JP2010032800A - Active matrix substrate, liquid crystal display panel and inspection method of active matrix substrate - Google Patents

Active matrix substrate, liquid crystal display panel and inspection method of active matrix substrate Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an active matrix substrate capable of efficiently performing inspections of electric characteristics of wiring and switching element for display or the like formed on the substrate even in the state of the substrate only, even for the active matrix substrate whose pixel composition is made fine. <P>SOLUTION: The active matrix substrate includes, on a display area 8: a plurality of pixel electrodes 5 arrayed in a matrix shape of row direction and column direction; a plurality of scanning lines 2 extended in the row direction of an array of the pixel electrodes 5; a plurality of data lines 3 extended in the column direction of the array of the pixel electrodes 5; and a plurality of switching elements 4 for display, the switching elements applying prescribed potentials to the pixel electrodes 5 based on signals applied by the scanning lines 2 and the data lines 3. With respect to at least one side of the scanning lines 2 and the data lines 3, a plurality of lines are connected with one inspection pad 11, 14 via switching elements 19 for inspection and a photoelectric element 17 which operates according to the irradiation of light and controls the on/off of the switching elements 19 for inspection are disposed. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、アクティブマトリクス基板、液晶表示パネル、およびアクティブマトリクス基板の検査方法に関し、特に、小型でかつ高精細な画像表示を行うために、画素構成を微細化された基板であっても、基板に形成された配線や画像表示用スイッチング素子などの電気特性の検査を、基板単体で効率的に行うことができるアクティブマトリクス基板、液晶表示パネル、およびアクティブマトリクス基板の検査方法に関する。   The present invention relates to an active matrix substrate, a liquid crystal display panel, and a method for inspecting an active matrix substrate, and in particular, even if a pixel configuration is miniaturized in order to perform a small and high-definition image display, the substrate The present invention relates to an active matrix substrate, a liquid crystal display panel, and an inspection method for an active matrix substrate that can efficiently inspect electrical characteristics of wirings and image display switching elements formed on the substrate.

液晶表示パネルなどのいわゆる平板型ディスプレイでの画像表示を行うためのアクティブマトリクス基板は、画像表示を行う表示領域に、マトリクス状に形成された画素電極と、この画素電極の配列に対応して行方向に形成された複数の走査線と、列方向に形成された複数のデータ線、さらに、個々の画素電極に対応して設けられ、走査線およびデータ線に接続されて、走査線およびデータ線に印加された信号に基づいて画素電極に所定の電圧を与える表示用スイッチング素子とが形成されている。   An active matrix substrate for displaying an image on a so-called flat panel display such as a liquid crystal display panel is arranged in a display area for displaying an image in a matrix corresponding to a pixel electrode formed in a matrix shape and corresponding to the arrangement of the pixel electrode. A plurality of scanning lines formed in the direction, a plurality of data lines formed in the column direction, and provided corresponding to each pixel electrode, and connected to the scanning lines and the data lines. And a display switching element for applying a predetermined voltage to the pixel electrode based on a signal applied to the pixel electrode.

このようなアクティブマトリクス基板を例えば液晶表示パネルに用いる場合は、アクティブマトリクス基板は、対向電極やカラーフィルタなどが形成された対向基板と所定間隔を置いて対向配置され、周囲をシール材により貼り合わされるとともに、二枚の基板間に液晶が封入される。さらに、両基板の外側には偏光板が貼着され、アクティブマトリクス基板上には、画像表示のための駆動回路が形成された駆動用半導体素子や、外部の回路基板と接続するためのFPCなどが接続される。ここで、形成された走査線やデータ線などの配線電極に断線や短絡があったり、表示用スイッチング素子であるTFTがリーク電流を生じたりするような、不良なアクティブマトリクス基板は、このアクティブマトリクス基板を対向基板と組み合わせる組み立て工程の前、例えば複数のアクティブマトリクス基板が形成されたマザーガラスから切り離すスクライブ工程の前に発見し、レーザ修正を行うなどして不良箇所を解消し、正常な動作状態に復元して次の工程に持ち込まないことが、製造コスト低減の上で好ましい。   When such an active matrix substrate is used for, for example, a liquid crystal display panel, the active matrix substrate is disposed to face a counter substrate on which a counter electrode, a color filter and the like are formed at a predetermined interval, and the periphery is bonded with a sealing material. At the same time, liquid crystal is sealed between the two substrates. Further, a polarizing plate is attached to the outside of both substrates, and on the active matrix substrate, a driving semiconductor element in which a driving circuit for image display is formed, an FPC for connecting to an external circuit substrate, etc. Is connected. Here, a defective active matrix substrate in which a wiring electrode such as a scanning line or a data line formed is disconnected or short-circuited, or a TFT serving as a display switching element generates a leakage current is an active matrix. It is discovered before the assembly process that combines the substrate with the counter substrate, for example, before the scribing process that separates the active glass substrate from the mother glass on which multiple substrates are formed. It is preferable in terms of manufacturing cost reduction that it is not restored to the next step.

アクティブマトリクス基板の表示領域に形成された表示用スイッチング素子であるTFTが、正常に動作するか否かを検査する方法として、アクティブマトリクス基板の表示領域外の周辺領域に形成された検査パッドから、走査線、データ線を介してTFTとこれに接続された画素電極に書き込み電圧を印加して電荷を与え、一定時間経過後に画素電極に読み出し電圧を印加してこの電荷を測定するという方法が提案されている(特許文献1参照)。この方法によれば、画素電極のコンデンサ機能を利用することで、アクティブマトリクス基板単体の状態で、それぞれの画素電極とこれに接続されたTFTにリーク電流が生じていないことと、測定対象の画素電極とTFTに至るまでの走査線とデータ線とに、断線や短絡が無いことを、比較的短時間で正確に検査することができる。   As a method for inspecting whether or not the TFT, which is a display switching element formed in the display region of the active matrix substrate, operates normally, from a test pad formed in a peripheral region outside the display region of the active matrix substrate, A method is proposed in which a write voltage is applied to a TFT and a pixel electrode connected to the TFT via a scanning line and a data line to give a charge, and after a predetermined time has passed, a read voltage is applied to the pixel electrode to measure the charge. (See Patent Document 1). According to this method, by utilizing the capacitor function of the pixel electrode, in the state of the active matrix substrate alone, there is no leakage current in each pixel electrode and the TFT connected thereto, and the pixel to be measured It is possible to accurately inspect in a relatively short time that there is no disconnection or short circuit in the scanning lines and data lines leading to the electrodes and TFTs.

また、アクティブマトリクス基板の表示領域外の周辺領域において、複数本の走査線やデータ線を、スイッチング素子としての検査用TFTを介して一つの検査用パッドに接続し、この検査用TFTのゲートに接続された検査用ゲート配線に通電することで、検査用パッドと走査線やデータ線を導通させる構成が提案されている(特許文献2参照)。この方法により、走査線またはデータ線それぞれに検査用パッドを設ける場合と比べて検査用パッドの個数を減らすことができ、一つ一つの検査用パッドの面積や検査用パッド間のピッチを大きくすることができる。
特開平3−200121号公報 特開2005−241988号公報
In the peripheral area outside the display area of the active matrix substrate, a plurality of scanning lines and data lines are connected to one inspection pad via an inspection TFT as a switching element, and the inspection TFT gate is connected to the inspection TFT. There has been proposed a configuration in which the inspection pad and the scanning line and the data line are electrically connected by energizing the connected inspection gate wiring (see Patent Document 2). By this method, the number of inspection pads can be reduced as compared with the case where inspection pads are provided for each scanning line or data line, and the area of each inspection pad and the pitch between inspection pads are increased. be able to.
JP-A-3-200121 Japanese Patent Laid-Open No. 2005-241988

上記した、表示領域の各画素電極に所定の電荷を与え、一定時間経過後にこれを読み出すという従来のアクティブマトリクス基板の検査方法では、複数の走査線およびデータ線それぞれに対して、電荷を書き込むための書き込み電圧と電荷を読み取るための読み出し電圧とを印加しなくてはならないため、走査線とデータ線それぞれに対して検査用パッドを設ける必要がある。しかし、小型化高解像度化された表示領域に配置される走査線とデータ線は、その幅が狭く、且つ、そのピッチが小さくなっている。特に、周辺領域に画像表示のための駆動用半導体素子を搭載する、いわゆるCOG(Chip On Glass)タイプのアクティブマトリクス基板では、周辺領域における検査用パッドを配置するスペースが狭くなるため、検査用パッドの面積も配置ピッチも、ともに小さくせざるを得ない。   In the above-described conventional active matrix substrate inspection method in which a predetermined charge is given to each pixel electrode in the display area and this is read out after a lapse of a predetermined time, the charge is written to each of a plurality of scanning lines and data lines. Therefore, it is necessary to provide a test pad for each of the scanning lines and the data lines. However, the scanning lines and data lines arranged in the display area with a smaller size and higher resolution have a narrow width and a small pitch. In particular, in a so-called COG (Chip On Glass) type active matrix substrate in which a driving semiconductor element for image display is mounted in the peripheral region, the space for disposing the inspection pads in the peripheral region is narrowed. Both the area and the arrangement pitch must be reduced.

このような、面積とピッチが狭い検査用パッドでの検査を行うためには、検査用プローブとして先端部の細いものを用いなくてはならず、プローブピン自体が高価となり、また、必然的に強度が低下するため検査用プローブの寿命が短くなり、コスト高を招く。さらに、検査用パッドに正確に位置決めしてプローブピンを当てなくてはならず、また、検査用パッドと、プローブピンとの間に接触抵抗が生じないように所定の押圧力も必要となるため、検査効率も低下する。   In order to perform an inspection with such an inspection pad having a small area and pitch, a probe having a thin tip must be used as an inspection probe, and the probe pin itself is expensive and inevitably. Since the strength is reduced, the life of the inspection probe is shortened, resulting in an increase in cost. In addition, the probe pin must be accurately positioned on the test pad, and a predetermined pressing force is required to prevent contact resistance between the test pad and the probe pin. Inspection efficiency also decreases.

また、上記特許文献2に記載の方法では、走査線やデータ線のグループごとに共通な検査用ゲート配線を用いて、検査用TFTのON/OFFを制御しているため、測定対象の走査線やゲート線を個別に特定することはできない。検査用パッドと測定対象の走査線やデータ線との接続を個別に制御するためには、それぞれの走査線やデータ線に接続された検査用TFTの数と同じ数の検査用ゲート配線が必要となるなど、スイッチング素子である検査用TFTを個別に制御できる制御回路が必要となる。   Further, in the method described in Patent Document 2, ON / OFF of the inspection TFT is controlled by using a common inspection gate wiring for each group of scanning lines and data lines. And gate lines cannot be specified individually. In order to individually control the connection between the inspection pad and the scanning line or data line to be measured, the same number of inspection gate wirings as the number of inspection TFTs connected to each scanning line or data line are required. For example, a control circuit capable of individually controlling the inspection TFT as a switching element is required.

検査用TFTを個別に制御するために、配線の数を増やしたり、制御回路を形成したりするとなると、アクティブマトリクス基板上の回路構成が複雑となるとともに、検査回路や配線の配置のための所定の面積が必要となる。検査回路や検査のための配線が形成される周辺領域の面積が大きくなることは、アクティブマトリクス基板の面積に対する表示領域の面積の比率を低下させることとなり、いわゆる挟額縁化の要請に反することになる。また、検査用のスイッチング素子としての検査用TFTを、検査用ゲート配線に通電することで電気的に切り替える場合には、回路特性上の遅延や電圧降下を招き、検査効率や検査精度の低下に繋がる恐れもある。   If the number of wirings is increased or a control circuit is formed in order to individually control the inspection TFTs, the circuit configuration on the active matrix substrate becomes complicated, and a predetermined circuit for arranging the inspection circuits and wirings is required. Area is required. Increasing the area of the peripheral area where the inspection circuit and the wiring for inspection are formed reduces the ratio of the area of the display area to the area of the active matrix substrate, which is contrary to the demand for so-called framed frames. Become. In addition, when the inspection TFT as the inspection switching element is electrically switched by energizing the inspection gate wiring, a delay in circuit characteristics and a voltage drop are caused, resulting in a decrease in inspection efficiency and inspection accuracy. There is also a risk of being connected.

本発明は、このような従来技術の問題に鑑み、小型化、高解像度化などによって画素構成が微細化されたアクティブマトリクス基板であっても、基板に形成された配線や表示用スイッチング素子などの電気特性の検査を、基板単体の状態でも効率的に行うことができるアクティブマトリクス基板、液晶表示パネル、およびアクティブマトリクス基板の検査方法を得ることを目的とする。   In view of such a problem of the prior art, the present invention provides an active matrix substrate whose pixel configuration is miniaturized by downsizing, high resolution, and the like, such as wirings formed on the substrate and display switching elements. It is an object of the present invention to provide an active matrix substrate, a liquid crystal display panel, and an inspection method for an active matrix substrate that can efficiently inspect electrical characteristics even in a single substrate state.

上記の目的を達成するために、本発明のアクティブマトリクス基板は、表示領域に、行方向および列方向のマトリクス状に配列された複数の画素電極と、前記画素電極の配列の行方向に伸延する複数の走査線と、前記画素電極の配列の列方向に伸延する複数のデータ線と、前記画素電極にそれぞれ接続され、前記走査線と前記データ線とに印加された信号に基づいて、前記画素電極に所定の電位を与える複数の表示用スイッチング素子とを備え、前記走査線および前記データ線の少なくともいずれか一方は、前記表示領域外の周辺領域において、複数本が検査用スイッチング素子を介して一つの検査用パッドに接続されていて、前記周辺領域に、前記検査用スイッチング素子のオン/オフを制御する、光が照射されることにより動作する光電素子を有していることを特徴とする。   In order to achieve the above object, an active matrix substrate of the present invention extends in a row direction of a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix in a row direction and a column direction in a display region, and the arrangement of the pixel electrodes. A plurality of scanning lines; a plurality of data lines extending in a column direction of the pixel electrode array; and the pixels connected to the pixel electrodes, respectively, based on signals applied to the scanning lines and the data lines. A plurality of display switching elements for applying a predetermined potential to the electrodes, and at least one of the scanning lines and the data lines is provided in the peripheral region outside the display region via a plurality of inspection switching elements. A photoelectric sensor that is connected to one test pad and that operates by irradiating light to control the on / off of the test switching element to the peripheral region. It characterized in that it has a child.

また、本発明にかかる液晶表示パネルは、本発明にかかるアクティブマトリクス基板と、対向基板との間に液晶層を備えたことを特徴とする。   The liquid crystal display panel according to the present invention is characterized in that a liquid crystal layer is provided between the active matrix substrate according to the present invention and a counter substrate.

さらに、本発明のアクティブマトリクス基板の検査方法は、表示領域に、行方向および列方向のマトリクス状に配列された複数の画素電極と、前記画素電極の配列の行方向に伸延する複数の走査線と、前記画素電極の配列の列方向に伸延する複数のデータ線と、前記画素電極にそれぞれ接続され、前記走査線と前記データ線とに印加された信号に基づいて、前記画素電極に所定の電位を与える複数の表示用スイッチング素子とを備え、前記表示領域外の周辺領域に形成された検査用パッドに、複数本の前記走査線または前記データ線が検査用スイッチング素子を介して接続されているアクティブマトリクス基板において、前記周辺領域に形成された光電素子に光を照射して前記検査用スイッチング素子のオン/オフを制御し、前記検査用パッドに接続される測定対象の前記表示用スイッチング素子を順次切り替えることを特徴とする。   Furthermore, the inspection method for an active matrix substrate according to the present invention includes a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix in a row direction and a column direction in a display region, and a plurality of scanning lines extending in the row direction of the arrangement of the pixel electrodes. A plurality of data lines extending in the column direction of the pixel electrode array, and a plurality of data lines connected to the pixel electrodes, respectively, based on signals applied to the scanning lines and the data lines. A plurality of display switching elements for applying a potential, and a plurality of the scanning lines or the data lines are connected to the inspection pads formed in the peripheral area outside the display area via the inspection switching elements. In the active matrix substrate, the inspection switching element is controlled to be turned on / off by irradiating the photoelectric elements formed in the peripheral region with light. Characterized connected are to be measured the switching the display switching elements sequentially.

本発明によれば、画素構成が微細化された基板であっても、基板に形成された配線や画像表示用スイッチング素子などの電気特性の検査を、基板単体で効率的に行うことができるアクティブマトリクス基板、液晶表示パネル、およびアクティブマトリクス基板の検査方法を得ることができる。   According to the present invention, even if a pixel structure is a miniaturized substrate, it is possible to efficiently inspect electrical characteristics such as wirings formed on the substrate and switching elements for image display with a single substrate. An inspection method for a matrix substrate, a liquid crystal display panel, and an active matrix substrate can be obtained.

本発明にかかるアクティブマトリクス基板は、表示領域に、行方向および列方向のマトリクス状に配列された複数の画素電極と、前記画素電極の配列の行方向に伸延する複数の走査線と、前記画素電極の配列の列方向に伸延する複数のデータ線と、前記画素電極にそれぞれ接続され、前記走査線と前記データ線とに印加された信号に基づいて、前記画素電極に所定の電位を与える複数の表示用スイッチング素子とを備え、前記走査線および前記データ線の少なくともいずれか一方は、前記表示領域外の周辺領域において、複数本が検査用スイッチング素子を介して一つの検査用パッドに接続されていて、前記周辺領域に、前記検査用スイッチング素子のオン/オフを制御する、光が照射されることにより動作する光電素子を有している。   The active matrix substrate according to the present invention includes a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix in a row direction and a column direction, a plurality of scanning lines extending in a row direction of the arrangement of the pixel electrodes, and the pixels A plurality of data lines extending in the column direction of the electrode array and a plurality of data lines connected to the pixel electrodes and applying a predetermined potential to the pixel electrodes based on signals applied to the scanning lines and the data lines, respectively. And at least one of the scanning line and the data line is connected to one inspection pad via the inspection switching element in a peripheral region outside the display region. In addition, the peripheral region has a photoelectric element that operates by being irradiated with light, which controls on / off of the inspection switching element.

この構成によれば、走査線および前記データ線の少なくともいずれか一方が、複数本が検査用スイッチング素子を介して一つの検査用パッドに接続されているため、測定対象の走査線またはデータ線の本数よりも検査用パッドの個数が少なくなる。このため、検査用パッドの面積とピッチとを大きくすることによって、検査用プローブのプローブピンを太くすることができ、検査用パッドと検査用プローブとのアライメントの精度が緩和される。また、検査用スイッチング素子のON/OFFの制御を、光が照射されることにより動作する光電素子を用いて行うため、配線の引き回しを含めた回路構成が簡素化でき、また、回路特性上の遅延や電圧降下などの影響を回避することができる。   According to this configuration, since at least one of the scanning line and the data line is connected to one inspection pad via the inspection switching element, the scanning line or data line to be measured The number of test pads is smaller than the number. Therefore, by increasing the area and pitch of the inspection pad, the probe pin of the inspection probe can be made thicker, and the accuracy of alignment between the inspection pad and the inspection probe is relaxed. In addition, since the ON / OFF control of the switching element for inspection is performed using a photoelectric element that operates when irradiated with light, the circuit configuration including wiring routing can be simplified, and the circuit characteristics are also improved. Effects such as delays and voltage drops can be avoided.

上記構成において、光が照射された際に前記光電素子が生成する出力電圧を、前記検査用スイッチング素子を導通させるためのオン電圧として用いることが好ましい。このようにすることで、オン電圧を供給するための電源を別途設ける必要が無くなり、回路構成の簡素化や検査回路に必要な面積を低減することができる。   In the above configuration, it is preferable that an output voltage generated by the photoelectric element when irradiated with light is used as an on-voltage for making the inspection switching element conductive. In this way, it is not necessary to separately provide a power source for supplying the on-voltage, and the circuit configuration can be simplified and the area required for the inspection circuit can be reduced.

また、光が照射された際に前記光電素子が導通することで、前記検査用スイッチング素子に制御用電源電圧をオン電圧として印加することが好ましい。このようにすることで、光の照射による検査用スイッチング素子のON/OFF制御を、簡易かつ確実に行うことができる。   Moreover, it is preferable that the control power supply voltage is applied as an on-voltage to the inspection switching element by causing the photoelectric element to conduct when irradiated with light. By doing in this way, ON / OFF control of the inspection switching element by light irradiation can be performed easily and reliably.

さらに、前記周辺領域に、前記表示領域で表示を行うための駆動用半導体素子を搭載する素子搭載領域を有し、前記光電素子が前記素子搭載領域に形成されていることが好ましい。このようにすることで、非表示領域である周辺領域での回路配置上の無駄をなくすことができる。   Furthermore, it is preferable that an element mounting area for mounting a driving semiconductor element for performing display in the display area is provided in the peripheral area, and the photoelectric element is formed in the element mounting area. By doing so, it is possible to eliminate waste in circuit arrangement in the peripheral area which is a non-display area.

また、本発明にかかる液晶表示パネルは、本発明にかかるアクティブマトリクス基板と、対向基板との間に液晶層を備える。   The liquid crystal display panel according to the present invention includes a liquid crystal layer between the active matrix substrate according to the present invention and the counter substrate.

この構成とすることで、基板状態での検査が容易に実施できるアクティブマトリクス基板を用いて、不良を早期に発見できる製造効率の高い液晶表示パネルを得ることができる。   With this configuration, it is possible to obtain a liquid crystal display panel with high manufacturing efficiency that can detect defects early using an active matrix substrate that can be easily inspected in a substrate state.

さらに、本発明のアクティブマトリクス基板の検査方法は、表示領域に、行方向および列方向のマトリクス状に配列された複数の画素電極と、前記画素電極の配列の行方向に伸延する複数の走査線と、前記画素電極の配列の列方向に伸延する複数のデータ線と、前記画素電極にそれぞれ接続され、前記走査線と前記データ線とに印加された信号に基づいて、前記画素電極に所定の電位を与える複数の表示用スイッチング素子とを備え、前記表示領域外の周辺領域に形成された検査用パッドに、複数本の前記走査線または前記データ線が検査用スイッチング素子を介して接続されているアクティブマトリクス基板において、 前記周辺領域に形成された光電素子に光を照射して前記検査用スイッチング素子のオン/オフを制御し、前記検査用パッドに接続される測定対象の前記表示用スイッチング素子を順次切り替える。   Furthermore, the inspection method for an active matrix substrate according to the present invention includes a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix in a row direction and a column direction in a display region, and a plurality of scanning lines extending in the row direction of the arrangement of the pixel electrodes. A plurality of data lines extending in the column direction of the pixel electrode array, and a plurality of data lines connected to the pixel electrodes, respectively, based on signals applied to the scanning lines and the data lines. A plurality of display switching elements for applying a potential, and a plurality of the scanning lines or the data lines are connected to the inspection pads formed in the peripheral area outside the display area via the inspection switching elements. In the active matrix substrate, the inspection switching element is controlled to be turned on / off by irradiating the photoelectric element formed in the peripheral region with light. Sequentially switching said display switching element to be measured is connected to a de.

このようにすることで、画素構成が微細化された基板であっても、基板に形成された配線や画像表示用スイッチング素子などの電気特性の検査を、基板単体で効率的に行うことのできるアクティブマトリクス基板の検査方法を実現できる。   In this way, even on a substrate with a miniaturized pixel configuration, it is possible to efficiently inspect electrical characteristics such as wiring formed on the substrate and switching elements for image display with a single substrate. An inspection method for an active matrix substrate can be realized.

この場合において、光が照射された際に前記光電素子が生成する出力電圧を、前記検査用スイッチング素子を導通させるためのオン電圧として用いることができ、また、光が照射された際に、前記光電素子が導通することで、前記検査用スイッチング素子に制御用電源電圧をオン電圧として印加することができる。   In this case, the output voltage generated by the photoelectric element when irradiated with light can be used as an on-voltage for conducting the inspection switching element, and when the light is irradiated, When the photoelectric element becomes conductive, a control power supply voltage can be applied as an ON voltage to the inspection switching element.

さらに、前記光電素子への光の照射が、光ファイバを介して行われることが好ましい。光ファイバを用いることで、アクティブマトリクス基板上の所定の場所に、正確に光照射をすることができ、検査用スイッチング素子のON/OFF制御を確実に行うことができる。   Further, it is preferable that the photoelectric element is irradiated with light through an optical fiber. By using the optical fiber, it is possible to accurately irradiate light at a predetermined place on the active matrix substrate, and it is possible to reliably perform ON / OFF control of the inspection switching element.

このとき、前記光ファイバの前記光電素子側の先端部が、凸の曲面形状であることが好ましい。先端部を凸の曲面形状とすることでレンズ効果が生まれ、光ファイバから射出される光を集光することができるので、照射光を正確に所定の光電素子に当てることができる。   At this time, it is preferable that the tip of the optical fiber on the photoelectric element side has a convex curved shape. A lens effect is produced by making the tip end a convex curved surface, and the light emitted from the optical fiber can be collected, so that the irradiation light can be accurately applied to a predetermined photoelectric element.

以下、本発明のアクティブマトリクス基板と液晶表示パネル、アクティブマトリクス基板の検査方法の好ましい実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明では、本発明にかかるアクティブマトリクス基板を、表示用スイッチング素子と検査用スイッチング素子をともに薄膜トランジスタ(TFT)で構成した例について、説明する。しかし、これは本発明の構成を限定するものではなく、スイッチング素子としては、TFT以外にもメタルインシュレーターメタル(MIM)構造とするなど、他のスイッチング素子の構造を用いることができる。また、以下の説明に用いる全図面について、図面を見やすくするために各構成要素の寸法の比率などは適宜異ならせて示している。   Hereinafter, preferred embodiments of an inspection method for an active matrix substrate, a liquid crystal display panel, and an active matrix substrate of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, an example will be described in which an active matrix substrate according to the present invention includes both a display switching element and an inspection switching element formed of thin film transistors (TFTs). However, this does not limit the configuration of the present invention, and other switching element structures such as a metal insulator metal (MIM) structure can be used as the switching element in addition to the TFT. In addition, in all the drawings used in the following description, the ratio of dimensions of each component is appropriately changed for easy understanding of the drawings.

図1は、本発明の実施形態にかかるアクティブマトリクス基板の概略構成を示す平面図である。図1に示すように、本実施形態にかかるアクティブマトリクス基板1は、画像表示のための電圧が印加される複数の画素電極5が、行方向および列方向のマトリクス状に配列されていて、表示領域8が形成されている。   FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of an active matrix substrate according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the active matrix substrate 1 according to the present embodiment has a display in which a plurality of pixel electrodes 5 to which a voltage for image display is applied are arranged in a matrix in a row direction and a column direction. Region 8 is formed.

また、表示領域8には、画素電極5の形成する行の数に見合った数の走査線2(「ゲート線」とも称される。)が、画素電極5の行方向に伸延して配置され、画素電極5の形成する列の数に見合った数のデータ線3(「ソース線」とも称される。)が、画素電極5の列方向に伸延して配置されている。これら複数の走査線2と複数のデータ線3とは、それぞれ直交して配置されていることになる。   In the display region 8, a number of scanning lines 2 (also referred to as “gate lines”) corresponding to the number of rows formed by the pixel electrodes 5 are arranged extending in the row direction of the pixel electrodes 5. A number of data lines 3 (also referred to as “source lines”) corresponding to the number of columns formed by the pixel electrodes 5 are arranged extending in the column direction of the pixel electrodes 5. The plurality of scanning lines 2 and the plurality of data lines 3 are arranged orthogonally to each other.

それぞれの走査線2とデータ線3とのそれぞれの交点には、表示用スイッチング素子としての表示用TFT4が配置され、この表示用TFT4は、それぞれ対応する画素電極5に接続されるとともに、対応する走査線2とデータ線3に接続されている。   Display TFTs 4 as display switching elements are arranged at respective intersections of the respective scanning lines 2 and data lines 3, and the display TFTs 4 are connected to the corresponding pixel electrodes 5 and correspond to each other. The scanning line 2 and the data line 3 are connected.

アクティブマトリクス基板1では、走査線2が順次選択走査されるとともに、データ線3から対応する画素電極5の電位が与えられ、このように走査線2とデータ線3とに印加された信号に基づいて、画素電極5が所定の電位となることで画像表示が行われる。例えば液晶表示パネルの場合であれば、アクティブマトリクス基板に対向して配置される対向基板上に通常設けられる対向電極の電位と、アクティブマトリクス基板1上の画素電極5に与えられた電位との電位差によって、これらの電極に挟まれている液晶分子の配向を変化させて、液晶層を透過する透過光量を変化させる。このため、走査線とデータ線とに囲まれた、画素電極5と表示用スイッチング素子としての表示用TFT4とが配置されている領域が、表示画像における一つの画素7を形成することとなる。   In the active matrix substrate 1, the scanning lines 2 are sequentially selected and scanned, and the potentials of the corresponding pixel electrodes 5 are applied from the data lines 3, and based on the signals applied to the scanning lines 2 and the data lines 3 in this way. Thus, image display is performed when the pixel electrode 5 has a predetermined potential. For example, in the case of a liquid crystal display panel, a potential difference between a potential of a counter electrode normally provided on a counter substrate disposed opposite to the active matrix substrate and a potential applied to the pixel electrode 5 on the active matrix substrate 1. By changing the orientation of the liquid crystal molecules sandwiched between these electrodes, the amount of light transmitted through the liquid crystal layer is changed. For this reason, an area where the pixel electrode 5 and the display TFT 4 as a display switching element are disposed surrounded by the scanning lines and the data lines forms one pixel 7 in the display image.

なお、アクティブマトリクス基板1が、液晶表示パネルに用いられる場合を含め、表示用スイッチング素子としての表示用TFT4を安定して動作させ、また、画素電極5の電位を安定させるために、それぞれの画素7には、画素電極5に接続された付加容量6が形成される。   In addition, including the case where the active matrix substrate 1 is used for a liquid crystal display panel, in order to stably operate the display TFT 4 as a display switching element and to stabilize the potential of the pixel electrode 5, each pixel 7, an additional capacitor 6 connected to the pixel electrode 5 is formed.

走査線2およびデータ線3は、図1に示すように、表示領域8の外側の周辺領域15に引き出されている。周辺領域15に引き出された走査線2は、周辺領域15に形成された走査回路9を介して、走査線2用の引出し配線10を経て走査線2の制御用パッド11に接続されている。また、周辺領域15に引き出されたデータ線3は、周辺領域15に形成された検査用スイッチング部12を介して、データ線3用の検査用配線13を経てデータ線3の検査用パッド14に接続されている。   As shown in FIG. 1, the scanning line 2 and the data line 3 are drawn to the peripheral area 15 outside the display area 8. The scanning line 2 drawn out to the peripheral region 15 is connected to the control pad 11 of the scanning line 2 through the scanning line 9 for the scanning line 2 through the scanning circuit 9 formed in the peripheral region 15. Further, the data line 3 drawn to the peripheral area 15 passes through the inspection switching section 12 formed in the peripheral area 15 and passes through the inspection wiring 13 for the data line 3 to the inspection pad 14 of the data line 3. It is connected.

データ線3用の検査用スイッチング部12は、複数本毎、例えば8本から16本程度のデータ線3を、切換制御できるスイッチング回路を介して、対応する検査用パッド14と接続するものである。例えば、対角画面サイズが5〜10cm程度の携帯電話用VGAモニタの場合、画面の水平(横)方向、すなわち表示領域を形成する画素7の行方向には、480画素、カラー表示のためのRGBの各サブピクセルでカウントすると、1440個の微細な画素7が整列しており、この画素7に相応する数のデータ線3が設けられている。このため、データ線3の配列ピッチは50μm程度と極めて狭いが、本実施形態のように例えば8〜16本毎に、データ線3を検査用スイッチング部12のスイッチング回路で束ね、データ線3の数の8〜16分の1の数の検査用パッド14に集約した形で接続することにより、検査用パッド14の配列ピッチとして0.5mm程度が確保できるので、検査用パッド14に接触させる検査用プローブのプローブピンの太さが十分に確保できる。   The inspection switching unit 12 for the data line 3 connects a plurality of, for example, about 8 to 16, data lines 3 to the corresponding inspection pad 14 via a switching circuit capable of switching control. . For example, in the case of a VGA monitor for a mobile phone having a diagonal screen size of about 5 to 10 cm, 480 pixels are used for color display in the horizontal (horizontal) direction of the screen, that is, the row direction of the pixels 7 forming the display area. When counted by each RGB sub-pixel, 1440 fine pixels 7 are aligned, and the number of data lines 3 corresponding to the pixels 7 is provided. For this reason, although the arrangement pitch of the data lines 3 is very narrow as about 50 μm, the data lines 3 are bundled by the switching circuit of the inspection switching unit 12 every 8 to 16 lines as in this embodiment, and the data lines 3 By connecting the test pads 14 in an aggregated manner to the number of test pads 14 that is 1/8 to 1/16 of the number, about 0.5 mm can be secured as the arrangement pitch of the test pads 14, so that the test is brought into contact with the test pads 14 A sufficient probe pin thickness can be secured.

なお、アクティブマトリクス基板1上には、アクティブマトリクス基板1が例えば液晶表示パネルとして完成した後に、これを動作させる際に用いられる駆動用の配線や、駆動用論理回路などの回路素子が搭載される回路端子、さらには、アクティブマトリクス基板1と外部の回路基板とを接続するための、電極端子部などが形成されるが、図1では全てを図示してはいない。また、アクティブマトリクス基板1における表示領域8の大きさや位置についても、正確に示されたものではない。   On the active matrix substrate 1, circuit elements such as drive wirings and drive logic circuits used when the active matrix substrate 1 is operated as a liquid crystal display panel after the active matrix substrate 1 is completed are mounted. Circuit terminals, and electrode terminal portions for connecting the active matrix substrate 1 and an external circuit substrate are formed, but not all are shown in FIG. Further, the size and position of the display area 8 on the active matrix substrate 1 are not accurately shown.

次に、図1に示した、データ線3の検査用スイッチング部12についての詳細な説明を図2にて行う。なお、本実施形態において、走査線2を走査する走査回路9は、論理回路により自動走査するものであるため、走査線2にはデータ線3に対して設けた、検査用スイッチング部12を設けた構成とはしていない。しかし、例えば走査線2の走査回路9が自動走査機能を有さない場合などにおいて、走査線2の検査用に、データ線3用として下記に示す、検査用スイッチング部12を同様に設ける構成としても構わない。   Next, a detailed description of the inspection switching unit 12 of the data line 3 shown in FIG. 1 will be given with reference to FIG. In the present embodiment, since the scanning circuit 9 that scans the scanning line 2 is automatically scanned by a logic circuit, the scanning line 2 is provided with the inspection switching unit 12 provided for the data line 3. It is not configured. However, for example, when the scanning circuit 9 of the scanning line 2 does not have an automatic scanning function, the inspection switching unit 12 shown below for the data line 3 is similarly provided for the inspection of the scanning line 2. It doesn't matter.

図2に示すように、データ線3用の検査用スイッチング部12では、図中左端部に斜線部として示す表示領域8から引き出された複数のデータ線3が、それぞれ検査用スイッチング素子である検査用TFT19を介して接続されて束ねられ、一本のデータ線3用の検査用配線13を経て1つのデータ線3用の検査用パッド14に接続される。なお、図2では図面が煩雑となることを避けるために、検査用TFT19として、19−1,19−2,19−3,19−4の4つのみが示されているが、上記したように本実施形態に示す検査用スイッチング部12では、8〜16本のデータ線3が一つの検査用パッド14に接続されるものであるから、検査用TFT19の個数も8〜16個となる。なお、一つの検査用パッド14に検査用スイッチング素子を介して束ねられるデータ線3の本数は、画素のピッチに相当するデータ線3の配線のピッチと全体の本数に応じて、適宜定められる。   As shown in FIG. 2, in the inspection switching unit 12 for the data line 3, the plurality of data lines 3 drawn from the display area 8 shown as the hatched portion at the left end in the figure are inspection switching elements. The data lines 3 are connected and bundled through the TFTs 19, and are connected to the inspection pads 14 for one data line 3 through the inspection wirings 13 for one data line 3. In FIG. 2, only four of 19-1, 19-2, 19-3, and 19-4 are shown as the inspection TFT 19 in order to avoid the complexity of the drawing. In the inspection switching unit 12 shown in the present embodiment, since 8 to 16 data lines 3 are connected to one inspection pad 14, the number of inspection TFTs 19 is also 8 to 16. The number of the data lines 3 bundled on one inspection pad 14 via the inspection switching element is appropriately determined according to the wiring pitch of the data lines 3 corresponding to the pitch of the pixels and the total number.

検査用スイッチング回路12で用いられる検査用スイッチング素子としては、表示用スイッチング素子の形成と同時に同じ工程で形成できることから、表示用スイッチング素子である表示用TFT4と同じ構成の検査用TFT19が用いられることが多い。しかし、本発明における検査用スイッチング素子はこれに限られるものではなく、光電素子に光を照射することでその接続/非接続が切り替えることができるスイッチング素子であれば、他のスイッチング素子を使用することができる。   Since the inspection switching element used in the inspection switching circuit 12 can be formed in the same process as the display switching element, the inspection TFT 19 having the same configuration as the display TFT 4 as the display switching element is used. There are many. However, the switching element for inspection in the present invention is not limited to this, and any other switching element can be used as long as it can be switched between connection / disconnection by irradiating light to the photoelectric element. be able to.

データ線3用の検査用スイッチング部12の光電素子形成部16には、検査用TFT19のオン/オフを制御する光電素子17が配置されている。図2に示すように、それぞれの検査用TFT19−1〜19−4に対応して、光電素子17−1〜17−4が設けられていて、光電素子17−1〜17−4の出力端が、制御配線18を介してそれぞれの検査用TFT19−1〜19−4のゲートに接続されている。検査用スイッチング部12において、1つの検査用パッド14に接続される複数本(例えば16本)のデータ線3それぞれの検査用TFT19のオン/オフを、光電素子17を個別に制御して切り替えるため、一つの検査用パッド14に接続される検査用TFT19の個数(例えば16個)と、同じ数(例えば16個)の光電素子17が設けられることになる。なお、図2においては、検査用TFT19と同じく、光電素子17も4個のみを例示している。   A photoelectric element 17 for controlling on / off of the inspection TFT 19 is arranged in the photoelectric element forming section 16 of the inspection switching section 12 for the data line 3. As shown in FIG. 2, photoelectric elements 17-1 to 17-4 are provided corresponding to the respective inspection TFTs 19-1 to 19-4, and output terminals of the photoelectric elements 17-1 to 17-4 are provided. Are connected to the gates of the respective inspection TFTs 19-1 to 19-4 through the control wiring 18. In the inspection switching unit 12, on / off of the inspection TFT 19 of each of a plurality of (for example, 16) data lines 3 connected to one inspection pad 14 is switched by individually controlling the photoelectric element 17. Thus, the same number (for example, 16) of photoelectric elements 17 as the number of inspection TFTs 19 (for example, 16) connected to one inspection pad 14 are provided. In FIG. 2, only four photoelectric elements 17 are illustrated as in the inspection TFT 19.

このように、検査用スイッチング部12において、複数本のデータ線3のひとまとまりのグループが、検査用TFT19を介して1つの検査用パッド14に束ねられることになるため、本実施形態において、アクティブマトリクス基板1に配置されるデータ線3の検査用パッド14の数は、例えば、データ線3の総数を、検査用スイッチング部12に設けられた光電素子17の数で割った商の数とすると効率がよい。なお、図2の説明では、一つの検査パッド14に束ねられる検査用TFT19として、連続して配置されたデータ線3に対応するもので構成される例を示したが、配線の仕方を工夫することで数個跳びの位置関係の検査用TFT19を、一つの検査用パッド14に束ねる構成にしても構わない。   In this manner, in the inspection switching unit 12, a group of a plurality of data lines 3 is bundled into one inspection pad 14 via the inspection TFT 19, so that in this embodiment, active The number of test pads 14 of the data lines 3 arranged on the matrix substrate 1 is, for example, the number of quotients obtained by dividing the total number of data lines 3 by the number of photoelectric elements 17 provided in the test switching unit 12. Efficiency is good. In the description of FIG. 2, the example in which the inspection TFTs 19 bundled on one inspection pad 14 are configured to correspond to the data lines 3 arranged continuously is shown. However, the wiring method is devised. Thus, the configuration may be such that several inspection TFTs 19 having a positional relationship of several jumps are bundled on one inspection pad 14.

なお、光電素子17としては、表示用または検査用のスイッチング素子であるTFTと同じ半導体工程で形成することができる半導体素子としてのフォトダイオードや、太陽電池などを用いることが好ましい。但し、本発明の光電素子17がこれら半導体素子としての光電素子に限定されるものではない。   Note that as the photoelectric element 17, it is preferable to use a photodiode, a solar cell, or the like as a semiconductor element that can be formed in the same semiconductor process as a TFT that is a switching element for display or inspection. However, the photoelectric element 17 of the present invention is not limited to the photoelectric element as these semiconductor elements.

制御用電源20は、それぞれの光電素子17に光照射口から光22が照射されることにより、制御用TFT19のゲートに所定の電圧が印加されるための電源である。なお、制御用電源20は、回路素子としての電圧源が設けられる必要はなく、検査時に所定の制御用電圧が印加されればよい。このため、制御用電源20を電圧印加用のパッドとして形成し、検査時に電圧印加用のプローブを接触させることにより所定の電圧を与える方法や、検査時に制御用電圧以外の必要のために印加される電圧を、アクティブマトリクス基板1上に形成された接続配線を用いて印加する方法などが適用できる。   The control power supply 20 is a power supply for applying a predetermined voltage to the gate of the control TFT 19 when each photoelectric element 17 is irradiated with light 22 from the light irradiation port. The control power source 20 does not need to be provided with a voltage source as a circuit element, and a predetermined control voltage may be applied at the time of inspection. For this reason, the control power source 20 is formed as a voltage application pad, and a predetermined voltage is applied by contacting a voltage application probe at the time of inspection, or applied for necessity other than the control voltage at the time of inspection. For example, a method of applying a voltage using a connection wiring formed on the active matrix substrate 1 can be applied.

なお、各データ線3の、表示領域8と検査用TFT19との間には、駆動用半導体素子としてのICを搭載するためのCOGパッド21が形成されている。後述するように、アクティブマトリクス基板1上の周辺領域15の面積をなるべく小さくすることや、検査用スイッチング部12を搭載される半導体素子で覆い隠すことができるなどの観点から、検査用スイッチング部12は駆動用半導体が搭載される領域である素子搭載領域に形成することが好ましい。この場合には、図2に示すように、データ線3のCOGパッド21に対して表示領域8とは反対側の延長される部分に、検査用TFT19が配置される。   A COG pad 21 for mounting an IC as a driving semiconductor element is formed between the display area 8 and the inspection TFT 19 of each data line 3. As will be described later, from the viewpoint of reducing the area of the peripheral region 15 on the active matrix substrate 1 as much as possible and covering the inspection switching unit 12 with a semiconductor element mounted thereon, the inspection switching unit 12 can be covered. Is preferably formed in an element mounting region which is a region where a driving semiconductor is mounted. In this case, as shown in FIG. 2, the inspection TFT 19 is disposed in an extended portion on the opposite side of the display area 8 with respect to the COG pad 21 of the data line 3.

次に、光電素子17を用いて、検査用TFT19のオン/オフを制御する具体的方法について図3および図4を用いて説明する。   Next, a specific method for controlling on / off of the inspection TFT 19 using the photoelectric element 17 will be described with reference to FIGS.

図3は、光電素子17を用いて検査用TFT19のゲートに、所定のゲート電圧を印加するための第1の具体例を示す図である。図3に示す第1の具体例では、光電素子17として、太陽電池などの、光が照射されたときに一定の起電力で電圧を生じる素子を用いている。   FIG. 3 is a diagram showing a first specific example for applying a predetermined gate voltage to the gate of the inspection TFT 19 using the photoelectric element 17. In the first specific example shown in FIG. 3, as the photoelectric element 17, an element such as a solar cell that generates a voltage with a constant electromotive force when irradiated with light is used.

図3(a)は、光電素子17として光起電力機能を有するデバイス(例えば、太陽電池)を用いた場合の、検査用スイッチング部12での回路構成を示すブロック図である。図3(a)に示すように、データ線3のCOGパッド21とデータ線3の検査用パッド14との間に設けられた検査用TFT19のゲートに、光電素子17の出力端が接続され、光電素子17に光照射口から光22が照射されたとき、検査用TFT19のゲートには、光電素子17が生じた起電力と、制御用電源20の電位E0との合計の電位が印加される。 FIG. 3A is a block diagram showing a circuit configuration in the inspection switching unit 12 when a device (for example, a solar cell) having a photovoltaic function is used as the photoelectric element 17. As shown in FIG. 3A, the output terminal of the photoelectric element 17 is connected to the gate of the inspection TFT 19 provided between the COG pad 21 of the data line 3 and the inspection pad 14 of the data line 3. When the photoelectric element 17 is irradiated with the light 22 from the light irradiation port, the total potential of the electromotive force generated by the photoelectric element 17 and the potential E 0 of the control power source 20 is applied to the gate of the inspection TFT 19. The

検査用TFT19のゲートと、グランド電位との間には、検査をするために表示領域8内の各画素電極5に与えた電荷を除去する際の、電荷抜き回路23が設けられている。   Between the gate of the inspection TFT 19 and the ground potential, there is provided a charge removal circuit 23 for removing charges applied to each pixel electrode 5 in the display region 8 for inspection.

図3(b)は、光電素子17における起電力を合成する際のイメージを示している。図3(a)に示すように、図3に示す第1の具体例では、検査用TFT19のゲートのオン電圧を、光電素子17の起電力により得ている。このため、光電素子17の起電力は、検査用TFT19のオン電圧とオフ電圧との電圧差以上の一定以上の値が必要となる。光電素子17の、1つのPN接合部での光電変換では検査用TFT19のオン電圧とオフ電圧との差以上の起電力が得られない場合には、図3(b)に示すように複数のPN接合を光電素子17内に形成することにより、光電素子17の起電力を一定以上のものとすることができる。図3(b)で示すのは、一つのPN接合での起電力がEsである場合に、これを3つ直列にして用いた場合の例である。   FIG. 3B shows an image when the electromotive forces in the photoelectric element 17 are combined. As shown in FIG. 3A, in the first specific example shown in FIG. 3, the on-voltage of the gate of the inspection TFT 19 is obtained by the electromotive force of the photoelectric element 17. For this reason, the electromotive force of the photoelectric element 17 needs to have a value equal to or greater than a voltage difference between the ON voltage and the OFF voltage of the inspection TFT 19. When an electromotive force greater than the difference between the on-voltage and the off-voltage of the inspection TFT 19 cannot be obtained by photoelectric conversion at one PN junction of the photoelectric element 17, a plurality of electromotive forces as shown in FIG. By forming the PN junction in the photoelectric element 17, the electromotive force of the photoelectric element 17 can be made a certain level or more. FIG. 3B shows an example of using three in series when the electromotive force at one PN junction is Es.

図3(c)に、検査用TFT19のオン電圧特性を示す。図3(c)に示すように、検査用TFT19のゲートに制御電源20の電位E0が印加されている場合、検査用TFT19はオフとなる。また、光電素子17に光が照射されている場合には、制御電源20の電位E0に加えて、光電素子17のPN接合による起電力Esの個数n分の起電力nEsが検査用TFT19のゲートに印加される。この合成電位「E0+nEs」が検査用TFT19のオン電圧より高いとなる。 FIG. 3C shows the on-voltage characteristics of the inspection TFT 19. As shown in FIG. 3C, when the potential E 0 of the control power supply 20 is applied to the gate of the inspection TFT 19, the inspection TFT 19 is turned off. When the photoelectric element 17 is irradiated with light, in addition to the potential E 0 of the control power supply 20, the electromotive force nEs corresponding to the number n of electromotive forces Es by the PN junction of the photoelectric element 17 is Applied to the gate. This combined potential “E 0 + nEs” is higher than the ON voltage of the inspection TFT 19.

図4は、光電素子17を用いて、検査用TFT19のオン/オフを制御する具体的方法として、光電素子17を用いて検査用TFT19のゲートに所定のゲート電圧を印加するための第2の具体例を示す図である。   FIG. 4 shows a second method for applying a predetermined gate voltage to the gate of the inspection TFT 19 using the photoelectric element 17 as a specific method for controlling on / off of the inspection TFT 19 using the photoelectric element 17. It is a figure which shows a specific example.

図4に示す第2の具体例では、光電素子17は光スイッチング機能を持った回路素子であり、光が照射されることにより自体の導通と非導通の状態が変化する。そして、光を照射して光電素子17を導通させることで、異なる電圧を供給する複数の制御用電源20からの電位が検査用TFT19のゲートに印加され、これによって検査用TFT19のオン/オフが制御される。   In the second specific example shown in FIG. 4, the photoelectric element 17 is a circuit element having an optical switching function, and its conduction state and non-conduction state change when irradiated with light. Then, by irradiating light and making the photoelectric element 17 conductive, potentials from a plurality of control power supplies 20 that supply different voltages are applied to the gate of the inspection TFT 19, thereby turning on / off the inspection TFT 19. Be controlled.

図4(a)は、第2の具体例として、光電素子17としてバイポーラ型の光スイッチング回路を用いた場合の回路構成図を示す。図4(a)に示すように、検査用TFT19のゲートは、第1の抵抗R0を介して第1の制御電圧20aと、第2の抵抗R1を介して第2の制御電圧20bと接続されている。この場合に光電素子17a、17bは、バイポーラ型の動作をなすよう配設されたフォトダイオードであり、光22が照射されると、R0と並列に接続されたフォトダイオード17bが非導通、R1と並列に接続されたフォトダイオード17aが導通となり、光22が照射されない状態では、フォトダイオード17aが導通して、フォトダイオード17bが非導通となる。このようにすることで、R0とR1との値が十分高い場合には、光電素子17に光22が照射されている場合には、検査用TFT19のゲート電位はE1となり、光電素子17に光22が照射されていない場合には、検査用TFT19のゲート電位はE0となる。 FIG. 4A shows a circuit configuration diagram when a bipolar optical switching circuit is used as the photoelectric element 17 as a second specific example. As shown in FIG. 4 (a), the gate of the test TFT19 includes a first control voltage 20a via the first resistor R 0, and the second control voltage 20b via a second resistor R 1 It is connected. In this case, the photoelectric elements 17a and 17b are photodiodes arranged so as to perform a bipolar operation. When the light 22 is irradiated, the photodiode 17b connected in parallel with R0 is non-conductive. In a state where the photodiode 17a connected in parallel with 1 is turned on and the light 22 is not irradiated, the photodiode 17a is turned on and the photodiode 17b is turned off. In this manner, when the values of R 0 and R 1 are sufficiently high, when the photoelectric element 17 is irradiated with the light 22, the gate potential of the inspection TFT 19 becomes E 1 , and the photoelectric element When the light 22 is not irradiated to the gate 17, the gate potential of the inspection TFT 19 is E 0 .

図4(c)に検査用TFTのオン電圧特性を示すように、ゲート電位がE1のとき、検査用TFT19がオンとなり、ゲート電位がE0の時、検査用TFT19がオフとなるようにすることで、光電素子17への光の照射によって、検査用TFT19のオン/オフを制御することができる。 As shown in the on-voltage characteristics of the inspection TFT in FIG. 4C, the inspection TFT 19 is turned on when the gate potential is E 1 , and the inspection TFT 19 is turned off when the gate potential is E 0. Thus, the on / off state of the inspection TFT 19 can be controlled by irradiating the photoelectric element 17 with light.

なお、図4(b)は、光電素子17であるフォトダイオードが、図4(a)に示したようなバイポーラ型ではなくモノタイプの回路構成をなすように用いた場合の回路構成を示す。光電素子17としてのフォトダイオードを、モノタイプの回路構成をなすように用いた場合には、フォトダイオード17aのみが第2の抵抗R1と並列に接続されることになるため、フォトダイオード17aに光22が照射された場合には、第2の抵抗R1の両端が導通してR1=0Ωとなったのと等価となる。この場合には、検査用TFT19のゲートにはオン電圧であるE1が印加されるため、検査用TFT19が導通する。 FIG. 4B shows a circuit configuration when the photodiode as the photoelectric element 17 is used so as to form a monotype circuit configuration instead of the bipolar type as shown in FIG. 4A. A photodiode as a photoelectric device 17, when used to form a circuit arrangement of a mono-type, because that would only photodiode 17a is connected in parallel with the second resistor R 1, the photodiode 17a When the light 22 is irradiated, both ends of the second resistor R 1 become conductive, which is equivalent to R 1 = 0Ω. In this case, since the on-voltage E 1 is applied to the gate of the inspection TFT 19, the inspection TFT 19 becomes conductive.

一方、フォトダイオード17aに光22が照射されていない場合には、検査用TFT19のゲートに印加される電圧は、オン電圧であるE1から、R1/(R1+R0)*E0だけ低下することとなる。従って、この時の検査用TFT19のゲート電位、[E1−(R1/(R1+R0)*E0)]が検査用TFT19の閾値電圧よりも低くなるように設定することで、光電素子17に光22が照射されない場合には、検査用TFT19をオフにすることができる。 On the other hand, when the light 17 is not irradiated on the photodiode 17a, the voltage applied to the gate of the inspection TFT 19 is from the on-voltage E 1 to R 1 / (R 1 + R 0 ) * E 0. Will be reduced. Accordingly, by setting the gate potential of the inspection TFT 19 at this time, [E 1 − (R 1 / (R 1 + R 0 ) * E 0 )] to be lower than the threshold voltage of the inspection TFT 19, When the element 17 is not irradiated with the light 22, the inspection TFT 19 can be turned off.

なお、上記したとおり、制御電源20は、スイッチング制御部内に回路素子としての電圧源を設けることを必須とするものではない。したがって、図4で示した第2の実施例の場合にように、2つの制御電位E0およびE1を用いる場合にも、それぞれの電圧を供給するためのパッドを形成して供給することや、アクティブマトリクス基板の検査時に制御電位として印加される以外の所定の電位を、回路配線によって供給することができる。 As described above, the control power supply 20 does not necessarily require a voltage source as a circuit element to be provided in the switching control unit. Therefore, as in the case of the second embodiment shown in FIG. 4, even when two control potentials E 0 and E 1 are used, pads for supplying the respective voltages are formed and supplied. A predetermined potential other than that applied as a control potential during the inspection of the active matrix substrate can be supplied by the circuit wiring.

次に、本発明のアクティブマトリクス基板の検査方法の一例について説明する。   Next, an example of the inspection method for the active matrix substrate of the present invention will be described.

本発明のアクティブマトリクス基板の検査方法は、表示領域外の周辺領域に形成された光電素子に光を照射することにより、データ線や走査線などの計測対象の配線に形成された検査用スイッチング素子のオン/オフを制御して、検査用パッドと接続される表示領域の各画素に形成された表示用スイッチング素子を順次切り替えることに特徴を有する。   The inspection method of the active matrix substrate according to the present invention includes a switching element for inspection formed on a wiring to be measured such as a data line or a scanning line by irradiating light to a photoelectric element formed in a peripheral region outside the display region. The display switching elements formed in the respective pixels in the display region connected to the inspection pad are sequentially switched by controlling on / off of the display.

このため、それぞれの配線に検査用パッドを設けることなく、それぞれの配線に検査用スイッチング素子を介して束ねられた共通の検査用パッドを用いながら、検査目的とする画素を動作させる走査線とデータ線を選択することができ、選択された走査線とデータ線が接続された画素に形成された表示用スイッチング素子を動作させることができる。その結果として、所定の画素に形成された表示用スイッチング素子と画素電極、その所定の画素に至る走査線とデータ線に、断線や短絡、その他の電気特性不良となる欠陥が生じていないかを、検査パットを通じて判断することができる。   For this reason, the scanning line and data for operating the pixel to be inspected without using the inspection pad for each wiring and using the common inspection pad bundled through the switching element for inspection for each wiring. A line can be selected, and a display switching element formed in a pixel to which the selected scan line and data line are connected can be operated. As a result, whether or not a display switching element and a pixel electrode formed in a predetermined pixel, a scanning line and a data line leading to the predetermined pixel are not disconnected or short-circuited, or other defects that cause defective electrical characteristics have occurred. It can be judged through an inspection pad.

より具体的に、検査方法としてたとえば、走査線2、データ線3を介して表示用スイッチング素子4とこれに接続された画素電極5、および、付加容量6に書き込み電圧を印加して電荷を蓄え、一定時間経過後に画素電極に読み出し電圧を印加してこの電荷を測定するという方法を行う場合について説明する。   More specifically, as an inspection method, for example, a write voltage is applied to the switching element 4 for display, the pixel electrode 5 connected thereto, and the additional capacitor 6 via the scanning line 2 and the data line 3 to store charges. A case will be described in which a method of measuring a charge by applying a read voltage to a pixel electrode after a predetermined time has elapsed will be described.

この方法を用いる場合、測定対象の画素7の表示用スイッチング素子4に所定のタイミングで所定の電位が印加されるよう、走査線2の制御用パッド11、データ線3の検査用パッド14に測定用プローブを接触させて、所定の走査線2が動作するよう走査回路9を操作すると共に、データ線3に印加する電圧をそれぞれ印加すると同時に、図1および図2に示した検査用スイッチング部12の光電素子形成部16に形成された光電素子17のうち、測定対象である画素7の表示用スイッチング素子4に接続されているデータ線3と検査用パッド14の接続を制御する光電素子17に光を照射する。   When this method is used, measurement is applied to the control pad 11 of the scanning line 2 and the inspection pad 14 of the data line 3 so that a predetermined potential is applied to the display switching element 4 of the pixel 7 to be measured at a predetermined timing. The scanning circuit 9 is operated so that the predetermined scanning line 2 operates by bringing the probe into contact, and at the same time, the voltage to be applied to the data line 3 is applied, and at the same time, the inspection switching unit 12 shown in FIG. 1 and FIG. Among the photoelectric elements 17 formed in the photoelectric element forming section 16, the photoelectric element 17 that controls the connection between the data line 3 connected to the display switching element 4 of the pixel 7 to be measured and the inspection pad 14. Irradiate light.

このように、所定の光電素子17に光を照射することで、検査用パッド14に印加された検査用の電圧が、測定対象の画素7に接続されたデータ線3に印加され、測定対象の画素7の表示用スイッチング素子4を介して画素電極5、および、付加容量6にその測定電圧が印加される。このようにして、制御用パッド11、および、検査用パッド14と測定対象の画素7の表示用スイッチング素子4や画素電極5、付加容量6との接続を確保した状態で、所定電圧の印加と、一定時間経過後に残留している電荷を測定することができる。このため、測定対象の画素7の表示用スイッチング素子4と画素電極5と付加容量6、および、測定対象の画素7に接続される走査線2とデータ線3との検査を、検査用パッド14の数に相当する数の画素7について、同時に行うことができる。   In this way, by irradiating the predetermined photoelectric element 17 with light, the inspection voltage applied to the inspection pad 14 is applied to the data line 3 connected to the pixel 7 to be measured, and the measurement target The measurement voltage is applied to the pixel electrode 5 and the additional capacitor 6 via the display switching element 4 of the pixel 7. In this way, application of a predetermined voltage is performed in a state where the connection between the control pad 11 and the inspection pad 14 and the display switching element 4, the pixel electrode 5, and the additional capacitor 6 of the pixel 7 to be measured is secured. The charge remaining after a lapse of a certain time can be measured. Therefore, the inspection of the display switching element 4, the pixel electrode 5, the additional capacitor 6, and the scanning line 2 and the data line 3 connected to the measurement target pixel 7 of the measurement target pixel 7 is performed. The number of pixels 7 corresponding to the number can be performed simultaneously.

最初に同時に検査する、一まとまりの測定対象の画素7についての検査が終了した場合には、光を照射していた光電素子17への光照射を停止し、引き続き、光電素子形成部16に形成された他の光電素子17に光を照射することで、次の測定対象の画素7に接続された他のデータ線3と検査用パッド14との接続を確保し、この画素7についても同じ測定手順を繰り返すことで、その電気的特性の検査を行うことができる。この操作を繰り返すことで、すなわち、光電素子形成部16における光を照射する光電素子17を順次切り替えることで、測定対象の画素7を順次切り替えることができ、最終的には表示領域8のすべての画素7についての検査を行うことができる。   When the inspection of a group of pixels 7 to be measured, which are simultaneously inspected first, is finished, light irradiation to the photoelectric element 17 that has been irradiated with light is stopped and subsequently formed in the photoelectric element forming portion 16. By irradiating the other photoelectric element 17 thus irradiated with light, the connection between the other data line 3 connected to the next pixel 7 to be measured and the inspection pad 14 is secured, and the same measurement is performed for this pixel 7 as well. By repeating the procedure, the electrical characteristics can be inspected. By repeating this operation, that is, by sequentially switching the photoelectric elements 17 that irradiate light in the photoelectric element forming unit 16, the pixels 7 to be measured can be sequentially switched. Inspection about the pixel 7 can be performed.

なお、上記したとおり、一つの検査用パッド14には、たとえば8〜16本のデータ線3が検査用スイッチング素子19を介して束ねられ、接続されている。また、一つのアクティブマトリクス基板1は、たとえばデータ線3の検査用パッド14を30個程度にまで集約された形で備えられている。このため、30本の検査用プローブピンが形成された検査用プローブを用いて、これを一枚のアクティブマトリクス基板1のすべてのデータ線3の検査用パッド14に同時に押し当て、その状態で、それぞれの検査用パッド14に接続されたデータ線3を切り替えるための光電素子17に順次光を照射することで検査用パッド14とデータ線3との接続を検査用スイッチング素子19によって切換えながら、すべてのデータ線3に対する検査をおこなうことができる。   As described above, for example, 8 to 16 data lines 3 are bundled and connected to one inspection pad 14 via the inspection switching element 19. Further, one active matrix substrate 1 is provided in a form in which, for example, about 30 test pads 14 of the data lines 3 are aggregated. For this reason, using an inspection probe on which 30 inspection probe pins are formed, this is simultaneously pressed against the inspection pads 14 of all the data lines 3 of one active matrix substrate 1, and in this state, By sequentially irradiating light to the photoelectric elements 17 for switching the data lines 3 connected to the respective inspection pads 14, the connection between the inspection pads 14 and the data lines 3 is switched by the inspection switching elements 19, and all The data line 3 can be inspected.

上記した、画素7に形成された表示用スイッチング素子4と画素電極5、および、付加容量6に所定の電圧を印加し、一定時間経過後に蓄えられた電荷を測定する方法によれば、対向基板などを貼り合わせる前のアクティブマトリクス基板1単体での検査が行える。このため、複数のアクティブマトリクス基板1がパターンとして形成されたマザーガラスに対して、スクライブ工程前の検査を行うことができ、不良の基板を早期に発見、修正できることで歩留まりを向上でき、製造コストを低減するという点で良好である。   According to the above-described method of applying a predetermined voltage to the display switching element 4 and the pixel electrode 5 formed in the pixel 7 and the additional capacitor 6 and measuring the charge stored after a predetermined time has elapsed, Etc., the active matrix substrate 1 can be inspected before it is bonded. For this reason, it is possible to inspect the mother glass on which a plurality of active matrix substrates 1 are formed as a pattern before the scribing process, and to detect and correct defective substrates at an early stage, thereby improving yield and manufacturing cost. This is favorable in terms of reducing

なお、本発明のアクティブマトリクス基板の検査方法は、データ線側、或いは、走査線およびデータ線の両側に形成された検査用スイッチング素子のオン/オフを、光電素子への光の照射によって切り替え制御する。このため、アクティブマトリクス基板上の回路配線や回路素子の良否判定は、上記例示した方法に限られるものではなく、また、アクティブマトリクス基板単体での検査方法に限定されるものではない。このため、たとえばアクティブマトリクス基板が液晶表示パネルに用いる場合であり、対向基板を貼り合わせた後に対向基板に形成された対向電極との静電容量を測定する検査方法においても、本発明のアクティブマトリクス基板の検査方法を適用することができる。   In the active matrix substrate inspection method of the present invention, on / off switching of the inspection switching element formed on the data line side or on both sides of the scanning line and the data line is controlled by light irradiation to the photoelectric element. To do. Therefore, the quality determination of the circuit wiring and circuit elements on the active matrix substrate is not limited to the above-described method, and is not limited to the inspection method using the active matrix substrate alone. For this reason, for example, when the active matrix substrate is used for a liquid crystal display panel, the active matrix of the present invention is also used in the inspection method for measuring the capacitance with the counter electrode formed on the counter substrate after the counter substrate is bonded. A substrate inspection method can be applied.

検査用スイッチング部9,12の光電素子形成部16に形成された光電素子17に光を照射する場合には、光ファイバを用いることが好適である。光ファイバを用いることで、光源からの光を、効率よく、正確に照射すべき光電素子17に伝達させることができるからである。また、図2にも示したように、光電素子形成部16に光電素子17が並んで形成されている場合には、形成された光電素子17と同じ数の光ファイバを束ねて、かつ、光ファイバの光照射部と光電素子形成部の光電素子17の配置とを対応させて、同じ形状とすることで、光ファイバの束を測定プローブのようにアライメントさせることで、それぞれの光電素子17に正確に光を照射する準備を整えることができる。その上で、順次光ファイバの入力端に対向させた光源をオンにして、光ファイバに光を照射することで、光電素子17に順次光を照射することができる。   When irradiating light to the photoelectric element 17 formed in the photoelectric element forming part 16 of the inspection switching parts 9 and 12, it is preferable to use an optical fiber. This is because by using an optical fiber, light from the light source can be efficiently and accurately transmitted to the photoelectric element 17 to be irradiated. Further, as shown in FIG. 2, when the photoelectric elements 17 are formed side by side in the photoelectric element forming portion 16, the same number of optical fibers as the formed photoelectric elements 17 are bundled, and the light By aligning the arrangement of the optical elements 17 of the optical fiber and the photoelectric element 17 of the photoelectric element forming unit so as to have the same shape, the optical fiber bundle is aligned like a measurement probe. Prepare to irradiate light accurately. Then, the light source sequentially turned to the input end of the optical fiber is turned on, and the optical fiber is irradiated with light, whereby the photoelectric element 17 can be irradiated with light sequentially.

なお、隣り合う光電素子17同士が近接して配置されている場合には、光ファイバからの照射光を正確に所望する光電素子17にのみ照射することが重要となる。このため、たとえば、光ファイバの光源素子17に対向する側の端部を適切な凸の曲面形状とすることでレンズ効果を得て、光ファイバからの照射光を狭い範囲に集光することが好ましい。また、上記したように、複数本の光ファイバを束にして一度に複数の光電素子17と対向配置させる場合には、光ファイバの周囲を筒状に囲み、その筒状部の先端を光電素子17の周囲のアクティブマトリクス基板1に押しつけることができるようにすることで、光ファイバからの照射光が、所望する光電素子17以外の光電素子17に照射されて誤動作が生じることを防止することができる。   When adjacent photoelectric elements 17 are arranged close to each other, it is important to irradiate only the desired photoelectric element 17 with the irradiation light from the optical fiber accurately. For this reason, for example, the lens effect can be obtained by making the end of the optical fiber facing the light source element 17 an appropriate convex curved surface shape, and the irradiation light from the optical fiber can be condensed in a narrow range. preferable. In addition, as described above, when a plurality of optical fibers are bundled and arranged to be opposed to the plurality of photoelectric elements 17 at once, the periphery of the optical fiber is surrounded in a cylindrical shape, and the tip of the cylindrical portion is the photoelectric element. By being able to be pressed against the active matrix substrate 1 around 17, it is possible to prevent malfunction caused by irradiation light from the optical fiber to the photoelectric elements 17 other than the desired photoelectric element 17. it can.

なお、光電素子17に照射する光の光源としては、半導体レーザなどの光源を用いることが好ましい。レーザ光は照射光の拡散が少ないため、所望の光電素子により正確に光を照射することができるからである。もちろん、レーザ光と光ファイバとの組み合わせであれば、いっそう照射光の拡散を押さえることができる。   Note that it is preferable to use a light source such as a semiconductor laser as a light source for the light applied to the photoelectric element 17. This is because the laser light can be accurately irradiated by a desired photoelectric element because the diffusion of the irradiation light is small. Of course, the combination of the laser beam and the optical fiber can further suppress the diffusion of the irradiation light.

また、照射光の波長については特に制限はなく、光源としての実現のしやすさと、光が照射される側の光電素子の特性を考慮した上で、適宜選択されればよい。たとえば、フォトダイオードとしての感度は長波長側の赤色光の方が短波長側の青色光よりも高いが、太陽電池として用いる場合の起電力の高さ、すなわち光電変換率を考慮すれば、短波長の青色光の方が赤色光よりも好ましい。或いは、アクティブマトリクス基板1に組み込む光電素子を、感光デバイスとして長波長側でよりよく反応するデバイスと短波長側でよりよく反応するデバイスを随意取り混ぜて配置して、照射する光の波長を切換ることで、検査制御用回路の動作を制御してもよい。したがって、図3および図4を用いて説明したような、光電素子への光照射によって検査用TFTのオン/オフを制御する具体的方法に応じて、照射光の色を検討することになる。   Moreover, there is no restriction | limiting in particular about the wavelength of irradiated light, What is necessary is just to select suitably, considering the realization as a light source and the characteristic of the photoelectric element of the light irradiation side. For example, the sensitivity as a photodiode is higher for red light on the long wavelength side than for blue light on the short wavelength side, but if considering the high electromotive force when used as a solar cell, that is, the photoelectric conversion rate, it is short. Blue light with a wavelength is preferred over red light. Alternatively, the photoelectric elements incorporated in the active matrix substrate 1 are arranged by arbitrarily mixing a device that reacts better on the long wavelength side and a device that reacts better on the short wavelength side as a photosensitive device, and switches the wavelength of the light to be irradiated. Thus, the operation of the inspection control circuit may be controlled. Therefore, the color of the irradiated light is examined according to a specific method for controlling on / off of the inspection TFT by light irradiation to the photoelectric element as described with reference to FIGS.

次に、本発明のアクティブマトリクス基板における、具体的な基板上の配置構成の例について、図5および図6を用いて説明する。なお、図5および図6は、あくまでも具体的な配置例を示すものに過ぎず、本発明のアクティブマトリクス基板上の配置構成を限定するものではない。   Next, an example of a specific arrangement configuration on the active matrix substrate of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 and 6 are merely examples of specific arrangement, and do not limit the arrangement on the active matrix substrate of the present invention.

図5は、アクティブマトリクス基板1上に駆動回路としての駆動用半導体素子を搭載するいわゆるCOG(Chip On Glass)タイプのアクティブマトリクス基板での配置構成を示す概略図である。   FIG. 5 is a schematic diagram showing an arrangement configuration on a so-called COG (Chip On Glass) type active matrix substrate in which a driving semiconductor element as a driving circuit is mounted on the active matrix substrate 1.

図5に示すように、アクティブマトリクス基板1の周辺領域15のうちの一方の基板端部部分、すなわち図5における上側部分には、駆動用半導体素子が搭載される素子搭載領域32が配置される。この素子搭載領域32と表示領域8との間には、駆動用半導体素子の各端子をそれぞれのデータ線3に接続するための、COGパット21が形成されている。素子搭載領域32のさらに外側のアクティブマトリクス基板の端部には、図示しない外部の回路基板との接続のための電極端子部33が形成される。実駆動時には、電極端子部33から入力された画像信号は、図示しない駆動用の半導体素子を介して、COGパッド21へ伝達され、画素7に書き込まれる。表示領域8は、素子搭載領域32を除くアクティブマトリクス基板1のほぼ中央部分に配置される。走査線2を順次選択駆動するための回路素子が配置される走査回路9が、走査線2の制御用パッド11から入力される信号によって制御される。また、アクティブマトリクス基板1が、液晶表示パネルとして完成した後、駆動用の半導体が実装される前段階での点灯検査を行う際の検査電源用パッド34が、接続用の電極端子部33の横に引き出されて形成されている。   As shown in FIG. 5, an element mounting area 32 on which a driving semiconductor element is mounted is disposed at one substrate end portion of the peripheral region 15 of the active matrix substrate 1, that is, the upper portion in FIG. . Between this element mounting area 32 and the display area 8, a COG pad 21 for connecting each terminal of the driving semiconductor element to each data line 3 is formed. An electrode terminal portion 33 for connection to an external circuit substrate (not shown) is formed at the end of the active matrix substrate further outside the element mounting region 32. At the time of actual driving, the image signal input from the electrode terminal portion 33 is transmitted to the COG pad 21 via a driving semiconductor element (not shown) and written to the pixel 7. The display area 8 is disposed at a substantially central portion of the active matrix substrate 1 excluding the element mounting area 32. A scanning circuit 9 in which circuit elements for sequentially driving the scanning lines 2 are arranged is controlled by a signal input from a control pad 11 of the scanning lines 2. In addition, after the active matrix substrate 1 is completed as a liquid crystal display panel, an inspection power supply pad 34 for performing a lighting inspection in a stage before mounting a driving semiconductor is provided next to the electrode terminal portion 33 for connection. It is drawn out and formed.

このようなCOGタイプのアクティブマトリクス基板1では、図5に示すように、データ線3用の検査用スイッチング部12、検査用パッド14を素子搭載領域32に形成することで、データ線3の本数に対する検査用パッド14のパッド数が削減される。このため、データ線3の本数と同数形成されるCOGパッド21と比較して、検査用パッド14の個数が減ったことに対応して、検査に用いられるプローブのピン数の削減に加え、端子間ピッチの広い検査用プローブを用いることができ、曲げ強度と耐摩耗性のより優れたプローブ用針の使用が可能となる。   In such a COG type active matrix substrate 1, as shown in FIG. 5, the number of the data lines 3 is increased by forming the inspection switching unit 12 for the data line 3 and the inspection pad 14 in the element mounting region 32. The number of pads of the inspection pad 14 is reduced. For this reason, compared to the COG pads 21 formed in the same number as the number of the data lines 3, in response to the decrease in the number of the inspection pads 14, the number of pins of the probe used for the inspection is reduced, and the terminal Inspection probes with a wide pitch can be used, and it is possible to use a probe needle with better bending strength and wear resistance.

また、アクティブマトリクス基板1に、駆動用半導体素子が実装された後には、検査用スイッチング部12に形成された光電素子17が駆動用半導体素子やこれを固着するためのシリコン樹脂等によって覆われるため、光電素子17に不所望な光が入射してしまって誤動作するような事態を効果的に回避できる。   In addition, after the driving semiconductor element is mounted on the active matrix substrate 1, the photoelectric element 17 formed in the inspection switching unit 12 is covered with the driving semiconductor element and silicon resin for fixing the driving semiconductor element. Thus, it is possible to effectively avoid a situation in which unwanted light enters the photoelectric element 17 and malfunctions.

次に、図6は、データ線3の検査用パッド14、検査電源用パッド34、検査用スイッチング回路12を、駆動用の半導体素子搭載領域32とは反対側の基板上位置に設置した場合の例を示した。この場合には、駆動用の半導体を搭載して表示させるCOG型表示装置への適用以外に、アクティブマトリクス基板1にデジタル信号が直接印加されて画像表示を行うデジタル信号入力タイプのアクティブマトリクス基板1における検査への適用も可能である。また、図6に示した例の配置とすることで、データ線3の検査用配線や検査用の回路構成を、アクティブマトリクス基板1の実駆動表示に直接関係しない配線系とすることができ、マザーガラスからアクティブマトリクス基板1を分断する工程時に、検査用パッド14、検査電源用パッド34、検査用スイッチング回路12を切り離しても構わない。   Next, FIG. 6 shows a case where the test pad 14, the test power supply pad 34, and the test switching circuit 12 of the data line 3 are installed at positions on the substrate opposite to the driving semiconductor element mounting region 32. An example is shown. In this case, in addition to the application to a COG type display device in which a driving semiconductor is mounted and displayed, a digital signal input type active matrix substrate 1 that displays an image by directly applying a digital signal to the active matrix substrate 1. Application to inspection in In addition, by arranging the example shown in FIG. 6, the inspection wiring of the data line 3 and the circuit configuration for inspection can be a wiring system not directly related to the actual drive display of the active matrix substrate 1, During the process of separating the active matrix substrate 1 from the mother glass, the inspection pad 14, the inspection power supply pad 34, and the inspection switching circuit 12 may be separated.

以上、本発明のアクティブマトリクス基板についての実施の形態について、アクティブマトリクス基板を液晶表示パネルに用いる場合を例示して説明してきた。   The embodiments of the active matrix substrate of the present invention have been described above by exemplifying the case where the active matrix substrate is used for a liquid crystal display panel.

この説明において、検査時の電圧印加時の制御方法を、走査線側については、論理回路による制御する構成を示し、データ線側については、検査用スイッチング部を設けて複数のデータ線を検査用スイッチング素子を介して一つの検査用パッドに接続し、これを光電素子により切り替えて制御するという構成について示した。しかし、本発明のアクティブマトリクス基板はこれに限られるものではなく、走査線側にのみ、検査用スイッチング部を設ける構成や、走査線とデータ線の双方に検査用スイッチング部を設ける構成とすることも可能である。   In this description, the control method at the time of voltage application at the time of inspection shows a configuration in which the scanning line side is controlled by a logic circuit, and the data line side is provided with an inspection switching unit to inspect a plurality of data lines. A configuration is shown in which a single inspection pad is connected via a switching element, and this is switched and controlled by a photoelectric element. However, the active matrix substrate of the present invention is not limited to this, and has a configuration in which an inspection switching unit is provided only on the scanning line side, or a configuration in which an inspection switching unit is provided on both the scanning line and the data line. Is also possible.

また、本発明のアクティブマトリクス基板の用途は液晶表示パネルに限られるものではなく、有機、無機のELディスプレイやプラズマディスプレイ、冷陰極ディスプレイ、平面電解型陰極を用いた電界放射型ディスプレイなど、平板状の表示ディスプレイの基板を効率的に検査する手段として広く用いることができる。   Further, the use of the active matrix substrate of the present invention is not limited to a liquid crystal display panel, but a flat plate such as an organic or inorganic EL display, a plasma display, a cold cathode display, a field emission display using a planar electrolysis cathode, etc. It can be widely used as means for efficiently inspecting the display display substrate.

本発明は、画素構成が微細化されたアクティブマトリクス基板であっても、基板に形成された配線や表示用スイッチング素子などの電気特性の検査を、基板単体の状態でも効率的に行うことができるアクティブマトリクス基板、およびその検査方法として、また、特にこのアクティブマトリクス基板を用いた液晶表示パネルとして、産業上利用可能である。   According to the present invention, even in an active matrix substrate with a miniaturized pixel structure, it is possible to efficiently inspect electrical characteristics such as wirings and display switching elements formed on the substrate even in a single substrate state. The present invention can be used industrially as an active matrix substrate and an inspection method thereof, and particularly as a liquid crystal display panel using the active matrix substrate.

本発明の実施形態としてのアクティブマトリクス基板の概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure of the active matrix substrate as embodiment of this invention. 本発明の実施形態としてのアクティブマトリクス基板におけるデータ線用の検査用スイッチ部の構成を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the structure of the test | inspection switch part for data lines in the active matrix substrate as embodiment of this invention. 光電素子を用いて、検査用TFTのオン/オフを制御する第1の具体例を示す図である。(a)は回路構成の例を、(b)は光電素子の起電力を向上させる構成例を、(c)は検査用TFTのオン電圧特性を示す。It is a figure which shows the 1st specific example which controls on / off of TFT for a test | inspection using a photoelectric element. (A) shows an example of a circuit configuration, (b) shows a configuration example for improving the electromotive force of a photoelectric element, and (c) shows an on-voltage characteristic of an inspection TFT. 光電素子を用いて、検査用TFTのオン/オフを制御する第2の具体例を示す図である。(a)は回路構成の第1の例を、(b)は回路構成の第1の例を、(c)は検査用TFTのオン電圧特性を示す。It is a figure which shows the 2nd specific example which controls on / off of TFT for a test | inspection using a photoelectric element. (A) is a first example of the circuit configuration, (b) is a first example of the circuit configuration, and (c) is an on-voltage characteristic of the inspection TFT. 本発明のアクティブマトリクス基板上の配置例を示す図である。It is a figure which shows the example of arrangement | positioning on the active matrix substrate of this invention. 本発明のアクティブマトリクス基板上の他の配置例を示す図である。It is a figure which shows the other example of arrangement | positioning on the active matrix substrate of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 アクティブマトリクス基板
2 走査線
3 データ線
4 表示用スイッチング素子(表示用TFT)
5 画素電極
7 画素
8 表示領域
11、14 検査用パッド
17 光電素子
19 検査用スイッチング素子(検査用TFT)
1 active matrix substrate 2 scanning line 3 data line 4 switching element for display (display TFT)
5 pixel electrode 7 pixel 8 display area 11, 14 inspection pad 17 photoelectric element 19 inspection switching element (inspection TFT)

Claims (10)

表示領域に、行方向および列方向のマトリクス状に配列された複数の画素電極と、
前記画素電極の配列の行方向に伸延する複数の走査線と、
前記画素電極の配列の列方向に伸延する複数のデータ線と、
前記画素電極にそれぞれ接続され、前記走査線と前記データ線とに印加された信号に基づいて、前記画素電極に所定の電位を与える複数の表示用スイッチング素子とを備え、
前記走査線および前記データ線の少なくともいずれか一方は、前記表示領域外の周辺領域において、複数本が検査用スイッチング素子を介して一つの検査用パッドに接続されていて、
前記周辺領域に、前記検査用スイッチング素子のオン/オフを制御する、光が照射されることにより動作する光電素子を有していることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
A plurality of pixel electrodes arranged in a matrix in the row direction and the column direction in the display area,
A plurality of scanning lines extending in a row direction of the pixel electrode array;
A plurality of data lines extending in a column direction of the pixel electrode array;
A plurality of display switching elements that are respectively connected to the pixel electrodes and that apply predetermined potentials to the pixel electrodes based on signals applied to the scanning lines and the data lines;
At least one of the scanning line and the data line is connected to one inspection pad via a switching element for inspection in a peripheral area outside the display area,
An active matrix substrate having a photoelectric element which operates by being irradiated with light, which controls on / off of the inspection switching element, in the peripheral region.
光が照射された際に前記光電素子が生成する出力電圧を、前記検査用スイッチング素子を導通させるためのオン電圧として用いる請求項1に記載のアクティブマトリクス基板。   The active matrix substrate according to claim 1, wherein an output voltage generated by the photoelectric element when irradiated with light is used as an ON voltage for conducting the inspection switching element. 光が照射された際に前記光電素子が導通することで、前記検査用スイッチング素子に制御用電源電圧をオン電圧として印加する請求項1に記載のアクティブマトリクス基板。   2. The active matrix substrate according to claim 1, wherein when the light is irradiated, the photoelectric element is turned on to apply a control power supply voltage as an ON voltage to the inspection switching element. 前記周辺領域に、前記表示領域で表示を行うための駆動用半導体素子を搭載する素子搭載領域を有し、前記光電素子が前記素子搭載領域に形成されている請求項1から3のいずれか1項に記載のアクティブマトリクス基板。   4. The device according to claim 1, further comprising an element mounting area in which a driving semiconductor element for performing display in the display area is mounted in the peripheral area, and the photoelectric element is formed in the element mounting area. The active matrix substrate according to item. 請求項1〜4のいずれか1項に記載のアクティブマトリクス基板と、対向基板との間に液晶層を備えたことを特徴とする液晶表示パネル。   A liquid crystal display panel comprising a liquid crystal layer between the active matrix substrate according to claim 1 and a counter substrate. 表示領域に、行方向および列方向のマトリクス状に配列された複数の画素電極と、
前記画素電極の配列の行方向に伸延する複数の走査線と、
前記画素電極の配列の列方向に伸延する複数のデータ線と、
前記画素電極にそれぞれ接続され、前記走査線と前記データ線とに印加された信号に基づいて、前記画素電極に所定の電位を与える複数の表示用スイッチング素子とを備え、
前記表示領域外の周辺領域に形成された検査用パッドに、複数本の前記走査線または前記データ線が検査用スイッチング素子を介して接続されているアクティブマトリクス基板の検査方法において、
前記周辺領域に形成された光電素子に光を照射して前記検査用スイッチング素子のオン/オフを制御し、前記検査用パッドに接続される測定対象の前記表示用スイッチング素子を順次切り替えることを特徴とするアクティブマトリクス基板の検査方法。
A plurality of pixel electrodes arranged in a matrix in the row direction and the column direction in the display area,
A plurality of scanning lines extending in a row direction of the pixel electrode array;
A plurality of data lines extending in a column direction of the pixel electrode array;
A plurality of display switching elements that are respectively connected to the pixel electrodes and that apply predetermined potentials to the pixel electrodes based on signals applied to the scanning lines and the data lines;
In the inspection method of the active matrix substrate, wherein a plurality of the scanning lines or the data lines are connected to the inspection pads formed in the peripheral area outside the display area via the inspection switching elements.
The photoelectric switching element formed in the peripheral region is irradiated with light to control on / off of the inspection switching element, and the display switching element to be measured connected to the inspection pad is sequentially switched. An active matrix substrate inspection method.
光が照射された際に前記光電素子が生成する出力電圧を、前記検査用スイッチング素子を導通させるためのオン電圧として用いる請求項6に記載のアクティブマトリクス基板の検査方法。   The method for inspecting an active matrix substrate according to claim 6, wherein an output voltage generated by the photoelectric element when irradiated with light is used as an on-voltage for conducting the inspection switching element. 光が照射された際に、前記光電素子が導通することで、前記検査用スイッチング素子に制御用電源電圧をオン電圧として印加する請求項6に記載のアクティブマトリクス基板の検査方法。   The method for inspecting an active matrix substrate according to claim 6, wherein when the light is irradiated, the photoelectric element is turned on to apply a control power supply voltage as an ON voltage to the inspection switching element. 前記光電素子への光の照射が、光ファイバを介して行われる請求項6〜8のいずれか1項に記載のアクティブマトリクス基板の検査方法。   The method for inspecting an active matrix substrate according to claim 6, wherein the photoelectric element is irradiated with light through an optical fiber. 前記光ファイバの前記光電素子側の先端部が、凸の曲面形状である請求項9に記載のアクティブマトリクス基板の検査方法。   The method for inspecting an active matrix substrate according to claim 9, wherein a tip portion of the optical fiber on the photoelectric element side has a convex curved shape.
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