JP2010129681A - Method of adjusting brightness in optical device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of adjusting the brightness in an optical device for detecting the optical device including a light emission diode (LED) having an extremely favorable brightness exceeding a set allowable value of the brightness to adjust the brightness of the light emission diode (LED) to be within an allowable range. <P>SOLUTION: The method of adjusting the brightness in the optical device including a light emission diode formed on a substrate, includes: a brightness measurement step of driving the light emission diode at a predetermined voltage value to measure the brightness of light emitted by the light emission diode; and a brightness adjustment step of, when the brightness measured in the brightness measurement step exceeds the allowable value, radiating laser light corresponding to the brightness exceeding the allowable value to the light emission diode to reduce the brightness of the light emission diode to be within the allowable range. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、発光ダイオード(LED)を備えた光デバイスの輝度を調整する光デバイスの輝度調整方法に関する。   The present invention relates to a brightness adjustment method for an optical device that adjusts the brightness of an optical device including a light emitting diode (LED).

光デバイスウエーハは、サファイヤ基板等の表面に格子状に形成されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域に発光ダイオード(LED)を備えた光デバイスが形成される。この光デバイスウエーハは、ストリートに沿って個々の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。   In optical device wafers, a plurality of regions are defined by dividing lines called streets formed in a lattice pattern on the surface of a sapphire substrate or the like, and an optical device having a light emitting diode (LED) is formed in these partitioned regions. The This optical device wafer is divided into individual optical devices along the street, and is widely used in electrical equipment.

発光ダイオード(LED)は例えば気相エピタキシャル成長法によって形成されるが、発光ダイオード(LED)の輝度はエピタキシャル気相成長の条件等によってバラツキが生じ、１枚の光デバイスウエーハに形成された複数の発光ダイオード(LED)間においても多少のバラツキが発生する。   Light emitting diodes (LEDs) are formed by, for example, vapor phase epitaxial growth, but the luminance of the light emitting diodes (LEDs) varies depending on the conditions of epitaxial vapor phase growth, etc., and a plurality of light emitting diodes formed on one optical device wafer. Some variation also occurs between diodes (LEDs).

光デバイスを構成する発光ダイオード(LED)の輝度を揃えるために、個々に分割された光デバイスを発光ダイオード(LED)の輝度の強弱に従ってランク分けして、輝度の統一を図る技術が提案されている。（例えば、特許文献１参照。）
特許第３４８５６５４号公報 In order to make the brightness of the light-emitting diodes (LEDs) that make up the optical device uniform, a technology has been proposed that unifies the individual divided optical devices according to the intensity of the light-emitting diodes (LEDs) and unifies the brightness. Yes. (For example, refer to Patent Document 1.)
Japanese Patent No. 3485654

而して、設定された輝度の許容値を超えた極端に良好な輝度を有する発光ダイオード(LED)を備えた光デバイスは、装着する機器の性能にバラツキを生じさせるため、ランク分けすることができないという問題がある。
また、１枚の光デバイスウエーハに形成された複数の光デバイスの発光ダイオード(LED)の輝度が所定の許容範囲であれば取り扱いが容易となるが、各発光ダイオード(LED)間に輝度のバラツキがあると個々に分割した光デバイスを発光ダイオード(LED)の輝度に対応してランク分けしなければならないという問題がある。 Therefore, optical devices with light-emitting diodes (LEDs) that have extremely good brightness exceeding the set brightness tolerance will cause variations in the performance of the equipment to be worn, so they can be ranked. There is a problem that you can not.
In addition, if the luminance of light emitting diodes (LEDs) of a plurality of optical devices formed on one optical device wafer is within a predetermined allowable range, it is easy to handle, but there is a variation in luminance between the light emitting diodes (LEDs). However, there is a problem that the optical devices divided individually must be ranked according to the brightness of the light emitting diode (LED).

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、設定された輝度の許容値を超えた極端に良好な輝度を有する発光ダイオード(LED)を備えた光デバイスを検出して、発光ダイオード(LED)の輝度を許容範囲に調整する光デバイスの輝度調整方法を提供することである。   The present invention has been made in view of the above facts, and its main technical problem is to detect an optical device including a light emitting diode (LED) having extremely good luminance exceeding the set luminance tolerance. An object of the present invention is to provide an optical device luminance adjustment method for adjusting the luminance of a light emitting diode (LED) to an allowable range.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、基板の表面に形成された発光ダイオードを備えた光デバイスの輝度を調整する方法であって、
発光ダイオードを所定の電圧値で駆動し、発光ダイオードが発光した光の輝度を測定する輝度測定工程と、
該輝度測定工程によって測定された輝度が許容値を超えている場合には、発光ダイオードに許容値を超えた輝度に対応するレーザー光線を照射し、発光ダイオードの輝度を許容範囲まで低下せしめる輝度調整工程と、を含む、
ことを特徴とする光デバイスの輝度調整方法が提供される。 In order to solve the main technical problem, according to the present invention, there is provided a method for adjusting the brightness of an optical device including a light emitting diode formed on a surface of a substrate,
A luminance measuring step of driving the light emitting diode at a predetermined voltage value and measuring the luminance of the light emitted by the light emitting diode;
When the luminance measured by the luminance measurement step exceeds an allowable value, a luminance adjustment step of irradiating the light emitting diode with a laser beam corresponding to the luminance exceeding the allowable value to reduce the luminance of the light emitting diode to an allowable range Including,
There is provided a method for adjusting the brightness of an optical device.

本発明による光デバイスの輝度調整方法においては、発光ダイオードを所定の電圧値で駆動して発光ダイオードが発光した光の輝度を測定し、測定された輝度が許容値を超えている場合には発光ダイオードに許容値を超えた輝度に対応するレーザー光線を照射して発光ダイオードの輝度を許容範囲まで低下せしめるので、発光ダイオードの輝度を許容範囲に収めることができる。   In the brightness adjustment method for an optical device according to the present invention, the brightness of light emitted from the light emitting diode is measured by driving the light emitting diode at a predetermined voltage value. If the measured brightness exceeds the allowable value, the light emission is performed. By irradiating the diode with the laser beam corresponding to the luminance exceeding the allowable value, the luminance of the light emitting diode is lowered to the allowable range, so that the luminance of the light emitting diode can be within the allowable range.

以下、本発明による光デバイスの輝度調整方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して更に詳細に説明する。
図１には、本発明による光デバイスの輝度調整方法によって光デバイスの輝度を調整する光デバイスウエーハ２が示されている。図１に示す光デバイスウエーハ２は、サファイヤ基板２１の表面２１aに格子状に形成された複数のストリート２１１によって複数の領域が区画され、この区画された領域に複数の光デバイス２２が形成されている。光デバイス２２は、図２に示すようにサファイヤ基板２１の表面にn層２２１とp層２２２とからなる発光ダイオード２２０が形成されている。この発光ダイオード２２０を構成するn層２２１とp層２２２は、気相エピタキシャル成長法によって形成されている。このn層２２１の表面には電極２２１aが形成され、p層２２２の表面には電極２２２aが形成されている。このように構成された光デバイスウエーハ２は、切削装置やレーザー加工装置等のダイシング装置によってストリート２１１に沿って分割され、図２に示す光デバイス２２が得られる。 Preferred embodiments of the brightness adjustment method for an optical device according to the present invention will be described below in more detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 shows an optical device wafer 2 for adjusting the brightness of an optical device by the brightness adjustment method of the optical device according to the present invention. In the optical device wafer 2 shown in FIG. 1, a plurality of regions are defined by a plurality of streets 211 formed in a lattice pattern on the surface 21a of the sapphire substrate 21, and a plurality of optical devices 22 are formed in the partitioned regions. Yes. In the optical device 22, as shown in FIG. 2, a light emitting diode 220 including an n layer 221 and a p layer 222 is formed on the surface of the sapphire substrate 21. The n layer 221 and the p layer 222 constituting the light emitting diode 220 are formed by vapor phase epitaxial growth. An electrode 221 a is formed on the surface of the n layer 221, and an electrode 222 a is formed on the surface of the p layer 222. The optical device wafer 2 configured in this manner is divided along the street 211 by a dicing apparatus such as a cutting apparatus or a laser processing apparatus, and the optical device 22 shown in FIG. 2 is obtained.

上述したように製造された複数の光デバイス１２は、発光ダイオード２２０の輝度が必ずしも均一ではなく、設定された輝度の許容値を超えた極端に良好な輝度を有する発光ダイオードも存在する。設定された輝度の許容値を超えた極端に良好な輝度を有する発光ダイオードを備えた光デバイスは、装着する機器の性能にバラツキを生じさせる。従って、設定された輝度の許容値を超えた極端に良好な輝度を有する発光ダイオードも有効に使用するためには、発光ダイオードの輝度を許容範囲まで低下せしめる必要がある。   In the plurality of optical devices 12 manufactured as described above, the luminance of the light-emitting diodes 220 is not necessarily uniform, and there are light-emitting diodes having extremely good luminance exceeding the set luminance tolerance. An optical device including a light emitting diode having extremely good luminance exceeding a set luminance tolerance causes variations in performance of equipment to be mounted. Therefore, in order to effectively use a light emitting diode having extremely good luminance exceeding the set luminance allowable value, it is necessary to reduce the luminance of the light emitting diode to an allowable range.

以下、設定された輝度の許容値を超えた極端に良好な輝度を有する発光ダイオードの輝度を許容範囲まで低下せしめる光デバイスの輝度調整方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。   Hereinafter, a preferred embodiment of a method of adjusting the brightness of an optical device that reduces the brightness of a light emitting diode having extremely good brightness exceeding a set brightness tolerance to an allowable range will be described in detail with reference to the accompanying drawings. explain.

本発明による光デバイスの輝度調整方法は、先ず、上述したように製造された光デバイス２２の発光ダイオード２２０を所定の電圧値で駆動し、発光ダイオード２２０が発光した光の輝度を測定する輝度測定工程を実施する。この輝度測定工程は、図３に示す輝度測定器３を用いて実施する。図３に示す輝度測定器３は、光デバイス２２を保持する保持テーブル３１と、該保持テーブル３１に保持された光デバイス２２に電圧を印加する電圧印加手段３２と、該電圧印加手段３２によって電圧が印加された光デバイス２２の発光ダイオード２２０が発光する光を受光する受光手段３３と、上記電圧印加手段３２を制御するとともに上記受光手段３３によって受光された光に基づいて発光ダイオード２２の輝度を演算する制御手段３４と、該制御手段３４によって演算された発光ダイオード２２の輝度を表示する表示手段３５とからなっている。   In the method of adjusting the luminance of the optical device according to the present invention, first, the light emitting diode 220 of the optical device 22 manufactured as described above is driven at a predetermined voltage value, and the luminance measurement for measuring the luminance of the light emitted from the light emitting diode 220 is performed. Perform the process. This luminance measuring step is performed using the luminance measuring device 3 shown in FIG. The luminance measuring device 3 shown in FIG. 3 includes a holding table 31 that holds the optical device 22, a voltage applying unit 32 that applies a voltage to the optical device 22 held on the holding table 31, and a voltage applied by the voltage applying unit 32. The light receiving means 33 that receives light emitted from the light emitting diode 220 of the optical device 22 to which the light is applied, and the voltage applying means 32 are controlled and the luminance of the light emitting diode 22 is adjusted based on the light received by the light receiving means 33. It comprises a control means 34 for calculating and a display means 35 for displaying the luminance of the light emitting diode 22 calculated by the control means 34.

上記電圧印加手段３２は、保持テーブル３１に保持された光デバイス２２の発光ダイオード２２０を構成するn層２２１の表面に形成された電極２２１aとp層２２２の表面に形成された電極２２２aに接触させる電圧供給端子３２１、３２２と、該電圧供給端子３２１、３２２に所定の電圧を印加する直流電源手段３２３とからなっており、直流電源手段３２３が上記制御手段３４によって制御される。なお、直流電源手段３２３は、プラス（＋）側が電圧供給端子３２２に接続され、マイナス（−）側が電圧供給端子３２１に接続されるようになっている。   The voltage application means 32 is brought into contact with the electrode 221a formed on the surface of the n layer 221 constituting the light emitting diode 220 of the optical device 22 held on the holding table 31 and the electrode 222a formed on the surface of the p layer 222. The voltage supply terminals 321 and 322 and the DC power supply means 323 for applying a predetermined voltage to the voltage supply terminals 321 and 322 are controlled by the control means 34. The DC power supply means 323 has a positive (+) side connected to the voltage supply terminal 322 and a negative (−) side connected to the voltage supply terminal 321.

上記受光手段３３は、光デバイス２２の発光ダイオード２２０が発光する光を集光する集光レンズ３３１と、該集光レンズ３３１によって集光された光を受光するホトディテクター３３２とからなっており、ホトディテクター３３２が受光した光量に対応した電圧信号を上記制御手段３４に送る。   The light receiving means 33 includes a condensing lens 331 that condenses the light emitted from the light emitting diode 220 of the optical device 22, and a photodetector 332 that receives the light collected by the condensing lens 331. A voltage signal corresponding to the amount of light received by the photodetector 332 is sent to the control means 34.

上記制御手段３４は、ホトディテクター３３２から入力した電圧信号に基づいて光デバイス２２の発光ダイオード２２０が発光した光の輝度を演算し、該発光ダイオード２２０の輝度を上記表示手段３５に表示せしめる。   The control means 34 calculates the luminance of the light emitted from the light emitting diode 220 of the optical device 22 based on the voltage signal input from the photodetector 332, and displays the luminance of the light emitting diode 220 on the display means 35.

以上のように構成された輝度測定器３を用いて光デバイス２２を構成する発光ダイオード２２０の輝度を測定するには、図３に示すように保持テーブル３１上に光デバイス２２のサファイヤ基板１１側を載置する。従って、光デバイス２２は、サファイヤ基板２１の表面に形成された発光ダイオード２２０が上側となる。このようにして、保持テーブル３１上に光デバイス２２を載置したならば、電圧印加手段３２の電圧供給端子３２１を光デバイス２２の発光ダイオード２２０を構成するn層２２１の表面に形成された電極２２１aに接触させるとともに、電圧供給端子３２２をp層２２２の表面に形成された電極２２２aに接触させる。次に、制御手段３４は、電圧印加手段３２の直流電源手段３２３を制御して所定の電圧（例えば５V）を光デバイス２２の発光ダイオード２２０を構成するn層２２１の表面に形成された電極２２１aとp層２２２の表面に形成された電極２２２a間に印加する。このように電圧が印加された光デバイス２２の発光ダイオード２２０は、印加された電圧に対応して発光する。発光ダイオード２２０が発光した光は、受光手段３３の集光レンズ３３１によって集光されホトディテクター３３２によって受光される。発光ダイオード２２０が発光した光を受光したホトディテクター３３２は、受光した光量に対応した電圧信号を上記制御手段３４に送る。そして、制御手段３４は、受光した電圧信号と発光ダイオード２２０に印加した電圧に基づいて発光ダイオード２２０の輝度を演算し、演算結果を発光ダイオード２２０の輝度として表示手段３５に表示せしめる。   In order to measure the luminance of the light emitting diode 220 constituting the optical device 22 using the luminance measuring device 3 configured as described above, the sapphire substrate 11 side of the optical device 22 is placed on the holding table 31 as shown in FIG. Is placed. Accordingly, in the optical device 22, the light emitting diode 220 formed on the surface of the sapphire substrate 21 is on the upper side. Thus, when the optical device 22 is placed on the holding table 31, the voltage supply terminal 321 of the voltage application means 32 is an electrode formed on the surface of the n layer 221 constituting the light emitting diode 220 of the optical device 22. The voltage supply terminal 322 is brought into contact with the electrode 222 a formed on the surface of the p layer 222 while being brought into contact with 221 a. Next, the control unit 34 controls the DC power source unit 323 of the voltage application unit 32 to apply a predetermined voltage (for example, 5 V) to the electrode 221a formed on the surface of the n layer 221 constituting the light emitting diode 220 of the optical device 22. And between the electrodes 222 a formed on the surface of the p layer 222. Thus, the light emitting diode 220 of the optical device 22 to which the voltage is applied emits light corresponding to the applied voltage. The light emitted from the light emitting diode 220 is condensed by the condensing lens 331 of the light receiving means 33 and received by the photodetector 332. The photodetector 332 that has received the light emitted from the light emitting diode 220 sends a voltage signal corresponding to the received light amount to the control means 34. Then, the control unit 34 calculates the luminance of the light emitting diode 220 based on the received voltage signal and the voltage applied to the light emitting diode 220, and displays the calculation result on the display unit 35 as the luminance of the light emitting diode 220.

上述した輝度測定工程を実施した結果、光デバイス１２を構成する発光ダイオード２２０の輝度が許容値を超えている場合には、発光ダイオードに許容値を超えた輝度に対応するレーザー光線を照射し、発光ダイオードの輝度を許容範囲まで低下せしめる輝度調整工程を実施する。この輝度調整工程は、図４に示すレーザー加工装置を用いて実施する。図４に示すレーザー加工装置４は、光デバイス２２を保持するチャックテーブル４１と、該チャックテーブル４１に保持された光デバイス２２にパルスレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４２と、該レーザー光線照射手段４２を制御する制御手段４３とからなっている。   If the luminance of the light emitting diode 220 constituting the optical device 12 exceeds the allowable value as a result of performing the luminance measurement step described above, the light emitting diode is irradiated with a laser beam corresponding to the luminance exceeding the allowable value, and light emission is performed. A brightness adjustment step is performed to reduce the brightness of the diode to an allowable range. This brightness adjustment step is performed using the laser processing apparatus shown in FIG. The laser processing apparatus 4 shown in FIG. 4 includes a chuck table 41 that holds the optical device 22, a laser beam irradiation unit 42 that irradiates the optical device 22 held on the chuck table 41 with a pulsed laser beam, and the laser beam irradiation unit 42. It comprises control means 43 for controlling.

レーザー光線照射手段４２は、パルスレーザー光線発振手段４２１と、パルスレーザー光線発振手段４２１が発振したパルスレーザー光線の出力を調整する出力調整手段４２２と、該出力調整手段４２２によって出力が調整されたパルスレーザー光線を集光して上記チャックテーブル４１に保持された光デバイス２２に照射する集光器４２３とからなっている。なお、パルスレーザー光線発振手段４２１および出力調整手段４２２は、制御手段４３によって制御される。   The laser beam irradiating means 42 condenses the pulse laser beam oscillating means 421, the output adjusting means 422 for adjusting the output of the pulse laser beam oscillated by the pulse laser beam oscillating means 421, and the pulse laser beam whose output is adjusted by the output adjusting means 422. And a condenser 423 for irradiating the optical device 22 held on the chuck table 41. The pulse laser beam oscillation means 421 and the output adjustment means 422 are controlled by the control means 43.

上記パルスレーザー光線発振手段４２１は、ＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器４２１aと、これに付設された繰り返し周波数設定手段４２１bとから構成されている。パルスレーザー光線発振器４２１aは、繰り返し周波数設定手段４２１bによって設定された所定周波数のパルスレーザー光線(LB)を発振する。繰り返し周波数設定手段４２１bは、パルスレーザー光線発振器４２１aが発振するパルスレーザー光線の繰り返し周波数を設定する。   The pulse laser beam oscillating means 421 includes a pulse laser beam oscillator 421a composed of a YAG laser oscillator or a YVO4 laser oscillator, and a repetition frequency setting means 421b attached thereto. The pulse laser beam oscillator 421a oscillates a pulse laser beam (LB) having a predetermined frequency set by the repetition frequency setting means 421b. The repetition frequency setting means 421b sets the repetition frequency of the pulse laser beam oscillated by the pulse laser beam oscillator 421a.

上記集光器４２３は、上記パルスレーザー光線発振手段４２１から発振されたパルスレーザー光線(LB)を図４において下方に向けて方向変換する方向変換ミラー４２３aと、該方向変換ミラー４２３aによって方向変換されたレーザー光線を集光する集光レンズ４２３bを具備している。   The condenser 423 includes a direction changing mirror 423a that changes the direction of the pulse laser beam (LB) oscillated from the pulse laser beam oscillating means 421 downward in FIG. 4, and a laser beam that is changed in direction by the direction changing mirror 423a. Is provided with a condensing lens 423b.

以上のように構成されたレーザー加工装置４を用いて輝度調整工程を実施するには、図４に示すようにチャックテーブル４１上に発光ダイオード２２０の輝度が許容値を超えている光デバイス２２のサファイヤ基板２１側を載置する。従って、光デバイス２２は、サファイヤ基板２１の表面に形成された発光ダイオード２２０が上側となる。このようにして、チャックテーブル４１上に光デバイス２２を載置したならば、制御手段４３は、パルスレーザー光線発振手段４２１および出力調整手段４２２を制御して、光デバイス２２の発光ダイオード２２０に許容値を超えた輝度に対応するパルスレーザー光線を照射する。この結果、発光ダイオード２２０を構成するn層２２１とp層２２２の接合面である発光部の一部が損傷し、発光ダイオード２２０の輝度が低下する。発光ダイオード２２０に照射するパルスレーザー光線は、例えば波長が３３５nm、パルス幅が１０ns、１パルス当たりのエネルギーが３mJ、スポット径が１０μmに設定されている。このようなパルスレーザー光線の１パルスを光デバイス２２の発光ダイオード２２０に照射すると、発光ダイオード２２０の輝度を１％程度低下させることができる。従って、発光ダイオード２２０の輝度が許容値を１％超えている場合には、発光ダイオード２２０に１パルスのパルスレーザー光線を照射することにより、発光ダイオード２２０の輝度を許容範囲に収めることができる。   In order to perform the brightness adjustment process using the laser processing apparatus 4 configured as described above, the brightness of the light emitting diode 220 exceeding the allowable value on the chuck table 41 as shown in FIG. The sapphire substrate 21 side is placed. Accordingly, in the optical device 22, the light emitting diode 220 formed on the surface of the sapphire substrate 21 is on the upper side. When the optical device 22 is placed on the chuck table 41 in this way, the control unit 43 controls the pulse laser beam oscillation unit 421 and the output adjustment unit 422 to allow the light emitting diode 220 of the optical device 22 to have an allowable value. A pulsed laser beam corresponding to a brightness exceeding 1 is irradiated. As a result, a part of the light emitting portion that is a joint surface between the n layer 221 and the p layer 222 constituting the light emitting diode 220 is damaged, and the luminance of the light emitting diode 220 is lowered. The pulse laser beam applied to the light emitting diode 220 has a wavelength of 335 nm, a pulse width of 10 ns, an energy per pulse of 3 mJ, and a spot diameter of 10 μm, for example. When the light emitting diode 220 of the optical device 22 is irradiated with one pulse of such a pulsed laser beam, the luminance of the light emitting diode 220 can be reduced by about 1%. Therefore, when the luminance of the light emitting diode 220 exceeds the allowable value by 1%, the luminance of the light emitting diode 220 can be kept within the allowable range by irradiating the light emitting diode 220 with one pulsed pulse laser beam.

上述した実施形態においては、光デバイスウエーハ１０をストリート２１１に沿って分割した個々の光デバイス２２について、輝度測定工程および輝度調整工程を実施した例を示したが、光デバイスウエーハ２の状態で輝度測定工程および輝度調整工程を実施してもよい。
即ち、輝度測定工程を実施する場合は、輝度測定器３の保持テーブル３１として光デバイスウエーハ２を保持できる大きさのものを用い、保持テーブル３１上に光デバイスウエーハ２を載置し、光デバイスウエーハ２に形成された複数の光デバイス２２に対してそれぞれ上記輝度測定工程を実施する。このとき、光デバイスウエーハ１０に形成された複数の光デバイス２２の座標値を設計値によって把握しておき、各座標値の光デバイス２２の輝度を測定する。
また、輝度調整工程を実施する場合も、レーザー加工装置４のチャックテーブル４１として光デバイスウエーハ２を保持できる大きさのものを用いて実施する。即ち、チャックテーブル４１上に上記輝度測定工程を実施した光デバイスウエーハ２を載置し、光デバイスウエーハ２に形成された複数の光デバイス２２における輝度が許容値を超えている座標値の発光ダイオード２２０に対して、上記輝度調整工程を実施する。この結果、１枚の光デバイスウエーハ２に形成された複数の光デバイス１２を構成する発光ダイオード２２０の輝度を許容範囲に収めることができ、取り扱いの向上を図ることができる。 In the above-described embodiment, the example in which the luminance measurement process and the luminance adjustment process are performed on each optical device 22 obtained by dividing the optical device wafer 10 along the street 211 has been described. You may implement a measurement process and a brightness adjustment process.
That is, when the luminance measurement process is performed, a holding table 31 of the luminance measuring device 3 having a size capable of holding the optical device wafer 2 is used, and the optical device wafer 2 is placed on the holding table 31 to provide the optical device. The luminance measurement process is performed on each of the plurality of optical devices 22 formed on the wafer 2. At this time, the coordinate values of the plurality of optical devices 22 formed on the optical device wafer 10 are grasped by design values, and the luminance of the optical device 22 at each coordinate value is measured.
Also, when performing the luminance adjustment step, the chuck table 41 of the laser processing apparatus 4 is used with a size that can hold the optical device wafer 2. That is, the optical device wafer 2 that has been subjected to the above-described luminance measurement process is placed on the chuck table 41, and the light-emitting diodes having coordinate values in which the luminance of the plurality of optical devices 22 formed on the optical device wafer 2 exceeds an allowable value. The luminance adjustment process is performed on 220. As a result, the luminance of the light emitting diodes 220 constituting the plurality of optical devices 12 formed on one optical device wafer 2 can be within an allowable range, and handling can be improved.

本発明による光デバイスの輝度調整方法によって光デバイスの輝度を調整する光デバイスウエーハの斜視図。The perspective view of the optical device wafer which adjusts the brightness | luminance of an optical device with the brightness | luminance adjustment method of the optical device by this invention. 図１に示す光デバイスウエーハに形成された個々の光デバイスの正面図。The front view of each optical device formed in the optical device wafer shown in FIG. 本発明による光デバイスの輝度調整方法における輝度測定工程の説明図。Explanatory drawing of the brightness | luminance measurement process in the brightness | luminance adjustment method of the optical device by this invention. 本発明による光デバイスの輝度調整方法における輝度調整工程の説明図。Explanatory drawing of the brightness adjustment process in the brightness adjustment method of the optical device by this invention.

符号の説明Explanation of symbols

２：光デバイスウエーハ
２１：サファイヤ基板
２２：光デバイス
２２０：発光ダイオード
３：輝度測定器
３１：保持テーブル
３２：電圧印加手段
３３：受光手段
３４：制御手段
３５：表示手段
４：レーザー加工装置
４１：チャックテーブル
４２：レーザー光線照射手段
４３：制御手段 2: Optical device wafer 21: Sapphire substrate 22: Optical device 220: Light emitting diode 3: Luminance measuring device 31: Holding table 32: Voltage applying means 33: Light receiving means 34: Control means 35: Display means 4: Laser processing apparatus 41: Chuck table 42: Laser beam irradiation means 43: Control means

Claims (1)

基板の表面に形成された発光ダイオードを備えた光デバイスの輝度を調整する方法であって、
発光ダイオードを所定の電圧値で駆動し、発光ダイオードが発光した光の輝度を測定する輝度測定工程と、
該輝度測定工程によって測定された輝度が許容値を超えている場合には、発光ダイオードに許容値を超えた輝度に対応するレーザー光線を照射し、発光ダイオードの輝度を許容範囲まで低下せしめる輝度調整工程と、を含む、
ことを特徴とする光デバイスの輝度調整方法。 A method for adjusting the brightness of an optical device including a light emitting diode formed on a surface of a substrate,
A luminance measuring step of driving the light emitting diode at a predetermined voltage value and measuring the luminance of the light emitted by the light emitting diode;
When the luminance measured by the luminance measurement step exceeds an allowable value, a luminance adjustment step of irradiating the light emitting diode with a laser beam corresponding to the luminance exceeding the allowable value to reduce the luminance of the light emitting diode to an allowable range Including,
A method of adjusting the brightness of an optical device.
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