JP2010159399A - Method for refining and obtaining resin-dissolved solution and method for producing chemically amplified photoresist composition - Google Patents

Method for refining and obtaining resin-dissolved solution and method for producing chemically amplified photoresist composition Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for refining a resin-dissolved solution, the method minimizing fine particles and dirt, etc., and significantly reducing the number of defects in a pattern. <P>SOLUTION: The method for refining the resin-dissolved solution including a step of bringing activated carbon and at least one additive selected from the group consisting of (A) a metal chloride, (B) a metal oxide, and (C) an ion exchange resin into contact with the resin-dissolved solution, a method for obtaining the resin-dissolved solution, and a method for producing a chemically amplified photoresist composition are provided. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、樹脂溶解液の精製方法、取得方法及び化学増幅型フォトレジスト組成物の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for purifying a resin solution, an acquisition method, and a method for producing a chemically amplified photoresist composition.

近年、集積回路の高集積化に伴い、サブミクロンのパターン形成が要求されるようになっている。特に、フッ化クリプトン(KrF)又はフッ化アルゴン(ArF)からのエキシマレーザーを用いるリソグラフィは、64MDRAMないし1GDRAMの製造を可能とすることから、注目されている。このようなリソグラフィプロセスに適した、いわゆる化学増幅型レジスト組成物は、通常、樹脂、酸発生剤及び溶媒からなる。
上記のような、高集積化した集積回路の製造目的で使用される化学増幅型ポジ型レジスト組成物溶液中に含まれる異物(樹脂由来による微細粒子やゴミ等)は、パターン形成時に発生する欠陥の原因になっている。よってこの問題を解決するためにフォトレジスト組成物に対して、組成物内に含まれる異物量の低減の要求は高い。
In recent years, with the high integration of integrated circuits, submicron pattern formation has been required. In particular, lithography using an excimer laser from krypton fluoride (KrF) or argon fluoride (ArF) has attracted attention because it enables the production of 64MDRAM to 1GDRAM. A so-called chemically amplified resist composition suitable for such a lithography process usually comprises a resin, an acid generator and a solvent.
Foreign substances (such as fine particles and dust derived from the resin) contained in the chemically amplified positive resist composition solution used for the purpose of manufacturing highly integrated integrated circuits as described above are defects generated during pattern formation. It is the cause. Therefore, in order to solve this problem, there is a high demand for a photoresist composition to reduce the amount of foreign matter contained in the composition.

このような化学増幅型レジスト組成物では、基本的性能、例えば、解像度、感度、プロファイル、塗布性等とともに、微細なパターンを形成する際に発生する欠陥パターンを抑制するために、樹脂由来による微細粒子及びゴミ等を極力低減させることが要求されている。また、それに伴って、組成物の長期保存安定性をも有することが要求されている。   In such a chemically amplified resist composition, in addition to basic performance, for example, resolution, sensitivity, profile, coatability, etc., in order to suppress a defect pattern generated when forming a fine pattern, a fine resin-derived fine composition is used. It is required to reduce particles and dust as much as possible. Accordingly, the composition is required to have long-term storage stability.

そこで、化学増幅型レジスト組成物の製造において、より精密な濾過を行うために、活性炭を用いる方法が提案されている(例えば、特許文献1及び2)。   Therefore, in the production of a chemically amplified resist composition, a method using activated carbon has been proposed in order to perform more precise filtration (for example, Patent Documents 1 and 2).

特開2004−326092号公報JP 2004-326092 A 特開2006−126818号公報JP 2006-126818 A

しかし、さらなる微細なパターンにおいて欠陥数を大幅に低減し、より高精度を図ることが求められている。   However, there is a demand for greatly reducing the number of defects in a finer pattern and achieving higher accuracy.

本発明は、上記課題に鑑みなされてものであり、微細粒子及びゴミ等を極力低減させ、パターンにおける欠陥数を大幅に低減することができる樹脂溶解液の精製方法、取得方法及び化学増幅型レジスト組成物の製造方法を見出し、本発明に至った。
即ち、本発明は、以下の発明を含む。
The present invention has been made in view of the above problems, and a resin solution purification method, an acquisition method, and a chemically amplified resist that can reduce fine particles and dust as much as possible and greatly reduce the number of defects in a pattern. A method for producing the composition has been found and the present invention has been achieved.
That is, the present invention includes the following inventions.

[1]樹脂溶解液に、活性炭並びに下記(A)、(B)及び(C)からなる群から選ばれる少なくとも1種の添加物質を接触させる工程を含むことを特徴とする樹脂溶解液の精製方法。
(A)金属塩化物、
(B)金属酸化物、
(C)イオン交換樹脂。
[2]前記添加物質の接触を40〜90℃で行う[1]に記載の精製方法。
[3]前記金属塩化物が、ポリ塩化アルミニウムである[1]又は[2]に記載の精製方法。
[4]前記金属酸化物が、活性アルミナ及び/又は酸化チタンである[1]又は[2]に記載の精製方法。
[5]前記樹脂溶解液が、式(I)で表される構成単位を有する樹脂を含む[1]〜[4]のいずれか1つに記載の精製方法。

Figure 2010159399
[式(I)中、Xは、単結合、−(CHk1−*、−(CHk2−CO−O−*又は−(CHk3−O−*を表す。
k1〜k3は、それぞれ独立に、1〜6の整数を表す。
*はRとの結合手を表す。
は、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数1〜6のハロゲン化アルキル基を表す。
は、炭素数5〜7のラクトン構造を有する基を表し、該ラクトン構造を有する基に含まれる水素原子は、水酸基、シアノ基、カルボキシル基、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のハロゲン化アルキル基又は炭素数1〜6のヒドロキシアルキル基で置換されていてもよく、該ラクトン構造を有する基に含まれる−CH−は、−CO−、−O−、−S−又は−N(R)−で置き換わっていてもよい。
は、水素原子又は炭素数1〜6の脂肪族炭化水素基を表す。]
[6]前記樹脂溶解液が、酸に不安定な基を有する樹脂を含む[1]〜[5]のいずれか1つに記載の精製方法。
[7]前記酸に不安定な基を有する樹脂が、(メタ)アクリル酸2−アルキル−2−アダマンチルに由来する構成単位及び(メタ)アクリル酸1−(1−アダマンチル)−1,1−ジアルキルに由来する構成単位からなる群から選ばれる少なくとも1種の構成単位を有する樹脂である[6]記載の精製方法。
[8][1]〜[7]のいずれか1つに記載の精製方法により精製された樹脂溶解液を回収する工程を含有する樹脂溶解液の取得方法。
[9][8]に記載の取得方法により取得された樹脂溶解液を精密濾過する工程を含有する[8]記載の取得方法。
[10]精密濾過で、孔径0.3μm以下のフィルタを用いる[9]記載の取得方法。
[11]精密濾過で、ポリテトラフルオロエチレン製及び/又は超高分子量ポリエチレン製のフィルタを用いる[9]又は[10]記載の取得方法。
[12][8]〜[11]のいずれか1つに記載の取得方法によって得られた樹脂溶解液に、酸発生剤を混合する工程を含有する化学増幅型フォトレジスト組成物の製造方法。
[13]さらにクエンチャーを混合する工程を含有する[12]記載の製造方法。
[14]さらに溶媒を混合する工程を含有する[12]又は[13]記載の製造方法。 [1] Purification of a resin solution characterized by including a step of bringing the resin solution into contact with activated carbon and at least one additive substance selected from the group consisting of the following (A), (B) and (C) Method.
(A) metal chloride,
(B) a metal oxide,
(C) Ion exchange resin.
[2] The purification method according to [1], wherein the additive substance is contacted at 40 to 90 ° C.
[3] The purification method according to [1] or [2], wherein the metal chloride is polyaluminum chloride.
[4] The purification method according to [1] or [2], wherein the metal oxide is activated alumina and / or titanium oxide.
[5] The purification method according to any one of [1] to [4], wherein the resin solution includes a resin having a structural unit represented by the formula (I).
Figure 2010159399
[In formula (I), X represents a single bond, — (CH 2 ) k1 — *, — (CH 2 ) k2 —CO—O— * or — (CH 2 ) k3 —O— *.
k1 to k3 each independently represents an integer of 1 to 6.
* Represents a bond to R 2 .
R 1 represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
R 2 represents a group having a lactone structure having 5 to 7 carbon atoms, and a hydrogen atom contained in the group having a lactone structure includes a hydroxyl group, a cyano group, a carboxyl group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and a carbon number It may be substituted with 1-6 of halide alkyl or hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, -CH 2 included in a group having the lactone structure - is, -CO -, - O -, - S— or —N (R c ) — may be replaced.
R c represents a hydrogen atom or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms. ]
[6] The purification method according to any one of [1] to [5], wherein the resin solution includes a resin having an acid-labile group.
[7] The resin having an acid-labile group is a structural unit derived from 2-alkyl-2-adamantyl (meth) acrylate and 1- (1-adamantyl) -1,1- (meth) acrylate. [6] The purification method according to [6], which is a resin having at least one structural unit selected from the group consisting of structural units derived from dialkyl.
[8] A method for obtaining a resin solution, comprising a step of recovering the resin solution purified by the purification method according to any one of [1] to [7].
[9] The acquisition method according to [8], comprising a step of microfiltration of the resin solution obtained by the acquisition method according to [8].
[10] The acquisition method according to [9], wherein a filter having a pore size of 0.3 μm or less is used in microfiltration.
[11] The acquisition method according to [9] or [10], wherein a filter made of polytetrafluoroethylene and / or ultrahigh molecular weight polyethylene is used for microfiltration.
[12] A method for producing a chemically amplified photoresist composition, comprising a step of mixing an acid generator with the resin solution obtained by the acquisition method according to any one of [8] to [11].
[13] The production method according to [12], further comprising a step of mixing a quencher.
[14] The production method according to [12] or [13], further comprising a step of mixing a solvent.

本発明によれば、微細粒子及びゴミ等を極力低減することができる。その結果、パターンにおける欠陥数を大幅に低減することができる。また、長期保存安定性を確保することができる。   According to the present invention, fine particles and dust can be reduced as much as possible. As a result, the number of defects in the pattern can be greatly reduced. Moreover, long-term storage stability can be ensured.

本発明の精製方法では、樹脂溶解液は、主に、フォトレジスト用樹脂を含有する溶液であり、固形又は半固形等の形態の樹脂を溶媒に溶解することにより調製してもよいし、樹脂を構成するモノマーを溶媒中で重合することにより、フォトレジスト用樹脂を含む合成溶液を製造し、それをそのまま樹脂溶解液として用いてもよい。また、合成溶液から樹脂固形分を分離して、この樹脂固形分を溶媒に溶解することにより調製してもよい。この意味では、本発明は、フォトレジスト用樹脂の製造及び/又は調製及び/又は精製方法等をも包含する。   In the purification method of the present invention, the resin solution is a solution mainly containing a photoresist resin, and may be prepared by dissolving a solid or semi-solid resin in a solvent. It is also possible to produce a synthetic solution containing a resin for photoresist by polymerizing the monomers constituting the resin in a solvent, and use it as a resin solution as it is. Moreover, you may prepare by isolate | separating resin solid content from a synthetic solution and melt | dissolving this resin solid content in a solvent. In this sense, the present invention also includes a method for producing and / or preparing and / or purifying a photoresist resin.

ここで用いられる樹脂は、通常、フォトレジスト用途に用いられるものであればどのようなものでも用いることができる。例えば、上述した特許文献1及び2に記載された樹脂、特開2008−233613号公報、特開2006−126818号公報、特開2005−331918号公報等の、種々の公知の樹脂が例示される。   As the resin used here, any resin can be used as long as it is usually used for a photoresist. For example, various known resins such as the resins described in Patent Documents 1 and 2 described above, JP2008-233613A, JP2006-126818A, JP2005-331918A, and the like are exemplified. .

中でも、樹脂は、以下の式(I)で表される構成単位を有する樹脂であることが適している。

Figure 2010159399
[式(I)中、Xは、単結合、−(CHk1−*、−(CHk2−CO−O−*又は−(CHk3−O−*を表す。
k1〜k3は、それぞれ独立に、1〜6の整数を表す。
*はRとの結合手を表す。
は、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数1〜6のハロゲン化アルキル基を表す。
は、炭素数5〜7のラクトン構造を有する基を表し、該ラクトン構造を有する基に含まれる水素原子は、水酸基、シアノ基、カルボキシル基、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のハロゲン化アルキル基又は炭素数1〜6のヒドロキシアルキル基で置換されていてもよく、該ラクトン構造を有する基に含まれる−CH−は、−CO−、−O−、−S−又は−N(R)−で置き換わっていてもよい。
は、水素原子又は炭素数1〜6の脂肪族炭化水素基を表す。] Among these, the resin is suitably a resin having a structural unit represented by the following formula (I).
Figure 2010159399
[In formula (I), X represents a single bond, — (CH 2 ) k1 — *, — (CH 2 ) k2 —CO—O— * or — (CH 2 ) k3 —O— *.
k1 to k3 each independently represents an integer of 1 to 6.
* Represents a bond to R 2 .
R 1 represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
R 2 represents a group having a lactone structure having 5 to 7 carbon atoms, hydrogen atoms contained in the group having the lactone structure, a hydroxyl group, a cyano group, a carboxyl group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, carbon atoms It may be substituted with 1-6 of halide alkyl or hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, -CH 2 included in a group having the lactone structure - is, -CO -, - O -, - S— or —N (R c ) — may be replaced.
R c represents a hydrogen atom or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms. ]

−(CHk1−*としては、メチレン基、エチレン基、n−プロピレン基、イソプロピレン基、n−ブチレン基、sec−ブチレン基、tert−ブチレン基、n−ペンチレン基、1−メチルブチレン基、2−メチルブチレン基、3−メチルブチレン基、1−エチルプロピレン基、2−エチルプロピレン基、n−ヘキシレン基、1−メチルペンチレン基、2−メチルペンチレン基、3−メチルペンチレン基、4−メチルペンチレン基、1−エチルブチレン基、2−エチルブチレン基、3−エチルブチレン基等が挙げられる。 As — (CH 2 ) k1 — *, methylene group, ethylene group, n-propylene group, isopropylene group, n-butylene group, sec-butylene group, tert-butylene group, n-pentylene group, 1-methylbutylene Group, 2-methylbutylene group, 3-methylbutylene group, 1-ethylpropylene group, 2-ethylpropylene group, n-hexylene group, 1-methylpentylene group, 2-methylpentylene group, 3-methylpentylene Group, 4-methylpentylene group, 1-ethylbutylene group, 2-ethylbutylene group, 3-ethylbutylene group and the like.

−(CHk2−CO−O−*としては、メチレンカルボニルオキシ基、エチレンカルボニルオキシ基、プロピレンカルボニルオキシ基等が例示される。なかでもメチレンカルボニルオキシ基が好ましい。
−(CHk3−O−*としては、メチレンオキシ基、エチレンオキシ基等が例示される。
Examples of — (CH 2 ) k2 —CO—O— * include a methylenecarbonyloxy group, an ethylenecarbonyloxy group, and a propylenecarbonyloxy group. Of these, a methylenecarbonyloxy group is preferable.
Examples of — (CH 2 ) k3 —O— * include a methyleneoxy group and an ethyleneoxy group.

ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素原子が挙げられ、好ましくはフッ素原子が挙げられる。   As a halogen atom, a fluorine, chlorine, bromine, and iodine atom are mentioned, Preferably a fluorine atom is mentioned.

アルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル基、1−エチルプロピル基、2−エチルプロピル基、n−ヘキシル基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、3−メチルペンチル基、4−メチルペンチル基、1−エチルブチル基、2−エチルブチル基及び3−エチルブチル基等が挙げられ、好ましくはメチル及びエチル基が挙げられ、より好ましくはメチル基が挙げられる。   Examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 3 -Methylbutyl group, 1-ethylpropyl group, 2-ethylpropyl group, n-hexyl group, 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 4-methylpentyl group, 1-ethylbutyl group, A 2-ethylbutyl group, a 3-ethylbutyl group, etc. are mentioned, Preferably a methyl and an ethyl group are mentioned, More preferably, a methyl group is mentioned.

ハロゲン化アルキル基としては、上述したアルキル基における1以上の水素原子、好ましくは全ての水素原子がハロゲン原子で置換されたものが挙げられ、好ましくはトリフルオロメチル基及びパーフルオロエチル基が挙げられ、より好ましくはトリフルオロメチル基が挙げられる。   Examples of the halogenated alkyl group include those in which one or more hydrogen atoms in the above-described alkyl group, preferably all of the hydrogen atoms are substituted with halogen atoms, preferably trifluoromethyl group and perfluoroethyl group. More preferably, a trifluoromethyl group is used.

ヒドロキシアルキル基としては、上述したアルキル基における1以上の水素原子が水酸基で置換されたものが挙げられ、好ましくはヒドロキシメチル、ヒドロキシエチル、ヒドロキシプロピル、ヒドロキシイソプロピル及びヒドロキシブチル基が挙げられる。   Examples of the hydroxyalkyl group include those in which one or more hydrogen atoms in the above-described alkyl group are substituted with a hydroxyl group, and preferably a hydroxymethyl, hydroxyethyl, hydroxypropyl, hydroxyisopropyl and hydroxybutyl group.

炭素数5〜7のラクトン構造を有する基におけるラクトン構造としては、単環式ラクトン構造及び多環式ラクトン構造が挙げられる。単環式ラクトン構造を有する基としては、下記式で表される基等が例示される。

Figure 2010159399
これらの基のXへの結合部位としては、好ましくはカルボニル基の隣接位が挙げられる。 Examples of the lactone structure in the group having a lactone structure having 5 to 7 carbon atoms include a monocyclic lactone structure and a polycyclic lactone structure. Examples of the group having a monocyclic lactone structure include groups represented by the following formulas.
Figure 2010159399
The bonding site of these groups to X is preferably the adjacent position of the carbonyl group.

多環式ラクトン構造を有する基としては、

Figure 2010159399
等が例示される。 As a group having a polycyclic lactone structure,
Figure 2010159399
Etc. are exemplified.

これらの基のXへの結合部位としては、好ましくは以下のアスタリスクで示される結合部位が挙げられる。

Figure 2010159399
Preferred examples of the binding site of these groups to X include the binding sites represented by the following asterisks.
Figure 2010159399

置換基を有する多環式ラクトン構造を有する基としては、

Figure 2010159399
As a group having a polycyclic lactone structure having a substituent,
Figure 2010159399

Figure 2010159399
等が例示される。
これらの基のXへの結合部位は、上述した多環式ラクトン構造を有する基と同様の結合部位が好ましい。
脂肪族炭化水素基としては、上述したアルキル基等と同様の基が挙げられる。
Figure 2010159399
Etc. are exemplified.
The bonding site of these groups to X is preferably the same bonding site as the group having the polycyclic lactone structure described above.
Examples of the aliphatic hydrocarbon group include the same groups as the alkyl group described above.

樹脂は、式(I)で表される構成単位を、通常5〜80モル%、好ましくは8〜70モル%、さらに好ましくは10〜60モル%含む。   The resin usually contains 5 to 80 mol%, preferably 8 to 70 mol%, more preferably 10 to 60 mol% of the structural unit represented by the formula (I).

本明細書では、特に断りのない限り、同様の置換基を有するいずれの化学構造式においても、炭素数を適宜選択しながら、後述する具体的な各置換基を適用することができる。直鎖状、分岐状又は環状いずれかをとることができるものは、特記ない限り、そのいずれをも含み、また、同一の基において、直鎖状、分岐状又は環状の部分構造が混在していてもよい。さらに、各置換基は、結合部位によって一価又は二価の置換基となり得る。   In the present specification, unless otherwise specified, specific substituents to be described later can be applied to any chemical structural formula having the same substituents while appropriately selecting the number of carbon atoms. Those which can take any of linear, branched or cyclic are included unless otherwise specified, and in the same group, linear, branched or cyclic partial structures are mixed. May be. Furthermore, each substituent can be a monovalent or divalent substituent depending on the binding site.

また、樹脂は、酸に不安定な基を有することが好ましい。酸に不安定な基とは、酸によって開裂する又は開裂しやすい基を意味し、このような性質を有する基であれば、特に限定されない。   The resin preferably has an acid labile group. The acid labile group means a group that is cleaved or easily cleaved by an acid, and is not particularly limited as long as it has such properties.

酸に不安定な基としては、例えば、エステルに含まれる酸素原子の隣接位が4級炭素原子であるアルキルエステルを有する基、アセタール型エステル及び脂環式エステル等のカルボン酸エステルを有する基等が挙げられる。なかでも、酸の作用により、カルボキシル基を与えるものが好ましい。ここで、4級炭素原子とは、水素原子以外の置換基と結合しており、水素とは結合していない炭素原子を意味する。特に、酸に不安定な基としては、エステルに含まれる酸素原子の隣接位の炭素原子が3つの炭素原子と結合した4級炭素原子であることが好ましい。   Examples of the acid-labile group include a group having an alkyl ester in which the adjacent oxygen atom contained in the ester is a quaternary carbon atom, a group having a carboxylic acid ester such as an acetal ester and an alicyclic ester, etc. Is mentioned. Especially, what gives a carboxyl group by the effect | action of an acid is preferable. Here, the quaternary carbon atom means a carbon atom that is bonded to a substituent other than a hydrogen atom and is not bonded to hydrogen. In particular, the acid labile group is preferably a quaternary carbon atom in which the carbon atom adjacent to the oxygen atom contained in the ester is bonded to three carbon atoms.

エステルに含まれる酸素原子の隣接位が4級炭素原子であるアルキルエステルを有する基としてはtert−ブチルエステル(つまり、−COO−C(CH)等が挙げられる。 Examples of the group having an alkyl ester in which the oxygen atom contained in the ester is adjacent to a quaternary carbon atom include tert-butyl ester (that is, —COO—C (CH 3 ) 3 ).

アセタール型エステルとしては、メトキシメチルエステル、エトキシメチルエステル、1−エトキシエチルエステル、1−イソブトキシエチルエステル、1−イソプロポキシエチルエステル、1−エトキシプロピルエステル、1−(2−メトキシエトキシ)エチルエステル、1−(2−アセトキシエトキシ)エチルエステル、1−〔2−(1−アダマンチルオキシ)エトキシ〕エチルエステル、1−〔2−(1−アダマンタンカルボニルオキシ)エトキシ〕エチルエステル、テトラヒドロ−2−フリルエステル及びテトラヒドロ−2−ピラニルエステル等が挙げられる。   Acetal type esters include methoxymethyl ester, ethoxymethyl ester, 1-ethoxyethyl ester, 1-isobutoxyethyl ester, 1-isopropoxyethyl ester, 1-ethoxypropyl ester, 1- (2-methoxyethoxy) ethyl ester 1- (2-acetoxyethoxy) ethyl ester, 1- [2- (1-adamantyloxy) ethoxy] ethyl ester, 1- [2- (1-adamantanecarbonyloxy) ethoxy] ethyl ester, tetrahydro-2-furyl Examples include esters and tetrahydro-2-pyranyl esters.

脂環式エステルとしては、イソボルニルエステル及び1−アルキルシクロアルキルエステル、2−アルキル−2−アダマンチルエステル、1−(1−アダマンチル)−1,1−ジアルキルエステル等のエステルに含まれる酸素原子の隣接位が4級炭素原子である脂環式エステル等が挙げられる。   As alicyclic esters, oxygen atoms contained in esters such as isobornyl esters and 1-alkyl cycloalkyl esters, 2-alkyl-2-adamantyl esters, 1- (1-adamantyl) -1,1-dialkyl esters And alicyclic esters in which the adjacent position is a quaternary carbon atom.

このようなカルボン酸エステルを有する基としては、(メタ)アクリル酸エステル、ノルボルネンカルボン酸エステル、トリシクロデセンカルボン酸エステル、テトラシクロデセンカルボン酸エステルを有する基が挙げられる。
本明細書中、(メタ)アクリル酸の記載は、アクリル酸及び/又はメタクリル酸を表す。
これらの基は、モノマーとして、例えば、2−アルキル−2−アダマンチル、1−(1−アダマンチル)−1−アルキルアルキル、(メタ)アクリル酸2−アルキル−2−アダマンチル、(メタ)アクリル酸1−(1−アダマンチル)−1−アルキルアルキル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸2−アルキル−2−アダマンチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−(1−アダマンチル)−1,1−ジアルキル等を用いて導入することができる。
とりわけ(メタ)アクリル酸2−アルキル−2−アダマンチル及び(メタ)アクリル酸1−(1−アダマンチル)−1,1−ジアルキルをモノマーとして用いた場合は、得られるレジストの解像度が優れる傾向があることから好ましい。
Examples of the group having a carboxylic acid ester include a group having a (meth) acrylic acid ester, a norbornene carboxylic acid ester, a tricyclodecene carboxylic acid ester, and a tetracyclodecene carboxylic acid ester.
In this specification, the description of (meth) acrylic acid represents acrylic acid and / or methacrylic acid.
These groups include, for example, 2-alkyl-2-adamantyl, 1- (1-adamantyl) -1-alkylalkyl, 2-alkyl-2-adamantyl (meth) acrylate, and (meth) acrylic acid 1 as monomers. -(1-adamantyl) -1-alkylalkyl, 2-alkyl-2-adamantyl 5-norbornene-2-carboxylate, 1- (1-adamantyl) -1,1-dialkyl 5-norbornene-2-carboxylate, etc. Can be introduced.
Particularly when 2-alkyl-2-adamantyl (meth) acrylate and 1- (1-adamantyl) -1,1-dialkyl (meth) acrylate are used as monomers, the resolution of the resulting resist tends to be excellent. This is preferable.

(メタ)アクリル酸2−アルキル−2−アダマンチルとしては、例えば、アクリル酸2−メチル−2−アダマンチル、メタクリル酸2−メチル−2−アダマンチル、アクリル酸2−エチル−2−アダマンチル、メタクリル酸2−エチル−2−アダマンチル、アクリル酸2−イソプロピル−2−アダマンチル、メタクリル酸2−イソプロピル−2−アダマンチル、アクリル酸2−n−ブチル−2−アダマンチル等が挙げられる。   Examples of (meth) acrylic acid 2-alkyl-2-adamantyl include 2-methyl-2-adamantyl acrylate, 2-methyl-2-adamantyl methacrylate, 2-ethyl-2-adamantyl acrylate, and methacrylic acid 2 -Ethyl-2-adamantyl, 2-isopropyl-2-adamantyl acrylate, 2-isopropyl-2-adamantyl methacrylate, 2-n-butyl-2-adamantyl acrylate and the like.

(メタ)アクリル酸1−(1−アダマンチル)−1,1−ジアルキルとしては、例えば、アクリル酸1−(1−アダマンチル)−1,1−ジメチル、アクリル酸1−(1−アダマンチル)−1,1−ジエチル、アクリル酸1−(1−アダマンチル)−1,1−ジイソプロピル、アクリル酸1−(1−アダマンチル)−1−n−ブチル−1−メチル、メタクリル酸1−(1−アダマンチル)−1,1−ジメチル、メタクリル酸1−(1−アダマンチル)−1,1−ジエチル、メタクリル酸1−(1−アダマンチル)−1,1−ジイソプロピル、メタクリル酸1−(1−アダマンチル)−1−n−ブチル−1−メチル等が挙げられる。   Examples of 1- (1-adamantyl) -1,1-dialkyl (meth) acrylate include 1- (1-adamantyl) -1,1-dimethyl acrylate and 1- (1-adamantyl) -1 acrylate. 1- (1-adamantyl) -1,1-diisopropyl acrylate, 1- (1-adamantyl) -1-n-butyl-1-methyl acrylate, 1- (1-adamantyl) methacrylate -1,1-dimethyl, 1- (1-adamantyl) -1,1-diethyl methacrylate, 1- (1-adamantyl) -1,1-diisopropyl methacrylate, 1- (1-adamantyl) -1 methacrylate -N-butyl-1-methyl and the like.

(メタ)アクリル酸2−アルキル−2−アダマンチルは、通常、2−アルキル−2−アダマンタノール又はその金属塩とアクリル酸ハライド又はメタクリル酸ハライドとの反応により製造することができる。(メタ)アクリル酸1−(1−アダマンチル)−1,1−ジアルキルは、これに準じて製造することができる。   (Meth) acrylic acid 2-alkyl-2-adamantyl can be usually produced by a reaction of 2-alkyl-2-adamantanol or a metal salt thereof with acrylic acid halide or methacrylic acid halide. (Meth) acrylic acid 1- (1-adamantyl) -1,1-dialkyl can be produced according to this.

樹脂は、酸に不安定な基を有する構成単位を、通常10〜95モル%、好ましくは15〜90モル%、さらに好ましくは20〜85モル%含む。   The resin usually contains 10 to 95 mol%, preferably 15 to 90 mol%, more preferably 20 to 85 mol% of a structural unit having an acid labile group.

また、樹脂は、上述したモノマーと共重合可能なその他の公知のモノマーに由来する構造単位を含んでいてもよい。   Further, the resin may contain a structural unit derived from another known monomer copolymerizable with the above-described monomer.

樹脂溶解液を精製するために好適に使用される樹脂としては、例えば、以下の複数のモノマーによって構成される樹脂(1)〜(31)が例示される。   As resin suitably used in order to refine | purify a resin solution, resin (1)-(31) comprised by the following several monomers is illustrated, for example.

Figure 2010159399
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中でも、ラクトン構造を有する基を有するモノマーに由来する構成単位を有する樹脂は、沈殿/析出が生じやすいことから、当該沈殿及び/又は異物等の除去において、活性炭及び添加物質の添加により相乗的な効果を示す本発明の樹脂溶解液の精製方法に好適に利用することができる。   Among them, since a resin having a structural unit derived from a monomer having a group having a lactone structure is likely to precipitate / precipitate, it is synergistic by adding activated carbon and an additive substance in the removal of the precipitate and / or foreign matters. It can utilize suitably for the purification method of the resin solution of this invention which shows an effect.

樹脂を溶解する溶媒としては、特に限定されず、上述した樹脂、特に、フォトレジスト用樹脂を溶解し得るものであれば、どのようなものを用いてもよい。
具体的には、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル類;テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサンなどのエーテル類;乳酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチル、γ−ブチロラクトン等のエステル類;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン類;n−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジアセトンアルコール等のアルコール類などが挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
The solvent for dissolving the resin is not particularly limited, and any solvent may be used as long as it can dissolve the above-described resin, particularly a photoresist resin.
Specifically, aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; glycol ether esters such as ethyl cellosolve acetate, methyl cellosolve acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate; ethers such as tetrahydrofuran and 1,4-dioxane; ethyl lactate , Esters such as ethyl acetate, butyl acetate, amyl acetate and ethyl pyruvate, γ-butyrolactone; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone, cyclohexanone; n-propyl alcohol, isopropyl alcohol, propylene glycol Examples thereof include alcohols such as monomethyl ether and diacetone alcohol. These may be used alone or in combination of two or more.

樹脂溶解液は、通常、溶解液中の樹脂濃度が1〜50重量%、さらに20〜30重量%となるように調整することが適している。活性炭及び添加物質との接触を効率的に行うためである。   The resin solution is usually suitably adjusted so that the resin concentration in the solution is 1 to 50% by weight, more preferably 20 to 30% by weight. This is for efficiently contacting the activated carbon and the additive substance.

樹脂溶解液は、活性炭と、金属塩化物、金属酸化物又はイオン交換樹脂の少なくともいずれか1種の添加物質とに接触させる。
ここでの接触は、樹脂溶解液に、活性炭及び添加物質を混合してもよいし、両者を充填したカラム中に、樹脂溶解液を加圧下又は自然落下により通すことによって行ってもよい。また、濾紙上に形成された両者の層からなる濾過床に、樹脂溶解液を圧送又は自然落下により通すことによって行ってもよい。中でも、工程の簡略化及び接触時間を制御することができることから、混合することが好ましい。
The resin solution is brought into contact with activated carbon and at least one additive substance of metal chloride, metal oxide, or ion exchange resin.
The contact here may be performed by mixing the resin solution with activated carbon and an additive substance, or by passing the resin solution through a column filled with both under pressure or by natural dropping. Moreover, you may carry out by letting a resin solution pass through the filter bed which consists of both layers formed on the filter paper by pressure feeding or natural fall. Among these, mixing is preferable because the process can be simplified and the contact time can be controlled.

活性炭は、粉末状又は顆粒状の活性炭のいずれでもよく、例えば、平均細孔直径1〜5nm、平均径10〜100μm、比表面積500〜2000m/g程度であるものが適している。このような活性炭としては、例えば、カルボラフィン(登録商標)(武田薬品工業(株)製)および白鷺(登録商標)P(日本エンバイロケミカルズ(株)製)等が挙げられる。
活性炭の使用量は、樹脂量(固形分重量)に対して、0.01〜100重量%程度、さらに1〜20重量%程度が挙げられる。
The activated carbon may be either powdered or granular activated carbon, and for example, those having an average pore diameter of 1 to 5 nm, an average diameter of 10 to 100 μm, and a specific surface area of about 500 to 2000 m 2 / g are suitable. Examples of such activated carbon include Carlabafine (registered trademark) (manufactured by Takeda Pharmaceutical Co., Ltd.) and Shirasagi (registered trademark) P (manufactured by Nippon Enviro Chemicals Co., Ltd.).
The amount of the activated carbon used is about 0.01 to 100% by weight, and more preferably about 1 to 20% by weight with respect to the resin amount (solid content weight).

添加物質は、粉末状、顆粒状、膜状、繊維状等いずれの形態であってもよい。例えば、平均細孔直径0.1〜100nm、平均径1〜1000μm、比表面積5〜10000m/g程度であるものが例示される。
金属塩化物としては、塩化アルミニウム、ポリ塩化アルミニウム、塩化マグネシウム等が例示される。
金属酸化物としては、酸化シリコン、酸化チタン、アルミナ、活性アルミナ、酸化銀、酸化銅、二酸化マンガン、酸化マグネシウム、酸化亜鉛等が例示される。
イオン交換樹脂は、陽イオン交換樹脂及び陰イオン交換樹脂のいずれでもよい。交換基としては、−SO 、−COO、−N(R) 、−N(R)等が挙げられる(ここで、Rは、メチル基、エチル基等のアルキル基を表す)。樹脂母体は、特に限定されず、スチレン系樹脂、ジビニルベンゼン系樹脂及びアクリル系樹脂等が挙げられる。
The additive substance may be in any form such as powder, granule, film, and fiber. Examples thereof include those having an average pore diameter of 0.1 to 100 nm, an average diameter of 1 to 1000 μm, and a specific surface area of about 5 to 10,000 m 2 / g.
Examples of the metal chloride include aluminum chloride, polyaluminum chloride, magnesium chloride and the like.
Examples of the metal oxide include silicon oxide, titanium oxide, alumina, activated alumina, silver oxide, copper oxide, manganese dioxide, magnesium oxide, and zinc oxide.
The ion exchange resin may be either a cation exchange resin or an anion exchange resin. Examples of the exchange group include —SO 3 , —COO , —N (R) 3 + , —N (R) 2 and the like (where R represents an alkyl group such as a methyl group or an ethyl group). ). The resin matrix is not particularly limited, and examples thereof include styrene resins, divinylbenzene resins, and acrylic resins.

これらの添加物質の使用量は、樹脂量(固形分重量)に対して、0.01〜100重量%程度、さらに1〜20重量%程度が挙げられる。特に、活性炭と同程度の量で使用することが好ましい。
このような添加物質を活性炭とともに使用することにより、予想外にも、活性炭の異物の吸着能を相乗的に向上させることができる。
The amount of these additive substances used is about 0.01 to 100% by weight, and more preferably about 1 to 20% by weight with respect to the amount of resin (solid content weight). In particular, it is preferable to use the same amount as activated carbon.
Unexpectedly, the use of such an additive substance with activated carbon can synergistically improve the ability of activated carbon to adsorb foreign substances.

接触は、例えば、0〜100℃程度、さらに40〜90℃程度で行うことが適している。また、樹脂溶解液と活性炭及び添加物質との接触時間は、通常、1分〜100時間程度、さらに2〜6時間程度が適している。接触中は、例えば、40〜90℃程度で保温されていることが適している。   The contact is suitably performed at, for example, about 0 to 100 ° C, and further about 40 to 90 ° C. In addition, the contact time between the resin solution, activated carbon and the additive substance is usually about 1 minute to 100 hours, and more preferably about 2 to 6 hours. During contact, for example, it is suitable that the temperature is kept at about 40 to 90 ° C.

樹脂溶解液と活性炭及び添加物質との接触の際又は接触の終了時に、濾過助剤を樹脂溶液に接触させてもよい。ここでの接触も、上記接触と同義である。
濾過助剤としては、後工程における活性炭等を濾過して分離する際に、目詰まりを防止するなど、物理的な流動性を付与するために好適に使用されるものである。したがって、このような作用を実現するものであれば特に限定されるものではなく、例えば、珪藻土類、シリカゲル類等が挙げられる。珪藻土類としては、ラヂオライト(登録商標)、セライト(登録商標)等の珪藻土類が挙げられる。シリカゲル類としては、シリカゲル、化学修飾型シリカゲル等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、2種以上を組合せて用いてもよい。
The filter aid may be brought into contact with the resin solution when the resin solution is contacted with the activated carbon and the additive substance or at the end of the contact. The contact here is also synonymous with the above contact.
The filter aid is suitably used for imparting physical fluidity such as prevention of clogging when the activated carbon or the like in the subsequent process is filtered and separated. Therefore, it will not specifically limit if such an effect | action is implement | achieved, For example, diatomaceous earth, silica gel, etc. are mentioned. Examples of diatomaceous earth include diatomaceous earth such as Radiolite (registered trademark) and Celite (registered trademark). Examples of silica gels include silica gel and chemically modified silica gel. These may be used alone or in combination of two or more.

濾過助剤の使用量は、活性炭1重量部に対して、0.01〜100重量部、さらに0.1〜10重量部が適している。
濾過助剤を用いる場合は、上述した樹脂溶解液と活性炭等とを接触させる際の温度範囲で添加してもよいが、通常、それよりも低温、例えば、0〜40℃程度の範囲、さらに10〜40℃程度の範囲とすることが適している。
なお、活性炭と添加物質との接触は、常圧で行うことが適しているが、加圧及び減圧状態で行ってもよい。
The amount of the filter aid used is suitably 0.01 to 100 parts by weight, and more preferably 0.1 to 10 parts by weight with respect to 1 part by weight of the activated carbon.
When using a filter aid, it may be added in the temperature range when the above-mentioned resin solution is brought into contact with activated carbon, etc., but usually at a lower temperature than that, for example, in the range of about 0 to 40 ° C., A range of about 10 to 40 ° C is suitable.
In addition, although it is suitable to perform contact with activated carbon and an additional substance at a normal pressure, you may carry out in a pressurization and pressure reduction state.

その後、上述したように、活性炭及び添加物質と、任意に濾過助剤と接触させた樹脂溶解液を回収する。
回収は、溶液から固体を単離することができる方法であればどのような方法を利用してもよい。なかでも、フィルタを利用した濾過が、操作性及び経済性の観点から好ましい。
Thereafter, as described above, the resin solution that has been brought into contact with the activated carbon, the additive substance, and optionally the filter aid is recovered.
Any method may be used for the recovery as long as the solid can be isolated from the solution. Among these, filtration using a filter is preferable from the viewpoints of operability and economy.

濾過に用いられるフィルタは、例えば、使用した溶解液に適当な耐性を有するものであればよく、ポリテトラフルオロエチレン(以下、PTFEと略すことがある。)、エチレン、ポリプロピレン、超高分子量ポリエチレン等のポリオレフィン、脂肪族系ポリアミド、芳香族系ポリアミド、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、スルホン化ポリスルホン、ポリアクリルニトリル、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリフッ化ビニリデン、セルロース、酢酸セルロース、ポリエーテル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエステル及びセラミック等を挙げることができる。溶剤耐性の点からは、PTFE及びポリオレフィンが好ましい。また、活性炭等を樹脂溶解液に接触させた際に、若干量の金属が溶出することがあり、この溶出金属を除去するために脱金フィルタを使用してもよい。脱金フィルタとしては、例えば、商品名イオンクリーン(日本ポール(株)製)などが挙げられる。   The filter used for filtration should just be what has the tolerance suitable for the used solution, for example, polytetrafluoroethylene (it may abbreviate to PTFE hereinafter), ethylene, polypropylene, ultrahigh molecular weight polyethylene, etc. Polyolefin, aliphatic polyamide, aromatic polyamide, polyethersulfone, polysulfone, sulfonated polysulfone, polyacrylonitrile, polyimide, polyvinyl alcohol, polyvinylidene fluoride, cellulose, cellulose acetate, polyether, polytetrafluoroethylene, polycarbonate , Polystyrene, polyester, ceramic and the like. From the viewpoint of solvent resistance, PTFE and polyolefin are preferred. Further, when activated carbon or the like is brought into contact with the resin solution, a slight amount of metal may be eluted, and a demetalization filter may be used to remove the eluted metal. Examples of the gold removal filter include trade name AEON CLEAN (manufactured by Nippon Pole Co., Ltd.).

濾過方法としては、自然濾過、加圧濾過、減圧濾過、遠心濾過等の方法のいずれか1種又は2種以上を組合せてもよい。フィルタリングは、1回のみ行ってもよいが、同一孔径のメンブレンフィルタ、つまり同じフィルタで複数回行ってもよいし、材料及び/又は孔径等が異なる2種以上のメンブレンフィルタで複数回行ってもよい。
上述した濾過助剤は、濾過直前に、樹脂溶解液に添加することが好ましい。
As a filtration method, you may combine any 1 type or 2 types or more of methods, such as natural filtration, pressure filtration, pressure reduction filtration, and centrifugal filtration. The filtering may be performed only once, but may be performed a plurality of times with a membrane filter having the same pore diameter, that is, the same filter, or may be performed a plurality of times with two or more kinds of membrane filters having different materials and / or pore diameters. Good.
It is preferable to add the filter aid described above to the resin solution immediately before filtration.

さらに、前記の濾過により回収された樹脂溶解液は、精密濾過の工程に付すことができる。
精密濾過とは、メンブレンフィルタを用いて、加圧濾過する操作である。
メンブレンフィルタとしては、例えば、上述したフィルタと同様の材料を用いて形成したものを利用することができる。特に、ポリテトラフルオロエチレンからなるメンブレンフィルタ及び/又は超高分子量ポリエチレンからなるメンブレンフィルタを用いることが好ましい。
Furthermore, the resin solution recovered by the filtration can be subjected to a microfiltration process.
Microfiltration is an operation of pressure filtration using a membrane filter.
As a membrane filter, what was formed using the material similar to the filter mentioned above, for example can be utilized. In particular, it is preferable to use a membrane filter made of polytetrafluoroethylene and / or a membrane filter made of ultrahigh molecular weight polyethylene.

メンブレンフィルタの孔径は、1μm程度以下であるものが好ましく、さらに、0.5μm程度以下、0.3μm程度以下のものがより好ましい。孔密度は、特に限定されるものではないが、1×10〜1×10/cm程度が挙げられる。
加圧は、用いるメンブレンフィルタの孔径、濾過に付する溶液の粘度、固形分割合等によって適宜調整することができ、例えば、1〜1000kPa程度が適している。
加圧方法は、ポンプ駆動による方法、もしくは窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガスを流路内に流入させる方法等によって、フィルタに加圧する方法が挙げられる。
The pore size of the membrane filter is preferably about 1 μm or less, and more preferably about 0.5 μm or less and about 0.3 μm or less. Pore density, but are not particularly limited, 1 × 10 7 ~1 × 10 9 / cm 2 about the like.
The pressurization can be appropriately adjusted according to the pore diameter of the membrane filter to be used, the viscosity of the solution to be filtered, the solid content ratio, and the like, and for example, about 1 to 1000 kPa is suitable.
Examples of the pressurizing method include a method of pressurizing the filter by a pump driving method or a method of flowing an inert gas such as nitrogen gas or argon gas into the flow path.

本発明の化学増幅型フォトレジスト組成物を製造するためには、上述したような回収樹脂溶解液又は精密濾過後の樹脂溶解液に、さらに、酸発生剤を混合する。
酸発生剤は、その物質自体に又はその物質を含むフォトレジストに、光、電子線等の放射線を照射することによって酸を発生する化合物である。酸発生剤から発生する酸は、樹脂に作用し、樹脂に存在する酸に不安定な基を開裂させる。
このような酸発生剤としては、例えば、オニウム塩化合物、有機ハロゲン化合物、スルホン化合物、スルホネート化合物等、上述した特許文献1及び2に記載された化合物等が挙げられる。
In order to produce the chemically amplified photoresist composition of the present invention, an acid generator is further mixed into the recovered resin solution as described above or the resin solution after microfiltration.
The acid generator is a compound that generates an acid by irradiating the substance itself or a photoresist containing the substance with radiation such as light or an electron beam. The acid generated from the acid generator acts on the resin and cleaves the acid labile group present in the resin.
Examples of such an acid generator include compounds described in Patent Documents 1 and 2 described above, such as an onium salt compound, an organic halogen compound, a sulfone compound, and a sulfonate compound.

具体的には、ジフェニルヨードニウム・トリフルオロメタンスルホネート、4−メトキシフェニルフェニルヨードニウム・ヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウム・ヘキサフルオロホスフェート、トリ(4−メチルフェニル)スルホニウム・トリフルオロメタンスルホネート、4−メチルフェニルジフェニルスルホニウム・パーフルオロブタンスルホネート、p−トリルジフェニルスルホニウム・トリフルオロメタンスルホネート、2,4,6−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム・トリフルオロメタンスルホネート、1−(2−ナフトイルメチル)チオラニウム・トリフルオロメタンスルホネート、4−ヒドロキシ−1−ナフチルジメチルスルホニウム・ヘキサフルオロアンチモネート、2−メチル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(2,4−ジメトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、1−ベンゾイル−1−フェニルメチル・p−トルエンスルホネート(通称ベンゾイントシレート)、ジフェニル・ジスルホン、ジ−p−トリル・ジスルホン、ビス(フェニルスルホニル)ジアゾメタン、N−(フェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、(5−プロピルスルホニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、(オキシジ−4,1−フェニレン)ビスジフェニルスルホニウム・ビス(メタンスルホネート)、(オキシジ−4,1−フェニレン)ビスジフェニルスルホニウム・ビス(トリフルオロ−N−〔(パーフルオロメチル)スルホニル〕スルホネート)、(オキシジ−4,1−フェニレン)ビスジフェニルスルホニウム・ビス(テトラフルオロボレート)、トリフェニルスルホニウム・(アダマンタン−1−イルメチル)オキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート等が例示される。   Specifically, diphenyliodonium / trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenylphenyliodonium / hexafluoroantimonate, triphenylsulfonium / hexafluorophosphate, tri (4-methylphenyl) sulfonium / trifluoromethanesulfonate, 4-methylphenyldiphenyl Sulfonium / perfluorobutanesulfonate, p-tolyldiphenylsulfonium / trifluoromethanesulfonate, 2,4,6-trimethylphenyldiphenylsulfonium / trifluoromethanesulfonate, 1- (2-naphthoylmethyl) thiolanium / trifluoromethanesulfonate, 4-hydroxy -1-naphthyldimethylsulfonium hexafluoroantimonate, 2-methyl-4,6- (Trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (2,4-dimethoxystyryl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 1-benzoyl-1-phenyl Methyl p-toluenesulfonate (commonly known as benzoin tosylate), diphenyl disulfone, di-p-tolyl disulfone, bis (phenylsulfonyl) diazomethane, N- (phenylsulfonyloxy) succinimide, (5-propylsulfonyloxyimino-5H -Thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile, (oxydi-4,1-phenylene) bisdiphenylsulfonium bis (methanesulfonate), (oxydi-4,1-phenylene) bisdiphenylsulfonium bis ( Trifluoro-N-[(Perf Oromechiru) sulfonyl] sulfonate), (oxydi-4,1-phenylene) bis diphenyl sulfonium bis (tetrafluoroborate), triphenyl sulfonium (adamantan-1-ylmethyl) oxycarbonyl difluoromethane sulfonate, and the like.

酸発生剤は、化学増幅型フォトレジスト組成物において、その全固形分量を基準に、酸発生剤を0.1〜20重量%程度の範囲で含有することが好ましい。ここで、全固形分量とは、組成物全量から溶媒量を差し引いた量を意味する。   In the chemically amplified photoresist composition, the acid generator preferably contains the acid generator in a range of about 0.1 to 20% by weight based on the total solid content. Here, the total solid content means an amount obtained by subtracting the solvent amount from the total composition amount.

また、化学増幅型フォトレジスト組成物には、さらに、溶媒及び/又はクエンチャーを混合してもよい。
溶媒としては、各成分を溶解し、適当な乾燥速度を有し、溶媒が蒸発した後に均一で平滑な塗布膜を与えるものであればよく、上述したように、この分野で一般に用いられている溶媒を使用することができる。
溶媒は、化学増幅型フォトレジスト組成物において、その全固形分量が2〜30重量%程度の範囲で含有されるような量で用いることが適している。
Further, a solvent and / or a quencher may be further mixed with the chemically amplified photoresist composition.
Any solvent may be used as long as it dissolves each component, has an appropriate drying rate, and gives a uniform and smooth coating film after the solvent evaporates. As described above, it is generally used in this field. A solvent can be used.
In the chemically amplified photoresist composition, the solvent is suitably used in such an amount that the total solid content is in the range of about 2 to 30% by weight.

クエンチャーとしては、塩基性化合物、特に塩基性含窒素有機化合物、例えば、アミン類が挙げられる。クエンチャーを添加することにより、露光後の引き置きに伴う酸の失活による性能劣化を改良することができる。
塩基性化合物は、特開2006−126818号公報に例示されているような、以下の各式で示されるものが挙げられる。
The quencher includes basic compounds, particularly basic nitrogen-containing organic compounds such as amines. By adding a quencher, it is possible to improve the performance deterioration due to the deactivation of the acid accompanying the holding after exposure.
Examples of the basic compound include those represented by the following formulas as exemplified in JP-A-2006-126818.

Figure 2010159399
Figure 2010159399

[式中、R21及びR22は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。これらアルキル基等は、置換基を有していてもよい。
23、R24及びR25は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアルコキシ基を表す。これらアルキル基等は、置換基を有していてもよい。
26は、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。これらアルキル基は、置換基を有していてもよい。
27、R28、R29及びR30は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。これらアルキル基等は、置換基を有していてもよい。
Aは、アルキレン基、カルボニル基、イミノ基、スルフィド基又はジスルフィド基を表す。]
[Wherein, R 21 and R 22 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group. These alkyl groups and the like may have a substituent.
R 23 , R 24 and R 25 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an alkoxy group. These alkyl groups and the like may have a substituent.
R 26 represents an alkyl group or a cycloalkyl group. These alkyl groups may have a substituent.
R 27 , R 28 , R 29 and R 30 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group. These alkyl groups and the like may have a substituent.
A represents an alkylene group, a carbonyl group, an imino group, a sulfide group or a disulfide group. ]

また、クエンチャーとして、特開平11−52575号公報に開示されているような、ピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物を用いてもよい。   Further, as a quencher, a hindered amine compound having a piperidine skeleton as disclosed in JP-A-11-52575 may be used.

クエンチャーは、化学増幅型フォトレジスト組成物において、その全固形分量を基準に、0.01〜1重量%程度の範囲で含有することが好ましい。   The quencher is preferably contained in the range of about 0.01 to 1% by weight based on the total solid content in the chemically amplified photoresist composition.

本発明の組成物は、必要に応じて、増感剤、溶解抑止剤、他の樹脂、界面活性剤、安定剤、染料など、各種の添加物を、本発明の目的を損なわない範囲で含有することもできる。   The composition of the present invention contains various additives such as sensitizers, dissolution inhibitors, other resins, surfactants, stabilizers, dyes, and the like as necessary, as long as the object of the present invention is not impaired. You can also

本発明の化学増幅型フォトレジスト組成物は、上述したように、酸発生剤等の種々の成分を添加/混合した後、必要に応じて、上述したような自然濾過、加圧濾過、減圧濾過、遠心濾過等の濾過及び/又は精密濾過に付してもよい。この場合の条件は、上記と同様とすることができる。
本発明の精製方法によれば、半導体塗布膜用溶液は、レジスト塗布膜上の欠陥の数を大幅に低減できるだけでなく、経時によるレジスト液の変質によるレジスト塗布膜上の欠陥も大幅に低減でき、長期保存安定性を有するので、半導体製造のためのArFやKrFなどのエキシマレーザーリソグラフィに好適に用いられる。
As described above, the chemically amplified photoresist composition of the present invention is added with / mixing various components such as an acid generator, and then, as necessary, natural filtration, pressure filtration, and vacuum filtration as described above. , Filtration such as centrifugal filtration and / or microfiltration may be performed. The conditions in this case can be the same as described above.
According to the purification method of the present invention, the solution for a semiconductor coating film can not only greatly reduce the number of defects on the resist coating film, but also can greatly reduce defects on the resist coating film due to deterioration of the resist solution over time. Since it has long-term storage stability, it is suitably used for excimer laser lithography such as ArF or KrF for semiconductor manufacturing.

以下、本発明のフォトレジスト用樹脂及び化学増幅型フォトレジスト組成物の製造方法を、実施例によって詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例及び比較例中、含有量ないし使用量を表す%及び部は、特記されないかぎり重量基準である。
Hereinafter, although the resin for photoresist of this invention and the manufacturing method of a chemically amplified photoresist composition of this invention are demonstrated in detail by an Example, this invention is not limited to these.
In Examples and Comparative Examples, “%” and “part” representing the content or amount used are based on weight unless otherwise specified.

得られた樹脂の平均分子量は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィによって算出した。なお、測定条件は下記のとおりである。
カラム:TOSOH TSKgel Multipore HXL−M 3本+guard column(東ソー社製)
溶離液:テトラヒドロフラン
流量:10mL/min
検出器:RI検出器
カラム温度:40℃
注入量:100μL
分子量標準:標準ポリスチレン(東ソー社製)
The average molecular weight of the obtained resin was calculated by gel permeation chromatography. The measurement conditions are as follows.
Column: TOSOH TSKgel Multipore H XL- M 3 pieces + guard column (manufactured by Tosoh Corporation)
Eluent: Tetrahydrofuran Flow rate: 10 mL / min
Detector: RI detector Column temperature: 40 ° C
Injection volume: 100 μL
Molecular weight standard: Standard polystyrene (manufactured by Tosoh Corporation)

樹脂合成例1:粗樹脂(A)の合成
モノマーA50.00部、モノマーB16.31部、モノマーC37.08部及びモノマーD29.36部(モル比=35:12:23:30)を仕込み、1,4−ジオキサン199.13部を加えて溶液とした。
そこに、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)とを、全モノマー量に対して、それぞれ、1mol%及び3mol%添加し、76℃で5時間加熱した。その後、反応液を、大過剰量のメタノールと水との混合溶媒に注いで沈殿させる操作を3回行い、精製した。
その結果、重量平均分子量が約8,100である共重合体105部を得た。
該共重合体は、次の各モノマーに由来する構成単位を有するものであり、これを粗樹脂(A)(上記樹脂(18)に対応)とする。
Resin synthesis example 1: Synthesis of crude resin (A) 50.00 parts of monomer A, 16.31 parts of monomer B, 37.08 parts of monomer C and 29.36 parts of monomer D (molar ratio = 35: 12: 23: 30) were charged. 199.13 parts of 1,4-dioxane was added to make a solution.
Thereto, 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) were added as initiators, respectively, and heated at 76 ° C. for 5 hours. . Thereafter, the reaction solution was purified by pouring it into a large excess amount of a mixed solvent of methanol and water and precipitating three times.
As a result, 105 parts of a copolymer having a weight average molecular weight of about 8,100 was obtained.
The copolymer has structural units derived from the following monomers, and is designated as a crude resin (A) (corresponding to the resin (18)).

Figure 2010159399
Figure 2010159399

実施例1
樹脂合成例1で合成した粗樹脂(A)20部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート80部に溶解した。
この溶液に、活性炭2部(商品名:カルボラフィン(登録商標):細孔直径3nm、比表面積1500m/g;武田薬品工業(株)製)とポリ塩化アルミニウム2部(林純薬工業(株)製)とを加えて、60℃で3時間撹拌した。
攪拌後、30℃まで冷却を行い、ラヂオライト4部(粉末珪藻土、平均粒径16μm;昭和化学工業(株)製)を添加し、30℃で1時間攪拌した。
その後、PTFE製の5μmフィルタで加圧濾過し、その後UPE(Ultra High Molecular Weight Polyethlene)0.2μmフィルタにより精密濾過し樹脂(B)溶液を得た。
Example 1
20 parts of the crude resin (A) synthesized in Resin Synthesis Example 1 was dissolved in 80 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate.
To this solution, 2 parts of activated carbon (trade name: Carborafine (registered trademark): pore diameter 3 nm, specific surface area 1500 m 2 / g; manufactured by Takeda Pharmaceutical Co., Ltd.) and 2 parts of polyaluminum chloride (Hayashi Junyaku Kogyo ( And the mixture was stirred at 60 ° C. for 3 hours.
After stirring, the mixture was cooled to 30 ° C., 4 parts of radiolite (powder diatomaceous earth, average particle size 16 μm; manufactured by Showa Chemical Industry Co., Ltd.) was added, and the mixture was stirred at 30 ° C. for 1 hour.
Thereafter, the mixture was filtered under pressure through a 5 μm filter made of PTFE, and then finely filtered through a 0.2 μm filter of UPE (Ultra High Molecular Weight Polyethylene) to obtain a resin (B) solution.

得られた樹脂(B)溶液を樹脂固形分が10部となる量、酸発生剤としてトリフェニルスルホニウム 4−オキソ−1−アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート0.80部及び2,6−ジイソプロピルアニリン0.03部を、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート66.5部(ただし、樹脂液からの持ち込み分も含む)及びγ−ブチロラクトン3.5部に溶解し、粗レジスト組成物溶液を調製した。
この粗レジスト組成物溶液を、PTFE0.2μmフィルタ及びUPE0.1μmフィルタ(共に、日本マイクロリス(株)製)により連続的に精密濾過した後、レジスト組成物の濾過液を得た。
得られた濾過液について、微細粒子の測定を行った。
The amount of the resin (B) solution obtained is 10 parts of resin solids, 0.80 part of triphenylsulfonium 4-oxo-1-adamantyloxycarbonyldifluoromethanesulfonate and 2,6-diisopropylaniline as acid generators 0.03 part was dissolved in 66.5 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate (however, including the carry-in from the resin liquid) and 3.5 parts of γ-butyrolactone to prepare a crude resist composition solution.
The crude resist composition solution was continuously microfiltered with a PTFE 0.2 μm filter and a UPE 0.1 μm filter (both manufactured by Nippon Microlith Co., Ltd.), and then a resist composition filtrate was obtained.
The obtained filtrate was measured for fine particles.

(微細粒子の測定)
自動粒子測定器(KS−41型;リオン(株)製)を用いて、0.2μm以上の粒子の個数(個/mL)の測定を行った。また、レジスト液の経時安定性を確認するため、40℃で14日間保管後の0.2μm以上の粒子の個数(個/mL)の測定を行った。
その結果を表1に示す。
(Measurement of fine particles)
Using an automatic particle measuring instrument (KS-41 type; manufactured by Rion Co., Ltd.), the number of particles (pieces / mL) of 0.2 μm or more was measured. In addition, in order to confirm the temporal stability of the resist solution, the number (particles / mL) of particles of 0.2 μm or more after storage at 40 ° C. for 14 days was measured.
The results are shown in Table 1.

実施例2
実施例1のポリ塩化アルミニウムを活性アルミナ(和光純薬工業(株)製)に置き換え、実施例1と同様の処理を行い、樹脂(C)溶液を得た。
この樹脂(C)溶液を用いて実施例1と同様の処理により、レジスト組成物の濾過液を得た。
得られた濾過液について、微細粒子の測定を行った。
Example 2
The polyaluminum chloride in Example 1 was replaced with activated alumina (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), and the same treatment as in Example 1 was performed to obtain a resin (C) solution.
A filtrate of a resist composition was obtained by the same treatment as in Example 1 using this resin (C) solution.
The obtained filtrate was measured for fine particles.

実施例3
実施例1のポリ塩化アルミニウムを酸化チタン(IV)(アモルファス型;和光純薬工業(株)製)に置き換え、実施例1と同様の処理を行い、樹脂(D)溶液を得た。
この樹脂(D)溶液を用いて実施例1と同様の処理により、レジスト組成物の濾過液を得た。
得られた濾過液について、微細粒子の測定を行った。
Example 3
The polyaluminum chloride of Example 1 was replaced with titanium (IV) oxide (amorphous type; manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), and the same treatment as in Example 1 was performed to obtain a resin (D) solution.
A filtrate of a resist composition was obtained by the same treatment as in Example 1 using this resin (D) solution.
The obtained filtrate was measured for fine particles.

実施例4
実施例1のポリ塩化アルミニウムを、イオン交換樹脂であるデュオライト(登録商標)UP7000(ローム アンド ハース社製)に置き換え、実施例1と同様の処理を行い、樹脂(E)溶液を得た。
この樹脂(E)溶液を用いて実施例1と同様の処理により、レジスト組成物の濾過液を得た。
得られた濾過液について、微細粒子の測定を行った。
Example 4
The polyaluminum chloride of Example 1 was replaced with Duolite (registered trademark) UP7000 (Rohm and Haas, Inc.) which is an ion exchange resin, and the same treatment as in Example 1 was performed to obtain a resin (E) solution.
A filtrate of a resist composition was obtained by the same treatment as in Example 1 using this resin (E) solution.
The obtained filtrate was measured for fine particles.

実施例5
実施例1の60℃で3時間撹拌を80℃で3時間撹拌に変更し、実施例1と同様の処理を行い、樹脂(F)溶液を得た。
この樹脂(F)溶液を用いて実施例1と同様の処理により、レジスト組成物の濾過液を得た。
得られた濾過液について、微細粒子の測定を行った。
Example 5
Stirring at 60 ° C. for 3 hours in Example 1 was changed to stirring at 80 ° C. for 3 hours, and the same treatment as in Example 1 was performed to obtain a resin (F) solution.
A filtrate of a resist composition was obtained by the same treatment as in Example 1 using this resin (F) solution.
The obtained filtrate was measured for fine particles.

実施例6
実施例1の60℃で3時間撹拌を40℃で3時間撹拌に変更し、実施例1と同様の処理を行い、樹脂(G)溶液を得た。
この樹脂(G)溶液を用いて実施例1と同様の処理により、レジスト組成物の濾過液を得た。
得られた濾過液について、微細粒子の測定を行った。
Example 6
The stirring in Example 1 at 60 ° C. for 3 hours was changed to stirring at 40 ° C. for 3 hours, and the same treatment as in Example 1 was performed to obtain a resin (G) solution.
A filtrate of a resist composition was obtained by the same treatment as in Example 1 using this resin (G) solution.
The obtained filtrate was measured for fine particles.

合成例2(粗樹脂(H)の合成)
上記モノマーAを9.70部、モノマーBを7.10部、モノマーDを5.11部仕込み(モル比=1.3:1:1)、全モノマーの1.49重量倍のメチルイソブチルケトンを加えて溶液とした。そこに開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対してそれぞれ1mol%、3mol%添加し、72℃で約6時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水の混合溶媒に注いで沈殿させ、その沈殿物を大量のメタノールで洗浄する動作を3回行い、精製した。その結果、重量平均分子量が約8,200、分子量分布1.61の共重合体を収率72%で得た。この共重合体を粗樹脂(H)とする。
Synthesis Example 2 (Synthesis of crude resin (H))
9.70 parts of monomer A, 7.10 parts of monomer B, 5.11 parts of monomer D (molar ratio = 1.3: 1: 1) were charged and methyl isobutyl ketone was 1.49 times as much as all monomers. To make a solution. 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) were added as initiators to the total monomer amount, respectively, and heated at 72 ° C. for about 6 hours. Thereafter, the reaction solution was poured into a large amount of methanol and water mixed solvent to cause precipitation, and the precipitate was washed with a large amount of methanol three times for purification. As a result, a copolymer having a weight average molecular weight of about 8,200 and a molecular weight distribution of 1.61 was obtained in a yield of 72%. This copolymer is referred to as a crude resin (H).

実施例7
合成例2で合成した粗樹脂(H)20部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート80部に溶解した。
この溶液に、活性炭2部(商品名:カルボラフィン(登録商標):細孔直径3nm、比表面積1500m/g;武田薬品工業(株)製)と活性アルミナ2部(和光純薬工業(株)製)とを加えて、60℃で3時間撹拌した。
撹拌後、30℃まで冷却を行い、ラヂオライト4部(粉末珪藻土、平均粒径16μm;昭和化学工業(株)製)を添加し、30℃で1時間攪拌した。
その後、PTFE製の5μmフィルタで加圧濾過し、その後UPE0.2μmフィルターにより精密濾過し樹脂(I)溶液を得た。
Example 7
20 parts of the crude resin (H) synthesized in Synthesis Example 2 was dissolved in 80 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate.
To this solution, 2 parts of activated carbon (trade name: Carborafine (registered trademark): pore diameter 3 nm, specific surface area 1500 m 2 / g; manufactured by Takeda Pharmaceutical Co., Ltd.) and 2 parts of activated alumina (Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) )) And the mixture was stirred at 60 ° C. for 3 hours.
After stirring, the mixture was cooled to 30 ° C., 4 parts of radiolite (powder diatomaceous earth, average particle size 16 μm; manufactured by Showa Chemical Industry Co., Ltd.) was added, and the mixture was stirred at 30 ° C. for 1 hour.
Thereafter, it was filtered under pressure with a 5 μm filter made of PTFE, and then finely filtered with a 0.2 μm UPE filter to obtain a resin (I) solution.

得られた樹脂(I)溶液を樹脂固形分が10部となる量、酸発生剤として4−メチルフェニルジフェニルスルホニウム パーフルオロブタンスルホネート0.40部及びクエンチャーとして2,6−ジイソプロピルアニリン0.03部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート66.5部(ただし、樹脂液からの持ち込み分も含む)及びγ−ブチロラクトン3.5部に溶解し、粗レジスト組成物溶液を調製した。
この粗レジスト組成物溶液を、PTFE0.2μmフィルタ及びUPE0.1μmフィルタにより連続的に精密濾過し、レジスト組成物の濾過液を得た。
得られた濾過液について、微細粒子の測定を行った。
The amount of the resin (I) solution obtained is 10 parts of resin solids, 0.40 part of 4-methylphenyldiphenylsulfonium perfluorobutanesulfonate as an acid generator and 0.03 of 2,6-diisopropylaniline as a quencher. Parts were dissolved in 66.5 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate (including those brought in from the resin solution) and 3.5 parts of γ-butyrolactone to prepare a crude resist composition solution.
The crude resist composition solution was continuously microfiltered with a PTFE 0.2 μm filter and a UPE 0.1 μm filter to obtain a resist composition filtrate.
The obtained filtrate was measured for fine particles.

比較例1
合成例1で合成した粗樹脂(A)20部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート80部に溶解した。この溶液に2部の活性炭(商品名:カルボラフィン(登録商標)、細孔直径3nm、比表面積1500m/g;武田薬品工業(株)製)を加えて、60℃で3時間撹拌した。
撹拌後、30℃まで冷却を行い、4部のラヂオライト(登録商標)(粉末珪藻土、平均粒径16μm;昭和化学工業(株)製)を添加し、30℃で1時間攪拌した。
その後、PTFE製の5μmフィルタで加圧濾過し、UPE0.2μmフィルタにより精密濾過し、樹脂(J)溶液を得た。
Comparative Example 1
20 parts of the crude resin (A) synthesized in Synthesis Example 1 was dissolved in 80 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate. To this solution, 2 parts of activated carbon (trade name: Carborafine (registered trademark), pore diameter 3 nm, specific surface area 1500 m 2 / g; manufactured by Takeda Pharmaceutical Co., Ltd.) was added and stirred at 60 ° C. for 3 hours.
After stirring, the mixture was cooled to 30 ° C., 4 parts of Radiolite (registered trademark) (powder diatomaceous earth, average particle size 16 μm; manufactured by Showa Chemical Industry Co., Ltd.) was added, and the mixture was stirred at 30 ° C. for 1 hour.
Thereafter, the mixture was filtered under pressure with a 5 μm filter made of PTFE, and filtered with a UPE 0.2 μm filter to obtain a resin (J) solution.

得られた樹脂(J)溶液を樹脂固形分が10部となる量、酸発生剤としてトリフェニルスルホニウム 4−オキソ−1−アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート0.80部及び2,6−ジイソプロピルアニリン0.03部を、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート66.5部(ただし、樹脂液からの持ち込み分も含む)及びγ−ブチロラクトン3.5部に溶解し、粗レジスト組成物溶液を調製した。
この粗レジスト組成物溶液を、PTFE0.2μmフィルタ及びUPE0.1μmフィルタにより連続的に精密濾過し、レジスト組成物の濾過液を得た。
得られた濾過液について、微細粒子の測定を行った。
The amount of the resin (J) solution obtained is 10 parts of resin solid content, 0.80 part of triphenylsulfonium 4-oxo-1-adamantyloxycarbonyldifluoromethanesulfonate and 2,6-diisopropylaniline as an acid generator. 0.03 part was dissolved in 66.5 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate (however, including the carry-in from the resin liquid) and 3.5 parts of γ-butyrolactone to prepare a crude resist composition solution.
The crude resist composition solution was continuously microfiltered with a PTFE 0.2 μm filter and a UPE 0.1 μm filter to obtain a resist composition filtrate.
The obtained filtrate was measured for fine particles.

比較例2
合成例1で合成した粗樹脂(A)20部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート80部に溶解した。この溶液をPTFE製の5μmフィルタで加圧濾過して樹脂(K)溶液を得た。
得られた樹脂(K)溶液から比較例1同様の操作でレジスト組成物の濾過液を得た。
得られた濾過液について、微細粒子の測定を行った。
Comparative Example 2
20 parts of the crude resin (A) synthesized in Synthesis Example 1 was dissolved in 80 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate. This solution was filtered under pressure with a PTFE 5 μm filter to obtain a resin (K) solution.
A resist composition filtrate was obtained from the obtained resin (K) solution in the same manner as in Comparative Example 1.
The obtained filtrate was measured for fine particles.

比較例3
合成例2で合成した粗樹脂(B)20部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート80部に溶解した。この溶液に2部の活性炭(商品名:カルボラフィン(登録商標)、細孔直径3nm、比表面積1500m/g;武田薬品工業(株)製)を加えて、60℃で3時間撹拌した。
撹拌後、30℃まで冷却を行い、4部のラヂオライト(登録商標)(粉末珪藻土、平均粒径16μm;昭和化学工業(株)製)を添加し、30℃で1時間攪拌した。
その後、PTFE製の5μmフィルタで加圧濾過し、樹脂(L)溶液を得た。
Comparative Example 3
20 parts of the crude resin (B) synthesized in Synthesis Example 2 was dissolved in 80 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate. To this solution, 2 parts of activated carbon (trade name: Carborafine (registered trademark), pore diameter 3 nm, specific surface area 1500 m 2 / g; manufactured by Takeda Pharmaceutical Co., Ltd.) was added and stirred at 60 ° C. for 3 hours.
After stirring, the mixture was cooled to 30 ° C., 4 parts of Radiolite (registered trademark) (powder diatomaceous earth, average particle size 16 μm; manufactured by Showa Chemical Industry Co., Ltd.) was added, and the mixture was stirred at 30 ° C. for 1 hour.
After that, pressure filtration was performed with a PTFE 5 μm filter to obtain a resin (L) solution.

得られた樹脂(L)溶液を樹脂固形分が10部となる量、酸発生剤としてトリフェニルスルホニウム 4−オキソ−1−アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート0.80部及び2,6−ジイソプロピルアニリン0.03部を、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート66.5部(ただし、樹脂液からの持ち込み分も含む)及びγ−ブチロラクトン3.5部に溶解し、粗レジスト組成物溶液を調製した。
この粗レジスト組成物溶液を、PTFE0.2μmフィルタ及びUPE0.1μmフィルタにより連続的に精密濾過し、レジスト組成物の濾過液を得た。
得られた濾過液について、微細粒子の測定を行った。
The amount of the resin (L) solution obtained is 10 parts of resin solids, 0.80 part of triphenylsulfonium 4-oxo-1-adamantyloxycarbonyldifluoromethanesulfonate and 2,6-diisopropylaniline as an acid generator. 0.03 part was dissolved in 66.5 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate (however, including the carry-in from the resin liquid) and 3.5 parts of γ-butyrolactone to prepare a crude resist composition solution.
The crude resist composition solution was continuously microfiltered with a PTFE 0.2 μm filter and a UPE 0.1 μm filter to obtain a resist composition filtrate.
The obtained filtrate was measured for fine particles.

Figure 2010159399
Figure 2010159399

表1において、40℃×14日後の微細粒子は、0.2μm以上の増加分が100個以内のものを○、1000〜1000個のものを△、それ以上のものを×とした。   In Table 1, the fine particles after 40 [deg.] C. for 14 days were marked as ◯ when the increment of 0.2 μm or more was 100 or less, Δ as 1000 to 1000, and x as larger.

本発明によれば、微細粒子及びゴミ等を極力低減することができる。その結果、パターンにおける欠陥数を大幅に低減することができる。また、長期保存安定性を確保することができる。   According to the present invention, fine particles and dust can be reduced as much as possible. As a result, the number of defects in the pattern can be greatly reduced. Moreover, long-term storage stability can be ensured.

Claims (14)

樹脂溶解液に、活性炭並びに下記(A)、(B)及び(C)からなる群から選ばれる少なくとも1種の添加物質を接触させる工程を含むことを特徴とする樹脂溶解液の精製方法。
(A)金属塩化物、
(B)金属酸化物、
(C)イオン交換樹脂。
A method for purifying a resin solution, comprising the step of bringing activated carbon and at least one additive substance selected from the group consisting of (A), (B) and (C) below into contact with the resin solution.
(A) metal chloride,
(B) a metal oxide,
(C) Ion exchange resin.
前記添加物質の接触を40〜90℃で行う請求項1に記載の精製方法。   The purification method according to claim 1, wherein the additive substance is contacted at 40 to 90 ° C. 前記金属塩化物が、ポリ塩化アルミニウムである請求項1又は2に記載の精製方法。   The purification method according to claim 1 or 2, wherein the metal chloride is polyaluminum chloride. 前記金属酸化物が、活性アルミナ及び/又は酸化チタンである請求項1又は2に記載の精製方法。   The purification method according to claim 1, wherein the metal oxide is activated alumina and / or titanium oxide. 前記樹脂溶解液が、式(I)で表される構成単位を有する樹脂を含む請求項1〜4のいずれか1つに記載の精製方法。
Figure 2010159399
[式(I)中、Xは、単結合、−(CHk1−*、−(CHk2−CO−O−*又は−(CHk3−O−*を表す。
k1〜k3は、それぞれ独立に、1〜6の整数を表す。
*はRとの結合手を表す。
は、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数1〜6のハロゲン化アルキル基を表す。
は、炭素数5〜7のラクトン構造を有する基を表し、該ラクトン構造を有する基に含まれる水素原子は、水酸基、シアノ基、カルボキシル基、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のハロゲン化アルキル基又は炭素数1〜6のヒドロキシアルキル基で置換されていてもよく、該ラクトン構造を有する基に含まれる−CH−は、−CO−、−O−、−S−又は−N(R)−で置き換わっていてもよい。
は、水素原子又は炭素数1〜6の脂肪族炭化水素基を表す。]
The purification method according to any one of claims 1 to 4, wherein the resin solution contains a resin having a structural unit represented by the formula (I).
Figure 2010159399
[In formula (I), X represents a single bond, — (CH 2 ) k1 — *, — (CH 2 ) k2 —CO—O— * or — (CH 2 ) k3 —O— *.
k1 to k3 each independently represents an integer of 1 to 6.
* Represents a bond to R 2 .
R 1 represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
R 2 represents a group having a lactone structure having 5 to 7 carbon atoms, hydrogen atoms contained in the group having the lactone structure, a hydroxyl group, a cyano group, a carboxyl group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, carbon atoms It may be substituted with 1-6 of halide alkyl or hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, -CH 2 included in a group having the lactone structure - is, -CO -, - O -, - S— or —N (R c ) — may be replaced.
R c represents a hydrogen atom or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms. ]
前記樹脂溶解液が、酸に不安定な基を有する樹脂を含む請求項1〜5のいずれか1つに記載の精製方法。   The purification method according to claim 1, wherein the resin solution contains a resin having an acid labile group. 前記酸に不安定な基を有する樹脂が、(メタ)アクリル酸2−アルキル−2−アダマンチルに由来する構成単位及び(メタ)アクリル酸1−(1−アダマンチル)−1,1−ジアルキルに由来する構成単位からなる群から選ばれる少なくとも1種の構成単位を有する樹脂である請求項6記載の精製方法。   The resin having an acid labile group is derived from a structural unit derived from 2-alkyl-2-adamantyl (meth) acrylate and 1- (1-adamantyl) -1,1-dialkyl (meth) acrylate The purification method according to claim 6, which is a resin having at least one structural unit selected from the group consisting of structural units. 請求項1〜7のいずれか1つに記載の精製方法により精製された樹脂溶解液を回収する工程を含有する樹脂溶解液の取得方法。   The acquisition method of the resin solution containing the process of collect | recovering the resin solution refine | purified by the purification method as described in any one of Claims 1-7. 請求項8に記載の取得方法により取得された樹脂溶解液を精密濾過する工程を含有する請求項8記載の取得方法。   The acquisition method according to claim 8, further comprising a step of microfiltration of the resin solution obtained by the acquisition method according to claim 8. 精密濾過で、孔径0.3μm以下のフィルタを用いる請求項9記載の取得方法。   The acquisition method according to claim 9, wherein a filter having a pore size of 0.3 μm or less is used in microfiltration. 精密濾過で、ポリテトラフルオロエチレン製及び/又は超高分子量ポリエチレン製のフィルタを用いる請求項9又は10記載の取得方法。   The acquisition method according to claim 9 or 10, wherein a filter made of polytetrafluoroethylene and / or ultra high molecular weight polyethylene is used for microfiltration. 請求項8〜11のいずれか1つに記載の取得方法によって得られた樹脂溶解液に、酸発生剤を混合する工程を含有する化学増幅型フォトレジスト組成物の製造方法。   The manufacturing method of the chemically amplified photoresist composition containing the process of mixing an acid generator with the resin solution obtained by the acquisition method as described in any one of Claims 8-11. さらにクエンチャーを混合する工程を含有する請求項12記載の製造方法。   Furthermore, the manufacturing method of Claim 12 containing the process of mixing a quencher. さらに溶媒を混合する工程を含有する請求項12又は13記載の製造方法。   Furthermore, the manufacturing method of Claim 12 or 13 containing the process of mixing a solvent.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013092643A (en) * 2011-10-26 2013-05-16 Shin Etsu Chem Co Ltd Production method of lithographic resist composition
JP2013227531A (en) * 2012-03-26 2013-11-07 Sumitomo Chemical Co Ltd Mixture and method of manufacturing the same
US20210198468A1 (en) * 2019-12-31 2021-07-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photoresist composition and method of manufacturing a semiconductor device
WO2022045270A1 (en) * 2020-08-27 2022-03-03 三菱瓦斯化学株式会社 Method for purifying compound or polymer

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0873517A (en) * 1994-03-18 1996-03-19 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd Method for isolating isobutylene polymer
JP2000007727A (en) * 1998-06-26 2000-01-11 Kao Corp Purification of ionic polymer compound
JP2001040030A (en) * 1999-07-29 2001-02-13 Kao Corp Purification of ionic high-molecular compound
JP2003096130A (en) * 2001-09-25 2003-04-03 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd Purification method for vinyl polymer
JP2003238629A (en) * 2002-02-19 2003-08-27 Sumitomo Bakelite Co Ltd Polymer for chemically amplified photoresist and photoresist composition
JP2004523806A (en) * 2001-04-11 2004-08-05 クラリアント・インターナシヨナル・リミテッド Method for producing a film-forming resin for a photoresist composition
JP2004326092A (en) * 2003-03-28 2004-11-18 Sumitomo Chem Co Ltd Chemically amplified resist composition
JP2005126459A (en) * 2003-10-21 2005-05-19 Jsr Corp Acid-dissociating-group-containing resin and its production method
JP2006126818A (en) * 2004-09-28 2006-05-18 Sumitomo Chemical Co Ltd Chemically amplified resist composition
JP2007034049A (en) * 2005-07-28 2007-02-08 Fujifilm Corp Chemically amplified resist composition and method for manufacturing the same
WO2009008252A1 (en) * 2007-07-06 2009-01-15 Maruzen Petrochemical Co., Ltd. Aba triblock copolymer and process for producing the same

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0873517A (en) * 1994-03-18 1996-03-19 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd Method for isolating isobutylene polymer
JP2000007727A (en) * 1998-06-26 2000-01-11 Kao Corp Purification of ionic polymer compound
JP2001040030A (en) * 1999-07-29 2001-02-13 Kao Corp Purification of ionic high-molecular compound
JP2004523806A (en) * 2001-04-11 2004-08-05 クラリアント・インターナシヨナル・リミテッド Method for producing a film-forming resin for a photoresist composition
JP2003096130A (en) * 2001-09-25 2003-04-03 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd Purification method for vinyl polymer
JP2003238629A (en) * 2002-02-19 2003-08-27 Sumitomo Bakelite Co Ltd Polymer for chemically amplified photoresist and photoresist composition
JP2004326092A (en) * 2003-03-28 2004-11-18 Sumitomo Chem Co Ltd Chemically amplified resist composition
JP2005126459A (en) * 2003-10-21 2005-05-19 Jsr Corp Acid-dissociating-group-containing resin and its production method
JP2006126818A (en) * 2004-09-28 2006-05-18 Sumitomo Chemical Co Ltd Chemically amplified resist composition
JP2007034049A (en) * 2005-07-28 2007-02-08 Fujifilm Corp Chemically amplified resist composition and method for manufacturing the same
WO2009008252A1 (en) * 2007-07-06 2009-01-15 Maruzen Petrochemical Co., Ltd. Aba triblock copolymer and process for producing the same

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013092643A (en) * 2011-10-26 2013-05-16 Shin Etsu Chem Co Ltd Production method of lithographic resist composition
JP2013227531A (en) * 2012-03-26 2013-11-07 Sumitomo Chemical Co Ltd Mixture and method of manufacturing the same
US20210198468A1 (en) * 2019-12-31 2021-07-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photoresist composition and method of manufacturing a semiconductor device
WO2022045270A1 (en) * 2020-08-27 2022-03-03 三菱瓦斯化学株式会社 Method for purifying compound or polymer

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