JP2010062206A - 液晶性有機半導体素子 - Google Patents
液晶性有機半導体素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010062206A JP2010062206A JP2008223746A JP2008223746A JP2010062206A JP 2010062206 A JP2010062206 A JP 2010062206A JP 2008223746 A JP2008223746 A JP 2008223746A JP 2008223746 A JP2008223746 A JP 2008223746A JP 2010062206 A JP2010062206 A JP 2010062206A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- organic semiconductor
- crystal material
- ferroelectric liquid
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 11
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 claims description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 abstract description 14
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 10
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 6
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007385 chemical modification Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N dioxoiridium Chemical compound O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001894 space-charge-limited current method Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
【課題】電極材料／液晶性有機半導体（液晶物質）／電極材料の構成において、低電界で電荷注入を促進する。
【解決手段】２つの平板状電極１及び３と、液晶性有機半導体に強誘電性を付与した強誘電性液晶物質２とを備え、前記平板状電極は前記強誘電体液晶物質を挟み、前記平板状電極間に電圧を加えることにより前記強誘電性液晶物質を分極させ、電荷注入を促進させる液晶性有機半導体素子。
【選択図】図１
【解決手段】２つの平板状電極１及び３と、液晶性有機半導体に強誘電性を付与した強誘電性液晶物質２とを備え、前記平板状電極は前記強誘電体液晶物質を挟み、前記平板状電極間に電圧を加えることにより前記強誘電性液晶物質を分極させ、電荷注入を促進させる液晶性有機半導体素子。
【選択図】図１
Description
本発明は、有機半導体材料を利用して作製される光センサ、有機ＥＬ、有機トランジスタ、有機太陽電池や有機半導体メモリなどの有機電子デバイスにおける電極と有機半導体界面における電荷注入を促進した新しい素子に関する。
電極から有機半導体へ電荷注入は、光センサ、有機ＥＬ、有機トランジスタ、有機半導体メモリをはじめとする有機電子デバイスを実現する上での重要な技術課題である。電極から有機半導体への効率的な電荷注入は、ドーピングによるオーミック層の形成が容易でないため、その改善には、一般的な方法として有機半導体の伝導レベルと電極材料の仕事関数のマッチング、すなわち、電極から正孔の注入を促進する場合は、電極材料と有機半導体材料のＨＯＭＯレベルとのエネルギー障壁をできる限り小さくするよう、また、電子の注入を促進する場合には電極材料と有機半導体材料のＬＵＭＯレベルとエネルギー障壁が小さくなるよう電極材料と有機半導体材料の選択が行われる（例えば非特許文献１等参照）。あるいは、電極表面を、ダイポールをもつ有機分子により化学修飾することにより、電荷注入をする方法が知られている（例えば非特許文献２等参照）。
また、電極表面に電荷注入をよくするために、有機半導体と電極とエネルギーとの間にエネルギー準位を持つ物質や電荷注入を促進する物質を電極表面に積層する方法が知られている。例えば、正孔注入の促進では、ＩＴＯ電極の表面にフタロシアニンや三酸化モリブデン（ＭｏＯ３）の極薄膜を正孔注入層として用いる例や、電子注入の促進にはＬｉやフッ化リチウム（ＬｉＦ）、炭化セシウム（ＣｓＣＯ３）の極薄膜を電極材料の積層する例などが知られている（例えば非特許文献３等参照）。
特開２００５−２５９７３７号公報
Ｃｈｉｍｅｄ Ｇａｎｚｏｒｉｎｇ ｅｔ．ａｌ． Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． Ｖｏｌ．７９、Ｐ２７２
特開２００７−２５８７２４号公報
従来の電荷注入の促進は、電極表面の化学修飾や電極表面に電荷注入を促進するための電荷注入層を新たに設置する必要があり、素子の作製上、工程が増えるという問題点があった。
本発明では、有機半導体そのものに電荷注入を促進する機能を持たせることにより、電荷注入層を設置することなく電荷注入可能な半導体素子であって、以下の手段により実現可能である。
（１） ２つの平板状電極と、液晶性有機半導体に強誘電性を付与した強誘電性液晶物質と、を備え、前記平板状電極は前記強誘電体液晶物質を挟み、前記平板状電極間に電圧を加えることにより前記強誘電性液晶物質を分極させることにより電荷注入を促進させる液晶性有機半導体素子。
（１）記載の発明によれば、外部電界により強誘電性物質を分極させているので、低電界領域からの電荷注入が促進される。
（２） 前記強誘電体液晶物質が、テルフェニール（ｔｅｒｐｈｅｎｙｌ）系の強誘電性液晶物質である請求項１に記載の液晶性有機半導体素子。
（２）に記載の発明によれば、強誘電性液晶材料は、強誘電体であると同時に有機半導体であるため、電界を印加し、抗電界以上の電界とすることにより分極して電荷の注入が促進される。強誘電性液晶物質の分極は、正極および負極近傍に残留分極として分極が現れるため、注入障壁が低下して、原理的に正孔、電子の注入がともに促進される可能性が高くなり、電荷の注入が促進されることになる。
（３） （１）において、前記２つの平板状電極を仕事関数が異なる材質を用いた平板状電極として、仕事関数の大きな平板状電極側から正孔を注入し、仕事関数の小さな平板状電極側より電子を注入することを特徴とする請求項１または２に記載の液晶性有機半導体素子。
（３）記載の発明によれば、仕事関数の異なる電極を用いているため、更に電荷の注入が促進される。電荷注入の促進は、電極材料と強誘電性液晶の伝導レベルとの相対的なエネルギー位置関係に依存すると考えられることから、正孔の注入の促進には、仕事関数の大きな電極材料、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、スズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、酸化モリブデン（ＭｏＯ３）、酸化イリジウム（ＩｒＯ２）などの電極材料を用いることが効果的である。また、電子注入の促進には、仕事関数の小さな電極材料、例えば、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などの電極材料を用いることができる。
電極材料／有機半導体（分極可能な強誘電体）／電極材料の構成において、有機半導体として用いる液晶物質に強誘電性を付与することにより、低電界で電荷注入を促進する。このため、それぞれの電荷注入層を別途設置する必要がなく、有機半導体層のみによって、電子、正孔の電荷注入を促進できるため、素子作製プロセスを簡略化できる。
以下、本発明を実施するための最良の形態について図を参照しながら説明する。なお、これはあくまでも一例であって、本発明の技術的範囲はこれに限られるものではない。
＜実施例１＞
図１は、本発明による有機半導体素子の構造を示している。図２は、有機半導体素子として使用したテルフェニール（ｔｅｒｐｈｅｎｙｌ）系の強誘電性液晶物質の分子構造を示している。図３は、電極間距離を１．５μｍとした場合の電流電圧特性を示している。
図１は、本発明による有機半導体素子の構造を示している。図２は、有機半導体素子として使用したテルフェニール（ｔｅｒｐｈｅｎｙｌ）系の強誘電性液晶物質の分子構造を示している。図３は、電極間距離を１．５μｍとした場合の電流電圧特性を示している。
図１において本発明による液晶セル構造は、電極Ａ１、電極Ｂ３に強誘電性液晶物質２を挟んでいる。電極Ａ１及び電極Ｂ２としてスズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）を使用し、図２に示したテルフェニール（ｔｅｒｐｈｅｎｙｌ）系の強誘電性液晶を挟んでいる。
図３は、電流電圧特性を測定した結果である。電極間距離１．５μｍの表面安定化された液晶セルは、強誘電性液晶の螺旋構造が解けている。電圧を印加して電界を高くするに従い、自発分極の配向の変化に基づく電気的特性が変化しており、３×１０３Ｖ／ｃｍ程度の低電界から電荷注入が促進され、傾き２の空間電荷制限電流（ＳＣＬＣ）が観測される。
＜実施例２＞
実施例２としては、実施例１と同様の電極材料及び強誘電性液晶材料を使用し、電極間距離を１３．５μｍと厚くした液晶セルである。電極間距離が１３．５μｍの液晶セルでは、電圧を印加し、電界を高くしていくと分極により電荷注入が促進され、１０５Ｖ／ｃｍ程度から、傾き２の空間電荷制限電流（ＳＣＬＣ）が観測された。
実施例２としては、実施例１と同様の電極材料及び強誘電性液晶材料を使用し、電極間距離を１３．５μｍと厚くした液晶セルである。電極間距離が１３．５μｍの液晶セルでは、電圧を印加し、電界を高くしていくと分極により電荷注入が促進され、１０５Ｖ／ｃｍ程度から、傾き２の空間電荷制限電流（ＳＣＬＣ）が観測された。
以上、本発明の実施形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されない。上記実施形態に、多様な変更又は改良を加えることができる。そのような変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。例えば、原理的には、本発明に示した有機強誘電体に限らず、分極が生起されるものとして無機強誘電体においても同様な原理から実現可能であると考えられる。従来、強誘電体といえども誘電体であるので、電荷輸送はできないと考えられていたが、分極を利用することにより、電荷の注入が促進され、様々な有機電子デバイスへの応用が考えられる。
１ 電極Ａ
２ 強誘電性液晶物質
３ 電極Ｂ
２ 強誘電性液晶物質
３ 電極Ｂ
Claims (3)
- ２つの平板状電極と、
液晶性有機半導体に強誘電性を付与した強誘電性液晶物質と、
を備え、
前記平板状電極は前記強誘電性液晶物質を挟み、
前記平板状電極間に電圧を加えることにより前記強誘電性液晶物質を分極させることにより電荷注入を促進させる液晶性有機半導体素子。 - 前記強誘電体液晶物質が、テルフェニール（ｔｅｒｐｈｅｎｙｌ）系の強誘電性液晶物質である請求項１に記載の液晶性有機半導体素子。
- 前記２つの平板状電極を仕事関数が異なる材質を用いた平板状電極として、
仕事関数の大きな平板状電極側から正孔を注入し、仕事関数の小さな平板状電極側より電子を注入することを特徴とする請求項１または２に記載の液晶性有機半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008223746A JP5346525B2 (ja) | 2008-09-01 | 2008-09-01 | 液晶性有機半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008223746A JP5346525B2 (ja) | 2008-09-01 | 2008-09-01 | 液晶性有機半導体素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010062206A true JP2010062206A (ja) | 2010-03-18 |
| JP5346525B2 JP5346525B2 (ja) | 2013-11-20 |
Family
ID=42188724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008223746A Expired - Fee Related JP5346525B2 (ja) | 2008-09-01 | 2008-09-01 | 液晶性有機半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5346525B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05213825A (ja) * | 1992-02-08 | 1993-08-24 | Kanebo Ltd | 含フッ素ターフェニル型強誘電性液晶化合物及びそれを用いたカイラルスメクチック液晶組成物 |
| JP2008041869A (ja) * | 2006-08-04 | 2008-02-21 | Bando Chem Ind Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
-
2008
- 2008-09-01 JP JP2008223746A patent/JP5346525B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05213825A (ja) * | 1992-02-08 | 1993-08-24 | Kanebo Ltd | 含フッ素ターフェニル型強誘電性液晶化合物及びそれを用いたカイラルスメクチック液晶組成物 |
| JP2008041869A (ja) * | 2006-08-04 | 2008-02-21 | Bando Chem Ind Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JPN6013026783; 半那純一: '液晶性有機半導体における電極／液晶界面における電荷注入' 日本写真学会誌 Ｖｏｌ． ６９， ｐ．４２-４７, 2006 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5346525B2 (ja) | 2013-11-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Bertolazzi et al. | Nonvolatile memories based on graphene and related 2D materials | |
| JP5521021B2 (ja) | 半導体装置及び電子機器 | |
| CN103201106B (zh) | 具有永久偶极层的透明石墨烯导体 | |
| Chen et al. | Single-layer organic memory devices based on N, N′-di (naphthalene-l-yl)-N, N′-diphenyl-benzidine | |
| Liao et al. | Two-dimensional Cs2Pb (SCN) 2Br2-based photomemory devices showing a photoinduced recovery behavior and an unusual fully optically driven memory behavior | |
| Li et al. | Solution-processable low-voltage and flexible floating-gate memories based on an n-type polymer semiconductor and high-k polymer gate dielectrics | |
| CN105810102B (zh) | 柔性显示装置的制造方法 | |
| KR100483593B1 (ko) | 비휘발성 메모리 소자와 그 행렬 디스플레이 패널 | |
| JP2004207697A (ja) | ひずみ依存導電素子を備えた圧電アレイおよびその方法 | |
| JP2005501398A (ja) | 複合分子材料を使用したフローティングゲートメモリデバイス | |
| Tang et al. | Strategy for selective printing of gate insulators customized for practical application in organic integrated devices | |
| Tan et al. | Gate‐Switchable BST Ferroelectric MoS2 FETs for Non‐Volatile Digital Memory and Analog Memristor | |
| Taguchi et al. | Analysis of carrier transients in double-layer organic light emitting diodes by electric-field-induced second-harmonic generation measurement | |
| WO2020118988A1 (zh) | 显示面板及其制作方法 | |
| JP2003258336A (ja) | 分子デバイス及びその製造方法 | |
| Ma et al. | Detecting electric dipoles interaction at the interface of ferroelectric and electrolyte using graphene field effect transistors | |
| JP5346525B2 (ja) | 液晶性有機半導体素子 | |
| KR101268696B1 (ko) | 투명 기판 또는 플렉시블 기판을 이용한 투명 또는 플렉서블한 비휘발성 메모리 소자 제조 방법 | |
| JP5241489B2 (ja) | 強誘電体メモリ装置の製造方法 | |
| Zhao et al. | Macroscopic Piezoelectricity of Halide Perovskite Single Crystals and Their Highly Sensitive Self-Powered X-ray Detectors | |
| CN1181553C (zh) | 非易失性半导体存储装置 | |
| Sakai et al. | Organic field-effect-transistor-based memory with nylon 11 as gate dielectric | |
| Sun et al. | High-performance polymer semiconductor-based nonvolatile memory cells with nondestructive read-out | |
| JP2007134354A (ja) | 有機強誘電体キャパシタの製造方法、有機強誘電体キャパシタ、有機強誘電体メモリ、および電子機器 | |
| TW201037819A (en) | Method for using thin film transistor (TFT) as nonvolatile memory and device thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100712 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100721 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100712 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110822 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130604 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130813 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130819 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5346525 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |