JP2010164664A - Liquid crystal display device - Google Patents

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Yasushi Sakurai
靖史 櫻井
Koichi Iketa
幸一 井桁
Takeshi Saito
剛 齋藤
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display device that is free from causing a path in a sealing agent for sealing the filling port of a liquid crystal. <P>SOLUTION: The liquid crystal display device includes: first and second substrates arranged oppositely to each other while holding the liquid crystal between them; and a sealing material which is arranged between the first and second substrates and used for filling the liquid crystal. The filling port to be sealed by the sealing agent is formed in a part of the sealing material. An insulation film is formed on the liquid crystal-side of the first substrate, so that the insulation film is formed beyond a sealing material-formed area and is separated from the end of the first substrate by a value of >0 mm and <0.5 mm. The insulation film consists of the laminate of a plurality of insulation films containing an organic insulation film. The organic insulation film, at least, has ≥2 μm thickness and is formed such that the organic insulation film is receded from the end of the first substrate by a value of ≥0.5 mm in a portion where the filling port of the sealing material is formed. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は液晶表示装置に係り、特に、液晶を挟持して対向配置される基板の該液晶側に形成される絶縁膜であって、液晶封入口における該絶縁膜の構造に関する。   The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to an insulating film formed on the liquid crystal side of a substrate opposed to and sandwiching liquid crystal, and to the structure of the insulating film in a liquid crystal sealing port.

液晶表示装置(パネル)は、液晶を挟持して対向配置される一対の基板とこれら基板の間に前記液晶を封入するシール材とで外囲器を構成するようになっている。   In a liquid crystal display device (panel), an envelope is configured by a pair of substrates opposed to each other with a liquid crystal sandwiched between them and a sealing material that encloses the liquid crystal between these substrates.

液晶表示装置の画像表示部は、マトリックス状に配置された複数の画素からなり、前記各基板の液晶側の面に、所定のパターンからなる絶縁膜、導電膜、および半導体膜等が所定の順序に積層されることによって構成されている。   The image display unit of the liquid crystal display device includes a plurality of pixels arranged in a matrix, and an insulating film, a conductive film, a semiconductor film, and the like having a predetermined pattern are arranged in a predetermined order on the liquid crystal side surface of each substrate. It is comprised by laminating | stacking.

また、シール材はその一部に液晶封入口が形成され、この液晶封入口を通して外囲器内に液晶が封入された後に、該液晶封入口は封止剤の塗布によって封止されるように構成されている。   In addition, a liquid crystal sealing port is formed in a part of the sealing material, and after the liquid crystal is sealed in the envelope through the liquid crystal sealing port, the liquid crystal sealing port is sealed by application of a sealing agent. It is configured.

図9は、従来の液晶表示装置において、シール材における液晶封入口の構成を示した図である。図9(a)は平面図を、図9(b)は図9(a)のIXb−IXb線における断面図を、図9(c)は図9(a)のIXc−IXc線における断面図を、図9(d)は図9(a)のIXd−IXd線における断面図を示している。なお、図9は本発明の実施例を示す図1に対応させて描いたものとなっている。このため、図9における以下の説明以外の他の詳細な構成は図1における説明を参照されたい。   FIG. 9 is a diagram showing a configuration of a liquid crystal sealing port in a sealing material in a conventional liquid crystal display device. 9A is a plan view, FIG. 9B is a sectional view taken along line IXb-IXb in FIG. 9A, and FIG. 9C is a sectional view taken along line IXc-IXc in FIG. 9A. FIG. 9D is a cross-sectional view taken along the line IXd-IXd in FIG. FIG. 9 is drawn corresponding to FIG. 1 showing the embodiment of the present invention. For this reason, the detailed configuration other than the following description in FIG. 9 is referred to the description in FIG.

図9(a)において、基板SUB1、SUB2がある。これら基板SUB1、SUB2は、一対の複数枚取り基板をシール材SLを介して貼り合わせた後に、切断することによって得るようになっている。このため、基板SUB1、SUB2の端辺における側壁面は同一平面(図9(b)、(c)、(d)において符号αで示す)内に形成されている。   In FIG. 9A, there are substrates SUB1 and SUB2. The substrates SUB1 and SUB2 are obtained by cutting a pair of multi-piece substrates after pasting them together via a seal material SL. For this reason, the side wall surfaces at the edges of the substrates SUB1 and SUB2 are formed in the same plane (indicated by reference numeral α in FIGS. 9B, 9C, and 9D).

基板SUB1の液晶側の面には画像表示部ARを形成するための絶縁膜GI、PAS1、PAS2、LIが、順次積層された状態で、基板SUB1の端部の手前(図中距離wで示す)まで延在されて形成されている。絶縁膜GIは、画像表示部ARに形成される薄膜トランジスタ(図示せず)のゲート絶縁膜であり、絶縁膜PAS1、PAS2は前記薄膜トランジスタの上層に形成され、該薄膜トランジスタの液晶との接触を回避させる保護膜となっている。絶縁膜PAS1は無機絶縁膜からなり、絶縁膜PAS2は、たとえば樹脂等を塗布した有機絶縁膜から構成されている。絶縁膜PAS2はたとえば表面を平坦化させるために形成され、その膜厚は比較的大きくなっている(膜厚2μm以上)。また、絶縁膜LIは、各画素において液晶に電界を印加させるための画素電極と対向電極との間の電気的絶縁を図る層間絶縁膜となっている。ここで、絶縁膜GI、PAS1、PAS2、LIのそれぞれを、基板SUB1の端部の手前(図中距離wで示す)まで延在させて形成し、該端部にまで至る形成を回避させているのは、複数枚取り基板から基板SUB1を切断する際に、その切断を容易にするためである。   Insulating films GI, PAS1, PAS2, and LI for forming the image display portion AR are sequentially stacked on the surface of the substrate SUB1 on the liquid crystal side, in front of the end of the substrate SUB1 (indicated by a distance w in the drawing). ) To be formed. The insulating film GI is a gate insulating film of a thin film transistor (not shown) formed in the image display part AR, and the insulating films PAS1 and PAS2 are formed in the upper layer of the thin film transistor to avoid contact with the liquid crystal of the thin film transistor. It is a protective film. The insulating film PAS1 is made of an inorganic insulating film, and the insulating film PAS2 is made of, for example, an organic insulating film coated with resin or the like. The insulating film PAS2 is formed, for example, to flatten the surface, and the film thickness thereof is relatively large (film thickness of 2 μm or more). In addition, the insulating film LI is an interlayer insulating film that provides electrical insulation between the pixel electrode and the counter electrode for applying an electric field to the liquid crystal in each pixel. Here, each of the insulating films GI, PAS1, PAS2, and LI is formed to extend to the front of the end of the substrate SUB1 (indicated by a distance w in the drawing), and the formation to reach the end is avoided. The reason is that when the substrate SUB1 is cut from the multi-piece substrate, the cutting is facilitated.

シール材SLは、基板SUB1、SUB2の周辺に近接させて配置され、前記絶縁膜LI上に重ねられて形成されている。そして、シール材SLの一部において断続された箇所を液晶封入口ECLとして構成させている。また、該断続部によって形成されるシール材SLの端部のそれぞれは基板SUB1、SUB2の端部側に指向するように延在させ(図中符号SLeで示す)、液晶封入口ECLにおいて、液晶を画像表示部AR内に導き易いパターンとして構成している。   The sealing material SL is disposed in the vicinity of the periphery of the substrates SUB1 and SUB2, and is formed on the insulating film LI. And the part interrupted in a part of sealing material SL is comprised as the liquid-crystal enclosure port ECL. Further, each of the end portions of the sealing material SL formed by the intermittent portions extends so as to be directed toward the end portions of the substrates SUB1 and SUB2 (indicated by reference sign SLe in the drawing), and in the liquid crystal sealing port ECL, the liquid crystal Is configured as a pattern that can be easily guided into the image display portion AR.

なお、図9では、液晶封入口ECLにおいて、基板SUB1、SUB2の周辺に沿って形成されるシール材SLの延長線上に複数のドット状のシール材(図中符号SLdで示す)が並設されて形成されている。液晶封入口ECLの幅が大きい場合に該液晶封入口ECLの高さ(基板SUB1と基板SUB2との間隙)が小さくなってしまうことを回避させるためである。   In FIG. 9, a plurality of dot-shaped sealing materials (indicated by reference numeral SLd in the figure) are arranged in parallel on the extended line of the sealing material SL formed along the periphery of the substrates SUB1 and SUB2 in the liquid crystal sealing port ECL. Is formed. This is to prevent the height of the liquid crystal sealing port ECL (the gap between the substrate SUB1 and the substrate SUB2) from being reduced when the width of the liquid crystal sealing port ECL is large.

なお、本発明に関連する文献としては、下記に示す特許文献1、2、3がある。   In addition, there exist the patent documents 1, 2, and 3 shown below as literature relevant to this invention.

特許文献1は、シール材の液晶封入口において、一方の基板の液晶側の面に形成された絶縁膜、他方の基板の液晶側の面に形成された絶縁膜を除去した構成となっている。この場合、薄膜トランジスタが形成されている側の基板(図9では基板SUB1に相当する基板)において、薄膜トランジスタを被って形成される絶縁膜(保護膜)はたとえばCVD(Chemical Vapor Deposition)法によって形成された酸化シリコンあるいは窒化シリコン等の無機絶縁膜が用いられ、その膜厚は約1μmと小さくなっている。すなわち、図9に示す絶縁膜PAS2に相当する比較的膜厚の大きな保護膜が形成されていない構成となっている。   Patent Document 1 has a configuration in which the insulating film formed on the liquid crystal side surface of one substrate and the insulating film formed on the liquid crystal side surface of the other substrate are removed from the liquid crystal sealing port of the sealing material. . In this case, in the substrate on which the thin film transistor is formed (the substrate corresponding to the substrate SUB1 in FIG. 9), the insulating film (protective film) formed by covering the thin film transistor is formed by, for example, the CVD (Chemical Vapor Deposition) method. An inorganic insulating film such as silicon oxide or silicon nitride is used, and its film thickness is as small as about 1 μm. In other words, a relatively large protective film corresponding to the insulating film PAS2 shown in FIG. 9 is not formed.

特許文献2は、液晶封入口を封止する封止剤として、グラスファイバ等の固形粒子が混入された熱硬化性あるいは赤外線硬化性の樹脂を用いた液晶表示装置が開示されている。これによって、封止剤の硬化時における収縮を小さくするようにしている。液晶を挟持する一対の基板の液晶側の面において形成される絶縁膜等の構成は言及されていない。   Patent Document 2 discloses a liquid crystal display device using a thermosetting or infrared curable resin mixed with solid particles such as glass fiber as a sealing agent for sealing a liquid crystal sealing port. Thereby, the shrinkage at the time of hardening of sealing agent is made small. There is no mention of the configuration of an insulating film or the like formed on the liquid crystal side surface of the pair of substrates sandwiching the liquid crystal.

特許文献3は、液晶封入口を封止する封止剤として、導電性粒子が混入された樹脂を用いた液晶表示装置が開示されている。これによって、液晶を挟持する一対の基板を設計通りの間隙とするとともに各基板に形成された電極の間の導電性を維持するようにしている。各基板の液晶側の面においては電極が配置された記載のみに止まっている。   Patent Document 3 discloses a liquid crystal display device using a resin mixed with conductive particles as a sealing agent for sealing a liquid crystal sealing port. Thus, the pair of substrates sandwiching the liquid crystal is set as a designed gap, and the conductivity between the electrodes formed on each substrate is maintained. In the surface of each substrate on the liquid crystal side, only the description on which the electrodes are arranged is limited.

特開平6−175141号公報JP-A-6-175141 特開平8−304838号公報JP-A-8-304838 特開平8−62607号公報JP-A-8-62607

しかし、図9に示した構成において、シール材SLの液晶封入口ECLを通して液晶を封入した後に、該液晶封入口ECLを封止剤ESLによって封止した場合に、該封止剤ESLを貫通するパスが発生し、このパスを通して気泡あるいは汚染物が外囲器内の液晶に侵入してしまうという不都合が生じた。   However, in the configuration shown in FIG. 9, when the liquid crystal sealing port ECL is sealed with the sealing agent ESL after the liquid crystal is sealed through the liquid crystal sealing port ECL of the sealing material SL, the sealing agent ESL is penetrated. A pass occurred, and bubbles or contaminants entered the liquid crystal in the envelope through this pass.

この原因を究明した結果、次のことが判明した。すなわち、図9に示した構成では、基板SUB1の液晶側の面に形成された複数の絶縁膜GI、絶縁膜PAS1、絶縁膜PAS2、絶縁膜LIが積層された状態で該基板SUB1の端部に近接して(図中端部からの距離w)形成されている。このため、液晶封入口ECLにおいて、前記絶縁膜GI、絶縁膜PAS1、絶縁膜PAS2、絶縁膜LIの端辺(図中符号Eで示す)における基板SUB1との段差部が基板SUB1の端部から僅かに離間されて位置づけられることになる。このため、封止剤ESLによる封止の際に該封止剤ESLは前記段差部を乗り上げて形成されることになる。   As a result of investigating the cause, the following was found. That is, in the configuration shown in FIG. 9, a plurality of insulating films GI, insulating films PAS1, insulating films PAS2, and insulating films LI formed on the liquid crystal side surface of the substrate SUB1 are stacked, and the end portion of the substrate SUB1 is stacked. (Distance w from the end in the figure). For this reason, in the liquid crystal sealing port ECL, a stepped portion with the substrate SUB1 at the end sides (indicated by E in the drawing) of the insulating film GI, the insulating film PAS1, the insulating film PAS2, and the insulating film LI starts from the end of the substrate SUB1. It will be positioned slightly separated. For this reason, at the time of sealing with the sealing agent ESL, the sealing agent ESL is formed on the stepped portion.

この場合、図9(c)、(d)に示すように、前記絶縁膜GI、PAS1、PAS2、LIの端辺Eにおける基板SUB1との段差部には、段差が高いため、液晶LCが残留しており、この液晶LCの一部は、封止剤ESLの封止の際の該封止剤ESLの画像表示部AR側への侵入によって、封止剤ESLの内側あるいは外側の方向に押し出され、該封止剤ESL内における前記液晶LCの経路が前記パスとして形成されてしまうことになる。   In this case, as shown in FIGS. 9C and 9D, the liquid crystal LC remains at the stepped portion with the substrate SUB1 at the edge E of the insulating films GI, PAS1, PAS2, and LI because the step is high. A part of the liquid crystal LC is pushed inward or outward of the sealant ESL due to the sealant ESL entering the image display part AR when the sealant ESL is sealed. As a result, the path of the liquid crystal LC in the sealant ESL is formed as the path.

尚、この問題は、液晶封入口ECLにおいて、段差が高いとき、例えば、有機絶縁膜で構成された絶縁膜PAS2の膜厚が2μm以上のときに発生し、段差が低い場合には液晶LCが段差部にあまり残留しないため問題は生じない。また、この問題は、液晶封入口ECLにおいて、段差部が基板SUB1の端部から比較的近い位置にあるとき、たとえば、距離wが0mmより大きく0.5mmより小さいときに発生する。   This problem occurs when the level difference is high in the liquid crystal filling port ECL, for example, when the film thickness of the insulating film PAS2 made of an organic insulating film is 2 μm or more. There is no problem because it does not remain much in the stepped portion. Further, this problem occurs when the stepped portion is relatively close to the end of the substrate SUB1 in the liquid crystal sealing port ECL, for example, when the distance w is larger than 0 mm and smaller than 0.5 mm.

本発明の目的は、液晶封入口を封止する封止剤にパスが発生することのない液晶表示装置を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device in which no path is generated in the sealant that seals the liquid crystal sealing port.

本発明の液晶表示装置では、液晶封入口において、該液晶封入口を封止する封止剤が乗り上げてしまう絶縁膜の段差部をなくす構成にし、あるいは該段差部の高さを大幅に小さくする構成とするようにしたものである。   In the liquid crystal display device of the present invention, the step of the insulating film on which the sealing agent that seals the liquid crystal sealing port rides is eliminated from the liquid crystal sealing port, or the height of the step is greatly reduced. It is made into composition.

本発明の構成は、たとえば、以下のようなものとすることができる。   The configuration of the present invention can be as follows, for example.

(1)本発明の液晶表示装置は、液晶を挟持して対向配置される第1基板と第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に配置されて前記液晶を封入するシール材とを備え、
前記シール材は、その一部に封止剤によって封止される封入口が形成されて構成され、
前記第1基板の前記液晶側の面に絶縁膜が形成され、前記絶縁膜は、前記シール材の形成領域を超えて前記第1基板の端辺から0mmより大きく0.5mmより小さい値で離間されて形成されている液晶表示装置であって、
前記絶縁膜は、有機絶縁膜を含む複数の絶縁膜の積層体からなり、少なくとも前記有機絶縁膜は、膜厚が2μm以上であり、前記シール材の前記封入口が形成されている部分において、前記第1基板の端部から0.5mm以上の値で後退させて形成されていることを特徴とする。
(1) A liquid crystal display device of the present invention includes a first substrate and a second substrate that are disposed to face each other with a liquid crystal interposed therebetween,
A sealing material disposed between the first substrate and the second substrate and enclosing the liquid crystal;
The sealing material is configured by forming a sealing port sealed with a sealant in a part thereof,
An insulating film is formed on the liquid crystal side surface of the first substrate, and the insulating film is separated from the edge of the first substrate by a value greater than 0 mm and less than 0.5 mm beyond the sealing material formation region. A liquid crystal display device formed,
The insulating film is composed of a stack of a plurality of insulating films including an organic insulating film, and at least the organic insulating film has a thickness of 2 μm or more, and in the portion where the sealing port of the sealing material is formed, It is formed by retreating from the end portion of the first substrate by a value of 0.5 mm or more.

(2)本発明の液晶表示装置は、(1)において、少なくとも前記有機絶縁膜は、平面的に観て、前記シール材の内周を結ぶ仮想の線を越えることなく、前記第1基板の端部から後退させて形成されていることを特徴とする。 (2) In the liquid crystal display device according to the present invention, in (1), at least the organic insulating film may be formed on the first substrate without crossing an imaginary line that connects the inner circumferences of the sealing material in a plan view. It is formed by retreating from the end portion.

(3)本発明の液晶表示装置は、(1)において、少なくとも前記有機絶縁膜は、平面的に観て、前記シール材の内周を結ぶ仮想の線を越えて、前記第1基板の端部から後退させて形成されていることを特徴とする。 (3) The liquid crystal display device according to the present invention is the liquid crystal display device according to (1), wherein at least the organic insulating film exceeds the virtual line connecting the inner periphery of the sealing material when viewed in a plan view. It is formed by retreating from the part.

(4)本発明の液晶表示装置は、(1)において、前記第1基板の前記液晶側の面に薄膜トランジスタが形成され、前記有機絶縁膜は前記薄膜トランジスタの上層に形成されていることを特徴とする。 (4) The liquid crystal display device according to the present invention is characterized in that, in (1), a thin film transistor is formed on the liquid crystal side surface of the first substrate, and the organic insulating film is formed on an upper layer of the thin film transistor. To do.

(5)本発明の液晶表示装置は、(1)において、前記封止剤は、絶縁性微粒子が混合されていることを特徴とする。 (5) The liquid crystal display device of the present invention is characterized in that, in (1), the sealing agent is mixed with insulating fine particles.

(6)本発明の液晶表示装置は、液晶を挟持して対向配置される第1基板と第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に配置されて前記液晶を封入するシール材とを備え、
前記シール材は、その一部に封止剤によって封止される封入口が形成されて構成され、
前記第1基板の前記液晶側の面に絶縁膜が形成され、前記絶縁膜は、前記シール材の形成領域を超えて前記第1基板の端辺から0mmより大きく0.5mmより小さい値で離間されて形成されている液晶表示装置であって、
前記絶縁膜は、有機絶縁膜を含む複数の絶縁膜の積層体からなり、前記有機絶縁膜は、膜厚が2μm以上であり、前記積層体は、前記シール材の前記封入口が形成されている部分において、前記第1基板の端部から0.5mm以上の値で後退させて形成されていることを特徴とする。
(6) The liquid crystal display device of the present invention includes a first substrate and a second substrate that are opposed to each other with a liquid crystal interposed therebetween,
A sealing material disposed between the first substrate and the second substrate and enclosing the liquid crystal;
The sealing material is configured by forming a sealing port sealed with a sealant in a part thereof,
An insulating film is formed on the liquid crystal side surface of the first substrate, and the insulating film is separated from the edge of the first substrate by a value greater than 0 mm and less than 0.5 mm beyond the sealing material formation region. A liquid crystal display device formed,
The insulating film is composed of a stacked body of a plurality of insulating films including an organic insulating film, the organic insulating film has a thickness of 2 μm or more, and the stacked body is formed with the sealing port of the sealing material. The portion is formed so as to recede from the end of the first substrate by a value of 0.5 mm or more.

(7)本発明の液晶表示装置は、(6)において、前記積層体は、平面的に観て、前記シール材の内周を結ぶ仮想の線を越えることなく、前記第1基板の端部から後退させて形成されていることを特徴とする。 (7) The liquid crystal display device according to the present invention is the liquid crystal display device according to (6), wherein the stacked body has an end portion of the first substrate in a plan view without crossing an imaginary line connecting the inner periphery of the sealing material. It is characterized by being formed by retreating.

(8)本発明の液晶表示装置は、(6)において、前記積層体は、平面的に観て、前記シール材の内周を結ぶ仮想の線を越えて、前記第1基板の端部から後退させて形成されていることを特徴とする。 (8) The liquid crystal display device according to the present invention is the liquid crystal display device according to (6), wherein the laminate is viewed from a plan view, beyond an imaginary line connecting the inner periphery of the sealing material, from the end of the first substrate. It is formed by retreating.

(9)本発明の液晶表示装置は、(6)において、前記第1基板の前記液晶側の面に薄膜トランジスタが形成され、前記有機絶縁膜は前記薄膜トランジスタの上層に形成されていることを特徴とする。 (9) The liquid crystal display device according to the present invention is characterized in that, in (6), a thin film transistor is formed on the liquid crystal side surface of the first substrate, and the organic insulating film is formed on an upper layer of the thin film transistor. To do.

(10)本発明の液晶表示素装置は、液晶を挟持して対向配置される第1基板と第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に配置されて前記液晶を封入するシール材とを備え、
前記シール材は、その一部に封止剤によって封止される封入口が形成されて構成され、
前記第1基板の前記液晶側の面に絶縁膜が形成され、前記絶縁膜は、前記シール材の形成領域を超えて前記第1基板の端辺から0mmより大きく0.5mmより小さい値で離間されて形成されている液晶表示装置であって、
前記絶縁膜は、有機絶縁膜を含む複数の絶縁膜の積層体からなり、前記有機絶縁膜は、膜厚が2μm以上であり、前記積層体は、前記シール材の前記封入口が形成されている部分において、その側壁面が前記第1基板の端部の側壁面と同一の平面内に形成されていることを特徴とする。
(10) A liquid crystal display element device of the present invention includes a first substrate and a second substrate that are disposed to face each other with a liquid crystal interposed therebetween,
A sealing material disposed between the first substrate and the second substrate and enclosing the liquid crystal;
The sealing material is configured by forming a sealing port sealed with a sealant in a part thereof,
An insulating film is formed on the liquid crystal side surface of the first substrate, and the insulating film is separated from the edge of the first substrate by a value greater than 0 mm and less than 0.5 mm beyond the sealing material formation region. A liquid crystal display device formed,
The insulating film is composed of a stacked body of a plurality of insulating films including an organic insulating film, the organic insulating film has a thickness of 2 μm or more, and the stacked body is formed with the sealing port of the sealing material. In the portion, the side wall surface is formed in the same plane as the side wall surface of the end portion of the first substrate.

(11)本発明の液晶表示装置は、(10)において、前記第1基板の前記液晶側の面に薄膜トランジスタが形成され、前記有機絶縁膜は前記薄膜トランジスタの上層に形成されていることを特徴とする。 (11) The liquid crystal display device of the present invention is characterized in that, in (10), a thin film transistor is formed on a surface of the first substrate on the liquid crystal side, and the organic insulating film is formed on an upper layer of the thin film transistor. To do.

なお、上記した構成はあくまで一例であり、本発明は、技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。また、上記した構成以外の本発明の構成の例は、本願明細書全体の記載または図面から明らかにされる。   The above-described configuration is merely an example, and the present invention can be modified as appropriate without departing from the technical idea. Further, examples of the configuration of the present invention other than the above-described configuration will be clarified from the entire description of the present specification or the drawings.

上述した液晶表示装置によれば、液晶封入口を封止する封止剤にパスが発生してしまうのを防止することができる。   According to the liquid crystal display device described above, it is possible to prevent a path from being generated in the sealant that seals the liquid crystal sealing port.

本発明のその他の効果については、明細書全体の記載から明らかにされる。   Other effects of the present invention will become apparent from the description of the entire specification.

本発明の液晶表示装置の実施例1を示す要部構成図である。It is a principal part block diagram which shows Example 1 of the liquid crystal display device of this invention. 本発明の液晶表示装置の実施例1を示す全体構成図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a whole block diagram which shows Example 1 of the liquid crystal display device of this invention. 本発明の液晶表示装置の実施例1の画素の構成図である。It is a block diagram of the pixel of Example 1 of the liquid crystal display device of this invention. 本発明の液晶表示装置の実施例2を示す要部構成図である。It is a principal part block diagram which shows Example 2 of the liquid crystal display device of this invention. 本発明の液晶表示装置の実施例3を示す要部構成図である。It is a principal part block diagram which shows Example 3 of the liquid crystal display device of this invention. 本発明の液晶表示装置の実施例4を示す要部構成図である。It is a principal part block diagram which shows Example 4 of the liquid crystal display device of this invention. 本発明の液晶表示装置の実施例5を示す要部構成図である。It is a principal part block diagram which shows Example 5 of the liquid crystal display device of this invention. 本発明の液晶表示装置の実施例6を示す要部構成図である。It is a principal part block diagram which shows Example 6 of the liquid crystal display device of this invention. 従来の液晶表示装置の一例を示す要部構成図である。It is a principal part block diagram which shows an example of the conventional liquid crystal display device.

本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。なお、各図および各実施例において、同一または類似の構成要素には同じ符号を付し、説明を省略する。   Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In each drawing and each example, the same or similar components are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

(全体の概略構成)
図2は、本発明の液晶表示装置の実施例1を示す概略的な平面図である。図2に示す液晶表示装置はたとえば携帯電話用の液晶表示装置を示している。
(Overall schematic configuration)
FIG. 2 is a schematic plan view showing Example 1 of the liquid crystal display device of the present invention. The liquid crystal display device shown in FIG. 2 is a liquid crystal display device for mobile phones, for example.

図2において、たとえばガラスからなる基板SUB1、基板SUB2が対向して配置されている。これら基板SUB1、基板SUB2は、一辺を除く他の三辺において、これら辺の各側壁面が同一平面内にあるように配置されている。基板SUB1、基板SUB2は、一対の複数枚取り基板をシール材(図2において符号SLで示す)を介して貼り合わせた後に、切断することによって得るようになっているからである。基板SUB2は、図中下側の一辺において、基板SUB1を露出させるように構成され、この露出された基板SUB1の表面には画素駆動用の半導体装置(チップ)SECがフェースダウンされて搭載されている。   In FIG. 2, a substrate SUB1 and a substrate SUB2 made of glass, for example, are arranged facing each other. The substrate SUB1 and the substrate SUB2 are arranged on the other three sides except one side so that the side wall surfaces of these sides are in the same plane. This is because the substrates SUB1 and SUB2 are obtained by bonding a pair of multi-piece substrates through a sealing material (indicated by reference numeral SL in FIG. 2) and then cutting them. The substrate SUB2 is configured to expose the substrate SUB1 on one side on the lower side in the drawing, and a pixel driving semiconductor device (chip) SEC is mounted face down on the exposed surface of the substrate SUB1. Yes.

基板SUB1と基板SUB2との間には液晶LC(図1(b)、(c)、(d)参照)が挟持されている。この液晶LCは、シール材SLによって基板SUB1、基板SUB2の間に封入されている。シール材SLは、基板SUB2の周辺に沿った環状のパターンからなり、基板SUB1と基板SUB2との固着を兼ねるようになっている。このシール材SLは、たとえば基板SUB2側の面に印刷あるいはディスペンサ等による塗布によって形成されるようになっている。シール材SLによって囲まれた領域は、液晶LCを一構成要素とする複数の画素の集合からなる画像表示部ARが構成されるようになっている。   A liquid crystal LC (see FIGS. 1B, 1C, and 1D) is sandwiched between the substrate SUB1 and the substrate SUB2. The liquid crystal LC is sealed between the substrate SUB1 and the substrate SUB2 by the sealing material SL. The sealing material SL is formed in an annular pattern along the periphery of the substrate SUB2, and serves to fix the substrate SUB1 and the substrate SUB2. The sealing material SL is formed on the surface on the substrate SUB2 side by printing or application by a dispenser, for example. The area surrounded by the sealing material SL is configured to constitute an image display portion AR composed of a set of a plurality of pixels having the liquid crystal LC as one constituent element.

なお、シール材SLは、たとえば前記半導体装置SECが配置された側に対して反対側の辺の一部に、該シール材SLの断続部によって構成した液晶封入口ECLが形成されている。この液晶封入口ECLは液晶LCを基板SUB1と基板SUB2との間に封入した後は封止剤ESLによって封止されるようになっている。この液晶封入口ESLの近傍の構成については後に詳述する。   Note that the sealing material SL has a liquid crystal sealing port ECL formed by an intermittent portion of the sealing material SL, for example, at a part of the side opposite to the side where the semiconductor device SEC is disposed. The liquid crystal sealing port ECL is sealed with a sealant ESL after the liquid crystal LC is sealed between the substrate SUB1 and the substrate SUB2. The configuration near the liquid crystal sealing port ESL will be described in detail later.

基板SUB1の液晶側の面であってシール材SLによって囲まれた領域には、図中x方向に延在しy方向に並設されるゲート信号線GL、図中y方向に延在しx方向に並設されるドレイン信号線DLが形成されている。画素領域は、隣接する一対のゲート信号線GLと隣接する一対のドレイン信号線DLとで囲まれた領域で構成され、画像表示部ARは、マトリックス状に配置される画素領域の集合によって構成されるようになっている。また、この実施例で示す液晶表示装置は、たとえばIPS(In Plane Switching)あるいは横電界方式と称され、隣接する一対のゲート信号線GLの間にはコモン信号線CLが形成されている。後述の画素電極PXとともに対向電極CTは基板SUB1側に形成され、対向電極CTは前記コモン信号線CLに接続されるようになっている。   In a region on the liquid crystal side of the substrate SUB1 and surrounded by the sealing material SL, gate signal lines GL extending in the x direction in the drawing and arranged in parallel in the y direction, and extending in the y direction in the drawing and x Drain signal lines DL arranged in parallel in the direction are formed. The pixel region is configured by a region surrounded by a pair of adjacent gate signal lines GL and a pair of adjacent drain signal lines DL, and the image display unit AR is configured by a set of pixel regions arranged in a matrix. It has become so. The liquid crystal display device shown in this embodiment is called, for example, an IPS (In Plane Switching) or a horizontal electric field system, and a common signal line CL is formed between a pair of adjacent gate signal lines GL. A counter electrode CT is formed on the substrate SUB1 side together with a pixel electrode PX to be described later, and the counter electrode CT is connected to the common signal line CL.

画像表示部ARにおいてたとえば点線丸枠に示す画素領域の等価回路は実線丸枠(図中Aで示す)で示すようになっている。画素領域には、ゲート信号線GLからの信号(走査信号)によってオンする薄膜トランジスタTFTと、オンされた薄膜トランジスタTFTを通してドレイン信号線DLからの信号(映像信号)が供給される画素電極PXと、該画素電極PXとの間に電界を発生させる対向電極CTが備えられている。対向電極CTにはコモン信号線CLを通して映像信号に対して基準となる信号(基準信号)が供給されるようになっている。   In the image display portion AR, for example, an equivalent circuit of a pixel region indicated by a dotted circle is shown by a solid circle (indicated by A in the figure). In the pixel region, a thin film transistor TFT which is turned on by a signal (scanning signal) from the gate signal line GL, a pixel electrode PX to which a signal (video signal) from the drain signal line DL is supplied through the turned on thin film transistor TFT, A counter electrode CT that generates an electric field is provided between the pixel electrode PX and the pixel electrode PX. A signal (reference signal) serving as a reference for the video signal is supplied to the counter electrode CT through the common signal line CL.

前記各ゲート信号線GLはたとえばその一端部から引き出し配線WGが引き出され前記半導体装置SECの出力電極に接続されている。この実施例の場合、たとえば、画像表示部ARの上方に形成されるゲート信号線GLは図中左側の端部から、下方に形成されるゲート信号線GLは図中右側の端部から各引き出し配線WGによって引き出されるようになっている。しかし、これに限定されることはなく、全て同方向側の端部から引き出されるように構成してもよい。前記各ドレイン信号線DLは図中下端部から引き出し配線WDが引き出され前記半導体装置SECの出力電極に接続されている。前記各コモン信号線CLはたとえば図中右端部において共通の引き出し配線WCによって引き出され、該引き出し配線WCは半導体装置SECの出力電極に接続されている。   Each gate signal line GL is connected to the output electrode of the semiconductor device SEC, for example, with a lead wire WG drawn from one end thereof. In the case of this embodiment, for example, the gate signal line GL formed above the image display portion AR is drawn from the left end in the drawing, and the gate signal line GL formed below is drawn from the right end in the drawing. It is drawn out by the wiring WG. However, the present invention is not limited to this, and all may be configured to be pulled out from the end in the same direction. Each drain signal line DL is connected to the output electrode of the semiconductor device SEC with a lead wire WD drawn from the lower end in the drawing. Each of the common signal lines CL is led out by a common lead wire WC at the right end portion in the drawing, for example, and the lead wire WC is connected to the output electrode of the semiconductor device SEC.

なお、図2に示した液晶表示装置は、各ゲート信号線GLには半導体装置SECからの信号が直接入力されるように構成したものである。しかし、基板SUB1上にたとえばポリシリコンからなる薄膜トランジスタを備える走査信号駆動回路を形成し、各ゲート信号線GLには該走査信号駆動回路を通して信号が供給されるように構成してもよい。   The liquid crystal display device shown in FIG. 2 is configured such that a signal from the semiconductor device SEC is directly input to each gate signal line GL. However, a scanning signal driving circuit including a thin film transistor made of polysilicon, for example, may be formed on the substrate SUB1, and a signal may be supplied to each gate signal line GL through the scanning signal driving circuit.

(画素の構成)
図3(a)、(b)は、基板SUB1の液晶側の面に形成された画素の構成を示す図で、図2に示す実線丸枠Aにおける部分の構成を示している。図3(a)は平面図、図3(b)は図3(a)のIIIb−IIIb線における断面図である。
(Pixel configuration)
FIGS. 3A and 3B are diagrams showing the configuration of pixels formed on the liquid crystal side surface of the substrate SUB1, and the configuration of the portion in the solid line circle frame A shown in FIG. 3A is a plan view, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line IIIb-IIIb in FIG. 3A.

まず、基板SUB1の液晶側の面に、図中x方向に延在されy方向に並設されるゲート信号線GLが形成されている。基板SUB1の表面には、ゲート信号線GLをも被って絶縁膜GIが形成され、この絶縁膜GIは後述の薄膜トランジスタTFTの形成領域においてゲート絶縁膜として機能するようになっている。   First, on the liquid crystal side surface of the substrate SUB1, gate signal lines GL extending in the x direction and arranged in parallel in the y direction are formed. An insulating film GI is formed on the surface of the substrate SUB1 so as to cover the gate signal line GL, and this insulating film GI functions as a gate insulating film in a formation region of a thin film transistor TFT described later.

ゲート絶縁膜GIの表面であってゲート信号線GLの一部に重畳する薄膜トランジスタTFTの形成領域に、たとえばアモルファスSiからなる半導体層ASが島状に形成されている。前記薄膜トランジスタTFTは、前記半導体層ASの表面に、互いに対向配置されたドレイン電極DT、ソース電極STが形成されることにより、ゲート信号線GLの一部をゲート電極とする逆スタガ構造のMIS(Metal Insulator Semiconductor)型トランジスタが構成されるようになる。   A semiconductor layer AS made of, for example, amorphous Si is formed in an island shape in the formation region of the thin film transistor TFT that overlaps a part of the gate signal line GL on the surface of the gate insulating film GI. In the thin film transistor TFT, a drain electrode DT and a source electrode ST arranged opposite to each other are formed on the surface of the semiconductor layer AS, so that a part of the gate signal line GL has an inverted stagger structure MIS ( Metal Insulator Semiconductor) type transistors are constructed.

前記基板SUB1の表面には図中y方向に延在しx方向に並設されるドレイン信号線DLが形成され、このドレイン信号線DLの一部を前記半導体層ASの表面に延在させることにより、該延在部を薄膜トランジスタTFTのドレイン電極DTとするようになっている。また、ドレイン信号線DLの形成の際に、薄膜トランジスタTFTのソース電極STが形成され、このソース電極STは半導体層ASの形成領域を超えて画素領域に延在するパッド部PDを具備して構成されている。このパッド部PDは後述の画素電極PXと電気的に接続される部分として構成される。   A drain signal line DL extending in the y direction in the drawing and arranged in parallel in the x direction is formed on the surface of the substrate SUB1, and a part of the drain signal line DL extends to the surface of the semiconductor layer AS. Thus, the extended portion is used as the drain electrode DT of the thin film transistor TFT. In addition, when the drain signal line DL is formed, the source electrode ST of the thin film transistor TFT is formed, and the source electrode ST includes a pad portion PD that extends to the pixel region beyond the formation region of the semiconductor layer AS. Has been. The pad portion PD is configured as a portion that is electrically connected to a pixel electrode PX described later.

前記基板SUB1の表面にはドレイン信号線DL等をも被って絶縁膜PASが形成されている。この絶縁膜PASは薄膜トランジスタTFTの液晶との直接の接触を回避するための保護膜からなり、たとえば、無機絶縁膜からなる絶縁膜PAS1(たとえば膜厚300nm)および有機絶縁膜からなる保護膜PAS2(たとえば膜厚2μm以上)の積層構造から構成される。絶縁膜PAS2において有機絶縁膜を用いたのはたとえば絶縁膜PASの表面を平坦化する効果を奏するためである。   An insulating film PAS is formed on the surface of the substrate SUB1 so as to cover the drain signal line DL and the like. The insulating film PAS is made of a protective film for avoiding direct contact with the liquid crystal of the thin film transistor TFT. For example, the insulating film PAS1 made of an inorganic insulating film (for example, a film thickness of 300 nm) and the protective film PAS2 made of an organic insulating film ( For example, it is composed of a laminated structure having a film thickness of 2 μm or more. The reason why the organic insulating film is used in the insulating film PAS2 is to provide an effect of flattening the surface of the insulating film PAS, for example.

絶縁膜PASの表面であって隣接する一対のゲート信号線GLの間には、該ゲート信号線GLの走行方向に沿って形成されるコモン信号線CLが形成されている。このコモン信号線CLは図中x方向に並設される各画素領域のほぼ全域を被って形成され、各画素領域における対向電極CTを兼備した構成となっている。このコモン信号線CL(対向電極CT)は、たとえばITO(Indium Tin Oxide)からなる透光性導電膜から構成されている。   A common signal line CL formed along the traveling direction of the gate signal line GL is formed between the pair of adjacent gate signal lines GL on the surface of the insulating film PAS. The common signal line CL is formed so as to cover substantially the entire area of each pixel region arranged in parallel in the x direction in the drawing, and has a configuration in which the counter electrode CT is also provided in each pixel region. The common signal line CL (counter electrode CT) is made of a translucent conductive film made of ITO (Indium Tin Oxide), for example.

基板SUB1の表面には、コモン信号線CL(対向電極CT)をも被って
無機絶縁膜からなる絶縁膜LI(たとえば膜厚300nm)が形成され、この絶縁膜LIの上面には各画素領域に画素電極PXが形成されている。絶縁膜LIは画素電極PXと後述の対向電極CTとの層間絶縁を図る層間絶縁膜としての機能を有する。画素電極PXは、たとえば図中y方向に延在されx方向に並設された複数(図ではたとえば3個)の線状の電極からなり、これら各電極は、前記薄膜トランジスタTFT側の端部において互いに接続された接続部JNを備えている。画素電極PXは、たとえばITO(Indium Tin Oxide)からなる透光性導電膜から構成されている。画素電極PXの接続部JNの一部は、層間絶縁膜LIおよび絶縁膜PASに形成されたスルーホールTHを通して前記ソース電極STのパッド部PDに電気的に接続されるようになっている。また、この場合において、コモン信号線CL(対向電極CT)において、予め、前記スルーホールTHとほぼ同軸で該スルーホールTHよりも充分に径の大きな開口OPが形成され、前記画素電極PXが対向電極CTと電気的にショートしてしまうのを回避させている。
An insulating film LI (for example, a film thickness of 300 nm) made of an inorganic insulating film is formed on the surface of the substrate SUB1 so as to cover the common signal line CL (counter electrode CT), and each pixel region is formed on the upper surface of the insulating film LI. A pixel electrode PX is formed. The insulating film LI functions as an interlayer insulating film that provides interlayer insulation between the pixel electrode PX and a counter electrode CT described later. The pixel electrode PX is composed of, for example, a plurality of (for example, three in the figure) linear electrodes extending in the y direction in the drawing and arranged in parallel in the x direction. The connection part JN connected mutually is provided. The pixel electrode PX is made of a translucent conductive film made of ITO (Indium Tin Oxide), for example. A part of the connection portion JN of the pixel electrode PX is electrically connected to the pad portion PD of the source electrode ST through a through hole TH formed in the interlayer insulating film LI and the insulating film PAS. In this case, in the common signal line CL (counter electrode CT), an opening OP that is substantially coaxial with the through hole TH and has a diameter sufficiently larger than the through hole TH is formed in advance, and the pixel electrode PX is opposed to the pixel electrode PX. An electrical short-circuit with the electrode CT is avoided.

(液晶封入口ECLの構成)
図1は、液晶封入口ECLを示した構成図である。図1(a)は、図2の一点鎖線枠B内の部分を拡大した平面図を、図1(b)は図1(a)のIb−Ib線における断面図を、図1(c)は図1(a)のIc−Ic線における断面図を、図1(d)は図1(a)のId−Id線における断面図を示している。
(Configuration of liquid crystal sealing port ECL)
FIG. 1 is a configuration diagram showing the liquid crystal sealing port ECL. 1A is an enlarged plan view of a portion in the dashed-dotted line frame B in FIG. 2, FIG. 1B is a sectional view taken along line Ib-Ib in FIG. 1A, and FIG. Is a cross-sectional view taken along line Ic-Ic in FIG. 1A, and FIG. 1D is a cross-sectional view taken along line Id-Id in FIG.

まず、基板SUB1の液晶側の表面には、画像表示部ARにおいて形成されている前記絶縁膜GI、絶縁膜PAS1、絶縁膜PAS2、絶縁膜LIが、これら順次積層された状態で、基板SUB1の端部に近接するまで形成されている。   First, on the surface of the substrate SUB1 on the liquid crystal side, the insulating film GI, the insulating film PAS1, the insulating film PAS2, and the insulating film LI formed in the image display unit AR are sequentially stacked, and the substrate SUB1 is formed. It is formed until it comes close to the end.

この場合、絶縁膜GI、絶縁膜PAS1、絶縁膜PAS2、絶縁膜LIの順次積層体は、液晶封入口ECLの部分を除いて、基板SUB1の端部から距離w(0mmより大きく0.5mmより小さい値)を隔てるようにして形成されている。上述のように、基板SUB1、基板SUB2は、一対の複数枚取り基板をシール材SLを介して貼り合わせた後に切断することによって得ることから、その切断を容易にするため、該切断箇所に前記絶縁膜GI、絶縁膜PAS1、絶縁膜PAS2、絶縁膜LIの順次積層体が形成されるのを回避させるようにしている。尚、特に切断に影響を与えるのは膜厚の大きな有機絶縁膜(絶縁膜PAS2)なので、少なくとも有機絶縁膜(絶縁膜PAS2)については切断箇所に形成することを回避し、その他の無機絶縁膜(絶縁膜GI、PAS1、LI)については切断箇所にも形成するようにしてもよい。   In this case, the laminated body of the insulating film GI, the insulating film PAS1, the insulating film PAS2, and the insulating film LI is separated from the end of the substrate SUB1 by a distance w (greater than 0 mm and from 0.5 mm) except for the liquid crystal sealing port ECL. (Small value) is formed. As described above, the substrate SUB1 and the substrate SUB2 are obtained by cutting a pair of multi-piece substrates after bonding them through the sealant SL. The formation of a stacked body of the insulating film GI, the insulating film PAS1, the insulating film PAS2, and the insulating film LI is avoided. In particular, since it is the organic insulating film (insulating film PAS2) having a large film thickness that affects the cutting, at least the organic insulating film (insulating film PAS2) is avoided from being formed at the cutting position, and other inorganic insulating films (Insulating films GI, PAS1, and LI) may be formed at the cut portions.

この場合、液晶封入口ECLの部分において、絶縁膜GI、絶縁膜PAS1は、基板SUB1の端部から距離w(0mmより大きく0.5mmより小さい値)を隔てるようにして形成されているが、絶縁膜PAS2、絶縁膜LIは、基板SUB1の端部から距離W(>w)を隔てるようにして形成されている。この距離Wは、後述する封止剤ESLによって液晶封入口ECLを封止する際の前記基板SUB1の端部からの侵入距離以上の値に設定される。具体的には、前記距離Wは0.5mm以上の値に設定される。液晶封入口ECLの部分において、絶縁膜PAS2を基板SUB1の端部から画像表示部AR側へ後退させた理由は、前記絶縁膜PAS2の膜厚が2μm以上と比較的厚く形成され、この絶縁膜PAS2によって形成される大きな段差を前記封止剤ESLが乗り上げてしまうことのない構成とするためである。   In this case, the insulating film GI and the insulating film PAS1 are formed so as to be separated from the edge of the substrate SUB1 by a distance w (a value larger than 0 mm and smaller than 0.5 mm) in the liquid crystal sealing port ECL. The insulating film PAS2 and the insulating film LI are formed so as to be separated from the end portion of the substrate SUB1 by a distance W (> w). This distance W is set to a value greater than or equal to the penetration distance from the end of the substrate SUB1 when the liquid crystal sealing port ECL is sealed with a sealant ESL to be described later. Specifically, the distance W is set to a value of 0.5 mm or more. The reason why the insulating film PAS2 is retracted from the end of the substrate SUB1 toward the image display portion AR in the liquid crystal sealing port ECL is that the insulating film PAS2 is formed to be relatively thick with a thickness of 2 μm or more. This is because the sealant ESL does not ride over the large step formed by the PAS2.

なお、この実施例1では、液晶封入口ECLにおける前記絶縁膜PAS2、絶縁膜LIの順次積層体は、平面的に観て、シール材SLの内周(画像表示部AR側の内周)を結ぶ仮想の線(図中二点鎖線γ)を越えることなく、基板SUB1の端部から後退して形成されている。   In Example 1, the sequential laminated body of the insulating film PAS2 and the insulating film LI in the liquid crystal filling port ECL has an inner periphery (an inner periphery on the image display unit AR side) of the sealing material SL in plan view. It is formed so as to recede from the end of the substrate SUB1 without exceeding the connecting virtual line (two-dot chain line γ in the figure).

ここで、絶縁膜PAS2、絶縁膜LIを、液晶封入口ECLの部分において基板SUB1の端部から大きく後退させ、それ以外の部分において基板SUB1の端部からあまり後退させていないのは、基板SUB1の端部に近接して形成される配線(たとえば、図2に示す引き出し配線WG、WD、WC)、端子等を該絶縁膜PAS2、絶縁膜LIの延在によって保護するようにしているからである。この場合、該配線、端子等が形成される部分のみに前記絶縁膜PAS2、絶縁膜LIを残存させる方法もあるが、このようにした場合に、後述するシール材SLの形成領域において該絶縁膜PAS2の有無による凹凸が形成され、該シール材SLの高さ調整に不都合が生じるからである。したがって、少なくとも絶縁膜PAS2は、液晶封入口ECLを除くほぼ全周にわたって、シール材SLの形成領域を超えて外側まで延在して形成されている。   Here, the reason why the insulating film PAS2 and the insulating film LI are largely retracted from the end portion of the substrate SUB1 in the liquid crystal sealing port ECL portion and not so much retracted from the end portion of the substrate SUB1 in the other portions is the substrate SUB1. This is because the wiring (for example, the lead-out wiring WG, WD, WC shown in FIG. 2), the terminal, etc. formed in the vicinity of the end of the insulating film PAS2 and the insulating film LI are protected by the extension. is there. In this case, there is a method in which the insulating film PAS2 and the insulating film LI are left only in portions where the wirings, terminals, and the like are formed. In this case, the insulating film is formed in the formation region of the sealing material SL described later. This is because irregularities due to the presence / absence of PAS2 are formed, resulting in inconvenience in adjusting the height of the sealing material SL. Accordingly, at least the insulating film PAS2 is formed to extend to the outside beyond the formation region of the sealing material SL over almost the entire circumference except for the liquid crystal sealing port ECL.

また、絶縁膜LIも、絶縁膜PAS2と同様に、基板SUB1の端部から距離Wで後退させているのは、該絶縁膜L1が絶縁膜PAS2の上層に配置され、前記絶縁膜PAS2の選択エッチングの際に、該絶縁膜LIも同時に行うようにしているためである。しかし、この絶縁膜LIにおいて、前記絶縁膜GI、絶縁膜PAS1と同様のパターンで構成し、基板SUB1の端部から距離wを隔てるようにして形成してもよい。絶縁膜LIは酸化シリコンあるいは窒化シリコン等のような無機絶縁膜からなり、その膜厚が比較的薄く、このようにしても本願発明の効果が得られるからである。   Also, the insulating film LI, like the insulating film PAS2, is set back from the end of the substrate SUB1 by a distance W because the insulating film L1 is disposed above the insulating film PAS2 and the insulating film PAS2 is selected. This is because the insulating film LI is also performed simultaneously with the etching. However, the insulating film LI may be formed in the same pattern as the insulating film GI and the insulating film PAS1, and may be formed so as to be separated from the end portion of the substrate SUB1. This is because the insulating film LI is made of an inorganic insulating film such as silicon oxide or silicon nitride, and has a relatively thin film thickness. Even in this case, the effect of the present invention can be obtained.

基板SUB1の周辺にはシール材SLがたとえば印刷あるいはディスペンサ等によって形成されている。このシール材SLは、液晶封入口ECLを除いた部分において、絶縁膜GI、絶縁膜PAS1、絶縁膜PAS2、絶縁膜LIの順次積層体上の凹凸の少ない面に形成でき、その高さをほぼ一定にすることができる。   A sealing material SL is formed around the substrate SUB1 by, for example, printing or a dispenser. The seal material SL can be formed on the surface with few irregularities on the laminated body of the insulating film GI, the insulating film PAS1, the insulating film PAS2, and the insulating film LI in a portion excluding the liquid crystal sealing port ECL, and the height thereof is almost the same. Can be constant.

液晶封入口ECLは、シール材SLの断続された箇所に形成され、該断続部によって形成されるシール材SLの端部SLeのそれぞれが基板SUB1の端部側に指向して延在されて形成されている。これにより、液晶封入口ECLは液晶を画像表示部AR内に導き易いパターンとなっている。また、液晶封入口ECLにおいて、基板SUB1の周辺に沿って形成されるシール材SLの延長線上に複数のドット状のシール材(図中符号SLdで示す)が並設されて形成されている。液晶封入口ECLの幅が大きい場合に該液晶封入口ECLの高さ(基板SUB1と後述の基板SUB2との間隙)が小さくなってしまうことを回避させるためである。   The liquid crystal sealing port ECL is formed at an intermittent location of the sealing material SL, and each end portion SLe of the sealing material SL formed by the intermittent portion is formed extending toward the end portion side of the substrate SUB1. Has been. As a result, the liquid crystal sealing port ECL has a pattern in which the liquid crystal can be easily guided into the image display part AR. In the liquid crystal sealing port ECL, a plurality of dot-shaped sealing materials (indicated by reference sign SLd in the drawing) are formed side by side on an extension line of the sealing material SL formed along the periphery of the substrate SUB1. This is to prevent the height (the gap between the substrate SUB1 and a substrate SUB2 described later) of the liquid crystal sealing port ECL from becoming small when the width of the liquid crystal sealing port ECL is large.

なお、前記シール材SLdは、平面的に観た中心が、絶縁膜PAS2と絶縁膜LIの順次積層体の段差部にほぼ位置づけられるように配置されている。これにより、前記積層体の段差部を境にした画像表示部AR側の領域と液晶封入口ECL側の領域における基板SUB1と基板SUB2との間隔を前記シール材SLdによって合わせるようにしている。   Note that the sealing material SLd is arranged so that the center viewed in plan is substantially positioned at the step portion of the sequentially laminated body of the insulating film PAS2 and the insulating film LI. Thereby, the space between the substrate SUB1 and the substrate SUB2 in the region on the image display unit AR side and the region on the liquid crystal sealing port ECL side with the stepped portion of the stacked body as a boundary is matched by the sealing material SLd.

また、シール材SLを介して基板SUB1と対向配置される基板SUB2がある。この基板SUB2は、上述したように、基板SUB1とともに一対の複数枚取りの基板を切断することによって形成されることから、その側壁面は基板SUB1の側壁面と同一の平面(図1(b)、(c)、(d)において符号αで示す)内に形成されている。この基板SUB2の液晶側の面には、たとえば画素の有効領域ごとに開口が設けられたブラックマトリックス(遮光膜)BM、さらに該ブラックマトリックスBMを被うようにしてたとえば樹脂からなる平坦化膜OCが形成されている。この実施例では、前記平坦化膜OCはたとえば基板SUB2の端部に至るまで延在されている。平坦化膜OCの膜厚は比較的薄く形成され、基板SUB2の切断において不都合がないからである。   In addition, there is a substrate SUB2 that is disposed to face the substrate SUB1 with the sealing material SL interposed therebetween. As described above, since the substrate SUB2 is formed by cutting a pair of multiple substrates together with the substrate SUB1, the side wall surface is the same plane as the side wall surface of the substrate SUB1 (FIG. 1B). , (C), and (d). On the surface of the substrate SUB2 on the liquid crystal side, for example, a black matrix (light-shielding film) BM provided with an opening for each effective area of the pixel, and a flattening film OC made of resin, for example, covers the black matrix BM. Is formed. In this embodiment, the planarization film OC is extended to the end of the substrate SUB2, for example. This is because the planarization film OC is formed to be relatively thin, and there is no inconvenience in cutting the substrate SUB2.

そして、液晶封入口ECLは、この液晶封入口ECLを通して液晶を封入した後に、封止剤ESLの塗布によって封止されるようになっている。ここで、液晶封入口ECLへの封止剤ESLの侵入は、絶縁膜GIおよび絶縁膜PAS1の順次積層体の段差を乗り越え、絶縁膜PAS2および絶縁膜LIの順次積層体の段差部(図中符号E'で示す)の手前で止まった状態となっている(図1(c)、(d)参照)。通常、液晶封入口ECLへの封止剤ESLの侵入は、基板SUB1の端部から0.5mm(≦W)程度であり、図1に示す構成の場合、絶縁膜PAS2および絶縁膜LIの順次積層体の段差部E'を乗り越えてしまうことは希となる。   The liquid crystal sealing port ECL is sealed by applying a sealing agent ESL after sealing the liquid crystal through the liquid crystal sealing port ECL. Here, the penetration of the sealing agent ESL into the liquid crystal sealing port ECL overcomes the step of the sequentially laminated body of the insulating film GI and the insulating film PAS1, and the step portion of the sequentially laminated body of the insulating film PAS2 and the insulating film LI (in the drawing) It is in a state of being stopped before (indicated by reference symbol E ′) (see FIGS. 1C and 1D). Usually, the penetration of the sealing agent ESL into the liquid crystal sealing port ECL is about 0.5 mm (≦ W) from the end of the substrate SUB1, and in the case of the configuration shown in FIG. 1, the insulating film PAS2 and the insulating film LI are sequentially formed. It is rare to get over the stepped portion E ′ of the laminate.

このため、絶縁膜PAS2および絶縁膜LIの段差部E'の近傍に残留した液晶は、封止剤SELの侵入によって何ら影響を受けず、該封止剤SELにパスを生じさせる原因となることもなくなる。したがって、上述した液晶表示装置によれば、液晶封入口ECLを封止する封止剤ESLにパスが発生してしまうのを防止することができる。   Therefore, the liquid crystal remaining in the vicinity of the stepped portion E ′ of the insulating film PAS2 and the insulating film LI is not affected at all by the penetration of the sealing agent SEL, and causes a path in the sealing agent SEL. Also disappear. Therefore, according to the liquid crystal display device described above, it is possible to prevent a path from being generated in the sealing agent ESL that seals the liquid crystal sealing port ECL.

図4は、本発明の液晶表示装置の実施例2を示す構成図である。図4(a)は、図2の一点鎖線枠B内の部分を拡大した平面図を、図4(b)は図4(a)のIVb−IVb線における断面図を、図4(c)は図4(a)のIVc−IVc線における断面図を、図4(d)は図4(a)のIVd−IVd線における断面図を示し、図1と対応した図となっている。   FIG. 4 is a block diagram showing Embodiment 2 of the liquid crystal display device of the present invention. 4A is an enlarged plan view of a portion in the dashed-dotted line frame B in FIG. 2, FIG. 4B is a sectional view taken along line IVb-IVb in FIG. 4A, and FIG. Is a cross-sectional view taken along line IVc-IVc in FIG. 4A, and FIG. 4D is a cross-sectional view taken along line IVd-IVd in FIG. 4A, corresponding to FIG.

図4において、図1の場合と比較して異なる構成は、封止剤ESLは、たとえばシリカビーズ等の絶縁性微粒子BZが混合されているものとなっていることにある。図4に示す構成において、液晶封入口ECL内には、絶縁膜GIと絶縁膜PAS1の順次積層体による段差部(図中符号E"で示す)が存在している。上述したように、この段差部E"は高さが比較的小さく、封止剤ESLの侵入時に該段差部E"を乗り上げることがあっても、該封止剤ESLに致命傷となるようなパスが発生することは極めて希となる。   In FIG. 4, the structure different from the case of FIG. 1 is that the sealing agent ESL is mixed with insulating fine particles BZ such as silica beads. In the configuration shown in FIG. 4, there is a stepped portion (indicated by symbol E ″ in the drawing) due to the sequential stack of the insulating film GI and the insulating film PAS1 in the liquid crystal sealing port ECL. The stepped portion E ″ has a relatively small height, and even if the stepped portion E ″ is climbed when the sealant ESL enters, it is extremely difficult for the sealant ESL to have a path that can be fatal. Become rare.

しかし、該封止剤ESLにおいて上述したパスの発生を皆無とするには、予め封止剤ESLにたとえばシリカビーズ等の絶縁性微粒子BZを混合させておくことが極めて有効となる。このようにした場合、封止剤ESL内の絶縁性微粒子BZは、該封止剤ESLの侵入の際に、段差部E"にたとえ液晶が残留されていても、この液晶を該段差部E"から押し出してしまう効果が得られるからである。   However, in order to eliminate the occurrence of the above-described path in the sealing agent ESL, it is extremely effective to previously mix the insulating fine particles BZ such as silica beads in the sealing agent ESL. In such a case, the insulating fine particles BZ in the sealant ESL cause the liquid crystal to remain in the stepped portion E ″ even if the liquid crystal remains in the stepped portion E ″ when the sealant ESL enters. This is because the effect of extruding from "is obtained.

図5は、本発明の液晶表示装置の実施例3を示す構成図である。図5(a)は、図2の一点鎖線枠B内の部分を拡大した平面図を、図5(b)は図5(a)のVb−Vb線における断面図を、図5(c)は図5(a)のVc−Vc線における断面図を、図5(d)は図5(a)のVd−Vd線における断面図を示し、図1と対応した図となっている。   FIG. 5 is a block diagram showing Embodiment 3 of the liquid crystal display device of the present invention. 5A is an enlarged plan view of a portion in the dashed-dotted line frame B in FIG. 2, FIG. 5B is a cross-sectional view taken along the line Vb-Vb in FIG. 5A, and FIG. Is a cross-sectional view taken along the line Vc-Vc in FIG. 5A, and FIG. 5D is a cross-sectional view taken along the line Vd-Vd in FIG. 5A, corresponding to FIG.

図5において、図1の場合と比較して異なる構成は、液晶封入口ECLにおいて、絶縁膜GI、絶縁膜PAS1は、絶縁膜PAS2、絶縁膜LIと同様に、基板SUB1の端部から距離Wの値で後退させて形成されていることにある。すなわち、絶縁膜GI、絶縁膜PAS1、絶縁膜PAS2、絶縁膜LIの順次積層体は、液晶封入口ECLが形成されている部分において、基板SUB1の端部からW(>w)の値で後退させて形成されるようになっている。   In FIG. 5, the configuration different from the case of FIG. 1 is that, in the liquid crystal filling port ECL, the insulating film GI and the insulating film PAS1 are separated from the end of the substrate SUB1 by a distance W as in the case of the insulating film PAS2 and LI. It is that it is formed by retreating with the value of. That is, the sequential stack of the insulating film GI, the insulating film PAS1, the insulating film PAS2, and the insulating film LI recedes from the end of the substrate SUB1 by a value of W (> w) in the portion where the liquid crystal sealing port ECL is formed. To be formed.

この場合、液晶封入口ECLが形成されていない部分において、絶縁膜GI、絶縁膜PAS1、絶縁膜PAS2、絶縁膜LIの順次積層体は、図1の場合と同様に、基板SUB1の端部からw(0mmより大きく0.5mmより小さい)の値で離間されて形成されるようになっている。上述したように、基板SUB1の端部に近接して形成される配線(たとえば、図2に示す引き出し配線WG、WD、WC)、端子等を前記積層体の形成によって保護するためである。   In this case, in the portion where the liquid crystal sealing port ECL is not formed, the sequential stack of the insulating film GI, the insulating film PAS1, the insulating film PAS2, and the insulating film LI is formed from the end portion of the substrate SUB1 as in the case of FIG. They are formed so as to be separated by a value of w (greater than 0 mm and smaller than 0.5 mm). As described above, this is because the wiring (for example, the lead-out wirings WG, WD, and WC shown in FIG. 2), terminals, and the like formed in the vicinity of the end portion of the substrate SUB1 are protected by the formation of the stacked body.

このような構成によれば、液晶封入口ECLにおける基板SUB1の液晶側の面において、封止剤ESLの侵入する領域には絶縁膜による段差部が全く形成されないように構成できる。このため、絶縁膜の段差部に封止剤ESLが乗り上げてしまうようなことがなく、前記封止剤ESLにパスが発生してしまうことがなくなる。   According to such a configuration, it is possible to configure such that no step portion due to the insulating film is formed in the region where the sealing agent ESL enters on the surface on the liquid crystal side of the substrate SUB1 in the liquid crystal sealing port ECL. For this reason, the sealing agent ESL does not run on the step portion of the insulating film, and a path does not occur in the sealing agent ESL.

図6は、本発明の液晶表示装置の実施例4を示す構成図である。図6(a)は、図2の一点鎖線枠B内の部分を拡大した平面図を、図6(b)は図6(a)のVIb−VIb線における断面図を、図6(c)は図6(a)のVIc−VIc線における断面図を、図6(d)は図6(a)のVId−VId線における断面図を示し、図5と対応した図となっている。   FIG. 6 is a block diagram showing Embodiment 4 of the liquid crystal display device of the present invention. 6A is an enlarged plan view of a portion in the dashed-dotted line frame B in FIG. 2, FIG. 6B is a sectional view taken along line VIb-VIb in FIG. 6A, and FIG. Is a sectional view taken along the line VIc-VIc in FIG. 6A, FIG. 6D is a sectional view taken along the line VId-VId in FIG. 6A, and corresponds to FIG.

図6において、図5の場合と比較して異なる構成は、まず、液晶封入口ECLにおける絶縁膜GI、絶縁膜PAS1、絶縁膜PAS2、絶縁膜LIの順次積層体は、平面的に観て、シール材SLの内周を結ぶ仮想の線(図中二点鎖線γ)を越えて、基板SUB1の端部から後退させて形成していることにある。したがって、絶縁膜GI、絶縁膜PAS1、絶縁膜PAS2、絶縁膜LIの順次積層体の基板SUB1の端部からの後退量W'は、図5に示した場合(W)よりも多くなっている。これにより、封止剤ESLによる液晶封入口ECLの封止の際に、該封止剤ESLが必要以上に液晶封入口ECL内に侵入してしまう可能性をも考慮した構成となっている。   In FIG. 6, the configuration different from the case of FIG. 5 is as follows. First, the sequential stacked body of the insulating film GI, the insulating film PAS1, the insulating film PAS2, and the insulating film LI in the liquid crystal sealing port ECL is viewed in plan view. That is, the seal material SL is formed so as to recede from the end of the substrate SUB1 beyond a virtual line (two-dot chain line γ in the figure) connecting the inner circumference of the seal material SL. Therefore, the retreating amount W ′ from the end of the substrate SUB1 of the sequentially laminated body of the insulating film GI, the insulating film PAS1, the insulating film PAS2, and the insulating film LI is larger than the case (W) shown in FIG. . Thereby, when sealing the liquid crystal sealing port ECL with the sealing agent ESL, the configuration in which the sealing agent ESL may enter the liquid crystal sealing port ECL more than necessary is considered.

そして、絶縁膜GI、絶縁膜PAS1、絶縁膜PAS2、絶縁膜LIの順次積層体の上述したような後退にともない、ドット状のシール材SLdも図5に示した場合よりも後退させた位置に形成するようになっている。上述したように、前記積層体の段差部を境にした画像表示部AR側の領域と液晶封入口ECL側の領域における基板SUB1と基板SUB2との間隔を合わせるためである。   As the insulating film GI, the insulating film PAS1, the insulating film PAS2, and the insulating film LI sequentially retreat as described above, the dot-shaped sealing material SLd is also retreated from the position shown in FIG. It comes to form. As described above, this is because the distance between the substrate SUB1 and the substrate SUB2 in the region on the image display unit AR side and the region on the liquid crystal sealing port ECL side with the stepped portion of the stacked body as a boundary is matched.

この実施例4では、液晶封入口ECLにおける絶縁膜のさらなる後退は、絶縁膜GI、絶縁膜PAS1、絶縁膜PAS2、絶縁膜LIのそれぞれとしたものである。しかし、これらの絶縁膜のうち絶縁膜PAS2、絶縁膜LIだけであってもよい。すなわち、図1に示した絶縁膜PAS2、絶縁膜LIの順次積層体を、平面的に観て、シール材SLの内周を結ぶ仮想の線(図中二点鎖線γ)を越えて、基板SUB1の端部から後退させて形成するようにしてもよい。   In the fourth embodiment, the insulating film GI, the insulating film PAS1, the insulating film PAS2, and the insulating film LI are further retracted in the liquid crystal sealing opening ECL. However, among these insulating films, only the insulating film PAS2 and the insulating film LI may be used. That is, the sequential stacked body of the insulating film PAS2 and the insulating film LI shown in FIG. 1 is viewed in plan, and exceeds the virtual line (two-dot chain line γ in the figure) connecting the inner periphery of the sealing material SL. You may make it retreat from the edge part of SUB1.

図7は、本発明の液晶表示装置の実施例5を示す構成図である。図7(a)は、図2の一点鎖線枠B内の部分を拡大した平面図を、図7(b)は図7(a)のVIIb−VIIb線における断面図を、図7(c)は図7(a)のVIIc−VIIc線における断面図を、図7(d)は図7(a)のVIId−VIId線における断面図を示し、図5と対応した図となっている。   FIG. 7 is a block diagram showing Embodiment 5 of the liquid crystal display device of the present invention. 7A is an enlarged plan view of a portion in the dashed-dotted line frame B in FIG. 2, FIG. 7B is a sectional view taken along line VIIb-VIIb in FIG. 7A, and FIG. Is a sectional view taken along line VIIc-VIIc in FIG. 7A, FIG. 7D is a sectional view taken along line VIId-VIId in FIG. 7A, and corresponds to FIG.

図7において、図5の場合と比較して異なる構成は、液晶封入口ECLにおける絶縁膜GI、絶縁膜PAS1、絶縁膜PAS2、絶縁膜LIの順次積層体は、基板SUB1の端部側に突出させ、該積層体の側壁面は基板SUB1の側壁面と同一の平面内に形成されるようになっている。    In FIG. 7, the configuration different from that in FIG. 5 is that the sequential stack of the insulating film GI, the insulating film PAS1, the insulating film PAS2, and the insulating film LI in the liquid crystal filling port ECL protrudes toward the end side of the substrate SUB1. The side wall surface of the laminate is formed in the same plane as the side wall surface of the substrate SUB1.

すなわち、液晶封入口ECLにおいて封止剤ESLが形成される領域に、前記絶縁膜GI、絶縁膜PAS1、絶縁膜PAS2、絶縁膜LIの順次積層体を形成させるようにすることによって、封止剤ESLの侵入する領域においてこれら絶縁膜による段差部をなくすように構成している。   That is, by sequentially forming the insulating film GI, the insulating film PAS1, the insulating film PAS2, and the insulating film LI in a region where the sealing agent ESL is formed in the liquid crystal sealing port ECL, the sealing agent In the region where the ESL penetrates, the step portion due to these insulating films is eliminated.

したがって、このように構成することによっても、絶縁膜の段差部に封止剤ESLが乗り上げてしまうことがないことから、前記封止剤ESLにパスが発生してしまうことがなくなる。   Accordingly, even with such a configuration, the sealing agent ESL does not run on the stepped portion of the insulating film, so that no path is generated in the sealing agent ESL.

なお、このように構成した場合、一対の複数枚取り基板を貼り合わせた後に、切断によって基板SUB1、基板SUB2を得る際に、その切断箇所に前記絶縁膜GI、絶縁膜PAS1、絶縁膜PAS2、絶縁膜LIの順次積層体が存在する領域を有するが、この領域は極めて小さいことから、基板SUB1、基板SUB2の切断において弊害となってしまうことはない。   In this case, when the substrate SUB1 and the substrate SUB2 are obtained by cutting after bonding a pair of multi-piece substrates, the insulating film GI, the insulating film PAS1, the insulating film PAS2, Although there is a region where the sequential laminated body of the insulating films LI exists, since this region is extremely small, there is no problem in cutting the substrate SUB1 and the substrate SUB2.

図8は、本発明の液晶表示装置の実施例6を示す構成図である。図8(a)は、図2の一点鎖線枠B内の部分を拡大した平面図を、図8(b)は図8(a)のVIIIb−VIIIb線における断面図を、図8(c)は図8(a)のVIIIc−VIIIc線における断面図を、図8(d)は図8(a)のVIIId−VIIId線における断面図を示し、図1と対応して描いた図となっている。   FIG. 8 is a block diagram showing Embodiment 6 of the liquid crystal display device of the present invention. 8A is an enlarged plan view of the portion in the one-dot chain line frame B in FIG. 2, FIG. 8B is a cross-sectional view taken along the line VIIIb-VIIIb in FIG. 8A, and FIG. Is a cross-sectional view taken along line VIIIc-VIIIc in FIG. 8A, FIG. 8D is a cross-sectional view taken along line VIIId-VIIId in FIG. Yes.

図8において、図1の場合と比較として異なる構成は、液晶封入口ECL内に並設されたドット状のシール材SLdを設けていないことにある。ドット状のシール材SLdは、上述したように該液晶封入口ECLの高さ(基板SUB1と基板SUB2との間隙)の変動を回避するためにあり、これらシール材SLdがなくても本発明を適用できるからである。   In FIG. 8, a different configuration from that in FIG. 1 is that the dot-shaped sealing material SLd arranged in parallel in the liquid crystal sealing port ECL is not provided. The dot-shaped sealing material SLd is for avoiding fluctuations in the height of the liquid crystal sealing port ECL (the gap between the substrate SUB1 and the substrate SUB2) as described above, and the present invention can be achieved without these sealing materials SLd. This is because it can be applied.

なお、図8は、実施例1に示した構成に対してドット状のシール材SLdの形成をなくしたものである。しかし、このような構成は実施例2ないし5に示した構成に対して行うようにしてもよいことはいうまでもない。   In FIG. 8, the dot-shaped sealing material SLd is not formed in the configuration shown in the first embodiment. However, it goes without saying that such a configuration may be performed for the configurations shown in the second to fifth embodiments.

以上、本発明を実施例を用いて説明してきたが、これまでの各実施例で説明した構成はあくまで一例であり、本発明は、技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。また、それぞれの実施例で説明した構成は、互いに矛盾しない限り、組み合わせて用いてもよい。   The present invention has been described using the embodiments. However, the configurations described in the embodiments so far are only examples, and the present invention can be appropriately changed without departing from the technical idea. Further, the configurations described in the respective embodiments may be used in combination as long as they do not contradict each other.

SUB1、SUB2……基板、SL……シール材、AR……画像表示部、ECL……液晶封入口、ESL……封止剤、SEC……半導体装置、GL……ゲート信号線、WG……引き出し配線(ゲート信号線の)、DL……ドレイン信号線、WD……引き出し配線(ドレイン信号線の)、CL……コモン信号線、WC……引き出し配線(コモン信号線の)、TFT……薄膜トランジスタ、DT……ドレイン電極、ST……ソース電極、PD……パッド部、PX……画素電極、CT……対向電極、PD……パッド部、TH……スルーホール、GI……絶縁膜(ゲート絶縁膜)、PAS1……絶縁膜(保護膜:無機絶縁膜)、PAS2……絶縁膜(保護膜:有機絶縁膜)、LI……絶縁膜(層間絶縁膜)、SLe……シール材の端部、SLd……ドット状のシール材、BM……ブラックマトリックス(遮光膜)、OC……平坦化膜、BZ……絶縁性微粒子。 SUB1, SUB2 ... Substrate, SL ... Sealing material, AR ... Image display, ECL ... Liquid crystal sealing port, ESL ... Sealant, SEC ... Semiconductor device, GL ... Gate signal line, WG ... Lead wire (gate signal line), DL ... Drain signal line, WD ... Lead wire (drain signal line), CL ... Common signal line, WC ... Lead wire (common signal line), TFT ... Thin film transistor, DT ... Drain electrode, ST ... Source electrode, PD ... Pad part, PX ... Pixel electrode, CT ... Counter electrode, PD ... Pad part, TH ... Through hole, GI ... Insulating film ( Gate insulating film), PAS1 ... insulating film (protective film: inorganic insulating film), PAS2 ... insulating film (protective film: organic insulating film), LI ... insulating film (interlayer insulating film), SLe ... sealing material Edge, SLd ... G-shaped sealing material, BM: black matrix (light shielding film), OC: planarization film, BZ: insulating fine particles.

Claims (11)

液晶を挟持して対向配置される第1基板と第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に配置されて前記液晶を封入するシール材とを備え、
前記シール材は、その一部に封止剤によって封止される封入口が形成されて構成され、
前記第1基板の前記液晶側の面に絶縁膜が形成され、前記絶縁膜は、前記シール材の形成領域を超えて前記第1基板の端辺から0mmより大きく0.5mmより小さい値で離間されて形成されている液晶表示装置であって、
前記絶縁膜は、有機絶縁膜を含む複数の絶縁膜の積層体からなり、少なくとも前記有機絶縁膜は、膜厚が2μm以上であり、前記シール材の前記封入口が形成されている部分において、前記第1基板の端部から0.5mm以上の値で後退させて形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
A first substrate and a second substrate that are arranged opposite to each other with a liquid crystal sandwiched between them;
A sealing material disposed between the first substrate and the second substrate and enclosing the liquid crystal;
The sealing material is configured by forming a sealing port sealed with a sealant in a part thereof,
An insulating film is formed on the liquid crystal side surface of the first substrate, and the insulating film is separated from the edge of the first substrate by a value greater than 0 mm and less than 0.5 mm beyond the sealing material formation region. A liquid crystal display device formed,
The insulating film is composed of a stack of a plurality of insulating films including an organic insulating film, and at least the organic insulating film has a thickness of 2 μm or more, and in the portion where the sealing port of the sealing material is formed, A liquid crystal display device, wherein the liquid crystal display device is formed to recede at a value of 0.5 mm or more from an end portion of the first substrate.
少なくとも前記有機絶縁膜は、平面的に観て、前記シール材の内周を結ぶ仮想の線を越えることなく、前記第1基板の端部から後退させて形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。   The at least organic insulating film is formed so as to recede from an end portion of the first substrate without crossing an imaginary line connecting the inner periphery of the sealing material in a plan view. Item 2. A liquid crystal display device according to item 1. 少なくとも前記有機絶縁膜は、平面的に観て、前記シール材の内周を結ぶ仮想の線を越えて、前記第1基板の端部から後退させて形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。   The at least organic insulating film is formed so as to recede from an end portion of the first substrate across a virtual line connecting an inner periphery of the sealing material in a plan view. 2. A liquid crystal display device according to 1. 前記第1基板の前記液晶側の面に薄膜トランジスタが形成され、前記有機絶縁膜は前記薄膜トランジスタの上層に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。   2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a thin film transistor is formed on a surface of the first substrate on the liquid crystal side, and the organic insulating film is formed on an upper layer of the thin film transistor. 前記封止剤は、絶縁性微粒子が混合されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the sealing agent is mixed with insulating fine particles. 液晶を挟持して対向配置される第1基板と第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に配置されて前記液晶を封入するシール材とを備え、
前記シール材は、その一部に封止剤によって封止される封入口が形成されて構成され、
前記第1基板の前記液晶側の面に絶縁膜が形成され、前記絶縁膜は、前記シール材の形成領域を超えて前記第1基板の端辺から0mmより大きく0.5mmより小さい値で離間されて形成されている液晶表示装置であって、
前記絶縁膜は、有機絶縁膜を含む複数の絶縁膜の積層体からなり、前記有機絶縁膜は、膜厚が2μm以上であり、前記積層体は、前記シール材の前記封入口が形成されている部分において、前記第1基板の端部から0.5mm以上の値で後退させて形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
A first substrate and a second substrate that are arranged opposite to each other with a liquid crystal sandwiched between them;
A sealing material disposed between the first substrate and the second substrate and enclosing the liquid crystal;
The sealing material is configured by forming a sealing port sealed with a sealant in a part thereof,
An insulating film is formed on the liquid crystal side surface of the first substrate, and the insulating film is separated from the edge of the first substrate by a value greater than 0 mm and less than 0.5 mm beyond the sealing material formation region. A liquid crystal display device formed,
The insulating film is composed of a stacked body of a plurality of insulating films including an organic insulating film, the organic insulating film has a thickness of 2 μm or more, and the stacked body is formed with the sealing port of the sealing material. The liquid crystal display device is characterized by being formed to recede at a value of 0.5 mm or more from the end portion of the first substrate.
前記積層体は、平面的に観て、前記シール材の内周を結ぶ仮想の線を越えることなく、前記第1基板の端部から後退させて形成されていることを特徴とする請求項6に記載の液晶表示装置。   The laminated body is formed so as to recede from an end portion of the first substrate without crossing an imaginary line that connects the inner circumferences of the sealing material in a plan view. A liquid crystal display device according to 1. 前記積層体は、平面的に観て、前記シール材の内周を結ぶ仮想の線を越えて、前記第1基板の端部から後退させて形成されていることを特徴とする請求項6に記載の液晶表示装置。   7. The laminate according to claim 6, wherein the laminate is formed so as to recede from an end portion of the first substrate across a virtual line connecting the inner circumferences of the sealing material in a plan view. The liquid crystal display device described. 前記第1基板の前記液晶側の面に薄膜トランジスタが形成され、前記有機絶縁膜は前記薄膜トランジスタの上層に形成されていることを特徴とする請求項6に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 6, wherein a thin film transistor is formed on a surface of the first substrate on the liquid crystal side, and the organic insulating film is formed on an upper layer of the thin film transistor. 液晶を挟持して対向配置される第1基板と第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に配置されて前記液晶を封入するシール材とを備え、
前記シール材は、その一部に封止剤によって封止される封入口が形成されて構成され、
前記第1基板の前記液晶側の面に絶縁膜が形成され、前記絶縁膜は、前記シール材の形成領域を超えて前記第1基板の端辺から0mmより大きく0.5mmより小さい値で離間されて形成されている液晶表示装置であって、
前記絶縁膜は、有機絶縁膜を含む複数の絶縁膜の積層体からなり、前記有機絶縁膜は、膜厚が2μm以上であり、前記積層体は、前記シール材の前記封入口が形成されている部分において、その側壁面が前記第1基板の端部の側壁面と同一の平面内に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
A first substrate and a second substrate that are arranged opposite to each other with a liquid crystal sandwiched between them;
A sealing material disposed between the first substrate and the second substrate and enclosing the liquid crystal;
The sealing material is configured by forming a sealing port sealed with a sealant in a part thereof,
An insulating film is formed on the liquid crystal side surface of the first substrate, and the insulating film is separated from the edge of the first substrate by a value greater than 0 mm and less than 0.5 mm beyond the sealing material formation region. A liquid crystal display device formed,
The insulating film is composed of a stacked body of a plurality of insulating films including an organic insulating film, the organic insulating film has a thickness of 2 μm or more, and the stacked body is formed with the sealing port of the sealing material. The liquid crystal display device is characterized in that the side wall surface is formed in the same plane as the side wall surface of the end portion of the first substrate.
前記第1基板の前記液晶側の面に薄膜トランジスタが形成され、前記有機絶縁膜は前記薄膜トランジスタの上層に形成されていることを特徴とする請求項10に記載の液晶表示装置。   11. The liquid crystal display device according to claim 10, wherein a thin film transistor is formed on a surface of the first substrate on the liquid crystal side, and the organic insulating film is formed on an upper layer of the thin film transistor.
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