JP2010146668A - Manufacturing method of patterned medium - Google Patents

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久子 武井
Chiseki Haginoya
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Yuko Tsuchiya
裕子 土屋
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To transfer a pattern to a magnetic recording layer by completely removing an optical nanoimprint resist without corroding the magnetic recording layer and without deteriorating characteristics of the magnetic recording layer. <P>SOLUTION: A peeling layer 18 made of a polymer material soluble in an organic solvent is formed under an optical nanoimprint resist layer 47. A pattern shape formed in the optical nanoimprint resist is transferred to the magnetic recording layer 15 or a mask layer 16 formed on the magnetic recording layer and made of an inorganic material and then the peeling layer is peeled by using the organic solvent. The pattern of the mask layer is then transferred to the magnetic recording layer. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、ナノインプリントリソグラフィを用いてパターンドメディアの磁気記録層に微細パターンを形成する方法に関するものである。   The present invention relates to a method for forming a fine pattern on a magnetic recording layer of a patterned medium using nanoimprint lithography.

近年の半導体デバイスにおける加工パターンの微細化に伴い、ＫｒＦレーザーリソグラフィからＡｒＦレーザーリソグラフィ、Ｆ2レーザーリソグラフィや極端紫外線露光（ＥＵＶＬ）、電子線（ＥＢ）リソグラフィ、Ｘ線リソグラフィなどの技術が開発されており、約３０ｎｍの微細パターン形成が実現されている。しかしながら、加工するパターンが微細になるにつれ加工に必要な装置は高額となる。これに対して、低コストでありながら、微細なレジストパターンを作製できるナノインプリントリソグラフィが提案されている（非特許文献１）。 With the recent miniaturization of processing patterns in semiconductor devices, technologies such as KrF laser lithography, ArF laser lithography, F 2 laser lithography, extreme ultraviolet exposure (EUVL), electron beam (EB) lithography, and X-ray lithography have been developed. Thus, a fine pattern of about 30 nm is formed. However, as the pattern to be processed becomes finer, the equipment required for processing becomes expensive. On the other hand, nanoimprint lithography capable of producing a fine resist pattern at a low cost has been proposed (Non-Patent Document 1).

光ナノインプリントリソグラフィは、光硬化樹脂を基板上に塗布し、透光性のモールドを光硬化樹脂にプレスし、紫外光を照射することで樹脂を硬化させ、モールドのパターンを樹脂に転写する技術である。パターンを硬化させるのに紫外光の照射のみを使用すればよいため、熱を利用して樹脂を硬化させる熱ナノインプリントリソグラフィと比べて、高スループットで高精度の加工が可能である。近年、光ナノインプリントリソグラフィは半導体デバイスのプロセスだけでなく、磁気記録用のディスクリートトラックメディアの製造プロセスへの適用が検討されている。   Optical nanoimprint lithography is a technology that applies a photo-curing resin onto a substrate, presses a translucent mold onto the photo-curing resin, cures the resin by irradiating with ultraviolet light, and transfers the mold pattern to the resin. is there. Since it is only necessary to use ultraviolet light irradiation to cure the pattern, high-throughput and high-precision processing is possible compared to thermal nanoimprint lithography in which resin is cured using heat. In recent years, application of optical nanoimprint lithography not only to semiconductor device processes but also to manufacturing processes of discrete track media for magnetic recording has been studied.

Appl. Phys. Lett. 67, 3114 (1995)Appl. Phys. Lett. 67, 3114 (1995)

高密度記録を実現するためには、磁気ヘッドと磁気記録層のスペーシングを極力低減して微細な記録ビットからの情報を読み取る必要があり、磁気記録層表面の特性や形状は磁気記録のパフォーマンスに大きな影響を及ぼす。   In order to realize high-density recording, it is necessary to reduce the spacing between the magnetic head and the magnetic recording layer as much as possible to read information from minute recording bits. The characteristics and shape of the magnetic recording layer surface are the performance of magnetic recording. Has a major impact on

光ナノインプリントリソグラフィ技術を用いてパターンドメディアを形成する上での重要な課題は、磁気記録層へのダメージを抑制することと、加工による残渣を完全に除去することである。   An important issue in forming patterned media using the optical nanoimprint lithography technique is to suppress damage to the magnetic recording layer and to completely remove residues due to processing.

光ナノインプリントレジストの除去方法として反応性イオンエッチングは有効であるが、残渣を取りきれずにパーティクルの発生を伴う。したがって、光ナノインプリントレジストは溶液で洗い流すことが望ましい。光ナノインプリントレジストを溶かすには強酸が必要であり、強酸を用いた場合には磁気記録層はプロセス中に腐食する。そこで、腐食を防ぐ方法として、光ナノインプリントレジストを剥離層とともにリフトオフによって溶液で洗い流すことが考えられる。ここで、剥離層にアルミニウムなどの金属を用いた場合には、酸性又はアルカリ性の水溶液を用いて剥離を行う必要がある。このとき、磁気記録層の特性の劣化が観測される。   Although reactive ion etching is effective as a method for removing the photo-nanoimprint resist, it does not completely remove the residue and is accompanied by generation of particles. Therefore, it is desirable to wash away the photo nanoimprint resist with a solution. A strong acid is required to dissolve the optical nanoimprint resist, and when a strong acid is used, the magnetic recording layer corrodes during the process. Therefore, as a method for preventing corrosion, it is conceivable to wash away the optical nanoimprint resist with a solution together with a release layer by lift-off. Here, when a metal such as aluminum is used for the peeling layer, it is necessary to perform peeling using an acidic or alkaline aqueous solution. At this time, deterioration of the characteristics of the magnetic recording layer is observed.

そこで本発明では、光ナノインプリントレジストに形成されたパターン形状を磁気記録層に転写してパターンドメディアを作製する際に、光ナノインプリントレジストの下に有機溶媒に可溶な高分子材料からなる剥離層を形成しておく。そして、光ナノインプリントレジストに形成されたパターン形状を磁気記録層あるいは磁気記録層の上に形成された無機材料からなるマスク層に転写したのち、有機溶媒を用いて剥離層を剥離する。剥離層の材料としては、例えばポリスチレンやポリイミドからなる高分子材料やＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸メチル樹脂）などのインプリントレジストを用いることができる。   Therefore, in the present invention, when a patterned medium is produced by transferring a pattern shape formed on an optical nanoimprint resist to a magnetic recording layer, a release layer made of a polymer material soluble in an organic solvent under the optical nanoimprint resist. Is formed. And after transferring the pattern shape formed in the optical nanoimprint resist to the magnetic recording layer or the mask layer made of an inorganic material formed on the magnetic recording layer, the peeling layer is peeled off using an organic solvent. As the material for the release layer, for example, a polymer material made of polystyrene or polyimide, or an imprint resist such as PMMA (polymethyl methacrylate resin) can be used.

本発明によると、剥離層及びその上に残った光ナノインプリントレジストを、有機溶媒を用いて剥離し洗い流すことができるため、磁気記録層を腐食させることなく、また、磁気記録層の特性を劣化させることなく、磁気記録層へのパターンの転写が可能となる。また、残渣やパーティクルのない清浄なメディア表面を得ることができる。   According to the present invention, the release layer and the optical nanoimprint resist remaining thereon can be peeled off and washed away using an organic solvent, so that the magnetic recording layer is not corroded and the characteristics of the magnetic recording layer are deteriorated. Therefore, the pattern can be transferred to the magnetic recording layer. In addition, a clean media surface free from residues and particles can be obtained.

本発明によると、磁気記録層を腐食させることなく、また、磁気記録層の特性を劣化させることなく、磁気記録層へのパターンの転写が可能となる。   According to the present invention, the pattern can be transferred to the magnetic recording layer without corroding the magnetic recording layer and without deteriorating the characteristics of the magnetic recording layer.

以下、実施例によって本発明の磁気記録媒体を作製する具体的な手段について説明する。   Hereinafter, specific means for producing the magnetic recording medium of the present invention will be described with reference to examples.

図１は、本発明によるパターンドメディア作製方法の一例を説明する工程断面図である。   FIG. 1 is a process cross-sectional view illustrating an example of a patterned media manufacturing method according to the present invention.

まず、図１（ａ）に示すように、基板１１の上に下地層１２、軟磁性層１３、磁気記録層１５、マスク層１６を積層する。その上に剥離層１８を、スピンコート法を用いて形成する。次に、光硬化樹脂からなる光ナノインプリントレジスト層４７を剥離層１８の上に塗布する。基板１１はガラス、アルミナ、Ｓｉ等からなる。下地層１２としては、Ｒｕを１６ｎｍの膜厚に形成した。軟磁性層１３としては、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｔａ，ＺｒからなるＣｏのアモルファス合金を膜厚３０ｎｍに形成した。磁気記録層１５は、例えばＣｏ，Ｃｒ，Ｐｔ系の合金とＳｉＯ2のような非磁性体よりなるグラニュラ垂直記録媒体で構成される。マスク層１６はＣなどを含み、磁気記録層にパターン形成後にＲＩＥやＯ2アッシングで除去できるものである。 First, as shown in FIG. 1A, an underlayer 12, a soft magnetic layer 13, a magnetic recording layer 15, and a mask layer 16 are stacked on a substrate 11. A release layer 18 is formed thereon using a spin coating method. Next, an optical nanoimprint resist layer 47 made of a photocurable resin is applied on the release layer 18. The substrate 11 is made of glass, alumina, Si or the like. As the underlayer 12, Ru was formed to a thickness of 16 nm. As the soft magnetic layer 13, an amorphous alloy of Co made of Fe, Co, Ta, and Zr was formed to a thickness of 30 nm. The magnetic recording layer 15 is composed of a granular perpendicular recording medium made of, for example, a Co, Cr, Pt alloy and a nonmagnetic material such as SiO 2 . The mask layer 16 contains C and the like, and can be removed by RIE or O 2 ashing after pattern formation on the magnetic recording layer.

剥離層１８は、磁気記録層１５の磁気特性を劣化させない程度の温度もしくはそれ以下の温度で硬化できるポリスチレンやポリイミドなどからなる高分子材料やＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸メチル樹脂）などのインプリントレジストが候補として挙げられる。高分子材料やインプリントレジストの場合は、スピンコート法やインクジェット法や熱インプリント法を用いてモールドで形成してもよい。剥離層１８は、リフトオフ可能とするために１０ｎｍ以上の膜厚に形成する。   The release layer 18 is made of a polymer material such as polystyrene or polyimide that can be cured at a temperature at which the magnetic characteristics of the magnetic recording layer 15 are not deteriorated or lower, and an imprint resist such as PMMA (polymethyl methacrylate resin). Candidate. In the case of a polymer material or an imprint resist, it may be formed by a mold using a spin coating method, an ink jet method, or a thermal imprint method. The release layer 18 is formed to a thickness of 10 nm or more so that lift-off is possible.

次に、インプリントモールド２４を光ナノインプリントレジスト層４７に押し付け、その状態で紫外線を照射して光ナノインプリントレジスト層４７を硬化させ、インプリントモールド２４のパターン構造を光ナノインプリントレジスト層に複写する。これにより、図１（ｂ）に示すように、光ナノインプリントレジスト層に凹部２２と凸部２３を形成する。光ナノインプリントレジストには、例えば東洋合成工業株式会社製のＰＡＫ−０１などを用いることができる。そして、インプリントモールド２４を、パターンが形成された光ナノインプリントレジスト２３から離す。   Next, the imprint mold 24 is pressed against the optical nanoimprint resist layer 47. In this state, ultraviolet light is irradiated to cure the optical nanoimprint resist layer 47, and the pattern structure of the imprint mold 24 is copied to the optical nanoimprint resist layer. Thereby, as shown in FIG.1 (b), the recessed part 22 and the convex part 23 are formed in an optical nanoimprint resist layer. For example, PAK-01 manufactured by Toyo Gosei Co., Ltd. can be used as the optical nanoimprint resist. Then, the imprint mold 24 is separated from the optical nanoimprint resist 23 on which the pattern is formed.

次に、酸素などによるＲＩＥ（反応性イオンエッチング）などのドライエッチングを用いて、図１（ｃ）のようにパターンの凹部２２の光ナノインプリントレジストを除去する。続いて、ＲＩＥなどのドライエッチングプロセスを用いて、図１（ｄ）のように、剥離層１８に光ナノインプリントレジスト２３の構造を転写する。   Next, by using dry etching such as RIE (reactive ion etching) with oxygen or the like, the optical nanoimprint resist in the concave portion 22 of the pattern is removed as shown in FIG. Subsequently, by using a dry etching process such as RIE, the structure of the optical nanoimprint resist 23 is transferred to the release layer 18 as shown in FIG.

剥離層１８が高分子材料の場合は、ＲＩＥではＯ2，ＣＯ2などの酸素を含むガスと共に、レジストを直線的に形成する目的でＡｒなどの不活性ガスを併用してもよい。インプリントレジストを剥離層１８に用いる場合の材料はＰＭＭＡなどで、酸素を含むガスでＲＩＥを行なう。 When the release layer 18 is a polymer material, in RIE, an inert gas such as Ar may be used together with a gas containing oxygen such as O 2 and CO 2 for the purpose of linearly forming a resist. When the imprint resist is used for the release layer 18, the material is PMMA or the like, and RIE is performed with a gas containing oxygen.

この後、図１（ｅ）に示すように、剥離層１８をマスクとして、ＲＩＥなどのドライエッチングを用いてマスク層１６にパターン形状を転写する。次に、図１（ｆ）のように、剥離層１８をリフトオフして除去する。このとき、剥離層１８がポリイミドなどからなる高分子材料の場合には、リフトオフに使用する剥離剤はＮＭＰ（N-methylpyrrolidone）などである。ポリスチレンやＰＭＭＡなどのインプリントレジストを剥離層１８に用いる場合には、リフトオフに使用する液体はアセトンなどの有機溶媒である。   Thereafter, as shown in FIG. 1E, the pattern shape is transferred to the mask layer 16 by dry etching such as RIE using the release layer 18 as a mask. Next, as shown in FIG. 1F, the release layer 18 is removed by lift-off. At this time, when the release layer 18 is a polymer material made of polyimide or the like, the release agent used for lift-off is NMP (N-methylpyrrolidone) or the like. When an imprint resist such as polystyrene or PMMA is used for the release layer 18, the liquid used for lift-off is an organic solvent such as acetone.

リフトオフの方法は、超音波洗浄や高圧ジェットリフトオフなどでもよい。またリフトオフ後にバリなどの残渣があった場合には、ドライアイスなどを基板表面に吹き付けるアイススクラブ方式やその他のスクラブ方式を用いて取り除いてもよい。本実施例によると、剥離層及びその上に残った光ナノインプリントレジストを、有機溶媒を用いて剥離し洗い流すことができるため、磁気記録層を腐食させることなく、また、磁気記録層の特性を劣化させることなく、磁気記録層へのパターンの転写が可能となる。また、残渣やパーティクルのない清浄なメディア表面を得ることができる。   The lift-off method may be ultrasonic cleaning or high-pressure jet lift-off. Further, if there is a residue such as burrs after the lift-off, it may be removed by using an ice scrub method of spraying dry ice or the like on the substrate surface or other scrub methods. According to this example, the release layer and the optical nanoimprint resist remaining thereon can be peeled off and washed away using an organic solvent, so that the magnetic recording layer is not corroded and the characteristics of the magnetic recording layer are deteriorated. It is possible to transfer the pattern to the magnetic recording layer without the need for this. In addition, a clean media surface free from residues and particles can be obtained.

リフトオフ後は、図１（ｇ）に示すように、マスク層１６をマスクとし、イオンビームエッチングや磁性体ＲＩＥなどを用いて磁気記録層１５にパターンを転写する。次に、酸素などによるＲＩＥやアッシングで、図１（ｈ）のようにマスク層１６を除去する。   After the lift-off, as shown in FIG. 1G, the mask layer 16 is used as a mask, and the pattern is transferred to the magnetic recording layer 15 using ion beam etching, magnetic material RIE, or the like. Next, the mask layer 16 is removed by RIE or ashing using oxygen or the like as shown in FIG.

この後、図１（ｉ）に示すように、充填層１９を形成する。充填層１９の材料にはＳｉＯ2などの酸化膜や非磁性金属などが用いられる。磁気記録特性を劣化させない程度の温度もしくはそれ以下の温度で硬化できるＳＯＧ（Spin-On-Glass）等を用いてもよい。 Thereafter, as shown in FIG. 1I, a filling layer 19 is formed. As the material of the filling layer 19, an oxide film such as SiO 2 or a nonmagnetic metal is used. SOG (Spin-On-Glass) or the like that can be cured at a temperature that does not deteriorate the magnetic recording characteristics or at a temperature lower than that may be used.

次に、図１（ｊ）のように、ドラエッチングや化学機械研磨法（ＣＭＰ）やガスクラスターイオンビーム（ＧＣＩＢ）などを用いて充填材１９の表面の凹凸を平坦にし、磁気記録層１５の最表面と表面を一致させる。このとき、磁気記録層１５の表面より充填材１９の表面が数ｎｍ窪んでいてもよい。この後に、図１（ｋ）に示すようにカーボンからなる保護層２０と潤滑層２１を形成して、パターンドメディアが完成する。   Next, as shown in FIG. 1 (j), the surface of the filler 19 is flattened by using dry etching, chemical mechanical polishing (CMP), gas cluster ion beam (GCIB), etc. Match the outermost surface with the surface. At this time, the surface of the filler 19 may be recessed by several nm from the surface of the magnetic recording layer 15. Thereafter, as shown in FIG. 1 (k), a protective layer 20 made of carbon and a lubricating layer 21 are formed to complete a patterned medium.

なお、光ナノインプリントレジスト層の下に高分子材料からなる剥離層を形成することにより、次のような利点も得られる。図２（ａ）に示すように、磁気記録層１５の上に金属などの硬い層１７があり、その表面に異物３３等の欠陥が存在しているとき、インプリントモールドは光ナノインプリントレジスト層を均一に押すことができず、欠陥の周囲に光ナノインプリントレジストが塗布されずに、パターン形状の欠陥が広がってしまう。また、インプリントモールドの欠陥の原因となってしまう場合もある。本発明の剥離層に用いる高分子材料は一般的に柔らかいため、インプリントプロセス中に異物を挟み込んだときの影響を小さく抑える効果がある。図２（ｂ）に示すように、剥離層１８の厚さより小さい異物３３は剥離層１８中に吸収されてしまうため、メディア上の欠陥低減やモールド損傷リスクの低減に役立つ。   In addition, the following advantages can also be obtained by forming a release layer made of a polymer material under the optical nanoimprint resist layer. As shown in FIG. 2A, when there is a hard layer 17 such as a metal on the magnetic recording layer 15 and a defect such as a foreign substance 33 exists on the surface thereof, the imprint mold uses an optical nanoimprint resist layer. It cannot be pressed uniformly, and the optical nanoimprint resist is not applied around the defect, and the pattern-shaped defect spreads. Moreover, it may cause a defect of the imprint mold. Since the polymer material used for the release layer of the present invention is generally soft, it has an effect of minimizing the influence when a foreign object is sandwiched during the imprint process. As shown in FIG. 2B, since the foreign material 33 smaller than the thickness of the release layer 18 is absorbed into the release layer 18, it helps to reduce defects on the media and reduce the risk of mold damage.

図３は、本発明によるパターンドメディア作製方法の他の例を説明する工程断面図である。   FIG. 3 is a process cross-sectional view illustrating another example of the patterned media manufacturing method according to the present invention.

実施例１と同様に、基板１１から磁気記録層１５まで積層する。次に、磁気記録層１５の上層に、剥離層１８と光ナノインプリントレジスト層４７を、図３（ａ）のように作製する。実施例１に比べてマスク層がないことで、マスク層を形成する工程と、除去する工程を減らすことができる。   Similar to the first embodiment, the substrate 11 to the magnetic recording layer 15 are stacked. Next, the peeling layer 18 and the optical nanoimprint resist layer 47 are formed on the magnetic recording layer 15 as shown in FIG. Since there is no mask layer compared to the first embodiment, the steps of forming and removing the mask layer can be reduced.

図３（ｂ）〜（ｄ）に示すように、光ナノインプリントレジスト層のパターン形成は実施例１と同じように行なう。イオンビームエッチングや磁性体ＲＩＥを用いて、図３（ｅ）に示すように、磁気記録層１５にパターンを転写する。その後は、実施例１と同様に剥離層１８をリフトオフする。   As shown in FIGS. 3B to 3D, the pattern formation of the optical nanoimprint resist layer is performed in the same manner as in the first embodiment. A pattern is transferred to the magnetic recording layer 15 using ion beam etching or magnetic material RIE as shown in FIG. Thereafter, the release layer 18 is lifted off as in the first embodiment.

このパターン形成方法では、磁気記録層１５をドライエッチングしている時に、再付着物が剥離層１８や光ナノインプリント層２３の側壁に付くが、剥離層除去時に、再付着物も剥離層とともに除去できるため、再付着物がパターンドメディア表面に残ってしまう問題はない。   In this pattern formation method, when the magnetic recording layer 15 is dry-etched, the reattachment adheres to the side walls of the release layer 18 and the optical nanoimprint layer 23. When the release layer is removed, the reattachment can be removed together with the release layer. Therefore, there is no problem that the reattachment remains on the patterned media surface.

図４は、本発明によるパターンドメディア作製方法の他の例を説明する工程断面図である。   FIG. 4 is a process cross-sectional view illustrating another example of the patterned media manufacturing method according to the present invention.

実施例１と同様に、基板１１から磁気記録層１５まで積層する。次に、図４（ａ）に示すように、剥離層１８を形成し、その上にマスク層１６を形成する。実施例１とは、剥離層１８とマスク層１６の積層順が逆になっている。その後、図４（ｂ）〜（ｃ）に示すように、実施例１と同様に光ナノインプリントレジスト層のパターンを形成する。   Similar to the first embodiment, the substrate 11 to the magnetic recording layer 15 are stacked. Next, as shown in FIG. 4A, a release layer 18 is formed, and a mask layer 16 is formed thereon. The stacking order of the release layer 18 and the mask layer 16 is reversed from that in Example 1. Thereafter, as shown in FIGS. 4B to 4C, a pattern of the optical nanoimprint resist layer is formed in the same manner as in the first embodiment.

次に、形成された光ナノインプリントレジスト２３をマスクとして、図４（ｄ）に示すように、ＲＩＥなどのドライエッチングでマスク層１６にパターンを転写する。次に、残っている光ナノインプリントレジスト２３とマスク層１６をマスクとして、ＲＩＥなどのドライエッチングを用いて、図４（ｅ）に示すように剥離層１８にパターンを転写する。この時、マスク層１６が剥離層１８をエッチングする時間に形状を保持している場合は光ナノインプリントレジスト２３が残っていなくてもよい。次に、図４（ｆ）に示すように、マスク層１６と剥離層１８をマスクとして、イオンビームエッチングや磁性体ＲＩＥを用いて磁気記録層１５にパターンを転写する。その後は、実施例１と同様に剥離層１８をリフトオフする。   Next, using the formed optical nanoimprint resist 23 as a mask, the pattern is transferred to the mask layer 16 by dry etching such as RIE as shown in FIG. Next, using the remaining optical nanoimprint resist 23 and the mask layer 16 as a mask, a pattern is transferred to the release layer 18 as shown in FIG. 4E by using dry etching such as RIE. At this time, the optical nanoimprint resist 23 does not need to remain if the mask layer 16 retains the shape during the etching time of the release layer 18. Next, as shown in FIG. 4F, the pattern is transferred to the magnetic recording layer 15 using ion beam etching or magnetic material RIE, using the mask layer 16 and the release layer 18 as a mask. Thereafter, the release layer 18 is lifted off as in the first embodiment.

このパターン形成方法では、磁気記録層１５をドライエッチングしている時に、剥離層１８の上層にマスク層１６、光ナノインプリント層２３が残っており、再付着物が剥離層１８、マスク層１６、光ナノインプリント層２３の側壁に付くが、剥離層除去時に、再付着物も剥離層とともに除去できるため、再付着物がパターンドメディア表面に残ってしまう問題はない。   In this pattern formation method, when the magnetic recording layer 15 is dry-etched, the mask layer 16 and the optical nanoimprint layer 23 remain in the upper layer of the release layer 18, and the reattachment becomes the release layer 18, the mask layer 16, the light Although attached to the side wall of the nanoimprint layer 23, the reattachment can be removed together with the release layer when the release layer is removed, so that there is no problem that the reattachment remains on the patterned media surface.

本発明によるパターンドメディア作製方法の一例を説明する工程断面図。Process sectional drawing explaining an example of the patterned media manufacturing method by this invention. 従来技術と本発明の光ナノインプリントレジストの欠陥発生メカニズムについての概念図。The conceptual diagram about the defect generation mechanism of the prior art and the optical nanoimprint resist of this invention. 本発明によるパターンドメディア作製方法の他の例を説明する工程断面図。Process sectional drawing explaining the other example of the patterned media manufacturing method by this invention. 本発明によるパターンドメディア作製方法の他の例を説明する工程断面図。Process sectional drawing explaining the other example of the patterned media manufacturing method by this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１１ 基板
１２ 下地層
１３ 軟磁性層
１５ 磁気記録層
１６ マスク層
１７ 金属の層
１８ 剥離層
１９ 充填層
２０ 保護層
２１ 潤滑層
２３ 光ナノインプリントレジスト
２４ インプリントモールド
３３ 異物
４７ 光ナノインプリントレジスト層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Substrate 12 Underlayer 13 Soft magnetic layer 15 Magnetic recording layer 16 Mask layer 17 Metal layer 18 Release layer 19 Filling layer 20 Protective layer 21 Lubricating layer 23 Optical nanoimprint resist 24 Imprint mold 33 Foreign matter 47 Optical nanoimprint resist layer

Claims (5)

基板上に磁気記録層を形成する工程と、
前記磁気記録層の上に、有機溶媒に可溶な剥離層を形成する工程と、
前記剥離層の上に光ナノインプリントレジスト層を形成する工程と、
インプリントモールドを用いて前記光ナノインプリントレジスト層にパターン形状を形成する工程と、
前記光ナノインプリントレジスト層に形成されたパターン形状を、ドライエッチング法を用いて、前記剥離層と磁気記録層に転写する工程と、
有機溶媒を用いて前記剥離層を除去する工程と
を有することを特徴とするパターンドメディアの作製方法。 Forming a magnetic recording layer on the substrate;
Forming a release layer soluble in an organic solvent on the magnetic recording layer;
Forming an optical nanoimprint resist layer on the release layer;
Forming a pattern shape in the optical nanoimprint resist layer using an imprint mold; and
Transferring the pattern shape formed on the optical nanoimprint resist layer to the release layer and the magnetic recording layer using a dry etching method;
And a step of removing the release layer using an organic solvent. 基板上に磁気記録層を形成する工程と、
前記磁気記録層の上にマスク層を形成する工程と、
前記マスク層の上に、有機溶媒に可溶な剥離層を形成する工程と、
前記剥離層の上に光ナノインプリントレジスト層を形成する工程と、
インプリントモールドを用いて前記光ナノインプリントレジスト層にパターン形状を形成する工程と、
前記光ナノインプリントレジスト層に形成されたパターン形状を、ドライエッチング法を用いて前記剥離層とマスク層に転写する工程と、
有機溶媒を用いて前記剥離層を除去する工程と、
前記マスク層のパターン形状を前記磁気記録層に転写する工程と
を有することを特徴とするパターンドメディアの作製方法。 Forming a magnetic recording layer on the substrate;
Forming a mask layer on the magnetic recording layer;
Forming a release layer soluble in an organic solvent on the mask layer;
Forming an optical nanoimprint resist layer on the release layer;
Forming a pattern shape in the optical nanoimprint resist layer using an imprint mold; and
Transferring the pattern shape formed in the optical nanoimprint resist layer to the release layer and the mask layer using a dry etching method;
Removing the release layer using an organic solvent;
And transferring the pattern shape of the mask layer to the magnetic recording layer. 基板上に磁気記録層を形成する工程と、
前記磁気記録層の上に、有機溶媒に可溶な剥離層を形成する工程と、
前記剥離層の上にマスク層を形成する工程と、
前記マスク層の上に光ナノインプリントレジスト層を形成する工程と、
インプリントモールドを用いて前記光ナノインプリントレジスト層にパターン形状を形成する工程と、
前記光ナノインプリントレジスト層に形成されたパターン形状を、ドライエッチング法を用いて前記マスク層、剥離層及び磁気記録層に転写する工程と、
有機溶媒を用いて前記剥離層を除去する工程と
を有することを特徴とするパターンドメディアの作製方法。 Forming a magnetic recording layer on the substrate;
Forming a release layer soluble in an organic solvent on the magnetic recording layer;
Forming a mask layer on the release layer;
Forming an optical nanoimprint resist layer on the mask layer;
Forming a pattern shape in the optical nanoimprint resist layer using an imprint mold; and
Transferring the pattern shape formed on the optical nanoimprint resist layer to the mask layer, the release layer, and the magnetic recording layer using a dry etching method;
And a step of removing the release layer using an organic solvent. 請求項１−３のいずれか１項記載のパターンドメディアの作製方法において、前記剥離層は高分子材料からなることを特徴とするパターンドメディアの作製方法。   The method for producing a patterned medium according to claim 1, wherein the release layer is made of a polymer material. 請求項１−４のいずれか１項記載のパターンドメディアの作製方法において、前記剥離層は厚さが１０ｎｍ以上であることを特徴とするパターンドメディアの作製方法。   The method for producing a patterned medium according to claim 1, wherein the release layer has a thickness of 10 nm or more.
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