JP2010145604A - Positive photosensitive resin composition and method of manufacturing bump using the same - Google Patents

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華子 南川
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a positive photosensitive resin composition that forms a uniform photosensitive resin film even when the film thickness is 10 μm or longer, has high resolution property, high adhesiveness, sufficient developing speed to alkali developing solution, high plating liquid resistance, reduces cracking and chipping of the photosensitive resin film in a plating process, and is suitable for thick film formation suitable as a material for forming a bump having high peeling property, and a method of manufacturing a bump using them. <P>SOLUTION: This positive photosensitive resin composition includes (A) alkali soluble novolak resin, (B) phenol resin denaturalized with compound having unsaturated 4-100C hydrocarbon group machine, and (C) compound for generating acid with light. The content of the (B) component is 5 to 50 mass% to the total content of the (A) component and the (B) component. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、ポジ型感光性樹脂組成物、及びそれを用いたバンプの製造方法に関する。より詳しくは,回路基板の製造および回路基板への電子部品の実装の際に行われるフォトファブリケーションに好適であり,アルカリ現像可能な厚膜用ポジ型感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂膜およびこれらを用いたバンプの形成方法に関する。   The present invention relates to a positive photosensitive resin composition and a method for producing a bump using the same. More specifically, it is suitable for photofabrication performed when a circuit board is manufactured and an electronic component is mounted on the circuit board, and a positive-type photosensitive resin composition for a thick film capable of alkali development, and the photosensitive resin composition The present invention relates to a photosensitive resin film made of a material and a bump forming method using the same.

近年、電子機器のダウンサイジングに伴い、LSIの高集積化およびASIC化が急激に進んでいる。そのため、LSIを電子機器に搭載するための多ピン薄膜実装が必要とされており、TAB方式やフリップチップ方式によるベアチップ実装などが採用されている。このような多ピン実装では、接続用端子としてバンプと呼ばれる突起電極が基板上に高精度に配置されていることが必要であり、さらなるLSIの小型化に対応してバンプの高精度化および狭ピッチ化がより一層必要となってきている。
バンプを形成する際に用いられる感光性樹脂組成物には、膜厚10μm以上の均一な感光性樹脂膜を形成できること、パターニングされた膜が基板に対する密着性を有すること、解像性に優れること、バンプを形成するためのメッキを行う際に耐メッキ性を有すること、メッキ形状はパターニング形状を再現すること、かつメッキ後は剥離液により容易に剥離されることが求められている。
また、メッキ中またはメッキ後の水洗もしくは乾燥処理において、感光性樹脂膜にクラックが発生しないことがもとめられる。メッキ中にクラックが発生すると、メッキもぐりなど希望しない箇所にメッキが析出し、ショートの原因となる。メッキ後にクラックが発生すると、メッキの厚みが足りずに再度メッキを行った場合などにおいて、クラック部にメッキが析出しやすく、正しい形状のメッキが得られないことがある。従って、メッキ形成用感光性樹脂組成物には、メッキ時もしくはメッキ後のクラック発生を抑えることが特に要求されている。
しかしながら,バンプ形成用材料として従来から用いられているノボラック樹脂、ナフトキノンジアジド基含有化合物および他の添加剤からなる感光性樹脂組成物は、クラック発生において満足できるものではなかった。すなわち、形成される感光性樹脂膜がもろいためクラックが入りやすいという問題があった。
例えば特許文献1及び2にはポリ−p−ヒドロキシスチレン系レジストを用いてドライフィルムとして用いても現像時にクラックを発生しない感光性樹脂組成物が開示されているが、感光性樹脂組成物としてのコントラストが低下する問題があった。
特許文献3にはカルボキシル基やフェノール性水酸基を含有するアルカリ可溶性を有する共重合体を含み、ドライフィルムとして用いることのできるバンプ形成用感光性樹脂組成物が開示されているが、メッキ処理により得られる金属層が膨らみ良好なパターンが得られない、またメッキ工程中にクラックを発生する問題があった。
特許文献4には、不飽和カルボン酸及び/不飽和カルボン酸無水物を含有する感光性樹脂膜が開示されているが、特許文献3と同様にメッキ処理により得られる金属層が膨らみ良好なパターンが得られない、また、メッキ工程中にクラックを発生する問題があった。
特許文献5にはノボラック樹脂とアルコール性水酸基、カルボキシル基、および/またはフェノール性水酸基を含むバンプ形成用感光性樹脂組成物が開示されているが、感光性樹脂組成物としてのコントラストが低下する問題があった。
特許文献6には、メッキ耐性を向上させる目的でポリ(ビニル低級アルキルエーテル)を添加したポジ型フォトレジスト組成物が開示されている。しかしながら、ビニル低級アルキルエーテルのアルカリ性現像液に対する溶解性が低いため、多核フェノール化合物を添加する必要があり、メッキに対する耐性が低下する傾向にあった。
In recent years, with the downsizing of electronic equipment, the high integration of LSI and the ASIC are rapidly progressing. For this reason, multi-pin thin film mounting for mounting LSI on electronic devices is required, and bare chip mounting by TAB method or flip chip method is adopted. In such multi-pin mounting, bump electrodes called bumps need to be arranged on the substrate with high precision as connection terminals, and bumps are made highly accurate and narrow in response to further miniaturization of LSIs. There is a growing need for pitching.
The photosensitive resin composition used when forming the bumps can form a uniform photosensitive resin film having a thickness of 10 μm or more, the patterned film has adhesion to the substrate, and has excellent resolution. In addition, it is required to have plating resistance when performing plating for forming bumps, to reproduce the patterning shape of the plating shape, and to be easily peeled off by a peeling solution after plating.
In addition, it is required that no cracks occur in the photosensitive resin film during or after water washing or drying treatment during plating. If cracks occur during plating, the plating deposits at an undesired location such as plating, which causes a short circuit. If cracks occur after plating, when the plating is performed again because of insufficient plating thickness, the plating is likely to be deposited on the crack portion, and the correct shape of the plating may not be obtained. Therefore, the photosensitive resin composition for forming a plating is particularly required to suppress the occurrence of cracks during or after plating.
However, a photosensitive resin composition comprising a novolak resin, a naphthoquinonediazide group-containing compound and other additives conventionally used as bump forming materials has not been satisfactory in generating cracks. That is, there is a problem in that the formed photosensitive resin film is fragile and thus easily cracks.
For example, Patent Documents 1 and 2 disclose a photosensitive resin composition that does not generate cracks during development even when used as a dry film using a poly-p-hydroxystyrene-based resist. There was a problem that the contrast was lowered.
Patent Document 3 discloses a photosensitive resin composition for bump formation that includes an alkali-soluble copolymer containing a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group and can be used as a dry film. The metal layer swells and a good pattern cannot be obtained, and cracks are generated during the plating process.
Patent Document 4 discloses a photosensitive resin film containing an unsaturated carboxylic acid and / or an unsaturated carboxylic acid anhydride. As in Patent Document 3, a metal layer obtained by plating treatment swells and has a good pattern. Cannot be obtained, and cracks are generated during the plating process.
Patent Document 5 discloses a photosensitive resin composition for bump formation containing a novolak resin and an alcoholic hydroxyl group, a carboxyl group, and / or a phenolic hydroxyl group. However, the contrast as the photosensitive resin composition is lowered. was there.
Patent Document 6 discloses a positive photoresist composition to which poly (vinyl lower alkyl ether) is added for the purpose of improving plating resistance. However, since the solubility of vinyl lower alkyl ethers in an alkaline developer is low, it is necessary to add a polynuclear phenol compound, and the resistance to plating tends to decrease.

特開平5−107756号公報JP-A-5-107756 特開平5−107757号公報Japanese Patent Laid-Open No. 5-107757 特許第3832099号公報Japanese Patent No. 3832099 特許第3633179号公報Japanese Patent No. 3633179 特開2000−250208号公報JP 2000-250208 A 特開2000−250210号公報JP 2000-250210 A

本発明の目的は10μm以上の厚膜でも均一性の高い感光性樹脂膜を形成でき、解像性、耐メッキ液性及び剥離性に優れるポジ型感光性樹脂組成物及びこれを用いたバンプの製造方法を提供することにある。   An object of the present invention is to form a positive photosensitive resin composition that can form a highly uniform photosensitive resin film even with a thick film of 10 μm or more, and is excellent in resolution, plating solution resistance and peelability, and bumps using the same. It is to provide a manufacturing method.

本発明は、[1](A)アルカリ可溶性ノボラック樹脂、(B)炭素数4〜100の不飽和炭化水素基を有する化合物で変性されたフェノール樹脂、(C)光により酸を生成する化合物、を含有するポジ型感光性樹脂組成物であって、前記(B)成分の含有量が、前記(A)成分と前記(B)成分の総量に対して5〜50質量%であるポジ型感光性樹脂組成物を提供することにある。
また、本発明は、[2]前記(C)成分がo−キノンジアジド化合物である上記[1]記載のポジ型感光性樹脂組成物に関する。レジストパターンを形成する際の感度が更に向上することから、o−キノンジアジド化合物であることが好ましい。
また、本発明は、[3](C)成分の含有量が、前記(A)成分100質量部に対して、3〜100質量部含有する上記[1]又は[2]に記載のポジ型感光性樹脂組成物に関する。
これによりレジストパターンを形成する際の解像性が更に向上する。
かかるポジ型感光性樹脂組成物によれば、膜厚10μm以上の均一な塗膜を形成でき、十分に高い感度及び解像度で、密着性に優れ、良好な耐メッキ液性を有するレジストパターンを形成することが可能である。
また、[4]本発明のバンプの製造方法は、上記[1]〜[3]のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物を、基板上に10〜100μmの膜厚で感光性樹脂膜を形成する工程、前記感光性樹脂膜を紫外線により露光する工程、前記露光後に、アルカリ水溶液により現像してパターン化する工程、前記パターン化後に、メッキ処理する工程、前記メッキ処理後にレジストパターンを剥離する工程、とを含む。このような製造方法によれば、上述のポジ型感光性樹脂組成物を用いているため、十分に高い感度及び解像度で、良好なメッキパターンを形成することができる。
The present invention includes [1] (A) an alkali-soluble novolak resin, (B) a phenol resin modified with a compound having an unsaturated hydrocarbon group having 4 to 100 carbon atoms, (C) a compound that generates an acid by light, A positive photosensitive resin composition containing 5 to 50% by mass of the component (B) with respect to the total amount of the component (A) and the component (B). It is in providing a conductive resin composition.
The present invention also relates to [2] the positive photosensitive resin composition according to the above [1], wherein the component (C) is an o-quinonediazide compound. Since the sensitivity at the time of forming a resist pattern further improves, it is preferable that it is an o-quinonediazide compound.
The present invention also provides the positive type according to [1] or [2], wherein the content of the component [3] (C) is 3 to 100 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A). The present invention relates to a photosensitive resin composition.
Thereby, the resolution at the time of forming a resist pattern further improves.
According to such a positive photosensitive resin composition, a uniform coating film having a film thickness of 10 μm or more can be formed, and a resist pattern having sufficiently high sensitivity and resolution, excellent adhesion, and good plating solution resistance can be formed. Is possible.
[4] The method for producing a bump of the present invention is a method in which the positive photosensitive resin composition according to any one of the above [1] to [3] is formed on a substrate with a film thickness of 10 to 100 μm. A step of forming a film, a step of exposing the photosensitive resin film with ultraviolet rays, a step of developing and patterning with an alkaline aqueous solution after the exposure, a step of plating after the patterning, and a resist pattern after the plating treatment And a peeling step. According to such a manufacturing method, since the positive photosensitive resin composition described above is used, a good plating pattern can be formed with sufficiently high sensitivity and resolution.

本発明によれば、10μm以上の厚膜でも均一性の高い感光性樹脂膜を形成でき、解像性、耐メッキ液性及び剥離性に優れるポジ型感光性樹脂組成物、及びこれらを用いたバンプの製造方法(形成方法)を提供することができる。   According to the present invention, a positive-type photosensitive resin composition that can form a highly uniform photosensitive resin film even with a thick film of 10 μm or more and is excellent in resolution, plating solution resistance and peelability, and these are used. A bump manufacturing method (forming method) can be provided.

以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。本明細書における「(メタ)アクリレート」とは、「アクリレート」及びそれに対応する「メタクリレート」を意味する。同様に「(メタ)アクリル」とは、「アクリル」及びそれに対応する「メタクリル」を意味する。
[ポジ型感光性樹脂組成物]
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、(A)アルカリ可溶性ノボラック樹脂、(B)炭素数4〜100の不飽和炭化水素基を有する化合物で変性されたフェノール樹脂、(C)光により酸を生成する化合物を含有する。以下、ポジ型感光性樹脂組成物に含有される各成分について説明する。
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail. In this specification, “(meth) acrylate” means “acrylate” and “methacrylate” corresponding thereto. Similarly, “(meth) acryl” means “acryl” and “methacryl” corresponding thereto.
[Positive photosensitive resin composition]
The positive photosensitive resin composition of the present invention comprises (A) an alkali-soluble novolak resin, (B) a phenol resin modified with a compound having an unsaturated hydrocarbon group having 4 to 100 carbon atoms, and (C) an acid by light. Containing a compound that produces Hereinafter, each component contained in the positive photosensitive resin composition will be described.

<(A)成分>
(A)成分であるアルカリ可溶性ノボラック樹脂は、例えばフェノール性水酸基を持つ芳香族化合物(以下、単に「フェノール類」という)とアルデヒド類とを酸触媒下で付加縮合させることにより得ることができる。
この際使用されるフェノール類としては、例えばフェノール、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、o−エチルフェノール、m−エチルフェノール、p−エチルフェノール、o−ブチルフェノール、m−ブチルフェノール、p−ブチルフェノール、2,3−キシレノール、2,4−キシレノール、2,5−キシレノール、2,6−キシレノール、3,4−キシレノール、3,5−キシレノール、2,3,5−トリメチルフェノール、3,4,5−トリメチルフェノール、p−フェニルフェノール、レゾルシノール、ヒドロキノン、ヒドロキノンモノメチルエーテル、ピロガロール、フロログリシノール、ヒドロキシジフェニル、ビスフェノールA、没食子酸、没食子酸エステル、α−ナフトール、β−ナフトール等が挙げられる。
またアルデヒド類としては、例えばホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、フルフラール、ベンズアルデヒド、ニトロベンズアルデヒド、アセトアルデヒド等が挙げられる。
付加縮合反応時の触媒として、特に限定されるものではないが例えば酸触媒では、塩酸、硝酸、硫酸、蟻酸、蓚酸、酢酸等が使用される。
(A)アルカリ可溶性ノボラック樹脂の重量平均分子量はとくに制限されないが、10000〜50000が好ましい。
重量平均分子量(Mw)は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により測定することができる(標準ポリスチレンによる換算)。
<(A) component>
The alkali-soluble novolak resin as component (A) can be obtained, for example, by addition condensation of an aromatic compound having a phenolic hydroxyl group (hereinafter simply referred to as “phenols”) and an aldehyde in the presence of an acid catalyst.
Examples of phenols used at this time include phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, o-ethylphenol, m-ethylphenol, p-ethylphenol, o-butylphenol, m-butylphenol, p- Butylphenol, 2,3-xylenol, 2,4-xylenol, 2,5-xylenol, 2,6-xylenol, 3,4-xylenol, 3,5-xylenol, 2,3,5-trimethylphenol, 3,4 , 5-trimethylphenol, p-phenylphenol, resorcinol, hydroquinone, hydroquinone monomethyl ether, pyrogallol, phloroglicinol, hydroxydiphenyl, bisphenol A, gallic acid, gallic acid ester, α-naphthol, β-naphthol and the like. .
Examples of aldehydes include formaldehyde, paraformaldehyde, furfural, benzaldehyde, nitrobenzaldehyde, and acetaldehyde.
The catalyst for the addition condensation reaction is not particularly limited. For example, hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, formic acid, oxalic acid, acetic acid, and the like are used as the acid catalyst.
(A) Although the weight average molecular weight of alkali-soluble novolak resin is not specifically limited, 10000-50000 are preferable.
The weight average molecular weight (Mw) can be measured by gel permeation chromatography (GPC) (in terms of standard polystyrene).

<(B)成分>
(B)成分である炭素数4〜100の不飽和炭化水素基を有する化合物で変性されたフェノール樹脂は、フェノール誘導体と炭素数4〜100の不飽和炭化水素基を有する化合物(以下場合により単に「不飽和炭化水素基含有化合物」という。)との反応生成物(以下「不飽和炭化水素基変性フェノール誘導体」という。)と、アルデヒド類とを縮重合反応させることにより得ることができる。
フェノール誘導体としては、例えば、フェノール;o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、o−エチルフェノール、m−エチルフェノール、p−エチルフェノール、o−ブチルフェノール、m−ブチルフェノール、p−ブチルフェノール、2,3−キシレノール、2,4−キシレノール、2,5−キシレノール、2,6−キシレノール、3,4−キシレノール、3,5−キシレノール、2,3,5−トリメチルフェノール、3,4,5−トリメチルフェノール等のアルキルフェノール;メトキシフェノール、2−メトキシ−4−メチルフェノール等のアルコキシフェノール;ビニルフェノール、アリルフェノール等のアルケニルフェノール;ベンジルフェノール等のアラルキルフェノール;メトキシカルボニルフェノール等のアルコキシカルボニルフェノール;ベンゾイルオキシフェノール等のアリールカルボニルフェノール;クロロフェノール等のハロゲン化フェノール;カテコール、レゾルシノール、ピロガロール等のポリヒドロキシベンゼン;ビスフェノールA、ビスフェノールF等のビスフェノール;α−又はβ−ナフトール等のナフトール誘導体;p−ヒドロキシフェニル−2−エタノール、p−ヒドロキシフェニル−3−プロパノール、p−ヒドロキシフェニル−4−ブタノール等のヒドロキシアルキルフェノール;ヒドロキシエチルクレゾール等のヒドロキシアルキルクレゾール;ビスフェノールのモノエチレンオキサイド付加物;ビスフェノールのモノプロピレンオキサイド付加物等のアルコール性水酸基含有フェノール誘導体;p−ヒドロキシフェニル酢酸、p−ヒドロキシフェニルプロピオン酸、p−ヒドロキシフェニルブタン酸、p−ヒドロキシ桂皮酸、ヒドロキシ安息香酸、ヒドロキシフェニル安息香酸、ヒドロキシフェノキシ安息香酸、ジフェノール酸等のカルボキシル基含有フェノール誘導体が挙げられる。また、ビスヒドロキシメチル−p−クレゾール等の上記フェノール誘導体のメチロール化物をフェノール誘導体として用いてもよい。フェノール誘導体は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いられる。
<(B) component>
The phenol resin modified with the component (B) compound having an unsaturated hydrocarbon group having 4 to 100 carbon atoms is a compound having a phenol derivative and an unsaturated hydrocarbon group having 4 to 100 carbon atoms. It can be obtained by subjecting a reaction product with an "unsaturated hydrocarbon group-containing compound") (hereinafter referred to as "unsaturated hydrocarbon group-modified phenol derivative") and an aldehyde to a condensation polymerization reaction.
Examples of the phenol derivative include phenol; o-cresol, m-cresol, p-cresol, o-ethylphenol, m-ethylphenol, p-ethylphenol, o-butylphenol, m-butylphenol, p-butylphenol, 2, 3-xylenol, 2,4-xylenol, 2,5-xylenol, 2,6-xylenol, 3,4-xylenol, 3,5-xylenol, 2,3,5-trimethylphenol, 3,4,5-trimethyl Alkylphenols such as phenol; alkoxyphenols such as methoxyphenol and 2-methoxy-4-methylphenol; alkenylphenols such as vinylphenol and allylphenol; aralkylphenols such as benzylphenol; Cooxycarbonylphenol; arylcarbonylphenol such as benzoyloxyphenol; halogenated phenol such as chlorophenol; polyhydroxybenzene such as catechol, resorcinol, pyrogallol; bisphenol such as bisphenol A and bisphenol F; α- or β-naphthol, etc. Naphthol derivatives; hydroxyalkylphenols such as p-hydroxyphenyl-2-ethanol, p-hydroxyphenyl-3-propanol and p-hydroxyphenyl-4-butanol; hydroxyalkylcresols such as hydroxyethylcresol; monoethylene oxide adduct of bisphenol Alcoholic hydroxyl group-containing phenol derivatives such as monopropylene oxide adducts of bisphenol; p-hydroxypheny Acid, p- hydroxy phenylpropionic acid, p- hydroxyphenyl butanoic acid, p- hydroxycinnamic acid, hydroxybenzoic acid, hydroxyphenyl benzoate, hydroxyphenoxy benzoate, carboxyl group-containing phenol derivatives such as di-phenolic acids. Further, methylolated products of the above phenol derivatives such as bishydroxymethyl-p-cresol may be used as the phenol derivative. A phenol derivative is used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

不飽和炭化水素基含有化合物の不飽和炭化水素基は、レジストパターンの密着性及び耐熱衝撃性の観点から、2以上の不飽和結合を含むことが好ましく、ポジ型感光性樹脂組成物の保存安定性の観点から、不飽和結合は30以下であることが好ましい。また、樹脂組成物としたときの相溶性及び硬化膜の可とう性の観点からは、不飽和炭化水素基は好ましくは炭素数8〜80、より好ましくは炭素数10〜60である。
不飽和炭化水素基含有化合物としては、例えば、炭素数4〜100の不飽和炭化水素、カルボキシル基を有するポリブタジエン、エポキシ化ポリブダジエン、リノリルアルコール、オレイルアルコール、不飽和脂肪酸及び不飽和脂肪酸エステルである。好適な不飽和脂肪酸としては、クロトン酸、ミリストレイン酸、パルミトレイン酸、オレイン酸、エライジン酸、バクセン酸、ガドレイン酸、エルカ酸、ネルボン酸、リノール酸、α−リノレン酸、エレオステアリン酸、ステアリドン酸、アラキドン酸、エイコサペンタエン酸、イワシ酸及びドコサヘキサエン酸が挙げられる。これらの中でも特に、炭素数8〜30の不飽和脂肪酸と、炭素数1〜10の1価から3価のアルコールとのエステルがより好ましく、炭素数8〜30の不飽和脂肪酸と3価のアルコールであるグリセリンとのエステルが特に好ましい。
炭素数8〜30の不飽和脂肪酸とグリセリンとのエステルは、植物油として商業的に入手可能である。植物油は、ヨウ素価が100以下の不乾性油、100を超えて130未満の半乾性油又は130以上の乾性油がある。不乾性油として、例えば、オリーブ油、あさがお種子油、カシュウ実油、さざんか油、つばき油、ひまし油及び落花生油が挙げられる。半乾性油として、例えば、コーン油、綿実油及びごま油が挙げられる。乾性油としては、例えば、桐油、亜麻仁油、大豆油、胡桃油、サフラワー油、ひまわり油、荏の油及び芥子油が挙げられる。また、これらの植物油を加工して得られる加工植物油を用いてもよい。
レジストパターンの密着性、機械特性及び耐熱衝撃性が向上する観点では乾性油を用いることが好ましいく、桐油及び亜麻仁油がより好ましい。
これらの不飽和炭化水素基含有化合物は1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いられる。
The unsaturated hydrocarbon group of the unsaturated hydrocarbon group-containing compound preferably contains two or more unsaturated bonds from the viewpoint of adhesion of the resist pattern and thermal shock resistance, and storage stability of the positive photosensitive resin composition From the viewpoint of safety, the unsaturated bond is preferably 30 or less. Moreover, from the viewpoint of compatibility when the resin composition is used and the flexibility of the cured film, the unsaturated hydrocarbon group preferably has 8 to 80 carbon atoms, more preferably 10 to 60 carbon atoms.
Examples of the unsaturated hydrocarbon group-containing compound include unsaturated hydrocarbon having 4 to 100 carbon atoms, polybutadiene having a carboxyl group, epoxidized polybutadiene, linoleyl alcohol, oleyl alcohol, unsaturated fatty acid and unsaturated fatty acid ester. is there. Suitable unsaturated fatty acids include crotonic acid, myristoleic acid, palmitoleic acid, oleic acid, elaidic acid, vaccenic acid, gadoleic acid, erucic acid, nervonic acid, linoleic acid, α-linolenic acid, eleostearic acid, stearidone Examples include acids, arachidonic acid, eicosapentaenoic acid, sardine acid and docosahexaenoic acid. Among these, an ester of an unsaturated fatty acid having 8 to 30 carbon atoms and a monovalent to trivalent alcohol having 1 to 10 carbon atoms is more preferable, and an unsaturated fatty acid having 8 to 30 carbon atoms and a trivalent alcohol are preferable. Especially preferred are esters with glycerin.
Esters of unsaturated fatty acids having 8 to 30 carbon atoms and glycerin are commercially available as vegetable oils. Vegetable oils include non-drying oils with an iodine value of 100 or less, semi-drying oils with more than 100 and less than 130, or 130 or more drying oils. Non-drying oils include, for example, olive oil, Asa seed oil, cashew oil, potato oil, camellia oil, castor oil, and peanut oil. Examples of semi-drying oils include corn oil, cottonseed oil, and sesame oil. Examples of the drying oil include paulownia oil, linseed oil, soybean oil, walnut oil, safflower oil, sunflower oil, camellia oil and coconut oil. Moreover, you may use the processed vegetable oil obtained by processing these vegetable oils.
From the viewpoint of improving the adhesion, mechanical properties and thermal shock resistance of the resist pattern, it is preferable to use a drying oil, and more preferable are tung oil and linseed oil.
These unsaturated hydrocarbon group-containing compounds are used singly or in combination of two or more.

(B)成分を調製するにあたり、まず、上記フェノール誘導体と上記不飽和炭化水素基含有化合物とを反応させ、不飽和炭化水素基変性フェノール誘導体を作製する。上記反応は、通常50〜130℃で行うことが好ましい。フェノール誘導体と不飽和炭化水素基含有化合物との反応割合は、硬化膜の可とう性を向上させる観点から、フェノール誘導体100質量部に対し、不飽和炭化水素基含有化合物1〜100質量部であることが好ましく、5〜50質量部であることがより好ましい。不飽和炭化水素基含有化合物が1質量部未満では、硬化膜の可とう性が低下する傾向があり、100質量部を超えると、硬化膜の耐熱性が低下する傾向がある。上記反応は、必要に応じて、p−トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸等を触媒として用いてもよい。
次いで、上記不飽和炭化水素基変性フェノール誘導体と、アルデヒド類とを反応させ、炭素数4〜100の不飽和炭化水素基を有する化合物で変性されたフェノール樹脂を作製する。アルデヒド類としては、例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、フルフラール、ベンズアルデヒド、ヒドロキシベンズアルデヒド、メトキシベンズアルデヒド、ヒドロキシフェニルアセトアルデヒド、メトキシフェニルアセトアルデヒド、クロトンアルデヒド、クロロアセトアルデヒド、クロロフェニルアセトアルデヒド、アセトンおよびグリセルアルデヒドが挙げられる。また、アルデヒド類としては、例えば、グリオキシル酸、グリオキシル酸メチル、グリオキシル酸フェニル、グリオキシル酸ヒドロキシフェニル、ホルミル酢酸、ホルミル酢酸メチル、2−ホルミルプロピオン酸、2−ホルミルプロピオン酸メチル、ピルビン酸、レプリン酸、4−アセチルブチル酸、アセトンジカルボン酸及び3,3',4,4'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸も挙げられる。また、パラホルムアルデヒド、トリオキサン等のホルムアルデヒドの前駆体を用いてもよい。これらのアルデヒド類は1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いられる。
In preparing the component (B), first, the phenol derivative and the unsaturated hydrocarbon group-containing compound are reacted to produce an unsaturated hydrocarbon group-modified phenol derivative. The above reaction is usually preferably carried out at 50 to 130 ° C. The reaction ratio between the phenol derivative and the unsaturated hydrocarbon group-containing compound is 1 to 100 parts by mass of the unsaturated hydrocarbon group-containing compound with respect to 100 parts by mass of the phenol derivative from the viewpoint of improving the flexibility of the cured film. It is preferably 5 to 50 parts by mass. If the unsaturated hydrocarbon group-containing compound is less than 1 part by mass, the flexibility of the cured film tends to decrease, and if it exceeds 100 parts by mass, the heat resistance of the cured film tends to decrease. In the above reaction, p-toluenesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid or the like may be used as a catalyst, if necessary.
Next, the unsaturated hydrocarbon group-modified phenol derivative is reacted with an aldehyde to produce a phenol resin modified with a compound having an unsaturated hydrocarbon group having 4 to 100 carbon atoms. Examples of the aldehydes include formaldehyde, acetaldehyde, furfural, benzaldehyde, hydroxybenzaldehyde, methoxybenzaldehyde, hydroxyphenylacetaldehyde, methoxyphenylacetaldehyde, crotonaldehyde, chloroacetaldehyde, chlorophenylacetaldehyde, acetone, and glyceraldehyde. Examples of aldehydes include glyoxylic acid, methyl glyoxylate, phenyl glyoxylate, hydroxyphenyl glyoxylate, formylacetic acid, methyl formylacetate, 2-formylpropionic acid, methyl 2-formylpropionate, pyruvic acid, repric acid. 4-acetylbutyric acid, acetone dicarboxylic acid and 3,3 ′, 4,4′-benzophenone tetracarboxylic acid. Further, a formaldehyde precursor such as paraformaldehyde or trioxane may be used. These aldehydes are used alone or in combination of two or more.

上記アルデヒド類と、上記不飽和炭化水素基変性フェノール誘導体との反応は、重縮合反応であり、従来公知のフェノール樹脂の合成条件を用いることができる。反応は酸又は塩基等の触媒の存在下で行うことが好ましく、酸触媒を用いることがより好ましい。酸触媒としては、例えば、塩酸、硫酸、ぎ酸、酢酸、p−トルエンスルホン酸及びシュウ酸が挙げられる。これらの酸触媒は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
上記反応は、通常反応温度100〜120℃で行うことが好ましい。また、反応時間は使用する触媒の種類や量により異なるが、通常1〜50時間である。反応終了後、反応生成物を200℃以下の温度で減圧脱水することで炭素数4〜100の不飽和炭化水素基を有する化合物で変性されたフェノール樹脂が得られる。
なお、反応には、トルエン、キシレン、メタノール等の溶媒を用いることができる。
また、炭素数4〜100の不飽和炭化水素基を有する化合物で変性されたフェノール樹脂は、上述のフェノール誘導体と不飽和炭化水素基含有化合物とを反応させて得られる化合物と、m−キシレンのようなフェノール以外の化合物とを組み合わせて、アルデヒド類と重縮合することにより得ることもできる。この場合、フェノール誘導体と不飽和炭化水素基含有化合物とを反応させて得られる化合物に対するフェノール以外の化合物のモル比は、0.5未満であると好ましい。
The reaction between the aldehydes and the unsaturated hydrocarbon group-modified phenol derivative is a polycondensation reaction, and conventionally known synthesis conditions for phenol resins can be used. The reaction is preferably performed in the presence of a catalyst such as an acid or a base, and an acid catalyst is more preferably used. Examples of the acid catalyst include hydrochloric acid, sulfuric acid, formic acid, acetic acid, p-toluenesulfonic acid, and oxalic acid. These acid catalysts can be used alone or in combination of two or more.
The above reaction is preferably carried out usually at a reaction temperature of 100 to 120 ° C. Moreover, although reaction time changes with kinds and quantity of a catalyst to be used, it is 1 to 50 hours normally. After completion of the reaction, the reaction product is dehydrated under reduced pressure at a temperature of 200 ° C. or lower to obtain a phenol resin modified with a compound having an unsaturated hydrocarbon group having 4 to 100 carbon atoms.
In the reaction, a solvent such as toluene, xylene, or methanol can be used.
In addition, a phenol resin modified with a compound having an unsaturated hydrocarbon group having 4 to 100 carbon atoms is obtained by reacting the above-described phenol derivative with an unsaturated hydrocarbon group-containing compound, and m-xylene. It can also be obtained by combining such compounds other than phenol and polycondensing with aldehydes. In this case, the molar ratio of the compound other than phenol to the compound obtained by reacting the phenol derivative with the unsaturated hydrocarbon group-containing compound is preferably less than 0.5.

このようにして得られる炭素数4〜100の不飽和炭化水素基を有する化合物で変性されたフェノール樹脂に、更に多塩基酸無水物を反応させて酸変性したフェノール樹脂を(B)成分として用いることができる。多塩基酸無水物で酸変性することにより、(B)成分のアルカリ水溶液(現像液)に対する溶解性がより一層向上する。
多塩基酸無水物は、複数のカルボン酸を有し、当該カルボン酸が脱水縮合した形態(酸無水物)を有していれば、特に限定されない。多塩基酸無水物としては、例えば無水フタル酸、無水コハク酸、オクテニル無水コハク酸、ペンタドデセニル無水コハク酸、無水マレイン酸、無水イタコン酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水ナジック酸、3,6−エンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、テトラブロモ無水フタル酸、無水トリメリット酸等の二塩基酸無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、ブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物等の脂肪族、芳香族四塩基酸二無水物が挙げられる。これらは1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
これらの中でも、多塩基酸無水物は二塩基酸無水物であることが好ましく、例えば、テトラヒドロ無水フタル酸、無水コハク酸及びヘキサヒドロ無水フタル酸からなる群より選ばれる1種以上であることがより好ましい。この場合、良好な形状を有するレジストパターンを形成できるという利点がある。
上記反応は、50〜130℃で行うことができる。上記反応において、多塩基酸無水物をフェノール性水酸基1モルに対して、0.10〜0.80モルを反応させることが好ましく、0.15〜0.60モル反応させることがより好ましく、0.20〜0.40モル反応させることが更に好ましい。多塩基酸無水物が0.10モル未満では、現像性が低下する傾向にあり、0.80モルを超えると、未露光部の耐アルカリ性が低下する傾向にある。
なお、上記反応には、反応を迅速に行う観点から、必要に応じて、触媒を含有させてもよい。触媒としては、トリエチルアミン等の3級アミン、トリエチルベンジルアンモニウムクロライド等の4級アンモニウム塩、2−エチル−4−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物、トリフェニルホスフィン等のリン化合物が挙げられる。
The phenol resin modified with the compound having an unsaturated hydrocarbon group having 4 to 100 carbon atoms thus obtained is further reacted with a polybasic acid anhydride to use the acid-modified phenol resin as the component (B). be able to. By acid-modifying with a polybasic acid anhydride, the solubility of the component (B) in an alkaline aqueous solution (developer) is further improved.
The polybasic acid anhydride is not particularly limited as long as it has a plurality of carboxylic acids and has a form (acid anhydride) obtained by dehydration condensation of the carboxylic acid. Examples of the polybasic acid anhydride include phthalic anhydride, succinic anhydride, octenyl succinic anhydride, pentadodecenyl succinic anhydride, maleic anhydride, itaconic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride Dibasic acid anhydrides such as methylhexahydrophthalic anhydride, nadic anhydride, 3,6-endomethylenetetrahydrophthalic anhydride, methylendomethylenetetrahydrophthalic anhydride, tetrabromophthalic anhydride, trimellitic anhydride, biphenyltetra Carboxylic dianhydride, naphthalene tetracarboxylic dianhydride, diphenyl ether tetracarboxylic dianhydride, butane tetracarboxylic dianhydride, cyclopentane tetracarboxylic dianhydride, pyromellitic anhydride, benzophenone tetracar Aliphatic, such as phosphate dianhydride, an aromatic tetracarboxylic acid dianhydride. You may use these individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
Among these, the polybasic acid anhydride is preferably a dibasic acid anhydride. For example, the polybasic acid anhydride is preferably at least one selected from the group consisting of tetrahydrophthalic anhydride, succinic anhydride, and hexahydrophthalic anhydride. preferable. In this case, there is an advantage that a resist pattern having a good shape can be formed.
The above reaction can be carried out at 50 to 130 ° C. In the above reaction, the polybasic acid anhydride is preferably reacted with 0.10 to 0.80 mol, more preferably 0.15 to 0.60 mol with respect to 1 mol of the phenolic hydroxyl group. More preferably, the reaction is performed at 20 to 0.40 mol. If the polybasic acid anhydride is less than 0.10 mol, the developability tends to decrease, and if it exceeds 0.80 mol, the alkali resistance of the unexposed area tends to decrease.
In addition, you may contain a catalyst in the said reaction as needed from a viewpoint of performing reaction rapidly. Examples of the catalyst include tertiary amines such as triethylamine, quaternary ammonium salts such as triethylbenzylammonium chloride, imidazole compounds such as 2-ethyl-4-methylimidazole, and phosphorus compounds such as triphenylphosphine.

また、(A)成分は、フェノール樹脂と不飽和炭化水素基含有化合物とを反応させて得ることもできる。フェノール樹脂は、フェノール誘導体とアルデヒド類の重縮合反応生成物である。この場合、フェノール誘導体及びアルデヒド類としては、上述したフェノール誘導体及びアルデヒド類と同様のものを用いることができ、上述したような従来公知の条件でフェノール樹脂を合成することができる。
このようなフェノール誘導体とアルデヒド類から得られるフェノール樹脂の具体例としては、フェノール/ホルムアルデヒドノボラック樹脂、クレゾール/ホルムアルデヒドノボラック樹脂、キシリレノール/ホルムアルデヒドノボラック樹脂、レゾルシノール/ホルムアルデヒドノボラック樹脂、フェノール−ナフトール/ホルムアルデヒドノボラック樹脂が挙げられる。
次に、上記フェノール樹脂と不飽和炭化水素基含有化合物とを反応させて、炭素数4〜100の不飽和炭化水素基を有する化合物で変性されたフェノール樹脂を作製する。
上記フェノール樹脂と不飽和炭化水素基含有化合物との反応は、通常50〜130℃で行うことが好ましい。また、フェノール誘導体と不飽和炭化水素基含有化合物との反応割合は、硬化膜の可とう性を向上させる観点から、フェノール樹脂100質量部に対し、不飽和炭化水素基含有化合物1〜100質量部であることが好ましく、5〜50質量部であることがより好ましく、10〜30質量部であることが特に好ましい。不飽和炭化水素基含有化合物が1質量部未満では、硬化膜の可とう性が低下する傾向にあり、100質量部を超えると、硬化膜の耐熱性が低下する傾向にある。このとき、必要に応じて、p−トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸等を触媒として用いてもよい。なお、反応にはトルエン、キシレン、メタノール、テトラヒドロフランなどの溶媒を用いることができる。
また、上記フェノール樹脂と不飽和炭化水素基含有化合物との反応生成物である炭素数4〜100の不飽和炭化水素基を有する化合物で変性されたフェノール樹脂に、更に多塩基酸無水物を反応させて酸変性したフェノール樹脂を(B)成分として用いてもよい。多塩基酸無水物で酸変性することにより、(B)成分のアルカリ水溶液(現像液)に対する溶解性がより一層向上する。多塩基酸無水物との反応は、上述した反応条件と同様の条件を用いることができる。多塩基酸無水物としては、上述した多塩基酸無水物と同様のものを例示することができる。
The component (A) can also be obtained by reacting a phenol resin and an unsaturated hydrocarbon group-containing compound. The phenol resin is a polycondensation reaction product of a phenol derivative and an aldehyde. In this case, as a phenol derivative and aldehydes, the thing similar to the phenol derivative and aldehyde mentioned above can be used, and a phenol resin can be synthesize | combined on the conventionally well-known conditions as mentioned above.
Specific examples of phenol resins obtained from such phenol derivatives and aldehydes include phenol / formaldehyde novolak resins, cresol / formaldehyde novolak resins, xylylenol / formaldehyde novolak resins, resorcinol / formaldehyde novolak resins, phenol-naphthol / formaldehyde novolak resins. Is mentioned.
Next, the phenol resin and the unsaturated hydrocarbon group-containing compound are reacted to produce a phenol resin modified with a compound having an unsaturated hydrocarbon group having 4 to 100 carbon atoms.
The reaction between the phenol resin and the unsaturated hydrocarbon group-containing compound is usually preferably performed at 50 to 130 ° C. Moreover, the reaction rate of a phenol derivative and an unsaturated hydrocarbon group containing compound is 1-100 mass parts of unsaturated hydrocarbon group containing compounds with respect to 100 mass parts of phenol resins from a viewpoint of improving the flexibility of a cured film. It is preferable that it is 5-50 mass parts, and it is especially preferable that it is 10-30 mass parts. If the unsaturated hydrocarbon group-containing compound is less than 1 part by mass, the flexibility of the cured film tends to decrease, and if it exceeds 100 parts by mass, the heat resistance of the cured film tends to decrease. At this time, if necessary, p-toluenesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid or the like may be used as a catalyst. In addition, solvents, such as toluene, xylene, methanol, tetrahydrofuran, can be used for reaction.
Further, a polybasic acid anhydride is further reacted with the phenol resin modified with a compound having an unsaturated hydrocarbon group having 4 to 100 carbon atoms, which is a reaction product of the phenol resin and the unsaturated hydrocarbon group-containing compound. An acid-modified phenol resin may be used as the component (B). By acid-modifying with a polybasic acid anhydride, the solubility of the component (B) in an alkaline aqueous solution (developer) is further improved. For the reaction with the polybasic acid anhydride, the same conditions as those described above can be used. As a polybasic acid anhydride, the thing similar to the polybasic acid anhydride mentioned above can be illustrated.

なお、(B)成分の分子量は、アルカリ水溶液に対する溶解性や、感光特性と硬化膜物性とのバランスを考慮すると、重量平均分子量で1000〜500000が好ましく、2000〜200000がより好ましく、2000〜100000であることが更に好ましく、5000〜50000であることが特に好ましい。ここで、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法により測定し、標準ポリスチレン検量線より換算して得た値である。
(B)成分である炭素数4〜100の不飽和炭化水素基を有する化合物で変性されたフェノール樹脂の含有量は、前記(A)成分と前記(B)成分の総量に対して5〜50質量%であるが、現像速度及び解像度の観点から、5〜40質量%であることがより好ましく、10〜30質量%であることが特に好ましい。
The molecular weight of the component (B) is preferably 1,000 to 500,000, more preferably 2,000 to 200,000, and more preferably 2,000 to 100,000, considering the solubility in an aqueous alkali solution and the balance between the photosensitive properties and the cured film properties. It is more preferable that it is 5,000 to 50,000. Here, the weight average molecular weight is a value obtained by measuring by a gel permeation chromatography method and converting from a standard polystyrene calibration curve.
The content of the phenol resin modified with the compound having an unsaturated hydrocarbon group having 4 to 100 carbon atoms as the component (B) is 5 to 50 with respect to the total amount of the component (A) and the component (B). Although it is mass%, it is more preferable that it is 5-40 mass% from a viewpoint of development speed and resolution, and it is especially preferable that it is 10-30 mass%.

<(C)成分>
(C)成分である光により酸を生成する化合物は、感光剤として用いられる。このような(C)成分は、光照射により酸を生成させ、光照射した部分のアルカリ水溶液への可溶性を増大させる機能を有する。(C)成分としては、一般に光酸発生剤と称される化合物を用いることができる。(C)成分の具体例としては、o−キノンジアジド化合物、アリールジアゾニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩等が挙げられる。これらの中で、感度が高いことから、o−キノンジアジド化合物が好ましい。
o−キノンジアジド化合物としては、例えば、o−キノンジアジドスルホニルクロリドと、ヒドロキシ化合物やアミノ化合物等とを脱塩酸剤の存在下で縮合反応させることで得られるものを用いることができる。
反応に用いられるo−キノンジアジドスルホニルクロリドとしては、例えば、ベンゾキノン−1,2−ジアジド−4−スルホニルクロリド、ナフトキノン−1,2−ジアジド−5−スルホニルクロリド、ナフトキノン−1,2−ジアジド−4−スルホニルクロリドが挙げられる。
<(C) component>
The compound which produces | generates an acid with the light which is (C) component is used as a photosensitive agent. Such a component (C) has a function of generating an acid by irradiation with light and increasing the solubility of the irradiated portion in an alkaline aqueous solution. As the component (C), a compound generally called a photoacid generator can be used. Specific examples of the component (C) include o-quinonediazide compounds, aryldiazonium salts, diaryliodonium salts, triarylsulfonium salts and the like. Of these, o-quinonediazide compounds are preferred because of their high sensitivity.
As the o-quinonediazide compound, for example, a compound obtained by subjecting o-quinonediazidesulfonyl chloride to a hydroxy compound, an amino compound or the like in the presence of a dehydrochlorinating agent can be used.
Examples of the o-quinonediazidesulfonyl chloride used in the reaction include benzoquinone-1,2-diazide-4-sulfonyl chloride, naphthoquinone-1,2-diazide-5-sulfonyl chloride, and naphthoquinone-1,2-diazide-4- A sulfonyl chloride is mentioned.

反応に用いられるヒドロキシ化合物としては、例えば、ヒドロキノン、レゾルシノール、ピロガロール、ビスフェノールA、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−[4−{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル}フェニル]エタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4'−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2',4,4'−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,2',3'−ペンタヒドロキシベンゾフェノン,2,3,4,3',4',5'−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)プロパン、4b,5,9b,10−テトラヒドロ−1,3,6,8−テトラヒドロキシ−5,10−ジメチルインデノ[2,1−a]インデン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタンが挙げられる。   Examples of the hydroxy compound used in the reaction include hydroquinone, resorcinol, pyrogallol, bisphenol A, bis (4-hydroxyphenyl) methane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -1- [4- {1- ( 4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl} phenyl] ethane, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,3,4,4′-tetra Hydroxybenzophenone, 2,2 ′, 4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,2 ′, 3′-pentahydroxybenzophenone, 2,3,4,3 ′, 4 ′, 5′-hexahydroxy Benzophenone, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane, bis (2,3,4-trihydroxy) Enyl) propane, 4b, 5,9b, 10-tetrahydro-1,3,6,8-tetrahydroxy-5,10-dimethylindeno [2,1-a] indene, tris (4-hydroxyphenyl) methane, And tris (4-hydroxyphenyl) ethane.

反応に用いられるアミノ化合物としては、例えば、p−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、4,4'−ジアミノジフェニルエーテル、4,4'−ジアミノジフェニルメタン、4,4'−ジアミノジフェニルスルホン、4,4'−ジアミノジフェニルスルフィド、o−アミノフェノール、m−アミノフェノール、p−アミノフェノール、3,3'−ジアミノ−4,4'−ジヒドロキシビフェニル、4,4'−ジアミノ−3,3'−ジヒドロキシビフェニル、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンが挙げられる。   Examples of the amino compound used in the reaction include p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-diaminodiphenylmethane, 4,4′-diaminodiphenylsulfone, and 4,4 ′. -Diaminodiphenyl sulfide, o-aminophenol, m-aminophenol, p-aminophenol, 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxybiphenyl, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxybiphenyl, Bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) propane, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) propane, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) sulfone, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) Sulfone, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexa Ruoropuropan, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) hexafluoropropane and the like.

反応に用いられる脱塩酸剤としては、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、水酸化カリウム、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ピリジン等が挙げられる。また、反応溶媒としては、ジオキサン、アセトン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、N−メチルピロリドン等が用いられる。
o−キノンジアジドスルホニルクロリドと、ヒドロキシ化合物及び/又はアミノ化合物とは、o−キノンジアジドスルホニルクロリド1モルに対して、ヒドロキシ基とアミノ基とのモル数の合計が0.5〜1になるように配合されることが好ましい。脱塩酸剤とo−キノンジアジドスルホニルクロリドの好ましい配合割合は、0.95/1モル当量〜1/0.95モル当量の範囲である。
なお、上述の反応の好ましい反応温度は0〜40℃、好ましい反応時間は1〜10時間である。
このような(C)成分の含有量は、露光部と未露光部の溶解速度差と、感度の許容幅の点から、(A)成分100質量部に対して3〜100質量部が好ましく、5〜50質量部がより好ましく、5〜30質量部が特に好ましい
Examples of the dehydrochlorinating agent used in the reaction include sodium carbonate, sodium hydroxide, sodium hydrogen carbonate, potassium carbonate, potassium hydroxide, trimethylamine, triethylamine, pyridine and the like. Moreover, as a reaction solvent, dioxane, acetone, methyl ethyl ketone, tetrahydrofuran, diethyl ether, N-methylpyrrolidone, or the like is used.
o-quinonediazidosulfonyl chloride and hydroxy compound and / or amino compound are blended so that the total number of moles of hydroxy group and amino group is 0.5 to 1 per mole of o-quinonediazidesulfonyl chloride. It is preferred that A preferred blending ratio of the dehydrochlorinating agent and o-quinonediazide sulfonyl chloride is in the range of 0.95 / 1 molar equivalent to 1 / 0.95 molar equivalent.
In addition, the preferable reaction temperature of the above-mentioned reaction is 0-40 degreeC, and preferable reaction time is 1 to 10 hours.
The content of the component (C) is preferably 3 to 100 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A) from the viewpoint of the difference in dissolution rate between the exposed part and the unexposed part and the allowable range of sensitivity. 5-50 mass parts is more preferable, and 5-30 mass parts is especially preferable.

<(D)成分>
(D)成分として溶剤を含有することもできる。本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、溶剤を含有することにより、より均一な塗布膜を作製することができ、また膜厚を調整しやくできる。溶剤の具体例としては、γ−ブチロラクトン、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸ベンジル、n−ブチルアセテート、エトキシエチルプロピオナート、3−メチルメトキシプロピオナート、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリルアミド、テトラメチレンスルホン、ジエチルケトン、ジイソブチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルが挙げられる。
これらの溶剤は1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。また、(D)成分の含有量は、特に限定されないが、ポジ型感光性樹脂組成物中の溶剤の割合が20〜90質量%となるように調整されることが好ましい。
<(D) component>
(D) A solvent can also be contained as a component. When the positive photosensitive resin composition of the present invention contains a solvent, a more uniform coating film can be produced and the film thickness can be easily adjusted. Specific examples of the solvent include γ-butyrolactone, ethyl lactate, propylene glycol monomethyl ether acetate, benzyl acetate, n-butyl acetate, ethoxyethyl propionate, 3-methylmethoxypropionate, N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, hexamethylphosphorylamide, tetramethylene sulfone, diethyl ketone, diisobutyl ketone, methyl amyl ketone, cyclohexanone, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene Examples include glycol monobutyl ether and dipropylene glycol monomethyl ether.
These solvents can be used alone or in combination of two or more. Moreover, although content of (D) component is not specifically limited, It is preferable to adjust so that the ratio of the solvent in positive type photosensitive resin composition may be 20-90 mass%.

<その他の成分>
上述のポジ型感光性樹脂組成物は、上記(A)〜(D)成分に加えて、エラストマー、溶解促進剤、溶解阻害剤、カップリング剤、及び、界面活性剤又はレベリング剤等の成分を更に含有してもよい。
<Other ingredients>
In addition to the above components (A) to (D), the positive photosensitive resin composition described above contains components such as an elastomer, a dissolution accelerator, a dissolution inhibitor, a coupling agent, and a surfactant or leveling agent. Furthermore, you may contain.

(エラストマー)
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、ポジ型感光性樹脂組成物の硬化体に柔軟性を付与するために、(E)成分のエラストマーを更に含有することが好ましい。エラストマーとしては、従来公知のものを用いることができるが、エラストマーを構成する重合体のガラス転移温度(Tg)が20℃以下であることが好ましい。
このようなエラストマーとしては、例えば、スチレン系エラストマー、オレフィン系エラストマー、ウレタン系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、アクリル系エラストマー及びシリコーン系エラストマーが挙げられる。これらは1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
スチレン系エラストマーとしては、例えば、スチレン−ブタジエン−スチレンブロックコポリマー、スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー、スチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー、スチレン−ブタジエン−メタクリレートブロックポリマー等が挙げられる。スチレン系エラストマーを構成する成分としては、スチレンのほかに、α−メチルスチレン、3−メチルスチレン、4−プロピルスチレン、4−シクロヘキシルスチレン等のスチレン誘導体を用いることができる。
(Elastomer)
The positive photosensitive resin composition of the present invention preferably further contains an elastomer of component (E) in order to impart flexibility to the cured product of the positive photosensitive resin composition. A conventionally known elastomer can be used as the elastomer, but the glass transition temperature (Tg) of the polymer constituting the elastomer is preferably 20 ° C. or lower.
Examples of such elastomers include styrene elastomers, olefin elastomers, urethane elastomers, polyester elastomers, polyamide elastomers, acrylic elastomers, and silicone elastomers. These can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
Examples of the styrenic elastomer include styrene-butadiene-styrene block copolymer, styrene-isoprene-styrene block copolymer, styrene-ethylene-butylene-styrene block copolymer, styrene-ethylene-propylene-styrene block copolymer, and styrene-butadiene-methacrylate block. Examples thereof include polymers. As a component constituting the styrene-based elastomer, styrene derivatives such as α-methylstyrene, 3-methylstyrene, 4-propylstyrene, and 4-cyclohexylstyrene can be used in addition to styrene.

スチレン系エラストマーの具体例としては、タフプレン、ソルプレンT、アサプレンT、タフテック(以上、旭化成工業株式会社製)、エラストマーAR(アロン化成株式会社製)、クレイトンG、カリフレックス(以上、シェルジャパン株式会社製)、JSR−TR、TSR−SIS、ダイナロン(以上、JSR株式会社製)、デンカSTR(電気化学株式会社製)、クインタック(日本ゼオン株式会社製)、TPE−SBシリーズ(住友化学株式会社製)、ラバロン(三菱化学株式会社製)、セプトン、ハイブラー(以上、クラレ株式会社製)、スミフレックス(住友ベークライト株式会社製)、レオストマー、アクティマー(以上、理研ビニル工業株式会社製)、パラロイドEXLシリーズ(ロームアンドハース社製)が挙げられる。   Specific examples of styrenic elastomers include Tufrene, Solprene T, Asaprene T, Tuftec (above, manufactured by Asahi Kasei Corporation), Elastomer AR (produced by Aron Kasei Co., Ltd.), Kraton G, Califlex (above, Shell Japan Co., Ltd.) Manufactured), JSR-TR, TSR-SIS, Dynalon (above, manufactured by JSR Corporation), Denka STR (manufactured by Electrochemical Co., Ltd.), Quintac (manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.), TPE-SB series (Sumitomo Chemical Co., Ltd.) ), Lavalon (Mitsubishi Chemical Co., Ltd.), Septon, Hibler (above, Kuraray Co., Ltd.), Sumiflex (Sumitomo Bakelite Co., Ltd.), Rheostomer, Actimer (above, Riken Vinyl Industry Co., Ltd.), Paraloid EXL series (made by Rohm and Haas) can be mentioned.

オレフィン系エラストマーとしては、例えば、炭素数2〜20のα−オレフィンの共重合体(例えば、エチレン−プロピレン共重合体(EPR)、エチレン−プロピレン−ジエン共重合体(EPDM))、炭素数2〜20のジエン類とα−オレフィンとの共重合体、エポキシ化ポリブタジエンブタジエン−アクリロニトリル共重合体にメタクリル酸を共重合したカルボキシ変性NBR、エチレン−α−オレフィン共重合体ゴム、エチレン−α−オレフィン−ジエン共重合体ゴム、プロピレン−α−オレフィン共重合体ゴム及びブテン−α−オレフィン共重合体ゴム等が挙げられる。炭素数2〜20のα−オレフィンの具体例としては、エチレン、プロピレン、1−ブテン、1−ヘキセン、4−メチル−1−ペンテンが挙げられ、炭素数2〜20のジエン類の具体例としては、ジシクロペンタジエン、1,4−ヘキサジエン、シクロオクタンジエン、メチレンノルボルネン、エチリデンノルボルネン、ブタジエン、イソプレンが挙げられる。
オレフィン系エラストマーの具体例としては、ミラストマ(三井石油化学株式会社製)、EXACT(エクソン化学株式会社製)、ENGAGE(ダウケミカル株式会社製)、Nipolシリーズ(日本ゼオン株式会社製)、水添スチレン−ブタジエンラバーDYNABON HSBR(JSR株式会社製)、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体NBRシリーズ(JSR株式会社製)、架橋点を有する両末端カルボキシル基変性ブタジエン−アクリロニトリル共重合体のXERシリーズ(JSR株式会社製)、ポリブタジエンを部分的にエポキシ化したエポキシ化ポリブダジエンのBF−1000(日本曹達株式会社製)、液状ブタジエン−アクリロニトリル共重合体HYCARシリーズ(宇部興産株式会社製)が挙げられる。
Examples of the olefin elastomer include copolymers of α-olefins having 2 to 20 carbon atoms (for example, ethylene-propylene copolymer (EPR), ethylene-propylene-diene copolymer (EPDM)), and carbon number 2 Copolymer of ~ 20 dienes and α-olefin, carboxy-modified NBR obtained by copolymerizing epoxidized polybutadienebutadiene-acrylonitrile copolymer with methacrylic acid, ethylene-α-olefin copolymer rubber, ethylene-α-olefin -Diene copolymer rubber, propylene-α-olefin copolymer rubber, butene-α-olefin copolymer rubber, and the like. Specific examples of the α-olefin having 2 to 20 carbon atoms include ethylene, propylene, 1-butene, 1-hexene and 4-methyl-1-pentene. Specific examples of the dienes having 2 to 20 carbon atoms Includes dicyclopentadiene, 1,4-hexadiene, cyclooctanediene, methylene norbornene, ethylidene norbornene, butadiene, and isoprene.
Specific examples of olefin elastomers include milastoma (Mitsui Petrochemical Co., Ltd.), EXACT (Exxon Chemical Co., Ltd.), ENGAGE (Dow Chemical Co., Ltd.), Nipol series (Nihon Zeon Co., Ltd.), hydrogenated styrene. -Butadiene rubber DYNABON HSBR (manufactured by JSR Corp.), butadiene-acrylonitrile copolymer NBR series (manufactured by JSR Corp.), XER series (both terminal carboxyl group-modified butadiene-acrylonitrile copolymers having a crosslinking point (manufactured by JSR Corp.) ), BF-1000 (manufactured by Nippon Soda Co., Ltd.) of partially epoxidized polybutadiene, and liquid butadiene-acrylonitrile copolymer HYCAR series (manufactured by Ube Industries, Ltd.).

ウレタン系エラストマーは、低分子(短鎖)ジオール及びジイソシアネートからなるハードセグメントと、高分子(長鎖)ジオール及びジイソシアネートからなるソフトセグメントと、の構造単位からなるものである。高分子(長鎖)ジオールとしては、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレンオキサイド、ポリ(1,4−ブチレンアジペート)、ポリ(エチレン−1,4−ブチレンアジペート)、ポリカプロラクトン、ポリ(1,6−ヘキシレンカーボネート)、ポリ(1,6−へキシレン−ネオペンチレンアジペート)等が挙げられる。高分子(長鎖)ジオールの数平均分子量は、500〜10000であることが好ましい。低分子(短鎖)ジオールとしては、エチレングリコール、プロピレングリコール、1,4−ブタンジオール、ビスフェノールAが挙げられる。短鎖ジオールの数平均分子量は、48〜500であることが好ましい。
ウレタン系エラストマーの具体例としては、PANDEX T−2185、T−2983N(以上、大日本インキ化学工業株式会社製)、シラクトランE790、ヒタロイドシリーズ(日立化成工業株式会社製)が挙げられる。
Urethane elastomers are composed of structural units of a hard segment composed of low molecular (short chain) diol and diisocyanate and a soft segment composed of high molecular (long chain) diol and diisocyanate. Examples of the polymer (long chain) diol include polypropylene glycol, polytetramethylene oxide, poly (1,4-butylene adipate), poly (ethylene-1,4-butylene adipate), polycaprolactone, and poly (1,6-hexene). Xylene carbonate), poly (1,6-hexylene-neopentylene adipate) and the like. The number average molecular weight of the polymer (long chain) diol is preferably 500 to 10,000. Examples of the low molecular (short chain) diol include ethylene glycol, propylene glycol, 1,4-butanediol, and bisphenol A. The number average molecular weight of the short-chain diol is preferably 48 to 500.
Specific examples of the urethane-based elastomer include PANDEX T-2185, T-2983N (manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.), sylactolan E790, and the Hitaroid series (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.).

ポリエステル系エラストマーは、ジカルボン酸又はその誘導体とジオール化合物又はその誘導体とを重縮合して得られるものである。ジカルボン酸の具体例としては、テレフタル酸、イソフタル酸、ナフタレンジカルボン酸等の芳香族ジカルボン酸及びこれらの芳香環の水素原子がメチル基、エチル基、フェニル基等で置換された芳香族ジカルボン酸、アジピン酸、セバシン酸、ドデカンジカルボン酸等の炭素数2〜20の脂肪族ジカルボン酸、並びに、シクロヘキサンジカルボン酸等の脂環式ジカルボン酸等が挙げられる。これらの化合物は1種又は2種以上を用いることができる。
ジオール化合物の具体例として、エチレングリコール、1,3−プロパンジオール、1,4−ブタンジオール、1,6−ヘキサンジオール、1,10−デカンジオール、1,4−シクロヘキサンジオール等の脂肪族ジオール及び脂環式ジオール、ビスフェノールA、ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−メタン、ビス−(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)−プロパン、レゾルシン等が挙げられる。これらの化合物は1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
また、芳香族ポリエステル(例えば、ポリブチレンテレフタレート)部分をハードセグメント成分に、脂肪族ポリエステル(例えば、ポリテトラメチレングリコール)部分をソフトセグメント成分にしたマルチブロック共重合体を、ポリエステル系エラストマーとして用いることもできる。ポリエステル系エラストマーは、ハードセグメント及びソフトセグメントの種類、比率、並びに分子量の違い等により様々なグレードのものがある。
ポリエステル系エラストマーの具体例としては、ハイトレル(デュポン−東レ株式会社製)、ペルプレン(東洋紡績株式会社製)、エスペル(日立化成工業株式会社製)等が挙げられる。
The polyester elastomer is obtained by polycondensation of a dicarboxylic acid or a derivative thereof and a diol compound or a derivative thereof. Specific examples of the dicarboxylic acid include aromatic dicarboxylic acids such as terephthalic acid, isophthalic acid, and naphthalenedicarboxylic acid, and aromatic dicarboxylic acids in which hydrogen atoms of these aromatic rings are substituted with a methyl group, an ethyl group, a phenyl group, and the like, Examples thereof include aliphatic dicarboxylic acids having 2 to 20 carbon atoms such as adipic acid, sebacic acid and dodecanedicarboxylic acid, and alicyclic dicarboxylic acids such as cyclohexanedicarboxylic acid. These compounds can be used alone or in combination of two or more.
Specific examples of the diol compound include aliphatic diols such as ethylene glycol, 1,3-propanediol, 1,4-butanediol, 1,6-hexanediol, 1,10-decanediol, and 1,4-cyclohexanediol; Examples include alicyclic diol, bisphenol A, bis- (4-hydroxyphenyl) -methane, bis- (4-hydroxy-3-methylphenyl) -propane, resorcin and the like. These compounds can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
In addition, a multi-block copolymer having an aromatic polyester (eg, polybutylene terephthalate) portion as a hard segment component and an aliphatic polyester (eg, polytetramethylene glycol) portion as a soft segment component is used as a polyester elastomer. You can also. Polyester elastomers are available in various grades depending on the types and ratios of hard segments and soft segments, and the difference in molecular weight.
Specific examples of the polyester elastomer include Hytrel (DuPont-Toray Industries, Inc.), Perprene (Toyobo Co., Ltd.), Espel (Hitachi Chemical Industries, Ltd.) and the like.

ポリアミド系エラストマーは、ポリアミドからなるハードセグメントと、ポリエーテル又はポリエステルからなるソフトセグメントと、から構成されるものであり、ポリエーテルブロックアミド型とポリエーテルエステルブロックアミド型との2種類に大別される。ポリアミドとしては、ポリアミド6、ポリアミド11、ポリアミド12等が挙げられる。ポリエーテルとしては、ポリオキシエチレン、ポリオキシプロピレン、ポリテトラメチレングリコール等が挙げられる。
ポリアミド系エラストマーの具体例としては、UBEポリアミドエラストマー(宇部興産株式会社製)、ダイアミド(ダイセルヒュルス株式会社製)、PEBAX(東レ株式会社製)、グリロンELY(エムスジャパン株式会社製)、ノバミッド(三菱化学株式会社製)、グリラックス(大日本インキ化学工業株式会社製)等が挙げられる。
Polyamide elastomers are composed of hard segments made of polyamide and soft segments made of polyether or polyester, and are roughly divided into two types: polyether block amide type and polyether ester block amide type. The Examples of the polyamide include polyamide 6, polyamide 11, and polyamide 12. Examples of the polyether include polyoxyethylene, polyoxypropylene, polytetramethylene glycol and the like.
Specific examples of the polyamide-based elastomer include UBE polyamide elastomer (manufactured by Ube Industries), Daiamide (manufactured by Daicel Huls Co., Ltd.), PEBAX (manufactured by Toray Industries, Inc.), Grilon ELY (manufactured by MMS Japan Co., Ltd.), Novamid ( Mitsubishi Chemical Co., Ltd.), Glais (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.) and the like.

アクリル系エラストマーは、エチルアクリレート、ブチルアクリレート、メトキシエチルアクリレート、エトキシエチルアクリレート等のアクリル酸エステルと、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル等のエポキシ基を有する単量体及び/又はアクリロニトリルやエチレン等のビニル系単量体とを共重合して得られるものである。
このようなアクリル系エラストマーとしては、例えば、アクリロニトリル−ブチルアクリレート共重合体、アクリロニトリル−ブチルアクリレート−エチルアクリレート共重合体、アクリロニトリル−ブチルアクリレート−グリシジルメタクリレート共重合体等が挙げられる。
Acrylic elastomers are acrylic esters such as ethyl acrylate, butyl acrylate, methoxyethyl acrylate, ethoxyethyl acrylate, monomers having an epoxy group such as glycidyl methacrylate, allyl glycidyl ether, and / or vinyls such as acrylonitrile and ethylene. It is obtained by copolymerizing with a monomer.
Examples of such acrylic elastomers include acrylonitrile-butyl acrylate copolymer, acrylonitrile-butyl acrylate-ethyl acrylate copolymer, acrylonitrile-butyl acrylate-glycidyl methacrylate copolymer, and the like.

シリコーン系エラストマーは、オルガノポリシロキサンを主成分としたものであり、ポリジメチルシロキサン系、ポリメチルフェニルシロキサン系、ポリジフェニルシロキサン系に分類される。また、オルガノポリシロキサンの一部をビニル基、アルコキシ基等で変性したものを用いてもよい。
このようなシリコーン系エラストマーの具体例としては、KEシリーズ(信越化学株式会社製)、SEシリーズ、CYシリーズ、SHシリーズ(以上、東レダウコーニングシリコーン株式会社製)等が挙げられる。
Silicone elastomers are mainly composed of organopolysiloxane, and are classified into polydimethylsiloxane, polymethylphenylsiloxane, and polydiphenylsiloxane. Further, a part of organopolysiloxane modified with a vinyl group, an alkoxy group or the like may be used.
Specific examples of such silicone elastomers include the KE series (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), SE series, CY series, SH series (manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.) and the like.

また、上述したエラストマー以外に、ゴム変性したエポキシ樹脂を用いることもできる。ゴム変性したエポキシ樹脂は、例えば、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、サリチルアルデヒド型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、又はクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等の一部又は全部のエポキシ基を、両末端カルボン酸変性型ブタジエン−アクリルニトリルゴム、末端アミノ変性シリコーンゴム等で変性することによって得られるものである。   In addition to the above-described elastomer, a rubber-modified epoxy resin can also be used. The rubber-modified epoxy resin includes, for example, a part or all of epoxy groups such as bisphenol F type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, salicylaldehyde type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, or cresol novolac type epoxy resin, It is obtained by modifying with a terminal carboxylic acid-modified butadiene-acrylonitrile rubber, a terminal amino-modified silicone rubber or the like.

また、エラストマーは微粒子状(以下、「エラストマー粒子」ともいう。)であってもよい。エラストマー微粒子とは、ポジ型感光性樹脂成物中において微粒子状態で分散するエラストマーを示し、非相溶系での相分離による海島構造における島となるエラストマーや、いわゆるミクロドメインとなるエラストマー等が含まれるものである。
エラストマー微粒子としては、不飽和重合性基を2個以上有する架橋性モノマーと、エラストマー微粒子のTgが20℃以下となるように選択される1種以上のその他のモノマーを共重合したもの(いわゆる架橋微粒子)が好ましい。その他のモノマーとしては、重合性基以外の官能基、例えば、カルボキシル基、エポキシ基、アミノ基、イソシアナート基、水酸基等の官能基を有するモノマーを共重合したものを用いることが好ましい。
架橋性モノマーとしては、例えば、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート等の重合性不飽和基を複数有する化合物を挙げることができる。これらの中で、ジビニルベンゼンが好ましい。
エラストマー微粒子を製造する際に用いられる架橋性モノマーは、共重合に用いる全モノマーに対して、好ましくは1〜20質量%、より好ましくは2〜10質量%用いられる。
その他のモノマーとしては、例えば、ブタジエン、イソプレン、ジメチルブタジエン、クロロプレン、1,3−ペンタジエン等のジエン化合物;(メタ)アクリロニトリル、α−クロロアクリロニトリル、α−クロロメチルアクリロニトリル、α−メトキシアクリロニトリル、α−エトキシアクリロニトリル、クロトン酸ニトリル、ケイ皮酸ニトリル、イタコン酸ジニトリル、マレイン酸ジニトリル、フマル酸ジニトリル等の不飽和ニトリル化合物類;(メタ)アクリルアミド、N,N'−メチレンビス(メタ)アクリルアミド、N,N'−エチレンビス(メタ)アクリルアミド、N,N'−ヘキサメチレンビス(メタ)アクリルアミド、N−ヒドロキシメチル(メタ)アクリルアミド、N−(2−ヒドロキシエチル)(メタ)アクリルアミド、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)(メタ)アクリルアミド、クロトン酸アミド、ケイ皮酸アミド等の不飽和アミド類;(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸プロピル、(メタ)アクリル酸ブチル、(メタ)アクリル酸ヘキシル、(メタ)アクリル酸ラウリル、ポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート等の(メタ)アクリル酸エステル類;スチレン、α−メチルスチレン、o−メトキシスチレン、p−ヒドロキシスチレン、p−イソプロペニルフェノール等の芳香族ビニル化合物;ビスフェノールAのジグリシジルエーテル、グリコールのジグリシジルエーテル等と、(メタ)アクリル酸、ヒドロキシアルキル(メタ)アクリレート等との反応によって得られるエポキシ(メタ)アクリレート;ヒドロキシアルキル(メタ)アクリレートとポリイソシアナートとの反応によって得られるウレタン(メタ)アクリレート類;グリシジル(メタ)アクリレート、(メタ)アリルグリシジルエーテル等のエポキシ基含有不飽和化合物;(メタ)アクリル酸、イタコン酸、コハク酸−β−(メタ)アクリロキシエチル、マレイン酸−β−(メタ)アクリロキシエチル、フタル酸−β−(メタ)アクリロキシエチル、ヘキサヒドロフタル酸−β−(メタ)アクリロキシエチル等の不飽和酸化合物;ジメチルアミノ(メタ)アクリレート、ジエチルアミノ(メタ)アクリレート等のアミノ基含有不飽和化合物;(メタ)アクリルアミド、ジメチル(メタ)アクリルアミド等のアミド基含有不飽和化合物、ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート等の水酸基含有不飽和化合物等が挙げられる。
これらの中で、ブタジエン、イソプレン、(メタ)アクリロニトリル、(メタ)アクリル酸アルキルエステル類、スチレン、p−ヒドロキシスチレン、p−イソプロペニルフェノール、グリシジル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリル酸、ヒドロキシアルキル(メタ)アクリレート類等が好ましく用いられる。
The elastomer may be in the form of fine particles (hereinafter also referred to as “elastomer particles”). The elastomer fine particles are elastomers dispersed in a fine particle state in a positive photosensitive resin composition, and include elastomers that are islands in a sea-island structure by phase separation in an incompatible system, elastomers that are so-called microdomains, and the like. Is.
The elastomer fine particles are obtained by copolymerizing a crosslinkable monomer having two or more unsaturated polymerizable groups and one or more other monomers selected so that the Tg of the elastomer fine particles is 20 ° C. or less (so-called cross-linking). Fine particles) are preferred. As the other monomer, it is preferable to use a monomer obtained by copolymerizing a monomer having a functional group other than the polymerizable group, for example, a functional group such as a carboxyl group, an epoxy group, an amino group, an isocyanate group, or a hydroxyl group.
Examples of the crosslinkable monomer include divinylbenzene, diallyl phthalate, ethylene glycol di (meth) acrylate, propylene glycol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, polyethylene glycol di Examples thereof include compounds having a plurality of polymerizable unsaturated groups such as (meth) acrylate and polypropylene glycol di (meth) acrylate. Of these, divinylbenzene is preferred.
The crosslinkable monomer used in producing the elastomer fine particles is preferably used in an amount of 1 to 20% by mass, more preferably 2 to 10% by mass, based on all monomers used for copolymerization.
Examples of other monomers include diene compounds such as butadiene, isoprene, dimethylbutadiene, chloroprene, and 1,3-pentadiene; (meth) acrylonitrile, α-chloroacrylonitrile, α-chloromethylacrylonitrile, α-methoxyacrylonitrile, α- Unsaturated nitrile compounds such as ethoxyacrylonitrile, crotonic acid nitrile, cinnamic acid nitrile, itaconic acid dinitrile, maleic acid dinitrile, and fumaric acid dinitrile; (meth) acrylamide, N, N′-methylenebis (meth) acrylamide, N, N '-Ethylenebis (meth) acrylamide, N, N'-hexamethylenebis (meth) acrylamide, N-hydroxymethyl (meth) acrylamide, N- (2-hydroxyethyl) (meth) acrylamide, N Unsaturated amides such as N-bis (2-hydroxyethyl) (meth) acrylamide, crotonic acid amide, cinnamic acid amide; methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, (Meth) acrylic acid esters such as butyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, polyethylene glycol (meth) acrylate, polypropylene glycol (meth) acrylate; styrene, α-methylstyrene , O-methoxystyrene, p-hydroxystyrene, p-isopropenylphenol and other aromatic vinyl compounds; bisphenol A diglycidyl ether, glycol diglycidyl ether and the like, (meth) acrylic acid, hydroxyalkyl (meth) acrylate Reaction with etc. Therefore, epoxy (meth) acrylate obtained; urethane (meth) acrylate obtained by reaction of hydroxyalkyl (meth) acrylate and polyisocyanate; epoxy group-containing non-residue such as glycidyl (meth) acrylate and (meth) allyl glycidyl ether Saturated compounds; (meth) acrylic acid, itaconic acid, succinic acid-β- (meth) acryloxyethyl, maleic acid-β- (meth) acryloxyethyl, phthalic acid-β- (meth) acryloxyethyl, hexahydro Unsaturated acid compounds such as phthalic acid-β- (meth) acryloxyethyl; Amino group-containing unsaturated compounds such as dimethylamino (meth) acrylate and diethylamino (meth) acrylate; (meth) acrylamide, dimethyl (meth) acrylamide, etc. An amide group-containing unsaturated compound , Hydroxyl-containing unsaturated compounds such as hydroxyethyl (meth) acrylate, hydroxypropyl (meth) acrylate, and hydroxybutyl (meth) acrylate.
Among these, butadiene, isoprene, (meth) acrylonitrile, (meth) acrylic acid alkyl esters, styrene, p-hydroxystyrene, p-isopropenylphenol, glycidyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid, hydroxyalkyl (Meth) acrylates and the like are preferably used.

(溶解促進剤)
溶解促進剤を上述のポジ型感光性樹脂組成物に配合することによって、アルカリ水溶液で現像する際の露光部の溶解速度を増加させ、感度及び解像性を向上させることができる。溶解促進剤としては従来公知のものを用いることができる。その具体例としては、カルボキシル基、スルホン酸、スルホンアミド基を有する化合物が挙げられる。
このような溶解促進剤を配合させる場合の、その含有量は、アルカリ水溶液に対する溶解速度によって決めることができ、例えば、(A)成分100質量部に対して、0.01〜30質量部とすることができる。
(Dissolution promoter)
By blending the dissolution accelerator in the positive photosensitive resin composition described above, the dissolution rate of the exposed area when developing with an alkaline aqueous solution can be increased, and the sensitivity and resolution can be improved. A conventionally well-known thing can be used as a dissolution promoter. Specific examples thereof include compounds having a carboxyl group, a sulfonic acid, and a sulfonamide group.
The content when such a dissolution accelerator is blended can be determined by the dissolution rate with respect to the alkaline aqueous solution, for example, 0.01 to 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A). be able to.

(溶解阻害剤)
溶解阻害剤は、(A)成分のアルカリ水溶液に対する溶解性を阻害する化合物であり、残膜厚、現像時間やコントラストをコントロールするために用いられる。その具体例としては、ジフェニルヨードニウムニトラート、ビス(p−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムニトラート、ジフェニルヨードニウムブロミド、ジフェニルヨードニウムクロリド、ジフェニルヨードニウムヨージド等である。溶解阻害剤を配合する場合の、その含有量は、感度と現像時間の許容幅の点から、(A)成分100質量部に対して0.01〜20質量部が好ましく、0.01〜15質量部がより好ましく、0.05〜10質量部が特に好ましい。
(Dissolution inhibitor)
The dissolution inhibitor is a compound that inhibits the solubility of the component (A) in an alkaline aqueous solution, and is used to control the remaining film thickness, development time, and contrast. Specific examples thereof include diphenyliodonium nitrate, bis (p-tert-butylphenyl) iodonium nitrate, diphenyliodonium bromide, diphenyliodonium chloride, diphenyliodonium iodide and the like. When blending a dissolution inhibitor, the content is preferably 0.01 to 20 parts by weight, preferably 0.01 to 15 parts per 100 parts by weight of component (A), from the viewpoint of sensitivity and the allowable range of development time. Mass parts are more preferable, and 0.05 to 10 parts by mass are particularly preferable.

(カップリング剤)
カップリング剤を上述のポジ型感光性樹脂組成物に配合することによって、形成される硬化膜の基板との接着性を高めることができる。カップリング剤としては、例えば、有機シラン化合物、アルミキレート化合物が挙げられる。
有機シラン化合物としては、例えば、ビニルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、尿素プロピルトリエトキシシラン、メチルフェニルシランジオール、エチルフェニルシランジオール、n−プロピルフェニルシランジオール、イソプロピルフェニルシランジオール、n−ブチルフェニルシランジオール、イソブチルフェニルシランジオール、tert−ブチルフェニルシランジオール、ジフェニルシランジオール、エチルメチルフェニルシラノール、n−プロピルメチルフェニルシラノール、イソプロピルメチルフェニルシラノール、n−ブチルメチルフェニルシラノール、イソブチルメチルフェニルシラノール、tert−ブチルメチルフェニルシラノール、エチル−n−プロピルフェニルシラノール、エチルイソプロピルフェニルシラノール、n−ブチルエチルフェニルシラノール、イソブチルエチルフェニルシラノール、tert−ブチルエチルフェニルシラノール、メチルジフェニルシラノール、エチルジフェニルシラノール、n−プロピルジフェニルシラノール、イソプロピルジフェニルシラノール、n−ブチルジフェニルシラノール、イソブチルジフェニルシラノール、tert−ブチルジフェニルシラノール、フェニルシラントリオール、1,4−ビス(トリヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(メチルジヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(エチルジヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(プロピルジヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(ブチルジヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(ジメチルヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(ジエチルヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(ジプロピルヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(ジブチルヒドロキシシリル)ベンゼンが挙げられる。
カップリング剤を用いる場合、その含有量は(A)成分100質量部に対して、0.1〜20質量部が好ましく、0.5〜10質量部がより好ましい。
(Coupling agent)
By mix | blending a coupling agent with the above-mentioned positive photosensitive resin composition, the adhesiveness with the board | substrate of the cured film formed can be improved. Examples of the coupling agent include organic silane compounds and aluminum chelate compounds.
Examples of the organic silane compound include vinyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltriethoxysilane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, urea propyltriethoxysilane, methylphenylsilanediol, ethylphenylsilanediol, n- Propylphenylsilanediol, isopropylphenylsilanediol, n-butylphenylsilanediol, isobutylphenylsilanediol, tert-butylphenylsilanediol, diphenylsilanediol, ethylmethylphenylsilanol, n-propylmethylphenylsilanol, isopropylmethylphenylsilanol, n-butylmethylphenylsilanol, isobutylmethylphenylsilanol, tert-butylmethylphenylsilanol , Ethyl-n-propylphenylsilanol, ethylisopropylphenylsilanol, n-butylethylphenylsilanol, isobutylethylphenylsilanol, tert-butylethylphenylsilanol, methyldiphenylsilanol, ethyldiphenylsilanol, n-propyldiphenylsilanol, isopropyldiphenylsilanol , N-butyldiphenylsilanol, isobutyldiphenylsilanol, tert-butyldiphenylsilanol, phenylsilanetriol, 1,4-bis (trihydroxysilyl) benzene, 1,4-bis (methyldihydroxysilyl) benzene, 1,4-bis (Ethyldihydroxysilyl) benzene, 1,4-bis (propyldihydroxysilyl) benzene, 1,4-bis (butyldi) Droxysilyl) benzene, 1,4-bis (dimethylhydroxysilyl) benzene, 1,4-bis (diethylhydroxysilyl) benzene, 1,4-bis (dipropylhydroxysilyl) benzene, 1,4-bis (dibutylhydroxysilyl) ) Benzene.
When using a coupling agent, the content is preferably 0.1 to 20 parts by mass, and more preferably 0.5 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A).

(界面活性剤又はレベリング剤)
界面活性剤又はレベリング剤を上述のポジ型感光性樹脂組成物に配合することによって、塗布性、例えばストリエーション(膜厚のムラ)を防いだり、現像性を向上させたりすることができる。このような界面活性剤又はレベリング剤としては、例えば、ポリオキシエチレンウラリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテルが挙げられる。市販品としては、メガファックスF171、F173、R−08(大日本インキ化学工業株式会社製、商品名)、フロラードFC430、FC431(住友スリーエム株式会社、商品名)、オルガノシロキサンポリマーKP341、KBM303、KBM403、KBM803(信越化学工業株式会社製、商品名)がある。
界面活性剤又はレベリング剤を用いる場合、その合計の含有量は、(A)成分100質量部に対して、0.001〜5質量部が好ましく、0.01〜3質量部がより好ましい。
(Surfactant or leveling agent)
By blending a surfactant or a leveling agent into the above-mentioned positive photosensitive resin composition, coating properties such as striation (film thickness unevenness) can be prevented and developability can be improved. Examples of such a surfactant or leveling agent include polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether, and polyoxyethylene octylphenol ether. Commercially available products include Megafax F171, F173, R-08 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd., trade name), Fluorad FC430, FC431 (Sumitomo 3M Limited, trade name), organosiloxane polymers KP341, KBM303, KBM403. , KBM803 (trade name, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).
When using surfactant or a leveling agent, 0.001-5 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of (A) component, and, as for the total content, 0.01-3 mass parts is more preferable.

上述したポジ型感光性樹脂組成物は、水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)等のアルカリ水溶液を用いて現像することが可能である。さらに、上述のポジ型感光性樹脂組成物を用いることにより、十分に高い感度及び解像度で、良好な密着性及び耐熱衝撃性を有するレジストパターンを形成することが可能となる。   The positive photosensitive resin composition described above can be developed using an aqueous alkaline solution such as tetramethylammonium hydroxide (TMAH). Furthermore, by using the above-mentioned positive photosensitive resin composition, it becomes possible to form a resist pattern having good adhesion and thermal shock resistance with sufficiently high sensitivity and resolution.

[バンプの製造方法]
次に、バンプの製造方法について説明する。本発明のバンプの製造方法は、上述のポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂膜を基板上に10〜100μmの膜厚で形成する工程、露光する工程と、露光後の感光性樹脂膜をアルカリ水溶液により現像してパターン化する工程と、パターン化された感光性樹脂膜をメッキする工程と、メッキ後に剥離する工程を備える。
以下、各工程について説明する。
[Bump manufacturing method]
Next, a bump manufacturing method will be described. The method for producing a bump of the present invention comprises a step of forming a photosensitive resin film comprising the above positive photosensitive resin composition on a substrate with a film thickness of 10 to 100 μm, a step of exposing, and a photosensitive resin after exposure. A step of developing and patterning the film with an aqueous alkaline solution, a step of plating the patterned photosensitive resin film, and a step of peeling after plating are provided.
Hereinafter, each step will be described.

<塗布工程>
まず、上述のポジ型感光性樹脂組成物を半導体ウエハなどの支持基板上に塗布し乾燥して感光性樹脂膜を形成する。上述のポジ型感光性樹脂組成物を、スピンナー等を用いて回転塗布し、感光性樹脂膜を形成する。この感光性樹脂膜が形成された支持基板をホットプレート、オーブン等を用いて乾燥する。これにより、支持基板上に感光性樹脂膜が形成される。膜厚は、10〜100μmとすることでメッキ処理で形成されるバンプ高さを十分にカバーできる厚みとすることができる。
<露光工程>
次に、露光工程では、支持基板上に形成された感光性樹脂膜に対して、マスクを介して紫外線、可視光線、放射線等の活性光線を照射する。上述のポジ型感光性樹脂組成物において、(A)成分はi線に対する透明性が高いので、i線の照射を好適に用いることができる。なお、露光後、必要に応じて露光後加熱(PEB)を行うこともできる。露光後加熱の温度は70℃〜140℃、露光後加熱の時間は1〜5分が好ましい。
<現像工程>
現像工程では、露光工程後の感光性樹脂膜の露光部を現像液で除去することにより、感光性樹脂膜がパターン化される。現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニア、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)等のアルカリ水溶液が好適に用いられる。これらの水溶液の塩基濃度は、0.1〜10質量%とすることが好ましい。さらに、上記現像液にアルコール類や界面活性剤を添加して使用することもできる。これらはそれぞれ、現像液100質量部に対して、好ましくは0.01〜10質量部、より好ましくは0.1〜5質量部の範囲で配合することができる。
<メッキ工程>
メッキ方法は特に制限されず、従来からの公知の各種メッキ方法を採用することができる。例えばメッキ液としては金メッキ液、半田メッキ液、銅メッキ液、銀メッキ液などがある。無電解メッキ、電気メッキを単独で、又は組合わせて行うことができる。
<Application process>
First, the positive photosensitive resin composition described above is applied onto a support substrate such as a semiconductor wafer and dried to form a photosensitive resin film. The positive photosensitive resin composition described above is spin-coated using a spinner or the like to form a photosensitive resin film. The support substrate on which the photosensitive resin film is formed is dried using a hot plate, an oven, or the like. Thereby, a photosensitive resin film is formed on the support substrate. By setting the film thickness to 10 to 100 μm, the thickness can sufficiently cover the bump height formed by the plating process.
<Exposure process>
Next, in the exposure step, the photosensitive resin film formed on the support substrate is irradiated with actinic rays such as ultraviolet rays, visible rays, and radiations through a mask. In the positive photosensitive resin composition described above, the component (A) is highly transparent to i-line, so i-line irradiation can be suitably used. In addition, after exposure, post-exposure heating (PEB) can be performed as necessary. The post-exposure heating temperature is preferably 70 to 140 ° C., and the post-exposure heating time is preferably 1 to 5 minutes.
<Development process>
In the development process, the photosensitive resin film is patterned by removing the exposed portion of the photosensitive resin film after the exposure process with a developer. As the developer, for example, an alkaline aqueous solution such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium silicate, ammonia, ethylamine, diethylamine, triethylamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide (TMAH) is preferably used. The base concentration of these aqueous solutions is preferably 0.1 to 10% by mass. Furthermore, alcohols and surfactants can be added to the developer and used. Each of these can be blended in the range of preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.1 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the developer.
<Plating process>
The plating method is not particularly limited, and various conventionally known plating methods can be employed. For example, the plating solution includes a gold plating solution, a solder plating solution, a copper plating solution, and a silver plating solution. Electroless plating and electroplating can be performed alone or in combination.

<剥離工程>
メッキ処理後、基板を室温(25℃)〜80℃にて攪拌中の剥離液に1〜10分間浸漬することによって,基板上に残存するレジストパターンを剥離することができる。これによりメッキパターンが得られる。
上記剥離液としては,例えば、
エチレングリコールアルキルエーテル類:エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル等、
エチレングリコールジアルキルエーテル類:ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル等、
エチレングリコールアルキルアセテート類:メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等、
プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート類:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート等、
ケトン類:アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルアミルケトン
芳香族単化水素類:トルエン、キシレン等、
ジオキサンのような環式エーテル類:
エステル類:2−ヒドロキシプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、オキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、3−メトキシブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルアセテート、蟻酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル等などが挙げられるが、これに限定されるものではない。またこれらは単独で用いてもよく,また2種類以上を混合して用いてもよい。
<Peeling process>
After the plating treatment, the resist pattern remaining on the substrate can be peeled by immersing the substrate in a stripping solution being stirred at room temperature (25 ° C.) to 80 ° C. for 1 to 10 minutes. Thereby, a plating pattern is obtained.
As the stripping solution, for example,
Ethylene glycol alkyl ethers: ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, etc.
Ethylene glycol dialkyl ethers: diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dipropyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, etc.
Ethylene glycol alkyl acetates: methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, etc.
Propylene glycol alkyl ether acetates: propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, etc.
Ketones: acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl amyl ketone Aromatic monohydrides: toluene, xylene, etc.
Cyclic ethers such as dioxane:
Esters: methyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, ethyl ethoxyacetate, ethyl oxyacetate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, 3-methoxybutyl acetate, 3- Examples thereof include, but are not limited to, methyl-3-methoxybutyl acetate, ethyl formate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl acetoacetate, and ethyl acetoacetate. These may be used alone or in combination of two or more.

以上のようなバンプの製造方法によれば、膜厚10μm以上の均一な塗膜を形成でき、十分に高い感度及び解像度で、密着性に優れ、良好な耐メッキ液性を有するレジストパターンを形成することができ、良好なメッキパターンを形成することができる。
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はこれに制限されるものではない。
According to the bump manufacturing method as described above, a uniform coating film having a film thickness of 10 μm or more can be formed, and a resist pattern having a sufficiently high sensitivity and resolution, excellent adhesion, and good plating solution resistance can be formed. And a good plating pattern can be formed.
As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described, this invention is not restrict | limited to this.

以下に、本発明を実施例および比較例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
(A)成分として、次のA1を準備した。
フェノール樹脂(旭有機材工業株式会社製、商品名「EP4080G」
Hereinafter, the present invention will be specifically described based on Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited thereto.
The following A1 was prepared as the component (A).
Phenolic resin (Asahi Organic Materials Co., Ltd., trade name “EP4080G”)

(B)成分として、下記のB1〜B4を準備した。
((B1)の合成)
フェノール100質量部、亜麻仁油20質量部及びトリフロオロメタンスルホン酸0.1質量部を混合し、120℃で2時間撹拌し、乾性油変性フェノール誘導体である化合物aを得た。次いで、上記化合物a101g、パラホルムアルデヒド16.3g及びシュウ酸1.0gを混合し、90℃で3時間撹拌し反応を行った。そして、120℃に昇温して減圧下で3時間撹拌後、反応液を大気圧下で室温(25℃)まで冷却し、反応生成物である乾性油変性フェノール樹脂(B1)を得た。
As the component (B), the following B1 to B4 were prepared.
(Synthesis of (B1))
100 parts by weight of phenol, 20 parts by weight of linseed oil and 0.1 parts by weight of trifluoromethanesulfonic acid were mixed and stirred at 120 ° C. for 2 hours to obtain a compound a which is a dry oil-modified phenol derivative. Next, 101 g of the compound a, 16.3 g of paraformaldehyde and 1.0 g of oxalic acid were mixed and stirred at 90 ° C. for 3 hours to carry out a reaction. And after heating up to 120 degreeC and stirring under reduced pressure for 3 hours, the reaction liquid was cooled to room temperature (25 degreeC) under atmospheric pressure, and the dry oil modified phenol resin (B1) which is a reaction product was obtained.

((B2)の合成)
フェノール100質量部、亜麻仁油10質量部及びトリフロオロメタンスルホン酸0.1質量部を混合し、120℃で2時間撹拌し、乾性油変性フェノール誘導体である化合物bを得た。次いで、上記化合物b130g、パラホルムアルデヒド16.3g及びシュウ酸1.0gを混合し、90℃で3時間撹拌し反応を行った。そして、120℃に昇温して減圧下で3時間撹拌後、反応液を大気圧下で室温まで冷却し、反応生成物である乾性油変性フェノール樹脂(B2)を得た。
(Synthesis of (B2))
100 parts by mass of phenol, 10 parts by mass of linseed oil and 0.1 part by mass of trifluoromethanesulfonic acid were mixed and stirred at 120 ° C. for 2 hours to obtain a compound b which is a dry oil-modified phenol derivative. Next, 130 g of the compound b, 16.3 g of paraformaldehyde, and 1.0 g of oxalic acid were mixed and stirred at 90 ° C. for 3 hours to carry out a reaction. And after heating up to 120 degreeC and stirring under reduced pressure for 3 hours, the reaction liquid was cooled to room temperature under atmospheric pressure, and the dry oil modified phenol resin (B2) which is a reaction product was obtained.

((B3)の合成)
フェノール100質量部、亜麻仁油30質量部及びトリフロオロメタンスルホン酸0.1質量部を混合し、120℃で2時間撹拌し、乾性油変性フェノール誘導体である化合物cを得た。次いで、上記化合物c130g、パラホルムアルデヒド16.3g及びシュウ酸1.0gを混合し、90℃で3時間撹拌し反応を行った。そして、120℃に昇温して減圧下で3時間撹拌後、反応液を大気圧下で室温まで冷却し、反応生成物である乾性油変性フェノール樹脂dを得た。上記化合物d130g、パラホルムアルデヒド16.3g及びシュウ酸1.0gを混合し、90℃で3時間撹拌し反応を行った。次いで、120℃に昇温して減圧下で3時間撹拌した後、反応液に無水コハク酸29g及びトリエチルアミン0.3gを加え、大気圧下、100℃で1時間撹拌した。反応液を室温まで冷却し、反応生成物である乾性油変性フェノール樹脂(B3)を得た。
(Synthesis of (B3))
100 parts by mass of phenol, 30 parts by mass of linseed oil and 0.1 part by mass of trifluoromethanesulfonic acid were mixed and stirred at 120 ° C. for 2 hours to obtain a compound c which is a dry oil-modified phenol derivative. Next, 130 g of the above compound c, 16.3 g of paraformaldehyde and 1.0 g of oxalic acid were mixed and reacted at 90 ° C. for 3 hours to carry out a reaction. And after heating up to 120 degreeC and stirring under reduced pressure for 3 hours, the reaction liquid was cooled to room temperature under atmospheric pressure, and the dry oil modified phenol resin d which is a reaction product was obtained. 130 g of the above compound d, 16.3 g of paraformaldehyde and 1.0 g of oxalic acid were mixed and stirred at 90 ° C. for 3 hours to carry out a reaction. Subsequently, after heating up to 120 degreeC and stirring under reduced pressure for 3 hours, 29 g of succinic anhydride and 0.3 g of triethylamine were added to the reaction liquid, and it stirred at 100 degreeC under atmospheric pressure for 1 hour. The reaction solution was cooled to room temperature to obtain a dry oil-modified phenol resin (B3) as a reaction product.

((B4)の準備)
パラビニルフェノール樹脂(丸善石油化学株式会社製、商品名「マリルリンカーCHM」)
(Preparation of (B4))
Paravinylphenol resin (trade name “Maryl Linker CHM” manufactured by Maruzen Petrochemical Co., Ltd.)

(C)成分として、次のC1を準備した。
C1:1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−[4−{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル}フェニル]エタンの1−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホン酸エステル(エステル化率約90%、AZエレクトロニックマテリアルズ社製、商品名「TPPA528」)
The following C1 was prepared as the component (C).
C1: 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -1- [4- {1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl} phenyl] ethane 1-naphthoquinone-2-diazide-5-sulfonic acid Esters (Esterification rate of about 90%, manufactured by AZ Electronic Materials, trade name “TPPA528”)

(D)成分として、次のD1を準備した。
D1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
The following D1 was prepared as the component (D).
D1: Propylene glycol monomethyl ether acetate

(実施例1〜5、及び比較例1〜3)
(A)〜(D)成分を表1、表2に示した所定の割合で配合し、この溶液を5μmのミリポア社製のフィルターを用いてろ過し、実施例1〜5及び比較例1〜3のポジ型感光性樹脂組成物の溶液を調製した。
(Examples 1-5 and Comparative Examples 1-3)
The components (A) to (D) were blended at the predetermined ratios shown in Tables 1 and 2, and this solution was filtered using a 5 μm filter manufactured by Millipore Corporation. A positive photosensitive resin composition solution No. 3 was prepared.

Figure 2010145604
表中、数値は質量部を示す。
Figure 2010145604
In the table, numerical values indicate parts by mass.

Figure 2010145604
Figure 2010145604

<ポジ型感光性樹脂組成物の評価>
[相溶性]
実施例1〜5及び比較例1〜3で得られたポジ型感光性樹脂組成物の溶液を攪拌し、攪拌直後、及び攪拌後1、2時間経過後の溶解状態を目視で観察し、相溶性として下記の評価基準で判定した。
○:1、2時間後に目視で溶解が均一であることが確認できる。
×:溶解直後、もしくは1、2時間後に目視で溶解が均一でないことが確認できる。
<Evaluation of positive photosensitive resin composition>
[Compatibility]
Stir the solutions of the positive photosensitive resin compositions obtained in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3, and visually observe the dissolved state immediately after stirring and after 1 to 2 hours after stirring. The solubility was determined according to the following evaluation criteria.
○: It can be confirmed that dissolution is uniform visually after 1 or 2 hours.
X: It can be confirmed that dissolution is not uniform immediately after dissolution or visually after 1, 2 hours.

[塗布性]
実施例1〜5及び比較例1〜3で得られたポジ型感光性樹脂組成物の溶液を5インチの金スパッタシリコン基板上にスピンコートし、120℃で5分間加熱し、膜厚20μmの感光性樹脂膜を形成した。形成した塗布面を目視で観察し塗布性を下記の評価基準で判定した。
○: 感光性樹脂膜表面にムラが無い。
×: 感光性樹脂膜表面にムラが有る。
[Applicability]
The positive photosensitive resin composition solutions obtained in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3 were spin-coated on a 5-inch gold sputtered silicon substrate, heated at 120 ° C. for 5 minutes, and a film thickness of 20 μm. A photosensitive resin film was formed. The formed coated surface was visually observed and the coating property was judged according to the following evaluation criteria.
○: There is no unevenness on the surface of the photosensitive resin film.
X: There is unevenness on the surface of the photosensitive resin film.

[現像液耐性]
実施例1〜5及び比較例1〜3で得られたポジ型感光性樹脂組成物の溶液を5インチのシリコン基板上にスピンコートし、120℃で5分間加熱し、膜厚20μmの感光性樹脂膜を形成した。得られた塗布膜を水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)の2.38質量%水溶液に5分浸漬し、浸漬後の膜厚を測定し、未露光部の現像液に対する残膜率を算出し、下記の評価基準で判定した。
○:残膜率80〜100%。
△:残膜率40〜80%。
×:残膜率0〜40%又は溶解しているが正確な値が測定できない。
[Developer resistance]
The positive photosensitive resin composition solutions obtained in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3 were spin-coated on a 5-inch silicon substrate, heated at 120 ° C. for 5 minutes, and a photosensitive film having a thickness of 20 μm. A resin film was formed. The obtained coating film was immersed in a 2.38 mass% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH) for 5 minutes, the film thickness after immersion was measured, and the remaining film ratio with respect to the developer in the unexposed area was calculated. Judgment was made according to the following evaluation criteria.
○: Remaining film ratio 80-100%.
(Triangle | delta): 40-80% of remaining film rate.
X: The remaining film rate is 0 to 40% or it is dissolved but an accurate value cannot be measured.

[現像速度]
実施例1〜5及び比較例1〜3で得られたポジ型感光性樹脂組成物の溶液を5インチのシリコン基板上にスピンコートし、120℃で5分間加熱し、膜厚20μmの感光性樹脂膜を形成した。次いで、プロキシミティ露光機(ウシオ電機株式会社製,商品名「UX-1000SM-XJ01」)を用いて、i線(365nm)で1200mJ/cmになるよう露光を行った。露光後、水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)の2.38質量%水溶液にて現像を行い、露光部が溶解するまでの時間を測定した。溶解するまでの時間が早いほど良好であることを表す。
[Development speed]
The positive photosensitive resin composition solutions obtained in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3 were spin-coated on a 5-inch silicon substrate, heated at 120 ° C. for 5 minutes, and a photosensitive film having a thickness of 20 μm. A resin film was formed. Next, using a proximity exposure machine (trade name “UX-1000SM-XJ01” manufactured by USHIO INC.), Exposure was performed to 1200 mJ / cm 2 with i-line (365 nm). After the exposure, development was performed with a 2.38 mass% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH), and the time until the exposed area was dissolved was measured. The faster the time until dissolution, the better.

[解像性]
実施例1〜5及び比較例1〜3で得られたポジ型感光性樹脂組成物の溶液を5インチの金スパッタシリコン基板上にスピンコートし、120℃で5分間加熱し、膜厚20μmの感光性樹脂膜を形成した。次いで、プロキシミティ露光機(ウシオ電機株式会社製、商品名「UX-1000SM-XJ01」)を用いて、マスクを介してi線(365nm)で1200mJ/cmで露光を行った。露光後、水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)の2.38質量%水溶液にて、露光部が溶解するまでの時間で現像を行い、その後、水でリンスしパターニングされた基板を得た。最も細かいパターンの得られた値を記した。
[Resolution]
The positive photosensitive resin composition solutions obtained in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3 were spin-coated on a 5-inch gold sputtered silicon substrate, heated at 120 ° C. for 5 minutes, and a film thickness of 20 μm. A photosensitive resin film was formed. Next, using a proximity exposure machine (trade name “UX-1000SM-XJ01” manufactured by USHIO INC.), Exposure was performed at 1200 mJ / cm 2 with i-line (365 nm) through a mask. After the exposure, development was performed with a 2.38 mass% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH) until the exposed portion was dissolved, and then rinsed with water to obtain a patterned substrate. The value obtained for the finest pattern is shown.

[耐メッキ液性]
前記「解像性」で得られたパターンを有するスパッタ金基板を試験体として、ノンシアン金メッキ液(N.E.Chemcat社製「ECF88K」)にて、60℃、40分間、電流密度36.8mA/dmで金めっき処理を行った。メッキした基板を流水洗浄、及び精製水で洗浄した。この試験体を目視で観察し、耐メッキ液性を下記の評価基準で判定した。
○:感光性樹脂膜部分にクラックは観察されなかった。
×:感光性樹脂膜部分にクラックがパターン全体に観察された。
[Plating solution resistance]
Using the sputtered gold substrate having the pattern obtained in the “resolution” as a test specimen, a current density of 36.8 mA at 60 ° C. for 40 minutes in a non-cyanide gold plating solution (“ECF88K” manufactured by NE Chemcat). Gold plating was performed at / dm 2 . The plated substrate was washed with running water and purified water. This specimen was visually observed, and the plating solution resistance was judged according to the following evaluation criteria.
○: No crack was observed in the photosensitive resin film portion.
X: The crack was observed in the whole pattern in the photosensitive resin film part.

[剥離性]
前記「耐メッキ液性」で得られた基板を試験体として、室温にて攪拌中の剥離液(アセトン)に5分間浸漬した後、流水洗浄してパターン状硬化物を剥離し、目視で観察し下記の基準で評価した。
○:パターン状硬化物が認められない。
×:パターン状硬化物が認められる。
[Peelability]
The substrate obtained by the above “plating solution resistance” was used as a test specimen, immersed in a stripping solution (acetone) being stirred at room temperature for 5 minutes, washed with running water to peel off the pattern-like cured product, and visually observed. The evaluation was made according to the following criteria.
○: A pattern-like cured product is not recognized.
X: Patterned cured product is recognized.

表1から明らかなように、実施例1〜5のポジ型感光性樹脂組成物は相溶性、塗布性、現像液耐性、現像速度、解像性、耐メッキ液性、剥離性が良好であった。
それらに対し、乾性油変性樹脂の量が多い比較例1は塗布膜にムラがあり、現像に30分以上かかった。
また樹脂がノボラック樹脂だけである比較例2はメッキ工程中に感光性樹脂部分にクラックが発生し、金メッキもぐりが観察された。
さらにパラビニルフェノール樹脂を添加した比較例3ではノボラック樹脂との相溶性が悪いため塗布膜にもムラが見られ、また未露光部分の現像液耐性も低いことなどから金メッキ形状が悪かった。
As is clear from Table 1, the positive photosensitive resin compositions of Examples 1 to 5 had good compatibility, coating properties, developer resistance, development speed, resolution, plating solution resistance, and peelability. It was.
On the other hand, in Comparative Example 1 in which the amount of the dry oil-modified resin was large, the coating film was uneven, and development took 30 minutes or more.
Further, in Comparative Example 2 in which the resin was only a novolac resin, cracks occurred in the photosensitive resin portion during the plating process, and gold plating was observed.
Further, in Comparative Example 3 in which paravinylphenol resin was added, the coating film was uneven due to poor compatibility with the novolak resin, and the gold plating shape was poor due to low resistance to the developing solution in the unexposed area.

Claims (4)

(A)アルカリ可溶性ノボラック樹脂、
(B)炭素数4〜100の不飽和炭化水素基を有する化合物で変性されたフェノール樹脂、
(C)光により酸を生成する化合物、
を含有するポジ型感光性樹脂組成物であって、前記(B)成分の含有量が、前記(A)成分と前記(B)成分の総量に対して5〜50質量%であるポジ型感光性樹脂組成物。
(A) an alkali-soluble novolak resin,
(B) a phenol resin modified with a compound having an unsaturated hydrocarbon group having 4 to 100 carbon atoms,
(C) a compound that generates an acid by light,
A positive photosensitive resin composition containing 5 to 50% by mass of the component (B) with respect to the total amount of the component (A) and the component (B). Resin composition.
前記(C)成分が、o−キノンジアジド化合物である請求項1記載のポジ型感光性樹脂組成物。   The positive photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the component (C) is an o-quinonediazide compound. (C)成分の含有量が、前記(A)成分100質量部に対して、3〜100質量部含有する請求項1又は2に記載のポジ型感光性樹脂組成物。   The positive photosensitive resin composition according to claim 1 or 2, wherein the content of the component (C) is 3 to 100 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A). 請求項1〜3のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物を、基板上に10〜100μmの膜厚で感光性樹脂膜を形成する工程、
前記感光性樹脂膜を紫外線により露光する工程、
前記露光後に、アルカリ水溶液により現像してパターン化する工程、
前記パターン化後に、メッキ処理する工程、
前記メッキ処理後にレジストパターンを剥離する工程、とを含むバンプの製造方法。
A step of forming a photosensitive resin film with a film thickness of 10 to 100 μm on the substrate, the positive photosensitive resin composition according to claim 1,
Exposing the photosensitive resin film with ultraviolet rays;
After the exposure, a step of developing and patterning with an alkaline aqueous solution,
A step of plating after the patterning;
And a step of stripping the resist pattern after the plating process.
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