JP2010075025A - Motor-driving circuit and inspection method thereof - Google Patents

Motor-driving circuit and inspection method thereof Download PDF

Info

Publication number
JP2010075025A
JP2010075025A JP2008243177A JP2008243177A JP2010075025A JP 2010075025 A JP2010075025 A JP 2010075025A JP 2008243177 A JP2008243177 A JP 2008243177A JP 2008243177 A JP2008243177 A JP 2008243177A JP 2010075025 A JP2010075025 A JP 2010075025A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
field effect
gate
effect transistor
pair
drive circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Abandoned
Application number
JP2008243177A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Sen Yamabe
選 山部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asmo Co Ltd
Original Assignee
Asmo Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asmo Co Ltd filed Critical Asmo Co Ltd
Priority to JP2008243177A priority Critical patent/JP2010075025A/en
Publication of JP2010075025A publication Critical patent/JP2010075025A/en
Abandoned legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To make it possible to measure a gate leak current in a plurality of FETs at a time. <P>SOLUTION: Voltages are applied to the gate terminals of P-MOSFETs 24A, 24B and N-MOSFETs 26A, 26B through an inspection pad 42, when another terminal of the inspection probe 40 is connected to the inspection pad 42 with another terminal of the ammeter 38 connected to terminals 28, 30 in a motor-driving circuit 10. When the voltage is applied to the gate terminals of the P-MOSFETs 24A, 24B and the N-MOSFETs 26A, 26B, the gate leak current flows between a gate and a source in each of the P-MOSFETs 24A, 24B and the N-MOSFETs 26A, 26B, and flows to the ammeter 38 through the terminals 28, 30. The gate leak current is detected by the ammeter. The motor-driving circuit can be inspected by determining whether or not the gate leak current is larger than its normal value. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、モータ駆動回路及びモータ駆動回路の検査方法に関する。   The present invention relates to a motor drive circuit and a method for inspecting a motor drive circuit.

従来のスイッチ回路装置では、ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）のゲート端子とソース端子との間に測定器を接続し、ゲート・ソース間に電圧を印加することで、ゲートリーク電流を測定することが行われている（特許文献１）。
特開２００４−２５４０８６ In a conventional switch circuit device, a gate leakage current is measured by connecting a measuring device between a gate terminal and a source terminal of an FET (field effect transistor) and applying a voltage between the gate and the source. (Patent Document 1).
JP 2004-254086 A

しかしながら、特許文献１に記載のスイッチ回路装置では、各ＦＥＴのゲートリーク電流を個別に測定しているため、検査用パッド又は検査用端子の数が増加すると共に検査工数が増加して時間がかかる、という問題がある。   However, in the switch circuit device described in Patent Document 1, since the gate leakage current of each FET is individually measured, the number of inspection pads or inspection terminals increases and the inspection man-hours increase, which takes time. There is a problem.

本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、複数のＦＥＴのゲートリーク電流をまとめて測定することができるモータ駆動回路及びモータ駆動回路の検査方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a motor drive circuit and a test method for the motor drive circuit that can measure gate leakage currents of a plurality of FETs collectively. To do.

上記目的を達成するために請求項１記載の発明に係るモータ駆動回路は、モータの一方の電極に接続される一対の第１の電界効果トランジスタ、及び該モータの他方の電極に接続される一対の第２の電界効果トランジスタを備えるインバータ回路と、前記一対の第１の電界効果トランジスタ及び前記一対の第２の電界効果トランジスタのゲートの各々に、前記第１の電界効果トランジスタ及び前記第２の電界効果トランジスタの各々をオンオフさせるための制御信号を入力するように接続された制御回路と、各々一端が前記第１の電界効果トランジスタのゲートに接続されると共に、他端が共通に接続され、前記ゲートに流入する方向に流れる電流を通過させ、前記ゲートから流出する方向に流れる電流の通過を阻止する一対の第１の素子と、各々一端が前記第２の電界効果トランジスタのゲートに接続されると共に、他端が共通に接続され、前記ゲートに流入する方向に流れる電流を通過させ、前記ゲートから流出する方向に流れる電流の通過を阻止する一対の第２の素子と、を含んで構成されている。   In order to achieve the above object, a motor drive circuit according to a first aspect of the present invention includes a pair of first field effect transistors connected to one electrode of the motor and a pair connected to the other electrode of the motor. An inverter circuit including the second field effect transistor, and a gate of each of the pair of first field effect transistors and the pair of second field effect transistors, the first field effect transistor and the second field effect transistor. A control circuit connected to input a control signal for turning on / off each of the field effect transistors, and one end of which is connected to the gate of the first field effect transistor and the other end is connected in common; A pair of first elements that allow a current flowing in a direction to flow into the gate to pass and prevent a current flowing in a direction to flow out of the gate; Each one end is connected to the gate of the second field effect transistor, and the other end is connected in common to pass a current flowing in the direction flowing into the gate, and a current flowing in the direction flowing out from the gate And a pair of second elements for preventing the above.

また、請求項２記載の発明に係るモータ駆動回路は、前記第１の素子及び前記第２の素子の各々を、カソードが前記ゲートに接続されたダイオード、または、コレクタとベースとが短絡するようにダイオード接続され、かつエミッタが前記ゲートに接続されると共にコレクタが共通に接続されたトランジスタで構成されている。   According to a second aspect of the present invention, in the motor drive circuit according to the first aspect, each of the first element and the second element is configured such that a diode whose cathode is connected to the gate or a collector and a base are short-circuited. And a transistor having an emitter connected to the gate and a collector connected in common.

また、請求項３記載の発明に係るモータ駆動回路は、前記第１の素子及び前記第２の素子の各々を、カソードが前記ゲートに接続されたダイオード、または、エミッタとベースとが短絡するようにダイオード接続され、かつコレクタが前記ゲートに接続されると共にエミッタが共通に接続されたトランジスタで構成されている。   According to a third aspect of the present invention, in the motor drive circuit according to the third aspect, each of the first element and the second element is short-circuited between a diode having a cathode connected to the gate or an emitter and a base. And a transistor having a collector connected to the gate and an emitter connected in common.

また、請求項４記載の発明に係るモータ駆動回路は、前記第１の素子及び前記第２の素子の共通接続された側をパッドまたは端子に接続している。   In a motor drive circuit according to a fourth aspect of the present invention, the commonly connected side of the first element and the second element is connected to a pad or a terminal.

また、請求項５記載の発明に係るモータ駆動回路の検査方法は、請求項１〜請求項４のいずれか１項記載のモータ駆動回路の前記第１の素子及び前記第２の素子の共通接続された側の少なくとも１つと前記第１の電界効果トランジスタ及び前記第２の電界効果トランジスタの少なくとも１つのソースとの間に電圧を印加し、前記第１の素子及び前記第２の素子の共通接続された側の少なくとも１つから前記第１の素子及び前記第２の素子の少なくとも１つを介して、前記第１の電界効果トランジスタ及び前記第２の電界効果トランジスタの少なくとも１つのゲートからソース方向に電流を流すことにより、前記第１の電界効果トランジスタ及び前記第２の電界効果トランジスタを検査する。   According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method for inspecting a motor drive circuit according to any one of the first to fourth aspects, wherein the first element and the second element are connected together. A voltage is applied between at least one of the first side and the source of at least one of the first field effect transistor and the second field effect transistor, and the common connection of the first element and the second element From at least one of the first field effect transistor and the second field effect transistor through at least one of the first element and the second element from at least one of the second side to the source direction The first field effect transistor and the second field effect transistor are inspected by passing a current through them.

また、請求項６記載の発明に係るモータ駆動回路は、モータの第１の電機子巻線に接続される一対の第１の電界効果トランジスタ、モータの第２の電機子巻線に接続される一対の第２の電界効果トランジスタ、及びモータの第３の電機子巻線に接続される一対の第３の電界効果トランジスタを備えるインバータ回路と、前記一対の第１の電界効果トランジスタ、前記一対の第２の電界効果トランジスタ、及び前記一対の第３の電界効果トランジスタのゲートの各々に、前記第１の電界効果トランジスタ、前記第２の電界効果トランジスタ、及び前記第３の電界効果トランジスタの各々をオンオフさせるための制御信号を入力するように接続された制御回路と、各々一端が前記第１の電界効果トランジスタのゲートに接続されると共に、他端が共通に接続され、前記ゲートに流入する方向に流れる電流を通過させ、前記ゲートから流出する方向に流れる電流の通過を阻止する一対の第１の素子と、各々一端が前記第２の電界効果トランジスタのゲートに接続されると共に、他端が共通に接続され、前記ゲートに流入する方向に流れる電流を通過させ、前記ゲートから流出する方向に流れる電流の通過を阻止する一対の第２の素子と、各々一端が前記第３の電界効果トランジスタのゲートに接続されると共に、他端が共通に接続され、前記ゲートに流入する方向に流れる電流を通過させ、前記ゲートから流出する方向に流れる電流の通過を阻止する一対の第３の素子と、を含んで構成されている。   According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a motor drive circuit including a pair of first field effect transistors connected to the first armature winding of the motor and a second armature winding of the motor. An inverter circuit comprising a pair of second field effect transistors and a pair of third field effect transistors connected to a third armature winding of the motor; the pair of first field effect transistors; The first field effect transistor, the second field effect transistor, and the third field effect transistor are respectively connected to gates of the second field effect transistor and the pair of third field effect transistors. A control circuit connected to input a control signal for turning on and off, one end of each being connected to the gate of the first field effect transistor, and the other end A pair of first elements that are connected to each other, pass a current flowing in a direction flowing into the gate, and prevent a current flowing in a direction flowing out from the gate, and one end of each of the first field-effect transistors has one end A pair of second elements that are connected to the gates of the first and second ends and are connected in common to pass a current flowing in the direction of flowing into the gate and to block a current flowing in the direction of flowing out of the gate. , Each having one end connected to the gate of the third field effect transistor and the other end connected in common to pass a current flowing in the direction flowing into the gate, and flowing a current flowing in the direction flowing out from the gate. And a pair of third elements that prevent passage.

また、請求項７記載の発明に係るモータ駆動回路は、前記第１の素子、前記第２の素子、及び前記第３の素子の各々を、カソードが前記ゲートに接続されたダイオード、または、コレクタとベースとが短絡するようにダイオード接続され、かつエミッタが前記ゲートに接続されると共にコレクタが共通に接続されたトランジスタで構成されている。   According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a motor drive circuit comprising: a diode having a cathode connected to the gate; or a collector, the first element, the second element, and the third element. And a base are short-circuited in a diode, and an emitter is connected to the gate and a collector is commonly connected.

また、請求項８記載の発明に係るモータ駆動回路は、前記第１の素子、前記第２の素子、及び前記第３の素子の各々を、カソードが前記ゲートに接続されたダイオード、または、エミッタとベースとが短絡するようにダイオード接続され、かつコレクタが前記ゲートに接続されると共にエミッタが共通に接続されたトランジスタで構成されている。   The motor drive circuit according to the invention described in claim 8 is characterized in that each of the first element, the second element, and the third element includes a diode having a cathode connected to the gate, or an emitter. And a base are short-circuited by a diode, a collector is connected to the gate, and an emitter is commonly connected.

また、請求項９記載の発明に係るモータ駆動回路は、前記第１の素子、前記第２の素子、及び前記第３の素子の共通接続された側をパッドまたは端子に接続している。   In the motor drive circuit according to the ninth aspect of the invention, the commonly connected side of the first element, the second element, and the third element is connected to a pad or a terminal.

また、請求項１０記載の発明に係るモータ駆動回路の検査方法は、請求項６〜請求項９のいずれか１項記載のモータ駆動回路の前記第１の素子、前記第２の素子、及び前記第３の素子の共通接続された側の少なくとも１つと前記第１の電界効果トランジスタ、前記第２の電界効果トランジスタ、及び前記第３の電界効果トランジスタの少なくとも１つのソースとの間に電圧を印加し、前記第１の素子、前記第２の素子、及び前記第３の素子の共通接続された側の少なくとも１つから前記第１の素子、前記第２の素子、及び前記第３の素子の少なくとも１つを介して、前記第１の電界効果トランジスタ、前記第２の電界効果トランジスタ、及び前記第３の電界効果トランジスタの少なくとも１つのゲートからソース方向に電流を流すことにより、前記第１の電界効果トランジスタ、前記第２の電界効果トランジスタ、及び前記第３の電界効果トランジスタを検査する。   An inspection method for a motor drive circuit according to a tenth aspect of the present invention is the motor drive circuit according to any one of the sixth to ninth aspects, wherein the first element, the second element, and the A voltage is applied between at least one of the commonly connected sides of the third element and at least one source of the first field effect transistor, the second field effect transistor, and the third field effect transistor. The first element, the second element, and the third element from at least one of the commonly connected sides of the first element, the second element, and the third element. By passing a current from at least one gate of the first field effect transistor, the second field effect transistor, and the third field effect transistor in a source direction via at least one It said first field effect transistor, said second field effect transistor, and inspecting said third field-effect transistor.

請求項１〜請求項５の発明によれば、一対の第１の素子及び一対の第２の素子の共通接続された側の少なくとも１つと一対の第１の電界効果トランジスタ及び一対の第２の電界効果トランジスタの少なくとも１つのソースとの間に電圧を印加することで、一対の第１の電界効果トランジスタ及び一対の第２の電界効果トランジスタの少なくとも１つのゲート・ソース間を流れるゲートリーク電流をまとめて測定することができる。   According to the first to fifth aspects of the present invention, at least one of the pair of first elements and the pair of second elements that are commonly connected, the pair of first field effect transistors, and the pair of second elements. By applying a voltage between at least one source of the field effect transistor, a gate leakage current flowing between at least one gate and source of the pair of first field effect transistors and the pair of second field effect transistors is reduced. It can be measured collectively.

請求項１〜請求項５の発明では、一対の第１の素子及び一対の第２の素子の共通接続された側と一対の第１の電界効果トランジスタ及び一対の第２の電界効果トランジスタのソースとの間に電圧を印加することで、一対の第１の電界効果トランジスタ及び一対の第２の電界効果トランジスタの両方を同時に測定することが好ましい。   According to the first to fifth aspects of the present invention, the commonly connected sides of the pair of first elements and the pair of second elements, the source of the pair of first field effect transistors, and the pair of second field effect transistors. It is preferable to simultaneously measure both the pair of first field effect transistors and the pair of second field effect transistors by applying a voltage between the first field effect transistor and the second field effect transistor.

請求項６〜請求項１０の発明によれば、一対の第１の素子、一対の第２の素子、及び一対の第３の素子の共通接続された側の少なくとも１つと一対の第１の電界効果トランジスタ、一対の第２の電界効果トランジスタ、及び一対の第３の電界効果トランジスタの少なくとも１つのソースとの間に電圧を印加することで、一対の第１の電界効果トランジスタ、一対の第２の電界効果トランジスタ、及び一対の第３の電界効果トランジスタの少なくとも１つのゲート・ソース間を流れるゲートリーク電流をまとめて測定することができる。   According to the sixth to tenth aspects of the present invention, at least one of the pair of first elements, the pair of second elements, and the pair of third elements that are commonly connected to each other and the pair of first electric fields. By applying a voltage between at least one source of the effect transistor, the pair of second field effect transistors, and the pair of third field effect transistors, the pair of first field effect transistors and the pair of second field effect transistors And the gate leakage current flowing between at least one gate and source of the pair of third field effect transistors can be measured collectively.

請求項６〜請求項１０の発明では、一対の第１の素子、一対の第２の素子、及び一対の第３の素子の共通接続された側と一対の第１の電界効果トランジスタ、一対の第２の電界効果トランジスタ、及び一対の第３の電界効果トランジスタのソースとの間に電圧を印加することで、一対の第１の電界効果トランジスタ、一対の第２の電界効果トランジスタ、及び一対の第３の電界効果トランジスタをまとめて測定することが好ましい。   In the inventions according to claims 6 to 10, the pair of first elements, the pair of second elements, and the pair of third elements commonly connected to the pair of first field effect transistors, By applying a voltage between the source of the second field effect transistor and the pair of third field effect transistors, the pair of first field effect transistors, the pair of second field effect transistors, and the pair of pairs The third field effect transistors are preferably measured together.

以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図１及び図２に示すように、第１の実施の形態に係るモータ駆動回路１０は、モータ制御部１２と駆動回路１４とインバータ回路１６とで構成されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the motor drive circuit 10 according to the first embodiment includes a motor control unit 12, a drive circuit 14, and an inverter circuit 16.

モータ制御部１２は、図示しない演算装置であるＣＰＵや記憶装置であるＲＡＭ，ＲＯＭ等を含んだマイクロコンピュータ等で構成されている。   The motor control unit 12 is composed of a CPU, which is an arithmetic unit (not shown), a microcomputer including a RAM, ROM, etc., which are storage devices.

モータ制御部１２の出力端は、駆動回路１４の入力端と接続され、モータ制御部１２の入力端は、ボンディングパッド１８を介してリードフレーム２０と接続されている。   The output end of the motor control unit 12 is connected to the input end of the drive circuit 14, and the input end of the motor control unit 12 is connected to the lead frame 20 via the bonding pad 18.

リードフレーム２０は、例えば図示しない操作スイッチや各種センサと接続されている。   The lead frame 20 is connected to, for example, an operation switch and various sensors (not shown).

駆動回路１４の出力端は、インバータ回路１６と４個のダイオード２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、及び２２Ｄと接続されている。   The output terminal of the drive circuit 14 is connected to the inverter circuit 16 and the four diodes 22A, 22B, 22C, and 22D.

インバータ回路１６は、電力変換素子として、２つのＰチャンネル型のＭＯＳＦＥＴ（以下、Ｐ−ＭＯＳＦＥＴという。）２４Ａ及び２４Ｂと、２つのＮチャンネル型のＭＯＳＦＥＴ（以下、Ｎ−ＭＯＳＦＥＴという。）２６Ａ及び２６Ｂとを備えており、Ｐ−ＭＯＳＦＥＴ２４Ａ及び２４Ｂ、並びにＮ−ＭＯＳＦＥＴ２６Ａ及び２６Ｂのゲート端子の各々は、駆動回路１４の出力端と接続されている。   The inverter circuit 16 has two P-channel type MOSFETs (hereinafter referred to as P-MOSFETs) 24A and 24B and two N-channel type MOSFETs (hereinafter referred to as N-MOSFETs) 26A and 26B as power conversion elements. The gate terminals of the P-MOSFETs 24A and 24B and the N-MOSFETs 26A and 26B are connected to the output terminal of the drive circuit 14.

Ｐ−ＭＯＳＦＥＴ２４Ａ及び２４Ｂのソース端子は、端子２８と接続され、Ｎ−ＭＯＳＦＥＴ２６Ａ及び２６Ｂのソース端子は、端子３０と接続されている。   The source terminals of the P-MOSFETs 24A and 24B are connected to the terminal 28, and the source terminals of the N-MOSFETs 26A and 26B are connected to the terminal 30.

Ｐ−ＭＯＳＦＥＴ２４Ａ及びＮ−ＭＯＳＦＥＴ２６Ａのドレイン端子は、ＤＣモータ４６のプラス端子４８Ａに接続された端子３２Ａに接続され、Ｐ−ＭＯＳＦＥＴ２４Ｂ及びＮ−ＭＯＳＦＥＴ２６Ｂのドレイン端子は、ＤＣモータ４６のマイナス端子４８Ｂに接続された端子３２Ｂに接続されている。   The drain terminals of the P-MOSFET 24A and the N-MOSFET 26A are connected to the terminal 32A connected to the plus terminal 48A of the DC motor 46, and the drain terminals of the P-MOSFET 24B and the N-MOSFET 26B are connected to the minus terminal 48B of the DC motor 46. Connected to the terminal 32B.

ダイオード２２Ａ及び２２Ｃのカソードの各々は、Ｐ−ＭＯＳＦＥＴ２４Ａ及び２４Ｂのゲート端子に接続され、ダイオード２２Ｂ及び２２Ｄのカソードの各々は、Ｎ−ＭＯＳＦＥＴ２６Ａ及び２６Ｂのゲート端子に接続されている。   Each of the cathodes of diodes 22A and 22C is connected to the gate terminals of P-MOSFETs 24A and 24B, and each of the cathodes of diodes 22B and 22D is connected to the gate terminals of N-MOSFETs 26A and 26B.

また、ダイオード２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、及び２２Ｄの各々のアノードは、検査用パッド４２に共通に接続されている。   The anodes of the diodes 22A, 22B, 22C, and 22D are commonly connected to the inspection pad 42.

次に、本実施の形態のモータ駆動回路１０のゲートリーク電流の検査方法について説明する。   Next, a method for inspecting the gate leakage current of the motor drive circuit 10 of the present embodiment will be described.

ゲートリーク電流検査時は、ゲートリーク電流検査装置３４を使用する。   At the time of the gate leakage current inspection, the gate leakage current inspection device 34 is used.

ゲートリーク電流検査装置３４は、直流を出力する検査用電源３６と電流計３８と検査用探針４０とで構成されている。   The gate leakage current inspection device 34 includes an inspection power source 36 that outputs a direct current, an ammeter 38, and an inspection probe 40.

検査用電源３６のマイナス端子は、電流計３８の一端と接続され、プラス端子は、検査用探針４０の一端と接続される。   The minus terminal of the inspection power source 36 is connected to one end of the ammeter 38, and the plus terminal is connected to one end of the inspection probe 40.

電流計３８の他端を、モータ駆動回路１０の端子２８及び３０と接続した状態で、検査用探針４０の他端を検査用パッド４２に接触させると、検査用パッド４２を介して、ダイオード２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、及び２２Ｄを介して、Ｐ−ＭＯＳＦＥＴ２４Ａ及び２４Ｂ、並びにＮ−ＭＯＳＦＥＴ２６Ａ及び２６Ｂのゲート端子に電圧が印加される。   When the other end of the inspection probe 40 is brought into contact with the inspection pad 42 while the other end of the ammeter 38 is connected to the terminals 28 and 30 of the motor drive circuit 10, a diode is connected via the inspection pad 42. A voltage is applied to the gate terminals of the P-MOSFETs 24A and 24B and the N-MOSFETs 26A and 26B via 22A, 22B, 22C, and 22D.

Ｐ−ＭＯＳＦＥＴ２４Ａ及び２４Ｂのゲート端子に電圧が印加されると、ゲートリーク電流が、Ｐ−ＭＯＳＦＥＴ２４Ａ及び２４Ｂの各々のゲート・ソース間を流れ、端子２８を介して電流計へ流れる。   When a voltage is applied to the gate terminals of the P-MOSFETs 24A and 24B, a gate leakage current flows between the gate and the source of each of the P-MOSFETs 24A and 24B, and then flows through the terminal 28 to the ammeter.

また、Ｎ−ＭＯＳＦＥＴ２６Ａ及び２６Ｂのゲート端子に電圧が印加されると、ゲートリーク電流が、Ｎ−ＭＯＳＦＥＴ２６Ａ及び２６Ｂの各々のゲート・ソース間を流れ、端子３０を介して電流計へ流れ、電流計によってゲートリーク電流が検出され、ゲートリーク電流の大きさが正常時のゲートリーク電流値より大きいか否かを判断することにより、モータ駆動回路を検査することができる。   Further, when a voltage is applied to the gate terminals of the N-MOSFETs 26A and 26B, a gate leakage current flows between the gates and sources of the N-MOSFETs 26A and 26B, and flows to the ammeter via the terminal 30. Thus, the gate leakage current is detected, and the motor drive circuit can be inspected by determining whether or not the magnitude of the gate leakage current is larger than the normal gate leakage current value.

次に、本実施の形態の検査終了後のモータ駆動回路１０を用いてモータ駆動するときの動作について説明する。   Next, the operation when the motor is driven using the motor drive circuit 10 after completion of the inspection of the present embodiment will be described.

モータ駆動時は、モータ駆動回路１０の端子３２Ａ及び３２Ｂ間にＤＣモータ４６のプラス端子４８Ａ及びマイナス端子４８Ｂを接続し、端子２８に図示しない直流電源（例えば、車載用バッテリー）のプラス端子を接続し、端子３０に直流電源のマイナス端子を接続する。   When the motor is driven, the plus terminal 48A and minus terminal 48B of the DC motor 46 are connected between the terminals 32A and 32B of the motor drive circuit 10, and the plus terminal of a DC power source (for example, a vehicle battery) (not shown) is connected to the terminal 28. Then, the negative terminal of the DC power supply is connected to the terminal 30.

駆動回路１４は、モータ制御部１２から出力された制御信号が入力されると、制御信号に基いてスイッチング信号を生成し、生成したスイッチング信号をインバータ回路１６のＰ−ＭＯＳＦＥＴ２４Ａ及び２４Ｂ、並びにＮ−ＭＯＳＦＥＴ２６Ａ及び２６Ｂのゲート端子に入力する。   When the control signal output from the motor control unit 12 is input, the drive circuit 14 generates a switching signal based on the control signal, and the generated switching signal is used as the P-MOSFETs 24A and 24B of the inverter circuit 16 and the N- Input to the gate terminals of the MOSFETs 26A and 26B.

ＤＣモータ４６を正転させるときは、Ｐ−ＭＯＳＦＥＴ２４Ａ及びＮ−ＭＯＳＦＥＴ２６Ｂをオン状態にし、Ｐ−ＭＯＳＦＥＴ２４Ｂ及びＮ−ＭＯＳＦＥＴ２６Ａをオフ状態とするスイッチング信号を入力する。   When the DC motor 46 is rotated forward, a switching signal for turning on the P-MOSFET 24A and the N-MOSFET 26B and turning off the P-MOSFET 24B and the N-MOSFET 26A is input.

また、逆転させるときは、Ｐ−ＭＯＳＦＥＴ２４Ｂ及びＮ−ＭＯＳＦＥＴ２６Ａをオン状態にし、Ｐ−ＭＯＳＦＥＴ２４Ａ及びＮ−ＭＯＳＦＥＴ２６Ｂをオフ状態とするスイッチング信号を入力する。   In order to reverse the rotation, a switching signal for turning on the P-MOSFET 24B and the N-MOSFET 26A and turning off the P-MOSFET 24A and the N-MOSFET 26B is input.

このとき、ダイオード２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、及び２２Ｄが設けられているため、オン状態にするスイッチング信号が、オフ状態にするＦＥＴに入力されることはない。   At this time, since the diodes 22A, 22B, 22C, and 22D are provided, the switching signal for turning on is not input to the FET for turning off.

以上説明したように、本実施の形態に係るモータ駆動回路は、４個のダイオードの各々のアノードを１個の検査用パッドに接続することで４個のＦＥＴの各々のゲート・ソース間を流れるゲートリーク電流の全てを１度に測定することができるので、検査用パッドの削減及び測定工数を低減し、測定時間を短縮することができる。   As described above, the motor drive circuit according to the present embodiment flows between the gate and source of each of the four FETs by connecting the anode of each of the four diodes to one test pad. Since all of the gate leakage current can be measured at once, the number of test pads can be reduced, the number of measurement steps can be reduced, and the measurement time can be shortened.

また、第１の実施の形態において、図３及び図４に示すように、第１の実施の形態の検査用パッド４２に代えて検査用端子４４を用いてもよい。   In the first embodiment, as shown in FIGS. 3 and 4, an inspection terminal 44 may be used in place of the inspection pad 42 of the first embodiment.

次に、第２の実施の形態について説明する。なお、第１の実施の形態と対応する部分については、同一符号を付して説明を省略する。   Next, a second embodiment will be described. In addition, about the part corresponding to 1st Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected and description is abbreviate | omitted.

図５に示すように、本実施の形態に係るモータ駆動回路１０は、第１の実施の形態の検査用パッド４２に代えて検査用パッド４２Ａ及び４２Ｂが用いられており、ダイオード２２Ａ及び２２Ｂのアノードが、検査用パッド４２Ａに接続され、ダイオード２２Ｃ及び２２Ｄのアノードが、検査用パッド４２Ｂに接続されている。   As shown in FIG. 5, in the motor drive circuit 10 according to the present embodiment, inspection pads 42A and 42B are used instead of the inspection pad 42 of the first embodiment, and the diodes 22A and 22B The anode is connected to the inspection pad 42A, and the anodes of the diodes 22C and 22D are connected to the inspection pad 42B.

次に、本実施の形態に係るモータ駆動回路１０のゲートリ−ク電流検査方法について説明する。   Next, a gate leak current inspection method for the motor drive circuit 10 according to the present embodiment will be described.

まず、ゲートリーク電流検査装置３４の電流計３８の他端を、モータ駆動回路１０の端子２８及び３０と接続した状態で、検査用探針４０の他端を検査用パッド４２Ａに接触させると、検査用パッド４２Ａを介して、ダイオード２２Ａ及び２２Ｂを介して、Ｐ−ＭＯＳＦＥＴ２４Ａ及びＮ−ＭＯＳＦＥＴ２６Ａのゲート端子に電圧が印加される。   First, when the other end of the ammeter 38 of the gate leakage current inspection device 34 is connected to the terminals 28 and 30 of the motor drive circuit 10 and the other end of the inspection probe 40 is brought into contact with the inspection pad 42A, A voltage is applied to the gate terminals of the P-MOSFET 24A and the N-MOSFET 26A via the inspection pad 42A and the diodes 22A and 22B.

Ｐ−ＭＯＳＦＥＴ２４Ａのゲート端子及びＮ−ＭＯＳＦＥＴ２６Ａのゲート端子に電圧が印加されると、ゲートリーク電流が、Ｐ−ＭＯＳＦＥＴ２４Ａ及びＮ−ＭＯＳＦＥＴ２６Ａのゲート・ソース間を流れ、端子２８及び端子３０を介して電流計へ流れる。   When a voltage is applied to the gate terminal of the P-MOSFET 24A and the gate terminal of the N-MOSFET 26A, a gate leakage current flows between the gate and source of the P-MOSFET 24A and the N-MOSFET 26A, and the current flows through the terminals 28 and 30. It flows to the total.

これにより、電流計の値を読み取ることにより、Ｐ−ＭＯＳＦＥＴ２４Ａ及びＮ−ＭＯＳＦＥＴ２６Ａを検査することができる。   Thereby, the P-MOSFET 24A and the N-MOSFET 26A can be inspected by reading the value of the ammeter.

次に、検査用探針４０の他端を検査用パッド４２Ｂに接触させると、検査用パッド４２Ｂに検査用電源３６から電圧が印加され、上記と同様にＰ−ＭＯＳＦＥＴ２４Ｂ及びＮ−ＭＯＳＦＥＴ２６Ｂを検査することができる。   Next, when the other end of the inspection probe 40 is brought into contact with the inspection pad 42B, a voltage is applied to the inspection pad 42B from the inspection power source 36, and the P-MOSFET 24B and the N-MOSFET 26B are inspected in the same manner as described above. be able to.

本実施の形態の検査終了後のモータ駆動回路１０を用いてモータ駆動するときの動作は、第１の実施の形態と同様であるため、説明を省略する。   Since the operation when driving the motor using the motor driving circuit 10 after completion of the inspection of the present embodiment is the same as that of the first embodiment, the description thereof is omitted.

以上説明したように、本実施の形態に係るモータ駆動回路は、１個の検査用パッドでＦＥＴの各々のゲート・ソース間を流れるゲートリーク電流を１対のＦＥＴ毎に測定しているので、第１の実施の形態に比べ、検査精度を上げることができる。   As described above, the motor drive circuit according to the present embodiment measures the gate leakage current flowing between each gate and source of the FET with one inspection pad for each pair of FETs. Compared with the first embodiment, the inspection accuracy can be increased.

また、第２の実施の形態において、図６に示すように、第２の実施の形態の検査用パッド４２Ａ及び４２Ｂに代えて検査用端子４４Ａ及び４４Ｂを用いてもよい。   Further, in the second embodiment, as shown in FIG. 6, inspection terminals 44A and 44B may be used in place of the inspection pads 42A and 42B of the second embodiment.

次に、第３の実施の形態について説明する。なお、第１の実施の形態と対応する部分については、同一符号を付して説明を省略する。   Next, a third embodiment will be described. In addition, about the part corresponding to 1st Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected and description is abbreviate | omitted.

図７に示すように、第３の実施の形態に係るモータ駆動回路１０は、第１の実施の形態のＤＣモータ４６に代えてブラシレスモータ５０を制御する回路である。   As shown in FIG. 7, the motor drive circuit 10 according to the third embodiment is a circuit that controls the brushless motor 50 instead of the DC motor 46 of the first embodiment.

駆動回路１４の出力端は、インバータ回路１６と６個のダイオード２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、２２Ｄ、２２Ｅ、及び２２Ｆと接続されている。   The output terminal of the drive circuit 14 is connected to the inverter circuit 16 and the six diodes 22A, 22B, 22C, 22D, 22E, and 22F.

インバータ回路１６は、３つのＰ−ＭＯＳＦＥＴ２４Ａ、２４Ｂ、及び２４Ｃと３つのＮ−ＭＯＳＦＥＴ２６Ａ、２６Ｂ、及び２６Ｃとを備えており、Ｐ−ＭＯＳＦＥＴ２４Ａ、２４Ｂ、及び２４Ｃ、並びにＮ−ＭＯＳＦＥＴ２６Ａ、２６Ｂ、及び２６Ｃのゲート端子の各々は、駆動回路１４の出力端と接続されている。   The inverter circuit 16 includes three P-MOSFETs 24A, 24B, and 24C and three N-MOSFETs 26A, 26B, and 26C. The P-MOSFETs 24A, 24B, and 24C, and the N-MOSFETs 26A, 26B, and 26C are provided. Each of the gate terminals is connected to the output terminal of the drive circuit 14.

Ｐ−ＭＯＳＦＥＴ２４Ａ、２４Ｂ、及び２４Ｃのソース端子は、端子２８と接続され、Ｎ−ＭＯＳＦＥＴ２６Ａ、２６Ｂ、及び２６Ｃのソース端子は、端子３０と接続されている。   The source terminals of the P-MOSFETs 24A, 24B, and 24C are connected to the terminal 28, and the source terminals of the N-MOSFETs 26A, 26B, and 26C are connected to the terminal 30.

Ｐ−ＭＯＳＦＥＴ２４Ａ及びＮ−ＭＯＳＦＥＴ２６Ａのドレイン端子は、端子３２Ａに接続され、Ｐ−ＭＯＳＦＥＴ２４Ｂ及びＮ−ＭＯＳＦＥＴ２６Ｂのドレイン端子は、端子３２Ｂに接続され、Ｐ−ＭＯＳＦＥＴ２４Ｃ及びＮ−ＭＯＳＦＥＴ２６Ｃのドレイン端子は、端子３２Ｃに接続されている。   The drain terminals of the P-MOSFET 24A and the N-MOSFET 26A are connected to the terminal 32A, the drain terminals of the P-MOSFET 24B and the N-MOSFET 26B are connected to the terminal 32B, and the drain terminals of the P-MOSFET 24C and the N-MOSFET 26C are the terminal 32C. It is connected to the.

ダイオード２２Ａ、２２Ｃ、及び２２Ｅのカソードの各々は、Ｐ−ＭＯＳＦＥＴ２４Ａ、２４Ｂ、及び２４Ｃのゲート端子に接続され、ダイオード２２Ｂ、２２Ｄ、及び２２Ｆのカソードの各々は、Ｎ−ＭＯＳＦＥＴ２６Ａ、２６Ｂ、及び２６Ｃのゲート端子に接続されている。   Each of the cathodes of diodes 22A, 22C, and 22E is connected to the gate terminals of P-MOSFETs 24A, 24B, and 24C, and each of the cathodes of diodes 22B, 22D, and 22F is connected to N-MOSFETs 26A, 26B, and 26C. Connected to the gate terminal.

また、ダイオード２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、２２Ｄ、２２Ｅ、及び２２Ｆの各々のアノードは、検査用パッド４２に共通に接続されている。   The anodes of the diodes 22A, 22B, 22C, 22D, 22E, and 22F are connected in common to the inspection pad 42.

本実施の形態のモータ駆動回路１０のゲートリーク電流の測定方法は、第１の実施の形態と同様であるため、説明を省略する。   Since the method for measuring the gate leakage current of the motor drive circuit 10 of the present embodiment is the same as that of the first embodiment, description thereof is omitted.

次に、本実施の形態の検査終了後のモータ駆動回路１０を用いてモータを駆動するときの動作について説明する。   Next, the operation when the motor is driven using the motor drive circuit 10 after completion of the inspection according to the present embodiment will be described.

モータ駆動時は、モータ駆動回路１０の端子３２Ａ、３２Ｂ、及び３２Ｃにブラシレスモータ５０の図示しないＵ相、Ｖ相、及びＷ相の３相電機子巻線を接続し、端子２８に図示しない直流電源（例えば、車載用バッテリー）のプラス端子を接続し、端子３０に直流電源のマイナス端子を接続する。   When driving the motor, the U-phase, V-phase, and W-phase three-phase armature windings (not shown) of the brushless motor 50 are connected to the terminals 32A, 32B, and 32C of the motor driving circuit 10, and the DC current (not shown) is connected to the terminal 28. A positive terminal of a power source (for example, an in-vehicle battery) is connected, and a negative terminal of a DC power source is connected to the terminal 30.

モータ制御部１２は、図示しない磁石回転子の位置に応じた制御信号を駆動回路１４へ出力する。   The motor control unit 12 outputs a control signal corresponding to the position of a magnet rotor (not shown) to the drive circuit 14.

駆動回路１４は、モータ制御部１２から出力信号が入力されると、制御信号に基いて１２０°方形波通電のスイッチング信号を生成し、生成された１２０°方形波通電のスイッチング信号は、インバータ回路１６のＰ−ＭＯＳＦＥＴ２４Ａ、２４Ｂ、及び２４Ｃ、並びにＮ−ＭＯＳＦＥＴ２６Ａ、２６Ｂ、及び２６Ｃのゲート端子に入力される。   When an output signal is input from the motor control unit 12, the drive circuit 14 generates a 120 ° square wave energization switching signal based on the control signal, and the generated 120 ° square wave energization switching signal is an inverter circuit. It is input to the gate terminals of the 16 P-MOSFETs 24A, 24B, and 24C and the N-MOSFETs 26A, 26B, and 26C.

ブラシレスモータ５０は、例えば、Ｐ−ＭＯＳＦＥＴ２４Ａ及びＮ−ＭＯＳＦＥＴ２６Ｂをオン状態にすると、３相電機子巻線のＵ相からＶ相へ電流が流れ、３相電機子巻線のＵ相及びＶ相で回転磁界が発生する。磁石回転子は、回転磁界からトルクを受けて回転する。   In the brushless motor 50, for example, when the P-MOSFET 24A and the N-MOSFET 26B are turned on, current flows from the U phase to the V phase of the three-phase armature winding, and the U-phase and V-phase of the three-phase armature winding. A rotating magnetic field is generated. The magnet rotor receives torque from the rotating magnetic field and rotates.

なお、ダイオード２２Ａ及び２２Ｄが設けられているためＰ−ＭＯＳＦＥＴ２４Ａ及びＮ−ＭＯＳＦＥＴ２６Ｂをオン状態にしても、Ｐ−ＭＯＳＦＥＴ２４Ｂ及び２４Ｃ、並びにＮ−ＭＯＳＦＥＴ２６Ａ、及び２６Ｃはオフ状態となる。   Since the diodes 22A and 22D are provided, even if the P-MOSFET 24A and the N-MOSFET 26B are turned on, the P-MOSFETs 24B and 24C and the N-MOSFETs 26A and 26C are turned off.

以上説明したように、本実施の形態に係るモータ駆動回路は、６個のダイオードの各々のアノードを１個の検査用パッドに接続することで６個のＦＥＴの各々のゲート・ソース間を流れるゲートリーク電流の全てを１度に測定することができるので、検査用パッドの削減及び測定工数を低減し、測定時間を短縮することができる。   As described above, the motor drive circuit according to the present embodiment flows between the gate and source of each of the six FETs by connecting the anode of each of the six diodes to one test pad. Since all of the gate leakage current can be measured at once, the number of test pads can be reduced, the number of measurement steps can be reduced, and the measurement time can be shortened.

なお、本実施の形態では、検査用パッド４２を１個用いた場合を例に説明したが、３個の検査用パッド４２Ａ、４２Ｂ、及び４２Ｃを用いて、検査用パッド４２Ａにダイオード２２Ａ及び２２Ｂのアノードを接続し、検査用パッド４２Ｂにダイオード２２Ｃ及び２２Ｄのアノードを接続し、検査用パッド４２Ｃにダイオード２２Ｅ及び２２Ｆのアノードを接続し、ゲートリーク電流の測定を３箇所で行って１対のＦＥＴ毎に検査を行ってもよい。   In the present embodiment, the case where one inspection pad 42 is used has been described as an example. However, the three pads 42A, 42B, and 42C are used to connect the diodes 22A and 22B to the inspection pad 42A. The anodes of the diodes 22C and 22D are connected to the inspection pad 42B, the anodes of the diodes 22E and 22F are connected to the inspection pad 42C, and the gate leakage current is measured at three locations to form a pair. An inspection may be performed for each FET.

また、第３の実施の形態において、図８に示すように、第３の実施の形態の検査用パッド４２に代えて検査用端子４４を用いてもよい。   Further, in the third embodiment, as shown in FIG. 8, an inspection terminal 44 may be used in place of the inspection pad 42 of the third embodiment.

次に、第４の実施の形態について説明する。なお、第２の実施の形態と対応する部分については、同一符号を付して説明を省略する。   Next, a fourth embodiment will be described. In addition, about the part corresponding to 2nd Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected and description is abbreviate | omitted.

図９に示すように、本実施の形態に係るモータ駆動回路１０は、第２の実施の形態のＰ−ＭＯＳＦＥＴ２４Ａ及び２４Ｂに代えてＮ−ＭＯＳＦＥＴ１２６Ａ及び１２６Ｂが用いられている。   As shown in FIG. 9, in the motor drive circuit 10 according to the present embodiment, N-MOSFETs 126A and 126B are used in place of the P-MOSFETs 24A and 24B of the second embodiment.

Ｎ−ＭＯＳＦＥＴ１２６Ａのソース端子は、ＤＣモータ４６のプラス端子４８Ａに接続された端子３２Ａに接続され、Ｎ−ＭＯＳＦＥＴ１２６Ｂのソース端子は、ＤＣモータ４６のマイナス端子４８Ｂに接続された端子３２Ｂに接続されている。   The source terminal of the N-MOSFET 126A is connected to the terminal 32A connected to the plus terminal 48A of the DC motor 46, and the source terminal of the N-MOSFET 126B is connected to the terminal 32B connected to the minus terminal 48B of the DC motor 46. Yes.

Ｎ−ＭＯＳＦＥＴ１２６Ａ及び１２６Ｂのドレイン端子は、端子３０と接続されている。   The drain terminals of the N-MOSFETs 126A and 126B are connected to the terminal 30.

次に、本実施の形態に係るモータ駆動回路１０のゲートリ−ク電流検査方法について説明する。   Next, a gate leak current inspection method for the motor drive circuit 10 according to the present embodiment will be described.

まず、ゲートリーク電流検査装置３４の電流計３８の他端を、モータ駆動回路１０の端子３０、端子３２Ａ、及び３２Ｂと接続した状態で、検査用探針４０の他端を検査用パッド４２Ａに接触させると、検査用パッド４２Ａを介して、ダイオード２２Ａ及び２２Ｂを介して、Ｎ−ＭＯＳＦＥＴ１２６Ａ及び２６Ａのゲート端子に電圧が印加される。   First, with the other end of the ammeter 38 of the gate leakage current inspection device 34 connected to the terminal 30, the terminals 32A, and 32B of the motor drive circuit 10, the other end of the inspection probe 40 is connected to the inspection pad 42A. When contact is made, a voltage is applied to the gate terminals of the N-MOSFETs 126A and 26A via the test pad 42A and the diodes 22A and 22B.

Ｎ−ＭＯＳＦＥＴ１２６Ａ及び２６Ａのゲート端子に電圧が印加されると、ゲートリーク電流が、Ｎ−ＭＯＳＦＥＴ１２６Ａ及び２６Ａのゲート・ソース間を流れ、端子３２Ａ及び端子３０を介して電流計へ流れる。   When a voltage is applied to the gate terminals of the N-MOSFETs 126A and 26A, a gate leakage current flows between the gate and the source of the N-MOSFETs 126A and 26A, and flows to the ammeter via the terminals 32A and 30.

これにより、電流計の値を読み取ることにより、Ｎ−ＭＯＳＦＥＴ２６Ａ及び１２６Ａを検査することができる。   Thereby, N-MOSFET26A and 126A can be test | inspected by reading the value of an ammeter.

次に、検査用探針４０の他端を検査用パッド４２Ｂに接触させると、検査用パッド４２Ｂに検査用電源３６から電圧が印加され、検査用パッド４２Ｂを介して、ダイオード２２Ｃ及び２２Ｄを介して、Ｎ−ＭＯＳＦＥＴ１２６Ｂ及び２６Ｂのゲート端子に電圧が印加される。   Next, when the other end of the inspection probe 40 is brought into contact with the inspection pad 42B, a voltage is applied to the inspection pad 42B from the inspection power source 36, and the diodes 22C and 22D are passed through the inspection pad 42B. Thus, a voltage is applied to the gate terminals of the N-MOSFETs 126B and 26B.

Ｎ−ＭＯＳＦＥＴ１２６Ｂ及び２６Ｂのゲート端子に電圧が印加されると、ゲートリーク電流が、Ｎ−ＭＯＳＦＥＴ１２６Ｂ及び２６Ｂのゲート・ソース間を流れ、端子３２Ｂ及び端子３０を介して電流計へ流れる。   When a voltage is applied to the gate terminals of the N-MOSFETs 126B and 26B, a gate leakage current flows between the gate and source of the N-MOSFETs 126B and 26B, and flows to the ammeter via the terminal 32B and the terminal 30.

これにより、電流計の値を読み取ることにより、Ｎ−ＭＯＳＦＥＴ１２６Ｂ及び２６Ｂを検査することができる。   Thereby, N-MOSFET126B and 26B can be test | inspected by reading the value of an ammeter.

本実施の形態の検査終了後のモータ駆動回路１０を用いてモータ駆動するときの動作は、第１の実施の形態と同様であるため、説明を省略する。   Since the operation when driving the motor using the motor driving circuit 10 after completion of the inspection of the present embodiment is the same as that of the first embodiment, the description thereof is omitted.

以上説明したように、本実施の形態に係るモータ駆動回路は、１個の検査用パッドでＦＥＴの各々のゲート・ソース間を流れるゲートリーク電流を１対のＦＥＴ毎に測定しているので、第１の実施の形態に比べ、検査精度を上げることができる。   As described above, the motor drive circuit according to the present embodiment measures the gate leakage current flowing between each gate and source of the FET with one inspection pad for each pair of FETs. Compared with the first embodiment, the inspection accuracy can be increased.

なお、本実施の形態では、検査用パッド４２Ａ及び４２Ｂを用いた場合を説明したが、第１の実施の形態のように１個の検査用パッド４２又は検査用端子４４を用いて、ダイオード２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、及び２２Ｄのアノードを検査用パッド４２又は検査用端子４４に接続してもよい。   In the present embodiment, the case where the inspection pads 42A and 42B are used has been described. However, as in the first embodiment, the diode 22A is formed by using one inspection pad 42 or the inspection terminal 44. , 22B, 22C, and 22D may be connected to the inspection pad 42 or the inspection terminal 44.

また、本実施の形態において、第２の実施の形態のように検査用パッド４２Ａ及び４２Ｂに代えて検査用端子４４Ａ及び４４Ｂを用いてもよい。   In the present embodiment, inspection terminals 44A and 44B may be used in place of the inspection pads 42A and 42B as in the second embodiment.

さらに、本実施の形態において、第３の実施の形態のようにＤＣモータ４６に代えてブラシレスモータ５０を用いてもよい。   Further, in the present embodiment, the brushless motor 50 may be used instead of the DC motor 46 as in the third embodiment.

なお、上記第１の実施の形態〜第４の実施の形態では、ダイオードを用いた場合を説明したが、ダイオードに代えて、コレクタとベースとを短絡してダイオード接続したトランジスタ又はエミッタとベースとを短絡してダイオード接続したトランジスタを用いてもよい。コレクタとベースとを短絡してダイオード接続したトランジスタを用いる場合には、エミッタ端子をＦＥＴのゲート端子に接続し、コレクタ端子を共通接続する。また、エミッタとベースとを短絡してダイオード接続したトランジスタを用いる場合には、コレクタ端子をＦＥＴのゲート端子に接続し、エミッタ端子を共通接続する。   In the first to fourth embodiments, the case where a diode is used has been described. However, instead of a diode, a transistor and an emitter and a base that are diode-connected by short-circuiting a collector and a base Alternatively, a diode-connected transistor may be used. When using a diode-connected transistor with the collector and base short-circuited, the emitter terminal is connected to the gate terminal of the FET, and the collector terminals are connected in common. When using a diode-connected transistor with the emitter and base short-circuited, the collector terminal is connected to the gate terminal of the FET, and the emitter terminals are connected in common.

第１の実施の形態に係るモータ制御回路の回路図である。1 is a circuit diagram of a motor control circuit according to a first embodiment. 第１の実施の形態に係るモータ制御回路の概略図である。It is the schematic of the motor control circuit which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施の形態に係るモータ制御回路の変形例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the modification of the motor control circuit which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施の形態に係るモータ制御回路の変形例を示す概略図である。It is the schematic which shows the modification of the motor control circuit which concerns on 1st Embodiment. 第２の実施の形態に係るモータ制御回路の回路図である。It is a circuit diagram of the motor control circuit which concerns on 2nd Embodiment. 第２の実施の形態に係るモータ制御回路の変形例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the modification of the motor control circuit which concerns on 2nd Embodiment. 第３の実施の形態に係るモータ制御回路の回路図である。It is a circuit diagram of the motor control circuit which concerns on 3rd Embodiment. 第３の実施の形態に係るモータ制御回路の変形例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the modification of the motor control circuit which concerns on 3rd Embodiment. 第４の実施の形態に係るモータ制御回路の回路図である。It is a circuit diagram of the motor control circuit which concerns on 4th Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

１０…モータ駆動回路、１２…モータ制御部（制御回路）、１６…インバータ回路（インバータ回路）、２２Ａ…ダイオード（第１の素子）、２２Ｂ…ダイオード（第１の素子）、２２Ｃ…ダイオード（第２の素子）、２２Ｄ…ダイオード（第２の素子）、２２Ｅ…ダイオード（第３の素子）、２２Ｆ…ダイオード（第３の素子）、２４Ａ…Ｐ−ＭＯＳＦＥＴ（第１の電界効果トランジスタ）、２４Ｂ…Ｐ−ＭＯＳＦＥＴ（第２の電界効果トランジスタ）、２４Ｃ…Ｐ−ＭＯＳＦＥＴ（第３の電界効果トランジスタ）、２６Ａ…Ｎ−ＭＯＳＦＥＴ（第１の電界効果トランジスタ）、２６Ｂ…Ｎ−ＭＯＳＦＥＴ（第２の電界効果トランジスタ）、２６Ｃ…Ｎ−ＭＯＳＦＥＴ（第３の電界効果トランジスタ）、４２…検査用パッド（パッド）、４４…検査用端子（端子）、４６…ＤＣモータ（モータ）、４８Ａ…プラス端子（一方の電極）、４８Ｂ…マイナス端子（他方の電極）５０…ブラシレスモータ（モータ）、１２６Ａ…Ｎ−ＭＯＳＦＥＴ（第１の電界効果トランジスタ）、１２６Ｂ…Ｎ−ＭＯＳＦＥＴ（第２の電界効果トランジスタ） DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Motor drive circuit, 12 ... Motor control part (control circuit), 16 ... Inverter circuit (inverter circuit), 22A ... Diode (1st element), 22B ... Diode (1st element), 22C ... Diode (1st 2D), 22D ... diode (second element), 22E ... diode (third element), 22F ... diode (third element), 24A ... P-MOSFET (first field effect transistor), 24B ... P-MOSFET (second field effect transistor), 24C... P-MOSFET (third field effect transistor), 26A... N-MOSFET (first field effect transistor), 26B. Field effect transistor), 26C... N-MOSFET (third field effect transistor), 42... Inspection pad (pad), 4 ... inspection terminal (terminal), 46 ... DC motor (motor), 48A ... plus terminal (one electrode), 48B ... minus terminal (other electrode) 50 ... brushless motor (motor), 126A ... N-MOSFET (first) 1 field effect transistor), 126B... N-MOSFET (second field effect transistor)

Claims (10)

モータの一方の電極に接続される一対の第１の電界効果トランジスタ、及び該モータの他方の電極に接続される一対の第２の電界効果トランジスタを備えるインバータ回路と、
前記一対の第１の電界効果トランジスタ及び前記一対の第２の電界効果トランジスタのゲートの各々に、前記第１の電界効果トランジスタ及び前記第２の電界効果トランジスタの各々をオンオフさせるための制御信号を入力するように接続された制御回路と、
各々一端が前記第１の電界効果トランジスタのゲートに接続されると共に、他端が共通に接続され、前記ゲートに流入する方向に流れる電流を通過させ、前記ゲートから流出する方向に流れる電流の通過を阻止する一対の第１の素子と、
各々一端が前記第２の電界効果トランジスタのゲートに接続されると共に、他端が共通に接続され、前記ゲートに流入する方向に流れる電流を通過させ、前記ゲートから流出する方向に流れる電流の通過を阻止する一対の第２の素子と、
を含むモータ駆動回路。 An inverter circuit comprising a pair of first field effect transistors connected to one electrode of the motor and a pair of second field effect transistors connected to the other electrode of the motor;
A control signal for turning on and off each of the first field effect transistor and the second field effect transistor is applied to each of the gates of the pair of first field effect transistors and the pair of second field effect transistors. A control circuit connected to input; and
Each one end is connected to the gate of the first field effect transistor, and the other end is connected in common to pass a current flowing in the direction flowing into the gate, and a current flowing in the direction flowing out from the gate A pair of first elements for blocking
Each one end is connected to the gate of the second field effect transistor, and the other end is connected in common to pass a current flowing in the direction flowing into the gate, and a current flowing in the direction flowing out from the gate A pair of second elements for blocking
Including a motor drive circuit. 前記第１の素子及び前記第２の素子の各々を、カソードが前記ゲートに接続されたダイオード、または、コレクタとベースとが短絡するようにダイオード接続され、かつエミッタが前記ゲートに接続されると共にコレクタが共通に接続されたトランジスタで構成した請求項１記載のモータ駆動回路。   Each of the first element and the second element is diode-connected so that a cathode is connected to the gate, or a collector and a base are short-circuited, and an emitter is connected to the gate. 2. The motor drive circuit according to claim 1, wherein the motor drive circuit is constituted by transistors having collectors connected in common. 前記第１の素子及び前記第２の素子の各々を、カソードが前記ゲートに接続されたダイオード、または、エミッタとベースとが短絡するようにダイオード接続され、かつコレクタが前記ゲートに接続されると共にエミッタが共通に接続されたトランジスタで構成した請求項１記載のモータ駆動回路。   Each of the first element and the second element is diode-connected so that the cathode is connected to the gate, or the emitter and base are short-circuited, and the collector is connected to the gate. 2. The motor driving circuit according to claim 1, wherein the motor driving circuit is constituted by transistors having emitters connected in common. 前記第１の素子及び前記第２の素子の共通接続された側をパッドまたは端子に接続した請求項１〜請求項３のいずれか１項記載のモータ駆動回路。   The motor drive circuit according to any one of claims 1 to 3, wherein a commonly connected side of the first element and the second element is connected to a pad or a terminal. 請求項１〜請求項４のいずれか１項記載のモータ駆動回路の前記第１の素子及び前記第２の素子の共通接続された側の少なくとも１つと前記第１の電界効果トランジスタ及び前記第２の電界効果トランジスタの少なくとも１つのソースとの間に電圧を印加し、
前記第１の素子及び前記第２の素子の共通接続された側の少なくとも１つから前記第１の素子及び前記第２の素子の少なくとも１つを介して、前記第１の電界効果トランジスタ及び前記第２の電界効果トランジスタの少なくとも１つのゲートからソース方向に電流を流すことにより、前記第１の電界効果トランジスタ及び前記第２の電界効果トランジスタを検査するモータ駆動回路の検査方法。 5. The motor drive circuit according to claim 1, wherein the first field effect transistor and the second field effect transistor are connected to at least one of the first element and the second element that are connected in common. Applying a voltage to at least one source of the field effect transistor of
The first field effect transistor and the first element and the second element from at least one of the first element and the second element via at least one of the first element and the second element, and A method for inspecting a motor drive circuit in which the first field effect transistor and the second field effect transistor are inspected by flowing a current from at least one gate of the second field effect transistor in a source direction. モータの第１の電機子巻線に接続される一対の第１の電界効果トランジスタ、モータの第２の電機子巻線に接続される一対の第２の電界効果トランジスタ、及びモータの第３の電機子巻線に接続される一対の第３の電界効果トランジスタを備えるインバータ回路と、
前記一対の第１の電界効果トランジスタ、前記一対の第２の電界効果トランジスタ、及び前記一対の第３の電界効果トランジスタのゲートの各々に、前記第１の電界効果トランジスタ、前記第２の電界効果トランジスタ、及び前記第３の電界効果トランジスタの各々をオンオフさせるための制御信号を入力するように接続された制御回路と、
各々一端が前記第１の電界効果トランジスタのゲートに接続されると共に、他端が共通に接続され、前記ゲートに流入する方向に流れる電流を通過させ、前記ゲートから流出する方向に流れる電流の通過を阻止する一対の第１の素子と、
各々一端が前記第２の電界効果トランジスタのゲートに接続されると共に、他端が共通に接続され、前記ゲートに流入する方向に流れる電流を通過させ、前記ゲートから流出する方向に流れる電流の通過を阻止する一対の第２の素子と、
各々一端が前記第３の電界効果トランジスタのゲートに接続されると共に、他端が共通に接続され、前記ゲートに流入する方向に流れる電流を通過させ、前記ゲートから流出する方向に流れる電流の通過を阻止する一対の第３の素子と、
を含むモータ駆動回路。 A pair of first field effect transistors connected to the first armature winding of the motor, a pair of second field effect transistors connected to the second armature winding of the motor, and a third of the motor An inverter circuit comprising a pair of third field effect transistors connected to the armature winding;
The gates of the pair of first field effect transistors, the pair of second field effect transistors, and the pair of third field effect transistors are connected to the first field effect transistor and the second field effect transistor, respectively. A control circuit connected to input a control signal for turning on and off each of the transistor and the third field effect transistor;
Each one end is connected to the gate of the first field effect transistor, and the other end is connected in common to pass a current flowing in the direction flowing into the gate, and a current flowing in the direction flowing out from the gate A pair of first elements for blocking
Each one end is connected to the gate of the second field effect transistor, and the other end is connected in common to pass a current flowing in the direction flowing into the gate, and a current flowing in the direction flowing out from the gate A pair of second elements for blocking
Each one end is connected to the gate of the third field effect transistor, and the other end is connected in common to pass a current flowing in the direction flowing into the gate, and a current flowing in the direction flowing out from the gate A pair of third elements for blocking
Including a motor drive circuit. 前記第１の素子、前記第２の素子、及び前記第３の素子の各々を、カソードが前記ゲートに接続されたダイオード、または、コレクタとベースとが短絡するようにダイオード接続され、かつエミッタが前記ゲートに接続されると共にコレクタが共通に接続されたトランジスタで構成した請求項６記載のモータ駆動回路。   Each of the first element, the second element, and the third element is diode-connected so that the cathode is connected to the gate or the collector and the base are short-circuited, and the emitter is 7. The motor drive circuit according to claim 6, wherein the motor drive circuit is constituted by a transistor connected to the gate and having a collector connected in common. 前記第１の素子、前記第２の素子、及び前記第３の素子の各々を、カソードが前記ゲートに接続されたダイオード、または、エミッタとベースとが短絡するようにダイオード接続され、かつコレクタが前記ゲートに接続されると共にエミッタが共通に接続されたトランジスタで構成した請求項６記載のモータ駆動回路。   Each of the first element, the second element, and the third element is diode-connected so that the cathode is connected to the gate, or the emitter and base are short-circuited, and the collector is 7. The motor drive circuit according to claim 6, wherein the motor drive circuit is constituted by a transistor connected to the gate and having an emitter connected in common. 前記第１の素子、前記第２の素子、及び前記第３の素子の共通接続された側をパッドまたは端子に接続した請求項６〜請求項８のいずれか１項記載のモータ駆動回路。   The motor drive circuit according to any one of claims 6 to 8, wherein a commonly connected side of the first element, the second element, and the third element is connected to a pad or a terminal. 請求項６〜請求項９のいずれか１項記載のモータ駆動回路の前記第１の素子、前記第２の素子、及び前記第３の素子の共通接続された側の少なくとも１つと前記第１の電界効果トランジスタ、前記第２の電界効果トランジスタ、及び前記第３の電界効果トランジスタの少なくとも１つのソースとの間に電圧を印加し、
前記第１の素子、前記第２の素子、及び前記第３の素子の共通接続された側の少なくとも１つから前記第１の素子、前記第２の素子、及び前記第３の素子の少なくとも１つを介して、前記第１の電界効果トランジスタ、前記第２の電界効果トランジスタ、及び前記第３の電界効果トランジスタの少なくとも１つのゲートからソース方向に電流を流すことにより、前記第１の電界効果トランジスタ、前記第２の電界効果トランジスタ、及び前記第３の電界効果トランジスタを検査するモータ駆動回路の検査方法。 10. The motor drive circuit according to claim 6, wherein at least one of the first element, the second element, and the third element of the motor drive circuit that is commonly connected to the first element and the first element. Applying a voltage between at least one source of a field effect transistor, the second field effect transistor, and the third field effect transistor;
At least one of the first element, the second element, and the third element from at least one of the first element, the second element, and the third element connected in common. The first field-effect transistor, the second field-effect transistor, and the third field-effect transistor by passing a current from at least one gate in a source direction through the first field-effect transistor. A method for inspecting a motor drive circuit for inspecting a transistor, the second field effect transistor, and the third field effect transistor.
JP2008243177A 2008-09-22 2008-09-22 Motor-driving circuit and inspection method thereof Abandoned JP2010075025A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008243177A JP2010075025A (en) 2008-09-22 2008-09-22 Motor-driving circuit and inspection method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008243177A JP2010075025A (en) 2008-09-22 2008-09-22 Motor-driving circuit and inspection method thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010075025A true JP2010075025A (en) 2010-04-02

Family

ID=42206280

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008243177A Abandoned JP2010075025A (en) 2008-09-22 2008-09-22 Motor-driving circuit and inspection method thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2010075025A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021016246A (en) * 2019-07-11 2021-02-12 富士電機株式会社 Power semiconductor module and leakage-current test method therefor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021016246A (en) * 2019-07-11 2021-02-12 富士電機株式会社 Power semiconductor module and leakage-current test method therefor
JP7338279B2 (en) 2019-07-11 2023-09-05 富士電機株式会社 Power semiconductor module and its leakage current test method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5058554B2 (en) Electric power steering device
JP5093698B2 (en) Electric motor drive device and electric power steering device using the same
JP4680280B2 (en) Brushless motor rotor position estimation device, brushless motor activation control system, and brushless motor activation control method
US20150145448A1 (en) Rotating electric machine driver and electric power steering device
US20130285584A1 (en) Motor driving apparatus and method
KR101716589B1 (en) Method for determining the rotor position of an electronically-commuted multi-phase direct current motor
CN102769428A (en) Motor control apparatus with insulation degradation detection device and insulation degradation detection method of motor
JP4722962B2 (en) Brushless motor rotor position estimation device, brushless motor activation control system, and brushless motor activation control method
US10411574B2 (en) Motor controller
KR101158996B1 (en) Method of inspecting power converter and inspecting device
JP2015211591A (en) Failure diagnosis device for driving device for brushless motor, and failure diagnosis method
JP2013258857A (en) Semiconductor module and method for controlling the same
CN106972790B (en) Motor drive circuit, motor drive method, and electronic device
JP2010075025A (en) Motor-driving circuit and inspection method thereof
US10998782B2 (en) Motor and electric power steering apparatus
US6864649B2 (en) Method and apparatus for supplying current to an electronically commutatable electric motor
JP6131874B2 (en) Inverter circuit failure detection method, drive device, and motor drive system
JP2017103925A (en) Motor drive device and method for controlling motor drive device
JP5155350B2 (en) Brushless motor rotor position estimation device, brushless motor activation control system, and brushless motor activation control method
CN110247570B (en) Half-bridge driving circuit, related integrated circuit and system
JP2014079048A (en) Power converter
JP2014023331A (en) Rotary electric machine control device, and electric power steering device using the same
KR102217876B1 (en) Motor control apparatus with short circuit diagnosis function and short circuit diagnosis method thereof
JP2009284670A (en) Vehicle motor generator
KR101684190B1 (en) Apparatus for sensing disorder of 3-phase motor

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110620

A762 Written abandonment of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762

Effective date: 20121218