JP2010034593A - Substrate processing apparatus - Google Patents
Substrate processing apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010034593A JP2010034593A JP2009258027A JP2009258027A JP2010034593A JP 2010034593 A JP2010034593 A JP 2010034593A JP 2009258027 A JP2009258027 A JP 2009258027A JP 2009258027 A JP2009258027 A JP 2009258027A JP 2010034593 A JP2010034593 A JP 2010034593A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- supply
- liquid
- processing
- storage tank
- eluent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Weting (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Water Treatment By Sorption (AREA)
Abstract
Description
本発明は、基板処理用の処理液中に含まれる金属イオン、特にインジウムイオン及びスズイオンを除去する処理液処理装置を備えた基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus including a processing liquid processing apparatus that removes metal ions, particularly indium ions and tin ions, contained in a processing liquid for substrate processing.
例えば、半導体(シリコン)ウエハ,液晶ガラス基板,フォトマスク用ガラス基板,光ディスク用基板などの各種基板を製造する工程では、これらの基板にエッチング液や現像液、洗浄液といった各種処理液を供給して当該基板を処理する工程がある。 For example, in the process of manufacturing various substrates such as a semiconductor (silicon) wafer, a liquid crystal glass substrate, a photomask glass substrate, and an optical disk substrate, various processing solutions such as an etching solution, a developing solution, and a cleaning solution are supplied to these substrates. There is a step of processing the substrate.
そして、このような工程に用いられる基板処理装置として、従来、例えば、特開2000−96264号公報に開示されたエッチング装置が知られている。このエッチング装置は、エッチング液を貯留する貯留槽と、エッチング液によって基板にエッチング処理を行う基板処理機構と、貯留槽に貯留されたエッチング液を基板処理機構に供給し、供給したエッチング液を当該基板処理機構から回収して、貯留槽と基板処理機構との間でエッチング液を循環させるエッチング液循環機構と、貯留槽に貯留されたエッチング液中の、エッチング処理に寄与する成分の濃度を検出する濃度センサと、濃度センサによって検出された濃度が所定の基準濃度から外れると、貯留槽内に新たなエッチング液を補給して当該エッチング液中の前記寄与成分濃度を一定濃度に維持するエッチング液補給機構とを備える。 Conventionally, for example, an etching apparatus disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-96264 is known as a substrate processing apparatus used in such a process. The etching apparatus includes a storage tank that stores an etching solution, a substrate processing mechanism that performs an etching process on the substrate with the etching solution, and supplies the etching solution stored in the storage tank to the substrate processing mechanism. An etchant circulation mechanism that recovers from the substrate processing mechanism and circulates the etchant between the storage tank and the substrate processing mechanism, and detects the concentration of components that contribute to the etching process in the etchant stored in the storage tank. And an etching solution that replenishes the storage tank with a new etching solution and maintains the concentration of the contributing component in the etching solution at a constant concentration when the concentration detected by the concentration sensor deviates from a predetermined reference concentration. A replenishment mechanism.
前記基板処理機構は、閉塞空間を備えた処理チャンバと、処理チャンバ内に配設され、基板を水平に支持して所定方向に搬送する複数の搬送ローラと、搬送ローラの上方に配設され、基板の上面に向けてエッチング液を吐出する複数のノズル体などからなる。 The substrate processing mechanism includes a processing chamber having a closed space, a plurality of transport rollers disposed in the processing chamber, horizontally supporting the substrate and transporting in a predetermined direction, and disposed above the transport rollers. It consists of a plurality of nozzle bodies for discharging an etching solution toward the upper surface of the substrate.
前記エッチング液循環機構は、一端側が貯留槽に接続し、他端側が処理チャンバ内に設けられて当該他端側に前記各ノズル体が固設された供給管と、供給管を介して各ノズル体にエッチング液を供給する供給ポンプと、一端側が前記処理チャンバの底部に接続し、他端側が貯留槽に接続した回収管などからなる。 The etchant circulation mechanism includes a supply pipe in which one end side is connected to the storage tank, the other end side is provided in the processing chamber, and each nozzle body is fixed to the other end side, and each nozzle is provided via the supply pipe. A supply pump for supplying an etching solution to the body, a recovery pipe having one end connected to the bottom of the processing chamber and the other end connected to a storage tank.
このエッチング装置によれば、搬送ローラによって基板が所定方向に搬送されるとともに、供給ポンプにより、貯留槽に貯留されたエッチング液が供給管を介し各ノズル体に供給されて当該各ノズル体から基板上面に吐出され、かかるエッチング液によって基板がエッチングされる。 According to this etching apparatus, the substrate is transported in a predetermined direction by the transport roller, and the etching liquid stored in the storage tank is supplied to each nozzle body via the supply pipe by the supply pump, and the substrate from each nozzle body. The substrate is discharged onto the upper surface and the substrate is etched by the etching solution.
そして、基板上面に吐出されたエッチング液は、回収管内を流通して処理チャンバ内から貯留槽内に回収される。貯留槽に貯留されたエッチング液中の前記寄与成分濃度は、濃度センサによって随時検出されており、当該濃度センサによって検出される寄与成分濃度が所定の基準濃度から外れると、エッチング液補給機構によって新たなエッチング液が貯留槽内に補給され、当該エッチング液中の前記寄与成分濃度が一定濃度に維持される。 Then, the etching solution discharged onto the upper surface of the substrate flows through the collection tube and is collected from the processing chamber into the storage tank. The contribution component concentration in the etching solution stored in the storage tank is detected at any time by a concentration sensor, and if the contribution component concentration detected by the concentration sensor deviates from a predetermined reference concentration, a new solution is added by the etching solution supply mechanism. The etching solution is replenished into the storage tank, and the concentration of the contributing component in the etching solution is maintained at a constant concentration.
ところで、例えば、基板の上面に形成された酸化インジウムスズ膜などの金属膜に対してエッチングを行うと、当該エッチングにより、当該金属膜を構成するインジウムやスズといった金属がエッチング液に溶解する。したがって、エッチング液を貯留槽と基板処理機構との間で循環させるように構成された上記従来のエッチング装置では、エッチング液中に含まれる前記金属の濃度が徐々に上昇して、この金属濃度が一定レベル以上になると、エッチング速度が低下したり、精度の良いエッチング形状が得られないという不都合を生じる。 By the way, for example, when etching is performed on a metal film such as an indium tin oxide film formed on the upper surface of the substrate, the metal such as indium and tin constituting the metal film is dissolved in the etching solution by the etching. Therefore, in the conventional etching apparatus configured to circulate the etching solution between the storage tank and the substrate processing mechanism, the concentration of the metal contained in the etching solution gradually increases, and this metal concentration is reduced. If it exceeds a certain level, the etching rate is lowered, and there is a disadvantage that an accurate etching shape cannot be obtained.
このため、上記従来のエッチング装置では、貯留槽内のエッチング液を定期的に取り替えなければならず、また、エッチング液の取り替え中はエッチング処理を行うことができないため、基板処理効率が低下する。また、このような処理効率の低下やエッチング液の取り替えにかかる費用(取り替えたエッチング液の廃棄処理費用や、取り替えるエッチング液の購入費用)によって、エッチング処理のコストが上昇する。 For this reason, in the said conventional etching apparatus, since the etching liquid in a storage tank must be replaced | exchanged regularly, since an etching process cannot be performed during replacement | exchange of an etching liquid, substrate processing efficiency falls. In addition, the cost of the etching process increases due to such a decrease in processing efficiency and the cost for replacing the etching solution (the disposal cost of the replaced etching solution and the purchase cost of the etching solution to be replaced).
本発明は、以上の実情に鑑みなされたものであって、基板の処理精度や処理効率を高く維持することができ、また、処理液の寿命の延命化を図ることで、処理液の使用量を低減し、基板の処理コストを抑えることができる基板処理装置の提供をその目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and can maintain a high processing accuracy and processing efficiency of the substrate, and can increase the life of the processing liquid, thereby increasing the amount of the processing liquid used. It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus that can reduce substrate processing costs.
上記目的を達成するための本発明は、
蓚酸を含んだ処理液を貯留する貯留槽と、
処理チャンバと、この処理チャンバ内に配置され、前記処理液を吐出するノズル体とを有し、酸化インジウムスズ膜が形成された基板を、前記ノズル体から吐出された処理液によって処理する処理手段と、
前記貯留槽内の処理液を前記ノズル体に供給するための第1供給管と、前記第1供給管に設けられた第1供給ポンプと、前記貯留槽と処理チャンバとを接続する第1回収管とを有し、前記第1供給管及び第1供給ポンプにより前記貯留槽内の処理液を前記ノズル体に供給して吐出させ、吐出された処理液を前記第1回収管により該処理チャンバから前記貯留槽内に回収して、前記貯留槽と処理手段との間で処理液を循環させる基板処理用循環手段と、
並設された少なくとも2つの吸着塔を備え、該各吸着塔の内部には、前記処理液中のインジウムイオン及びスズイオンを吸着するキレート剤が充填された吸着手段と、
一端が前記貯留槽に接続するとともに、他端が分岐して前記各吸着塔に接続し、前記貯留槽内の処理液を前記各吸着塔に供給するための第2供給管と、前記第2供給管の一端部と分岐部との間に設けられた第2供給ポンプと、前記第2供給管に設けられ、前記各吸着塔への前記処理液の供給を制御する第1切換弁と、前記各吸着塔内を流通した処理液を前記貯留槽内に回収するための第2回収管とを有し、前記第1切換弁を切り換えることによって前記各吸着塔のいずれか1つに対し選択的に前記処理液を供給して循環させる除去処理用循環手段とを備えてなることを特徴とする基板処理装置に係る。
To achieve the above object, the present invention provides:
A storage tank for storing a treatment liquid containing oxalic acid;
A processing means that includes a processing chamber and a nozzle body that is disposed in the processing chamber and that discharges the processing liquid, and that processes the substrate on which the indium tin oxide film is formed with the processing liquid discharged from the nozzle body. When,
A first supply pipe for supplying the processing liquid in the storage tank to the nozzle body, a first supply pump provided in the first supply pipe, and a first recovery for connecting the storage tank and the processing chamber. And a processing liquid in the storage tank is supplied to the nozzle body and discharged by the first supply pipe and the first supply pump, and the discharged processing liquid is supplied to the processing chamber by the first recovery pipe. The substrate processing circulation means for recovering in the storage tank and circulating the processing liquid between the storage tank and the processing means,
An adsorption means comprising at least two adsorption towers arranged side by side, each of the adsorption towers filled with a chelating agent that adsorbs indium ions and tin ions in the treatment liquid;
One end is connected to the storage tank, the other end is branched and connected to each adsorption tower, and a second supply pipe for supplying the treatment liquid in the storage tank to each adsorption tower; A second supply pump provided between one end of the supply pipe and the branch part; a first switching valve provided in the second supply pipe for controlling the supply of the processing liquid to each adsorption tower; A second recovery pipe for recovering the processing liquid flowing through each adsorption tower in the storage tank, and selecting one of the adsorption towers by switching the first switching valve In particular, the present invention relates to a substrate processing apparatus comprising a removal processing circulation means for supplying and circulating the processing liquid.
この基板処理装置によれば、貯留槽に貯留された処理液が第1供給管及び第1供給ポンプによりノズル体に供給されてこのノズル体から吐出され、吐出された処理液によって基板が処理される。吐出された処理液は、第1回収管により処理チャンバから貯留槽内に回収され、このようにして、処理液が貯留槽と処理手段との間で循環せしめられる。そして、循環する処理液中には、処理手段における処理過程で、基板上の酸化インジウムスズ膜が溶解され、インジウムイオン及びスズイオンが含まれるようになる。 According to this substrate processing apparatus, the processing liquid stored in the storage tank is supplied to the nozzle body by the first supply pipe and the first supply pump and discharged from the nozzle body, and the substrate is processed by the discharged processing liquid. The The discharged processing liquid is recovered from the processing chamber into the storage tank by the first recovery pipe, and thus the processing liquid is circulated between the storage tank and the processing means. Then, in the circulating processing liquid, the indium tin oxide film on the substrate is dissolved and contains indium ions and tin ions in the processing process in the processing means.
一方、貯留槽に貯留された処理液は、第2供給管,第2供給ポンプ,第1切換弁及び第2回収管によって当該貯留槽と吸着塔のいずれか1つとの間で循環せしめられ、吸着塔内のキレート剤によって処理液中のインジウムイオンやスズイオンが吸着され、当該処理液中から除去される。 On the other hand, the processing liquid stored in the storage tank is circulated between the storage tank and any one of the adsorption towers by the second supply pipe, the second supply pump, the first switching valve, and the second recovery pipe, Indium ions and tin ions in the treatment liquid are adsorbed by the chelating agent in the adsorption tower and removed from the treatment liquid.
処理液の供給される吸着塔は、例えば、キレート剤に吸着されたインジウムイオン及びスズイオンが略飽和状態に達したと判断されたときに第1切換弁が適宜操作されて切り換えられることにより他の吸着塔に変更されるようになっており、これによって、吸着手段における吸着能力が一定に維持される。尚、処理液の供給される吸着塔が切り換えられると、処理液の供給が停止された吸着塔は、キレート剤に吸着されたインジウム及びスズを溶離させる溶離液などを用いてキレート剤が適宜再生される。 For example, the adsorption tower to which the treatment liquid is supplied can be switched by switching the first switching valve as appropriate when it is determined that the indium ions and tin ions adsorbed on the chelating agent have reached a substantially saturated state. The adsorption tower is changed so that the adsorption capacity of the adsorption means is kept constant. When the adsorption tower to which the processing liquid is supplied is switched, the adsorption tower that has stopped supplying the processing liquid is appropriately regenerated with an eluent that elutes indium and tin adsorbed on the chelating agent. Is done.
斯くして、本発明に係る基板処理装置によれば、貯留槽内の処理液を貯留槽と吸着塔のいずれか1つとの間で循環させることで、処理を行いながら処理液中のインジウムイオン及びスズイオンを吸着,除去しているので、処理液の延命化を図って処理液の取り替えサイクルを長くすることができるとともに、処理液の取り替えサイクルが長くなることにより、新しい処理液の購入費用や使用済の処理液の廃棄費用など、処理液に要する費用を低く抑えることができ、当該処理液を用いた基板処理にかかるコストを低くすることができる。 Thus, according to the substrate processing apparatus of the present invention, the processing liquid in the storage tank is circulated between one of the storage tank and the adsorption tower, so that the indium ions in the processing liquid are processed while performing the processing. In addition, the adsorption and removal of tin ions can prolong the life of the treatment liquid and lengthen the treatment liquid replacement cycle, and the longer the treatment liquid replacement cycle, Costs required for the processing liquid, such as the disposal cost of the used processing liquid, can be kept low, and the cost for substrate processing using the processing liquid can be reduced.
また、処理手段によって基板を処理している間中、吸着塔に対し絶えず処理液を循環させるようにすれば、処理液中のインジウムイオン及びスズイオンの濃度を常に一定レベル以下に抑えることができる。これにより、エッチング不良が生じるのを防止したり、処理手段を停止させることなく連続的に稼働させることができ、歩留まりや基板処理効率を良くすることができる。 Further, if the processing liquid is continuously circulated through the adsorption tower while the substrate is being processed by the processing means, the concentrations of indium ions and tin ions in the processing liquid can always be kept below a certain level. Thereby, it is possible to prevent the occurrence of defective etching or to operate continuously without stopping the processing means, and to improve the yield and the substrate processing efficiency.
また、処理液の供給される吸着塔を第1切換弁の切換により切り換えながら貯留槽内の処理液を循環させるようにしたので、吸着手段の吸着能力を低下させることなく処理液からインジウムイオン及びスズイオンを除去することができ、効率的に除去することができる。 Further, since the treatment liquid in the storage tank is circulated while switching the adsorption tower to which the treatment liquid is supplied by switching the first switching valve, indium ions and ions are removed from the treatment liquid without reducing the adsorption capacity of the adsorption means. Tin ions can be removed and removed efficiently.
尚、前記基板処理装置は、前記各吸着塔のキレート剤に吸着されたインジウム及びスズを溶離させる溶離液を該各吸着塔に供給するための溶離液供給管と、前記溶離液供給管に設けられ、前記各吸着塔への前記溶離液の供給を制御する第2切換弁とを有し、前記第2切換弁を切り換えることによって前記各吸着塔のいずれか1つに対し選択的に前記溶離液を供給する溶離液供給手段と、前記各吸着塔内を流通した溶離液を回収する溶離液回収手段とを更に備え、前記第2切換弁を切り換えることにより、前記処理液の供給が停止され且つ前記キレート剤がインジウム及びスズを吸着した状態にある前記吸着塔に前記溶離液を供給するように構成されていても良い。 The substrate processing apparatus is provided in an eluent supply pipe for supplying an eluent for eluting indium and tin adsorbed by the chelating agent of each adsorption tower to each adsorption tower, and in the eluent supply pipe. And a second switching valve for controlling the supply of the eluent to each of the adsorption towers, and the elution is selectively performed for any one of the adsorption towers by switching the second switching valve. An eluent supply means for supplying a liquid and an eluent recovery means for recovering the eluent flowing through each adsorption tower, and the supply of the processing liquid is stopped by switching the second switching valve. In addition, the eluent may be supplied to the adsorption tower in which the chelating agent has adsorbed indium and tin.
このようにすれば、処理液の供給される吸着塔が除去処理用循環手段の第1切換弁によって切り換えられると、溶離液供給手段の第2切換弁が適宜操作されて切り換えられることにより、処理液の供給が停止された吸着塔に溶離液が供給される。吸着塔のキレート剤に吸着されたインジウム及びスズは、この溶離液によって溶離し、溶離したインジウムイオン及びスズイオンを含む溶離液が溶離液回収手段によって回収される。これにより、キレート剤を再生することができる。また、処理液中に溶解したインジウムは非常に高価であり、これを回収することができれば好都合であるが、上記のようにして回収した溶離液中のインジウムイオンを適宜回収することで、処理液に溶解した高価な金属を回収することもできる。 In this way, when the adsorption tower to which the processing liquid is supplied is switched by the first switching valve of the removal processing circulation means, the second switching valve of the eluent supply means is appropriately operated and switched, whereby the processing is performed. The eluent is supplied to the adsorption tower where the liquid supply has been stopped. The indium and tin adsorbed by the chelating agent in the adsorption tower are eluted by this eluent, and the eluent containing the eluted indium ions and tin ions is recovered by the eluent recovery means. Thereby, the chelating agent can be regenerated. Further, indium dissolved in the processing liquid is very expensive, and it is convenient if it can be recovered. However, by appropriately recovering indium ions in the eluent recovered as described above, the processing liquid can be recovered. It is also possible to recover expensive metals dissolved in the solution.
また、前記基板処理装置は、前記各吸着塔の内部を洗浄する洗浄液を該各吸着塔に供給するための洗浄液供給管と、前記洗浄液供給管に設けられ、前記各吸着塔への前記洗浄液の供給を制御する第3切換弁とを有し、前記第3切換弁を切り換えることによって前記各吸着塔のいずれか1つに対し選択的に前記洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記各吸着塔内を流通した洗浄液を外部に排出するための洗浄液排出管とを更に備え、前記第3切換弁を切り換えることにより、溶離液供給後の前記吸着塔に前記洗浄液を供給するように構成されていても良い。 In addition, the substrate processing apparatus is provided in a cleaning liquid supply pipe for supplying a cleaning liquid for cleaning the inside of each adsorption tower to each adsorption tower, and in the cleaning liquid supply pipe, and the cleaning liquid is supplied to each adsorption tower. A third switching valve for controlling supply, and a cleaning liquid supply means for selectively supplying the cleaning liquid to any one of the adsorption towers by switching the third switching valve; and each of the adsorption towers A cleaning liquid discharge pipe for discharging the cleaning liquid flowing through the inside to the outside, and switching the third switching valve to supply the cleaning liquid to the adsorption tower after supplying the eluent. Also good.
このようにすれば、キレート剤に吸着された金属の溶離が終了すると、洗浄液供給手段の第3切換弁が適宜操作されて切り換えられることにより、溶離液供給後の吸着塔に洗浄液が供給される。この洗浄液によって吸着塔の内部が洗浄され、当該洗浄液は、洗浄液排出管から外部に排出される。吸着塔の内部に溶離液が残っていると、貯留槽内の処理液が当該吸着塔に供給されたときに当該処理液と溶離液とが混ざって、処理液を用いた基板処理に悪影響を及ぼす恐れがあるが、洗浄液によって、吸着塔内に残存している溶離液を洗い流すことで、このような不都合を有効に防止することができる。 In this way, when the elution of the metal adsorbed on the chelating agent is completed, the cleaning liquid is supplied to the adsorption tower after the eluent is supplied by appropriately switching the third switching valve of the cleaning liquid supply means. . The inside of the adsorption tower is cleaned by this cleaning liquid, and the cleaning liquid is discharged to the outside from the cleaning liquid discharge pipe. If the eluent remains inside the adsorption tower, when the processing liquid in the storage tank is supplied to the adsorption tower, the processing liquid and the elution liquid are mixed, which adversely affects substrate processing using the processing liquid. However, such an inconvenience can be effectively prevented by washing away the eluent remaining in the adsorption tower with the washing liquid.
また、前記基板処理装置は、予め設定された時間間隔で前記第1切換弁を切り換える制御手段を更に備えて構成されていても良い。この場合、制御手段によって、所定の時間間隔で、即ち、吸着塔のキレート剤に吸着されたインジウム及びスズが略飽和状態に達したと推定される時間間隔で、除去処理用循環手段の第1切換弁が切り換えられ、処理液の供給される吸着塔が切り換えられる。したがって、このように構成しても、吸着手段における吸着能力が一定に維持されるので、上記と同様の効果を得ることができる。 The substrate processing apparatus may further include a control unit that switches the first switching valve at a preset time interval. In this case, the first means of the removal processing circulation means is determined by the control means at a predetermined time interval, that is, at a time interval at which it is estimated that indium and tin adsorbed by the chelating agent of the adsorption tower have reached a substantially saturated state. The switching valve is switched, and the adsorption tower to which the processing liquid is supplied is switched. Therefore, even if comprised in this way, since the adsorption | suction capability in an adsorption | suction means is maintained uniformly, the effect similar to the above can be acquired.
或は、前記第1切換弁の切換制御は、処理手段によって処理された基板の枚数を基に行うようにしても良い。即ち、前記処理手段によって処理された基板の枚数を計数し、計数した枚数が予め設定された枚数となったときに切換信号を出力する計数手段と、前記計数手段から前記切換信号を受信したときに前記第1切換弁を切り換える制御手段とを設けても良い。 Alternatively, the switching control of the first switching valve may be performed based on the number of substrates processed by the processing means. That is, counting means for counting the number of substrates processed by the processing means and outputting a switching signal when the counted number reaches a preset number; and when the switching signal is received from the counting means And a control means for switching the first switching valve.
この場合、処理手段における基板処理枚数が所定枚数となったときに、即ち、吸着塔のキレート剤に吸着されたインジウム及びスズが略飽和状態に達したと推定される枚数となったときに、第1切換弁が切り換えられ、処理液の供給される吸着塔が切り換えられる。したがって、このように構成しても、前記吸着手段における吸着能力が一定に維持されるので、上記と同様の効果を得ることができる。 In this case, when the number of substrates processed in the processing means becomes a predetermined number, that is, when the number of indium and tin adsorbed by the chelating agent of the adsorption tower is estimated to have reached a substantially saturated state, The first switching valve is switched, and the adsorption tower to which the processing liquid is supplied is switched. Therefore, even if comprised in this way, since the adsorption | suction capability in the said adsorption | suction means is maintained constant, the effect similar to the above can be acquired.
更に、前記基板処理装置は、前記貯留槽に貯留された処理液中のインジウムイオン及びスズイオンのうち少なくとも一方のイオン濃度を検出する濃度検出手段と、前記濃度検出手段によって検出されるイオン濃度が予め設定された基準値よりも高くなったときに前記第1切換弁を切り換える制御手段とを備えて構成されていても良い。 Further, the substrate processing apparatus includes a concentration detection unit that detects an ion concentration of at least one of indium ions and tin ions in the processing liquid stored in the storage tank, and an ion concentration detected by the concentration detection unit in advance. Control means for switching the first switching valve when the reference value becomes higher than a set reference value may be provided.
この場合、制御手段による除去処理用循環手段の第1切換弁の切換制御は、以下のようにして実行される。即ち、吸着塔のキレート剤に吸着されたインジウム及びスズが略飽和状態に達して吸着能力が低下し、貯留槽内の処理液中のインジウムイオン及びスズイオン濃度が上昇して、濃度検出手段により検出されるイオン濃度が所定の基準値よりも高くなると、第1切換弁が切り換えられて、処理液の供給される吸着塔が他の吸着塔に変更される。 In this case, the switching control of the first switching valve of the removal processing circulation means by the control means is executed as follows. That is, indium and tin adsorbed by the chelating agent in the adsorption tower reach a substantially saturated state, the adsorption capacity decreases, and the concentration of indium ions and tin ions in the treatment liquid in the storage tank rises and is detected by the concentration detection means. When the ion concentration to be applied becomes higher than a predetermined reference value, the first switching valve is switched, and the adsorption tower to which the processing liquid is supplied is changed to another adsorption tower.
したがって、このように構成しても、吸着手段における吸着能力が一定に維持されるので、上記と同様の効果を得ることができる。 Therefore, even if comprised in this way, since the adsorption | suction capability in an adsorption | suction means is maintained uniformly, the effect similar to the above can be acquired.
また、前記基板処理装置は、前記貯留槽に貯留された処理液中の、前記基板処理に寄与する成分の濃度を検出する寄与成分濃度検出手段と、前記寄与成分濃度検出手段によって検出される寄与成分濃度を基に、前記貯留槽に貯留された処理液中の前記寄与成分濃度を調整して予め設定された範囲内に維持する濃度調整手段とを更に備えて構成されていても良い。 Further, the substrate processing apparatus includes a contribution component concentration detection unit that detects a concentration of a component that contributes to the substrate processing in the processing liquid stored in the storage tank, and a contribution detected by the contribution component concentration detection unit. Concentration adjusting means for adjusting the concentration of the contributing component in the processing liquid stored in the storage tank based on the component concentration and maintaining the concentration within a preset range may be provided.
このようにすれば、貯留槽に貯留された処理液中の寄与成分濃度を所定の範囲内に維持することができるので、処理手段における基板処理などにより貯留槽内の処理液の寄与成分濃度が変動して所定の処理能力が得られなくなるといった不都合を防止し、処理液による基板処理能力を最適な状態に維持することができる。 In this way, since the contribution component concentration in the treatment liquid stored in the storage tank can be maintained within a predetermined range, the contribution component concentration of the treatment liquid in the storage tank is reduced by the substrate processing in the processing means. It is possible to prevent the disadvantage that the predetermined processing capability cannot be obtained due to fluctuations, and to maintain the substrate processing capability with the processing liquid in an optimum state.
尚、前記基板としては、例えば、半導体(シリコン)ウエハ,液晶ガラス基板,フォトマスク用ガラス基板及び光ディスク用基板などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。また、前記処理液としては、例えば、エッチング液,現像液及び洗浄液などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。 Examples of the substrate include, but are not limited to, a semiconductor (silicon) wafer, a liquid crystal glass substrate, a photomask glass substrate, and an optical disk substrate. Examples of the processing solution include, but are not limited to, an etching solution, a developing solution, and a cleaning solution.
また、前記キレート剤とは、一般的には、有機系のアミノカルボン酸塩を総称したものであり、金属イオンを吸着し、吸着された金属は特定の溶液によって溶離するという性質を備えたものである。具体的には、EDTA(エチレンジアミン四酢酸),NTA(ニトリロ三酢酸),DTPA(ジエチレントリアミン五酢酸),GLDA(L−グルタミン酸二酢酸),HEDTA(ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸),GEDTA(グリコールエーテルジアミン四酢酸),TTHA(トリエチレンテトラミン六酢酸),HIDA(ヒドロキシエチルイミノ二酢酸)及びDHEG(ヒドロキシエチルグリシン)などが一例として挙げられるが、これらに限定されるものではない。 The chelating agent is generally a generic term for organic aminocarboxylates, and has the property of adsorbing metal ions and eluting the adsorbed metal by a specific solution. It is. Specifically, EDTA (ethylenediaminetetraacetic acid), NTA (nitrilotriacetic acid), DTPA (diethylenetriaminepentaacetic acid), GLDA (L-glutamic acid diacetic acid), HEDTA (hydroxyethylethylenediaminetriacetic acid), GEDTA (glycol ether diamine tetraacetic acid) Acetic acid), TTHA (triethylenetetramine hexaacetic acid), HIDA (hydroxyethyliminodiacetic acid), DHEG (hydroxyethylglycine) and the like can be mentioned as examples, but are not limited thereto.
以上のように、本発明に係る基板処理装置によれば、処理液中のインジウムイオン及びスズイオンを吸着,除去して当該処理液を再利用可能にすることができ、処理液にかかる費用、ひいては基板処理にかかる費用を抑えることができる。また、吸着能力を低下させることなく処理液からインジウムイオン及びスズイオンを除去することができ、効率的である。また、基板処理中、吸着塔に常に処理液を循環させるようにすれば、処理液中のインジウムイオン及びスズイオン濃度を一定レベル以下に抑えつつ基板処理を連続的に行うことができ、エッチング不良が発生するのを防止したり、より低コストで基板処理を行うことができる。 As described above, according to the substrate processing apparatus of the present invention, the processing liquid can be reused by adsorbing and removing indium ions and tin ions in the processing liquid. Costs for substrate processing can be suppressed. Further, indium ions and tin ions can be removed from the treatment liquid without reducing the adsorption capacity, which is efficient. In addition, if the processing liquid is always circulated through the adsorption tower during the substrate processing, the substrate processing can be continuously performed while suppressing the concentration of indium ions and tin ions in the processing liquid to a certain level or less. Generation | occurrence | production can be prevented or a substrate process can be performed at lower cost.
以下、本発明の具体的な実施形態について、添付図面に基づき説明する。尚、図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示した構成図である。 Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a configuration diagram showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
図1に示すように、本例の基板処理装置1は、例えば、蓚酸濃度(重量%)が約3%のエッチング液Lを用いて、上面に酸化インジウムスズ膜(金属膜)が形成された基板Kにエッチング処理を行うもので、エッチング液Lを貯留する貯留槽11と、エッチング液Lによって基板Kをエッチングする基板処理機構12と、貯留槽11と基板処理機構12との間でエッチング液Lを循環させる第1エッチング液循環機構(エッチング処理用循環機構)20と、エッチング液Lに溶解したインジウムやスズ(金属)を除去する除去機構30などから構成される。
As shown in FIG. 1, in the
また、前記基板処理装置1は、貯留槽11に貯留されたエッチング液Lの蓚酸濃度(エッチング処理に寄与する成分の濃度)を検出する濃度センサ24と、貯留槽11に貯留されたエッチング液Lの蓚酸濃度を調整する濃度調整機構25と、基板処理機構12,第1エッチング液循環機構20及び除去機構30などの作動を制御する制御装置28とを備えている。尚、前記制御装置28は、基板処理機構12及び第1エッチング液循環機構20を制御する第1制御部28aと、除去機構30を制御する第2制御部28bとを備える。また、上記構成では、前記貯留槽11,除去機構30及び第2制御部28bがエッチング液処理装置5として機能する。
The
前記基板処理機構12は、閉塞空間を備えた処理チャンバ13と、処理チャンバ13内の下部に配設され、基板Kを水平に支持して所定方向(矢示方向)に搬送する複数の搬送ローラ14と、処理チャンバ13内の上部に配設され、第1エッチング液循環機構20によって供給されたエッチング液Lが流通する流通管15と、流通管15に固設され、搬送ローラ14によって搬送される基板Kの上面に向けてエッチング液Lを吐出する複数のノズル体16などからなり、処理チャンバ13内のエッチング液Lは、当該処理チャンバ13の底面に形成された排出口13aから外部に排出されるようになっている。
The
前記第1エッチング液循環機構20は、一端側が貯留槽11に接続し、他端側が流通管15に接続した供給管21と、第1制御部28aによって作動が制御され、供給管21を介して流通管15内にエッチング液Lを供給する供給ポンプ22と、一端側が処理チャンバ13の排出口13aに接続し、他端側が貯留槽11に接続した回収管23などからなる。
The operation of the first
前記除去機構30は、基板処理機構12でのエッチング処理によってエッチング液Lに溶解し、当該エッチング液Lに含まれるようになったインジウムイオンやスズイオン(金属イオン)を吸着する金属イオン吸着機構31と、貯留槽11と金属イオン吸着機構31との間でエッチング液Lを循環させる第2エッチング液循環機構(除去処理用循環機構)34と、金属イオン吸着機構31によって吸着されたインジウムやスズを溶離させるための溶離液を供給する溶離液供給機構42と、溶離液を金属イオン吸着機構31から回収する溶離液回収機構48と、金属イオン吸着機構31を洗浄するための洗浄液を供給する洗浄液供給機構54と、洗浄液を金属イオン吸着機構31から回収する洗浄液回収機構58とを備える。
The
前記金属イオン吸着機構31は、インジウムイオンやスズイオンを吸着するキレート剤(図示せず)が内部に充填された少なくとも2つの吸着塔(第1吸着塔32及び第2吸着塔33)を備える。尚、キレート剤(図示せず)とは、一般的には、有機系のアミノカルボン酸塩を総称したものであり、金属イオンを吸着し、吸着された金属は特定の溶液によって溶離するという性質を備えたものである。具体的には、EDTA(エチレンジアミン四酢酸),NTA(ニトリロ三酢酸),DTPA(ジエチレントリアミン五酢酸),GLDA(L−グルタミン酸二酢酸),HEDTA(ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸),GEDTA(グリコールエーテルジアミン四酢酸),TTHA(トリエチレンテトラミン六酢酸),HIDA(ヒドロキシエチルイミノ二酢酸)及びDHEG(ヒドロキシエチルグリシン)などが一例として挙げられるが、これらに限定されるものではない。
The metal
前記第2エッチング液循環機構34は、一端側が貯留槽11に接続し、他端側が分岐して各吸着塔32,33に接続したエッチング液供給管35と、第2制御部28bによって作動が制御され、エッチング液供給管35を介して各吸着塔32,33の内部にエッチング液Lを供給する供給ポンプ36と、一端側が貯留槽11に接続し、他端側が分岐して各吸着塔32,33に接続したエッチング液回収管37と、エッチング液供給管35の他端側分岐部にそれぞれ設けられた第1供給側切換弁38及び第2供給側切換弁39と、エッチング液回収管37の他端側分岐部にそれぞれ設けられた第1排出側切換弁40及び第2排出側切換弁41などからなる。
The operation of the second
前記各切換弁38,39,40,41は、第1供給側切換弁38及び第1排出側切換弁40が開いているときには、第2供給側切換弁39及び第2排出側切換弁41が閉じるように、第2供給側切換弁39及び第2排出側切換弁41が開いているときには、第1供給側切換弁38及び第1排出側切換弁40が閉じるように、第2制御部28bによって制御される。
When the first supply
この第2エッチング液循環機構34では、供給ポンプ36が駆動されると、エッチング液Lの供給される吸着塔32,33が供給側切換弁38,39により制御されつつ貯留槽11内のエッチング液Lがエッチング液供給管35を介して吸着塔32,33のいずれか一方に供給される。即ち、第1供給側切換弁38が開き、第2供給側切換弁39が閉じているときには、第1吸着塔32にエッチング液Lが供給され、第1供給側切換弁38が閉じ、第2供給側切換弁39が開いているときには、第2吸着塔33にエッチング液Lが供給される。
In the second etching
そして、吸着塔32,33のいずれか一方に供給され、当該吸着塔32,33内を流通したエッチング液Lは、エッチング液回収管37を介して当該吸着塔32,33から貯留槽11内に回収される。
Then, the etching liquid L that is supplied to one of the adsorption towers 32 and 33 and circulates in the adsorption towers 32 and 33 enters the
前記溶離液供給機構42は、第2制御部28bによって作動が制御され、例えば、塩酸や硫酸からなる溶離液を供給する供給部43と、一端側が供給部43に接続し、他端側が分岐して各吸着塔32,33に接続した溶離液供給管44と、第2制御部28bによって作動が制御され、溶離液供給管44の一端側に設けられた溶離液供給弁45と、溶離液供給管44の他端側分岐部にそれぞれ設けられた第1供給側切換弁46及び第2供給側切換弁47などからなり、前記各切換弁46,47は、第1供給側切換弁46が開いているときには、第2供給側切換弁47が閉じるように、第2供給側切換弁47が開いているときには、第1供給側切換弁46が閉じるように、第2制御部28bによって制御される。
The operation of the
前記溶離液回収機構48は、溶離液を回収する回収部49と、一端側が回収部49に接続し、他端側が分岐して各吸着塔32,33に接続した溶離液回収管50と、溶離液回収管50の他端側分岐部にそれぞれ設けられた第1排出側切換弁51及び第2排出側切換弁52と、第2制御部28bによって作動が制御され、溶離液回収管50の一端側に設けられた溶離液回収弁53などからなり、前記各切換弁51,52は、第1排出側切換弁51が開いているときには、第2排出側切換弁52が閉じるように、第2排出側切換弁52が開いているときには、第1排出側切換弁51が閉じるように、第2制御部28bによって制御される。
The
この溶離液供給機構42及び溶離液回収機構48では、供給部43が駆動されると、溶離液の供給される吸着塔32,33が供給側切換弁46,47により制御されつつ溶離液が供給部43から溶離液供給管44を介して吸着塔32,33のいずれか一方に供給される。即ち、第1供給側切換弁46が開き、第2供給側切換弁47が閉じているときには、第1吸着塔32に溶離液が供給され、第1供給側切換弁46が閉じ、第2供給側切換弁47が開いているときには、第2吸着塔33に溶離液が供給される。
In the
そして、吸着塔32,33のいずれか一方に供給され、当該吸着塔32,33内を流通した溶離液は、溶離液回収管50を介して当該吸着塔32,33から回収部49内に回収される。尚、第1供給側切換弁46が開いているときには、第1排出側切換弁51が開いて、第2排出側切換弁52は閉じており、第2供給側切換弁47が開いているときには、第2排出側切換弁52が開いて、第1排出側切換弁51は閉じるようになっている。また、供給部43が駆動されると、溶離液供給弁45及び溶離液回収弁53が開くようになっている。
The eluent supplied to one of the adsorption towers 32 and 33 and flowing through the adsorption towers 32 and 33 is recovered from the adsorption towers 32 and 33 into the
前記洗浄液供給機構54は、第2制御部28bによって作動が制御され、例えば、純水からなる洗浄液を供給する供給部55と、一端側が供給部55に接続し、他端側が溶離液供給管44の分岐部と一端側との間に接続して、当該溶離液供給管44を介し各吸着塔32,33に接続した洗浄液供給管56と、第2制御部28bによって作動が制御され、洗浄液供給管56に設けられた洗浄液供給弁57と、前記第1供給側切換弁46及び第2供給側切換弁47などからなり、前記各切換弁46,47は、上記と同様、第1供給側切換弁46が開いているときには、第2供給側切換弁47が閉じるように、第2供給側切換弁47が開いているときには、第1供給側切換弁46が閉じるように、第2制御部28bによって制御される。
The operation of the cleaning
前記洗浄液回収機構58は、洗浄液を回収する回収部59と、一端側が回収部59に接続し、他端側が溶離液回収管50の分岐部と溶離液回収弁53との間に接続して、当該溶離液回収管50を介し各吸着塔32,33に接続した洗浄液回収管(洗浄液排出管)60と、前記第1排出側切換弁51及び第2排出側切換弁52と、第2制御部28bによって作動が制御され、洗浄液回収管60の他端側に設けられた洗浄液回収弁61などからなり、前記各切換弁51,52は、上記と同様、第1排出側切換弁51が開いているときには、第2排出側切換弁52が閉じるように、第2排出側切換弁52が開いているときには、第1排出側切換弁51が閉じるように、第2制御部28bによって制御される。
The cleaning
この洗浄液供給機構54及び洗浄液回収機構58では、供給部55が駆動されると、洗浄液の供給される吸着塔32,33が供給側切換弁46,47により制御されつつ洗浄液が供給部55から洗浄液供給管56及び溶離液供給管44を介して吸着塔32,33のいずれか一方に供給される。即ち、第1供給側切換弁46が開き、第2供給側切換弁47が閉じているときには、第1吸着塔32に洗浄液が供給され、第1供給側切換弁46が閉じ、第2供給側切換弁47が開いているときには、第2吸着塔33に洗浄液が供給される。
In the cleaning
そして、吸着塔32,33のいずれか一方に供給され、当該吸着塔32,33内を流通した洗浄液は、溶離液回収管50及び洗浄液回収管60を介して当該吸着塔32,33から回収部59内に回収される。尚、第1供給側切換弁46が開いているときには、第1排出側切換弁51が開いて、第2排出側切換弁52は閉じており、第2供給側切換弁47が開いているときには、第2排出側切換弁52が開いて、第1排出側切換弁51は閉じるようになっている。また、供給部55が駆動されると、洗浄液供給弁57及び洗浄液回収弁59が開くようになっている。
The cleaning liquid supplied to one of the adsorption towers 32 and 33 and circulated through the adsorption towers 32 and 33 is recovered from the adsorption towers 32 and 33 via the
前記濃度調整機構25は、例えば、蓚酸や純水などを貯留槽11内に供給する供給部26と、一端側が供給部26に接続し、他端側が貯留槽11に接続した供給管27と、濃度センサ24によって検出される蓚酸濃度を基に供給部26の作動を制御する前記第1制御部28aなどから構成される。
The concentration adjusting mechanism 25 includes, for example, a
前記第1制御部28aは、第1エッチング液循環機構20の供給ポンプ22を制御して、貯留槽11と基板処理機構12との間でエッチング液Lを循環させる。また、第1制御部28aは、濃度センサ24によって検出される蓚酸濃度を基に供給部26を制御して、貯留槽11に貯留されたエッチング液Lの蓚酸濃度を予め設定された範囲内に維持する。例えば、濃度センサ24による検出蓚酸濃度が前記予め設定された範囲よりも高い場合には、純水を貯留槽11に供給させ、濃度センサ24による検出蓚酸濃度が前記予め設定された範囲よりも低い場合には、蓚酸を貯留槽11に供給させて、エッチング液Lの蓚酸濃度を予め設定された範囲内とする。尚、第1制御部28aは、第1エッチング液循環機構20によるエッチング液Lの循環を開始したとき及び終了したときにその旨の信号(開始信号及び終了信号)を第2制御部28bに送信する。
The
前記第2制御部28bは、第1制御部28aから前記開始信号を受信すると、第2エッチング液循環機構34の供給ポンプ36及び各切換弁38,39,40,41を制御して、エッチング液Lの供給される吸着塔32,33を予め設定された時間間隔で交互に切り換えながら、当該吸着塔32,33のいずれか一方に貯留槽11内のエッチング液Lを供給して循環させる処理を実行するとともに、エッチング液Lの供給される吸着塔32,33を切り換えると、吸着塔32,33の切換でエッチング液Lの供給が停止された吸着塔32,33に、まず、溶離液供給機構42の供給部43,溶離液供給弁45及び各切換弁46,47並びに溶離液回収機構48の各切換弁51,52及び溶離液回収弁53を制御して溶離液を所定時間供給した後、洗浄液供給機構54の供給部54,洗浄液供給弁57及び各切換弁46,47並びに洗浄液回収機構58の各切換弁51,52及び洗浄液回収弁61を制御して洗浄液を所定時間供給する処理を実行する。尚、第2制御部28bは、第1制御部28aから前記終了信号を受信すると、第2エッチング液循環機構34によるエッチング液Lの循環を停止する。
When the
以上のように構成された本例の基板処理装置1によれば、貯留槽11に貯留されたエッチング液Lは、第1制御部28aによる制御の下、第1エッチング液循環機構20の供給ポンプ22により供給管21及び流通管15を介して各ノズル体16に供給され、当該各ノズル体16から基板Kの上面に向けて吐出される。そして、基板Kの上面に吐出されたエッチング液Lは、処理チャンバ13の排出口13aから回収管23内を流通して貯留槽11内に回収され、このようにして貯留槽11内のエッチング液Lが当該貯留槽11と基板処理機構12との間で循環する。
According to the
前記基板Kは、搬送ローラ14によって所定方向に搬送されており、各ノズル体16から吐出されたエッチング液L(当該エッチング液L中の蓚酸)によってエッチングされる。尚、このエッチング処理により基板Kの酸化インジウムスズ膜がエッチング液Lに溶解し、当該エッチング液L中にインジウムイオンやスズイオンが含まれるようになる。
The substrate K is transported in a predetermined direction by
また、貯留槽11に貯留されたエッチング液Lは、第2制御部28bによる制御の下、第2エッチング液循環機構34の供給ポンプ36及び各切換弁38,39によりエッチング液供給管35を介して吸着塔32,33のいずれか一方に選択的に供給されるとともに、当該吸着塔32,33内を流通後、エッチング液回収管37を介して貯留槽11内に回収され、当該貯留槽11と吸着塔32,33との間で循環せしめられる。これにより、エッチング液L中のインジウムイオンやスズイオンが、吸着塔32,33の内部に充填されたキレート剤(図示せず)によって吸着される。
The etching solution L stored in the
エッチング液Lの供給される吸着塔32,33は、第2制御部28bによって第2エッチング液循環機構34の各切換弁38,39,40,41が制御されることにより、所定の時間間隔で、即ち、吸着塔32,33のキレート剤(図示せず)に吸着されたインジウムやスズが略飽和状態に達すると推定される時間間隔で交互に切り換えられるようになっており、エッチング液Lの供給される吸着塔32,33が切り換えられると、以下のような処理が第2制御部28bによって実行される。
The adsorption towers 32, 33 to which the etchant L is supplied are controlled at predetermined time intervals by controlling the switching
即ち、まず、第2制御部28bによって溶離液供給機構42の供給部43,溶離液供給弁45及び各切換弁46,47並びに溶離液回収機構48の各切換弁51,52及び溶離液回収弁53が制御されることにより、吸着塔32,33の切換でエッチング液Lの供給が停止された吸着塔32,33に(第1吸着塔32から第2吸着塔33に切り換わったときには第1吸着塔32に、第2吸着塔33から第1吸着塔32に切り換わったときには第2吸着塔33に)溶離液が供給部43から溶離液供給管44を介して供給され、供給された溶離液は、当該吸着塔32,33内を流通後、溶離液回収管50を介して回収部49内に回収される。これにより、当該吸着塔32,33のキレート剤(図示せず)に吸着されたインジウムやスズがこの溶離液によって溶離し、溶離したインジウムイオンやスズイオンを含む溶離液が回収部49内に回収される。
That is, first, the
この後、第2制御部28bによって洗浄液供給機構54の供給部54,洗浄液供給弁57及び各切換弁46,47並びに洗浄液回収機構58の各切換弁51,52及び洗浄液回収弁61が制御されることにより、前記溶離液の供給された吸着塔32,33と同じ吸着塔32,33に洗浄液が供給部55から洗浄液供給管56及び溶離液供給管44を介して供給され、供給された洗浄液は、当該吸着塔32,33内を流通後、溶離液回収管50及び洗浄液回収管60を介して回収部59内に回収される。これにより、当該吸着塔32,33の内部に残存した溶離液がこの洗浄液によって洗い流される。
Thereafter, the
このようにして、エッチング液Lの供給が停止された吸着塔32,33に溶離液及び洗浄液が順次供給されると、当該吸着塔32,33は、この後、待機状態となる。また、このように、エッチング液Lが供給される吸着塔32,33が切り換えられることで、金属イオン吸着機構31におけるインジウムイオンやスズイオンの吸着能力が一定に維持され、エッチング液L中のインジウムイオン濃度やスズイオン濃度が一定レベル以下に抑えられる。
In this way, when the eluent and the cleaning liquid are sequentially supplied to the adsorption towers 32 and 33 from which the supply of the etching liquid L has been stopped, the adsorption towers 32 and 33 thereafter enter a standby state. In addition, by switching the adsorption towers 32 and 33 to which the etching solution L is supplied in this way, the adsorption capability of indium ions and tin ions in the metal
尚、貯留槽11に貯留されたエッチング液Lは、その蓚酸濃度が濃度調整機構25によって所定範囲内に維持されている。また、第2制御部28bが開始信号を受信してから終了信号を受信するまでの間、即ち、エッチング処理が行われている間、吸着塔32,33にも絶えずエッチング液Lが循環せしめられており、エッチング液Lからインジウムイオンやスズイオンを除去しつつエッチング処理が行われる。
Note that the oxalic acid concentration of the etching solution L stored in the
斯くして、本例の基板処理装置1によれば、基板処理機構12で基板Kをエッチングしている間、第2エッチング液循環機構34により、貯留槽11内のエッチング液Lを、エッチング液Lの供給する吸着塔32,33を交互に切り換えながら吸着塔32,33のいずれか一方との間で常に循環させ、エッチング液L中のインジウムイオンやスズイオンを当該吸着塔32,33内のキレート剤(図示せず)に吸着させるとともに、エッチング液Lを供給する吸着塔32,33を切り換えると、溶離液供給機構42により、エッチング液Lの供給が停止された吸着塔32,33に溶離液を供給して、キレート剤(図示せず)に吸着されたインジウムやスズを溶離させ、当該キレート剤(図示せず)を再生する処理と、洗浄液供給機構54により、溶離液供給後の吸着塔32,33に洗浄液を供給して、当該吸着塔32,33の内部に残存した溶離液を洗い流す処理とを行うように構成したので、効率的にインジウムイオンやスズイオンを除去したり、エッチング液L中のインジウムイオン濃度やスズイオン濃度を一定レベル以下に抑えてエッチング不良が生じるの防止したり、基板処理機構12を停止させることなく連続的に稼働させたり、エッチング液Lの延命化を図ってエッチング液Lの取り替えサイクルを長くすることができる。
Thus, according to the
また、このように、エッチング処理の連続的な実施によりエッチング処理効率が低下せず、また、エッチング液Lの取り替えサイクルが長くなることから、エッチング処理コストを低く抑えることもできる。 In addition, since the etching process efficiency is not lowered by the continuous execution of the etching process and the replacement cycle of the etching solution L becomes longer, the etching process cost can be kept low.
また、エッチング液Lの供給が停止され、キレート剤(図示せず)がインジウムイオンやスズイオンを吸着した状態にある吸着塔32,33に溶離液を供給し、溶離したインジウムイオンやスズイオンを含む溶離液を回収部49内に回収するようにしたので、当該キレート剤(図示せず)を再生することができるとともに、この回収した溶離液中のインジウムイオンやスズイオンを適宜回収することで、エッチング液Lに溶解したインジウム(非常に高価な金属である)やスズを効果的に回収することができる。
Further, the supply of the etching solution L is stopped, and the eluent is supplied to the adsorption towers 32 and 33 where the chelating agent (not shown) has adsorbed the indium ions and tin ions, and the elution containing the eluted indium ions and tin ions is performed. Since the liquid is recovered in the
また、溶離液供給機構42による溶離液の供給後、洗浄液供給機構54によって、溶離液の供給された吸着塔32,33に洗浄液を供給し、当該吸着塔32,33の内部に残存した溶離液を洗い流すようにしたので、貯留槽11内のエッチング液Lが当該吸着塔32,33に供給されたときに、当該エッチング液Lと吸着塔32,33内に残存した溶離液とが混ざってエッチング液Lの成分が変わり、基板処理機構12でのエッチング処理に悪影響を及ぼすのを有効に防止することができる。
In addition, after the eluent is supplied by the
また、濃度調整機構25によって、貯留槽11に貯留されたエッチング液Lの蓚酸濃度を所定の範囲内に維持するようにしているので、基板処理機構12でのエッチング処理などにより貯留槽11内のエッチング液Lの蓚酸濃度が変動して所定のエッチング能力が得られなくなるといった不都合を防止し、当該エッチング液Lによるエッチング処理能力を最適な状態に維持することができる。
Further, since the oxalic acid concentration of the etching solution L stored in the
因みに、キレート剤として、キレスト株式会社製の「キレストファイバーGRY−L(商品名)」を用いて、金属イオンの吸着実験を行った結果を、以下に説明する。 By the way, the result of conducting an adsorption experiment of metal ions using “Kyrest Fiber GRY-L (trade name)” manufactured by Kyrest Co., Ltd. as a chelating agent will be described below.
即ち、まず、内径が1.5cmのカラムを用意し、このカラム内に、重さが4g、高さが11cm、体積が19.4mLの前記キレート剤を充填した後、蓚酸含有のエッチング液であって、エッチング処理に供されて金属イオンを含むようになったエッチング液を、前記カラムの一方端側から他方端側に向けて、3mL/minの流速で所定量通液させた。 That is, first, a column having an inner diameter of 1.5 cm was prepared, and the chelating agent having a weight of 4 g, a height of 11 cm, and a volume of 19.4 mL was filled in the column, and then an oxalic acid-containing etching solution was used. Then, a predetermined amount of the etching solution that was subjected to the etching treatment and contained metal ions was passed from the one end side to the other end side of the column at a flow rate of 3 mL / min.
このようにして、所定量通液した後に、前記カラムを通過したエッチング液をサンプリングして、金属イオンの含有濃度を測定したところ、通液前のエッチング液のインジウムイオン濃度が277ppm、スズイオン濃度が33.7ppm、アルミニウムイオン濃度が0.24ppmであったのに対し、カラム通液後のエッチング液のインジウムイオン濃度は8ppm、スズイオン濃度は0.1ppm以下、アルミニウムイオン濃度は0.1ppm以下と、いずれの金属イオンも極めて低い濃度に低下した結果が得られた。 In this way, after passing a predetermined amount of liquid, the etching solution that passed through the column was sampled, and the content concentration of metal ions was measured. As a result, the indium ion concentration of the etching solution before flowing was 277 ppm, and the tin ion concentration was The indium ion concentration of the etching solution after passing through the column was 8 ppm, the tin ion concentration was 0.1 ppm or less, and the aluminum ion concentration was 0.1 ppm or less, whereas 33.7 ppm and the aluminum ion concentration was 0.24 ppm. All metal ions were reduced to a very low concentration.
このことから、エッチング液中に存在する、インジウムイオン,スズイオン及びアルミニウムイオンといった金属イオンをキレート剤によって効果的に除去可能であることが分かる。 This shows that metal ions such as indium ions, tin ions and aluminum ions present in the etching solution can be effectively removed by the chelating agent.
また、上記と同じカラム及びキレート剤を用い、上記と同じエッチング液を上記と同じ流速でカラムに供給して通液させ、一定量通液する毎に通液後のエッチング液をサンプリングして、この通液後のエッチング液に含まれるインジウムイオンの濃度を測定した。その結果を図2に示す。尚、図2において、BV(Bed Volume(ベッドボリューム))とはカラム内に充填したキレート剤の体積のことであり、(mL)/(mL−fiber)とは、(カラムに通液したエッチング液の量)/(カラム内に充填したキレート剤の体積)のことである。したがって、横軸はキレート剤の体積に相当する量のエッチング液をどれぐらい通液したかを示すものである。 In addition, using the same column and chelating agent as described above, the same etching solution as above is supplied to the column at the same flow rate as above, and the etching solution after passing is sampled every time a certain amount is passed, The concentration of indium ions contained in the etching solution after passing through was measured. The result is shown in FIG. In FIG. 2, BV (Bed Volume) is the volume of the chelating agent filled in the column, and (mL) / (mL-fiber) is (etching passed through the column). (Amount of liquid) / (volume of chelating agent packed in the column). Therefore, the horizontal axis indicates how much etching solution corresponding to the volume of the chelating agent is passed.
この図2から、エッチング液の通液量が所定量(キレート剤の体積の約11倍に相当する量)に達するまで、通液後のエッチング液からインジウムイオンが検出されておらず、インジウムイオンがキレート剤によって完全に吸着されていることが分かる。また、エッチング液を多量に供給してもキレート剤の吸着能力が低下していないことが分かる。 From FIG. 2, indium ions are not detected in the etching solution after passing through until the passing amount of the etching solution reaches a predetermined amount (an amount corresponding to about 11 times the volume of the chelating agent). Is completely adsorbed by the chelating agent. It can also be seen that the chelating agent adsorption capacity does not decrease even when a large amount of the etching solution is supplied.
次に、上記のようにして金属イオンを吸着させたキレート剤から、当該金属イオンを溶離させる実験を行った結果を、以下に説明する。 Next, the results of an experiment in which the metal ions are eluted from the chelating agent having the metal ions adsorbed as described above will be described below.
即ち、上記と同じカラム及びキレート剤を用い、上記と同じ流速で上記と同じエッチング液を所定量カラムに供給して通液させ、キレート剤にインジウムイオンを吸着させた後、このカラムの一方端側から他方端側に向けて、1.5mL/minの流速で、1規定の硫酸(1N−H2SO4)を通液させ、一定量通液する毎に通液後の硫酸をサンプリングして、この通液後の硫酸に含まれるインジウムイオンの濃度を測定した。その結果を図3に示す。尚、図3において、BV(Bed Volume(ベッドボリューム))とはカラム内に充填したキレート剤の体積のことであり、(mL)/(mL−fiber)とは、(カラムに通液した硫酸の量)/(カラム内に充填したキレート剤の体積)のことである。したがって、横軸はキレート剤の体積に相当する量の硫酸をどれぐらい通液したかを示すものである。 That is, using the same column and chelating agent as described above, supplying a predetermined amount of the same etching solution to the column at the same flow rate as above and allowing the chelating agent to adsorb indium ions, then one end of this column. 1N sulfuric acid (1N-H 2 SO 4 ) is passed from the side toward the other end at a flow rate of 1.5 mL / min, and the sulfuric acid after passing is sampled every time a certain amount is passed. Then, the concentration of indium ions contained in the sulfuric acid after passing through was measured. The result is shown in FIG. In FIG. 3, BV (Bed Volume) is the volume of the chelating agent packed in the column, and (mL) / (mL-fiber) is (sulfuric acid passed through the column). ) / (Volume of chelating agent packed in the column). Therefore, the horizontal axis indicates how much sulfuric acid corresponding to the volume of the chelating agent is passed.
また、前項におけるインジウムイオン濃度の測定において、通液後の硫酸にインジウムイオンが認められなくなるまでの各時点におけるインジウムイオン濃度とその時間帯の通液量との積を、それぞれの時点で溶離したインジウム量として計算するとともに、その積算値を全溶離インジウム量として求め、この全溶離インジウム量で各時点における溶離インジウム量を除して得られる値をそれぞれの時点での溶離率(キレート剤に吸着されていたインジウムが硫酸によって溶離した割合)と定義し、これを図3に併せて示す。 In addition, in the measurement of the indium ion concentration in the previous section, the product of the indium ion concentration at each time point until the indium ion was not recognized in the sulfuric acid after the liquid flow and the liquid flow rate during that time zone was eluted at each time point. In addition to calculating the amount of indium, the total value is calculated as the total amount of indium eluted, and the value obtained by dividing the total amount of indium eluted by the amount of indium eluted at each time point is the elution rate at each time point (adsorbed to the chelating agent) The ratio of indium that has been eluted by sulfuric acid) is defined and is also shown in FIG.
この図3から、キレート剤に吸着されたインジウムが硫酸によって溶離し、また、硫酸の通液量が所定量(キレート剤の体積の約2.8倍に相当する量)に達すると、キレート剤に吸着されたインジウムが完全に溶離していることが分かる。また、インジウムを吸着したキレート剤を硫酸によって効果的に再生可能であり、また、キレート剤に吸着された金属を硫酸によって効果的に回収可能であることが分かる。 From FIG. 3, when the indium adsorbed on the chelating agent is eluted by sulfuric acid, and the amount of sulfuric acid passing through reaches a predetermined amount (an amount corresponding to about 2.8 times the volume of the chelating agent), the chelating agent It can be seen that the indium adsorbed on is completely eluted. Further, it can be seen that the chelating agent adsorbed with indium can be effectively regenerated with sulfuric acid, and the metal adsorbed on the chelating agent can be effectively recovered with sulfuric acid.
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明の採り得る具体的な態様は、何らこれに限定されるものではない。 As mentioned above, although one Embodiment of this invention was described, the specific aspect which this invention can take is not limited to this at all.
上例では、エッチング液Lの供給する吸着塔32,33を所定の時間間隔で交互に切り換えるように構成したが、これに限られるものではなく、例えば、基板処理機構12でエッチングされた基板Kの枚数を基に吸着塔32,33の切換制御を行ったり、貯留槽11に貯留されたエッチング液L中のインジウムイオン濃度やスズイオン濃度を基に吸着塔32,33の切換制御を行うように構成しても良い。
In the above example, the adsorption towers 32 and 33 for supplying the etching liquid L are alternately switched at a predetermined time interval. However, the present invention is not limited to this. For example, the substrate K etched by the
基板Kのエッチング枚数を基に切換制御を行う場合、前記基板処理機構12は、例えば、処理チャンバ13の外部又は内部などの適宜位置に配設され、処理チャンバ13内に搬入される基板K又は処理チャンバ13から搬出される基板Kを検出するセンサ(図示せず)を更に備えるように構成され、前記第1制御部28aは、基板処理機構12でエッチングされた基板Kの枚数を計数する計数手段としても機能するように構成されるとともに、前記センサ(図示せず)から得られる出力信号を基に、処理チャンバ13内に搬入された基板Kの枚数又は処理チャンバ13から搬出された基板Kの枚数(基板処理機構12でエッチングされた基板Kの枚数)を計数する処理と、前記開始信号及び終了信号の他、前記計数した枚数が予め設定された枚数となったときにその旨の信号(切換信号)を第2制御部28bに送信する処理とを更に実行するように構成され、前記第2制御部28bは、第2エッチング液循環機構34の供給ポンプ36及び各切換弁38,39,40,41を制御して、第1制御部28aから切換信号を受信したときにエッチング液Lが供給される吸着塔32,33を切り換えながら当該吸着塔32,33のいずれか一方に貯留槽11内のエッチング液Lを供給して循環させるように構成される。尚、第1制御部28aは、前記計数した枚数が予め設定された枚数になると、計数値をリセットして再び予め設定された枚数まで計数するように構成されている。また、第2制御部28bは、開始信号を受信してから終了信号を受信するまでの間、第2エッチング液循環機構34によりエッチング液Lを循環させる。
When switching control is performed based on the number of etched substrates K, the
このように基板処理装置1を構成すれば、計数した枚数が予め設定された枚数となったときに、即ち、吸着塔32,33のキレート剤(図示せず)に吸着されたインジウムやスズが略飽和状態に達すると推定される枚数となったときに、各切換弁38,39,40,41が切り換えられて、エッチング液Lの供給される吸着塔32,33が切り換えられる。
If the
したがって、このように基板処理装置1を構成しても、金属イオン吸着機構31におけるインジウムイオンやスズイオンの吸着能力が一定に維持され、エッチング液L中のインジウムイオン濃度やスズイオン濃度が一定レベル以下に抑えられるので、上記と同様の効果を得ることができる。
Therefore, even if the
一方、インジウムイオン濃度やスズイオン濃度を基に切換制御を行う場合、前記エッチング液処理装置5は、貯留槽11に貯留されたエッチング液L中のインジウムイオン濃度及び/又はスズイオン濃度を検出する金属イオン濃度検出センサ(図示せず)を更に備えるように構成され、前記第2制御部28bは、第2エッチング液循環機構34の供給ポンプ36及び各切換弁38,39,40,41を制御して、金属イオン濃度検出センサ(図示せず)によって検出されるインジウムイオン濃度及び/又はスズイオン濃度が予め設定された基準値よりも高くなったときにエッチング液Lが供給される吸着塔32,33を切り換えながら当該吸着塔32,33のいずれか一方に貯留槽11内のエッチング液Lを供給して循環させるように構成される。
On the other hand, when switching control is performed based on the indium ion concentration or the tin ion concentration, the etching
このように基板処理装置1を構成すれば、吸着塔32,33のキレート剤(図示せず)に吸着されたインジウムやスズが略飽和状態に達してインジウムイオンやスズイオンの吸着能力が低下し、貯留槽11に貯留されたエッチング液L中のインジウムイオン濃度やスズイオン濃度が上昇して、金属イオン濃度検出センサ(図示せず)により検出されるインジウムイオン濃度及び/又はスズイオン濃度が所定の基準値よりも高くなると、各切換弁38,39,40,41が切り換えられて、エッチング液Lの供給される吸着塔32,33が切り換えられる。
If the
したがって、このように基板処理装置1を構成しても、金属イオン吸着機構31におけるインジウムイオンやスズイオンの吸着能力が一定に維持され、エッチング液L中のインジウムイオン濃度やスズイオン濃度が一定レベル以下に抑えられるので、上記と同様の効果を得ることができる。また、吸着塔32,33の切換制御を経過時間やエッチング枚数で行った場合には、基板処理機構12におけるエッチング条件やエッチング対象となる基板Kの種類などによりエッチング液Lに溶解するインジウムやスズの溶解量が異なって、吸着塔32,33のキレート剤(図示せず)に吸着されたインジウムやスズが略飽和状態に達するまでの時間やエッチング枚数が異なるために当該切換時間やエッチング枚数を設定し難いが、吸着塔32,33の切換制御を貯留槽11内のエッチング液L中のインジウムイオン濃度及び/又はスズイオン濃度を基に行うことで、吸着塔32,33の切換制御をより効率的に実施することができる。
Therefore, even if the
また、上例では、基板処理機構12で基板Kをエッチングしている間、吸着塔32,33に絶えずエッチング液Lを循環させるようにしたが、これに限られるものではなく、例えば、エッチング処理を開始してからの経過時間が所定時間になったり、基板Kのエッチング枚数が所定枚数になったり、貯留槽11内のエッチング液L中のインジウムイオン濃度やスズイオン濃度が所定濃度を超えたときにのみ、インジウムイオンやスズイオンを除去すべく吸着塔32,33にエッチング液Lを循環させるようにしても良い。
In the above example, while the
また、上例では、エッチング液処理装置5を基板処理装置1に設けたが、これに限られるものではなく、例えば、図4に示すようなエッチング液処理装置6とすることもできる。このエッチング液処理装置6は、除去処理用の貯留槽70と、前記除去機構30と、前記第2制御部28bなどから構成されており、前記貯留槽70には、基板処理機構12に付設されたエッチング用の貯留槽11から使用済のエッチング液Lが適宜集められるようになっている。尚、図4に示したエッチング液処理装置6において、図1に示した基板処理装置1と同じ構成部分は同一の符号を付してその詳しい説明を省略する。
In the above example, the etching
この場合、貯留槽70内のエッチング液Lが、第2制御部28bによる制御の下、第2エッチング液循環機構34によって、貯留槽70と吸着塔32,33のいずれか一方との間で循環せしめられ、エッチング液L中のインジウムイオンやスズイオンが、吸着塔32,33のキレート剤(図示せず)によって吸着,除去される。このとき、エッチング液Lの供給される吸着塔32,33は、例えば、所定の時間間隔で交互に切り換えられる。
In this case, the etching liquid L in the
そして、吸着塔32,33に貯留槽70内のエッチング液Lを供給し始めてから一定時間が経過したり、貯留槽70内のエッチング液Lのインジウムイオン濃度やスズイオン濃度が予め設定された基準値よりも低くなると、エッチング液Lの循環が停止され、インジウムイオンやスズイオンの除去処理が終了する。この後、貯留槽70内の、除去処理後のエッチング液Lはエッチング用の貯留槽11に適宜戻される。
Then, a certain period of time has passed since the etching liquid L in the
尚、吸着塔32,33の切換でエッチング液Lの供給が停止された吸着塔32,33には、溶離液供給機構42によって溶離液が供給された後、洗浄液供給機構54によって洗浄液が供給され、供給された溶離液は溶離液回収機構48によって、供給された洗浄液は洗浄液回収機構58によってそれぞれ回収される。
In addition, after the eluent is supplied by the
このようなエッチング液処理装置6によっても、貯留槽70内のエッチング液Lを貯留槽70と吸着塔32,33との間で循環させることで、エッチング液L中のインジウムイオンやスズイオンを吸着,除去して当該エッチング液Lを再利用可能にすることができるので、新しいエッチング液Lの購入費用や使用済のエッチング液Lの廃棄費用などを省いてエッチング液Lにかかる費用を抑えることができ、エッチング処理にかかるコストを低くすることができる。
Such an etching
また、エッチング液Lの供給される吸着塔32,33を切り換えながら貯留槽70内のエッチング液Lを循環させるようにしたので、吸着塔32,33のインジウムイオンやスズイオンの吸着能力を低下させることなくエッチング液Lからインジウムイオンやスズイオンを除去することができ、効率的にインジウムイオンやスズイオンの除去を行うことができる。
Further, since the etching liquid L in the
また、上例では、蓚酸濃度が約3%のエッチング液Lを用いて、上面に酸化インジウムスズ膜が形成された基板Kにエッチング処理を行うとともに、エッチング液Kに溶解したインジウムやスズを回収するようにしたが、エッチング液Lの種類や回収する金属の種類は、これらに限定されるものではない。 In the above example, the etching solution L having an oxalic acid concentration of about 3% is used to perform an etching process on the substrate K having an indium tin oxide film formed on the upper surface, and indium and tin dissolved in the etching solution K are recovered. However, the type of the etchant L and the type of metal to be collected are not limited to these.
また、上例では、基板Kにエッチング処理を行うように構成したが、現像処理や洗浄処理などを行うようにしても良く、また、基板Kには、半導体(シリコン)ウエハ,液晶ガラス基板,フォトマスク用ガラス基板及び光ディスク用基板などの各種基板Kが含まれる。また、前記金属イオン吸着機構31は、吸着塔32,33を3つ以上備えるように構成しても良い。
In the above example, the substrate K is configured to perform the etching process. However, a development process, a cleaning process, and the like may be performed. The substrate K may include a semiconductor (silicon) wafer, a liquid crystal glass substrate, Various substrates K such as a photomask glass substrate and an optical disk substrate are included. Further, the metal
また、更に、上例では、第2エッチング液循環機構34の各切換弁38,39,40,41、溶離液供給機構42の供給部43,溶離液供給弁45及び各切換弁46,47、溶離液回収機構48の各切換弁51,52及び溶離液回収弁53、洗浄液供給機構54の供給部54,洗浄液供給弁57及び各切換弁46,47、洗浄液回収機構58の各切換弁51,52及び洗浄液回収弁61の作動制御を第2制御部28bにより行うように構成したが、作業者が手動で操作するように構成しても良い。
Furthermore, in the above example, the switching
また、上例では、前記制御装置28を第1制御部28a及び第2制御部28bから構成したが、これに限られるものではなく、第1制御部28aの機能と第2制御部28bの機能を1つの制御部に持たせるようにしても良い。
In the above example, the
1 基板処理装置
5 エッチング液処理装置
11 貯留槽
12 基板処理機構
20 第1エッチング液循環機構
24 濃度センサ
25 濃度調整機構
28 制御装置
28a 第1制御部
28b 第2制御部
30 除去機構
31 金属イオン吸着機構
32 第1吸着塔
33 第2吸着塔
34 第2エッチング液循環機構
35 エッチング液供給管
36 供給ポンプ
37 エッチング液回収管
38,39,40,41 切換弁
42 溶離液供給機構
43 供給部
44 溶離液供給管
45 溶離液供給弁
46,47 切換弁
48 溶離液回収機構
49 回収部
50 溶離液回収管
51,52 切換弁
53 溶離液回収弁
54 洗浄液供給機構
55 供給部
56 洗浄液供給管
57 洗浄液供給弁
58 洗浄液回収機構
59 回収部
60 洗浄液回収管
61 洗浄液回収弁
K 基板
L エッチング液
DESCRIPTION OF
Claims (7)
処理チャンバと、この処理チャンバ内に配置され、前記処理液を吐出するノズル体とを有し、酸化インジウムスズ膜が形成された基板を、前記ノズル体から吐出された処理液によって処理する処理手段と、
前記貯留槽内の処理液を前記ノズル体に供給するための第1供給管と、前記第1供給管に設けられた第1供給ポンプと、前記貯留槽と処理チャンバとを接続する第1回収管とを有し、前記第1供給管及び第1供給ポンプにより前記貯留槽内の処理液を前記ノズル体に供給して吐出させ、吐出された処理液を前記第1回収管により該処理チャンバから前記貯留槽内に回収して、前記貯留槽と処理手段との間で処理液を循環させる基板処理用循環手段と、
並設された少なくとも2つの吸着塔を備え、該各吸着塔の内部には、前記処理液中のインジウムイオン及びスズイオンを吸着するキレート剤が充填された吸着手段と、
一端が前記貯留槽に接続するとともに、他端が分岐して前記各吸着塔に接続し、前記貯留槽内の処理液を前記各吸着塔に供給するための第2供給管と、前記第2供給管の一端部と分岐部との間に設けられた第2供給ポンプと、前記第2供給管に設けられ、前記各吸着塔への前記処理液の供給を制御する第1切換弁と、前記各吸着塔内を流通した処理液を前記貯留槽内に回収するための第2回収管とを有し、前記第1切換弁を切り換えることによって前記各吸着塔のいずれか1つに対し選択的に前記処理液を供給して循環させる除去処理用循環手段とを備えてなることを特徴とする基板処理装置。 A storage tank for storing a treatment liquid containing oxalic acid;
A processing means that includes a processing chamber and a nozzle body that is disposed in the processing chamber and that discharges the processing liquid, and that processes the substrate on which the indium tin oxide film is formed with the processing liquid discharged from the nozzle body. When,
A first supply pipe for supplying the processing liquid in the storage tank to the nozzle body, a first supply pump provided in the first supply pipe, and a first recovery for connecting the storage tank and the processing chamber. And a processing liquid in the storage tank is supplied to the nozzle body and discharged by the first supply pipe and the first supply pump, and the discharged processing liquid is supplied to the processing chamber by the first recovery pipe. The substrate processing circulation means for recovering in the storage tank and circulating the processing liquid between the storage tank and the processing means,
An adsorption means comprising at least two adsorption towers arranged side by side, each of the adsorption towers filled with a chelating agent that adsorbs indium ions and tin ions in the treatment liquid;
One end is connected to the storage tank, the other end is branched and connected to each adsorption tower, and a second supply pipe for supplying the treatment liquid in the storage tank to each adsorption tower; A second supply pump provided between one end of the supply pipe and the branch part; a first switching valve provided in the second supply pipe for controlling the supply of the processing liquid to each adsorption tower; A second recovery pipe for recovering the processing liquid flowing through each adsorption tower in the storage tank, and selecting one of the adsorption towers by switching the first switching valve A substrate processing apparatus comprising a removal processing circulation means for supplying and circulating the processing solution.
前記計数手段から出力された前記切換信号を受信して、前記第1切換弁を切り換える制御手段とを更に備えてなることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。 Counting means for counting the number of substrates processed by the processing means, and outputting a switching signal when the counted number reaches a preset number;
The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a control unit that receives the switching signal output from the counting unit and switches the first switching valve.
前記濃度検出手段によって検出されるイオン濃度が予め設定された基準値よりも高くなったときに前記第1切換弁を切り換える制御手段とを更に備えてなることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。 Concentration detection means for detecting the ion concentration of at least one of indium ions and tin ions in the treatment liquid stored in the storage tank;
2. The substrate according to claim 1, further comprising control means for switching the first switching valve when an ion concentration detected by the concentration detection means becomes higher than a preset reference value. Processing equipment.
前記各吸着塔内を流通した溶離液を回収する溶離液回収手段とを更に備え、
前記制御手段は、前記第1切換弁を切り換えると、前記第2切換弁を切り換えて、前記処理液の供給が停止され且つ前記キレート剤がインジウム及びスズを吸着した状態にある前記吸着塔に前記溶離液を供給するように構成されてなることを特徴とする請求項2乃至4記載のいずれかの基板処理装置。 An eluent supply pipe for supplying the elution liquid eluting the indium and tin adsorbed by the chelating agent of each adsorption tower to each adsorption tower; and the eluent supply pipe; A second switching valve for controlling the supply of the eluent, and an eluent supply means for selectively supplying the eluent to any one of the adsorption towers by switching the second switch valve. When,
An eluent recovery means for recovering the eluent flowing through each of the adsorption towers;
When the control means switches the first switching valve, the control means switches the second switching valve to stop the supply of the processing liquid and to the adsorption tower in which the chelating agent has adsorbed indium and tin. 5. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the substrate processing apparatus is configured to supply an eluent.
前記各吸着塔内を流通した洗浄液を外部に排出するための洗浄液排出管とを更に備え、
前記制御手段は、前記溶離液の供給を終了すると、前記第3切換弁を切り換えて、溶離液供給後の前記吸着塔に前記洗浄液を供給するように構成されてなることを特徴とする請求項5記載の基板処理装置。 A cleaning liquid supply pipe for supplying cleaning liquid for cleaning the inside of each adsorption tower to each adsorption tower, and a third switching valve provided in the cleaning liquid supply pipe for controlling the supply of the cleaning liquid to each adsorption tower. A cleaning liquid supply means for selectively supplying the cleaning liquid to any one of the adsorption towers by switching the third switching valve;
A cleaning liquid discharge pipe for discharging the cleaning liquid flowing through each of the adsorption towers to the outside;
The control means is configured to switch the third switching valve to supply the cleaning liquid to the adsorption tower after the supply of the eluent when the supply of the eluent is completed. 5. The substrate processing apparatus according to 5.
前記寄与成分濃度検出手段によって検出される寄与成分濃度を基に、前記貯留槽に貯留された処理液中の前記寄与成分濃度を調整して予め設定された範囲内に維持する濃度調整手段とを更に備えてなることを特徴とする請求項1乃至6記載のいずれかの基板処理装置。 Contributing component concentration detection means for detecting the concentration of the component contributing to the substrate processing in the processing liquid stored in the storage tank;
Concentration adjusting means for adjusting the concentration of the contributing component in the processing liquid stored in the storage tank based on the contribution component concentration detected by the contributing component concentration detecting means and maintaining the concentration within a preset range. 7. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a substrate processing apparatus.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009258027A JP2010034593A (en) | 2006-05-18 | 2009-11-11 | Substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006138595 | 2006-05-18 | ||
JP2007058249 | 2007-03-08 | ||
JP2009258027A JP2010034593A (en) | 2006-05-18 | 2009-11-11 | Substrate processing apparatus |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007101392A Division JP2008252049A (en) | 2006-05-18 | 2007-04-09 | Processing apparatus for processing fluid and substrate processing apparatus having the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010034593A true JP2010034593A (en) | 2010-02-12 |
Family
ID=39976596
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007101392A Pending JP2008252049A (en) | 2006-05-18 | 2007-04-09 | Processing apparatus for processing fluid and substrate processing apparatus having the same |
JP2009258027A Withdrawn JP2010034593A (en) | 2006-05-18 | 2009-11-11 | Substrate processing apparatus |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007101392A Pending JP2008252049A (en) | 2006-05-18 | 2007-04-09 | Processing apparatus for processing fluid and substrate processing apparatus having the same |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP2008252049A (en) |
TW (1) | TW200811933A (en) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011166006A (en) * | 2010-02-12 | 2011-08-25 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | Etching method |
KR101896220B1 (en) * | 2011-04-25 | 2018-09-07 | 가부시키가이샤 니콘 | Substrate processing device |
JP5871542B2 (en) * | 2011-09-29 | 2016-03-01 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing equipment |
JP6468916B2 (en) * | 2015-03-31 | 2019-02-13 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP2018056469A (en) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing apparatus |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0812854B2 (en) * | 1993-01-22 | 1996-02-07 | 日本電気株式会社 | Wet etching equipment |
JP3159658B2 (en) * | 1996-12-06 | 2001-04-23 | 松下電器産業株式会社 | Method for etching a substrate having a transparent conductive layer |
JP3817093B2 (en) * | 1998-07-07 | 2006-08-30 | 東京エレクトロン株式会社 | Processing apparatus and processing method |
JP2000096264A (en) * | 1998-09-21 | 2000-04-04 | Hitachi Ltd | Etching device and method |
JP4683820B2 (en) * | 2001-01-31 | 2011-05-18 | 中部キレスト株式会社 | Method for treating metal and / or metal-containing solution |
-
2007
- 2007-04-09 JP JP2007101392A patent/JP2008252049A/en active Pending
- 2007-04-30 TW TW96115292A patent/TW200811933A/en unknown
-
2009
- 2009-11-11 JP JP2009258027A patent/JP2010034593A/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200811933A (en) | 2008-03-01 |
JP2008252049A (en) | 2008-10-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008291312A (en) | Substrate processing apparatus | |
JP2011166006A (en) | Etching method | |
JP5726784B2 (en) | Processing liquid exchange method and substrate processing apparatus | |
JP6468916B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP2010034593A (en) | Substrate processing apparatus | |
US9817323B2 (en) | Liquid treatment apparatus and method and non-transitory storage medium | |
KR20210042380A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP2007149892A (en) | Substrate processor and substrate processing method | |
JP2008130835A (en) | Substrate-treating device and substrate treatment method | |
CN101122024A (en) | Processing device for processing fluid and substrate processing device having the same | |
CN107851567B (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP2018182099A (en) | Cleaning water supply device | |
JP2015204302A (en) | Liquid supply device, and filter cleaning method | |
KR20070111982A (en) | Processing device for processing fluid and substrate processing device having the same | |
US20140305471A1 (en) | Reduced consumptions stand alone rinse tool having self-contained closed-loop fluid circuit, and method of rinsing substrates using the same | |
JP2013051305A (en) | Chelate material regeneration method and substrate processing apparatus | |
JP2008280580A (en) | Method for reclaiming treatment liquid and method for recovering metal contained in the treatment liquid | |
JP2000117635A (en) | Polishing method and system | |
KR100598918B1 (en) | A solution supply method and chemical solution supply apparatus in use the semiconductor device fabrication installation | |
JP2000079319A (en) | Apparatus for removing impurity in gas | |
JP2009302277A (en) | Substrate processing system | |
JP2010192566A (en) | Substrate processing apparatus and solvent reproducing method | |
JP2007157750A (en) | Cleaning equipment and method | |
JP2000117636A (en) | Polishing method and system | |
US20230347387A1 (en) | Wafer cleaning water supply device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091124 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100218 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20111102 |