JP2010145574A - Display device - Google Patents
Display device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010145574A JP2010145574A JP2008320563A JP2008320563A JP2010145574A JP 2010145574 A JP2010145574 A JP 2010145574A JP 2008320563 A JP2008320563 A JP 2008320563A JP 2008320563 A JP2008320563 A JP 2008320563A JP 2010145574 A JP2010145574 A JP 2010145574A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- pixel
- panel
- light receiving
- receiving sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Controls And Circuits For Display Device (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
Description
本発明は、表示装置に関し、特に、高速かつ高精度な焼き付き補正を行うことができるようにする表示装置に関する。 The present invention relates to a display device, and more particularly to a display device that enables high-speed and high-precision burn-in correction.
発光素子として有機EL(Electro Luminescent)デバイスを用いた平面自発光型のパネル(ELパネル)の開発が近年盛んになっている。有機ELデバイスは、ダイオード特性を有し、有機薄膜に電界をかけると発光する現象を利用したデバイスである。有機ELデバイスは、印加電圧が10V以下で駆動するため低消費電力であり、自ら光を発する自発光素子であるため、照明部材を必要とせず軽量化及び薄型化が容易であるという特長を有する。また、有機ELデバイスの応答速度は数μs程度と非常に高速であるので、ELパネルでは動画表示時の残像が発生しないという利点がある。 In recent years, development of a planar self-luminous panel (EL panel) using an organic EL (Electro Luminescent) device as a light emitting element has become active. An organic EL device is a device having a diode characteristic and utilizing a phenomenon of emitting light when an electric field is applied to an organic thin film. Since the organic EL device is driven at an applied voltage of 10 V or less, it has low power consumption, and since it is a self-luminous element that emits light itself, it does not require a lighting member and is easy to reduce in weight and thickness. . In addition, since the response speed of the organic EL device is as high as several μs, there is an advantage that an afterimage at the time of moving image display does not occur in the EL panel.
有機ELデバイスを画素に用いた平面自発光型のパネルの中でも、とりわけ駆動素子として薄膜トランジスタを各画素に集積形成したアクティブマトリクス型のパネルの開発が盛んである。アクティブマトリクス型平面自発光パネルは、例えば以下の特許文献1乃至5に記載されている。
Among planar self-luminous panels using organic EL devices as pixels, active matrix panels in which thin film transistors are integrated and formed as driving elements are being actively developed. Active matrix type flat self-luminous panels are described in, for example,
ところで、有機ELデバイスには、発光量および発光時間に比例して輝度効率が低下する特性がある。有機ELデバイスの発光輝度は電流値と輝度効率の積で表されるため、輝度効率の低下は発光輝度の低下となる。画面に表示される映像として、各画素で一様な表示を行う映像は稀であり、画素ごとに発光量が異なるのが一般的である。従って、過去の発光量および発光時間の違いにより、同一の駆動条件下であっても各画素で発光輝度の低下の度合いが異なり、輝度低下のばらつきが視覚的に認識される現象が発生する。この輝度低下のばらつきが視覚的に認識される現象を焼き付き現象という。 By the way, the organic EL device has a characteristic that the luminance efficiency decreases in proportion to the light emission amount and the light emission time. Since the light emission luminance of the organic EL device is represented by the product of the current value and the luminance efficiency, a decrease in luminance efficiency results in a decrease in light emission luminance. As an image displayed on the screen, an image that performs uniform display on each pixel is rare, and the amount of light emission is generally different for each pixel. Therefore, due to the difference in the past light emission amount and the light emission time, the degree of decrease in the light emission luminance is different in each pixel even under the same driving condition, and a phenomenon in which the variation in the luminance decrease is visually recognized occurs. This phenomenon in which the variation in luminance reduction is visually recognized is called a burn-in phenomenon.
ELパネルでは、焼き付き現象を防止するため、画素の発光輝度を測定し、発光輝度の低下を補正する焼き付き補正を行うものがあるが、従来の焼き付き補正では、補正が十分に行われないことがあった。 In order to prevent the burn-in phenomenon, some EL panels measure the light emission luminance of the pixel and perform a burn-in correction for correcting the decrease in the light emission luminance. However, the conventional burn-in correction may not perform the correction sufficiently. there were.
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、高速かつ高精度な焼き付き補正を行うことができるようにするものである。 The present invention has been made in view of such a situation, and makes it possible to perform burn-in correction with high speed and high accuracy.
本発明の一側面の表示装置は、支持基板と、それに対向する対向基板、および前記支持基板と前記対向基板の間に自発光素子により発光する画素を有するパネルと、前記自発光素子が発した光であって、前記支持基板を透過して前記パネルの裏面側に抜けようとする光を、前記パネルの内側へ反射させる反射手段と、前記パネルの裏面に配置され、前記画素の発光輝度を測定する受光センサと、前記受光センサにより測定された前記画素の発光輝度を用いて、経時劣化による輝度低下の補正データを演算する演算手段と、前記補正データに基づいて、経時劣化による輝度低下を補正する駆動制御手段とを備える。 A display device according to one aspect of the present invention includes a support substrate, a counter substrate facing the support substrate, a panel having pixels that emit light by a self-light emitting element between the support substrate and the counter substrate, and the self light emitting element. Reflecting means for reflecting light, which passes through the support substrate and passes through the support substrate to the back side of the panel, is reflected on the inside of the panel, and is disposed on the back side of the panel, and the light emission luminance of the pixels is increased. A light receiving sensor to be measured, a calculation means for calculating correction data for luminance reduction due to deterioration over time using the light emission luminance of the pixel measured by the light receiving sensor, and a luminance reduction due to deterioration over time based on the correction data. Drive control means for correcting.
本発明の一側面においては、支持基板と、それに対向する対向基板、および支持基板と対向基板の間に自発光素子により発光する画素を有するパネルの、自発光素子が発した光であって、支持基板を透過してパネルの裏面側に抜けようとする光が、パネルの内側へ反射される。そして、画素の発光輝度が受光センサにより測定され、測定された発光輝度を用いて、経時劣化による輝度低下の補正データが演算され、補正データに基づいて、経時劣化による輝度低下が補正される。 In one aspect of the present invention, the light emitted from the light-emitting element of a panel having a support substrate, a counter substrate facing the support substrate, and a pixel that emits light by the light-emitting element between the support substrate and the counter substrate, Light that passes through the support substrate and tries to escape to the back side of the panel is reflected to the inside of the panel. Then, the light emission luminance of the pixel is measured by the light receiving sensor, and using the measured light emission luminance, correction data for luminance decrease due to deterioration with time is calculated, and the luminance decrease due to deterioration with time is corrected based on the correction data.
本発明の一側面によれば、高速かつ高精度な焼き付き補正を行うことができる。 According to one aspect of the present invention, high-speed and high-precision burn-in correction can be performed.
<本発明の第1の実施の形態>
[表示装置の構成]
図1は、本発明を適用した表示装置の一実施の形態の構成例を示すブロック図である。
<First embodiment of the present invention>
[Configuration of display device]
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration example of an embodiment of a display device to which the present invention is applied.
図1の表示装置1は、ELパネル2、複数の受光センサ3を有するセンサ部4、および制御部5を含むように構成されている。ELパネル2は、有機EL(Electro Luminescent)デバイスを自発光素子として用いたパネルである。受光センサ3は、ELパネル2の発光輝度を測定するセンサである。制御部5は、受光センサ3から得たELパネル2の発光輝度に基づいてELパネル2の表示を制御する。
The
[ELパネルの構成]
図2は、ELパネル2の構成例を示すブロック図である。
[Configuration of EL panel]
FIG. 2 is a block diagram illustrating a configuration example of the
ELパネル2は、画素アレイ部102、水平セレクタ(HSEL)103、ライトスキャナ(WSCN)104、および電源スキャナ(DSCN)105を含むように構成されている。画素アレイ部102は、N×M個(N,Mは相互に独立した1以上の整数値)の画素(画素回路)101−(1,1)乃至101−(N,M)が行列状に配置されて構成されている。水平セレクタ(HSEL)103、ライトスキャナ(WSCN)104、および電源スキャナ(DSCN)105は、画素アレイ部102を駆動する駆動部として動作する。
The
また、ELパネル2は、M本の走査線WSL10−1乃至10−M、M本の電源線DSL10−1乃至10−M、およびN本の映像信号線DTL10−1乃至10−Nも有する。
The
なお、以下において、走査線WSL10−1乃至10−Mそれぞれを特に区別する必要がない場合、単に、走査線WSL10と称する。また、映像信号線DTL10−1乃至10−Nそれぞれを特に区別する必要がない場合、単に、映像信号線DTL10と称する。画素101−(1,1)乃至101−(N,M)および電源線DSL10−1乃至10−Mについても同様に、画素101および電源線DSL10と称する。
In the following description, the scanning lines WSL10-1 to 10-M are simply referred to as scanning lines WSL10 when it is not necessary to distinguish them. Further, when it is not necessary to distinguish each of the video signal lines DTL10-1 to 10-N, they are simply referred to as a video signal line DTL10. Similarly, the pixels 101- (1,1) to 101- (N, M) and the power supply lines DSL10-1 to 10-M are also referred to as the
画素101−(1,1)乃至101−(N,M)のうちの第1行目の画素101−(1,1)乃至101−(N,1)は、走査線WSL10−1でライトスキャナ104と、電源線DSL10−1で電源スキャナ105とそれぞれ接続されている。また、画素101−(1,1)乃至101−(N,M)のうちの第M行目の画素101−(1,M)乃至101−(N,M)は、走査線WSL10−Mでライトスキャナ104と、電源線DSL10−Mで電源スキャナ105とそれぞれ接続されている。画素101−(1,1)乃至101−(N,M)の行方向に並ぶその他の画素101についても同様である。
Among the pixels 101- (1,1) to 101- (N, M), the pixels 101- (1,1) to 101- (N, 1) in the first row are scanned by the scanning line WSL10-1. 104 and the
また、画素101−(1,1)乃至101−(N,M)のうちの第1列目の画素101−(1,1)乃至101−(1,M)は、映像信号線DTL10−1で水平セレクタ103と接続されている。画素101−(1,1)乃至101−(N,M)のうちの第N列目の画素101−(N,1)乃至101−(N,M)は、映像信号線DTL10−Nで水平セレクタ103と接続されている。画素101−(1,1)乃至101−(N,M)の列方向に並ぶその他の画素101についても同様である。
Among the pixels 101- (1,1) to 101- (N, M), the pixels 101- (1,1) to 101- (1, M) in the first column are video signal lines DTL10-1. Is connected to the
ライトスキャナ104は、走査線WSL10−1乃至10−Mに水平周期(1H)で順次制御信号を供給して画素101を行単位で線順次走査する。電源スキャナ105は、線順次走査に合わせて電源線DSL10−1乃至10−Mに第1電位(後述するVcc)または第2電位(後述するVss)の電源電圧を供給する。水平セレクタ103は、線順次走査に合わせて各水平期間内(1H)で映像信号に対応する信号電位Vsigと基準電位Vofsとを切換えて列状の映像信号線DTL10−1乃至10−Mに供給する。
The
[画素101の配列構成]
図3は、ELパネル2の各画素101が発光する色の配列を示している。
[Array Configuration of Pixels 101]
FIG. 3 shows an arrangement of colors emitted by the
画素アレイ部102の各画素101は、赤(R)、緑(G)、または青(B)のいずれかの色を発光するいわゆる副画素(サブピクセル)に相当し、行方向(図面左右方向)に並ぶ赤、緑、および青の3つの画素101で表示単位としての1画素が構成される。
Each
なお、図3では、ライトスキャナ104が画素アレイ部102の左側に配置されるとともに、走査線WSL10および電源線DSL10が画素101の下側から接続されている点が図2と異なる。水平セレクタ103、ライトスキャナ104、電源スキャナ105、および、各画素101と接続される配線は、必要に応じて適切な位置に配置することができる。
3 is different from FIG. 2 in that the
[画素101の詳細回路構成]
図4は、ELパネル2に含まれるN×M個の画素101のうちの1つの画素101を拡大することにより、画素101の詳細な回路構成を示したブロック図である。
[Detailed Circuit Configuration of Pixel 101]
FIG. 4 is a block diagram showing a detailed circuit configuration of the
なお、図4において画素101と接続されている走査線WSL10、映像信号線DTL10、および電源線DSL10のそれぞれは、図2に対応させると次のようになる。即ち、図2における画素101−(n,m)(n=1,2,・・・,N,m=1,2,・・・,M)に対して、走査線WSL10−(n,m)、映像信号線DTL10−(n,m)、および電源線DSL10−(n,m)のそれぞれが対応する。
In FIG. 4, each of the scanning line WSL10, the video signal line DTL10, and the power supply line DSL10 connected to the
図4の画素101は、サンプリング用トランジスタ31、駆動用トランジスタ32、蓄積容量33、および発光素子34を有する。サンプリング用トランジスタ31のゲートは走査線WSL10と接続され、サンプリング用トランジスタ31のドレインは映像信号線DTL10と接続されるとともに、ソースが駆動用トランジスタ32のゲートgと接続されている。
The
駆動用トランジスタ32のソース及びドレインの一方は発光素子34のアノードに接続され、他方が電源線DSL10に接続される。蓄積容量33は、駆動用トランジスタ32のゲートgと発光素子34のアノードに接続されている。また、発光素子34のカソードは所定の電位Vcatに設定されている配線35に接続されている。この電位VcatはGNDレベルであり、従って、配線35は接地配線である。
One of the source and the drain of the
サンプリング用トランジスタ31および駆動用トランジスタ32は、いずれもNチャネル型トランジスタである。よって、サンプリング用トランジスタ31および駆動用トランジスタ32は、低温ポリシリコンよりも安価に作成できるアモルファスシリコンで作成することができる。これにより、画素回路の製造コストをより安価にすることができる。勿論、サンプリング用トランジスタ31および駆動用トランジスタ32は、低温ポリシリコンや単結晶シリコンで作成しても構わない。
The
発光素子34は、有機EL素子で構成される。有機EL素子はダイオード特性を有する電流発光素子である。よって、発光素子34は、供給される電流値Idsに応じた階調の発光を行う。
The
以上のように構成される画素101において、サンプリング用トランジスタ31が、走査線WSL10からの制御信号に応じてオン(導通)し、映像信号線DTL10を介して階調に応じた信号電位Vsigの映像信号をサンプリングする。蓄積容量33は、映像信号線DTL10を介して水平セレクタ103から供給された電荷を蓄積して保持する。駆動用トランジスタ32は、第1電位Vccにある電源線DSL10から電流の供給を受け、蓄積容量33に保持された信号電位Vsigに応じて駆動電流Idsを発光素子34に流す(供給する)。発光素子34に所定の駆動電流Idsが流れることにより、画素101が発光する。
In the
画素101は、閾値補正機能を有する。閾値補正機能とは、駆動用トランジスタ32の閾値電圧Vthに相当する電圧を蓄積容量33に保持させる機能である。閾値補正機能を発揮させることで、ELパネル2の画素毎のばらつきの原因となる駆動用トランジスタ32の閾値電圧Vthの影響をキャンセルすることができる。
The
また、画素101は、上述した閾値補正機能に加え、移動度補正機能も有する。移動度補正機能とは、蓄積容量33に信号電位Vsigを保持する際、駆動用トランジスタ32の移動度μに対する補正を信号電位Vsigに加える機能である。
Further, the
さらに、画素101は、ブートストラップ機能も備えている。ブートストラップ機能とは、駆動用トランジスタ32のソース電位Vsの変動にゲート電位Vgを連動させる機能である。ブートストラップ機能の発揮により、駆動用トランジスタ32のゲートとソース間の電圧Vgsを一定に維持することが出来る。
Furthermore, the
[画素101の動作の説明]
図5は、画素101の動作を説明するタイミングチャートである。
[Description of Operation of Pixel 101]
FIG. 5 is a timing chart for explaining the operation of the
図5は、同一の時間軸(図面横方向)に対する走査線WSL10、電源線DSL10、および映像信号線DTL10の電位変化と、それに対応する駆動用トランジスタ32のゲート電位Vg及びソース電位Vsの変化を示している。
FIG. 5 shows changes in potentials of the scanning line WSL10, the power supply line DSL10, and the video signal line DTL10 with respect to the same time axis (horizontal direction in the drawing), and changes in the gate potential Vg and source potential Vs of the driving
図5において、時刻t1までの期間は、前の水平期間(1H)の発光がなされている発光期間T1である。 In FIG. 5, the period up to time t 1 is the light emission period T 1 during which light emission is performed in the previous horizontal period (1H).
発光期間T1が終了した時刻t1から時刻t4までは、駆動用トランジスタ32のゲート電位Vg及びソース電位Vsを初期化することで閾値電圧補正動作の準備を行う閾値補正準備期間T2である。
From time t 1 to time t 4 when the light emission period T 1 ends, a threshold correction preparation period T 2 in which the gate potential Vg and the source potential Vs of the driving
閾値補正準備期間T2では、時刻t1において、電源スキャナ105が、電源線DSL10の電位を高電位である第1電位Vccから低電位である第2電位Vssに切換える。そして、時刻t2において、水平セレクタ103が、映像信号線DTL10の電位を信号電位Vsigから基準電位Vofsに切換える。次に、時刻t3において、ライトスキャナ104が、走査線WSL10の電位を高電位に切換え、サンプリング用トランジスタ31をオンさせる。これにより、駆動用トランジスタ32のゲート電位Vgが基準電位Vofsにリセットされ、且つ、ソース電位Vsが映像信号線DTL10の第2電位Vssにリセットされる。
In the threshold value correction preparation period T 2, at time t 1, the
時刻t4から時刻t5までは、閾値補正動作を行う閾値補正期間T3である。閾値補正期間T3では、時刻t4において、電源スキャナ105により、電源線DSL10の電位が高電位Vccに切換えられ、閾値電圧Vthに相当する電圧が、駆動用トランジスタ32のゲートとソースとの間に接続された蓄積容量33に書き込まれる。
From time t 4 to time t 5 is a threshold correction period T 3 to perform the threshold value correction operation. In the threshold correction period T 3 , at time t 4 , the
時刻t5から時刻t7までの書き込み+移動度補正準備期間T4では、走査線WSL10の電位が高電位から低電位に一旦切換えられる。また、時刻t7の前の時刻t6において、水平セレクタ103が、映像信号線DTL10の電位を基準電位Vofsから階調に応じた信号電位Vsigに切換える。
In writing + mobility correction preparation period T 4 from time t 5 to time t 7, the potential of the scanning line WSL10 is switched once to the low potential from the high potential. At time t 6 before the time t 7, the
そして、時刻t7から時刻t8までの書き込み+移動度補正期間T5において、映像信号の書き込みと移動度補正動作が行われる。即ち、時刻t7から時刻t8までの間、走査線WSL10の電位が高電位に設定され、これにより、映像信号に対応する信号電位Vsigが閾値電圧Vthに足し込まれる形で蓄積容量33に書き込まれる。また、移動度補正用の電圧ΔVμが蓄積容量33に保持された電圧から差し引かれる。
Then, in the writing + mobility correction period T 5 from time t 7 to time t 8 , video signal writing and mobility correction operation are performed. That is, between the time t 7 to the time t 8, the potential of the scanning line WSL10 is set to a high potential, Thus, the
書き込み+移動度補正期間T5終了後の時刻t8において、走査線WSL10の電位が低電位に設定され、それ以降、発光期間T6として、信号電圧Vsigに応じた発光輝度で発光素子34が発光する。信号電圧Vsigは、閾値電圧Vthに相当する電圧と移動度補正用の電圧ΔVμとによって調整されているため、発光素子34の発光輝度は駆動用トランジスタ32の閾値電圧Vthや移動度μのばらつきの影響を受けることがない。
Write + in the mobility correction period T 5 after the end of the time t 8, the potential of the scanning line WSL10 is set to a low potential, thereafter, as a light-emitting period T 6, the
なお、発光期間T6の最初でブートストラップ動作が行われ、駆動用トランジスタ32のゲート‐ソース間電圧Vgs=Vsig+Vth−ΔVμを一定に維持したまま、駆動用トランジスタ32のゲート電位Vg及びソース電位Vsが上昇する。
Incidentally, the first bootstrap operation of the light-emitting period T 6 is performed, the gate of the driving transistor 32 - while maintaining the voltage Vgs = Vsig + Vth-ΔV μ between the source constant, the gate potential Vg and the source potential of the driving
また、時刻t8から所定時間経過後の時刻t9において、映像信号線DTL10の電位が、信号電位Vsigから基準電位Vofsに落とされる。図5において、時刻t2から時刻t9までの期間は水平期間(1H)に相当する。 At time t 9 after a predetermined time from the time t 8, the potential of the video signal line DTL10 is dropped from the signal potential Vsig to the reference potential Vofs. 5, the period from time t 2 to time t 9 corresponds to the horizontal period (IH).
以上のようにして、ELパネル2の各画素101では、駆動用トランジスタ32の閾値電圧Vthや移動度μのばらつきの影響を受けることがなく、発光素子34を発光させることができる。
As described above, each
[画素101の動作の別の例の説明]
図6は、画素101の動作の別の例を説明するタイミングチャートである。
[Description of Another Example of Operation of Pixel 101]
FIG. 6 is a timing chart for explaining another example of the operation of the
上述した図5の例では、閾値補正動作は1H期間に1回行われていた。ただし、1H期間が短く、1H期間内で閾値補正動作を行うことが難しい場合がある。そのような場合には、複数の1H期間にわたって複数回の閾値補正動作を行わせることができる。 In the example of FIG. 5 described above, the threshold correction operation is performed once in the 1H period. However, the 1H period is short, and it may be difficult to perform the threshold correction operation within the 1H period. In such a case, the threshold correction operation can be performed a plurality of times over a plurality of 1H periods.
図6の例では、閾値補正動作は、連続する3H期間で行われる。即ち、図6の例では、閾値補正期間T3が3回に分割されている。なお、その他の画素101の動作は、図5の例の動作と同様である。よって、これらの動作の説明については省略する。
In the example of FIG. 6, the threshold correction operation is performed in a continuous 3H period. That is, in the example of FIG. 6, the threshold value correction period T 3 is divided into 3 times. The other operations of the
[焼き付き補正制御の機能ブロック図]
ところで、有機ELデバイスには、発光量および発光時間に比例して発光輝度が低下する特性がある。ELパネル2に表示される画像として、各画素101で一様な表示を行うものは稀であり、画素101ごとに発光量が異なるのが一般的である。従って、所定の時間が経過すると、それまでの発光量および発光時間に応じて各画素101の輝度効率の低下の度合いの差が顕著になってくる。このため、同一の駆動条件下では、あたかも焼き付きが生じているように、発光輝度が異なる現象(以下、焼き付き現象と称する)がユーザに視認される。そこで、表示装置1は、輝度効率の低下の度合いが異なることにより生じる焼き付き現象を補正するための焼き付き補正制御を行っている。
[Function block diagram of burn-in correction control]
By the way, the organic EL device has a characteristic that the light emission luminance decreases in proportion to the light emission amount and the light emission time. As an image displayed on the
図7は、焼き付き補正制御を実行するために必要な表示装置1の機能的構成例を示す機能ブロック図を示している。
FIG. 7 is a functional block diagram illustrating a functional configuration example of the
受光センサ3は、各画素101の発光の妨げとならないように、ELパネル2の裏面(ユーザに面した表面と反対側の面)に取り付けられている。また、受光センサ3は、所定の領域につき1個の割合で均等に配置されている。なお、図7は、表示装置1における受光センサ3の配置を概念的に示したものである。従って、ELパネル2の画素数および裏面に配置する受光センサ3の個数は、これに限定されるものではない。受光センサ3それぞれは、自分の担当する領域内の各画素101の発光輝度を測定する。具体的には、受光センサ3それぞれは、自分の領域内の画素101が1画素ずつ順に発光したとき、ELパネル2の前面のガラス基板等に反射して入射されてくる光を受光し、受光輝度に応じたアナログの受光信号(電圧信号)を制御部5に供給する。
The
制御部5は、増幅部51、AD変換部52、補正演算部53、補正データ記憶部54、および駆動制御部55により構成されている。
The
増幅部51は、各受光センサ3から供給されるアナログの受光信号を増幅してAD変換部52に供給する。AD変換部52は、増幅部51から供給される増幅後のアナログの受光信号をデジタルの信号(輝度データ)に変換し、補正演算部53に供給する。
The amplification unit 51 amplifies the analog light reception signal supplied from each
補正演算部53は、画素アレイ部102の各画素101について、初期状態(出荷状態)時の輝度データと、所定期間経過後(経時劣化後)の輝度データを比較することにより、各画素101の輝度低下量を算出する。そして、補正演算部53は、算出した輝度低下量に基づいて、輝度低下を補正する補正データを画素101ごとに演算する。演算された各画素101の補正データは、補正データ記憶部54に供給される。補正演算部53は、例えば、FPGA(Field Programmable Gate Alley)、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)などの信号処理ICで構成することができる。
For each
補正データ記憶部54は、補正演算部53により演算された各画素101の補正データを記憶する。また、補正データ記憶部54は、補正演算に使用される各画素101の初期状態時の輝度データも記憶する。
The correction
駆動制御部55は、補正データに基づいて、各画素101の経時劣化による輝度低下を補正する制御を行う。具体的には、駆動制御部55は、水平セレクタ103を制御して、各画素101に、表示装置1に入力された映像信号に対応する信号電位であって、経時劣化による輝度低下が補正データにより補正された信号電位Vsigを供給させる。
Based on the correction data, the
[画素101の初期データ取得処理]
次に、図8のフローチャートを参照して、画素アレイ部102の各画素101の初期状態時の輝度データを取得する初期データ取得処理を説明する。図8の処理は、例えば、受光センサ3に対応するように分割された各領域で並行して実行される。
[Initial data acquisition processing of pixel 101]
Next, an initial data acquisition process for acquiring luminance data in the initial state of each
初めに、ステップS1において、駆動制御部55は、まだ初期状態時の輝度データを取得していない領域内の1つの画素101を、予め決められた所定の階調(明るさ)で発光させる。ステップS2において、受光センサ3は、受光輝度に応じたアナログの受光信号(電圧信号)を制御部5の増幅部51に出力する。
First, in step S1, the
ステップS3において、増幅部51は、受光センサ3から供給された受光信号を増幅し、AD変換部52に供給する。ステップS4において、AD変換部52は、増幅後のアナログの受光信号をデジタルの信号(輝度データ)に変換し、補正演算部53に供給する。ステップS5において、補正演算部53は、供給された輝度データを補正データ記憶部54に供給し、記憶させる。
In step S <b> 3, the amplification unit 51 amplifies the light reception signal supplied from the
ステップS6において、駆動制御部55は、領域内のすべての画素101について初期状態時の輝度データを取得したかを判定する。ステップS6で、領域内のすべての画素101についてまだ初期状態時の輝度データを取得していないと判定された場合、処理はステップS1に戻り、ステップS1乃至S6の処理が繰り返される。即ち、初期状態時の輝度データをまだ取得していない領域内の1つの画素101が所定の階調で発光され、輝度データが取得される。
In step S <b> 6, the
一方、ステップS6で、領域内のすべての画素101について初期状態時の輝度データを取得したと判定された場合、処理は終了する。
On the other hand, if it is determined in step S6 that the luminance data in the initial state has been acquired for all the
[画素101の補正データ取得処理]
図9は、図8の処理を行ってから所定期間経過後に実行される、補正データ取得処理のフローチャートである。この処理も、図8の処理と同様に、受光センサ3に対応するように分割された各領域で並行して実行される。
[Correction data acquisition processing of pixel 101]
FIG. 9 is a flowchart of the correction data acquisition process executed after a predetermined period has elapsed since the process of FIG. 8 was performed. This process is also executed in parallel in each region divided so as to correspond to the
ステップS21乃至S24の処理は、上述した図8のステップS1乃至S4の処理とそれぞれ同様であるので、その説明は省略する。即ち、ステップS21乃至S24の処理では、初期データ取得処理と同一の条件の下で、画素101の輝度データが取得される。
Since the processing of steps S21 to S24 is the same as the processing of steps S1 to S4 of FIG. 8 described above, description thereof will be omitted. That is, in the processes of steps S21 to S24, the luminance data of the
ステップS25において、補正演算部53は、初期データ取得処理を実行したときの同一の画素101の輝度データ(初期データ)を補正データ記憶部54から取得する。
In step S <b> 25, the correction calculation unit 53 acquires luminance data (initial data) of the
ステップS26において、補正演算部53は、初期状態時の輝度データと、ステップS21乃至S24で取得した輝度データを比較することにより、画素101の輝度低下量を算出する。ステップS27において、補正演算部53は、算出した輝度低下量に基づいて補正データを算出し、補正データ記憶部54に記憶させる。
In step S26, the correction calculation unit 53 calculates the amount of decrease in luminance of the
ステップS28において、駆動制御部55は、領域内のすべての画素101について補正データを取得したかを判定する。ステップS28で、領域内のすべての画素101についてまだ補正データを取得していないと判定された場合、処理はステップS21に戻り、ステップS21乃至S28の処理が繰り返される。即ち、補正データをまだ取得していない領域内の1つの画素101について輝度データが取得され、補正データが算出される。
In step S28, the
一方、ステップS28で、領域内のすべての画素101について補正データを取得したと判定された場合、処理は終了する。
On the other hand, if it is determined in step S28 that correction data has been acquired for all the
図8と図9を参照して説明した処理により、画素アレイ部102の各画素101についての補正データが、補正データ記憶部54に記憶される。
The correction data for each
補正データ取得後は、駆動制御部55の制御の下、映像信号に対応する信号電位であって、経時劣化による輝度低下が補正データにより補正された信号電位Vsigが、画素アレイ部102の各画素101に供給される。即ち、駆動制御部55は、表示装置1に入力された映像信号に対応する信号電位に、補正データによる電位を上乗せした信号電位Vsigを画素101に供給するように水平セレクタ103を制御する。
After the correction data is acquired, under the control of the
なお、補正データ記憶部54に記憶される補正データは、表示装置1に入力された映像信号に対応する信号電位に、所定の比率を乗算するような値でも良いし、所定の電圧値をオフセットさせるような値でもよい。また、表示装置1に入力された映像信号に対応する信号電位に対応した補正テーブルとして保有することも可能である。即ち、補正データ記憶部54に記憶される補正データは、どのような形式でもよい。
The correction data stored in the correction
次に、発光輝度測定対象の画素101から受光センサ3までの距離と、焼き付き補正精度との関係について説明する。
Next, the relationship between the distance from the
[受光センサ3までの距離とセンサ出力電圧の関係]
図10は、特に対策を施さない場合の、測定対象の画素101から受光センサ3までの距離と、受光センサ3の受光輝度に対応する電圧(センサ出力電圧)との関係を示す図である。なお、図10において、画素101から受光センサ3までの距離に関わらず、測定対象の画素101は同じ発光輝度で発光されるものとする。
[Relationship between distance to light receiving
FIG. 10 is a diagram illustrating the relationship between the distance from the
図10Aにおいて、横軸は、受光センサ3から測定対象の画素101までの水平方向の距離(単位は画素数)を示しており、縦軸は、受光センサ3が出力する電圧(mV)を示している。図10Bにおいて、横軸は、受光センサ3から測定対象の画素101までの垂直方向の距離(単位は画素数)を示しており、縦軸は、受光センサ3が出力する電圧(mV)を示している。
In FIG. 10A, the horizontal axis indicates the horizontal distance (unit: number of pixels) from the
画素101の発光輝度が同一であれば、受光センサ3が出力する電圧は、図10に示されるように、画素101と受光センサ3との間の距離が長くなるほど小さくなる特性が存在する。換言すれば、受光センサ3までの距離とセンサ出力電圧との間には、受光センサ3までの距離にセンサ出力電圧が反比例する関係がある。
If the light emission luminance of the
[受光センサ3のセンサ出力電圧と補正精度との関係]
焼き付き補正制御では、このような特性を有する受光センサ3の受光信号が、各画素同一の所定の増幅率で増幅された後、AD変換部52によりデジタルの信号(輝度データ)に変換される。
[Relationship between sensor output voltage of
In the burn-in correction control, the light reception signal of the
図11は、増幅部51で増幅された後の受光センサ3のセンサ出力電圧を示している。図11における横軸および縦軸は、図10と同様である。即ち、横軸は、受光センサ3から測定対象の画素101までの水平方向または垂直方向の距離(単位は画素数)を示しており、縦軸は、増幅後のセンサ出力電圧を示している。ただし、縦軸の単位はVである。
FIG. 11 shows the sensor output voltage of the
図11に示される例では、受光センサ3から0画素だけ離れた位置の画素101、即ち、受光センサ3の直下の画素101が所定の発光輝度で発光した場合には、増幅部51は3Vの電圧を出力する。一方、受光センサ3から10画素だけ離れた位置の画素101が所定の(同一の)発光輝度で発光した場合には、増幅部51は0.3Vの電圧を出力する。
In the example shown in FIG. 11, when the
ここで、AD変換部52が、アナログの受光信号を8ビット(256階調)の輝度データに変換するものとする。即ち、増幅部51が出力する電圧(増幅後のアナログの受光信号)の最大値である3Vに対して、256階調が割り当てられる。この場合、3Vの出力電圧が得られる画素101に対しては、1階調当りの出力電圧は3V/256=約0.0117Vとなり、(0.0117/3)×100=約0.4%ごとの補正が可能となる。一方、最大で0.3Vの出力電圧しか得られない画素101に対しては、(0.0117/0.3)×100=約4%ごとの補正となる。即ち、受光センサ3から遠方の画素101になるほど、補正の分解能は大きくなり、補正精度が粗くなるという問題が生じる。また、受光量が少ない場合には、受光センサ3が受光に要する時間が長くなってしまい、補正動作全体にかかる時間も長くなるという問題も生じる。その結果、受光量が少ない画素101に対しては、十分な焼き付き補正が行われない場合がある。ELパネル2の裏面に受光センサ3を配置した場合には、発光面と逆の面となるため、表面よりも受光量が少ない。その上、受光センサ3から遠方の画素101は、受光量がさらに少ないために、上述した問題が生じ、十分な焼き付き補正が行われないことがあった。
Here, it is assumed that the AD conversion unit 52 converts an analog light reception signal into 8-bit (256 gradations) luminance data. That is, 256 gradations are assigned to 3 V, which is the maximum value of the voltage (analog light reception signal after amplification) output from the amplification unit 51. In this case, for the
この問題を解決するため、図1の表示装置1では、以下説明するように、受光センサ3から遠方の画素101であっても、十分な受光量が得られるような構成が採用されている。
In order to solve this problem, the
[センサ部4の構成]
図12は、表示装置1のELパネル2とセンサ部4の平面図と断面図を示している。
[Configuration of Sensor Unit 4]
FIG. 12 shows a plan view and a cross-sectional view of the
即ち、図12Aは、ELパネル2の平面図を示しており、図12Bは、ELパネル2およびセンサ部4の断面図を示している。なお、ELパネル2については、画素アレイ部102のみについて示し、それ以外の部分は図示を省略している。
That is, FIG. 12A shows a plan view of the
図12に示されるように、ELパネル2の裏面には、受光センサ3が所定の領域(図12Aでは、5×5画素の領域)に対して1個の割合で均等に配置されている。
As shown in FIG. 12, the
また、これまで説明しなかったが、ELパネル2の裏面の受光センサ3が配置されていない領域には、図12に示されるように、センサ部4の一部として、反射シート(ミラーシート)61が、接着されることにより設けられている。
Although not described so far, in a region where the
[画素101部分の詳細断面図]
図13は、画素101部分のELパネル2とセンサ部4の断面図である。なお、図13に示される画素101は、受光センサ3から遠方の画素であるため、受光センサ3は図示されていない。
[Detailed Sectional View of Pixel 101]
FIG. 13 is a cross-sectional view of the
ELパネル2は、支持基板71と、それに対向する対向基板72、および支持基板71と対向基板72の間に自発光素子により発光する画素101を有する。また、ELパネル2は、薄膜トランジスタが形成される支持基板71と、それに対向する対向基板72とが発光層を挟み込むように両側に配置されて構成される。図13において、対向基板72の上面がユーザが視認する面であり、ELパネル2の表面である。反対に、支持基板71の下面がELパネル2の裏面となる。なお、本実施の形態では、支持基板71と対向基板72の材料は、ガラスとするが、これに限定されるわけではない。
The
支持基板71上に、駆動用トランジスタ32のゲート電極73が形成される。ゲート電極73の上側には、絶縁膜74を介してチャネル領域となる多結晶シリコン膜75が形成される。さらに多結晶シリコン膜75の上側には、ソース電極76およびドレイン電極77が形成される。多結晶シリコン膜75、ソース電極76、およびドレイン電極77は、絶縁膜74で覆われている。絶縁膜74は、光を透過する透明材料である。
A
多結晶シリコン膜75、ソース電極76、およびドレイン電極77の上側で、絶縁膜74により平坦化された面上には、アノード電極78が形成される。アノード電極78の上側には、赤、緑、または青のいずれか所定の色に発光する発光層である有機EL層79が形成される。さらに、有機EL層79の上側には、カソード電極80が形成される。カソード電極80は、図13に示されるようにベタ膜状に形成されるが、アノード電極78および有機EL層79は画素101ごとに分離されて形成される。隣接するアノード電極78の間には、補助配線81がアノード電極78と同一の金属膜で形成される。補助配線81は、カソード電極80の抵抗値を低下させるために設けられたものであり、カソード電極80と図示せぬ箇所で接続されている。カソード電極80は、有機EL層79からの光を上面に透過させるため極めて薄く形成される。そのため、カソード電極80の抵抗値が高くなる。抵抗値が高いと、発光素子34のカソード電位Vcatがばらつき、画質に影響を与える場合がある。そこで、アノード電極78を形成する金属膜で補助配線81を形成し、それとカソード電極80を接続させることで、カソード電極80の抵抗値が低くなるように構成されている。ベタ膜状に形成されたカソード電極80と対向基板72との間は、封止剤82で封止されている。
An
ELパネル2は、以上のように構成される。そして、支持基板71の、受光センサ3が配置されている面と同一面、即ち、ELパネル2の裏面には、上述したように反射シート61が接着されて配置されている。反射シート61は、例えば、ELパネル2の作製後に、接着される。
The
表示装置1では、図13において光路Xaで示される、有機EL層79からELパネル2の表面側に射出された光が、映像としてユーザに視認される。一方、受光センサ3は、光路Xbおよび光路Xcで示される、有機EL層79から発し、対向基板72で反射して、ELパネル2の裏面側に入射する光を受光する。
In the
光路Xbの光は、対向基板72に対して垂直に近い(入射角が小さい)角度で入射して、ELパネル2の裏面側に反射する。その後、光路Xbの光は、反射シート61と、補助配線81、アノード電極78などの金属膜とで反射されることを繰り返し、発光した画素101の遠方に設けられている受光センサ3に到達する。光路Xcの光も同様である。即ち、光路Xcの光は、対向基板72に対して水平に近い(入射角が大きい)角度で入射して、ELパネル2の裏面側に反射する。その後、光路Xcの光は、反射シート61と、補助配線81、アノード電極78などの金属膜とで反射されることを繰り返し、発光した画素101の遠方に設けられている受光センサ3に到達する。
The light in the optical path Xb is incident on the
このように、反射シート61を設けることにより、受光センサ3は、遠方の画素101からの光であって、ELパネル2の内部に入射したほぼすべての光を受光することができる。
As described above, by providing the
次に、表示装置1と従来の表示装置との違いを容易に理解するため、従来の表示装置の構成について説明する。
Next, in order to easily understand the difference between the
[従来の表示装置の構成]
図14は、図12と同様に示した従来の表示装置の構成である。図14において、図12と対応する部分については同一の符号を付している。
[Configuration of conventional display device]
FIG. 14 shows a configuration of a conventional display device shown in the same manner as FIG. 14, parts corresponding to those in FIG. 12 are denoted by the same reference numerals.
図12と比較して明らかなように、従来の表示装置には、表示装置1でELパネル2の裏面の受光センサ3が配置されていない領域に設けられていた反射シート61が存在しない。
As apparent from comparison with FIG. 12, the conventional display device does not have the
[従来の画素101部分の詳細断面図]
図15は、図13と同様に示した従来の表示装置の画素101部分の断面図である。図15においても、図13と対応する部分については同一の符号を付している。
[Detailed Sectional View of Conventional Pixel 101]
FIG. 15 is a cross-sectional view of the
従来の表示装置においても、光路Xaで示される、有機EL層79からELパネル2の表面側に射出された光が、映像としてユーザに視認される。一方、従来の表示装置において、対向基板72で反射され、ELパネル2の裏面側に入射する光は、例えば、光路Xb’およびXc’で示される。
Also in the conventional display device, the light emitted from the
光路Xb’は、対向基板72に対して垂直に近い(入射角が小さい)角度で入射して、ELパネル2の裏面側に反射する光である。対向基板72で反射された光路Xb’の光は、ガラスの支持基板71を透過して、ELパネル2外へ抜ける。
The optical path Xb ′ is light that is incident on the
光路Xc’は、対向基板72に対して水平に近い(入射角が大きい)角度で入射して、ELパネル2の裏面側に反射する光である。支持基板71の材料であるガラスの屈折率は大気(空気)の屈折率よりも大きいため、対向基板72で反射された光路Xc’の光は、ガラスと空気層の界面で反射される。その後、光路Xc’の光は、ガラスと空気層の界面と、補助配線81、アノード電極78などの金属膜とで反射されることを繰り返し、発光した画素101の遠方に設けられている受光センサ3に到達する。
The optical path Xc ′ is light that is incident on the
表示装置は、当然ながら、光路Xaで示されるような、有機EL層79からELパネル2の表面側に向けて発光するためのものであるので、光路Xb’の光と光路Xc’の光とでは、光路Xb’の光量が多い。従って、従来の表示装置では、受光センサ3から遠方の画素101で発光され、ELパネル2の内部に入射した光の多くが、ELパネル2外へ抜けてしまい、受光センサ3で受光することができない。このため、図10に示したように、受光センサ3の遠方に位置する画素101ほど、受光量が少なくなってしまう。
Naturally, the display device emits light from the
これに対して、表示装置1では、上述したように、反射シート61が、有機EL層79が発した光であって、支持基板71を透過してELパネル2の裏面側へ抜けようとする光を、ELパネル2の内側へ反射させる。これにより、従来、ELパネル2外へ抜けていく光を受光センサ3で受光することができる。
On the other hand, in the
[表示装置1の効果]
図16は、表示装置1の効果を説明する図である。
[Effect of display device 1]
FIG. 16 is a diagram for explaining the effect of the
図16Aは、図15に示した従来の表示装置における受光センサ3までの距離とセンサ出力電圧の関係を示している。図16Aは、図10または図11と同様の特性を示している。
FIG. 16A shows the relationship between the distance to the
一方、図16Bは、表示装置1における受光センサ3までの距離とセンサ出力電圧の関係を示している。表示装置1を採用した場合、図16Bに示されるように、受光センサ3の近傍に位置する画素101からの受光量(に対応する電圧)も増加するが、それ以上に、受光センサ3の遠方に位置する画素101からの受光量を増加させることができる。その結果、受光センサ3の測定対象の各画素101の受光量のばらつきを抑制することができる。即ち、受光センサ3が担当する領域内の各画素101の受光量を平坦化できる。
On the other hand, FIG. 16B shows the relationship between the distance to the
受光センサ3から遠方の画素101からの受光量を増加させることができれば、図11を参照して説明した問題を解決することができる。即ち、受光センサ3から遠方の画素101に対する補正精度を向上させることができ、受光に要する時間も短縮することができる。従って、表示装置1によれば、高速かつ高精度な焼き付き補正を行うことができる。
If the amount of light received from the
<本発明の第2の実施の形態>
図17は、表示装置1のその他の実施の形態の構成例であって、図13と同様に示した断面図である。
<Second embodiment of the present invention>
FIG. 17 is a configuration example of another embodiment of the
図17において、図13と対応する部分については同一の符号を付してあり、その説明は省略する。 17, portions corresponding to those in FIG. 13 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
図17に示される実施の形態では、支持基板71のELパネル2外側の面ではなく、ELパネル2内側の面に金属膜121が設けられている。即ち、支持基板71上に金属膜121が形成され、その金属膜121上にゲート電極73が形成されている。金属膜121は、例えば、アルミニウム(Al)または銀(Ag)などの高反射率の膜であり、蒸着により形成することができる。金属膜121は、入射されてくる光を反射する。従って、この実施の形態においても、対向基板72に対して垂直に近い(入射角が小さい)角度で入射して、ELパネル2の裏面側に反射した光路Xbの光を、受光センサ3まで到達させることができる。
In the embodiment shown in FIG. 17, the
なお、図示はしていないが、受光センサ3は、第1の実施の形態と同様に、ELパネル2の裏面に配置されている。そのため、金属膜121を支持基板71上の全面に形成すると、受光センサ3が受光できなくなるので、支持基板71の受光センサ3の上部の領域は、金属膜121がエッチングされ、開口している。
Although not shown, the
[変形例]
本発明の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
[Modification]
The embodiments of the present invention are not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.
例えば、画素アレイ部102において有効画素領域の外側に、発光輝度検出用のダミー画素が設けられている場合がある。ダミー画素の発光輝度を測定する受光センサ3の周辺部にも同様に、反射シート61を接着することにより、ダミー画素から発せられる光をより受光させることができる。また、ダミー画素については視認性の問題がないのでELパネル2の表面(表示面)に受光センサ3を配置することができる。この場合も同様に、ダミー画素の発光輝度を測定する受光センサ3の周辺部に、反射シート61を接着することができる。
For example, in the
輝度の補正方法には、発光期間のDuty比や信号電位Vsigを調整することにより、受光センサ3からの距離に依存する受光輝度差を抑制する手法もある。上述したミラー構造を採用した表示装置1の構成は、そのような距離依存の受光輝度差を抑制する他の手法と併用することができる。発光期間のDuty比や信号電位Vsigを調整する場合、最も遠方の画素101の受光量を基準に調整する。従って、最も遠方の画素101の受光輝度が増加すれば、全体的な受光輝度も増加し、受光時間も短縮させることができる。
As a luminance correction method, there is a method of suppressing a difference in received light luminance depending on a distance from the
また、上述した画素101は、図4を参照して説明したように、2個のトランジスタ(サンプリング用トランジスタ31と駆動用トランジスタ32)と1個のキャパシタ(蓄積容量33)で構成されていたが、その他の回路構成を採用することもできる。
In addition, as described with reference to FIG. 4, the
その他の画素101の回路構成としては、例えば、2個のトランジスタと1個のキャパシタの構成(以下、2Tr/1C画素回路とも称する)の他に、次のような回路構成を採用できる。即ち、第1乃至第3のトランジスタを加えた、5個のトランジスタと1個のキャパシタの構成(以下、5Tr/1C画素回路とも称する)を採用することもできる。5Tr/1C画素回路を採用した画素101では、水平セレクタ103から映像信号線DTL10を介してサンプリング用トランジスタ31に供給される信号電位がVsig固定となる。その結果、サンプリング用トランジスタ31は駆動用トランジスタ32への信号電位Vsigの供給をスイッチングする機能としてのみ動作する。また、電源線DSL10を介して駆動用トランジスタ32に供給される電位が第1電位Vcc固定となる。そして、追加された第1のトランジスタは、駆動用トランジスタ32への第1電位Vccの供給をスイッチングする。第2のトランジスタは、駆動用トランジスタ32への第2電位Vssの供給をスイッチングする。また、第3のトランジスタは、駆動用トランジスタ32への基準電位Vofの供給をスイッチングする。
As the circuit configuration of the
また、その他の画素101の回路構成としては、2Tr/1C画素回路と5Tr/1C画素回路の中間的な回路構成を採用することもできる。即ち、4個のトランジスタと1個のキャパシタからなる構成(以下、4Tr/1C画素回路と称する)や、3個のトランジスタと1個のキャパシタからなる構成(以下、3Tr/1C画素回路と称する)を採用することもできる。例えば、水平セレクタ103からサンプリング用トランジスタ31に供給する信号電位をVsigとVofsでパルス化するなどの変更を行う。これにより、第3のトランジスタの1つ、または、第2および第3のトランジスタの両方を省略し、4Tr/1C画素回路または3Tr/1C画素回路を実現することができる。
Further, as the circuit configuration of the
さらに、2Tr/1C画素回路、3Tr/1C画素回路、4Tr/1C画素回路、または5Tr/1C画素回路には、有機発光材料部の容量成分を補う等の目的で、発光素子34のアノード−カソード間に補助容量を追加してもよい。
Further, in the 2Tr / 1C pixel circuit, the 3Tr / 1C pixel circuit, the 4Tr / 1C pixel circuit, or the 5Tr / 1C pixel circuit, the anode-cathode of the
また、上述した実施の形態では、有機ELデバイスを用いた自発光型のパネル(ELパネル)を採用した例について説明したが、本発明は、FED(Field Emission Display)などのその他の自発光型のパネルに採用することもできる。 In the above-described embodiment, an example in which a self-luminous panel (EL panel) using an organic EL device has been described has been described. It can also be used for other panels.
本明細書において、フローチャートに記述されたステップは、記載された順序に沿って時系列的に行われる処理はもちろん、必ずしも時系列的に処理されなくとも、並列的あるいは個別に実行される処理をも含むものである。 In this specification, the steps described in the flowcharts include processes that are executed in parallel or individually even if they are not necessarily processed in time series, as well as processes that are executed in time series in the described order. Is also included.
[本発明の適用先]
図1の表示装置1は、様々な電子機器に表示部として組み込んで利用することができる。ここで、様々な電子機器としては、例えば、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話、テレビジョン受像機などが存在する。以下、図1の表示装置1が適用された電子機器の例を示す。
[Application of the present invention]
The
例えば、本発明は、電子機器の一例であるテレビジョン受像機に適用できる。このテレビジョン受像機は、フロントパネル、フィルターガラス等から構成される映像表示画面を含み、本発明の表示装置をその映像表示画面に用いることにより作製される。 For example, the present invention can be applied to a television receiver which is an example of an electronic device. This television receiver includes a video display screen including a front panel, a filter glass, and the like, and is manufactured by using the display device of the present invention for the video display screen.
例えば、本発明は、電子機器の一例であるノート型パーソナルコンピュータに適用できる。このノート型パーソナルコンピュータにおいて、その本体には文字等を入力するとき操作されるキーボードを含み、その本体カバーには画像を表示する表示部を含む。このノート型パーソナルコンピュータは、本発明の表示装置をその表示部に用いることにより作製される。 For example, the present invention can be applied to a notebook personal computer which is an example of an electronic device. In this notebook personal computer, the main body includes a keyboard that is operated when characters and the like are input, and the main body cover includes a display unit that displays an image. This notebook personal computer is manufactured by using the display device of the present invention for the display portion.
例えば、本発明は、電子機器の一例である携帯端末装置に適用できる。この携帯端末装置は、上部筺体と下部筺体とを有している。この携帯端末装置の状態としては、それらの2つの筺体が開いた状態と、閉じた状態とが存在する。この携帯端末装置は、上述した上側筐体と下側筐体との他、連結部(ここではヒンジ部)、ディスプレイ、サブディスプレイ、ピクチャーライト、カメラ等を含み、本発明の表示装置をそのディスプレイやサブディスプレイに用いることにより作製される。 For example, the present invention can be applied to a mobile terminal device that is an example of an electronic device. This portable terminal device has an upper housing and a lower housing. As states of the portable terminal device, there are a state in which the two casings are opened and a state in which the two casings are closed. This portable terminal device includes a connecting portion (here, a hinge portion), a display, a sub-display, a picture light, a camera, and the like in addition to the above-described upper housing and lower housing. It is manufactured by using it for sub-displays.
例えば、本発明は、電子機器の一例であるデジタルビデオカメラに適用可能である。デジタルビデオカメラは、本体部、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ、撮影時のスタート/ストップスイッチ、モニター等を含み、本発明の表示装置をそのモニターに用いることにより作製される。 For example, the present invention is applicable to a digital video camera that is an example of an electronic device. The digital video camera includes a main body, a lens for photographing a subject on a side facing forward, a start / stop switch at the time of photographing, a monitor, and the like, and is manufactured by using the display device of the present invention for the monitor.
1 表示装置, 2 ELパネル, 3 受光センサ, 5 制御部, 31 サンプリング用トランジスタ, 32 駆動用トランジスタ, 33 蓄積容量, 34 発光素子, 101 画素, 53 補正演算部, 54 補正データ記憶部, 55 駆動制御部, 141 接着層
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記自発光素子が発した光であって、前記支持基板を透過して前記パネルの裏面側に抜けようとする光を、前記パネルの内側へ反射させる反射手段と、
前記パネルの裏面に配置され、前記画素の発光輝度を測定する受光センサと、
前記受光センサにより測定された前記画素の発光輝度を用いて、経時劣化による輝度低下の補正データを演算する演算手段と、
前記補正データに基づいて、経時劣化による輝度低下を補正する駆動制御手段と
を備える表示装置。 A support substrate, a counter substrate opposed thereto, and a panel having pixels that emit light by a self-light emitting element between the support substrate and the counter substrate;
Reflecting means for reflecting light emitted from the self-luminous element and transmitted through the support substrate to the back side of the panel to the inside of the panel;
A light receiving sensor disposed on the back surface of the panel for measuring the light emission luminance of the pixel;
A calculation means for calculating correction data for a decrease in luminance due to deterioration over time, using the light emission luminance of the pixel measured by the light receiving sensor;
And a drive control unit that corrects a decrease in luminance due to deterioration over time based on the correction data.
請求項1に記載の表示装置。 The display device according to claim 1, wherein the reflection unit is provided in a region on the same surface as the surface on which the light receiving sensor is disposed on the support substrate, in which the light receiving sensor is not disposed.
請求項2に記載の表示装置。 The display device according to claim 2, wherein the reflection unit is a reflection sheet, and is bonded to the counter substrate after the panel is manufactured.
請求項1に記載の表示装置。 The display device according to claim 1, wherein the reflection unit is provided on a surface inside the panel of the support substrate.
請求項4に記載の表示装置。 The display device according to claim 4, wherein the reflecting means is a metal film, and an upper region of the light receiving sensor is opened.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008320563A JP2010145574A (en) | 2008-12-17 | 2008-12-17 | Display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008320563A JP2010145574A (en) | 2008-12-17 | 2008-12-17 | Display device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010145574A true JP2010145574A (en) | 2010-07-01 |
Family
ID=42566108
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008320563A Withdrawn JP2010145574A (en) | 2008-12-17 | 2008-12-17 | Display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010145574A (en) |
-
2008
- 2008-12-17 JP JP2008320563A patent/JP2010145574A/en not_active Withdrawn
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4770906B2 (en) | Display device | |
JP5509589B2 (en) | Display device and electronic device | |
JP5446216B2 (en) | Display device and electronic device | |
US8723847B2 (en) | Display device and electronic product | |
JP5446217B2 (en) | Display devices and electronic devices | |
JP5277926B2 (en) | Display device, driving method thereof, and electronic apparatus | |
US8847935B2 (en) | Display device and electronic product having light sensors in plural pixel regions | |
US20110080437A1 (en) | Display device, driving method of display device, and electronic apparatus | |
KR20110020730A (en) | Display device and electronic apparatus | |
JP2008191611A (en) | Organic el display device, method of controlling organic el display and electronic equipment | |
JP2008185670A (en) | Organic electroluminescence display device, control method of organic electroluminescence display device, and electronic equipment | |
JP2008249919A (en) | Display device and electronic equipment | |
JP5239773B2 (en) | Display device | |
JP5403322B2 (en) | Display device | |
KR101562033B1 (en) | Display device | |
JP2010139788A (en) | Display device | |
JP2010145574A (en) | Display device | |
JP2008191610A (en) | Organic el display device, method of controlling organic el display, and electronic equipment | |
JP2008185671A (en) | Organic electroluminescence display device, control method for organic electroluminescence device, and electronic equipment | |
JP2010096907A (en) | Display | |
JP2010152065A (en) | Display device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20120306 |