JP2010129698A - Light emitting device, backlight, and liquid crystal display device - Google Patents

Light emitting device, backlight, and liquid crystal display device Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting device in which a reflector is arranged in the circumference of the light emitting element with excellent luminous efficiency. <P>SOLUTION: A light emitting device includes a light emitting element, a reflector arranged in the circumference of this light emitting element, and a phosphor layer that is arranged in the light receiving unit of this reflector and has a phosphor absorbing the light emitted by the light emitting element to emit the light with a wavelength different from that of the luminescent color of this light emitting element. In the light emitting device, the inclination of the inner surface of the reflector from the normal of the installation surface where the light emitting element is installed is ≥5° and ≤40°. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、発光装置、バックライト、および液晶表示装置に係り、特に発光素子の周囲にリフレクタが配置されてなる発光装置と、これを用いたバックライト、液晶表示装置に関する。   The present invention relates to a light emitting device, a backlight, and a liquid crystal display device, and more particularly to a light emitting device in which a reflector is disposed around a light emitting element, and a backlight and a liquid crystal display device using the light emitting device.

近年、一般照明、液晶表示装置用バックライト等に用いられてきた水銀ガス励起の蛍光灯管(FL)、冷陰極線管(CCFL)に対して、コンパクト性、長寿命、低電圧駆動、水銀フリー等の特徴をもつ、白色発光装置の開発が行われるようになってきている。   Compared to mercury-excited fluorescent lamp tubes (FL) and cold cathode ray tubes (CCFL) that have been used for general lighting and backlights for liquid crystal display devices in recent years, they are compact, long-life, low-voltage driven, and mercury-free. The development of white light emitting devices having such features as these has been started.

白色発光装置は、青色光発光ダイオード、緑色発光ダイオード、および赤色発光ダイオードの3色の発光ダイオードを組合せて白色発光させるタイプ1と、励起源としての長波長紫外線(300〜430nm)または青色波長(460〜480nm)の発光ダイオードと、可視光を発光する単色または複数色の蛍光体を含有する蛍光体層とを組合せることによって白色発光させるタイプ2とがある。タイプ2の白色発光装置によれば、発光ダイオードの個数を低減し、全体の発熱を抑制できることから、近年ではタイプ2の白色発光装置の開発がさかんに行われるようになっている。   The white light emitting device includes a type 1 that emits white light by combining light emitting diodes of three colors, a blue light emitting diode, a green light emitting diode, and a red light emitting diode, and a long wavelength ultraviolet ray (300 to 430 nm) or a blue wavelength ( There is a type 2 which emits white light by combining a light emitting diode of 460 to 480 nm) and a phosphor layer containing a phosphor of single color or a plurality of colors which emits visible light. According to the type 2 white light emitting device, since the number of light emitting diodes can be reduced and the overall heat generation can be suppressed, in recent years, the type 2 white light emitting device has been extensively developed.

タイプ2の白色発光装置のうち、長波長紫外線(300〜430nm)を発光する発光ダイオード(以下、紫外光発光ダイオードと呼ぶ)を用いるものは、蛍光体として、青色、緑色、および赤色の3色の蛍光体を用いることで白色光を得ている。一方、青色波長(460〜480nm)の発光ダイオード(以下、青色光発光ダイオードと呼ぶ)を用いるものは、蛍光体として、緑色と赤色との2色の蛍光体、または黄色の蛍光体を用いることにより白色光を得ている。   Among type 2 white light-emitting devices, those using light-emitting diodes (hereinafter referred to as ultraviolet light-emitting diodes) that emit long-wavelength ultraviolet light (300 to 430 nm) have three colors of blue, green, and red as phosphors. Using this phosphor, white light is obtained. On the other hand, those using light emitting diodes with blue wavelengths (460 to 480 nm) (hereinafter referred to as blue light emitting diodes) use green and red phosphors or yellow phosphors as phosphors. To obtain white light.

このようなタイプ2の白色発光装置は、例えば基板上に発光ダイオードを配置すると共に、この発光ダイオードを囲むように樹脂枠等のリフレクタを配置し、このリフレクタ内に発光ダイオードの種類に合わせた蛍光体を含有する蛍光体層を配置することで得られている。このような構造とすることにより、発光ダイオードから発せられた光が蛍光体層により所定の波長の光に変換され、総計として白色光が外部へと放出される仕組みとなっている(例えば、特許文献1参照)。
特開2007−96133号公報
In such a type 2 white light emitting device, for example, a light emitting diode is disposed on a substrate, and a reflector such as a resin frame is disposed so as to surround the light emitting diode, and a fluorescent light adapted to the type of the light emitting diode is disposed in the reflector. It is obtained by arranging a phosphor layer containing a body. By adopting such a structure, light emitted from the light emitting diode is converted into light of a predetermined wavelength by the phosphor layer, and white light is emitted to the outside as a total (for example, patents) Reference 1).
JP 2007-96133 A

しかしながら、発光ダイオードの周囲に単にリフレクタを設けた場合、すなわち発光ダイオードが搭載される搭載面、例えば基板の表面の法線に対してリフレクタの内面の傾きがほとんどない場合、発光ダイオードから発せられた光がリフレクタの内面で反射され、再び発光ダイオードへと入射するため、必ずしも発光効率に優れない。   However, when the reflector is simply provided around the light emitting diode, that is, when the mounting surface on which the light emitting diode is mounted, for example, there is almost no inclination of the inner surface of the reflector with respect to the normal of the surface of the substrate, the light emitted from the light emitting diode Since light is reflected by the inner surface of the reflector and enters the light emitting diode again, the luminous efficiency is not necessarily excellent.

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、発光ダイオードの周囲にリフレクタが配置される発光装置において、発光効率に優れるものを提供することを目的としている。また、本発明は、このような発光効率に優れる発光装置を用いたバックライト、液晶表示装置を提供することを目的としている。   The present invention has been made to solve the above-described problem, and an object of the present invention is to provide a light-emitting device in which a reflector is disposed around a light-emitting diode, which has excellent luminous efficiency. Another object of the present invention is to provide a backlight and a liquid crystal display device using such a light emitting device having excellent luminous efficiency.

本発明の発光装置は、発光素子と、前記発光素子の周囲に配置されるリフレクタと、前記リフレクタの受光部に配置され、前記発光素子から放出された光を吸収して前記発光素子の発光色とは異なる波長の光を放出する蛍光体を含有する蛍光体層とを具備する発光装置であって、前記発光素子が設置される設置面の法線からの前記リフレクタの内面の傾きが5°以上40°以下であることを特徴としている。   The light emitting device of the present invention includes a light emitting element, a reflector disposed around the light emitting element, and a light receiving portion of the reflector, which absorbs light emitted from the light emitting element and emits light from the light emitting element. And a phosphor layer containing a phosphor that emits light having a wavelength different from that of the reflector, wherein the inclination of the inner surface of the reflector with respect to the normal of the installation surface on which the light emitting element is installed is 5 °. It is characterized by being 40 ° or less.

前記発光素子は、波長が430nmより短い紫外光を発光するものであり、前記蛍光体は、前記発光素子の発光を吸収して長波長発光を行なうものであることが好ましい。   The light emitting element emits ultraviolet light having a wavelength shorter than 430 nm, and the phosphor preferably emits light of a long wavelength by absorbing light emitted from the light emitting element.

また、前記発光素子からの直接光のエネルギーと、前記蛍光体からの蛍光のエネルギーとのエネルギー比は0.1以下であることが好ましい。   The energy ratio between the direct light energy from the light emitting element and the fluorescence energy from the phosphor is preferably 0.1 or less.

さらに、前記リフレクタの前記設置面側の前記受光部の大きさと、前記発光素子の大きさとの差が1.2mm以下であることが好ましい。   Furthermore, it is preferable that a difference between the size of the light receiving portion on the installation surface side of the reflector and the size of the light emitting element is 1.2 mm or less.

本発明によれば、発光素子と、この発光素子の周囲に配置されるリフレクタと、このリフレクタの受光部に配置され、発光素子から放出された光を吸収して該発光素子の発光色とは異なる波長の光を放出する蛍光体を含有する蛍光体層とを具備する発光装置において、発光素子が設置される設置面の法線からのリフレクタの内面の傾きを5°以上40°以下とすることで、発光効率に優れる発光装置とすることができる。   According to the present invention, a light emitting element, a reflector disposed around the light emitting element, and a light receiving portion of the reflector, which absorbs light emitted from the light emitting element and is an emission color of the light emitting element. In a light emitting device having a phosphor layer containing phosphors that emit light of different wavelengths, the inclination of the inner surface of the reflector from the normal of the installation surface on which the light emitting element is installed is 5 ° or more and 40 ° or less. Thus, a light emitting device having excellent luminous efficiency can be obtained.

また、本発明によれば、バックライト、液晶表示装置における発光装置としてこのような発光効率に優れる発光装置を用いることで、特性に優れるバックライト、液晶表示装置とすることができる。   Further, according to the present invention, a backlight and a liquid crystal display device having excellent characteristics can be obtained by using such a light emitting device having excellent luminous efficiency as a light emitting device in a backlight and liquid crystal display device.

以下、本発明について説明する。
図1は、本発明の発光装置の一例を示す外観図である。また、図2は、図1に示す発光装置の断面図(A−A線矢視断面図)である。
The present invention will be described below.
FIG. 1 is an external view showing an example of a light emitting device of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view (a cross-sectional view taken along line AA) of the light-emitting device shown in FIG.

発光装置1は、例えば受光部が楕円形状とされた枠状のリフレクタ2と、このリフレクタ2の一方の主面側に設けられる底部3とが一体に形成された装置本体4を有している。リフレクタ2の枠内に露出する底部3の表面上にはリード電極5、リード電極6が形成され、これらはリフレクタ2を貫通して側面部に設けられる一対の実装電極7、実装電極8に接続されている。   The light emitting device 1 has a device main body 4 in which, for example, a frame-like reflector 2 whose light receiving portion is elliptical and a bottom portion 3 provided on one main surface side of the reflector 2 are integrally formed. . A lead electrode 5 and a lead electrode 6 are formed on the surface of the bottom 3 exposed in the frame of the reflector 2, and these are connected to a pair of mounting electrodes 7 and mounting electrodes 8 provided on the side surface through the reflector 2. Has been.

リード電極5上には発光素子9が配置され、この発光素子9の図示しない下部電極がリード電極5に電気的に接続されると共に、図示しない上部電極がボンディングワイヤ10を介してリード電極6に電気的に接続されている。また、リフレクタ2の受光部には、図示しない蛍光体を含む蛍光体層11が充填されている。   A light emitting element 9 is disposed on the lead electrode 5, a lower electrode (not shown) of the light emitting element 9 is electrically connected to the lead electrode 5, and an upper electrode (not shown) is connected to the lead electrode 6 via the bonding wire 10. Electrically connected. The light receiving portion of the reflector 2 is filled with a phosphor layer 11 containing a phosphor (not shown).

リフレクタ2と底部3とからなる装置本体4は、例えばアルミナ、窒化アルミニウム等のセラミックス、ガラスセラミックス、ガラスエポキシ樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものである。装置本体4を、例えばアルミナや窒化アルミニウム等のセラミックスからなるものとすることで、熱伝導性に優れるものとすることができ、発光装置1の温度上昇を抑制できるため好ましい。   The apparatus main body 4 including the reflector 2 and the bottom 3 is made of ceramics such as alumina and aluminum nitride, glass ceramics, glass epoxy resin, thermosetting resin, thermoplastic resin, and the like. The device body 4 is preferably made of ceramics such as alumina or aluminum nitride, for example, because it can have excellent thermal conductivity and the temperature rise of the light emitting device 1 can be suppressed.

リード電極5、リード電極6は、例えばAg、Pt、Ru、PdおよびAl等の金属材料からなるものである。リード電極5、リード電極6をこのような金属材料からなるものとすることで、光反射性に優れるものとし、発光効率に優れる発光装置1とすることができる。なお、リード電極5、リード電極6は、上記した金属材料の他、例えばNi、Cu、Au等からなるものとすることもできる。また、実装電極7、実装電極8についても、リード電極5、リード電極6と同様の金属材料からなるものとすることができるが、必ずしも光反射性に優れるものである必要がないため、通常はNi、Cu、Au等からなるものとすることができる。   The lead electrode 5 and the lead electrode 6 are made of a metal material such as Ag, Pt, Ru, Pd, and Al. When the lead electrode 5 and the lead electrode 6 are made of such a metal material, the light emitting device 1 having excellent light reflectivity and excellent light emission efficiency can be obtained. In addition, the lead electrode 5 and the lead electrode 6 can be made of, for example, Ni, Cu, Au, or the like in addition to the above-described metal material. Further, the mounting electrode 7 and the mounting electrode 8 can also be made of the same metal material as that of the lead electrode 5 and the lead electrode 6, but it is not always necessary to have excellent light reflectivity. It can be made of Ni, Cu, Au or the like.

発光素子9は、例えば長波長紫外線(300〜430nm)または青色波長(460〜480nm)を発光するものである。長波長紫外線(300〜430nm)を発光する発光素子(以下、紫外光発光素子という)を用いる場合、蛍光体層11中に含有される蛍光体として、青色、緑色、および赤色の3色の蛍光体を用いることで白色光を得ることができる。一方、青色波長(460〜480nm)の発光素子(以下、青色光発光素子という)を用いる場合、蛍光体層11中に含有される蛍光体として、緑色と赤色との2色の蛍光体、または黄色の蛍光体を用いることにより白色光を得ることができる。なお、発光素子9としては、発光ダイオードおよびレーザを用いることができ、本発明ではこれらをまとめて発光素子と称する。   The light emitting element 9 emits, for example, long wavelength ultraviolet light (300 to 430 nm) or blue wavelength (460 to 480 nm). When a light-emitting element that emits long-wavelength ultraviolet light (300 to 430 nm) (hereinafter referred to as an ultraviolet light-emitting element) is used, phosphors of three colors of blue, green, and red are used as the phosphor contained in the phosphor layer 11. White light can be obtained by using the body. On the other hand, when using a light emitting element (hereinafter referred to as a blue light emitting element) having a blue wavelength (460 to 480 nm), as phosphors contained in the phosphor layer 11, two color phosphors of green and red, or White light can be obtained by using a yellow phosphor. In addition, a light emitting diode and a laser can be used as the light emitting element 9, and these are collectively called a light emitting element in the present invention.

発光素子9として紫外光発光素子を用いる場合、例えば以下に示すような蛍光体を用いることができる。   When an ultraviolet light emitting element is used as the light emitting element 9, for example, the following phosphors can be used.

<青色蛍光体>
青色蛍光体としては、具体的にはピーク波長430nm〜460nmの青色光を発光する青色蛍光体が用いられる。青色蛍光体としては、例えば下記式(1)または(2)で表される組成を有する青色蛍光体が用いられる。
<Blue phosphor>
Specifically, a blue phosphor that emits blue light having a peak wavelength of 430 nm to 460 nm is used as the blue phosphor. As the blue phosphor, for example, a blue phosphor having a composition represented by the following formula (1) or (2) is used.

(Sr1−x−y−zBaCaEu10(PO …(1)
(式中、x、y、およびzは、0≦x<0.2、0≦y<0.1、0.005<z<0.1を満たす値であり、Xは、F、Cl、Brから選ばれる少なくとも1種である。)
(Sr 1-x-y- z Ba x Ca y Eu z) 10 (PO 4) 6 X 2 ... (1)
(Wherein x, y, and z are values satisfying 0 ≦ x <0.2, 0 ≦ y <0.1, 0.005 <z <0.1, and X represents F, Cl, (At least one selected from Br.)

式(1)中、xおよびyがそれぞれ上記範囲内にあると、青色蛍光体からの光の波長がバックライト用途に適するために好ましい。また、xおよびyがそれぞれ上記範囲内で大きくなるほど、青色蛍光体からの光の長波長の発光成分が増加する。一方、xおよびyがそれぞれ上記範囲内で小さくなるほど、青色蛍光体からの光のスペクトル幅が狭くなり、バックライト用途により適するようになる。さらに、zが上記範囲内にあると、青色蛍光体の発光効率が高くなるために好ましい。   In the formula (1), it is preferable that x and y are in the above ranges because the wavelength of light from the blue phosphor is suitable for backlight use. Further, the longer the x and y are within the above ranges, the longer the light emitting component of the light from the blue phosphor increases. On the other hand, the smaller x and y are within the above ranges, the narrower the spectral width of the light from the blue phosphor, and the more suitable for backlight use. Furthermore, it is preferable that z is in the above range because the luminous efficiency of the blue phosphor is increased.

(Ba1−x−y−zSrCaEu)MgAl1017 …(2)
(式中、x、y、およびzは、0≦x<0.5、0≦y<0.1、0.15<z<0.4を満たす値である。)
(Ba 1-x-y- z Sr x Ca y Eu z) MgAl 10 O 17 ... (2)
(In the formula, x, y, and z are values satisfying 0 ≦ x <0.5, 0 ≦ y <0.1, and 0.15 <z <0.4.)

式(2)中、xおよびyがそれぞれ上記範囲内にあると、青色蛍光体からの光の波長がバックライト用途に適するために好ましい。また、xおよびyがそれぞれ上記範囲内で大きくなるほど、青色蛍光体からの光の長波長の発光成分がわずかに増加する。さらに、zが上記範囲内にあると、青色蛍光体の発光効率が高くなるために好ましい。   In the formula (2), it is preferable that x and y are in the above ranges because the wavelength of light from the blue phosphor is suitable for backlight use. In addition, as x and y increase within the above ranges, the long-wavelength light emission component of the light from the blue phosphor slightly increases. Furthermore, it is preferable that z is in the above range because the luminous efficiency of the blue phosphor is increased.

<緑色蛍光体>
緑色蛍光体としては、具体的にはピーク波長490nm〜575nmの緑色光を発光する緑色蛍光体が用いられる。緑色蛍光体としては、例えば下記式(3)で表される組成のユーロピウムマンガン付活アルミン酸塩からなる緑色蛍光体が用いられる。
<Green phosphor>
Specifically, a green phosphor that emits green light having a peak wavelength of 490 nm to 575 nm is used as the green phosphor. As the green phosphor, for example, a green phosphor made of europium manganese activated aluminate having a composition represented by the following formula (3) is used.

(Ba1−x−y−zSrCaEu)(Mg1−uMn)Al1017 …(3)
(式中、x、y、zおよびuは、0≦x<0.5、0≦y<0.1、0.15<z<0.4、0.25<u<0.6を満たす値である。)
(Ba 1-x-y- z Sr x Ca y Eu z) (Mg 1-u Mn u) Al 10 O 17 ... (3)
(Wherein x, y, z and u satisfy 0 ≦ x <0.5, 0 ≦ y <0.1, 0.15 <z <0.4 and 0.25 <u <0.6) Value.)

式(3)中、zおよびuがそれぞれ上記範囲内にあると、緑色蛍光体の発光効率が高いため好ましい。また、xおよびyがそれぞれ上記範囲内にあると、緑色蛍光体の寿命と輝度のバランスがよいため好ましい。xが0.5以上であると緑色蛍光体の寿命が低下するおそれがある。   In the formula (3), it is preferable that z and u are in the above ranges because the green phosphor has high luminous efficiency. Further, it is preferable that x and y are within the above ranges because the green phosphor has a good balance between the lifetime and the luminance. If x is 0.5 or more, the lifetime of the green phosphor may be reduced.

<赤色蛍光体>
赤色蛍光体としては、具体的にはピーク波長620nm〜780nmの赤色光を発光する赤色蛍光体が用いられる。赤色蛍光体としては、例えば下記式(4)で表される組成のユーロピウム付活酸硫化ランタンが用いられる。
<Red phosphor>
Specifically, a red phosphor that emits red light having a peak wavelength of 620 nm to 780 nm is used as the red phosphor. As the red phosphor, for example, europium activated lanthanum oxysulfide having a composition represented by the following formula (4) is used.

(La1−x−yEuS …(4)
(式中、Mは、Sb、Sm、GaおよびSnから選ばれる少なくとも1種の元素であり、xおよびyは、0.08<x<0.17、0≦y<0.003を満たす値である。)
(La 1-x-y Eu x M y) 2 O 2 S ... (4)
(In the formula, M is at least one element selected from Sb, Sm, Ga and Sn, and x and y are values satisfying 0.08 <x <0.17 and 0 ≦ y <0.003. .)

式(4)中、MがSb、Sm、GaおよびSnから選ばれる少なくとも1種の元素であると、赤色蛍光体の発光効率が高いため好ましい。また、x、yがそれぞれ上記範囲内にあると、赤色蛍光体からの光の波長がバックライト用途に適するために好ましい。   In the formula (4), it is preferable that M is at least one element selected from Sb, Sm, Ga and Sn because the luminous efficiency of the red phosphor is high. Moreover, it is preferable that x and y are within the above ranges because the wavelength of light from the red phosphor is suitable for backlight use.

本発明では、このような発光装置1において、例えば図3に示すように、発光素子9の設置面、すなわち底部3の表面の法線からのリフレクタ2の内面2aの傾きθを5°以上40°以下とすることを特徴としている。なお、図3は、図1に示す発光装置1のB−B線矢視断面図である。   In the present invention, in such a light emitting device 1, as shown in FIG. 3, for example, the inclination θ of the inner surface 2a of the reflector 2 from the normal of the surface of the light emitting element 9, that is, the surface of the bottom 3, is 40 ° or more. It is characterized by being below. FIG. 3 is a cross-sectional view of the light emitting device 1 shown in FIG.

リフレクタ2の内面2aにこのような傾きθを設けることで、従来の傾きがほとんどないものに比べ、発光装置1の発光効率を向上させることができる。また、発光効率が向上するために、発光装置1に加える電力を低減して温度上昇を抑制することもでき、これにより信頼性に優れるものとすることもできる。   By providing such an inclination θ on the inner surface 2a of the reflector 2, the light emission efficiency of the light emitting device 1 can be improved as compared with a conventional apparatus having almost no inclination. In addition, since the light emission efficiency is improved, the power applied to the light emitting device 1 can be reduced to suppress the temperature rise, and thus the reliability can be improved.

すなわち、発光素子9から発せられた光は、その上部であるリフレクタ2の開口部へと向かうが、蛍光体層11に含有される蛍光体に衝突して進行方向が水平方向へと曲げられ、結果としてリフレクタ2の内面2aへと入射する。このとき、内面2aに傾きがほとんどない場合、内面2aに入射した光はそのまま水平方向へと反射され、再び発光素子9へと入射する。このため、発光素子9から発せられた光が有効に利用されず、必ずしも発光効率に優れないものとなる。   That is, the light emitted from the light emitting element 9 is directed to the opening of the reflector 2 which is the upper part thereof, but the traveling direction is bent in the horizontal direction by colliding with the phosphor contained in the phosphor layer 11, As a result, the light enters the inner surface 2a of the reflector 2. At this time, when the inner surface 2 a has almost no inclination, the light incident on the inner surface 2 a is reflected as it is in the horizontal direction and enters the light emitting element 9 again. For this reason, the light emitted from the light emitting element 9 is not effectively used, and the light emission efficiency is not necessarily excellent.

本発明では、リフレクタ2の内面2aの傾きθを5°以上40°以下とすることで、発光素子9から発せられた光が再び該発光素子9へと入射することを抑制し、発光効率に優れるものとすることができる。   In the present invention, by setting the inclination θ of the inner surface 2a of the reflector 2 to 5 ° or more and 40 ° or less, the light emitted from the light-emitting element 9 is prevented from entering the light-emitting element 9 again, thereby improving the luminous efficiency. It can be excellent.

ここで、傾きθが5°未満の場合、発光素子9への再入射を抑制する効果が低く、発光効率を十分に向上させることができない。一方、傾きθは40°程度もあれば発光効率を十分に向上させることができ、それを超えて大きくしても、発光効率の向上は期待できず、かえってリフレクタ2の開口部が大きくなるなど、発光装置1の大型化等に繋がるため好ましくない。   Here, when the inclination θ is less than 5 °, the effect of suppressing re-incident on the light emitting element 9 is low, and the light emission efficiency cannot be sufficiently improved. On the other hand, if the inclination θ is about 40 °, the light emission efficiency can be sufficiently improved. If the inclination θ is increased beyond this, the light emission efficiency cannot be expected to be improved, but the opening of the reflector 2 becomes larger. This is not preferable because the size of the light emitting device 1 is increased.

傾きθは、5°以上40°以下であれば発光効率を有効に改善することができるが、好ましくは10°以上、より好ましくは15°以上、さらに好ましくは20°以上である。傾きθをこのようなものとすることで、より一層発光効率に優れるものとすることができる。   If the inclination θ is 5 ° or more and 40 ° or less, the light emission efficiency can be effectively improved, but it is preferably 10 ° or more, more preferably 15 ° or more, and further preferably 20 ° or more. By setting the inclination θ to such a value, the light emission efficiency can be further improved.

ここで、図1に示すようにリフレクタ2の開口部が楕円形状等の場合、リフレクタ2の内面2aは大きく分けて2種の面、すなわちリフレクタ2の長手方向において対向する比較的面積の小さい面(図1中、左下および右上の2つの面)と、この長手方向に垂直な方向において対向する比較的面積の大きい面(図1中、左上および右下の2つの面)とに分けられるが、このような場合、少なくとも長手方向に垂直な方向において対向する比較的面積の大きい面の傾きθが上記範囲内とされていればよい。このように比較的面積の大きい面に所定の傾きθが設けられていることで、発光素子9への再入射を有効に抑制し、発光効率に優れるものとすることができる。   Here, when the opening of the reflector 2 has an elliptical shape as shown in FIG. 1, the inner surface 2a of the reflector 2 is roughly divided into two types, that is, surfaces having a relatively small area facing each other in the longitudinal direction of the reflector 2. (Two surfaces on the lower left and upper right in FIG. 1) and a relatively large surface (two surfaces on the upper left and lower right in FIG. 1) facing each other in the direction perpendicular to the longitudinal direction. In such a case, it is only necessary that the slope θ of the surface having a relatively large area facing at least in the direction perpendicular to the longitudinal direction is within the above range. As described above, the predetermined inclination θ is provided on the surface having a relatively large area, so that the re-incidence to the light emitting element 9 can be effectively suppressed and the light emission efficiency can be improved.

また、内面2aが一様な平面状でない場合、例えば図4に示すように2つの平面2b、2cからなる場合、発光素子9の設置面、すなわち底部3の表面から100μmの高さまでの各平面2b、2cの傾きθ、θの平均値を傾きθとする。具体的には、各平面2b、2cの傾きθ、θを各平面2b、2cの長さ(底部3の表面から100μmの高さまでの長さ)で重み付けして得られる平均値を傾きθとする。なお、内面2aが3つ以上の平面からなる場合についても略同様とする。 Further, when the inner surface 2a is not a uniform plane, for example, when it is composed of two planes 2b and 2c as shown in FIG. 4, each plane from the installation surface of the light emitting element 9, that is, the surface of the bottom 3 to a height of 100 μm. The average value of the gradients θ 1 and θ 2 of 2b and 2c is defined as the gradient θ. Specifically, the average values obtained by weighting the inclinations θ 1 and θ 2 of the planes 2b and 2c with the lengths of the planes 2b and 2c (the length from the surface of the bottom 3 to a height of 100 μm) are inclined. Let θ. The same applies to the case where the inner surface 2a is composed of three or more planes.

一方、例えば図5に示すように内面2aが曲面状の場合、発光素子9の設置面、すなわち底部3の表面から100μmの高さまでの微分傾斜の平均値を傾きθとする。具体的には、Δy(5μm)ごとにΔxを測定し、arctan(Δx/5)の20個の平均値を傾きθとする。   On the other hand, when the inner surface 2a is curved as shown in FIG. 5, for example, the average value of the differential gradient from the installation surface of the light emitting element 9, that is, the surface of the bottom 3, to a height of 100 μm is defined as the inclination θ. Specifically, Δx is measured every Δy (5 μm), and an average value of 20 arctan (Δx / 5) is defined as a slope θ.

このような傾きθを設けることによる発光効率の向上は、図3の断面図あるいは図6の平面図に示すように、リフレクタ2の受光部(発光素子9の設置面側)の大きさをLとし、発光素子9の大きさをLとした場合、これらの差(L−L)が1.2mm以下の場合に顕著となる。なお、図1に示すようにリフレクタ2の開口部が楕円形状等の場合、リフレクタ2の受光部の大きさL、発光素子9の大きさLは、例えば図6に示すような長手方向に垂直な方向の大きさ(幅)とする。 The light emission efficiency is improved by providing such an inclination θ, as shown in the cross-sectional view of FIG. 3 or the plan view of FIG. 6, by reducing the size of the light receiving portion (the installation surface side of the light emitting element 9) of the reflector 2 to L. 1, and if the size of the light emitting element 9 was L 2, these differences (L 1 -L 2) becomes significant in the case of 1.2mm or less. Incidentally, when the opening portion of the reflector 2 as shown in Figure 1 is such as elliptical shape, size L 1 of the light receiving portion of the reflector 2, the size L 2 of the light-emitting element 9, for example, longitudinal direction as shown in FIG. 6 The size (width) in the direction perpendicular to.

差(L−L)が1.2mmを超える場合、リフレクタ2の内面2aと発光素子9の側面とが離れすぎているために、そもそも発光素子9から発せられた光が内面2aで反射されて再び該発光素子9に入射することが少なく、内面2aに所定の傾きθを設けても必ずしも発光効率を向上させることができない。差(L−L)が1.2mm以下である場合、発光素子9から発せられた光が内面2aで反射されて再び該発光素子9に入射するため、内面2aに所定の傾きθを設けることで、発光素子9への再入射を抑制し、発光効率を顕著に向上させることができる。 When the difference (L 1 −L 2 ) exceeds 1.2 mm, the inner surface 2a of the reflector 2 and the side surface of the light emitting element 9 are too far apart, so that the light emitted from the light emitting element 9 is reflected by the inner surface 2a in the first place. Thus, the light is not incident on the light emitting element 9 again, and even if the inner surface 2a is provided with a predetermined inclination θ, the light emission efficiency cannot always be improved. When the difference (L 1 −L 2 ) is 1.2 mm or less, the light emitted from the light emitting element 9 is reflected by the inner surface 2a and is incident on the light emitting element 9 again. By providing, re-incidence to the light emitting element 9 can be suppressed and the light emission efficiency can be remarkably improved.

また、所定の傾きθを設けることによる発光効率の向上は、発光素子9として上記した紫外光発光素子を用い、蛍光体層11に含有される蛍光体として青色、緑色、および赤色の3色の蛍光体を用いる場合に顕著となる。   In addition, the luminous efficiency is improved by providing the predetermined inclination θ. The above-described ultraviolet light emitting element is used as the light emitting element 9, and the phosphors contained in the phosphor layer 11 are blue, green, and red. This is remarkable when a phosphor is used.

すなわち、発光素子9として紫外光発光素子を用い、蛍光体層11に含まれる蛍光体として青色、緑色、および赤色の3色の蛍光体を用いる場合、紫外光発光素子から発せられた紫外光が発光装置1の外部へと放出されることを抑制するために、蛍光体層11に含有される蛍光体の密度を高くする必要がある。蛍光体の密度を高くした場合、発光素子9から発せられた光が蛍光体層11に含有される蛍光体に衝突して進行方向が水平方向へと曲げられる確率が高くなり、結果として内面2aへと入射し、反射されて発光素子9に再入射する確率も高くなる。   That is, when an ultraviolet light emitting element is used as the light emitting element 9 and phosphors of three colors of blue, green, and red are used as the phosphor contained in the phosphor layer 11, ultraviolet light emitted from the ultraviolet light emitting element is emitted. In order to suppress the emission to the outside of the light emitting device 1, it is necessary to increase the density of the phosphor contained in the phosphor layer 11. When the density of the phosphor is increased, the probability that the light emitted from the light emitting element 9 collides with the phosphor contained in the phosphor layer 11 and the traveling direction is bent in the horizontal direction increases, and as a result, the inner surface 2a. The probability that the light enters the light source, is reflected, and reenters the light emitting element 9 is also increased.

従って、発光素子9として紫外光発光素子を用い、蛍光体層11に含有される蛍光体として青色、緑色、および赤色の3色の蛍光体を用いるものについて、リフレクタ2の内面2aに所定の傾きθを設けることで、発光素子9への再入射を抑制し、発光効率を顕著に向上させることができる。   Accordingly, an ultraviolet light emitting element is used as the light emitting element 9 and phosphors of three colors of blue, green, and red are used as the phosphor contained in the phosphor layer 11, and a predetermined inclination is applied to the inner surface 2a of the reflector 2. By providing θ, re-incidence to the light emitting element 9 can be suppressed and the light emission efficiency can be remarkably improved.

さらに、所定の傾きθを設けることによる発光効率の向上は、発光素子9からの直接光のエネルギーと、蛍光体層11に含まれる蛍光体からの蛍光のエネルギーとのエネルギー比(直接光のエネルギー/蛍光のエネルギー)が0.1以下のものにおいて顕著となる。なお、各光のエネルギーは、発光装置全光束を積分球および分光器によりスペクトルとして測定し、直接光のエネルギーは発光素子固有のスペクトルに相当する波長成分のエネルギー、蛍光のエネルギーは使用する蛍光体の発光スペクトルに相当する波長成分のエネルギーとして測定されるものである。   Furthermore, the luminous efficiency is improved by providing a predetermined inclination θ. The energy ratio between the direct light energy from the light emitting element 9 and the fluorescent energy from the phosphor contained in the phosphor layer 11 (direct light energy). / Fluorescence energy) becomes remarkable when the energy is 0.1 or less. The energy of each light is measured as a spectrum of the total luminous flux of the light emitting device using an integrating sphere and a spectroscope, the energy of direct light is the energy of the wavelength component corresponding to the spectrum unique to the light emitting element, and the energy of the fluorescence is the phosphor used It is measured as the energy of the wavelength component corresponding to the emission spectrum.

すなわち、エネルギー比は、発光素子9の出力や、蛍光体層11に含まれる蛍光体の質量密度により変化するが、エネルギー比が0.1以下といったように発光素子9からの直接光のエネルギーが少ない場合に所定の傾きθを設けることで、発光素子9からのエネルギーの少ない直接光を有効利用することができ、発光効率を顕著に向上させることができる。   That is, the energy ratio varies depending on the output of the light emitting element 9 and the mass density of the phosphor contained in the phosphor layer 11, but the energy of the direct light from the light emitting element 9 is such that the energy ratio is 0.1 or less. By providing the predetermined inclination θ when the amount is small, direct light with low energy from the light emitting element 9 can be effectively used, and the light emission efficiency can be remarkably improved.

次に、本発明の発光装置の他の例について説明する。図7は、本発明の発光装置の他の例を示す外観図である。また、図8は、図7に示す発光装置の断面図である。なお、以下では、図1、2に示す発光装置1と同様の機能を有する部分については、同様の符号を付して説明している。   Next, another example of the light emitting device of the present invention will be described. FIG. 7 is an external view showing another example of the light emitting device of the present invention. FIG. 8 is a cross-sectional view of the light emitting device shown in FIG. In the following description, parts having the same functions as those of the light emitting device 1 shown in FIGS.

発光装置1は、基板12の一方の主面に発光素子9が配置され、この発光素子9の周囲を取り囲むように長方形状の受光部を有する枠状のリフレクタ2が設けられている。そして、このリフレクタ2の受光部に、図示しない蛍光体を含有する蛍光体層11が充填されている。   In the light emitting device 1, a light emitting element 9 is disposed on one main surface of a substrate 12, and a frame-shaped reflector 2 having a rectangular light receiving portion is provided so as to surround the light emitting element 9. The light receiving portion of the reflector 2 is filled with a phosphor layer 11 containing a phosphor (not shown).

基板12は、絶縁体からなる板状のものであり、その発光素子9が配置される主面側にリード電極5、リード電極6が形成されている。発光素子9はリード電極5上に配置され、その図示しない下部電極がリード電極5に電気的に接続されると共に、図示しない上部電極がボンディングワイヤ10を介してリード電極6に電気的に接続されている。   The substrate 12 is in the form of a plate made of an insulator, and a lead electrode 5 and a lead electrode 6 are formed on the main surface side where the light emitting element 9 is disposed. The light emitting element 9 is disposed on the lead electrode 5, and a lower electrode (not shown) is electrically connected to the lead electrode 5, and an upper electrode (not shown) is electrically connected to the lead electrode 6 through the bonding wire 10. ing.

また、基板12の発光素子9が配置される主面とは反対側の主面には、実装電極7、実装電極8が形成され、これらはそれぞれ給電ビア13、給電ビア14によりリード電極5およびリード電極6と電気的に接続されている。   Further, the mounting electrode 7 and the mounting electrode 8 are formed on the main surface of the substrate 12 opposite to the main surface on which the light emitting element 9 is disposed, and these are respectively connected to the lead electrode 5 and the power supply via 13 and the power supply via 14. The lead electrode 6 is electrically connected.

このように基板12上にリフレクタ2が配置される構造の発光装置1についても、図1、2に示す発光装置1と同様、リフレクタ2の内面2aに所定の傾きθを設けることで、従来の傾きがほとんどないものに比べ、発光装置1の発光効率を向上させることができる。また、発光効率が向上するために、発光装置1に加える電力を低減して温度上昇を抑制することもでき、これにより信頼性に優れるものとすることもできる。   In the light emitting device 1 having the structure in which the reflector 2 is arranged on the substrate 12 as described above, similarly to the light emitting device 1 shown in FIGS. 1 and 2, by providing a predetermined inclination θ on the inner surface 2 a of the reflector 2, The light emission efficiency of the light emitting device 1 can be improved as compared with the one having almost no inclination. In addition, since the light emission efficiency is improved, the power applied to the light emitting device 1 can be reduced to suppress the temperature rise, and thus the reliability can be improved.

次に、本発明の発光装置1の製造方法について説明する。本発明の発光装置1は、リフレクタ2の内面2aに所定の傾きθを設けることを除き、公知の発光装置の製造方法を適用することができる。   Next, the manufacturing method of the light-emitting device 1 of this invention is demonstrated. For the light emitting device 1 of the present invention, a known method for manufacturing a light emitting device can be applied except that a predetermined inclination θ is provided on the inner surface 2a of the reflector 2.

例えば、図7、8に示すような発光装置1を製造する場合、まず基板12として、リード電極5、リード電極6が形成されると共に、このリード電極5、リード電極6のそれぞれに給電ビア13、給電ビア14を介して実装電極7、実装電極8が形成されたものを製造する。   For example, when manufacturing the light-emitting device 1 as shown in FIGS. 7 and 8, first, the lead electrode 5 and the lead electrode 6 are formed as the substrate 12, and the power supply via 13 is provided to each of the lead electrode 5 and the lead electrode 6. Then, a device in which the mounting electrode 7 and the mounting electrode 8 are formed through the power supply via 14 is manufactured.

その後、この基板12のリード電極5上に発光素子9として例えば紫外光発光素子を接合し、発光素子9の図示しない下部電極とリード電極5とを電気的に接続すると共に、図示しない上部電極とリード電極6とをボンディングワイヤ10により電気的に接続する。   Thereafter, an ultraviolet light emitting element, for example, is bonded as a light emitting element 9 on the lead electrode 5 of the substrate 12, and a lower electrode (not shown) of the light emitting element 9 and the lead electrode 5 are electrically connected, and an upper electrode (not shown) The lead electrode 6 is electrically connected by a bonding wire 10.

一方、リフレクタ2として、長方形状等の枠体を製造する。この際、基板12に接合したときに、発光素子9の設置面となる基板12の表面の法線からの内面2aの傾きθが所定の範囲内となるように、内面2aの傾きθを調整する。その後、先に発光素子9が接合された基板12上に、この発光素子9を取り囲むようにして内面2aの傾きθが調整されたリフレクタ2を接合する。   On the other hand, a rectangular frame or the like is manufactured as the reflector 2. At this time, the inclination θ of the inner surface 2a is adjusted so that the inclination θ of the inner surface 2a from the normal of the surface of the substrate 12 to be the installation surface of the light emitting element 9 is within a predetermined range when bonded to the substrate 12. To do. Thereafter, the reflector 2 having the inner surface 2a of which the inclination θ is adjusted is joined to the substrate 12 to which the light emitting element 9 has been previously joined so as to surround the light emitting element 9.

また、別途、シリコーン樹脂等の透明樹脂中に青色蛍光体、緑色蛍光体および赤色蛍光体を混合して蛍光体スラリーを調製し、この蛍光体スラリーを基板12上に接合されたリフレクタ2の受光部に流し込み、加熱処理により硬化させて蛍光体層11とし、発光装置1を完成させる。   Separately, a blue phosphor, a green phosphor and a red phosphor are mixed in a transparent resin such as a silicone resin to prepare a phosphor slurry. The phosphor slurry is joined to the substrate 12 to receive light. The phosphor layer 11 is cured by heat treatment, and the light emitting device 1 is completed.

以上、本発明の発光装置1について説明したが、本発明の発光装置1は必ずしも上記したものに限られるものではない。例えば発光素子9は、一対の電極が上部に形成されたものであってもよく、このような一対の電極のそれぞれがボンディングワイヤ10によりリード電極5、リード電極6に電気的に接続されていても構わない。   Although the light emitting device 1 of the present invention has been described above, the light emitting device 1 of the present invention is not necessarily limited to the above. For example, the light emitting element 9 may have a pair of electrodes formed on the top thereof, and each of such a pair of electrodes is electrically connected to the lead electrode 5 and the lead electrode 6 by a bonding wire 10. It doesn't matter.

また、例えば図7、8に示す発光装置1について、給電ビア13、給電ビア14を用いずに、リード電極5、リード電極6のそれぞれを基板12の端部表面を這わせるようにして配置して実装電極7、実装電極8と接続してもよい。また、このような各電極は、板状のものであってもよいし、また膜状のものであってもよい。   Further, for example, in the light emitting device 1 shown in FIGS. 7 and 8, the lead electrode 5 and the lead electrode 6 are arranged so that the end surface of the substrate 12 faces the surface without using the power supply via 13 and the power supply via 14. The mounting electrode 7 and the mounting electrode 8 may be connected. Each of such electrodes may be plate-shaped or film-shaped.

さらに、本発明の発光装置1は、この発光装置1が実装される実装基板の表面に対して垂直な方向に発光するいわゆるトップビュー型であってもよく、また実装基板の表面に対して平行な方向に発光するいわゆるサイドビュー型であってもよい。   Furthermore, the light emitting device 1 of the present invention may be a so-called top view type that emits light in a direction perpendicular to the surface of the mounting substrate on which the light emitting device 1 is mounted, and is parallel to the surface of the mounting substrate. It may be a so-called side view type that emits light in any direction.

このような本発明の発光装置1は、その複数個を線状あるいは面状に配置してバックライトの光源として好適に用いることができる。また、このようなバックライトは、携帯電話、カーナビ、モバイル通信機器の小型画面、パソコンやテレビの中型・大型画面など様々な液晶表示装置の光源として好適に用いることができる。   Such a light emitting device 1 of the present invention can be suitably used as a light source of a backlight by arranging a plurality of the light emitting devices 1 in a linear or planar shape. Further, such a backlight can be suitably used as a light source for various liquid crystal display devices such as small screens of mobile phones, car navigation systems, mobile communication devices, and medium / large screens of personal computers and televisions.

図9は、本発明の発光装置1を用いたバックライト20と、このバックライト20を用いた液晶表示装置30とを模式的に示した断面図である。このバックライト20は直下型のものであり、例えば基板21と、この基板21上に平面方向に配列された複数の発光装置1とから構成されている。また、液晶表示装置30は、例えばこのようなバックライト20の発光面側を覆うように設けられる光学シート部31と、この光学シート部31の外側を覆うように設けられる液晶パネル32とを有している。   FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing a backlight 20 using the light emitting device 1 of the present invention and a liquid crystal display device 30 using the backlight 20. The backlight 20 is of a direct type, and includes, for example, a substrate 21 and a plurality of light emitting devices 1 arranged on the substrate 21 in a planar direction. In addition, the liquid crystal display device 30 includes, for example, an optical sheet portion 31 provided so as to cover the light emitting surface side of the backlight 20 and a liquid crystal panel 32 provided so as to cover the outside of the optical sheet portion 31. is doing.

光学シート部31は、例えば一対の拡散シート31a、31bと、この一対の拡散シート31a、31bに挟持されるプリズムシート31cとから構成されており、樹脂や金属等によって構成される内側フレーム部33によってバックライト20に固定されている。   The optical sheet portion 31 is composed of, for example, a pair of diffusion sheets 31a and 31b and a prism sheet 31c sandwiched between the pair of diffusion sheets 31a and 31b, and an inner frame portion 33 composed of resin, metal, or the like. Is fixed to the backlight 20.

また、液晶パネル32は、例えば2枚の偏光板の間にそれぞれ透明電極が形成されたガラス板であるアレイ基板とカラーフィルタ基板とが対向して配置され、これらアレイ基板とカラーフィルタ基板との間に液晶が注入されて液晶層が構成されたものであり、カラーフィルタ基板には各画素に対応して青(B)、緑(G)、赤(R)のカラーフィルタが形成されている。このような液晶パネル32は、光学シート部31を覆うようにして、樹脂や金属等によって構成される外側フレーム部34によってバックライト20に固定されている。   In the liquid crystal panel 32, for example, an array substrate, which is a glass plate in which a transparent electrode is formed between two polarizing plates, and a color filter substrate are disposed so as to face each other, and between the array substrate and the color filter substrate. Liquid crystal is injected to form a liquid crystal layer, and blue (B), green (G), and red (R) color filters are formed on the color filter substrate corresponding to each pixel. Such a liquid crystal panel 32 is fixed to the backlight 20 by an outer frame portion 34 made of resin, metal or the like so as to cover the optical sheet portion 31.

以上、本発明のバックライト、液晶表示装置について説明したが、本発明のバックライトについては、本発明の発光装置が適用されるものであればその形態は制限されるものではなく、図9に示すような直下型のバックライトであってもよいし、図示しないサイドライト型のバックライトであってもよい。また、本発明の液晶表示装置についても、本発明のバックライトが適用されるものであればその形態は制限されるものではなく、図9に示すような直下型のバックライトを適用したものであってもよいし、図示しないサイドライト型のバックライトを適用したものであってもよい。   Although the backlight and the liquid crystal display device of the present invention have been described above, the form of the backlight of the present invention is not limited as long as the light emitting device of the present invention is applied. It may be a direct-type backlight as shown, or a sidelight-type backlight (not shown). Further, the form of the liquid crystal display device of the present invention is not limited as long as the backlight of the present invention is applied, and a direct type backlight as shown in FIG. 9 is applied. There may be used a side light type backlight (not shown).

次に、本発明の発光装置1について、実施例を参照してさらに詳細に説明する。   Next, the light-emitting device 1 of the present invention will be described in more detail with reference to examples.

(実施例1)
発光装置1として、図1、2に示す構造のものを製造し、リフレクタ2の長手方向に垂直な方向において対向する内面2aの傾きθを変化させて発光効率を測定した。
Example 1
The light emitting device 1 having the structure shown in FIGS. 1 and 2 was manufactured, and the luminous efficiency was measured by changing the inclination θ of the inner surface 2 a facing in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the reflector 2.

ここで、発光装置1の全体の大きさは、長さ3mm、幅2mm、高さ1.2mmとした。また、発光素子9は、長さ400μm、幅(L)400μm、高さ150μmで、発光ピーク波長460μm、半値幅10nmの青色光発光ダイオードとした。さらに、蛍光体層11に含有される蛍光体は粒径25μmのYAG蛍光体とし、蛍光体層11に含有される蛍光体の質量密度は55%とした。 Here, the overall size of the light emitting device 1 was 3 mm in length, 2 mm in width, and 1.2 mm in height. The light-emitting element 9 was a blue light-emitting diode having a length of 400 μm, a width (L 2 ) of 400 μm, a height of 150 μm, an emission peak wavelength of 460 μm, and a half-value width of 10 nm. Furthermore, the phosphor contained in the phosphor layer 11 was a YAG phosphor having a particle size of 25 μm, and the mass density of the phosphor contained in the phosphor layer 11 was 55%.

また、リフレクタ2は、受光部の形状を楕円形状、具体的には長方形の各角部を丸くしたような形状とし、該受光部(発光素子9の設置面側)の長さを2000μm、幅(L)を1300μm、4つの角部の曲率半径を650μmとし、高さ(深さ)を650μmとした。なお、リフレクタ2の受光部の幅Lと、発光素子9の幅Lとの差(L−L)は0.9mmである。なお、発光効率は、ラブスフェア社製全光束測定装置SLMS−1021を用い、投入電力との比較により単位電力当りの光束として測定した。 The reflector 2 has an elliptical shape of the light receiving portion, specifically, a shape in which each corner of the rectangle is rounded, and the length of the light receiving portion (the light emitting element 9 installation surface side) is 2000 μm in width. (L 1 ) was 1300 μm, the radius of curvature of the four corners was 650 μm, and the height (depth) was 650 μm. Incidentally, the width L 1 of the light receiving portion of the reflector 2, the difference between the width L 2 of the light-emitting element 9 (L 1 -L 2) is 0.9 mm. Note that the luminous efficiency was measured as a luminous flux per unit power by using a total luminous flux measuring device SLMS-1021 manufactured by Labsphere and comparing with the input power.

結果を図10に示す。なお、結果は、傾きθを0°にしたときの発光装置1の発光効率を基準とした相対値で示した。   The results are shown in FIG. In addition, the result was shown by the relative value on the basis of the luminous efficiency of the light-emitting device 1 when inclination (theta) was 0 degree.

図10に示すように、傾きθを大きくすることで発光効率が上昇することがわかる。特に、傾きθを5°以上とすることで発光効率が大幅に上昇することがわかる。また、傾きθは、好ましくは10°以上、より好ましくは15°以上、さらに好ましくは20°以上であることがわかる。   As shown in FIG. 10, it can be seen that the luminous efficiency increases by increasing the inclination θ. In particular, it can be seen that the luminous efficiency is significantly increased by setting the inclination θ to 5 ° or more. Further, it is understood that the inclination θ is preferably 10 ° or more, more preferably 15 ° or more, and further preferably 20 ° or more.

(実施例2)
発光素子9として、発光ピーク波長410μm、半値幅10nmの紫外光発光ダイオードを用い、蛍光体層11に含まれる蛍光体を青色蛍光体、緑色蛍光体、および赤色蛍光体の3色の蛍光体とし、青色蛍光体としてSr10(POCl12:Eu、緑色蛍光体としてBaMgAl1017:Eu,Mn、赤色蛍光体としてLaS:Euを用い、蛍光体の平均粒径を35μm、蛍光体層11に含有される蛍光体の質量密度を60%とした以外は、実施例1と同様にして発光装置1を製造し、リフレクタ2の内面2aの傾きθを変化させて発光効率を測定した。結果を図11に示す。
(Example 2)
An ultraviolet light emitting diode having an emission peak wavelength of 410 μm and a half-value width of 10 nm is used as the light-emitting element 9, and the phosphors included in the phosphor layer 11 are three-color phosphors of a blue phosphor, a green phosphor, and a red phosphor. , Sr 10 (PO 4 ) 6 Cl 12 : Eu as the blue phosphor, BaMgAl 10 O 17 : Eu, Mn as the green phosphor, La 2 O 2 S: Eu as the red phosphor, and the average particle diameter of the phosphor The light emitting device 1 is manufactured in the same manner as in Example 1 except that the mass density of the phosphor contained in the phosphor layer 11 is 60%, and the inclination θ of the inner surface 2a of the reflector 2 is changed. Luminous efficiency was measured. The results are shown in FIG.

図11に示すように、傾きθを大きくすることで発光効率が上昇することがわかる。特に、傾きθを5°以上とすることで、発光効率が大幅に上昇することがわかる。   As shown in FIG. 11, it can be seen that the luminous efficiency increases by increasing the inclination θ. In particular, it can be seen that the luminous efficiency is significantly increased by setting the inclination θ to 5 ° or more.

(実施例3)
発光装置1として、図7、8に示す構造のものを製造し、リフレクタ2の長手方向に垂直な方向において対向する内面2aの傾きθを変化させて発光効率を測定した。
(Example 3)
The light emitting device 1 having the structure shown in FIGS. 7 and 8 was manufactured, and the luminous efficiency was measured by changing the inclination θ of the inner surface 2 a facing in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the reflector 2.

ここで、発光装置1の全体の大きさは、長さ2.8mm、幅0.8mm、高さ1.2mmとした。また、発光素子9は、長さ460μm、幅(L)260μm、高さ150μmで、発光ピーク波長460μm、半値幅10nmの青色光発光ダイオードとした。さらに、蛍光体層11に含有される蛍光体は粒径25μmのYAG蛍光体とし、蛍光体層11に含有される蛍光体の質量密度は60%とした。 Here, the overall size of the light emitting device 1 was 2.8 mm in length, 0.8 mm in width, and 1.2 mm in height. The light-emitting element 9 was a blue light-emitting diode having a length of 460 μm, a width (L 2 ) of 260 μm, a height of 150 μm, an emission peak wavelength of 460 μm, and a half-value width of 10 nm. Furthermore, the phosphor contained in the phosphor layer 11 was a YAG phosphor having a particle size of 25 μm, and the mass density of the phosphor contained in the phosphor layer 11 was 60%.

また、リフレクタ2は、図7に示すように受光部の形状を長方形状とし、該受光部(発光素子9の設置面側)の長さを2000μm、幅(L)を600μmとし、高さ(深さ)を650μmとした。なお、発光素子9の設置面側におけるリフレクタ2の受光部の幅Lと、発光素子9の幅Lとの差(L−L)は1.7mmである。 As shown in FIG. 7, the reflector 2 has a rectangular shape of the light receiving portion, the length of the light receiving portion (on the side where the light emitting element 9 is installed) is 2000 μm, and the width (L 1 ) is 600 μm. The (depth) was set to 650 μm. The difference (L 1 −L 2 ) between the width L 1 of the light receiving portion of the reflector 2 on the installation surface side of the light emitting element 9 and the width L 2 of the light emitting element 9 is 1.7 mm.

結果を図12に示す。なお、結果は、傾きθを0°にしたときの発光装置1の発光効率を基準とした相対値で示した。   The results are shown in FIG. In addition, the result was shown by the relative value on the basis of the luminous efficiency of the light-emitting device 1 when inclination (theta) was 0 degree.

図12に示すように、リフレクタ2の内面2aの傾きθを大きくすることで、発光効率が上昇することがわかる。特に、傾きθを5°以上とすることで発光効率が大幅に上昇することがわかる。   As shown in FIG. 12, it can be seen that the luminous efficiency increases by increasing the inclination θ of the inner surface 2a of the reflector 2. In particular, it can be seen that the luminous efficiency is significantly increased by setting the inclination θ to 5 ° or more.

(実施例4)
発光素子9として、発光ピーク波長410μm、半値幅10nmの紫外光発光ダイオードを用い、蛍光体層11に含まれる蛍光体を青色蛍光体、緑色蛍光体、および赤色蛍光体の3色の蛍光体とし、青色蛍光体としてSr10(POCl12:Eu、緑色蛍光体としてBaMgAl1017:Eu,Mn、赤色蛍光体としてLaS:Euを用い、蛍光体の平均粒径を35μm、蛍光体層11に含有される蛍光体の質量密度を60%とした以外は、実施例3と同様にして発光装置1を製造し、リフレクタ2の内面2aの傾きθを変化させて発光効率を測定した。結果を図13に示す。
Example 4
An ultraviolet light emitting diode having an emission peak wavelength of 410 μm and a half-value width of 10 nm is used as the light-emitting element 9, and the phosphors included in the phosphor layer 11 are three-color phosphors of a blue phosphor, a green phosphor, and a red phosphor. , Sr 10 (PO 4 ) 6 Cl 12 : Eu as the blue phosphor, BaMgAl 10 O 17 : Eu, Mn as the green phosphor, La 2 O 2 S: Eu as the red phosphor, and the average particle diameter of the phosphor The light emitting device 1 is manufactured in the same manner as in Example 3 except that the mass density of the phosphor contained in the phosphor layer 11 is 60%, and the inclination θ of the inner surface 2a of the reflector 2 is changed. Luminous efficiency was measured. The results are shown in FIG.

図13に示すように、リフレクタ2の内面2aの傾きθを大きくすることで、発光効率が上昇することがわかる。特に、傾きθを5°以上とすることで、発光効率が大幅に上昇することがわかる。   As shown in FIG. 13, it can be seen that the luminous efficiency increases by increasing the inclination θ of the inner surface 2 a of the reflector 2. In particular, it can be seen that the luminous efficiency is significantly increased by setting the inclination θ to 5 ° or more.

(実施例5)
図1、2に示す構造の発光装置1について、リフレクタ2の内面2aの傾きθを20°にしたものと、0°にしたものとを製造し、リフレクタ2の受光部(発光素子9の設置面側)の幅(L)と、発光素子9の幅(L)との差(L−L)を変化させて発光効率を測定した。
(Example 5)
The light emitting device 1 having the structure shown in FIGS. 1 and 2 is manufactured with a reflector 2 having an inner surface 2a with an inclination θ of 20 ° and 0 °, and a light receiving portion of the reflector 2 (installation of the light emitting element 9). the width of the side) (L 1), to measure the luminous efficiency by changing the difference between the width of the light emitting element 9 (L 2) (L 1 -L 2).

なお、発光装置1は、発光素子9の幅(L)を260μmとし、リフレクタ2の受光部(発光素子9の設置面側)の幅(L)を600μm〜1860μmの範囲で変化させて差(L−L)を変化させた以外は、基本的に実施例2の発光装置1と同様の構成とした。 In the light emitting device 1, the width (L 2 ) of the light emitting element 9 is set to 260 μm, and the width (L 1 ) of the light receiving portion (the installation surface side of the light emitting element 9) of the reflector 2 is changed in the range of 600 μm to 1860 μm. The configuration was basically the same as that of the light-emitting device 1 of Example 2 except that the difference (L 1 −L 2 ) was changed.

結果を図14に示す。なお、結果は、傾きθを0°にした発光装置1の発光効率に対する傾きθを20°にした発光装置1の発光効率の比(発光効率(傾きθ=20°)/発光効率(傾きθ=0°))で示した。   The results are shown in FIG. The result is the ratio of the light emission efficiency of the light emitting device 1 with the inclination θ of 20 ° to the light emission efficiency of the light emitting device 1 with the inclination θ of 0 ° (light emission efficiency (inclination θ = 20 °) / light emission efficiency (inclination θ). = 0 °)).

図14から明らかなように、差(L−L)が1200μm以下である場合に、リフレクタ2の内面2aに所定の傾きθを設けることで発光効率を大幅に改善できることがわかる。 As can be seen from FIG. 14, when the difference (L 1 −L 2 ) is 1200 μm or less, the luminous efficiency can be greatly improved by providing a predetermined inclination θ on the inner surface 2 a of the reflector 2.

(実施例6)
図7、8に示す構造の発光装置1について、リフレクタ2の内面2aの傾きθを20°にしたものと、0°にしたものとを製造し、発光素子9からの直接光のエネルギーと蛍光体層11における蛍光体からの蛍光のエネルギーとのエネルギー比(直接光のエネルギー/蛍光のエネルギー)を変化させて発光効率を測定した。
(Example 6)
7 and 8 are manufactured in which the inclination θ of the inner surface 2a of the reflector 2 is set to 20 ° and to 0 °, and the energy and fluorescence of the direct light from the light emitting element 9 are manufactured. Luminous efficiency was measured by changing the energy ratio (direct light energy / fluorescence energy) with the energy of fluorescence from the phosphor in the body layer 11.

なお、エネルギー比は、蛍光体層11に含有される蛍光体の質量密度を変化させることにより調整した。また、発光装置1は、発光素子9として発光ピーク波長405μm、半値幅10nmの紫外光発光ダイオードを用い、蛍光体層11における蛍光体の質量密度を変化させた以外は、基本的に実施例4の発光装置1と同様の構成とした。   The energy ratio was adjusted by changing the mass density of the phosphor contained in the phosphor layer 11. The light emitting device 1 basically uses Example 4 except that an ultraviolet light emitting diode having an emission peak wavelength of 405 μm and a half width of 10 nm is used as the light emitting element 9 and the mass density of the phosphor in the phosphor layer 11 is changed. It was set as the structure similar to the light-emitting device 1 of.

結果を図15に示す。なお、結果は、傾きθを0°にした発光装置1の発光効率に対する傾きθを20°にした発光装置1の発光効率の比(発光効率(傾きθ=20°)/発光効率(傾きθ=0°))で示した。   The results are shown in FIG. The result is the ratio of the light emission efficiency of the light emitting device 1 with the inclination θ of 20 ° to the light emission efficiency of the light emitting device 1 with the inclination θ of 0 ° (light emission efficiency (inclination θ = 20 °) / light emission efficiency (inclination θ). = 0 °)).

図15から明らかなように、エネルギー比が0.1以下である場合に、リフレクタ2の内面2aに所定の傾きθを設けることで発光効率を大幅に改善できることがわかる。   As can be seen from FIG. 15, when the energy ratio is 0.1 or less, the luminous efficiency can be significantly improved by providing a predetermined inclination θ on the inner surface 2 a of the reflector 2.

本発明の発光装置の一例を示す外観図。1 is an external view illustrating an example of a light-emitting device of the present invention. 図1に示す発光装置の断面図。Sectional drawing of the light-emitting device shown in FIG. リフレクタの内面の傾きθを説明する説明図。Explanatory drawing explaining inclination (theta) of the inner surface of a reflector. リフレクタの内面が2つの平面からなるときの傾きθの求め方を説明する説明図。Explanatory drawing explaining how to obtain | require inclination | tilt (theta) when the inner surface of a reflector consists of two planes. リフレクタの内面が曲面状のときの傾きθの求め方を説明する説明図。Explanatory drawing explaining how to obtain | require inclination | tilt (theta) when the inner surface of a reflector is curved shape. リフレクタの受光部の大きさ(幅)と発光素子の大きさ(幅)とを説明する説明図。Explanatory drawing explaining the magnitude | size (width) of the light-receiving part of a reflector, and the magnitude | size (width) of a light emitting element. 本発明の発光装置の他の例を示す外観図。FIG. 6 is an external view illustrating another example of the light-emitting device of the present invention. 図7に示す発光装置の断面図。Sectional drawing of the light-emitting device shown in FIG. 本発明のバックライト、液晶表示装置の一例を示す断面図。Sectional drawing which shows an example of the backlight of this invention, and a liquid crystal display device. 実施例1の結果を示す図。FIG. 4 is a diagram showing the results of Example 1. 実施例2の結果を示す図。The figure which shows the result of Example 2. FIG. 実施例3の結果を示す図。FIG. 6 shows the results of Example 3. 実施例4の結果を示す図。The figure which shows the result of Example 4. FIG. 実施例5の結果を示す図。FIG. 6 shows the results of Example 5. 実施例6の結果を示す図。The figure which shows the result of Example 6. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1…発光装置、2…リフレクタ、2a,2b,2c…リフレクタの内面、9…発光素子、11…蛍光体層、20…バックライト、30…液晶表示装置、L…リフレクタの受光部(発光素子の設置面側)の大きさ(幅)、L…発光素子の大きさ(幅)、θ…リフレクタの内面の傾き 1 ... light emitting device, 2 ... reflector, 2a, 2b, 2c ... inner surface of the reflector, 9 ... light emitting element, 11 ... phosphor layer, 20 ... backlight, 30 ... liquid crystal display device, L 1 ... light receiving portion of the reflector (light emitting Element installation surface side) size (width), L 2 ... light emitting element size (width), θ ... inclination of reflector inner surface

Claims (6)

発光素子と、前記発光素子の周囲に配置されるリフレクタと、前記リフレクタの受光部に配置され、前記発光素子から放出された光を吸収して前記発光素子の発光色とは異なる波長の光を放出する蛍光体を含有する蛍光体層とを具備する発光装置であって、
前記発光素子が設置される設置面の法線からの前記リフレクタの内面の傾きが5°以上40°以下であることを特徴とする発光装置。
A light emitting element, a reflector disposed around the light emitting element, and a light receiving portion of the reflector, which absorbs light emitted from the light emitting element and emits light having a wavelength different from the emission color of the light emitting element. A light emitting device comprising a phosphor layer containing a phosphor to be emitted,
The light emitting device, wherein an inclination of an inner surface of the reflector from a normal line of an installation surface on which the light emitting element is installed is 5 ° or more and 40 ° or less.
前記発光素子は、波長が430nmより短い紫外光を発光するものであり、前記蛍光体は、前記発光素子の発光を吸収して長波長発光を行なうものであることを特徴とする請求項1記載の発光装置。   The light emitting device emits ultraviolet light having a wavelength shorter than 430 nm, and the phosphor emits light of a long wavelength by absorbing light emitted from the light emitting device. Light-emitting device. 前記発光素子からの直接光のエネルギーと、前記蛍光体からの蛍光のエネルギーとのエネルギー比が0.1以下であることを特徴とする請求項1または2記載の発光装置。   3. The light emitting device according to claim 1, wherein an energy ratio of energy of direct light from the light emitting element to energy of fluorescence from the phosphor is 0.1 or less. 前記リフレクタの前記設置面側の前記受光部の大きさと、前記発光素子の大きさとの差が1.2mm以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の発光装置。   4. The light emitting device according to claim 1, wherein a difference between the size of the light receiving portion on the installation surface side of the reflector and the size of the light emitting element is 1.2 mm or less. 5. 請求項1乃至4のいずれか1項記載の発光装置を用いてなることを特徴とするバックライト。   A backlight comprising the light-emitting device according to claim 1. 請求項5記載のバックライトを用いてなることを特徴とする液晶表示装置。   A liquid crystal display device comprising the backlight according to claim 5.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012001927A1 (en) * 2010-06-28 2012-01-05 株式会社 東芝 Led bulb
JP2012018977A (en) * 2010-07-06 2012-01-26 Toshiba Corp Light-emitting device
JP2013030648A (en) * 2011-07-29 2013-02-07 Shin Etsu Chem Co Ltd Surface-mount light-emitting device
US9818923B2 (en) 2014-12-26 2017-11-14 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light emitting device and method for manufacturing same
WO2020138146A1 (en) * 2018-12-28 2020-07-02 丸文株式会社 Deep ultraviolet led device and manufacturing method therefor

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012001927A1 (en) * 2010-06-28 2012-01-05 株式会社 東芝 Led bulb
US8955996B2 (en) 2010-06-28 2015-02-17 Kabushiki Kaisha Toshiba LED light bulb
JP2012018977A (en) * 2010-07-06 2012-01-26 Toshiba Corp Light-emitting device
US9048399B2 (en) 2010-07-06 2015-06-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device
JP2013030648A (en) * 2011-07-29 2013-02-07 Shin Etsu Chem Co Ltd Surface-mount light-emitting device
US8846420B2 (en) 2011-07-29 2014-09-30 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Surface-mount light emitting device
US9818923B2 (en) 2014-12-26 2017-11-14 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light emitting device and method for manufacturing same
WO2020138146A1 (en) * 2018-12-28 2020-07-02 丸文株式会社 Deep ultraviolet led device and manufacturing method therefor

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