JP2010066392A - Pattern forming method and photo-sedimentation type composition used for the method - Google Patents

Pattern forming method and photo-sedimentation type composition used for the method Download PDF

Info

Publication number
JP2010066392A
JP2010066392A JP2008231112A JP2008231112A JP2010066392A JP 2010066392 A JP2010066392 A JP 2010066392A JP 2008231112 A JP2008231112 A JP 2008231112A JP 2008231112 A JP2008231112 A JP 2008231112A JP 2010066392 A JP2010066392 A JP 2010066392A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
inorganic powder
forming method
composition
photoprecipitation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008231112A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5376876B2 (en
Inventor
Kazunobu Fukushima
和信 福島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiyo Holdings Co Ltd
Original Assignee
Taiyo Ink Mfg Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiyo Ink Mfg Co Ltd filed Critical Taiyo Ink Mfg Co Ltd
Priority to JP2008231112A priority Critical patent/JP5376876B2/en
Publication of JP2010066392A publication Critical patent/JP2010066392A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5376876B2 publication Critical patent/JP5376876B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a novel pattern forming method by which a high-definition pattern can easily be formed, and to provide a photo-sedimentation type composition suitable for such a pattern forming method. <P>SOLUTION: The pattern forming method is characterized by forming a pattern by aggregation sedimentation of an inorganic powder and includes: a step of applying a photo-sedimentation type composition containing an inorganic powder, a dispersion medium and a photoacid generator onto a substrate to form a film; a step of patternwise exposing the obtained film to bring the inorganic powder into aggregation sedimentation; a developing step; and a step of firing a pattern obtained by development. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、フォトリソグラフィー技術を利用した新規なパターン形成方法と、かかる方法に用いられる組成物に関するものである。   The present invention relates to a novel pattern forming method using a photolithography technique and a composition used in the method.

従来、集積回路や画像表示装置等の電子機器における電極、抵抗体、誘電体等のパターンの形成方法として、非感光性の有機バインダーに金属粉末を混合した組成物(例えば、乾燥型や熱硬化型の導電性組成物)を、スクリーン印刷やオフセット印刷等の印刷技術を用いて基板上にパターン化する印刷法が挙げられる。   Conventionally, as a method of forming patterns of electrodes, resistors, dielectrics, etc. in electronic devices such as integrated circuits and image display devices, a composition in which metal powder is mixed with a non-photosensitive organic binder (for example, dry type or thermosetting) And a printing method in which a pattern conductive composition) is patterned on a substrate using a printing technique such as screen printing or offset printing.

このような印刷法では、エッチング工程がなく、低コストで作業性は良くなるものの、工業的に安定して100μm以下の線幅を有する導電体パターンを形成することは困難である。そのため、特にパターンの高精細化が要求される近年においては、フォトリソグラフィー法を利用した微細パターンの形成方法が用いられ、その改良技術も種々提案されている(例えば、特許文献1などを参照)。   In such a printing method, although there is no etching step and the workability is improved at low cost, it is difficult to form a conductor pattern having a line width of 100 μm or less in an industrially stable manner. Therefore, particularly in recent years when high definition of patterns is required, a fine pattern forming method using a photolithography method is used, and various improved techniques have been proposed (see, for example, Patent Document 1). .

特開平10−269848号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-269848

本発明は、高精細パターンを簡便に形成できる新規なパターン形成方法と、このようなパターン形成方法に好適な組成物を提供することを目的とする。   An object of this invention is to provide the novel pattern formation method which can form a high-definition pattern simply, and a composition suitable for such a pattern formation method.

上記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。すなわち、
1)露光による無機粉末の凝集沈降によりパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。
2)無機粉末、分散媒、及び光酸発生剤を含むフォト沈降型組成物を基板上に塗布して塗膜を形成する工程と、得られた塗膜をパターン露光して無機粉末を凝集沈降させる工程と、現像する工程と、現像して得られたパターンを焼成する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
3)前記無機粉末の平均粒径が1nm〜5μmであることを特徴とする、1)又は2)に記載のパターン形成方法。
4)無機粉末の凝集沈降によりパターンを形成するフォトリソグラフィー法に用いる組成物であって、無機粉末、分散媒、光酸発生剤を含むことを特徴とするフォト沈降型組成物。
5)前記無機粉末の平均粒径が1nm〜5μmである、4)に記載のフォト沈降型組成物。
6)前記分散媒として有機溶剤を用いることを特徴とする、4)に記載のフォト沈降型組成物。
7)1)〜3)のいずれか1項に記載の方法を用いて形成されたパターン。
Means for solving the above problems are as follows. That is,
1) A pattern forming method, wherein a pattern is formed by coagulation sedimentation of inorganic powder by exposure.
2) A step of applying a photoprecipitation type composition containing an inorganic powder, a dispersion medium, and a photoacid generator on a substrate to form a coating film, and subjecting the resulting coating film to pattern exposure to coagulate and settle the inorganic powder. The pattern formation method characterized by including the process to develop, the process to develop, and the process to bake the pattern obtained by image development.
3) The pattern forming method as described in 1) or 2) above, wherein the inorganic powder has an average particle diameter of 1 nm to 5 μm.
4) A photoprecipitation type composition comprising a inorganic powder, a dispersion medium, and a photoacid generator, which is a composition used in a photolithography method for forming a pattern by agglomeration and sedimentation of an inorganic powder.
5) The photoprecipitation type composition according to 4), wherein the inorganic powder has an average particle size of 1 nm to 5 μm.
6) An organic solvent is used as the dispersion medium. The photoprecipitation composition according to 4).
7) A pattern formed by using the method according to any one of 1) to 3).

本発明のフォト沈降型組成物を用いたフォトリソグラフィー法によるパターン形成方法によれば、高精細なパターンを簡便に得ることが可能となる。   According to the pattern forming method by the photolithography method using the photoprecipitation type composition of the present invention, a high-definition pattern can be easily obtained.

フォトリソグラフィー法を利用した本発明のパターン形成方法においては、無機粉末が分散している有機溶剤等の分散媒中に光酸発生剤を含有させてなる組成物(以下、「フォト沈降型組成物」という。)が用いられる。従来のフォトリソグラフィー法によるパターンの形成においては、露光による硬化性を組成物に付与するために、光重合性化合物及び光重合開始剤が使用される。しかし、本発明のフォト沈降型組成物を用いたパターンの形成方法は、露光することで光酸発生剤から発生する酸の作用により、光を照射した部分(露光部)に無機粉末の沈降を生じさせてパターンを形成するものである。そのため、本発明のフォト沈降型組成物は、無機粉末と光酸発生剤を含有していればよい。   In the pattern formation method of the present invention using the photolithography method, a composition (hereinafter referred to as “photo precipitation type composition”) containing a photoacid generator in a dispersion medium such as an organic solvent in which an inorganic powder is dispersed. ") Is used. In the formation of a pattern by a conventional photolithography method, a photopolymerizable compound and a photopolymerization initiator are used in order to give the composition curability by exposure. However, in the pattern formation method using the photoprecipitation composition of the present invention, the inorganic powder settles on the irradiated portion (exposed portion) by the action of the acid generated from the photoacid generator upon exposure. It is generated to form a pattern. Therefore, the photoprecipitation type composition of this invention should just contain inorganic powder and a photo-acid generator.

すなわち、本発明のパターン形成方法におけるパターニングのメカニズムは以下の通りである。分散質である数nm〜数μm程度の無機粉末が、有機溶剤等の分散媒中に浮遊あるいは懸濁している状態で存在しているとき、一般に分散質粒子の表面には電荷が存在しており、同種の粒子には同種の電荷が存在する。そのため、粒子の質量が小さい場合は、分子間力よりも表面電荷の斥力が大となり、粒子の凝集が妨げられて安定化している。このような状態においてイオン性物質である酸が存在すると、分散している無機粉末の表面電荷にイオンが吸着し、表面電荷が中和されるため凝集が起こる。本発明のパターン形成方法は、このようなメカニズムを利用したものである。具体的には、無機粉末を有機溶剤に分散し安定化した分散液に光酸発生剤を含有させた組成物を用いて塗膜を形成し、パターン露光を行うことで、露光部のみに光酸発生剤から酸を発生させ、選択的に無機粉末の凝集を起こさせた後、現像することにより、パターン形成を可能としたものである。
以下、本発明のパターン形成方法と、かかる方法に用い得るフォト沈降型組成物について詳細に説明する。
<パターン形成方法>
フォトリソグラフィー法を利用した本発明のパターン形成方法について説明する。
本発明のパターン形成方法は、パターン露光する際、露光部のみに酸を発生させ、選択的に無機粉末の凝集を起こさせることに最大の特徴がある。このような作用により露光部と非露光部、すなわちパターン部と現像除去部のコントラストを生じさせる。
まず、無機粉末、分散媒、及び光酸発生剤を含むフォト沈降型組成物を基板上に塗布して塗膜を形成する。フォト沈降型組成物を基板に塗布して塗膜を形成する方法としては、一般によく知られた塗布手段を用いることができ、例えば、スクリーン印刷法、バーコーター、ブレードコーター、ディップコートなど適宜の塗布方法を用いて塗膜を形成することができる。
このときの塗膜の膜厚は、目的とするパターンの厚みに応じて適宜設定され得る。
That is, the patterning mechanism in the pattern forming method of the present invention is as follows. When an inorganic powder of several nanometers to several micrometers, which is a dispersoid, is present in a suspended or suspended state in a dispersion medium such as an organic solvent, generally there is a charge on the surface of the dispersoid particles. The same kind of electric charge exists in the same kind of particles. For this reason, when the mass of the particles is small, the repulsive force of the surface charge is larger than the intermolecular force, and the aggregation of the particles is hindered and stabilized. In such a state, when an acid which is an ionic substance is present, ions are adsorbed on the surface charge of the dispersed inorganic powder, and the surface charge is neutralized to cause aggregation. The pattern forming method of the present invention utilizes such a mechanism. Specifically, a coating film is formed using a composition in which an inorganic powder is dispersed in an organic solvent and stabilized and a photoacid generator is contained, and pattern exposure is performed so that only an exposed portion is irradiated with light. A pattern can be formed by generating an acid from an acid generator and selectively agglomerating inorganic powder, followed by development.
Hereinafter, the pattern formation method of this invention and the photoprecipitation type composition which can be used for this method are demonstrated in detail.
<Pattern formation method>
The pattern forming method of the present invention using the photolithography method will be described.
The pattern forming method of the present invention has the greatest feature in that when pattern exposure is performed, an acid is generated only in an exposed portion, and the inorganic powder is selectively aggregated. By such an action, contrast between the exposed portion and the non-exposed portion, that is, the pattern portion and the development removal portion is generated.
First, a photoprecipitation type composition containing an inorganic powder, a dispersion medium, and a photoacid generator is applied onto a substrate to form a coating film. As a method for forming a coating film by applying a photoprecipitation composition to a substrate, generally well-known coating means can be used. For example, screen printing, bar coater, blade coater, dip coating, etc. A coating film can be formed using a coating method.
The film thickness of the coating film at this time can be appropriately set according to the thickness of the target pattern.

次いで、基板上に形成した塗膜をパターン露光する。
ここで、露光方法としては、所定の露光パターンを有するフォトマスクを用いた非接触露光やレーザー光等を用いた直接描画が挙げられる。特に非接触露光としては平行光であることが好ましい。
露光光源としては、ハロゲンランプ、高圧水銀灯、レーザー光、メタルハライドランプ、無電極ランプなどが使用される。また、露光量としては50〜1000mJ/cm程度が好ましい。
Next, the coating film formed on the substrate is subjected to pattern exposure.
Here, examples of the exposure method include non-contact exposure using a photomask having a predetermined exposure pattern and direct drawing using laser light or the like. In particular, the non-contact exposure is preferably parallel light.
As the exposure light source, a halogen lamp, a high-pressure mercury lamp, a laser beam, a metal halide lamp, an electrodeless lamp, or the like is used. Moreover, as an exposure amount, about 50-1000 mJ / cm < 2 > is preferable.

次に、露光した塗膜を現像する。現像方法としては、スプレー法、浸漬法等が用いられる。現像液は、塗膜の未露光部を除去し得るものであれば特に限定されるものではないが、例えば、水、界面活性剤含有水溶液、分散媒に用いた溶剤等が好適に用いられる。   Next, the exposed coating film is developed. As a developing method, a spray method, a dipping method, or the like is used. The developer is not particularly limited as long as it can remove the unexposed portion of the coating film. For example, water, a surfactant-containing aqueous solution, a solvent used in a dispersion medium, and the like are preferably used.

次に、現像して得られたパターンを焼成する。焼成温度は適宜設定され得、例えばPDPの前面基板の場合は通常450〜620℃である。
<フォト沈降型組成物>
本発明のパターン形成方法においては、無機粉末が分散している有機溶剤等の分散媒中に光酸発生剤を含有させてなるフォト沈降型組成物が用いられる。
無機粉末としては、例えば導電粉末や黒色顔料、ガラス粉末等が挙げられ、使用用途に応じて適宜選択される。
Next, the pattern obtained by development is baked. The firing temperature can be appropriately set. For example, in the case of a PDP front substrate, it is usually 450 to 620 ° C.
<Photo precipitation type composition>
In the pattern forming method of the present invention, a photoprecipitation type composition in which a photoacid generator is contained in a dispersion medium such as an organic solvent in which an inorganic powder is dispersed is used.
Examples of the inorganic powder include conductive powder, black pigment, glass powder, and the like, which are appropriately selected according to the intended use.

電極パターンの用途の場合には、導電粉末が用いられる。
この導電粉末としては、AgやAu、Pt、Pd、Ni、Cu、Al、Sn、Pb、Zn、Fe、Ir、Os、Rh、W、Mo、Ru等の単体とその合金の他、その酸化物、酸化錫(SnO2)、酸化インジウム(In23)、ITO(Indium Tin Oxide)などを用いることができる。
In the case of the use of an electrode pattern, a conductive powder is used.
This conductive powder includes Ag, Au, Pt, Pd, Ni, Cu, Al, Sn, Pb, Zn, Fe, Ir, Os, Rh, W, Mo, Ru, etc. An oxide, tin oxide (SnO 2 ), indium oxide (In 2 O 3 ), ITO (Indium Tin Oxide), or the like can be used.

ブラックパターンの用途の場合には、黒色顔料が用いられる。
この黒色顔料としては、Fe、Co、Cu、Cr、Mn、Al、Ru、Niの1種又は2種類以上を主成分として含む金属酸化物又は複合金属酸化物からなる黒色顔料、四三酸化コバルト(Co)、酸化ルテニウム、ランタン複合酸化物等を添加することができる。さらに上記用途の場合、密着性を向上させるために、必要に応じて以下に説明するガラス粉末を配合できる。
In the case of the use of a black pattern, a black pigment is used.
Examples of the black pigment include black pigments composed of metal oxides or composite metal oxides containing one or more of Fe, Co, Cu, Cr, Mn, Al, Ru, and Ni as main components, and cobalt trioxide. (Co 3 O 4 ), ruthenium oxide, lanthanum composite oxide, or the like can be added. Furthermore, in the case of the said use, in order to improve adhesiveness, the glass powder demonstrated below can be mix | blended as needed.

隔壁パターン及び誘電体パターンの用途の場合には、ガラス粉末が用いられる。
このガラス粉末としては、酸化鉛、酸化ビスマス、酸化亜鉛または酸化リチウムを主成分とするものが好適に使用できる。
In the case of the use of the partition pattern and the dielectric pattern, glass powder is used.
As this glass powder, those containing lead oxide, bismuth oxide, zinc oxide or lithium oxide as a main component can be suitably used.

これら無機粉末の配合割合は、組成物全体の10〜90質量%が好ましく、より好ましくは30〜75質量%であり、さらにより好ましくは50〜75質量%である。
無機粉末の配合割合が、上記範囲より少ない場合、パターンを形成するのに十分な無機粉末の凝集沈降が得られ難くなり、好ましくない。一方、上記範囲より多い場合、フォト沈降型組成物の流動性が得られ難く塗布性が劣るほか、露光部と非露光部のコントラストが得られ難くなるので好ましくない。
The blending ratio of these inorganic powders is preferably 10 to 90% by mass of the entire composition, more preferably 30 to 75% by mass, and even more preferably 50 to 75% by mass.
When the blending ratio of the inorganic powder is less than the above range, it is difficult to obtain sufficient aggregation and precipitation of the inorganic powder to form a pattern, which is not preferable. On the other hand, when the amount is larger than the above range, the flowability of the photoprecipitation composition is difficult to obtain and the coating property is inferior, and the contrast between the exposed portion and the non-exposed portion becomes difficult to obtain.

また、これらの無機粉末の粒径としては、マイクロトラックによって測定した平均粒径で、1nm〜5μmの大きさのものを用いることが好ましく、より好ましくは10nm〜3μm、さらにより好ましくは100nm〜1.5μmの大きさのものを用いる。この平均粒径が1nm未満の場合、粉末の扱いが難しくなり、一方、平均粒径が5μmを超える場合、分散状態を保持できず、保存安定性が悪くなるので好ましくない。   Moreover, as a particle size of these inorganic powders, it is preferable to use an average particle size measured by Microtrac and having a size of 1 nm to 5 μm, more preferably 10 nm to 3 μm, still more preferably 100 nm to 1 Use a size of 5 μm. When the average particle size is less than 1 nm, it is difficult to handle the powder. On the other hand, when the average particle size exceeds 5 μm, the dispersion state cannot be maintained, and the storage stability is deteriorated.

分散媒としては、例えば水や有機溶剤などの無機粉末を分散させるものであれば良いが、特に有機溶剤が好ましい。具体的な有機溶剤としては、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類;トルエン、キシレン、テトラメチルベンゼンなどの芳香族炭化水素類;セロソルブ、メチルセロソルブ、カルビトール、メチルカルビトール、ブチルカルビトール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテルなどのグリコールエーテル類;酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどの酢酸エステル類;エタノール、プロパノール、エチレングリコール、プロピレングリコールなどのアルコール類;オクタン、デカンなどの脂肪族炭化水素;石油エーテル、石油ナフサ、水添石油ナフサ、ソルベントナフサなどの石油系溶剤が挙げられ、これらを単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。   Any dispersion medium may be used as long as it can disperse an inorganic powder such as water or an organic solvent, but an organic solvent is particularly preferable. Specific organic solvents include ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone; aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene and tetramethylbenzene; cellosolve, methyl cellosolve, carbitol, methyl carbitol, butyl carbitol, propylene glycol monomethyl Glycol ethers such as ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether; ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, butyl cellosolve acetate, carbitol acetate, butyl carbitol acetate, propylene glycol Acetic esters such as monomethyl ether acetate; ethanol, propanol, ethylene glycol, pro Examples include alcohols such as lenglycol; aliphatic hydrocarbons such as octane and decane; petroleum-based solvents such as petroleum ether, petroleum naphtha, hydrogenated petroleum naphtha, and solvent naphtha. These may be used alone or in combination of two or more. Can be used.

光酸発生剤としては、露光により酸を発生する化合物であれば任意に選択して使用することができる。例えば、ジアゾニウム塩、ヨードニウム塩、ブロモニウム塩、クロロニウム塩、スルホニウム塩、セレノニウム塩、ピリリウム塩、チアピリリウム塩、ピリジニウム塩等のオニウム塩;トリス(トリハロメチル)−s−トリアジン(例えば2,4,6−トリス(トリクロロメチル)−s−トリアジン)、2−[2−(5−メチルフラン−2−イル)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−[2−(フラン−2−イル)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−メトキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−メチル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン等のハロゲン化化合物;スルホン酸の2−ニトロベンジルエステル;イミノスルホナート;1−オキソ−2−ジアゾナフトキノン−4−スルホナート誘導体;N−ヒドロキシイミド=スルホナート;トリ(メタンスルホニルオキシ)ベンゼン誘導体;ビススルホニルジアゾメタン類;スルホニルカルボニルアルカン類;スルホニルカルボニルジアゾメタン類;ジスルホン化合物;鉄アレン錯体等を挙げることができる。特に好ましくは、ジアゾニウム塩、スルホニウム塩、スルホン酸の2−ニトロベンジルエステル、イミノスルホナート、N−ヒドロキシイミド=スルホナート、ビススルホニルジアゾメタン類が好適に用いられる。これらの光酸発生剤は、単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。市販されているものとしては、例えばユニオン・カーバイド社製のCYRACURE(登録商標)UVI−6950,UVI−6970、旭電化工業社製のオプトマーSP−150,SP−151,SP−152,SP−170、SP−171、日本曹達社製のCI−2855、デグサ社製のDegacere KI 85 Bなどのトリアリールスルホニウム塩や非置換又は置換されたアリールジアゾニウム塩、ジアリールヨードニウム塩が挙げられる。また、スルホン酸誘導体としてはみどり化学社製PAI−101等が挙げられる。   As a photo-acid generator, if it is a compound which generate | occur | produces an acid by exposure, it can select arbitrarily and can be used. For example, dionium salts, iodonium salts, bromonium salts, chloronium salts, sulfonium salts, selenonium salts, pyrium salts, thiapyrylium salts, pyridinium salts and other onium salts; tris (trihalomethyl) -s-triazines (for example, 2,4,6- Tris (trichloromethyl) -s-triazine), 2- [2- (5-methylfuran-2-yl) ethenyl] -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- [2- (furan -2-yl) ethenyl] -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-methoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2-methyl-4 Halogenated compounds such as 1,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine; 2-nitrobenzyl ester of sulfonic acid 1-oxo-2-diazonaphthoquinone-4-sulfonate derivative; N-hydroxyimide = sulfonate; tri (methanesulfonyloxy) benzene derivative; bissulfonyldiazomethanes; sulfonylcarbonylalkanes; sulfonylcarbonyldiazomethanes; Compound; iron allene complex and the like. Particularly preferably, diazonium salt, sulfonium salt, 2-nitrobenzyl ester of sulfonic acid, iminosulfonate, N-hydroxyimide = sulfonate, and bissulfonyldiazomethane are preferably used. These photoacid generators can be used alone or in combination of two or more. Examples of commercially available products include CYRACURE (registered trademark) UVI-6950 and UVI-6970 manufactured by Union Carbide, and Optomer SP-150, SP-151, SP-152, and SP-170 manufactured by Asahi Denka Kogyo Co., Ltd. , SP-171, CI-2855 manufactured by Nippon Soda Co., Ltd., Dearyla KI 85 B manufactured by Triarylsulfonium salts, unsubstituted or substituted aryldiazonium salts, and diaryliodonium salts. Examples of the sulfonic acid derivative include PAI-101 manufactured by Midori Chemical.

これらの光酸発生剤の配合割合は、組成物全体の0.1〜25質量%であり、より好ましくは1〜10質量%である。0.1質量%より少ない場合、露光により生成する酸が少なく、パターン形成が出来難くなるので好ましくない。一方、25%より多くてもさらなるパターン形成性の向上は見込まれない。   The mixture ratio of these photo-acid generators is 0.1-25 mass% of the whole composition, More preferably, it is 1-10 mass%. When the amount is less than 0.1% by mass, the amount of acid generated by exposure is small, and it becomes difficult to form a pattern. On the other hand, even if it exceeds 25%, no further improvement in pattern formability is expected.

本発明のフォト沈降型組成物は、分散剤を含有し得る。分散剤としては、無機粉末を分散媒中に分散できるものであれば特に限定されるものではなく、1種或いは2種以上を混合して用いることもできる。例えば、ポリカルボン酸型高分子界面活性剤、変性アクリル系ブロック共重合体、顔料親和性基を有するアクリル共重合物、塩基性或いは酸性の顔料吸着基を有するブロック共重合物、顔料親和性基を有する変性ポリアルコキシレート、ポリアミノアマイド塩とポリエステル、極性酸エステルと高分子アルコールの組み合わせ、酸性ポリマーのアルキルアンモニウム塩、酸基を含む共重合体及びアルキルアンモニウム塩、顔料親和性基を有する高分子量ブロック共重合体、特殊変性ウレア等が挙げられるが特にこれらに限定されるものではなく、適宜使用することが出来る。   The photoprecipitation type composition of the present invention may contain a dispersant. The dispersant is not particularly limited as long as it can disperse the inorganic powder in the dispersion medium, and one kind or a mixture of two or more kinds can be used. For example, polycarboxylic acid type polymer surfactant, modified acrylic block copolymer, acrylic copolymer having pigment affinity group, block copolymer having basic or acidic pigment adsorbing group, pigment affinity group Modified polyalkoxylates, polyaminoamide salts and polyesters, combinations of polar acid esters and polymeric alcohols, alkylammonium salts of acidic polymers, copolymers containing acid groups and alkylammonium salts, high molecular weights having pigment affinity groups A block copolymer, a specially modified urea and the like can be mentioned, but the invention is not particularly limited to these and can be used as appropriate.

本発明のフォト沈降型組成物には、必要に応じて、更にシリコーン系、アクリル系等の消泡・レベリング剤、流動性を調整するためのチキソ性付与剤、皮膜の密着性向上のためにシランカップリング剤等の他の添加剤を添加することもできる。   For the photoprecipitation type composition of the present invention, if necessary, further antifoaming / leveling agents such as silicones and acrylics, thixotropic agents for adjusting fluidity, and improvement of film adhesion Other additives such as silane coupling agents can also be added.

以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明が下記実施例に限定されるものでないことはもとよりである。なお、以下において「部」又は「%」は、特に断りのない限りすべて質量部又は質量%である。
〔分散液の調製〕
無機粉末、分散媒(有機溶剤)及び、各種添加剤を以下に示す組成比にて配合し、ジルコニアビーズ(φ5mm)を入れた容器に入れ攪拌機(CONDITIONING MIXER MX−201:(株)シンキー)により5分間処理した。次いで300メッシュのポリエステルメッシュを用いてろ過を行い、ジルコニアビーズを除去して無機粉末の分散液1〜4を調製した。
EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated concretely based on an Example, it cannot be overemphasized that this invention is not limited to the following Example. In the following description, “parts” or “%” are all parts by mass or mass% unless otherwise specified.
(Preparation of dispersion)
Inorganic powder, dispersion medium (organic solvent), and various additives are blended in the composition ratios shown below, placed in a container containing zirconia beads (φ5 mm), and stirred by a stirrer (CONDITIONING MIXER MX-201: Sinky Corporation). Treated for 5 minutes. Subsequently, it filtered using the 300 mesh polyester mesh, the zirconia bead was removed, and the dispersion liquids 1-4 of the inorganic powder were prepared.

無機粉末として、以下のガラス粉末及び耐熱性黒色顔料を使用した。
ガラス粉末:Biが50%、Bが16%、ZnOが14%、SiOが2%、BaOが18%の組成を有する熱膨張係数α300=86×10−7/℃、ガラス転移点が445℃のガラスを粉砕したものを使用した。
耐熱性黒色顔料:四三酸化コバルト(Co)を使用した。
(ガラス分散液)
分散液1
ガラス粉末(平均粒径0.8μm) 70部
有機溶剤(2,2,4−トリメチル−1,3−ペンタンジオールモノイソブチレート)
30部
分散液2
ガラス粉末(平均粒径0.8μm) 70部
有機溶剤(2,2,4−トリメチル−1,3−ペンタンジオールモノイソブチレート)
29部
分散剤(BYK−191:ビックケミー・ジャパン社製) 1部
分散液3
ガラス粉末(平均粒径0.8μm) 70部
有機溶剤(2,2,4−トリメチル−1,3−ペンタンジオールモノイソブチレート)
29部
分散剤(BYK−182:ビックケミー・ジャパン社製) 0.7部
チキソ性付与剤(BYK−410:ビックケミー・ジャパン社製) 0.3部
(耐熱性黒色顔料分散液)
分散液4
耐熱性黒色顔料(平均粒径0.2μm) 70部
有機溶剤(トリプロピレングリコールメチルエーテル) 24部
分散剤(BYK−145:ビックケミー・ジャパン社製) 6部
〔フォト沈降型組成物の調製〕
前記分散液1〜4それぞれについて、全量に対して光酸発生剤(アデカオプトマー SP−152:旭電化工業(株))を5質量%配合し、攪拌機により攪拌を行い、本発明例となるフォト沈降型組成物1〜4を作製した。
The following glass powder and heat-resistant black pigment were used as the inorganic powder.
Glass powder: thermal expansion coefficient α 300 = 86 × 10 −7 / with a composition of 50% Bi 2 O 3 , 16% B 2 O 3 , 14% ZnO, 2% SiO 2 and 18% BaO A glass crushed glass having a glass transition point of 445 ° C. was used.
Heat resistant black pigment: Cobalt tetroxide (Co 3 O 4 ) was used.
(Glass dispersion)
Dispersion 1
Glass powder (average particle size 0.8 μm) 70 parts Organic solvent (2,2,4-trimethyl-1,3-pentanediol monoisobutyrate)
30 parts Dispersion 2
Glass powder (average particle size 0.8 μm) 70 parts Organic solvent (2,2,4-trimethyl-1,3-pentanediol monoisobutyrate)
29 parts Dispersant (BYK-191: manufactured by Big Chemie Japan) 1 part Dispersion 3
Glass powder (average particle size 0.8 μm) 70 parts Organic solvent (2,2,4-trimethyl-1,3-pentanediol monoisobutyrate)
29 parts Dispersant (BYK-182: manufactured by Big Chemie Japan) 0.7 part Thixotropic agent (BYK-410: manufactured by Big Chemie Japan) 0.3 part (heat resistant black pigment dispersion)
Dispersion 4
Heat resistant black pigment (average particle size 0.2 μm) 70 parts Organic solvent (tripropylene glycol methyl ether) 24 parts Dispersant (BYK-145: manufactured by Big Chemie Japan) 6 parts [Preparation of Photo Precipitation Type Composition]
For each of the dispersions 1 to 4, 5% by mass of a photoacid generator (Adekaoptomer SP-152: Asahi Denka Kogyo Co., Ltd.) is blended with respect to the total amount, and stirred with a stirrer to provide an example of the present invention. Photoprecipitation type compositions 1 to 4 were prepared.

〔パターンの形成〕
得られたフォト沈降型組成物1〜4を用いて、以下に示す方法によりパターン形成を行った。
ガラス基板上に、フォト沈降型組成物を200メッシュのポリエステルスクリーンを用いて全面に塗布し、次いで、光源としてメタルハライドランプを用い、ネガマスクを介して、積算光量が500mJ/cmとなるように非接触かつ平行光にてパターン露光した後、液温30℃で水現像を行った。最後に空気雰囲気下にて10℃/分の昇温速度で昇温し、570℃で10分間焼成して試験片を作製した。
このようにして得られた試験片について、解像性、密着性、黒さ(L*値)を評価した。その評価方法は以下の通りである。
[Formation of pattern]
Pattern formation was performed by the method shown below using the obtained photoprecipitation type compositions 1-4.
A photoprecipitation composition is applied on the entire surface of a glass substrate using a 200-mesh polyester screen, and then a metal halide lamp is used as a light source, so that the integrated light quantity is 500 mJ / cm 2 through a negative mask. After pattern exposure with contact and parallel light, water development was performed at a liquid temperature of 30 ° C. Finally, the temperature was increased at a rate of temperature increase of 10 ° C./min in an air atmosphere, and firing was performed at 570 ° C. for 10 minutes to prepare a test piece.
The test pieces thus obtained were evaluated for resolution, adhesion, and blackness (L * value). The evaluation method is as follows.

解像性:上記方法によって作製した試験片の最小ライン幅を評価した。
密着性:上記方法によって作製した試験片について、粘着テープピーリングを行い、パターンの剥離について評価した。
黒さ(L*値):パターン寸法20mm×40mmのパターンが作製できるネガマスクを用いて、上記方法によって作製した試験片について色彩色差計(CR−221:ミノルタカメラ社製)によりL*a*b*表色系の値をJIS−Z−8729に従って測定し、明度を表す指数であるL*値を黒色度の指標として評価した。
尚、このL*値が小さいほど黒色度に優れる。
これらの評価結果を表1に示す。
Resolution: The minimum line width of the test piece prepared by the above method was evaluated.
Adhesion: About the test piece produced by the said method, adhesive tape peeling was performed and peeling of a pattern was evaluated.
Blackness (L * value): L * a * b using a color difference meter (CR-221: manufactured by Minolta Camera Co., Ltd.) for the test piece prepared by the above method using a negative mask capable of producing a pattern with a pattern size of 20 mm × 40 mm. * The value of the color system was measured according to JIS-Z-8729, and the L * value, which is an index representing brightness, was evaluated as an index of blackness.
The smaller the L * value, the better the blackness.
These evaluation results are shown in Table 1.

Figure 2010066392
表1に示す結果より、本発明のフォト沈降型組成物を用い、本発明のパターン形成方法により作製されたパターンは、解像性、密着性に優れ、充分な黒さを有するものであり、各種パターンとして好適に使用できることが確認された。
Figure 2010066392
From the results shown in Table 1, using the photoprecipitation composition of the present invention, the pattern produced by the pattern forming method of the present invention is excellent in resolution and adhesion, and has sufficient blackness. It was confirmed that it can be suitably used as various patterns.

Claims (7)

露光による無機粉末の凝集沈降によりパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。   A pattern forming method comprising forming a pattern by coagulation sedimentation of inorganic powder by exposure. 無機粉末、分散媒、及び光酸発生剤を含むフォト沈降型組成物を基板上に塗布して塗膜を形成する工程と、得られた塗膜をパターン露光して無機粉末を凝集沈降させる工程と、現像する工程と、現像して得られたパターンを焼成する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。   A step of applying a photoprecipitation composition containing an inorganic powder, a dispersion medium, and a photoacid generator on a substrate to form a coating film, and a step of pattern exposing the obtained coating film to agglomerate and precipitate the inorganic powder. And a step of developing, and a step of baking a pattern obtained by development. 前記無機粉末の平均粒径が1nm〜5μmであることを特徴とする請求項1又は2に記載のパターン形成方法。   The pattern forming method according to claim 1 or 2, wherein the inorganic powder has an average particle diameter of 1 nm to 5 µm. 露光による無機粉末の凝集沈降によりパターンを形成するフォトリソグラフィー法に用いる組成物であって、無機粉末、分散媒、光酸発生剤を含むことを特徴とするフォト沈降型組成物。   A composition for use in a photolithography method for forming a pattern by agglomeration and precipitation of inorganic powder by exposure, comprising an inorganic powder, a dispersion medium, and a photoacid generator. 前記無機粉末の平均粒径が1nm〜5μmであることを特徴とする請求項4に記載のフォト沈降型組成物。   The photoprecipitation composition according to claim 4, wherein the inorganic powder has an average particle size of 1 nm to 5 µm. 前記分散媒として有機溶剤を用いることを特徴とする請求項4に記載のフォト沈降型組成物。   5. The photoprecipitation composition according to claim 4, wherein an organic solvent is used as the dispersion medium. 請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法を用いて形成されたパターン。   The pattern formed using the method of any one of Claims 1-3.
JP2008231112A 2008-09-09 2008-09-09 Pattern forming method and photoprecipitation composition used in the method Active JP5376876B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008231112A JP5376876B2 (en) 2008-09-09 2008-09-09 Pattern forming method and photoprecipitation composition used in the method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008231112A JP5376876B2 (en) 2008-09-09 2008-09-09 Pattern forming method and photoprecipitation composition used in the method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010066392A true JP2010066392A (en) 2010-03-25
JP5376876B2 JP5376876B2 (en) 2013-12-25

Family

ID=42192051

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008231112A Active JP5376876B2 (en) 2008-09-09 2008-09-09 Pattern forming method and photoprecipitation composition used in the method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5376876B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019188522A1 (en) * 2018-03-27 2019-10-03 富士フイルム株式会社 Inkjet ink composition, method for producing same, and image-forming method
JP2020520469A (en) * 2017-04-18 2020-07-09 ザ・ユニバーシティ・オブ・シカゴThe University Of Chicago Inorganic nanocrystals capped with photoactive inorganic ligands

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004307853A (en) * 2003-03-27 2004-11-04 Toda Kogyo Corp Transparent coloring composition and color filter
JP2005013839A (en) * 2003-06-25 2005-01-20 Zeotekku Kenkyusho:Kk Optical flocculating and filtering method and its system
JP2005300633A (en) * 2004-04-07 2005-10-27 Sumitomo Chemical Co Ltd Photosensitive paste
JP2008156754A (en) * 2006-11-30 2008-07-10 Nippon Steel Corp Weld steel pipe with excellent low-temperature toughness for high-strength line pipe and process for producing the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004307853A (en) * 2003-03-27 2004-11-04 Toda Kogyo Corp Transparent coloring composition and color filter
JP2005013839A (en) * 2003-06-25 2005-01-20 Zeotekku Kenkyusho:Kk Optical flocculating and filtering method and its system
JP2005300633A (en) * 2004-04-07 2005-10-27 Sumitomo Chemical Co Ltd Photosensitive paste
JP2008156754A (en) * 2006-11-30 2008-07-10 Nippon Steel Corp Weld steel pipe with excellent low-temperature toughness for high-strength line pipe and process for producing the same

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020520469A (en) * 2017-04-18 2020-07-09 ザ・ユニバーシティ・オブ・シカゴThe University Of Chicago Inorganic nanocrystals capped with photoactive inorganic ligands
JP7173593B2 (en) 2017-04-18 2022-11-16 ザ・ユニバーシティ・オブ・シカゴ Inorganic nanocrystals capped with photoactive inorganic ligands
WO2019188522A1 (en) * 2018-03-27 2019-10-03 富士フイルム株式会社 Inkjet ink composition, method for producing same, and image-forming method
JPWO2019188522A1 (en) * 2018-03-27 2020-12-03 富士フイルム株式会社 An inkjet ink composition, a method for producing the same, and a method for forming an image.
US11939479B2 (en) 2018-03-27 2024-03-26 Fujifilm Corporation Ink jet ink composition, method for producing the same, and image-forming method

Also Published As

Publication number Publication date
JP5376876B2 (en) 2013-12-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8313173B2 (en) Compositions and processes for manufacturing printed electronics
JP7297256B2 (en) Lithographic composition, patterning method, and compound
WO2012148884A2 (en) Orthogonal solvents and compatible photoresists for the photolithographic patterning of organic electronic devices
KR101894181B1 (en) Photosensitive composition and pattern forming method
TWI242689B (en) Chemically amplified negative photoresist composition for the formation of thick films, photoresist base material and method of forming bumps using the same
KR20020043166A (en) Method of forming conductive pattern
TW201421541A (en) Conductive pattern fabrication method
KR20150018608A (en) Photoactivated etching paste and its use
JP5376876B2 (en) Pattern forming method and photoprecipitation composition used in the method
CN101359177A (en) Inorganic particle-containing resin composition, pattern forming method and electrode producing method
JP6002216B2 (en) Conductive composition and circuit board on which conductive film is formed
TW200402754A (en) Conductive paste composition, transcription film to form electrode and electrode for plasma display panel
JP2001084833A (en) Conductive resin composition and transfer film for forming electrode
JP2010039396A (en) Photosensitive paste composition
JP5169757B2 (en) Photosensitive composition, method for forming fired body, and method for producing flat display panel
JP2006219660A (en) Inorganic powder-containing resin composition, transfer film, and method for producing plasma display panel
JP2005134439A (en) Photosensitive resin composition and its cured product
JPH1073923A (en) Manufacture of photosensitive resin composition and printed-wiring board
JP5067249B2 (en) Paste composition and conductive composition using the same
JP2004206883A (en) Plasma display and method of manufacturing two-layer structure electrode for plasma display
JP2008298999A (en) Inorganic powder-containing resin composition, pattern forming method and method for producing member for flat panel display
JP2006350029A (en) Black resist composition
JP3539215B2 (en) Electrode forming method and transfer film used therefor
JP4304874B2 (en) Functional dispersion
JP2019101052A (en) Photosensitive resin composition and method for producing circuit board

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110808

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121121

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121127

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130128

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130827

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130924

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5376876

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250