JP2010191037A - Electrooptical device and electronic device - Google Patents

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Hiroko Sawai
寛子 澤井
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To effectively suppress the generation of a domain area while securing a sufficient aperture ratio in an image display area in an electrooptical device such as a liquid crystal device. <P>SOLUTION: The electrooptical device includes: a pair of substrates (10, 20); an electrooptical substance (50) held between the pair of substrates; and a pixel electrode (9) disposed on one substrate for each pixel and having a first edge part formed along a first direction within a substrate surface and a second edge part and a third edge part formed along a second direction within the substrate surface and arranged corresponding to both ends of the first edge part. The first direction and the second direction are specified so that the first edge part and the second edge part are in a direction where the domain area is easily generated by a lateral electric field formed along the substrate in comparison with the third edge part. At least one of the second and third edge parts has a notch part (3) formed so that a distance (a1) between the second and third edge parts in one area (1) close to the first edge out of the pixel electrode is shorter than a distance (a2) in the other area (2) excluding the one area. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置及び該電気光学装置を備えた、例えば携帯電話等の電子機器の技術分野に関する。   The present invention relates to a technical field of an electro-optical device such as a liquid crystal device and an electronic apparatus including the electro-optical device such as a mobile phone.

この種の電気光学装置の一例である液晶装置では、例えば液晶を保持する一対の基板の夫々に設けられた画素電極及び対向電極間に、表示画像に対応した駆動電圧を印加することによって、これら電極間に挟持された液晶分子の配向状態を制御し、画像表示を行う。画素電極は画素毎に島状に形成されており、画素電極の各々には、相異なる駆動電圧が印加されている。そのため、相隣り合う画素電極間には、電位差に応じて横電界(即ち、基板面に平行な電界或いは基板面に平行な成分を含む斜めの電界)が生じ、液晶分子に配向不良を引き起こす原因となる。このように、配向不良が生じる領域(即ち、ドメイン領域)が存在すると、表示画像のコントラストの低下など種々の問題を引き起こす要因となる。   In a liquid crystal device that is an example of this type of electro-optical device, for example, a driving voltage corresponding to a display image is applied between a pixel electrode and a counter electrode provided on each of a pair of substrates that hold liquid crystal. Image alignment is performed by controlling the alignment state of the liquid crystal molecules sandwiched between the electrodes. The pixel electrode is formed in an island shape for each pixel, and different drive voltages are applied to each of the pixel electrodes. Therefore, a horizontal electric field (that is, an electric field parallel to the substrate surface or an oblique electric field including a component parallel to the substrate surface) is generated between the adjacent pixel electrodes according to the potential difference, which causes alignment defects in the liquid crystal molecules. It becomes. As described above, if there is a region where alignment failure occurs (that is, a domain region), it causes various problems such as a decrease in contrast of a display image.

これに対し、特許文献1では、画素電極の角部を斜めに切り取ることにより、横電界の発生を抑制し、液晶分子の配向状態を軽減する技術が開示されている。   On the other hand, Patent Document 1 discloses a technique for suppressing the occurrence of a transverse electric field and reducing the alignment state of liquid crystal molecules by cutting off corners of pixel electrodes obliquely.

特開2007−199451号公報JP 2007-199451 A

しかしながら、上述の背景技術によれば、液晶分子の配向不良を少なからず軽減できる可能性はあるものの、依然として横電界は残存してしまう。そのため、ドメイン領域が少なく、より高品位な画像表示を可能にすべく、更なる横電界の発生を抑制するための工夫が求められている。また、画素電極の角部を切り取ると、画素電極の面積が大きく減少してしまう。画素のうち表示光が透過する開口領域の面積は、画素電極の面積に応じて増減するため、画素電極の面積が小さくなると、開口領域の面積も小さくなってしまう。つまり、画素電極の角部を切り取ると、画像表示領域における開口率が低下してしまい、表示画像の画質が低下してしまうという問題点がある。   However, according to the background art described above, although there is a possibility that the alignment defects of the liquid crystal molecules can be alleviated, the lateral electric field still remains. Therefore, a device for suppressing generation of a further lateral electric field is required in order to enable a higher quality image display with a small domain area. Further, when the corner portion of the pixel electrode is cut off, the area of the pixel electrode is greatly reduced. Since the area of the opening region through which the display light is transmitted in the pixel is increased or decreased according to the area of the pixel electrode, the area of the opening region is reduced when the area of the pixel electrode is reduced. That is, if the corner of the pixel electrode is cut off, the aperture ratio in the image display area is lowered, and the image quality of the display image is lowered.

本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、画像表示領域における開口率を十分に確保しつつ、ドメイン領域の発生を効果的に抑制可能な電気光学装置及びその製造方法、並びにそのような電気光学装置を備える電子機器を提供することを課題とする。   The present invention has been made in view of the above problems, for example, and an electro-optical device capable of effectively suppressing the occurrence of a domain region while sufficiently ensuring an aperture ratio in an image display region, a manufacturing method thereof, and It is an object to provide an electronic apparatus including such an electro-optical device.

本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、一対の基板と、該一対の基板間に挟持された電気光学物質と、前記一対の基板の一方の基板上において画素毎に配置されており、前記一方の基板上で平面的に見て、前記一方の基板面内における第1の方向に沿って形成された第1縁部、並びに前記一方の基板面内において前記第1の方向に交差する第2の方向に沿って形成され、第1縁部の両端に対応するように配置された第2縁部及び第3縁部を有する画素電極とを備え、前記第1の方向及び前記第2の方向は、前記第1縁部が前記第2縁部及び第3縁部に比べて前記一方の基板に沿った横電界によりドメイン領域が発生し易い方向であるように規定されており、前記第2縁部及び第3縁部のうち少なくとも一方は、前記画素電極のうち前記第1縁部に近い一の領域における前記第2縁部及び第3縁部間の距離が、前記画素電極のうち前記一の領域を除く他の領域におけるのに比べて小さくなるように形成された切欠部を有する。   In order to solve the above-described problem, an electro-optical device according to an aspect of the invention includes a pair of substrates, an electro-optical material sandwiched between the pair of substrates, and a pixel disposed on one of the pair of substrates. The first edge portion formed along the first direction in the one substrate surface and the first direction in the one substrate surface when viewed in plan on the one substrate. A pixel electrode having a second edge and a third edge formed along the intersecting second direction and arranged to correspond to both ends of the first edge, and the first direction and the The second direction is defined such that the first edge is a direction in which a domain region is more likely to be generated by a lateral electric field along the one substrate than the second edge and the third edge. At least one of the second edge and the third edge is a pixel electrode. The distance between the second edge and the third edge in one area close to the first edge is formed to be smaller than in the other area of the pixel electrode other than the one area. Having a cutout.

本発明の電気光学装置では、一対の基板間(典型的には、素子基板と対向基板)に電気光学物質が挟持された構造を有している。例えば、素子基板上には、走査線、データ線等の配線や画素スイッチング用のトランジスタ等の電子素子が、絶縁膜を介して相互に絶縁されつつ必要に応じて積層されることで画素電極を駆動するための回路が構成され、その上層側に画像電極が配置され、対向基板上には素子基板上に形成された画素電極に対向するように対向電極が設けられる。そして、表示画像に対応する駆動電圧を画素電極及び対向電極間に印加することによって、基板間に挟持された液晶等の電気光学物質の配向状態を制御する。即ち、縦電界により配向状態を制御する。このようにして、複数の画素電極が配列された画素領域或いは画素アレイ領域(又は「画像表示領域」とも呼ぶ)における画像表示が可能となる。   The electro-optical device of the present invention has a structure in which an electro-optical material is sandwiched between a pair of substrates (typically, an element substrate and a counter substrate). For example, on the element substrate, electronic elements such as scanning lines, data lines, and pixel switching transistors are stacked as necessary while being insulated from each other via an insulating film, thereby forming pixel electrodes. A circuit for driving is configured, an image electrode is disposed on the upper layer side, and a counter electrode is provided on the counter substrate so as to face the pixel electrode formed on the element substrate. Then, by applying a driving voltage corresponding to the display image between the pixel electrode and the counter electrode, the alignment state of the electro-optical material such as liquid crystal sandwiched between the substrates is controlled. That is, the alignment state is controlled by a vertical electric field. In this way, it is possible to display an image in a pixel area or a pixel array area (or also referred to as an “image display area”) in which a plurality of pixel electrodes are arranged.

電気光学物質は、例えば、TN(Twisted Nematic:ツイステッドネマティック)液晶分子を含んでなる液晶層である。   The electro-optic material is, for example, a liquid crystal layer including TN (Twisted Nematic) liquid crystal molecules.

本発明における画素電極は、第1縁部、第2縁部及び第3縁部を有する。第1縁部は、第2縁部及び第3縁部を含む画素電極の縁部のうち、一方の基板上で平面的に見て、ドメイン領域が、典型的には相隣接する画素電極間で発生する、横電界により相対的に発生し易い縁部である。この種の電気光学装置では、電気光学物質の種類や駆動電圧非印加時における配向状態等によって、画素電極の縁部の特定の部分にドメイン領域が形成し易い。本発明では、このドメイン領域が相対的に発生し易い縁部が第1縁部とされており、該第1縁部が延在している方向が第1の方向とされている。   The pixel electrode in the present invention has a first edge, a second edge, and a third edge. The first edge portion of the pixel electrode including the second edge portion and the third edge portion when viewed in plan on one substrate, the domain region is typically between adjacent pixel electrodes. This is an edge portion that is relatively easily generated by a transverse electric field. In this type of electro-optical device, a domain region is easily formed in a specific portion of the edge of the pixel electrode depending on the type of electro-optical material, the alignment state when no driving voltage is applied, and the like. In the present invention, the edge where the domain region is relatively likely to occur is the first edge, and the direction in which the first edge extends is the first direction.

尚、横電界によって第2縁部及び第3縁部にも、ドメイン領域が大なり小なり発生する場合も有り得るが、本発明では、相対的に強く発生するドメイン領域を低減することを目的としている。即ち、第2縁部及び第3縁部にも、横電界によってドメイン領域が多少発生する場合であっても、或いは殆ど又は全く発生しない場合であっても、本発明の以下に詳述する特別顕著なる作用効果は奏されるものであり、本発明は、いずれの場合にも相応に有効である。   Although there may be cases where the domain region is generated in the second edge portion and the third edge portion due to the transverse electric field, the domain region may be generated to be larger or smaller. However, the present invention aims to reduce the relatively strongly generated domain region. Yes. That is, even if the domain region is slightly generated by the transverse electric field in the second edge portion and the third edge portion, or if there is little or no domain region, the special case described in detail below of the present invention. A remarkable effect is exhibited, and the present invention is correspondingly effective in any case.

第2縁部及び第3縁部は共に、第1の方向に交差する第2の方向に沿って形成され、第1縁部の両端に対応するように配置されている。つまり、画素電極は一方の基板上で見て、第1縁部、第2縁部及び第3縁部を含む限りにおいて自由な形状を取ることが可能であり、例えば四角形状や五角形状等を含む多角形状をしている。具体的な例としては、第1の方向及び第2の方向に延在するデータ線及び走査線によって区分けされた画素毎に正方形又は長方形に形成されていてもよい。   Both the second edge and the third edge are formed along a second direction that intersects the first direction, and are arranged so as to correspond to both ends of the first edge. That is, the pixel electrode can take any shape as long as it includes the first edge, the second edge, and the third edge when viewed on one substrate. For example, the pixel electrode has a rectangular shape, a pentagonal shape, or the like. It has a polygonal shape that includes it. As a specific example, each pixel divided by a data line and a scanning line extending in the first direction and the second direction may be formed in a square or a rectangle.

本発明では特に、画素電極は、第2縁部及び第3縁部のうち少なくとも一方は、画素電極のうち第1縁部に近い一の領域における第2縁部及び第3縁部間の距離が、画素電極のうち一の領域を除く他の領域におけるのに比べて小さくなるように形成された切欠部を有する。本願発明者の研究によると、このように切欠部を形成することにより、相隣り合う画素電極間に発生する横電界を効果的に抑制することができることが判明している。その理由は、必ずしも完全に解明されているとは言えないが、横電界の大きさは、電位の異なる隣り合う画素電極同士の距離に依存するため、ドメイン領域が形成されやすい第1縁部に近い一の領域において、切欠部を設けることによって隣り合う画素電極との間の距離を広く確保することで、ドメイン領域を形成する要因となる横電界を抑制することができるためと考えられる。   In the present invention, in particular, the pixel electrode has a distance between the second edge and the third edge in a region where at least one of the second edge and the third edge is close to the first edge of the pixel electrode. However, the pixel electrode has a cutout portion formed so as to be smaller than those in other regions except for one region. According to the research of the present inventor, it has been found that the formation of the notches in this way can effectively suppress the lateral electric field generated between adjacent pixel electrodes. The reason is not completely elucidated, but since the magnitude of the lateral electric field depends on the distance between adjacent pixel electrodes having different potentials, the domain region is easily formed at the first edge. It is considered that by providing a notch portion in a near area so as to ensure a large distance between adjacent pixel electrodes, it is possible to suppress a lateral electric field that causes a domain area.

また、このような切欠部は、第2縁部及び第3縁部のうち少なくとも一方に設ければよい。よりドメイン領域の形成を効果的に抑制するという観点からは、切欠部は、第2縁部及び第3縁部の双方に形成されていることが好ましいが、第2縁部及び第3縁部のうち一方にのみ形成されていても、ドメイン領域の形成を抑制するとよい本発明のメリットを少なからず享受することができる。   Moreover, what is necessary is just to provide such a notch part in at least one among a 2nd edge part and a 3rd edge part. From the viewpoint of effectively suppressing the formation of the domain region, the notch is preferably formed on both the second edge and the third edge, but the second edge and the third edge. Even if it is formed only on one of them, the advantages of the present invention, which is good if the formation of the domain region is suppressed, can be enjoyed.

以上説明したように、本発明に係る電気光学装置によれば、画素電極に切欠部を形成することによって、ドメイン領域の形成を効果的に抑制することができ、高品位な画像表示が可能な電気光学装置を実現することができる。   As described above, according to the electro-optical device of the present invention, the formation of the domain region can be effectively suppressed by forming the notch in the pixel electrode, and high-quality image display is possible. An electro-optical device can be realized.

本発明の電気光学装置の一の態様では、前記切欠部は、前記第2の方向に沿った長さが前記第1の方向に沿った長さより大きい。   In one aspect of the electro-optical device according to the aspect of the invention, the cutout portion has a length along the second direction larger than a length along the first direction.

本願発明者によれば、切欠部第2の方向に沿った長さが第1の方向に沿った長さより小さい場合に比べて、第2の方向に沿った長さが第1の方向に沿った長さより大きく形成すると、格段に効果的に電気光学物質におけるドメインの発生を抑えられることが判明している。   According to the inventor of the present application, the length along the second direction is along the first direction compared to the case where the length along the second direction of the notch is smaller than the length along the first direction. It has been found that the generation of domains in the electro-optic material can be remarkably effectively suppressed when the length is larger than the length.

また、切欠部の形状をこのように形成することで、画像表示領域における開口領域を広く確保することができる。その結果、画像表示領域において光抜けが発生することを防止したり、明るく鮮明な高品位な画像表示が可能な電気光学装置を実現することができる。   Further, by forming the shape of the notch in this way, a wide opening area in the image display area can be secured. As a result, it is possible to realize an electro-optical device that can prevent light leakage from occurring in the image display area and can display a bright, clear and high-quality image.

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記切欠部は、前記一の領域において、前記第1及び第2の方向に交差する第3の方向に沿って延びる第4縁部を含む。   In another aspect of the electro-optical device according to the aspect of the invention, the cutout portion includes a fourth edge portion extending in a third direction intersecting the first and second directions in the one region.

この態様によれば、切欠部は、ドメイン領域が形成される第1縁部の両端における画素電極の角を取るように、斜めに切り欠く部分を含んでいる。上述の態様のように、切欠部を画素電極のうち第1縁部に近い一の領域における第2縁部及び第3縁部間の距離が、画素電極のうち一の領域を除く他の領域におけるのに比べて小さくなるように形成するだけでは、ドメイン領域の形成を十分に抑制できない場合には、本態様のように斜めに切り欠く部分を含めることで、より効果的にドメイン領域の形成を抑制することができる。   According to this aspect, the notch includes a portion that is obliquely cut out so as to take corners of the pixel electrode at both ends of the first edge where the domain region is formed. As in the above-described aspect, the distance between the second edge and the third edge in one area close to the first edge of the pixel electrode is the other area except for one area of the pixel electrode. If the formation of the domain region cannot be sufficiently suppressed only by forming it to be smaller than that in the case, the domain region can be formed more effectively by including a notched portion as in this embodiment. Can be suppressed.

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置(但し、その各種態様を含む)を備える。   In order to solve the above problems, an electronic apparatus according to the present invention includes the above-described electro-optical device according to the present invention (including various aspects thereof).

本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を備えてなるので、高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置(Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display)、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた表示装置を実現することも可能である。   According to the electronic apparatus of the present invention, since it includes the electro-optical device of the present invention described above, a projection display device, a television, a mobile phone, an electronic notebook, a word processor, capable of performing high-quality image display, Various electronic devices such as a viewfinder type or a monitor direct-view type video tape recorder, a workstation, a videophone, a POS terminal, and a touch panel can be realized. In addition, as an electronic apparatus of the present invention, for example, an electrophoretic device such as electronic paper, an electron emission device (Field Emission Display and Conduction Electron-Emitter Display), and a display device using these electrophoretic device and electron emission device Is also possible.

本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。   The operation and other advantages of the present invention will become apparent from the best mode for carrying out the invention described below.

本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。It is a top view which shows the whole structure of the liquid crystal device which concerns on this embodiment. 図1のH−H´断面図である。It is HH 'sectional drawing of FIG. 本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the electrical structure of the liquid crystal device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域における配線等の位置関係を透過的に示す模式図である。It is a schematic diagram which shows transparently the positional relationship of wiring etc. in the image display area of the liquid crystal device concerning this embodiment. 図4から画素電極を抽出し、その詳細な形状を模式的に示す平面図である。FIG. 5 is a plan view schematically illustrating a detailed shape of a pixel electrode extracted from FIG. 4. ドメイン領域に対する、画素電極の平面形状の影響を検証するのに用い他画素電極の平面形状を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the planar shape of another pixel electrode used for verifying the influence of the planar shape of a pixel electrode with respect to a domain area | region. 図6に示した画素電極の平面形状を採用した液晶装置のV1マージンを測定した結果を示す表である。7 is a table showing a result of measuring a V1 margin of a liquid crystal device adopting the planar shape of the pixel electrode shown in FIG. 本実施形態の電気光学装置を適用した電子機器の例である。It is an example of an electronic apparatus to which the electro-optical device of the present embodiment is applied.

以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のTFTアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, a driving circuit built-in type TFT active matrix driving type liquid crystal device, which is an example of the electro-optical device of the present invention, is taken as an example.

<液晶装置>
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図1及び図2を参照して説明する。
<Liquid crystal device>
First, the overall configuration of the liquid crystal device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

図1は、TFTアレイ基板10を、その上に形成された各構成要素と共に、対向基板20の側から見た液晶装置の構成を示す概略的な平面図であり、図2は、図1のH−H´断面図である。   FIG. 1 is a schematic plan view showing a configuration of a liquid crystal device when the TFT array substrate 10 is viewed from the counter substrate 20 side together with each component formed thereon, and FIG. 2 is a plan view of FIG. It is HH 'sectional drawing.

図1及び図2において、本実施形態に係る液晶装置は、対向配置されたTFTアレイ基板10と対向基板20とを備えている。TFTアレイ基板10は例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板又はシリコン基板である。対向基板20も例えばTFTアレイ基板10と同様の材料からなる基板である。TFTアレイ基板10と対向基板20との間には、液晶層50が封入されており、TFTアレイ基板10と対向基板20とは、電気光学動作の行われる画像表示領域10aの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材52により相互に接着されている。   1 and 2, the liquid crystal device according to the present embodiment includes a TFT array substrate 10 and a counter substrate 20 that are arranged to face each other. The TFT array substrate 10 is, for example, a transparent substrate such as a quartz substrate or a glass substrate, or a silicon substrate. The counter substrate 20 is also a substrate made of the same material as the TFT array substrate 10, for example. A liquid crystal layer 50 is sealed between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20, and the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are sealed around the image display region 10a where the electro-optical operation is performed. They are bonded to each other by a sealing material 52 provided in the region.

シール材52は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてTFTアレイ基板10上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、例えばシール材52中には、TFTアレイ基板10と対向基板20との間隔(基板間ギャップ)を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材56が散布されている。   The sealing material 52 is made of, for example, an ultraviolet curable resin, a thermosetting resin, or the like for bonding the two substrates, and is applied on the TFT array substrate 10 in the manufacturing process and then cured by ultraviolet irradiation, heating, or the like. It is. Further, for example, in the sealing material 52, a gap material 56 such as a glass fiber or a glass bead for dispersing the distance (inter-substrate gap) between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 to a predetermined value is dispersed.

シール材52が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域10aの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜53が、対向基板20側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜53の一部又は全部は、TFTアレイ基板10側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。   A light-shielding frame light-shielding film 53 that defines the frame area of the image display area 10a is provided on the counter substrate 20 side in parallel with the inside of the seal area where the sealing material 52 is disposed. However, part or all of the frame light shielding film 53 may be provided as a built-in light shielding film on the TFT array substrate 10 side.

TFTアレイ基板10上における、画像表示領域10aの周辺に位置する周辺領域10bには、データ線駆動回路101、サンプリング回路7、走査線駆動回路104及び外部回路接続端子102が夫々形成されている。   On the TFT array substrate 10, a data line driving circuit 101, a sampling circuit 7, a scanning line driving circuit 104, and an external circuit connection terminal 102 are formed in the peripheral area 10b located around the image display area 10a.

TFTアレイ基板10上における周辺領域10bにおいて、シール領域より外周側に、データ線駆動回路101及び複数の外部回路接続端子102が、TFTアレイ基板10の一辺に夫々沿って設けられている。   In the peripheral region 10 b on the TFT array substrate 10, the data line driving circuit 101 and a plurality of external circuit connection terminals 102 are provided along one side of the TFT array substrate 10 on the outer peripheral side from the seal region.

また、TFTアレイ基板10上の周辺領域10bのうちシール領域より内側に位置する領域には、TFTアレイ基板10の一辺に沿う画像表示領域10aの一辺に沿って且つ額縁遮光膜53に覆われるようにしてサンプリング回路7が配置されている。   Further, a region located inside the seal region in the peripheral region 10b on the TFT array substrate 10 is covered with the frame light shielding film 53 along one side of the image display region 10a along one side of the TFT array substrate 10. Thus, the sampling circuit 7 is arranged.

また、走査線駆動回路104は、TFTアレイ基板10の一辺に隣接する2辺に沿い、且つ、額縁遮光膜53に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域10aの両側に設けられた二つの走査線駆動回路104間を電気的に接続するため、TFTアレイ基板10の残る一辺に沿い、且つ額縁遮光膜53に覆われるようにして複数の配線105が設けられている。   The scanning line driving circuit 104 is provided along two sides adjacent to one side of the TFT array substrate 10 so as to be covered with the frame light shielding film 53. Further, in order to electrically connect the two scanning line driving circuits 104 provided on both sides of the image display region 10a in this way, the TFT array substrate 10 is covered with the frame light shielding film 53 along the remaining side. A plurality of wirings 105 are provided.

また、TFTアレイ基板10上の周辺領域10bにおいて、対向基板20の4つのコーナー部に対向する領域に、上下導通端子106が配置されると共に、このTFTアレイ基板10及び対向基板20間には上下導通材が上下導通端子106に対応して該端子106に電気的に接続されて設けられている。   Further, in the peripheral region 10 b on the TFT array substrate 10, vertical conduction terminals 106 are arranged in regions facing the four corners of the counter substrate 20, and the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are vertically connected. A conductive material is provided corresponding to the vertical conductive terminal 106 and electrically connected to the terminal 106.

図2において、TFTアレイ基板10上には、画素スイッチング用のTFTや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域10aには、画素スイッチング用TFTや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極9がマトリクス状に設けられている。画素電極9は、ITO膜からなる透明電極として形成されている。画素電極9上には、配向膜16が形成されている。   In FIG. 2, on the TFT array substrate 10, a laminated structure is formed in which wirings such as TFTs for pixel switching, scanning lines, and data lines are formed. In the image display area 10a, pixel electrodes 9 are provided in a matrix form on the upper layer of wiring such as pixel switching TFTs, scanning lines, and data lines. The pixel electrode 9 is formed as a transparent electrode made of an ITO film. An alignment film 16 is formed on the pixel electrode 9.

他方、対向基板20におけるTFTアレイ基板10との対向面上に、遮光膜23が形成されている。遮光膜23は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板20上の画像表示領域10a内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜23上(図2中遮光膜23より下側)に、ITO膜からなる対向電極21が複数の画素電極9と対向して例えばベタ状に形成され、更に対向電極21上(図2中対向電極21より下側)には配向膜22が形成されている。   On the other hand, a light shielding film 23 is formed on the surface of the counter substrate 20 facing the TFT array substrate 10. The light shielding film 23 is formed of, for example, a light shielding metal film or the like, and is patterned, for example, in a lattice shape in the image display region 10a on the counter substrate 20. On the light shielding film 23 (below the light shielding film 23 in FIG. 2), the counter electrode 21 made of an ITO film is formed, for example, in a solid shape so as to face the plurality of pixel electrodes 9, and further on the counter electrode 21 (FIG. 2, below the counter electrode 21), an alignment film 22 is formed.

液晶層50は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。そして、液晶装置の駆動時、夫々に電圧が印加されることで、画素電極9と対向電極21との間には液晶保持容量が形成される。   The liquid crystal layer 50 is made of, for example, a liquid crystal in which one or several types of nematic liquid crystals are mixed, and takes a predetermined alignment state between the pair of alignment films. A liquid crystal storage capacitor is formed between the pixel electrode 9 and the counter electrode 21 by applying a voltage to each of the liquid crystal devices during driving.

尚、ここでは図示しないが、TFTアレイ基板10上には、データ線駆動回路101、走査線駆動回路104の他に、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等が形成されていてもよい。   Although not shown here, on the TFT array substrate 10, in addition to the data line driving circuit 101 and the scanning line driving circuit 104, a plurality of data lines are precharged at a predetermined voltage level prior to the image signal. A precharge circuit to be supplied, an inspection circuit for inspecting the quality, defects, etc. of the liquid crystal device during manufacture or at the time of shipment may be formed.

次に、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域の電気的な構成について、図3を参照して説明する。ここに図3は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。   Next, the electrical configuration of the image display area of the liquid crystal device according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of various elements, wirings, and the like in a plurality of pixels formed in a matrix forming the image display area of the liquid crystal device according to this embodiment.

図3において、画像表示領域10aを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の
各々には、画素電極9及び画素スイッチング用のTFT30が形成されている。TFT30は、画素電極9に電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置の動作時に画素電極9をスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線6は、TFT30のソース領域に電気的に接続されている。データ線6に書き込む画像信号S1、S2、…、Snは、この順に線順次に供給しても構わないし、互いに隣り合う複数のデータ線6同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
In FIG. 3, a pixel electrode 9 and a pixel switching TFT 30 are formed in each of a plurality of pixels formed in a matrix that forms the image display region 10a. The TFT 30 is electrically connected to the pixel electrode 9, and performs switching control of the pixel electrode 9 when the liquid crystal device according to the present embodiment operates. The data line 6 to which the image signal is supplied is electrically connected to the source region of the TFT 30. Image signals S1, S2,..., Sn to be written to the data lines 6 may be supplied line-sequentially in this order, or may be supplied for each group to a plurality of adjacent data lines 6. Good.

TFT30のゲートには走査線11が電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置は、所定のタイミングで、走査線11にパルス的に走査信号G1、G2、…、Gmを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極9は、TFT30のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT30を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線6から供給される画像信号S1、S2、…、Snが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極9を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号S1、S2、…、Snは、対向基板20(図2参照)に形成された対向電極21(図2参照)との間で一定期間保持される。   The scanning line 11 is electrically connected to the gate of the TFT 30, and the liquid crystal device according to the present embodiment applies the scanning signals G1, G2,..., Gm to the scanning line 11 in a pulsed manner at a predetermined timing. It is configured to apply in a line sequential order. The pixel electrode 9 is electrically connected to the drain of the TFT 30, and the image signal S1, S2,..., Sn supplied from the data line 6 is obtained by closing the switch of the TFT 30 serving as a switching element for a certain period. It is written at a predetermined timing. A predetermined level of image signals S1, S2,..., Sn written to the liquid crystal via the pixel electrode 9 is constant between the counter electrode 21 (see FIG. 2) formed on the counter substrate 20 (see FIG. 2). Hold for a period.

液晶層50(図2参照)を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。   The liquid crystal constituting the liquid crystal layer 50 (see FIG. 2) modulates light and enables gradation display by changing the orientation and order of the molecular assembly depending on the applied voltage level. In the normally white mode, the transmittance for incident light is reduced according to the voltage applied in units of each pixel, and in the normally black mode, the light is incident according to the voltage applied in units of each pixel. The transmittance for light is increased, and light having a contrast corresponding to an image signal is emitted from the liquid crystal device as a whole.

ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極9と対向電極21(図2参照)との間に形成される液晶容量に対して電気的に並列に蓄積容量70が付加されている。蓄積容量70の一方の電極は、所定電位となるように、電位固定の電位線300に接続されている。   In order to prevent the image signal held here from leaking, a storage capacitor 70 is added electrically in parallel with the liquid crystal capacitor formed between the pixel electrode 9 and the counter electrode 21 (see FIG. 2). ing. One electrode of the storage capacitor 70 is connected to a fixed potential line 300 so as to have a predetermined potential.

次に、本実施形態に係る液晶装置において、図4を参照して画像表示領域10aにおける、電気光学動作を行うために配置された電極及び配線等の位置関係を説明する。図4は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域10aにおける、電気光学動作を行うために配置された電極及び配線等の位置関係を透過的に示した模式図である。尚、図4では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。   Next, in the liquid crystal device according to the present embodiment, the positional relationship of electrodes and wirings arranged for performing an electro-optical operation in the image display region 10a will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a schematic diagram transparently showing the positional relationship between electrodes and wirings arranged for performing an electro-optical operation in the image display region 10a of the liquid crystal device according to the present embodiment. In FIG. 4, in order to make each layer and each member recognizable on the drawing, the scale is different for each layer and each member.

TFTアレイ基板10の画像表示領域10a上には、走査線11及びデータ線6が、夫々X方向及びY方向に沿って配置されており、データ線6と走査線11の交差付近にTFT30(即ち、半導体層30a及びゲート電極30b)が形成されている。   On the image display area 10 a of the TFT array substrate 10, the scanning lines 11 and the data lines 6 are arranged along the X direction and the Y direction, respectively, and the TFT 30 (that is, the intersection of the data lines 6 and the scanning lines 11). The semiconductor layer 30a and the gate electrode 30b) are formed.

走査線11は、遮光性の導電材料、例えば、W(タングステン)、Ti(チタン)、TiN(窒化チタン)等から形成されており、TFT30の半導体層30aを含むように半導体層aより幅広に形成されている。走査線11は半導体層30aより下層側に配置されているので、このように走査線11をTFT30の半導体層30aよりも幅広に形成することによって、TFTアレイ基板10における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの、戻り光に対してTFT30のチャネル領域30bを殆ど或いは完全に遮光できる。その結果、液晶装置の動作時に、TFT30における光リーク電流は低減され、コントラスト比を向上させることができ、高品位の画像表示が可能となる。   The scanning line 11 is made of a light-shielding conductive material, for example, W (tungsten), Ti (titanium), TiN (titanium nitride) or the like, and is wider than the semiconductor layer a so as to include the semiconductor layer 30a of the TFT 30. Is formed. Since the scanning line 11 is arranged on the lower layer side than the semiconductor layer 30a, the scanning line 11 is formed wider than the semiconductor layer 30a of the TFT 30 in this way, thereby reflecting the back surface of the TFT array substrate 10 or a double-plate type. The channel region 30b of the TFT 30 can be almost or completely shielded from return light such as light emitted from another liquid crystal device by a projector or the like and penetrating through the composite optical system. As a result, the light leakage current in the TFT 30 is reduced during the operation of the liquid crystal device, the contrast ratio can be improved, and high-quality image display can be performed.

TFT30は、半導体層30aと、ゲート電極30bとを有して構成されている。半導体層30aは、ソース領域30a1、チャネル領域30a2、ドレイン領域30a3含んで形成されている。ここで、 チャネル領域30a2とソース領域30a1、又は、チャネル領域30a2とドレイン領域30a3との界面にはLDD(Lightly Doped Drain)領域が形成されていてもよい。   The TFT 30 includes a semiconductor layer 30a and a gate electrode 30b. The semiconductor layer 30a is formed including a source region 30a1, a channel region 30a2, and a drain region 30a3. Here, an LDD (Lightly Doped Drain) region may be formed at the interface between the channel region 30a2 and the source region 30a1 or between the channel region 30a2 and the drain region 30a3.

ゲート電極30bは、例えば導電性ポリシリコンから形成されており、ゲート絶縁膜に開口されたコンタクトホール34を介して、走査線11に電気的に接続されている。これにより、ゲート電極30bに走査信号が印加されることによって、TFT30がオン/オフ制御されるように構成されている。   The gate electrode 30b is made of, for example, conductive polysilicon, and is electrically connected to the scanning line 11 through a contact hole 34 opened in the gate insulating film. Thus, the TFT 30 is controlled to be turned on / off by applying a scanning signal to the gate electrode 30b.

データ線6には画像信号が供給され、コンタクトホール31を介してソース領域30a1に電気的に接続されている。一方、ドレイン領域30a3は、コンタクトホール32を介して中継層7に電気的に接続されている。更に、中継層7はコンタクトホール33を介して画素電極9に接続されている。即ち、中継層7は、ドレイン領域30a3及び画素電極9間を中継接続することにより、TFT30のドレイン領域30a3から出力された画像信号に対応する駆動電圧を画素電極に印加する。   An image signal is supplied to the data line 6 and is electrically connected to the source region 30 a 1 through the contact hole 31. On the other hand, the drain region 30 a 3 is electrically connected to the relay layer 7 through the contact hole 32. Further, the relay layer 7 is connected to the pixel electrode 9 through the contact hole 33. That is, the relay layer 7 applies a driving voltage corresponding to the image signal output from the drain region 30a3 of the TFT 30 to the pixel electrode by relay-connecting the drain region 30a3 and the pixel electrode 9.

ここで、図5を参照して、画素電極9の平面構造について説明する。図5は、図4から画素電極9を抽出し、その詳細な形状を模式的に示す平面図である。尚、図5では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。   Here, the planar structure of the pixel electrode 9 will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a plan view schematically showing the detailed shape of the pixel electrode 9 extracted from FIG. In FIG. 5, the scales of the layers and members are different from each other in order to make the layers and members recognizable on the drawing.

画素電極9は、TFTアレイ基板10上で平面的に見て、本発明における「第1の方向」に対応するX方向に沿って延在する第1縁部9a、本発明における「第2の方向」に対応するY方向に沿って延在する第2縁部9b及び第3縁部9cを有する。   The pixel electrode 9 is a first edge portion 9a extending in the X direction corresponding to the “first direction” in the present invention when viewed in plan on the TFT array substrate 10, and the “second edge” in the present invention. It has the 2nd edge part 9b and the 3rd edge part 9c which extend along the Y direction corresponding to "direction".

画素電極9の縁部のうち第1縁部9aは、他の縁部に比べてドメイン領域が発生し易い或いは形成されやすい部分である。本実施形態に係る液晶装置は、1H反転駆動(即ち、一走査線上に配列された画素電極に同一の極性を有する駆動電圧を印加し、且つ、走査線毎に極性を反転する駆動)を採用しているため、Y方向に沿って隣り合う画素電極9間に横電界が発生しやすい。本実施形態では、以下に説明するように画素電極9の形状を工夫することによって、第1縁部9aにおけるドメイン領域の発生を抑制することができる。   Of the edge portions of the pixel electrode 9, the first edge portion 9 a is a portion where a domain region is more likely to be formed or formed than other edge portions. The liquid crystal device according to the present embodiment employs 1H inversion driving (that is, driving in which a driving voltage having the same polarity is applied to pixel electrodes arranged on one scanning line and the polarity is inverted for each scanning line). Therefore, a lateral electric field is likely to be generated between the pixel electrodes 9 adjacent in the Y direction. In the present embodiment, the generation of the domain region in the first edge portion 9a can be suppressed by devising the shape of the pixel electrode 9 as described below.

尚、本実施形態に係る反転駆動方式としては、1H反転駆動に限らず、1S反転駆動(即ち、一データ線上に配列された画素電極に同一の極性を有する駆動電圧を印加し、且つ、データ線毎に極性を反転する駆動)を採用してもよいし、その他にも、ドット反転駆動、フィールド反転駆動、倍速反転駆動、領域走査反転駆動など、各種方式を採用してもよい。横電界によって相対的にドメイン領域が発生し易い縁部が存在している限りにおいて、本実施形態は、その縁部を第1縁部として扱うことで大なり小なり有効に機能する。   The inversion driving method according to the present embodiment is not limited to 1H inversion driving, and 1S inversion driving (that is, a driving voltage having the same polarity is applied to pixel electrodes arranged on one data line, and data is In addition, various methods such as dot inversion driving, field inversion driving, double speed inversion driving, and area scanning inversion driving may be adopted. As long as there is an edge where a domain region is relatively likely to occur due to a lateral electric field, this embodiment functions more or less effectively by treating the edge as the first edge.

本実施形態における画素電極9は、TFTアレイ基板10上で平面的に見て、略正方形状に形成されている。そして、Y方向に沿って形成された縁部である第2縁部9b及び第3縁部9cは、第1縁部9aに近い一の領域1における第2縁部9b及び第3縁部9c間の距離a1が、画素電極9のうち一の領域1を除く他の領域2における距離a2に比べて、小さくなるように形成された第1切欠部3を有するように形成されている。第1切欠部3は、本発明における「切欠部」の一例である。後に詳述するように、本願発明者の研究によると、このような第1切欠部3を形成することにより、相隣り合う画素電極9間に発生する横電界を効果的に抑制することができることが、シミュレーション又は理論計算若しくは理論実験による評価結果や、実物を用いての実験等による評価結果により、判明している。   The pixel electrode 9 in the present embodiment is formed in a substantially square shape when viewed in plan on the TFT array substrate 10. And the 2nd edge 9b and the 3rd edge 9c which are the edges formed along the Y direction are the 2nd edge 9b and the 3rd edge 9c in one field 1 near the 1st edge 9a. The distance a <b> 1 is formed so as to have the first cutout portion 3 formed to be smaller than the distance a <b> 2 in the other region 2 excluding one region 1 in the pixel electrode 9. The first notch 3 is an example of the “notch” in the present invention. As will be described in detail later, according to the inventor's research, the formation of such a first cutout 3 can effectively suppress a lateral electric field generated between adjacent pixel electrodes 9. However, it has been found from the evaluation result by simulation, theoretical calculation or theoretical experiment, or the evaluation result by experiment using a real object.

この第1切欠部3による横電界の抑制のメカニズムは、必ずしも完全に解明されているとは言えないものの、横電界の大きさは、電位の異なる隣り合う画素電極9同士の距離に依存するため、ドメイン領域が形成されやすい第1縁部9a1に近い一の領域1において、隣り合う画素電極9との距離bを大きく確保することで、ドメイン領域の発生の要因となる横電界を弱めることができるためと考えられる。   Although the mechanism of suppression of the lateral electric field by the first notch 3 is not necessarily completely elucidated, the magnitude of the lateral electric field depends on the distance between adjacent pixel electrodes 9 having different potentials. In one region 1 close to the first edge 9a1 where the domain region is likely to be formed, by securing a large distance b between the adjacent pixel electrodes 9, it is possible to weaken the lateral electric field that causes the domain region to be generated. This is thought to be possible.

後述する具体例における評価結果に示すように、第1切欠部3のY方向に沿った長さcが、第3縁部9a3の長さcの約1/2になるように形成すると、最も効果的にドメイン領域の発生を抑制することができる。尚、Y方向に沿った長さcが、第3縁部9a3の長さcの約1/2でない場合であっても、第1切欠部3を形成することによって少なからず横電界を抑制するという効果を享受することができる。   As shown in the evaluation results in the specific examples described later, when the length c along the Y direction of the first notch 3 is formed to be about ½ of the length c of the third edge 9a3, the most Generation | occurrence | production of a domain area | region can be suppressed effectively. Even when the length c along the Y direction is not about ½ of the length c of the third edge portion 9a3, the lateral electric field is suppressed by forming the first cutout portion 3. You can enjoy the effect.

また、本実施形態では第1切欠部3を第2縁部9b及び第3縁部9cの双方に設けているが、第2縁部9b及び第3縁部9cのうち少なくとも一方に設けてもよい。ドメイン領域の形成をより効果的に抑制するという観点からは、第1切欠部3を第2縁部9b及び第3縁部9cの双方に形成することが好ましいが、第2縁部9b及び第3縁部9cのうち一方にのみ形成されていても、ドメイン領域の形成を抑制するとよい本発明のメリットを少なからず享受することができる。   In the present embodiment, the first notch 3 is provided on both the second edge 9b and the third edge 9c, but may be provided on at least one of the second edge 9b and the third edge 9c. Good. From the viewpoint of more effectively suppressing the formation of the domain region, it is preferable to form the first notch 3 at both the second edge 9b and the third edge 9c. Even if it is formed on only one of the three edge portions 9c, it is possible to enjoy the advantages of the present invention that should suppress the formation of the domain region.

更に本実施形態では、より効果的にドメイン領域の形成を抑制するために、第1縁部9aの両端(即ち、図5において画素電極9の左下側及び右下側)に第2切欠部4が設けられている。第2切欠部4は、全体として略正方形状に形成された画素電極9のうち第1縁部9aの両端に位置する角を面とるように斜めに形成されている。このように第2切欠部4を形成することで、上述のように、第1切欠部3を画素電極9のうち第1縁部9aに近い一の領域1における第2縁部9b及び第3縁部9c間の距離a1が、他の領域2における距離a2に比べて小さくなるように形成するだけでは、ドメイン領域の形成を十分に抑制できない場合には、第2切欠部4を形成することで、より効果的にドメイン領域の形成を抑制することができる。   Furthermore, in this embodiment, in order to suppress the formation of the domain region more effectively, the second notch 4 is formed at both ends of the first edge 9a (that is, the lower left side and the lower right side of the pixel electrode 9 in FIG. 5). Is provided. The second cutout portion 4 is formed obliquely so as to face the corners located at both ends of the first edge portion 9a of the pixel electrode 9 formed in a substantially square shape as a whole. By forming the second cutout portion 4 in this way, as described above, the first cutout portion 3 is replaced with the second edge portion 9b and the third edge portion 3 in the region 1 of the pixel electrode 9 close to the first edge portion 9a. If the formation of the domain region cannot be sufficiently suppressed only by forming the distance a1 between the edge portions 9c to be smaller than the distance a2 in the other region 2, the second notch portion 4 is formed. Thus, the formation of the domain region can be more effectively suppressed.

ここで、図6及び図7を参照して、様々な形状を有する画素電極9を液晶装置に対して、ドメイン領域の形成の度合いを検証した、各種具体例における評価結果を示す。図6は、検証に用いた画素電極9の形状を模式的に示す平面図である。図7は、図6に示した形状を画素電極9に採用した液晶装置について、画素に印加する実行電圧を大きくした場合においてドメイン領域が消失する電圧実効値(以下、適宜V1マージンという)を測定した結果を示す表である。V1マージンはその値が大きいほど、ドメイン領域の形成が抑制されていることを示し、逆にその値が小さいほどドメイン領域が形成され易いことを示す。即ち、V1マージンの値が大きいほどドメイン領域の形成が効果的に抑制されていることを示す。尚、図7における判定では、V1マージンが5.0V未満の場合を「不可」、V1マージンが5.0V以上5.2V未満の場合を「可」、V1マージンが5.2V以上5.5V未満の場合を「良」、V1マージンが5.5V以上の場合を「優」として、判定を行っている。   Here, with reference to FIG. 6 and FIG. 7, evaluation results in various specific examples in which the degree of formation of the domain region of the pixel electrode 9 having various shapes is verified with respect to the liquid crystal device will be shown. FIG. 6 is a plan view schematically showing the shape of the pixel electrode 9 used for verification. FIG. 7 shows the measured voltage effective value (hereinafter referred to as V1 margin as appropriate) at which the domain region disappears when the effective voltage applied to the pixel is increased for the liquid crystal device adopting the shape shown in FIG. It is a table | surface which shows the result. A larger value of the V1 margin indicates that the formation of the domain region is suppressed, and conversely, a smaller value indicates that the domain region is more easily formed. That is, the larger the value of the V1 margin, the more effectively the formation of the domain region is suppressed. In the determination in FIG. 7, the case where the V1 margin is less than 5.0V is “impossible”, the case where the V1 margin is 5.0V or more and less than 5.2V is “possible”, and the V1 margin is 5.2V or more and 5.5V. The determination is made with “good” when the value is less than “V” and “excellent” when the V1 margin is 5.5 V or more.

まず、図6(a)に示す画素電極9の形状は、第1縁部9aに近い一の領域1における第2縁部9b及び第3縁部9c間の距離a1が、画素電極9のうち一の領域1を除く他の領域2における距離a2に比べて小さくなるように形成された第1切欠部3を有しており、且つ、第1切欠部3のY方向の長さcが、第2縁部9b全体の長さdの約1/2の長さ(即ち、d/2)になるように形成されている。その結果、図7に示すように、V1マージンが5.5V以上の結果を得ることができ、ドメイン領域の形成を非常に効果的に抑制することが具体的に示されている(即ち、判定が「優」である)。   First, the shape of the pixel electrode 9 shown in FIG. 6A is such that the distance a1 between the second edge portion 9b and the third edge portion 9c in one region 1 near the first edge portion 9a is The first notch 3 is formed to be smaller than the distance a2 in the other region 2 excluding the one region 1, and the length c in the Y direction of the first notch 3 is The second edge portion 9b is formed to have a length that is about ½ of the entire length d (that is, d / 2). As a result, as shown in FIG. 7, the result that the V1 margin is 5.5 V or more can be obtained, and it is specifically shown that the formation of the domain region is very effectively suppressed (that is, the determination) Is “excellent”).

図6(b)に示す画素電極9の形状は、第1縁部9aに近い一の領域1における第2縁部9b及び第3縁部9c間の距離a1が、画素電極9のうち一の領域1を除く他の領域2における距離a2に比べて小さくなるように形成された第1切欠部3を有しており、且つ、第1切欠部3のY方向の長さcが、第2縁部9b全体の長さdの1/2の長さ(即ち、d/2)より大きくなるように形成されている。その結果、図7に示すように、5.3Vから5.5Vの結果を得ることができ、ドメイン領域の形成を効果的に抑制することが具体的に示されている(即ち、判定が「良」である)。この場合、図6(a)に示した画素電極9の形状の場合に比べて、V1マージンの大きさが減少しているものの、ある程度効果的にドメイン領域の形成を抑制することができる。   The shape of the pixel electrode 9 shown in FIG. 6B is such that the distance a1 between the second edge portion 9b and the third edge portion 9c in one region 1 near the first edge portion 9a is one of the pixel electrodes 9. The first notch 3 is formed to be smaller than the distance a2 in the other region 2 excluding the region 1, and the length c in the Y direction of the first notch 3 is the second The edge portion 9b is formed to be longer than half the length d of the entire edge portion 9b (that is, d / 2). As a result, as shown in FIG. 7, a result of 5.3 V to 5.5 V can be obtained, and it is specifically shown that the formation of the domain region is effectively suppressed (that is, the determination is “ Good ”). In this case, although the size of the V1 margin is reduced as compared with the shape of the pixel electrode 9 shown in FIG. 6A, the formation of the domain region can be effectively suppressed to some extent.

図6(c)に示す画素電極9の形状は、第1縁部9aに近い一の領域1における第2縁部9b及び第3縁部9c間の距離a1が、画素電極9のうち一の領域1を除く他の領域2における距離a2に比べて小さくなるように形成された第1切欠部3を有しており、且つ、第1切欠部3のY方向の長さcが、第2縁部9b全体の長さdの1/2の長さ(即ち、d/2)より小さくなるように形成されている。その結果、図7に示すように、V1マージンが5.0Vの結果を得ることができ、ドメイン領域の形成を少なからず抑制することが具体的に示されている(即ち、判定が「可」である)。この場合も図6(b)に示した場合と同様に、図6(a)に示した画素電極9の形状の場合に比べて、V1マージンの大きさが減少しているものの、ある程度効果的にドメイン領域の形成を抑制することができる。   The shape of the pixel electrode 9 shown in FIG. 6C is such that the distance a1 between the second edge portion 9b and the third edge portion 9c in one region 1 near the first edge portion 9a is one of the pixel electrodes 9. The first notch 3 is formed to be smaller than the distance a2 in the other region 2 excluding the region 1, and the length c in the Y direction of the first notch 3 is the second The edge portion 9b is formed to be smaller than a length ½ of the entire length d (that is, d / 2). As a result, as shown in FIG. 7, the result that the V1 margin is 5.0 V can be obtained, and it is specifically shown that the formation of the domain region is suppressed to some extent (that is, the determination is “OK”). Is). In this case, as in the case shown in FIG. 6B, although the size of the V1 margin is reduced as compared with the case of the shape of the pixel electrode 9 shown in FIG. In addition, the formation of the domain region can be suppressed.

以上説明した結果から、ドメイン領域の形成を効果的に抑制するためには、第1切欠部3のY方向の長さcをd/2程度になるように画素電極9を形成することが好ましいことがわかる。逆に言えば、第1切欠部3のY方向の長さcをd/2より大きく形成したり、小さく形成した場合であっても、少なからずドメイン領域の形成を効果的に抑制することができることがわかる。   From the results described above, in order to effectively suppress the formation of the domain region, it is preferable to form the pixel electrode 9 so that the length c in the Y direction of the first notch 3 is about d / 2. I understand that. In other words, even if the length c in the Y direction of the first notch 3 is formed larger than or smaller than d / 2, the formation of the domain region can be effectively suppressed. I understand that I can do it.

次に、図6(d)に示した画素電極9の形状は、第1縁部9aに近い一の領域1における第2縁部9b及び第3縁部9c間の距離a1が、画素電極9のうち一の領域1を除く他の領域2における距離a2に比べて、上述の形状とは逆に、小さくなるように形成された第1切欠部3を有するように形成されている。その結果、図7に示すように、V1マージンの大きさは5.0V未満であり、ドメイン領域の形成を抑制することが困難であることが具体的に示されている(即ち、判定が「不可」である)。   Next, the shape of the pixel electrode 9 shown in FIG. 6D is such that the distance a1 between the second edge portion 9b and the third edge portion 9c in one region 1 close to the first edge portion 9a is the pixel electrode 9. In contrast to the distance a2 in the other region 2 except for one region 1, the first notch 3 is formed to be smaller than the above-described shape. As a result, as shown in FIG. 7, the size of the V1 margin is less than 5.0 V, which specifically indicates that it is difficult to suppress the formation of the domain region (that is, the determination is “ Not possible).

図6(e)に示した画素電極9の形状は、第1切欠部3及び第2切欠部4を設けることなく、典型的な正方形状に形成されている。その結果、図7に示すように、Vマージンの大きさは5.0V未満であり、ドメイン領域の形成を抑制することが困難であることが具体的に示されている(即ち、判定が「不可」である)。   The shape of the pixel electrode 9 shown in FIG. 6E is formed in a typical square shape without providing the first notch 3 and the second notch 4. As a result, as shown in FIG. 7, the size of the V margin is less than 5.0 V, which specifically indicates that it is difficult to suppress the formation of the domain region (that is, the determination is “ Not possible).

このように図6及び図7に示した検証結果から、効果的にドメイン領域の形成を抑制するためには、第1切欠部3を第1縁部9aに近い一の領域1における第2縁部9b及び第3縁部9c間の距離a1が、画素電極9のうち一の領域1を除く他の領域2における距離a2に比べて小さくなるように形成することが好ましいことがわかっている。特に、第1切欠部3のY方向の長さcを、第2縁部9b全体の長さの半分程度(即ち、d/2)にすると、ドメイン領域の形成を極めて良好に抑制することができることが判明している。   Thus, from the verification results shown in FIG. 6 and FIG. 7, in order to effectively suppress the formation of the domain region, the first notch 3 is the second edge in one region 1 close to the first edge 9a. It has been found that it is preferable to form the distance a1 between the portion 9b and the third edge portion 9c to be smaller than the distance a2 in the other region 2 of the pixel electrode 9 excluding one region 1. In particular, if the length c in the Y direction of the first notch 3 is set to about half of the entire length of the second edge 9b (that is, d / 2), the formation of the domain region can be suppressed extremely well. It has been found that it can be done.

以上説明したように、本発明に係る電気光学装置によれば、画素電極に切欠部を形成することによって、ドメイン領域の形成を効果的に抑制することができ、高品位な画像表示が可能な電気光学装置を実現することができる。
<電子機器>
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。
As described above, according to the electro-optical device of the present invention, the formation of the domain region can be effectively suppressed by forming the notch in the pixel electrode, and high-quality image display is possible. An electro-optical device can be realized.
<Electronic equipment>
Next, the case where the liquid crystal device which is the above-described electro-optical device is applied to various electronic devices will be described.

図8は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。   FIG. 8 is a plan view showing a configuration example of the projector. Hereinafter, a projector using the liquid crystal device as a light valve will be described.

図8に示されるように、プロジェクタ1100内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット1102が設けられている。このランプユニット1102から射出された投射光は、ライトガイド1104内に配置された4枚のミラー1106及び2枚のダイクロイックミラー1108によってRGBの3原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル1110R、1110B及び1110Gに入射される。   As shown in FIG. 8, a projector 1100 includes a lamp unit 1102 made of a white light source such as a halogen lamp. The projection light emitted from the lamp unit 1102 is separated into three primary colors of RGB by four mirrors 1106 and two dichroic mirrors 1108 arranged in the light guide 1104, and serves as a light valve corresponding to each primary color. The light enters the liquid crystal panels 1110R, 1110B, and 1110G.

液晶パネル1110R、1110B及び1110Gの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるR、G、Bの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム1112に3方向から入射される。このダイクロイックプリズム1112においては、R及びBの光が90度に屈折する一方、Gの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ1114を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。   The configurations of the liquid crystal panels 1110R, 1110B, and 1110G are the same as those of the liquid crystal device described above, and are driven by R, G, and B primary color signals supplied from the image signal processing circuit. The light modulated by these liquid crystal panels enters the dichroic prism 1112 from three directions. In the dichroic prism 1112, R and B light is refracted at 90 degrees, while G light travels straight. Therefore, as a result of the synthesis of the images of the respective colors, a color image is projected onto the screen or the like via the projection lens 1114.

ここで、各液晶パネル1110R、1110B及び1110Gによる表示像について着目すると、液晶パネル1110Gによる表示像は、液晶パネル1110R、1110Bによる表示像に対して左右反転することが必要となる。   Here, paying attention to the display images by the liquid crystal panels 1110R, 1110B, and 1110G, the display image by the liquid crystal panel 1110G needs to be horizontally reversed with respect to the display images by the liquid crystal panels 1110R and 1110B.

尚、液晶パネル1110R、1110B及び1110Gには、ダイクロイックミラー1108によって、R、G、Bの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。   In addition, since light corresponding to each primary color of R, G, and B is incident on the liquid crystal panels 1110R, 1110B, and 1110G by the dichroic mirror 1108, it is not necessary to provide a color filter.

尚、図8を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。   In addition to the electronic device described with reference to FIG. 8, a mobile personal computer, a mobile phone, a liquid crystal television, a viewfinder type, a monitor direct-view type video tape recorder, a car navigation device, a pager, an electronic device Examples include a notebook, a calculator, a word processor, a workstation, a videophone, a POS terminal, and a device equipped with a touch panel. Needless to say, the present invention can be applied to these various electronic devices.

また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置(LCOS)、プラズマディスプレイ(PDP)、電界放出型ディスプレイ(FED、SED)、有機ELディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)、電気泳動装置等にも適用可能である。   In addition to the liquid crystal devices described in the above embodiments, the present invention includes a reflective liquid crystal device (LCOS), a plasma display (PDP), a field emission display (FED, SED), an organic EL display, and a digital micromirror device. (DMD), electrophoresis apparatus and the like are also applicable.

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately changed without departing from the spirit or idea of the invention that can be read from the claims and the entire specification, and an electro-optical device with such a change, In addition, an electronic apparatus including the electro-optical device is also included in the technical scope of the present invention.

1 一の領域、 2 他の領域、 3 第1切欠部、 4 第2切欠部、 6 データ線、 7 中継層、 9 画素電極、 9a1 第1縁部、 9a2 第2縁部、 9a3 第3縁部、 10 TFTアレイ基板、 10a 画像表示領域、 11 走査線、 30 TFT、 50 液晶   1 1 area, 2 other area, 3 first notch, 4 second notch, 6 data line, 7 relay layer, 9 pixel electrode, 9a1 first edge, 9a2 second edge, 9a3 third edge Part, 10 TFT array substrate, 10a image display area, 11 scanning lines, 30 TFT, 50 liquid crystal

Claims (4)

一対の基板と、
該一対の基板間に挟持された電気光学物質と、
前記一対の基板の一方の基板上において画素毎に配置されており、前記一方の基板上で平面的に見て、前記一方の基板面内における第1の方向に沿って形成された第1縁部、並びに前記一方の基板面内において前記第1の方向に交差する第2の方向に沿って形成され、第1縁部の両端に対応するように配置された第2縁部及び第3縁部を有する画素電極と
を備え、
前記第1の方向及び前記第2の方向は、前記第1縁部が前記第2縁部及び第3縁部に比べて前記一方の基板に沿った横電界によりドメイン領域が発生し易い方向であるように規定されており、
前記第2縁部及び第3縁部のうち少なくとも一方は、前記画素電極のうち前記第1縁部に近い一の領域における前記第2縁部及び第3縁部間の距離が、前記画素電極のうち前記一の領域を除く他の領域におけるのに比べて小さくなるように形成された切欠部を有することを特徴とする電気光学装置。
A pair of substrates;
An electro-optic material sandwiched between the pair of substrates;
A first edge which is arranged for each pixel on one of the pair of substrates and is formed along a first direction in the plane of the one substrate when viewed in plan on the one substrate. And a second edge and a third edge formed along the second direction intersecting the first direction in the one substrate surface and arranged to correspond to both ends of the first edge. A pixel electrode having a portion,
The first direction and the second direction are directions in which the first edge portion is more likely to generate a domain region due to a lateral electric field along the one substrate than the second edge portion and the third edge portion. Is defined as
At least one of the second edge and the third edge has a distance between the second edge and the third edge in one region of the pixel electrode close to the first edge. An electro-optical device having a cutout portion formed so as to be smaller than those in other regions except the one region.
前記切欠部は、前記第2の方向に沿った長さが前記第1の方向に沿った長さより大きいことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 1, wherein the notch has a length along the second direction that is greater than a length along the first direction. 前記切欠部は、前記一の領域において、前記第1及び第2の方向に交差する第3の方向に沿って延びる第4縁部を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の電気光学装置。   3. The electricity according to claim 1, wherein the notch includes a fourth edge portion extending along a third direction intersecting the first and second directions in the one region. Optical device. 請求項1から3のいずれか一項に記載の電気光学装置を備える電子機器。   An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1.
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