JP2010044073A - マイクロ波周波数に使用可能なx線検出器 - Google Patents
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Abstract
【課題】マイクロ波周波数におけるX線ビームの変調を測定することが可能なX線検出器を提供する。
【課題】Xフォトンの周期的なパケットの検出器(各パケットが、0.1nsよりも短い持続時間を有している)であって、この検出器は、負性微分抵抗領域においてバイアスされているIII−V族の半導体素子を有するセンサ20を備えており、このセンサ20が、パケットの繰り返し周波数の倍数に同調された共鳴キャビティ21内に配置されている。
【選択図】図5
【課題】Xフォトンの周期的なパケットの検出器(各パケットが、0.1nsよりも短い持続時間を有している)であって、この検出器は、負性微分抵抗領域においてバイアスされているIII−V族の半導体素子を有するセンサ20を備えており、このセンサ20が、パケットの繰り返し周波数の倍数に同調された共鳴キャビティ21内に配置されている。
【選択図】図5
Description
本発明は、1GHzから200GHzまでのマイクロ波周波数におけるX線ビームの変調を測定することが可能なX線検出器に関連する。ここで、振幅変調については、非常に低くすること、すなわち、例えば、D.C.信号レベルより−100dBも下回る程度とすることが可能である。
最も一般的なX線センサは、自身の接合静電容量によって1GHzスピードに制限されたシリコンフォトダイオードを有している。また、その高周波ダイナミックレンジは、30dBから50dBを超えるものではない。周波数分解によるというよりも時間分解による測定に関しては、より速いAsGaまたはダイヤモンドダイオードが使用される。しかしながら、これらのダイナミックレンジは、同様に不十分(30dB)である一方、これらの降下時間は、0.1ns(ダイヤモンド)から1ns(GaAs)より長い持続時間を有する遅い成分によって、劣化されている。
Yunong Qi(ユーノグ キィ), Zhi-G. Yu(ジヒ−ジィ.ユー)及びM.E.Flatte(エム.イー.フラッテ)、「Spin-Gun Effect(スピン・ガン効果)」Phys. Rev. Letter(フィジ.レビ.レター)96,026602(2006)
本発明は、より具体的には、1ナノ秒の10分の1よりも短い持続期間を有するXフォトンのパケットを放射する周期的なパルスX線の発生源において、非常に高い周波数のフーリエ成分を測定することが可能である。このようなXフォトンは、2keVから20keVまでのパワーを有するものであり、パケットごとのXフォトンの数は、103 個から108 個までの間で異なっている。これらのパケットは、使用されている発生源の技術に依存した周波数において反復する。すなわち、この周波数は、X線自由電子レーザに関しては最大でも数MHzであるが、ストレージリング型の加速器に関しては、最大で350MHzとなる。
本発明は、時間依存性の確定外乱にさらされたサンプルの反応における、X線の吸収、拡散または回折を用いた研究に適用されるものであり、その誤差を、数ピコ秒(例えば、およそ2psから5psまで(すなわち、周波数レンジにおける500GHzから200GHzまで))とすることが可能である。本発明は、時間依存性の確定外乱にさらされたサンプルの反応における、X線の吸収、拡散または回折による研究に適用されるものである。それは、望ましいマイクロ波周波数における変調か、または、数ピコ秒の持続時間を有する周期的なパルスとすることが可能であり、マイクロ波レンジの全体(1GHzから200GHzまで)においてフーリエ成分を含む周波数スペクトルを有している。
ここで、非常に高いスペクトル放射輝度を有するX線源における例について考慮する。これは、例えば、グルノーブルにあるヨーロッパシンクロトロン放射光施設(ESRF:European Synchrotron Radiation Facility)のような、ストレージリング型の電子加速器によってもたらされる、アンジュレータ放射とすることが可能である。また、ハンブルグにおいて自由電子レーザを建設するヨーロッパプロジェクト(このレーザは、X線レンジにおいて放射され、X−FELという頭字語によって表記される)のような、新たな第4世代のシンクロトロン放射源とすることも可能である。なお、このようなデバイスによって生成されるパルスは、一般的に、時間−周波数空間において、ガウス分布を有することに注目すべきである。
いくつかの重要な数字は、本明細書において使用されているX線源のタイプを特徴づけている。
a.単色性のアンジュレータ放射(ESRF):
パケットごとのXフォトン数 :2.84・103
照射される表面積:
焦点調節なし :3・10-4cm2
焦点調節あり :1・10-6cm2
パルス(パケット)の持続時間:50ps
RF繰り返し周波数 :352.202MHz
b.多色性のアンジュレータ放射(ESRF):
パケットごとのXフォトン数 :1.42・105
照射される表面積(焦点調節なし):3・10-4cm2
c.自由電子レーザ(X−FEL/ハンブルグ):
パケットごとのXフォトン数 :1・1012
照射される表面積 :3.8・10-5cm2
パルスの持続時間 :<200fs
繰り返し周波数 :<5MHz
a.単色性のアンジュレータ放射(ESRF):
パケットごとのXフォトン数 :2.84・103
照射される表面積:
焦点調節なし :3・10-4cm2
焦点調節あり :1・10-6cm2
パルス(パケット)の持続時間:50ps
RF繰り返し周波数 :352.202MHz
b.多色性のアンジュレータ放射(ESRF):
パケットごとのXフォトン数 :1.42・105
照射される表面積(焦点調節なし):3・10-4cm2
c.自由電子レーザ(X−FEL/ハンブルグ):
パケットごとのXフォトン数 :1・1012
照射される表面積 :3.8・10-5cm2
パルスの持続時間 :<200fs
繰り返し周波数 :<5MHz
本発明による検出器は、全域にわたって負性微分抵抗の作用する状況が生成されている半導体センサを備えている。マイクロ波レンジまたはミリメートル波レンジでは、前述したような状況下において動作する2つの大きな半導体デバイス群が知られている。第1の半導体デバイス群は、ガン−ヒルサム効果を使用し、第2の半導体デバイス群は、pn接合における電子なだれ(アバランシェ)によって電荷キャリアが生成されるリード−ジョンストン効果を有効に利用する(IMPATTダイオード:IMPact ionization Avalanche Transit-Time diode(衝突アバランシェ走行時間ダイオード))。簡潔にするために、本明細書においては、ガン−ヒルサム効果を使用するセンサだけについて説明することとするが、リード−ジョンストン効果のセンサを使用することも可能である。例えばGaAs、InPまたはCdTeなどの、適切なバンド構造を有する半導体(III−V族またはII−VI族)では、所定の臨界閾値(GaAsに関しては3.5kV/cm、InPに関しては10.5kV/cm、CdTeに関しては13.5kV/cm)よりも大きい電場が印加されると、負性微分抵抗が出現する。このようなデバイスは、電荷キャリアの密度にしたがって、1GHzから300GHzまでの範囲において、発振器(ガンダイオード)または増幅器として機能することが知られている。
前記センサは、入射X線の強度を、X線源によって強制された繰り返し周波数を有する未増幅の電気パルスに変換する。このセンサは、(送信および受信のための)アンテナ機能を有している。このアンテナは、選択された高周波成分を狭い周波数レンジ内において選択および増幅することが可能なマイクロ波共振器に、電気的に(または磁気的に)結合している。負性微分抵抗は、マイクロ波信号を増幅する。前記センサは、さらに、検出された信号における増幅された高周波と相互作用することが可能なマイクロ波信号を受信することができるパラメトリック増幅器または混合器として使用することも可能であり、これにより、高感度のヘテロダイン受信器またはスーパーヘテロダイン受信器を形成することができる。
要するに、本発明は、電子数が増幅されるような状況下において、Xフォトンの短いパケットを電子雲に変えるセンサの使用を提供する。Xフォトンにおける周期的なパケットは、センサ内に送られる。センサは、共振器内に配置されており、これにより、増幅された電子雲の周期的な反復によって生成された高周波のマイクロ波信号を、選択および増幅する。検出回路は、前記高周波を測定する。
より具体的には、本発明の一実施形態は、Xフォトンの周期的なパケットの検出器(各パケットが、0.1nsよりも短い持続時間を有している)を提供する。この検出器は、負性微分抵抗領域においてバイアスされているIII−V族の半導体素子を有するセンサを備えており、このセンサが、パケットの繰り返し周波数(F1)の倍数(k)に同調された共鳴キャビティ内に配置されている。
本発明の一実施形態によると、半導体素子がディスク形状であり、センサをバイアスするためのバイアス電極が、半導体素子の相対する表面において互いに向かい合っており、半導体素子の抵抗率が、センサが発振器として動作することを回避するために十分に高く選択されている。
本発明の一実施形態によると、バイアス電極が、半導体素子の同一表面上に配置されている。
本発明の一実施形態によると、半導体素子は、107 Ω・cmから108 Ω・cmまでよりも大きい抵抗率を有している。
本発明の一実施形態によると、少なくとも、カソードとして機能するように設けられたバイアス電極が、X線に対して透過である。
本発明の一実施形態によると、センサは、アノード側に、半導体素子よりも高密度にドープされているIII−V族の半導体材料からなる層をさらに有しており、この層が、第1アノード電極および第2アノード電極によって覆われており、第2アノード電極と第1アノード電極との間の電位差が、第1アノード電極と第2アノード電極との間のガンドメインの増幅された伝播を可能とすることができるようになっている。
本発明の一実施形態によると、センサが、第2アノード電極に相対するカソード電極をさらに備えている。
本発明の一実施形態によると、第1カソード電極および第2カソード電極と、第1アノード電極および第2アノード電極とが、リング形状またはインターデジタル型である。
本発明の一実施形態によると、パケットの周波数における倍数(k)の出力が増幅されて混合器に送られる一方、この混合器の他の入力部が、パケットの周波数における倍数k・F1を受信するようになっており、さらに、X線のパケットが、パケットの繰り返し周波数(F1)に対して低い周波数(f0)の周期的なパケットの列に集められており、混合器がこの低い周波数(f0)を供給し、この周波数(f0)がアナライザにおいて分析される。
本発明の一実施形態によると、X線のパケットの周波数F1におけるk番目の高周波の周波数kF1に近い周波数k・F1+IFのマイクロ波信号が、共鳴キャビティ内に送られ、これらのX線のパケットが、周波数(f0)の周期的なパケットの列に集められており、さらに、周波数IF±f0の信号が、共鳴キャビティから抽出され、この周波数IF±f0の信号が、混合器の第1の入力部に送られ、この混合器の第2の入力部が周波数IFの信号を受信するようになっている。
前述した本発明における目的、構成および利点については、特定の実施形態に関する後述する非限定的な記述において、添付図面とともに詳細に説明する。
マイクロ部品を表す際の通例により、図1〜図4は、一定の縮尺では描かれていない。
同一の参照符号によって示された同一あるいは類似の部材が、複数の図面に登場する。簡潔さを図るために、これらの部材の説明については、各図面に関連しており繰り返さない。
本発明の詳細な説明においては、ガン−ヒルサム効果については周知であると仮定している。これは、TED(transferred electron devices:転送電子デバイス)として一般的に示されているデバイス群の全体を特徴づけている。一般的な例は、ガンダイオードである。これは、III−V族半導体であり、この半導体のドーピングレベルに関連したバイアスおよびサイズの状態が適切である場合には、発振器として動作するとともに、さらに、負性微分抵抗を有するデバイスとして機能する。全てのTEDは負性微分抵抗を有しているが、それらのドーピングレベルは、不安定な自己発振状態に到達するために常に十分であるわけではない。しかしながら、これらは、安定した増幅器モードで動作することが可能であり、または、1GHzから300GHzまでの範囲において、ヘテロダイン混合器あるいはパラメトリック増幅器として動作することが可能である。本発明は、主にこれらのデバイスを、増幅器および/または混合器として使用している。
ここでは、非常に低い強度の高周波成分の検出について考慮している。また、記述されるデバイスは全て、増幅状態および/またはヘテロダイン受信器状態において動作する。
〔センサ(第1の実施形態)〕
図1は、本発明の第1の実施形態によるセンサの一例を示している。このセンサは、前面電極としてのカソード電極2および背面電極としてのアノード電極3の2つの電極間に配置された、III−V族の半導体材料(例えば、ガリウム砒素またはリン化インジウム)からなるディスク状の半導体素子1を有している。背面側のアノード電極3は、電圧V3を印加されている。これは、前面側のカソード電極2に対して、強く陽性である。この半導体材料は、半絶縁型であり、高い抵抗率(例えば、107 Ω・cmから108 Ω・cmまでよりも大きい抵抗率)を有している。バイアスについては、静穏状態において、一様な電場がガン−ヒルサム効果の閾値電場を大きく超えるように調整されている。カソード電極2の電圧が接地電位である場合には、アノード電極3には、およそ15kV/cmから35kV/cmまでの電場をデバイスに対して印加することが可能な電圧V3が印加される。このセンサの直径は、焦点調節することが可能な入射X線ビームによって照射される表面に適応している。この半導体素子1は、2mmの直径を有することが可能である。その厚さは、標準的な半導体ウエハの厚さ(数百μm)と同等である。
図1は、本発明の第1の実施形態によるセンサの一例を示している。このセンサは、前面電極としてのカソード電極2および背面電極としてのアノード電極3の2つの電極間に配置された、III−V族の半導体材料(例えば、ガリウム砒素またはリン化インジウム)からなるディスク状の半導体素子1を有している。背面側のアノード電極3は、電圧V3を印加されている。これは、前面側のカソード電極2に対して、強く陽性である。この半導体材料は、半絶縁型であり、高い抵抗率(例えば、107 Ω・cmから108 Ω・cmまでよりも大きい抵抗率)を有している。バイアスについては、静穏状態において、一様な電場がガン−ヒルサム効果の閾値電場を大きく超えるように調整されている。カソード電極2の電圧が接地電位である場合には、アノード電極3には、およそ15kV/cmから35kV/cmまでの電場をデバイスに対して印加することが可能な電圧V3が印加される。このセンサの直径は、焦点調節することが可能な入射X線ビームによって照射される表面に適応している。この半導体素子1は、2mmの直径を有することが可能である。その厚さは、標準的な半導体ウエハの厚さ(数百μm)と同等である。
カソード電極2およびアノード電極3は、半導体材料とのオーム接触を形成している。この半導体材料とカソード電極2の厚さとは、X線に対して実質的に透過となるように選択されている。その例としては、およそ100nmの厚さを有する薄いAuGeまたはAuGeNiフィルムが挙げられる。このような状況においては、アノード電極3とカソード電極2との間に、特異な現象は生じない。より具体的には、半導体材料の大きな抵抗率によって、ガンダイオードにおけるような自己発振現象は生じない。
センサは、その前面側において、入射X線(RX)の流れにさらされている。これらのXフォトンは、2keVから20keVまで(例えば8.4keV)のパワーを有しており、ほとんど吸収されずにカソード電極2を横切って、半導体素子1の厚さである第1のマイクロメータに吸収される。これは、だんだんと間隔が開いていく平行線によって図面に示されており、最も高密度の部分が、統計的に最も多数のXフォトンが吸収される領域に対応している。これらのXフォトンは、吸収される間に、半導体素子1内に電子−ホール対を生成する。ここで、X線のパワーによって第1の相乗効果が生じる、すなわち、各Xフォトンが多数の電子−ホール対を生成するということに注目すべきである。例えば、その増倍率は、8.4keVのフォトンに関して2000となる。このフォトンに関するGaAsにおける平均吸収長は、3・10-3cmである。
ESRFのアンジュレータによってもたらされるXフォトンの流れの場合であって、有効な光イオン化体積(photo-ionization volume)が9・10-7cm3 である場合、焦点調整されていない単色性のX線ビームは、体積中に6.3・1012cm-3より多くの電子−ホール密度を生成することができない。1014cm-3のオーダーのキャリア密度については、焦点調整された単色性のX線ビーム(2.1・1014cm-3)、または、多色性のアンジュレータ放射(3.1・1014cm-3)を使用することによって得ることが可能である。ハンブルグ自由電子レーザ(X−FEL)を用いる場合、電荷キャリア密度の上限値(すなわち、1017cm-3)を超えないように、入射X線(RX)ビームを、例えば25μmの金からなる金属フィルタによって減衰する必要がある。
デバイスのバイアス電圧V3は、受感体積の全域においてガン−ヒルサム効果の臨界電場よりも大きい電場を常に有するように選択される。電荷キャリアの密度が、自己発振状態に到達するには不十分である場合であっても、想定領域内には負の誘電緩和時間を生じさせる負性微分抵抗が存在する。これにより、光イオン化によって生成される過度の電子密度の増幅が引き起こされる。なお、これは広域増幅であるということに注目すべきである。
生成されたホールは、カソード電極2側に向けて流される。一方、電子は、アノード電極3に引きつけられる。増幅効果に敏感であるのは、これらだけである。しかしながら、従前の条件では、アノード電極3に到達することはない。実際には、300μm(半導体素子1における最小の厚さ)を越えるための電子の輸送時間は、数十ナノ秒であり、これは、光イオン化によって生成される電子プラズマの寿命(約0.4ナノ秒から1ナノ秒まで)に対して長すぎる。
したがって、図1に関連して説明したセンサ内における、Xフォトンのパケットの吸収は、400psから1000psまでの寿命を有する自己増幅電気パルスを生成する。Xフォトンのパケットが周波数F1で反復すると考えると、電波周波数帯域内にある繰り返し周波数F1で、Xフォトンのパケットが増幅された電気パルスに変換されることになる。
センサが非常に短いX線パルス(50ps)によって励起されるために、その周波数応答も、マイクロ波レンジ(あるいは、さらに、ミリメートル波レンジ)における高位のNからなる高周波N×F1を有する。
〔センサ(第2の実施形態)〕
図2A、2Bおよび2Cは、それぞれ、本発明における第2の実施形態によるセンサの断面図、上面図および底面図である。半導体素子1の背面には、例えばエピタキシーによって、この半導体素子1と同じ半導体材料からなる薄層4が形成されている。薄層4は、約2μmから約5μmまでの範囲の厚さ(例えば3μm)を有している。薄層4では、電荷キャリアの密度は、およそ3〜5・1016cm-3であり、半導体素子1(107 Ω・cmよりも大きな抵抗率に関して、ほんの約108 cm-3である)よりも、はるかに大きくなっている。薄層4の抵抗率は、例えば、およそ0.1Ω・cmである。図2Bの上面図によって図示されているように、前面においては、カソード電極2は、ディスク状の半導体素子1の表面全体を完全には覆っていない。カソード電極2とは正反対となる背面では、第1アノード電極5が薄層4上に堆積されている。図2Cの底面図に示すように、薄層4上には、第1アノード電極5と同心の周囲電極としての第2アノード電極6も形成されている。
図2A、2Bおよび2Cは、それぞれ、本発明における第2の実施形態によるセンサの断面図、上面図および底面図である。半導体素子1の背面には、例えばエピタキシーによって、この半導体素子1と同じ半導体材料からなる薄層4が形成されている。薄層4は、約2μmから約5μmまでの範囲の厚さ(例えば3μm)を有している。薄層4では、電荷キャリアの密度は、およそ3〜5・1016cm-3であり、半導体素子1(107 Ω・cmよりも大きな抵抗率に関して、ほんの約108 cm-3である)よりも、はるかに大きくなっている。薄層4の抵抗率は、例えば、およそ0.1Ω・cmである。図2Bの上面図によって図示されているように、前面においては、カソード電極2は、ディスク状の半導体素子1の表面全体を完全には覆っていない。カソード電極2とは正反対となる背面では、第1アノード電極5が薄層4上に堆積されている。図2Cの底面図に示すように、薄層4上には、第1アノード電極5と同心の周囲電極としての第2アノード電極6も形成されている。
第1アノード電極5から第2アノード電極6までの間隔については、想定される用途の必要性にしたがって、15μmから150μmまでの間において変えることが可能である。第1アノード電極5には、図1に関連して言及した電圧V3とほぼ同様に選択された電圧V5が印加されることになっている。第2アノード電極6には、V5よりも高い電圧V6が印加されることになっている。V6とV5との電圧差は、第1アノード電極5と第2アノード電極6との間の電場が、ガン−ヒルサム効果の臨界電場よりもほんのわずかに小さくなるように調整される。第2アノード電極6およびカソード電極(AuGe)2は、半導体素子1に対してオーム接触を形成している。第1アノード電極5は、薄層4に対するショットキー型の接触を形成している。第2アノード電極6とは反対側の前面には、別のカソード電極として機能する他の電極(AuGe)7を形成することが可能である。この電極7には、カソード電極2の電圧に対して負となる電圧V7(例えば、V7=V5−V6)が印加される。電極7の機能は、半導体素子1内において光イオン化によって生成された電子を、第2アノード電極6に向けてではなく、第1アノード電極5に向けて強制的に流すことにある。
図2Aに示したセンサのカソード電極2が、X線流によって横切られた場合、図1のセンサに関連して詳細に示したものと同じメカニズムが、半導体素子1内において、カソード電極2と第1アノード電極5との間で発現する。さらに、電子−ホールプラズマが作られる有効体積内での電場減少が、この体積外での電場の増加によって相殺される。これにより、電場、特に第1アノード電極5の下に位置する劣化した領域内の電場が増加する。この電場変動は、薄層4内における電荷キャリアの密度が非常に高いために非常に高速で増幅する、第1アノード電極5から第2アノード電極6に向かって流れるガンドメインの薄層4内での核生成を開始する。
したがって、Xフォトンのパケットを吸収することによって生じる光イオン化プロセスは、結果的に、同期的に引き起こされる2つの電気パルスを生成し、これらのパルスは、直交する方向に流れてゆく。さらに、これらの寿命も異なる。30ピコ秒のタイムスケールで、過度の電場を高速で緩和するプロセスが存在するはずである。すなわち、電場が下がってガン−ヒルサム効果の臨界電場よりも低い値に戻った場合には、これが新しいガンドメインの核生成における全ての可能性を停止するだけでなく、誘電緩和時間も再び正となる。そして、これが、今度はパルスの高速な減衰を引き起こす(ただし、従前の30ピコ秒の間に増幅されている)。カソード電極2と第1アノード電極5との間に生成される第1のパルスが、第1アノード電極5に到達する可能性をもたない場合にも同様に、第1アノード電極5と第2アノード電極6との間に生成される第2のパルスも、第2アノード電極6に到達するより多くの可能性をほとんどもたない。一方、この高速のパルスプロセスは、高次の高周波において、周波数応答の増加を促進することが可能であり、これは望ましい目的の1つである。
図2A−Cに示したセンサについては、X線に対して透過となるように選択された背面における第1アノード電極5上に垂直に入射するX線の流れにさらすことが可能である。
図3Aは、図2Aに示したセンサの変形例であるセンサ、およびその利用モードの一例における断面図であり、図3Bはその底面図であり、図3Cは、このセンサにおける他の変形例の断面図である。これらの例は、より具体的には、下面から照射されるように構成されている。
図3A、および、図3Aに対応する底面図である図3Bに示すように、センサは、III−V族の半導体材料から形成された半導体素子1を有している。背面側には、図2の薄層4と同様の薄層4が堆積されている。間隔をおいて設けられている第3アノード電極10と第4アノード電極11とは、薄層4領域上において、互いに向かい合うように配置されている。前面側のカソード電極2は、第3アノード電極10と第4アノード電極11との間の間隔に少なくとも相対するように配置されており、カソードとして機能する。背面側の第3アノード電極10および第4アノード電極11は、アノードとして機能して、それぞれの電圧は、V10およびV11となっている。これらの電圧の一方、例えばV11は、他方よりも大きくなっている。これにより、X線がない場合に、これら2つの電極10,11の間に、ガン−ヒルサム効果の臨界磁場よりもわずかに小さい平面電場が生成される。
第3アノード電極10および第4アノード電極11は、カソード電極2と共に、垂直の主成分を有する電場を生成する。この観点においては、2つの電極10,11は共に、前述した実施形態における第1アノード電極5の役割を担っている。
X線は、第3アノード電極10と第4アノード電極11との間に含まれる領域において、背面に到達する。X線の減衰長はおよそ30μmであり、電子−ホール対の大部分は半導体素子1内において生成されることになる(ただし、薄層4の近傍に生成される)。電子は、横方向の電場成分によって、カソード電極2から、最も高い電圧を有する第4アノード電極11に向けて加速される。この横方向の加速に起因して、ここで光イオン化によって生成される電気パルスも、広帯域の対流型増幅からの恩恵を受ける。これは、図1に示した実施形態または図2Aに示した実施形態にしたがって形成されたセンサの場合と全く同様である。この対流型増幅は、電荷キャリアの高い密度が増幅を増進する薄層4を電子が貫通するとすぐに、より高速かつより効率的になる。
平面的な電場成分(第4アノード電極11から第3アノード電極10に向かう成分)も、薄層4の近傍に存在している。光イオン化によって生成された電子雲の外側では、電場(特に、第4アノード電極11に向かう電場)が増加し、ガン−ヒルサム効果の臨界電場よりもわずかに大きくなる可能性がある。第4アノード電極11に向かって流れるガンドメインについては、光電子プラズマの寿命に起因して、高いドーピングレベルの薄層4内においても生成することが可能である。2つのガンドメインは、同時に成長することは不可能であるため、最終的には、2つの増幅プロセスは自己制御型である必要があり、これによって最後には、2次元空間内において流れている電気パルス内に、Xフォトンにおけるより大きな対流型の増幅が生じる。
図3Cは、図3Aのアセンブリにおける変形例を示す断面図であり、第3アノード電極10および第4アノード電極11の両方が、絶縁フィルム12によって覆われている。この絶縁フィルム12は、例えばポリイミド(カプトン:25μmの厚さ)からなり、その外部表面は、伝導層13によって覆われている。伝導層13は、例えばアルミニウムからなり、第3アノード電極10と同じ電圧を印加されている(V13=V10)。
図4は、図2Aに示した実施形態に相当するセンサにおける、平面的なバージョンを示している。このセンサは、幅の狭いプレート15(80mm×4mm)上に形成されており、このプレート15は、適切な基板を形成している標準的な厚さ(340μm)の半導体のウエハから切り取られたものである。半導体素子1および薄層4は、同一の半導体材料からなり、かつ、実質的に非常に近い厚さを有していて、プレート15上に形成されている。半導体素子1は、半絶縁性であり、107 Ω・cmよりも大きな抵抗率を有している。薄層4は、図2Aに示したセンサの薄層4と同様に、およそ3〜5・1016cm-3の電荷キャリア密度を生じさせるような、非常に高いドーピングレベルに対応している。3つの電極、すなわち、接地されているカソード電極2、薄層4に対するショットキー型の接触を形成しており電圧V5を印加されている第1アノード電極5、および、電圧V6を印加されている第2アノード電極6が、表面において堆積されている。適切に焦点調整されたX線ビーム(RX)は、かすめ入射の状態(4°〜6°)で、カソード電極2と第1アノード電極5との間の半導体素子1を照射することになる。X線は、半導体素子1内において完全に吸収され、かつ、電子−ホールプラズマの形成においてよりよいコントラストを確保することが可能となるように、非常に低い入射率で到達する。
〔キャビティ〕
上述したセンサは、Xフォトンのパケットにおける繰り返し周波数の高周波k・F1に同調されたマイクロ波共鳴キャビティ内に配置される。
上述したセンサは、Xフォトンのパケットにおける繰り返し周波数の高周波k・F1に同調されたマイクロ波共鳴キャビティ内に配置される。
ESRFの特徴を有する発生源の場合、それは、例えば、周波数F1の高周波を検出するように選択されることになる。センサ内に形成されて、電荷の変位方向に沿って方向づけられ、さらに周波数k・F1で発振している電気双極子が、キャビティの共鳴モードにおける最大の電場と一致する場合には、センサは、マイクロ波送信アンテナのように機能することになる。このセンサについては、最小の誘電損失を有するサファイアのロッド上に取り付けることも可能である。X線に対して完全に透過ではあるが、キャビティの金属壁における電気的導通を確保している50μmの厚さのベリリウム窓を介して、X線を導入することも可能である。
なお、キャビティは、周波数フィルタとしての機能を有するだけではないということに注目すべきである。キャビティの品質係数に依存する時間(例えば、Q=1000の場合には30ns)だけ続く遷移位相の後、静的バイアス電圧に重畳されるマイクロ波周波数(k・F1)で発振する電圧は、センサのアクティブエリアに落ち着く。このマイクロ波信号は、それ自身、ガン−ヒルサム効果に付随する負性微分抵抗のために、増幅される。このとき、共鳴増幅状態が発現する。なお、この増幅は非常に狭い周波数帯域を有しているということに注目すべきである。
図1に示したタイプのセンサに関しては、マイクロ波共鳴キャビティを、モードTE102 の共鳴標準方形導波管部(resonant standard rectangular waveguide section)に基づく、Xバンドキャビティとすることも可能である。キャビティの共鳴周波数については、携帯型のショートサーキットによって、細かく調節することも可能である。さらに、最適化されたサイズの虹彩絞りによって、キャビティを検出回路に結合することも可能である。
図2Aまたは図3Aに関連して説明したタイプのセンサを用いる場合、対応するアンテナは、もはや、方形のガイド共鳴キャビティの電場に結合することができない。図2Bおよび図2Cに示された放射対称性を有するセンサの場合、TE011 またはE012 の共鳴モードを有する円筒形の共鳴キャビティを使用することが望ましく、この共鳴モードも、放射対称性を有する電場分布を与える。この考察は、インターデジタル型の電極の場合にも有用である。
図4に示したタイプのセンサに関しては、カソード電極2と第1アノード電極5との間、または、第1アノード電極5と第2アノード電極6との間において生成された電気パルスが、同じ軸に沿って同じ方向に流れる。したがって、このようなセンサは、方形部を備えたTE101共鳴モードを有する標準的なキャビティに電気的に結合することが可能である。
X線が円偏光している場合、センサ内において生成される電子の一部分は、スピン偏極を有することになる。非特許文献1に示唆されているように、このスピン偏極は、ガン効果によって増幅されるはずである。本発明、より具体的には、図3に示した実施形態は、この理論の正確さを検証することが可能なはずである。その大部分が特権的なスピン偏極を有している電子が存在しているということは、振動磁気双極子が存在していることを表している。この振動磁気双極子は、この振動磁気双極子に対して磁気的に結合しているマイクロ波キャビティ内の磁気共鳴によって、検出することが可能なものである。
〔検出回路〕
上述したようなマイクロ波アンテナによって放射されるパワーは非常に低く、数ナノワットをかろうじて超える程度にとどまっている。さらに、ガン−ヒルサム効果の増幅器におけるノイズ温度(すなわち電子ノイズの増幅率)は、大きくも小さくもない。高感度測定回路を使用することが必要であるものの、電子ノイズのバンド幅もまた、小さくしなければならない。
上述したようなマイクロ波アンテナによって放射されるパワーは非常に低く、数ナノワットをかろうじて超える程度にとどまっている。さらに、ガン−ヒルサム効果の増幅器におけるノイズ温度(すなわち電子ノイズの増幅率)は、大きくも小さくもない。高感度測定回路を使用することが必要であるものの、電子ノイズのバンド幅もまた、小さくしなければならない。
図5および図6は、本発明のセンサの使用に適用したヘテロダイン検出における2つの実施形態を示している。これらの図面において、上述したようなまたはそれに類似するセンサ(TED)は、参照符号20によって示されており、Xフォトンのパケットにおける繰り返し周波数F1の高周波k・F1に同調された共鳴キャビティ21内に挿入されている。X線パケットからなる列は、周波数F1に比べて低いとともに、k・F1と比べれば完全に低くなる周波数f0での振幅変調を示すと考えられる。例えば、ESRFシンクロトロン放射源の場合、X線パケットの列は、周波数f0=F1/992=355kHzでの振幅変調を示す。この周波数は、ストレージリング内の電子における周期的な繰り返し周波数である。加速器の周波数F1における前記の完全に同期された変調は、シンクロトロン放射光を生成する電子からなる992個のパケットが、意図的に不完全に充填されていることに起因する。この周波数f0での振幅変調の結果、周波数空間内に、周波数k・F1±f0に対応する2つのサテライトが出現する。
図5に示されている例では、共鳴キャビティ21の出力(k・F1±f0)は、電子ノイズが非常に低いマイクロ波増幅器23(LNA:低ノイズ増幅器)を介して、マイクロ波混合器22における第1の入力部に送られる。マイクロ波混合器22における第2の入力部は、周波数k・F1の基準信号を受信する。マイクロ波混合器22は、その出力が、周波数k・F1±f0の変調サテライトの振幅に比例した振幅を有する周波数f0の信号となるように準備される。この信号は、広いダイナミックレンジ(例えば、150dBcより広いレンジ)を有する、ベクトル・スペクトラムのアナライザ24によって測定される。このアナライザ24は、また、同期的トリガー信号25(例えばf0/2)を受信するとともに、周波数F1のk番目の高周波における振幅の特性を示す信号26を出力する。
図6に示されているアプローチは、ガン−ヒルサム効果における全ての機能性を十分に引き出す。より具体的には、ここでは、混合器−増幅器として、あるいはパラメトリック増幅器として、マイクロ波またはミリメートル波のレンジにおいて使用される。
図6では、センサ20を備えた共鳴キャビティ21は、周波数k・F1±IFのマイクロ波生成器31によって励起される。周波数シフトIFは、1MHzから10MHzまでの範囲において、任意に選択されることになる(例えば2MHz)。マイクロ波混合器32は、マイクロ波生成器31の出力、および、周波数k・F1の基準信号を受信し、中間周波数IFの基準信号を出力する。さらに、共鳴キャビティ21内では、センサ20のマイクロ波混合器機能によって、中間ビート周波数IF±f0の信号が出現する。この低周波数の信号は、センサ20の電極上で直接的に検知することが可能なものであり、アナログのIF混合器34における第1の入力部に注入される前に、非常に低ノイズの適切な増幅器33に入力される。なお、IF混合器34における他の入力部は、基準信号IFを受信する。したがって、このデバイスは、スーパーヘテロダイン復調器として機能する。周波数f0の出力信号の分析については、図5の場合のように、ベクトル・スペクトラムのアナライザ24において、再度実行することも可能である。
図6に示されている検出は、多くの利点を有している。第1の利点は、負性微分抵抗の効果によるビート信号IF±f0のセンサ20の内部での増幅が、非常に効果的であることである。第2の利点は、ビート信号が、外部の生成器におけるマイクロ波信号の強度(例えば数十ミリワット)に比例することである。これにより、非常に低いノイズにおける大幅な増幅率(ゲイン)が導入される。第3の利点は、この検出モードを、ミリメートル波(300GHz)の分野に対して、容易に拡張することが可能であることである。ただし、大きなゲインおよび非常に低いノイズを有するマイクロ波増幅器23(図5を参照)を使用できることは、非常に高い周波数では問題となる(これは、増幅器33の場合にはあてはまらない)。
一般的に、このセンサにおける他の代替実施形態、すなわち、マイクロ波共振器および電子検出回路の実施形態は、望ましい用途に関する特定の実施形態に関連して本明細書に説明したような本発明を背景として、当業者によって想定されるはずである。
本明細書においては、Xフォトンの列における繰り返し周波数の高周波を分析することができる検出器について説明してきた。サンプルを用いたX線の吸収、拡散または回折現象におけるより完全な研究に関しては、分析される信号におけるフーリエ変換の複数のポイントを得て、より正確に時間信号をたどるために、基本となるパケットの繰り返し周波数における異なる高周波に同調された複数の検出器を使用することが可能である。
さらに、グルノーブルのESRFにおけるシンクロトロン放射光に適応した本発明の応用例についても、より詳細に説明している。この場合には、例えばマイクロ波レンジにある352.202MHzの繰り返し周波数が考慮される。例えば、およそ5MHzの繰り返し周波数を有するX−FEL型の自由電子レーザが発生源であるケースを考慮した場合、10GHzよりも高い周波数に到達するために、非常に高い高周波、例えば、2000よりも大きい高周波を選択することが望ましいはずである。
当然ながら、特定の実施形態に関連して本明細書に説明したような本発明を背景として、共振器および電子検出回路における多くの代替実施形態が、当業者によって想定されるはずである。
そのような変形、修正および改善については、本開示の一部となることを意図したものであるとともに、本発明の趣旨および範囲内に入ることを意図されたものである。したがって、上述の説明は、単なる例示にすぎず、限定することを意図したものではない。本発明は、後述の特許請求の範囲、および、その等価物における規定によってのみ、限定される。
1 半導体素子
2 カソード電極(第1カソード電極)
3 アノード電極
4 薄層
5 第1アノード電極
6 第2アノード電極
7 電極(第2カソード電極)
20 センサ
21 共鳴キャビティ
22 マイクロ波混合器
24 アナライザ
34 IF混合器
2 カソード電極(第1カソード電極)
3 アノード電極
4 薄層
5 第1アノード電極
6 第2アノード電極
7 電極(第2カソード電極)
20 センサ
21 共鳴キャビティ
22 マイクロ波混合器
24 アナライザ
34 IF混合器
Claims (10)
- Xフォトンの周期的なパケットのX線検出器であって、
各パケットが、0.1nsよりも短い持続時間を有しており、
負性微分抵抗領域においてバイアスされているIII−V族の半導体素子を有するセンサを備えており、
前記センサが、パケットの繰り返し周波数(F1)の倍数(k)に同調された共鳴キャビティ内に配置されていることを特徴とするX線検出器。 - 前記半導体素子はディスク形状であり、前記センサをバイアスするためのバイアス電極が、前記半導体素子の相対する表面において互いに向かい合っており、前記半導体素子の抵抗率が、前記センサが発振器として動作することを回避すべく選択されていることを特徴とする請求項1に記載のX線検出器。
- 前記バイアス電極が、前記半導体素子の同一表面上に配置されていることを特徴とする請求項1に記載のX線検出器。
- 前記半導体素子は、107 Ω・cmから108 Ω・cmまでよりも大きい抵抗率を有していることを特徴とする請求項1に記載のX線検出器。
- 少なくともカソードとして機能する前記バイアス電極が、X線に対して透過であることを特徴とする請求項2に記載のX線検出器。
- 前記センサは、アノード側に、前記半導体素子よりも高濃度にドープされているIII−V族の半導体材料からなる層をさらに有しており、該層が、第1アノード電極および第2アノード電極によって覆われており、前記第2アノード電極と前記第1アノード電極との間の電位差が、前記第1アノード電極と前記第2アノード電極との間におけるガンドメインの増幅された伝播を可能とすることができるように構成してあることを特徴とする請求項1に記載のX線検出器。
- 前記センサは、前記第2アノード電極に相対するカソード電極をさらに有していることを特徴とする請求項6に記載のX線検出器。
- 第1カソード電極および第2カソード電極と、前記第1アノード電極および前記第2アノード電極とが、リング形状またはインターデジタル型であることを特徴とする請求項6に記載のX線検出器。
- 前記パケットの周波数における前記倍数(k)の出力が増幅されて混合器に送られる一方、該混合器の他の入力部が、前記パケットの周波数における倍数k・F1を受信するようになっており、
さらに、X線のパケットが、パケットの繰り返し周波数(F1)に対して低い周波数(f0)の周期的なパケットの列に集められており、前記混合器が前記低い周波数(f0)を供給し、該周波数(f0)がアナライザにおいて分析されるように構成してあることを特徴とする請求項1に記載のX線検出器。 - X線のパケットの周波数F1におけるk番目の高周波の周波数kF1に近い周波数k・F1+IFのマイクロ波信号が、前記共鳴キャビティ内に送られ、これらのX線のパケットが、周波数(f0)の周期的なパケットの列に集められており、さらに、周波数IF±f0の信号が、前記共鳴キャビティから抽出され、前記周波数IF±f0の信号が、混合器の第1の入力部に送られ、前記混合器の第2の入力部が周波数IFの信号を受信するように構成してあることを特徴とする請求項1に記載のX線検出器。
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