JP2010130576A - Electric circuit, shift register circuit, driver circuit, and image display device - Google Patents

Electric circuit, shift register circuit, driver circuit, and image display device Download PDF

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芳直 小林
Ryoichi Yokoyama
良一 横山
Masato Hara
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Chikatomo Takasugi
親知 高杉
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide technologies capable of switching a potential between two transistors while suppressing an increase in power consumption. <P>SOLUTION: An electric circuit comprises a set signal imparting section for imparting a set signal to gate electrodes of both a first transistor and a second transistor to set the first transistor and the second transistor into a conducted state in which a current can flow. Furthermore, the electric circuit comprises a first signal imparting section which causes a first signal to flow to the first transistor in a state that a current can flow through the first transistor, and a second signal imparting section which causes a second signal to flow to the second transistor in a state that a current can flow through the second transistor. Moreover, the electric circuit comprises a control section for sequentially performing switching, in a state that the set signal is imparted, between a first signal state where the first signal flows and an output signal is output, and a second state where the second signal does not flow and the output signal is not output. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、2つのトランジスタの間の電位を切り替える電気回路と、その電気回路を用いたシフトレジスタ回路、ドライバ回路、および画像表示装置とに関する。   The present invention relates to an electric circuit that switches a potential between two transistors, and a shift register circuit, a driver circuit, and an image display device using the electric circuit.

近年、有機EL素子等を用いた表示パネルにおいて、製造コストの低減を目的として、所謂ゲートドライバを表示パネルに対して一体的に埋め込む技術が提案されている。   In recent years, in a display panel using an organic EL element or the like, a technique for embedding a so-called gate driver integrally in the display panel has been proposed for the purpose of reducing manufacturing costs.

そして、画素回路がマトリクス状に配列された撮像素子または表示素子をライン順次に選択して走査するためのドライバとしては、前段からのセット信号が後段に順次に伝達されていくシフトレジスタ回路が開示されている(例えば、特許文献1等)。   A shift register circuit in which a set signal from the previous stage is sequentially transmitted to the subsequent stage is disclosed as a driver for selecting and scanning image pickup elements or display elements in which pixel circuits are arranged in a matrix. (For example, Patent Document 1).

ここで、特許文献1で提案されたシフトレジスタ回路を構成する各段の回路に関し、セット信号端子OUTから出力されるセット信号の制御について、図23を参照しつつ説明する。   Here, regarding the circuit of each stage constituting the shift register circuit proposed in Patent Document 1, control of the set signal output from the set signal terminal OUT will be described with reference to FIG.

図23で示されるように、定電圧入力端子SSを基準として該定電圧入力端子SSと基準電圧入力端子DDとの間に基準電圧(例えば+25V)が常に印加されることで、TFT(thin film transistor)23のゲートとドレインとに正の同電位が印加される。このとき、TFT23は常にドレインとソースとの間で電流が流れ得る状態(導通状態)に設定される。また、TFT22のゲートに対する正の電位の付与の有無によって、TFT22は導通状態またはドレインとソースとの間で電流が流れ得ない状態(非導通状態)に設定される。   As shown in FIG. 23, a reference voltage (for example, + 25V) is always applied between the constant voltage input terminal SS and the reference voltage input terminal DD with reference to the constant voltage input terminal SS, so that a TFT (thin film The same potential is applied to the gate and drain of transistor 23). At this time, the TFT 23 is always set to a state (conduction state) in which a current can flow between the drain and the source. Further, depending on whether or not a positive potential is applied to the gate of the TFT 22, the TFT 22 is set to a conductive state or a state in which no current can flow between the drain and the source (non-conductive state).

そして、TFT22が導通状態の場合には、TFT24が導通状態、TFT25が非導通状態にそれぞれ設定される。このような設定状態では、クロック信号入力端子clkに付与される信号に応じたセット信号がセット信号端子OUTから出力される。一方、TFT22が非導通状態の場合には、TFT24が非導通状態、TFT25が導通状態にそれぞれ設定される。このような設定状態では、クロック信号入力端子clkに付与される信号に応じたセット信号がセット信号端子OUTから出力されない。   When the TFT 22 is in a conductive state, the TFT 24 is set in a conductive state and the TFT 25 is set in a non-conductive state. In such a setting state, a set signal corresponding to a signal applied to the clock signal input terminal clk is output from the set signal terminal OUT. On the other hand, when the TFT 22 is in a non-conductive state, the TFT 24 is set in a non-conductive state and the TFT 25 is set in a conductive state. In such a setting state, the set signal corresponding to the signal applied to the clock signal input terminal clk is not output from the set signal terminal OUT.

特開2001−160299号公報JP 2001-160299 A

しかしながら、上記特許文献1で提案されたシフトレジスタ回路では、TFT25を非導通状態に設定するためにTFT22を導通状態に設定すれば、2つのTFT22,23の双方が導通状態となる。このとき、基準電圧入力端子DDから定電圧入力端子SSに向けて、2つのTFT22,23を介して比較的大きな電流(以下「貫通電流」称する)が流れ、消費電力の増大を招く。特に、シフトレジスタ回路の全段の回路において、セット信号端子OUTからセット信号を同時にある程度の期間出力させる態様では、上記貫通電流の顕著な増大、すなわち消費電力の顕著な増大を招く。   However, in the shift register circuit proposed in Patent Document 1, if the TFT 22 is set in a conductive state in order to set the TFT 25 in a non-conductive state, both the two TFTs 22 and 23 are in a conductive state. At this time, a relatively large current (hereinafter referred to as “through current”) flows through the two TFTs 22 and 23 from the reference voltage input terminal DD to the constant voltage input terminal SS, which causes an increase in power consumption. In particular, in all stages of the shift register circuit, in a mode in which the set signal is simultaneously output from the set signal terminal OUT for a certain period, the above-described through current is significantly increased, that is, the power consumption is significantly increased.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、消費電力の増大を抑制しつつ、2つのトランジスタの間の電位を切り替えることが可能な技術を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a technique capable of switching a potential between two transistors while suppressing an increase in power consumption.

上記の課題を解決するために、本発明の第1の態様に係る電気回路は、第1トランジスタと第2トランジスタの両方のゲート電極にセット信号を付与し、前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタを電流が流れ得る導通状態に設定するセット信号付与部を備える。また、該電気回路は、前記第1トランジスタに電流が流れ得る状態にて該第1トランジスタに第1信号を流す第1信号付与部と、前記第2トランジスタに電流が流れ得る状態にて該第2トランジスタに第2信号を流す第2信号付与部とを備える。更に、該電気回路は、前記セット信号を付与している状態において、前記第1信号が流れて出力信号が出力される第1信号状態と、前記第2信号が流れず前記出力信号が出力されない第2信号状態とに順次に切り替える制御部を備える。   In order to solve the above problems, an electric circuit according to a first aspect of the present invention provides a set signal to both gate electrodes of a first transistor and a second transistor, and the first transistor and the second transistor Is provided with a set signal applying unit that sets a conductive state in which current can flow. The electric circuit includes a first signal applying unit that supplies a first signal to the first transistor in a state where a current can flow through the first transistor, and a first signal applying unit that allows a current to flow through the second transistor. A second signal applying unit for supplying a second signal to the two transistors. Further, in the state where the set signal is applied, the electric circuit has a first signal state in which the first signal flows and an output signal is output, and the second signal does not flow and the output signal is not output. A control unit that sequentially switches to the second signal state is provided.

また、本発明の第2の態様に係る電気回路は、第1、第2、第3電極を有し、前記第3電極に対する電位の付与に応じて前記第1電極と前記第2電極との間の電流が調整される第1トランジスタと、第4、第5、第6電極を有し、前記第6電極に対する電位の付与に応じて前記第4電極と前記第5電極との間の電流が調整される第2トランジスタとを備える。また、該電気回路は、第7、第8、第9電極を有し、前記第9電極に対する電位の付与に応じて前記第7電極と前記第8電極との間の電流が調整される第3トランジスタと、第10、第11、第12電極を有し、前記第12電極に対する電位の付与に応じて前記第10電極と前記第11電極との間の電流が調整される第4トランジスタとを備える。また、該電気回路は、前記第3および第6電極に対してセット信号を付与することで、前記第1トランジスタを、前記第1電極と前記第2電極との間で電流が流れ得る導通状態に設定するとともに、前記第2トランジスタを、前記第4電極と前記第5電極との間で電流が流れ得る導通状態に設定するセット信号付与部と、前記第1電極に対して第1信号を付与する第1信号付与部と、前記第4電極に対して第2信号を付与する第2信号付与部とを備える。そして、該電気回路では、前記第2電極が、前記第9および第10電極に対して電気的に接続され、前記第5電極が、前記第7および第12電極に対して電気的に接続されており、前記セット信号が前記第3および第6電極に対して付与されている状態において、前記第9電極に対して前記第1信号が付与されることで、前記第3トランジスタが、前記第7電極と前記第8電極との間で電流が流れ得る導通状態に設定されている第1設定状態と、前記第12電極に対して前記第2信号が付与されることで、前記第4トランジスタが、前記第10電極と前記第11電極との間で電流が流れ得る導通状態に設定されている第2設定状態とに順次に設定される。   The electric circuit according to the second aspect of the present invention includes first, second, and third electrodes, and the first electrode and the second electrode are provided in response to application of a potential to the third electrode. A current between the fourth electrode and the fifth electrode in response to application of a potential to the sixth electrode. The second transistor is adjusted. The electrical circuit includes seventh, eighth, and ninth electrodes, and a current between the seventh electrode and the eighth electrode is adjusted according to application of a potential to the ninth electrode. And a fourth transistor having tenth, eleventh, and twelfth electrodes, wherein a current between the tenth electrode and the eleventh electrode is adjusted in accordance with application of a potential to the twelfth electrode; Is provided. In addition, the electric circuit applies a set signal to the third and sixth electrodes so that a current can flow between the first electrode and the second electrode in the first transistor. And a set signal applying unit that sets the second transistor to a conductive state in which a current can flow between the fourth electrode and the fifth electrode, and a first signal to the first electrode. A first signal applying unit for applying, and a second signal applying unit for applying a second signal to the fourth electrode. In the electrical circuit, the second electrode is electrically connected to the ninth and tenth electrodes, and the fifth electrode is electrically connected to the seventh and twelfth electrodes. When the set signal is applied to the third and sixth electrodes, the first signal is applied to the ninth electrode, so that the third transistor The first transistor is set in a conductive state in which a current can flow between the seventh electrode and the eighth electrode, and the second signal is applied to the twelfth electrode, whereby the fourth transistor Are sequentially set to a second setting state in which a current can flow between the tenth electrode and the eleventh electrode.

また、本発明の第3の態様に係る電気回路は、本発明の第2の態様に係る電気回路であって、第13、第14、第15電極を有し、前記第15電極に対する電位の付与に応じて前記第13電極と前記第14電極との間の電流が調整される第5トランジスタと、第16、第17、第18電極を有し、前記第18電極に対する電位の付与に応じて前記第16電極と前記第17電極との間の電流が調整される第6トランジスタとを更に備える。また、該電気回路は、前記第13電極に対して入力信号を付与する入力信号付与部と、前記第14電極と前記第16電極とを電気的に接続する配線に対して電気的に接続され、且つ出力信号を出力する信号出力部とを更に備える。そして、該電気回路では、前記第15電極が、前記第2、第9、および第10電極に対して電気的に接続され、前記第18電極が、前記第5、第7、および第12電極に対して電気的に接続される。   An electric circuit according to the third aspect of the present invention is the electric circuit according to the second aspect of the present invention, and includes the thirteenth, fourteenth and fifteenth electrodes, and the electric potential of the fifteenth electrode is A fifth transistor in which a current between the thirteenth electrode and the fourteenth electrode is adjusted according to the application; and a sixteenth, seventeenth, and eighteenth electrode; and according to the application of a potential to the eighteenth electrode. And a sixth transistor for adjusting a current between the sixteenth electrode and the seventeenth electrode. The electric circuit is electrically connected to an input signal applying unit that applies an input signal to the thirteenth electrode and a wiring that electrically connects the fourteenth electrode and the sixteenth electrode. And a signal output unit for outputting an output signal. In the electric circuit, the fifteenth electrode is electrically connected to the second, ninth, and tenth electrodes, and the eighteenth electrode is the fifth, seventh, and twelfth electrodes. Is electrically connected.

また、本発明の第4の態様に係る電気回路は、本発明の第2または第3の態様に係る電気回路であって、第19、第20、第21電極を有し、前記第21電極に対する電位の付与に応じて前記第19電極と前記第20電極との間の電流が調整される第7トランジスタと、第22、第23、第24電極を有し、前記第24電極に対する電位の付与に応じて前記第22電極と前記第23電極との間の電流が調整される第8トランジスタと、前記第21および第24電極に対してリセット信号を付与するリセット信号付与部とを更に備える。また、該電気回路では、前記第19電極が、前記第2信号付与部と同電位に設定される第3信号付与部に対して電気的に接続され、前記第20電極が、前記第9および第10電極に対して電気的に接続され、前記第22電極が、前記第1信号付与部と同電位に設定される第4信号付与部に対して電気的に接続され、前記第23電極が、前記第7および第12電極に対して電気的に接続される。そして、該電気回路では、前記セット信号付与部から前記第3および第6電極に対する前記セット信号の付与と、前記リセット信号付与部から前記第21および第24電極に対する前記リセット信号の付与とが順次に行われる。更に、該電気回路では、前記リセット信号付与部から前記第21および第24電極に対して前記リセット信号がそれぞれ付与されている状態において、前記第4信号付与部から前記第8トランジスタを介して前記第12電極に対して前記第1信号が付与されることで、前記第4トランジスタが前記導通状態に設定されている前記第2設定状態に設定される。   An electric circuit according to a fourth aspect of the present invention is the electric circuit according to the second or third aspect of the present invention, comprising the nineteenth, twentieth and twenty-first electrodes, wherein the twenty-first electrode A seventh transistor in which the current between the nineteenth electrode and the twentieth electrode is adjusted in response to the potential applied to the second electrode, and the twenty-second, twenty-third, and twenty-fourth electrodes. An eighth transistor in which a current between the twenty-second electrode and the twenty-third electrode is adjusted according to the application; and a reset signal applying unit that applies a reset signal to the twenty-first and twenty-fourth electrodes. . Further, in the electric circuit, the nineteenth electrode is electrically connected to a third signal applying unit set to the same potential as the second signal applying unit, and the twentieth electrode is connected to the ninth and tenth electrodes. Electrically connected to the tenth electrode, the twenty-second electrode is electrically connected to a fourth signal applying unit set at the same potential as the first signal applying unit, and the twenty-third electrode is , And electrically connected to the seventh and twelfth electrodes. In the electric circuit, the set signal is applied from the set signal applying unit to the third and sixth electrodes, and the reset signal is applied from the reset signal applying unit to the 21st and 24th electrodes in sequence. To be done. Further, in the electric circuit, in a state where the reset signal is applied to the twenty-first and twenty-fourth electrodes from the reset signal applying unit, the fourth signal applying unit passes through the eighth transistor. By applying the first signal to the twelfth electrode, the fourth transistor is set to the second setting state in which the conduction state is set.

また、本発明の第5の態様に係るシフトレジスタ回路は、本発明の第4の態様に係る複数の電気回路と、第1および第2入力信号線と、前記複数の電気回路の各前記第1および第4信号付与部がそれぞれ電気的に接続され、且つ前記第1信号を各前記第1および第4信号付与部に付与する第1信号線と、前記複数の電気回路の各前記第2および第3信号付与部がそれぞれ電気的に接続され、且つ前記第2信号を各前記第2および第3信号付与部に付与する第2信号線とを備える。また、該シフトレジスタ回路では、前記複数の電気回路が順次に配列され、前記複数の電気回路のうちの奇数番目にそれぞれ配列されている各前記電気回路の前記入力信号付与部が、前記第1入力信号線に対してそれぞれ電気的に接続され、前記複数の電気回路のうちの偶数番目にそれぞれ配列されている各前記電気回路の前記入力信号付与部が、前記第2入力信号線に対してそれぞれ電気的に接続される。更に、該シフトレジスタ回路では、前記複数の電気回路のうちの一端に配列されている前記電気回路の前記リセット信号付与部が、該一端に配列されている前記電気回路の次に配列されている前記電気回路の前記信号出力部に対して電気的に接続され、前記複数の電気回路のうちの他端に配列されている前記電気回路の前記セット信号付与部が、該他端に配列されている前記電気回路の前に配列されている前記電気回路の前記信号出力部に対して電気的に接続される。そして、該シフトレジスタ回路では、前記複数の電気回路のうちの前記一端および他端に配列されている前記電気回路を除く各前記電気回路では、それぞれ、前記セット信号付与部が前に配列されている前記電気回路の前記信号出力部に対して電気的に接続され、且つ前記リセット信号付与部が次に配列されている前記電気回路の前記信号出力部に対して電気的に接続される。   A shift register circuit according to a fifth aspect of the present invention includes a plurality of electric circuits according to the fourth aspect of the present invention, first and second input signal lines, and each of the plurality of electric circuits. 1st and 4th signal provision part is electrically connected, respectively, The 1st signal line which gives the 1st signal to each of the 1st and 4th signal provision parts, and each 2nd of these electric circuits And a third signal applying unit electrically connected to each other, and a second signal line for applying the second signal to the second and third signal applying units. Further, in the shift register circuit, the plurality of electric circuits are sequentially arranged, and the input signal applying unit of each of the electric circuits arranged in an odd number among the plurality of electric circuits includes the first register. The input signal applying unit of each of the electric circuits electrically connected to the input signal lines and arranged in even-numbered ones of the plurality of electric circuits is connected to the second input signal line. Each is electrically connected. Furthermore, in the shift register circuit, the reset signal applying unit of the electric circuit arranged at one end of the plurality of electric circuits is arranged next to the electric circuit arranged at the one end. The set signal applying unit of the electric circuit that is electrically connected to the signal output unit of the electric circuit and arranged at the other end of the plurality of electric circuits is arranged at the other end. It is electrically connected to the signal output part of the electrical circuit arranged in front of the electrical circuit. In the shift register circuit, in each of the electric circuits excluding the electric circuit arranged at the one end and the other end of the plurality of electric circuits, the set signal applying unit is arranged in front of each other. The signal output unit of the electrical circuit is electrically connected to the signal output unit of the electrical circuit, and the reset signal applying unit is electrically connected to the signal output unit of the electrical circuit arranged next.

また、本発明の第6の態様に係るシフトレジスタ回路は、本発明の第5の態様に係るシフトレジスタ回路であって、前記第1信号が各前記第1電極および各前記第22電極に対して付与され、且つ前記第2信号が各前記第4電極および各前記第19電極に対して付与されていない状態で、前記一端に配列されている前記電気回路の前記セット信号付与部に前記セット信号が付与された後に、前記第1入力信号線による各前記電気回路に対する前記入力信号の付与と、前記第2入力信号線による各前記電気回路に対する前記入力信号の付与とが交互に行われる。   A shift register circuit according to a sixth aspect of the present invention is the shift register circuit according to the fifth aspect of the present invention, wherein the first signal is applied to each of the first electrode and each of the twenty-second electrodes. And the second signal is not applied to each of the fourth electrode and each of the nineteenth electrodes, and the set signal is applied to the set signal applying unit of the electric circuit arranged at the one end. After the signal is applied, the application of the input signal to the electric circuits by the first input signal line and the application of the input signal to the electric circuits by the second input signal line are alternately performed.

また、本発明の第7の態様に係るドライバ回路は、本発明の第5または第6の態様に係るシフトレジスタ回路と、第1および第2モード信号線とを更に備える。また、該ドライバ回路では、各前記電気回路が、第25、第26、第27電極を有し、前記第27電極に対する電位の付与に応じて前記第25電極と前記第26電極との間の電流が調整される第9トランジスタと、第28、第29、第30電極を有し、前記第30電極に対する電位の付与に応じて前記第28電極と前記第29電極との間の電流が調整される第10トランジスタと、第31、第32、第33電極を有し、前記第33電極に対する電位の付与に応じて前記第31電極と前記第32電極との間の電流が調整される第11トランジスタとを更に有する。また、該ドライバ回路では、各前記電気回路が、第34、第35、第36電極を有し、前記第36電極に対する電位の付与に応じて前記第34電極と前記第35電極との間の電流が調整される第12トランジスタと、第37、第38、第39電極を有し、前記第39電極に対する電位の付与に応じて前記第37電極と前記第38電極との間の電流が調整される第13トランジスタと、第40、第41、第42電極を有し、前記第42電極に対する電位の付与に応じて前記第40電極と前記第41電極との間の電流が調整される第14トランジスタとを更に有する。そして、該ドライバ回路では、各前記電気回路において、前記第2電極と、前記第9、第10、および第15電極とが、前記第25および第26電極を介して電気的に接続され、前記第20電極と、前記第9、第10、および第15電極とが、前記第28および第29電極を介して電気的に接続され、前記第5電極と、前記第7、第12、および第18電極とが、前記第31および第32電極を介して電気的に接続され、前記第23電極と、前記第7、第12、および第18電極とが、前記第34および第35電極を介して電気的に接続される。更に、該ドライバ回路では、各前記電気回路において、前記第37電極が、前記第1信号線に対して電気的に接続され、前記第38電極が、前記第9、第10、および第15電極に対して電気的に接続され、前記第40電極が、前記第2信号線に対して電気的に接続され、前記第41電極が、前記第7、第12、および第18電極に対して電気的に接続され、前記第1モード信号線が、前記第27、第30、第33、および第36電極に対して電気的に接続され、前記第2モード信号線が、前記第39および第42電極に対して電気的に接続される。   The driver circuit according to the seventh aspect of the present invention further includes a shift register circuit according to the fifth or sixth aspect of the present invention, and first and second mode signal lines. Further, in the driver circuit, each of the electric circuits has 25th, 26th, and 27th electrodes, and the electric circuit between the 25th electrode and the 26th electrode according to application of a potential to the 27th electrode. It has a ninth transistor for adjusting the current, and the 28th, 29th, and 30th electrodes, and the current between the 28th electrode and the 29th electrode is adjusted according to the potential applied to the 30th electrode. A tenth transistor, and thirty-first, thirty-second, and thirty-third electrodes, and a current between the thirty-first electrode and the thirty-second electrode is adjusted in accordance with the application of a potential to the thirty-third electrode. And 11 transistors. Further, in the driver circuit, each of the electric circuits has 34th, 35th, and 36th electrodes, and the electric circuit between the 34th electrode and the 35th electrode is applied in response to application of a potential to the 36th electrode. It has a twelfth transistor whose current is adjusted, and 37th, 38th and 39th electrodes, and the current between the 37th electrode and the 38th electrode is adjusted according to the application of a potential to the 39th electrode. A thirteenth transistor, a forty-first, forty-second, and a forty-second electrode, and the current between the forty-fourth electrode and the forty-first electrode is adjusted according to the application of a potential to the forty-second electrode. 14 transistors. In the driver circuit, in each of the electric circuits, the second electrode and the ninth, tenth, and fifteenth electrodes are electrically connected via the twenty-fifth and twenty-sixth electrodes, The twentieth electrode and the ninth, tenth, and fifteenth electrodes are electrically connected via the twenty-eighth and twenty-ninth electrodes, and the fifth electrode, the seventh, twelfth, and 18 electrodes are electrically connected via the 31st and 32nd electrodes, and the 23rd electrode, the 7th, 12th and 18th electrodes are connected via the 34th and 35th electrodes. Are electrically connected. Further, in the driver circuit, in each of the electric circuits, the 37th electrode is electrically connected to the first signal line, and the 38th electrode is the ninth, tenth, and fifteenth electrodes. The 40th electrode is electrically connected to the second signal line, and the 41st electrode is electrically connected to the 7th, 12th and 18th electrodes. The first mode signal line is electrically connected to the 27th, 30th, 33rd and 36th electrodes, and the second mode signal line is the 39th and 42nd. Electrically connected to the electrode.

また、本発明の第8の態様に係るドライバ回路は、本発明の第7の態様に係るドライバ回路であって、前記第1モード信号線が、前記第27、第30、第33、および第36電極に対して、それぞれ第1モード信号を付与することで、前記第9トランジスタを、前記第25電極と前記第26電極との間で電流が流れ得る導通状態、前記第10トランジスタを、前記第28電極と前記第29電極との間で電流が流れ得る導通状態、前記第11トランジスタを、前記第31電極と前記第32電極との間で電流が流れ得る導通状態、前記第12トランジスタを、前記第34電極と前記第35電極との間で電流が流れ得る導通状態にそれぞれ設定する。また、該ドライバ回路では、前記第2モード信号線が、前記第39および第42電極に対して、それぞれ第2モード信号を付与することで、前記第13トランジスタを、前記第37電極と前記第38電極との間で電流が流れ得る導通状態、前記第14トランジスタを、前記第40電極と前記第41電極との間で電流が流れ得る導通状態にそれぞれ設定する。そして、該ドライバ回路では、前記第1モード信号線によって、各前記電気回路に対して前記第1モード信号が付与されている状態と、各前記電気回路に対して前記第1モード信号が付与されていない状態とに交互に設定される。   A driver circuit according to an eighth aspect of the present invention is the driver circuit according to the seventh aspect of the present invention, wherein the first mode signal line includes the 27th, 30th, 33rd, and By applying a first mode signal to each of the 36 electrodes, the ninth transistor becomes a conductive state in which a current can flow between the 25th electrode and the 26th electrode, and the 10th transistor A conduction state in which a current can flow between the 28th electrode and the 29th electrode; the eleventh transistor; a conduction state in which a current can flow between the 31st electrode and the 32nd electrode; The conductive state is set such that a current can flow between the 34th electrode and the 35th electrode. In the driver circuit, the second mode signal line applies a second mode signal to the 39th and 42nd electrodes, respectively, so that the 13th transistor is connected to the 37th electrode and the 37th electrode. The conduction state in which a current can flow between the 38th electrode and the fourteenth transistor is set in a conduction state in which a current can flow between the 40th electrode and the 41st electrode, respectively. In the driver circuit, the first mode signal is applied to each electric circuit by the first mode signal line, and the first mode signal is applied to each electric circuit. It is alternately set to the state that is not.

また、本発明の第9の態様に係る画像表示装置は、本発明の第7または第8の態様に係るドライバ回路と、複数の画素回路が一方向に配列されてそれぞれ構成される複数の画素ラインが、該一方向とは異なる他方向に配列されているディスプレイ部とを備える。そして、該画像表示装置では、各前記電気回路の前記出力端子が、前記複数の画素ラインのうちの対応する前記画素ラインに含まれる前記複数の画素回路に対して、それぞれ前記出力信号を出力する。   An image display device according to a ninth aspect of the present invention includes a driver circuit according to the seventh or eighth aspect of the present invention and a plurality of pixels each configured by arranging a plurality of pixel circuits in one direction. The line includes a display unit arranged in another direction different from the one direction. In the image display device, the output terminal of each electric circuit outputs the output signal to each of the plurality of pixel circuits included in the corresponding pixel line among the plurality of pixel lines. .

また、本発明の第10の態様に係るシフトレジスタ回路は、第5または第6の態様に係るにシフトレジスタ回路であって、前記電気回路に含まれる前記第1から第8トランジスタの各トランジスタは、n型のトランジスタである。   A shift register circuit according to a tenth aspect of the present invention is the shift register circuit according to the fifth or sixth aspect, wherein each of the first to eighth transistors included in the electric circuit is , An n-type transistor.

本発明は、第1信号付与部から第1トランジスタと第4トランジスタとを介した電流の発生と、第2信号付与部から第2トランジスタと第3トランジスタとを介した電流の発生とを抑制しつつ、第1トランジスタと第4トランジスタとの間の電位の状態と、第2トランジスタと第3トランジスタとの間の電位の状態とを交互に切り替えることができるため、消費電力の増大を抑制することができる。   The present invention suppresses generation of current from the first signal applying unit via the first transistor and the fourth transistor and generation of current from the second signal applying unit through the second transistor and the third transistor. On the other hand, since the potential state between the first transistor and the fourth transistor and the potential state between the second transistor and the third transistor can be switched alternately, an increase in power consumption is suppressed. Can do.

<用語に関する記載>
本明細書において、「電気的に接続される」という文言は、一方の部材と他方の部材とが配線等を介して常に導電可能に接続されている態様、および一方の部材と他方の部材とが、導電性を有する配線等だけでなく、その他の部材によって間接的に接続されている態様の双方を含む意味で用いられる。つまり、「電気的に接続される」という文言は、その他の部材の状態(例えば、トランジスタのソースとドレインとの間で電流が流れ得る導通状態)に応じて、一方の部材と他方の部材とが配線およびその他の部材によって導電可能に接続される態様をも含む意味で用いられる。
<Terminology>
In this specification, the term “electrically connected” means that one member and the other member are always connected in a conductive manner via wiring or the like, and one member and the other member However, it is used in the meaning including not only the wiring etc. which have electroconductivity but the aspect indirectly connected by the other member. In other words, the term “electrically connected” means that one member and the other member are connected to each other depending on the state of other members (for example, a conductive state in which a current can flow between the source and the drain of the transistor). Is used in a meaning including a mode in which the wiring is conductively connected by wiring and other members.

以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

<画像表示装置の概略構成>
図1は、本発明の一実施形態に係る画像表示装置1の機能的な構成を示す図である。この画像表示装置1は、有機EL素子の発光を利用した装置(有機EL装置)を構成している。
<Schematic configuration of image display device>
FIG. 1 is a diagram showing a functional configuration of an image display apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. The image display device 1 constitutes a device (organic EL device) using light emission of an organic EL element.

画像表示装置1は、主に、制御部2、有機ELディスプレイ部3、Xドライバ回路4X、およびYドライバ回路4Yを備えている。なお、画像表示装置1では、画像信号が、赤(R)、緑(G)、青(B)の3原色に係る信号によって構成され、有機ELディスプレイ部3が、赤色の光を発する発光素子、緑色の光を発する発光素子、青色の光を発する発光素子を備えて構成されている。   The image display device 1 mainly includes a control unit 2, an organic EL display unit 3, an X driver circuit 4X, and a Y driver circuit 4Y. In the image display device 1, the image signal is composed of signals related to the three primary colors of red (R), green (G), and blue (B), and the organic EL display unit 3 emits red light. A light emitting element that emits green light and a light emitting element that emits blue light.

制御部2は、画像表示装置1の動作を統括制御する部分であり、CPU、ROM、およびRAM等を備えて構成される。例えば、ROM内には、プログラムおよび各種データ等が格納され、ROM内のプロクラムをCPUが読み込んで実行することで、制御部2における各種制御および機能が実現される。   The control unit 2 is a part that performs overall control of the operation of the image display device 1 and includes a CPU, a ROM, a RAM, and the like. For example, programs and various data are stored in the ROM, and various controls and functions in the control unit 2 are realized by the CPU reading and executing the programs in the ROM.

図1で示されるように、制御部2でプログラムが実行されることにより、γ変換部201R,201G,201B、およびタイミングジェネレータ(TG)202が機能的な構成として実現される。   As shown in FIG. 1, by executing a program in the control unit 2, the γ conversion units 201R, 201G, and 201B and the timing generator (TG) 202 are realized as functional configurations.

γ変換部201R,201G,201Bは、各画素に対応する各色の値(すなわち階調値)がDr,Dg,Dbである入力画像信号を受け付けて、いわゆるガンマ補正を行う。ここでは、例えば、各色の階調値Dr,Dg,Dbが約2.2乗された値に変換される。具体的には、例えば、6ビットの入力画像信号(階調値が0〜63の画像信号)が、10ビットの出力画像信号(階調値が0〜1023の画像信号)に変換される。そして、変換後の出力画像信号は、Xドライバ回路4Xに入力される。 γ conversion unit 201R, 201G, 201B, each color value corresponding to each pixel (i.e. the gradation values) receives an input image signal is D r, D g, D b , performs so-called gamma correction. Here, for example, the gradation values D r , D g , and D b of the respective colors are converted into values that are raised to the power of about 2.2. Specifically, for example, a 6-bit input image signal (an image signal having a gradation value of 0 to 63) is converted into a 10-bit output image signal (an image signal having a gradation value of 0 to 1023). The converted output image signal is input to the X driver circuit 4X.

TG202は、制御部2への入力画像信号の入力に応答して、Xドライバ回路4XおよびYドライバ回路4Yに対して、Xドライバ回路4XおよびYドライバ回路4Yの動作を制御するための信号を出力する。つまり、Xドライバ回路4XおよびYドライバ回路4Yの動作は、入力画像信号および出力画像信号の入出力に同期したものとなっている。   In response to the input image signal input to the control unit 2, the TG 202 outputs a signal for controlling the operation of the X driver circuit 4X and the Y driver circuit 4Y to the X driver circuit 4X and the Y driver circuit 4Y. To do. That is, the operations of the X driver circuit 4X and the Y driver circuit 4Y are synchronized with the input / output of the input image signal and the output image signal.

有機ELディスプレイ部3は、略長方形の輪郭を有する有機ELディスプレイ(organic electroluminescence display)であり、有機材料に電流を流すことで材料自らが発光する自発光型の発光素子を有する。つまり、有機ELディスプレイ部3は、自発光型の発光素子を備えた表示部(自発光型表示部)を構成している。   The organic EL display unit 3 is an organic EL display (organic electroluminescence display) having a substantially rectangular outline, and includes a self-luminous light emitting element that emits light by flowing current through the organic material. That is, the organic EL display unit 3 constitutes a display unit (self-luminous display unit) including a self-luminous light emitting element.

この有機ELディスプレイ部3には、多数の画素回路31が配列され、各画素回路31には、発光素子(ここでは、有機EL素子)が含まれる。そして、多数の発光素子は、例えば、格子状に配列されている。換言すれば、有機ELディスプレイ部3には、一方向(ここでは、水平方向)に沿って複数の画素回路31からなる画素のライン(画素ライン、以下「水平ライン」とも称する)が形成されている。さらに、かかる水平ラインが該一方向とは異なる他方向(ここでは、垂直方向)に沿って複数ライン配列されている。なお、本実施形態では、有機ELディスプレイ部3に水平ラインがn+1(nは任意の自然数、例えばn=479)本配列されているものとする。   A number of pixel circuits 31 are arranged in the organic EL display unit 3, and each pixel circuit 31 includes a light emitting element (here, an organic EL element). And many light emitting elements are arranged in the shape of a lattice, for example. In other words, the organic EL display unit 3 is formed with pixel lines (pixel lines, hereinafter also referred to as “horizontal lines”) formed of a plurality of pixel circuits 31 along one direction (here, the horizontal direction). Yes. Furthermore, a plurality of such horizontal lines are arranged along another direction (here, the vertical direction) different from the one direction. In the present embodiment, it is assumed that n + 1 (n is an arbitrary natural number, for example, n = 479) horizontal lines are arranged on the organic EL display unit 3.

また、有機ELディスプレイ部3には、発光輝度に対応する出力画像信号を各画素回路31に供給するための複数の画像信号線Lis(図2参照)が設けられている。また、該有機ELディスプレイ部3には、複数の画像信号線Lisに対して略直交する複数の走査信号線Lss(図2参照)が設けられている。ここでは、水平ラインごとに1本の走査信号線Lssが設けられている。なお、走査信号は、各画素回路31に画像信号線Lisを介して出力画像信号を供給するタイミングを制御する信号である。また、有機ELディスプレイ部3には、各画素回路31に含まれる有機EL素子11の両極間に発光に必要な電圧を供給する電源線Lvd,Lvs(図2参照)が設けられている。 Further, the organic EL display unit 3 is provided with a plurality of image signal lines L is (see FIG. 2) for supplying an output image signal corresponding to the light emission luminance to each pixel circuit 31. Further, the organic EL display unit 3, a plurality of scanning signal lines L ss (see FIG. 2) is provided substantially perpendicular to the plurality of image signal lines L IS. Here, one scanning signal line L ss is provided for each horizontal line. The scanning signal is a signal for controlling the timing for supplying an output image signal through the image signal line L IS in each pixel circuit 31. Further, the organic EL display unit 3 is provided with power supply lines L vd and L vs (see FIG. 2) for supplying a voltage necessary for light emission between both electrodes of the organic EL element 11 included in each pixel circuit 31. .

Xドライバ回路4Xは、複数の画像信号線Lisに対して電気的に接続され、出力画像信号を各画像信号線Lisに供給するタイミングを制御する回路(画像信号線駆動回路)である。 X driver circuit 4X is electrically connected to the plurality of image signal lines L IS, an output image signal is a circuit for controlling the timing of supplying to the image signal line L IS (image signal line driving circuit).

Yドライバ回路4Yは、走査信号を各走査信号線Lssに供給するタイミングを制御する回路(走査信号線駆動回路)である。Yドライバ回路4Yには、後述するシフトレジスタ回路400(図14参照)が適用されており、消費電力の増大の抑制が図られている。 The Y driver circuit 4Y is a circuit (scanning signal line driving circuit) that controls the timing for supplying the scanning signal to each scanning signal line L ss . A shift register circuit 400 (see FIG. 14), which will be described later, is applied to the Y driver circuit 4Y, thereby suppressing an increase in power consumption.

なお、電源線Lvdと電源線Lvsとの間の電圧を調整するタイミングを制御する回路は、種々の公知のものを採用可能であるため、本明細書では説明を省略する。 Note that various known circuits can be used as the circuit for controlling the timing for adjusting the voltage between the power supply line L vd and the power supply line L vs, and thus description thereof is omitted in this specification.

また、画像表示装置1では、例えば、Xドライバ回路4Xが、有機ELディスプレイ部3の一辺(例えば、短辺または長辺)に沿って配置され、Yドライバ回路4Yが、有機ELディスプレイ部3の一辺と略直交する他辺(例えば、長辺または短辺)に沿って配置されている。   In the image display device 1, for example, the X driver circuit 4 </ b> X is arranged along one side (for example, a short side or a long side) of the organic EL display unit 3, and the Y driver circuit 4 </ b> Y is connected to the organic EL display unit 3. It arrange | positions along the other side (for example, long side or short side) substantially orthogonal to one side.

ここでは、制御部2の各種機能が、CPUでプログラムが実行されることで実現される例を示して説明したが、これに限られない。例えば、制御部2の全て又は一部の構成が、専用の電子回路等のハードウェア構成によって実現されても良い。   Here, an example in which various functions of the control unit 2 are realized by executing a program by the CPU has been described, but the present invention is not limited thereto. For example, all or part of the configuration of the control unit 2 may be realized by a hardware configuration such as a dedicated electronic circuit.

<画素回路の構成>
図2は、画像表示装置1を構成する1画素分の画素回路(駆動回路)31の構成例を示す図である。
<Configuration of pixel circuit>
FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration example of a pixel circuit (drive circuit) 31 for one pixel constituting the image display device 1.

画素回路31は、有機EL素子(OLED)11、駆動トランジスタ12、閾値(Vth)補償用トランジスタ13、およびコンデンサ14を備えている。 The pixel circuit 31 includes an organic EL element (OLED) 11, a drive transistor 12, a threshold (V th ) compensation transistor 13, and a capacitor 14.

有機EL素子11は、発光層を流れる電流によって発光輝度が変化する発光素子である。この有機EL素子11は、アノード電極11aとカソード電極11bとを有している。   The organic EL element 11 is a light emitting element whose light emission luminance is changed by a current flowing through the light emitting layer. The organic EL element 11 includes an anode electrode 11a and a cathode electrode 11b.

アノード電極11aは、有機EL素子11の発光時に高電位側となる電源線としてのVDD線Lvdに対して電気的に接続されている。また、カソード電極11bは、有機EL素子11の発光時に低電位側となる電源線としてのVSS線Lvsに対して駆動トランジスタ12を介して電気的に接続される。更に、カソード電極11bは、Vth補償用トランジスタ13の一方電極13dsに対して電気的に接続されている。 The anode electrode 11a is electrically connected to a V DD line L vd as a power supply line that becomes a high potential side when the organic EL element 11 emits light. Further, the cathode electrode 11b is electrically connected via the drive transistor 12 to the V SS line L vs as a power supply line that is on the low potential side when the organic EL element 11 emits light. Further, the cathode electrode 11 b is electrically connected to the one electrode 13 ds of the V th compensation transistor 13.

駆動トランジスタ12は、有機EL素子11に対して電気的に直列に接続され、有機EL素子11における電流を調整することで有機EL素子11の発光輝度を制御するトランジスタである。ここでは、駆動トランジスタ12は、キャリアが電子であるタイプ(n型)のMIS(Metal Insulator Semiconductor)構造を採用した電界効果トランジスタ(FET:Field Effect Transistor)の一種である薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)、すなわちn−MISFETTFTによって構成されている。そして、駆動トランジスタ12は、一方電極12ds、他方電極12sd、および制御電極12gを有している。   The drive transistor 12 is a transistor that is electrically connected in series to the organic EL element 11 and controls the light emission luminance of the organic EL element 11 by adjusting a current in the organic EL element 11. Here, the drive transistor 12 is a thin film transistor (TFT: Thin Film Transistor) which is a type of field effect transistor (FET) that employs a type (n-type) MIS (Metal Insulator Semiconductor) structure in which carriers are electrons. ), I.e., an n-MISFET TFT. The drive transistor 12 has one electrode 12ds, the other electrode 12sd, and a control electrode 12g.

一方電極12dsは、有機EL素子11のカソード電極11bに対して電気的に接続されている。そして、一方電極12dsは、アノード電極11aからカソード電極11bに向けた方向(順方向)に電流が流れて有機EL素子11が発光する際にドレインとして機能する。また、有機EL素子11に対して逆方向に電圧が印加される際には、一方電極12dsはソースとして機能する。また、一方電極12dsは、Vth補償用トランジスタ13の一方電極13dsに対して電気的に接続されている。 On the other hand, the electrode 12 ds is electrically connected to the cathode electrode 11 b of the organic EL element 11. The one electrode 12ds functions as a drain when current flows in the direction (forward direction) from the anode electrode 11a to the cathode electrode 11b and the organic EL element 11 emits light. Further, when a voltage is applied in the reverse direction to the organic EL element 11, the one electrode 12ds functions as a source. The one electrode 12ds is electrically connected to the one electrode 13ds of the V th compensation transistor 13.

他方電極12sdは、VSS線Lvsに対して電気的に接続されている。そして、他方電極12sdは、有機EL素子11に対して順方向の電流が流れる際にソースとして機能する。また、有機EL素子11に対して逆方向に電圧が印加される際には、他方電極12sdはドレインとして機能する。更に、制御電極12gは、いわゆるゲートであり、Vth補償用トランジスタ13の他方電極13sd、およびコンデンサ14の一方電極14aに対してそれぞれ電気的に接続されている。 The other electrode 12sd is electrically connected to the V SS line L vs. The other electrode 12 sd functions as a source when a forward current flows through the organic EL element 11. Further, when a voltage is applied in the reverse direction to the organic EL element 11, the other electrode 12sd functions as a drain. Further, the control electrode 12g is a so-called gate, and is electrically connected to the other electrode 13sd of the V th compensation transistor 13 and the one electrode 14a of the capacitor 14, respectively.

また、駆動トランジスタ12では、制御電極12gに付与される電位、より詳細には一方電極12dsまたは他方電極12sdと制御電極12gとの間(すなわちゲートとソースとの間)に印加される電圧値が調整されることで、一方電極12dsと他方電極12sdとの間において流れる電流が調整される。そして、この制御電極12gに印加される電位により、駆動トランジスタ12は、ドレインとソースとの間において電流が流れ得る状態(以下「導通状態」と称する)と、電流が流れ得ない状態(以下「非導通状態」と称する)とに選択的に設定される。   Further, in the drive transistor 12, a potential applied to the control electrode 12g, more specifically, a voltage value applied between the one electrode 12ds or the other electrode 12sd and the control electrode 12g (that is, between the gate and the source). By adjusting, the current flowing between the one electrode 12ds and the other electrode 12sd is adjusted. The drive transistor 12 has a state in which a current can flow between the drain and the source (hereinafter referred to as a “conductive state”) and a state in which a current cannot flow (hereinafter referred to as “the current state”). (Referred to as “non-conducting state”).

th補償用トランジスタ13は、駆動トランジスタ12が導通状態(すなわちON状態)となる場合の、他方電極12sdに対する制御電極12gの電位の下限値(所定の閾値電圧Vth)を検出するとともに、駆動トランジスタ12のゲート電圧を、閾値電圧Vth(以下「閾値Vth」と略称する)に調整するトランジスタである。つまり、「閾値Vth」は、駆動トランジスタ12がオフ状態(いわゆるドレイン電流が流れない状態)からオン状態(ドレイン電流が流れる状態)に移り変わるときの、境界となるゲート電圧のことを言う。なお、ここでは、Vth補償用トランジスタ13も、駆動トランジスタ12と同様にn−MISFETTFTによって構成されている。そして、Vth補償用トランジスタ13は、一方電極13ds、他方電極13sd、および制御電極13gを有している。 The V th compensation transistor 13 detects the lower limit value (predetermined threshold voltage V th ) of the potential of the control electrode 12g with respect to the other electrode 12sd when the drive transistor 12 is in a conductive state (that is, an ON state) and is driven The transistor 12 adjusts the gate voltage of the transistor 12 to a threshold voltage V th (hereinafter abbreviated as “threshold V th ”). That is, the “threshold value V th ” refers to a gate voltage serving as a boundary when the driving transistor 12 changes from an off state (a state where a drain current does not flow) to an on state (a state where the drain current flows). In this case, the V th compensation transistor 13 is also composed of an n-MISFET TFT like the drive transistor 12. The V th compensation transistor 13 has one electrode 13ds, the other electrode 13sd, and a control electrode 13g.

一方電極13dsは、有機EL素子11のカソード電極11bおよび駆動トランジスタ12の一方電極12dsに対してそれぞれ電気的に接続されている。また、他方電極13sdは、駆動トランジスタ12の制御電極12gおよびコンデンサ14の一方電極14aに対してそれぞれ電気的に接続されている。また、制御電極13gは、走査信号線Lssに対して電気的に接続されている。 On the other hand, the electrode 13ds is electrically connected to the cathode electrode 11b of the organic EL element 11 and the one electrode 12ds of the drive transistor 12, respectively. The other electrode 13sd is electrically connected to the control electrode 12g of the drive transistor 12 and the one electrode 14a of the capacitor 14, respectively. The control electrode 13g is electrically connected to the scanning signal line L ss .

また、Vth補償用トランジスタ13では、制御電極13gに付与される電位、より詳細には一方電極13dsまたは他方電極13sdと制御電極13gとの間(すなわちゲートとソースとの間)に印加される電圧値が調整されることで、一方電極13dsと他方電極13sdとの間において流れる電流が調整される。そして、この制御電極13gに付与される電位により、Vth補償用トランジスタ13は、ドレインとソースとの間において電流が流れ得る状態(導通状態)と、電流が流れ得ない状態(非導通状態)とに選択的に設定される。 Further, in the V th compensation transistor 13, a potential applied to the control electrode 13g, more specifically, applied between the one electrode 13ds or the other electrode 13sd and the control electrode 13g (that is, between the gate and the source). The current flowing between the one electrode 13ds and the other electrode 13sd is adjusted by adjusting the voltage value. The V th compensation transistor 13 is in a state where current can flow between the drain and source (conducting state) and a state where current cannot flow (non-conducting state) due to the potential applied to the control electrode 13g. And are set selectively.

ところで、有機EL素子11は、電流によって発光輝度が制御されるため、発光時における駆動トランジスタ12のゲート電圧のゆらぎに対して、発光輝度が敏感に変動する。特に、駆動トランジスタ12がアモルファスシリコンを用いて構成された場合には、駆動トランジスタ12ごとに閾値Vthが異なる傾向にある。よって、画素毎に異なる閾値Vthを補償する機能(Vth補償機能)を持たせなければ、所望の発光輝度と実際の発光輝度との間に若干の乖離が生じ、結果として画素間で発光輝度のムラが生じてしまう。 By the way, since the light emission luminance of the organic EL element 11 is controlled by the current, the light emission luminance fluctuates sensitively to fluctuations in the gate voltage of the drive transistor 12 during light emission. In particular, when the driving transistor 12 is configured using amorphous silicon, the threshold V th tends to be different for each driving transistor 12. Therefore, if a function for compensating a different threshold V th for each pixel (V th compensation function) is not provided, there is a slight difference between the desired light emission luminance and the actual light emission luminance, resulting in light emission between the pixels. Uneven brightness will occur.

そこで、Vth補償用トランジスタ13は、発光前において画素ごとに駆動トランジスタ12のゲート電圧を閾値Vthに合わせることで、駆動トランジスタ12における閾値Vthのばらつきを補償するVth補償機能を実現する。 Therefore, the V th compensation transistor 13 realizes a V th compensation function that compensates for variations in the threshold V th in the drive transistor 12 by matching the gate voltage of the drive transistor 12 to the threshold V th for each pixel before light emission. .

コンデンサ14は、一方電極14aおよび他方電極14bを備えて構成されている。そして、一方電極14aは、駆動トランジスタ12の制御電極12gおよびVth補償用トランジスタ13の他方電極13sdに対してそれぞれ電気的に接続されている。また、他方電極14bは、画像信号線Lisに対して電気的に接続されている。なお、ここでは、コンデンサ14の保持容量を所定値Csとする。 The capacitor 14 includes a first electrode 14a and a second electrode 14b. The one electrode 14 a is electrically connected to the control electrode 12 g of the drive transistor 12 and the other electrode 13 sd of the V th compensation transistor 13. The other electrode 14b is electrically connected to the image signal line L IS. Here, the retention capacity of the capacitor 14 with a predetermined value C s.

ところで、有機EL素子11は、発光時と逆の電圧が印加されるとコンデンサとして機能し、この容量(EL素子容量)を所定値Coとする。また、駆動トランジスタ12は、他方電極12sdと制御電極12gとの間の寄生容量CgsTdと、一方電極12dsと制御電極12gとの間の寄生容量CgdTdとを有する。更に、Vth補償用トランジスタ13は、他方電極13sdと制御電極13gとの間の寄生容量CgsTthと、一方電極13dsと制御電極13gとの間の寄生容量CgdTthとを有する。なお、寄生容量CgsTd,CgdTd,CgsTth,CgdTthは、それぞれ駆動トランジスタ12およびVth補償用トランジスタ13の構成によって決定される所定値の容量である。 Incidentally, the organic EL element 11, the voltage of the light emitting time of the reverse is applied to function as a capacitor, to the capacitance (EL element capacitor) with a predetermined value C o. The drive transistor 12 has a parasitic capacitance C Gstd between the other electrode 12sd and the control electrode 12g, whereas the parasitic capacitance C GdTd between the electrode 12ds and the control electrode 12g. Furthermore, V th compensation transistor 13 has a parasitic capacitance C GsTth between the other electrode 13sd and the control electrode 13 g, whereas the parasitic capacitance C GdTth between the electrode 13ds and the control electrode 13 g. The parasitic capacitances C gsTd , C gdTd , C gsTth , and C gdTth are capacitances having predetermined values determined by the configurations of the drive transistor 12 and the V th compensation transistor 13, respectively.

図3は、図2で示した画素回路31の回路構成に対して、寄生容量CgsTth,CgdTth,CgsTd,CgdTdとEL素子容量Coとに係る構成(図中破線で記載)を加えた模式図である。 3, the circuit configuration of the pixel circuit 31 shown in FIG. 2, the parasitic capacitance C gsTth, C gdTth, C gsTd , the configuration according to the C GdTd and EL element capacitance C o (the figure described by the dashed line) It is the added schematic diagram.

図3で示されるように、画素回路31では、有機EL素子11の両電極間にはEL素子容量Coを有するコンデンサ(素子コンデンサ)Colが存在し、駆動トランジスタ12の他方電極12sdと制御電極12gとの間には寄生容量CgsTdを有するコンデンサ12gsが存在する。そして、駆動トランジスタ12の一方電極12dsと制御電極12gとの間には寄生容量CgdTdを有するコンデンサ12gdが存在する。更に、Vth補償用トランジスタ13の他方電極13sdと制御電極13gとの間には寄生容量CgsTthを有するコンデンサ13gsが存在する。また、Vth補償用トランジスタ13の一方電極13dsと制御電極13gとの間には寄生容量CgdTthを有するコンデンサ13gdが存在している。 As shown in Figure 3, in the pixel circuit 31, between the electrodes of the organic EL element 11 capacitor (element capacitor) C ol is present having an EL element capacitance C o, the other electrode 12sd and control of the driving transistor 12 capacitor 12gs having parasitic capacitance C Gstd exists between the electrode 12g. A capacitor 12gd having a parasitic capacitance C gdTd exists between the one electrode 12ds of the drive transistor 12 and the control electrode 12g. Furthermore, a capacitor 13gs having parasitic capacitance C GsTth exists between the other electrode 13sd and the control electrode 13g of the V th compensation transistor 13. Further , a capacitor 13gd having a parasitic capacitance C gdTth exists between the one electrode 13ds of the V th compensation transistor 13 and the control electrode 13g.

なお、ここでは、1つの画素回路31に着目して説明したが、有機ELディスプレイ部3の全体では、画素回路31が多数(ここではn+1本)存在する。このため、走査信号線Lssも多数存在する。そこで、以下では、多数の走査信号線Lssを、適宜「第n走査信号線(nは0以上の整数)Lss」と称する。 Here, the description has been given focusing on one pixel circuit 31, but the entire organic EL display unit 3 includes a large number (here, n + 1) of pixel circuits 31. For this reason, there are a large number of scanning signal lines L ss . Therefore, in the following, a large number of scanning signal lines L ss will be referred to as “nth scanning signal lines (n is an integer of 0 or more) L ss ” as appropriate.

<有機EL素子の発光に関する駆動方法>
図4は、有機EL素子11を発光させる際の信号波形(駆動波形)を示すタイミングチャートである。図4では、横軸が時刻を示し、上から順に、(a) VDD線Lvdに付与される電位(電位Vdd)、(b) VSS線Lvsに付与される電位(電位VSS)、(c)第0走査信号線LSSに付与される信号の電位(電位Vls0)、(d)第1走査信号線LSSに付与される信号の電位(電位Vls1)、(e)画像信号線Lisに付与される信号の電位(電位Vlis)、の波形が示されている。
<Driving method for light emission of organic EL element>
FIG. 4 is a timing chart showing a signal waveform (drive waveform) when the organic EL element 11 emits light. In FIG. 4, the horizontal axis indicates time, and in order from the top, (a) the potential applied to the V DD line L vd (potential V dd ), (b) the potential applied to the V SS line L vs (potential V SS), (c) the potential of the 0 signal applied to the scanning signal line L SS (potential V ls0), (d) the potential of the signal applied to the first scanning signal line L SS (potential V ls1), ( e) The waveform of the potential of the signal (potential V lis ) applied to the image signal line Lis is shown.

また、図4では、有機EL素子11を1回発光させるための駆動波形が示されており、1回の発光に係る期間は、時間順次に、Cs初期化期間P1(時刻ta〜tb)、準備期間P2(時刻tb〜tc)、Vth補償期間P3(時刻tc〜td)、書込期間P4(時刻td〜te)、素子初期化期間P5(時刻te〜tf)、および発光期間P6(時刻tf〜)を備えて構成される。なお、書込期間P4における電位Vlisは、各有機EL素子11の発光輝度によって決まる任意の値であるため、図4では、当該電位が存在し得る範囲に斜線ハッチングが便宜的に付されている。 Further, FIG. 4 shows a drive waveform for causing the organic EL element 11 to emit light once, and the period related to one light emission is a C s initialization period P1 (time t a to t b), the preparation period P2 (time t b ~t c), V th compensation period P3 (time t c ~t d), the writing period P4 (time t d ~t e), device initialization period P5 (time t e ~t f), and configured with the light emission period P6 (time t f ~). Since the potential V lis in the writing period P4 is an arbitrary value determined by the light emission luminance of each organic EL element 11, in FIG. 4, hatched hatching is added for convenience in a range where the potential can exist. Yes.

図5から図9は、画像表示装置1を駆動させる際に、各期間で発生する画素回路31における電流の流れを黒塗りの矢印で例示する図である。図5から図9では、画素回路31のうち、電流の流れに寄与する回路は太線で示され、電流の流れにほとんど寄与しない回路は細線で示されている。以下、図4および図5から図9を適宜参照しつつ、本発明の実施形態に係る画像表示装置1の駆動方法について説明する。   FIGS. 5 to 9 are diagrams illustrating the flow of current in the pixel circuit 31 that occurs in each period when the image display device 1 is driven, with black arrows. In FIG. 5 to FIG. 9, among the pixel circuits 31, circuits that contribute to the current flow are indicated by bold lines, and circuits that hardly contribute to the current flow are indicated by thin lines. Hereinafter, a method for driving the image display apparatus 1 according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 and 5 to 9 as appropriate.

○Cs初期化期間P1:
図5では、Cs初期化期間P1(以下適宜「期間P1」と略する)での画素回路31における電流の流れが例示されている。
○ C s initialization period P1:
FIG. 5 illustrates a current flow in the pixel circuit 31 in the C s initialization period P1 (hereinafter, abbreviated as “period P1” as appropriate).

期間P1では、VDD線LvdおよびVSS線Lvsにそれぞれ所定の正の高電位VDD(例えば15V)が印加される。また、全走査信号線Lssに所定の正の高電位VgH(例えば15V)が印加される。更に、画像信号線Lisに所定の基準電位(ここでは0V)が印加される。 In the period P1, a predetermined positive high potential V DD (for example, 15 V) is applied to the V DD line L vd and the V SS line L vs. Further, a predetermined positive high potential V gH (for example, 15 V) is applied to all the scanning signal lines L ss . Furthermore, a predetermined reference potential to the image signal line L IS (here, 0V) is applied.

このとき、走査信号線Lssにおける高電位VgHの印加により、制御電極13gに高電位VgHに応じた正電位が印加され、Vth補償用トランジスタ13が導通状態となる。一方、VDD線LvdとVSS線Lvsとが略同電位であり、駆動トランジスタ12が非導通状態(すなわちOFF状態)となる。したがって、期間P1では、図5で示されるように、VDD線LvdからVth補償用トランジスタ13の一方および他方電極13ds,13sdを介してコンデンサ14に向けて電流が流れ、コンデンサ14に所定量の電荷(例えば、15Vに応じた電荷量)が蓄積される。 At this time, by the application of high voltage V gH in the scanning signal line L ss, positive potential corresponding to the high potential V gH is applied to the control electrode 13 g, V th compensation transistor 13 becomes conductive. On the other hand, the V DD line L vd and the V SS line L vs have substantially the same potential, and the drive transistor 12 is in a non-conduction state (that is, an OFF state). Therefore, in the period P1, as shown in FIG. 5, a current flows from the V DD line L vd to the capacitor 14 via one and the other electrodes 13ds and 13sd of the V th compensation transistor 13, and the capacitor 14 A fixed amount of charge (for example, a charge amount corresponding to 15V) is accumulated.

なお、期間P1における時間経過とともにコンデンサ14に蓄積される電荷量が高まり、制御電極12gに所定値を超える正電位が付与され、駆動トランジスタ12が導通状態となることもあり得る。しかし、VDD線LvdとVSS線Lvsとがともに同電位VDDに設定されているため、駆動トランジスタ12の一方電極12dsと他方電極12sdとの間には電流が流れない。 Note that the amount of charge accumulated in the capacitor 14 increases with the passage of time in the period P1, and a positive potential exceeding a predetermined value is applied to the control electrode 12g, so that the driving transistor 12 may be in a conductive state. However, since the V DD line L vd and the V SS line L vs are both set to the same potential V DD , no current flows between the one electrode 12ds and the other electrode 12sd of the drive transistor 12.

○準備期間P2:
図6では、準備期間P2(以下適宜「期間P2」と略する)での画素回路31における電流の流れが例示されている。
○ Preparation period P2:
FIG. 6 illustrates the flow of current in the pixel circuit 31 in the preparation period P2 (hereinafter abbreviated as “period P2” as appropriate).

期間P2では、VDD線Lvdに負の所定電位−Vp(例えば−7V)が付与される。また、VSS線Lvsに所定の基準電位(ここでは0V)が付与される。また、全走査信号線Lssに所定の低電位VgL(例えば−10V)が付与される。更に、画像信号線Lisに所定の高電位VdH(例えば10V)が印加される。 In the period P2, a negative predetermined potential −V p (for example, −7 V) is applied to the V DD line L vd . Further, a predetermined reference potential (0 V in this case) is applied to the V SS line L vs. In addition, a predetermined low potential V gL (for example, −10 V) is applied to all the scanning signal lines L ss . Moreover, given the high potential V dH to the image signal line L IS (e.g. 10V) is applied.

このとき、走査信号線Lssにおける低電位VgLの付与により、制御電極13gにはほとんど正の電位が付与されないため、Vth補償用トランジスタ13が非導通状態となる。一方、画像信号線Lisにおける高電位VdHの付与により、制御電極12gに高電位VdHに応じた正電位(例えば15+10=25V)が付与され、駆動トランジスタ12が導通状態となる。 At this time, by applying the low potential V gL to the scanning signal line L ss , almost no positive potential is applied to the control electrode 13g, so that the V th compensation transistor 13 is turned off. On the other hand, when the high potential V dH is applied to the image signal line Lis, a positive potential (for example, 15 + 10 = 25 V) corresponding to the high potential V dH is applied to the control electrode 12g, and the drive transistor 12 is turned on.

そして、VDD線LvdよりもVSS線Lvsの方が電位がVp高いため、図6で示されるように、VSS線Lvsから駆動トランジスタ12の他方および一方電極12sd,12dsを順次に介して、有機EL素子11に向けて電流が流れる。このとき、素子コンデンサColにVDD線LvdとVSS線Lvsとの間の電位差に応じた所定量の電荷(例えば7Vに応じた電荷)が蓄積される。 Since the high potential V p towards the V SS line L vs than V DD line L vd, as shown in Figure 6, the other and one electrode 12sd of the driving transistor 12 from the V SS line L vs, the 12ds A current flows toward the organic EL element 11 sequentially. At this time, a predetermined amount of electric charge (for example, electric charge corresponding to 7 V) corresponding to the potential difference between the V DD line L vd and the V SS line L vs is accumulated in the element capacitor Col.

○Vth補償期間P3:
図7では、Vth補償期間P3(以下適宜「期間P3」と略する)での画素回路31における電流の流れが例示されている。
Vth compensation period P3:
FIG. 7 illustrates the flow of current in the pixel circuit 31 in the Vth compensation period P3 (hereinafter abbreviated as “period P3” where appropriate).

期間P3では、VDD線LvdおよびVSS線Lvsにそれぞれ所定の基準電位(ここでは0V)が付与される。また、全走査信号線Lssに高電位VgHが付与される。更に、画像信号線Lisに高電位VdH(例えば10V)が付与される。 In the period P3, a predetermined reference potential (here, 0 V) is applied to the V DD line L vd and the V SS line L vs. Further, the high potential V gH is applied to all the scanning signal lines L ss . Further, a high potential V dH (for example, 10 V) is applied to the image signal line Lis.

このとき、走査信号線Lssにおける高電位VgHの付与により、制御電極13gに高電位VgHに応じた正電位が付与され、Vth補償用トランジスタ13が導通状態となる。また、期間P3の初期では、コンデンサ14に蓄積された電荷と画像信号線Lisに付与された電位VdHにより、駆動トランジスタ12が導通状態となる。 At this time, by applying the high potential V gH to the scanning signal line L ss , a positive potential corresponding to the high potential V gH is applied to the control electrode 13g, and the V th compensation transistor 13 becomes conductive. Further, in the initial period P3, the potential V dH granted to charge the image signal line L IS accumulated in the capacitor 14, the driving transistor 12 becomes conductive.

したがって、期間P3の初期では、図7で示されるように、コンデンサ14に蓄積された電荷に伴う電流が、コンデンサ14からVth補償用トランジスタ13の他方および一方電極13sd,13ds、更には駆動トランジスタ12の一方および他方電極12ds,12sdを順次に介してVSS線Lvsに向けて流れる。また、素子コンデンサColに蓄積された電荷に伴う電流が、駆動トランジスタ12の一方および他方電極12ds,12sdを順次に介してVSS線Lvsに向けて流れる。 Therefore, at the beginning of the period P3, as shown in FIG. 7, the current accompanying the charge accumulated in the capacitor 14 is transferred from the capacitor 14 to the other and one electrodes 13sd and 13ds of the Vth compensation transistor 13, and further to the drive transistor. It flows toward the V SS line L vs through the one and other electrodes 12ds and 12sd of 12 in order. The current caused by the charges accumulated in the element capacitor C ol is one and the other electrode 12ds of the driving transistor 12, flows toward the V SS line L vs by sequentially through 12SD.

ところが、コンデンサ14に蓄積された電荷に伴う電流が、コンデンサ14からVSS線Lvsに向けて流れていくにつれて、コンデンサ14に蓄積されている電荷が減少する。そして、駆動トランジスタ12の他方電極12sdに対する制御電極12gの電位(ゲート電圧)Vgが実質的に閾値Vthまで減少すると、駆動トランジスタ12が非導通状態となる。このとき、コンデンサ14には、閾値Vthに応じた電荷が蓄積された状態となる。このように、期間P3では、閾値Vthに応じた電荷がコンデンサ14に蓄積されて、画素毎に異なる閾値Vthのばらつきが補償される。 However, as the current associated with the charge accumulated in the capacitor 14 flows from the capacitor 14 toward the V SS line L vs , the charge accumulated in the capacitor 14 decreases. Then, the potential of the control electrode 12g to the other electrode 12sd of the driving transistor 12 (gate voltage) V g is the reduced to substantially the threshold V th, the driving transistor 12 becomes nonconductive. At this time, the capacitor 14 is in a state where charges according to the threshold value V th are accumulated. As described above, in the period P3, the electric charge corresponding to the threshold value Vth is accumulated in the capacitor 14, and the variation in the threshold value Vth that is different for each pixel is compensated.

○書込期間P4:
図8では、書込期間P4(以下適宜「期間P4」と略する)での画素回路31における電流の流れが例示されている。
○ Writing period P4:
FIG. 8 illustrates the flow of current in the pixel circuit 31 in the writing period P4 (hereinafter abbreviated as “period P4” as appropriate).

期間P4では、VDD線LvdおよびVSS線Lvsにそれぞれ基準電位0Vが印加されるとともに、出力画像信号に応じた電荷の蓄積を行う処理(データ書込処理)の実施対象画素において、走査信号線Lssに高電位VgHが付与され、画像信号線Lisに電位(VdH−Vdata)が付与される。なお、電位Vdataは、出力画像信号の電位であり、画像を構成する画素の輝度の階調に対応する値に応じた電位である。 In the period P4, the reference potential 0V is applied to the V DD line L vd and the V SS line L vs , respectively, and in the target pixel of the process (data writing process) for accumulating charges according to the output image signal, A high potential V gH is applied to the scanning signal line L ss , and a potential (V dH −V data ) is applied to the image signal line Lis. The potential V data is a potential of the output image signal and is a potential corresponding to a value corresponding to the luminance gradation of the pixels constituting the image.

このとき、走査信号線Lssにおける高電位VgHの付与により、制御電極13gに高電位VgHに応じた正電位が付与され、Vth補償用トランジスタ13が導通状態となる。一方、画像信号線Lisに対して、期間P3における電位VdH以下の電位(VdH−Vdata)が付与され、駆動トランジスタ12のゲート電圧Vgが閾値Vth以下となるため、駆動トランジスタ12が非導通状態となる。 At this time, by applying the high potential V gH to the scanning signal line L ss , a positive potential corresponding to the high potential V gH is applied to the control electrode 13g, and the V th compensation transistor 13 becomes conductive. On the other hand, since the potential (V dH −V data ) equal to or lower than the potential V dH in the period P3 is applied to the image signal line L is and the gate voltage V g of the drive transistor 12 is equal to or lower than the threshold V th , the drive transistor 12 becomes a non-conduction state.

したがって、期間P4では、図8で示されるように、有機EL素子11(すなわち素子コンデンサCol)からVth補償用トランジスタ13の一方および他方電極13ds,13sdを順次に介してコンデンサ14に向けて電流が流れる。その結果、コンデンサ14に既に蓄積された閾値Vthに応じた電荷の上に電位Vdataに応じた電荷が加算されて蓄積される。すなわち、期間P4においては、コンデンサ14に有機EL素子11の発光輝度に応じた電荷が蓄積される。換言すれば、期間P4では、画素回路31において出力画素信号に応じた電荷がコンデンサ14に蓄積される。 Therefore, in the period P4, as shown in FIG. 8, from the organic EL element 11 (that is, the element capacitor C ol ) to the capacitor 14 via the one and other electrodes 13ds and 13sd of the V th compensation transistor 13 sequentially. Current flows. As a result, the charge corresponding to the potential V data is added to the charge corresponding to the threshold value V th already accumulated in the capacitor 14 and accumulated. That is, in the period P4, electric charges corresponding to the light emission luminance of the organic EL element 11 are accumulated in the capacitor 14. In other words, in the period P <b> 4, charges corresponding to the output pixel signal are accumulated in the capacitor 14 in the pixel circuit 31.

なお、コンデンサ14の一方電極14aの電位(すなわち駆動トランジスタ12のゲート電位)の変化量は、画像信号線Lisの電位の変化量と、コンデンサ14の保持容量Csと素子コンデンサColのEL素子容量Coとの比(容量比)との積に依拠する。すなわち、本実施形態においては、画像信号線Lisの電位がVdHからVdataに変化する場合、駆動トランジスタ12のゲート電位が、(Vdata−VdH)×Cs/(Cs+Co)変化する。例えば、VdH=10V,Vdata=5V、Cs:Co=1:2である場合には、画像信号線Lisの電位が−5V変化し、駆動トランジスタ12のゲート電位Vgは、有機EL素子11からコンデンサ14に対する電荷の移動により、(5−10)×1/(1+2)=−5/3V変化する。このようにコンデンサ14に蓄積される電荷の移動により、画像信号線Lisの電位の変化が駆動トランジスタ12のゲート電位に反映される。 Note that the amount of change in the potential of the one electrode 14a of the capacitor 14 (that is, the gate potential of the driving transistor 12) is the amount of change in the potential of the image signal line Lis, the holding capacitance C s of the capacitor 14, and the EL of the element capacitor C ol . It relies on the product of the ratio of the device capacitance C o (volume ratio). That is, in the present embodiment, when the potential of the image signal line L IS changes from V dH to V data, the gate potential of the driving transistor 12 is, (V data -V dH) × C s / (C s + C o )Change. For example, V dH = 10V, V data = 5V, C s: C o = 1: When a 2, the potential of the image signal line L IS is -5V changes, the gate potential V g of the drive transistor 12, Due to the movement of charge from the organic EL element 11 to the capacitor 14, (5-10) × 1 / (1 + 2) = − 5 / 3V changes. Thus, the change in the potential of the image signal line Lis is reflected in the gate potential of the drive transistor 12 due to the movement of the charge accumulated in the capacitor 14.

○素子初期化期間P5:
素子初期化期間P5(以下適宜「期間P5」と略する)においては、VDD線LvdおよびVSS線Lvsにそれぞれ所定の負電位−Vpが付与される。また、全走査信号線Lssに低電位VgLが付与される。更に、画像信号線Lisに高電位VdHが付与される。このとき、Vth補償用トランジスタ13が非導通状態となり、駆動トランジスタ12が導通状態となる。そして、VDD線LvdとVSS線Lvsとの間に電位差がなく、VSS線Lvsが負電位−Vpに設定されているため、有機EL素子11(すなわち素子コンデンサCol)に蓄積された電荷が、VSS線Lvsに抜けて、有機EL素子11に蓄積された電荷が一掃される。
○ Element initialization period P5:
In the element initialization period P5 (hereinafter abbreviated as “period P5” as appropriate), a predetermined negative potential −V p is applied to the V DD line L vd and the V SS line L vs. Further, the low potential V gL is applied to all the scanning signal lines L ss . Further, the high potential V dH is applied to the image signal line Lis. At this time, the V th compensation transistor 13 is turned off, and the drive transistor 12 is turned on. Since there is no potential difference between the V DD line L vd and the V SS line L vs and the V SS line L vs is set to the negative potential −V p , the organic EL element 11 (that is, the element capacitor C ol ) The charge accumulated in the organic EL element 11 passes through the V SS line L vs and the charge accumulated in the organic EL element 11 is wiped out.

○発光期間P6:
図9では、発光期間P6(以下適宜「期間P6」と略する)での画素回路31における電流の流れが例示されている。
○ Light emission period P6:
FIG. 9 illustrates the flow of current in the pixel circuit 31 in the light emission period P6 (hereinafter abbreviated as “period P6” where appropriate).

期間P6では、VDD線Lvdに正の高電位VDDが付与される。また、VSS線Lvsに基準電位0Vが付与される。また、全走査信号線Lssに低電位VgLが付与される。更に、画像信号線Lisに高電位VdHが付与される。 In the period P6, the positive high potential V DD is applied to the V DD line L vd . Further, a reference potential of 0 V is applied to the V SS line L vs. Further, the low potential V gL is applied to all the scanning signal lines L ss . Further, the high potential V dH is applied to the image signal line Lis.

このとき、走査信号線Lssにおける低電位VgLの付与により、Vth補償用トランジスタ13が非導通状態となる。一方、画像信号線Lisに対して高電位VdHが付与されるため、期間P4においてコンデンサ14に蓄積された電荷量(電位Vdataに応じた電荷量)に応じた電位分、ゲート電圧Vgが閾値Vthよりも高くなり、駆動トランジスタ12が導通状態となる。 At this time, the application of the low potential V gL to the scanning signal line L ss causes the V th compensation transistor 13 to become non-conductive. On the other hand, since the high potential V dH is applied to the image signal line Lis, the gate voltage V is equal to the potential corresponding to the amount of charge accumulated in the capacitor 14 (the amount of charge corresponding to the potential V data ) in the period P4. g becomes higher than the threshold value V th , and the driving transistor 12 becomes conductive.

例えば、Vdata=5V、Cs:Co=1:2である場合には、期間P4においてコンデンサ14に蓄積される電荷が、閾値Vthよりも5/3V低い電位([Vth−5/3]V)に対応する。そして、期間P6では、期間P4よりもVdata(=5V)分高い電位が画像信号線Lisに対して付与され、制御電極12gに対して、閾値Vthよりも10/3V高い電位([Vth+10/3]V=[Vth−(5/3)+5]V)が付与される。 For example, when V data = 5 V and C s : C o = 1: 2, the charge accumulated in the capacitor 14 in the period P4 is 5/3 V lower than the threshold V th ([V th -5 / 3] V). Then, in the period P6, V data (= 5V) content high potential is applied to the image signal line L IS than the period P4, the control electrodes 12 g, 10 / 3V potential higher than the threshold V th ([ V th +10/3] V = [V th − (5/3) +5] V).

そして、VDD線LvdがVSS線Lvsよりも電位VDD分、高電位であり、駆動トランジスタ12が電位Vdataに応じて一方電極12dsと他方電極12sdとの間で電流が流れる状態となる。このため、図9で示されるように、有機EL素子11に対して電位Vdataに応じた電流が流れる。その結果、有機ELディスプレイ部3の全面に渡って配列された多数の有機EL素子11がそれぞれ電位Vdataに応じた輝度で同時に発光する。つまり、期間P6では、各画素から出力画像信号に応じた輝度の光がそれぞれ出射される。 The V DD line L vd is higher in potential by the potential V DD than the V SS line L vs , and the drive transistor 12 is in a state in which current flows between the one electrode 12ds and the other electrode 12sd in accordance with the potential V data. It becomes. For this reason, as shown in FIG. 9, a current corresponding to the potential V data flows through the organic EL element 11. As a result, a large number of organic EL elements 11 arranged over the entire surface of the organic EL display unit 3 simultaneously emit light at a luminance corresponding to the potential Vdata . That is, in the period P6, light having a luminance corresponding to the output image signal is emitted from each pixel.

このような期間P1〜P6が繰り返されることで、各有機EL素子11の発光が繰り返され、有機ELディスプレイ部3において出力画像信号に応じた動画像が表示される。   By repeating such periods P1 to P6, light emission of each organic EL element 11 is repeated, and a moving image corresponding to the output image signal is displayed on the organic EL display unit 3.

<Yドライバを構成するシフトレジスタ回路>
以下、Yドライバ回路4Yを構成するシフトレジスタ回路400について説明する。ここでは、まず、シフトレジスタ回路において該回路を貫通する電流(貫通電流)を所謂NOT回路を用いて抑制する手法と該手法の問題点、および本実施形態に係るシフトレジスタ回路400に係る貫通電流を抑制する原理について順次に説明する。その後、シフトレジスタ回路400の構成、シフトレジスタ回路400を構成する各段の回路(ブロック回路)の構成、各ブロック回路の状態の遷移とシフトレジスタ回路400における信号の流れ、およびシフトレジスタ回路400の動作について順次説明する。
<Shift register circuit constituting Y driver>
Hereinafter, the shift register circuit 400 constituting the Y driver circuit 4Y will be described. Here, first, a method of suppressing a current (through current) passing through the circuit in the shift register circuit using a so-called NOT circuit, a problem of the method, and a through current of the shift register circuit 400 according to the present embodiment. The principle of suppressing this will be described sequentially. After that, the configuration of the shift register circuit 400, the configuration of each stage circuit (block circuit) constituting the shift register circuit 400, the transition of the state of each block circuit and the signal flow in the shift register circuit 400, and the shift register circuit 400 The operation will be described sequentially.

<NOT回路を用いた貫通電流の抑制とその問題点>
図10は、シフトレジスタ回路において貫通電流を抑制する一手法について説明するための図である。図10では、シフトレジスタ回路を構成する各段の回路(ブロック回路)BLXの構成が示されている。
<Control of through current using NOT circuit and its problems>
FIG. 10 is a diagram for explaining a technique for suppressing a through current in a shift register circuit. FIG. 10 shows the configuration of each stage circuit (block circuit) BL X constituting the shift register circuit.

図10で示されるように、ブロック回路BLXは、6つのn型のトランジスタQ1〜Q6およびNOT回路CNOTを備えて構成される。 As shown in FIG. 10, the block circuit BL X includes six n-type transistors Q1 to Q6 and a NOT circuit C NOT .

トランジスタQ1のドレインが、データ信号SDATAが供給される接続部J1を介してNOT回路CNOTの入力側に対して電気的に接続されている。また、トランジスタQ1のゲートが、所定の正の電位を有するセット信号SSETが供給される接続部J2を介して、トランジスタQ2のゲートに対して電気的に接続されている。更に、トランジスタQ1のソースが、接続部J5を介してトランジスタQ5のゲートに対して電気的に接続され、接続部J5,J3を順次に介してトランジスタQ3のゲートおよびトランジスタQ4のドレインに対してそれぞれ電気的に接続されている。 The drain of the transistor Q1 is electrically connected to the input side of the NOT circuit CNOT via a connection portion J1 to which the data signal SDATA is supplied. Further, the gate of the transistor Q1 is electrically connected to the gate of the transistor Q2 via a connection portion J2 to which a set signal S SET having a predetermined positive potential is supplied. Further, the source of the transistor Q1 is electrically connected to the gate of the transistor Q5 via the connection portion J5, and sequentially connected to the gate of the transistor Q3 and the drain of the transistor Q4 via the connection portions J5 and J3. Electrically connected.

また、トランジスタQ2のドレインがNOT回路CNOTの出力側に対して電気的に接続されている。また、トランジスタQ2のソースが接続部J6を介してトランジスタQ6のゲートに対して電気的に接続され、接続部J6,J4を順次に介してトランジスタQ4のゲートおよびトランジスタQ3のドレインに対してそれぞれ電気的に接続されている。 The drain of the transistor Q2 is electrically connected to the output side of the NOT circuit CNOT . The source of the transistor Q2 is electrically connected to the gate of the transistor Q6 via the connection portion J6, and is electrically connected to the gate of the transistor Q4 and the drain of the transistor Q3 via the connection portions J6 and J4 in sequence. Connected.

また、トランジスタQ5のドレインが、クロック信号SCLKが供給される接続部J7に対して電気的に接続されている。また、トランジスタQ5のソースが、出力信号としてのアウト信号SOUTが出力される接続部J8を介して、トランジスタQ6のドレインに対して電気的に接続されている。そして、トランジスタQ3,Q4,Q6の各ソースが、それぞれ接地されている。 The drain of the transistor Q5 is electrically connected to the connection J7 to which the clock signal SCLK is supplied. Further, the source of the transistor Q5 is electrically connected to the drain of the transistor Q6 via a connection portion J8 from which an out signal S OUT as an output signal is output. The sources of the transistors Q3, Q4, and Q6 are grounded.

このようなブロック回路BLXでは、トランジスタQ1,Q2の各ゲートにセット信号SSETが付与されると、トランジスタQ1,Q2がそれぞれドレインとソースとの間で電流が流れ得る状態(導通状態)、すなわちON状態となる。 In such a block circuit BL X , when a set signal S SET is applied to the gates of the transistors Q 1 and Q 2, the transistors Q 1 and Q 2 can each flow current between the drain and the source (conductive state), That is, it becomes an ON state.

そして、トランジスタQ1のドレインおよびNOT回路CNOTの入力側に所定の正の電位を有するデータ信号SDATAがそれぞれ付与されると、トランジスタQ3のゲートにデータ信号SDATAに応じた電位が付与されてトランジスタQ3が導通状態となるとともに、トランジスタQ4のゲートが接地されて、トランジスタQ4がドレインとソースとの間で電流が流れ得ない状態(非導通状態)、すなわちOFF状態となる。このとき、トランジスタQ1が導通状態であり、且つトランジスタQ4が非導通状態であるため、トランジスタQ5のゲートにはデータ信号SDATAに応じた電位が付与されて、トランジスタQ5が導通状態となる。更に、NOT回路CNOTによって、データ信号SDATAがトランジスタQ2を介して接続部J6には付与されず、且つトランジスタQ3が導通状態であるため、トランジスタQ6のゲートは接地されて、トランジスタQ6は非導通状態となる。 When the data signal S DATA having a predetermined positive potential to the input side of the drain and NOT circuit C NOT transistor Q1 is applied, respectively, a potential corresponding to the data signal S DATA to the gate of the transistor Q3 is applied The transistor Q3 becomes conductive, and the gate of the transistor Q4 is grounded, and the transistor Q4 is in a state where no current can flow between the drain and the source (non-conductive state), that is, an OFF state. At this time, since the transistor Q1 is conductive and the transistor Q4 is nonconductive, a potential corresponding to the data signal S DATA is applied to the gate of the transistor Q5, and the transistor Q5 is conductive. Further, since the data signal S DATA is not applied to the connection portion J6 via the transistor Q2 by the NOT circuit C NOT , and the transistor Q3 is in a conductive state, the gate of the transistor Q6 is grounded, and the transistor Q6 is not turned on. It becomes a conductive state.

このとき、トランジスタQ5のドレインにクロック信号SCLKが付与されると、接続部J8からクロック信号SCLKに応じたアウト信号SOUTが出力される。 At this time, when the clock signal S CLK to the drain of the transistor Q5 is applied, out signal S OUT corresponding from the connection portion J8 to the clock signal S CLK is output.

一方、トランジスタQ1,Q2の各ゲートにセット信号SSETがそれぞれ付与されて、トランジスタQ1,Q2がそれぞれ導通状態とされた状態で、トランジスタQ1のドレインおよびNOT回路CNOTの入力側にそれぞれ付与されるデータ信号SDATAの電位が所定の基準電位(例えば、0V)となると、トランジスタQ3,Q5がそれぞれ非導通状態となるとともに、トランジスタQ4,Q6がそれぞれ導通状態となる。このとき、接続部J8は接地されており、トランジスタQ5のドレインにクロック信号SCLKが付与されても、接続部J8からクロック信号SCLKに応じたアウト信号SOUTは出力されない。 On the other hand, a set signal S SET is applied to the gates of the transistors Q1 and Q2, respectively, and the transistors Q1 and Q2 are applied to the drain of the transistor Q1 and the input side of the NOT circuit CNOT , respectively. When the potential of the data signal S DATA becomes a predetermined reference potential (for example, 0 V), the transistors Q3 and Q5 are turned off, and the transistors Q4 and Q6 are turned on. At this time, the connecting portion J8 is grounded, even if the clock signal S CLK to the drain of the transistor Q5 is applied, out signal S OUT corresponding to the clock signal S CLK from the connection J8 is not output.

このように、ブロック回路BLXでは、電気的に直列に接続されている2つのn型のトランジスタQ1,Q4の間の電位と、電気的に直列に接続されている2つのn型のトランジスタQ2,Q3の間の電位とが交互に切り替わることで、接続部J8からクロック信号SCLKに応じたアウト信号SOUTが出力される状態と、該アウト信号SOUTが出力されない状態とに順次に設定される。そして、このブロック回路BLXでは、電気的に直列に接続されている2つのトランジスタQ1,Q4が同時に導通状態に設定されず、電気的に直列に接続されている2つのトランジスタQ2,Q3も同時に導通状態に設定されない。このため、2つの電気的に直列に接続されている2つのトランジスタを介して回路を貫通する電流(貫通電流)の発生が抑制される。 Thus, in the block circuit BL X , the potential between the two n-type transistors Q1 and Q4 that are electrically connected in series and the two n-type transistors Q2 that are electrically connected in series. , Q3 are alternately switched so that the out signal S OUT corresponding to the clock signal S CLK is output from the connection portion J8 and the out signal S OUT is not output sequentially. Is done. In the block circuit BL X , the two transistors Q1 and Q4 that are electrically connected in series are not simultaneously set to the conductive state, and the two transistors Q2 and Q3 that are electrically connected in series are also simultaneously connected. The continuity is not set. For this reason, generation | occurrence | production of the electric current (through-current) which penetrates a circuit via two transistors connected in two electrically in series is suppressed.

しかしながら、ブロック回路BLXでは、NOT回路CNOTにおいて貫通電流が生じてしまう。以下、この問題点について述べる。 However, in the block circuit BL X , a through current is generated in the NOT circuit C NOT . This problem will be described below.

図11は、n型のトランジスタを用いたNOT回路CNOTの一般的な構成を示す図である。 FIG. 11 is a diagram showing a general configuration of a NOT circuit C NOT using n-type transistors.

図11で示されるように、NOT回路CNOTは、2つのn型のトランジスタQ11,Q12を備えて構成される。具体的には、トランジスタQ11のドレインとゲートとが、相互に接続部J12を介して電気的に接続されるとともに、該トランジスタQ11のドレインおよびゲートには、NOT回路CNOTを能動化するための信号(能動化信号)SENABLEが接続部J11を介して入力される。また、トランジスタQ11のソースが接続部J13を介して、トランジスタQ12のドレインに対して電気的に接続されている。更に、トランジスタQ12のゲートが、データ信号SDATAが入力されるように構成されるとともに、トランジスタQ12のソースが接地されている。 As shown in FIG. 11, the NOT circuit C NOT includes two n-type transistors Q11 and Q12. Specifically, the drain and gate of the transistor Q11 are electrically connected to each other via the connection portion J12, and the drain and gate of the transistor Q11 are used to activate the NOT circuit C NOT . A signal (activation signal) S ENABLE is input via the connection J11. Further, the source of the transistor Q11 is electrically connected to the drain of the transistor Q12 through the connection portion J13. Furthermore, the gate of the transistor Q12, while being configured so that the data signal S DATA is input, the source of the transistor Q12 is grounded.

このNOT回路CNOTは、トランジスタQ11のドレインとゲートに対して所定の正の電位を有する能動化信号SENABLEが常に付与された状態に設定される。そして、所定の正の電位を有するデータ信号SDATAがトランジスタQ12のゲートに対して付与されなければ、トランジスタQ11が導通状態に設定され、トランジスタQ12が非導通状態に設定されるため、能動化信号SENABLEに応じた出力データ信号SDATAOUTが接続部J13から出力されない。一方、データ信号SDATAがトランジスタQ12のゲートに対して付与されれば、トランジスタQ11,Q12の双方が導通状態に設定されるため、能動化信号SENABLEに応じた出力データ信号SDATAOUTが接続部J13から出力される。 This NOT circuit C NOT is set to a state in which an activation signal S ENABLE having a predetermined positive potential is always applied to the drain and gate of the transistor Q11. If the data signal S DATA having a predetermined positive potential is not applied to the gate of the transistor Q12, the transistor Q11 is set to the conductive state and the transistor Q12 is set to the non-conductive state. The output data signal S DATAOUT corresponding to S ENABLE is not output from the connection J13. On the other hand, if the data signal S DATA is applied to the gate of the transistor Q12, both the transistors Q11 and Q12 are set in a conductive state, so that the output data signal S DATAOUT corresponding to the activation signal S ENABLE is connected to the connection portion. Output from J13.

しかしながら、接続部J13から出力データ信号SDATAOUTを出力させるために、トランジスタQ12を導通状態に設定した場合には、電気的に直列に接続されている2つのトランジスタQ11,Q12が同時に導通状態に設定される。このため、NOT回路CNOTにおいて、能動化信号SENABLEを入力する能動化信号線LENABLEから2つのトランジスタQ11,Q12を介した貫通電流が発生してしまう。 However, when the transistor Q12 is set to the conductive state in order to output the output data signal S DATAOUT from the connection portion J13, the two transistors Q11 and Q12 electrically connected in series are simultaneously set to the conductive state. Is done. For this reason, in the NOT circuit C NOT , a through current through the two transistors Q11 and Q12 is generated from the activation signal line L ENABLE to which the activation signal S ENABLE is input.

そこで、本願の発明者らは、NOT回路CNOTの代わりに、特別な構成を採用した電気回路を創出することで、電気的に直列に接続されている2つのトランジスタにおける貫通電流の発生を抑制することを可能とした。 Therefore, the inventors of the present application suppress the generation of through current in two transistors electrically connected in series by creating an electric circuit employing a special configuration instead of the NOT circuit C NOT. Made it possible to do.

<貫通電流を抑制する原理>
図12は、貫通電流を抑制する原理を説明するための図である。図12では、シフトレジスタ回路を構成する各段の回路(ブロック回路)BLYに関する構成が示されている。
<Principle to suppress through current>
FIG. 12 is a diagram for explaining the principle of suppressing the through current. In Figure 12, configuration for the circuit of each stage constituting the shift register circuit (block circuit) BL Y is shown.

図12で示されるように、ブロック回路BLYは、n型のTFTによってそれぞれ構成される8つの第1〜8トランジスタTr1〜Tr8を備えて構成されている。 As shown in FIG. 12, the block circuit BL Y is configured to include eight first to eighth transistors Tr1 to Tr8 each formed by an n-type TFT.

第1トランジスタTr1のドレインが、接続部C1において正の高電位を有する第1信号としての第1データ信号SDPを供給する第1信号線LDPと電気的に接続されている。また、第1トランジスタTr1のゲートが、接続部C2を介して、第2トランジスタTr2のゲートに対して電気的に接続される。そして、第1および第2トランジスタTr1,Tr2の各ゲートには所定の正の電位を有するセット信号SSETが供給される。また、第1トランジスタTr1のソースが、接続部C3を介して第7トランジスタTr7のソースに対して電気的に接続され、接続部C3,C4を順次に介して第5トランジスタTr5のゲートに対して電気的に接続され、接続部C3〜C5を順次に介して第3トランジスタTr3のゲートおよび第4トランジスタTr4のドレインに対してそれぞれ電気的に接続されている。 The drain of the first transistor Tr1 is electrically connected to a first signal line L DP that supplies a first data signal S DP as a first signal having a positive high potential at the connection portion C1. Further, the gate of the first transistor Tr1 is electrically connected to the gate of the second transistor Tr2 via the connection portion C2. A set signal S SET having a predetermined positive potential is supplied to the gates of the first and second transistors Tr1 and Tr2. Further, the source of the first transistor Tr1 is electrically connected to the source of the seventh transistor Tr7 via the connection portion C3, and is sequentially connected to the gate of the fifth transistor Tr5 via the connection portions C3 and C4. They are electrically connected to each other and sequentially connected to the gate of the third transistor Tr3 and the drain of the fourth transistor Tr4 through the connection parts C3 to C5.

また、第2トランジスタTr2のドレインが、接続部C6において正の高電位を有する第2信号としての第2データ信号SDNを供給する第2信号線LDNと電気的に接続されている。また、第2トランジスタTr2のソースが、接続部C7を介して第8トランジスタTr8のソースに対して電気的に接続され、接続部C7,C8を順次に介して第6トランジスタTr6のゲートに対して電気的に接続され、接続部C7〜C9を順次に介して第3トランジスタTr3のドレインおよび第4トランジスタTr4のゲートに対してそれぞれ電気的に接続されている。 The drain of the second transistor Tr2 is electrically connected to a second signal line L DN that supplies a second data signal S DN as a second signal having a positive high potential at the connection C6. The source of the second transistor Tr2 is electrically connected to the source of the eighth transistor Tr8 via the connection C7, and is sequentially connected to the gate of the sixth transistor Tr6 via the connections C7 and C8. They are electrically connected to each other and sequentially connected to the drain of the third transistor Tr3 and the gate of the fourth transistor Tr4 through the connection portions C7 to C9.

また、第3および第4トランジスタTr3,Tr4の各ソースが、接続部C10,C11を順次に介して接地されている。   Further, the sources of the third and fourth transistors Tr3 and Tr4 are grounded through the connection portions C10 and C11 in sequence.

また、第5トランジスタTr5のドレインが、接続部C12においてクロック信号SCLKを供給するクロック信号線LCLKと電気的に接続されている。また、第5トランジスタTr5のソースが、アウト信号SOUTが出力される接続部C13を介して、第6トランジスタTr6のドレインに対して電気的に接続されている。また、第6トランジスタTr6のソースが、接続部C11を介して接地されている。 The drain of the fifth transistor Tr5 is electrically connected to the clock signal line L CLK that supplies the clock signal S CLK at the connection portion C12. Further, the source of the fifth transistor Tr5 is electrically connected to the drain of the sixth transistor Tr6 via the connection C13 from which the out signal S OUT is output. The source of the sixth transistor Tr6 is grounded through the connection portion C11.

また、第7トランジスタTr7のドレインが、接続部C14において第2信号線LDNと電気的に接続されている。また、第7トランジスタTr7のゲートが、接続部C15を介して第8トランジスタTr8のゲートに対して電気的に接続されている。そして、第7および第8トランジスタTr7,Tr8の各ゲートには所定の正の電位を有するリセット信号SRESETが供給される。また、第8トランジスタTr8のドレインが、接続部C16において第1信号線LDPと電気的に接続されている。 The drain of the seventh transistor Tr7 is electrically connected to the second signal line L DN at the connection C14. Further, the gate of the seventh transistor Tr7 is electrically connected to the gate of the eighth transistor Tr8 via the connection portion C15. A reset signal S RESET having a predetermined positive potential is supplied to the gates of the seventh and eighth transistors Tr7 and Tr8. The drain of the eighth transistor Tr8 is connected first signal line L DP electrically at a connection C16.

そして、第1信号線LDPからブロック回路BLYに対する第1データ信号SDPの入力と、第2信号線LDNからブロック回路BLYに対する第2データ信号SDNの入力とが同時に行われないように制御される。つまり、第1データ信号SDPと第2データ信号SDNとが異なるタイミングでブロック回路BLYに入力される。 Then, the input of the first data signal S DP for the block circuit BL Y from the first signal line L DP, inputs and the second data signal S DN to the block circuit BL Y is not carried out at the same time from the second signal line L DN To be controlled. That is, the first data signal S DP and the second data signal S DN is input to the block circuit BL Y at different timings.

このようなブロック回路BLYでは、接続部C2から第1および第2トランジスタTr1,Tr2の各ゲートに対してセット信号SSETが付与されると、第1および第2トランジスタTr1,Tr2がそれぞれ導通状態(ON状態)に設定される。 In such a block circuit BL Y , when the set signal S SET is applied from the connection portion C2 to the gates of the first and second transistors Tr1 and Tr2, the first and second transistors Tr1 and Tr2 are turned on, respectively. Set to the state (ON state).

第1および第2トランジスタTr1,Tr2がそれぞれ導通状態に設定されている際に、ブロック回路BLYに対して第1データ信号SDPが付与され、且つブロック回路BLYに対して第2データ信号SDNが付与されなければ、第3トランジスタTr3のゲートに第1データ信号SDPに応じた電位が付与されて、第3トランジスタTr3が導通状態に設定されるとともに、第4トランジスタTr4のゲートが接地されて、第4トランジスタTr4が非導通状態に設定される。このとき、第1トランジスタTr1が導通状態に設定され、且つ第4トランジスタTr4が非導通状態に設定されるため、第5トランジスタTr5のゲートに対して第1データ信号SDPに応じた電位が付与されて、第5トランジスタTr5が導通状態となる。また、第2トランジスタTr2には、第2データ信号SDNが付与されず、且つ第3トランジスタTr3が導通状態であるため、第6トランジスタTr6のゲートは接地されて、第6トランジスタTr6が非導通状態となる。この状態で、第5トランジスタTr5のドレインにクロック信号SCLKが付与されると、接続部C13からクロック信号SCLKに応じたアウト信号SOUTが出力される。なお、セット信号SSETが付与されている状態において、第1データ信号SDPが流れてアウト信号SOUTが出力される状態を第1信号状態とする。 First and when the second transistors Tr1, Tr2 are respectively set to the conductive state, the first data signal S DP is applied to the block circuit BL Y, and the second data signal to the block circuit BL Y if S DN is applied, a potential corresponding to the first data signal S DP is applied to the gate of the third transistor Tr3, together with the third transistor Tr3 is set in a conducting state, the gate of the fourth transistor Tr4 is The fourth transistor Tr4 is set to a non-conductive state by being grounded. At this time, the first transistor Tr1 is set to the conductive state, and since the fourth transistor Tr4 is set to a non-conducting state, the potential corresponding to the first data signal S DP to the gate of the fifth transistor Tr5 is granted As a result, the fifth transistor Tr5 becomes conductive. Further, since the second data signal SDN is not applied to the second transistor Tr2 and the third transistor Tr3 is in a conducting state, the gate of the sixth transistor Tr6 is grounded and the sixth transistor Tr6 is not conducting. It becomes a state. In this state, when the clock signal S CLK is applied to the drain of the fifth transistor Tr5, out signal S OUT corresponding to the clock signal S CLK from the connection portion C13 is output. In the state where the set signal S SET is applied, the state in which the first data signal SDP flows and the out signal S OUT is output is defined as the first signal state.

そして、第1および第2トランジスタTr1,Tr2の各ゲートに対するセット信号SSETの付与が終了された後に、第7および第8トランジスタTr7,Tr8の各ゲートにリセット信号SRESETが付与されると、第7および第8トランジスタTr7,Tr8がそれぞれ導通状態(ON状態)となる。 Then, after the application of the set signal S SET to the gates of the first and second transistors Tr1, Tr2 is completed, the reset signal S RESET is applied to the gates of the seventh and eighth transistors Tr7, Tr8. The seventh and eighth transistors Tr7 and Tr8 are each in a conductive state (ON state).

第7および第8トランジスタTr7,Tr8がそれぞれ導通状態に設定されている際に、ブロック回路BLYに対して第1データ信号SDPが付与され、且つブロック回路BLYに対して第2データ信号SDNが付与されなければ、第3および第5トランジスタTr3,Tr5がそれぞれ非導通状態に設定されるとともに、第4および第6トランジスタTr4,Tr6がそれぞれ導通状態となる。このとき、接続部C13は接地されているため、第5トランジスタTr5のドレインにクロック信号SCLKが付与されても、クロック信号SCLKに応じたアウト信号SOUTは接続部C13から出力されない。なお、セット信号SSETが付与されている状態において、第2データ信号SDNが流れずアウト信号SOUTが出力されない状態を第2信号状態とする。 Seventh and when the eighth transistor Tr7, Tr8 are set to the respective conductive state, the first data signal S DP is applied to the block circuit BL Y, and the second data signal to the block circuit BL Y If SDN is not applied, the third and fifth transistors Tr3 and Tr5 are set in a non-conductive state, and the fourth and sixth transistors Tr4 and Tr6 are in a conductive state. At this time, since the connecting portions C13 are grounded, even if the clock signal S CLK is applied to the drain of the fifth transistor Tr5, out signal S OUT corresponding to the clock signal S CLK is not output from the connecting portion C13. In the state where the set signal S SET is applied, the state where the second data signal S DN does not flow and the out signal S OUT is not output is defined as the second signal state.

このように、ブロック回路BLYでは、例えば、セット信号SSETの入力と、リセット信号SRESETの入力とが適度な時間間隔をおいて交互に行われることで、電気的に直列に接続されている第1トランジスタTr1(または第7トランジスタTr7)と第4トランジスタTr4との間(例えば、接続部C4)の電位と、電気的に直列に接続されている第2トランジスタTr2(または第8トランジスタTr8)と第3トランジスタTr3との間(例えば、接続部C8)の電位とが、交互に切り替わる。つまり、いわゆるラッチ回路に相当する電気回路が形成される。 Thus, in the block circuit BL Y, for example, an input of the set signal S SET, that is the input of the reset signal S RESET are alternately performed at an appropriate time interval, it is electrically connected in series The second transistor Tr2 (or the eighth transistor Tr8) electrically connected in series with the potential between the first transistor Tr1 (or the seventh transistor Tr7) and the fourth transistor Tr4 (for example, the connection portion C4). ) And the third transistor Tr3 (for example, the connection portion C8) are alternately switched. That is, an electric circuit corresponding to a so-called latch circuit is formed.

また、ブロック回路BLYに対するセット信号SSETの入力とリセット信号SRESETの入力とが順次に行われることで、接続部C13からクロック信号SCLKに応じたアウト信号SOUTが出力される状態と出力されない状態とに順次に設定される。 Further, a state that the input and the input and the reset signal S RESET of the set signal S SET for the block circuit BL Y is sequentially performed, the out signal S OUT corresponding from the connecting portion C13 to the clock signal S CLK is output Sequentially set to a state where no data is output.

そして、このブロック回路BLYでは、電気的に直列に接続されている2つのトランジスタの全ての組合せ、例えば、第1トランジスタTr1と第4トランジスタTr4との組み合わせ、或いは第2トランジスタTr2と第3トランジスタTr3との組み合わせ等において、2つのトランジスタが同時に導通状態に設定されない。このため、電気的に直列に接続されている2つのトランジスタを介した回路を貫通する電流(貫通電流)の発生が抑制される。 In this block circuit BL Y , all combinations of two transistors electrically connected in series, for example, a combination of the first transistor Tr1 and the fourth transistor Tr4, or a second transistor Tr2 and a third transistor are provided. In combination with Tr3, etc., the two transistors are not set to the conductive state at the same time. For this reason, generation | occurrence | production of the electric current (through-current) which penetrates the circuit via the two transistors electrically connected in series is suppressed.

なお、ここでは、ブロック回路BLYに対して第1データ信号SDPが付与され、且つブロック回路BLYに対して第2データ信号SDNが付与されない状態で、ブロック回路BLYに対するセット信号SSETの入力とリセット信号SRESETの入力とが交互に行われることで、接続部C4の電位と接続部C8の電位とが交互に切り替わる動作を挙げて説明したが、これに限られない。 Here, the first data signal S DP is applied to the block circuit BL Y, and in a state where the second data signal S DN to the block circuit BL Y is not applied, the set signal S to the block circuit BL Y Although the description has been given of the operation in which the input of the SET and the input of the reset signal S RESET are alternately performed so that the potential of the connection portion C4 and the potential of the connection portion C8 are alternately switched, the present invention is not limited thereto.

例えば、図13で示されるように、ブロック回路BLYから第7,8トランジスタTr7,Tr8を取り除いたブロック回路BLZを採用して、ブロック回路BLZに対する第1データ信号SDPの入力と第2データ信号SDNの入力とが交互に行われるようにしても良い。つまり、接続部C2から第1,2トランジスタTr1,Tr2の各ゲートに対してセット信号SSETが付与されている状態において、接続部C1から第1トランジスタTr1を介して第3トランジスタTr3のゲートに対して第1データ信号SDPが付与されることで、第3トランジスタTr3が導通状態に設定されている状態(第1設定状態)と、接続部C6から第2トランジスタTr2を介して第4トランジスタTr4のゲートに対して第2データ信号SDNが付与されることで、第4トランジスタTr4が導通状態に設定されている状態(第2設定状態)とに順次に設定されるような態様であっても良い。 For example, as shown in FIG. 13, a block circuit BL Z obtained by removing the seventh and eighth transistors Tr7 and Tr8 from the block circuit BL Y is employed, and the first data signal SDP input to the block circuit BL Z and the first The two data signals SDN may be alternately input. That is, in the state where the set signal S SET is applied from the connection C2 to the gates of the first and second transistors Tr1 and Tr2, the connection C1 is connected to the gate of the third transistor Tr3 via the first transistor Tr1. first that the data signal S DP is applied against the fourth transistor via a state of the third transistor Tr3 is set in a conducting state (first setting state), the second transistor Tr2 from the connection C6 by the second data signal S DN to the gate of Tr4 is applied, there in such a manner are sequentially set in a state where the fourth transistor Tr4 is set to the conductive state (second setting state) May be.

なお、上述した図12で示したブロック回路BLYの説明は、第1〜8トランジスタTr1〜Tr8をn型のトランジスタとして説明したが、第1〜8トランジスタTr1〜Tr8はp型のトランジスタであってもよい。p型のトランジスタであっても、電気的に直列に接続されている2つのトランジスタを介した回路を貫通する電流(貫通電流)の発生が抑制される。同様に、図13で示したブロック回路BLZの第1〜6トランジスタTr1〜Tr6が、p型トランジスタであってもよい。 Incidentally, the description of the block circuit BL Y shown in FIG. 12 described above, has been described first to eighth transistors Tr1~Tr8 as n-type transistor, the first to eighth transistors Tr1~Tr8 is a p-type transistor May be. Even if it is a p-type transistor, generation | occurrence | production of the electric current (through-current) which penetrates the circuit through two transistors electrically connected in series is suppressed. Similarly, the first to sixth transistors Tr1~Tr6 block circuit BL Z shown in FIG. 13, it may be a p-type transistor.

<シフトレジスタ回路の構成>
<概略構成>
図14は、本発明の一実施形態に係る画像表示装置1のYドライバ回路4Yに適用されるシフトレジスタ回路400の概略構成を模式的に示す図である。
<Configuration of shift register circuit>
<Outline configuration>
FIG. 14 is a diagram schematically showing a schematic configuration of a shift register circuit 400 applied to the Y driver circuit 4Y of the image display device 1 according to an embodiment of the present invention.

図14で示されるように、シフトレジスタ回路400は、第0〜nブロック回路BL0〜BLn、第1クロック信号線LCLKE、第2クロック信号線LCLKO、第1信号線LDP、第2信号線LDN、第1モード信号線LSL、第2モード信号線LPL、および低電位線LVLを備えた電気回路である。 As shown in FIG. 14, the shift register circuit 400 includes 0th to n-th block circuits BL 0 to BL n , a first clock signal line L CLKE , a second clock signal line L CLKO , a first signal line L DP , This is an electric circuit including a two-signal line L DN , a first mode signal line L SL , a second mode signal line L PL , and a low potential line L VL .

第0〜nブロック回路BL0〜BLnは、シフトレジスタ回路400の0〜n段目のブロック回路に相当する電気回路であり、順次に配列されている。各ブロック回路BL0〜BLnは、第1〜12端子部T1〜T12、クロック信号入力端子部TIN、アウト信号出力端子部TOUT、セット信号付与端子部TSET、リセット信号付与端子部TRESET、および第1〜3低電位接続端子部TL1〜TL3をそれぞれ備えている。 The 0th to n-th block circuits BL 0 to BL n are electrical circuits corresponding to the 0th to nth block circuits of the shift register circuit 400, and are arranged in sequence. Each of the block circuits BL 0 to BL n includes first to twelfth terminal portions T 1 to T 12 , a clock signal input terminal portion T IN , an out signal output terminal portion T OUT , a set signal applying terminal portion T SET , and a reset signal applying terminal. Part T RESET , and first to third low potential connection terminal parts T L1 to T L3 .

そして、第0〜nブロック回路BL0〜BLnは、有機ELディスプレイ部3に配列されるn+1本の水平ラインに対して、走査信号に相当する第0〜nアウト信号SOUT0〜SOUTnを各アウト信号出力端子部TOUTからそれぞれ出力する。換言すれば、各ブロック回路BL0〜BLnのアウト信号出力端子部TOUTが、対応する各水平ラインに含まれる複数の画素回路31に対して、それぞれ第0〜nアウト信号SOUT0〜SOUTnを出力する。 The 0th to n-th block circuits BL 0 to BL n receive the 0th to n-th out signals S OUT0 to S OUTn corresponding to the scanning signals for n + 1 horizontal lines arranged in the organic EL display unit 3. Output from each out signal output terminal T OUT . In other words, the out signal output terminal portions T OUT of the block circuits BL 0 to BL n are connected to the plurality of pixel circuits 31 included in the corresponding horizontal lines, respectively, to the 0th to n-th out signals S OUT0 to S OUT. OUTn is output.

例えば、第0ブロック回路BL0のアウト信号出力端子部TOUTが、1本目の水平ラインに含まれる複数の画素回路31に対して、アウト信号(第0アウト信号)SOUT0を出力する。また、第1ブロック回路BL1のアウト信号出力端子部TOUTが、2本目の水平ラインに含まれる複数の画素回路31に対して、アウト信号(第1アウト信号)SOUT1を出力する。また、第2ブロック回路BL2のアウト信号出力端子部TOUTが、3本目の水平ラインに含まれる複数の画素回路31に対して、アウト信号(第2アウト信号)SOUT2を出力する。更に、第nブロック回路BLnのアウト信号出力端子部TOUTが、n+1本目の水平ラインに含まれる複数の画素回路31に対して、アウト信号(第nアウト信号)SOUTnを出力する。なお、本実施形態では、アウト信号出力端子部TOUTが、本発明の「信号出力部」に相当する。 For example, the out signal output terminal T OUT of the 0th block circuit BL 0 outputs an out signal (0th out signal) S OUT0 to the plurality of pixel circuits 31 included in the first horizontal line. The out signal output terminal T OUT of the first block circuit BL 1 outputs an out signal (first out signal) S OUT1 to the plurality of pixel circuits 31 included in the second horizontal line. Further, the out signal output terminal T OUT of the second block circuit BL 2 outputs an out signal (second out signal) S OUT2 to the plurality of pixel circuits 31 included in the third horizontal line. Further, the out signal output terminal T OUT of the n-th block circuit BL n outputs an out signal (n-th out signal) S OUTn to the plurality of pixel circuits 31 included in the (n + 1) th horizontal line. In the present embodiment, the out signal output terminal portion T OUT corresponds to the “signal output portion” of the present invention.

第1クロック信号線LCLKEは、第0〜nブロック回路BL0〜BLnのうちの奇数番目にそれぞれ配列されている各ブロック回路BL0,BL2,BL4,・・・,BLn-1のクロック信号入力端子部TINに対して電気的に接続されている。そして、第1クロック信号線LCLKEは、奇数番目の各ブロック回路BL0,BL2,BL4,・・・,BLn-1のクロック信号入力端子部TINに対して第1クロック信号SCLKEを付与する。なお、本実施形態では、第1クロック信号線LCLKEが、本発明の「第1入力信号線」に相当する。 The first clock signal line L CLKE is connected to the odd-numbered block circuits BL 0 , BL 2 , BL 4 ,..., BL n− of the 0th to nth block circuits BL 0 to BL n. 1 is electrically connected to the clock signal input terminal portion T IN . The first clock signal line L CLKE is connected to the odd-numbered block circuits BL 0 , BL 2 , BL 4 ,..., BL n−1 with respect to the clock signal input terminal portion T IN . Give CLKE . In the present embodiment, the first clock signal line L CLKE corresponds to the “first input signal line” of the present invention.

第2クロック信号線LCLKOは、第0〜nブロック回路BL0〜BLnのうちの偶数番目にそれぞれ配列されている各ブロック回路BL1,BL3,BL5,・・・,BLnのクロック信号入力端子部TINに対して電気的に接続されている。そして、第2クロック信号線LCLKOは、偶数番目の各ブロック回路BL1,BL3,BL5,・・・,BLnのクロック信号入力端子部TINに対して第2クロック信号SCLKOを付与する。なお、本実施形態では、第2クロック信号線LCLKOが、本発明の「第2入力信号線」に相当する。更に、本実施形態では、クロック信号入力端子部TINが、本発明の「入力信号付与部」に相当し、第1および第22クロック信号SCLKE,SCLKOが、本発明の「入力信号」に相当する。 The second clock signal line L CLKO is connected to the block circuits BL 1 , BL 3 , BL 5 ,..., BL n arranged in even-numbered ones among the 0th to n-th block circuits BL 0 to BL n . It is electrically connected to the clock signal input terminal TIN . The second clock signal line L CLKO, each block circuit of the even-numbered BL 1, BL 3, BL 5 , ···, a second clock signal S CLKO to the clock signal input terminal unit T IN of the BL n Give. In the present embodiment, the second clock signal line L CLKO corresponds to the “second input signal line” of the present invention. Furthermore, in this embodiment, the clock signal input terminal portion T IN corresponds to the “input signal applying portion” of the present invention, and the first and twenty-second clock signals S CLKE and S CLKO are the “input signal” of the present invention. It corresponds to.

第1信号線LDPは、各第0〜nブロック回路BL0〜BLnの第1,4,5端子部T1,T4,T5に対してそれぞれ電気的に接続されている。そして、第1信号線LDPは、各第1,4,5端子部T1,T4,T5に対して第1データ信号SDPを付与する。なお、本実施形態では、第1端子部T1が、本発明の「第1信号付与部」に相当し、第4端子部T4が、本発明の「第4信号付与部」に相当し、第1データ信号SDPが、本発明の「第1信号」に相当する。 The first signal line L DP is electrically connected to the first , fourth , and fifth terminal portions T 1 , T 4 , and T 5 of the 0th to n-th block circuits BL 0 to BL n , respectively. The first signal line L DP applies the first data signal S DP to the first , fourth , and fifth terminal portions T 1 , T 4 , and T 5 . In the present embodiment, the first terminal portion T 1 corresponds to the “first signal applying portion” of the present invention, and the fourth terminal portion T 4 corresponds to the “fourth signal applying portion” of the present invention. The first data signal S DP corresponds to the “first signal” of the present invention.

第2信号線LDNは、各第0〜nブロック回路BL0〜BLnの第2,3,6端子部T2,T3,T6に対してそれぞれ電気的に接続されている。そして、第2信号線LDNは、各第2,3,6端子部T2,T3,T6に対して第2データ信号SDNを付与する。なお、本実施形態では、第2端子部T2が、本発明の「第2信号付与部」に相当し、第3端子部T3が、本発明の「第3信号付与部」に相当し、第2データ信号SDNが、本発明の「第2信号」に相当する。 The second signal line L DN is electrically connected to the second , third , and sixth terminal portions T 2 , T 3 , and T 6 of each of the 0th to n-th block circuits BL 0 to BL n . The second signal line L DN applies the second data signal S DN to the second , third , and sixth terminal portions T 2 , T 3 , and T 6 . In the present embodiment, the second terminal portion T 2 corresponds to the “second signal applying portion” of the present invention, and the third terminal portion T 3 corresponds to the “third signal applying portion” of the present invention. The second data signal S DN corresponds to the “second signal” of the present invention.

第1モード信号線LSLは、各第0〜nブロック回路BL0〜BLnの第7〜10端子部T7〜T10に対してそれぞれ電気的に接続されている。そして、第1モード信号線LSLは、各第7〜10端子部T7〜T10に対して第1モード信号SSLを付与する。 The first mode signal line L SL, is electrically connected respectively 7-10 terminal unit T 7 through T 10 of each of the 0~n block circuit BL 0 to BL n. The first mode signal line L SL has a first mode signal S SL given to each 7-10 terminal unit T 7 through T 10.

第2モード信号線LPLは、各第0〜nブロック回路BL0〜BLnの第11,12端子部T11,T12に対してそれぞれ電気的に接続されている。そして、第2モード信号線LPLは、各第11,12端子部T11,T12に対して第2モード信号SPLを付与する。 The second mode signal line L PL, are electrically connected respectively first 11, 12 terminal section T 11, T 12 of each of the 0~n block circuit BL 0 to BL n. Then, the second mode signal line L PL, imparts second mode signal S PL for each eleventh and twelfth terminal portions T 11, T 12.

低電位線LVLは、各第0〜nブロック回路BL0〜BLnの第1〜3低電位接続端子部TL1〜TL3に対してそれぞれ電気的に接続されている。そして、低電位線LVLは、各第1〜3低電位接続端子部TL1〜TL3に対して所定の低電位(例えば、0Vまたは若干負の電位)を付与する。 The low potential line L VL is electrically connected to the first to third low potential connection terminal portions T L1 to T L3 of the respective 0th to nth block circuits BL 0 to BLn. Then, the low potential line L VL imparts a predetermined low potential (e.g., 0V or slightly negative potential) for each first to third low-potential connection terminal portions T L1 through T L3.

また、第0〜nブロック回路BL0〜BLnのうちの一端に配列されている第0ブロック回路BL0のリセット信号付与端子部TRESETが、第0ブロック回路BL0の次に配列されている第1ブロック回路BL1のアウト信号出力端子部TOUTに対して電気的に接続されている。なお、本実施形態では、リセット信号付与端子部TRESETが、本発明の「リセット信号付与部」に相当する。 Further, the 0~n block circuit BL 0 to BL reset signal applying terminal unit T RESET of the 0th block circuit BL 0 which are arranged at one end of the n is, are arranged next to the 0th block circuit BL 0 Is electrically connected to the out signal output terminal portion T OUT of the first block circuit BL 1 . In the present embodiment, the reset signal application terminal unit T RESET corresponds to the “reset signal application unit” of the present invention.

また、第0〜nブロック回路BL0〜BLnのうちの他端に配列されている第nブロック回路BLnのセット信号付与端子部TSETが、第nブロック回路BLnの前に配列されている第n−1ブロック回路BLn-1のアウト信号出力端子部TOUTに対して電気的に接続されている。なお、本実施形態では、セット信号付与端子部TSETが、本発明の「セット信号付与部」に相当する。 Further, the 0~n block circuit BL 0 to BL set signal applying terminal unit T SET of the n block circuit BL n which are arranged at the other end of the n is, are arranged in front of the n block circuit BL n It is electrically connected to the out signal output terminal T OUT of the (n−1) th block circuit BL n−1 . In the present embodiment, the set signal application terminal unit T SET corresponds to the “set signal application unit” of the present invention.

また、第0〜nブロック回路BL0〜BLnのうちの一端および他端に配列されている第0,nブロック回路BL0,BLnを除く各ブロック回路BL1〜BLn-1では、それぞれ、セット信号付与端子部TSETが、前に配列されている各ブロック回路BL0〜BLn-2のアウト信号出力端子部TOUTに対して電気的に接続されている。例えば、図14で示されるように、第1ブロック回路BL1のセット信号付与端子部TSETが、その前に配列されている第0ブロック回路BL0のアウト信号出力端子部TOUTに対して電気的に接続されている。また、第2ブロック回路BL2のセット信号付与端子部TSETが、その前に配列されている第1ブロック回路BL1のアウト信号出力端子部TOUTに対して電気的に接続されている。 Further, in the block circuit BL 1 ~BL n-1 except the 0, n block circuit BL 0, BL n which are arranged in one and the other ends of the first 0~n block circuit BL 0 to BL n, Each of the set signal giving terminal portions T SET is electrically connected to the out signal output terminal portions T OUT of the block circuits BL 0 to BL n-2 arranged in advance. For example, as shown in FIG. 14, the set signal giving terminal portion T SET of the first block circuit BL 1 is connected to the out signal output terminal portion T OUT of the zeroth block circuit BL 0 arranged before that. Electrically connected. Further, the set signal giving terminal portion T SET of the second block circuit BL 2 is electrically connected to the out signal output terminal portion T OUT of the first block circuit BL 1 arranged in front thereof.

また、各ブロック回路BL1〜BLn-1では、リセット信号付与端子部TRESETが、次に配列されている各ブロック回路BL2〜BLnのアウト信号出力端子部TOUTに対して電気的に接続されている。例えば、図14で示されるように、第1ブロック回路BL1では、リセット信号付与端子部TRESETが、次に配列されている第2ブロック回路BL2のアウト信号出力端子部TOUTに対して電気的に接続されている。 In each of the block circuits BL 1 to BL n−1 , the reset signal giving terminal portion T RESET is electrically connected to the out signal output terminal portion T OUT of each of the block circuits BL 2 to BL n arranged next. It is connected to the. For example, as shown in FIG. 14, in the first block circuit BL 1 , the reset signal application terminal unit T RESET is connected to the out signal output terminal unit T OUT of the second block circuit BL 2 arranged next. Electrically connected.

更に、第0ブロック回路BL0のセット信号付与端子部TSETには、外部からセット信号SSETが所定のタイミングで付与される。そして、第nブロック回路BLnのリセット信号付与端子部TRESETには、外部からリセット信号SRESETが所定のタイミングで付与される。 Further, a set signal S SET is externally applied to the set signal application terminal portion T SET of the 0th block circuit BL 0 at a predetermined timing. A reset signal S RESET is applied from the outside to the reset signal application terminal unit T RESET of the nth block circuit BL n at a predetermined timing.

次に、第0〜nブロック回路BL0〜BLnのうちの奇数番目の各ブロック回路BL0,BL2,BL4,・・・,BLn-1の構成、および偶数番目の各ブロック回路BL1,BL3,BL5,・・・,BLnの構成について順次に説明する。 Next, odd-numbered block circuits BL 0 , BL 2 , BL 4 ,..., BL n−1 among the 0- th to n- th block circuits BL 0 to BL n , and even-numbered block circuits The configurations of BL 1 , BL 3 , BL 5 ,..., BL n will be described sequentially.

<奇数番目のブロック回路>
図15は、シフトレジスタ回路400を構成する奇数番目のブロック回路BL0,BL2,BL4,・・・,BLn-1の回路図である。なお、奇数番目のブロック回路BL0,BL2,BL4,・・・,BLn-1は、相互に同様なものであるため、図15では、その代表例として第2ブロック回路BL2の回路図が示されている。
<Odd block circuit>
FIG. 15 is a circuit diagram of odd-numbered block circuits BL 0 , BL 2 , BL 4 ,..., BL n−1 that constitute the shift register circuit 400. Incidentally, the odd-numbered block circuit BL 0, BL 2, BL 4 , ···, BL n-1 , since those mutually similar, in Figure 15, as a typical example of the second block circuit BL 2 A circuit diagram is shown.

図15で示されるように、第2ブロック回路BL2は、第1〜14トランジスタTr1〜Tr14、第1〜12端子部T1〜T12、クロック信号入力端子部TIN、アウト信号出力端子部TOUT、セット信号付与端子部TSET、リセット信号付与端子部TRESET、および第1〜3低電位接続端子部TL1〜TL3を備えて構成されている。 As shown in Figure 15, the second block circuit BL 2 is a 1-14 transistor Tr1~Tr14, the 12 terminal portions T 1 through T 12, a clock signal input terminal unit T IN, out signal output terminal portion T OUT , a set signal giving terminal portion T SET , a reset signal giving terminal portion T RESET , and first to third low potential connection terminal portions T L1 to T L3 are configured.

第1トランジスタTr1は、第1、第2、第3電極E1〜E3を有し、ゲートとして機能する第3電極E3に対する電位の付与に応じて第1電極E1と第2電極E2との間の電流が調整されるn型のTFTである。第1電極E1は、第1端子部T1を介して第1信号線LDPに対して電気的に接続されている。第2電極E2は、第9トランジスタTr9の第25電極E25に対して電気的に接続されている。第3電極E3は、セット信号付与端子部TSETおよび第2トランジスタTr2の第6電極E6に対して電気的に接続されている。つまり、第3および第6電極E3,E6には、セット信号付与端子部TSETによってセット信号SSETが付与される。なお、本実施形態では、第1電極E1がドレインとして機能し、第2電極E2がソースとして機能する。 The first transistor Tr1 includes first, second, and third electrodes E1 to E3, and is provided between the first electrode E1 and the second electrode E2 in response to application of a potential to the third electrode E3 that functions as a gate. This is an n-type TFT whose current is adjusted. The first electrode E1 is electrically connected to the first signal line L DP via the first terminal portion T 1. The second electrode E2 is electrically connected to the 25th electrode E25 of the ninth transistor Tr9. The third electrode E3 is electrically connected to the set signal application terminal portion TSET and the sixth electrode E6 of the second transistor Tr2. That is, the set signal S SET is applied to the third and sixth electrodes E3 and E6 by the set signal applying terminal portion T SET . In the present embodiment, the first electrode E1 functions as a drain, and the second electrode E2 functions as a source.

第2トランジスタTr2は、第4、第5、第6電極E4〜E6を有し、ゲートとして機能する第6電極E6に対する電位の付与に応じて第4電極E4と第5電極E5との間の電流が調整されるn型のTFTである。第4電極E4は、第2端子部T2を介して第2信号線LDNに対して電気的に接続されている。第5電極E5は、第11トランジスタTr11の第31電極E31に対して電気的に接続されている。第6電極E6は、セット信号付与端子部TSETおよび第1トランジスタTr1の第3電極E3に対して電気的に接続されている。なお、本実施形態では、第4電極E4がドレインとして機能し、第5電極E5がソースとして機能する。 The second transistor Tr2 includes fourth, fifth, and sixth electrodes E4 to E6, and is provided between the fourth electrode E4 and the fifth electrode E5 in response to application of a potential to the sixth electrode E6 that functions as a gate. This is an n-type TFT whose current is adjusted. The fourth electrode E4 is electrically connected to the second signal line L DN via the second terminal portion T 2. The fifth electrode E5 is electrically connected to the 31st electrode E31 of the 11th transistor Tr11. The sixth electrode E6 is electrically connected to the set signal applying terminal portion TSET and the third electrode E3 of the first transistor Tr1. In the present embodiment, the fourth electrode E4 functions as a drain, and the fifth electrode E5 functions as a source.

第3トランジスタTr3は、第7、第8、第9電極E7〜E9を有し、ゲートとして機能する第9電極E9に対する電位の付与に応じて第7電極E7と第8電極E8との間の電流が調整されるn型のTFTである。第7電極E7は、第4トランジスタTr4の第12電極E12、第6トランジスタTr16の第18電極E18、第11トランジスタTr11の第32電極E32、第12トランジスタTr12の第35電極E35、および第14トランジスタTr14の第41電極E41に対してそれぞれ電気的に接続されている。第8電極E8は、第2低電位接続端子部TL2を介して低電位線LVLに対して電気的に接続されている。第9電極E9は、第4トランジスタTr4の第10電極E10、第5トランジスタTr5の第15電極E15、第9トランジスタTr9の第26電極E26、第10トランジスタTr10の第29電極E29、および第13トランジスタTr13の第38電極E38に対してそれぞれ電気的に接続されている。なお、本実施形態では、第7電極E7がドレインとして機能し、第8電極E8がソースとして機能する。 The third transistor Tr3 includes seventh, eighth, and ninth electrodes E7 to E9. The third transistor Tr3 is provided between the seventh electrode E7 and the eighth electrode E8 according to application of a potential to the ninth electrode E9 that functions as a gate. This is an n-type TFT whose current is adjusted. The seventh electrode E7 includes a twelfth electrode E12 of the fourth transistor Tr4, an eighteenth electrode E18 of the sixth transistor Tr16, a thirty-second electrode E32 of the eleventh transistor Tr11, a thirty-fifth electrode E35 of the twelfth transistor Tr12, and a fourteenth transistor. Each is electrically connected to the 41st electrode E41 of Tr14. The eighth electrode E8 is electrically connected to the low potential line LVL via the second low potential connection terminal portion T L2 . The ninth electrode E9 includes the tenth electrode E10 of the fourth transistor Tr4, the fifteenth electrode E15 of the fifth transistor Tr5, the twenty-sixth electrode E26 of the ninth transistor Tr9, the twenty-ninth electrode E29 of the tenth transistor Tr10, and the thirteenth transistor. Each is electrically connected to the 38th electrode E38 of Tr13. In the present embodiment, the seventh electrode E7 functions as a drain, and the eighth electrode E8 functions as a source.

第4トランジスタTr4は、第10、第11、第12電極E10〜E12を有し、ゲートとして機能する第12電極E12に対する電位の付与に応じて第10電極E10と第11電極E11との間の電流が調整されるn型のTFTである。第10電極E10は、第3トランジスタTr3の第9電極E9、第5トランジスタTr5の第15電極E15、第9トランジスタTr9の第26電極E26、第10トランジスタTr10の第29電極E29、および第13トランジスタTr13の第38電極E38に対してそれぞれ電気的に接続されている。第11電極E11は、第1低電位接続端子部TL1を介して低電位線LVLに対して電気的に接続されている。第12電極E12は、第3トランジスタTr3の第7電極E7、第6トランジスタTr6の第18電極E18、第11トランジスタTr11の第32電極E32、第12トランジスタTr12の第35電極E35、および第14トランジスタTr14の第41電極E41に対してそれぞれ電気的に接続されている。なお、本実施形態では、第10電極E10がドレインとして機能し、第11電極E11がソースとして機能する。 The fourth transistor Tr4 has tenth, eleventh, and twelfth electrodes E10 to E12, and is provided between the tenth electrode E10 and the eleventh electrode E11 in response to application of a potential to the twelfth electrode E12 that functions as a gate. This is an n-type TFT whose current is adjusted. The tenth electrode E10 includes the ninth electrode E9 of the third transistor Tr3, the fifteenth electrode E15 of the fifth transistor Tr5, the twenty-sixth electrode E26 of the ninth transistor Tr9, the twenty-ninth electrode E29 of the tenth transistor Tr10, and the thirteenth transistor. Each is electrically connected to the 38th electrode E38 of Tr13. The eleventh electrode E11 is electrically connected to the low potential line LVL via the first low potential connection terminal portion T L1 . The twelfth electrode E12 includes the seventh electrode E7 of the third transistor Tr3, the eighteenth electrode E18 of the sixth transistor Tr6, the thirty-second electrode E32 of the eleventh transistor Tr11, the thirty-fifth electrode E35 of the twelfth transistor Tr12, and the fourteenth transistor. Each is electrically connected to the 41st electrode E41 of Tr14. In the present embodiment, the tenth electrode E10 functions as a drain, and the eleventh electrode E11 functions as a source.

第5トランジスタTr5は、第13、第14、第15電極E13〜E15を有し、ゲートとして機能する第15電極E15に対する電位の付与に応じて第13電極E13と第14電極E14との間の電流が調整されるn型のTFTである。第13電極E13は、クロック信号入力端子部TINを介して第1クロック信号線LCLKEに対して電気的に接続されている。つまり、クロック信号入力端子部TINから第13電極E13に対して第1クロック信号が付与される。第14電極E14は、第6トランジスタTr6の第16電極E16およびアウト信号出力端子部TOUTに対してそれぞれ電気的に接続されている。つまり、第14電極E14と第16電極E16とを電気的に接続する配線に対してアウト信号SOUT(ここでは、第2アウト信号SOUT2)を出力するアウト信号出力端子部TOUTが電気的に接続されている。第15電極E15は、第3トランジスタTr3の第9電極E9、第4トランジスタTr4の第10電極E10、第9トランジスタTr9の第26電極E26、第10トランジスタTr10の第29電極E29、および第13トランジスタTr13の第38電極E38に対してそれぞれ電気的に接続されている。なお、本実施形態では、第13電極E13がドレインとして機能し、第14電極E14がソースとして機能する。 The fifth transistor Tr5 has thirteenth, fourteenth, and fifteenth electrodes E13 to E15, and is provided between the thirteenth electrode E13 and the fourteenth electrode E14 in response to application of a potential to the fifteenth electrode E15 that functions as a gate. This is an n-type TFT whose current is adjusted. 13 electrode E13 is electrically connected to the first clock signal line L CLKE via a clock signal input terminal unit T IN. That is, the first clock signal is applied from the clock signal input terminal portion T IN to the thirteenth electrode E13. The fourteenth electrode E14 is electrically connected to the sixteenth electrode E16 of the sixth transistor Tr6 and the out signal output terminal T OUT . That is, the out signal output terminal portion T OUT that outputs the out signal S OUT (here, the second out signal S OUT2 ) to the wiring that electrically connects the fourteenth electrode E14 and the sixteenth electrode E16 is electrically connected. It is connected to the. The fifteenth electrode E15 includes the ninth electrode E9 of the third transistor Tr3, the tenth electrode E10 of the fourth transistor Tr4, the twenty-sixth electrode E26 of the ninth transistor Tr9, the twenty-ninth electrode E29 of the tenth transistor Tr10, and the thirteenth transistor. Each is electrically connected to the 38th electrode E38 of Tr13. In the present embodiment, the thirteenth electrode E13 functions as a drain, and the fourteenth electrode E14 functions as a source.

第6トランジスタTr6は、第16、第17、第18電極E16〜E18を有し、ゲートとして機能する第18電極E18に対する電位の付与に応じて第16電極E16と第17電極E17との間の電流が調整されるn型のTFTである。第16電極E16は、第5トランジスタTr5の第14電極E14およびアウト信号出力端子部TOUTに対してそれぞれ電気的に接続されている。第17電極E17は、第3低電位接続端子部TL3を介して低電位線LVLに対して電気的に接続されている。第18電極E18は、第3トランジスタTr3の第7電極E7、第4トランジスタTr4の第12電極E12、第11トランジスタTr11の第32電極E32、第12トランジスタTr12の第35電極E35、および第14トランジスタTr14の第41電極E41に対してそれぞれ電気的に接続されている。なお、本実施形態では、第16電極E16がドレインとして機能し、第17電極E17がソースとして機能する。 The sixth transistor Tr6 has sixteenth, seventeenth, and eighteenth electrodes E16 to E18, and is provided between the sixteenth electrode E16 and the seventeenth electrode E17 in response to application of a potential to the eighteenth electrode E18 functioning as a gate. This is an n-type TFT whose current is adjusted. 16 electrode E16 are respectively electrically connected to the fifth transistor Tr5 14th electrode E14 and the out signal output terminal portion T OUT. The seventeenth electrode E17 is electrically connected to the low potential line LVL via the third low potential connection terminal portion T L3 . The eighteenth electrode E18 includes a seventh electrode E7 of the third transistor Tr3, a twelfth electrode E12 of the fourth transistor Tr4, a thirty-second electrode E32 of the eleventh transistor Tr11, a thirty-fifth electrode E35 of the twelfth transistor Tr12, and a fourteenth transistor. Each is electrically connected to the 41st electrode E41 of Tr14. In the present embodiment, the sixteenth electrode E16 functions as a drain, and the seventeenth electrode E17 functions as a source.

第7トランジスタTr7は、第19、第20、第21電極E19〜E21を有し、ゲートとして機能する第21電極E21に対する電位の付与に応じて第19電極E19と第20電極E20との間の電流が調整されるn型のTFTである。第19電極E19は、第3端子部T3を介して第2信号線LDNに対して電気的に接続されている。なお、第3端子部T3は、第2端子部T2と同様に第2信号線LDNに対して電気的に接続されているため、第2端子部T2と同電位に設定される。第20電極E20は、第10トランジスタTr10の第28電極E28に対して電気的に接続されている。第21電極E21は、リセット信号付与端子部TRESETおよび第8トランジスタTr8の第24電極E24に対して電気的に接続されている。つまり、第21および第24電極E21,E24には、リセット信号付与端子部TRESETによってリセット信号SRESETが付与される。なお、本実施形態では、第19電極E19がドレインとして機能し、第20電極E20がソースとして機能する。 The seventh transistor Tr7 has nineteenth, twentieth, and twenty-first electrodes E19 to E21, and is provided between the nineteenth electrode E19 and the twentieth electrode E20 in response to application of a potential to the twenty-first electrode E21 that functions as a gate. This is an n-type TFT whose current is adjusted. 19 electrode E19 is electrically connected to the second signal line L DN via the third terminal portion T 3. The third terminal portion T 3 is, is set to the second terminal portion T 2 the same potential since they are electrically connected to the same manner as the second terminal portion T 2 second signal line L DN . The twentieth electrode E20 is electrically connected to the twenty-eighth electrode E28 of the tenth transistor Tr10. 21 electrode E21 is electrically connected to the first 24 electrode E24 of the reset signal applying terminal unit T RESET and eighth transistor Tr8. That is, the reset signal S RESET is applied to the 21st and 24th electrodes E21, E24 by the reset signal applying terminal portion T RESET . In the present embodiment, the nineteenth electrode E19 functions as a drain, and the twentieth electrode E20 functions as a source.

第8トランジスタTr8は、第22、第23、第24電極E22〜E24を有し、ゲートとして機能する第24電極E24に対する電位の付与に応じて第22電極E22と第23電極E23との間の電流が調整されるn型のTFTである。第22電極E22は、第4端子部T4を介して第1信号線LDPに対して電気的に接続されている。なお、第4端子部T4は、第1端子部T1と同様に第1信号線LDPに対して電気的に接続されているため、第1端子部T1と同電位に設定される。第23電極E23は、第12トランジスタTr12の第34電極E34に対して電気的に接続されている。第24電極E24は、リセット信号付与端子部TRESETおよび第7トランジスタTr7の第21電極E21に対して電気的に接続されている。なお、本実施形態では、第22電極E22がドレインとして機能し、第23電極E23がソースとして機能する。 The eighth transistor Tr8 includes the twenty-second, twenty-third, and twenty-fourth electrodes E22 to E24, and is provided between the twenty-second electrode E22 and the twenty-third electrode E23 according to the application of a potential to the twenty-fourth electrode E24 that functions as a gate. This is an n-type TFT whose current is adjusted. 22 electrode E22 is electrically connected to the first signal line L DP via the fourth terminal portion T 4. Since the fourth terminal portion T 4 is electrically connected to the first signal line L DP like the first terminal portion T 1 , the fourth terminal portion T 4 is set to the same potential as the first terminal portion T 1. . The 23rd electrode E23 is electrically connected to the 34th electrode E34 of the 12th transistor Tr12. 24 electrode E24 is electrically connected to the first 21 electrode E21 of the reset signal applying terminal unit T RESET and the seventh transistor Tr7. In the present embodiment, the twenty-second electrode E22 functions as a drain and the twenty-third electrode E23 functions as a source.

第9トランジスタTr9は、第25、第26、第27電極E25〜E27を有し、ゲートとして機能する第27電極E27に対する電位の付与に応じて第25電極E25と第26電極E26との間の電流が調整されるn型のTFTである。第25電極E25は、第1トランジスタTr1の第2電極E2に対して電気的に接続されている。第26電極E26は、第3トランジスタTr3の第9電極E9、第4トランジスタTr4の第10電極E10、第5トランジスタTr5の第15電極E15、第10トランジスタTr10の第29電極E29、および第13トランジスタTr13の第38電極E38に対してそれぞれ電気的に接続されている。つまり、第2電極E2と、第9,10,15電極E9,E10,E15とが、第25および第26電極E25,E26を介して電気的に接続されている。第27電極E27は、第7端子部T7を介して第1モード信号線LSLに対して電気的に接続されている。なお、本実施形態では、第25電極E25がドレインとして機能し、第26電極E26がソースとして機能する。 The ninth transistor Tr9 includes twenty-fifth, twenty-sixth and twenty-seventh electrodes E25 to E27, and is connected between the twenty-fifth electrode E25 and the twenty-sixth electrode E26 in response to application of a potential to the twenty-seventh electrode E27 functioning as a gate. This is an n-type TFT whose current is adjusted. The 25th electrode E25 is electrically connected to the second electrode E2 of the first transistor Tr1. The twenty-sixth electrode E26 includes a ninth electrode E9 of the third transistor Tr3, a tenth electrode E10 of the fourth transistor Tr4, a fifteenth electrode E15 of the fifth transistor Tr5, a 29th electrode E29 of the tenth transistor Tr10, and a thirteenth transistor. Each is electrically connected to the 38th electrode E38 of Tr13. That is, the second electrode E2 and the ninth, tenth, and fifteenth electrodes E9, E10, and E15 are electrically connected via the twenty-fifth and twenty-sixth electrodes E25 and E26. 27 electrode E27 is electrically connected to the first mode signal line L SL via the seventh terminal unit T 7. In the present embodiment, the 25th electrode E25 functions as a drain, and the 26th electrode E26 functions as a source.

第10トランジスタTr10は、第28、第29、第30電極E28〜E30を有し、ゲートとして機能する第30電極E30に対する電位の付与に応じて第28電極E28と第29電極E29との間の電流が調整されるn型のTFTである。第28電極E28は、第7トランジスタTr7の第20電極E20に対して電気的に接続されている。第29電極E29は、第3トランジスタTr3の第9電極E9、第4トランジスタTr4の第10電極E10、第5トランジスタTr5の第15電極E15、第9トランジスタTr9の第26電極E26、および第13トランジスタTr13の第38電極E38に対してそれぞれ電気的に接続されている。つまり、第20電極E20と、第9、第10、および第15電極E9,E10,E15とが、第28および第29電極E28,E29を介して電気的に接続されている。第30電極E30は、第9端子部T9を介して第1モード信号線LSLに対して電気的に接続されている。なお、本実施形態では、第28電極E28がドレインとして機能し、第29電極E29がソースとして機能する。 The tenth transistor Tr10 has 28th, 29th, and 30th electrodes E28 to E30, and is provided between the 28th electrode E28 and the 29th electrode E29 in response to application of a potential to the 30th electrode E30 functioning as a gate. This is an n-type TFT whose current is adjusted. The twenty-eighth electrode E28 is electrically connected to the twentieth electrode E20 of the seventh transistor Tr7. The 29th electrode E29 includes a ninth electrode E9 of the third transistor Tr3, a tenth electrode E10 of the fourth transistor Tr4, a fifteenth electrode E15 of the fifth transistor Tr5, a twenty-sixth electrode E26 of the ninth transistor Tr9, and a thirteenth transistor. Each is electrically connected to the 38th electrode E38 of Tr13. That is, the twentieth electrode E20 and the ninth, tenth, and fifteenth electrodes E9, E10, and E15 are electrically connected through the twenty-eighth and twenty-ninth electrodes E28 and E29. The 30 electrode E30 is electrically connected to the first mode signal line L SL through the ninth terminal unit T 9. In the present embodiment, the 28th electrode E28 functions as a drain, and the 29th electrode E29 functions as a source.

第11トランジスタTr11は、第31、第32、第33電極E31〜E33を有し、ゲートとして機能する第33電極E33に対する電位の付与に応じて第31電極E31と第32電極E32との間の電流が調整されるn型のTFTである。第31電極E31は、第2トランジスタTr2の第5電極E5に対して電気的に接続されている。第32電極E32は、第3トランジスタTr3の第7電極E7、第4トランジスタTr4の第12電極E12、第6トランジスタTr6の第18電極E18、第12トランジスタTr12の第35電極E35、および第14トランジスタTr14の第41電極E41に対してそれぞれ電気的に接続されている。つまり、第5電極E5と、第7、第12、および第18電極E7,E12,E18とが、第31および第32電極E31,E32を介して電気的に接続されている。第33電極E33は、第8端子部T8を介して第1モード信号線LSLに対して電気的に接続されている。なお、本実施形態では、第31電極E31がドレインとして機能し、第32電極E32がソースとして機能する。 The eleventh transistor Tr11 includes thirty-first, thirty-second, and thirty-third electrodes E31 to E33, and is provided between the thirty-first electrode E31 and the thirty-second electrode E32 in response to application of a potential to the thirty-third electrode E33 that functions as a gate. This is an n-type TFT whose current is adjusted. The thirty-first electrode E31 is electrically connected to the fifth electrode E5 of the second transistor Tr2. The thirty-second electrode E32 includes a seventh electrode E7 of the third transistor Tr3, a twelfth electrode E12 of the fourth transistor Tr4, an eighteenth electrode E18 of the sixth transistor Tr6, a thirty-fifth electrode E35 of the twelfth transistor Tr12, and a fourteenth transistor. Each is electrically connected to the 41st electrode E41 of Tr14. That is, the fifth electrode E5 and the seventh, twelfth, and eighteenth electrodes E7, E12, and E18 are electrically connected via the thirty-first and thirty-second electrodes E31 and E32. 33 electrode E33 is electrically connected to the first mode signal line L SL through the eighth terminal portion T 8. In the present embodiment, the 31st electrode E31 functions as a drain, and the 32nd electrode E32 functions as a source.

第12トランジスタTr12は、第34、第35、第36電極E34〜E36を有し、ゲートとして機能する第36電極E36に対する電位の付与に応じて第34電極E34と第35電極E35との間の電流が調整されるn型のTFTである。第34電極E34は、第8トランジスタTr8の第23電極E23に対して電気的に接続されている。第35電極E35は、第3トランジスタTr3の第7電極E7、第4トランジスタTr4の第12電極E12、第6トランジスタTr6の第18電極E18、第11トランジスタTr11の第32電極E32、および第14トランジスタTr14の第41電極E41に対してそれぞれ電気的に接続されている。つまり、第23電極E23と、第7、第12、および第18電極E7,E12,E18とが、第34および第35電極E34,E35を介して電気的に接続されている。第36電極E36は、第10端子部T10を介して第1モード信号線LSLに対して電気的に接続されている。なお、本実施形態では、第34電極E34がドレインとして機能し、第35電極E35がソースとして機能する。 The twelfth transistor Tr12 includes thirty-fourth, thirty-fifth, and thirty-sixth electrodes E34 to E36, and is provided between the thirty-fourth electrode E34 and the thirty-fifth electrode E35 in response to application of a potential to the thirty-sixth electrode E36 functioning as a gate. This is an n-type TFT whose current is adjusted. The thirty-fourth electrode E34 is electrically connected to the twenty-third electrode E23 of the eighth transistor Tr8. The 35th electrode E35 includes a seventh electrode E7 of the third transistor Tr3, a twelfth electrode E12 of the fourth transistor Tr4, an eighteenth electrode E18 of the sixth transistor Tr6, a thirty-second electrode E32 of the eleventh transistor Tr11, and a fourteenth transistor. Each is electrically connected to the 41st electrode E41 of Tr14. That is, the 23rd electrode E23 and the 7th, 12th, and 18th electrodes E7, E12, E18 are electrically connected via the 34th and 35th electrodes E34, E35. 36 electrode E36 is electrically connected to the first mode signal line L SL through the tenth terminal unit T 10. In the present embodiment, the 34th electrode E34 functions as a drain, and the 35th electrode E35 functions as a source.

第13トランジスタTr13は、第37、第38、第39電極E37〜E39を有し、ゲートとして機能する第39電極E39に対する電位の付与に応じて第37電極E37と第38電極E38との間の電流が調整されるn型のTFTである。第37電極E37は、第5端子部T5を介して第1信号線LDPに対して電気的に接続されている。第38電極E38は、第3トランジスタTr3の第9電極E9、第4トランジスタTr4の第10電極E10、第5トランジスタTr5の第15電極E15、第9トランジスタTr9の第26電極E26、および第10トランジスタTr10の第29電極E29に対してそれぞれ電気的に接続されている。第39電極E39は、第11端子部T11を介して第2モード信号線LPLに対して電気的に接続されている。なお、本実施形態では、第37電極E37がドレインとして機能し、第38電極E38がソースとして機能する。 The thirteenth transistor Tr13 includes 37th, 38th, and 39th electrodes E37 to E39, and is provided between the 37th electrode E37 and the 38th electrode E38 in response to application of a potential to the 39th electrode E39 functioning as a gate. This is an n-type TFT whose current is adjusted. 37 electrode E37 is electrically connected to the first signal line L DP via a fifth terminal unit T 5. The thirty-eighth electrode E38 includes the ninth electrode E9 of the third transistor Tr3, the tenth electrode E10 of the fourth transistor Tr4, the fifteenth electrode E15 of the fifth transistor Tr5, the twenty-sixth electrode E26 of the ninth transistor Tr9, and the tenth transistor. Each is electrically connected to the 29th electrode E29 of Tr10. 39 electrode E39 is electrically connected to the second mode signal line L PL via an eleventh terminal unit T 11. In the present embodiment, the 37th electrode E37 functions as a drain, and the 38th electrode E38 functions as a source.

第14トランジスタTr14は、第40、第41、第42電極E40〜E42を有し、ゲートとして機能する第42電極E42に対する電位の付与に応じて第40電極E40と第41電極E41との間の電流が調整されるn型のTFTである。第40電極E40は、第6端子部T6を介して第2信号線LDNに対して電気的に接続されている。第41電極E41は、第3トランジスタTr3の第7電極E7、第4トランジスタTr4の第12電極E12、第6トランジスタTr6の第18電極E18、第11トランジスタTr11の第32電極E32、および第12トランジスタTr12の第35電極E35に対してそれぞれ電気的に接続されている。第42電極E42は、第12端子部T12を介して第2モード信号線LPLに対して電気的に接続されている。なお、本実施形態では、第40電極E40がドレインとして機能し、第41電極E41がソースとして機能する。 The fourteenth transistor Tr14 has forty, forty and forty-second electrodes E40 to E42, and is provided between the forty-eighth electrode E40 and the forty-first electrode E41 according to the application of a potential to the forty-second electrode E42 functioning as a gate. This is an n-type TFT whose current is adjusted. The 40 electrode E40 is electrically connected to the second signal line L DN via the sixth terminal unit T 6. The forty-first electrode E41 includes the seventh electrode E7 of the third transistor Tr3, the twelfth electrode E12 of the fourth transistor Tr4, the eighteenth electrode E18 of the sixth transistor Tr6, the thirty-second electrode E32 of the eleventh transistor Tr11, and the twelfth transistor. Each is electrically connected to the 35th electrode E35 of Tr12. 42 electrode E42 is electrically connected to the second mode signal line L PL via the twelfth terminal portions T 12. In the present embodiment, the 40th electrode E40 functions as a drain, and the 41st electrode E41 functions as a source.

<偶数番目のブロック回路>
図16は、シフトレジスタ回路400を構成する偶数番目のブロック回路BL1,BL3,BL5,・・・,BLnの回路図である。なお、偶数番目のブロック回路BL1,BL3,BL5,・・・,BLnは、相互に同様なものであるため、図16では、その代表例として第3ブロック回路BL3の回路図が示されている。
<Even-numbered block circuit>
FIG. 16 is a circuit diagram of even-numbered block circuits BL 1 , BL 3 , BL 5 ,..., BL n constituting the shift register circuit 400. Since the even-numbered block circuits BL 1 , BL 3 , BL 5 ,..., BL n are similar to each other, FIG. 16 is a circuit diagram of the third block circuit BL 3 as a representative example. It is shown.

第3ブロック回路BL3の構成は、第2ブロック回路BL2の構成(図15)と比較して、第5トランジスタTr5の第13電極E13の接続先が異なっている。具体的には、第2ブロック回路BL2では、第13電極E13がクロック信号入力端子部TINを介して第1クロック信号線LCLKEに対して電気的に接続されているのに対して、第3ブロック回路BL3では、第13電極E13がクロック信号入力端子部TINを介して第2クロック信号線LCLKOに対して電気的に接続されている。なお、第3ブロック回路BL3のその他の構成については、第2ブロック回路BL2と同様な構成となっている。このため、図16では、第3ブロック回路BL3の構成のうち、第2ブロック回路BL2と同様な構成については同じ符号を付しており、ここでは、それらの同様な構成についての説明を省略する。 The configuration of the third block circuit BL 3 is different from the configuration of the second block circuit BL 2 (FIG. 15) in the connection destination of the 13th electrode E13 of the fifth transistor Tr5. Specifically, in the second block circuit BL 2, whereas it is electrically connected to the thirteenth electrode E13 via the clock signal input terminal unit T IN first clock signal line L CLKE, in the third block circuit BL 3, 13 electrode E13 is electrically connected to the second clock signal line L CLKO via a clock signal input terminal unit T iN. The other configuration of the third block circuit BL 3 is the same as that of the second block circuit BL 2 . For this reason, in FIG. 16, the same reference numerals are given to the same configuration as the second block circuit BL 2 in the configuration of the third block circuit BL 3 , and here, the description of the similar configuration will be given. Omitted.

<各ブロックの状態の遷移とシフトレジスタ回路における信号の流れ>
図17から図19は、シフトレジスタ回路400の各ブロック回路BL0〜BLnの状態の遷移、およびシフトレジスタ回路400における信号の流れについて説明するための図である。
<State transition of each block and signal flow in shift register circuit>
FIGS. 17 to 19 are diagrams for explaining the state transition of the block circuits BL 0 to BL n of the shift register circuit 400 and the signal flow in the shift register circuit 400. FIG.

図17では、第7〜10端子部T7〜T10に対して第1モード信号SSLが入力され、第11および第12端子部T11,T12に対して第2モード信号SPLが入力されず、第1、第4、および第5端子部T1,T4,T5に対して第1データ信号SDPが入力され、第2、第3、および第6端子部T2,T3,T6に対して第2データ信号SDNが入力されていない状態(第1シフトモード)における、各ブロック回路BL0〜BLnの状態の遷移、およびシフトレジスタ回路400での信号の流れについて示されている。 In FIG. 17, the first mode signal S SL is input to the seventh to tenth terminal portions T 7 to T 10 , and the second mode signal S PL is input to the eleventh and twelfth terminal portions T 11 and T 12 . The first data signal SDP is input to the first, fourth, and fifth terminal portions T 1 , T 4 , T 5 without being input, and the second, third, and sixth terminal portions T 2 , T 2 , Transition of the states of the block circuits BL 0 to BL n in the state where the second data signal S DN is not input to T 3 and T 6 (first shift mode), and the signal in the shift register circuit 400 The flow is shown.

第1シフトモードでは、各ブロック回路BL0〜BLnにおいて、第27、第30、第33、および第36電極E27,E30,E33,E36に対して、それぞれ第1モード信号SSLが付与されて、第9〜12トランジスタTr9〜Tr12が導通状態に設定され、第13および第14トランジスタTr13,Tr14が非導通状態に設定される。つまり、各ブロック回路BL0〜BLnが、図12で示したブロック回路BLYと同様な電気回路となる。より具体的には、第2および第20電極E2,E20が、第9、第10、第15電極E9,E10,E15に対してそれぞれ電気的に接続され、第5および第23電極E5,E23が、第7、第12、第18電極E7,E12,E18に対して電気的に接続される。 In the first shift mode, each block circuit BL 0 to BL n, 27, No. 30, with respect to 33, and 36 electrodes E27, E30, E33, E36, the first mode signal S SL respectively granted Thus, the ninth to twelfth transistors Tr9 to Tr12 are set to the conductive state, and the thirteenth and fourteenth transistors Tr13 and Tr14 are set to the non-conductive state. That is, each of the block circuits BL 0 to BL n is an electric circuit similar to the block circuit BL Y shown in FIG. More specifically, the second and twentieth electrodes E2, E20 are electrically connected to the ninth, tenth, fifteenth electrodes E9, E10, E15, respectively, and the fifth and twenty-third electrodes E5, E23 are connected. Are electrically connected to the seventh, twelfth, and eighteenth electrodes E7, E12, and E18.

図18では、第7〜10端子部T7〜T10に対して第1モード信号SSLが入力され、第11および第12端子部T11,T12に対して第2モード信号SPLが入力されず、第1、第4、および第5端子部T1,T4,T5に対して第1データ信号SDPが入力されず、第2、第3、および第6端子部T2,T3,T6に対して第2データ信号SDNが入力されている状態(第2シフトモード)における、各ブロック回路BL0〜BLnの状態の遷移、およびシフトレジスタ回路400での信号の流れについて示されている。 In FIG. 18, the first mode signal S SL is inputted to the seventh to tenth terminal portions T 7 to T 10 , and the second mode signal S PL is inputted to the eleventh and twelfth terminal portions T 11 and T 12 . The first data signal SDP is not input to the first, fourth, and fifth terminal portions T 1 , T 4 , T 5 without being input, and the second, third, and sixth terminal portions T 2 are not input. , T 3 , T 6 in the state in which the second data signal S DN is input (second shift mode), the state transition of each of the block circuits BL 0 to BL n and the signal in the shift register circuit 400 The flow of is shown.

この第2シフトモードでは、第1シフトモードと同様に、各ブロック回路BL0〜BLnにおいて、第9〜12トランジスタTr9〜Tr12が導通状態に設定されるとともに、第13および第14トランジスタTr13,Tr14が非導通状態に設定される。つまり、各ブロック回路BL0〜BLnが、図12で示したブロック回路BLYと同様な電気回路となる。 In the second shift mode, as in the first shift mode, the ninth to twelfth transistors Tr9 to Tr12 are set in the conductive state in each of the block circuits BL 0 to BL n , and the thirteenth and fourteenth transistors Tr13, Tr14 is set to a non-conductive state. That is, each of the block circuits BL 0 to BL n is an electric circuit similar to the block circuit BL Y shown in FIG.

図19では、第7〜10端子部T7〜T10に対して第1モード信号SSLが入力されていない状態(同時出力モード)における、各ブロック回路BL0〜BLnの状態の遷移、およびシフトレジスタ回路400での信号の流れについて示されている。この同時出力モードでは、各ブロック回路BL0〜BLnにおいて、第9〜12トランジスタTr9〜Tr12が非導通状態に設定されるとともに、第39および第42電極E39,E42に対して、所定のタイミングで第2モード信号SPLが付与されることにより、第13および第14トランジスタTr13,Tr14が導通状態に設定される。 In FIG. 19, the state transition of each of the block circuits BL 0 to BL n in a state where the first mode signal S SL is not input to the seventh to tenth terminal portions T 7 to T 10 (simultaneous output mode) The signal flow in the shift register circuit 400 is also shown. In this simultaneous output mode, the ninth to twelfth transistors Tr9 to Tr12 are set in a non-conducting state in each of the block circuits BL 0 to BL n and at a predetermined timing with respect to the thirty-ninth and forty-second electrodes E39 and E42. in by the second mode signal S PL is applied, thirteenth and fourteenth transistors Tr 13, Tr14 is set in a conducting state.

以下、図17から図19を適宜参照しつつ、第1シフトモード、第2シフトモード、および同時出力モードにおける各ブロック回路BL0〜BLnの状態の遷移とシフトレジスタ回路400における信号の流れとについて、順次説明する。 Hereinafter, referring to FIGS. 17 to 19 as appropriate, the state transition of each of the block circuits BL 0 to BL n in the first shift mode, the second shift mode, and the simultaneous output mode, and the signal flow in the shift register circuit 400, Will be described sequentially.

<第1シフトモード>
第1シフトモードでは、所定のタイミングで、一端側の第0ブロック回路BL0に対して、外部からセット信号SSETが付与される。その後、奇数番目の各ブロック回路BL0,BL2,BL4,・・・,BLn-1に対して第1クロック信号線LCLKEから第1クロック信号SCLKEが入力される状態(第1クロック信号入力状態)と、偶数番目の各ブロック回路BL1,BL3,BL5,・・・,BLnに対して第2クロック信号線LCLKOから第2クロック信号SCLKOが入力される状態(第2クロック信号入力状態)とに交互に設定される。
<First shift mode>
In the first shift mode, the set signal S SET is applied from the outside to the zeroth block circuit BL 0 on one end side at a predetermined timing. Then, the odd-numbered blocks circuits BL 0, BL 2, BL 4 , ···, while the first clock signal S CLKE is input from the first clock signal line L CLKE against BL n-1 (first a clock signal input state), a state in which the even-numbered blocks circuits BL 1, BL 3, BL 5 , ···, the second clock signal S CLKO from the second clock signal line L CLKO against BL n are input And (second clock signal input state) are alternately set.

ここで、図17を参照しつつ、第1シフトモードにおけるシフトレジスタ回路400の具体的な動作について説明する。   Here, a specific operation of the shift register circuit 400 in the first shift mode will be described with reference to FIG.

図17で示されるように、第1シフトモードでは、TG202からの信号に応じたセット信号SSETが外部から一端側の第0ブロック回路BL0のセット信号付与端子部TSETに対して付与されると、セット信号付与端子部TSETから第3および第6電極E3,E6に対してそれぞれセット信号SSETが付与される。このとき、第1および第2トランジスタTr1,Tr2がそれぞれ導通状態に設定される。また、第1信号線LDPにより第1端子部T1から第1トランジスタTr1を介して第9電極E9に対して第1データ信号SDPが付与され、第3トランジスタTr3が導通状態に設定される。また、第12電極E12に対しては第1および第2データ信号SDP,SDNの何れも付与されず、第4トランジスタTr4が非導通状態に設定される。 As shown in FIG. 17, in the first shift mode, the set signal S SET corresponding to the signal from the TG 202 is applied from the outside to the set signal application terminal portion T SET of the 0th block circuit BL 0 on one end side. Then, the set signal S SET is applied from the set signal applying terminal portion T SET to the third and sixth electrodes E3 and E6. At this time, the first and second transistors Tr1 and Tr2 are set to a conductive state, respectively. Further, the first signal line L DP first data signal S DP respect ninth electrode E9 from the first terminal portion T 1 via the first transistor Tr1 is given, the third transistor Tr3 is set to a conductive state The Further, the first and second data signals S DP and S DN are not applied to the twelfth electrode E12, and the fourth transistor Tr4 is set in a non-conductive state.

なお、本実施形態では、各ブロック回路BL0〜BLnの第3トランジスタTr3が導通状態に設定されている状態が、本発明の「第1設定状態」に相当する。そして、この状態では、各ブロック回路BL0〜BLnが、第3トランジスタTr3が導通状態に設定され、且つ第4トランジスタTr4が非導通状態に設定されている状態(アウト信号出力許可状態)となる。 In the present embodiment, the state in which the third transistors Tr3 of the block circuits BL 0 to BL n are set to the conductive state corresponds to the “first setting state” of the present invention. In this state, each of the block circuits BL 0 to BL n is in a state where the third transistor Tr3 is set in a conductive state and the fourth transistor Tr4 is set in a non-conductive state (out signal output permission state). Become.

アウト信号出力許可状態では、第5トランジスタTr5が導通状態に設定され、且つ第6トランジスタTr6が非導通状態に設定される。このとき、第1クロック信号線LCLKEから第0ブロック回路BL0に対する第1クロック信号SCLKEの入力に応答して、第0ブロック回路BL0のアウト信号出力端子部TOUTから第1クロック信号線LCLKEに応じたアウト信号SOUT(第0アウト信号SOUT0)が出力される。第0ブロック回路BL0から出力される第0アウト信号SOUT0は、第0ブロック回路BL0の次に配列される第1ブロック回路BL1のセット信号付与端子部TSETに対して、セット信号SSETとして付与される。 In the out signal output permission state, the fifth transistor Tr5 is set to the conductive state, and the sixth transistor Tr6 is set to the non-conductive state. At this time, the first clock signal line L CLKE in response to an input of the first clock signal S CLKE for the 0th block circuit BL 0, the first clock signal from the 0th block circuit BL 0 out signal output terminal section T OUT An out signal S OUT (0th out signal S OUT0 ) corresponding to the line L CLKE is output. The 0-out signal S OUT0 output from 0th block circuit BL 0 is the zeroth to the first block circuit BL 1 of the set signal applying terminal unit T SET arranged in the next block circuit BL 0, the set signal Granted as S SET .

第1ブロック回路BL1のセット信号付与端子部TSETに対して、第0ブロック回路BL0からセット信号SSETが付与されると、第1ブロック回路BL1がアウト信号出力許可状態に設定される。そして、第2クロック信号線LCLKOから第1ブロック回路BL1に対する第2クロック信号SCLKOの入力に応答して、第1ブロック回路BL1のアウト信号出力端子部TOUTから第2クロック信号線LCLKOに応じたアウト信号SOUT(第1アウト信号SOUT1)が出力される。第1ブロック回路BL1から出力される第1アウト信号SOUT1は、該第1ブロック回路BL1の次に配列される第2ブロック回路BL2のセット信号付与端子部TSETに対して、セット信号SSETとして付与される。 The first block circuit BL 1 set signal applying terminal unit T SET, the set signal S SET is applied from the 0th block circuit BL 0, the first block circuit BL 1 is set in the out signal output enable state The Then, from the second clock signal line L CLKO in response to an input of the second clock signal S CLKO to the first block circuit BL 1, the second clock signal line from the first block circuit BL 1 out signal output terminal section T OUT An out signal S OUT (first out signal S OUT1 ) corresponding to L CLKO is output. The first out signal S OUT1 output from the first block circuit BL 1 is set to the set signal application terminal portion T SET of the second block circuit BL 2 arranged next to the first block circuit BL 1. It is given as signal S SET .

また、第1ブロック回路BL1から出力される第1アウト信号SOUT1は、該第1ブロック回路BL1の前に配列される第0ブロック回路BL0のリセット信号付与端子部TRESETに対して、リセット信号SRESETとして付与される。このとき、リセット信号付与端子部TRESETから第21および第24電極E21,E24に対してそれぞれリセット信号SRESETが付与される。その結果、第7および第8トランジスタTr7,Tr8がそれぞれ導通状態に設定される。そして、第1信号線LDPにより第4端子部T4から第8トランジスタTr8を介して第12電極E12に対して第1データ信号SDPが付与され、第4トランジスタTr4が導通状態に設定される。一方、第9電極E9に対しては第1および第2データ信号SDP,SDNの何れも付与されないため、第3トランジスタTr3が非導通状態に設定される。 Further, the first out signal S OUT1 output from the first block circuit BL 1 is in response to the reset signal application terminal portion T RESET of the zeroth block circuit BL 0 arranged before the first block circuit BL 1 . The reset signal S RESET is applied. At this time, the reset signal S RESET respectively, are given to the 21 and the 24 electrodes E21, E24 from the reset signal applied terminal unit T RESET. As a result, the seventh and eighth transistors Tr7 and Tr8 are set in a conductive state, respectively. Then, the first signal line L DP first data signal S DP respect twelfth electrode E12 from the fourth terminal portions T 4 via the eighth transistor Tr8 is applied, the fourth transistor Tr4 is set to a conductive state The On the other hand, since the first and second data signals S DP and S DN are not applied to the ninth electrode E9, the third transistor Tr3 is set in a non-conductive state.

なお、本実施形態では、各ブロック回路BL0〜BLnの第4トランジスタTr4が導通状態に設定されている状態が、本発明の「第2設定状態」に相当する。そして、この状態では、各ブロック回路BL0〜BLnが、第3トランジスタTr3が非導通状態に設定され、且つ第4トランジスタTr4が導通状態に設定されている状態(アウト信号出力禁止状態)となる。 In the present embodiment, the state in which the fourth transistors Tr4 of the block circuits BL 0 to BL n are set to the conductive state corresponds to the “second setting state” of the present invention. In this state, each of the block circuits BL 0 to BL n is in a state where the third transistor Tr3 is set in a non-conductive state and the fourth transistor Tr4 is set in a conductive state (out signal output prohibited state). Become.

アウト信号出力禁止状態では、第5トランジスタTr5が非導通状態となり、第6トランジスタTr6が導通状態となる。このとき、第1クロック信号線LCLKEから第0ブロック回路BL0に対して第1クロック信号SCLKEが入力されても、第0ブロック回路BL0のアウト信号出力端子部TOUTから第1クロック信号線LCLKEに応じたアウト信号SOUT(第0アウト信号SOUT0)が出力されない。 In the out signal output prohibited state, the fifth transistor Tr5 is turned off and the sixth transistor Tr6 is turned on. At this time, even if the first clock signal S CLKE is input from the first clock signal line L CLKE to the 0th block circuit BL 0 , the first clock is output from the out signal output terminal T OUT of the 0th block circuit BL 0. The out signal S OUT (the 0th out signal S OUT0 ) corresponding to the signal line L CLKE is not output.

そして、上述したように、第1シフトモードでは、各ブロック回路BL0〜BLnは、第1クロック信号入力状態と、第2クロック信号入力状態とに順次に設定される。このため、シフトレジスタ回路400では、次のような動作が行われる。 As described above, in the first shift mode, the block circuits BL 0 to BL n are sequentially set to the first clock signal input state and the second clock signal input state. Therefore, the shift register circuit 400 performs the following operation.

まず、外部からセット信号SSETが、第0ブロック回路BL0に対して入力されると、該第0ブロック回路BL0がアウト信号出力許可状態に設定される。そして、第0ブロック回路BL0に対して第1クロック信号SCLKEが入力されると、該第1クロック信号SCLKEに応じた第0アウト信号SOUT0が第0ブロック回路BL0から出力される。 First, when the set signal S SET is input from the outside to the 0th block circuit BL 0 , the 0th block circuit BL 0 is set to an out signal output permission state. When the first clock signal S CLKE relative 0th block circuit BL 0 is input, the 0-out signal S OUT0 corresponding to the first clock signal S CLKE is output from the 0th block circuit BL 0 .

次に、第0アウト信号SOUT0が、セット信号SSETとして第1ブロック回路BL1に対して入力され、該第1ブロック回路BL1がアウト信号出力許可状態に設定される。そして、第1ブロック回路BL1に対して第2クロック信号SCLKOが入力されると、該第2クロック信号SCLKOに応じた第1アウト信号SOUT1が第1ブロック回路BL1から出力される。 Then, the 0th-out signal S OUT0 is input to the first block circuit BL 1 as a set signal S SET, the first block circuit BL 1 is set to the out signal output enable state. When the second clock signal S CLKO to the first block circuit BL 1 is input, first-out signal S OUT1 corresponding to the second clock signal S CLKO is outputted from the first block circuit BL 1 .

その次に、第1アウト信号SOUT1が、セット信号SSETとして第2ブロック回路BL2に対して入力されるとともに、該第1アウト信号SOUT1が、リセット信号SRESETとして第0ブロック回路BL0に対して入力される。このとき、第2ブロック回路BL2がアウト信号出力許可状態に設定されるとともに、第0ブロック回路BL0がアウト信号出力禁止状態に設定される。そして、第2ブロック回路BL2に対して第1クロック信号SCLKEが入力されると、該第1クロック信号SCLKEに応じた第2アウト信号SOUT2が第2ブロック回路BL2から出力される。なお、第0ブロック回路BL0はアウト信号出力禁止状態に設定されているため、第0ブロック回路BL0に対して第1クロック信号SCLKEが入力されても、該第0ブロック回路BL0から第0アウト信号SOUT0は出力されない。 The next, first-out signal S OUT1 is, is input to the second circuit block BL 2 as a set signal S SET, first-out signal S OUT1 is, the 0th block circuit BL as a reset signal S RESET Input for 0 . At this time, the second circuit block BL 2 together with the set Out signal output enable state, the 0th block circuit BL 0 is set to the out signal output disabled state. When the first clock signal S CLKE the second block circuit BL 2 is input, the second out signal S OUT2 in response to the first clock signal S CLKE is output from the second circuit block BL 2 . Since the 0th block circuit BL 0 is set to the out signal output disabled state, even if the first clock signal S CLKE relative 0th block circuit BL 0 is inputted, from said 0 block circuit BL 0 The 0th out signal S OUT0 is not output.

このような動作が繰り返されることで、前に配列されたブロック回路から出力されるアウト信号SOUTに応答して、第1〜nブロック回路BL1〜BLnが一端側から他端側に向けて順次にアウト信号出力許可状態に設定される。そして、アウト信号出力許可状態に設定されたブロック回路は、次に配列されるブロック回路から出力されるアウト信号SOUTに応答して、アウト信号出力禁止状態に設定される。つまり、シフトレジスタ回路400では、各ブロック回路BL0〜BLnが、アウト信号出力許可状態とアウト信号出力禁止状態とに順次に設定される。 By repeating such an operation, the first to n block circuits BL 1 to BL n are directed from one end side to the other end side in response to the out signal S OUT output from the previously arranged block circuits. Are sequentially set to the out signal output permission state. Then, the block circuit set to the out signal output permission state is set to the out signal output prohibition state in response to the out signal S OUT output from the block circuit arranged next. That is, in the shift register circuit 400, the block circuits BL 0 to BL n are sequentially set to the out signal output permission state and the out signal output prohibition state.

第nブロック回路BLnについては、次に配列されるブロック回路が存在していない。このため、TG202からの信号に応じて所定のタイミングで外部からリセット信号SRESETが入力されることで、第nブロック回路BLnがアウト信号出力許可状態からアウト信号出力禁止状態に設定される。但し、第1、第4、および第5端子部T1,T4,T5に対して第1データ信号SDPが入力されず、且つ第2、第3、および第6端子部T2,T3,T6に対して第2データ信号SDNが入力される状態に変更して、第7〜10端子部T7〜T10に対して第1モード信号SSLが入力される状態から、第11および第12端子部T11,T12に対して第2モード信号SPLが入力される状態に切り替えても、第nブロック回路BLnをアウト信号出力許可状態からアウト信号出力禁止状態に設定することができる。 For the n-th block circuit BL n, there is no block circuit arranged next. Therefore, by the reset signal S RESET from outside at a predetermined timing in response to a signal from TG202 is input, the n-th block circuit BL n are set from the out signal output enable state out signal output disabled state. However, the first data signal SDP is not input to the first, fourth, and fifth terminal portions T 1 , T 4 , T 5 , and the second, third, and sixth terminal portions T 2 , T 2 , and changes to T 3, T 6 in a state where the second data signal S DN is input, a state in which the first mode signal S SL against 7-10 terminal unit T 7 through T 10 is inputted Even when the second mode signal SPL is switched to the state where the eleventh and twelfth terminal portions T 11 and T 12 are input, the nth block circuit BL n is changed from the out signal output enable state to the out signal output disable state. Can be set to

そして、各ブロック回路BL0〜BLnは、次のブロック回路の更に次に配列されるブロック回路がアウト信号出力禁止状態からアウト信号出力許可状態に設定されるタイミングで、アウト信号出力許可状態からアウト信号出力禁止状態に設定される。つまり、第0〜nブロック回路BL0〜BLnにおいて、連続して配列され且つアウト信号出力許可状態に設定されている2つのブロック回路が、一端側から他端側に1つのブロック回路ずつ順次にシフトする。図17では、このシフトの方向が矢印ArSHIFTで示されている。 Each of the block circuits BL 0 to BL n is moved from the out signal output permission state at a timing when a block circuit arranged next to the next block circuit is set from the out signal output inhibition state to the out signal output permission state. The out signal output disabled state is set. That is, in the 0th to n-th block circuits BL 0 to BL n , two block circuits arranged in succession and set in the out signal output permission state are sequentially sequentially one block circuit from one end side to the other end side. Shift to. In FIG. 17, the direction of this shift is indicated by an arrow Ar SHIFT .

このようにして、第1シフトモードに設定されたシフトレジスタ回路400では、一端側に配列されている第0ブロック回路BL0のセット信号付与端子部TSETに対して、外部からセット信号SSETが付与された後に、第1クロック信号入力状態と、第2クロック信号入力状態とに交互に設定され、第0〜nアウト信号SOUT0〜SOUTnが順次に出力される。すなわち、第1シフトモードでは、シフトレジスタ回路400が、第0アウト信号SOUT0、第1アウト信号SOUT1、第2アウト信号SOUT2、・・・、第nアウト信号SOUTnの順に各アウト信号SOUT0〜SOUTnを順次に出力する。そして、画像表示装置1では、1フレーム分の画像の表示時に、この第0〜nアウト信号SOUT0〜SOUTnが順次に出力される動作が1回行われる。したがって、動画を構成する複数フレーム分の画像が順次に表示される際には、第0〜nアウト信号SOUT0〜SOUTnが順次に出力される動作が複数回繰り返して行われる。 In this way, in the shift register circuit 400 set in the first shift mode, the set signal S SET is externally applied to the set signal application terminal portion T SET of the zeroth block circuit BL 0 arranged on one end side. , The first clock signal input state and the second clock signal input state are alternately set, and the 0th to n-th out signals S OUT0 to S OUTn are sequentially output. In other words, in the first shift mode, the shift register circuit 400 operates in order of the 0th out signal S OUT0 , the first out signal S OUT1 , the second out signal S OUT2 ,. S OUT0 to S OUTn are sequentially output. In the image display apparatus 1, when the display of one frame of the image, the operation which the first 0~n out signal S OUT0 to S OUTn is output sequentially is performed once. Therefore, when images of a plurality of frames constituting a moving image are sequentially displayed, the operation of sequentially outputting the 0th to n-th out signals S OUT0 to S OUTn is repeatedly performed a plurality of times.

<第2シフトモード>
第2シフトモードでは、第1シフトモードと同様に、第1クロック信号入力状態と第2クロック信号入力状態とに交互に設定される。そして、所定のタイミングで、他端側の第nブロック回路BLnに対して、外部からリセット信号SRESETが付与される。
<Second shift mode>
In the second shift mode, similarly to the first shift mode, the first clock signal input state and the second clock signal input state are alternately set. Then, at a predetermined timing, a reset signal S RESET is applied from the outside to the n- th block circuit BL n on the other end side.

但し、第1シフトモードでは、各ブロック回路BL0〜BLnに対して、第1信号線LDPから第1データ信号SDPが付与されるとともに、第2信号線LDNから第2データ信号SDNが付与されないのに対して、第2シフトモードでは、各ブロック回路BL0〜BLnに対して、第2信号線LDNから第2データ信号SDNが付与されるとともに、第1信号線LDPから第1データ信号SDPが付与されない。そして、第1シフトモードでは、シフトレジスタ回路400が、第0アウト信号SOUT0、第1アウト信号SOUT1、第2アウト信号SOUT2、・・・、第nアウト信号SOUTnの順に各アウト信号SOUT0〜SOUTnを順次に出力するのに対して、第2シフトモードでは、シフトレジスタ回路400が、第nアウト信号SOUTn、第n−1アウト信号SOUTn-1、第n−2アウト信号SOUTn-2、・・・、第0アウト信号SOUT0の順に各アウト信号SOUT0〜SOUTnを順次に出力する。 However, in the first shift mode, the first data signal S DP is applied from the first signal line L DP to each of the block circuits BL 0 to BL n and the second data signal from the second signal line L DN . Whereas S DN is not provided, in the second shift mode, the second data signal S DN is provided from the second signal line L DN to each of the block circuits BL 0 to BL n , and the first signal The first data signal S DP is not applied from the line L DP . In the first shift mode, the shift register circuit 400 operates in order of the 0th out signal S OUT0 , the first out signal S OUT1 , the second out signal S OUT2 ,..., And the nth out signal S OUTn. In contrast to sequentially outputting S OUT0 to S OUTn , in the second shift mode, the shift register circuit 400 causes the n-th out signal S OUTn , the n−1-th out signal S OUTn−1 , and the n− 2th out. The respective out signals S OUT0 to S OUTn are sequentially output in the order of the signals S OUTn-2 ,..., The 0th out signal S OUT0 .

ここで、図18を参照しつつ、第2シフトモードにおけるシフトレジスタ回路400の具体的な動作について説明する。   Here, a specific operation of the shift register circuit 400 in the second shift mode will be described with reference to FIG.

図18で示されるように、第2シフトモードでは、TG202からの信号に応じたリセット信号SRESETが外部から他端側の第nブロック回路BLnのリセット信号付与端子部TRESETに対して付与されると、リセット信号付与端子部TRESETから第21および第24電極E21,E24に対してそれぞれリセット信号SRESETが付与される。このとき、第7および第8トランジスタTr7,Tr8がそれぞれ導通状態となる。そして、第2信号線LDNにより第3端子部T3から第7トランジスタTr7を介して第9電極E9に対して第2データ信号SDNが付与され、第3トランジスタTr3が導通状態に設定される。また、第12電極E12に対しては第1および第2データ信号SDP,SDNの何れも付与されず、第4トランジスタTr4が非導通状態に設定される。すなわち、第nブロック回路BLnがアウト信号出力許可状態に設定される。 As shown in FIG. 18, in the second shift mode, the reset signal S RESET corresponding to the signal from the TG 202 is given from the outside to the reset signal giving terminal portion T RESET of the n-th block circuit BL n on the other end side. When the reset signal S rESET respectively, are given to the 21 and the 24 electrodes E21, E24 from the reset signal applied terminal unit T rESET. At this time, the seventh and eighth transistors Tr7 and Tr8 are each turned on. Then, the second signal line L DN second data signal S DN against the third terminal portion T 3 via the seventh transistor Tr7 ninth electrode E9 is applied, the third transistor Tr3 is set to a conductive state The Further, the first and second data signals S DP and S DN are not applied to the twelfth electrode E12, and the fourth transistor Tr4 is set in a non-conductive state. That is, the n-th block circuit BL n are set to out signal output enable state.

このとき、第2クロック信号線LCLKOから第nブロック回路BLnに対する第2クロック信号SCLKOの入力に応答して、第nブロック回路BLnのアウト信号出力端子部TOUTから第2クロック信号SCLKOに応じたアウト信号SOUT(第nアウト信号SOUTn)が出力される。第nブロック回路BLnから出力される第nアウト信号SOUTnは、第nブロック回路BLnの前に配列される第n−1ブロック回路BLn-1のリセット信号付与端子部TRESETに対して、リセット信号SRESETとして付与される。 At this time, the second clock signal line L CLKO in response to an input of the second clock signal S CLKO for the first n block circuit BL n, the second clock signal from the out-signal output terminal section T OUT of the n block circuit BL n An out signal S OUT (n-th out signal S OUTn ) corresponding to S CLKO is output. The n-out signal S OUTn output from the n-th block circuit BL n, compared the (n-1) block circuit BL n-1 of the reset signal applying terminal unit T RESET arranged in front of the n block circuit BL n The reset signal S RESET is applied.

第n−1ブロック回路BLn-1のリセット信号付与端子部TRESETに対して、第nブロック回路BLnからのリセット信号SRESETが付与されると、第n−1ブロック回路BLn-1がアウト信号出力許可状態に設定される。そして、第1クロック信号線LCLKEから第n−1ブロック回路BLn-1に対する第1クロック信号SCLKEの入力に応答して、第n−1ブロック回路BLn-1のアウト信号出力端子部TOUTから第1クロック信号SCLKEに応じたアウト信号SOUT(第n−1アウト信号SOUTn-1)が出力される。第n−1ブロック回路BLn-1から出力される第n−1アウト信号SOUTn-1は、該第n−1ブロック回路BLn-1の前に配列される第n−2ブロック回路BLn-2のリセット信号付与端子部TRESETに対して、リセット信号SRESETとして付与される。 Against the n-1 block circuit BL n-1 of the reset signal applying terminal unit T RESET, a reset signal S RESET from the first n block circuit BL n is applied, the n-1 block circuit BL n-1 Is set to the out signal output permission state. Then, the first clock signal line L CLKE in response to an input of the first clock signal S CLKE for the first n-1 block circuit BL n-1, the n-1 block circuit BL n-1 of the out signal output terminal portion An out signal S OUT (n− 1th out signal S OUTn−1 ) corresponding to the first clock signal S CLKE is output from T OUT . The (n−1) th out signal S OUTn−1 output from the (n−1) th block circuit BL n−1 is the n− 2th block circuit BL arranged before the n− 1th block circuit BL n−1. A reset signal S RESET is applied to the n-2 reset signal application terminal T RESET .

また、第n−1ブロック回路BLn-1から出力される第n−1アウト信号SOUTn-1は、該第n−1ブロック回路BLn-1の次に配列される第nブロック回路BLnのセット信号付与端子部TSETに対して、セット信号SSETとして付与される。このとき、セット信号付与端子部TSETから第3および第6電極E3,E6に対してそれぞれセット信号SSETが付与される。このため、第1および第2トランジスタTr1,Tr2がそれぞれ導通状態となる。このとき、第2信号線LDNにより第2端子部T2から第2トランジスタTr2を介して第12電極E12に対して第2データ信号SDNが付与され、第4トランジスタTr4が導通状態に設定される。一方、第9電極E9に対しては第1および第2データ信号SDP,SDNの何れも付与されないため、第3トランジスタTr3が非導通状態に設定される。 Further, the n-1-out signal S OUTn-1 output from the (n-1) block circuit BL n-1, the said n-1 block circuit BL n-1 of the n block circuit BL arranged in the following The set signal S SET is applied to the n set signal application terminal T SET . At this time, the set signal S SET is applied to the third and sixth electrodes E3 and E6 from the set signal applying terminal portion T SET . For this reason, the first and second transistors Tr1 and Tr2 are turned on. At this time, the second data signal S DN is applied from the second terminal portion T 2 to the twelfth electrode E 12 via the second transistor Tr 2 by the second signal line L DN , and the fourth transistor Tr 4 is set to the conductive state. Is done. On the other hand, since the first and second data signals S DP and S DN are not applied to the ninth electrode E9, the third transistor Tr3 is set in a non-conductive state.

このとき、第5トランジスタTr5が非導通状態に設定され、且つ第6トランジスタTr6が導通状態に設定される。したがって、第2クロック信号線LCLKOから第nブロック回路BLnに対して第2クロック信号SCLKOが入力されても、アウト信号出力端子部TOUTから第2クロック信号線LCLKOに応じたアウト信号SOUT(第nアウト信号SOUTn)が出力されない。すなわち、第nブロック回路BLnがアウト信号出力禁止状態に設定される。 At this time, the fifth transistor Tr5 is set in a non-conductive state, and the sixth transistor Tr6 is set in a conductive state. Therefore, even if the second clock signal S CLKO is input from the second clock signal line L CLKO to the n-th block circuit BL n , the output corresponding to the second clock signal line L CLKO is output from the out signal output terminal portion T OUT . The signal S OUT (nth out signal S OUTn ) is not output. That is, the n-th block circuit BL n are set to out output disabled state.

そして、上述したように、第2シフトモードに設定されたシフトレジスタ回路400では、各ブロック回路BL0〜BLnは、第1クロック信号入力状態と第2クロック信号入力状態とに順次に設定される。このため、シフトレジスタ回路400では、次のような動作が行われる。 As described above, in the shift register circuit 400 set to the second shift mode, each of the block circuits BL 0 to BL n is sequentially set to the first clock signal input state and the second clock signal input state. The Therefore, the shift register circuit 400 performs the following operation.

まず、リセット信号SRESETが、外部から第nブロック回路BLnに対して入力されると、該第nブロック回路BLnがアウト信号出力許可状態に設定される。そして、第nブロック回路BLnに対して第2クロック信号SCLKOが入力されると、該第2クロック信号SCLKOに応じた第nアウト信号SOUTnが第nブロック回路BLnから出力される。 First, when the reset signal S RESET is externally input to the n-th block circuit BL n , the n-th block circuit BL n is set to an out signal output permission state. When the second clock signal S CLKO is input, the n-out signal S OUTn corresponding to the second clock signal S CLKO is outputted from the n block circuit BL n against the n block circuit BL n .

次に、第nアウト信号SOUTnが、リセット信号SRESETとして第n−1ブロック回路BLn-1に対して入力され、該第n−1ブロック回路BLn-1がアウト信号出力許可状態に設定される。そして、第n−1ブロック回路BLn-1に対して第1クロック信号SCLKEが入力されると、該第1クロック信号SCLKEに応じた第n−1アウト信号SOUTn-1が第n−1ブロック回路BLn-1から出力される。 Next, the n-th out signal S OUTn is input as the reset signal S RESET to the n−1-th block circuit BL n−1 , and the n−1-th block circuit BL n−1 enters the out signal output enable state. Is set. When the first clock signal S CLKE is input to the (n−1) th block circuit BL n−1 , the (n−1) th out signal S OUTn−1 corresponding to the first clock signal S CLKE is nth. -1 block circuit BLn -1 .

その次に、第n−1アウト信号SOUTn-1が、リセット信号SRESETとして第n−2ブロック回路BLn-2に対して入力されるとともに、該第n−1アウト信号SOUTn-1が、セット信号SSETとして第nブロック回路BLnに対して入力される。このとき、第n−2ブロック回路BLn-2がアウト信号出力許可状態に設定されるとともに、第nブロック回路BLnがアウト信号出力禁止状態に設定される。そして、第n−2ブロック回路BLn-2に対して第2クロック信号SCLKOが入力されると、該第2クロック信号SCLKOに応じた第n−2アウト信号SOUTn-2が第n−2ブロック回路BLn-2から出力される。また、第nブロック回路BLnはアウト信号出力禁止状態に設定されているため、第nブロック回路BLnに対して第2クロック信号SCLKOが入力されても、該第nブロック回路BLnから第nアウト信号SOUTnは出力されない。 Next, the (n−1) th out signal S OUTn−1 is input to the n− 2th block circuit BL n−2 as the reset signal S RESET and the n− 1th out signal S OUTn−1. but is input to the n-th block circuit BL n as the set signal S sET. At this time, the n-2 block circuit BL n-2, along with set to out signal output enable state, the n-th block circuit BL n are set to out output disabled state. When the second clock signal S CLKO is input to the n−2 block circuit BL n−2 , the n− 2th out signal S OUTn−2 corresponding to the second clock signal S CLKO is nth. -2 is output from the block circuit BLn -2 . Further, since the n-th block circuit BL n are set to out output disabled state, even if the second clock signal S CLKO against the n block circuit BL n is inputted, from said n block circuit BL n The n-th out signal S OUTn is not output.

このような動作が繰り返されることで、次に配列されたブロック回路から出力されるアウト信号SOUTに応答して、第0〜n−1ブロック回路BL0〜BLn-1が他端側から一端側に向けて順次にアウト信号出力許可状態に設定される。そして、アウト信号出力許可状態に設定されたブロック回路は、前に配列されるブロック回路から出力されるアウト信号SOUTに応答して、アウト信号出力禁止状態に設定される。つまり、シフトレジスタ回路400では、各ブロック回路BL0〜BLnが、アウト信号出力許可状態とアウト信号出力禁止状態とに順次に設定される。 By repeating such an operation, the 0th to ( n-1) th block circuits BL 0 to BL n−1 are connected from the other end side in response to the out signal S OUT output from the next arranged block circuit. The out signal output permission state is sequentially set toward one end side. Then, the block circuit set to the out signal output permission state is set to the out signal output prohibition state in response to the out signal S OUT output from the previously arranged block circuit. That is, in the shift register circuit 400, the block circuits BL 0 to BL n are sequentially set to the out signal output permission state and the out signal output prohibition state.

なお、第0ブロック回路BL0については、前に配列されるブロック回路が存在していない。このため、TG202からの信号に応じて所定のタイミングで外部からリセット信号SSETが入力されることで、第0ブロック回路BL0がアウト信号出力許可状態からアウト信号出力禁止状態に設定される。但し、外部から第0ブロック回路BL0に対してセット信号SSETを所定のタイミングで入力する代わりに、第7〜10端子部T7〜T10に対して第1モード信号SSLが入力される状態から、第11および第12端子部T11,T12に対して第2モード信号SPLが入力される状態に切り替えても、第0ブロック回路BL0をアウト信号出力許可状態からアウト信号出力禁止状態に設定することができる。 For the 0th block circuit BL 0, there is no previously arranged block circuit. Therefore, by the reset signal S SET is inputted from the outside at a predetermined timing in response to a signal from TG202, 0th block circuit BL 0 is set from the out signal output enable state out signal output disabled state. However, instead of inputting the set signal S SET from the outside to the 0th block circuit BL 0 at a predetermined timing, the first mode signal S SL is input to the seventh to tenth terminal portions T 7 to T 10 . Even if the second mode signal SPL is input to the eleventh and twelfth terminal portions T 11 and T 12 from the state in which the first block circuit BL 0 is switched from the out signal output permission state to the out signal, The output can be disabled.

そして、各ブロック回路BL0〜BLnは、前のブロック回路の更に前に配列されるブロック回路がアウト信号出力禁止状態からアウト信号出力許可状態に設定されるタイミングで、アウト信号出力許可状態からアウト信号出力禁止状態に設定される。つまり、第0〜nブロック回路BL0〜BLnにおいて、連続して配列され且つアウト信号出力許可状態に設定されている2つのブロック回路が、他端側から一端側に1つのブロック回路ずつ順次にシフトする。図18では、このシフトの方向が矢印ArSHIFTで示されている。 Each of the block circuits BL 0 to BL n is moved from the out signal output permission state at a timing when the block circuit arranged further before the previous block circuit is set from the out signal output inhibition state to the out signal output permission state. The out signal output disabled state is set. That is, in the 0th to n-th block circuits BL 0 to BL n , two block circuits arranged in succession and set in the out signal output permission state are sequentially sequentially one block circuit from the other end side to the one end side. Shift to. In FIG. 18, the direction of this shift is indicated by an arrow Ar SHIFT .

このようにして、第2シフトモードに設定されたシフトレジスタ回路400では、他端側に配列されている第nブロック回路BLnのリセット信号付与端子部TRESETに対して、外部からリセット信号SRESETが付与された後に、第2クロック信号入力状態と、第1クロック信号入力状態とに交互に設定され、第0〜nアウト信号SOUT0〜SOUTnが順次に出力される。すなわち、第2シフトモードでは、シフトレジスタ回路400が、第nアウト信号SOUTn、第n−1アウト信号SOUTn-1、第n−2アウト信号SOUTn-2、・・・、第0アウト信号SOUT0の順に各アウト信号SOUT0〜SOUTnを順次に出力する。 In this way, in the shift register circuit 400 set to the second shift mode, the reset signal S is externally applied to the reset signal application terminal portion T RESET of the n-th block circuit BL n arranged on the other end side. After the RESET is applied, the second clock signal input state and the first clock signal input state are alternately set, and the 0th to nth out signals S OUT0 to S OUTn are sequentially output. That is, in the second shift mode, the shift register circuit 400 includes the nth out signal S OUTn , the n−1 out signal S OUTn−1 , the n−2 out signal S OUTn− 2,. sequentially outputs each out signal S OUT0 to S OUTn in the order of the signal S OUT0.

<同時出力モード>
同時出力モードでは、第7〜10端子部T7〜T10に対して第1モード信号SSLが入力されないため、第9〜12トランジスタTr9〜Tr12が非導通状態に設定されている。また、第11および第12端子部T11,T12に対して第2モード信号SPLが、所定のタイミングで入力されることにより、全てのブロック回路BL0〜BLnにおいて、第13および第14トランジスタTr13,Tr14が導通状態に設定される。
<Simultaneous output mode>
The simultaneous output mode, the first mode signal S SL against 7-10 terminal unit T 7 through T 10 is not input, the 9-12 transistor Tr9~Tr12 is set to a non-conductive state. In addition, the second mode signal SPL is input to the eleventh and twelfth terminal portions T 11 and T 12 at a predetermined timing, so that the thirteenth and twelfth circuits in all the block circuits BL 0 to BL n . The 14 transistors Tr13 and Tr14 are set in a conductive state.

図19で示されるように、同時出力モードでは、各ブロック回路BL0〜BLnの第9〜12トランジスタTr9〜Tr12が非導通状態に設定され、第1信号線LDPから各ブロック回路BL0〜BLnに第1データ信号SDPが付与され、且つ第2信号線LDNから各ブロック回路BL0〜BLnに第2データ信号SDNが付与されていない状態で、第11および第12端子部T11,T12に対して第2モード信号SPLが入力される。このとき、全てのブロック回路BL0〜BLnにおいて、第13および第14トランジスタTr13,Tr14が導通状態に設定され、第1信号線LDPから第13トランジスタTr13を介して第9、第10、および第15電極E9,E10,E15に対して第1データ信号SDPが付与され、第2信号線LDNからは第14トランジスタTr14を介して第7、第12、および第18電極E7,E12,E18に対して第2データ信号SDNが付与されない。その結果、各第3トランジスタTr3が非導通状態に設定され、各第4トランジスタTr4が導通状態に設定される。このため、全てのブロック回路BL0〜BLnにおいて、第5トランジスタTr5が導通状態に設定されるとともに、第6トランジスタTr6が非導通状態に設定される。すなわち、全てのブロック回路BL0〜BLnが、同時にアウト信号出力許可状態に設定される。 As shown in FIG. 19, in the simultaneous output mode, the ninth to twelfth transistors Tr9 to Tr12 of the block circuits BL 0 to BL n are set in a non-conducting state, and each block circuit BL 0 is connected from the first signal line L DP. In the state where the first data signal SDP is applied to .about.BL n and the second data signal S DN is not applied from the second signal line L DN to each of the block circuits BL 0 to BL n . The second mode signal SPL is input to the terminal portions T 11 and T 12 . At this time, in all the block circuit BL 0 to BL n, thirteenth and fourteenth transistors Tr 13, Tr14 is set to the conductive state, the ninth from the first signal line L DP through the thirteenth transistor Tr 13, 10, and 15 electrode E9, E10, the first data signal S DP against E15 is assigned, from the second signal line L DN through the fourteenth transistor Tr14 seventh, twelfth, and eighteenth electrode E7, E12 , E18 is not given the second data signal S DN . As a result, each third transistor Tr3 is set in a non-conductive state, and each fourth transistor Tr4 is set in a conductive state. For this reason, in all the block circuits BL 0 to BL n , the fifth transistor Tr5 is set to a conductive state and the sixth transistor Tr6 is set to a non-conductive state. That is, all the block circuits BL 0 to BL n are simultaneously set to the out signal output permission state.

そして、所定のタイミングで、奇数番目の各ブロック回路BL0,BL2,BL4,・・・,BLn-1に対して第1クロック信号線LCLKEから第1クロック信号SCLKEが入力され、且つ偶数番目の各ブロック回路BL1,BL3,BL5,・・・,BLに対して第2クロック信号線LCLKOから第2クロック信号SCLKOが入力される。このとき、奇数番目のブロック回路BL0,BL2,BL4,・・・,BLn-1から第1クロック信号SCLKEに応じたアウト信号SOUT0,SOUT2,SOUT4,・・・,SOUTn-1が出力され、偶数番目のブロック回路BL1,BL3,BL5,・・・,BLnから第2クロック信号SCLKOに応じたアウト信号SOUT1,SOUT3,SOUT5,・・・,SOUTnが出力される。すなわち、全てのブロック回路BL0〜BLnから、同時にアウト信号SOUT0〜SOUTnがそれぞれ出力される。 At a predetermined timing, the first clock signal S CLKE is input from the first clock signal line L CLKE to the odd-numbered block circuits BL 0 , BL 2 , BL 4 ,..., BL n−1 . The second clock signal S CLKO is input from the second clock signal line L CLKO to the even-numbered block circuits BL 1 , BL 3 , BL 5 ,. At this time, the odd-numbered block circuit BL 0, BL 2, BL 4 , ···, out signal corresponding from BL n-1 to the first clock signal S CLKE S OUT0, S OUT2, S OUT4, ···, S OUTn-1 is output, the even-numbered block circuit BL 1, BL 3, BL 5 , ···, out signal corresponding to the second clock signal S CLKO from BL n S OUT1, S OUT3, S OUT5, · .., S OUTn is output. That is, out signals S OUT0 to S OUTn are simultaneously output from all the block circuits BL 0 to BL n , respectively.

また、全てのブロック回路BL0〜BLnにおいて、第2モード信号SPLが入力され、第1信号線LDPから第13トランジスタTr13を介して第9、第10、および第15電極E9,E10,E15に対して第1データ信号SDPが付与されず、且つ第2信号線LDNから第14トランジスタTr14を介して第7、第12、および第18電極E7,E12,E18に対して第2データ信号SDNが付与されている場合には、第3トランジスタTr3が非導通状態に設定され、第4トランジスタTr4が導通状態に設定される。このとき、全てのブロック回路BL0〜BLnにおいて、第5トランジスタTr5が非導通状態に設定されるとともに、第6トランジスタTr6が導通状態に設定される。すなわち、全てのブロック回路BL0〜BLnが、同時にアウト信号出力禁止状態に設定される。 Further, in all the block circuit BL 0 to BL n, the second mode signal S PL is input, the ninth from the first signal line L DP through the thirteenth transistor Tr 13, 10, and 15 electrode E9, E10 first data signal S DP is not granted to E15, and the seventh and the second signal line L DN through the fourteenth transistor Tr14, the relative twelfth, and eighteenth electrode E7, E12, E18 When the 2 data signal S DN is applied, the third transistor Tr3 is set in a non-conductive state and the fourth transistor Tr4 is set in a conductive state. At this time, in all the block circuits BL 0 to BL n , the fifth transistor Tr5 is set in a non-conductive state and the sixth transistor Tr6 is set in a conductive state. That is, all the block circuits BL 0 to BL n are simultaneously set to the out signal output prohibited state.

また、全てのブロック回路BL0〜BLnにおいて、第2モード信号SPLが入力され、第1信号線LDPから第13トランジスタTr13を介して第9、第10、および第15電極E9,E10,E15に対して第1データ信号SDPが付与されず、且つ第2信号線LDNから第14トランジスタTr14を介して第7、第12、および第18電極E7,E12,E18に対して第2データ信号SDNも付与されていない場合には、アウト信号出力端子部TOUTの電位が流動的な状態(フローティング状態)となり、第0〜nアウト信号SOUT0〜SOUTnの電位も流動的な電位VHiZとなる。 Further, in all the block circuit BL 0 to BL n, the second mode signal S PL is input, the ninth from the first signal line L DP through the thirteenth transistor Tr 13, 10, and 15 electrode E9, E10 first data signal S DP is not granted to E15, and the seventh and the second signal line L DN through the fourteenth transistor Tr14, the relative twelfth, and eighteenth electrode E7, E12, E18 when the second data signal S DN is also not been granted, the potential of the out signal output terminal section T oUT is in a state of flux (floating state), the potential of the 0~n out signal S OUT0 to S OUTn fluid Potential V HiZ .

更に、全てのブロック回路BL0〜BLnに対して、第2モード信号SPLが入力され、第1データ信号SDPが付与されず、第2データ信号SDNが付与され、且つ第1および第2クロック信号SCLKE,SCLKOが入力されない状態に設定されることで、全てのブロック回路BL0〜BLnからアウト信号SOUT0〜SOUTnが出力されない状態(静止状態)に設定される。 Further, the second mode signal SPL is input to all the block circuits BL 0 to BL n , the first data signal SDP is not applied, the second data signal SDN is applied, and the first and By setting the second clock signals S CLKE and S CLKO not to be input, it is set to a state in which the out signals S OUT0 to S OUTn are not output from all the block circuits BL 0 to BL n (stationary state).

なお、全てのブロック回路BL0〜BLnに対して、第1信号線LDPからの第1データ信号SDPの付与と、第2信号線LDNからの第2データ信号SDNの付与とが同時に行われることは、禁止される。仮に、全てのブロック回路BL0〜BLnに対して、第1および第2データ信号SDP,SDNが同時に付与されれば、第1および第2信号線LDP,SDNから低電位線LVLに向けて貫通電流が流れてしまう。 Note that the application of the first data signal S DP from the first signal line L DP and the application of the second data signal S DN from the second signal line L DN to all the block circuits BL 0 to BL n Are not allowed to occur simultaneously. If the first and second data signals S DP and S DN are simultaneously applied to all the block circuits BL 0 to BL n , the first and second signal lines L DP and S DN are connected to the low potential line. A through current flows toward LVL .

<シフトレジスタ回路の動作>
上述したように、図4で示された期間P1〜P6が繰り返されることで、各有機EL素子11の発光が繰り返されて、有機ELディスプレイ部3において出力画像信号に応じた動画像が表示される。そして、第0〜n走査信号線LSSの電位Vls0〜Vlsn、すなわちYドライバ回路4Yからの出力に着目すると、第0〜n走査信号線LSSの電位Vls0〜Vlsnが順次に高電位VgHとなる期間P4と、全ての第0〜n走査信号線LSSの電位Vls0〜Vlsnが低電位VgLとなる期間P2,P5,P6と、全ての第0〜n走査信号線LSSの電位Vls0〜Vlsnが高電位VgHとなる期間P1,P3とがある。そして、シフトレジスタ回路400が同時出力モードに設定されていれば、全ての第0〜n走査信号線LSSの電位Vls0〜Vlsnを低電位VgLおよび高電位VgHに設定することが可能である。
<Operation of shift register circuit>
As described above, by repeating the periods P1 to P6 shown in FIG. 4, the light emission of each organic EL element 11 is repeated, and a moving image corresponding to the output image signal is displayed on the organic EL display unit 3. The Then, the 0~n scanning signal line L SS potential V ls0 ~V lsn, i.e. when focusing on the output from the Y driver circuit 4Y, the potential V of the 0~n scanning signal line L SS ls0 ~V lsn is sequentially and the period P4 that a higher potential V gH, and period P2, P5, P6 of the potential V ls0 ~V lsn of all of the 0~n scanning signal line L SS becomes a low potential V gL, all of the 0~n scan There are periods P1 and P3 in which the potentials V ls0 to V lsn of the signal line L SS are at the high potential V gH . Then, when the shift register circuit 400 that are configured to simultaneously output mode, to set the potential V ls0 ~V lsn of all of the 0~n scanning signal line L SS to the low potential V gL and high potential V gH Is possible.

このため、本実施形態に係る画像表示装置1では、有機ELディスプレイ部3において出力画像信号に応じた動画像を表示する際には、Yドライバ回路4Yを構成するシフトレジスタ回路400が期間P4に対応して第1シフトモードに設定される期間(第1シフトモード期間)TSHIFTと、該シフトレジスタ回路400が期間P1〜P3,P5,P6に対応して同時出力モードに設定される期間(同時出力モード期間)TPARAとが交互に繰り返される。つまり、シフトレジスタ回路400は、第1モード信号線LSLから各ブロック回路BL0〜BLnに対して第1モード信号SSLが付与されている状態と、第1モード信号線LSLから各ブロック回路BL0〜BLnに対して第1モード信号SSLが付与されていない状態とに交互に設定される。 For this reason, in the image display device 1 according to the present embodiment, when the organic EL display unit 3 displays a moving image according to the output image signal, the shift register circuit 400 constituting the Y driver circuit 4Y is in the period P4. Correspondingly, the period (first shift mode period) T SHIFT in which the first shift mode is set, and the period in which the shift register circuit 400 is set in the simultaneous output mode corresponding to the periods P1 to P3, P5, P6 ( (Simultaneous output mode period) T PARA is repeated alternately. That is, the shift register circuit 400 includes a state in which the first mode signal S SL is applied from the first mode signal line L SL to each of the block circuits BL 0 to BL n and the first mode signal line L SL. The block circuits BL 0 to BL n are alternately set to a state where the first mode signal S SL is not applied.

図20は、有機ELディスプレイ部3において出力画像信号に応じた動画像を表示する際におけるシフトレジスタ回路400の動作に係るタイミングチャートである。なお、図20は、第1シフトモード期間TSHIFTと同時出力モード期間TPARAとが複数回繰り返されるうちの、1回分の第1シフトモード期間TSHIFT(時刻t2〜t17の期間)と同時出力モード期間TPARA(時刻t20〜t25の期間)とに着目したものである。 FIG. 20 is a timing chart relating to the operation of the shift register circuit 400 when displaying a moving image according to the output image signal in the organic EL display unit 3. FIG. 20 shows a first shift mode period T SHIFT (period from time t 2 to t 17 ) for one time out of the first shift mode period T SHIFT and the simultaneous output mode period T PARA being repeated a plurality of times. This is focused on the simultaneous output mode period T PARA (period from time t 20 to t 25 ).

図20では、横軸が時刻を示しており、上から順に、(a)外部から第0ブロック回路BL0へのセット信号SSET(以下「先頭セット信号SSETL」と称する)、(b)各ブロック回路BL0〜BLnにおける第1クロック信号SCLKE、(c)各ブロック回路BL0〜BLnにおける第2クロック信号SCLKO、(d)各ブロック回路BL0〜BLnにおける第1データ信号SDP、(e)各ブロック回路BL0〜BLnにおける第2データ信号SDN、(f)各ブロック回路BL0〜BLnにおける第1モード信号SSL、(g)各ブロック回路BL0〜BLnにおける第2モード信号SPL、(h)第0アウト信号SOUT0、(i)第1アウト信号SOUT1、(j)第2アウト信号SOUT2、(k)第3アウト信号SOUT3、(l)第n−1アウト信号SOUTn-1、および(m)第nアウト信号SOUTnの入力または出力タイミングについてそれぞれ示されている。図20では、各信号が入力または出力されている状態(High状態)が「1」、各信号が入力または出力されていない状態(Low状態)が「0」で示されている。なお、各信号の入力は、TG202からの信号に応じて制御される。 In FIG. 20, the horizontal axis indicates time, and in order from the top, (a) a set signal S SET from the outside to the 0th block circuit BL 0 (hereinafter referred to as “first set signal S SETL ”), (b) the first clock signal S CLKE in each block circuit BL 0 ~BL n, (c) second clock signal S CLKO in each block circuit BL 0 ~BL n, (d) first data in each block circuit BL 0 to BL n signal S DP, the second data signal S DN in (e) the block circuit BL 0 ~BL n, (f) a first mode signal S SL in each block circuit BL 0 ~BL n, (g) each block circuit BL 0 second mode signal S PL in ~BL n, (h) the zeroth-out signal S OUT0, (i) first-out signal S OUT1, (j) second out signal S OUT2, (k) a third out signal S OUT3 , (L) the (n-1) th out signal S OUTn-1 , And (m) The input or output timing of the n-th out signal S OUTn is shown. In FIG. 20, a state where each signal is input or output (High state) is indicated by “1”, and a state where each signal is not input or output (Low state) is indicated by “0”. Note that the input of each signal is controlled according to the signal from the TG 202.

図20で示されるように、まず、時刻t1において、第0ブロック回路BL0へ先頭セット信号SSETLが入力されておらず、各ブロック回路BL0〜BLnに第1クロック信号SCLKE、第2クロック信号SCLKO、第1データ信号SDP、および第1モード信号SSLが入力されておらず、且つ各ブロック回路BL0〜BLnに第2データ信号SDNおよび第2モード信号SPLが入力されている状態から、各ブロック回路BL0〜BLnに第2モード信号SPLが入力されていない状態(Low状態)に設定される。このとき、その他の信号の入力の状態は維持される。なお、以下の時間経過に対する信号の入出力の状態変化については、述べてられていない信号は、原則として、直前の信号の入出力の状態が維持されているものとする。 As shown in FIG. 20, first, at time t 1 , the head set signal S SETL is not input to the 0th block circuit BL 0 , and the first clock signal S CLKE and the second clock signal are input to the block circuits BL 0 to BLn . The clock signal S CLKO , the first data signal S DP , and the first mode signal S SL are not input, and the second data signal S DN and the second mode signal S PL are input to the block circuits BL0 to BLn. after that state, the second mode signal S PL is set to the state not input (Low state) to each block circuit BL0 to BLn. At this time, the input state of other signals is maintained. As for the signal input / output state changes with the passage of time described below, it is assumed that the signal input / output state of the immediately preceding signal is maintained in principle for signals not described.

時刻t2では、各ブロック回路BL0〜BLnに第1データ信号SDPおよび第1モード信号SSLが入力されている状態(High状態)に設定されるとともに、各ブロック回路BL0〜BLnに第2データ信号SDNが入力されていない状態(Low状態)に設定される。このとき、シフトレジスタ回路400が第1シフトモードに設定される。 At time t 2, the together with the first data signal S DP and the first mode signal S SL in the block circuit BL0 to BLn are set to a state that is entered (High state), the in each block circuit BL0 to BLn 2 It is set to a state (Low state) in which the data signal S DN is not input. At this time, the shift register circuit 400 is set to the first shift mode.

時刻t3〜t4では、第0ブロック回路BL0に対して先頭セット信号SSETLが入力されている状態(High状態)に設定される。このとき、第0ブロック回路BL0がアウト信号出力許可状態に設定される。 From time t 3 to t 4 , the head set signal S SETL is input to the 0th block circuit BL 0 (high state). At this time, the 0th block circuit BL 0 is set to the out signal output permission state.

時刻t5〜t6では、各ブロック回路BL0〜BLnに第1クロック信号SCLKEが入力されている状態(High状態)に設定される。このとき、第0ブロック回路BL0から第1クロック信号SCLKEに応じた第0アウト信号SOUT0が出力される。そして、第0アウト信号SOUT0が第1ブロック回路BL1に対するセット信号SSETとして、該第1ブロック回路BL1に対して入力され、該第1ブロック回路BL1がアウト信号出力許可状態に設定される。なお、時刻t6では、各ブロック回路BL0〜BLnに第1クロック信号SCLKEが入力されていない状態(Low状態)に設定される。 At time t 5 ~t 6, the first clock signal S CLKE is set to a state that is entered (High state) in each block circuit BL0 to BLn. At this time, the 0-out signal S OUT0 of the 0th block circuit BL 0 corresponding to the first clock signal S CLKE is output. Then, set as the 0-out signal S OUT0 is set signal S SET for the first block circuit BL 1, is input to the first block circuit BL 1, the first block circuit BL 1 is in the out-signal output enable state Is done. In the time t 6, the first clock signal S CLKE is set to a state not input (Low state) to each block circuit BL0 to BLn.

時刻t7〜t8では、各ブロック回路BL0〜BLnに第2クロック信号SCLKOが入力されている状態(High状態)に設定される。このとき、第1ブロック回路BL1から第2クロック信号SCLKOに応じた第1アウト信号SOUT1が出力される。そして、第1アウト信号SOUT1が第2ブロック回路BL2に対するセット信号SSETとして、該第2ブロック回路BL2に対して入力され、該第2ブロック回路BL2がアウト信号出力許可状態に設定される。また、第1アウト信号SOUT1が第0ブロック回路BL0に対するリセット信号SRESETとして、該第0ブロック回路BL0に対して入力され、該第0ブロック回路BL0がアウト信号出力禁止状態に設定される。なお、時刻t8では、各ブロック回路BL0〜BLnに第2クロック信号SCLKOが入力されていない状態(Low状態)に設定される。 At time t 7 ~t 8, the second clock signal S CLKO is set to a state that is entered (High state) in each block circuit BL0 to BLn. At this time, a first out signal S OUT1 corresponding to the second clock signal S CLKO is output from the first block circuit BL 1 . Then, set as the set signal S SET first-out signal S OUT1 is for the second block circuit BL 2, is input to the second block circuit BL 2, second block circuit BL 2 is the out signal output enable state Is done. Further, set as a reset signal S RESET first-out signal S OUT1 is for 0th block circuit BL 0, is input to said 0 block circuit BL 0, said 0 block circuit BL 0 is the out signal output disabled state Is done. In time t 8, the second clock signal S CLKO is set to a state not input (Low state) to each block circuit BL0 to BLn.

時刻t9〜t10では、各ブロック回路BL0〜BLnに第1クロック信号SCLKEが入力されている状態(High状態)に設定される。このとき、第2ブロック回路BL2から第1クロック信号SCLKEに応じた第2アウト信号SOUT2が出力される。そして、第2アウト信号SOUT2が第3ブロック回路BL3に対するセット信号SSETとして、該第3ブロック回路BL3に対して入力され、該第3ブロック回路BL3がアウト信号出力許可状態に設定される。また、第2アウト信号SOUT2が第1ブロック回路BL1に対するリセット信号SRESETとして、該第1ブロック回路BL1に対して入力され、該第1ブロック回路BL1がアウト信号出力禁止状態に設定される。なお、時刻t10では、各ブロック回路BL0〜BLnに第1クロック信号SCLKEが入力されていない状態(Low状態)に設定される。 At time t 9 ~t 10, the first clock signal S CLKE is set to a state that is entered (High state) in each block circuit BL0 to BLn. At this time, a second out signal S OUT2 corresponding to the first clock signal S CLKE is output from the second block circuit BL 2 . Then, setting as the second out signal S OUT2 is set signal S SET for the third block circuit BL 3, is input to the third block circuit BL 3, the third block circuit BL 3 Out signal output enable state Is done. Further, set as a reset signal S RESET second out signal S OUT2 is for the first block circuit BL 1, is input to the first block circuit BL 1, the first block circuit BL 1 within out signal output disabled state Is done. At time t 10 , the first clock signal S CLKE is not input to the block circuits BL0 to BLn (Low state).

時刻t11〜t12では、各ブロック回路BL0〜BLnに第2クロック信号SCLKOが入力されている状態(High状態)に設定される。このとき、第3ブロック回路BL3から第2クロック信号SCLKOに応じた第3アウト信号SOUT3が出力される。そして、第3アウト信号SOUT3が第4ブロック回路BL4に対するセット信号SSETとして、該第4ブロック回路BL4に対して入力され、該第4ブロック回路BL4がアウト信号出力許可状態に設定される。また、第3アウト信号SOUT3が第2ブロック回路BL2に対するリセット信号SRESETとして、該第2ブロック回路BL2に対して入力され、該第2ブロック回路BL2がアウト信号出力禁止状態に設定される。なお、時刻t12では、各ブロック回路BL0〜BLnに第2クロック信号SCLKOが入力されていない状態(Low状態)に設定される。 From time t 11 to t 12 , the block circuit BL 0 to BLn is set to a state (High state) in which the second clock signal S CLKO is input. At this time, a third out signal S OUT3 corresponding to the second clock signal S CLKO is output from the third block circuit BL 3 . Then, set as the set signal S SET third out signal S OUT3 is for the fourth block circuit BL 4, is input to the fourth block circuit BL 4, fourth block circuit BL 4 are the out-signal output enable state Is done. Further, set as a reset signal S RESET third out signal S OUT3 is for the second block circuit BL 2, is input to the second block circuit BL 2, second block circuit BL 2 is the out signal output disabled state Is done. At time t 12 , the second clock signal S CLKO is not input to the block circuits BL0 to BLn (Low state).

そして、時刻t8〜t12における動作と同様な動作が繰り返されて、第4〜n−2ブロック回路BL4〜BLn-2において、番号順に第4〜n−2アウト信号SOUT4〜SOUTn-2が順次に出力される。 Then, operation similar to the operation at time t 8 ~t 12 is repeated, in the 4 to N-2 block circuit BL 4 ~BL n-2, the 4 to N-2-out signal S OUT4 to S in numerical order OUTn-2 is output sequentially.

次に、時刻t13〜t14では、各ブロック回路BL0〜BLnに第1クロック信号SCLKEが入力されている状態(High状態)に設定される。このとき、第n−1ブロック回路BLn-1から第1クロック信号SCLKEに応じた第n−1アウト信号SOUTn-1が出力される。そして、第n−1アウト信号SOUTn-1が第nブロック回路BLnに対するセット信号SSETとして、該第nブロック回路BLnに対して入力され、該第nブロック回路BLnがアウト信号出力許可状態に設定される。また、第n−1アウト信号SOUTn-1が第n−2ブロック回路BLn-2に対するリセット信号SRESETとして、該第n−2ブロック回路BLn-2に対して入力され、該第n−2ブロック回路BLn-2がアウト信号出力禁止状態に設定される。なお、時刻t14では、各ブロック回路BL0〜BLnに第1クロック信号SCLKEが入力されていない状態(Low状態)に設定される。 Next, at time t 13 ~t 14, the first clock signal S CLKE is set to a state that is entered (High state) in each block circuit BL0 to BLn. At this time, the n-1-out signal S OUTn-1 of the (n-1) th block circuit BL n-1 corresponding to first clock signal S CLKE is output. Then, the (n-1) out signal S OUTn-1 as the set signal S SET for the first n block circuit BL n, is input to said n block circuit BL n, the said n block circuit BL n-out signal output Set to Allowed state. Further, the (n−1) th out signal S OUTn−1 is input to the n− 2th block circuit BL n−2 as the reset signal S RESET for the n−2 block circuit BL n−2 , -2 block circuit BL n-2 is set to the out signal output prohibited state. In time t 14, first clock signal S CLKE is set to a state not input (Low state) to each block circuit BL0 to BLn.

時刻t15〜t16では、各ブロック回路BL0〜BLnに第2クロック信号SCLKOが入力されている状態(High状態)に設定される。このとき、第nブロック回路BLnから第2クロック信号SCLKOに応じた第nアウト信号SOUTnが出力される。そして、第nアウト信号SOUTnが第n−1ブロック回路BLn-1に対するリセット信号SRESETとして、該第n−1ブロック回路BLn-1に対して入力され、該第n−1ブロック回路BLn-1がアウト信号出力禁止状態に設定される。なお、時刻t16では、各ブロック回路BL0〜BLnに第2クロック信号SCLKOが入力されていない状態(Low状態)に設定される。 At time t 15 ~t 16, the second clock signal S CLKO is set to a state that is entered (High state) to each block circuit BL0 to BLn. At this time, an n-th out signal S OUTn corresponding to the second clock signal S CLKO is output from the n- th block circuit BL n . Then, the n-th-out signal S OUTn as a reset signal S RESET for the first n-1 block circuit BL n-1, is input to said n-1 block circuit BL n-1, said n-1 block circuit BL n-1 is set to the out signal output disabled state. At time t 16 , the second clock signal S CLKO is not input to the block circuits BL0 to BLn (Low state).

時刻t17では、各ブロック回路BL0〜BLnに第1データ信号SDPおよび第1モード信号SSLが入力されていない状態(Low状態)に設定されるとともに、各ブロック回路BL0〜BLnに第2データ信号SDNが入力されている状態(High状態)に設定される。このとき、シフトレジスタ回路400が第1シフトモードに設定されている状態から解除される。 At time t 17, together with the first data signal S DP and the first mode signal S SL is set to a state of not being input (Low state) in each block circuit BL0 to BLn, first in each block circuit BL0 to BLn 2 The data signal S DN is set to the input state (High state). At this time, the shift register circuit 400 is released from the state set in the first shift mode.

時刻t18〜t19では、各ブロック回路BL0〜BLnに第2モード信号SPLが入力されている状態(High状態)に設定される。このとき、全てのブロック回路BL0〜BLnから第0〜nアウト信号SOUT0〜SOUTnが出力されない静止状態にシフトレジスタ回路400が設定される。なお、時刻t19では、各ブロック回路BL0〜BLnに第2モード信号SPLが入力されていない状態(Low状態)に設定される。 At time t 18 ~t 19, the second mode signal S PL is set to a state that is entered (High state) in each block circuit BL0 to BLn. At this time, the first 0~n out signal S OUT0 to S OUTn shift a state of quiescence is not output register circuit 400 from all the block circuit BL 0 to BL n are set. In the time t 19, the second mode signal S PL is set to the state not input (Low state) to each block circuit BL0 to BLn.

時刻t20では、各ブロック回路BL0〜BLnに第1データ信号SDPが入力されている状態(High状態)に設定されるとともに、各ブロック回路BL0〜BLnに第2データ信号SDNが入力されていない状態(Low状態)に設定される。このとき、シフトレジスタ回路400が同時出力モードに設定される。 At time t 20, together with the first data signal S DP is set to a state that is entered (High state) in each block circuit BL0 to BLn, the second data signal S DN is input to the block circuit BL0 to BLn Not set (Low state). At this time, the shift register circuit 400 is set to the simultaneous output mode.

時刻t21〜t22では、各ブロック回路BL0〜BLnに第2モード信号SPLが入力されている状態(High状態)に設定される。このとき、各ブロック回路BL0〜BLnに第1データ信号SDPが入力されている状態(High状態)に設定されているため、全てのブロック回路BL0〜BLnが、アウト信号出力可能状態に設定される。なお、時刻t22では、各ブロック回路BL0〜BLnに第2モード信号SPLが入力されていない状態(Low状態)に設定される。 At time t 21 ~t 22, the second mode signal S PL is set to a state that is entered (High state) in each block circuit BL0 to BLn. At this time, since it is set to a state in which the first data signal S DP is input (High state) in each block circuit BL0 to BLn, all block circuit BL 0 to BL n, the out signal output enabled state Is set. In the time t 22, the second mode signal S PL is set to the state not input (Low state) to each block circuit BL0 to BLn.

時刻t23〜t24では、各ブロック回路BL0〜BLnに第1および第2クロック信号SCLKE,SCLKOが入力されている状態(High状態)に設定される。このとき、第0〜nブロック回路BL0〜BLnから第1または第2クロック信号SCLKE,SCLKOに応じた第0〜nアウト信号SOUT0〜SOUTnが出力される。なお、図20では、同時出力モード期間TPARAにおいて、第0〜nブロック回路BL0〜BLnから第0〜nアウト信号SOUT0〜SOUTnが1回出力される例が示されているが、有機ELディスプレイ部3において出力画像信号に応じた動画像の各フレームを表示する際には、図4で示された期間P1,P3において全ての第0〜n走査信号線LSSの電位Vls0〜Vlsnが高電位VgHとなることに対応するように、第0〜nブロック回路BL0〜BLnから第0〜nアウト信号SOUT0〜SOUTnが2回出力される。また、時刻t24では、各ブロック回路BL0〜BLnに第1および第2クロック信号SCLKE,SCLKOが入力されていない状態(Low状態)に設定される。 At time t 23 ~t 24, first and second clock signal S CLKE each block circuit BL0 to BLn, it is set in a state S CLKO is input (High state). At this time, 0th to n- th out signals S OUT0 to S OUTn corresponding to the first or second clock signals S CLKE and S CLKO are output from the 0th to n-th block circuits BL 0 to BL n . FIG. 20 shows an example in which the 0th to n- th out signals S OUT0 to S OUTn are output once from the 0th to n-th block circuits BL 0 to BL n in the simultaneous output mode period T PARA . , when displaying each frame of the moving image corresponding to the output image signal in the organic EL display unit 3, the potential of all of the 0~n scanning signal line L SS in the period P1, P3 shown in FIG. 4 V The 0th to nth out signals S OUT0 to S OUTn are output twice from the 0th to nth block circuits BL 0 to BLn so as to correspond to the ls0 to V lsn becoming the high potential V gH . At time t 24, the first and second clock signal S CLKE to each circuit block BL0 to BLn, S CLKO is set to a state not input (Low state).

時刻t25では、各ブロック回路BL0〜BLnに第1データ信号SDPが入力されていない状態(Low状態)に設定されるとともに、各ブロック回路BL0〜BLnに第2データ信号SDNおよび第2モード信号SPLが入力されている状態(High状態)に設定される。このとき、シフトレジスタ回路400が同時出力モードに設定されている状態から解除され、第0〜nブロック回路BL0〜BLnから第0〜nアウト信号SOUT0〜SOUTnが出力されない静止状態にシフトレジスタ回路400が設定される。 At time t 25, together with the first data signal S DP is set to a state of not being input (Low state) in each block circuit BL0 to BLn, the second data signal to each circuit block BL0 to BLn S DN and second The mode signal SPL is set to the input state (High state). At this time, the shift register circuit 400 is released from the state of being set in simultaneous output mode, a state of quiescence first 0~n out signal S OUT0 to S OUTn from the 0~n block circuit BL 0 to BL n is not output The shift register circuit 400 is set.

以上のような時刻t1〜t25におけるシフトレジスタ回路400の動作が繰り返されることで、有機ELディスプレイ部3において出力画像信号に応じた動画像が表示される。 By repeating the operation of the shift register circuit 400 at times t 1 to t 25 as described above, a moving image corresponding to the output image signal is displayed on the organic EL display unit 3.

図21および図22は、図20で示されたシフトレジスタ回路400の動作に係るタイミングチャートよりも、より詳細な動作を示したタイミングチャートである。   21 and 22 are timing charts showing more detailed operations than the timing charts related to the operation of the shift register circuit 400 shown in FIG.

図21は、図20で示された時刻t1〜t18を含む期間の動作に係るタイミングチャートに、各ブロック回路BL0〜BLnにおける第5および第6トランジスタTr5,Tr6のゲートの電位(第5および第6ゲート電位)Tr5GATE0〜Tr5GATEn,Tr6GATE0〜Tr6GATEnの変化を加えたタイミングチャートである。また、図22は、図20で示された時刻t17〜t25を含む期間の動作に係るタイミングチャートに、各ブロック回路BL0〜BLnにおける第5および第6ゲート電位Tr5GATE0〜Tr5GATEn,Tr6GATE0〜Tr6GATEnの変化を加えたタイミングチャートである。 FIG. 21 is a timing chart relating to the operation in the period including the times t 1 to t 18 shown in FIG. 20, and the potentials of the gates of the fifth and sixth transistors Tr5 and Tr6 in the block circuits BL 0 to BL n ( the fifth and sixth gate potential) is Tr5 GATE0 ~Tr5 GATEn, Tr6 GATE0 ~Tr6 GATEn timing chart plus the change in the. Further, FIG. 22 is a timing chart according to the operation of the period including the time t 17 ~t 25 shown in FIG. 20, fifth and sixth gate potential Tr5 GATE0 ~Tr5 GATEn in each block circuit BL 0 to BL n is a timing chart plus the change in Tr6 GATE0 ~Tr6 GATEn.

なお、図21および図22では、第5および第6ゲート電位Tr5GATE0〜Tr5GATEn,Tr6GATE0〜Tr6GATEnが低電位(例えば0V近傍)である状態(低電位状態)が「L」で示され、高電位(例えば10V近傍)である状態(高電位状態)が「H」で示され、高電位よりも高い極大電位(例えば20V近傍)である状態(極大電位状態)が「SH」で示されている。 In FIGS. 21 and 22, the state (low potential state) in which the fifth and sixth gate potentials Tr5 GATE0 to Tr5 GATEn and Tr6 GATE0 to Tr6 GATEn are low potentials (for example, near 0 V) is indicated by “L”. A state (high potential state) at a high potential (for example, near 10 V) is indicated by “H”, and a state (maximum potential state) at a maximum potential (for example, near 20 V) higher than the high potential is indicated by “SH”. Has been.

上述したように、図21および図22で示されるタイミングチャートは、図20で示されたタイミングチャートと比較して、第5および第6ゲート電位Tr5GATE0〜Tr5GATEn,Tr6GATE0〜Tr6GATEnの変化が追加されたものである。このため、以下では、図20で示されたタイミングチャートと同様な動作については、説明を省略し、追加された第5および第6ゲート電位Tr5GATE0〜Tr5GATEn,Tr6GATE0〜Tr6GATEnの変化について説明する。 As described above, the timing chart shown in FIGS. 21 and 22, as compared with the timing chart shown in FIG. 20, the change of the fifth and sixth gate potential Tr5 GATE0 ~Tr5 GATEn, Tr6 GATE0 ~Tr6 GATEn Is added. Therefore, in the following, description of operations similar to those in the timing chart shown in FIG. 20 will be omitted, and changes in the added fifth and sixth gate potentials Tr5 GATE0 to Tr5 GATEn and Tr6 GATE0 to Tr6 GATEn will be omitted . explain.

図21で示されるように、時刻t3では、第0ブロック回路BL0に対して先頭セット信号SSETLが入力されている状態(High状態)に設定される。この設定に応じて、第0ブロック回路BL0の第5ゲート電位Tr5GATE0が、低電位状態から高電位状態に移行するとともに、該第0ブロック回路BL0の第6ゲート電位Tr6GATE0が、高電位状態から低電位状態に移行する。つまり、第0ブロック回路BL0がアウト信号出力可能状態に設定される。 As shown in FIG. 21, at time t 3 , the head set signal S SETL is set to be input to the 0th block circuit BL 0 (High state). Depending on the setting, the fifth gate potential Tr5 GATE0 of the 0th block circuit BL 0, together with the transition from low potential to a high potential state, the sixth gate potential Tr6 GATE0 said 0 block circuit BL 0 is high Transition from the potential state to the low potential state. That is, the 0th block circuit BL 0 is set to an out signal output enabled state.

時刻t5〜t6では、各ブロック回路BL0〜BLnに第1クロック信号SCLKEが入力されている状態(High状態)に設定される。このとき、第0ブロック回路BL0において、第5トランジスタTr5のドレインとゲートとの間の浮遊容量により、第5ゲート電位Tr5GATE0が高電位状態から極大電位状態に移行する。更に、このとき、第0ブロック回路BL0から第1クロック信号SCLKEに応じた第0アウト信号SOUT0が出力される。 At time t 5 ~t 6, the first clock signal S CLKE is set to a state that is entered (High state) in each block circuit BL0 to BLn. At this time, in the 0th block circuit BL 0 , the fifth gate potential Tr 5 GATE 0 shifts from the high potential state to the maximum potential state due to the stray capacitance between the drain and gate of the fifth transistor Tr 5. In addition, this time, the 0-out signal S OUT0 of the 0th block circuit BL 0 corresponding to the first clock signal S CLKE is output.

また、時刻t5では、第0アウト信号SOUT0がセット信号SSETとして第1ブロック回路BL1に対して入力され、第1ブロック回路BL1の第5ゲート電位Tr5GATE1が、低電位状態から高電位状態に移行するとともに、該第1ブロック回路BL1の第6ゲート電位Tr6GATE1が高電位状態から低電位状態に移行する。つまり、第1ブロック回路BL1がアウト信号出力可能状態に設定される。 At time t 5, the 0-out signal S OUT0 is input to the first block circuit BL 1 as a set signal S SET, fifth gate potential Tr5 GATE1 of the first block circuit BL 1 is the low potential with shifts to a high potential state, the sixth gate potential Tr6 GATE1 of the first block circuit BL 1 is changed from the high potential state to a low potential state. That is, the first block circuit BL 1 is set in an out signal output enabled state.

時刻t7〜t8では、各ブロック回路BL0〜BLnに第2クロック信号SCLKOが入力されている状態(High状態)に設定される。このとき、第1ブロック回路BL1において、第5トランジスタTr5のドレインとゲートとの間の浮遊容量により、第5ゲート電位Tr5GATE1が高電位状態から極大電位状態に移行する。更に、このとき、第1ブロック回路BL1から第2クロック信号SCLKOに応じた第1アウト信号SOUT1が出力される。 At time t 7 ~t 8, the second clock signal S CLKO is set to a state that is entered (High state) in each block circuit BL0 to BLn. At this time, in the first block circuit BL 1, the stray capacitance between the drain and the gate of the fifth transistor Tr5, the fifth gate potential Tr5 GATE1 transitions from the high potential state a maximum potential state. Further, at this time, a first out signal S OUT1 corresponding to the second clock signal S CLKO is output from the first block circuit BL 1 .

また、時刻t7では、第1アウト信号SOUT1がセット信号SSETとして第2ブロック回路BL2に対して入力され、第2ブロック回路BL2の第5ゲート電位Tr5GATE2が、低電位状態から高電位状態に移行するとともに、該第2ブロック回路BL2の第6ゲート電位Tr6GATE2が高電位状態から低電位状態に移行する。つまり、第2ブロック回路BL2がアウト信号出力可能状態に設定される。 At time t 7 , the first out signal S OUT1 is input as the set signal S SET to the second block circuit BL 2 , and the fifth gate potential Tr 5 GATE 2 of the second block circuit BL 2 is changed from the low potential state. with shifts to a high potential state, the sixth gate potential Tr6 GATE2 of the second block circuit BL 2 is shifted from the high potential state to a low potential state. That is, the second block circuit BL 2 is set in an out signal output enabled state.

更に、時刻t7では、第1アウト信号SOUT1がリセット信号SRESETとして第0ブロック回路BL0に対して入力され、第0ブロック回路BL0の第5ゲート電位Tr5GATE0が、高電位状態から低電位状態に移行するとともに、該第0ブロック回路BL0の第6ゲート電位Tr6GATE0が、低電位状態から高電位状態に移行する。つまり、第0ブロック回路BL0がアウト信号出力可能状態からアウト信号出力禁止状態に設定される。 Further, at time t 7 , the first out signal S OUT1 is input as the reset signal S RESET to the 0th block circuit BL 0 , and the fifth gate potential Tr 5 GATE 0 of the 0th block circuit BL 0 is changed from the high potential state. with shifts to the low potential state, the sixth gate potential Tr6 GATE0 said 0 block circuit BL 0 is the transition from the low potential state to a high potential state. That is, the 0th block circuit BL 0 is set from the out signal output enabled state to the out signal output disabled state.

時刻t9〜t10では、各ブロック回路BL0〜BLnに第1クロック信号SCLKEが入力されている状態(High状態)に設定される。このとき、第2ブロック回路BL2において、第5トランジスタTr5のドレインとゲートとの間の浮遊容量により、第5ゲート電位Tr5GATE2が高電位状態から極大電位状態に移行する。更に、このとき、第2ブロック回路BL2から第1クロック信号SCLKEに応じた第2アウト信号SOUT2が出力される。 At time t 9 ~t 10, the first clock signal S CLKE is set to a state that is entered (High state) in each block circuit BL0 to BLn. At this time, in the second block circuit BL 2, the stray capacitance between the drain and the gate of the fifth transistor Tr5, the fifth gate potential Tr5 GATE2 transitions from the high potential state a maximum potential state. Further, at this time, a second out signal S OUT2 corresponding to the first clock signal S CLKE is output from the second block circuit BL 2 .

また、時刻t9では、第2アウト信号SOUT2がセット信号SSETとして第3ブロック回路BL3に対して入力され、該第3ブロック回路BL3の第5ゲート電位Tr5GATE3が低電位状態から高電位状態に移行するとともに、該第3ブロック回路BL3の第6ゲート電位Tr6GATE3が高電位状態から低電位状態に移行する。つまり、第3ブロック回路BL3がアウト信号出力可能状態に設定される。 At time t 9, the second out signal S OUT2 is input to third block circuit BL 3 as a set signal S SET, fifth gate potential Tr5 GATE3 the third block circuit BL 3 from the low potential state with shifts to a high potential state, the sixth gate potential Tr6 GATE3 the third block circuit BL 3 is shifted from the high potential state to a low potential state. That is, the third block circuit BL 3 is set to the out signal output enabled state.

更に、時刻t9では、第2アウト信号SOUT2がリセット信号SRESETとして第1ブロック回路BL1に対して入力され、該第1ブロック回路BL1の第5ゲート電位Tr5GATE1が高電位状態から低電位状態に移行するとともに、第1ブロック回路BL1の第6ゲート電位Tr6GATE1が低電位状態から高電位状態に移行する。つまり、第1ブロック回路BL1がアウト信号出力可能状態からアウト信号出力禁止状態に設定される。 Further, at time t 9, the second out signal S OUT2 is input to the first block circuit BL 1 as a reset signal S RESET, fifth gate potential Tr5 GATE1 of the first block circuit BL 1 from the high potential state with shifts to the low potential state, the sixth gate potential Tr6 GATE1 of the first block circuit BL 1 is shifted from the low potential state to a high potential state. That is, the first block circuit BL 1 is set from the out signal output enabled state to the out signal output disabled state.

時刻t11〜t12では、各ブロック回路BL0〜BLnに第2クロック信号SCLKOが入力されている状態(High状態)に設定される。このとき、第3ブロック回路BL3において、第5トランジスタTr5のドレインとゲートとの間の浮遊容量により、第5ゲート電位Tr5GATE3が高電位状態から極大電位状態に移行する。更に、このとき、第3ブロック回路BL3から第2クロック信号SCLKOに応じた第3アウト信号SOUT3が出力される。 From time t 11 to t 12 , the block circuit BL 0 to BLn is set to a state (High state) in which the second clock signal S CLKO is input. At this time, in the third block circuit BL 3, the stray capacitance between the drain and the gate of the fifth transistor Tr5, the fifth gate potential Tr5 GATE3 transitions from the high potential state a maximum potential state. Further, at this time, a third out signal S OUT3 corresponding to the second clock signal S CLKO is output from the third block circuit BL 3 .

また、時刻t11では、第3アウト信号SOUT3がセット信号SSETとして第4ブロック回路BL4に対して入力され、該第4ブロック回路BL4の第5ゲート電位Tr5GATE4が低電位状態から高電位状態に移行するとともに、該第4ブロック回路BL4の第6ゲート電位Tr6GATE4が高電位状態から低電位状態に移行する。つまり、第4ブロック回路BL4がアウト信号出力可能状態に設定される。 At time t 11 , the third out signal S OUT3 is input as the set signal S SET to the fourth block circuit BL 4 , and the fifth gate potential Tr 5 GATE 4 of the fourth block circuit BL 4 is changed from the low potential state. with shifts to a high potential state, the sixth gate potential Tr6 GATE4 the fourth block circuit BL 4 is shifted from the high potential state to a low potential state. That is, the fourth block circuit BL 4 is set to the out signal output enabled state.

更に、時刻t11では、第3アウト信号SOUT3がリセット信号SRESETとして第2ブロック回路BL2に対して入力され、該第2ブロック回路BL2の第5ゲート電位Tr5GATE2が高電位状態から低電位状態に移行するとともに、該第2ブロック回路BL2の第6ゲート電位Tr6GATE2が低電位状態から高電位状態に移行する。つまり、第2ブロック回路BL2がアウト信号出力可能状態からアウト信号出力禁止状態に設定される。 Furthermore, at time t 11 , the third out signal S OUT3 is input as the reset signal S RESET to the second block circuit BL 2 , and the fifth gate potential Tr 5 GATE 2 of the second block circuit BL 2 is changed from the high potential state. with shifts to the low potential state, the sixth gate potential Tr6 GATE2 of the second block circuit BL 2 is shifted from the low potential state to a high potential state. That is, the second block circuit BL 2 is set from the out signal output enable state to the out signal output disabled state.

そして、時刻t8〜t12における動作と同様な動作が繰り返されて、第4〜n−2ブロック回路BL4〜BLn-2が番号順にアウト信号出力可能状態に設定され、第4〜n−2アウト信号SOUT4〜SOUTn-2が順次に出力される。 Then, operation similar to the operation at time t 8 ~t 12 is repeated, the 4 to N-2 block circuit BL 4 ~BL n-2 is set to out signal output enable state in numerical order, the 4 to N -2 out signals S OUT4 to S OUTn-2 are sequentially output.

次に、時刻t13〜t14では、各ブロック回路BL0〜BLnに第1クロック信号SCLKEが入力されている状態(High状態)に設定される。このとき、第n−1ブロック回路BLn-1において、第5トランジスタTr5のドレインとゲートとの間の浮遊容量により、第5ゲート電位Tr5GATEn-1が高電位状態から極大電位状態に移行する。更に、このとき、第n−1ブロック回路BLn-1から第1クロック信号SCLKEに応じた第n−1アウト信号SOUTn-1が出力される。 Next, at time t 13 ~t 14, the first clock signal S CLKE is set to a state that is entered (High state) in each block circuit BL0 to BLn. At this time, in the n− 1th block circuit BL n−1 , the fifth gate potential Tr5 GATEn−1 shifts from the high potential state to the maximum potential state due to the stray capacitance between the drain and gate of the fifth transistor Tr5. . Further, at this time, the n-1-out signal S OUTn-1 of the (n-1) th block circuit BL n-1 corresponding to the first clock signal S CLKE is output.

また、時刻t13では、第n−1アウト信号SOUTn-1がセット信号SSETとして第nブロック回路BLnに対して入力され、該第nブロック回路BLnの第5ゲート電位Tr5GATEnが低電位状態から高電位状態に移行するとともに、該第nブロック回路BLnの第6ゲート電位Tr6GATEnが高電位状態から低電位状態に移行する。つまり、第nブロック回路BLnがアウト信号出力可能状態に設定される。 At time t 13, the n-1-out signal S OUTn-1 is input to the n-th block circuit BL n as the set signal S SET, the fifth gate potential Tr5 GATEn said n block circuit BL n with the transition from low potential to a high potential state, the sixth gate potential Tr6 GATEn said n block circuit BL n is shifted from the high potential state to a low potential state. That is, the n-th block circuit BL n are set to out signal output enable state.

更に、時刻t13では、第n−1アウト信号SOUTn-1がリセット信号SRESETとして第n−2ブロック回路BLnー2に対して入力され、該第n−2ブロック回路BLnー2の第5ゲート電位Tr5GATEn-2が高電位状態から低電位状態に移行するとともに、第n−2ブロック回路BLn-2の第6ゲート電位Tr6GATEn-2が低電位状態から高電位状態に移行する。つまり、第n−2ブロック回路BLn-2がアウト信号出力可能状態からアウト信号出力禁止状態に設定される。 Further, at time t 13 , the (n−1) th out signal S OUTn−1 is input to the n− 2th block circuit BL n −2 as the reset signal S RESET , and the n−2th block circuit BL n−2. fifth gate potential Tr5 GATEn-2 along with the transition from the high potential state to the low potential state, the sixth gate potential Tr6 GATEn-2 of the n-2 block circuit BL n-2 is a high potential state from the low potential Transition. That is, the n-2th block circuit BL n-2 is set from the out signal output enabled state to the out signal output prohibited state.

時刻t15〜t16では、各ブロック回路BL0〜BLnに第2クロック信号SCLKOが入力されている状態(High状態)に設定される。このとき、第nブロック回路BLnにおいて、第5トランジスタTr5のドレインとゲートとの間の浮遊容量により、第5ゲート電位Tr5GATEnが高電位状態から極大電位状態に移行する。更に、このとき、第nブロック回路BLnから第2クロック信号SCLKOに応じた第nアウト信号SOUTnが出力される。 At time t 15 ~t 16, the second clock signal S CLKO is set to a state that is entered (High state) in each block circuit BL0 to BLn. At this time, in the n block circuit BL n, the stray capacitance between the drain and the gate of the fifth transistor Tr5, the fifth gate potential Tr5 GATEn transitions from the high potential state a maximum potential state. Further, at this time, the n-th block signal BL n outputs the n-th out signal S OUTn corresponding to the second clock signal S CLKO .

また、時刻t15では、第nアウト信号SOUTnがリセット信号SRESETとして第n−1ブロック回路BLn-1に対して入力され、該第n−1ブロック回路BLn-1の第5ゲート電位Tr5GATEn-1が高電位状態から低電位状態に移行するとともに、第n−1ブロック回路BLn-1の第6ゲート電位Tr6GATEn-1が低電位状態から高電位状態に移行する。つまり、第n−1ブロック回路BLn-1がアウト信号出力可能状態からアウト信号出力禁止状態に設定される。 At time t 15 , the n-th out signal S OUTn is input as the reset signal S RESET to the n−1 - th block circuit BL n−1 , and the fifth gate of the n−1-th block circuit BL n−1 is input. The potential Tr5 GATEn-1 shifts from the high potential state to the low potential state, and the sixth gate potential Tr6 GATEn-1 of the n- 1th block circuit BL n-1 shifts from the low potential state to the high potential state. That is, the (n−1) th block circuit BL n−1 is set from the out signal output enabled state to the out signal output prohibited state.

また、時刻t17では、各ブロック回路BL0〜BLnに第1データ信号SDPおよび第1モード信号SSLが入力されていない状態(Low状態)に設定されるとともに、各ブロック回路BL0〜BLnに第2データ信号SDNが入力されている状態(High状態)に設定される。このとき、シフトレジスタ回路400が第1シフトモードに設定されている状態から解除される。 At time t 17, while being set to a state in which the first data signal S DP and the first mode signal S SL is not inputted (Low state) to each block circuit BL0 to BLn, each block circuit BL0 to BLn The second data signal S DN is set to the input state (High state). At this time, the shift register circuit 400 is released from the state set in the first shift mode.

次に、図22で示されるように、時刻t18では、各ブロック回路BL0〜BLnに第2モード信号SPLが入力されている状態(High状態)に設定される。このとき、第nブロック回路BLnの第5ゲート電位Tr5GATEnが高電位状態から低電位状態に移行するとともに、該第nブロック回路BLnの第6ゲート電位Tr6GATEnが低電位状態から高電位状態に移行する。よって、第nブロック回路BLnがアウト信号出力可能状態からアウト信号出力禁止状態に設定される。 Next, as shown in Figure 22, at time t 18, the second mode signal S PL is set to a state that is entered (High state) in each block circuit BL0 to BLn. At this time, the fifth gate potential Tr5 GATEn of the n block circuit BL n is shifted from the high potential state to the low potential state, the sixth gate potential Tr6 GATEn a high potential from the low potential state of said n block circuit BL n Transition to the state. Thus, the n-th block circuit BL n are set from the out signal output enable state to the out signal output disabled state.

時刻t21〜t22では、各ブロック回路BL0〜BLnに第2モード信号SPLが入力されている状態(High状態)に設定される。このとき、第1データ信号SDPが入力されている状態(High状態)に設定されている。このため、全てのブロック回路BL0〜BLnにおいて、各第5ゲート電位Tr5GATE0〜Tr5GATEnが低電位状態から高電位状態に移行するとともに、各第6ゲート電位Tr6GATE0〜Tr6GATEnが高電位状態から低電位状態に移行する。つまり、全てのブロック回路BL0〜BLnがアウト信号出力可能状態に設定される。 At time t 21 ~t 22, the second mode signal S PL is set to a state that is entered (High state) in each block circuit BL0 to BLn. At this time, the first data signal SDP is set to the input state (High state). Therefore, in all the block circuit BL 0 to BL n, with each fifth gate potential Tr5 GATE0 ~Tr5 GATEn transitions from low potential to a high potential state, the respective sixth gate potential Tr6 GATE0 ~Tr6 GATEn high potential Transition from state to low potential state. That is, all the block circuits BL 0 to BL n are set to the out signal output enabled state.

時刻t23〜t24では、各ブロック回路BL0〜BLnに第1および第2クロック信号SCLKE,SCLKOが入力されている状態(High状態)に設定される。このとき、全てのブロック回路BL0〜BLnにおいて、第5トランジスタTr5のドレインとゲートとの間の浮遊容量により、第5ゲート電位Tr5GATE0〜Tr5GATEnが高電位状態から極大電位状態に移行する。更に、このとき、各ブロック回路BL0〜BLnから第1または第2クロック信号SCLKE,SCLKOに応じた第0〜nアウト信号SOUT0〜SOUTnがそれぞれ出力される。 At time t 23 ~t 24, first and second clock signal S CLKE each block circuit BL0 to BLn, it is set in a state S CLKO is input (High state). At this time, in all the block circuit BL 0 to BL n, the stray capacitance between the drain and the gate of the fifth transistor Tr5, the fifth gate potential Tr5 GATE0 ~Tr5 GATEn transitions from the high potential state to the maximum potential state . Further, at this time, the first or second clock signal S CLKE from the block circuit BL 0 to BL n, the first 0~n out signal S OUT0 to S OUTn corresponding to S CLKO are output.

また、時刻t25では、各ブロック回路BL0〜BLnに第1データ信号SDPが入力されていない状態(Low状態)に設定されるとともに、各ブロック回路BL0〜BLnに第2データ信号SDNおよび第2モード信号SPLが入力されている状態(High状態)に設定される。このとき、全てのブロック回路BL0〜BLnにおいて、第5ゲート電位Tr5GATE0〜Tr5GATEnが高電位状態から低電位状態に移行するとともに、第6ゲート電位Tr6GATE0〜Tr6GATEnが低電位状態から高電位状態に移行する。つまり、全てのブロック回路BL0〜BLnがアウト信号出力可能状態からアウト信号出力禁止状態に設定される。 At time t 25, together with the first data signal S DP in each block circuit BL0~BLn is set to a state not input (Low state), the second data signal S DN and each block circuit BL0~BLn The second mode signal SPL is set to a state where it is input (High state). At this time, in all the block circuit BL 0 to BL n, together with the fifth gate potential Tr5 GATE0 ~Tr5 GATEn transitions from the high potential state to a low potential state, the sixth gate potential Tr6 GATE0 ~Tr6 GATEn low potential state Transition to high potential state. That is, all the block circuits BL 0 to BL n are set from the out signal output enabled state to the out signal output disabled state.

以上のように、本発明の一実施形態に係る画像表示装置1では、各ブロック回路BL0〜BLnにおいて、第1トランジスタTr1の第2電極E2と、第3トランジスタTr3の第9電極E9および第4トランジスタTr4の第10電極E10とがそれぞれ電気的に接続され、第2トランジスタTr2の第5電極E5と、第3トランジスタTr3の第7電極E7および第4トランジスタTr4の第12電極E12とがそれぞれ電気的に接続されている。また、第1トランジスタTr1の第3電極E3および第2トランジスタTr2の第6電極E6にセット信号SSETを付与するセット信号付与端子部TSETと、第1トランジスタTr1の第1電極E1に第1データ信号SDPを付与する第1端子部T1と、第2トランジスタTr2の第4電極E4に第2データ信号SDNを付与する第2端子部T2とが設けられている。 As described above, in the image display device 1 according to the embodiment of the present invention, in each of the block circuits BL 0 to BL n , the second electrode E2 of the first transistor Tr1, the ninth electrode E9 of the third transistor Tr3, and The tenth electrode E10 of the fourth transistor Tr4 is electrically connected to each other, and the fifth electrode E5 of the second transistor Tr2, the seventh electrode E7 of the third transistor Tr3, and the twelfth electrode E12 of the fourth transistor Tr4 are connected. Each is electrically connected. Further, a set signal applying terminal portion T SET for applying a set signal S SET to the third electrode E3 of the first transistor Tr1 and the sixth electrode E6 of the second transistor Tr2, and a first electrode E1 of the first transistor Tr1 a first terminal portion T 1 of imparting data signal S DP, a second terminal portion T 2 to impart a second data signal S DN are provided on the fourth electrode E4 of the second transistor Tr2.

そして、セット信号SSETが第3および第6電極E3,E6に付与されている場合には、第1端子部T1から第1電極E1に対する第1データ信号SDPの付与と、第2端子部T2から第4電極E4に対する第2データ信号SDNの付与とが同時に行われない。その結果、第1端子部T1から第1および第4トランジスタTr1,Tr4を介した電流の発生と、第2端子部T2から第2および第3トランジスタTr2,Tr3を介した電流の発生とを抑制しつつ、第1トランジスタTr1と第4トランジスタTr4との間の電位の状態と、第2トランジスタTr2と第3トランジスタTr3との間の電位の状態とを交互に切り替えることができる。したがって、消費電力の増大を抑制しつつ、2つのn型のトランジスタの間の電位を切り替えることができる。 Then, a set signal when the S SET is applied to the third and sixth electrode E3, E6 has a grant of the first data signal S DP from the first terminal portion T 1 for the first electrode E1, the second terminal Granting and the second data signal S DN is not performed simultaneously with respect to the fourth electrode E4 from part T 2. As a result, the generation of current from the first terminal portion T 1 via the first and fourth transistors Tr1 and Tr4 and the generation of current from the second terminal portion T 2 via the second and third transistors Tr2 and Tr3 The potential state between the first transistor Tr1 and the fourth transistor Tr4 and the potential state between the second transistor Tr2 and the third transistor Tr3 can be switched alternately. Therefore, the potential between the two n-type transistors can be switched while suppressing an increase in power consumption.

また、シフトレジスタ回路400が第1シフトモードに設定されている場合には、各ブロック回路BL0〜BLnでは、セット信号SSETが第3および第6電極E3,E6に付与されている状態において、第1端子部T1から第1トランジスタTr1を介して第9、第10、および第15電極E9,E10,E15に対して第1データ信号SDPが付与されることで、第3トランジスタTr3が導通状態に設定され、第4トランジスタTr4が非導通状態に設定される。このとき、第5トランジスタTr5が導通状態に設定されるとともに、第6トランジスタTr6が非導通状態に設定される。すなわち、アウト信号出力許可状態に設定される。その結果、各ブロック回路BL0〜BLnから第1および第2クロック信号SCLKE,SCLKOに応じたアウト信号SOUTが出力される。このため、第0〜nブロック回路BL0〜BLnにおける第1および第2クロック信号SCLKE,SCLKOに応じたアウト信号SOUTの出力を制御することができる。 The state shift register circuit 400 when set in the first shift mode, in each circuit block BL 0 to BL n, the set signal S SET is applied to the third and sixth electrode E3, E6 in the ninth from the first terminal portion T 1 via the first transistors Tr1, by 10, and 15 electrode E9, E10, the first data signal S DP against E15 is applied, the third transistor Tr3 is set to a conductive state, and the fourth transistor Tr4 is set to a non-conductive state. At this time, the fifth transistor Tr5 is set in a conductive state, and the sixth transistor Tr6 is set in a non-conductive state. That is, the out signal output permission state is set. As a result, out signals S OUT corresponding to the first and second clock signals S CLKE and S CLKO are output from the block circuits BL 0 to BL n . Therefore, it is possible to control the output of the out signal S OUT corresponding to the first and second clock signals S CLKE and S CLKO in the 0th to n-th block circuits BL 0 to BL n .

更に、各ブロック回路BL0〜BLnでは、第7トランジスタTr7の第19電極E19が、第2端子部T2と同電位に設定される第3端子部T3に対して電気的に接続され、第7トランジスタTr7の第20電極E20が、第9および第10電極E9,E10に対して電気的に接続されている。また、第8トランジスタTr8の第22電極E22が、第1端子部T1と同電位に設定される第4端子部T4に対して電気的に接続され、第8トランジスタTr8の第23電極E23が、第7および12電極E7,E12に対して電気的に接続されている。更に、第7トランジスタTr7の第21電極E21および第8トランジスタTr8の第24電極E24に対してリセット信号SRESETを付与するリセット信号付与端子部TRESETが設けられている。 Further, in each of the block circuits BL 0 to BL n , the nineteenth electrode E19 of the seventh transistor Tr7 is electrically connected to the third terminal portion T 3 set to the same potential as the second terminal portion T 2. The twentieth electrode E20 of the seventh transistor Tr7 is electrically connected to the ninth and tenth electrodes E9, E10. In addition, the 22 electrode E22 of the eighth transistor Tr8 is, is electrically connected to the fourth terminal portions T 4 is set to the first terminal portion T 1 have the same potential, the eighth transistor Tr8 23 electrodes E23 Are electrically connected to the seventh and twelfth electrodes E7, E12. Further, a reset signal applying terminal portion T RESET for applying a reset signal S RESET to the 21st electrode E21 of the seventh transistor Tr7 and the 24th electrode E24 of the eighth transistor Tr8 is provided.

このような構成において、セット信号付与端子部TSETから第3および第6電極E3,E6に対するセット信号SSETの付与と、リセット信号付与端子部TRESETから第21および第24電極E21,E24に対するリセット信号SRESETの付与とが順次に行われる。そして、リセット信号付与端子部TRESETから第21および第24電極E21,E24に対してそれぞれリセット信号SRESETが付与されている状態において、第4端子部T4から第8トランジスタTr8を介して第12電極E12に対して第1データ信号SDPが付与されることで、第4トランジスタTr4が導通状態に設定されている状態(第2設定状態)に設定される。このため、第1および第2端子部T1,T2における電位を変更することなく、各ブロック回路BL0〜BLnを第1設定状態と第2設定状態とに順次に切り替えること、すなわちアウト信号出力許可状態とアウト信号出力禁止状態とに順次に切り替えることができる。 In such a configuration, for the third and sixth electrode E3, and application of the set signal S SET for E6, 21 and 24 electrodes from the reset signal applied terminal portion T RESET E21, E24 from the set signal applying terminal unit T SET The reset signal S RESET is sequentially applied. Then, in a state where the reset signal S RESET is applied to the 21st and 24th electrodes E21, E24 from the reset signal applying terminal portion T RESET , the fourth terminal portion T 4 through the eighth transistor Tr8 is used. against 12 electrodes E12 by the first data signal S DP is applied, is set in a state where the fourth transistor Tr4 is set to the conductive state (second setting state). Therefore, the block circuits BL 0 to BL n are sequentially switched between the first setting state and the second setting state without changing the potentials at the first and second terminal portions T 1 and T 2 , that is, out. It is possible to sequentially switch between a signal output permission state and an out signal output prohibition state.

また、本発明の一実施形態に係るシフトレジスタ回路400では、各ブロック回路BL0〜BLnの第1および第4端子部T1,T4が共通して第1信号線LDPに対して電気的に接続され、各ブロック回路BL0〜BLnの第2および第3端子部T2,T3が共通して第2信号線LDNに対して電気的に接続されている。また、順次に配列された複数のブロック回路BL0〜BLnのうち、奇数番目の各ブロック回路BL0,BL2,BL4,・・・,BLn-1のクロック信号入力端子部TINが、第1クロック信号線LCLKEに対してそれぞれ電気的に接続されている。また、複数のブロック回路BL0〜BLnのうち、偶数番目の各ブロック回路BL1,BL3,BL5,・・・,BLnのクロック信号入力端子部TINが、第2クロック信号線LCLKOに対してそれぞれ電気的に接続されている。また、最も一端側に配列されている第0ブロック回路BL0のリセット信号付与端子部TRESETが、次に配列されている第1ブロック回路BL1のアウト信号出力端子部TOUTに対して電気的に接続されている。また、最も他端側に配列されている第nブロック回路BLnのセット信号付与端子部TSETが、前に配列されている第n−1ブロック回路BLn-1のアウト信号出力端子部TOUTに対して電気的に接続されている。更に、複数のブロック回路BL0〜BLnのうちの両端のブロック回路BL0,BLnを除く第1〜n−1ブロック回路BL1〜BLn-1では、それぞれ各セット信号付与端子部TSETが、各ブロック回路BL1〜BLn-1の前に配列されている各ブロック回路BL0〜BLn-2のアウト信号出力端子部TOUTに対して電気的に接続され、且つ各リセット信号付与端子部TRESETが、各ブロック回路BL1〜BLn-1の次に配列されている各ブロック回路BL2〜BLnのアウト信号出力端子部TOUTに対して電気的に接続されている。 In the shift register circuit 400 according to the embodiment of the present invention, the first and fourth terminal portions T 1 and T 4 of the block circuits BL 0 to BL n are commonly used for the first signal line L DP . The second and third terminal portions T 2 and T 3 of the respective block circuits BL 0 to BL n are electrically connected to the second signal line L DN in common. Further, among the sequentially arrayed plurality of block circuit BL 0 to BL n, odd-numbered blocks circuits BL 0, BL 2, BL 4 , ···, BL n-1 of the clock signal input terminal unit T IN Are electrically connected to the first clock signal line L CLKE . Also, among the plurality of block circuits BL 0 to BL n , the clock signal input terminal portion T IN of each even-numbered block circuit BL 1 , BL 3 , BL 5 ,..., BL n is connected to the second clock signal line. L CLKO is electrically connected to each. Further, the reset signal applying terminal portion T RESET of the 0th block circuit BL 0 arranged on the most end side is electrically connected to the out signal output terminal portion T OUT of the first block circuit BL 1 arranged next. Connected. Further, the set signal giving terminal portion T SET of the n-th block circuit BL n arranged at the most other end side is the out signal output terminal portion T of the n−1-th block circuit BL n−1 arranged before. Electrically connected to OUT . Further, in each of the first to n-1 block circuits BL 1 to BL n-1 excluding the block circuits BL 0 and BL n at both ends of the plurality of block circuits BL 0 to BL n , each set signal giving terminal portion T is provided. SET is electrically connected to the out signal output terminal T OUT of each of the block circuits BL 0 to BL n-2 arranged in front of each of the block circuits BL 1 to BL n−1 , and each reset The signal giving terminal portion T RESET is electrically connected to the out signal output terminal portion T OUT of each block circuit BL 2 to BL n arranged next to each block circuit BL 1 to BL n−1. Yes.

このような構成において、第1データ信号SDPが各第1電極E1および各第22電極E22に対して付与され、且つ第2データ信号SDNが各第4電極E4および各第19電極E19に対して付与されていない状態で、一端側の第0ブロック回路BL0にセット信号SSETが入力された後に、第1および第2クロック信号線LCLKE,LCLKOからの第1および第2クロック信号SCLKE,SCLKOが各ブロック回路BL0〜BLnに対して交互に供給されることにより、一端側の第0ブロック回路BL0から他端側の第nブロック回路BLnに向けて、第1設定状態すなわちアウト信号出力許可状態に設定されているブロック回路が順次にシフトする。このため、シフトレジスタ回路400において、消費電力の増大を抑制しつつ、シフトレジスタの機能を実現することができる。 In such a configuration, the first data signal SDP is applied to each first electrode E1 and each twenty-second electrode E22, and the second data signal SDN is applied to each fourth electrode E4 and each nineteenth electrode E19. The first and second clocks from the first and second clock signal lines L CLKE and L CLKO after the set signal S SET is input to the zeroth block circuit BL 0 on one end side without being applied to the first block. By alternately supplying the signals S CLKE and S CLKO to the respective block circuits BL 0 to BL n , from the 0th block circuit BL 0 on one end side to the nth block circuit BL n on the other end side, The block circuits set in the first setting state, that is, the out signal output permission state, are sequentially shifted. Therefore, in the shift register circuit 400, the function of the shift register can be realized while suppressing an increase in power consumption.

一般的に、TFTをアモルファスのシリコンによって構成する場合には、アモルファスのシリコンにおけるキャリア移動度の低さから、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)の製作が難しく、所謂NMOS(negative channel Metal Oxide Semiconductor)によって構成されるTFTを利用する必要がある。前段からのセット信号が後段に順次に伝達されていくシフトレジスタ回路は、前段からのセット信号が後段に伝達される度に減衰する傾向にある。特に、撮像素子および表示素子の高精細化の要請に伴って、シフトレジスタ回路の段数が増加し、後ろの方の段では、セット信号が顕著に減衰する。   In general, when a TFT is composed of amorphous silicon, CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) is difficult to manufacture due to low carrier mobility in amorphous silicon, so-called NMOS (negative channel Metal Oxide Semiconductor) It is necessary to use TFTs that are constructed. A shift register circuit in which the set signal from the previous stage is sequentially transmitted to the subsequent stage tends to attenuate each time the set signal from the previous stage is transmitted to the subsequent stage. In particular, with the demand for higher definition of the image sensor and the display element, the number of stages of the shift register circuit increases, and the set signal is significantly attenuated in the rear stage.

本実施形態に係るシフトレジスタ回路400は、TFTをアモルファスのシリコンによって構成した場合であっても、セット信号を順次シフトさせるために、外部からデータ信号を供給し、データ信号の供給により内部に電荷を蓄積させてTFTをオン/オフさせることにより、セット信号を順次シフトさせる。その結果、セット信号が前段から後段に向けて、減衰傾向が非常に小さいセット信号を供給し続けることができる。   The shift register circuit 400 according to this embodiment supplies a data signal from the outside in order to sequentially shift the set signal even when the TFT is made of amorphous silicon, and charges are internally generated by the supply of the data signal. Is stored and the TFT is turned on / off to sequentially shift the set signal. As a result, the set signal can continue to be supplied from the front stage to the rear stage with a very small attenuation tendency.

また、シフトレジスタ回路400を含むYドライバ回路4Yでは、第1トランジスタTr1の第2電極E2と、第3トランジスタTr3の第9電極E9、第4トランジスタTr4の第10電極E10、および第5トランジスタTr5の第15電極E15とが、第9トランジスタTr9の第25および第26電極E25,E26を介して電気的に接続される。また、第7トランジスタTr7の第20電極E20と、第9電極E9、第10電極E10、および第15電極E15とが、第10トランジスタTr10の第28および第29電極E28,E29を介して電気的に接続される。   In the Y driver circuit 4Y including the shift register circuit 400, the second electrode E2 of the first transistor Tr1, the ninth electrode E9 of the third transistor Tr3, the tenth electrode E10 of the fourth transistor Tr4, and the fifth transistor Tr5. The fifteenth electrode E15 is electrically connected via the 25th and 26th electrodes E25, E26 of the ninth transistor Tr9. Further, the twentieth electrode E20 of the seventh transistor Tr7, the ninth electrode E9, the tenth electrode E10, and the fifteenth electrode E15 are electrically connected via the 28th and 29th electrodes E28, E29 of the tenth transistor Tr10. Connected to.

更に、第2トランジスタTr2の第5電極E5と、第3トランジスタTr3の第7電極E7、第4トランジスタTr4の第12電極E12、および第6トランジスタTr6の第18電極E18とが、第11トランジスタTr11の第31および第32電極E31,E32を介して電気的に接続される。また、第8トランジスタTr8の第23電極E23と、第7電極E7、第12電極E12、および第18電極E18とが、第11トランジスタTr11の第31および第32電極E31,E32を介して電気的に接続される。また、第13トランジスタTr13の第37電極E37が、第1信号線LDPに対して電気的に接続され、第13トランジスタTr13の第38電極E38が、第3トランジスタTr3の第9電極E9、第4トランジスタTr4の第10電極E10、および第5トランジスタTr5の第15電極E15に対して電気的に接続される。また、第14トランジスタTr14の第40電極E40が、第2信号線LDNに対して電気的に接続され、第14トランジスタTr14の第41電極E41が、第7電極E7、第12電極E12、および第18電極E18に対して電気的に接続される。そして、第27、第30、第33、および第36電極E27,E30,E33,E36に対して第1モード信号線LSLが接続され、第39および第42電極E39,E42に対して第2モード信号線LPLが接続される。 Furthermore, the fifth electrode E5 of the second transistor Tr2, the seventh electrode E7 of the third transistor Tr3, the twelfth electrode E12 of the fourth transistor Tr4, and the eighteenth electrode E18 of the sixth transistor Tr6 are connected to the eleventh transistor Tr11. The thirty-first and thirty-second electrodes E31 and E32 are electrically connected. In addition, the 23rd electrode E23 of the eighth transistor Tr8, the seventh electrode E7, the twelfth electrode E12, and the eighteenth electrode E18 are electrically connected via the 31st and 32nd electrodes E31, E32 of the 11th transistor Tr11. Connected to. In addition, the 37 electrode E37 of the thirteenth transistor Tr13 is electrically connected to the first signal line L DP, 38th electrode E38 of the thirteenth transistor Tr13 is ninth electrode E9 of the third transistor Tr3, the The tenth electrode E10 of the four transistor Tr4 and the fifteenth electrode E15 of the fifth transistor Tr5 are electrically connected. The 40th electrode E40 of the 14th transistor Tr14 is electrically connected to the second signal line L DN , and the 41st electrode E41 of the 14th transistor Tr14 is connected to the 7th electrode E7, the 12th electrode E12, and It is electrically connected to the 18th electrode E18. The first mode signal line LSL is connected to the 27th, 30th, 33rd, and 36th electrodes E27, E30, E33, E36, and the second mode is connected to the 39th and 42nd electrodes E39, E42. Mode signal line LPL is connected.

このような構成において、第27、第30、第33、および第36電極E27,E30,E33,E36に対する第1モード信号SSLの付与の有無により、各ブロック回路BL0〜BLnについては、第9〜12トランジスタTr9〜Tr12がそれぞれ導通状態に設定されている状態と、第9〜12トランジスタTr9〜Tr12がそれぞれ非導通状態に設定されている状態とに交互に設定される。このため、Yドライバ回路4Yでは、シフトレジスタの機能と、第0〜nブロック回路BL0〜BLnから同時にアウト信号SOUTが出力される機能とが実現される。また、第0〜nブロック回路BL0〜BLnから同時にアウト信号SOUTが出力される場合でも、貫通電流の発生が抑制される。したがって、本発明の実施形態に係る画像表示装置1のように、複数の画素回路31を同時に点灯させる方式の画像表示装置に適用される各ブロック回路BL0〜BLnを含むYドライバ回路4Yにおいて、n型のトランジスタを用いた場合でも、消費電力の増大を抑制することができる。 In such a configuration, each of the block circuits BL 0 to BL n is determined depending on whether or not the first mode signal S SL is applied to the 27th, 30th, 33rd, and 36th electrodes E27, E30, E33, E36. The ninth to twelfth transistors Tr9 to Tr12 are alternately set to a conductive state and the ninth to twelfth transistors Tr9 to Tr12 are respectively set to a nonconductive state. Therefore, in the Y driver circuit 4Y, the function of the shift register and the function of simultaneously outputting the out signal S OUT from the 0th to n-th block circuits BL 0 to BL n are realized. Further, even when the out signal S OUT is simultaneously output from the 0th to n-th block circuits BL 0 to BL n , the generation of the through current is suppressed. Therefore, in the Y driver circuit 4Y including the block circuits BL 0 to BL n applied to an image display device of a method in which a plurality of pixel circuits 31 are simultaneously turned on like the image display device 1 according to the embodiment of the present invention. Even when n-type transistors are used, an increase in power consumption can be suppressed.

このように、本発明の一実施形態に係る各ブロック回路BL0〜BLnでは、電気回路において貫通電流の発生が抑制される。そして、各ブロック回路BL0〜BLnを含む、シフトレジスタ回路400、Yドライバ回路4Y、および画像表示装置1においても、電気回路において貫通電流の発生が抑制される。その結果、この貫通電流の発生の抑制により、各ブロック回路BL0〜BLn、シフトレジスタ回路400、Yドライバ回路4Y、および画像表示装置1において、消費電力を低減することができる。特に、アモルファスのシリコンを用いたn型のトランジスタを採用する場合は、電気回路において、例えば、従来技術と比較して約60%の消費電力の低減を図ることができる。 As described above, in each of the block circuits BL 0 to BL n according to the embodiment of the present invention, generation of a through current is suppressed in the electric circuit. Also in the shift register circuit 400, the Y driver circuit 4Y, and the image display device 1 including the block circuits BL 0 to BL n , the generation of through current is suppressed in the electric circuit. As a result, by suppressing the generation of the through current, power consumption can be reduced in each of the block circuits BL 0 to BL n , the shift register circuit 400, the Y driver circuit 4Y, and the image display device 1. In particular, when an n-type transistor using amorphous silicon is employed, in an electric circuit, for example, power consumption can be reduced by about 60% compared to the related art.

<変形例>
本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
<Modification>
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes and improvements can be made without departing from the scope of the present invention.

◎例えば、上記一実施形態に係るシフトレジスタ回路400では、第1および第2シフトモードにおいて、各ブロック回路BL0〜BLnが、図12で示されたブロック回路BLYの構成となるように設定されることで、シフトレジスタの機能を実現したが、これに限られない。例えば、各ブロック回路BL0〜BLnが、図13で示されたブロック回路BLZの構成となるように設定されることで、シフトレジスタの機能を実現しても良い。 For example, in the shift register circuit 400 according to the above-described embodiment, in the first and second shift modes, the block circuits BL 0 to BL n have the configuration of the block circuit BL Y shown in FIG. The function of the shift register is realized by setting, but the present invention is not limited to this. For example, the function of the shift register may be realized by setting each of the block circuits BL 0 to BL n to have the configuration of the block circuit BL Z shown in FIG.

◎また、上記一実施形態では、画像表示装置1が有機EL素子の発光を利用した有機EL装置であったが、これに限られない。例えば、発光素子として無機材料で構成された発光ダイオード(LED)が採用された画像表示装置等であっても良い。   In the above embodiment, the image display device 1 is an organic EL device using light emission of an organic EL element. However, the present invention is not limited to this. For example, the image display apparatus etc. which employ | adopted the light emitting diode (LED) comprised with the inorganic material as a light emitting element may be sufficient.

◎また、上記一実施形態では、画像表示装置1に適用されるYドライバ回路4Yを例示して説明したが、これに限られない。例えば、本発明の実施形態に係るYドライバ回路4Yの構成を、各種ドライバ回路に適用しても良い。   In the above embodiment, the Y driver circuit 4Y applied to the image display device 1 has been described as an example, but the present invention is not limited to this. For example, the configuration of the Y driver circuit 4Y according to the embodiment of the present invention may be applied to various driver circuits.

◎また、上記一実施形態では、Yドライバ回路4Yに適用されるシフトレジスタ回路400を例示して説明したが、これに限られない。例えば、本発明の一実施形態に係るシフトレジスタ回路400の構成を、各種シフトレジスタ回路に適用しても良い。つまり、図12で示したブロック回路BLYは、Yドライバ回路4Y又はシフトレジスタ回路400にのみ適用できる回路でなく、各種ドライバ回路又は各種シフトレジスタ回路に適用することができる。 In the above embodiment, the shift register circuit 400 applied to the Y driver circuit 4Y has been described as an example. However, the present invention is not limited to this. For example, the configuration of the shift register circuit 400 according to an embodiment of the present invention may be applied to various shift register circuits. That is, the block circuit BL Y shown in FIG. 12 can be applied not only to the Y driver circuit 4Y or the shift register circuit 400 but also to various driver circuits or various shift register circuits.

◎また、上記一実施形態では、シフトレジスタ回路400に適用される各ブロック回路BL0〜BLnの構成を示して説明したが、これに限られない。例えば、本発明の一実施形態に係る各ブロック回路BL0〜BLnの構成を、電気的に直列に接続されている2つのn型のトランジスタの間の電位を該2つのトランジスタの導通状態によって切り替える各種電気回路に適用しても良い。 In the above embodiment, the configuration of each of the block circuits BL 0 to BL n applied to the shift register circuit 400 has been described, but the present invention is not limited to this. For example, the configuration of each of the block circuits BL 0 to BL n according to an embodiment of the present invention is such that the potential between two n-type transistors that are electrically connected in series depends on the conduction state of the two transistors. You may apply to the various electric circuits to switch.

本発明の一実施形態に係る画像表示装置の機能的な構成を示す図である。It is a figure which shows the functional structure of the image display apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る画像表示装置を構成する1画素分の画素回路の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of the pixel circuit for 1 pixel which comprises the image display apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 画素回路で発生する寄生容量を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the parasitic capacitance which generate | occur | produces in a pixel circuit. 有機ELディスプレイ部の駆動波形を示すタイミングチャートである。It is a timing chart which shows the drive waveform of an organic EL display part. Cs初期化期間での画素回路における電流の流れを例示する図である。It is a figure which illustrates the flow of the electric current in the pixel circuit in a Cs initialization period. 準備期間での画素回路における電流の流れを例示する図である。It is a figure which illustrates the flow of the electric current in the pixel circuit in a preparation period. Vth補償期間での画素回路における電流の流れを例示する図である。It is a figure which illustrates the flow of the electric current in the pixel circuit in a Vth compensation period. 書込期間での画素回路における電流の流れを例示する図である。It is a figure which illustrates the flow of the electric current in the pixel circuit in the writing period. 発光期間での画素回路における電流の流れを例示する図である。It is a figure which illustrates the flow of the electric current in the pixel circuit in the light emission period. シフトレジスタ回路において貫通電流を抑制する一手法について説明するための図である。It is a figure for demonstrating one method of suppressing a through-current in a shift register circuit. NMOSを用いたNOT回路を示す図である。It is a figure which shows the NOT circuit using NMOS. 貫通電流を抑制する原理を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the principle which suppresses a through current. 貫通電流を抑制する原理を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the principle which suppresses a through current. Yドライバに適用されるシフトレジスタ回路の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the shift register circuit applied to Y driver. シフトレジスタ回路を構成する奇数番目のブロック回路の回路図である。It is a circuit diagram of an odd-numbered block circuit constituting a shift register circuit. シフトレジスタ回路を構成する偶数番目のブロック回路の回路図である。It is a circuit diagram of an even-numbered block circuit constituting a shift register circuit. 第1シフトモードに係るシフトレジスタ回路の動作を示す図である。It is a figure which shows operation | movement of the shift register circuit which concerns on 1st shift mode. 第2シフトモードに係るシフトレジスタ回路の動作を示す図である。It is a figure which shows operation | movement of the shift register circuit which concerns on 2nd shift mode. 同時出力モードに係るシフトレジスタ回路の動作を示す図である。It is a figure which shows operation | movement of the shift register circuit which concerns on simultaneous output mode. シフトレジスタ回路の動作に係るタイミングチャートである。6 is a timing chart relating to the operation of the shift register circuit. シフトレジスタ回路の動作に係るタイミングチャートである。6 is a timing chart relating to the operation of the shift register circuit. シフトレジスタ回路の動作に係るタイミングチャートである。6 is a timing chart relating to the operation of the shift register circuit. 従来技術に係るシフトレジスタの1段分の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure for 1 step | paragraph of the shift register which concerns on a prior art.

符号の説明Explanation of symbols

1 画像表示装置
2 制御部
3 有機ELディスプレイ部
4X Xドライバ回路
4Y Yドライバ回路
11 有機EL素子
31 画素回路
400 シフトレジスタ回路
BL0〜BLn 第0〜nブロック回路
E1〜E42 第1〜42電極
CLKE 第1クロック信号線
CLKO 第2クロック信号線
DN 第2信号線
DP 第1信号線
PL 第2モード信号線
SL 第1モード信号線
VL 低電位線
Tr1〜Tr14 第1〜14トランジスタ
1〜T12 第1〜12端子部
IN クロック信号入力端子部
L1〜TL3 第1〜3低電位接続端子部
OUT アウト信号出力端子部
RESET リセット信号付与端子部
SET セット信号付与端子部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Image display apparatus 2 Control part 3 Organic EL display part 4X X driver circuit 4Y Y driver circuit 11 Organic EL element 31 Pixel circuit 400 Shift register circuit BL0-BLn 0th- n block circuit E1-E42 1-42 electrode L CLKE first clock signal line L CLKO second clock signal line L DN second signal line L DP first signal line L PL second mode signal line L SL first mode signal line L VL low potential line Tr1 to Tr14 first -14 transistor T 1 through T 12 second 12 terminal portions T IN a clock signal input terminal unit T L1 through T L3 first to third low-potential connection terminal portions T oUT-out signal output terminal portion T rESET reset signal applying terminal unit T SET set signal application terminal

Claims (10)

第1トランジスタと第2トランジスタの両方のゲート電極にセット信号を付与し、前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタを電流が流れ得る導通状態に設定するセット信号付与部と、
前記第1トランジスタに電流が流れ得る状態にて該第1トランジスタに第1信号を流す第1信号付与部と、
前記第2トランジスタに電流が流れ得る状態にて該第2トランジスタに第2信号を流す第2信号付与部と、
前記セット信号を付与している状態において、前記第1信号が流れて出力信号が出力される第1信号状態と、前記第2信号が流れず前記出力信号が出力されない第2信号状態とに順次に切り替える制御部と、
を備えることを特徴とする電気回路。
A set signal applying unit that applies a set signal to the gate electrodes of both the first transistor and the second transistor, and sets the first transistor and the second transistor in a conductive state in which a current can flow;
A first signal applying unit for supplying a first signal to the first transistor in a state where a current can flow to the first transistor;
A second signal applying unit for supplying a second signal to the second transistor in a state where a current can flow to the second transistor;
In a state where the set signal is applied, a first signal state in which the first signal flows and an output signal is output and a second signal state in which the second signal does not flow and the output signal is not output are sequentially A control unit for switching to,
An electrical circuit comprising:
第1、第2、第3電極を有し、前記第3電極に対する電位の付与に応じて前記第1電極と前記第2電極との間の電流が調整される第1トランジスタと、
第4、第5、第6電極を有し、前記第6電極に対する電位の付与に応じて前記第4電極と前記第5電極との間の電流が調整される第2トランジスタと、
第7、第8、第9電極を有し、前記第9電極に対する電位の付与に応じて前記第7電極と前記第8電極との間の電流が調整される第3トランジスタと、
第10、第11、第12電極を有し、前記第12電極に対する電位の付与に応じて前記第10電極と前記第11電極との間の電流が調整される第4トランジスタと、
前記第3および第6電極に対してセット信号を付与することで、前記第1トランジスタを、前記第1電極と前記第2電極との間で電流が流れ得る導通状態に設定するとともに、前記第2トランジスタを、前記第4電極と前記第5電極との間で電流が流れ得る導通状態に設定するセット信号付与部と、
前記第1電極に対して第1信号を付与する第1信号付与部と、
前記第4電極に対して第2信号を付与する第2信号付与部と、
を備え、
前記第2電極が、前記第9および第10電極に対して電気的に接続され、
前記第5電極が、前記第7および第12電極に対して電気的に接続されており、
前記セット信号が前記第3および第6電極に対して付与されている状態において、前記第9電極に対して前記第1信号が付与されることで、前記第3トランジスタが、前記第7電極と前記第8電極との間で電流が流れ得る導通状態に設定されている第1設定状態と、前記第12電極に対して前記第2信号が付与されることで、前記第4トランジスタが、前記第10電極と前記第11電極との間で電流が流れ得る導通状態に設定されている第2設定状態とに順次に設定されることを特徴とする電気回路。
A first transistor having first, second, and third electrodes, wherein a current between the first electrode and the second electrode is adjusted in response to application of a potential to the third electrode;
A second transistor having fourth, fifth, and sixth electrodes, wherein a current between the fourth electrode and the fifth electrode is adjusted in response to application of a potential to the sixth electrode;
A third transistor having seventh, eighth, and ninth electrodes, wherein a current between the seventh electrode and the eighth electrode is adjusted in response to application of a potential to the ninth electrode;
A fourth transistor having tenth, eleventh and twelfth electrodes, wherein a current between the tenth electrode and the eleventh electrode is adjusted in response to application of a potential to the twelfth electrode;
By applying a set signal to the third and sixth electrodes, the first transistor is set to a conductive state in which a current can flow between the first electrode and the second electrode, and the first transistor A set signal applying unit that sets two transistors in a conductive state in which a current can flow between the fourth electrode and the fifth electrode;
A first signal applying unit that applies a first signal to the first electrode;
A second signal applying unit that applies a second signal to the fourth electrode;
With
The second electrode is electrically connected to the ninth and tenth electrodes;
The fifth electrode is electrically connected to the seventh and twelfth electrodes;
In the state where the set signal is applied to the third and sixth electrodes, the first signal is applied to the ninth electrode, so that the third transistor is connected to the seventh electrode. When the second signal is applied to the first setting state that is set to a conduction state in which a current can flow between the eighth electrode and the twelfth electrode, the fourth transistor is An electric circuit, wherein the electric circuit is sequentially set to a second setting state set to a conductive state in which a current can flow between the tenth electrode and the eleventh electrode.
請求項2に記載の電気回路であって、
第13、第14、第15電極を有し、前記第15電極に対する電位の付与に応じて前記第13電極と前記第14電極との間の電流が調整される第5トランジスタと、
第16、第17、第18電極を有し、前記第18電極に対する電位の付与に応じて前記第16電極と前記第17電極との間の電流が調整される第6トランジスタと、
前記第13電極に対して入力信号を付与する入力信号付与部と、
前記第14電極と前記第16電極とを電気的に接続する配線に対して電気的に接続され、且つ出力信号を出力する信号出力部と、
を更に備え、
前記第15電極が、前記第2、第9、および第10電極に対して電気的に接続され、
前記第18電極が、前記第5、第7、および第12電極に対して電気的に接続されることを特徴とする電気回路。
An electrical circuit according to claim 2,
A fifth transistor having thirteenth, fourteenth and fifteenth electrodes, wherein a current between the thirteenth electrode and the fourteenth electrode is adjusted in response to application of a potential to the fifteenth electrode;
A sixth transistor having sixteenth, seventeenth and eighteenth electrodes, wherein a current between the sixteenth electrode and the seventeenth electrode is adjusted in response to application of a potential to the eighteenth electrode;
An input signal applying unit for applying an input signal to the thirteenth electrode;
A signal output unit that is electrically connected to a wiring that electrically connects the fourteenth electrode and the sixteenth electrode, and that outputs an output signal;
Further comprising
The fifteenth electrode is electrically connected to the second, ninth and tenth electrodes;
The electric circuit, wherein the eighteenth electrode is electrically connected to the fifth, seventh, and twelfth electrodes.
請求項2または請求項3に記載の電気回路であって、
第19、第20、第21電極を有し、前記第21電極に対する電位の付与に応じて前記第19電極と前記第20電極との間の電流が調整される第7トランジスタと、
第22、第23、第24電極を有し、前記第24電極に対する電位の付与に応じて前記第22電極と前記第23電極との間の電流が調整される第8トランジスタと、
前記第21および第24電極に対してリセット信号を付与するリセット信号付与部と、
を更に備え、
前記第19電極が、前記第2信号付与部と同電位に設定される第3信号付与部に対して電気的に接続され、
前記第20電極が、前記第9および第10電極に対して電気的に接続され、
前記第22電極が、前記第1信号付与部と同電位に設定される第4信号付与部に対して電気的に接続され、
前記第23電極が、前記第7および第12電極に対して電気的に接続され、
前記セット信号付与部から前記第3および第6電極に対する前記セット信号の付与と、前記リセット信号付与部から前記第21および第24電極に対する前記リセット信号の付与とが順次に行われ、
前記リセット信号付与部から前記第21および第24電極に対して前記リセット信号がそれぞれ付与されている状態において、前記第4信号付与部から前記第8トランジスタを介して前記第12電極に対して前記第1信号が付与されることで、前記第4トランジスタが前記導通状態に設定されている前記第2設定状態に設定されることを特徴とする電気回路。
An electrical circuit according to claim 2 or claim 3, wherein
A seventh transistor having nineteenth, twentieth and twenty-first electrodes, wherein a current between the nineteenth electrode and the twentieth electrode is adjusted in response to application of a potential to the twenty-first electrode;
An eighth transistor having twenty-second, twenty-third, and twenty-fourth electrodes, wherein a current between the twenty-second electrode and the twenty-third electrode is adjusted in response to application of a potential to the twenty-fourth electrode;
A reset signal applying unit that applies a reset signal to the twenty-first and twenty-fourth electrodes;
Further comprising
The nineteenth electrode is electrically connected to a third signal applying unit set to the same potential as the second signal applying unit;
The twentieth electrode is electrically connected to the ninth and tenth electrodes;
The twenty-second electrode is electrically connected to a fourth signal applying unit set to the same potential as the first signal applying unit;
The twenty-third electrode is electrically connected to the seventh and twelfth electrodes;
Application of the set signal to the third and sixth electrodes from the set signal application unit, and application of the reset signal to the 21st and 24th electrodes from the reset signal application unit are sequentially performed,
In a state where the reset signal is applied to the twenty-first and twenty-fourth electrodes from the reset signal applying unit, the fourth signal applying unit to the twelfth electrode via the eighth transistor. The electric circuit according to claim 1, wherein the fourth signal is set to the second setting state in which the fourth transistor is set to the conductive state when the first signal is applied.
請求項4に記載の複数の電気回路と、
第1および第2入力信号線と、
前記複数の電気回路の各前記第1および第4信号付与部がそれぞれ電気的に接続され、且つ前記第1信号を各前記第1および第4信号付与部に付与する第1信号線と、
前記複数の電気回路の各前記第2および第3信号付与部がそれぞれ電気的に接続され、且つ前記第2信号を各前記第2および第3信号付与部に付与する第2信号線と、
を備え、
前記複数の電気回路が順次に配列され、
前記複数の電気回路のうちの奇数番目にそれぞれ配列されている各前記電気回路の前記入力信号付与部が、前記第1入力信号線に対してそれぞれ電気的に接続され、
前記複数の電気回路のうちの偶数番目にそれぞれ配列されている各前記電気回路の前記入力信号付与部が、前記第2入力信号線に対してそれぞれ電気的に接続され、
前記複数の電気回路のうちの一端に配列されている前記電気回路の前記リセット信号付与部が、該一端に配列されている前記電気回路の次に配列されている前記電気回路の前記信号出力部に対して電気的に接続され、
前記複数の電気回路のうちの他端に配列されている前記電気回路の前記セット信号付与部が、該他端に配列されている前記電気回路の前に配列されている前記電気回路の前記信号出力部に対して電気的に接続され、
前記複数の電気回路のうちの前記一端および他端に配列されている前記電気回路を除く各前記電気回路では、それぞれ、前記セット信号付与部が前に配列されている前記電気回路の前記信号出力部に対して電気的に接続され、且つ前記リセット信号付与部が次に配列されている前記電気回路の前記信号出力部に対して電気的に接続されることを特徴とするシフトレジスタ回路。
A plurality of electrical circuits according to claim 4;
First and second input signal lines;
A first signal line that electrically connects each of the first and fourth signal applying units of the plurality of electric circuits, and applies the first signal to the first and fourth signal applying units;
A second signal line that electrically connects each of the second and third signal applying units of the plurality of electric circuits and applies the second signal to the second and third signal applying units;
With
The plurality of electric circuits are sequentially arranged;
The input signal applying units of the electric circuits arranged in odd numbers among the plurality of electric circuits are electrically connected to the first input signal lines, respectively.
The input signal applying units of the electric circuits arranged in even-numbered electric circuits among the plurality of electric circuits are electrically connected to the second input signal lines, respectively.
The signal output unit of the electric circuit in which the reset signal applying unit of the electric circuit arranged at one end of the plurality of electric circuits is arranged next to the electric circuit arranged at the one end Electrically connected to
The signal of the electric circuit in which the set signal providing unit of the electric circuit arranged at the other end of the plurality of electric circuits is arranged before the electric circuit arranged at the other end Electrically connected to the output,
In each of the electric circuits excluding the electric circuit arranged at the one end and the other end of the plurality of electric circuits, the signal output of the electric circuit in which the set signal applying unit is arranged in front of each other A shift register circuit, wherein the shift register circuit is electrically connected to a signal output section of the electrical circuit in which the reset signal applying section is arranged next.
請求項5に記載のシフトレジスタ回路であって、
前記第1信号が各前記第1電極および各前記第22電極に対して付与され、且つ前記第2信号が各前記第4電極および各前記第19電極に対して付与されていない状態で、前記一端に配列されている前記電気回路の前記セット信号付与部に前記セット信号が付与された後に、前記第1入力信号線による各前記電気回路に対する前記入力信号の付与と、前記第2入力信号線による各前記電気回路に対する前記入力信号の付与とが交互に行われることを特徴とするシフトレジスタ回路。
A shift register circuit according to claim 5,
In a state where the first signal is applied to each of the first electrode and the 22nd electrode, and the second signal is not applied to each of the fourth electrode and each of the 19th electrode, After the set signal is applied to the set signal applying unit of the electric circuit arranged at one end, the input signal is applied to each electric circuit by the first input signal line, and the second input signal line The shift register circuit is characterized in that the application of the input signal to each of the electrical circuits is alternately performed.
請求項5または請求項6に記載のシフトレジスタ回路と、
第1および第2モード信号線と、
を更に備え、
各前記電気回路が、
第25、第26、第27電極を有し、前記第27電極に対する電位の付与に応じて前記第25電極と前記第26電極との間の電流が調整される第9トランジスタと、
第28、第29、第30電極を有し、前記第30電極に対する電位の付与に応じて前記第28電極と前記第29電極との間の電流が調整される第10トランジスタと、
第31、第32、第33電極を有し、前記第33電極に対する電位の付与に応じて前記第31電極と前記第32電極との間の電流が調整される第11トランジスタと、
第34、第35、第36電極を有し、前記第36電極に対する電位の付与に応じて前記第34電極と前記第35電極との間の電流が調整される第12トランジスタと、
第37、第38、第39電極を有し、前記第39電極に対する電位の付与に応じて前記第37電極と前記第38電極との間の電流が調整される第13トランジスタと、
第40、第41、第42電極を有し、前記第42電極に対する電位の付与に応じて前記第40電極と前記第41電極との間の電流が調整される第14トランジスタと、
を更に有し、
各前記電気回路において、
前記第2電極と、前記第9、第10、および第15電極とが、前記第25および第26電極を介して電気的に接続され、
前記第20電極と、前記第9、第10、および第15電極とが、前記第28および第29電極を介して電気的に接続され、
前記第5電極と、前記第7、第12、および第18電極とが、前記第31および第32電極を介して電気的に接続され、
前記第23電極と、前記第7、第12、および第18電極とが、前記第34および第35電極を介して電気的に接続され、
前記第37電極が、前記第1信号線に対して電気的に接続され、
前記第38電極が、前記第9、第10、および第15電極に対して電気的に接続され、
前記第40電極が、前記第2信号線に対して電気的に接続され、
前記第41電極が、前記第7、第12、および第18電極に対して電気的に接続され、
前記第1モード信号線が、前記第27、第30、第33、および第36電極に対して電気的に接続され、
前記第2モード信号線が、前記第39および第42電極に対して電気的に接続されることを特徴とするドライバ回路。
A shift register circuit according to claim 5 or 6,
First and second mode signal lines;
Further comprising
Each said electrical circuit is
A ninth transistor having twenty-fifth, twenty-sixth and twenty-seventh electrodes, wherein the current between the twenty-fifth electrode and the twenty-sixth electrode is adjusted in response to the application of a potential to the twenty-seventh electrode;
A tenth transistor having 28th, 29th, and 30th electrodes, wherein a current between the 28th electrode and the 29th electrode is adjusted according to application of a potential to the 30th electrode;
An eleventh transistor having thirty-first, thirty-second, and thirty-third electrodes, wherein a current between the thirty-first electrode and the thirty-second electrode is adjusted in response to application of a potential to the thirty-third electrode;
A twelfth transistor having thirty-fourth, thirty-fifth and thirty-sixth electrodes, wherein a current between the thirty-fourth electrode and the thirty-fifth electrode is adjusted in response to application of a potential to the thirty-sixth electrode;
A thirteenth transistor having thirty-seventh, thirty-eighth and thirty-ninth electrodes, wherein a current between the thirty-seventh electrode and the thirty-eighth electrode is adjusted in response to application of a potential to the thirty-ninth electrode;
A fourteenth transistor having forty, forty and forty-second electrodes, wherein a current between the forty and forty-first electrodes is adjusted in response to application of a potential to the forty-second electrode;
Further comprising
In each said electrical circuit,
The second electrode and the ninth, tenth, and fifteenth electrodes are electrically connected via the twenty-fifth and twenty-sixth electrodes;
The twentieth electrode and the ninth, tenth and fifteenth electrodes are electrically connected via the 28th and 29th electrodes;
The fifth electrode and the seventh, twelfth, and eighteenth electrodes are electrically connected via the thirty-first and thirty-second electrodes;
The twenty-third electrode and the seventh, twelfth, and eighteenth electrodes are electrically connected via the thirty-fourth and thirty-fifth electrodes;
The 37th electrode is electrically connected to the first signal line;
The thirty-eighth electrode is electrically connected to the ninth, tenth and fifteenth electrodes;
The 40th electrode is electrically connected to the second signal line;
The forty-first electrode is electrically connected to the seventh, twelfth and eighteenth electrodes;
The first mode signal line is electrically connected to the 27th, 30th, 33rd and 36th electrodes;
The driver circuit, wherein the second mode signal line is electrically connected to the 39th and 42nd electrodes.
請求項7に記載のドライバ回路であって、
前記第1モード信号線が、前記第27、第30、第33、および第36電極に対して、それぞれ第1モード信号を付与することで、前記第9トランジスタを、前記第25電極と前記第26電極との間で電流が流れ得る導通状態、前記第10トランジスタを、前記第28電極と前記第29電極との間で電流が流れ得る導通状態、前記第11トランジスタを、前記第31電極と前記第32電極との間で電流が流れ得る導通状態、前記第12トランジスタを、前記第34電極と前記第35電極との間で電流が流れ得る導通状態にそれぞれ設定し、
前記第2モード信号線が、前記第39および第42電極に対して、それぞれ第2モード信号を付与することで、前記第13トランジスタを、前記第37電極と前記第38電極との間で電流が流れ得る導通状態、前記第14トランジスタを、前記第40電極と前記第41電極との間で電流が流れ得る導通状態にそれぞれ設定し、
前記第1モード信号線によって、各前記電気回路に対して前記第1モード信号が付与されている状態と、各前記電気回路に対して前記第1モード信号が付与されていない状態とに交互に設定されることを特徴とするドライバ回路。
The driver circuit according to claim 7,
The first mode signal line applies a first mode signal to the 27th, 30th, 33rd, and 36th electrodes, respectively, so that the ninth transistor is connected to the 25th electrode and the 25th electrode. A conductive state in which a current can flow between the 26th electrode, the tenth transistor, a conductive state in which a current can flow between the 28th electrode and the 29th electrode, and the eleventh transistor with the 31st electrode. A conduction state in which a current can flow between the thirty-second electrode and the twelfth transistor are set in a conduction state in which a current can flow between the thirty-fourth electrode and the thirty-fifth electrode,
The second mode signal line applies a second mode signal to the 39th and 42nd electrodes, respectively, so that the thirteenth transistor has a current between the 37th electrode and the 38th electrode. Each of the fourteenth transistors is set to a conductive state in which a current can flow between the 40th electrode and the 41st electrode,
The first mode signal line alternately alternates between a state in which the first mode signal is applied to each electric circuit and a state in which the first mode signal is not applied to each electric circuit. A driver circuit characterized by being set.
請求項7または請求項8に記載のドライバ回路と、
複数の画素回路が一方向に配列されてそれぞれ構成される複数の画素ラインが、該一方向とは異なる他方向に配列されているディスプレイ部と、
を備え、
各前記電気回路の前記出力端子が、前記複数の画素ラインのうちの対応する前記画素ラインに含まれる前記複数の画素回路に対して、それぞれ前記出力信号を出力することを特徴とする画像表示装置。
A driver circuit according to claim 7 or claim 8,
A display unit in which a plurality of pixel lines each configured by arranging a plurality of pixel circuits in one direction are arranged in another direction different from the one direction;
With
The output terminal of each of the electric circuits outputs the output signal to each of the plurality of pixel circuits included in the corresponding pixel line among the plurality of pixel lines. .
請求項5または請求項6に記載のシフトレジスタ回路であって、
前記電気回路に含まれる前記第1から第8トランジスタの各トランジスタは、n型のトランジスタであることを特徴とするシフトレジスタ回路。
A shift register circuit according to claim 5 or 6,
Each of the first to eighth transistors included in the electric circuit is an n-type transistor.
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