JP2010094845A - Method of manufacturing pattern forming body, and method of manufacturing mold for nano-printing - Google Patents

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Kimio Ito
公夫 伊藤
Yuichi Inazuki
友一 稲月
Masaaki Kurihara
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a pattern forming body capable of reducing deposition of a chipping or the like onto an irregular pattern part and corrosion thereof. <P>SOLUTION: This method of manufacturing the pattern forming body includes a protection layer forming process for preparing a body to be worked having the irregular pattern part on a surface, and for forming a protection layer comprising a chromium material containing chromium nitride, as a main component, at least on the irregular pattern part, and a working process for working a portion of the body to be worked other than the irregular pattern part protected by the protection layer, and the problem to be solved is solved by the method. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、凹凸パターン部へのチッピング等の付着や腐食の少ないパターン形成体の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a method for manufacturing a pattern forming body with less adhesion such as chipping to an uneven pattern portion and corrosion.

近年、フォトマスクの微細化が進み、高精度なフォトマスク製造技術を利用した位相マスクやインプリント用テンプレート等の開発がなされている。位相マスクやインプリント用テンプレートを製造する場合は、通常、基板上に高精度パターンを作製した後に、切断、研磨、面取り等の加工を行い、所望の形状のマスクやテンプレートを得る。従来、切断等の加工を行うと、チッピング等が生じ凹凸パターン部に付着するという問題があった。   In recent years, photomasks have been miniaturized, and phase masks and imprint templates using high-precision photomask manufacturing techniques have been developed. When manufacturing a phase mask or an imprint template, a high-precision pattern is usually produced on a substrate, and then processing such as cutting, polishing, and chamfering is performed to obtain a mask or template having a desired shape. Conventionally, when processing such as cutting is performed, there is a problem that chipping or the like occurs and adheres to the uneven pattern portion.

このようなチッピングの問題を解決するために、凹凸パターン部が形成された表面を、粘着テープやレジストで保護することが行われている。例えば、特許文献1においては、半導体ウェハの表面に保護テープ(粘着テープ)を貼着し、次に、カッターを用いて半導体ウェハを切断する、半導体ウェハの保護テープの切断方法が記載されている。また、特許文献2においては、基板材に予め切断用の貫通溝を形成し、次に、レジストを塗布し、基板材を切断するプリント基板の製造方法が記載されている。   In order to solve such a chipping problem, the surface on which the uneven pattern portion is formed is protected with an adhesive tape or a resist. For example, Patent Document 1 describes a method for cutting a semiconductor wafer protective tape, in which a protective tape (adhesive tape) is attached to the surface of a semiconductor wafer, and then the semiconductor wafer is cut using a cutter. . Patent Document 2 describes a printed board manufacturing method in which a through groove for cutting is formed in advance on a substrate material, and then a resist is applied to cut the substrate material.

しかしながら、粘着テープやレジストを用いて凹凸パターン部を保護する方法には、以下の問題があった。すなわち、切断等の加工を行う場合は、被加工体がブレないように強固に固定する必要があるが、粘着テープやレジスト等には通常フレキシブルな樹脂等が用いられているため、精度良く切断等を行うことができないという問題があった。さらに、粘着テープやレジストを凹凸パターン部から剥離する際に、その一部が凹凸パターン部の表面上に残留してしまうという問題もあった。これらの問題は、凹凸パターンのサイズが微細になるほど顕著に生じるものである。   However, the method for protecting the concavo-convex pattern portion using an adhesive tape or a resist has the following problems. In other words, when processing such as cutting, it is necessary to firmly fix the workpiece so that it does not shake, but since a flexible resin or the like is usually used for adhesive tape, resist, etc., cutting with high precision There was a problem that it could not be performed. Furthermore, when peeling an adhesive tape or a resist from the uneven | corrugated pattern part, there also existed a problem that the one part remained on the surface of an uneven | corrugated pattern part. These problems are more prominent as the size of the uneven pattern becomes finer.

また、特許文献3では、ガラス基板に凹凸パターン部を形成する前に、ガラス基板に研磨等の加工を行い、その加工部分をクロム等により被覆する方法が記載されている。この方法によれば、研磨等の加工を行うことにより加工部分に生じた微細なガラス突起を被覆することができ、その後の工程において微細なガラス突起が折損することにより生じるチッピング等がガラス基板に付着することを防ぐことができる。すなわち、加工後にチッピングが生じることを防ぐ点に着目したものである。
このような方法では、確かに、研磨等の加工後における加工部分からのチッピングの発生を防ぐことができる。しかしながら、チッピングの付着を防ぎたい表面が保護されているわけではないので、加工時に生じるチッピング等については、被加工体であるガラス基板に付着することを防ぐことができないといった問題があった。
Further, Patent Document 3 describes a method in which processing such as polishing is performed on the glass substrate before the uneven pattern portion is formed on the glass substrate, and the processed portion is covered with chromium or the like. According to this method, it is possible to coat fine glass protrusions generated in the processed part by performing processing such as polishing, and chipping or the like caused by breakage of the fine glass protrusions in the subsequent process is caused on the glass substrate. It can be prevented from adhering. That is, the focus is on preventing chipping from occurring after processing.
Such a method can certainly prevent the occurrence of chipping from the processed portion after processing such as polishing. However, since the surface on which chipping adhesion is to be prevented is not protected, there is a problem that chipping or the like that occurs during processing cannot be prevented from adhering to the glass substrate that is the workpiece.

さらに、特許文献4においては、フォトマスクの端面を鏡面にしてチッピングや異物を少なくすることが開示されているが、チッピング等の付着を完全に抑制することはできなかった。   Furthermore, Patent Document 4 discloses that the end face of the photomask is a mirror surface to reduce chipping and foreign matter, but it has not been possible to completely suppress chipping and the like.

このように、凹凸パターン部を有する被加工体に切断、研磨、面取り等の加工を行う場合、切断等の加工を精度良く行い、かつ、チッピング等の付着を十分に抑制することが困難であるといった問題があった。   Thus, when performing processing such as cutting, polishing, and chamfering on a workpiece having a concavo-convex pattern portion, it is difficult to perform processing such as cutting with high accuracy and sufficiently suppress adhesion such as chipping. There was a problem.

特開2004−25402号公報JP 2004-25402 A 特開平11−145580号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-145580 特公昭61−40100号公報Japanese Patent Publication No. 61-40100 特開平1−167758号公報JP-A-1-167758

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、凹凸パターン部へのチッピング等の付着や腐食の少ないパターン形成体の製造方法を提供することを主目的とするものである。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and a main object of the present invention is to provide a method for manufacturing a pattern forming body with less adhesion and corrosion such as chipping to an uneven pattern portion.

上記課題を解決するために、本発明は、表面に凹凸パターン部を有する被加工体を用意し、少なくとも上記凹凸パターン部上に、窒化クロムを含むクロム系材料を主成分とする保護層を形成する保護層形成工程と、上記保護層により保護された凹凸パターン部以外の、上記被加工体の部分を加工する加工工程と、を有することを特徴とするパターン形成体の製造方法を提供する。   In order to solve the above problems, the present invention provides a workpiece having a concavo-convex pattern portion on the surface, and forms a protective layer mainly composed of a chromium-based material containing chromium nitride on at least the concavo-convex pattern portion. And a processing step for processing a portion of the workpiece other than the concavo-convex pattern portion protected by the protective layer.

本発明によれば、窒化クロムは密着性に優れるため、上記保護層を剥がれ等の少ないものとすることができる。このため、上記凹凸パターン部表面が上記保護層の剥がれ等により露出することを抑制することができる。その結果、切断等の加工時に生じるチッピングの凹凸パターン部への付着や、エッチング加工時に生じる凹凸パターン部の腐食等の不具合を少ないものとすることができる。
また、窒化クロムは緻密性に優れるため、上記保護層をピンホールの少ないものとすることができる。このため、エッチング加工時に生じる凹凸パターン部の腐食等の不具合を少ないものとすることができる。
さらに、窒化クロムは剥離性に優れるため、上記保護層を剥離液により容易に除去することができる。このため、上記保護層の残留物の上記凹凸パターン部への付着等の不具合を少ないものとすることができる。
According to the present invention, since chromium nitride is excellent in adhesion, the protective layer can be made less peeled off. For this reason, it can suppress that the said uneven | corrugated pattern part surface is exposed by peeling etc. of the said protective layer. As a result, it is possible to reduce problems such as adhesion of chipping generated during processing such as cutting to the uneven pattern portion and corrosion of the uneven pattern portion generated during etching.
In addition, since chromium nitride is excellent in denseness, the protective layer can have few pinholes. For this reason, problems, such as corrosion of the uneven | corrugated pattern part which arise at the time of an etching process, can be made small.
Furthermore, since chromium nitride is excellent in peelability, the protective layer can be easily removed with a stripping solution. For this reason, problems, such as adhesion of the residue of the protective layer to the uneven pattern portion, can be reduced.

本発明においては、上記加工工程が、上記被加工体を切断する切断工程、上記被加工体を研磨する研磨工程、上記被加工体の角部を面取りする面取り工程、および上記被加工体をエッチングにより加工するエッチング工程の少なくとも一つの工程を含むものであることが好ましい。上記切断工程、研磨工程および面取り工程等のチッピングを生じる加工を行った場合であっても、チッピング等の付着を少ないものとすることができるとの本発明の効果をより効果的に発揮することができるからである。
また、上記保護層が密着性および緻密性に優れた材料である窒化クロムを含むものであり、剥がれやピンホール等の少ないものであるため、上記エッチング工程を行った場合であっても、凹凸パターン部の腐食を少ないものとすることができるとの本発明の効果をより効果的に発揮することができるからである。
In the present invention, the processing steps include a cutting step for cutting the workpiece, a polishing step for polishing the workpiece, a chamfering step for chamfering corners of the workpiece, and etching the workpiece. It is preferable that the method includes at least one of the etching steps to be processed. Even when processing that causes chipping such as the cutting step, the polishing step, and the chamfering step is performed, the effect of the present invention that the adhesion such as chipping can be reduced is more effectively exhibited. Because you can.
In addition, since the protective layer contains chromium nitride which is a material having excellent adhesion and denseness and has few peeling, pinholes, etc., even when the etching process is performed, unevenness This is because the effect of the present invention that the corrosion of the pattern portion can be reduced can be more effectively exhibited.

本発明においては、上記クロム系材料に含まれるクロム原子と窒素原子との比率(窒素原子数/クロム原子数)が0.2以上であることが好ましい。窒化クロムは密着性、緻密性および剥離性に優れるため、上記クロム系材料に含まれるクロム原子と窒素原子との比率(窒素原子数/クロム原子数)が上述した範囲であることにより、上記保護層をより密着性、緻密性および剥離性に優れたものとすることができ、凹凸パターン部へのチッピング等の付着や腐食等の不具合のより少ない凹凸パターン部を形成することができるからである。   In this invention, it is preferable that the ratio (the number of nitrogen atoms / the number of chromium atoms) of chromium atoms and nitrogen atoms contained in the chromium-based material is 0.2 or more. Since chromium nitride is excellent in adhesion, denseness, and peelability, the ratio of chromium atom and nitrogen atom (number of nitrogen atoms / number of chromium atoms) contained in the chromium-based material is within the above-described range, so that the above protection is achieved. This is because the layer can be made more excellent in adhesion, denseness, and peelability, and an uneven pattern portion with less defects such as adhesion and corrosion to the uneven pattern portion can be formed. .

本発明は、上述したパターン形成体の製造方法を用いることを特徴とするナノインプリント用モールドの製造方法を提供する。   The present invention provides a method for producing a mold for nanoimprint, which uses the above-described method for producing a patterned body.

本発明によれば、上述したパターン形成体の製造方法を用いるものであるため、凹凸パターン部へのチッピング等の付着や腐食が少ないものとすることができる。このため、本発明の製造方法により製造されるナノインプリント用モールドを、異物が少なく、寸法精度の高い凹凸パターン部を有するものとすることができる。   According to the present invention, since the above-described method for manufacturing a pattern forming body is used, it is possible to reduce adhesion and corrosion such as chipping to the uneven pattern portion. For this reason, the mold for nanoimprint manufactured by the manufacturing method of the present invention can have a concavo-convex pattern portion with less foreign matter and high dimensional accuracy.

本発明においては、上記加工工程が、上記保護層により保護された凹凸パターン部の周囲をエッチングにより凹状とし、上記凹凸パターン部を含む領域を凸形状とする台座形成工程を含むことを含むものであることが好ましい。
台座形成工程を行い、上記凹凸パターン部を含む領域を周囲より突き出た凸形状(メサ構造)とすることにより、本発明の製造方法により製造されるナノインプリント用モールドを、上記凹凸パターン部と、他部材との接触をより容易に行うことができるものとすることができるからである。また、エッチングにより形成することにより、上記凹凸パターン部の凸形状が複雑な形状であっても精度良く形成することができるからである。
In the present invention, the processing step includes a pedestal forming step in which the periphery of the concavo-convex pattern portion protected by the protective layer is made concave by etching and the region including the concavo-convex pattern portion is made convex. Is preferred.
By performing a pedestal forming step and forming a convex shape (mesa structure) projecting from the surrounding area including the concavo-convex pattern portion, the mold for nanoimprint manufactured by the manufacturing method of the present invention is combined with the concavo-convex pattern portion and others. This is because the contact with the member can be more easily performed. Moreover, it is because it can form with sufficient precision even if the convex shape of the said uneven | corrugated pattern part is a complicated shape by forming by an etching.

本発明は、凹凸パターン部へのチッピング等の付着や腐食の少ないパターン形成体を得ることができるという効果を奏する。   The present invention has an effect that it is possible to obtain a pattern forming body with less adhesion and corrosion such as chipping to the uneven pattern portion.

本発明は、パターン形成体の製造方法、および、それを用いたナノインプリント用モールドの製造方法に関するものである。
以下、本発明のパターン形成体の製造方法およびナノインプリント用モールドの製造方法について詳細に説明する。
The present invention relates to a method for producing a pattern forming body and a method for producing a mold for nanoimprinting using the same.
Hereinafter, the manufacturing method of the pattern formation body of this invention and the manufacturing method of the mold for nanoimprint are demonstrated in detail.

A.パターン形成体の製造方法
まず、本発明のパターン形成体の製造方法を説明する。
本発明のパターン形成体の製造方法は、表面に凹凸パターン部を有する被加工体を用意し、少なくとも上記凹凸パターン部上に、窒化クロムを含むクロム系材料を主成分とする保護層を形成する保護層形成工程と、上記保護層により保護された凹凸パターン部以外の、上記被加工体の部分を加工する加工工程と、を有することを特徴とするものである。
A. First, the manufacturing method of the pattern formation body of this invention is demonstrated.
In the method for producing a pattern formed body of the present invention, a workpiece having a concavo-convex pattern portion is prepared on the surface, and a protective layer mainly composed of a chromium-based material containing chromium nitride is formed on at least the concavo-convex pattern portion. The method includes a protective layer forming step and a processing step of processing a portion of the workpiece other than the concavo-convex pattern portion protected by the protective layer.

このような本発明のパターン形成体の製造方法について図面を用いて説明する。図1は、本発明のパターン形成体の製造方法の一例を示す概略断面図である。図1に示されるパターン形成体の製造方法においては、まず、表面に凹凸パターン部を有する石英製の被加工体1を用意し(図1(a))、上記被加工体1の凹凸パターン部が形成された表面に窒化クロムからなる保護層2をスパッタリング法により形成する保護層形成工程(図1(b))を行う。次に、上記保護層2により保護された凹凸パターン部以外の、上記被加工体1の部分を加工する加工工程として、ダイヤモンドカッター3を用い、上記被加工体1を断面方向に切断する切断工程(図1(c))と、切断により生じた断面を研磨する研磨工程(図1(d))と、上記被加工体1の角部を面取りする面取り工程(図1(e))と、を行う。最後に、上記保護層2を除去し、洗浄することで、パターン形成体10を得る(図1(f))。   The manufacturing method of such a pattern formation body of this invention is demonstrated using drawing. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a method for producing a pattern forming body of the present invention. In the method of manufacturing the pattern forming body shown in FIG. 1, first, a quartz workpiece 1 having a concavo-convex pattern portion on the surface is prepared (FIG. 1 (a)), and the concavo-convex pattern portion of the workpiece 1 is prepared. A protective layer forming step (FIG. 1B) is performed in which a protective layer 2 made of chromium nitride is formed on the surface on which is formed by sputtering. Next, as a processing step for processing the portion of the workpiece 1 other than the concavo-convex pattern portion protected by the protective layer 2, a cutting step for cutting the workpiece 1 in the cross-sectional direction using a diamond cutter 3 (FIG. 1 (c)), a polishing step (FIG. 1 (d)) for polishing a cross section generated by cutting, a chamfering step (FIG. 1 (e)) for chamfering a corner of the workpiece 1; I do. Finally, the protective layer 2 is removed and washed to obtain the pattern forming body 10 (FIG. 1 (f)).

本発明によれば、窒化クロムはクロム等の材料と比較して密着性に優れるものであるため、このような窒化クロムを含むことにより、上記保護層を剥がれや欠けの少ないものとすることができる。このため、上記保護層を上記被加工体の上記凹凸パターン部が形成された表面に設けた場合には、上記保護層が部分的に剥がれて、上記凹凸パターン部の表面が露出することが少ないものとすることができる。このようなことから、切断等の加工時に生じるチッピングの凹凸パターン部への付着を少ないものとすることができる。
また、上記保護層が部分的に剥がれる等することによる凹凸パターン部の表面の露出を抑制することができるため、エッチング加工時に、エッチャントと接触することによる凹凸パターン部の腐食等の不具合を少ないものとすることができる。
According to the present invention, since chromium nitride is excellent in adhesion as compared with a material such as chromium, the inclusion of such chromium nitride makes the protective layer less peeled or chipped. it can. For this reason, when the said protective layer is provided in the surface in which the said uneven | corrugated pattern part of the said to-be-processed object was formed, the said protective layer peels off partially and the surface of the said uneven | corrugated pattern part is rarely exposed. Can be. For this reason, it is possible to reduce the adhesion of chipping to the concave / convex pattern portion that occurs during processing such as cutting.
In addition, since exposure of the surface of the concavo-convex pattern portion due to partial peeling of the protective layer can be suppressed, there are few problems such as corrosion of the concavo-convex pattern portion due to contact with the etchant during etching processing It can be.

また、窒化クロムはクロム等の材料と比較して緻密性に優れるものであるため、このような窒化クロムを含むことにより、上記保護層をピンホールの少ないものとすることができる。また、その結果、エッチング加工時に、エッチャントが上記保護層のピンホールから侵入することによる生じる凹凸パターン部の腐食等の不具合を少ないものとすることができる。
また、上記保護層をピンホールの少ないものとすることができるため、切断等の加工時に生じるチッピングがピンホールから入り込み、上記凹凸パターン部に付着することを少ないものとすることができる。
Further, since chromium nitride is excellent in denseness as compared with a material such as chromium, the inclusion of such chromium nitride makes it possible to reduce the number of pinholes in the protective layer. As a result, it is possible to reduce problems such as corrosion of the concavo-convex pattern portion caused by the etchant entering from the pinhole of the protective layer during the etching process.
In addition, since the protective layer can have few pinholes, chipping generated during processing such as cutting can be prevented from entering the pinholes and adhering to the uneven pattern portion.

さらに、窒化クロムはクロム等の材料と比較して剥離性に優れるため、剥離液により容易に除去することができる。このため、上記保護層の残留物の上記凹凸パターン部への付着等の不具合を少ないものとすることができる。   Furthermore, chromium nitride is excellent in releasability compared with materials such as chromium, and therefore can be easily removed with a stripping solution. For this reason, problems, such as adhesion of the residue of the protective layer to the uneven pattern portion, can be reduced.

このように、上記被加工体の少なくとも凹凸パターン部上に、密着性、緻密性および剥離性に優れた窒化クロムを含む保護層を設けることにより、凹凸パターン部へのチッピングおよび保護層の残留物等の異物の付着や、腐食等による形状変化を抑制することができる。すなわち、窒化クロムを含む保護層を設けることにより、本発明の製造方法により製造されるパターン形成体を、異物が少なく、寸法精度の高い凹凸パターン部を有するものとすることができるのである。   As described above, by providing a protective layer containing chromium nitride having excellent adhesion, denseness, and peelability on at least the concave / convex pattern portion of the workpiece, chipping to the concave / convex pattern portion and a residue of the protective layer are provided. It is possible to suppress changes in shape due to adhesion of foreign substances such as, corrosion, and the like. That is, by providing the protective layer containing chromium nitride, the pattern forming body manufactured by the manufacturing method of the present invention can have a concavo-convex pattern portion with less foreign matter and high dimensional accuracy.

本発明のパターン形成体の製造方法は、上記保護層形成工程および加工工程を少なくとも有するものである。
以下、本発明のパターン形成体の製造方法について、各工程ごとに説明する。
The manufacturing method of the pattern formation body of this invention has at least the said protective layer formation process and a process process.
Hereinafter, the manufacturing method of the pattern formation body of this invention is demonstrated for every process.

1.保護層形成工程
本発明における保護層形成工程について説明する。本発明における保護層形成工程は、表面に凹凸パターン部を有する被加工体を用意し、少なくとも上記凹凸パターン部上に、窒化クロムを含むクロム系材料を主成分とする保護層を形成する工程である。
1. Protective layer formation process The protective layer formation process in this invention is demonstrated. The protective layer forming step in the present invention is a step of preparing a workpiece having a concavo-convex pattern portion on the surface and forming a protective layer mainly composed of a chromium-based material containing chromium nitride on at least the concavo-convex pattern portion. is there.

(1)被加工体
まず、本工程に用いられる被加工体について説明する。本工程に用いられる被加工体は、表面に凹凸パターン部を有するものである。
(1) To-be-processed body First, the to-be-processed body used for this process is demonstrated. The workpiece used in this step has a concavo-convex pattern portion on the surface.

本工程に用いられる被加工体の光透過性については、光透過性を有するものであっても良く、光透過性を有しないものであっても良いが、本発明により得られるパターン形成体が、例えば光インプリント用のテンプレートまたは位相マスクの場合は、被加工体が光透過性を有するものであることが好ましい。一方、本工程により得られるパターン形成体が、例えば熱インプリント用テンプレートである場合は、光透過性を有しないものであっても良い。   About the light transmittance of the to-be-processed body used for this process, it may have a light transmittance and may not have a light transmittance, but the pattern formation body obtained by this invention For example, in the case of a template or a phase mask for optical imprinting, it is preferable that the workpiece has light transparency. On the other hand, when the pattern formed body obtained by this step is, for example, a thermal imprint template, it may not have light transmittance.

上記被加工体の材料としては、パターン形成体の用途等により異なるものであるが、例えば、石英およびソーダライムガラス等のガラス;シリコン(Si)、窒化ガリウム(GaN)およびガリウム砒素(GaAs)等の半導体;ニッケル(Ni)およびアルミニウム(Al)等の金属;窒化シリコン(SiN)、酸化シリコン(SiO)および炭化シリコン(SiC)等のセラミックス;ダイヤモンド、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)および立方晶窒化ホウ素(CBN)等を挙げることができる。なかでも、より微細な寸法の加工が可能であるという観点から、石英およびシリコン(Si)がより好ましく、石英が特に好ましい。また、このような材料は、窒化クロムの密着性に優れることからも好ましい。 The material of the workpiece varies depending on the application of the pattern forming body, and examples thereof include glass such as quartz and soda lime glass; silicon (Si), gallium nitride (GaN), and gallium arsenide (GaAs). Semiconductors: metals such as nickel (Ni) and aluminum (Al); ceramics such as silicon nitride (SiN), silicon oxide (SiO 2 ) and silicon carbide (SiC); diamond, diamond-like carbon (DLC) and cubic nitriding Examples thereof include boron (CBN). Among these, quartz and silicon (Si) are more preferable, and quartz is particularly preferable from the viewpoint that processing with finer dimensions is possible. Such a material is also preferable because of excellent adhesion of chromium nitride.

上記凹凸パターン部の断面形状は、得られるパターン形成体の用途によって異なるものであるが、例えば、矩形状および半円状等を挙げることができる。例えば、パターン形成体を位相マスクとして用いる場合は、例えば、凹凸パターン部の断面形状が矩形状となるように、凹凸パターン部を形成することが好ましい。また、例えば、パターン形成体を、マイクロレンズを形成するためのインプリント用テンプレートとして用いる場合は、例えば、凹凸パターン部の断面形状が半円状となるように、凹凸パターン部を形成することが好ましい。   Although the cross-sectional shape of the said uneven | corrugated pattern part changes with uses of the pattern formation body obtained, For example, rectangular shape, semicircle shape, etc. can be mentioned. For example, when using a pattern formation body as a phase mask, it is preferable to form an uneven | corrugated pattern part so that the cross-sectional shape of an uneven | corrugated pattern part may become a rectangular shape, for example. Further, for example, when the pattern forming body is used as an imprint template for forming a microlens, for example, the concavo-convex pattern portion may be formed so that the cross-sectional shape of the concavo-convex pattern portion is semicircular. preferable.

本工程においては、凹凸パターン部のパターンサイズが、小さいことが好ましく、具体的には、パターンサイズがナノオーダーであることが好ましい。後述する保護層を設けることにより、パターンサイズが小さい場合であっても、高い精度で切断等の加工を行うことができるからである。上記凹凸パターン部のパターンサイズとしては、例えば10nm〜1000nmの範囲内、なかでも20nm〜500nmの範囲内であることが好ましい。なお、凹凸パターン部の断面形状が矩形状である場合は、その凹部の幅が、上記のパターンサイズの範囲内にあることが好ましい。また、凹凸パターン部の断面形状が半円状である場合は、半円状の凹部の直径が、上記のパターンサイズの範囲内にあることが好ましい。   In this step, the pattern size of the concavo-convex pattern portion is preferably small, and specifically, the pattern size is preferably nano-order. This is because by providing a protective layer, which will be described later, processing such as cutting can be performed with high accuracy even when the pattern size is small. The pattern size of the concavo-convex pattern portion is, for example, preferably in the range of 10 nm to 1000 nm, particularly in the range of 20 nm to 500 nm. In addition, when the cross-sectional shape of an uneven | corrugated pattern part is a rectangular shape, it is preferable that the width | variety of the recessed part exists in the range of said pattern size. Moreover, when the cross-sectional shape of the uneven | corrugated pattern part is semicircle shape, it is preferable that the diameter of a semicircle-shaped recessed part exists in the range of said pattern size.

被加工体の表面に凹凸パターン部を形成する方法としては、所望の凹凸形状を有するものとすることができる方法であれば良く、例えば、フォトリソグラフィー等を用いて、上記被加工体の表面の一部を削ることによって形成されたものであっても良く、蒸着法等により上記被加工体の表面上に別部材(例えばCr等)を積層することにより形成されたものであっても良い。なかでも、本発明においては前者が好ましい。剥離の問題が生じないからである。   As a method for forming the concavo-convex pattern portion on the surface of the workpiece, any method can be used as long as it can have a desired concavo-convex shape. For example, the surface of the workpiece can be formed using photolithography or the like. It may be formed by cutting a part, or may be formed by laminating another member (for example, Cr) on the surface of the workpiece by vapor deposition or the like. Of these, the former is preferred in the present invention. This is because the problem of peeling does not occur.

(2)保護層
次に、本工程に用いられる保護層について説明する。本工程に用いられる保護層は、少なくとも上記凹凸パターン部上に形成されるものである。
(2) Protective layer Next, the protective layer used in this step will be described. The protective layer used in this step is formed on at least the concavo-convex pattern portion.

(a)材料
上記保護層を構成する材料としては、窒化クロムを含むクロム系材料を主成分とするものであれば良い。
ここで、主成分とするとは、上記保護層をエッチングや切断等の加工時に上記凹凸パターン部を保護する保護層として用いた場合に、クロム系材料としての機能が発揮できる程度に含まれることをいうものであり、具体的には、上記保護層中に80質量%以上含有されることをいうものである。
本工程においては、なかでも、上記保護層における上記クロム系材料の含有量が、90質量%以上であることが好ましい。上記クロム系材料の上記保護層中の含有量が上述した範囲であることにより、上述したような凹凸パターン部を保護する保護層において、クロム系材料としての機能を十分に発揮するものとすることができるからである。
(A) Material As a material constituting the protective layer, any material having a chromium-based material containing chromium nitride as a main component may be used.
Here, the main component means that the protective layer is included to such an extent that the function as a chromium-based material can be exhibited when the protective layer is used as a protective layer for protecting the uneven pattern portion during processing such as etching or cutting. Specifically, it means that 80% by mass or more is contained in the protective layer.
In this step, it is preferable that the content of the chromium-based material in the protective layer is 90% by mass or more. When the content of the chromium-based material in the protective layer is in the above-described range, the protective layer that protects the concavo-convex pattern portion as described above sufficiently exhibits the function as the chromium-based material. Because you can.

本工程に用いられる保護層を構成する材料としては、上記クロム系材料を主成分とするものであれば良いが、必要に応じて、上記クロム系材料以外の材料を含むことができる。   The material constituting the protective layer used in this step is not particularly limited as long as it contains the above-mentioned chromium-based material as a main component, but can contain a material other than the above-mentioned chromium-based material as necessary.

本工程において用いられるクロム系材料は、クロム、窒化クロム、酸化クロム、炭化クロム、炭化窒化クロム等のクロムを含む化合物からなるものであり、少なくとも窒化クロムを含むものである。
ここで、窒化クロムを含む理由は、窒化クロムが密着性に優れるものであり、上記保護層を剥がれや欠けの少ないものとすることができるからである。また、その結果、切断加工時の凹凸パターン部へのチッピングの付着や、エッチング加工時の凹凸パターン部の腐食等の不具合を少ないものとすることができるからである。
また、窒化クロムは緻密性に優れるため、窒化クロムを含むことにより、上記保護層をピンホールの少ないものとすることができる。その結果、エッチング加工時の凹凸パターン部の腐食等の不具合を少ないものとすることができるからである。
さらに、窒化クロムは剥離性に優れるため、窒化クロムを含むことにより、上記保護層の剥離液による除去を容易に行うことができる。このため、上記保護層の残留物の上記凹凸パターン部への付着等の不具合を少ないものとすることができるからである。
このように、窒化クロムを含むことにより、本発明の製造方法により製造されるパターン形成体を、凹凸パターン部へのチッピング等の付着や腐食等の不具合の少ない凹凸パターン部を有するものとすることができるからである。
The chromium-based material used in this step is made of a compound containing chromium such as chromium, chromium nitride, chromium oxide, chromium carbide, chromium carbonitride and the like, and contains at least chromium nitride.
Here, the reason for containing chromium nitride is that chromium nitride is excellent in adhesion, and the protective layer can be made less peeled or chipped. Further, as a result, it is possible to reduce problems such as chipping adhesion to the uneven pattern portion during cutting and corrosion of the uneven pattern portion during etching.
Further, since chromium nitride is excellent in denseness, the protective layer can be made to have few pinholes by including chromium nitride. As a result, problems such as corrosion of the concavo-convex pattern portion during etching can be reduced.
Furthermore, since chromium nitride is excellent in releasability, the protective layer can be easily removed with a stripping solution by including chromium nitride. For this reason, it is possible to reduce problems such as adhesion of the residue of the protective layer to the uneven pattern portion.
As described above, by including chromium nitride, the pattern forming body manufactured by the manufacturing method of the present invention has an uneven pattern portion with less defects such as adhesion to the uneven pattern portion and corrosion. Because you can.

このようなクロム系材料に含まれる窒化クロムの含有量としては、上記被加工体との密着性および剥離性や、上記加工工程における加工方法等に応じて適宜設定されるものであるが、上記クロム系材料に含まれるクロム原子と窒素原子との比率(窒素原子数/クロム原子数)が、0.2以上であることが好ましく、なかでも0.3〜1の範囲内であることが好ましく、特に、0.4〜1の範囲内であることが好ましい。
窒化クロムを、上記クロム系材料中におけるクロム原子と窒素原子との比率が上記範囲内となるように含むことにより、上記保護層をより密着性、緻密性および剥離性に優れたものとすることができ、凹凸パターン部へのチッピング等の付着や腐食等の不具合のより少ない凹凸パターン部を形成することができるからである。
なお、原子数の比率の測定については、X線光電子分光法(XPS)等の一般的な元素分析装置を用いることができる。
The content of chromium nitride contained in such a chromium-based material is appropriately set according to the adhesion and peelability with the workpiece, the processing method in the processing step, etc. The ratio of the chromium atom to the nitrogen atom (the number of nitrogen atoms / the number of chromium atoms) contained in the chromium-based material is preferably 0.2 or more, and particularly preferably within the range of 0.3 to 1. In particular, it is preferably in the range of 0.4 to 1.
By including chromium nitride so that the ratio of chromium atoms to nitrogen atoms in the chromium-based material is within the above range, the protective layer should be more excellent in adhesion, denseness and peelability. This is because it is possible to form a concavo-convex pattern portion with less defects such as adhesion such as chipping to the concavo-convex pattern portion and corrosion.
For the measurement of the ratio of the number of atoms, a general elemental analyzer such as X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) can be used.

(b)保護層
本工程において保護層を形成する方法としては、所望の保護層を形成することができる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば、上記クロム系材料からなるものである場合、プラズマCVD法、熱CVD法、光CVD法等のCVD法;スパッタリング法、イオンプレーティング法等のPVD法等を挙げることができ、なかでもスパッタリング法が好ましい。均一な保護層を得ることができるからである。
(B) Protective layer The method for forming the protective layer in this step is not particularly limited as long as it is a method capable of forming a desired protective layer. In some cases, a CVD method such as a plasma CVD method, a thermal CVD method, and a photo CVD method; a PVD method such as a sputtering method and an ion plating method can be used, and a sputtering method is particularly preferable. This is because a uniform protective layer can be obtained.

本工程により形成される保護層の硬度としては特に限定されるものではないが、例えばモース硬度で3〜10の範囲内、なかでもモース硬度で5〜8の範囲内であることが好ましい。   Although it does not specifically limit as hardness of the protective layer formed by this process, For example, it is preferable that it is in the range of 3-10 in Mohs hardness, and especially in the range of 5-8 in Mohs hardness.

本工程により形成される保護層の膜厚としては、被加工体を精度良く加工できれば特に限定されるものではないが、例えば10nm〜200nmの範囲内、なかでも50nm〜150nmの範囲内であることが好ましい。上記保護層が上記範囲より薄すぎると被加工体を保護できない可能性があり、上記範囲より厚すぎると膜応力の関係で割れやすくなるからである。   The thickness of the protective layer formed in this step is not particularly limited as long as the workpiece can be processed with high accuracy, but it is, for example, in the range of 10 nm to 200 nm, particularly in the range of 50 nm to 150 nm. Is preferred. This is because if the protective layer is thinner than the above range, the workpiece may not be protected, and if it is thicker than the above range, it tends to break due to film stress.

本工程により形成される保護層の形成場所としては、少なくとも被加工体の凹凸パターン部上に形成されるものであれば良く、凹凸パターン部が形成された表面とは反対側の上記被加工体の表面等のその他の表面に同様の保護層を形成しても良い。   The formation position of the protective layer formed in this step may be any place as long as it is formed on at least the concave / convex pattern portion of the workpiece, and the workpiece on the side opposite to the surface on which the concave / convex pattern portion is formed. A similar protective layer may be formed on other surfaces such as the surface.

(3)その他
本工程においては、上記保護層を形成した後に、上記保護層上に、軟質層を設けても良い。軟質層を設けることにより、保護層に割れ等が生じた場合であっても、保護層の断片が飛散することを防止することができるからである。上記軟質層の材料としては、特に限定されるものではないが、例えば、市販の粘着テープおよびレジスト等を挙げることができる。なお、軟質層を設けることにより、保護層のみの場合と比較して、切断等の加工の精度は悪くなると考えられるが、保護層および軟質層を設けることで以下の利点を有すると考えられる。
(3) Others In this step, after forming the protective layer, a soft layer may be provided on the protective layer. This is because by providing the soft layer, it is possible to prevent the fragments of the protective layer from scattering even when the protective layer is cracked or the like. Although it does not specifically limit as a material of the said soft layer, For example, a commercially available adhesive tape, a resist, etc. can be mentioned. In addition, it is thought that by providing a soft layer, the precision of processing, such as a cutting | disconnection, will worsen compared with the case of only a protective layer, However, It is thought that it has the following advantages by providing a protective layer and a soft layer.

すなわち、軟質層と被加工体との間に保護層を設けてあるので、軟質層を被加工体から剥離する際に、軟質層の一部が被加工体の凹凸パターン部に残留することを防止することができる。さらに、保護層および軟質層という2層構造とすることで、それぞれの層の厚さを薄くしても、チッピングが凹凸パターン部に付着しにくくなり、さらに、それぞれの層の厚さを薄くすることで、切断等の加工を精度良く行うことができる。   That is, since a protective layer is provided between the soft layer and the work piece, when the soft layer is peeled from the work piece, a part of the soft layer remains in the uneven pattern portion of the work piece. Can be prevented. Furthermore, by adopting a two-layer structure of a protective layer and a soft layer, even if the thickness of each layer is reduced, chipping is less likely to adhere to the concavo-convex pattern portion, and further, the thickness of each layer is reduced. Thus, processing such as cutting can be performed with high accuracy.

2.加工工程
次に、本発明における加工工程について説明する。本発明における加工工程は、上記保護層により保護された凹凸パターン部以外の、上記被加工体の部分を加工する工程である。
2. Processing Step Next, the processing step in the present invention will be described. The processing step in the present invention is a step of processing a portion of the workpiece other than the uneven pattern portion protected by the protective layer.

このような加工工程としては、上記被加工体を切断する切断工程、上記被加工体を研磨する研磨工程、上記被加工体の角部を面取りする面取り工程、および上記被加工体をエッチングにより加工するエッチング工程等を挙げることができる。   Such processing steps include a cutting step for cutting the workpiece, a polishing step for polishing the workpiece, a chamfering step for chamfering corners of the workpiece, and processing the workpiece by etching. And an etching process to be performed.

本発明においては、なかでも、上記加工工程が、上記切断工程、上記研磨工程、上記面取り工程、および上記エッチング工程の少なくとも一つの工程を含むものであることが好ましい。上記切断工程、研磨工程および面取り工程のようなチッピングを生じるような加工を行う場合であっても、上記凹凸パターン部へのチッピング等の付着を少ないものとすることができるため、本発明の効果をより効果的に発揮することができるからである。
また、上記保護層が緻密性に優れた材料である窒化クロムを含むものであるため、上記エッチング工程を行った場合でも、上記凹凸パターン部の腐食を少ないものとするできるため、本発明の効果をより効果的に発揮することができるからである。
In the present invention, it is preferable that the processing step includes at least one of the cutting step, the polishing step, the chamfering step, and the etching step. Even in the case of performing processing that causes chipping such as the cutting step, polishing step, and chamfering step, it is possible to reduce adhesion of chipping and the like to the uneven pattern portion, and thus the effect of the present invention. It is because it can exhibit more effectively.
Further, since the protective layer contains chromium nitride, which is a material with excellent denseness, even when the etching process is performed, the corrugated pattern portion can be less corroded. It is because it can be exhibited effectively.

上記切断工程としては、被加工体を切断する工程であれば特に限定されるものではないが、具体的には、被加工体を断面方向に切断する工程、および被加工体にメサ構造を形成するために座繰り加工する工程等を挙げることができる。なかでも、本発明においては、上記切断工程が、被加工体を断面方向に切断する工程であることが好ましい。
上記被加工体を切断する方法としては、一般的な切断方法を用いることができ、特に限定されるものではないが、具体的には、ダイヤモンドカッターを用いる方法等を挙げることができる。
The cutting step is not particularly limited as long as it is a step of cutting the workpiece, and specifically, a step of cutting the workpiece in the cross-sectional direction, and forming a mesa structure on the workpiece. In order to do this, a step of countersinking can be cited. Especially in this invention, it is preferable that the said cutting process is a process of cut | disconnecting a to-be-processed body in a cross-sectional direction.
As a method for cutting the workpiece, a general cutting method can be used, and is not particularly limited, and specific examples include a method using a diamond cutter.

上記研磨工程において、研磨を行う場所としては、上記保護層により保護された凹凸パターン部以外の、上記被加工体の部分であれば特に限定されるものではないが、具体的には、上記切断工程により生じた切断面等を挙げることができる。
上記被加工体を研磨する際に用いられる研磨材としては、一般的な研磨材を用いることができ、特に限定されるものではないが、具体的には、ダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素、炭化ケイ素、酸化アルミニウム、シリカ、アルミナ、酸化セリウム、およびダイヤモンドスラリー等を挙げることができる。上記被加工体を研磨する方法については、一般的な研磨方法と同様であるので、ここでの説明は省略する。
In the polishing step, the place for polishing is not particularly limited as long as it is a part of the workpiece other than the uneven pattern part protected by the protective layer. The cut surface etc. which arose by the process can be mentioned.
As an abrasive used for polishing the workpiece, a general abrasive can be used, and is not particularly limited. Specifically, diamond, cubic boron nitride, silicon carbide , Aluminum oxide, silica, alumina, cerium oxide, and diamond slurry. Since the method for polishing the workpiece is the same as a general polishing method, description thereof is omitted here.

上記面取り工程において、上記被加工体の角部を面取りする方法としては、特に限定されるものではなく、一般的な方法を用いることができる。具体的には、バフ研磨等を挙げることができる。   In the chamfering step, the method for chamfering the corner of the workpiece is not particularly limited, and a general method can be used. Specific examples include buffing.

上記エッチング工程において、上記被加工体をエッチングする方法としては、一般的な方法を用いることができる。具体的には、エッチングしたい場所に開口を有するパターン状に形成されたレジストを上記被加工体上に形成し、その後、パターン状に形成されたレジストをマスクとして上記被加工体をエッチャントと接触させエッチングする方法を挙げることができる
また、エッチングしたい場所に、上記保護層が形成されている場合には、上記レジストをパターン状に形成した後、エッチングする領域の保護層をエッチングにより除去した後に、上記被加工体をエッチングする方法を用いることができる。
In the etching step, a general method can be used as a method of etching the workpiece. Specifically, a resist formed in a pattern having an opening at a location to be etched is formed on the workpiece, and then the workpiece is brought into contact with an etchant using the resist formed in a pattern as a mask. In addition, in the case where the protective layer is formed at a location where etching is desired, after the resist is formed in a pattern, the protective layer in the region to be etched is removed by etching. A method of etching the workpiece can be used.

上記レジストの形成方法としては、レジストをパターン状に形成することができる方法であれば良く、フォトリソグラフィー法等の一般的なレジスト形成方法を用いることができる。
上記エッチャントとしては、上記レジストを溶解せず、上記被加工体を溶解することができるものであれば良く、溶液状のウェットエッチャントや、反応性ガス等のドライエッチャント等を用いることができ、上記被加工体の材料に応じて適宜設定されるものである。
The resist may be formed by any method that can form a resist in a pattern, and a general resist forming method such as a photolithography method can be used.
The etchant is not particularly limited as long as it can dissolve the workpiece without dissolving the resist, and a wet etchant in solution, a dry etchant such as a reactive gas, or the like can be used. It is appropriately set according to the material of the workpiece.

また、上記保護層をエッチングする方法としては、上記保護層を精度良く除去することができる方法であれば良く、例えば、上記保護層が上記クロム系材料からなる場合などには、パターン状に形成されたレジストをマスクとして用いて、硝酸第二セリウムアンモニウム溶液等によりエッチングする方法を挙げることができる。   The method for etching the protective layer may be any method that can remove the protective layer with high accuracy. For example, when the protective layer is made of the chromium-based material, the protective layer is formed in a pattern. A method of etching with a ceric ammonium nitrate solution or the like using the formed resist as a mask can be mentioned.

3.その他
本発明においては、通常、上記加工工程後に、保護層を除去する除去工程を行う。保護層を除去する方法としては、上記保護層が上記クロム系材料からなる場合などには、剥離液として、硝酸第二セリウムアンモニウム溶液等を用いることができる。また、本発明においては、上述した各工程の前後に、必要に応じて洗浄工程を行っても良い。
3. Others In the present invention, a removal step for removing the protective layer is usually performed after the processing step. As a method for removing the protective layer, when the protective layer is made of the chromium-based material, a ceric ammonium nitrate solution or the like can be used as a stripping solution. Moreover, in this invention, you may perform a washing | cleaning process as needed before and after each process mentioned above.

4.パターン形成体
本発明により得られるパターン形成体は、表面に凹凸パターン部を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば、光インプリントまたは熱インプリント等に用いられるインプリント用テンプレート;位相マスク等として用いることができる。
4). Pattern Formed Body The pattern formed body obtained by the present invention is not particularly limited as long as it has a concavo-convex pattern portion on the surface. For example, an imprint template used for optical imprint or thermal imprint It can be used as a phase mask or the like.

B.ナノインプリント用モールドの製造方法
次に、本発明のナノインプリント用モールドの製造方法について説明する。本発明のナノインプリント用モールドの製造方法は、上記パターン形成体の製造方法を用いることを特徴とするものである。
B. Next, a method for producing a nanoimprint mold of the present invention will be described. The method for producing a mold for nanoimprinting according to the present invention is characterized by using the method for producing a pattern forming body.

このような本発明のナノインプリント用モールドの製造方法について図を用いて説明する。図2および図3は、本発明のナノインプリント用モールドの製造方法の一例を示す概略工程図である。図2に例示するように、本発明のナノインプリント用モールドの製造方法は、まず、表面に凹凸パターン部を有する石英製の被加工体1を用意し(図2(a))、被加工体1の凹凸パターン部が形成された表面とその反対側の表面に、窒化クロムからなる保護層2をスパッタリング法により形成する保護層形成工程(図2(b))を行う。
次に、図2(c)に示すように、保護層2により保護された凹凸パターン部以外の、被加工体1の部分を加工する加工工程として、上記保護層により保護された凹凸パターン部の周囲に開口を有するレジスト4を形成した後、硝酸第二セリウムアンモニウム溶液5をエッチャントとして用いることにより、上記保護層2をエッチングにより除去する。
次いで、図2(d)に示すように、フッ酸6をエッチャントとして用いることにより、上記被加工体1をエッチングし(図2(e))、その後、レジスト4を剥離することにより、上記凹凸パターン部を含む領域を凸形状(メサ構造)とする(図2(f))。なお、上記図2(c)〜(f)は台座形成工程を示すものである。本発明においては、上述した保護層形成工程において密着性の高い窒化クロムを含む保護層を形成するため、凹凸パターン部へのフッ酸の染込みを防止することができる。
その後、図3(a)に示すように、ダイヤモンドカッター3を用い、被加工体1を断面方向に切断する切断工程と、切断により生じた断面を研磨する研磨工程(図3(b))と、被加工体1の角部を面取りする面取り工程(図3(c))と、を行う。
最後に、保護層2を除去し、洗浄することで、ナノインプリント用モールド20を得る(図3(d))。
A method for producing such a nanoimprint mold of the present invention will be described with reference to the drawings. 2 and 3 are schematic process diagrams illustrating an example of a method for producing a nanoimprint mold of the present invention. As illustrated in FIG. 2, in the method for manufacturing a mold for nanoimprinting of the present invention, first, a quartz workpiece 1 having a concavo-convex pattern portion on the surface is prepared (FIG. 2A), and the workpiece 1 is prepared. A protective layer forming step (FIG. 2B) is performed in which a protective layer 2 made of chromium nitride is formed by sputtering on the surface on which the concave / convex pattern portion is formed and the surface on the opposite side.
Next, as shown in FIG. 2C, as a processing step for processing a portion of the workpiece 1 other than the uneven pattern portion protected by the protective layer 2, the uneven pattern portion protected by the protective layer is processed. After forming a resist 4 having an opening around it, the protective layer 2 is removed by etching by using a ceric ammonium nitrate solution 5 as an etchant.
Next, as shown in FIG. 2 (d), the workpiece 1 is etched by using hydrofluoric acid 6 as an etchant (FIG. 2 (e)), and then the resist 4 is peeled to remove the irregularities. A region including the pattern portion is assumed to have a convex shape (mesa structure) (FIG. 2 (f)). In addition, the said FIG.2 (c)-(f) shows a base formation process. In the present invention, since the protective layer containing chromium nitride having high adhesion is formed in the protective layer forming step described above, infiltration of hydrofluoric acid into the concavo-convex pattern portion can be prevented.
Thereafter, as shown in FIG. 3A, a diamond cutter 3 is used to cut the workpiece 1 in the cross-sectional direction, and a polishing step to polish the cross-section generated by the cutting (FIG. 3B). Then, a chamfering process (FIG. 3C) for chamfering the corner of the workpiece 1 is performed.
Finally, the protective layer 2 is removed and washed to obtain the nanoimprint mold 20 (FIG. 3D).

本発明によれば、上述したパターン形成体の製造方法を用いるものであるため、凹凸パターン部へのチッピング等の付着や腐食が少ないものとすることができる。このため、本発明の製造方法により製造されるナノインプリント用モールドを、異物が少なく、寸法精度の高い凹凸パターン部を有するものとすることができる。   According to the present invention, since the above-described method for manufacturing a pattern forming body is used, it is possible to reduce adhesion and corrosion such as chipping to the uneven pattern portion. For this reason, the mold for nanoimprint manufactured by the manufacturing method of the present invention can have a concavo-convex pattern portion with less foreign matter and high dimensional accuracy.

本発明のナノインプリント用モールドの製造方法は、上記保護層形成工程および加工工程を有するものである。   The method for producing a mold for nanoimprinting of the present invention includes the protective layer forming step and the processing step.

1.保護層形成工程
本発明における保護層形成工程は、少なくとも上記凹凸パターン部上に、窒化クロムを含むクロム系材料を主成分とする保護層を形成する工程である。
なお、本工程により形成される保護層については、上記「A.パターン形成体の製造方法」の項に記載した内容と同様であるため、ここでの説明は省略する。
1. Protective layer formation process The protective layer formation process in this invention is a process of forming the protective layer which has as a main component the chromium system material containing chromium nitride on the said uneven | corrugated pattern part at least.
In addition, about the protective layer formed by this process, since it is the same as that of the content described in the term of the said "A. manufacturing method of a pattern formation body", description here is abbreviate | omitted.

(1)被加工体
本工程に用いられる被加工体としては、ナノインプリント用モールドの形成に用いられるものであれば良く、ナノインプリント用モールドの用途等に応じて適宜設定することができる。
(1) Workpiece The workpiece used in this step may be any material that can be used for forming a nanoimprint mold, and can be appropriately set according to the use of the nanoimprint mold.

このような被加工体の凹凸パターン部のパターンサイズとしては、ナノインプリント用モールドの用途等に応じて設定されるものであるが、具体的には、凹凸パターンの線幅が10nm〜1000nmの範囲内であることが好ましく、なかでも10nm〜80nmの範囲内であることが好ましく、特に20nm〜70nmの範囲内であることが好ましい。微細パターンの線幅が上記範囲より大きいと、チッピングが付着することによる影響が小さいものとなり、本発明の効果を効果的に発揮することができなくなるからである。また、上記線幅が上記範囲より小さいと、製造が困難だからである。
また、微細パターンのアスペクト比(高さ/線幅)としては、0.5以上であることが好ましく、なかでも0.5〜10の範囲内であることが好ましく、特に1〜4の範囲内であることが好ましい。上記アスペクト比が上記範囲内であることにより、本発明の製造方法により製造されるナノインプリントモールドを用いて他部材を加工した際に、精度良く加工を施すことができるからである。
The pattern size of the concavo-convex pattern portion of such a workpiece is set according to the use of the nanoimprint mold, and specifically, the line width of the concavo-convex pattern is within the range of 10 nm to 1000 nm. In particular, it is preferably within a range of 10 nm to 80 nm, and particularly preferably within a range of 20 nm to 70 nm. This is because if the line width of the fine pattern is larger than the above range, the influence of chipping is small, and the effect of the present invention cannot be effectively exhibited. Moreover, it is because manufacture is difficult when the said line | wire width is smaller than the said range.
Further, the aspect ratio (height / line width) of the fine pattern is preferably 0.5 or more, more preferably in the range of 0.5 to 10, particularly in the range of 1 to 4. It is preferable that This is because when the aspect ratio is within the above range, when other members are processed using the nanoimprint mold manufactured by the manufacturing method of the present invention, processing can be performed with high accuracy.

本工程に用いられる被加工体の被加工体の光透過性、被加工体の材料、断面形状、凹凸パターン部を形成する方法については、上記「A.パターン形成体の製造方法」の項に記載の被加工体と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。   Regarding the light transmittance of the workpiece used in this step, the material of the workpiece, the cross-sectional shape, and the method of forming the concavo-convex pattern portion, refer to the above-mentioned section “A. Manufacturing method of pattern forming body”. Since it can be the same as that of the to-be-processed object of description, description here is abbreviate | omitted.

(2)その他
本工程は、表面に凹凸パターン部を有する被加工体を用意し、上記被加工体の凹凸パターン部が形成された表面に、保護層を形成する工程であるが、必要に応じて、上記保護層を形成した後に、上記保護層上に軟質層を形成するものであっても良い。
軟質層を設けることにより、保護層に割れ等が生じた場合であっても、保護層の断片が飛散することを防止することができるからである。
なお、このような軟質層については、上記「A.パターン形成体の製造方法」の項に記載した内容と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
(2) Others This step is a step of preparing a workpiece having a concavo-convex pattern portion on the surface and forming a protective layer on the surface on which the concavo-convex pattern portion of the workpiece is formed. Then, after forming the protective layer, a soft layer may be formed on the protective layer.
This is because by providing the soft layer, it is possible to prevent the fragments of the protective layer from scattering even when the protective layer is cracked or the like.
In addition, about such a soft layer, since it can be made to be the same as that of the content described in the above-mentioned item of "A. Manufacturing method of a pattern formation body", description here is abbreviate | omitted.

2.加工工程
本発明のナノインプリント用モールドの製造方法における加工工程は、上記保護層により保護された凹凸パターン部以外の、上記被加工体の部分を加工する工程である。
2. Processing Step The processing step in the method for manufacturing a mold for nanoimprinting of the present invention is a step of processing a portion of the workpiece other than the concavo-convex pattern portion protected by the protective layer.

このような加工工程としては、上記切断工程、上記研磨工程、および上記面取り工程や、上記保護層により保護された凹凸パターン部の周囲をエッチングすることにより凹状とし、上記凹凸パターン部を含む領域を凸形状(メサ構造)とする台座形成工程等のエッチング工程を挙げることができる。
本発明においては、なかでも、上記加工工程が、上記台座形成工程を含むものであることが好ましい。本発明の製造方法により製造されるナノインプリント用モールドは、上記凹凸パターン部を、他部材と接触させて用いるものである。したがって、このような台座形成工程を行い、上記凹凸パターン部を含む領域を周囲より突き出た凸形状(メサ構造)とすることにより、上記凹凸パターン部と、他部材との接触をより容易に行うことができるものとすることができるからである。また、エッチングにより形成することにより、上記凹凸パターン部の凸形状が複雑な形状であっても精度良く形成することができるからである。
なお、上記切断工程、研磨工程、面取り工程およびエッチング工程については、上記「A.パターン形成体」の項に記載した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。
As such a processing step, the cutting step, the polishing step, the chamfering step, and the concave and convex pattern portions protected by the protective layer are etched to form a concave shape, and the region including the concave and convex pattern portions is formed. An etching process such as a pedestal forming process having a convex shape (mesa structure) can be given.
In the present invention, it is preferable that the processing step includes the pedestal forming step. The mold for nanoimprint produced by the production method of the present invention is used by bringing the concavo-convex pattern portion into contact with another member. Therefore, by performing such a pedestal forming step and making the region including the concavo-convex pattern portion a convex shape (mesa structure) protruding from the periphery, the concavo-convex pattern portion and the other member can be more easily brought into contact with each other. This is because it can be made possible. Moreover, it is because it can form with sufficient precision even if the convex shape of the said uneven | corrugated pattern part is a complicated shape by forming by an etching.
The cutting step, the polishing step, the chamfering step, and the etching step are the same as the contents described in the above section “A. Pattern forming body”, and thus description thereof is omitted here.

本工程における台座形成工程は、上記保護層により保護された凹凸パターン部の周囲をエッチングすることにより凹状とし、上記凹凸パターン部を含む領域を凸形状とする工程である。   The pedestal forming step in this step is a step in which the periphery of the concavo-convex pattern portion protected by the protective layer is etched to make it concave, and the region including the concavo-convex pattern portion is made convex.

このような、上記凹凸パターン部の周囲をエッチングし凹形状とする方法としては、一般的なエッチング方法を用いることができ、具体的には、上記凹凸パターン部の周囲に開口を有するレジストを上記被加工体上に形成し、その後、パターン状に形成されたレジストをマスクとして上記被加工体をエッチャントによりエッチングする方法を挙げることができる。
また、上記保護層が、エッチングする領域である凹凸パターン部の周囲に形成されている場合には、上記レジストをパターン状に形成した後、エッチングする領域の保護層をエッチングにより除去した後に、上記被加工体をエッチングする方法を用いることができる。
A general etching method can be used as a method for etching the periphery of the concavo-convex pattern portion to form a concave shape. Specifically, a resist having an opening around the concavo-convex pattern portion is used. An example is a method in which a workpiece is formed on a workpiece, and then the workpiece is etched with an etchant using a resist formed in a pattern as a mask.
Further, when the protective layer is formed around the concavo-convex pattern portion which is an area to be etched, after forming the resist in a pattern, the protective layer in the area to be etched is removed by etching, A method of etching a workpiece can be used.

上記台座形成工程において、レジストをパターン状に形成する方法、および、上記保護層をエッチングする方法としては、上記「A.パターン形成体の製造方法」の項に記載した内容と同様とすることができる。   In the pedestal forming step, the method for forming the resist in a pattern and the method for etching the protective layer may be the same as the contents described in the section “A. Method for producing pattern formed body”. it can.

上記台座形成工程において、上記被加工体のエッチングに用いられるエッチャントとしては、上記被加工体を所望の精度良くエッチングすることができるものであれば良く、ウェットエッチャントでもドライエッチャントでも良いが、例えば、上記被加工体が石英からなるものである場合には、フッ酸を好ましく用いることができる。
フッ酸を用いることにより、微細加工が容易である石英を精度良く加工することができるからである。
また、上述したように、上記保護層が窒化クロムを含み、剥がれやピンホール等の少ないものであるため、フッ酸のような腐食性が高いエッチャントを用いた場合であっても、上記凹凸パターン部が腐食されることを効果的に防ぐことができるからである。
In the pedestal forming step, the etchant used for etching the workpiece may be any etchant that can etch the workpiece with a desired accuracy, and may be a wet etchant or a dry etchant. In the case where the workpiece is made of quartz, hydrofluoric acid can be preferably used.
This is because by using hydrofluoric acid, quartz that can be easily finely processed can be processed with high accuracy.
In addition, as described above, since the protective layer contains chromium nitride and has less peeling, pinholes, etc., even when a highly corrosive etchant such as hydrofluoric acid is used, the concavo-convex pattern This is because the portion can be effectively prevented from being corroded.

上記台座形成工程において、凸形状(メサ構造)に形成された上記凹凸パターン部の高さ、すなわち、凹形状にエッチングされた底面から垂直方向に、上記凹凸パターン部の上面までの距離としては、用途等に応じて適宜設定されるものであり、一般的なナノインプリント用モールドと同様とすることができる。   In the pedestal formation step, the height of the concavo-convex pattern portion formed in a convex shape (mesa structure), that is, the distance from the bottom surface etched into a concave shape to the top surface of the concavo-convex pattern portion, It is appropriately set according to the use and the like, and can be the same as that of a general nanoimprint mold.

3.ナノインプリント用モールドの製造方法
本発明のナノインプリント用モールドの製造方法は、上記保護層形成工程および加工工程を少なくとも有するものであるが、通常、保護層を除去する除去工程を有するものである。
このような除去工程については、上記「A.パターン形成体の製造方法」の項に記載した内容と同様とすることができる。
3. Method for Producing Nanoimprint Mold The method for producing a nanoimprint mold of the present invention includes at least the protective layer forming step and the processing step, and usually includes a removing step for removing the protective layer.
About such a removal process, it can be made to be the same as that of the content described in the term of the above-mentioned "A. manufacturing method of a pattern formation body."

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。   The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the technical idea described in the claims of the present invention has substantially the same configuration and exhibits the same function and effect regardless of the case. It is included in the technical scope of the invention.

以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples.

[参考例1〜5]
1.保護膜の形成
反応ガスとしてアルゴンガス、酸素ガス、窒素ガス、混合ガス(アルゴンガス:窒素ガス=1:1)、および炭酸ガスを用いて、クロムをスパッタリング法によりケイ素基板(Si基板)上に成膜した。このようにして得られた膜厚100nmの保護膜について元素分析を行った。
その結果、上述した反応ガスを用いてクロムをスパッタリングすることにより、それぞれ、クロム膜(Cr)、酸化クロム膜(Cr)、窒化クロム(CrN)、クロムと窒化クロム膜(Cr:CrN≒1:1)、および酸化クロム+炭化クロム膜(Cr:Cr≒4:3)が得られることを確認した。
上述の確認試験を基にして、反応ガスとしてアルゴンガス、酸素ガス、窒素ガス、混合ガス(アルゴンガス:窒素ガス=1:1)、および炭酸ガスを用いて、クロムをスパッタリング法により合成石英基板上に成膜した。このようにして、合成石英基板上に膜厚100nmの保護膜を形成した。
[Reference Examples 1-5]
1. Formation of protective film Using reactive gases such as argon gas, oxygen gas, nitrogen gas, mixed gas (argon gas: nitrogen gas = 1: 1), and carbon dioxide gas, chromium is deposited on a silicon substrate (Si substrate) by sputtering. A film was formed. Elemental analysis was performed on the protective film having a thickness of 100 nm thus obtained.
As a result, by sputtering chromium using the above-described reaction gas, a chromium film (Cr), a chromium oxide film (Cr 2 O 3 ), chromium nitride (CrN), chromium and a chromium nitride film (Cr: CrN), respectively. It was confirmed that a chromium oxide + chromium carbide film (Cr 2 O 3 : Cr 3 C 2 ≈4: 3) was obtained.
Based on the above confirmation test, chromium is synthesized by sputtering using argon gas, oxygen gas, nitrogen gas, mixed gas (argon gas: nitrogen gas = 1: 1), and carbon dioxide as the reaction gas. A film was formed on top. In this way, a protective film having a thickness of 100 nm was formed on the synthetic quartz substrate.

2.保護膜の評価
得られた保護膜について、(1)剥離性、(2)ピンホール数(緻密性)、(3)密着性について評価を行った。
2. Evaluation of protective film About the obtained protective film, (1) peelability, (2) pinhole number (denseness), and (3) adhesiveness were evaluated.

(1)剥離性
剥離液(インクテック製、MRE−2000(主成分:硝酸第二セリウムアンモニウム)によりエッチングした際のエッチング時間(膜が消失するのに要する時間)を測定した。結果を、下記表1に示す。
また、エッチング時間について、下記の判断基準で評価した評価結果を、下記表1に示す。
○:150秒未満
△:150秒〜1000秒
×:1000秒超
(1) Peelability The etching time (time required for the film to disappear) when etched with a stripping solution (manufactured by Inktec, MRE-2000 (main component: ceric ammonium nitrate)) was measured. Table 1 shows.
Further, the evaluation results of the etching time evaluated according to the following criteria are shown in Table 1 below.
○: Less than 150 seconds Δ: 150 seconds to 1000 seconds ×: more than 1000 seconds

(2)ピンホール数(緻密性)
保護膜の表面を、レーザーテック社製欠陥検査装置Magicsを用いて測定した。得られた微細ピンホールの数を下記表1に示す。なお、測定としては、50mm角の範囲内に存在する1μm以上の孔をピンホール数として測定した。
また、ピンホール数について、下記の判断基準で評価した評価結果を、下記表1に示す。
○:ピンホール数が0〜1
△:ピンホール数が2〜10
×:ピンホール数が11以上
(2) Number of pinholes (denseness)
The surface of the protective film was measured using a defect inspection apparatus Magics manufactured by Lasertec. The number of fine pinholes obtained is shown in Table 1 below. In addition, as a measurement, the hole of 1 micrometer or more which exists in the range of 50 mm square was measured as the number of pinholes.
Table 1 below shows the evaluation results of the number of pinholes evaluated according to the following criteria.
○: Number of pinholes is 0-1
Δ: 2 to 10 pinholes
X: 11 or more pinholes

(3)密着性
寒熱繰り返し試験(JAS寒熱B試験(80℃、−20℃の雰囲気下でそれぞれ2時間静置))を10サイクル繰り返した後、上記保護膜を、以下の判断基準で評価した。
○:剥離なし
△:一部剥離
×:完全に剥離
(3) Adhesiveness After repeating the cold heat test (JAS cold heat B test (left at 80 ° C. and −20 ° C. for 2 hours)) for 10 cycles, the protective film was evaluated according to the following criteria. .
○: No peeling △: Partial peeling ×: Completely peeling

Figure 2010094845
Figure 2010094845

(4)まとめ
表1に示すように、窒化クロムからなる保護膜が(1)剥離性、(2)ピンホール数(緻密性)、(3)密着性に優れていることが確認できた。
(4) Summary As shown in Table 1, it was confirmed that the protective film made of chromium nitride was excellent in (1) peelability, (2) number of pinholes (denseness), and (3) adhesion.

[実施例1〜25および比較例1〜2]
6インチ角、厚さ6.35mm石英基板に微細加工を行い、石英基板の表面に凹凸パターン部を形成した。次に、上記凹凸パターン部の表面を覆うように下記表2に示す組成比の保護層を膜厚100nmとなるようにスパッタ法により作製した後、上記凹凸パターン部の周囲に開口を有するレジストを形成した。次いで、エッチング液(インクテック製、MRE−2000(主成分:硝酸第二セリウムアンモニウム)により露出した保護層をエッチングした後、フッ酸にて石英基板のエッチングを行った。これにより、上記凹凸パターン部を含む領域が周囲よりも約20μm高い凸形状となった。次いで、レジストを剥離して洗浄した。
その後、ダイヤモンドカッターにて60mm×60mmの大きさに切断加工を行った。その後、切断面に対して、バフ研磨により研磨加工を行った。次に、剥離液(インクテック製、MRE−2000(主成分:硝酸第二セリウムアンモニウム)により保護層を除去して、さらに硫酸洗浄を行うことでパターン形成体を作製した。
なお、形成された保護層の組成比をXPSにより元素分析した。その結果を、下記表2に示す。
[Examples 1 to 25 and Comparative Examples 1 and 2]
Fine processing was performed on a 6-inch square, 6.35 mm thick quartz substrate, and an uneven pattern portion was formed on the surface of the quartz substrate. Next, a protective layer having a composition ratio shown in Table 2 below is formed by a sputtering method so as to cover the surface of the concavo-convex pattern portion so as to have a film thickness of 100 nm, and then a resist having openings around the concavo-convex pattern portion is formed. Formed. Next, after etching the protective layer exposed with an etching solution (Mek-2000, manufactured by Inktec, main component: ceric ammonium nitrate), the quartz substrate was etched with hydrofluoric acid. The region including the portion became a convex shape that was approximately 20 μm higher than the surrounding area, and then the resist was removed and washed.
Then, it cut | disconnected in the magnitude | size of 60 mm x 60 mm with the diamond cutter. Thereafter, the cut surface was polished by buffing. Next, the protective layer was removed with a stripping solution (manufactured by Inktec, MRE-2000 (main component: ceric ammonium nitrate), and further washed with sulfuric acid to prepare a pattern forming body.
The composition ratio of the formed protective layer was elementally analyzed by XPS. The results are shown in Table 2 below.

[評価]
実施例および比較例で得られたパターン形成体の凸形状(メサ構造)の凹凸パターン部表面を、レーザーテック社製欠陥検査装置Magicsを用いて検査し、異物および欠陥(ピンホール、傷)の測定を行った。結果を、下記表2に示す。
なお、異物および欠陥については、70nm以上のサイズのものについて測定した。また、測定エリアとして、上記凹凸パターン部表面の25mm角エリアを計測した結果を示す。
[Evaluation]
The convex / concave pattern surface of the pattern formed body obtained in the examples and comparative examples is inspected using a defect inspection apparatus Magics manufactured by Lasertec Co., Ltd., and measurement of foreign matters and defects (pinholes, scratches). Went. The results are shown in Table 2 below.
In addition, about the foreign material and the defect, the thing of the size of 70 nm or more was measured. Moreover, the result of having measured the 25 mm square area of the said uneven | corrugated pattern part surface as a measurement area is shown.

Figure 2010094845
Figure 2010094845

表2より、保護層における窒素原子NとCr原子との比率(窒素原子数/クロム原子数)を0.2以上とすることにより、異物・欠陥をより少ないものとすることができることが確認できた。
また、比較例に示すように、窒素原子を含まない保護層、すなわち、窒化クロムを含まない保護層を用いてパターン形成体を形成した場合には、異物・欠陥が多いものとなることが確認できた。
From Table 2, it can be confirmed that the foreign matter / defects can be reduced by setting the ratio of nitrogen atom N and Cr atom (number of nitrogen atoms / number of chromium atoms) to 0.2 or more in the protective layer. It was.
In addition, as shown in the comparative example, it is confirmed that when a pattern forming body is formed using a protective layer that does not contain nitrogen atoms, that is, a protective layer that does not contain chromium nitride, there are many foreign matters / defects. did it.

本発明のパターン形成体の製造方法の一例を示す概略工程図である。It is a schematic process drawing which shows an example of the manufacturing method of the pattern formation body of this invention. 本発明のナノインプリント用モールドの製造方法の一例を示す概略工程図である。It is a schematic process drawing which shows an example of the manufacturing method of the mold for nanoimprint of this invention. 本発明のナノインプリント用モールドの製造方法の一例を示す概略工程図である。It is a schematic process drawing which shows an example of the manufacturing method of the mold for nanoimprint of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 … 被加工体
2 … 保護層
3 … ダイヤモンドカッター
10 … パターン形成体
20 … ナノインプリント用モールド
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Workpiece 2 ... Protective layer 3 ... Diamond cutter 10 ... Pattern formation body 20 ... Nanoimprint mold

Claims (5)

表面に凹凸パターン部を有する被加工体を用意し、少なくとも前記凹凸パターン部上に、窒化クロムを含むクロム系材料を主成分とする保護層を形成する保護層形成工程と、
前記保護層により保護された凹凸パターン部以外の、前記被加工体の部分を加工する加工工程と、
を有することを特徴とするパターン形成体の製造方法。
A protective layer forming step of preparing a workpiece having a concavo-convex pattern portion on a surface and forming a protective layer mainly composed of a chromium-based material containing chromium nitride on at least the concavo-convex pattern portion;
A processing step for processing a portion of the workpiece other than the uneven pattern portion protected by the protective layer;
A method for producing a pattern-formed body, comprising:
前記加工工程が、前記被加工体を切断する切断工程、前記被加工体を研磨する研磨工程、前記被加工体の角部を面取りする面取り工程、および前記被加工体をエッチングにより加工するエッチング工程の少なくとも一つの工程を含むものであることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成体の製造方法。   The processing step includes a cutting step for cutting the workpiece, a polishing step for polishing the workpiece, a chamfering step for chamfering corners of the workpiece, and an etching step for processing the workpiece by etching. The method for producing a pattern forming body according to claim 1, comprising at least one of the following steps. 前記クロム系材料に含まれるクロム原子と窒素原子との比率(窒素原子数/クロム原子数)が0.2以上であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のパターン形成体の製造方法。   The ratio of the chromium atom and the nitrogen atom (the number of nitrogen atoms / the number of chromium atoms) contained in the chromium-based material is 0.2 or more. Production method. 請求項1から請求項3までのいずれかの請求項に記載のパターン形成体の製造方法を用いることを特徴とするナノインプリント用モールドの製造方法。   The manufacturing method of the mold for nanoimprints using the manufacturing method of the pattern formation body in any one of Claim 1- Claim 3. 前記加工工程が、前記保護層により保護された凹凸パターン部の周囲をエッチングにより凹状とし、前記凹凸パターン部を含む領域を凸形状とする台座形成工程を含むことを特徴とする請求項4に記載のナノインプリント用モールドの製造方法。   5. The pedestal forming step, wherein the processing step includes a pedestal forming step in which a periphery of the concavo-convex pattern portion protected by the protective layer is made concave by etching, and a region including the concavo-convex pattern portion is made convex. Manufacturing method of nanoimprint mold.
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