JP2010183192A - Phase shifter - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a phase shifter which is small and ensures a required phase shift amount. <P>SOLUTION: The phase shifter is provided with first and second high frequency signal input-output terminals 1a and 1b, and at least one phase shift units 7a and 7b connected in parallel between the first and second high frequency signal input-output terminals and ground, wherein the respective phase shift units include a first inductor 3a connected between the first and second high frequency signal input-output terminals, series circuits 2a and 2b of a first switching element and a second switching element connected to the first inductor in parallel, series circuits 3b and 3c of a second inductor and a third inductor connected between a connection point of the first switching element and the second switching element, and the ground, and a third switching element 2c connected to the third inductor in parallel. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

この発明は、マイクロ波の移相を変化させる移相器に関するものである。   The present invention relates to a phase shifter that changes the phase shift of a microwave.

図10は下記特許文献1に開示された従来の移相器を示す回路図である。この回路は、一対の高周波信号入出力端子1a,1bの間に接続されたスイッチング素子2f、スイッチング素子2fに並列接続されたインダクタ3d,3eの直列回路、インダクタ3d,3e間の接続点とグランドとの間に接続されたキャパシタ4cとインダクタ3cの直列回路、インダクタ3cと並列接続されたスイッチング素子2cからなる。そして例えば電界効果トランジスタ(FET)からなるスイッチング素子2f,2cのオン/オフにより、移相器がBPF(バンドパスフィルタ)(2f:オン,2c:オフ→位相変化無)あるいはAll-Pass(全透過)状態(2f:オフ,2c:オン→位相遅れ)としての動作を示し、両状態での通過位相の差により所要の移相量を得るものである。   FIG. 10 is a circuit diagram showing a conventional phase shifter disclosed in Patent Document 1 below. This circuit includes a switching element 2f connected between a pair of high-frequency signal input / output terminals 1a and 1b, a series circuit of inductors 3d and 3e connected in parallel to the switching element 2f, a connection point between the inductors 3d and 3e, and a ground. And a switching circuit 2c connected in parallel with the inductor 3c. Then, for example, by turning on / off the switching elements 2f and 2c made of a field effect transistor (FET), the phase shifter is set to BPF (band pass filter) (2f: on, 2c: off → no phase change) or All-Pass (all Operation in the transmission state (2f: off, 2c: on → phase delay) is shown, and the required amount of phase shift is obtained by the difference in the passing phase in both states.

国際公開第2005/093951号パンフレットInternational Publication No. 2005/093951 Pamphlet

上記のような従来の移相器において、回路を小形に構成するためには、互いに並列接続されたインダクタを隣接して配置する必要があるが、所要のインダクタンスをスパイラルインダクタで構成した場合、両者間の電磁結合の影響により所望の特性を得ることが難しくなるという課題があった。   In the conventional phase shifter as described above, in order to configure the circuit in a small size, it is necessary to arrange the inductors connected in parallel to each other, but when the required inductance is configured by a spiral inductor, There is a problem that it is difficult to obtain desired characteristics due to the influence of electromagnetic coupling between the two.

この発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、小型でかつ所要の移相量が得られる移相器を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a phase shifter that is small and can obtain a required amount of phase shift.

この発明は、第1および第2の高周波信号入出力端子と、前記第1および第2の高周波信号入出力端子とグランド間に並列に接続された少なくとも1つの移相ユニットと、を備え、前記各移相ユニットが、前記第1および第2の高周波信号入出力端子の間に接続された第1のインダクタ、前記第1のインダクタに並列接続された第1のスイッチング素子と第2のスイッチング素子の直列回路、前記第1のスイッチング素子と第2のスイッチング素子との接続点とグランドとの間に接続された第2のインダクタと第3のインダクタの直列回路、前記第3のインダクタに並列接続された第3のスイッチング素子を含むことを特徴とする移相器にある。   The present invention includes first and second high-frequency signal input / output terminals, and at least one phase shift unit connected in parallel between the first and second high-frequency signal input / output terminals and the ground, Each phase shift unit includes a first inductor connected between the first and second high-frequency signal input / output terminals, a first switching element and a second switching element connected in parallel to the first inductor. Series circuit, a series circuit of a second inductor and a third inductor connected between the connection point of the first switching element and the second switching element and the ground, and a parallel connection to the third inductor The phase shifter includes a third switching element.

この発明で、小型でかつ所要の移相量が得られる移相器を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a phase shifter that is small and can obtain a required amount of phase shift.

この発明の実施の形態1による移相器の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the phase shifter by Embodiment 1 of this invention. 図1の移相器の第1の状態における等価回路を示す図である。It is a figure which shows the equivalent circuit in the 1st state of the phase shifter of FIG. 図1の移相器の第2の状態における等価回路を示す図である。It is a figure which shows the equivalent circuit in the 2nd state of the phase shifter of FIG. この発明の実施の形態2による移相器の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the phase shifter by Embodiment 2 of this invention. 図4の移相器の第1の状態における等価回路を示す図である。It is a figure which shows the equivalent circuit in the 1st state of the phase shifter of FIG. 図4の移相器の第2の状態における等価回路を示す図である。It is a figure which shows the equivalent circuit in the 2nd state of the phase shifter of FIG. この発明の実施の形態3による移相器の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the phase shifter by Embodiment 3 of this invention. この発明の実施の形態4による移相器の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the phase shifter by Embodiment 4 of this invention. この発明の実施の形態5による移相器の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the phase shifter by Embodiment 5 of this invention. 従来の移相器の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the conventional phase shifter.

実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1による移相器の構成を示す回路図である。図1において、1対の第1および第2の高周波信号入出力端子1a,1bとグランド間には並列に少なくとも1つの移相ユニット7a,7b(図9参照)が接続される。図1は1つの移相ユニットを示し(図1〜8まで同様)、移相ユニットは、第1および第2の高周波信号入出力端子1a,1bの間に接続された第1のインダクタ3a、第1のインダクタ3aに並列接続された第1のスイッチング素子2aと第2のスイッチング素子2bの直列回路、第1のスイッチング素子2aと第2のスイッチング素子2bとの接続点とグランドとの間に接続された第2のインダクタ3bと第3のインダクタ3cの直列回路、そして第3のインダクタ3cに並列接続された第3のスイッチング素子2cを備える。なお、第1〜3のスイッチング素子2a〜2cは例えば電界効果トランジスタ(FET)からなる(以下同様)。
Embodiment 1 FIG.
1 is a circuit diagram showing a configuration of a phase shifter according to Embodiment 1 of the present invention. In FIG. 1, at least one phase shift unit 7a, 7b (see FIG. 9) is connected in parallel between a pair of first and second high-frequency signal input / output terminals 1a, 1b and the ground. FIG. 1 shows one phase shift unit (the same applies to FIGS. 1 to 8). The phase shift unit includes a first inductor 3a connected between the first and second high-frequency signal input / output terminals 1a and 1b, A series circuit of the first switching element 2a and the second switching element 2b connected in parallel to the first inductor 3a, and between the connection point of the first switching element 2a and the second switching element 2b and the ground. A series circuit of a second inductor 3b and a third inductor 3c connected, and a third switching element 2c connected in parallel to the third inductor 3c are provided. The first to third switching elements 2a to 2c are made of, for example, field effect transistors (FETs) (the same applies hereinafter).

次に図1の回路の動作を説明する。第1〜3のスイッチング素子2a〜2cは、スイッチが閉じた状態では高周波において等価的に抵抗とみなすことができ、スイッチが開いた状態では等価的にキャパシタとみなすことができる。図2は図1の回路の第1,第2のスイッチング素子2a,2bが閉じ、第3のスイッチング素子2cが開いた第1の状態での等価回路を示している。50a,50bは閉じた第1,第2のスイッチング素子2a,2bが等価的に持つ抵抗、40cは開いた第3のスイッチング素子2cが等価的に持つキャパシタである。ここで、抵抗50a,50bの抵抗値が十分に小さい場合、本回路は第2,第3のインダクタ3b,3cとキャパシタ40cから構成される回路とみなすことができ、このとき本回路はBPFとして動作する。   Next, the operation of the circuit of FIG. 1 will be described. The first to third switching elements 2a to 2c can be equivalently regarded as resistors at high frequencies when the switch is closed, and can be regarded as equivalently capacitors when the switch is open. FIG. 2 shows an equivalent circuit in a first state in which the first and second switching elements 2a and 2b of the circuit of FIG. 1 are closed and the third switching element 2c is opened. 50a and 50b are equivalent resistances of the closed first and second switching elements 2a and 2b, and 40c is a capacitor equivalently of the opened third switching element 2c. Here, when the resistance values of the resistors 50a and 50b are sufficiently small, this circuit can be regarded as a circuit composed of the second and third inductors 3b and 3c and the capacitor 40c. Operate.

図3は図1の回路の第1,第2のスイッチング素子2a,2bが開き、第3のスイッチング素子2cが閉じた第2の状態での等価回路を示している。40aおよび40bは開いた第1,第2のスイッチング素子2a,2bが等価的に持つキャパシタ、50cは閉じた第3のスイッチング素子2cが等価的に持つ抵抗である。ここで、抵抗50cの抵抗値が十分に小さい場合、本回路は第2,第3のインダクタ3b,3cとキャパシタ40a,40bから構成されるAll-Pass回路として動作する。   FIG. 3 shows an equivalent circuit in the second state in which the first and second switching elements 2a and 2b of the circuit of FIG. 1 are opened and the third switching element 2c is closed. Reference numerals 40a and 40b denote capacitors equivalent to the opened first and second switching elements 2a and 2b, and reference numeral 50c denotes a resistor equivalent to the closed third switching element 2c. Here, when the resistance value of the resistor 50c is sufficiently small, the circuit operates as an All-Pass circuit including the second and third inductors 3b and 3c and the capacitors 40a and 40b.

以上のように、スイッチング素子の開閉によりBPFまたはAll-Pass回路としての動作を示すため、これらの通過位相の違いにより、所要の移相量を得ることができる。   As described above, since the operation as a BPF or All-Pass circuit is shown by opening and closing of the switching element, a required amount of phase shift can be obtained by the difference in these passing phases.

このようにして、BPFおよびAll-Pass回路の切替を行うことができる。さらに、インダクタ同士が隣接しないため、電磁結合による特性劣化が小さく良好な特性が得られる。
なお、従来の並列接続されたインダクタ3d,3eについては、インダクタの構成位置にレイアウトの自由度がなく、小型に構成するためには隣接して配置する必要があり、上記問題が生じていたが、図1等の直列接続されたインダクタ3b,3cについては、インダクタの構成位置にレイアウトの自由度があるため、離して配置することで特性の劣化を防ぐことができる。
In this way, switching between the BPF and the All-Pass circuit can be performed. Furthermore, since the inductors are not adjacent to each other, good characteristics can be obtained with little characteristic deterioration due to electromagnetic coupling.
In addition, the conventional inductors 3d and 3e connected in parallel do not have a freedom of layout at the position where the inductors are arranged, and it is necessary to arrange them adjacent to each other in order to achieve a small size. Since the inductors 3b and 3c connected in series in FIG. 1 and the like have a degree of freedom in layout at the position where the inductors are arranged, deterioration of characteristics can be prevented by arranging them separately.

実施の形態2.
図4はこの発明の実施の形態2による移相器の構成を示す回路図である。図4において上記実施の形態と同一もしくは相当部分は同一符号で示し説明は省略する。図4に示す移相器(移相ユニット)は、図1の移相器において、第1の高周波信号入出力端子1a側と、第1のインダクタ3aと第1のスイッチング素子2aとの接続点との間に接続された第4のスイッチング素子2dと、第2の高周波信号入出力端子1d側と、第1のインダクタ3aと第2のスイッチング素子2bとの接続点との間に接続された第5のスイッチング素子2eとをさらに備える。
Embodiment 2. FIG.
4 is a circuit diagram showing a configuration of a phase shifter according to Embodiment 2 of the present invention. In FIG. 4, the same or corresponding parts as those in the above embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. The phase shifter (phase shift unit) shown in FIG. 4 is the connection point between the first high frequency signal input / output terminal 1a side, the first inductor 3a, and the first switching element 2a in the phase shifter of FIG. Connected between the fourth switching element 2d, the second high-frequency signal input / output terminal 1d side, and the connection point between the first inductor 3a and the second switching element 2b. And a fifth switching element 2e.

図5は図4の回路の第1,第2のスイッチング素子2a,2bが閉じ、第3〜5のスイッチング素子2c、2dおよび2eが開いた第1の状態での等価回路を示している。50a,50bは閉じた第1,第2のスイッチング素子2a,2bが等価的に持つ抵抗、40c,40d,40eは開いた第3〜5のスイッチング素子2c,2d,2eが等価的に持つキャパシタである。ここで、抵抗50a,50bの抵抗値が十分に小さい場合、本回路は第2,第3のインダクタ3b,3cとキャパシタ40c,40d,40eから構成される回路とみなすことができ、このとき本回路はBPFとして動作する。   FIG. 5 shows an equivalent circuit in the first state in which the first and second switching elements 2a and 2b of the circuit of FIG. 4 are closed and the third to fifth switching elements 2c, 2d and 2e are opened. Reference numerals 50a and 50b denote equivalent resistances of the closed first and second switching elements 2a and 2b, and reference numerals 40c, 40d and 40e denote equivalent capacitors of the opened third to fifth switching elements 2c, 2d and 2e. It is. Here, when the resistance values of the resistors 50a and 50b are sufficiently small, this circuit can be regarded as a circuit including the second and third inductors 3b and 3c and the capacitors 40c, 40d, and 40e. The circuit operates as a BPF.

図6は図4の回路の第1,第2のスイッチング素子2a,2bが開き、第3〜5のスイッチング素子2c、2dおよび2eが閉じた第2の状態での等価回路を示している。40a,40bは開いた第1,第2のスイッチング素子2a,2bが等価的に持つキャパシタ、50c,50d,50eは閉じた第3〜5のスイッチング素子2c,2d,2eが等価的に持つ抵抗である。ここで、抵抗50c,50d,50eの抵抗値が十分に小さい場合、本回路は第2,第3のインダクタ3b,3cとキャパシタ40a,40bから構成される回路とみなすことができ、このとき本回路はAll-Pass回路として動作する。   FIG. 6 shows an equivalent circuit in the second state in which the first and second switching elements 2a and 2b of the circuit of FIG. 4 are opened and the third to fifth switching elements 2c, 2d and 2e are closed. Reference numerals 40a and 40b denote capacitors equivalent to the opened first and second switching elements 2a and 2b, and reference numerals 50c, 50d and 50e denote equivalent resistances to the closed third to fifth switching elements 2c, 2d and 2e. It is. Here, when the resistance values of the resistors 50c, 50d, and 50e are sufficiently small, this circuit can be regarded as a circuit including the second and third inductors 3b and 3c and the capacitors 40a and 40b. The circuit operates as an All-Pass circuit.

以上のように、スイッチング素子の開閉により容量結合BPFまたはAll-Pass回路としての動作を示すため、これらの通過位相の違いにより、所要の移相量を得ることができる。   As described above, since the operation as the capacitively coupled BPF or the All-Pass circuit is shown by opening and closing the switching element, a required amount of phase shift can be obtained by the difference in the passing phase.

このようにして、広帯域なAll-Pass回路としての動作を保ったまま、第1の状態を広帯域な容量結合BPF回路とすることができるので、結果として両状態において広帯域な特性が得られる。   In this way, the first state can be a broadband capacitively coupled BPF circuit while maintaining the operation as a broadband All-Pass circuit, and as a result, broadband characteristics are obtained in both states.

実施の形態3.
図7はこの発明の実施の形態3による移相器の構成を示す回路図である。図7において上記実施の形態と同一もしくは相当部分は同一符号で示し説明は省略する。図7に示す移相器(移相ユニット)は、図4の実施の形態2の移相器において第4,第5のスイッチング素子2d,2eに抵抗5aおよび5bをそれぞれ並列に接続した構成である。
Embodiment 3 FIG.
7 is a circuit diagram showing a configuration of a phase shifter according to Embodiment 3 of the present invention. In FIG. 7, the same or corresponding parts as those in the above embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. The phase shifter (phase shift unit) shown in FIG. 7 has a configuration in which resistors 5a and 5b are respectively connected in parallel to the fourth and fifth switching elements 2d and 2e in the phase shifter of the second embodiment shown in FIG. is there.

この場合、第4,第5のスイッチング素子2d,2eが開いた第1の状態において、スイッチング素子2dおよび2eは上記の抵抗5aおよび5bによる損失を持つことになる。   In this case, in the first state in which the fourth and fifth switching elements 2d and 2e are opened, the switching elements 2d and 2e have losses due to the resistors 5a and 5b.

このように、第1の状態における回路の損失を任意に決めることができるため、これを第2の状態における回路の損失と等しくすることができ、第1および第2の両状態の損失差を低減することが可能となる。   In this way, the loss of the circuit in the first state can be arbitrarily determined, so this can be made equal to the loss of the circuit in the second state, and the loss difference between the first and second states can be It becomes possible to reduce.

また、第1〜3のスイッチング素子2a,2b,2cに抵抗を並列に接続した場合でも上記と同等の効果が得られる。   Further, even when a resistor is connected in parallel to the first to third switching elements 2a, 2b, and 2c, the same effect as described above can be obtained.

実施の形態4.
図8はこの発明の実施の形態4による移相器の構成を示す回路図である。図8において上記実施の形態と同一もしくは相当部分は同一符号で示し説明は省略する。図8に示す移相器(移相ユニット)は、図4の実施の形態2の移相器において第4,第5のスイッチング素子2d,2eにキャパシタ4aおよび4bをそれぞれ並列に接続した構成である。
Embodiment 4 FIG.
FIG. 8 is a circuit diagram showing a configuration of a phase shifter according to Embodiment 4 of the present invention. In FIG. 8, the same or corresponding parts as those in the above embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof is omitted. The phase shifter (phase shift unit) shown in FIG. 8 has a configuration in which capacitors 4a and 4b are connected in parallel to the fourth and fifth switching elements 2d and 2e in the phase shifter of the second embodiment shown in FIG. is there.

このように、第4,第5のスイッチング素子2d,2eが開いた状態において、スイッチング素子2dが等価的に持つキャパシタ40dとキャパシタ4aの合成容量および、スイッチング素子2eが等価的に持つキャパシタ40eとキャパシタ4bの合成容量が、実施の形態2による移相器のスイッチング素子2dが開いた状態において等価的に持つキャパシタの容量値およびスイッチング素子2eが開いた状態において等価的に持つキャパシタの容量値と等しくなるように設定されているものとする。   Thus, in the state where the fourth and fifth switching elements 2d and 2e are opened, the combined capacity of the capacitor 40d and the capacitor 4a equivalent to the switching element 2d and the capacitor 40e equivalent to the switching element 2e and The combined capacitance of the capacitor 4b is equivalent to the capacitance value of the capacitor that is equivalent when the switching element 2d of the phase shifter according to the second embodiment is open and the capacitance value of the capacitor that is equivalent when the switching element 2e is open. Assume that they are set to be equal.

これにより、スイッチング素子が等価的に持つキャパシタを小さくすることができるため、このスイッチング素子の物理的寸法を小さくすることができ、結果として回路の小形化が可能となる。   Thereby, since the capacitor which equivalent to a switching element can be made small, the physical dimension of this switching element can be made small, and the miniaturization of a circuit is attained as a result.

また、第1〜3のスイッチング素子2a,2b,2cにキャパシタを並列に接続した場合でも上記と同等の効果が得られる。   Further, even when a capacitor is connected in parallel to the first to third switching elements 2a, 2b, 2c, the same effect as described above can be obtained.

実施の形態5.
図9はこの発明の実施の形態5による移相器の構成を示す回路図である。図9において上記実施の形態と同一もしくは相当部分は同一符号で示し説明は省略する。図9において7aおよび7bは図1〜8に示した移相ユニットに当たる単ビット移相器である。ここでは図1に示したこの発明の実施の形態1による移相器を単ビット移相器7a,7bとして用いた例を示している。
Embodiment 5 FIG.
FIG. 9 is a circuit diagram showing a configuration of a phase shifter according to Embodiment 5 of the present invention. In FIG. 9, the same or corresponding parts as those in the above embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. In FIG. 9, reference numerals 7a and 7b denote single bit phase shifters corresponding to the phase shift units shown in FIGS. Here, an example is shown in which the phase shifter according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. 1 is used as the single bit phase shifters 7a and 7b.

このように、第1および第2の高周波信号入出力端子1a,1bとグランド間に並列に複数の単ビット移相器7a,7bを接続することにより、所望の移相量を離散的に得ることができる多ビット移相器として動作することが可能となる。   Thus, by connecting the plurality of single-bit phase shifters 7a and 7b in parallel between the first and second high-frequency signal input / output terminals 1a and 1b and the ground, a desired amount of phase shift is obtained discretely. It becomes possible to operate as a multi-bit phase shifter.

なお、上記各実施の形態では、スイッチング素子として、電界効果トランジスタを用いた場合について述べたが、バイポーラトランジスタ、PINダイオード、バラクタダイオード、MEMSスイッチ等のスイッチング素子を用いた場合でも同等の効果が得られる。   In each of the above embodiments, the case where a field effect transistor is used as the switching element has been described. However, the same effect can be obtained even when a switching element such as a bipolar transistor, a PIN diode, a varactor diode, or a MEMS switch is used. It is done.

またこの発明は、上記各実施の形態に限定されるものではなく、これらの可能な組み合わせを全て含むことは云うまでもない。   Further, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and it goes without saying that all possible combinations thereof are included.

1a,1b 高周波信号入出力端子、2a〜2e スイッチング素子、3a〜3c インダクタ、4a,4b,40a〜40e キャパシタ、5a,5b,50a〜50e 抵抗、6 グランド、7a,7b 単ビット移相器(移相ユニット)。   1a, 1b High-frequency signal input / output terminals, 2a-2e switching elements, 3a-3c inductors, 4a, 4b, 40a-40e capacitors, 5a, 5b, 50a-50e resistors, 6 grounds, 7a, 7b single-bit phase shifters ( Phase shift unit).

Claims (5)

第1および第2の高周波信号入出力端子(1a,1b)と、
前記第1および第2の高周波信号入出力端子とグランド間に並列に接続された少なくとも1つの移相ユニット(7a,7b)と、
を備え、前記各移相ユニットが、
前記第1および第2の高周波信号入出力端子の間に接続された第1のインダクタ(3a)、
前記第1のインダクタに並列接続された第1のスイッチング素子と第2のスイッチング素子の直列回路(2a,2b)、
前記第1のスイッチング素子と第2のスイッチング素子との接続点とグランドとの間に接続された第2のインダクタと第3のインダクタの直列回路(3b,3c)、
前記第3のインダクタに並列接続された第3のスイッチング素子(2c)、
を含む、
ことを特徴とする移相器。
First and second high-frequency signal input / output terminals (1a, 1b);
At least one phase shift unit (7a, 7b) connected in parallel between the first and second high-frequency signal input / output terminals and the ground;
Each of the phase shifting units comprises:
A first inductor (3a) connected between the first and second high-frequency signal input / output terminals;
A series circuit (2a, 2b) of a first switching element and a second switching element connected in parallel to the first inductor;
A series circuit (3b, 3c) of a second inductor and a third inductor connected between a connection point between the first switching element and the second switching element and the ground;
A third switching element (2c) connected in parallel to the third inductor;
including,
A phase shifter characterized by that.
前記各移相器ユニットが、
前記第1の高周波信号入出力端子側と、前記第1のインダクタと第1のスイッチング素子との接続点との間に接続された第4のスイッチング素子(2d)と、
前記第2の高周波信号入出力端子側と、前記第1のインダクタと第2のスイッチング素子との接続点との間に接続された第5のスイッチング素子(2e)と、
をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の移相器。
Each phase shifter unit is
A fourth switching element (2d) connected between the first high-frequency signal input / output terminal side and a connection point between the first inductor and the first switching element;
A fifth switching element (2e) connected between the second high-frequency signal input / output terminal side and a connection point between the first inductor and the second switching element;
The phase shifter according to claim 1, further comprising:
前記第1から第5のスイッチング素子のうち少なくとも1つに並列に抵抗(5a,5b)が接続されたことを特徴とする請求項1または2に記載の移相器。   The phase shifter according to claim 1 or 2, wherein a resistor (5a, 5b) is connected in parallel to at least one of the first to fifth switching elements. 前記第1から第5のスイッチング素子のうち少なくとも1つに並列にキャパシタ(4a,4b)が接続されたことを特徴とする請求項1から3までのいずれか1項に記載の移相器。   The phase shifter according to any one of claims 1 to 3, wherein a capacitor (4a, 4b) is connected in parallel to at least one of the first to fifth switching elements. 前記第1および第2の高周波信号入出力端子の間に複数の移相ユニット(7a,7b)を接続し多ビット移相器を構成したことを特徴とする請求項1から4までのいずれか1項に記載の移相器。   5. A multi-bit phase shifter comprising a plurality of phase shift units (7a, 7b) connected between the first and second high-frequency signal input / output terminals. The phase shifter according to item 1.
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