JP2010141156A - Solar battery module - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 85
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 claims abstract description 14
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 4
- 238000010248 power generation Methods 0.000 abstract description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 20
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- -1 aromatic diol Chemical class 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 8
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 7
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- 229940090248 4-hydroxybenzoic acid Drugs 0.000 description 4
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000013035 low temperature curing Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNETULKMXZVUST-UHFFFAOYSA-N 1-naphthoic acid Chemical compound C1=CC=C2C(C(=O)O)=CC=CC2=C1 LNETULKMXZVUST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002028 Biomass Substances 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000544 Gore-Tex Polymers 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004974 Thermotropic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VCCBEIPGXKNHFW-UHFFFAOYSA-N biphenyl-4,4'-diol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1=CC=C(O)C=C1 VCCBEIPGXKNHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229920000092 linear low density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004707 linear low-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920006149 polyester-amide block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 230000003405 preventing effect Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
- H01L31/0516—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module specially adapted for interconnection of back-contact solar cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Abstract
Description
本発明は、太陽電池モジュールに関する。 The present invention relates to a solar cell module.
近年、石油をはじめとした化石燃料の枯渇、それらを使用することによる地球温暖化などの環境破壊が世界的な問題となっている。そこで、化石燃料に代わるクリーンエネルギーとして、太陽光発電、風力発電、水力発電、バイオマス、潮流、海流、波などの海洋エネルギー、地熱、温度差の利用などいろいろな検討が行われている。 In recent years, depletion of fossil fuels such as oil, and environmental destruction such as global warming by using them have become a global problem. In view of this, various studies have been made on the use of solar energy, wind power, hydropower, biomass, tidal currents, ocean currents, ocean currents such as waves, geothermal heat, and temperature differences as clean energy to replace fossil fuels.
太陽光発電は特にクリーンエネルギーとして注目され太陽電池の開発が進められている。太陽電池モジュールは、太陽電池セルがその表裏面においてエチレン−酢酸ビニル共重合体フィルムなどの封止材によって封止されていると共に、表側の封止材上に光を透過する表面保護層としてガラス板を積層一体化し且つ裏側の封止材上に太陽電池用裏面保護シートをバックシートとして積層一体化してなる。 Photovoltaic power generation is particularly attracting attention as clean energy, and solar cells are being developed. In the solar cell module, solar cells are sealed on the front and back surfaces with a sealing material such as an ethylene-vinyl acetate copolymer film, and glass is used as a surface protective layer that transmits light on the front side sealing material. The plates are laminated and integrated, and the back protection sheet for solar cells is laminated and integrated on the back side sealing material as a back sheet.
特許文献1には、太陽電池モジュールの裏面に配置される太陽電池用裏面保護シートであって、密度が0.91g/cm3以上0.93g/cm3以下の直鎖低密度ポリエチレンを含有する第1のフィルムと、前記第1のフィルムに積層された、ポリフッ化ビニリデンとポリメチルメタクリレートを含有する第2のフィルムとを備えた太陽電池用裏面保護シートが開示されている。
しかしながら、太陽電池用裏面保護シートは、第1のフィルムと第2のフィルムとを積層してなるものであるから、第1のフィルムと第2のフィルムとが時間の経過に伴って剥離する虞れがあり、その結果、太陽電池用裏面保護シートの防湿性や酸素ガスなどのガスの透過防止効果が低下するといった問題点を有する。又、フィルムに金属などを蒸着することにより防湿性を付与した材料を使用する方法も採られているが、蒸着膜のクラックにより防湿性が低下するという問題点がある。 However, since the back surface protection sheet for solar cells is formed by laminating the first film and the second film, the first film and the second film may peel off over time. As a result, there is a problem that the moisture-proof property of the back protective sheet for solar cells and the permeation-preventing effect of gas such as oxygen gas are lowered. Moreover, although the method of using the material which gave moisture resistance by vapor-depositing a metal etc. on a film is also taken, there exists a problem that moisture resistance falls by the crack of a vapor deposition film.
又、太陽電池用裏面保護シートの防湿性を向上させるために、合成樹脂フィルムと、アルミニウム箔などの金属箔とを積層一体化してなる太陽電池用裏面保護シートが提案されているが、金属箔に腐食が発生し、太陽電池セルに悪影響を与えるといった問題点を有している。 Moreover, in order to improve the moisture resistance of the back surface protection sheet for solar cells, a back surface protection sheet for solar cells in which a synthetic resin film and a metal foil such as an aluminum foil are laminated and integrated has been proposed. Corrosion occurs and the solar battery cells are adversely affected.
本発明は、太陽電池セルへの湿気やガスなどの進入を防止して太陽電池セルの発電能力を長期間に亘って良好に維持することができる太陽電池モジュールを提供する。 The present invention provides a solar cell module that can prevent moisture and gas from entering the solar cell and maintain the power generation capability of the solar cell well over a long period of time.
本発明の太陽電池モジュールは、裏面電極型太陽電池用半導体基板の裏面にp電極とn電極とが形成されている太陽電池セルの電極形成面上に、液晶ポリマーからなる絶縁性基板上にp配線とn配線とが形成されてなる配線基板を積層一体化しており、上記p電極と上記p配線とがはんだを介して電気的に接続されていると共に、上記n電極と上記n配線とがはんだを介して電気的に接続されていることを特徴とする。 The solar cell module of the present invention has a p-type electrode on an insulating substrate made of a liquid crystal polymer on the electrode-forming surface of a solar cell in which a p-electrode and an n-electrode are formed on the back side of a semiconductor substrate for back-electrode solar cells. A wiring board in which wiring and n wiring are formed is laminated and integrated. The p electrode and the p wiring are electrically connected via solder, and the n electrode and the n wiring are connected to each other. It is electrically connected through solder.
又、上記太陽電池モジュールにおいて、絶縁性基板が単層のシートから形成されていることを特徴とする。 In the solar cell module, the insulating substrate is formed from a single-layer sheet.
更に、上記太陽電池モジュールにおいて、光を透過する表面保護層が裏面電極型太陽電池用半導体基板の光の入射面に積層されていることを特徴とする。 Furthermore, in the above solar cell module, a surface protective layer that transmits light is laminated on a light incident surface of a semiconductor substrate for a back electrode type solar cell.
本発明の太陽電池モジュールは、上述のように、絶縁性基板が液晶ポリマーからなり、絶縁性基板は防湿性及び耐ガス透過性に優れていることから、従来の太陽電池モジュールのように別途、防湿性及びガス透過防止性を確保するために裏面保護シートを用いる必要がない。 In the solar cell module of the present invention, as described above, the insulating substrate is made of a liquid crystal polymer, and since the insulating substrate is excellent in moisture resistance and gas permeation resistance, separately from the conventional solar cell module, There is no need to use a back protective sheet to ensure moisture resistance and gas permeation prevention.
従って、本発明の太陽電池モジュールは、その構造が簡素であり製造効率に優れていると共に薄型化を図ることができる。しかも、絶縁性基板を単層に形成することができるので層間剥離に起因した防湿性及び耐ガス透過性の低下を生じることがなく、本発明の太陽電池モジュールは、長期間に亘って優れた発電性能を維持することができる。なお、裏面保護シートの使用を排除するものではなく、使用する場合にあっても防湿性能やガス透過性能を考慮する必要がないため選択の幅が広がる。 Therefore, the solar cell module of the present invention has a simple structure, is excellent in manufacturing efficiency, and can be thinned. In addition, since the insulating substrate can be formed as a single layer, the moisture resistance and gas permeation resistance are not lowered due to delamination, and the solar cell module of the present invention is excellent over a long period of time. Power generation performance can be maintained. Note that the use of the back surface protection sheet is not excluded, and even when used, it is not necessary to consider moisture proof performance and gas permeation performance, so the range of selection is widened.
更に、絶縁性基板は液晶ポリマーからなるため、寸法安定性に優れ、使用環境の温度変化に伴う絶縁性基板の熱収縮に起因した影響を受けず、太陽電池セルの電極と配線基板の配線との接続状態を確実に維持することができる。よって、太陽電池モジュールは使用環境の温度変化にもかかわらず優れた発電性能を維持することができる。 Furthermore, since the insulating substrate is made of a liquid crystal polymer, it has excellent dimensional stability and is not affected by thermal contraction of the insulating substrate due to temperature changes in the usage environment, and the wiring of the solar cell electrode and wiring substrate The connection state of can be reliably maintained. Therefore, the solar cell module can maintain excellent power generation performance regardless of the temperature change of the usage environment.
又、絶縁性基板は液晶ポリマーからなり絶縁性に優れているので、絶縁性基板上に形成されるp配線とn配線との間の絶縁状態を確実に維持することができる。 Further, since the insulating substrate is made of a liquid crystal polymer and has excellent insulating properties, the insulating state between the p wiring and the n wiring formed on the insulating substrate can be reliably maintained.
そして、絶縁性基板は液晶ポリマーからなるため、絶縁性基板の耐熱温度がはんだ付け温度より高く、太陽電池セルの裏面電極型太陽電池用半導体基板上のp電極及びn電極と、絶縁性基板上のp配線及びn配線とをはんだを介して接続一体化する際のはんだ付け温度に耐えることができる。その結果、接続に低温硬化の銀ペーストで接続する場合と異なりマイグレーションに起因した短絡が生じにくく、電極間のピッチを小さくすることができ、太陽電池セル上のp電極及びn電極をファインピッチ化、ファインライン化することができて、本発明の太陽電池モジュールの性能を一層向上させることができる。即ち、太陽電池モジュールAの発電能力を向上させることができると共に太陽電池モジュールAの小型化を図ることができる。 Since the insulating substrate is made of a liquid crystal polymer, the heat-resistant temperature of the insulating substrate is higher than the soldering temperature, and the p-electrode and n-electrode on the back-surface electrode type solar cell semiconductor substrate of the solar cell, and the insulating substrate It is possible to withstand the soldering temperature when connecting and integrating the p wiring and the n wiring through solder. As a result, unlike the case where the connection is made with a low temperature curing silver paste, the short circuit caused by migration is less likely to occur, the pitch between the electrodes can be reduced, and the p-electrode and n-electrode on the solar cell have a fine pitch. Fine lines can be obtained, and the performance of the solar cell module of the present invention can be further improved. That is, the power generation capability of the solar cell module A can be improved, and the solar cell module A can be reduced in size.
本発明の太陽電池モジュールAは、裏面電極型太陽電池やバックコンタクトセルと呼ばれており、受光面に電極のない太陽電池モジュールである。太陽電池セル1aは、裏面電極型太陽電池用半導体基板1の裏面にp電極11とn電極12とが形成されている。このような太陽電池セル1aとしては、例えば、シリコン基板の裏面にp+層とn+層とがシリコン基板の裏面に沿って交互に間隔をあけて形成されてなる裏面電極型太陽電池用半導体基板1のp+層上に点状或いは線状のp電極11が形成され、n+層上に点状のn電極12が形成されてなる太陽電池セルや、シリコン基板の裏面にp+層が、表面にn+層が形成されてなり且つn+層をシリコン基板に形成した表裏面に亘って貫通する貫通孔を通じてシリコン基板の裏面側に取り出してなる裏面電極型太陽電池用半導体基板1のp+層上に点状のp電極11が形成されていると共に、シリコン基板の裏面側に取り出されたn+層上に点状にn電極12を形成してなる太陽電池セルなどが挙げられる。
The solar cell module A of the present invention is called a back electrode type solar cell or a back contact cell, and is a solar cell module having no electrode on the light receiving surface. In the solar cell 1a, a p-electrode 11 and an n-
なお、シリコン基板の裏面にp+層及びn+層を形成して裏面電極型太陽電池用半導体基板を製造する方法は、特に限定されず、例えば、先ず、シリコン基板の裏面全面にシリコン酸化膜を形成し、その後、シリコン窒化膜を形成することによってパッシベーション膜を形成する。次に、フォトエッチングにより、シリコン基板の裏面のn+層が形成される部分に対応するパッシベーション膜の一部を除去する。そして、リンなどのn型ドーパントを含むガスを用いてこの除去部分から露出したシリコン基板の裏面にn型ドーパントを拡散させることによってn+層を形成する。そして、シリコン基板の裏面に形成されているパッシベーション膜を全て除去した後に、再度、シリコン基板の裏面全面にシリコン酸化膜を形成し、その後、シリコン窒化膜を形成することによってパッシベーション膜を形成する。次に、フォトエッチングにより、p+層が形成される部分に対応するパッシベーション膜の一部を除去する。そして、ボロンなどのp型ドーパントを含むガスを用いて除去部分から露出したシリコン基板の裏面にp型ドーパントを拡散させることによってp+層を形成する方法が挙げられる。 The method for manufacturing the semiconductor substrate for the back electrode type solar cell by forming the p + layer and the n + layer on the back surface of the silicon substrate is not particularly limited. For example, first, a silicon oxide film is formed on the entire back surface of the silicon substrate. Then, a passivation film is formed by forming a silicon nitride film. Next, a part of the passivation film corresponding to the portion where the n + layer on the back surface of the silicon substrate is formed is removed by photoetching. Then, an n + layer is formed by diffusing the n-type dopant on the back surface of the silicon substrate exposed from the removed portion using a gas containing an n-type dopant such as phosphorus. Then, after all of the passivation film formed on the back surface of the silicon substrate is removed, a silicon oxide film is formed again on the entire back surface of the silicon substrate, and then a passivation film is formed by forming a silicon nitride film. Next, a part of the passivation film corresponding to the portion where the p + layer is formed is removed by photoetching. And the method of forming a p + layer by diffusing a p-type dopant in the back surface of the silicon substrate exposed from the removal part using the gas containing p-type dopants, such as boron, is mentioned.
又、シリコン基板の裏面にp+層が、表面にn+層が形成されてなり且つn+層をシリコン基板に形成した表裏面に亘って貫通する貫通孔を通じてシリコン基板の裏面側に取り出してなる裏面電極型太陽電池用半導体基板も提案されている。製造方法としては、例えば、Advent社は、「Emitter Wrap Through」と称し、レーザーでシリコン基板に両裏面に亘って貫通する貫通孔を形成し、この貫通孔周辺の半導体をn+ジャンクションにして表裏接合するやり方を検討しており、又、京セラ社は、バスバー電極のみを裏面に配置するメタルラップスルーセルの検討を行っており、この工法は、レーザー加工によってシリコン基板に形成された貫通孔に電極材を充填することによって、シリコン基板の表面のフィンガー電極と裏面のバスバーとを電気的に接続し、従来、シリコン基板の表面に位置していたバスバー電極のみを裏側に配置する方法である。 Also, a back electrode formed by forming a p + layer on the back surface of the silicon substrate and an n + layer on the front surface and taking out to the back surface side of the silicon substrate through a through-hole penetrating the front and back surfaces formed on the silicon substrate. A semiconductor substrate for a solar cell has also been proposed. As a manufacturing method, for example, Advent is called “Emitter Wrap Through”, and a through-hole penetrating the silicon substrate is formed on both sides with a laser. In addition, Kyocera Corporation is examining a metal wrap-through cell in which only the bus bar electrode is placed on the back surface. This method uses an electrode material in the through-hole formed in the silicon substrate by laser processing. In this method, the finger electrodes on the front surface of the silicon substrate and the bus bar on the back surface are electrically connected to each other, and only the bus bar electrodes that are conventionally positioned on the front surface of the silicon substrate are disposed on the back side.
そして、太陽電池セル1aの裏面電極型太陽電池用半導体基板1の裏面、即ち、p電極11及びn電極12が形成されている面(電極形成面)には配線基板2aが積層一体化されている。この配線基板2aは、液晶ポリマーからなる単層のシートよりなる絶縁性基板2上にp配線21及びn配線22が互いに電気的に絶縁された状態で形成されている。なお、絶縁性基板2は、液晶ポリマーからなるシートを複数枚、積層一体化して形成されたものであってもよい。
Then, the
液晶ポリマーとしては、例えば、全芳香族液晶ポリエステル、全芳香族液晶ポリイミド、全芳香族液晶ポリエステルアミドなどが挙げられ、全芳香族液晶ポリエステルが好ましい。全芳香族液晶ポリエステルは、サーモトロピック液晶ポリマーと呼ばれるポリエステルであり、その代表例としては、例えば、(1)芳香族ジカルボン酸と芳香族ジオールと芳香族ヒドロキシカルボン酸とを反応させて得られるポリマー、(2)異種の芳香族ヒドロキシカルボン酸の組み合せを反応させて得られるポリマー、(3)芳香族ヒドロキシカルボン酸と芳香族ジカルボン酸と脂肪族ジオールとを反応させて得られるポリマー、(4)芳香族ジカルボン酸と芳香族ジオールとを反応させて得られるポリマー、(5)ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステルに芳香族ヒドロキシカルボン酸を反応させて得られるポリマーなどが挙げられ、通常、400℃以下の温度で異方性溶融体を形成するポリマーである。なお、芳香族ジカルボン酸、芳香族ジオール及び芳香族ヒドロキシカルボン酸の代わりに、これらのエステル誘導体が使用されることもある。更に、芳香族ジカルボン酸、芳香族ジオール及び芳香族ヒドロキシカルボン酸は、芳香族部分がハロゲン原子、アルキル基、アリール基などで置換されてもよい。 Examples of the liquid crystal polymer include wholly aromatic liquid crystal polyesters, wholly aromatic liquid crystal polyimides, wholly aromatic liquid crystal polyester amides, and the like, and wholly aromatic liquid crystal polyesters are preferable. The wholly aromatic liquid crystal polyester is a polyester called a thermotropic liquid crystal polymer. Typical examples thereof include (1) a polymer obtained by reacting an aromatic dicarboxylic acid, an aromatic diol, and an aromatic hydroxycarboxylic acid. (2) a polymer obtained by reacting a combination of different types of aromatic hydroxycarboxylic acids, (3) a polymer obtained by reacting an aromatic hydroxycarboxylic acid, an aromatic dicarboxylic acid and an aliphatic diol, (4) Examples include polymers obtained by reacting aromatic dicarboxylic acids and aromatic diols, and (5) polymers obtained by reacting aromatic hydroxycarboxylic acids with polyesters such as polyethylene terephthalate. It is a polymer that forms an anisotropic melt. In addition, these ester derivatives may be used instead of aromatic dicarboxylic acid, aromatic diol, and aromatic hydroxycarboxylic acid. Furthermore, in the aromatic dicarboxylic acid, aromatic diol, and aromatic hydroxycarboxylic acid, the aromatic moiety may be substituted with a halogen atom, an alkyl group, an aryl group, or the like.
具体的には、液晶ポリエステルとして、パラヒドロキシ安息香酸(PHB)と、テレフタル酸と、4,4’−ビフェノールとから合成されるI型[下式(1)]、PHBと2,6−ヒドロキシナフトエ酸から合成されるII型[下式(2)]、PHBと、テレフタル酸と、エチレングリコールから合成されるIII型[下式(3)]が挙げられ、I型〜III型のいずれでもよいが、耐熱性、寸法安定性、防湿性の点から、全芳香族液晶ポリエステル(I型及びII型)が好ましい。 Specifically, as liquid crystal polyester, type I [the following formula (1)] synthesized from parahydroxybenzoic acid (PHB), terephthalic acid and 4,4′-biphenol, PHB and 2,6-hydroxy Type II synthesized from naphthoic acid [Formula (2)], PHB, terephthalic acid, and type III synthesized from ethylene glycol [Formula (3)] can be mentioned. However, from the viewpoint of heat resistance, dimensional stability, and moisture resistance, wholly aromatic liquid crystal polyesters (type I and type II) are preferred.
なお、全芳香族液晶ポリエステルフィルムは、例えば、ジャパンゴアテックス社から商品名「BIAC」にて市販されている。 The wholly aromatic liquid crystal polyester film is commercially available from Japan Gore-Tex, Inc. under the trade name “BIAC”, for example.
上述したように、絶縁性基板2上にはp配線21とn配線22とがそれぞれ電気的に絶縁された状態に形成されている。絶縁性基板2上にp配線21及びn配線22を形成する要領としては、例えば、絶縁性基板の一面に、銅などの導電性金属からなる膜を形成し、この膜の一部をエッチング処理して除去することによってp配線21及びn配線22を形成することができる。そして、p配線21及びn配線22の表面には、はんだがコーティングされている。
As described above, the
そして、太陽電池セル1aの裏面電極型太陽電池用半導体基板1の裏面に配線基板2aがそのp配線及びn配線を太陽電池セル1aに対向させた状態に積層一体化されており、裏面電極型太陽電池用半導体基板1の裏面に形成されたp電極11と、絶縁性基板2上に形成されたp配線21とがはんだ31を介して電気的に接続されていると共に、裏面電極型太陽電池用半導体基板1の裏面に形成されたn電極12と、絶縁性基板2上に形成されたn配線22とがはんだ32を介して電気的に接続されて太陽電池モジュールAが構成されている。
A
絶縁性基板2は液晶ポリマーよりなるため、絶縁性基板2の耐熱温度がはんだ付け温度より高く、裏面電極型太陽電池用半導体基板1の裏面のp電極11及びn電極12と、絶縁性基板2上のp配線21及びn配線22とをはんだ32を介して電気的に接続一体化させることができる。従って、接続に低温硬化の銀ペーストを用いた場合と異なり、裏面電極型太陽電池用半導体基板1上のp電極11及びn電極12をファインライン化、ファインピッチ化することができ、太陽電池モジュールAの発電能力を向上させることができると共に太陽電池モジュールAの小型化を図ることができる。
Since the insulating
裏面電極型太陽電池用半導体基板1の表面には封止材41が積層一体化されていると共に、裏面電極型太陽電池用半導体基板1と絶縁性基板2との対向面間にも封止材42が充填されている。このような封止材としては、特に限定されず、例えば、エチレン−酢酸ビニル共重合体などが挙げられる。
A sealing
次に、裏面電極型太陽電池用半導体基板1の裏面のp電極11及びn電極12と、絶縁性基板2上のp配線21及びn配線22とをはんだ32を介して電気的に接続一体化させ、更に、裏面電極型太陽電池用半導体基板1と絶縁性基板2との対向面間に封止材42を充填する要領は、特に限定されない。
Next, the p electrode 11 and the
上記要領としては、例えば、(1)太陽電池セル1aと配線基板2aとをp電極11とp配線21とが対向し、n電極12とn配線22とが対向した状態にしてはんだメッキ銅コアボール入りの異方導電フィルムを介在させた状態で重ね合わせて積層体を形成する。なお、異方導電フィルム中のはんだメッキ銅コアボールは、太陽電池セル1aのp電極11及びn電極12上に位置した状態となるように調整する。次に、積層体を脱気した上で加熱し、異方導電フィルムを軟化させて太陽電池セル1aと配線基板2aとの間の空間部に充填させると共に、メッキ銅コアボールの溶解によって、p電極11とp配線21とをはんだを介して電気的に接続すると共に、n電極12とn配線22とをはんだを介して電気的に接続させる方法、(2)配線基板2のp配線21及びn配線22上にはんだメッキを予め施しておく。太陽電池セル1aと配線基板2aとをp電極11とp配線21とが対向し、n電極12とn配線22とが対向した状態にしてフィルムを介在させた状態で重ね合わせて積層体を形成する。次に、積層体を脱気した上で加熱し、フィルムを軟化させて太陽電池セル1aと配線基板2aとの間の空間部に充填させると共に、p配線21及びn配線22上のはんだメッキの溶解によって、p電極11とp配線21とをはんだを介して電気的に接続すると共に、n電極12とn配線22とをはんだを介して電気的に接続させる方法、(3)配線基板2のp配線21及びn配線22上にはんだメッキを予め施しておく。次に、配線基板2のp配線21及びn配線22形成面上に封止樹脂を塗布する。真空中において、太陽電池セル1aと配線基板2aとをp電極11とp配線21とが対向し、n電極12とn配線22とが対向した状態に重ね合わせて積層体を形成する。しかる後、大気圧下に戻した上で積層体を加熱し、配線基板2上の封止樹脂を軟化させて太陽電池セル1aと配線基板2aとの間の空間部に充填させると共に、p配線21及びn配線22上のはんだメッキの溶解によって、p電極11とp配線21とをはんだを介して電気的に接続すると共に、n電極12とn配線22とをはんだを介して電気的に接続させる方法、(4)配線基板2のp配線21及びn配線22上に低残渣はんだペーストを予め塗布しておく。次に、配線基板2のp配線21及びn配線22形成面上に封止樹脂を塗布する。真空中において、太陽電池セル1aと配線基板2aとをp電極11とp配線21とが対向し、n電極12とn配線22とが対向した状態に重ね合わせて積層体を形成する。しかる後、大気圧下に戻した上で積層体を加熱し、配線基板2上の封止樹脂を軟化させて太陽電池セル1aと配線基板2aとの間の空間部に充填させると共に、p配線21及びn配線22上の低残渣はんだペーストの溶解によって、p電極11とp配線21とをはんだを介して電気的に接続すると共に、n電極12とn配線22とをはんだを介して電気的に接続させる方法が挙げられる。
As the above-mentioned procedure, for example, (1) a solar cell 1a and a
更に、太陽電池モジュールAの封止材41上には表面保護層5が積層一体化されている。このような表面保護層5としては、太陽電池モジュールAの受光面、即ち、裏面電極型太陽電池用半導体基板1の表面への光の入射を損なうことがなく、且つ、太陽電池モジュールAを保護することができればよく、例えば、透明ガラス板、ポリエチレンテレフタレート板が挙げられる。又、表面保護層5は、光を透過する液状の材料を太陽電池セルの表面側に塗布し硬化させて形成されたものであってもよい。
Further, the surface
このようにして得られた太陽電池モジュールAは、上述したように、絶縁性基板2が液晶ポリマーからなり、防湿性及びガス透過防止性に優れている。従って、絶縁性基板2の裏面に別途、防湿性及びガス透過防止性を付与するために裏面保護フィルムを積層一体化する必要はなく、製造工程の簡略化による太陽電池モジュールAの製造効率の向上を図ることができると共に、太陽電池モジュールAの薄型化を図ることができる。なお、防湿性及びガス透過防止性を付与するためではなく、太陽電池モジュールAの輸送時や設置時に絶縁性基板2に傷が付くのを防止するために、絶縁性基板2の裏面に保護シートを積層させておいてもよい。
In the solar cell module A thus obtained, as described above, the insulating
又、絶縁性基板2は液晶ポリマーからなり、耐熱性及び寸法安定性に優れているので、屋外の高温下においても、裏面電極型太陽電池用半導体基板1上のp電極11及びn電極12と、絶縁性基板2上のp配線21及びn配線22との接続状態を確実に維持することができ、太陽電池セル1aの優れた発電能力を長期間に亘って確実に維持することができる。
Further, since the insulating
1 裏面電極型太陽電池用半導体基板
11 p電極
12 n電極
1a 太陽電池セル
2 絶縁性基板
21 p配線
22 n配線
2a 配線基板
31,32 はんだ
41,42 封止材
5 表面保護層
A 太陽電池モジュール
1 Semiconductor substrate for back electrode type solar cell
11 p-electrode
12 n-electrode
21p wiring
22n wiring
2a Wiring board
31,32 solder
41,42
Claims (3)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008316451A JP2010141156A (en) | 2008-12-12 | 2008-12-12 | Solar battery module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008316451A JP2010141156A (en) | 2008-12-12 | 2008-12-12 | Solar battery module |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010141156A true JP2010141156A (en) | 2010-06-24 |
Family
ID=42351020
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008316451A Pending JP2010141156A (en) | 2008-12-12 | 2008-12-12 | Solar battery module |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010141156A (en) |
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