JP2010161189A - Substrate positioning apparatus and substrate positioning method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate positioning apparatus improved in accuracy and the yield of a reticle by correcting a reticle precursor position by measuring slippage of a pattern center with respect to a reticle center in a mask drawing apparatus, and to provide a substrate positioning method. <P>SOLUTION: The substrate positioning device includes: a plurality of positioning means (positioning pins) each having an actuator built-in for positioning the substrate by pressing the substrate against them; and a control unit positioning the substrate by controlling the actuators. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板位置決め装置及び基板位置決め方法に関し、特に、半導体のリソグラフィプロセスに用いられるレチクル基板の位置決め装置及び基板位置決め方法に関するものである。   The present invention relates to a substrate positioning apparatus and a substrate positioning method, and more particularly to a reticle substrate positioning apparatus and a substrate positioning method used in a semiconductor lithography process.

一般に、半導体デバイスの製造プロセスなど微細加工が要求されるパターンの形成には、レチクルと呼ばれる原版を用い、スキャナーやステッパーと呼ばれる縮小投影露光装置(以下、露光装置という。)によりウェハにパターンを転写するいわゆるフォトリソグラフィ法が使われている。ここで、レチクルとは、半導体デバイスの製作工程でウェハ上に高集積な電気回路パターンを露光するために使用されるフォトマスクをいう。レチクルには、通常複数個のアラインメントマークが備え付けられており、露光装置のレチクル固定ステージ上に装填される際の位置決めや、ウェハ上に形成されているパターンに対して露光する際の重ね合わせに用いられる。   In general, a pattern requiring fine processing such as a semiconductor device manufacturing process is formed by using an original plate called a reticle and transferring the pattern onto a wafer by a reduction projection exposure apparatus (hereinafter referred to as an exposure apparatus) called a scanner or a stepper. The so-called photolithography method is used. Here, the reticle refers to a photomask used to expose a highly integrated electric circuit pattern on a wafer in a semiconductor device manufacturing process. A reticle is usually provided with a plurality of alignment marks for positioning when loaded on a reticle fixing stage of an exposure apparatus and for overlaying when a pattern formed on a wafer is exposed. Used.

レチクルに形成されたパターンの中心位置は、レチクル中心に対しズレがあることが普通である。このズレ分を調整するために、レチクル固定ステージに備え付けられている基準マークとレチクル上のアラインメントマークの間で位置合わせが行われる。つまり、レチクルステージ上で基準マークとアラインメントマークとを合わせる様にレチクルもしくはレチクルステージを移動させる機構が備え付けられている。   In general, the center position of the pattern formed on the reticle is shifted from the center of the reticle. In order to adjust this misalignment, alignment is performed between the reference mark provided on the reticle fixing stage and the alignment mark on the reticle. In other words, a reticle or a mechanism for moving the reticle stage is provided so that the reference mark and the alignment mark are aligned on the reticle stage.

レチクルには上述した機構があるものの、パターンの中心位置はレチクル中心に対してある精度内に収まる必要がある。これは、ズレによりレチクルステージ上でレチクルを固定する真空吸着部分からはみ出してしまうためである。   Although the reticle has the above-described mechanism, the center position of the pattern needs to be within a certain accuracy with respect to the reticle center. This is because the protrusion sticks out from the vacuum suction portion that fixes the reticle on the reticle stage.

また、多段構造を有するレチクルである超解像マスクなどは、アラインメントマークを含む1層目のレチクルパターンをエッチングした後、2層目の描画を行う。この時、1層目で形成したアラインメントマーク情報を描画装置が検出し、1層目に重ね合わせるように2層目のパターンを描画するが、1層目のパターン中心がレチクル中心とずれていることにより、2層目の描画時に不具合をもたらす場合がある。   In addition, for a super-resolution mask that is a reticle having a multi-stage structure, the first-layer reticle pattern including the alignment mark is etched, and then the second-layer drawing is performed. At this time, the drawing apparatus detects the alignment mark information formed in the first layer and draws the pattern of the second layer so as to overlap the first layer, but the pattern center of the first layer is shifted from the reticle center. As a result, there may be a problem when drawing the second layer.

マスク描画装置のステージは、露光装置のレチクルステージとは異なり回転機構を有していないのが普通であり、2層目のパターン描画時にレチクルが描画ステージ内で回転ズレが生じている場合、ステージの移動方向とパターン描画方向の両方を回転ズレ方向に合わせる必要がある。   Unlike the reticle stage of the exposure apparatus, the stage of the mask drawing apparatus normally does not have a rotation mechanism. When the reticle is rotated in the drawing stage during pattern drawing of the second layer, the stage It is necessary to match both the movement direction of the pattern and the pattern drawing direction with the rotation shift direction.

現在の半導体用レチクルは、そのパターン集積度の高さから、レーザよりも解像性が高い電子線を露光源とする可変成形方式の描画装置でパターニングされる事が主流である。これは、電子銃から照射された電子ビームを2つのスリットを通じて矩形や三角形などの任意サイズのビームを作成するものである。   Due to the high degree of pattern integration, the current semiconductor reticles are mainly patterned by a variable shaping type drawing apparatus using an electron beam having a higher resolution than a laser as an exposure source. This is to create a beam of an arbitrary size such as a rectangle or a triangle through two slits from an electron beam irradiated from an electron gun.

具体的には、電子銃から照射された電子線が第1成形スリットを通過して、一定サイズの形状に整えられたのち、第2成形スリット上に投影される。この投影時に成形偏向器によって第2成形スリット上に投影されるビーム位置を制御することで、ビームの形状及び寸法を変化させている。   Specifically, the electron beam irradiated from the electron gun passes through the first shaping slit, is adjusted to a certain size, and then projected onto the second shaping slit. By controlling the beam position projected onto the second shaping slit by the shaping deflector at the time of projection, the shape and size of the beam are changed.

このように、ビーム自体が成形されている場合はレチクル原版の回転に合わせて描画を行う際に、ビームの走査方向だけでなく、成形ビームそのものを回転させる必要があり、回転ステージを持たないこともあわせて、可変成形方式の電子線描画装置を用いた重ね描画は非常に困難が伴う場合がある。そのため、可変成形方式の描画装置では、重ね描画時の保証精度として、アラインメントマークから算出したレチクルの回転ズレ量に制限値が設けられている。   In this way, when the beam itself is shaped, it is necessary to rotate not only the beam scanning direction but also the shaped beam itself when performing drawing in accordance with the rotation of the reticle master, and there is no rotation stage. In addition, there are cases where it is very difficult to perform overdrawing using a variable shaping type electron beam drawing apparatus. For this reason, in the variable shaping type drawing apparatus, a limit value is provided for the amount of rotational deviation of the reticle calculated from the alignment mark as the guaranteed accuracy at the time of overlapping drawing.

上述したように、レチクルパターンのレチクル中心に対する位置ズレの許容度は非常に小さく、マスク描画装置内でレチクル原版が正しい位置に装填される事が重要となる。   As described above, the tolerance of positional deviation with respect to the reticle center of the reticle pattern is very small, and it is important that the reticle original is loaded at the correct position in the mask drawing apparatus.

以下、レチクル原版固定手順について説明する。図2乃至図5は、従来の基板位置決め装置の基板位置決め手順を示す概略断面図である。具体的には、電子線マスク描画装置のステージ部を示している。図2に示すように、基板21を搬送し、位置を規定し、ステージ22に固定する構成が示されている。基板21は、非図示のロードロック室を経由し、真空中のステージ部へ運ばれる。その後、図3に示すように、搬送機23により基板21は基板下面支持部24に設置される。続いて、図4に示すように、Y方向押し当てピン25が基板21をY方向位置決めピン26に突き当たるまで押し付け、その状態でX方向押し当てピン27が基板21をX方向位置決めピン28に突き当たるまで押し付ける。このようにして位置決めが行われた基板21は、図5に示すように、基板下面支持部24に対向する位置に設置された基板上面支持部29に挟まれる形で、ステージに固定される。このように上下方向から基板21を固定するのは、固定の際に機械的ストレスで基板21が歪み、パターンの位置精度に影響を及ぼさないようにするためである。   Hereinafter, the reticle master fixing procedure will be described. 2 to 5 are schematic sectional views showing a substrate positioning procedure of a conventional substrate positioning apparatus. Specifically, the stage part of the electron beam mask drawing apparatus is shown. As shown in FIG. 2, the structure which conveys the board | substrate 21, prescribes | regulates a position, and fixes to the stage 22 is shown. The substrate 21 is carried to a stage part in a vacuum via a load lock chamber (not shown). After that, as shown in FIG. 3, the substrate 21 is placed on the substrate lower surface support portion 24 by the transporter 23. Next, as shown in FIG. 4, the Y-direction pressing pin 25 presses the substrate 21 until it hits the Y-direction positioning pin 26, and in this state, the X-direction pressing pin 27 hits the substrate 21 against the X-direction positioning pin 28. Press until. As shown in FIG. 5, the substrate 21 thus positioned is fixed to the stage so as to be sandwiched between the substrate upper surface support portions 29 installed at positions facing the substrate lower surface support portions 24. The reason why the substrate 21 is fixed from above and below is to prevent the substrate 21 from being distorted by mechanical stress at the time of fixing and affecting the position accuracy of the pattern.

上述したように、レチクル原版は描画装置内において外形基準で位置決めが行われ、上下方向から対向した数箇所の固定部によって描画ステージに固定される。図4に示す押し当て時にレチクル原版が固定ピン側に正しく突き当たらないと、レチクルが描画ステージに対してずれてしまったまま描画が行われることになる。また、図5に示す基板21の固定が不完全だと描画が進行してステージが移動するうちに、レチクル原版が固定部からずれてしまう場合がある。   As described above, the reticle original plate is positioned on the basis of the outer shape in the drawing apparatus, and is fixed to the drawing stage by several fixing portions opposed in the vertical direction. If the reticle original plate does not correctly hit the fixed pin side at the time of pressing shown in FIG. 4, drawing is performed while the reticle is displaced from the drawing stage. Further, if the fixing of the substrate 21 shown in FIG. 5 is incomplete, the reticle master may be displaced from the fixing portion while the drawing proceeds and the stage moves.

レチクル原版の位置決めズレを修正するために、例えば並進、回転方向にレチクルを微調整できる精密レチクル搬送ロボットを採用することなどが考えられる。しかし、これは描画装置のチャンバー内に、描画ステージ以外の別の精密制御装置を設置することになり、そのユニット自身の較正、メンテナンスが必要となってしまう。これは結果としてマスク装置の負荷を大きく増やすことになってしまう。   In order to correct the misalignment of the reticle original plate, for example, it is conceivable to employ a precision reticle transport robot that can finely adjust the reticle in the translational and rotational directions. However, this means that another precision control device other than the drawing stage is installed in the chamber of the drawing device, and calibration and maintenance of the unit itself are required. As a result, the load on the mask apparatus is greatly increased.

特開2006−351750号公報JP 2006-351750 A

本発明は、マスク描画装置内でレチクル中心に対するパターン中心のズレを測定し、レチクル原版位置を修正することができ、レチクルの精度と収率の向上を図ることができる基板位置決め装置及び基板位置決め方法を提供することである。   The present invention relates to a substrate positioning apparatus and a substrate positioning method capable of measuring a deviation of a pattern center with respect to a reticle center in a mask drawing apparatus, correcting the reticle original position, and improving the accuracy and yield of the reticle. Is to provide.

本発明の請求項1に係る発明は、それぞれアクチュエータを内蔵し基板を押し当てることによって基板の位置決めを行う複数の位置決め手段と、アクチュエータを制御して、基板の位置決めする制御ユニットと、を備えることを特徴とする基板位置決め装置としたものである。   The invention according to claim 1 of the present invention includes a plurality of positioning means each of which includes an actuator and presses the substrate to position the substrate, and a control unit that controls the actuator to position the substrate. A substrate positioning apparatus characterized by the above.

本発明の請求項2に係る発明は、ステージ上に配置され、基板を支持する基板支持部と、それぞれアクチュエータを内蔵し基板の位置決めを行う複数の位置決め手段と、ステージ内に基板を搬送し、基板を複数の位置決め手段に接触させるように基板を基板支持部上に載置する基板搬送手段と、基板の端面の位置を計測する複数の基板位置検出手段と、複数の基板位置検出手段の出力に応じて、アクチュエータを制御して基板を位置決めする制御ユニットと、を備えることを特徴とする基板位置決め装置としたものである。   The invention according to claim 2 of the present invention is arranged on a stage and supports a substrate, a plurality of positioning means for positioning the substrate, each having a built-in actuator, and transporting the substrate into the stage, Substrate transport means for placing the substrate on the substrate support so that the substrate contacts the plurality of positioning means, a plurality of substrate position detection means for measuring the position of the end face of the substrate, and outputs of the plurality of substrate position detection means And a control unit for positioning the substrate by controlling the actuator according to the above.

本発明の請求項3に係る発明は、基板位置検出手段は、基板の端面との距離、又は基板上に形成されたアラインメントマークの位置を測定することを特徴とする請求項2に記載の基板位置決め装置としたものである。   The substrate according to claim 3 of the present invention is characterized in that the substrate position detecting means measures the distance from the end face of the substrate or the position of the alignment mark formed on the substrate. This is a positioning device.

本発明の請求項4に係る発明は、ステージ内に基板を搬送し、基板を複数の位置決め手段に接触させ、基板の側面の位置を干渉計により測定し、測定の結果に基づいて複数の位置決め手段の基板の接触箇所に内蔵されたアクチュエータを制御して基板の位置を補正することを特徴とする基板位置決め方法としたものである。   In the invention according to claim 4 of the present invention, the substrate is conveyed into the stage, the substrate is brought into contact with a plurality of positioning means, the position of the side surface of the substrate is measured by an interferometer, and the plurality of positioning is performed based on the measurement result. The substrate positioning method is characterized in that the position of the substrate is corrected by controlling an actuator built in the contact portion of the means of the substrate.

本発明の請求項5に係る発明は、測定は、基板の端面との距離の測定、又は基板上に形成されたアラインメントマークの位置の測定であることを特徴とする請求項4に記載の基板位置決め方法としたものである。   The invention according to claim 5 of the present invention is characterized in that the measurement is measurement of a distance from an end face of the substrate or measurement of a position of an alignment mark formed on the substrate. This is a positioning method.

本発明によれば、マスク描画装置内でレチクル中心に対するパターン中心のズレを測定し、レチクル原版位置を修正することができ、レチクルの精度と収率の向上を図ることができる基板位置決め装置及び基板位置決め方法を提供することができる。   According to the present invention, a substrate positioning apparatus and a substrate capable of measuring the deviation of the pattern center with respect to the center of the reticle in the mask drawing apparatus, correcting the reticle original plate position, and improving the accuracy and yield of the reticle. A positioning method can be provided.

本発明の実施の形態に係る基板位置決め装置を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the board | substrate positioning device which concerns on embodiment of this invention. 従来の基板位置決め装置の基板位置決めの手順を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the procedure of the board | substrate positioning of the conventional board | substrate positioning apparatus. 従来の基板位置決め装置の基板位置決めの手順を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the procedure of the board | substrate positioning of the conventional board | substrate positioning apparatus. 従来の基板位置決め装置の基板位置決めの手順を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the procedure of the board | substrate positioning of the conventional board | substrate positioning apparatus. 従来の基板位置決め装置の基板位置決めの手順を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the procedure of the board | substrate positioning of the conventional board | substrate positioning apparatus.

以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しつつ、説明する。実施の形態において、同一構成要素には同一符号を付け、実施の形態の間において重複する説明は省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the embodiments, the same components are denoted by the same reference numerals, and redundant description among the embodiments is omitted.

図1は、本発明の実施の形態に係る基板位置決め装置を示す概略断面図である。ここで、本発明の実施の形態に係る基板位置決め装置とは、マスク描画装置内でレチクルの位置を決める装置をいう。図1に示すように、本発明の実施の形態に係る基板位置決め装置は、ステージ上に配置されて、基板を支持する基板支持部、それぞれアクチュエータを内蔵し基板の位置決めを行う位置決め手段(位置決めピン)10、ステージ内に基板を搬送して、基板を複数の位置決め手段に接触させるように基板を基板支持部上に載置する基板搬送手段、基板の端面の位置を計測する複数の基板位置検出手段(干渉計)11、複数の基板位置検出手段の出力に応じて、アクチュエータを制御して基板を位置決めする制御ユニット12を備えている。   FIG. 1 is a schematic sectional view showing a substrate positioning apparatus according to an embodiment of the present invention. Here, the substrate positioning apparatus according to the embodiment of the present invention refers to an apparatus that determines the position of the reticle in the mask drawing apparatus. As shown in FIG. 1, a substrate positioning apparatus according to an embodiment of the present invention includes a substrate support unit that supports a substrate and positioning means (positioning pins) for positioning the substrate, each of which incorporates an actuator. 10) Substrate transport means for transporting the substrate into the stage and placing the substrate on the substrate support so that the substrate is brought into contact with the plurality of positioning means, and multiple substrate position detections for measuring the position of the end face of the substrate A means (interferometer) 11 and a control unit 12 for positioning the substrate by controlling the actuator according to the outputs of the plurality of substrate position detecting means are provided.

図1に示すように、本発明の実施の形態に係る基板位置決め装置は、図2に示す従来の基板位置決め装置とは異なり、位置決めピンの基板接触箇所にアクチュエータ10が内蔵されている。アクチュエータ10には油圧や空気圧、電磁式など様々な種類があるが、その中でも圧電式は小型で応答速度が速く、サブミクロン単位の精密な伸縮動作を行う事ができる。例えば、6インチサイズの角型基板の場合、0.1mrad回転させるためには、基板が約8μm回転方向に移動すればよい。本発明の実施の形態においては、突き当て方式のアラインメント精度を考慮すると、圧電アクチュエータ10は充分な位置制御分解能を有している。基板Y方向の固定ピンは2本あるので、この2箇所のアクチュエータ10を個々に制御することにより、レチクル原版の回転が可能となる。   As shown in FIG. 1, the substrate positioning device according to the embodiment of the present invention has an actuator 10 built in the substrate contact portion of the positioning pin, unlike the conventional substrate positioning device shown in FIG. 2. There are various types of actuators 10 such as hydraulic pressure, pneumatic pressure, electromagnetic type, etc. Among them, the piezoelectric type is small and has a fast response speed, and can perform precise expansion and contraction operation in submicron units. For example, in the case of a 6-inch square substrate, in order to rotate by 0.1 mrad, the substrate may be moved in the direction of rotation of about 8 μm. In the embodiment of the present invention, the piezoelectric actuator 10 has a sufficient position control resolution in consideration of the alignment accuracy of the butting method. Since there are two fixing pins in the substrate Y direction, the reticle master can be rotated by individually controlling these two actuators 10.

また、本発明の実施の形態においては、レチクル端面位置を計測する干渉計11を備えている。干渉計11も様々な方式があるが、対象物質であるレチクルは光透過性を有するガラス製であるので、反射率を高めるために斜入射方式の干渉計11を用いる事が望ましい。また、測定精度に関しても前述したアクチュエータ10と同様に、本発明の実施の形態では数μmオーダーの精度で検出できれば充分である。   In the embodiment of the present invention, an interferometer 11 that measures the position of the reticle end surface is provided. Although there are various types of interferometers 11, since the reticle as the target material is made of glass having optical transparency, it is desirable to use the oblique incidence type interferometer 11 in order to increase the reflectance. As for the measurement accuracy, similarly to the actuator 10 described above, in the embodiment of the present invention, it is sufficient if detection can be made with an accuracy of the order of several μm.

本発明の実施の形態に係る基板位置決め装置は、干渉計11の情報に基づいて、制御ユニット12によりアクチュエータ10を制御し、同時にマスク描画装置のパラメータであるレチクルの中心位置に相当するステージ位置座標を補正することにより、レチクル原版セット時の回転、並進ズレを修正する事ができる。   The substrate positioning apparatus according to the embodiment of the present invention controls the actuator 10 by the control unit 12 based on the information of the interferometer 11, and at the same time, the stage position coordinates corresponding to the center position of the reticle, which is a parameter of the mask drawing apparatus. By correcting the above, it is possible to correct the rotation and translational deviation when the reticle original plate is set.

また、描画開始後にレチクル原版がずれた場合も、描画中や描画終了後に干渉計11によって発見することができる。さらに、重ね描画の際に1層目のアラインメントマーク情報からレチクル原版の回転が確認されれば、その回転ズレ量に基づいたレチクル回転補正は容易に行う事ができ、重ね描画精度の向上を図ることができる。   In addition, even if the reticle original plate is shifted after drawing is started, it can be detected by the interferometer 11 during drawing or after drawing is finished. Further, if the rotation of the reticle original is confirmed from the first layer alignment mark information at the time of overlay drawing, the reticle rotation correction based on the amount of the rotational deviation can be easily performed, and the overlay drawing accuracy is improved. be able to.

次に、本発明の実施の形態に係る基板位置決め方法について説明する。まず、ステージ内に基板を搬送し、基板を複数の位置決め手段に接触させる。次に、基板の側面の位置を干渉計11により測定する。干渉計11を用いて、基板の端面との距離又は基板上に形成されたアラインメントマークの位置を測定する。測定の結果に基づいて複数の位置決め手段の基板の接触箇所に内蔵されたアクチュエータ10を制御して基板の位置を補正する。   Next, a substrate positioning method according to the embodiment of the present invention will be described. First, the substrate is transferred into the stage, and the substrate is brought into contact with a plurality of positioning means. Next, the position of the side surface of the substrate is measured by the interferometer 11. The interferometer 11 is used to measure the distance from the end face of the substrate or the position of the alignment mark formed on the substrate. Based on the measurement results, the position of the substrate is corrected by controlling the actuator 10 built in the substrate contact portion of the plurality of positioning means.

次に、本発明の実施例について説明する。本発明の実施例においては、角基板精密位置決めステージを用いた。   Next, examples of the present invention will be described. In the embodiment of the present invention, a square substrate precision positioning stage was used.

図1に示すように、角基板が接触する位置決めピン(材質:PEEK)には、ピンの曲面と合致した積層圧電アクチュエータ10を3箇所の位置決めピンに埋め込み、位置決めピンが角基板と接触する位置に縦10mm×横2mmの伸縮面が露出している仕様とした。さらに、基板X方向端面の1箇所と基板Y方向端面の2箇所との側面の位置を測定する斜入射レーザ干渉計11を、基板端面から約2cm離れた位置に設置した。基板位置決め装置に6インチサイズのレチクル原版を装填し、位置決めピンと同材質からなる押し当てピンによりアラインメントを行った。   As shown in FIG. 1, in a positioning pin (material: PEEK) that comes into contact with the square substrate, a laminated piezoelectric actuator 10 that matches the curved surface of the pin is embedded in three positioning pins, and the positioning pin comes into contact with the square substrate. The specification is such that a stretchable surface of 10 mm in length and 2 mm in width is exposed. Further, an oblique incidence laser interferometer 11 that measures the positions of the side surfaces of one end surface in the substrate X direction and two end surfaces in the substrate Y direction was installed at a position approximately 2 cm away from the substrate end surface. A 6-inch reticle reticle was loaded into the substrate positioning device, and alignment was performed with a pressing pin made of the same material as the positioning pin.

位置固定後の基板端面を干渉計11で測定したところ、基板Y方向端面の2箇所の干渉計11間で0.23mmの距離差を検出した。このため、一旦レチクル原版を外し、積層圧電アクチュエータ10を調整し再びアラインメントを行う作業を行ったところ、距離差値が0.02mm以内(回転角0.1mrad以内)の値に追い込む事ができた。   When the end face of the substrate after position fixing was measured with the interferometer 11, a distance difference of 0.23 mm was detected between the two interferometers 11 on the end face in the substrate Y direction. For this reason, once the reticle original plate was removed, the laminated piezoelectric actuator 10 was adjusted and the alignment was performed again, the distance difference value could be driven to a value within 0.02 mm (with a rotation angle within 0.1 mrad). .

本発明の実施例においては、基板X方向端面の1箇所と基板Y方向端面の2箇所との側面の位置を測定する斜入射レーザ干渉計11を用いてレチクル中心に対するパターン中心のズレを測定し、レチクル原版位置のズレを積層圧電アクチュエータ10を調整し再びアラインメントを行うことで修正することができ、レチクルの精度と収率の向上を図ることができた。   In the embodiment of the present invention, the misalignment of the pattern center with respect to the reticle center is measured using the oblique incidence laser interferometer 11 that measures the position of the side surface of one end surface in the substrate X direction and two end surfaces in the substrate Y direction. The deviation of the reticle original plate position can be corrected by adjusting the laminated piezoelectric actuator 10 and performing the alignment again, and the accuracy and yield of the reticle can be improved.

10…アクチュエータ、11…干渉計、12…制御ユニット、21…基板、22…ステージ、23…搬送機、24…基板下面支持部、25…Y方向押し当てピン、26…Y方向位置決めピン、27…X方向押し当てピン、28…X方向位置決めピン、29…基板上面支持部   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Actuator, 11 ... Interferometer, 12 ... Control unit, 21 ... Board | substrate, 22 ... Stage, 23 ... Conveyor, 24 ... Substrate lower surface support part, 25 ... Y direction pressing pin, 26 ... Y direction positioning pin, 27 ... X direction pressing pin, 28 ... X direction positioning pin, 29 ... Substrate upper surface support part

Claims (5)

それぞれアクチュエータを内蔵し基板を押し当てることによって前記基板の位置決めを行う複数の位置決め手段と、
前記アクチュエータを制御して、前記基板の位置決めする制御ユニットと、
を備えることを特徴とする基板位置決め装置。
A plurality of positioning means each for positioning the substrate by pressing the substrate with a built-in actuator;
A control unit for controlling the actuator to position the substrate;
A substrate positioning apparatus comprising:
ステージ上に配置され、基板を支持する基板支持部と、
それぞれアクチュエータを内蔵し前記基板の位置決めを行う複数の位置決め手段と、
前記ステージ内に前記基板を搬送し、前記基板を前記複数の位置決め手段に接触させるように前記基板を前記基板支持部上に載置する基板搬送手段と、
前記基板の端面の位置を計測する複数の基板位置検出手段と、
前記複数の基板位置検出手段の出力に応じて、前記アクチュエータを制御して前記基板を位置決めする制御ユニットと、
を備えることを特徴とする基板位置決め装置。
A substrate support unit disposed on the stage and supporting the substrate;
A plurality of positioning means each of which incorporates an actuator and positions the substrate;
Substrate transport means for transporting the substrate into the stage and placing the substrate on the substrate support so as to contact the substrate with the plurality of positioning means;
A plurality of substrate position detecting means for measuring the position of the end face of the substrate;
A control unit for positioning the substrate by controlling the actuator in accordance with outputs of the plurality of substrate position detecting means;
A substrate positioning apparatus comprising:
前記基板位置検出手段は、前記基板の端面との距離、又は前記基板上に形成されたアラインメントマークの位置を測定することを特徴とする請求項2に記載の基板位置決め装置。   The substrate positioning apparatus according to claim 2, wherein the substrate position detecting unit measures a distance from an end face of the substrate or a position of an alignment mark formed on the substrate. ステージ内に基板を搬送し、前記基板を複数の位置決め手段に接触させ、
前記基板の側面の位置を干渉計により測定し、
前記測定の結果に基づいて前記複数の位置決め手段の前記基板の接触箇所に内蔵されたアクチュエータを制御して前記基板の位置を補正することを特徴とする基板位置決め方法。
Transport the substrate into the stage, contact the substrate with a plurality of positioning means,
Measure the position of the side of the substrate with an interferometer,
A substrate positioning method, wherein the position of the substrate is corrected by controlling an actuator built in the contact portion of the substrate of the plurality of positioning means based on the measurement result.
前記測定は、前記基板の端面との距離の測定、又は前記基板上に形成されたアラインメントマークの位置の測定であることを特徴とする請求項4に記載の基板位置決め方法。   5. The substrate positioning method according to claim 4, wherein the measurement is a measurement of a distance from an end surface of the substrate or a position of an alignment mark formed on the substrate.
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