JP2010146220A - Semiconductor disk drive - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、フラッシュメモリを用いた半導体ディスクドライブに関して、複数の独立したフラッシュメモリデバイスと該フラッシュメモリデバイスの制御回路および該フラッシュメモリデバイスへの書き込み回数を管理する管理テーブルを持ち、書き込み回数が予め設定された回数に達した場合、使用するフラッシュメモリデバイスを交替させることで、半導体ディスクドライブ自体の寿命を延ばすことを特徴とするものである。 The present invention relates to a semiconductor disk drive using a flash memory, and has a plurality of independent flash memory devices, a control circuit for the flash memory device, and a management table for managing the number of writes to the flash memory device. When the set number of times is reached, the flash memory device to be used is replaced, thereby extending the life of the semiconductor disk drive itself.
近年、サーバ装置の省電力への要求の高まりから、ハードディスクドライブの代わりとしてフラッシュメモリを用いた半導体ディスクドライブが注目されている。 In recent years, a semiconductor disk drive using a flash memory as a substitute for a hard disk drive has attracted attention due to an increase in demand for power saving of server devices.
半導体ディスクドライブは、低消費電力で、かつ、機械的な駆動部分が不要で故障率が低いという長所がある反面、フラッシュメモリの特性から書き込み回数に制限があり、書き込みを頻繁におこなうようなシステムでは、ハードディスクドライブに比べて寿命が短いという短所がある。 The semiconductor disk drive has the advantages of low power consumption, no mechanical drive part and low failure rate, but on the other hand, the number of writes is limited due to the characteristics of flash memory, and a system that writes frequently. However, there is a disadvantage that the life is shorter than the hard disk drive.
このような短所に対して、特開2008-9594 「半導体記憶装置管理システム、半導体記憶装置、ホスト装置、プログラム、半導体記憶装置の管理方法」では、半導体記憶装置の書き込み回数等より寿命を予測しユーザに通知する手段が提案されているが、半導体記憶装置そのものの寿命を延ばすものではない。 With regard to such disadvantages, in Japanese Patent Laid-Open No. 2008-9594 “Semiconductor memory device management system, semiconductor memory device, host device, program, semiconductor memory device management method”, the lifetime is predicted from the number of times the semiconductor memory device is written. A means for notifying the user has been proposed, but it does not extend the life of the semiconductor memory device itself.
解決しようとする課題は、半導体ディスクドライブに用いられるフラッシュメモリに書き込み回数に制限があり、半導体ディスクドライブが搭載されるサーバ装置に比べて半導体ディスクドライブそのものの使用寿命が短い点である。 The problem to be solved is that the flash memory used for the semiconductor disk drive has a limited number of times of writing, and the service life of the semiconductor disk drive itself is shorter than that of the server device on which the semiconductor disk drive is mounted.
本発明は、半導体ディスクドライブに複数の独立したフラッシュメモリデバイスを持たせ、書き込み回数に応じて使用するフラッシュメモリデバイスを交替し、使用不可となったフラッシュメモリは稼動中に交換することを最も主要な特徴とする。 The most important aspect of the present invention is to provide a semiconductor disk drive with a plurality of independent flash memory devices, replace the flash memory device to be used according to the number of writes, and replace the flash memory that has become unusable during operation. Features.
本発明の半導体ディスクドライブは、複数のフラッシュメモリを備え、書き込み回数に応じて使用するフラッシュメモリを交替させ、使用不可となったフラッシュメモリは稼動中に交換することで、半導体ディスクドライブの寿命を延ばす利点がある。 The semiconductor disk drive according to the present invention includes a plurality of flash memories. The flash memory to be used is replaced according to the number of times of writing, and the flash memory that has become unusable is replaced during operation, thereby extending the life of the semiconductor disk drive. There is an advantage to prolong.
以下、本発明の実施例について、図面を参照し説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
図1は本発明の一実施例を示すブロック図である。 FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention.
半導体ディスクドライブ10は、CPU30とインタフェース31で接続される。CPU30は、図示はしないが、プロセッサやメモリ、およびI/Oデバイスから構成されるシステムで、半導体ディスクドライブ10は、CPU30のI/Oデバイスのひとつである。
The
半導体ディスクドライブ10は、アクセス制御部11とフラッシュメモリデバイス20および21で構成される。フラッシュメモリデバイス20および21は稼動中に交換可能な構造である。
The
アクセス制御部11はアクセス管理テーブル12を具備し、図2に示すように、半導体ディスク20および21の各々に対しての「使用状態」「書き込み回数」「交換閾値」を管理する。また、図3に示すように、使用状態には、未使用を意味する「00」、使用中を意味する「01」、データ移行中を意味する「10」、使用不可を意味する「11」の4つの状態がある。
The
次に実施例の動作について説明する。 Next, the operation of the embodiment will be described.
図4はリード動作を説明したフローチャートである。 FIG. 4 is a flowchart illustrating the read operation.
まず、半導体ディスクドライブ10は、インタフェース31を通じてCPU30よりリード要求を受信する(ステップ401)。リード要求を受け取ったアクセス制御部11は、アクセス管理テーブル12を参照して(ステップ402)、フラッシュメモリデバイスの使用状態を確認する(ステップ403)。フラッシュメモリデバイス20または21のどちらかの状態が、「01(使用中)」であれば、該当するフラッシュメモリデバイスよりデータを読み出し(ステップ404)、CPU30にリードデータを返送する(ステップ405)。
First, the
フラッシュメモリデバイスの状態が「10(データ移行中)」の場合は、状態が「01(使用中)」となるまで状態確認を繰り返す(ステップ406)。 If the status of the flash memory device is “10 (data migration)”, the status check is repeated until the status becomes “01 (in use)” (step 406).
フラッシュメモリデバイスの状態が「01(使用中)」でも、「10(データ移行中)」でもない場合は、読み出し可能なデバイスがないと判断して、CPU30にエラーを返送する(ステップ407)。 If the status of the flash memory device is neither “01 (in use)” nor “10 (data migration)”, it is determined that there is no readable device, and an error is returned to the CPU 30 (step 407).
図5および図6はライト動作を説明したフローチャートである。 5 and 6 are flowcharts for explaining the write operation.
まず、半導体ディスクドライブ10は、インタフェース31を通じてCPU30よりライト要求を受信する(ステップ501)。ライト要求を受け取ったアクセス制御部11は、アクセス管理テーブル12を参照して(ステップ502)、フラッシュメモリデバイスの状態を確認する(ステップ503)。
First, the
状態が「01(使用中)」であれば該当するフラッシュメモリデバイスに書き込みをおこなう(ステップ504)。状態が「10(データ移行中)」の場合は、状態が「01(使用中)」となるまで状態確認を繰り返す(ステップ507)。 If the state is “01 (in use)”, the corresponding flash memory device is written (step 504). If the status is “10 (data migration in progress)”, the status check is repeated until the status becomes “01 (in use)” (step 507).
また、フラッシュメモリデバイスの状態が「01(使用中)」でも、「10(データ移行中)」でもない場合は、書き込み可能なデバイスがないと判断して、CPU30にエラーを返送する(ステップ508)。 If the status of the flash memory device is neither “01 (in use)” nor “10 (data migration)”, it is determined that there is no writable device, and an error is returned to the CPU 30 (step 508). ).
ステップ504にて書き込み完了後、書き込みをおこなったフラッシュメモリデバイスの書き込み回数に1を足し(ステップ505)、書き込み回数と交換閾値を比較する(ステップ506)。
After writing is completed in
書き込み回数が交換閾値を超えていた場合、アクセス制御部は、現在使用中のフラッシュメモリデバイスの状態を「10(データ移行中)」に変更し(ステップ601)、使用中のフラッシュメモリデバイスのデータを予備のフラッシュメモリデバイスにコピーする(ステップ602)。コピーが完了したら、現在使用中のフラッシュメモリデバイスの状態を「11(使用不可)」とし(ステップ603)、予備のフラッシュメモリデバイスの状態を「01(使用中)」とする(ステップ604)。 If the write count exceeds the replacement threshold, the access control unit changes the status of the flash memory device currently in use to “10 (data migration)” (step 601), and the data in the flash memory device in use Is copied to a spare flash memory device (step 602). When copying is completed, the status of the flash memory device currently in use is set to “11 (unusable)” (step 603), and the status of the spare flash memory device is set to “01 (in use)” (step 604).
ここで、「11(使用不可)」となったフラッシュメモリデバイスは、稼動時交換することで状態が「00(未使用)」となり、予備のフラッシュメモリデバイスとなる。 Here, the flash memory device that has become “11 (unusable)” becomes a spare flash memory device because the status becomes “00 (unused)” by replacement during operation.
このように、本発明によれば、複数のフラッシュメモリを備え、書き込み回数に応じて使用するフラッシュメモリを交替させ、使用不可となったフラッシュメモリは稼動中に交換することで、半導体ディスクドライブの寿命を半永久的に延ばす利点がある。 As described above, according to the present invention, a plurality of flash memories are provided, the flash memory to be used is replaced according to the number of times of writing, and the flash memory that has become unusable is replaced during operation. There is an advantage of extending the service life semipermanently.
10…半導体ディスクドライブ、11…アクセス制御部、12…アクセス管理テーブル、20…フラッシュメモリデバイス、21…フラッシュメモリデバイス、30…CPU、31…インタフェース。
DESCRIPTION OF
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008321723A JP2010146220A (en) | 2008-12-18 | 2008-12-18 | Semiconductor disk drive |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008321723A JP2010146220A (en) | 2008-12-18 | 2008-12-18 | Semiconductor disk drive |
Publications (1)
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JP2010146220A true JP2010146220A (en) | 2010-07-01 |
Family
ID=42566612
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2008321723A Pending JP2010146220A (en) | 2008-12-18 | 2008-12-18 | Semiconductor disk drive |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2010146220A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8868864B2 (en) | 2011-08-15 | 2014-10-21 | Fujitsu Limited | Storage apparatus and storage apparatus control method |
-
2008
- 2008-12-18 JP JP2008321723A patent/JP2010146220A/en active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US8868864B2 (en) | 2011-08-15 | 2014-10-21 | Fujitsu Limited | Storage apparatus and storage apparatus control method |
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