部17を保護するために、発光機能部17を覆う封止基板(上部封止膜という場合がある)18がさらに設けられている。
なお本実施形態では第1電極14として陽極を設け、第2電極16として陰極を設けているが、変形例としては発光機能部17の積層順を逆順とし、第1電極として陰極を設け、第2電極として陽極を設けた有機EL素子を構成してもよい。また前述した(i)または(ii)の構成において、第2電極として陰極を最も支持基板15寄りに配置するように、発光機能部を支持基板15上に設けてもよい。
In the present embodiment, in order to protect the light emitting
In this embodiment, an anode is provided as the
<1.発光機能部>
発光機能部17は、上述の通り、陽極(第1電極)14、陰極(第2電極)16、第1の発光ユニット11、第2の発光ユニット12、および第1の発光ユニット11と第2の発光ユニット12との間に位置する電荷発生層13を備える。第1及び第2の発光ユニット11、12は、それぞれが有機発光層を含む。第1の発光ユニット11は、第1の有機発光層11のみで構成され、第2の発光ユニット12は、第2の有機発光層のみで構成されている。
<1. Light emitting function>
As described above, the light emitting
まず、第1の発光ユニット11、第2の発光ユニット12、電荷発生層13、第1電極14について説明し、その後、有機EL素子の他の構成要素について説明する。
First, the first
<A>発光ユニット
発光ユニットは、有機発光層を含んで構成される。発光ユニットは、1または複数の有機発光層を備える。なお発光ユニットは、有機発光層のみによって構成されていてもよく、有機発光層とは異なる層を含んでいてもよい。発光ユニットを構成する層のうちで、有機発光層を基準にして陽極側に設けられる層としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層などを挙げることができる。また発光ユニットを構成する層のうちで、有機発光層を基準にして陰極側に設けられる層としては、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層などを挙げることができる。これら有機発光層とは異なる層については、任意の層として後述する。
発光ユニットは、マルチフォトン型ではない通常の有機EL素子、すなわち1層の有機発光層を有する有機EL素子のうちの、陽極と陰極とに挟持された部分と同様の構成をなす。図1に示す本実施形態の有機EL素子10では、第1の発光ユニット11は第1の有機発光層のみで構成され、第2の発光ユニット12は第2の発光層のみで構成されている。
<A> Light-emitting unit The light-emitting unit includes an organic light-emitting layer. The light emitting unit includes one or more organic light emitting layers. In addition, the light emitting unit may be comprised only by the organic light emitting layer, and may contain the layer different from an organic light emitting layer. Among the layers constituting the light emitting unit, examples of the layer provided on the anode side with respect to the organic light emitting layer include a hole injection layer, a hole transport layer, and an electron block layer. Among the layers constituting the light emitting unit, examples of the layer provided on the cathode side with respect to the organic light emitting layer include an electron injection layer, an electron transport layer, and a hole blocking layer. A layer different from these organic light emitting layers will be described later as an optional layer.
The light emitting unit has the same configuration as a portion sandwiched between an anode and a cathode in a normal organic EL element that is not a multiphoton type, that is, an organic EL element having one organic light emitting layer. In the
有機発光層は、塗布法および蒸着法などによって形成することができ、前記発光ユニットが、塗布法により形成されてなる有機発光層を含むことが好ましい。すなわち発光ユニットは、有機発光層を形成する材料(以下、発光材料という場合がある)を含む溶液を塗布し、乾燥することにより形成される有機発光層を含むことが好ましい。本実施形態の有機EL素子10においては、第1及び第2の有機発光層11,12は、塗布法によって形成される。
The organic light emitting layer can be formed by a coating method, a vapor deposition method, or the like, and it is preferable that the light emitting unit includes an organic light emitting layer formed by a coating method. That is, the light emitting unit preferably includes an organic light emitting layer formed by applying a solution containing a material for forming an organic light emitting layer (hereinafter sometimes referred to as a light emitting material) and drying. In the
有機発光層は発光材料として有機化合物を含む層である。有機発光層には、主として蛍光および/または燐光を発光する有機物(低分子化合物および/または高分子化合物)が発光材料として含まれる。なお本明細書において、高分子化合物とは、ポリスチレン換算の数平均分子量が103以上のものである。なお数平均分子量の上限を規定する理由は特にないが、ポリスチレン換算の数平均分子量の上限は通常、108以下である。有機発光層は、さらにドーパント材料を含んでいてもよい。有機発光層を形成する材料としては例えば、以下の色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料、およびドーパント材料などが挙げられる。 The organic light emitting layer is a layer containing an organic compound as a light emitting material. The organic light emitting layer contains an organic substance (low molecular compound and / or high molecular compound) that mainly emits fluorescence and / or phosphorescence as a light emitting material. In the present specification, the polymer compound has a polystyrene-equivalent number average molecular weight of 10 3 or more. The upper limit of the number average molecular weight is not particularly limited, but the upper limit of the number average molecular weight in terms of polystyrene is usually 10 8 or less. The organic light emitting layer may further contain a dopant material. Examples of the material for forming the organic light emitting layer include the following dye materials, metal complex materials, polymer materials, and dopant materials.
<A−1>色素系材料
色素系材料としては例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマーなどが挙げられる。
<A-1> Dye-type material Examples of the dye-type material include cyclopentamine derivatives, tetraphenylbutadiene derivative compounds, triphenylamine derivatives, oxadiazole derivatives, pyrazoloquinoline derivatives, distyrylbenzene derivatives, and distyrylarylene derivatives. Pyrrole derivatives, thiophene ring compounds, quinacridone derivatives, coumarin derivatives, pyridine ring compounds, perinone derivatives, perylene derivatives, oligothiophene derivatives, oxadiazole dimers, pyrazoline dimers, and the like.
<A−2>金属錯体系材料
金属錯体系材料としては例えば、Tb、Eu、Dyなどの希土類金属、またはAl、Zn、Be、Ir、Ptなどを中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを配位子に有する金属錯体を挙げることができ、例えばイリジウム錯体、白金錯体などの三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体などを挙げることができる。
<A-2> Metal complex materials As metal complex materials, for example, rare earth metals such as Tb, Eu, Dy, or Al, Zn, Be, Ir, Pt, etc. are used as the central metal, and oxadiazole, thiadiazole. , Phenylpyridine, phenylbenzimidazole, metal complexes having a quinoline structure as a ligand, for example, metal complexes having emission from a triplet excited state such as iridium complexes and platinum complexes, aluminum quinolinol complexes, benzoins A quinolinol beryllium complex, a benzoxazolyl zinc complex, a benzothiazole zinc complex, an azomethylzinc complex, a porphyrin zinc complex, a phenanthroline europium complex, and the like can be given.
<A−3>高分子系材料
高分子系材料としては、例えば、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素体や金属錯体系発光材料を高分子化したものなどが挙げられる。
上記発光性材料のうち、青色に発光する材料としては、例えば、ジスチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、およびそれらの重合体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体やポリフルオレン誘導体などが好ましい。
また、緑色に発光する材料としては、例えば、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが好ましい。
また、赤色に発光する材料としては、例えば、クマリン誘導体、チオフェン環化合物、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることが出来る。なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが好ましい。
<A-3> Polymer material Examples of polymer materials include polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, polyparaphenylene derivatives, polysilane derivatives, polyacetylene derivatives, polyfluorene derivatives, polyvinylcarbazole derivatives, Examples include those obtained by polymerizing metal complex light emitting materials.
Among the above light-emitting materials, examples of materials that emit blue light include distyrylarylene derivatives, oxadiazole derivatives, and polymers thereof, polyvinylcarbazole derivatives, polyparaphenylene derivatives, and polyfluorene derivatives. it can. Of these, polymer materials such as polyvinyl carbazole derivatives, polyparaphenylene derivatives, and polyfluorene derivatives are preferred.
Examples of materials that emit green light include quinacridone derivatives, coumarin derivatives, and polymers thereof, polyparaphenylene vinylene derivatives, polyfluorene derivatives, and the like. Of these, polymer materials such as polyparaphenylene vinylene derivatives and polyfluorene derivatives are preferred.
Examples of materials that emit red light include coumarin derivatives, thiophene ring compounds, and polymers thereof, polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, and polyfluorene derivatives. Among these, polymer materials such as polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, and polyfluorene derivatives are preferable.
<A−4>ドーパント材料
発光層中に発光効率の向上や発光波長を変化させるなどの目的で、ドーパントを添加してもよい。このようなドーパントとしては、例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンなどを挙げることができる。なお、このような発光層の厚さは、通常約2nm以上、2000nm以下である。
<A-4> Dopant material A dopant may be added to the light emitting layer for the purpose of improving the light emission efficiency or changing the light emission wavelength. Examples of such dopants include perylene derivatives, coumarin derivatives, rubrene derivatives, quinacridone derivatives, squalium derivatives, porphyrin derivatives, styryl dyes, tetracene derivatives, pyrazolone derivatives, decacyclene, phenoxazone, and the like. In addition, the thickness of such a light emitting layer is usually about 2 nm or more and 2000 nm or less.
<A−5>有機発光層の成膜方法
有機発光層の成膜方法としては、溶液から成膜する方法、真空蒸着法、転写法などを用いることができる。溶液から成膜する方法に用いられる溶液の溶媒には、発光材料を溶解するものが好ましく、例えば、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタンなどの塩素系溶媒、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテートなどのエステル系溶媒、水を挙げることができる。
<A-5> Method for Forming Organic Light-Emitting Layer As a method for forming an organic light-emitting layer, a method of forming a film from a solution, a vacuum deposition method, a transfer method, or the like can be used. The solvent of the solution used in the method of forming a film from a solution is preferably a solvent that dissolves the luminescent material. For example, a chlorine-based solvent such as chloroform, methylene chloride, or dichloroethane, an ether-based solvent such as tetrahydrofuran, toluene, xylene, or the like. Examples thereof include aromatic hydrocarbon solvents, ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone, ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, and ethyl cellosolve acetate, and water.
溶液から成膜する方法において、有機発光層を形成する面上に溶液を塗布する方法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、ノズルコート法などのコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法等の塗布法を用いることができる。パターン形成や多色の色分けが容易であるという点で、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。また、昇華性の低分子化合物の場合は、真空蒸着法を用いることができる。さらには、レーザーまたは摩擦による転写や熱転写により、所望のところのみに有機発光層を形成する方法も用いることができる。 In the method of forming a film from a solution, as a method of applying the solution on the surface on which the organic light emitting layer is formed, for example, a spin coating method, a casting method, a micro gravure coating method, a gravure coating method, a bar coating method, a roll coating method , Wire bar coating method, dip coating method, slit coating method, capillary coating method, spray coating method, nozzle coating method and other coating methods, gravure printing method, screen printing method, flexographic printing method, offset printing method, reverse printing method, A coating method such as a printing method such as an inkjet printing method can be used. A printing method such as a gravure printing method, a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, a reversal printing method, and an ink jet printing method is preferable in that pattern formation and multi-coloring are easy. In the case of a sublimable low-molecular compound, a vacuum deposition method can be used. Furthermore, a method of forming an organic light emitting layer only at a desired place by laser or friction transfer or thermal transfer can be used.
<B>電荷発生層
電荷発生層は、発光ユニットに挟持されて配置されている。電荷発生層は、一対の電極間に電圧を印加した状態において電荷(正孔と電子)を発生する。発生した電子は、電荷発生層に対して陽極側に隣接する発光ユニットに注入され、発生した正孔は、電荷発生層に対して陰極側に隣接する発光ユニットに注入される。一対の電極から注入される電荷に加えて、電荷発生層で発生した電荷が素子内に注入されることになるので、電荷発生層を設けることによって、注入した電流に対する発光効率(電流効率)が向上する。
<B> Charge generation layer The charge generation layer is sandwiched between the light emitting units. The charge generation layer generates charges (holes and electrons) in a state where a voltage is applied between the pair of electrodes. The generated electrons are injected into the light emitting unit adjacent to the anode side with respect to the charge generation layer, and the generated holes are injected into the light emitting unit adjacent to the cathode side with respect to the charge generation layer. In addition to the charge injected from the pair of electrodes, the charge generated in the charge generation layer is injected into the element. Therefore, by providing the charge generation layer, the light emission efficiency (current efficiency) with respect to the injected current is increased. improves.
本実施形態における電荷発生層13は、仕事関数が3.0eV以下の金属およびその化合物からなる群(A)から選ばれるものの1種類以上と、仕事関数が4.0eV以上の化合物(B)の1種類以上とを含む。化合物(B)の1種類以上を組合せて用いることにより、群(A)から選ばれるものの1種類以上のみからなる電荷発生層と比べると、電荷を効率的に発生する電荷発生層を形成することができる。
In the present embodiment, the
なお仕事関数が3.0eV以下の金属およびその化合物からなる群(A)から選ばれるものの仕事関数としては1.5eV以上が好ましい。また仕事関数が4.0eV以上の化合物(B)の仕事関数としては7.5eV以下が好ましい。 The work function of the material selected from the group (A) consisting of a metal having a work function of 3.0 eV or less and a compound thereof is preferably 1.5 eV or more. The work function of the compound (B) having a work function of 4.0 eV or more is preferably 7.5 eV or less.
仕事関数が3.0eV以下の金属の化合物とは、金属の仕事関数が3.0eV以下であり、かつ化合物自体の仕事関数が3.0eV以下である化合物をさす。仕事関数がこのような範囲を満たす材料を含む電荷発生層を構成することにより、効率的な電荷注入が起こり易くなる。 A metal compound having a work function of 3.0 eV or less refers to a compound having a metal work function of 3.0 eV or less and a work function of the compound itself of 3.0 eV or less. By configuring the charge generation layer containing a material whose work function satisfies such a range, efficient charge injection is likely to occur.
電荷発生層を構成する仕事関数が3.0eV以下の金属は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、及び希土類金属からなる群から選択することができる。これらの中でもアルカリ金属及びアルカリ土類金属が好ましい。アルカリ金属としては、リチウム(Li)(2.93eV)、ナトリウム(Na)(2.36eV)、カリウム(K)(2.28eV)、ルビジウム(Rb)(2.16eV)、及びセシウム(Ce)(1.95eV)が好ましく、アルカリ土類金属としては、カルシウム(Ca)(2.9eV)及びバリウム(Ba)(2.52eV)が好ましい(カッコ内は仕事関数を示す。)。これらの中では、Liがより好ましい。また電荷発生層を構成する仕事関数が3.0eV以下の金属の化合物としては、前記の金属の酸化物、ハロゲン化物、フッ化物、ホウ化物、窒化物、炭化物等が挙げられる。 The metal having a work function of 3.0 eV or less constituting the charge generation layer can be selected from the group consisting of alkali metals, alkaline earth metals, and rare earth metals. Among these, alkali metals and alkaline earth metals are preferable. Examples of alkali metals include lithium (Li) (2.93 eV), sodium (Na) (2.36 eV), potassium (K) (2.28 eV), rubidium (Rb) (2.16 eV), and cesium (Ce). (1.95 eV) is preferable, and as the alkaline earth metal, calcium (Ca) (2.9 eV) and barium (Ba) (2.52 eV) are preferable (the work function is shown in parentheses). Among these, Li is more preferable. Examples of the metal compound having a work function of 3.0 eV or less constituting the charge generation layer include the metal oxides, halides, fluorides, borides, nitrides, carbides, and the like.
仕事関数が4.0eV以上の化合物(B)としては、仕事関数が4.0eV以上の無機又は有機化合物が選ばれる。仕事関数が4.0eV以上の無機化合物としては、遷移金属酸化物が好ましく、遷移金属酸化物の中でも、バナジウム(V)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、マンガン(Mn)、テクネチウム(Tc)、レニウム(Re)などの酸化物が好ましく、V2O5がより好ましい。 As the compound (B) having a work function of 4.0 eV or more, an inorganic or organic compound having a work function of 4.0 eV or more is selected. As the inorganic compound having a work function of 4.0 eV or more, a transition metal oxide is preferable. Among the transition metal oxides, vanadium (V), niobium (Nb), tantalum (Ta), chromium (Cr), molybdenum (Mo ), Tungsten (W), manganese (Mn), technetium (Tc), rhenium (Re), and the like are preferable, and V 2 O 5 is more preferable.
仕事関数が4.0eV以上の有機化合物としては、電荷発生層を形成した後の工程で用いられる塗布液に溶解しにくく、かつ群(A)から選ばれるものから電子を受け取りやすい電子受容性の材料が好ましく、仕事関数が3.0eV以下の金属およびその化合物からなる群(A)から選ばれるものと電荷移動錯体を形成するものがより好ましい。このような材料としてはテトラフルオロ−テトラシアノキノジメタン(4F−TCNQ)が挙げられる。 As an organic compound having a work function of 4.0 eV or more, it is difficult to dissolve in a coating solution used in the process after forming the charge generation layer, and it is easy to accept electrons from those selected from the group (A). A material is preferable, and a material that forms a charge transfer complex with a material selected from the group (A) consisting of a metal having a work function of 3.0 eV or less and a compound thereof is more preferable. An example of such a material is tetrafluoro-tetracyanoquinodimethane (4F-TCNQ).
電荷発生層は以下の2通りの構造をとり得る。
(i)前記金属およびその化合物からなる群(A)から選ばれるものを1種類以上含む第1の層13−1と、前記化合物(B)を1種類以上含む第2の層13−2とを含む電荷発生層13(積層構造:図1参照)。
(ii)前記金属およびその化合物からなる群(A)から選ばれるものの1種類以上と前記化合物(B)の1種類以上とが混合された電荷発生層(混合層)。
The charge generation layer can have the following two structures.
(I) a first layer 13-1 containing one or more selected from the group (A) consisting of the metal and a compound thereof, and a second layer 13-2 containing one or more of the compound (B) A charge generation layer 13 (laminated structure: see FIG. 1).
(Ii) A charge generation layer (mixed layer) in which at least one selected from the group consisting of the metal and a compound thereof (A) is mixed with at least one of the compounds (B).
前記積層構造(i)の場合には、第2の層13−2よりも陽極寄りに第1の層13−1を配置することが好ましい。 In the case of the laminated structure (i), it is preferable to dispose the first layer 13-1 closer to the anode than the second layer 13-2.
なお混合層としての電荷発生層(ii)は、共蒸着などの手法を用いて2種類の材料が混合した層を一度に形成する方法や、第1の層を構成する材料を極めて薄く形成することにより、連続膜になる前の島状の離散的な構造を形成し、この構造の上に第2の層を形成することにより混合層とする方法などを用いて形成することができる。 Note that the charge generation layer (ii) as the mixed layer is formed by a method of forming a layer in which two kinds of materials are mixed at once using a method such as co-evaporation, or by forming the material constituting the first layer very thinly. Thus, an island-like discrete structure before becoming a continuous film can be formed, and a second layer can be formed on this structure to form a mixed layer.
本発明の効果を十分に得るためには、第1の層13−1の厚さは、0.1nm以上、10nm以下が好ましく、より好ましくは0.1nm以上、6nm以下である。また第2の層13−2の厚さは、2nm以上100nm以下が好ましく、より好ましくは4nm以上、80nm以下である。 In order to sufficiently obtain the effects of the present invention, the thickness of the first layer 13-1 is preferably 0.1 nm or more and 10 nm or less, more preferably 0.1 nm or more and 6 nm or less. The thickness of the second layer 13-2 is preferably 2 nm or more and 100 nm or less, more preferably 4 nm or more and 80 nm or less.
本実施形態の電荷発生層は、第3の層としてさらに透明導電性薄膜を含んでいてもよい。透明導電性薄膜としては、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウムスズ酸化物(ITO)などを用いることができる。 The charge generation layer of this embodiment may further include a transparent conductive thin film as the third layer. As the transparent conductive thin film, indium oxide, zinc oxide, tin oxide, indium tin oxide (ITO), or the like can be used.
本実施形態の電荷発生層の光透過率は、有機発光層から放出される光に対して高い透過率を有することが好ましい。十分に光を取り出し、十分な輝度を得るためには、波長550nmの光の透過率が30%以上であることが好ましく、さらに好ましくは50%以上である。 The light transmittance of the charge generation layer of this embodiment preferably has a high transmittance for the light emitted from the organic light emitting layer. In order to sufficiently extract light and obtain sufficient luminance, the transmittance of light having a wavelength of 550 nm is preferably 30% or more, and more preferably 50% or more.
(混色、白色)
有機EL素子10の発光色は、各発光ユニットから放射される光を混色したものである。本実施形態では第1及び第2の発光ユニット11、12を含むため、第1及び第2の発光ユニット11、12の発光波長を互いに異ならせることによって、混色により有機EL素子10から取り出される光の色を、第1及び第2の発光ユニット11、12からそれぞれ発せられる光の色とは別の色とすることができる。例えば補色の関係にある2色の混色や、3個以上の発光ユニットを用いて、3色(RGBなど)の混色や、4色以上の混色を生じさせることができ、取り出される光の色を白色とすることができる。例えば本実施形態の第1の有機発光層11、第2の有機発光層12の発光色を互いに異ならせることによって、所期の発光色で発光する有機EL素子を実現することができるため、設計の自由度を向上させることができる。
(Mixed color, white)
The light emission color of the
(キャビティ効果)
各発光ユニットの層構成および層厚は、キャビティ効果(光の干渉効果)を考慮して設計することが好ましい。具体的には、第1及び第2の発光ユニット11、12から発生する光の波長を、陽極14と陰極16とに挟持された構造物の平均屈折率で割った値の1/4の整数倍に、前記構造物の厚さを設定することが好ましい。このような関係が満足される構成では、光の干渉効果により光取出し効率が最大となるためである。この関係は厳密に成立しているときに効果が最大となるが、厳密には成立していなくてもその効果は発現するため、おおむね構造物の厚さが、発光波長を平均屈折率で割った値の1/4の整数倍の±20%以内であればよい。さらに実質的に発光している部位と、光を反射する方の反射性電極(本実施形態では陰極16)との距離が、発光波長を平均屈折率で割った値の1/4の整数倍となる場合に光の干渉効果が最大となるので好ましい。なお複数の発光ユニットにおいて、全ての発光ユニットに対して上述の関係が満たすことが好ましいが、少なくとも1つの発光ユニットに対して上述の関係が満たされていればキャビティ効果が発現するので、少なくとも1つの発光ユニットが上述の関係を満たすように層厚を制御することが好ましい。
(Cavity effect)
The layer structure and layer thickness of each light emitting unit are preferably designed in consideration of the cavity effect (light interference effect). Specifically, an integer of ¼ of the value obtained by dividing the wavelength of light generated from the first and second
<C>第1電極
第1電極は、陽極および陰極のうちのいずれか一方の電極であり、光透過性を有する電極である。本実施形態における第1電極14は、有機EL素子10の陽極14に相当する。
<C> 1st electrode A 1st electrode is an electrode of any one of an anode and a cathode, and is an electrode which has a light transmittance. The
本実施形態における陽極14は、光透過性を有する膜本体と、膜本体中に配置され、導電性を有するワイヤ状の導電体とを含んで構成される。膜本体は、可視光領域の光の透過率が高いものが好適に用いられる。膜本体は樹脂、無機ポリマー、無機−有機ハイブリッド化合物などからなる。
The
本実施形態における陽極(第1電極)14は、可視光領域の光の透過率が80%以上、体積抵抗率が1Ω・cm以下、表面粗さRaが100nm以下であることが好ましい。これら陽極14の可視光領域の光の透過率、体積抵抗率、表面粗さRaは、膜本体中に配置される導電体の重量割合、径、密度を適宜調整することにより、調整することができる。
The anode (first electrode) 14 in this embodiment preferably has a light transmittance of 80% or more in the visible light region, a volume resistivity of 1 Ω · cm or less, and a surface roughness Ra of 100 nm or less. The light transmittance, volume resistivity, and surface roughness Ra in the visible light region of the
可視光領域の光の透過率はワイヤ状の導電体の重量割合が増えるに従い減少する。光の透過率が80%以上となる導電体の重量割合は、膜本体および導電体の材質や、導電体の径にも依存するが、約30%以下である。
また体積抵抗率は導電体の重量割合が増えるに従い減少する。体積抵抗率が1Ωcm以下となる導電体の重量割合は、膜本体および導電体の材質や導電体の径にも依存するが10-5%以上であり、体積抵抗率が10-3Ωcm以下となる導電体の重量割合は、1%以上である。
可視光領域の光透過率は、導電体の径が小さいほど高くなり、導電体の密度が高くなるほど高くなる。
The light transmittance in the visible light region decreases as the weight ratio of the wire-like conductor increases. The weight ratio of the conductor having a light transmittance of 80% or more is about 30% or less, although it depends on the material of the film body and the conductor and the diameter of the conductor.
The volume resistivity decreases as the weight ratio of the conductor increases. The weight ratio of the conductor having a volume resistivity of 1 Ωcm or less is 10 −5 % or more, depending on the material of the film body and the conductor and the diameter of the conductor, but the volume resistivity is 10 −3 Ωcm or less. The weight ratio of the conductor is 1% or more.
The light transmittance in the visible light region increases as the diameter of the conductor decreases, and increases as the density of the conductor increases.
膜本体としては、導電性を有する樹脂が好適に用いられる。このようにワイヤ状の導電体に加えて、膜本体が導電性を有することによって、陽極14の低電気抵抗化(以下、電気抵抗を略して抵抗という場合がある)を図ることができる。このような低抵抗の陽極14を用いることによって、陽極14での電圧降下を抑制し、有機EL素子の低電圧駆動を実現するとともに、輝度ムラを抑制することができる。
As the membrane body, a resin having conductivity is preferably used. Thus, in addition to the wire-like conductor, the membrane main body has conductivity, so that the
陽極14の膜厚は、電気抵抗および可視光の透過率などによって適宜設定され、例えば、0.03μm以上、10μm以下であり、好ましくは0.05μm以上、1μm以下である。
The film thickness of the
<C−1>ワイヤ状の導電体
ワイヤ状の導電体は、径の小さいものが好ましい。ワイヤ状の導電体の径は、400nm以下が好ましく、200nm以下がより好ましく、100nm以下がさらに好ましい。。ワイヤ状の導電体は、陽極14を通る光を回折または散乱するので、陽極14のヘイズ値を高めるとともに光の透過率を低下させるが、可視光の波長程度または可視光の波長よりも小さい径のワイヤ状の導電体を用いることによって、可視光に対するヘイズ値を低く抑えるとともに、光の透過率を向上させることができる。またワイヤ状の導電体の径は、小さすぎると、抵抗が高くなるため、10nm以上が好ましい。なお有機EL素子を照明装置に用いる場合には、陽極14のヘイズ値はある程度高い方が広い範囲を照らすことができるので、ヘイズ値の高い陽極14が好適に用いられる場合もある。したがって陽極14の光学的特性は、有機EL素子が用いられる装置に応じて適宜設定される。
<C-1> Wire-like conductor The wire-like conductor preferably has a small diameter. The diameter of the wire-like conductor is preferably 400 nm or less, more preferably 200 nm or less, and even more preferably 100 nm or less. . Since the wire-like conductor diffracts or scatters light passing through the
膜本体中に配置されるワイヤ状の導電体は、1本でも、複数本でもよい。ワイヤ状の導電体は、膜本体中において、網目構造を形成していることが好ましい。例えば膜本体中において、1つまたは複数のワイヤ状の導電体は、膜本体の全体に渡って複雑に絡み合って配置されることによって網目構造を形成する。具体的には、1本のワイヤ状の導電体が複雑に絡み合ったり、複数本のワイヤ状の導電体が互いに接触し合って配置されたりする構造が2次元的または3次元的に広がって網目構造を形成している。ワイヤ状の導電体は、例えば曲線状でも、針状でもよい。曲線状及び/又は針状の導電体が互いに接触し合って網目構造を形成することによって、体積抵抗率の低い陽極14を実現することができる。この網目構造は規則的であっても、規則的でなくてもよい。網目構造を形成するワイヤ状の導電体によって、陽極14の体積抵抗率を下げることができる。
There may be one or more wire-like conductors arranged in the membrane body. The wire-like conductor preferably forms a network structure in the film body. For example, in the membrane body, one or a plurality of wire-like conductors are arranged in an intricately intertwined manner throughout the membrane body to form a network structure. Specifically, a structure in which one wire-like conductor is intertwined in a complicated manner or a plurality of wire-like conductors are arranged in contact with each other spreads two-dimensionally or three-dimensionally to form a mesh. Forming a structure. The wire-shaped conductor may be, for example, curved or needle-shaped. The curved and / or needle-shaped conductors come into contact with each other to form a network structure, whereby the
ワイヤ状の導電体は、少なくとも一部が陽極14の支持基板15とは反対側の表面寄りに配置されることが好ましい。このようにワイヤ状の導電体を配置することによって、陽極14の表面部の抵抗を下げることができる。
It is preferable that at least a part of the wire-like conductor is disposed near the surface of the
ワイヤ状の導電体の材料としては、例えば、Ag、Au、Cu、Alおよびこれらの合金などの抵抗の低い金属が好適に用いられる。ワイヤ状の導電体は、例えばN.R.Jana, L.Gearheart and C.J.Murphyによる方法(Chm.Commun.,2001, p617-p618)や、C.Ducamp-Sanguesa, R.Herrera-Urbina, and M.Figlarz等による方法(J. Solid State Chem.,Vol.100, 1992, p272〜p280)によって製造することができる。 As a material for the wire-like conductor, for example, a metal having low resistance such as Ag, Au, Cu, Al, and alloys thereof is preferably used. Wire conductors include, for example, the method by NRJana, L. Gearheart and CJMurphy (Chm. Commun., 2001, p617-p618), C. Ducamp-Sanguesa, R. Herrera-Urbina, and M. Figlarz, etc. (J. Solid State Chem., Vol. 100, 1992, p272-p280).
<C−2>屈折率の制御
本実施形態に係る有機EL素子10では、第1電極である陽極14の屈折率をn1、支持基板15の屈折率をn2としたとき、陽極14の屈折率n1は、次式(1):
また陽極14は、発光機能部17において当該陽極14に接する部材の屈折率n3以下であることが好ましい。本実施形態において陽極14に接する部材の屈折率n3は、発光ユニット11(有機発光層11)の屈折率に相当する。本実施形態では有機発光層が陽極14に接して設けられているが、後述するように、正孔注入層、正孔輸送層などが陽極14に接して設けられる場合もある。有機発光層、正孔注入層および正孔輸送層の屈折率は、それぞれ通常1.5〜1.8程度である。
<C-2> Control of Refractive Index In the
The
従来のボトムエミッション型の有機EL素子では、ITO薄膜が陽極として用いられてきた。ITO薄膜の屈折率n1は、2程度であり、ガラス基板の屈折率n2は、1.5程度であり、ITO薄膜に接する部材(たとえば正孔注入層)の屈折率n3は、1.7程度である。このように従来の有機EL素子は、屈折率の低いガラス基板と有機発光層との間に、屈折率の高いITO薄膜が配置されていた。このように屈折率の高い部材(ITO薄膜)が介在するため、全反射などによってITO薄膜の表面で光の一部が反射され、有機発光層からの光を効率的に外に取り出すことができなかった。 In a conventional bottom emission type organic EL element, an ITO thin film has been used as an anode. The refractive index n1 of the ITO thin film is about 2, the refractive index n2 of the glass substrate is about 1.5, and the refractive index n3 of a member (for example, a hole injection layer) in contact with the ITO thin film is about 1.7. It is. As described above, in the conventional organic EL element, the ITO thin film having a high refractive index is disposed between the glass substrate having a low refractive index and the organic light emitting layer. Since a member with high refractive index (ITO thin film) is interposed in this way, part of the light is reflected on the surface of the ITO thin film due to total reflection and the like, and light from the organic light emitting layer can be efficiently extracted outside. There wasn't.
これに対して本実施形態では、上記式(1)の関係を満たす第1電極である陽極14を用い、好ましい形態として陽極14に接する第1の有機発光層11の屈折率n3以下の屈折率を有する陽極14を用いている。このため従来の有機EL素子に比べて、支持基板15、陽極14、および陽極14に接する部材(第1の有機発光層11)の各屈折率の差が小さい有機EL素子を構成することができる。これによって第1及び第2の有機発光層11,12からの光が陽極14で反射することを抑制し、光取出し効率を向上することができる。特にn2≦n1≦n3の関係を満たす支持基板15を用いれば、第1及び第2の有機発光層11,12からの光が陽極14で反射することをさらに抑制し、光取出し効率をさらに向上することができる。これによって有機EL素子の輝度を向上することができる。
On the other hand, in this embodiment, the
また、陽極14の表面粗さRaが100nm以下の場合、平坦な陽極14上に各層を順次成膜することになるので、各層における膜厚のばらつきを抑制することができる。また表面に突起が形成された陽極上に、例えば塗布法によって薄膜を形成すると、突起が薄膜を貫通し、短絡が生じるおそれがあるが、陽極14の表面粗さRaを100nm以下に抑えることにより、陽極14の突起に起因する短絡の発生を抑制することができる。
In addition, when the surface roughness Ra of the
<C−3>第1電極の作製方法
第1電極に相当する陽極14の作製方法について説明する。陽極14を作製する方法としては例えば、ワイヤ状の導電体を樹脂に練り込むことによって、ワイヤ状の導電体を樹脂に分散させる方法、ワイヤ状の導電体と樹脂とを分散媒に分散させた分散液を用いる塗布法によって成膜化する方法、およびワイヤ状の導電体を樹脂からなる膜の表面にコーティングし、導電体を膜中に分散させる方法などを挙げることができる。なお陽極14には必要に応じて界面活性剤や酸化防止剤などの各種添加剤を加えてもよい。樹脂の種類は、屈折率、透光率および電気抵抗などの陽極14に求められる特性に応じて適宜選ばれる。またワイヤ状の導電体を分散させる量は、陽極14の電気抵抗、ヘイズ値および透光率などに影響するので、陽極14に求められる特性に応じて適宜設定される。
<C-3> Manufacturing Method of First Electrode A manufacturing method of the
本実施形態の陽極14は、導電性を有するワイヤ状の導電体を分散媒に分散させた分散液を、支持基板15に塗布することにより塗膜を形成し、さらにこの塗膜を硬化することによって得られる。このように陽極14を塗布法によって形成することができるため、真空蒸着およびスパッタ法などのように真空装置を用いて陽極14を形成する場合、または特殊な工程で陽極14を形成する場合に比べて、簡易に陽極14を形成することができるとともに、低コスト化を図ることができる。さらに陽極14の特性は、樹脂およびワイヤ状の導電体の種類、並びにワイヤ状の導電体の形状などによって決まるため、これらを適宜選択することで、意図する光学特性および電気的特性などを示す陽極14を容易に作製することができる。
The
分散液は、ワイヤ状の導電体と樹脂とを分散媒に分散させることによって調製される。用いられる分散媒としては例えば、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒を挙げることができる。 The dispersion is prepared by dispersing a wire-like conductor and a resin in a dispersion medium. Examples of the dispersion medium used include chlorine-based solvents such as chloroform, methylene chloride and dichloroethane, ether-based solvents such as tetrahydrofuran, aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene, ketone-based solvents such as acetone and methyl ethyl ketone, and ethyl acetate. And ester solvents such as butyl acetate and ethyl cellosolve acetate.
また樹脂としては、光透過率の高いものが好ましく、また陽極14上に設けられる層を塗布法により形成する場合には、使用される塗布液に、陽極14の一部を構成する樹脂が溶解しないものである必要がある。このような樹脂としては例えば、低密度または高密度のポリエチレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、エチレン−オクテン共重合体、エチレン−ノルボルネン共重合体、エチレン−ドモン共重合体、ポリプロピレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−メチルメタクリレート共重合体、アイオノマー樹脂などのポリオレフィン系樹脂;ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル系樹脂;ナイロン−6、ナイロン−6,6、メタキシレンジアミン−アジピン酸縮重合体;ポリメチルメタクリルイミドなどのアミド系樹脂;ポリメチルメタクリレートなどのアクリル系樹脂;ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ポリアクリロニトリルなどのスチレン−アクリロニトリル系樹脂;トリ酢酸セルロース、ジ酢酸セルロースなどの疎水化セルロース系樹脂;ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレンなどのハロゲン含有樹脂;ポリビニルアルコール、エチレン−ビニルアルコール共重合体、セルロース誘導体などの水素結合性樹脂;ポリカーボネート樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリメチレンオキシド樹脂、ポリアリレート樹脂、液晶樹脂などのエンジニアリングプラスチック系樹脂などが挙げられる。
The resin preferably has a high light transmittance. When the layer provided on the
また陽極14上に設けられる層を塗布法により形成する場合に、使用する塗布液に対して、陽極14の一部を構成する樹脂が溶解し難いという観点からは、前記樹脂として熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、フォトレジスト材料が好適に用いられる。
Moreover, when forming the layer provided on the
また樹脂としては、導電性を有する樹脂が好適に用いられる。導電性を有する樹脂としては例えば、ポリアニリン、ポリチオフェンの誘導体などが挙げられる。 Moreover, as resin, the resin which has electroconductivity is used suitably. Examples of the conductive resin include polyaniline and polythiophene derivatives.
陽極14の屈折率は、樹脂などによって構成される膜本体の屈折率によって主に決まる。この膜本体の屈折率は、例えば、用いる樹脂の種類によって主に決まるので、用いる樹脂を適宜選択することによって、意図する屈折率を示す陽極14を容易に形成することができる。
The refractive index of the
なお感光性フォトレジストに用いられる感光性材料および光硬化性モノマーに、ワイヤ状の導電体を分散させた分散液を用いれば、塗布法およびフォトリソグラフィによって所定のパターン形状を有する陽極14を容易に形成することができる。
If a dispersion in which a wire-like conductor is dispersed in a photosensitive material and a photocurable monomer used for a photosensitive photoresist is used, the
陽極14としては、有機EL素子を形成する工程において加熱される温度で変化しないものが好ましいため、陽極14を構成する樹脂としては、ガラス転移点Tgが、150℃以上のものが好ましく、180℃以上のものがより好ましく、200℃以上のものがさらに好ましい。このような樹脂としては、例えばガラス転移点Tgが230℃のポリエーテルサルホンや高耐熱性フォトレジスト材料などを挙げることができる。
Since the
必要に応じて分散液に混入されるバインダーおよび添加剤などの種類、並びにワイヤ状の導電体の分散量は、成膜の容易さおよび陽極14の特性などの条件に応じて適宜設定および選択することができる。
The types of binders and additives mixed in the dispersion liquid as needed, and the dispersion amount of the wire-like conductor are appropriately set and selected according to conditions such as the ease of film formation and the characteristics of the
ワイヤ状の導電体を分散した分散液の塗布方法としては、ディッピング法、バーコータによるコーティング法、スピンコータによるコーティング法、ドクターブレード法、噴霧塗布法、スクリーンメッシュ印刷法、刷毛塗り、吹き付け、ロールコーティング等の工業的に通常用いられている方法を挙げることができる。なお熱硬化性樹脂および光硬化性樹脂を用いる場合には、分散液を塗布した後に、加熱または光照射することによって塗膜を硬化させることができる。 As a method of applying the dispersion liquid in which the wire-like conductor is dispersed, dipping method, coating method by bar coater, coating method by spin coater, doctor blade method, spray coating method, screen mesh printing method, brush coating, spraying, roll coating, etc. The methods generally used in the industry can be mentioned. In addition, when using a thermosetting resin and a photocurable resin, after apply | coating a dispersion liquid, a coating film can be hardened by heating or light irradiation.
以上説明した本実施形態の有機EL素子では、同時に発光する第1の発光ユニット11及び第2の発光ユニット12を備えるマルチフォトン型の素子を構成している。このように複数の発光ユニットを備えることにより、有機EL素子内部で発生する光量を増大させることができる。また第1電極14の屈折率n1と、支持基板15の屈折率n2とがそれぞれ前述した式(1)を満たすことで、前述したように光取出し効率を高くすることができる。このように有機EL素子内部で発生する光量を増大させるとともに、光取出し効率を高くすることで、発光性能のより優れたマルチフォトン型の有機EL素子を実現することができる。
また複数の発光ユニットはそれぞれが発光するので、有機EL素子10の輝度は各発光ユニットから放射される光を重ねあわしたものとなる。このように複数の発光ユニットを備えることにより、負荷を各発光ユニットに分散させることができる。発光ユニットを1つしか備えないシングルフォトン型の有機EL素子と同じ光量で本実施形態の有機EL素子10を駆動した場合、各発光ユニットにかかる負荷を抑制することができるので、素子の長寿命化を図ることができる。
In the organic EL element of the present embodiment described above, a multi-photon element including the first
Further, since each of the plurality of light emitting units emits light, the luminance of the
また本実施形態に係る有機EL素子は、上述のような第1電極の作製方法を用いて次のような工程による製造方法により製造し得る。
すなわち光透過性を有する基板と、陽極および陰極のうちのいずれか一方の電極であり、前記基板に接して設けられる光透過性を有する第1電極と、前記陽極および陰極のうちの他方の電極である第2電極と、前記第1電極および第2電極間に設けられ、かつそれぞれが有機発光層を含む複数の発光ユニットと、前記発光ユニットに挟持されて配置される電荷発生層とを含む有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記第1電極の屈折率をn1、前記支持基板の屈折率をn2とすると、n1およびn2がそれぞれ次式(1):
That is, a light-transmitting substrate and any one of an anode and a cathode, a light-transmitting first electrode provided in contact with the substrate, and the other electrode of the anode and the cathode A plurality of light emitting units provided between the first electrode and the second electrode and each including an organic light emitting layer, and a charge generation layer disposed between the light emitting units. In the method of manufacturing an organic electroluminescence element, when the refractive index of the first electrode is n1 and the refractive index of the support substrate is n2, n1 and n2 are respectively represented by the following formula (1):
続いて以上説明した第1の発光ユニット11、第2の発光ユニット12、電荷発生層13および第1電極(陽極)14以外の有機EL素子の構成要素について、以下に詳しく説明する。
Subsequently, components of the organic EL element other than the first
<D>支持基板
支持基板15としては、有機EL素子を形成する工程において変化しないものが好ましく、リジッド基板でも、フレキシブル基板でもよい。例えば、ガラス板、プラスチック板、高分子フィルムおよびシリコン板、並びにこれらを積層した積層板などを支持基板15として用いることができる。支持基板15としては、例示したもののうちで、第1電極(本実施形態では陽極)14との屈折率の差の絶対値が、0.4未満の屈折率を示すものが適宜用いられる。
<D> Support Substrate The
光を支持基板15側から取り出すいわゆるボトムエミッション型の有機EL素子(図1参照)では、支持基板15は、可視光領域の光の透過率が高いものが好適に用いられる。
In the so-called bottom emission type organic EL element that takes out light from the
<E>第2電極
第2電極は、陽極および陰極のうちの他方の電極であり、第1電極に対向して配置される。本実施形態における第2電極は、陽極14に対向して配置される電極であって、陰極16となるものである。このような陰極の材料としては、仕事関数が小さく、発光層への電子注入が容易な材料が好ましい。また陰極の材料としては電気伝導度が高く、可視光反射率の高い材料が好ましい。このような陰極材料としては、金属、金属酸化物、合金、グラファイトまたはグラファイト層間化合物、酸化亜鉛(ZnO)等の無機半導体などを挙げることができる。
<E> Second electrode The second electrode is the other of the anode and the cathode, and is disposed to face the first electrode. The second electrode in the present embodiment is an electrode arranged to face the
上記金属としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属、周期表の13族金属等を用いることができる。これら金属の具体例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等を挙げることができる。
As the metal, an alkali metal, an alkaline earth metal, a transition metal, a
また合金としては、上記金属の少なくとも一種を含む合金を挙げることができ、具体的には、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等を挙げることができる。 Examples of the alloy include alloys containing at least one of the above metals. Specifically, magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, magnesium-aluminum alloy, indium-silver alloy, lithium-aluminum alloy, lithium -A magnesium alloy, a lithium-indium alloy, a calcium-aluminum alloy, etc. can be mentioned.
陰極16は、例えば陰極側から光を取り出す場合などのように、必要に応じて光透過性を有する電極によって構成してもよい。このような光透過性を有する陰極の材料としては、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ITO、IZOなどの導電性金属酸化物、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの導電性有機物を挙げることができる。
The
なお陰極16を2層以上の積層構造としてもよい。また電子注入層が陰極として用いられる場合もある。
The
陰極16の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して適宜選択され、例えば10nm以上、10μm以下であり、好ましくは20nm以上、1μm以下であり、さらに好ましくは50nm以上、500nm以下である。
The film thickness of the
陰極16を形成する方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が挙げられる。
Examples of the method for forming the
<F>封止基板
「陽極14/第1の発光ユニット11/電荷発生層13/第2の発光ユニット12/陰極16」からなる発光機能部17を保護するために、陰極16が形成された後、発光機能部17を封止する封止基板(上部封止膜)18が形成される。この封止基板18は無機層や有機層により構成され、通常は一つ以上の無機層と一つ以上の有機層とを有する。無機層と有機層との積層数は求められる特性に基づいて適宜決定される。無機層と有機層とは通常、交互に積層される。
<F> Sealing substrate The
封止基板18の形状は、支持基板15と貼り合わせた状態において、発光機能部17を封止できるものであればよく、平板状であってもよいし(図1参照)、平板状の基板にざぐりを形成することによって発光機能部17を収容する空間を設けた形状の基板を用いてもよい(不図示)。図1に示す例では封止基板18と発光機能部17とを密着させて貼り合わせているが、封止基板18と発光機能部17との間に空隙が生じている場合には、この空隙に樹脂などの充填剤を設けてもよい。この封止基板18は、リジッド基板でもフレキシブル基板でもよい。また封止基板18には、支持基板15について例示した部材と同様の部材を用いてもよい。
The shape of the sealing
第1及び第2の有機発光層11,12などを構成する発光物質はガスおよび液体と接触することにより劣化しやすいため、素子の劣化を抑制するためには発光機能部17を高度に気密または水密に封止することが好ましい。プラスチック基板はガラス基板と比較するとガスおよび液体の透過性が高いので、支持基板15としてプラスチック基板を用いる場合には、ガスおよび液体に対するバリア性を高めるための処理をプラスチック基板に予め施すことが好ましい。例えばガスおよび液体などに対するバリア性の高い下部封止膜をプラスチック基板上に積層し、その後、この下部封止膜の上に発光機能部17を積層することが好ましい。この下部封止膜は例えば、封止基板(上部封止膜)18と同様にして形成される。
Since the light-emitting substances constituting the first and second organic light-emitting
<G>任意の構成層
図1では、陽極14と陰極16との間に、第1の発光ユニット11、第2の発光ユニット12及び電荷発生層13が設けられた有機EL素子10を示しているが、有機EL素子の構成は図1に示す例に限られるわけではなく、第1及び第2の発光ユニット11,12には、有機発光層の他に、さらに他の機能層および有機発光層を1層以上設けてもよい。第1及び第2の発光ユニット11,12において、有機発光層の他に設けられる層(機能層)としては、上述のように例えば正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層等が挙げられる。
<G> Arbitrary Component Layer FIG. 1 shows an
陽極14と第1の有機発光層11との間、電荷発生層13と第2の有機発光層12との間に設け得る層としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層等が挙げられる。陽極14と第1の有機発光層11との間、電荷発生層13と第2の有機発光層12との間に、正孔注入層と正孔輸送層との両方が設けられる場合、電荷発生層または陽極に接する層を正孔注入層といい、この正孔注入層を除く層を正孔輸送層という。
Examples of layers that can be provided between the
第1の有機発光層11と電荷発生層13との間、第2の有機発光層12と陰極16との間に設け得る層としては、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層等が挙げられる。第1の有機発光層11と電荷発生層13との間、第2の有機発光層12と陰極16との間に、電子注入層と電子輸送層との両方が設けられる場合、電荷発生層または陰極に接する層を電子注入層といい、この電子注入層を除く層を電子輸送層という。
Examples of layers that can be provided between the first organic
なお正孔注入層および電子注入層を総称して電荷注入層ということがある。正孔輸送層および電子輸送層を総称して電荷輸送層ということがある。また電子ブロック層および正孔ブロック層を総称して電荷ブロック層ということがある。 The hole injection layer and the electron injection layer are sometimes collectively referred to as a charge injection layer. The hole transport layer and the electron transport layer may be collectively referred to as a charge transport layer. In addition, the electron block layer and the hole block layer may be collectively referred to as a charge block layer.
以下、任意の機能層(不図示)について説明する。
<G−1>正孔注入層
正孔注入層は、陽極または電荷発生層からの正孔注入効率を改善する機能を有する層である。正孔注入層は、陽極14と正孔輸送層との間、陽極14と第1の有機発光層11との間、電荷発生層13と第2の有機発光層12との間、第2の有機発光層12と正孔輸送層との間に設けることができる。
正孔注入層を構成する正孔注入材料としては、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、および酸化アルミニウムなどの酸化物や、フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、アモルファスカーボン、ポリアニリン、およびポリチオフェン誘導体などを挙げることができる。
Hereinafter, an arbitrary functional layer (not shown) will be described.
<G-1> Hole Injection Layer The hole injection layer is a layer having a function of improving the hole injection efficiency from the anode or the charge generation layer. The hole injection layer is formed between the
As the hole injection material constituting the hole injection layer, oxides such as vanadium oxide, molybdenum oxide, ruthenium oxide, and aluminum oxide, phenylamine type, starburst type amine type, phthalocyanine type, amorphous carbon, polyaniline, And polythiophene derivatives.
正孔注入層の成膜方法としては例えば、蒸着法や、正孔注入材料を含む溶液からの成膜を挙げることができる。正孔注入材料を含む溶液からの成膜は、上述の第1及び第2の有機発光層11,12を成膜する方法と同様にして行うことができる。具体的には正孔注入層となる材料が溶解する溶媒に、正孔注入層となる材料(正孔注入材料)を溶解した塗布液を、慣用の塗布法によって塗布することで成膜することができる。
Examples of the method for forming the hole injection layer include vapor deposition and film formation from a solution containing a hole injection material. The film formation from the solution containing the hole injection material can be performed in the same manner as the method of forming the first and second organic
正孔注入層の膜厚は、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率などが適度な値となるように適宜設定される。正孔注入層の膜厚は、例えば1nm以上、1μm以下であり、好ましくは2nm以上、500nm以下であり、さらに好ましくは5nm以上、200nm以下である。
<G−2>正孔輸送層
正孔輸送層は、陽極14、電荷発生層13、正孔注入層または陽極14により近い正孔輸送層からの正孔注入を改善する機能を有する層である。
正孔輸送層を構成する材料としては、例えば、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(3−メチルフェニル)4,4’−ジアミノビフェニル(TPD)、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(NPB)等の芳香族アミン誘導体、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミン基を有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリアリールアミンもしくはその誘導体、ポリピロールもしくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)もしくはその誘導体、またはポリ(2,5−チエニレンビニレン)もしくはその誘導体などが例示される。これらの中でも、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミン基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリアリールアミンもしくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)もしくはその誘導体、またはポリ(2,5−チエニレンビニレン)もしくはその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好ましく、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミン基を有するポリシロキサン誘導体がさらに好ましい。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。
The film thickness of the hole injection layer varies depending on the material used, and is appropriately set so that the drive voltage, the light emission efficiency, and the like are appropriate. The thickness of the hole injection layer is, for example, 1 nm or more and 1 μm or less, preferably 2 nm or more and 500 nm or less, and more preferably 5 nm or more and 200 nm or less.
<G-2> Hole transport layer The hole transport layer is a layer having a function of improving hole injection from the
Examples of the material constituting the hole transport layer include N, N′-diphenyl-N, N′-di (3-methylphenyl) 4,4′-diaminobiphenyl (TPD), 4,4′-bis [ Aromatic amine derivatives such as N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPB), polyvinylcarbazole or derivatives thereof, polysilane or derivatives thereof, polysiloxane derivatives having an aromatic amine group in the side chain or main chain , Pyrazoline derivative, arylamine derivative, stilbene derivative, triphenyldiamine derivative, polyaniline or derivative thereof, polythiophene or derivative thereof, polyarylamine or derivative thereof, polypyrrole or derivative thereof, poly (p-phenylene vinylene) or derivative thereof, or Poly (2,5-thieni Lembinylene) or a derivative thereof is exemplified. Among these, polyvinylcarbazole or a derivative thereof, polysilane or a derivative thereof, a polysiloxane derivative having an aromatic amine group in a side chain or a main chain, polyaniline or a derivative thereof, polythiophene or a derivative thereof, polyarylamine or a derivative thereof, poly ( p-phenylene vinylene) or a derivative thereof, or a polymer hole transport material such as poly (2,5-thienylene vinylene) or a derivative thereof is preferable, polyvinylcarbazole or a derivative thereof, polysilane or a derivative thereof, a side chain or a main chain More preferred are polysiloxane derivatives having an aromatic amine group. In the case of a low-molecular hole transport material, it is preferably used by being dispersed in a polymer binder.
正孔輸送層の成膜方法としては特に制限はないが、低分子の正孔輸送材料では、高分子バインダーと正孔輸送材料とを含む混合液からの成膜を挙げることができ、高分子の正孔輸送材料では、正孔輸送材料を含む溶液からの成膜を挙げることができる。 The method for forming the hole transport layer is not particularly limited, but in the case of a low-molecular hole transport material, film formation from a mixed solution containing a polymer binder and a hole transport material can be exemplified. Examples of the hole transport material include film formation from a solution containing the hole transport material.
溶液からの成膜方法としては、有機発光層および正孔注入層の成膜法として前述した方法と同様の塗布法を挙げることができる。 As a film forming method from a solution, the same coating method as described above can be given as a method for forming an organic light emitting layer and a hole injection layer.
混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収の弱いものが好適に用いられ、例えばポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサンなどを挙げることができる。 As the polymer binder to be mixed, those that do not extremely inhibit charge transport are preferable, and those that weakly absorb visible light are preferably used. For example, polycarbonate, polyacrylate, polymethyl acrylate, polymethyl methacrylate, polystyrene, poly Examples thereof include vinyl chloride and polysiloxane.
正孔輸送層の膜厚は、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよい。正孔輸送層の膜厚は、例えば1nmから1μmであり、好ましくは2nm以上、500nm以下であり、さらに好ましくは5nm以上、200nm以下である。 The film thickness of the hole transport layer varies depending on the material used, and may be selected so that the drive voltage and the light emission efficiency are appropriate. The film thickness of the hole transport layer is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.
<G−3>電子ブロック層
電子ブロック層は、電子の輸送を堰き止める機能を有する層である。なお正孔注入層および/または正孔輸送層が電子の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が電子ブロック層を兼ねることがある。電子ブロック層が電子の輸送を堰き止める機能を有することは、例えば、電子電流のみを流す素子を作製し、その電流値の減少で堰き止める効果を確認することが可能である。電子ブロック層としては、例えば上記正孔注入層または正孔輸送層の材料として例示した各種材料を用い得る。
<G-3> Electron block layer The electron block layer is a layer having a function of blocking electron transport. When the hole injection layer and / or the hole transport layer has a function of blocking electron transport, these layers may also serve as an electron blocking layer. The fact that the electron blocking layer has a function of blocking electron transport makes it possible, for example, to produce an element that allows only electron current to flow and confirm the blocking effect by reducing the current value. As an electron block layer, the various materials illustrated as a material of the said positive hole injection layer or a positive hole transport layer, for example can be used.
<G−4>電子注入層
電子注入層は、陰極16または電荷発生層13からの電子注入効率を改善する機能を有する層である。電子注入層は、第1の有機発光層11と電荷発生層13との間、電子輸送層と電荷発生層13との間、第2の有機発光層12と陰極16との間、または電子輸送層と陰極16との間に設けられる。
電子注入層を構成する材料としては例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属およびアルカリ土類金属のうちの1種類以上含む合金、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物、またはこれらの物質の混合物などを挙げることができる。アルカリ金属、アルカリ金属の酸化物、ハロゲン化物、および炭酸化物の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、酸化ルビジウム、フッ化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化セシウム、炭酸リチウムなどを挙げることができる。また、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物の例としては、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、フッ化ストロンチウム、炭酸マグネシウムなどを挙げることができる。電子注入層は、2層以上を積層した積層体で構成されてもよく、例えばLiF/Caなどを挙げることができる。電子注入層は、蒸着法、スパッタリング法、印刷法などにより形成される。電子注入層の膜厚としては、1nm以上、1μm以下程度が好ましい。
<G-4> Electron Injection Layer The electron injection layer is a layer having a function of improving the electron injection efficiency from the
Examples of the material constituting the electron injection layer include alkali metals, alkaline earth metals, alloys containing at least one of alkali metals and alkaline earth metals, oxides of alkali metals or alkaline earth metals, halides, carbonic acids. Or a mixture of these substances. Examples of alkali metals, alkali metal oxides, halides, and carbonates include lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, lithium oxide, lithium fluoride, sodium oxide, sodium fluoride, potassium oxide, potassium fluoride , Rubidium oxide, rubidium fluoride, cesium oxide, cesium fluoride, lithium carbonate, and the like. Examples of alkaline earth metals, alkaline earth metal oxides, halides and carbonates include magnesium, calcium, barium, strontium, magnesium oxide, magnesium fluoride, calcium oxide, calcium fluoride, barium oxide, Examples thereof include barium fluoride, strontium oxide, strontium fluoride, and magnesium carbonate. The electron injection layer may be composed of a laminate in which two or more layers are laminated, and examples thereof include LiF / Ca. The electron injection layer is formed by vapor deposition, sputtering, printing, or the like. The thickness of the electron injection layer is preferably about 1 nm or more and 1 μm or less.
<G−5>電子輸送層
電子輸送層は、陰極、電荷発生層、電子注入層または陰極により近い電子輸送層からの電子注入を改善する機能を有する層であり、電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する層である。
電子輸送層を構成する材料としては、公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンもしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または8−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体等が例示される。これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、または8−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体が好ましく、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス(8−キノリノール)アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。
<G-5> Electron transport layer The electron transport layer is a layer having a function of improving electron injection from the cathode, the charge generation layer, the electron injection layer, or the electron transport layer closer to the cathode. It is a layer having a function of transporting.
As the material constituting the electron transport layer, known materials can be used, such as oxadiazole derivatives, anthraquinodimethane or its derivatives, benzoquinone or its derivatives, naphthoquinone or its derivatives, anthraquinone or its derivatives, tetracyanoanthraquinodi. Examples include methane or its derivatives, fluorenone derivatives, diphenyldicyanoethylene or its derivatives, diphenoquinone derivatives, or metal complexes of 8-hydroxyquinoline or its derivatives, polyquinoline or its derivatives, polyquinoxaline or its derivatives, polyfluorene or its derivatives, etc. The Of these, oxadiazole derivatives, benzoquinone or derivatives thereof, anthraquinones or derivatives thereof, or metal complexes of 8-hydroxyquinoline or derivatives thereof, polyquinoline or derivatives thereof, polyquinoxaline or derivatives thereof, polyfluorene or derivatives thereof are preferred, 2- (4-biphenylyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, benzoquinone, anthraquinone, tris (8-quinolinol) aluminum, and polyquinoline are more preferable.
電子輸送層の成膜法としては、特に制限はないが、低分子電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、または溶液若しくは溶融状態からの成膜による方法などが例示される。また高分子電子輸送材料では、溶液または溶融状態からの成膜による方法などが例示される。溶液または溶融状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用してもよい。
溶液から電子輸送層を成膜する方法としては、前述の溶液から正孔注入層を成膜する方法と同様の成膜法が挙げられる。
Although there is no restriction | limiting in particular as the film-forming method of an electron carrying layer, In the low molecular electron transport material, the vacuum evaporation method from powder or the method by the film-forming from a solution or a molten state is illustrated. Examples of the polymer electron transport material include a method of film formation from a solution or a molten state. In film formation from a solution or a molten state, a polymer binder may be used in combination.
Examples of the method for forming the electron transport layer from the solution include the same film formation method as the method for forming the hole injection layer from the above-described solution.
電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよい。電子輸送層の膜厚としては、例えば1nmから1μmであり、好ましくは2nm以上、500nm以下であり、さらに好ましくは5nm以上、200nm以下である。 The film thickness of the electron transport layer varies depending on the material used, and may be selected so that the drive voltage and the light emission efficiency are appropriate. The thickness of the electron transport layer is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.
<G−6>正孔ブロック層
正孔ブロック層は、正孔の輸送を堰き止める機能を有する層である。なお電子注入層および/または電子輸送層が正孔の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が正孔ブロック層を兼ねることがある。正孔ブロック層が正孔の輸送を堰き止める機能を有することは、例えばホール電流のみを流す素子を作製し、その電流値の減少で堰き止める効果を確認することが可能である。
<G-6> Hole blocking layer The hole blocking layer is a layer having a function of blocking hole transport. In the case where the electron injection layer and / or the electron transport layer have a function of blocking hole transport, these layers may also serve as the hole blocking layer. The fact that the hole blocking layer has a function of blocking hole transport makes it possible, for example, to produce an element that allows only a hole current to flow, and confirm the blocking effect by reducing the current value.
<H>発光ユニットの層構成
上述したように発光ユニットは様々な層構成を採用し得る。発光ユニットのとり得る層構成の具体的な一例を以下に示す。
a)有機発光層
b)正孔注入層/有機発光層
c)有機発光層/電子注入層
d)正孔注入層/有機発光層/電子注入層
e)正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層
f)有機発光層/電子輸送層/電子注入層
g)正孔注入層/有機発光層/電子輸送層/電子注入層
h)正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子注入層
i)正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層/電子注入層
(ここで、記号「/」は、記号「/」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。)
なお以上のa)〜i)の構成では、左側が陽極寄りの層であり、右側が陰極寄りの層である。
<H> Layer Configuration of Light Emitting Unit As described above, the light emitting unit can adopt various layer configurations. A specific example of the layer structure that the light emitting unit can take is shown below.
a) Organic light emitting layer b) Hole injection layer / organic light emitting layer c) Organic light emitting layer / electron injection layer d) Hole injection layer / organic light emitting layer / electron injection layer e) Hole injection layer / hole transport layer / Organic light-emitting layer f) Organic light-emitting layer / electron transport layer / electron injection layer g) Hole injection layer / organic light-emitting layer / electron transport layer / electron injection layer h) Hole injection layer / hole transport layer / organic light-emitting layer / Electron injection layer i) Hole injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer (Here, the symbol “/” indicates that each layer sandwiching the symbol “/” is laminated adjacently) (The same shall apply hereinafter.)
In the above configurations a) to i), the left side is a layer closer to the anode, and the right side is a layer closer to the cathode.
有機EL素子が有する複数の発光ユニットは、互いに同じ層構成であってもよく、また互いに異なる層構成であってもよい。図1に示す本実施形態の第1及び第2の発光ユニット11,12は上記a)の構成を有している。また図1に示す実施形態では、支持基板15上に陽極14を設ける形態を示している。この場合、上記a)からi)の各形態では、左側(陽極側)に示された層から順に支持基板15上に配置されることになる。
The plurality of light emitting units included in the organic EL element may have the same layer configuration, or may have different layer configurations. The first and second
なお他の実施形態の有機EL素子としては、支持基板上に陰極を配置する形態も採用し得る。この場合、上記a)からi)の各形態では、右側(陰極側)に示された層から順に支持基板上に配置されることになる。 In addition, as an organic EL element of other embodiment, the form which arrange | positions a cathode on a support substrate can also be employ | adopted. In this case, in each of the above forms a) to i), the layers are arranged on the support substrate in order from the layer shown on the right side (cathode side).
[第2の実施形態]
次に図2を参照して、本発明の第2の実施形態の有機EL素子を説明する。図2は第2の実施形態の有機EL素子を示す正面断面図である。図2中、第1の実施形態と同様である部材については、図1と同一符号を付す。以下、重複する説明は省略して、第1の実施形態と異なる点を主として説明する。
第1の実施形態の有機EL素子10は、第1及び第2の発光ユニット11,12からの光を陽極14および支持基板15を通して外部へ出射するボトムエミッション型の素子であるのに対して、第2の実施形態の有機EL素子20は、第1及び第2の発光ユニット11,12からの光を陰極(第1電極)21および封止基板18を通して外部へ出射するトップエミッション型の素子である。
本実施形態の有機EL素子20は支持基板15、発光機能部23および封止基板18がこの順に積層されて構成される。発光機能部23は陽極22、第1の発光ユニット11、電荷発生層13、第2の発光ユニット12および陰極21が支持基板15側からこの順に積層されて構成される。
[Second Embodiment]
Next, with reference to FIG. 2, the organic EL element of the 2nd Embodiment of this invention is demonstrated. FIG. 2 is a front sectional view showing the organic EL element of the second embodiment. In FIG. 2, members that are the same as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals as in FIG. 1. In the following, overlapping description will be omitted, and differences from the first embodiment will be mainly described.
The
The
本実施形態では、光透過性を有する第1電極が陰極21に相当し、光透過性を有する基板が封止基板18に相当する。陰極21(第1電極)の屈折率をn1、封止基板18の屈折率をn2とすると、n1およびn2は、下記式(1)を満たす。
本実施形態における陰極21には、例えば第1の実施形態において第1電極として例示したものを用いることができる。例えば前述と同様に陰極21は、導電性を有するワイヤ状の導電体を分散媒に分散させた分散液を用いた塗布法により得られる。
As the
本実施形態に係る有機EL素子20においても、第1の実施形態に係る有機EL素子と同様の作用、効果を得ることができる。すなわち、有機発光層を含む複数の発光ユニットが積層されて構成されるマルチフォトン型の有機EL素子では、各発光ユニットに負荷を分散させ、各発光ユニットから放射される光を重ね合わされた光が取り出されるため、有機EL素子20内部で発生する光量を増大させることができる。
また、第1電極21の屈折率n1と、封止基板18の屈折率n2とがそれぞれ上記式(1)を満たすことで、光取出し効率を高くすることができる。
よって、本実施形態に係る有機EL素子によっても、有機EL素子20内部で発生する光量を増大させると共に、光取出し効率を高くすることで、発光性能のより優れたマルチフォトン型の有機EL素子を実現することができる。
また、マルチフォトン型である有機EL素子20全体としてはシングルフォトン型の有機EL素子と同じ光量となるように駆動させたとしても、有機EL素子20は、シングルフォトン型の有機EL素子より第1及び第2の有機発光層11、12に加わる負荷を小さくした状態で発光させることができるため、素子の長寿命化を図ることができる。よって、本実施形態に係る有機EL素子によっても、有機EL素子20内部で発生する光量を増大させ、素子の長寿命化を図ると共に、光取出し効率を高くすることができる。
Also in the
Moreover, when the refractive index n1 of the
Therefore, even with the organic EL element according to the present embodiment, the multi-photon type organic EL element with better light emission performance can be obtained by increasing the light amount generated inside the
Further, even if the multi-photon type
2.本発明の有機EL素子を搭載した装置
以上説明した本発明の各実施形態の有機EL素子は、曲面状や平面状の照明装置、例えばスキャナの光源として用いられる面状光源、表示装置に好適に用いることができる。
2. Apparatus equipped with organic EL element of the present invention The organic EL element of each embodiment of the present invention described above is suitable for a curved or flat illumination device, for example, a planar light source used as a light source of a scanner, or a display device. Can be used.
有機EL素子を備える表示装置としては、アクティブマトリックス表示装置、パッシブマトリックス表示装置、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、および液晶表示装置などを挙げることができる。なお有機EL素子は、アクティブマトリックス表示装置、パッシブマトリックス表示装置、およびドットマトリックス表示装置において、各画素を構成する発光素子として用いられる。また有機EL素子は、セグメント表示装置において、各セグメントを構成する発光素子として用いられる。また有機EL素子は、ドットマトリックス表示装置、および液晶表示装置において、バックライトとして用いられる。
本発明の有機EL素子は、前述したように発光性能のより優れたマルチフォトン型の素子を実現することができるため、照明装置、面状光源、および表示装置などに好適に使用することができる。
Examples of the display device including the organic EL element include an active matrix display device, a passive matrix display device, a segment display device, a dot matrix display device, and a liquid crystal display device. The organic EL element is used as a light emitting element constituting each pixel in an active matrix display device, a passive matrix display device, and a dot matrix display device. Moreover, an organic EL element is used as a light emitting element which comprises each segment in a segment display apparatus. The organic EL element is used as a backlight in a dot matrix display device and a liquid crystal display device.
As described above, the organic EL element of the present invention can realize a multi-photon type element having more excellent light emission performance, and thus can be suitably used for lighting devices, planar light sources, display devices, and the like. .
以下、作製例および比較例に基づいて本発明についてより詳細に説明するが、本発明は下記作製例等に限定されるものではない。 Hereinafter, although the present invention will be described in more detail based on production examples and comparative examples, the present invention is not limited to the following production examples.
<マルチフォトン型の有機EL素子の発光効率の検証>
作製例1−1、1−2及び比較例1−1〜1−4では、2つの発光ユニットを1つの電荷発生層で仕切った構造の有機EL素子を作製し、その効果を確認した。
<Verification of luminous efficiency of multi-photon type organic EL elements>
In Production Examples 1-1 and 1-2 and Comparative Examples 1-1 to 1-4, organic EL elements having a structure in which two light-emitting units are partitioned by one charge generation layer were produced, and the effects thereof were confirmed.
<作製例1−1> 電荷発生層で仕切った構造の有機EL素子の作製
(作製例1−1の層構成:ITO/PEDOT/MEH−PPV/Li/V2O5/MEH−PPV/Al−Li合金)
作製例1−1における有機EL素子の作製例を、図3を参照しながら説明する。
本作製例では図1に示す第1の発光ユニット11を第1の有機発光層11aと正孔注入層11bとで構成したものである。支持基板に相当するガラス基板15上に、陽極14としてITO膜(膜厚150nm)をスパッタ法により形成した基板を用意した。この基板にBYTRON製のPEDOT(ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン))/PSS(ポリスチレンスルホン酸)溶液をスピンコート法により40nmの厚みで成膜し、窒素雰囲気下において200℃で熱処理して正孔注入層11bを得た。発光材料としてAldrich社製の重量平均分子量が約20万のMEH−PPV(ポリ(2−メトキシ−5−(2’−エチル−ヘキシロキシ)−パラ−フェニレンビニレン)を用いた。このMEH−PPVの1重量%トルエン溶液を作製し、これをPEDOT/PSSが成膜された基板上にスピンコートして90nmの膜厚で第1の有機発光層11aを成膜した。正孔注入層11bと第1の有機発光層11aを併せて第1の発光ユニット11とする。
<Preparation Example 1-1> layer of Preparation (Preparation Example 1-1 of the organic EL device having the structure partitioned by a charge generation layer structure: ITO / PEDOT / MEH-PPV / Li / V 2 O 5 / MEH-PPV / Al -Li alloy)
An example of manufacturing an organic EL element in Preparation Example 1-1 will be described with reference to FIG.
In this fabrication example, the first
この上に真空蒸着法により、電荷発生層13としてLi(仕事関数:2.93eV)、V2O5(酸化バナジウム)(仕事関数:4eV以上)を順次それぞれ、2nm、20nmの厚みで形成し、第1の層13−1、第2の層13−2とした。ここでLiの蒸着はAl−Li合金(Li含有率0.05%)を用い、Alが飛びはじめる前の数十秒間、先に飛ぶLiのみを蒸着することで行い、その直後にV2O5の蒸着を行った。
さらに、V2O5膜上に、MEH−PPVの1重量%トルエン溶液をスピンコートして、90nmの膜厚で第2の有機発光層(第2の発光ユニット)12を製膜した。さらにこの上に真空蒸着法により陰極16としてAl−Li合金を100nm形成した。以上により2つの発光ユニットを1つの電荷発生層で仕切った構造の有機EL素子を作製した。
得られた素子に直流電圧を印加したところ、発光開始電圧12V、最大輝度80cd/m2であった。電流効率は0.072cd/Aであり、下記の比較例1−1の素子(0.037cd/A)に比べて1.95倍に増大した。
On top of this, Li (work function: 2.93 eV) and V 2 O 5 (vanadium oxide) (work function: 4 eV or more) are sequentially formed with a thickness of 2 nm and 20 nm as the
Further, a 1 wt% toluene solution of MEH-PPV was spin-coated on the V 2 O 5 film to form a second organic light emitting layer (second light emitting unit) 12 with a film thickness of 90 nm. Further, an Al—Li alloy having a thickness of 100 nm was formed thereon as a
When a DC voltage was applied to the obtained device, the light emission starting voltage was 12 V and the maximum luminance was 80 cd / m 2 . The current efficiency was 0.072 cd / A, which was increased 1.95 times compared to the element (0.037 cd / A) of Comparative Example 1-1 below.
<比較例1−1> 有機EL素子の作製
(比較例1−1の層構成:ITO/PEDOT/MEH−PPV/Al−Li合金)
比較のために、作製例1−1において電荷発生層13と第2の有機発光層(第2の発光ユニット)12とを設けないこと以外は作製例1−1と同様にして、図4に示すように発光ユニット11が1つだけの有機EL素子40を作製した。なお図4中、図1におけるものと同一部材については同一符号を付している。
比較例1−1の有機EL素子40に直流電圧を印加したところ、発光開始電圧5.5V、最大輝度52cd/m2であった。電流効率は0.037cd/Aであった。
<Comparative Example 1-1> Preparation of organic EL element (layer structure of Comparative Example 1-1: ITO / PEDOT / MEH-PPV / Al-Li alloy)
For comparison, FIG. 4 shows the same procedure as in Preparation Example 1-1 except that the
Upon application of a direct current voltage to the
<比較例1−2> 有機EL素子の作製
(比較例1−2の層構成:ITO/PEDOT/MEH−PPV/V2O5/MEH−PPV/Al−Li合金)
電荷発生層として、膜厚30nmのV2O5の1層のみからなるものを用いたことを除いて、比較例1−1と同様にして有機EL素子を作製した。得られた素子に40V印加しても発光しなかった。
<Comparative Example 1-2> Preparation of Organic EL element (the layer structure of Comparative Example 1-2: ITO / PEDOT / MEH- PPV / V 2 O 5 / MEH-PPV / Al-Li alloy)
An organic EL device was produced in the same manner as in Comparative Example 1-1 except that the charge generation layer was composed of only one layer of V 2 O 5 having a thickness of 30 nm. Even when 40 V was applied to the resulting device, no light was emitted.
<作製例1−2> 異なる色の発光ユニットを積層した混色素子
(作製例1−2の層構成:ITO/PEDOT/F8−TPA−BT/Li/V2O5/PEDOT/PSS/F8−TPA−PDA/Al−Li合金)
作製例1−1において発光材料として用いたMEH−PPVの代わりに、緑色の光を発光する下記構造式(1)で示す高分子発光材料31(略称F8(poly(9,9-dioctylfluorene))−TPA(トリフェニルアミン)−BT(ポリビスアミドトリアゾール))を発光材料として用いた高分子発光層を含む第1の発光ユニット11と、電荷発生層13とを形成した後、PEDOT/PSS層を形成し、引き続いて青色の光を発光する下記構造式(2)で示す高分子発光材料32(略称F8−TPA−PDA(p-フェニレンジアミン))を発光材料として用いた高分子発光層を含む第2の発光ユニット12を成膜した後、作製例1−1と同様にして陰極を形成して、二つの発光ユニットからの発光波長が異なる発光素子を作製した。
Layer structure of <Preparation Example 1-2> different color mixing element obtained by laminating a light-emitting unit (Preparation Example 1-2: ITO / PEDOT / F8- TPA-BT / Li / V 2 O 5 / PEDOT / PSS / F8- TPA-PDA / Al-Li alloy)
Instead of MEH-PPV used as the light emitting material in Production Example 1-1, a polymer light emitting material 31 (abbreviated as F8 (poly (9,9-dioctylfluorene)) represented by the following structural formula (1) that emits green light. After forming the first
高分子発光材料31
高分子発光材料32
<比較例1−3、1−4> 作製例2の比較、緑と青の発光層のみからなる単一素子
(比較例1−3の層構成:ITO/PEDOT/F8−TPA−BT/Al−Li合金)
(比較例1−4の層構成:ITO/PEDOT/F8−TPA−PDA/Al−Li合金)
作製例1−2との比較のため、比較例1−2と同様にITO/PEDOT/有機発光層/Al−Li合金の構造の発光ユニット1つからなる素子を作製した。ここで比較例1−3では、発光材料として緑色を発光するF8−TPA−BTを有機発光層に用い、比較例1−4では、発光材料として青色を発光するF8−TPA−PDAを有機発光層に用いた。
<Comparative Examples 1-3, 1-4> Comparison of Production Example 2, single element consisting of only green and blue light-emitting layers (layer configuration of Comparative Example 1-3: ITO / PEDOT / F8-TPA-BT / Al -Li alloy)
(Layer structure of Comparative Example 1-4: ITO / PEDOT / F8-TPA-PDA / Al-Li alloy)
For comparison with Preparation Example 1-2, an element composed of one light-emitting unit having a structure of ITO / PEDOT / organic light-emitting layer / Al—Li alloy was prepared as in Comparative Example 1-2. Here, in Comparative Example 1-3, F8-TPA-BT that emits green light is used as the light emitting material for the organic light emitting layer, and in Comparative Example 1-4, F8-TPA-PDA that emits blue light is used as the organic light emitting material. Used for layer.
比較例1−3、1−4の駆動電圧はそれぞれ3.6V、5.4Vであるのに対し、作製例1−2では8.0Vとなり2つのユニットを積層した素子の予想に近い電圧を示した。また作製例1−2の素子では2つの層からの混色により、スペクトルが広くなり白がかった緑色の発光が得られた。 The driving voltages of Comparative Examples 1-3 and 1-4 are 3.6 V and 5.4 V, respectively, whereas in Manufacturing Example 1-2, the driving voltage is 8.0 V, which is close to the expected voltage of an element in which two units are stacked. Indicated. Further, in the element of Preparation Example 1-2, the spectrum was widened and whited green light emission was obtained due to the color mixture from the two layers.
次に、以下の作製例2−1〜2−3では、光透過性を有する膜本体内にワイヤ状の導電体を設けた第1電極の屈折率を特定の範囲に制御するとともに、透明支持基板と第1電極との屈折率差を特定の範囲に制御することにより、光取出し効率を向上させることができることを確認する。 Next, in the following production examples 2-1 to 2-3, the refractive index of the first electrode in which the wire-like conductor is provided in the light-transmitting film main body is controlled within a specific range, and the transparent support It is confirmed that the light extraction efficiency can be improved by controlling the refractive index difference between the substrate and the first electrode within a specific range.
<作製例2−1>第1電極内にワイヤ状の導電体を設置した有機EL素子の作製
ワイヤ状の導電体として、アミノ基含有高分子系分散剤(アイ・シー・アイ・ジャパン社製、商品名「ソルスパース24000SC」)で表面を保護した銀ナノワイヤー(長軸平均長さ1μm、短軸平均長さ10nm)を用いる。この銀ナノワイヤーのトルエン分散液2g(銀ナノワイヤー1.0g含有)と、膜本体となる光硬化性モノマーであるトリメチロールプロパントリアクリレート(新中村化学社製、商品名「NKエステル−TMPT」)0.25gとを混合し、銀ナノワイヤーを混合溶液中に分散させ、さらに重合開始剤(日本チバ・ガイギー社製、商品名「イルガキュア907」)0.0025gを添加する。この混合溶液を厚さ0.7mmのガラス基板(透明板本体:屈折率約1.5)に塗布し、ホットプレート上で110℃20分加熱して溶媒を乾燥し、さらにUVランプで光照射(6000mW/cm2)することによって硬化して、膜厚が150nmの透明導電膜を得る。このように成膜することによって、透過率が80%以上、体積抵抗率が1Ω・cm以下である透明導電膜が得られる。
<Preparation Example 2-1> Preparation of organic EL element in which wire-like conductor is installed in first electrode As wire-like conductor, amino group-containing polymer dispersant (made by IC Japan Ltd.) Silver nanowires (major axis average length 1 μm, minor axis
光硬化樹脂の屈折率は1.47であり、得られる透明導電膜の屈折率も1.47となり、この透明導電膜付き透明板を、光透過性を有する第1電極を有する透明支持基板あるいは透明封止基板に用いることにより有機EL素子を得ることができる。得られる有機EL素子では光取出し効率が向上する。 The refractive index of the photo-curing resin is 1.47, and the refractive index of the obtained transparent conductive film is also 1.47. The transparent plate with the transparent conductive film is used as a transparent supporting substrate having a first electrode having light transmittance or An organic EL element can be obtained by using it for a transparent sealing substrate. In the obtained organic EL element, the light extraction efficiency is improved.
<作製例2−2>第1電極内にワイヤ状の導電体を設置した有機EL素子の作製
ワイヤ状の導電体として、アミノ基含有高分子系分散剤(アイ・シー・アイ・ジャパン社製、商品名「ソルスパース24000SC」)で表面を保護した銀ナノワイヤー(長軸平均長さ1μm、短軸平均長さ10nm)を用いる。この銀ナノワイヤーのトルエン分散液2g(銀ナノワイヤー1.0g含有)と、膜本体となるポリ(エチレンジオキシチオフェン)/ポリスチレンスルホン酸の溶液(スタルク社製、商品名「BaytronP」)2.5gとを混合し、銀ナノワイヤーを混合溶液中に分散させる。この混合溶液を厚さ0.7mmのガラス基板(透明板本体)に塗布し、ホットプレート上で200℃20分加熱し、溶媒を乾燥すると膜厚が150nmの透明導電膜を得る。このように成膜することによって、透過率が80%以上、体積抵抗率が1Ω・cm以下である透明導電膜が得られる。
<Preparation Example 2-2> Preparation of organic EL device in which wire-like conductor is installed in first electrode As wire-like conductor, amino group-containing polymer dispersant (manufactured by IC Japan Ltd.) Silver nanowires (major axis average length 1 μm, minor axis
「BaytronP」の屈折率は1.7であり、得られる透明導電膜の屈折率も1.7となり、この透明導電膜付き透明板を、光透過性を有する第1電極を有する透明支持基板あるいは透明封止基板に用いることにより有機EL素子を得ることができる。得られる有機EL素子では、光取出し効率が向上する。 "BaytronP" has a refractive index of 1.7, and the resulting transparent conductive film also has a refractive index of 1.7. The transparent plate with the transparent conductive film is used as a transparent support substrate having a first electrode having optical transparency or An organic EL element can be obtained by using it for a transparent sealing substrate. In the obtained organic EL element, the light extraction efficiency is improved.
<作製例2−3>第1電極内にワイヤ状の導電体を設置した有機EL素子の作製
ワイヤ状の導電体として、アミノ基含有高分子系分散剤(アイ・シー・アイ・ジャパン社製、商品名「ソルスパース24000SC」)で表面を保護した銀ナノワイヤー(長軸平均長さ1μm、短軸平均長さ10nm)を用いる。膜本体となるポリ(エチレンジオキシチオフェン)/ポリスチレンスルホン酸の溶液(スタルク社製、商品名「BaytronP」)2.5gに、ジメチルスルホキシド0.125gを混合した混合液と、銀ナノワイヤーのトルエン分散液2g(銀ナノワイヤー1.0g含有)とを混合し、銀ナノワイヤーを混合溶液中に分散させる。この混合溶液を0.7mm厚のガラス基板に塗布し、ホットプレート上で200℃20分加熱し、溶媒を乾燥すると膜厚が150nmの導電膜を得る。このように成膜することによって透過率が80%以上、体積抵抗率が1Ω・cm以下である透明導電膜が得られる。
<Preparation Example 2-3> Preparation of organic EL device in which wire-like conductor is installed in first electrode As wire-like conductor, amino group-containing polymer dispersant (made by IC Japan Ltd.) Silver nanowires (major axis average length 1 μm, minor axis
「BaytronP」の屈折率は1.7であり、得られる透明導電膜の屈折率も1.7となり、この透明導電膜付き透明板を、透明第1電極を有する透明支持基板あるいは透明封止基板に用いることにより有機EL素子を得ることができる。得られる有機EL素子では光取出し効率が向上する。 The refractive index of “BaytronP” is 1.7, and the refractive index of the obtained transparent conductive film is 1.7. The transparent plate with the transparent conductive film is used as a transparent support substrate or a transparent sealing substrate having a transparent first electrode. An organic EL element can be obtained by using for this. In the obtained organic EL element, the light extraction efficiency is improved.
10、20、30 有機EL素子
11、11a 第1の発光ユニット(第1の有機発光層)
12 第2の発光ユニット(第2の有機発光層)
13 電荷発生層
13−1 第1の層
13−2 第2の層
14 陽極(第1電極)
15 支持基板
16 陰極(第2電極)
17、23 積層体(発光機能部)
18 封止基板(上部封止膜)
21 陰極(第1電極)
22 陽極(第2電極)
10, 20, 30
12 Second light emitting unit (second organic light emitting layer)
13 Charge Generation Layer 13-1 First Layer 13-2
15
17, 23 Laminate (light emitting function part)
18 Sealing substrate (upper sealing film)
21 Cathode (first electrode)
22 Anode (second electrode)
Claims (18)
陽極および陰極のうちのいずれか一方の電極であり、前記基板に接して設けられる光透過性を有する第1電極と、
前記陽極および陰極のうちの他方の電極である第2電極と、
前記第1電極および第2電極間に設けられ、かつそれぞれが有機発光層を含む複数の発光ユニットと、
前記発光ユニットに挟持されて配置される電荷発生層とを備え、
前記電荷発生層は、仕事関数が3.0eV以下の金属およびその化合物からなる群(A)から選ばれるものの1種類以上と、仕事関数が4.0eV以上の化合物(B)の1種類以上とを含み、
前記第1電極の屈折率をn1、前記基板の屈折率をn2とすると、n1およびn2がそれぞれ次式(1):
有機エレクトロルミネッセンス素子。 A substrate having optical transparency;
A first electrode having one of an anode and a cathode and having light transmissivity provided in contact with the substrate;
A second electrode that is the other of the anode and the cathode;
A plurality of light emitting units provided between the first electrode and the second electrode, each including an organic light emitting layer;
A charge generation layer disposed between the light emitting units,
The charge generation layer includes at least one selected from the group consisting of metals and compounds thereof having a work function of 3.0 eV or less, and at least one compound (B) having a work function of 4.0 eV or more. Including
When the refractive index of the first electrode is n1 and the refractive index of the substrate is n2, n1 and n2 are represented by the following formula (1):
Organic electroluminescence device.
光透過性を有する膜本体と、
該膜本体中に配置され、導電性を有するワイヤ状の導電体とを含む、請求項1から10のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The first electrode is
A film body having optical transparency;
The organic electroluminescent element according to claim 1, wherein the organic electroluminescent element includes a wire-like conductor disposed in the film main body and having conductivity.
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