JP2010031254A - Hydrosilylated reaction product and method for producing the same, transfer material curable composition containing the same, and production method of transfer layer using the same or transfer material curable composition - Google Patents

Hydrosilylated reaction product and method for producing the same, transfer material curable composition containing the same, and production method of transfer layer using the same or transfer material curable composition Download PDF

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Yoshikazu Arai
良和 新井
Hiroshi Uchida
博 内田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a hydrosilylated reaction product which is applicable to a nanoimprint method for forming a minute pattern with high throughput and having high etching rate selectivity between fluorine gas and oxygen gas, or a transfer material curable composition containing the same, and to provide a hydrosilylated reaction product which can suppress transfer of minute unevenness and minute irregularities except a pattern of an injection-molded resin stamper and a film stamper used for nanoimprinting or a transfer material curable composition containing the same. <P>SOLUTION: The hydrosilylated reaction product is obtained by mutually reacting a specific cage silsesquioxane compound (A) having an Si-H bond-containing group, a compound (B) having a curable functional group and a carbon-carbon unsaturated bond-containing group except the curable functional group, and a specific cage silsesquioxane compound (C) having a carbon-carbon unsaturated bond-containing group. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、ヒドロシリル化反応物およびその製造方法、該ヒドロシリル化反応物を含有する転写材料用硬化性組成物、ならびに該ヒドロシリル化反応物または該転写材料用硬化性組成物を用いた転写層の製造方法に関する。   The present invention relates to a hydrosilylation reaction product and a production method thereof, a curable composition for a transfer material containing the hydrosilylation reaction product, and a transfer layer using the hydrosilylation reaction product or the curable composition for a transfer material. It relates to a manufacturing method.

半導体製造プロセスやパターンドメディア等の磁気記録媒体製造プロセス等における微細パターン形成方法としてナノインプリント技術が注目されており、ナノインプリント技術に用いるための優れた転写材料が求められている。   Nanoimprint technology is attracting attention as a method for forming fine patterns in semiconductor manufacturing processes, magnetic recording medium manufacturing processes such as patterned media, and the like, and an excellent transfer material for use in nanoimprinting technology is required.

ナノインプリント用転写材料として、ポリメチルメタクリレートなどの熱可塑性樹脂を用いる場合がある。熱可塑性樹脂を転写材料として用いる場合、塗布した転写材料をガラス転移点以上に加熱し、型押しをして、冷却した後に型を外すというパターン形成方法が一般的である。しかしながら、このようなパターン形成方法は非常に時間がかかり、スループットが悪いという問題がある。   A thermoplastic resin such as polymethyl methacrylate may be used as the nanoimprint transfer material. When a thermoplastic resin is used as a transfer material, a pattern forming method is generally employed in which the applied transfer material is heated to a glass transition point or higher, pressed, cooled, and then removed from the mold. However, such a pattern formation method is very time consuming and has a problem of poor throughput.

これに対して特許文献1には、シロキサン化合物の一つである水素化シルセスキオキサンと、溶剤とを含有する溶液を基板上に塗布した後、該塗布面を室温で型押しをして、溶剤を除去し、加水分解硬化をすることにより、微細なパターンを形成する方法が開示されている。また特許文献2には、カテコール誘導体からなる化合物とレゾルシノール誘導体からなる化合物とを含有する組成物による塗布膜を基板上に形成後、室温で型押しをすることにより、微細なパターンを形成する方法が開示されている。   On the other hand, in Patent Document 1, a solution containing silsesquioxane hydride, which is one of siloxane compounds, and a solvent is coated on a substrate, and then the coated surface is embossed at room temperature. A method of forming a fine pattern by removing a solvent and hydrolytically curing is disclosed. Patent Document 2 discloses a method for forming a fine pattern by forming a coating film of a composition containing a compound comprising a catechol derivative and a compound comprising a resorcinol derivative on a substrate and then embossing at room temperature. Is disclosed.

これらの方法は室温インプリント法と呼ばれ、加熱および冷却の工程を省くことができる。しかしながら、型押しに必要な時間が長く、充分なスループットが得られていない。また、高圧で押すためにスタンパー(型)の寿命が短く、量産化する場合にはさらなる改善が必要であった。   These methods are called room temperature imprinting methods, and the steps of heating and cooling can be omitted. However, the time required for embossing is long and sufficient throughput is not obtained. Further, since the stamper (mold) has a short life because it is pressed at a high pressure, further improvement is necessary in the case of mass production.

そこで、紫外線で硬化する光硬化性樹脂を用いたUVナノインプリント法と呼ばれる技術が提案されている。UVナノインプリント法とは、光硬化性樹脂を塗布した後に、スタンパーで型押しをしながら紫外線を照射し、樹脂を硬化させ、その後にスタンパーを外すことにより、微細パターンを形成させる方法である。UVナノインプリント法は、加熱および冷却の工程がなく、紫外線による硬化は非常に短時間で可能であり、型押しは低圧で行うことができるため、上記の種々の問題を解決できる可能性が高い。   Therefore, a technique called a UV nanoimprint method using a photocurable resin that is cured by ultraviolet rays has been proposed. The UV nanoimprint method is a method of forming a fine pattern by applying a photocurable resin, irradiating ultraviolet rays while embossing with a stamper, curing the resin, and then removing the stamper. In the UV nanoimprint method, there are no heating and cooling steps, curing with ultraviolet rays is possible in a very short time, and embossing can be performed at a low pressure. Therefore, there is a high possibility that the above various problems can be solved.

しかしながら、UVナノインプリント法において、通常用いられる樹脂はアクリル系の有機系樹脂であり、エッチング速度の選択性が低い点で問題があった。形成した微細パターンをレジストとして用いる場合、ドライエッチングのガスの種類によるエッチング速度の選択性が重要である。ここで、エッチング速度の選択性とは、エッチングのガスの種類によりエッチング速度が異なることをいう。そして、エッチング速度が大きく異なることをエッチング速度の選択性が高いという。   However, in the UV nanoimprint method, a resin that is usually used is an acrylic organic resin, which has a problem in that the selectivity of the etching rate is low. When the formed fine pattern is used as a resist, the selectivity of the etching rate depending on the type of dry etching gas is important. Here, the selectivity of the etching rate means that the etching rate varies depending on the type of etching gas. And it is said that the selectivity of an etching rate is high that an etching rate differs greatly.

微細パターンは、レジストとして機能するために、エッチングのガスの種類によりエッチング速度の選択性が高いことが必要である。エッチング用ガスとしては、フッ素系ガスと酸素ガスとがよく用いられる。一般的にアクリル系の有機系樹脂の場合は、フッ素系ガ
スと酸素ガスとでエッチング速度に大きな差はなく、エッチング速度の選択性が低い。
In order for the fine pattern to function as a resist, the etching rate needs to have high selectivity depending on the type of etching gas. As the etching gas, fluorine-based gas and oxygen gas are often used. In general, in the case of an acrylic organic resin, there is no significant difference in the etching rate between the fluorine-based gas and the oxygen gas, and the selectivity of the etching rate is low.

フッ素系ガスと酸素ガスとでエッチング速度の選択性が高い材料として通常ケイ素化合物が用いられる。上記の水素化シルセスキオキサンなどはその一例であり、フッ素系ガスにおけるエッチング速度は大きいのに対し、酸素ガスにおけるエッチング速度は非常に遅いという特徴がある。しかしながら、水素化シルセスキオキサンには光硬化性がないためUVナノインプリント法に用いることができないという問題がある。   A silicon compound is usually used as a material having a high etching rate selectivity between a fluorine-based gas and an oxygen gas. The hydrogenated silsesquioxane or the like is one example, and the etching rate in a fluorine-based gas is large, whereas the etching rate in oxygen gas is very slow. However, hydrogenated silsesquioxane has a problem that it cannot be used in the UV nanoimprint method because it does not have photocurability.

このような問題を解決する方法として、特許文献3ではゾルゲル法で合成された官能基を持つケイ素化合物を用いるパターン形成方法が提案されている。しかし、この方法ではゾルゲル過程でケイ素化合物の分子量を高くすると、ゲル化して溶媒に不溶不融の化合物が生成するために、分子量を上げることが出来ず、インプリント成形時及び成形後の微細パターンの強度と柔軟性とのバランスを取りにくいという問題がある。   As a method for solving such a problem, Patent Document 3 proposes a pattern forming method using a silicon compound having a functional group synthesized by a sol-gel method. However, in this method, if the molecular weight of the silicon compound is increased during the sol-gel process, the molecular weight cannot be increased because gelation forms a compound that is insoluble and infusible in the solvent. There is a problem that it is difficult to balance the strength and flexibility.

特開2003−100609号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2003-100609 特開2005−277280号公報JP 2005-277280 A 特開2007−72374号公報JP 2007-72374 A

本発明は、高いスループットで、フッ素系ガスと酸素ガスとの間でのエッチング速度の選択性が高い微細パターンを形成することができるヒドロシリル化反応物およびその製造方法、該ヒドロシリル化反応物を含有する転写材料用硬化性組成物、ならびに該ヒドロシリル化反応物または該転写材料用硬化性組成物を用いた転写層の製造方法を提供することを目的とする。また、UVナノインプリントに用いられる射出成型樹脂スタンパーおよびフィルムスタンパーの微細なムラやパターン以外の微小な凹凸の転写を抑えることができるヒドロシリル化反応物およびその製造方法、該ヒドロシリル化反応物を含有する転写材料用硬化性組成物、ならびに該ヒドロシリル化反応物または該転写材料用硬化性組成物を用いた転写層の製造方法を提供することを目的とする。さらに、UVナノインプリント法に適用でき、また場合によっては熱ナノインプリント法にも適用できるヒドロシリル化反応物または該ヒドロシリル化反応物を含有する転写材料用硬化性組成物を提供することを目的とする。   The present invention provides a hydrosilylation reaction product capable of forming a fine pattern with high throughput and high etching rate selectivity between a fluorine-based gas and an oxygen gas, a method for producing the same, and the hydrosilylation reaction product. It is an object of the present invention to provide a curable composition for a transfer material, and a method for producing a transfer layer using the hydrosilylation reaction product or the curable composition for a transfer material. Further, a hydrosilylation reaction product capable of suppressing the transfer of minute unevenness and fine irregularities other than patterns of injection molded resin stamper and film stamper used for UV nanoimprint, a method for producing the same, and a transfer containing the hydrosilylation reaction product It is an object of the present invention to provide a curable composition for materials, and a method for producing a transfer layer using the hydrosilylation reaction product or the curable composition for transfer materials. Furthermore, it aims at providing the curable composition for transfer materials containing the hydrosilylation reaction material which can be applied to UV nanoimprint method, and can be applied also to a thermal nanoimprint method depending on the case.

本発明者らは上記の課題を解決するために鋭意検討した結果、特定のヒドロシリル化反応物または該ヒドロシリル化反応物を含有する転写材料用硬化性組成物を用いることにより上記の課題を解決できることを見出した。   As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors are able to solve the above problems by using a specific hydrosilylation reaction product or a curable composition for transfer materials containing the hydrosilylation reaction product. I found.

すなわち、本発明はたとえば以下[1]〜[20]に関する。   That is, the present invention relates to the following [1] to [20], for example.

[1]
以下の式(1)で表されるSi−H結合含有基を有する篭状シルセスキオキサン化合物(A)と、
硬化性官能基及び該硬化性官能基以外の炭素−炭素不飽和結合含有基を有する化合物(B)と、
以下の式(2)で表される炭素−炭素不飽和結合含有基を有する篭状シルセスキオキサン化合物(C)とを反応させて得られることを特徴とするヒドロシリル化反応物。
[1]
A cage silsesquioxane compound (A) having a Si-H bond-containing group represented by the following formula (1);
A compound (B) having a curable functional group and a carbon-carbon unsaturated bond-containing group other than the curable functional group;
A hydrosilylation reaction product obtained by reacting a caged silsesquioxane compound (C) having a carbon-carbon unsaturated bond-containing group represented by the following formula (2):

(式(1)中、R2およびR3は、それぞれ独立に炭素原子数1〜10の脂肪族炭化水素基
または炭素原子数6〜14の芳香族炭化水素基を表し、Yは、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数1〜10の脂肪族炭化水素基または炭素原子数6〜14の芳香族炭化水素基を表し、8つのYのうち、少なくとも1つは、水素原子である。)
(In formula (1), R 2 and R 3 each independently represent an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms, and Y represents independently Represents a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms, and at least one of the eight Ys is a hydrogen atom.)

(式(2)中、それぞれ独立にR1は、-OSiR23Z、-OSiR23CH=CH2または-CH=CH2を示し、8つのR1のうち、少なくとも1つは、-OSiR23CH=CH2または-CH=CH2であり、Zは、それぞれ独立に炭素原子数1〜10の脂肪族炭化水
素基または炭素原子数6〜14の芳香族炭化水素基を表し、R2およびR3はそれぞれ独立に炭素原子数1〜10の脂肪族炭化水素基または炭素原子数6〜14の芳香族炭化水素基を表す。)
[2]
以下の(x)に示す篭状シルセスキオキサン骨格部分の割合が、15〜45質量%の範囲にあることを特徴とする[1]に記載のヒドロシリル化反応物。
(In formula (2), each R 1 independently represents —OSiR 2 R 3 Z, —OSiR 2 R 3 CH═CH 2 or —CH═CH 2 , and at least one of the eight R 1 is , —OSiR 2 R 3 CH═CH 2 or —CH═CH 2 , wherein Z is independently an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms. R 2 and R 3 each independently represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms.)
[2]
The hydrosilylation reaction product according to [1], wherein the ratio of the cage silsesquioxane skeleton shown in (x) below is in the range of 15 to 45% by mass.

[3]
前記化合物(B)が有する硬化性官能基が、活性エネルギー線硬化性官能基である[1]または[2]に記載のヒドロシリル化反応物。
[3]
The hydrosilylation reaction product according to [1] or [2], wherein the curable functional group of the compound (B) is an active energy ray-curable functional group.

[4]
前記活性エネルギー線硬化性官能基が、(メタ)アクリロイルオキシ基またはエポキシ基である[3]に記載のヒドロシリル化反応物。
[4]
The hydrosilylation reaction product according to [3], wherein the active energy ray-curable functional group is a (meth) acryloyloxy group or an epoxy group.

[5]
前記化合物(B)が、以下に示す化合物(a)、化合物(b)および化合物(c)からなる群より選ばれる少なくとも1種である[1]または[2]に記載のヒドロシリル化反応物;
[5]
The hydrosilylation reaction product according to [1] or [2], wherein the compound (B) is at least one selected from the group consisting of the following compound (a), compound (b) and compound (c);

(上記化合物(a)〜(c)において、R4−は下記(i)〜(iv)式のいずれかで表される基であり、R5は水素原子またはメチル基である。) (In the above compounds (a) to (c), R 4 — is a group represented by any of the following formulas (i) to (iv), and R 5 is a hydrogen atom or a methyl group.)

(上記(i)式中、R6は水素原子またはメチル基であり、上記(ii)式中、R7は水素原
子またはメチル基であり、上記(iii)式中、R8は水素原子またはメチル基であり、R9
は炭素原子数が2〜8のアルキレン基である)。
(In the formula (i), R 6 is a hydrogen atom or a methyl group. In the formula (ii), R 7 is a hydrogen atom or a methyl group. In the formula (iii), R 8 is a hydrogen atom or a methyl group. A methyl group, R 9
Is an alkylene group having 2 to 8 carbon atoms).

[6]
[1]〜[5]のいずれか一に記載のヒドロシリル化反応物と、重合開始剤または硬化剤とを含む転写材料用硬化性組成物。
[6]
[1] A curable composition for transfer materials, comprising the hydrosilylation reaction product according to any one of [5] and a polymerization initiator or a curing agent.

[7]
[1]〜[5]のいずれか一に記載のヒドロシリル化反応物が有する硬化性官能基がエポキシ基であり、前記硬化剤が酸無水物である[6]に記載の転写材料用硬化性組成物。
[7]
The curability for transfer material according to [6], wherein the curable functional group of the hydrosilylation reaction product according to any one of [1] to [5] is an epoxy group, and the curing agent is an acid anhydride. Composition.

[8]
さらにポリチオール化合物を含み、[1]〜[5]のいずれか一に記載のヒドロシリル化反応物が有する硬化性官能基が(メタ)アクリロイルオキシ基である[6]に記載の転写材料用硬化性組成物。
[8]
The curability for transfer material according to [6], further comprising a polythiol compound, wherein the curable functional group of the hydrosilylation reaction product according to any one of [1] to [5] is a (meth) acryloyloxy group. Composition.

[9]
さらにビニルエーテル基を有する化合物を含み、[1]〜[5]のいずれか一に記載のヒドロシリル化反応物が有する硬化性官能基がエポキシ基である[6]に記載の転写材料用硬化性組成物。
[9]
The curable composition for transfer materials according to [6], further comprising a compound having a vinyl ether group, wherein the curable functional group of the hydrosilylation reaction product according to any one of [1] to [5] is an epoxy group. object.

[10]
[1]に記載のヒドロシリル化反応物の製造方法であって、
以下の式(1)で表されるSi−H結合含有基を有する篭状シルセスキオキサン化合物(A)と、
硬化性官能基及び該硬化性官能基以外の炭素−炭素不飽和結合含有基を有する化合物(B)と、
以下の式(2)で表される炭素−炭素不飽和結合含有基を有する篭状シルセスキオキサン化合物(C)とを混合して、ヒドロシリル化反応させる工程を含むことを特徴とするヒドロシリル化反応物の製造方法。
[10]
A method for producing a hydrosilylation reaction product according to [1],
A cage silsesquioxane compound (A) having a Si-H bond-containing group represented by the following formula (1);
A compound (B) having a curable functional group and a carbon-carbon unsaturated bond-containing group other than the curable functional group;
Hydrosilylation characterized by including the process of mixing with the cage silsesquioxane compound (C) which has a carbon-carbon unsaturated bond containing group represented by the following formula | equation (2), and carrying out a hydrosilylation reaction, A method for producing a reactant.

(式(1)中、R2およびR3は、それぞれ独立に炭素原子数1〜10の脂肪族炭化水素基
または炭素原子数6〜14の芳香族炭化水素基を表し、Yは、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数1〜10の脂肪族炭化水素基または炭素原子数6〜14の芳香族炭化水素基を表し、8つのYのうち、少なくとも1つは、水素原子である。)
(In formula (1), R 2 and R 3 each independently represent an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms, and Y represents independently Represents a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms, and at least one of the eight Ys is a hydrogen atom.)

((式(2)中、それぞれ独立にR1は、-OSiR23Z、-OSiR23CH=CH2または-CH=CH2を示し、8つのR1のうち、少なくとも1つは、-OSiR23CH=CH2または-CH=CH2であり、Zは、それぞれ独立に炭素原子数1〜10の脂肪族炭化
水素基または炭素原子数6〜14の芳香族炭化水素基を表し、R2およびR3はそれぞれ独立に炭素原子数1〜10の脂肪族炭化水素基または炭素原子数6〜14の芳香族炭化水素基を表す。)
[11]
前記化合物(A)が有するSi−H結合の平均モル数をAとし、前記化合物(B)および前記化合物(C)が有する炭素−炭素不飽和結合の平均モル数を順にBおよびCとした場合、
A/(B+C)が1/1〜1/10の範囲にあり、かつB/Cが1〜79の範囲にある[10]に記載のヒドロシリル化反応物の製造方法。
(In the formula (2), each R 1 independently represents —OSiR 2 R 3 Z, —OSiR 2 R 3 CH═CH 2 or —CH═CH 2 , and at least one of the eight R 1 Are —OSiR 2 R 3 CH═CH 2 or —CH═CH 2 , and Z is independently an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon having 6 to 14 carbon atoms. R 2 and R 3 each independently represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms.)
[11]
When the average number of moles of Si-H bonds of the compound (A) is A, and the average number of moles of carbon-carbon unsaturated bonds of the compound (B) and the compound (C) is B and C in this order ,
The method for producing a hydrosilylation reaction product according to [10], wherein A / (B + C) is in the range of 1/1 to 1/10 and B / C is in the range of 1 to 79.

[12]
凹凸パターンを有する転写層の製造方法であって、
[1]〜[5]のいずれか一に記載のヒドロシリル化反応物または請求項6〜9のいずれか一に記載の転写材料用硬化性組成物を基板上に塗布して転写材料用硬化性組成物層を形成する工程と、
該転写材料用硬化性組成物層の表面に、凹凸パターンを有する型を押し付ける工程と、
前記型を押し付けた状態で転写材料用硬化性組成物層を硬化させて、転写層を形成する工程とを含むことを特徴とする転写層の製造方法。
[12]
A method for producing a transfer layer having a concavo-convex pattern,
The hydrosilylation reaction product according to any one of [1] to [5] or the curable composition for transfer material according to any one of claims 6 to 9 is applied on a substrate to be curable for transfer material. Forming a composition layer;
A step of pressing a mold having a concavo-convex pattern onto the surface of the curable composition layer for transfer material;
And a step of curing the curable composition layer for a transfer material in a state where the mold is pressed to form a transfer layer.

[13]
前記転写材料用硬化性組成物層を硬化する工程を、転写材料用硬化性組成物層に対する加熱および/または活性エネルギー線照射により行うことを特徴とする[12]に記載の
転写層の製造方法。
[13]
The method for producing a transfer layer according to [12], wherein the step of curing the curable composition layer for transfer material is performed by heating and / or irradiating active energy rays to the curable composition layer for transfer material. .

[14]
前記活性エネルギー線照射を、前記型の側から前記転写材料用硬化性組成物層に向かって行うことを特徴とする[13]に記載の転写層の製造方法。
[14]
The method for producing a transfer layer according to [13], wherein the active energy ray irradiation is performed from the mold side toward the curable composition layer for transfer material.

[15]
前記基板が透明基板であり、前記活性エネルギー線照射を、前記透明基板の側から前記転写材料用硬化性組成物層に向かって行うことを特徴とする[13]に記載の転写層の製造方法。
[15]
The method for producing a transfer layer according to [13], wherein the substrate is a transparent substrate, and the active energy ray irradiation is performed from the transparent substrate side toward the curable composition layer for transfer material. .

[16]
前記基板が基体上に磁性膜を備えた基板であることを特徴とする[12]〜[15]のいずれか一に記載の転写層の製造方法。
[16]
The method for producing a transfer layer according to any one of [12] to [15], wherein the substrate is a substrate having a magnetic film on a substrate.

[17]
基体上に磁性膜を備えた基板上に、[16]に記載の転写層の製造方法により、凹凸パターンを有する転写層を形成する工程と、
前記転写層に形成された凹凸の凹部をエッチングして、前記磁性膜表面の一部を露出させる工程と、
前記転写層をマスクとして用いて、前記磁性膜の露出部を除去または前記磁性膜の露出部を非磁性化する工程とを、この順序で含むことを特徴とするインプリント方法。
[17]
Forming a transfer layer having a concavo-convex pattern on a substrate having a magnetic film on a substrate by the transfer layer manufacturing method according to [16];
Etching the concave and convex recesses formed in the transfer layer to expose a part of the surface of the magnetic film;
A step of removing the exposed portion of the magnetic film or demagnetizing the exposed portion of the magnetic film in this order using the transfer layer as a mask.

[18]
前記凹凸パターンにおいて、1つの凹部の線幅と1つの凸部の線幅との合計が10μm以下である[17]に記載のインプリント方法。
[18]
The imprint method according to [17], wherein in the uneven pattern, the sum of the line width of one concave portion and the line width of one convex portion is 10 μm or less.

[19]
[18]に記載のインプリント方法で得られる磁気記録媒体。
[19]
A magnetic recording medium obtained by the imprint method according to [18].

[20]
[19]に記載の磁気記録媒体を備えた磁気記録再生装置。
[20]
A magnetic recording / reproducing apparatus comprising the magnetic recording medium according to [19].

本発明のヒドロシリル化反応物または転写材料用硬化性組成物を用いれば、高いスループットで、フッ素系ガスと酸素ガスとのエッチング速度の選択性が高い微細パターンを形成することができる。また、UVナノインプリントに用いられる射出成型樹脂スタンパーおよびフィルムスタンパーの微細なムラやパターン以外の微小な凹凸の転写を抑えること
ができる。
If the hydrosilylation reaction product or the curable composition for transfer material of the present invention is used, a fine pattern with high selectivity of the etching rate of fluorine-based gas and oxygen gas can be formed with high throughput. In addition, it is possible to suppress the transfer of minute unevenness and fine irregularities other than the pattern of the injection molded resin stamper and film stamper used for UV nanoimprint.

前記ヒドロシリル化反応物または前記転写材料用硬化性組成物を用いる本発明の転写層の製造方法は、インプリント時の転写性能が良好である。インプリント後の磁性層露出のための底抜きや当該反応物または当該組成物から形成された硬化膜の剥離の際には、フッ素系ガスを用いて反応性イオンエッチングを行うことにより、容易に硬化膜を除去できる。一方媒体を加工する際の酸素エッチング、Arミリング等のエッチングにおいてはレジストとしての良好な耐性を示す。   The transfer layer manufacturing method of the present invention using the hydrosilylation reaction product or the transfer material curable composition has good transfer performance during imprinting. When removing the bottom for exposing the magnetic layer after imprinting or removing the cured film formed from the reactant or the composition, reactive ion etching using a fluorine-based gas can be performed easily. The cured film can be removed. On the other hand, in etching such as oxygen etching and Ar milling when processing the medium, it shows good resistance as a resist.

さらに、本発明の転写層の製造方法を用いることにより、半導体または磁気記録媒体製造プロセス等における微細パターンを良好に形成することができる。   Further, by using the transfer layer manufacturing method of the present invention, a fine pattern in a semiconductor or magnetic recording medium manufacturing process or the like can be satisfactorily formed.

図1は、本発明の転写材料用硬化性組成物を用いた10μm以下の微細パターンを有する転写層の製造方法の工程を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing the steps of a method for producing a transfer layer having a fine pattern of 10 μm or less using the curable composition for transfer material of the present invention. 図2(A)は、実施例2の凹凸形状が半径方向に沿ってパターニングされた石英ガラス製の円板を示す図である。図2(B)は、該円板の囲み部分における拡大図(断面図(下)および平面図(上))である。凹部の幅(L)は半径方向に80nmであり、凸部の幅(S)は半径方向に120nmである。FIG. 2A is a diagram showing a quartz glass disk in which the uneven shape of Example 2 is patterned along the radial direction. FIG. 2B is an enlarged view (a cross-sectional view (bottom) and a plan view (top)) of an encircled portion of the disk. The width (L) of the concave portion is 80 nm in the radial direction, and the width (S) of the convex portion is 120 nm in the radial direction. 図3は実施例2の、薄膜にパターン形状が転写されたガラス基板の断面の電界放射型電子顕微鏡像を示す。FIG. 3 shows a field emission electron microscope image of a cross section of a glass substrate having a pattern shape transferred to a thin film in Example 2. 図4は磁気記録媒体の磁性膜の加工における底抜き工程を示す。FIG. 4 shows a bottoming process in the processing of the magnetic film of the magnetic recording medium. 図5は磁気記録媒体の磁性膜の一部除去加工、もしくは非磁性化の概略を示す。FIG. 5 shows an outline of a process for removing a part of the magnetic film of the magnetic recording medium or making it nonmagnetic. 図6は実施例2の、薄膜にパターン形状が転写されたガラス基板をOptical Surface Analyzer(OSA)で測定した表面画像を示す。FIG. 6 shows a surface image obtained by measuring the glass substrate having the pattern shape transferred to the thin film with an optical surface analyzer (OSA) in Example 2. 図7は参考例1の、薄膜にパターン形状が転写されたガラス基板をOptical Surface Analyzer(OSA)で測定した表面画像を示す。FIG. 7 shows a surface image obtained by measuring the glass substrate of Reference Example 1 on which the pattern shape is transferred to the thin film using an optical surface analyzer (OSA). 図8は実施例4の、薄膜にパターン形状が転写されたガラス基板の断面の電界放射型電子顕微鏡像を示す。FIG. 8 shows a field emission electron microscope image of a cross section of a glass substrate having a pattern transferred to a thin film in Example 4. 図9は実施例4の、薄膜にパターン形状が転写されたガラス基板をOptical Surface Analyzer(OSA)で測定した表面画像を示す。FIG. 9 shows a surface image obtained by measuring an optical surface analyzer (OSA) on the glass substrate having the pattern shape transferred to the thin film in Example 4. 図10は参考例2の、薄膜にパターン形状が転写されたガラス基板をOptical Surface Analyzer(OSA)で測定した表面画像を示す。FIG. 10 shows a surface image obtained by measuring the glass substrate of Reference Example 2 having a pattern shape transferred to a thin film with an optical surface analyzer (OSA).

以下、本発明のヒドロシリル化反応物およびその製造方法、該ヒドロシリル化反応物を含有する転写材料用硬化性組成物、ならびに該ヒドロシリル化反応物または該転写材料用硬化性組成物を用いた転写層の製造方法を詳細に説明する。   Hereinafter, the hydrosilylation reaction product of the present invention, a method for producing the same, a curable composition for a transfer material containing the hydrosilylation reaction product, and a transfer layer using the hydrosilylation reaction product or the curable composition for a transfer material The manufacturing method will be described in detail.

[ヒドロシリル化反応物]
本発明のヒドロシリル化反応物は、以下の式(1)で表されるSi−H結合含有基を有する篭状シルセスキオキサン化合物(A)(以下、単に「化合物(A)」ともいう)と、硬化性官能基及び該硬化性官能基以外の炭素−炭素不飽和結合含有基を有する化合物(B)(以下、単に「化合物(B)」ともいう)と、以下の式(2)で表される炭素−炭素不飽和結合含有基を有する篭状シルセスキオキサン化合物(C)(以下、単に「化合物(C)」ともいう)とを反応させて得られることを特徴としている。
[Hydrosilylation reaction product]
The hydrosilylation reaction product of the present invention is a cage silsesquioxane compound (A) having a Si—H bond-containing group represented by the following formula (1) (hereinafter also simply referred to as “compound (A)”). A compound (B) having a curable functional group and a carbon-carbon unsaturated bond-containing group other than the curable functional group (hereinafter also simply referred to as “compound (B)”), and the following formula (2): It is characterized by being obtained by reacting a caged silsesquioxane compound (C) having a carbon-carbon unsaturated bond-containing group (hereinafter also simply referred to as “compound (C)”).

(式(1)中、R2およびR3は、それぞれ独立に炭素原子数1〜10の脂肪族炭化水素基
または炭素原子数6〜14の芳香族炭化水素基を表し、Yは、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数1〜10の脂肪族炭化水素基または炭素原子数6〜14の芳香族炭化水素基を表し、8つのYのうち、少なくとも1つは、水素原子である。)
(In formula (1), R 2 and R 3 each independently represent an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms, and Y represents independently Represents a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms, and at least one of the eight Ys is a hydrogen atom.)

(式(2)中、それぞれ独立にR1は、-OSiR23Z、-OSiR23CH=CH2または-CH=CH2を示し、8つのR1のうち、少なくとも1つは、-OSiR23CH=CH2または-CH=CH2であり、Zは、それぞれ独立に炭素原子数1〜10の脂肪族炭化水
素基または炭素原子数6〜14の芳香族炭化水素基を表し、R2およびR3はそれぞれ独立に炭素原子数1〜10の脂肪族炭化水素基または炭素原子数6〜14の芳香族炭化水素基を表す。)
上記式(1)中、8つのYのうち、少なくとも1つは、水素原子であるので、化合物(A)は、少なくとも1つのSi−H結合を含有する。
(In formula (2), each R 1 independently represents —OSiR 2 R 3 Z, —OSiR 2 R 3 CH═CH 2 or —CH═CH 2 , and at least one of the eight R 1 is , —OSiR 2 R 3 CH═CH 2 or —CH═CH 2 , wherein Z is independently an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms. R 2 and R 3 each independently represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms.)
In the above formula (1), at least one of the eight Ys is a hydrogen atom, so the compound (A) contains at least one Si—H bond.

化合物(A)としては、例えば、以下の式(1)’で表されるSi−H結合含有基を有する篭状シルセスキオキサン化合物が挙げられる。   Examples of the compound (A) include a cage silsesquioxane compound having a Si—H bond-containing group represented by the following formula (1) ′.

(式(1)’中、R2およびR3は、それぞれ独立に炭素原子数1〜10の脂肪族炭化水素
基または炭素原子数6〜14の芳香族炭化水素基を表す。)
前記ヒドロシリル化反応物は、前記化合物(A)〜(C)をヒドロシリル化反応させることにより製造することができる。詳細には、前記化合物(A)が有するSi−H結合と、前記化合物(B)および(C)が有する炭素−炭素不飽和結合とをヒドロシリル化反応させることにより製造することができる。
(In Formula (1) ′, R 2 and R 3 each independently represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms.)
The hydrosilylation reaction product can be produced by subjecting the compounds (A) to (C) to a hydrosilylation reaction. Specifically, it can be produced by hydrosilylating the Si—H bond of the compound (A) and the carbon-carbon unsaturated bond of the compounds (B) and (C).

例えば、前記化合物(A)が上記式(1)’で表されるSi−H結合含有基を有する篭状シルセスキオキサン化合物である場合、当該化合物(A)の有する8つのSi−H基のうちm個は、前記化合物(B)が有する炭素−炭素不飽和結合含有基と反応し、n個は、前記化合物(C)が有する炭素−炭素不飽和結合含有基と反応する。ここでmおよびnは1〜7の整数であり、かつm+n≦8である。前記ヒドロシリル化反応により、通常、mおよびnが異なる複数種のヒドロシリル化反応物を含有する混合物が得られる。本発明のヒドロシリル化反応物は、通常、このような混合物を意味する。   For example, when the compound (A) is a caged silsesquioxane compound having a Si—H bond-containing group represented by the above formula (1) ′, eight Si—H groups of the compound (A) M react with the carbon-carbon unsaturated bond-containing group of the compound (B), and n react with the carbon-carbon unsaturated bond-containing group of the compound (C). Here, m and n are integers of 1 to 7, and m + n ≦ 8. By the hydrosilylation reaction, a mixture containing a plurality of hydrosilylation reactants usually having different m and n is obtained. The hydrosilylation reactant of the present invention usually means such a mixture.

また、前記ヒドロシリル化反応物において、以下の(x)に示す篭状シルセスキオキサン骨格部分の割合は、15〜45質量%の範囲にあることが好ましく、20〜35質量%の範囲にあることがより好ましく、22〜30質量%の範囲にあることがさらに好ましい。   In the hydrosilylation reaction product, the ratio of the cage silsesquioxane skeleton portion shown in the following (x) is preferably in the range of 15 to 45% by mass, and in the range of 20 to 35% by mass. It is more preferable that it is in the range of 22 to 30% by mass.

当該ヒドロシリル化反応の条件については、ヒドロシリル化反応物の製造方法の段落において詳述する。   The conditions for the hydrosilylation reaction will be described in detail in the paragraph of the method for producing a hydrosilylation reaction product.

<化合物(A)>
化合物(A)としては、以下の式(1)で表される同一分子中に少なくとも1つのSi−H結合含有基を有する化合物が挙げられる。
<Compound (A)>
Examples of the compound (A) include compounds having at least one Si—H bond-containing group in the same molecule represented by the following formula (1).

上記式(1)中、R2およびR3は、それぞれ独立に炭素原子数1〜10の脂肪族炭化水素基または炭素原子数6〜14の芳香族炭化水素基を表し、Yは、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数1〜10の脂肪族炭化水素基または炭素原子数6〜14の芳香族炭化水素基を表し、8つのYのうち、少なくとも1つは、水素原子である。 In the above formula (1), R 2 and R 3 each independently represent an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms, and Y represents each independently Represents a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms, and at least one of eight Ys is a hydrogen atom.

上記式(1)中、R2およびR3は、それぞれ独立に炭素原子数1〜5の脂肪族炭化水素基または6〜14の芳香族炭化水素基であることが好ましく、メチル基、エチル基またはフェニル基であることがより好ましく、メチル基であることがさらに好ましい。 In the above formula (1), R 2 and R 3 are preferably each independently an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms, such as a methyl group or an ethyl group Or it is more preferable that it is a phenyl group, and it is further more preferable that it is a methyl group.

また、上記式(1)中、Yは、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数1〜5の脂肪族炭化水素基または6〜14の芳香族炭化水素基であることが好ましく、水素原子またはメチル基であることがより好ましく、水素であることがさらに好ましい。   In the above formula (1), each Y is preferably independently a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms. It is more preferably a group, and even more preferably hydrogen.

化合物(A)の具体例としては、オクタキス(ジメチルシリルオキシ)シルセスキオキサン、オクタキス(メチルフェニルシリルオキシ)シルセスキオキサン、オクタキス(ジメチルフェニルシリルオキシ)シルセスキオキサン、ユニ(トリメチルシリルオキシ)ヘプタキス(ジメチルシリルオキシ)シルセスキオキサン、ビス(トリメチルシリルオキシ)ヘキサキス(ジメチルシリルオキシ)シルセスキオキサン、トリス(トリメチルシリルオキシ)ペンタキス(ジメチルシリルオキシ)シルセスキオキサン、テトラキス(トリメチルシリルオキシ)テトラキス(ジメチルシリルオキシ)シルセスキオキサン、ペンタキス(トリメチルシリルオキシ)トリス(ジメチルシリルオキシ)シルセスキオキサン、ヘキサキス(トリメチルシリルオキシ)ビス(ジメチルシリルオキシ)シルセスキオキサン、ヘプタキス(トリメチルシリルオキシ)ユニ(ジメチルシリルオキシ)シルセスキオキサン等が挙げられる。好ましくはオクタキス(ジメチルシリルオキシ)シルセスキオキサンである。   Specific examples of the compound (A) include octakis (dimethylsilyloxy) silsesquioxane, octakis (methylphenylsilyloxy) silsesquioxane, octakis (dimethylphenylsilyloxy) silsesquioxane, uni (trimethylsilyloxy) Heptakis (dimethylsilyloxy) silsesquioxane, bis (trimethylsilyloxy) hexakis (dimethylsilyloxy) silsesquioxane, tris (trimethylsilyloxy) pentakis (dimethylsilyloxy) silsesquioxane, tetrakis (trimethylsilyloxy) tetrakis ( Dimethylsilyloxy) silsesquioxane, pentakis (trimethylsilyloxy) tris (dimethylsilyloxy) silsesquioxane, hexakis (trimethylsilylo) Shi) bis (dimethylsilyl oxy) silsesquioxane, heptakis (trimethylsilyloxy) Uni (butyldimethylsilyloxy) silsesquioxane and the like. Preferred is octakis (dimethylsilyloxy) silsesquioxane.

これらの化合物のうち、例えばオクタキス(置換シリルオキシ)シルセスキオキサンは、J. Organomat. Chem.,441, 373(1992).に開示の方法を用
いて、Si820 8-のテトラメチルアンモニウム塩とジメチルクロロシラン、メチルフェ
ニルクロロシラン、ジフェニルクロロシラン、トリメチルクロロシランのような塩素化アルキル置換ケイ素化合物とを反応させること等により合成することが出来る。
Among these compounds, for example, octakis (substituted silyloxy) silsesquioxane is a tetramethylammonium salt of Si 8 O 20 8− using the method disclosed in J. Organomat. Chem., 441, 373 (1992). It can be synthesized by reacting a salt with a chlorinated alkyl-substituted silicon compound such as dimethylchlorosilane, methylphenylchlorosilane, diphenylchlorosilane, or trimethylchlorosilane.

上記化合物(A)は、一種単独で用いてもよく、二種以上混合して用いてもよい。   The said compound (A) may be used individually by 1 type, and may be used in mixture of 2 or more types.

<化合物(B)>
化合物(B)は、硬化性官能基及び該硬化性官能基以外の炭素−炭素不飽和結合含有基を有する。化合物(B)が有する炭素−炭素不飽和結合含有基は、前記化合物(A)が有するSi−H基とヒドロシリル化反応を行う部分である。化合物(B)が有する炭素−炭
素不飽和結合含有基としては、ビニル基、アリル基、イソプロペニル基、プロパルギル基等が挙げられる。
<Compound (B)>
The compound (B) has a curable functional group and a carbon-carbon unsaturated bond-containing group other than the curable functional group. The carbon-carbon unsaturated bond-containing group included in the compound (B) is a portion that performs a hydrosilylation reaction with the Si—H group included in the compound (A). Examples of the carbon-carbon unsaturated bond-containing group that the compound (B) has include a vinyl group, an allyl group, an isopropenyl group, and a propargyl group.

また、化合物(B)が有する硬化性官能基は、活性エネルギー線または熱により反応する硬化性官能基である。該硬化性官能基は、上述した炭素−炭素不飽和結合含有基よりも反応性が極めて高く、優先的に反応する。   Moreover, the curable functional group which a compound (B) has is a curable functional group which reacts with an active energy ray or a heat | fever. The curable functional group is much more reactive than the above-described carbon-carbon unsaturated bond-containing group and reacts preferentially.

化合物(B)が有する硬化性官能基は、活性エネルギー線により反応する硬化性官能基(以下「活性エネルギー線硬化性官能基」ともいう。)であることが好ましい。中でも活性エネルギー線により反応する(メタ)アクリロイルオキシ基またはエポキシ基が好ましい。ここで本願明細書におけるエポキシ基とは、通常の意味で用いられる、直接結合した2つの炭素原子が酸素原子によって橋かけされている三角形の構造を持つ基のほかに、直接または他の原子(おもに炭素原子)を介して結合している二つの炭素原子が酸素原子によって橋かけされている構造を持つ基を意味し、グリシジル基、オキセタニル基、シクロヘキセンオキサイド基などを含む。   The curable functional group possessed by the compound (B) is preferably a curable functional group that reacts with active energy rays (hereinafter also referred to as “active energy ray-curable functional group”). Among them, a (meth) acryloyloxy group or an epoxy group that reacts with active energy rays is preferable. Here, the epoxy group in the present specification means a group having a triangular structure in which two directly bonded carbon atoms are bridged by an oxygen atom, in addition to a direct or other atom ( This means a group having a structure in which two carbon atoms bonded mainly via carbon atoms are bridged by an oxygen atom, and includes a glycidyl group, an oxetanyl group, a cyclohexene oxide group, and the like.

分子内にこれらの両方の官能基を有する化合物、すなわち硬化性官能基及び該硬化性官能基以外の炭素−炭素不飽和結合含有基を有する化合物(化合物(B))としては、1,2−エポキシ−4−ビニルシクロヘキサン、3,4−エポキシシクロヘキサンカルボン酸アリル等のエポキシ基とアリル基を有する化合物、(メタ)アクリル酸ジエチレングリコールモノアリルエーテル、(メタ)アクリル酸ジプロピレングリコールモノアリルエーテル等の(メタ)アクリロイルオキシ基とアリル基とを含む化合物等の化合物が挙げられる。   As a compound having both of these functional groups in the molecule, that is, a compound having a curable functional group and a carbon-carbon unsaturated bond-containing group other than the curable functional group (compound (B)), 1,2- Compounds having an epoxy group and an allyl group such as epoxy-4-vinylcyclohexane and allyl 3,4-epoxycyclohexanecarboxylate, (meth) acrylic acid diethylene glycol monoallyl ether, (meth) acrylic acid dipropylene glycol monoallyl ether, etc. Examples include compounds such as a compound containing a (meth) acryloyloxy group and an allyl group.

また、化合物(B)のその他の具体例としては、以下に示す化合物(a)、化合物(b)および化合物(c)からなる群より選ばれる少なくとも1種が挙げられる。   Other specific examples of compound (B) include at least one selected from the group consisting of compound (a), compound (b) and compound (c) shown below.

上記化合物(a)〜(c)において、R4−は以下の(i)〜(iv)式に示すいずれかの構造であり、R5は水素原子またはメチル基である。 In the above compounds (a) to (c), R 4 — is any structure represented by the following formulas (i) to (iv), and R 5 is a hydrogen atom or a methyl group.

上記(i)式中、R6は水素原子またはメチル基であり、上記(ii)式中、R7は水素原
子またはメチル基であり、上記(iii)式中、R8は水素原子またはメチル基であり、R9
は炭素原子数が2〜8のアルキレン基である。
In the formula (i), R 6 is a hydrogen atom or a methyl group. In the formula (ii), R 7 is a hydrogen atom or a methyl group. In the formula (iii), R 8 is a hydrogen atom or a methyl group. R 9
Is an alkylene group having 2 to 8 carbon atoms.

化合物(B)として、好ましくはメタクリル酸アリルが挙げられる。   The compound (B) is preferably allyl methacrylate.

上記化合物(B)は、一種単独で用いてもよく、二種以上混合して用いてもよい。   The said compound (B) may be used individually by 1 type, and may be used in mixture of 2 or more types.

<化合物(C)>
化合物(C)は、炭素−炭素不飽和結合含有基を有する篭状シルセスキオキサン化合物であり、以下の式(2)で表される。
<Compound (C)>
The compound (C) is a cage silsesquioxane compound having a carbon-carbon unsaturated bond-containing group, and is represented by the following formula (2).

式(2)中、それぞれ独立にR1は、-OSiR23Z、-OSiR23CH=CH2または-CH=CH2を示し、8つのR1のうち、少なくとも1つは、-OSiR23CH=CH2または-CH=CH2であり、Zは、それぞれ独立に炭素原子数1〜10の脂肪族炭化水
素基または炭素原子数6〜14の芳香族炭化水素基を表し、R2およびR3はそれぞれ独立に炭素原子数1〜10の脂肪族炭化水素基または炭素原子数6〜14の芳香族炭化水素基を表す。
In formula (2), each R 1 independently represents —OSiR 2 R 3 Z, —OSiR 2 R 3 CH═CH 2 or —CH═CH 2 , and at least one of the eight R 1 is —OSiR 2 R 3 CH═CH 2 or —CH═CH 2 , and Z independently represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms. R 2 and R 3 each independently represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms.

上記式(2)中、8つのR1のうち、少なくとも1つは、-OSiR23CH=CH2
たは-CH=CH2であるので、化合物(C)は、少なくとも1つの炭素−炭素不飽和結合を含有する。
In the above formula (2), since at least one of eight R 1 is —OSiR 2 R 3 CH═CH 2 or —CH═CH 2 , the compound (C) contains at least one carbon-carbon. Contains unsaturated bonds.

上記式(2)中、R1は、それぞれ独立に-OSi(CH33、-OSiR23CH=CH2または-CH=CH2であることが好ましい。前記R2およびR3は、それぞれ独立に炭素
原子数1〜5の脂肪族炭化水素基または6〜14の芳香族炭化水素基であることが好ましく、メチル基、エチル基またはフェニル基であることがより好ましく、メチル基であることがさらに好ましい。
In the above formula (2), each R 1 is preferably independently —OSi (CH 3 ) 3 , —OSiR 2 R 3 CH═CH 2 or —CH═CH 2 . R 2 and R 3 are each independently preferably an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms, and may be a methyl group, an ethyl group or a phenyl group. Is more preferable, and a methyl group is more preferable.

化合物(C)の具体例としては、オクタビニルシルセスキオキサン、オクタキス(ジメチルビニルシリルオキシ)シルセスキオキサン、オクタキス(メチルフェニルビニルシリルオキシ)シルセスキオキサン、ユニ(トリメチルシリルオキシ)ヘプタキス(ジメチルビニルシリルオキシ)シルセスキオキサン、ビス(トリメチルシリルオキシ)ヘキサキス(ジメチルビニルシリルオキシ)シルセスキオキサン、トリス(トリメチルシリルオキシ)ペンタキス(ジメチルビニルシリルオキシ)シルセスキオキサン、テトラキス(トリメチルシリルオキシ)テトラキス(ジメチルビニルシリルオキシ)シルセスキオキサン、ペンタキス(トリメチルシリルオキシ)トリス(ジメチルビニルシリルオキシ)シルセスキオキサン、ヘキサキス(トリメチルシリルオキシ)ビス(ジメチルビニルシリルオキシ)シルセスキオキサン、ヘプタキス(トリメチルシリルオキシ)ユニ(ジメチルビニルシリルオキシ)シルセスキオキサン等が挙げられる。好ましくはオクタビニルシルセスキオキサンである。   Specific examples of the compound (C) include octavinylsilsesquioxane, octakis (dimethylvinylsilyloxy) silsesquioxane, octakis (methylphenylvinylsilyloxy) silsesquioxane, uni (trimethylsilyloxy) heptakis (dimethyl). Vinylsilyloxy) silsesquioxane, bis (trimethylsilyloxy) hexakis (dimethylvinylsilyloxy) silsesquioxane, tris (trimethylsilyloxy) pentakis (dimethylvinylsilyloxy) silsesquioxane, tetrakis (trimethylsilyloxy) tetrakis ( Dimethylvinylsilyloxy) silsesquioxane, pentakis (trimethylsilyloxy) tris (dimethylvinylsilyloxy) silsesquioxane, hexakis (trime Rushiriruokishi) bis (dimethyl vinyl silyl-oxy) silsesquioxane, heptakis (trimethylsilyloxy) Uni (dimethylvinylsilyl oxy) silsesquioxane, and the like. Octavinylsilsesquioxane is preferred.

上記化合物(C)は、一種単独で用いてもよく、二種以上混合して用いてもよい。   The said compound (C) may be used individually by 1 type, and may be used in mixture of 2 or more types.

<ヒドロシリル化反応物の製造方法>
本発明のヒドロシリル化反応物の製造方法は、上述したヒドロシリル化反応物の製造方
法であって、以下の式(1)で表されるSi−H結合含有基を有する篭状シルセスキオキサン化合物(A)と、硬化性官能基及び該硬化性官能基以外の炭素−炭素不飽和結合含有基を有する化合物(B)と、以下の式(2)で表される炭素−炭素不飽和結合含有基を有する篭状シルセスキオキサン化合物(C)とを混合して、ヒドロシリル化反応させる工程を含むことを特徴としている。
<Method for producing hydrosilylation reaction product>
The method for producing a hydrosilylation reaction product of the present invention is a method for producing the hydrosilylation reaction product described above, and is a cage silsesquioxane compound having a Si—H bond-containing group represented by the following formula (1): (A), a compound (B) having a curable functional group and a carbon-carbon unsaturated bond-containing group other than the curable functional group, and a carbon-carbon unsaturated bond-containing compound represented by the following formula (2) It is characterized by including a step of mixing a caged silsesquioxane compound (C) having a group and subjecting it to a hydrosilylation reaction.

(式(1)中、R2およびR3は、それぞれ独立に炭素原子数1〜10の脂肪族炭化水素基
または炭素原子数6〜14の芳香族炭化水素基を表し、Yは、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数1〜10の脂肪族炭化水素基または炭素原子数6〜14の芳香族炭化水素基を表し、8つのYのうち、少なくとも1つは、水素原子である。)
(In formula (1), R 2 and R 3 each independently represent an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms, and Y represents independently Represents a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms, and at least one of the eight Ys is a hydrogen atom.)

(式(2)中、それぞれ独立にR1は、-OSiR23Z、-OSiR23CH=CH2または-CH=CH2を示し、8つのR1のうち、少なくとも1つは、-OSiR23CH=CH2または-CH=CH2であり、Zは、それぞれ独立に炭素原子数1〜10の脂肪族炭化水
素基または炭素原子数6〜14の芳香族炭化水素基を表し、R2およびR3はそれぞれ独立に炭素原子数1〜10の脂肪族炭化水素基または炭素原子数6〜14の芳香族炭化水素基を表す。)
該工程により得られるヒドロシリル化反応物は、硬化性官能基を有するシルセスキオキサン骨格含有化合物である。
(In formula (2), each R 1 independently represents —OSiR 2 R 3 Z, —OSiR 2 R 3 CH═CH 2 or —CH═CH 2 , and at least one of the eight R 1 is , —OSiR 2 R 3 CH═CH 2 or —CH═CH 2 , wherein Z is independently an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms. R 2 and R 3 each independently represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms.)
The hydrosilylation reaction product obtained by this step is a silsesquioxane skeleton-containing compound having a curable functional group.

一般的なヒドロシリル化反応を以下に示す。   A general hydrosilylation reaction is shown below.

上記反応式において、Rは炭素−炭素不飽和結合を有する化合物の炭素−炭素不飽和結合に結合する残基を示す。   In the above reaction formula, R represents a residue bonded to a carbon-carbon unsaturated bond of a compound having a carbon-carbon unsaturated bond.

上記の通り本発明における硬化性官能基を有するシルセスキオキサン骨格含有化合物は、化合物(A)〜(C)を反応させて製造することができる。後の硬化反応に影響を及ぼさない範囲で、Si−H結合と反応可能な炭素−炭素二重結合のみを持つ化合物を、化合物(B)の代わりに一部使用することが出来る。このような化合物としては、アリルアルコール、1−ペンテン、1−ヘキセン、1−オクテン、スチレン、ビニルトルエン等が挙げられる。   As described above, the silsesquioxane skeleton-containing compound having a curable functional group in the present invention can be produced by reacting the compounds (A) to (C). A compound having only a carbon-carbon double bond capable of reacting with the Si—H bond can be partially used in place of the compound (B) as long as the subsequent curing reaction is not affected. Examples of such compounds include allyl alcohol, 1-pentene, 1-hexene, 1-octene, styrene, vinyltoluene and the like.

また、ヒドロシリル化反応物の硬化物のエッチング速度の選択性が損なわれない範囲で、化合物(A)以外のSi−H結合含有基を有する化合物を併用することが出来る。このような化合物としては例えば、フェニルシランのようなモノアルキルシラン、ジフェニルシラン、メチルフェニルシランのようなジアルキルシラン等のケイ素原子に2個以上の水素原子が結合されたもの、または以下の一般式群で表されるポリハイドロジェンシロキサン化合物を原料として合成したものが挙げられる。   Moreover, the compound which has Si-H bond containing groups other than a compound (A) can be used together in the range which does not impair the selectivity of the etching rate of the hardened | cured material of a hydrosilylation reaction product. Examples of such a compound include a compound in which two or more hydrogen atoms are bonded to a silicon atom, such as a monoalkylsilane such as phenylsilane, diphenylsilane, and dialkylsilane such as methylphenylsilane, or the following general formula: And those synthesized using a polyhydrogensiloxane compound represented by the group as a raw material.

上記式において、R11は、それぞれ独立に炭素原子数が1〜5のアルキル基を示し、そ
れぞれ独立にR12〜R15は炭素原子数1〜8のアルキル基、またはフェニル基を示し、(HSiO3/2nは篭状および梯子状シルセスキオキサンを示し、m1〜m3およびn1〜n5はそれぞれ独立に1〜500までの整数である。
In the above formula, each of R 11 independently represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and each of R 12 to R 15 independently represents an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or a phenyl group, HSiO 3/2 ) n represents cage-like and ladder-like silsesquioxane, and m 1 to m 3 and n 1 to n 5 are each independently an integer from 1 to 500.

また、前記ヒドロシリル化反応において、前記化合物(A)が有するSi−H結合の平均モル数をAとし、前記化合物(B)および前記化合物(C)が有する炭素−炭素不飽和結合の平均モル数を順にBおよびCとした場合、A/(B+C)は、1/1〜1/10の範囲にあることが好ましく、1/8〜1/9の範囲にあることがさらに好ましい。また、B/Cは1〜79の範囲にあることが好ましい。反応方法としては、化合物(A)〜(C)を混合させた反応フラスコに、触媒をゆっくり滴下して反応させる方法が好ましい。なお、一部未反応の化合物(B)をヒドロシリル化反応物中に残存させた状態で、該ヒドロシリル化反応物を後述するパターン転写工程に用いても差し支えない。   In the hydrosilylation reaction, the average number of moles of carbon-carbon unsaturated bonds of the compound (B) and the compound (C) is defined as A, where the average number of moles of Si—H bonds of the compound (A) is A. Is B and C in order, A / (B + C) is preferably in the range of 1/1 to 1/10, and more preferably in the range of 1/8 to 1/9. B / C is preferably in the range of 1 to 79. As a reaction method, a method in which a catalyst is slowly dropped into a reaction flask in which the compounds (A) to (C) are mixed is preferably reacted. Note that the hydrosilylation reaction product may be used in a pattern transfer step to be described later in a state where the partially unreacted compound (B) is left in the hydrosilylation reaction product.

前記ヒドロシリル化反応を行う際には触媒を用いることが好ましい。このような触媒としては、白金触媒、ロジウム触媒、パラジウム触媒、ルテニウム触媒などが挙げられるが、白金触媒がより好ましい。白金触媒としては、塩化白金酸、塩化白金酸とアルコールとの反応物、塩化白金酸とオレフィン化合物との反応物、塩化白金酸とビニル基含有シロキサンとの反応物、白金オレフィン錯体、白金ビニル基含有シロキサン錯体、白金カルボニル錯体等などを例示することができ、それらはアルコール等の溶媒に溶解または分散させて使用することが好ましい。具体的には、2%ジビニルテトラメチルジシロキサン白金錯体キシレン溶液(GELEST INC.製)等を使用することが好ましい。   When performing the hydrosilylation reaction, it is preferable to use a catalyst. Examples of such a catalyst include a platinum catalyst, a rhodium catalyst, a palladium catalyst, and a ruthenium catalyst, and a platinum catalyst is more preferable. Platinum catalysts include chloroplatinic acid, a reaction product of chloroplatinic acid and an alcohol, a reaction product of chloroplatinic acid and an olefin compound, a reaction product of chloroplatinic acid and a vinyl group-containing siloxane, a platinum olefin complex, and a platinum vinyl group. Examples thereof include siloxane complexes and platinum carbonyl complexes, which are preferably used by dissolving or dispersing them in a solvent such as alcohol. Specifically, it is preferable to use a 2% divinyltetramethyldisiloxane platinum complex xylene solution (manufactured by GELEST INC.) Or the like.

前記触媒の使用量は特に制限はなく、反応に有効な量であればよい。具体的にはヒドロシリル化反応を行う原料、つまり前記化合物(A)(場合によってはそれらに化合物(A)以外のSi−H結合含有基を有する化合物を含む)、(B)(場合によってはそれらに化合物(B)以外のSi−H結合と反応可能な炭素−炭素二重結合のみを持つ化合物を含む)および化合物(C)の合計量に対して、白金等の金属元素分として、質量基準で0.01〜10000ppm、好ましくは0.1〜1000ppmとなる量である。   The amount of the catalyst used is not particularly limited as long as it is effective for the reaction. Specifically, the raw material for the hydrosilylation reaction, that is, the compound (A) (including a compound having a Si—H bond-containing group other than the compound (A) in some cases), (B) (in some cases, those (Including compounds having only carbon-carbon double bonds capable of reacting with Si—H bonds other than compound (B)) and the total amount of compound (C) as a metal element such as platinum, based on mass 0.01 to 10000 ppm, preferably 0.1 to 1000 ppm.

前記ヒドロシリル化反応の反応温度は、通常0〜250℃である。前記シルセスキオキサン骨格含有化合物の硬化性官能基となる官能基の重合反応を防止する意味では、0〜100℃が好ましい。前記ヒドロシリル化反応の反応時間は、通常0.1〜5時間であり、0.1〜3時間であることが好ましい。また、原料系によっては反応速度が遅い場合があるので、このような場合には40℃以上に加熱することが望ましいが、加熱する場合には硬化性官能基に応じて、重合禁止剤を反応系に添加しておくことが望ましい。また、水分によって前記反応が不安定になる場合があるので、必要に応じ、アルゴンや窒素の雰囲気下で反応を実施することもできる。   The reaction temperature of the hydrosilylation reaction is usually 0 to 250 ° C. In the sense of preventing a polymerization reaction of a functional group that becomes a curable functional group of the silsesquioxane skeleton-containing compound, 0 to 100 ° C. is preferable. The reaction time of the hydrosilylation reaction is usually 0.1 to 5 hours, preferably 0.1 to 3 hours. In some cases, the reaction rate may be slow depending on the raw material system. In such a case, it is desirable to heat to 40 ° C. or higher. However, in the case of heating, the polymerization inhibitor is reacted according to the curable functional group. It is desirable to add it to the system. In addition, since the reaction may become unstable due to moisture, the reaction can be performed under an atmosphere of argon or nitrogen as necessary.

前記ヒドロシリル化反応は発熱が激しいので、必要に応じて反応溶媒を使用することが出来る。例えば、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、ヘキサン、オクタンなどの脂肪族炭化水素系溶媒、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸イソブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル系溶媒、ジイソプロピルエーテル、1,4−ジオキサンなどのエーテル系溶媒、イソプロパノールプロピレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルなどのアルコール系溶媒又はこれらの混合溶媒を使用することができる。また、アセトニトリル等のシアノ基含有化合物を反応溶媒として使用することもできる。これらの中で芳香族炭化水素系溶媒又は脂肪族炭化水素系溶媒がより好ましい。   Since the hydrosilylation reaction generates intense heat, a reaction solvent can be used as necessary. For example, aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene, aliphatic hydrocarbon solvents such as hexane and octane, ketone solvents such as methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone, ethyl acetate, isobutyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, etc. An ester solvent, an ether solvent such as diisopropyl ether or 1,4-dioxane, an alcohol solvent such as isopropanol propylene glycol mono-n-propyl ether or ethylene glycol monoethyl ether, or a mixed solvent thereof can be used. A cyano group-containing compound such as acetonitrile can also be used as a reaction solvent. Among these, an aromatic hydrocarbon solvent or an aliphatic hydrocarbon solvent is more preferable.

<転写材料用硬化性組成物>
本発明の転写材料用硬化性組成物(以下、単に「硬化性組成物」とも記す。)は、前記ヒドロシリル化反応物、すなわち硬化性官能基を有するシルセスキオキサン骨格含有化合物と、重合開始剤または硬化剤とを含んでいる。また、本発明の転写材料用硬化性組成物は、さらに、ポリチオール化合物、前記硬化性官能基と反応する官能基を持った化合物等を含んでいてもよい。
<Curable composition for transfer material>
The curable composition for transfer materials of the present invention (hereinafter, also simply referred to as “curable composition”) includes the hydrosilylation reaction product, that is, a silsesquioxane skeleton-containing compound having a curable functional group, and polymerization initiation. Or a curing agent. The curable composition for transfer materials of the present invention may further contain a polythiol compound, a compound having a functional group that reacts with the curable functional group, and the like.

前記シルセスキオキサン骨格含有化合物における硬化性官能基は、化合物(B)が有する硬化性官能基に由来し、上述のとおり(メタ)アクリロイルオキシ基またはエポキシ基などが挙げられる。   The curable functional group in the silsesquioxane skeleton-containing compound is derived from the curable functional group of the compound (B), and examples thereof include a (meth) acryloyloxy group or an epoxy group as described above.

前記シルセスキオキサン骨格含有化合物が有する硬化性官能基が(メタ)アクリロイルオキシ基の場合には、前記シルセスキオキサン骨格含有化合物単独もしくは(メタ)アクリロイルオキシ基と反応する官能基を持った化合物の共存下でのラジカル重合、またはポリチオール化合物の共存下でポリチオールとの重付加を併用したラジカル重合を行うことが出来る。(メタ)アクリロイルオキシ基と反応する官能基を持った化合物の共存下でラジカル重合を行うことにより、本発明の転写材料用硬化性組成物の硬化速度、粘度等を調整することが可能である。   When the curable functional group of the silsesquioxane skeleton-containing compound is a (meth) acryloyloxy group, the silsesquioxane skeleton-containing compound alone or a functional group that reacts with the (meth) acryloyloxy group Radical polymerization in the presence of a compound or radical polymerization using polyaddition with polythiol in the presence of a polythiol compound can be performed. By performing radical polymerization in the presence of a compound having a functional group that reacts with a (meth) acryloyloxy group, it is possible to adjust the curing speed, viscosity, etc. of the curable composition for transfer materials of the present invention. .

このような(メタ)アクリロイルオキシ基と反応する官能基を持った化合物としては、(メタ)アクリロイルオキシ基、スチリル基、ビニル基、アリル基、マレイル基、フマル基等を持つ化合物が挙げられる。この中でも(メタ)アクリロイルオキシ基を持つ化合物が特に好ましく、たとえば、(メタ)アクリル酸エステルの構造を1つ以上有するモノマーまたはオリゴマーが好適である。   Examples of the compound having a functional group that reacts with the (meth) acryloyloxy group include a compound having a (meth) acryloyloxy group, a styryl group, a vinyl group, an allyl group, a maleyl group, a fumarate group, and the like. Among these, a compound having a (meth) acryloyloxy group is particularly preferable. For example, a monomer or oligomer having one or more (meth) acrylic acid ester structures is preferable.

前記(メタ)アクリル酸エステルの構造を1つ以上有するモノマーまたはオリゴマーとしては、単官能もしくは多官能の(メタ)アクリレートが使用でき、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸−n−プロピル、(メタ)アクリル酸イソプロピル、(メタ)アクリル酸−n−ブチル、(メタ)アクリル酸イソブチル、(メタ)アクリル酸−sec−ブチル、(メタ)アクリル酸ヘキシル、(メタ)アクリル酸オクチル、(メタ)アクリル酸−2−エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸デシル、(メタ)アクリル酸イソボルニル、(メタ)アクリル酸シクロヘキシル、(メタ)アクリル酸フェニル、(メタ)アクリル酸ベンジル、(メタ)アクリル酸−2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸−2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸−3−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸−2−ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸−2−ヒドロキシフェニルエチル、エチレングリコールジ(メタ)クリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、N,N−ジメチル(メタ)アクリルアミド、N,N−ジエチル(メタ)アクリルアミド、N−アクリロイルモルフォリン等である。   Monofunctional or polyfunctional (meth) acrylate can be used as the monomer or oligomer having one or more structures of the (meth) acrylic acid ester, such as methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, (meth ) Acrylic acid-n-propyl, (meth) acrylic acid isopropyl, (meth) acrylic acid-n-butyl, (meth) acrylic acid isobutyl, (meth) acrylic acid-sec-butyl, (meth) acrylic acid hexyl, ( Octyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, phenyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate , (Meth) acrylic acid-2-hydroxyethyl, (meth) acrylic acid-2-hydroxypropyl (Meth) acrylic acid-3-hydroxypropyl, (meth) acrylic acid-2-hydroxybutyl, (meth) acrylic acid-2-hydroxyphenylethyl, ethylene glycol di (meth) acrylate, propylene glycol di (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, trimethylolpropane di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol penta ( And (meth) acrylate, N, N-dimethyl (meth) acrylamide, N, N-diethyl (meth) acrylamide, N-acryloylmorpholine, and the like.

また(メタ)アクリロイルオキシ基と反応する官能基を持つ化合物として、さらには、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、N−グリシジル型エポキシ樹脂、ビスフェノールAのノボラック型エポキシ樹脂、キレート型エポキシ樹脂、グリオキザール型エポキシ樹脂、アミノ基含有エポキシ樹脂、ゴム変性エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエンフェノリック型エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ε−カプロラクトン変性エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂
に(メタ)アクリル酸を付加させたいわゆるエポキシアクリレートも用いることが出来る。
Further, as a compound having a functional group that reacts with (meth) acryloyloxy group, bisphenol A type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, brominated bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, novolak type Epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, alicyclic epoxy resin, N-glycidyl type epoxy resin, bisphenol A novolac type epoxy resin, chelate type epoxy resin, glyoxal type epoxy resin, amino group-containing epoxy (Meth) acrylic acid was added to epoxy resins such as resins, rubber-modified epoxy resins, dicyclopentadiene phenolic epoxy resins, silicone-modified epoxy resins, and ε-caprolactone-modified epoxy resins. So-called epoxy acrylate can also be used.

さらに(メタ)アクリロイルオキシ基と反応する官能基を持つ化合物の他の例として、以下の化合物を挙げることができる。   Furthermore, the following compounds can be given as other examples of compounds having a functional group that reacts with a (meth) acryloyloxy group.

ポリイソシアネート化合物、たとえば、2,4−または2,6−トリレンジイソシアネート、m−またはp−キシリレンジイソシアネート、水添キシリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−4,4'−ジイソシアネートまたはその変性物や重合物、ヘキサメチ
レンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、1,4−テトラメチレンジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネートなど;
活性水素含有(メタ)アクリレート系モノマーとして、たとえば、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、トリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、1,4−ブチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−3−クロロプロピル(メタ)アクリレート、グリセロールモノ(メタ)アクリレート、グリセロールジ(メタ)アクリレート、グリセロールメタクリレートアクリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレートなどと反応させたウレタンアクリレートなども用いることが出来る。
Polyisocyanate compounds, such as 2,4- or 2,6-tolylene diisocyanate, m- or p-xylylene diisocyanate, hydrogenated xylylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4'-diisocyanate or modified products or polymers thereof, Hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, 1,4-tetramethylene diisocyanate, naphthalene diisocyanate, etc .;
As active hydrogen-containing (meth) acrylate monomers, for example, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, tripropylene glycol (meth) acrylate, 1,4-butylene glycol mono (meth) acrylate 2-hydroxy-3-chloropropyl (meth) acrylate, glycerol mono (meth) acrylate, glycerol di (meth) acrylate, glycerol methacrylate acrylate, trimethylolpropane di (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate and the like A reacted urethane acrylate or the like can also be used.

スチレン及びその誘導体も(メタ)アクリロイルオキシ基と反応する官能基を持つ化合物として用いることができる。具体的には、スチレン、2,4−ジメチル−α−メチルスチレン、o−メチルスチレン、m−メチルスチレン、p−メチルスチレン、2,4−ジメチルスチレン、2,5−ジメチルスチレン、2,6−ジメチルスチレン、3,4−ジメチルスチレン、3,5−ジメチルスチレン、2,4,6−トリメチルスチレン、2,4,5−トリメチルスチレン、ペンタメチルスチレン、o−エチルスチレン、m−エチルスチレン、p−エチルスチレン、o−クロロスチレン、m−クロロスチレン、p−クロロスチレン、o−ブロモスチレン、m−ブロモスチレン、p−ブロモスチレン、o−メトキシスチレン、m−メトキシスチレン、p−メトキシスチレン、o−ヒドロキシスチレン、m−ヒドロキシスチレン、p−ヒドロキシスチレン、2−ビニルビフェニル、3−ビニルビフェニル、4−ビニルビフェニル、1−ビニルナフタレン、2−ビニルナフタレン、4−ビニル−p−ターフェニル、1−ビニルアントラセン、α−メチルスチレン、o−イソプロペニルトルエン、m−イソプロペニルトルエン、p−イソプロペニルトルエン、2,4−ジメチル−α−メチルスチレン、2,3−ジメチル−α−メチルスチレン、3,5−ジメチル−α−メチルスチレン、p−イソプロピル−α−メチルスチレン、α−エチルスチレン、α−クロロスチレン、ジビニルベンゼン、ジビニルビフェニル、ジイソプロピルベンゼン等である。   Styrene and its derivatives can also be used as compounds having a functional group that reacts with a (meth) acryloyloxy group. Specifically, styrene, 2,4-dimethyl-α-methylstyrene, o-methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, 2,4-dimethylstyrene, 2,5-dimethylstyrene, 2,6 -Dimethylstyrene, 3,4-dimethylstyrene, 3,5-dimethylstyrene, 2,4,6-trimethylstyrene, 2,4,5-trimethylstyrene, pentamethylstyrene, o-ethylstyrene, m-ethylstyrene, p-ethylstyrene, o-chlorostyrene, m-chlorostyrene, p-chlorostyrene, o-bromostyrene, m-bromostyrene, p-bromostyrene, o-methoxystyrene, m-methoxystyrene, p-methoxystyrene, o-hydroxystyrene, m-hydroxystyrene, p-hydroxystyrene, 2-vinyl vinyl Enyl, 3-vinylbiphenyl, 4-vinylbiphenyl, 1-vinylnaphthalene, 2-vinylnaphthalene, 4-vinyl-p-terphenyl, 1-vinylanthracene, α-methylstyrene, o-isopropenyltoluene, m-iso Propenyltoluene, p-isopropenyltoluene, 2,4-dimethyl-α-methylstyrene, 2,3-dimethyl-α-methylstyrene, 3,5-dimethyl-α-methylstyrene, p-isopropyl-α-methylstyrene Α-ethylstyrene, α-chlorostyrene, divinylbenzene, divinylbiphenyl, diisopropylbenzene and the like.

(メタ)アクリロニトリル及びその誘導体も(メタ)アクリロイルオキシ基と反応する官能基を持つ化合物として用いることができる。例えば、アクリロニトリル、メタクリロニトリル等が挙げられる。   (Meth) acrylonitrile and its derivatives can also be used as compounds having a functional group that reacts with a (meth) acryloyloxy group. Examples thereof include acrylonitrile and methacrylonitrile.

有機カルボン酸のビニルエステル及びその誘導体も(メタ)アクリロイルオキシ基と反応する官能基を持つ化合物として用いることができる。例えば、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビニル、安息香酸ビニル、アジピン酸ジビニル等が挙げられる。   Vinyl esters of organic carboxylic acids and derivatives thereof can also be used as compounds having a functional group that reacts with a (meth) acryloyloxy group. For example, vinyl acetate, vinyl propionate, vinyl butyrate, vinyl benzoate, divinyl adipate and the like can be mentioned.

有機カルボン酸のアリルエステル及びその誘導体も(メタ)アクリロイルオキシ基と反応する官能基を持つ化合物として用いることができる。例えば、酢酸アリル、安息香酸アリル、アジピン酸ジアリル、テレフタル酸ジアリル、イソフタル酸ジアリル、フタル酸ジアリル等が挙げられる。   Allyl esters of organic carboxylic acids and derivatives thereof can also be used as compounds having a functional group that reacts with a (meth) acryloyloxy group. Examples include allyl acetate, allyl benzoate, diallyl adipate, diallyl terephthalate, diallyl isophthalate, and diallyl phthalate.

フマル酸のジアルキルエステル及びその誘導体も(メタ)アクリロイルオキシ基と反応する官能基を持つ化合物として用いることができる。例えば、フマル酸ジメチル、フマル酸ジエチル、フマル酸ジイソプロピル、フマル酸ジ−sec−ブチル、フマル酸ジイソブチル、フマル酸ジ−n−ブチル、フマル酸ジ−2−エチルヘキシル、フマル酸ジベンジル等が挙げられる。   Dialkyl esters of fumaric acid and derivatives thereof can also be used as compounds having a functional group that reacts with a (meth) acryloyloxy group. Examples include dimethyl fumarate, diethyl fumarate, diisopropyl fumarate, di-sec-butyl fumarate, diisobutyl fumarate, di-n-butyl fumarate, di-2-ethylhexyl fumarate, dibenzyl fumarate, and the like.

マレイン酸のジアルキルエステル及びその誘導体も(メタ)アクリロイルオキシ基と反応する官能基を持つ化合物として用いることができる。例えば、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジイソプロピル、マレイン酸ジ−sec−ブチル、マレイン酸ジイソブチル、マレイン酸ジ−n−ブチル、マレイン酸ジ−2−エチルヘキシル、マレイン酸ジベンジル等が挙げられる。   A dialkyl ester of maleic acid and a derivative thereof can also be used as a compound having a functional group that reacts with a (meth) acryloyloxy group. Examples include dimethyl maleate, diethyl maleate, diisopropyl maleate, di-sec-butyl maleate, diisobutyl maleate, di-n-butyl maleate, di-2-ethylhexyl maleate, dibenzyl maleate and the like.

イタコン酸のジアルキルエステル及びその誘導体も(メタ)アクリロイルオキシ基と反応する官能基を持つ化合物として用いることができる。例えば、イタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコン酸ジイソプロピル、イタコン酸ジ−sec−ブチル、イタコン酸ジイソブチル、イタコン酸ジ−n−ブチル、イタコン酸ジ−2−エチルヘキシル、イタコン酸ジベンジル等が挙げられる。   Dialkyl esters of itaconic acid and derivatives thereof can also be used as compounds having a functional group that reacts with a (meth) acryloyloxy group. Examples thereof include dimethyl itaconate, diethyl itaconate, diisopropyl itaconate, di-sec-butyl itaconate, diisobutyl itaconate, di-n-butyl itaconate, di-2-ethylhexyl itaconate, and dibenzyl itaconate.

有機カルボン酸のN−ビニルアミド誘導体も(メタ)アクリロイルオキシ基と反応する官能基を持つ化合物として用いることができる。例えば、N−メチル−N−ビニルアセトアミド等が挙げられる。   An N-vinylamide derivative of an organic carboxylic acid can also be used as a compound having a functional group that reacts with a (meth) acryloyloxy group. For example, N-methyl-N-vinylacetamide and the like can be mentioned.

マレイミド及びその誘導体も(メタ)アクリロイルオキシ基と反応する官能基を持つ化合物として用いることができる。例えば、N−フェニルマレイミド、N−シクロヘキシルマレイミド等が挙げられる。   Maleimide and derivatives thereof can also be used as compounds having a functional group that reacts with a (meth) acryloyloxy group. Examples thereof include N-phenylmaleimide and N-cyclohexylmaleimide.

前記シルセスキオキサン骨格含有化合物が有する硬化性官能基が(メタ)アクリロイルオキシ基の場合、(メタ)アクリロイルオキシ基と反応する官能基を持った化合物の共存下でのラジカル重合と、ポリチオールとの重付加とを併用することが出来る。   When the curable functional group of the silsesquioxane skeleton-containing compound is a (meth) acryloyloxy group, radical polymerization in the presence of a compound having a functional group that reacts with the (meth) acryloyloxy group, Can be used in combination with polyaddition.

前記ポリチオール化合物としては、2,2−ビス(メルカプトメチル)−1,3−プロパンジチオール、ビス(2−メルカプトエチル)エーテル、エチレングリコールビス(2−メルカプトアセテート)、エチレングリコールビス(3−メルカプトプロピオネート)、トリメチロールプロパン−トリス−(β−チオプロピネート)、トリス−2−ヒドロキシエチル−イソシアヌレート・トリス−β−メルカプトプロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキス(β−チオプロピオネート)、1,8−ジメルカプト−3,6−ジオキサオクタン、1,2,3−トリメルカプトベンゼン、1,2,4−トリメルカプトベンゼン、1,3,5−トリメルカプトベンゼン、1,2,3−トリス(メルカプトメチル)ベンゼン、1,2,4−トリス(メルカプトメチル)ベンゼン、1,3,5−トリス(メルカプトメチル)ベンゼンなどがあげられる。   Examples of the polythiol compound include 2,2-bis (mercaptomethyl) -1,3-propanedithiol, bis (2-mercaptoethyl) ether, ethylene glycol bis (2-mercaptoacetate), ethylene glycol bis (3-mercaptopro Pionate), trimethylolpropane-tris- (β-thiopropionate), tris-2-hydroxyethyl-isocyanurate tris-β-mercaptopropionate, pentaerythritol tetrakis (β-thiopropionate), 1 , 8-dimercapto-3,6-dioxaoctane, 1,2,3-trimercaptobenzene, 1,2,4-trimercaptobenzene, 1,3,5-trimercaptobenzene, 1,2,3-tris (Mercaptomethyl) benzene, 1,2,4-tris (me Kaputomechiru) benzene, 1,3,5-tris (mercaptomethyl) benzene.

一方、前記硬化性官能基がエポキシ基の場合には、前記シルセスキオキサン骨格含有化合物単独あるいはビニルエーテル基のようなエポキシ基と反応する官能基を有する化合物との共存下でカチオン重合を行ったり、酸無水物を硬化剤として用いた重付加等の重合を行うことが出来る。前記硬化性官能基がエポキシ基の場合に、エポキシ基と反応する官能基を持った化合物を共存させてカチオン重合を行うことにより、本発明の転写材料用硬化性組成物の硬化速度、粘度等を調整することが可能である。   On the other hand, when the curable functional group is an epoxy group, cationic polymerization may be performed in the presence of the silsesquioxane skeleton-containing compound alone or a compound having a functional group that reacts with an epoxy group such as a vinyl ether group. Polymerization such as polyaddition using an acid anhydride as a curing agent can be performed. When the curable functional group is an epoxy group, by performing cationic polymerization in the presence of a compound having a functional group that reacts with the epoxy group, the curing rate, viscosity, etc. of the curable composition for transfer materials of the present invention Can be adjusted.

このようなエポキシ基と反応する官能基を持った化合物としては、ビニルエーテル基を有する化合物を用いることが出来る。ビニルエーテル基を有する化合物としては、例えば
、トリエチレングリコールジビニルエーテル、テトラエチレングリコールジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、シクロヘキサン−1,4−ジメチロールジビニルエーテル、1,4−ブタンジオールジビニルエーテル、ポリエステルジビニルエーテル、ポリウレタンポリビニルエーテル等が挙げられる。
As such a compound having a functional group that reacts with an epoxy group, a compound having a vinyl ether group can be used. Examples of the compound having a vinyl ether group include triethylene glycol divinyl ether, tetraethylene glycol divinyl ether, trimethylolpropane trivinyl ether, cyclohexane-1,4-dimethylol divinyl ether, 1,4-butanediol divinyl ether, polyester diester. Examples thereof include vinyl ether and polyurethane polyvinyl ether.

またエポキシ基と反応する官能基を持った化合物として、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、N−グリシジル型エポキシ樹脂、ビスフェノールAのノボラック型エポキシ樹脂、キレート型エポキシ樹脂、グリオキザール型エポキシ樹脂、アミノ基含有エポキシ樹脂、ゴム変性エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエンフェノリック型エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ε−カプロラクトン変性エポキシ樹脂などの、一分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物が挙げられる。   In addition, bisphenol A type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, brominated bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, novolak type epoxy resin, phenol novolak type as compounds having functional groups that react with epoxy groups Epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, alicyclic epoxy resin, N-glycidyl type epoxy resin, bisphenol A novolac type epoxy resin, chelate type epoxy resin, glyoxal type epoxy resin, amino group-containing epoxy resin, rubber modified epoxy resin And epoxy compounds having two or more epoxy groups in one molecule, such as dicyclopentadiene phenolic epoxy resin, silicone-modified epoxy resin, and ε-caprolactone-modified epoxy resin.

具体的には、以下のものも挙げることができる。   Specifically, the following can also be mentioned.

ジャパンエポキシレジン(株)製の商品名エピコート828、1002、1004等のビスフェノールA型エポキシ樹脂;
ジャパンエポキシレジン(株)製の商品名エピコート806、807、4005P、東都化成(株)製の商品名YDF−170等のビスフェノールF型エポキシ樹脂;
ジャパンエポキシレジン(株)製の商品名エピコート152、154、日本化薬(株)製の商品名EPPN−201等のフェノールノボラック型エポキシ樹脂;
日本化薬(株)製の商品名EOCN−125S、103S、104S等のo−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂;
ジャパンエポキシレジン(株)製の商品名エピコートYX−4000,YL−6640等のビフェニル型エポキシ樹脂;
ジャパンエポキシレジン(株)製の商品名エピコート1031S、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ(株)製の商品名アラルダイト0163、ナガセ化成(株)製の商品名デナコールEX−611、EX−614、EX−614B、EX−622、EX−512、EX−521、EX−421、E−411、EX−321等の多官能エポキシ樹脂;
ジャパンエポキシレジン(株)製の商品名エピコート604、東都化成(株)製の商品名YH−434、三菱ガス化学(株)製の商品名TETRAD−X、TETRAD−C、日本化薬(株)製の商品名GAN、住友化学(株)製の商品名ELM−120等のアミン型エポキシ樹脂;
チバ・スペシャルティ・ケミカルズ(株)製の商品名アラルダイトPT810等の複素環含有エポキシ樹脂;
ダイセル化学工業(株)製のEHPE3150、EHPE3150CE、セロキサイド2000、セロキサイド2021、セロキサイド2081,エポリードPB3600エポリードGT401等の脂環式エポキシ樹脂;
ダイセル化学工業(株)製のエポリードPB3600等のエポキシ化ポリブタジエン。これらは1種単独で又は2種類以上組み合わせて使用することができる。
Bisphenol A type epoxy resins such as trade name Epicoat 828, 1002, 1004 manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd .;
Bisphenol F type epoxy resins such as trade name Epicoat 806, 807, 4005P manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., trade name YDF-170 manufactured by Toto Kasei Co., Ltd .;
Phenol novolac type epoxy resins such as trade name Epicoat 152 and 154 manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd. and trade name EPPN-201 manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd .;
O-cresol novolac type epoxy resins such as Nippon Kayaku Co., Ltd. trade names EOCN-125S, 103S, 104S;
Biphenyl type epoxy resins such as trade name Epicoat YX-4000, YL-6640 manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd .;
Product name Epicoat 1031S manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd. Product name Araldite 0163 manufactured by Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd. Product names Denacol EX-611, EX-614, EX-614B manufactured by Nagase Kasei Co., Ltd. Polyfunctional epoxy resins such as EX-622, EX-512, EX-521, EX-421, E-411, EX-321;
Product name Epicoat 604 manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd. Product name YH-434 manufactured by Toto Kasei Co., Ltd. Product names TETRAD-X and TETRAD-C manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., Nippon Kayaku Co., Ltd. Amine type epoxy resins such as trade name GAN manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd. and trade name ELM-120 manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd .;
Heterocycle-containing epoxy resins such as trade name Araldite PT810 manufactured by Ciba Specialty Chemicals;
Alicyclic epoxy resins such as EHPE3150, EHPE3150CE, Celoxide 2000, Celoxide 2021, Celoxide 2081 and Epoxide PB3600 Epoxide GT401 manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd .;
Epoxidized polybutadiene such as Epolide PB3600 manufactured by Daicel Chemical Industries. These can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

また、エポキシ基と反応する官能基を持った化合物として、オキセタニル基を有する化合物も用いることが出来る。オキセタニル基を有する化合物としては、1,3−ビス〔(3−エチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル〕プロパン、エチレングリコールビス(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、トリメチロールプロパントリス(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、ペンタエリスリトールテトラキス(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、ジペンタエリスリトールヘキサキス(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、2−エチル−2−ヒドロキシメチルオキセタ
ン等が挙げられる。
A compound having an oxetanyl group can also be used as the compound having a functional group that reacts with an epoxy group. Examples of the compound having an oxetanyl group include 1,3-bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] propane, ethylene glycol bis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, trimethylolpropane tris (3- Ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, pentaerythritol tetrakis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, dipentaerythritol hexakis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, 2-ethyl-2-hydroxymethyloxetane Etc.

前記硬化性官能基がエポキシ基、特にグリシジル基である場合、酸無水物を硬化剤として使用し、重付加により硬化性組成物を硬化することができる。酸無水物としては、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸等の芳香族酸無水物類、無水テトラヒドロフタル酸、無水メチルテトラヒドロフタル酸、無水ヘキサヒドロフタル酸、無水メチルヘキサヒドロフタル酸等の環状脂肪酸無水物が挙げられる。   When the curable functional group is an epoxy group, particularly a glycidyl group, the curable composition can be cured by polyaddition using an acid anhydride as a curing agent. Examples of acid anhydrides include aromatic acid anhydrides such as phthalic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, and methylhexahydrophthalic anhydride. Examples include cyclic fatty acid anhydrides such as acids.

これらの酸無水物の使用量は、エポキシ基に対し、0.7〜1.2当量、好ましくは0.8〜1.1当量である。また硬化促進剤としてイミダゾール類、三級アミン類、有機ホスフィン化合物を用いることができる。   The usage-amount of these acid anhydrides is 0.7-1.2 equivalent with respect to an epoxy group, Preferably it is 0.8-1.1 equivalent. Further, imidazoles, tertiary amines, and organic phosphine compounds can be used as curing accelerators.

本発明のヒドロシリル化反応物または硬化性組成物を硬化する方法は、活性エネルギー線硬化と熱硬化との二つの方法がある。これらの方法で、前述のラジカル重合またはカチオン重合を行う場合には、重合様式に応じてそれぞれ最適な重合開始剤を用いる。   There are two methods for curing the hydrosilylation reaction product or curable composition of the present invention: active energy ray curing and thermal curing. When the radical polymerization or cationic polymerization described above is performed by these methods, an optimal polymerization initiator is used depending on the polymerization mode.

前記硬化性官能基が(メタ)アクリロイルオキシ基である場合、または前記硬化性官能基が(メタ)アクリロイルオキシ基であり、硬化性組成物が前記ポリチオール化合物を含有する場合には、ラジカル重合開始剤を用いるのが好ましい。   When the curable functional group is a (meth) acryloyloxy group, or when the curable functional group is a (meth) acryloyloxy group and the curable composition contains the polythiol compound, radical polymerization starts. It is preferable to use an agent.

熱重合の場合には、熱ラジカル開始剤としてメチルエチルケトンパーオキサイド、シクロヘキサノンパーオキサイド、メチルシクロヘキサノンパーオキサイド、メチルアセテートパーオキサイド、アセチルアセテートパーオキサイド、1,1−ビス(t−ブチルパー
オキシ)ブタン、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)−シクロヘキサン、1,1−ビ
ス(t−ブチルパーオキシ)−2−メチルシクロヘキサン、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、1,1−ビス(t−ブチルパーオキ
シ)シクロドデカン、1,1−ビス(t−ヘキシルパーオキシ)−シクロヘキサン、1,
1−ビス(t−ヘキシルパーオキシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、2,2
−ビス(4,4−ジ−t−ブチルパーオキシシクロヘキシル)プロパン、t−ブチルハイドロパーオキサイド、t−ヘキシルハイドロパーオキサイド、1,1,3,3−テトラメチ
ルブチルハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、p−メチルハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、ジ−t−ブチルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、t−ブチルクミルパーオキサイド、α,α'−ビス(t−ブチルパーオキシ)ジイソプロピルベンゼン、2,5−ジメチル−2,5−ビス(t−ブチルパーオキシ)ヘキサン、2,5−ジメチル−2,5−ビス(t−ブチルパーオキ
シ)ヘキシン−3、イソブチリルパーオキサイド、3,3,5−トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、ステアロイルパーオキサイド、スクシン酸パーオキサイド、
In the case of thermal polymerization, as a thermal radical initiator, methyl ethyl ketone peroxide, cyclohexanone peroxide, methylcyclohexanone peroxide, methyl acetate peroxide, acetyl acetate peroxide, 1,1-bis (t-butylperoxy) butane, 1 , 1-bis (t-butylperoxy) -cyclohexane, 1,1-bis (t-butylperoxy) -2-methylcyclohexane, 1,1-bis (t-butylperoxy) -3,3,5 -Trimethylcyclohexane, 1,1-bis (t-butylperoxy) cyclododecane, 1,1-bis (t-hexylperoxy) -cyclohexane, 1,
1-bis (t-hexylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane, 2,2
-Bis (4,4-di-t-butylperoxycyclohexyl) propane, t-butyl hydroperoxide, t-hexyl hydroperoxide, 1,1,3,3-tetramethylbutyl hydroperoxide, cumene hydroper Oxide, p-methyl hydroperoxide, diisopropylbenzene hydroperoxide, di-t-butyl peroxide, dicumyl peroxide, t-butylcumyl peroxide, α, α'-bis (t-butylperoxy) diisopropylbenzene 2,5-dimethyl-2,5-bis (t-butylperoxy) hexane, 2,5-dimethyl-2,5-bis (t-butylperoxy) hexyne-3, isobutyryl peroxide, 3, 3,5-trimethylhexanoyl peroxide, octanoyl peroxide Kisaido, lauroyl peroxide, stearoyl peroxide, succinic acid peroxide,

m−トルオイルベンゾイルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ジ−n−プロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ビス(4−t−ブチルシクロヘキシル)パーオキシジカーボネート、ジ−2−エトキシエチルパーオキシジカーボネート、ジ−2−エトキシヘキシルパーオキシジカーボネート、ジ−3−メトキシブチルパーオキシジカーボネート、ジ−S−ブチルパーオキシジカーボネート、ジ(3−メチル−3−メトキシブチル)パーオキシジカーボネート、α,α'−ビス(ネオデ
カノイルパーオキシ)ジイソプロピルベンゼン、t−ブチルパーオキシネオデカノエート
、t−ヘキシルパーオキシネオデカノエート、1,1,3,3−テトラメチルブチルパー
オキシネオデカノエート、1−シクロヘキシル−1−メチルエチルパーオキシネオデカノエート、クミルパーオキシネオデカノエート、t−ブチルパーオキシピバレート、t−ヘキシルパーオキシピバレート、t−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、t−ヘキ
シルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、1,1,3,3−テトラメチルブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、2,5−ジメチル−2,5−ビス(2−エチルヘキサノイルパーオキシ)ヘキサン、1−シクロヘキシル−1−メチルエチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、t−ブチルパーオキシ−3,5,5−トリメチルヘキサノエー
ト、t−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、t−ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、t−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキシルモノカーボネート
、t−ブチルパーオキシアリルモノカーボネート、t−ブチルパーオキシイソブチレート、t−ブチルパーオキシマレート、t−ブチルパーオキシベンゾエート、t−ヘキシルパーオ
キシベンゾエート、t−ブチルパーオキシ−m−トルイルベンゾエート、t−ブチルパーオキシラウレート、t−ブチルパーオキシアセテート、ビス(t−ブチルパーオキシ)イソ
フタレート、2,5−ジメチル−2,5−ビス(m−トルイルパーオキシ)ヘキサン、2,5−ジメチル−2,5−ビス(ベンゾイルパーオキシ)ヘキサン、t−ブチルトリメチ
ルシリルパーオキサイド、
m-toluoyl benzoyl peroxide, benzoyl peroxide, di-n-propyl peroxydicarbonate, diisopropyl peroxydicarbonate, bis (4-tert-butylcyclohexyl) peroxydicarbonate, di-2-ethoxyethyl peroxy Dicarbonate, di-2-ethoxyhexylperoxydicarbonate, di-3-methoxybutylperoxydicarbonate, di-S-butylperoxydicarbonate, di (3-methyl-3-methoxybutyl) peroxydicarbonate , Α, α′-bis (neodecanoylperoxy) diisopropylbenzene, t-butylperoxyneodecanoate, t-hexylperoxyneodecanoate, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxy Neodecanoate, 1-siku Rohexyl-1-methylethylperoxyneodecanoate, cumylperoxyneodecanoate, t-butylperoxypivalate, t-hexylperoxypivalate, t-butylperoxy-2-ethylhexanoate, t-hexylperoxy-2-ethylhexanoate, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxy-2-ethylhexanoate, 2,5-dimethyl-2,5-bis (2-ethylhexa Noylperoxy) hexane, 1-cyclohexyl-1-methylethylperoxy-2-ethylhexanoate, t-butylperoxy-3,5,5-trimethylhexanoate, t-butylperoxyisopropyl monocarbonate, t-hexylperoxyisopropyl monocarbonate, t-butylperoxy-2-ethylhexyl Monocarbonate, t-butylperoxyallyl monocarbonate, t-butylperoxyisobutyrate, t-butylperoxymalate, t-butylperoxybenzoate, t-hexylperoxybenzoate, t-butylperoxy-m -Toluylbenzoate, t-butyl peroxylaurate, t-butyl peroxyacetate, bis (t-butylperoxy) isophthalate, 2,5-dimethyl-2,5-bis (m-toluylperoxy) hexane, 2,5-dimethyl-2,5-bis (benzoylperoxy) hexane, t-butyltrimethylsilyl peroxide,

3,3',4,4'−テトラ(t−ブチルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノン、2,3
−ジメチル−2,3−ジフェニルブタンなどの、有機過酸化物、または、1−[(1−シアノ−1−メチルエチル)アゾ]ホルムアミド、1,1'−アゾビス(シクロヘキサン−
1−カルボニトリル)、2,2'−アゾビス(2−メチルブチロニトリル)、2,2'−アゾビスイソブチロニトリル、2,2'−アゾビス(2,4−ジメチル−4−メトキシバレ
ロニトリル)、2,2'−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)、2−フェニル
アゾ−4−メトキシ−2,4−ジメチルバレロニトリル、2,2'−アゾビス(2−メチ
ルプロピオンアミジン)ジヒドロクロリド、2,2−アゾビス(2−メチル−N−フェニルプロピオンアミジン)ジヒドロクロリド、2,2'−アゾビス[N−(4−クロロフェ
ニル)−2−メチルプロピオンアミジン]ジヒドロクロリド、2,2'−アゾビス[N−
(4−ヒドロフェニル)−2−メチルプロピオンアミジン]ジヒドロクロリド、2,2'
−アゾビス[2−メチル−N−(2−プロペニル)プロピオンアミジン]ジヒドロクロリド、2,2'−アゾビス[N−(2−ヒドロキシエチル)−2−メチルプロピオンアミジ
ン]ジヒドロクロリド、2,2'−アゾビス[2−メチル−N−(フェニルメチル)プロ
ピオンアミジン]ジヒドロクロリド、2,2'−アゾビス[2−(2−イミダゾリン−2
−イル)プロパン]ジヒドロクロリド、2,2'−アゾビス[2−(2−イミダゾリン−
2−イル)プロパン]ジヒドロクロリド、2,2'−アゾビス[2−(5−メチル−2−
イミダゾリン−2−イル)プロパン]ジヒドロクロリド、2,2'−アゾビス{2−[1
−(2−ヒドロキシエチル)−2−イミダゾリン−2−イル]プロパン}ジヒドロクロリド、2,2'−アゾビス[2−(4,5,6,7−テトラヒドロ−1H−1,3−ジアゼ
ピン−2−イル)プロパン]ジヒドロクロリド、2,2'−アゾビス[2−(3,4,5
,6−テトラヒドロピリミジンー2−イル)プロパン]ジヒドロクロリド、2,2'−ア
ゾビス[2−(5−ヒドロキシ−3,4,5,6−テトラヒドロピリミジン−2−イル)プロパン]ジヒドロクロリド、2,2'−アゾビス(2−メチルプロピオンアミド)、
3,3 ′, 4,4′-tetra (t-butylperoxycarbonyl) benzophenone, 2,3
Organic peroxides such as dimethyl-2,3-diphenylbutane, or 1-[(1-cyano-1-methylethyl) azo] formamide, 1,1′-azobis (cyclohexane-
1-carbonitrile), 2,2′-azobis (2-methylbutyronitrile), 2,2′-azobisisobutyronitrile, 2,2′-azobis (2,4-dimethyl-4-methoxyvalero) Nitrile), 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 2-phenylazo-4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile, 2,2′-azobis (2-methylpropionamidine) dihydrochloride 2,2-azobis (2-methyl-N-phenylpropionamidine) dihydrochloride, 2,2′-azobis [N- (4-chlorophenyl) -2-methylpropionamidine] dihydrochloride, 2,2′-azobis [N-
(4-Hydrophenyl) -2-methylpropionamidine] dihydrochloride, 2,2 ′
-Azobis [2-methyl-N- (2-propenyl) propionamidine] dihydrochloride, 2,2'-azobis [N- (2-hydroxyethyl) -2-methylpropionamidine] dihydrochloride, 2,2'- Azobis [2-methyl-N- (phenylmethyl) propionamidine] dihydrochloride, 2,2′-azobis [2- (2-imidazoline-2
-Yl) propane] dihydrochloride, 2,2'-azobis [2- (2-imidazoline-
2-yl) propane] dihydrochloride, 2,2'-azobis [2- (5-methyl-2-
Imidazolin-2-yl) propane] dihydrochloride, 2,2′-azobis {2- [1
-(2-hydroxyethyl) -2-imidazolin-2-yl] propane} dihydrochloride, 2,2′-azobis [2- (4,5,6,7-tetrahydro-1H-1,3-diazepine-2) -Yl) propane] dihydrochloride, 2,2′-azobis [2- (3,4,5)
, 6-Tetrahydropyrimidin-2-yl) propane] dihydrochloride, 2,2′-azobis [2- (5-hydroxy-3,4,5,6-tetrahydropyrimidin-2-yl) propane] dihydrochloride, 2, , 2′-azobis (2-methylpropionamide),

2,2'−アゾビス[2−メチル−N−(2−ヒドロキシエチル)プロピオンアミド]、
2,2'−アゾビス{2−メチル−N−[1,1−ビス(ヒドロキシメチル)−2−ヒド
ロキシエチル]プロピオンアミド}、2,2'−アゾビス{2−メチル−N−[1,1−
ビス(ヒドロキシメチル)エチル]プロピオンアミド}、2,2'−アゾビス(2−メチ
ルプロパン)、2,2'−アゾビス(2,4,4−トリメチルペンタン)、ジメチル2,
2'−アゾビス(2−メチルプロピオネート)、4,4'−アゾビス(4−シアノペンタン酸)、2,2'−アゾビス[2−(ヒドロキシメチル)プロピオニトリル]などの、アゾ
化合物などが挙げられる。
2,2′-azobis [2-methyl-N- (2-hydroxyethyl) propionamide],
2,2′-azobis {2-methyl-N- [1,1-bis (hydroxymethyl) -2-hydroxyethyl] propionamide}, 2,2′-azobis {2-methyl-N- [1,1 −
Bis (hydroxymethyl) ethyl] propionamide}, 2,2′-azobis (2-methylpropane), 2,2′-azobis (2,4,4-trimethylpentane), dimethyl 2,
Azo compounds such as 2′-azobis (2-methylpropionate), 4,4′-azobis (4-cyanopentanoic acid), 2,2′-azobis [2- (hydroxymethyl) propionitrile], etc. Is mentioned.

前記硬化性官能基がエポキシ基である場合の重合開始剤としては、メラミン、イミダゾール、2−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタシルイミダゾ
ール、2−エチル−4−エチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4−ジアミノ−6−〔2'−メチルイ
ミダゾリル−(1')〕−エチル−S−トリアジン、2,4−ジアミノー6−〔2'−ウンデシルイミダゾリル−(1')〕−エチル−S−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−〔
2'−エチル−4'−イミダゾリル−(1')〕−エチル−S−トリアジン、2,4−ジア
ミノ−6−〔2'−メチルイミダゾリル−(1')〕−エチル−S−トリアジン イソシアヌル酸付加物、2−フェニルイミダゾール イソシアヌル酸付加物、2−メチルイミダゾール イソシアヌル酸付加物、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2,3−ジヒドロ−1H−ピロロ〔1,2−a〕ベンズイミダゾール、4,4'−メチレンビス(2−エチル
−5−メチルイミダゾール)、1−ドデシル−2−メチル−3−ベンジルイミダゾリウムクロライドなどの、イミダゾール類や、1,8−ジアザビシクロ(5.4.0)ウンデセン−7、及びそのフェノール塩、オクチル塩、p−トルエンスルホン酸塩、ギ酸塩、オルソフタル酸塩、またはフェノールノボラック樹脂塩、1,5−ジアザビシクロ(4.3.0)ノネン−5、及びそのフェノールノボラック樹脂塩などの、有機強塩基類及びその塩、4級ホスホニウムブロマイド、芳香族ジメチルウレア、脂肪族ジメチルウレアなどの、ウレア類などのアニオン系開始剤、トリフェニルシラノールなどのシラノール系のカチオン触媒や、アルミニウムトリス(アセチルアセトン)などのアルミキレート系触媒などを挙げることができる。
As the polymerization initiator when the curable functional group is an epoxy group, melamine, imidazole, 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptacilimidazole, 2-ethyl-4-ethylimidazole, 2- Phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl- 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole Liuto Melitite, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-S-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-undecylimidazolyl- (1')]- Ethyl-S-triazine, 2,4-diamino-6- [
2'-ethyl-4'-imidazolyl- (1 ')]-ethyl-S-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1')]-ethyl-S-triazine isocyanuric acid Adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-methylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3 -Dihydro-1H-pyrrolo [1,2-a] benzimidazole, 4,4'-methylenebis (2-ethyl-5-methylimidazole), 1-dodecyl-2-methyl-3-benzylimidazolium chloride, Imidazoles, 1,8-diazabicyclo (5.4.0) undecene-7, and phenol salts thereof, oct Organic salts such as sodium salt, p-toluenesulfonate, formate, orthophthalate, or phenol novolac resin salt, 1,5-diazabicyclo (4.3.0) nonene-5, and its phenol novolac resin salt Bases and salts thereof, anionic initiators such as ureas such as quaternary phosphonium bromide, aromatic dimethylurea and aliphatic dimethylurea, silanol-based cation catalysts such as triphenylsilanol, aluminum tris (acetylacetone), etc. Examples of the aluminum chelate catalyst can be mentioned.

また、前記活性エネルギー線は、前記シルセスキオキサン骨格含有化合物の硬化性官能基に作用して、前記シルセスキオキサン骨格含有化合物または硬化性組成物を硬化させるものであれば特に限定されない。例えば、紫外線、X線等の放射線、電子線を挙げることができる。これらの中では紫外線や電子線を好適に使用できる。例えば、活性エネルギー線として電子線を用い、前記硬化性官能基が(メタ)アクリロイルオキシ基である場合、重合開始剤が無くても前記シルセスキオキサン骨格含有化合物を硬化させることができる。前記シルセスキオキサン骨格含有化合物を硬化させる場合、前記活性エネルギー線と前記硬化性官能基との組み合わせによって、必要に応じて重合開始剤を添加することが望ましい。   The active energy ray is not particularly limited as long as it acts on the curable functional group of the silsesquioxane skeleton-containing compound to cure the silsesquioxane skeleton-containing compound or the curable composition. Examples thereof include radiation such as ultraviolet rays and X-rays, and electron beams. In these, an ultraviolet-ray and an electron beam can be used conveniently. For example, when an electron beam is used as an active energy ray and the curable functional group is a (meth) acryloyloxy group, the silsesquioxane skeleton-containing compound can be cured without a polymerization initiator. When the silsesquioxane skeleton-containing compound is cured, it is desirable to add a polymerization initiator according to the combination of the active energy ray and the curable functional group.

前記硬化性官能基が(メタ)アクリロイルオキシ基である場合、あるいは前記硬化性官能基が(メタ)アクリロイルオキシ基であり、ポリチオール化合物を硬化性組成物に含有させる場合、ラジカル重合開始剤としては、4−フェノキシジクロロアセトフェノン、4−t−ブチル−ジクロロアセトフェノン、4−t−ブチル−トリクロロアセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン、2−ヒドロキシ−2−シクロヘキシルアセトフェノン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、2−ヒドロキシ−2−フェニル−1−フェニルプロパン−1−オン、1−(4−ドデシルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、1−(4−イソプロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、4−(2−ヒドロキシエトキシ)−フェニル−(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ケトン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルホリノプロパン−1などの、アセトフェノン系光ラジカル重合開始剤や、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンジルメチルケタールなどの、ベンゾイン系光ラジカル重合開始剤や、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、ベンゾイル安息香酸メチル、4−フェニルベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノン
、アクリル化ベンゾフェノン、4−ベンゾイル−4'−メチルジフェニルサルファイド、
3,3'−ジメチル−4−メトキシベンゾフェノン、4,4'−ジメチルアミノベンゾフェノン、4,4'−ジエチルアミノベンゾフェノン、3,3',4,4'−テトラ(t−ブチルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノンなどの、ベンゾフェノン系光ラジカル重合開始剤や、チオキサントン、2−クロロチオキサントン、2−メチルチオキサントン、2,4−ジメチルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、2,4−ジイソプロピルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、1−クロロ−4−プロポキシチオキサントン、2,4−ジクロロチオキサントンなどの、チオキサントン系光ラジカル重合開始剤、α−アシロキシムエステル、メチルフェニルグリオキシレート、ベンジル、9,10−フェナンスレンキノン、カンファーキノン、ジベンゾスベロン、2−エチルアントラキノン、4´,4´´−ジエチルイソフタロフェノンなどの、ケトン系光ラジカル重合開始剤や、2,2´−ビス(2−クロロフェニル)−4,4´,5,5´−テトラフェニル−1,2´−イミダゾールなどの、イミダゾール系光ラジカル重合開始剤や、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイドなどのアシルホスフィンオキサイド系光ラジカル重合開始剤や、カルバゾール系光ラジカル重合開始剤や、トリフェニルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、p−(フェニルチオ)フェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4−クロルフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、(2,4−シクロペンタジエン−1−イル)[(1−メチルエチル)ベンゼン]−鉄−ヘキサフルオロホスフェートなどの、ルイス酸のオニウム塩などの光ラジカル重合開始剤が挙げられる。
When the curable functional group is a (meth) acryloyloxy group, or when the curable functional group is a (meth) acryloyloxy group and a polythiol compound is contained in the curable composition, as a radical polymerization initiator, 4-phenoxydichloroacetophenone, 4-t-butyl-dichloroacetophenone, 4-t-butyl-trichloroacetophenone, diethoxyacetophenone, 2-hydroxy-2-cyclohexylacetophenone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropane -1-one, 2-hydroxy-2-phenyl-1-phenylpropan-1-one, 1- (4-dodecylphenyl) -2-hydroxy-2-methylpropan-1-one, 1- (4-isopropyl Phenyl) -2-hydroxy-2-methylpropane-1-o 4- (2-hydroxyethoxy) -phenyl- (2-hydroxy-2-propyl) ketone, 1-hydroxycyclohexyl phenylketone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropane- 1, acetophenone photoradical polymerization initiators, benzoin photoradical polymerization initiators such as benzoin, benzoin methyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzylmethyl ketal, benzophenone, benzoylbenzoic acid, benzoylbenzoic acid Acid methyl, 4-phenylbenzophenone, hydroxybenzophenone, acrylated benzophenone, 4-benzoyl-4′-methyldiphenyl sulfide,
3,3′-dimethyl-4-methoxybenzophenone, 4,4′-dimethylaminobenzophenone, 4,4′-diethylaminobenzophenone, 3,3 ′, 4,4′-tetra (t-butylperoxycarbonyl) benzophenone, etc. Benzophenone photoradical polymerization initiators, thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2,4-diisopropylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 1-chloro Thiopanthone photoradical polymerization initiators such as -4-propoxythioxanthone and 2,4-dichlorothioxanthone, α-acyloxime ester, methylphenylglyoxylate, benzyl, 9,10-phenanthrenequinone, camphor Ketone-based photoradical polymerization initiators such as quinone, dibenzosuberone, 2-ethylanthraquinone, 4 ′, 4 ″ -diethylisophthalophenone, and 2,2′-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ′ , 5,5'-tetraphenyl-1,2'-imidazole, imidazole-based photoradical polymerization initiator, acylphosphine oxide-based photoradical polymerization initiator, such as 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, Carbazole photo radical polymerization initiator, triphenylphosphonium hexafluoroantimonate, triphenylphosphonium hexafluorophosphate, p- (phenylthio) phenyldiphenylsulfonium hexafluoroantimonate, 4-chlorophenyldiphenylsulfonium hexafluoro Phosphate, (2,4-cyclopentadiene-1-yl) [(1-methylethyl) benzene] - Iron - such as hexafluorophosphate, photoradical polymerization initiator such as an onium salt of a Lewis acid.

前記硬化性官能基がエポキシ基である場合や、硬化性官能基がエポキシ基であり、かつビニルエーテル基を有する化合物を硬化性組成物に含有させる場合には、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニル[4−(フェニルチオ)フェニル]スルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等のスルホニウム塩系、またはヨードニウム塩系、ジアゾニウム塩系、アレン−イオン錯体系などの、光カチオン重合開始剤が挙げられる。   When the curable functional group is an epoxy group, or when the curable functional group is an epoxy group and a compound having a vinyl ether group is contained in the curable composition, triphenylsulfonium hexafluoroantimonate, diphenyl Examples include photocationic polymerization initiators such as sulfonium salt systems such as [4- (phenylthio) phenyl] sulfonium hexafluoroantimonate, or iodonium salt systems, diazonium salt systems, and allene-ion complex systems.

これらの重合開始剤は1種単独で、あるいは2種類以上を組み合わせて用いることができ、ヒドロシリル化反応物100質量部に対し、0.01〜10質量部で用いることが好ましい。   These polymerization initiators can be used singly or in combination of two or more, and preferably used in an amount of 0.01 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the hydrosilylation reaction product.

本発明の硬化性組成物においては、前記ヒドロシリル化反応物、前記重合開始剤、前記硬化剤の他に粘度調整剤、分散剤、表面調整剤などの添加剤を加えることができる。その場合には、その合計がヒドロシリル化反応物100質量部に対して、30質量部以下となるようにすることが好ましい。添加剤の量が多すぎると、本発明のヒドロシリル化反応物または硬化性組成物を用いて得られる微細パターンのエッチング性能が劣ってしまうおそれがある。   In the curable composition of the present invention, additives such as a viscosity modifier, a dispersant, and a surface modifier can be added in addition to the hydrosilylation reaction product, the polymerization initiator, and the curing agent. In that case, it is preferable that the total be 30 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the hydrosilylation reaction product. When there is too much quantity of an additive, there exists a possibility that the etching performance of the fine pattern obtained using the hydrosilylation reaction material or curable composition of this invention may be inferior.

また本発明のヒドロシリル化反応物または硬化性組成物には、塗布性向上のため必要に応じて溶媒等を添加することができる。希釈溶媒としては、前記ヒドロシリル化反応時に用いた溶媒をそのまま使用することも出来るし、反応溶媒を減圧下に留去した後、違う溶媒で希釈することも出来る。   In addition, a solvent or the like can be added to the hydrosilylation reaction product or curable composition of the present invention as necessary for improving coating properties. As the diluting solvent, the solvent used in the hydrosilylation reaction can be used as it is, or the reaction solvent can be distilled off under reduced pressure and then diluted with a different solvent.

このような溶媒としては、メチルイソブチルケトンなどのケトン系溶媒、トルエンおよびキシレンなどの芳香族炭化水素溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル系溶媒、2−プロパノール、ブタノールおよびヘキサノールプロピレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等のアルコール系溶媒等を挙げることができる。   Such solvents include ketone solvents such as methyl isobutyl ketone, aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene, ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate, 2-propanol, butanol and Examples include alcohol solvents such as hexanol propylene glycol mono-n-propyl ether and ethylene glycol monoethyl ether.

[転写層の製造方法]
本発明の転写層の製造方法は、凹凸パターンを有する転写層の製造方法であって、上述したヒドロシリル化反応物または硬化性組成物を基板上に塗布してヒドロシリル化反応物または転写材料用硬化性組成物の層(以下「転写材料用硬化性組成物層」とも記す。)を形成する工程(塗布工程)と、該転写材料用硬化性組成物層の表面に、凹凸パターンを有する型を押し付ける工程(転写工程)と、前記型を押し付けた状態で転写材料用硬化性組成物層を硬化させて、転写層を形成する工程(硬化工程)とを含むことを特徴としている。
[Method for producing transfer layer]
The method for producing a transfer layer according to the present invention is a method for producing a transfer layer having a concavo-convex pattern, wherein the above-described hydrosilylation reaction product or curable composition is applied onto a substrate and cured for the hydrosilylation reaction product or transfer material. Forming a layer having a concavo-convex pattern on the surface of the curable composition layer for transfer material, and a step for forming a layer of the transfer composition (hereinafter also referred to as “curable composition layer for transfer material”). It includes a pressing step (transfer step) and a step of curing the curable composition layer for transfer material in a state where the mold is pressed to form a transfer layer (curing step).

以下、各工程について説明する。   Hereinafter, each step will be described.

<塗布工程>
上述したヒドロシリル化反応物または転写材料用硬化性組成物を基板上に塗布する方法に特に制限はなく、例えば、スピンコートやディップコートなどの方法を用いることができる。基板上の転写材料用硬化性組成物層の厚さが均一になる方法を用いることが好ましい。図1(a)は基板上にヒドロシリル化反応物または転写材料用硬化性組成物が塗布さ
れた状態を示している。なお「基板」とは、ガラス板などの基体上に、磁性膜を備えた基板である。前記基体上には、磁性膜に限らず、レジストを介してパターンが形成されるべき層が設けられている。
<Application process>
There is no particular limitation on the method for applying the hydrosilylation reaction product or the curable composition for transfer material on the substrate, and for example, a method such as spin coating or dip coating can be used. It is preferable to use a method in which the thickness of the curable composition layer for transfer material on the substrate is uniform. FIG. 1 (a) shows a state where a hydrosilylation reaction product or a curable composition for transfer material is applied on a substrate. The “substrate” is a substrate provided with a magnetic film on a substrate such as a glass plate. On the substrate, not only a magnetic film but also a layer on which a pattern is to be formed is provided via a resist.

<転写工程および硬化工程>
凹凸パターンは、転写材料用硬化性組成物層の表面に、凹凸パターンを有する型を押し付けること(転写)で形成することができる。転写材料用硬化性組成物層の表面に型を押し付けた状態で、該転写材料用硬化性組成物層を硬化させる。硬化方法としては、転写材料用硬化性組成物層に対する加熱または活性エネルギー線照射により行う方法が挙げられる。また、加熱および活性エネルギー線照射による両硬化方法を組み合わせ、加熱下で活性エネルギー線を照射することもできる。図1(b)および(c)は、基板上に塗布された上記転写材料用硬化性組成物層の表面に型を押し当て、活性エネルギー線照射および/または熱により該転写材料用硬化性組成物層を硬化させる工程の一例を示している。
<Transfer process and curing process>
The concavo-convex pattern can be formed by pressing (transferring) a mold having the concavo-convex pattern onto the surface of the curable composition layer for transfer material. The curable composition layer for transfer material is cured with the mold pressed against the surface of the curable composition layer for transfer material. Examples of the curing method include a method in which the curable composition layer for transfer material is heated or irradiated with active energy rays. Moreover, both the hardening methods by heating and active energy ray irradiation can be combined, and active energy rays can be irradiated under heating. FIGS. 1B and 1C show a curable composition for transfer material by pressing a mold against the surface of the curable composition layer for transfer material applied on a substrate and irradiating with active energy rays and / or heat. An example of the process of hardening a physical layer is shown.

前記型の素材については特に制限はないが、活性エネルギー線が透過する樹脂、ガラスまたは石英製の型を使用することが好ましい。このような型を使用すると、紫外線等の活性エネルギー線が透過しない基板を使用した場合でも、前記活性エネルギー線照射を、前記型の側から前記転写材料用硬化性組成物層に向かって行うことにより、ヒドロシリル化反応物または硬化性組成物を硬化させることができる。基板が活性エネルギー線を透過させる透明基板などである場合には、前記活性エネルギー線照射を、前記透明基板の側から前記転写材料用硬化性組成物層に向かって行うことにより、ヒドロシリル化反応物または硬化性組成物を硬化することができる。   Although there is no restriction | limiting in particular about the raw material of the said type | mold, It is preferable to use the type | mold made from resin, glass, or quartz which an active energy ray permeate | transmits. When such a mold is used, even when a substrate that does not transmit active energy rays such as ultraviolet rays is used, the irradiation of the active energy rays is performed from the mold side toward the curable composition layer for transfer material. Thus, the hydrosilylation reaction product or the curable composition can be cured. In the case where the substrate is a transparent substrate or the like that transmits active energy rays, the active energy ray irradiation is performed from the transparent substrate side toward the curable composition layer for a transfer material, whereby a hydrosilylation reaction product is obtained. Alternatively, the curable composition can be cured.

また、前記型を押し付ける際、あるいはその後の加熱もしくは活性エネルギー線照射をする際の雰囲気に特に制限はないが、硬化した転写層中に気泡が残ることを防ぐために真空とすることが好ましい。また硬化性官能基が、(メタ)アクリロイルオキシ基、アリル基、ビニル基などの炭素−炭素二重結合である場合には、酸素による重合阻害を防ぐため、型の押し付けおよびその後の加熱もしくは活性エネルギー線照射を真空中で行うことが好ましい。   Further, there is no particular limitation on the atmosphere when pressing the mold, or subsequent heating or irradiation with active energy rays, but it is preferably a vacuum in order to prevent bubbles from remaining in the cured transfer layer. When the curable functional group is a carbon-carbon double bond such as a (meth) acryloyloxy group, an allyl group, or a vinyl group, the mold is pressed and then heated or activated to prevent polymerization inhibition by oxygen. It is preferable to perform energy beam irradiation in a vacuum.

<離型工程>
前記転写材料用硬化性組成物層を硬化させて、転写層を形成した後に、前記型を前記転写層から外す。前記型を外した後、パターンの耐熱性や物理強度を向上させるために加熱
することもできる。このとき、加熱の方法に特に制限はないが、形成したパターンが崩れないように前記転写層のガラス転移点以下の温度を保って徐々に昇温する。加熱の上限は、前記転写層の熱分解を防ぐため、250℃とすることが好ましい。
<Mold release process>
After the curable composition layer for transfer material is cured to form a transfer layer, the mold is removed from the transfer layer. After removing the mold, heating can be performed to improve the heat resistance and physical strength of the pattern. At this time, the heating method is not particularly limited, but the temperature is gradually raised while maintaining the temperature below the glass transition point of the transfer layer so that the formed pattern does not collapse. The upper limit of heating is preferably 250 ° C. in order to prevent thermal decomposition of the transfer layer.

上記工程により形成された凹凸パターンを有する転写層は、上述したヒドロシリル化反応物または転写材料用硬化性組成物を硬化させた凹凸パターンを有する転写層であるので、フッ素系ガスと酸素ガスとのエッチング速度の選択性が高い。そのため、該凹凸パターンを有する転写層は、エッチングに用いる酸素ガスに対して耐性が高いのでエッチングの度合いを容易に制御することができ、除去する際に用いられるフッ素系ガスに対しては耐性が低いので容易に除去される。従って、該凹凸パターンを有する転写層は、優れたレジストとなり、半導体や磁気記録媒体をはじめとした幅広い用途に適用可能である。   The transfer layer having the concavo-convex pattern formed by the above process is a transfer layer having the concavo-convex pattern obtained by curing the above-described hydrosilylation reaction product or curable composition for transfer material. High etch rate selectivity. Therefore, the transfer layer having the concavo-convex pattern has high resistance to the oxygen gas used for etching, so the degree of etching can be easily controlled, and the transfer layer having resistance to the fluorine-based gas used for removal. Since it is low, it is easily removed. Therefore, the transfer layer having the concavo-convex pattern becomes an excellent resist and can be applied to a wide range of applications including semiconductors and magnetic recording media.

[インプリント方法]
本発明のインプリント方法は、基体上に磁性膜を備えた基板上に、上述した転写層の製造方法により、凹凸パターンを有する転写層を形成する工程と、前記転写層に形成された凹凸の凹部をエッチングして、前記磁性膜表面を露出させる工程と、前記転写層をマスクとして用いて、前記磁性膜の一部を除去または前記磁性膜の一部を非磁性化する工程を含むことを特徴としている。
[Imprint method]
The imprinting method of the present invention comprises a step of forming a transfer layer having a concavo-convex pattern on a substrate having a magnetic film on a substrate by the above-described transfer layer manufacturing method, and the concavo-convex formed on the transfer layer. Etching a recess to expose the surface of the magnetic film, and using the transfer layer as a mask, removing a part of the magnetic film or demagnetizing a part of the magnetic film. It is a feature.

前記凹凸パターンにおいて、型に刻み込んだ凹凸の線幅寸法(ピッチ)が10μm以下である、すなわち1つの凹部の線幅と1つの凸部の線幅との合計が10μm以下であることが好ましい。   In the concavo-convex pattern, it is preferable that the line width dimension (pitch) of the concavo-convex inscribed in the mold is 10 μm or less, that is, the total of the line width of one concave portion and the line width of one convex portion is 10 μm or less.

凹凸パターンを有する転写層を形成する工程については、上述したとおりである。その後の工程について以下に説明する。   The step of forming the transfer layer having the concavo-convex pattern is as described above. The subsequent steps will be described below.

<底抜き>
前記転写層における凹凸の凹部分を、反応性イオンエッチング(RIE、イオンミリングともいう)によりエッチングし、磁性膜表面の一部を露出させる。図4に、この工程の概略を示す。
<Bottom>
The concave and convex portions of the transfer layer are etched by reactive ion etching (also called RIE or ion milling) to expose a part of the magnetic film surface. FIG. 4 shows an outline of this process.

<磁性膜の露出部除去加工もしくは非磁性化>
反応性イオンエッチングにより露出した磁性膜部分を、アルゴン等を用いてイオンミリングにより除去する、またはイオンビーム照射により非磁性化する。このとき、前記転写層は、イオンミリングおよびイオンビームに耐性を持たなければならない。図5に、この工程の概略を示す。なお、露出した磁性膜部分を非磁性化する方法としては、たとえば特開2007-273067号公報に記載されているような、磁性膜部分に、イオンビーム法などによ
りケイ素、ホウ素、フッ素、リン、タングステン、炭素、インジウム、ゲルマニウム、ビスマス、クリプトン、アルゴンなどの原子を注入し、磁性膜部分を非晶質化する方法が挙げられる。
<Exposed part removal processing or demagnetization of magnetic film>
The magnetic film portion exposed by reactive ion etching is removed by ion milling using argon or the like, or made nonmagnetic by ion beam irradiation. At this time, the transfer layer must be resistant to ion milling and ion beams. FIG. 5 shows an outline of this process. In addition, as a method for demagnetizing the exposed magnetic film portion, for example, as described in JP 2007-273067 A, a magnetic film portion is formed by silicon, boron, fluorine, phosphorus, There is a method in which atoms such as tungsten, carbon, indium, germanium, bismuth, krypton, and argon are implanted to make the magnetic film portion amorphous.

本発明のインプリント方法は、磁気記録媒体に適用することができる。より詳しくは、磁気記録媒体の磁性膜の露出部除去加工、もしくは非磁性化する方法(イオンビーム法)に適用することができる。上述した磁性膜の露出部除去加工もしくは非磁性化の後、前記転写層を除去することにより、磁気記録媒体が得られる。   The imprint method of the present invention can be applied to a magnetic recording medium. More specifically, the present invention can be applied to a method of removing an exposed portion of a magnetic film of a magnetic recording medium or a method of demagnetizing (ion beam method). After the exposed portion removal processing or demagnetization of the magnetic film described above, the magnetic recording medium is obtained by removing the transfer layer.

以上の方法により製造した磁気記録媒体を磁気記録再生装置に組み込むことにより、従来と同等以上の記録再生特性を確保しつつ、記録密度を大幅に増加した磁気記録再生装置を製造することができる。   By incorporating the magnetic recording medium manufactured by the above method into the magnetic recording / reproducing apparatus, it is possible to manufacture a magnetic recording / reproducing apparatus having a greatly increased recording density while ensuring recording / reproducing characteristics equivalent to or higher than those of the conventional one.

以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention in detail, this invention is not limited to these.

[実施例1]
温度計と冷却管とを取り付けた3口フラスコに、オクタキス(ジメチルシリルオキシ)シルセスキオキサン(東亞合成製:Q−2)3.0g(2.94mmol)、メタクリル酸アリル2.86g(22.7mmol)、オクタビニルシルセスキオキサン(アルドリッチ製:PSS−Octavinyl Substitued)0.5597g(0.88mmol)、およびトルエン40mlを加えて、Ar気流下、室温で撹拌した。2%ジビニルテトラメチルジシロキサン白金錯体キシレン溶液(GELEST INC.製)0.0223g(白金金属の重量は原料仕込みの1000ppm)を少しずつ添加した。2時間室温で撹拌した後、未反応のメタクリル酸アリルと溶媒とを減圧で留去し、目的物を得た。原料の合計質量と得られた目的物の質量との差から3割のメタクリル酸アリルが未反応であることがわかった。得られた目的物中の篭状シルセスキオキサン骨格部分の割合は28.7質量%であった。
[Example 1]
To a three-necked flask equipped with a thermometer and a condenser tube, 3.0 g (2.94 mmol) of octakis (dimethylsilyloxy) silsesquioxane (manufactured by Toagosei Co., Ltd .: Q-2), 2.86 g of allyl methacrylate (22 0.7 mmol), 0.5597 g (0.88 mmol) of octavinylsilsesquioxane (manufactured by Aldrich: PSS-Octaviny Substituted), and 40 ml of toluene were added, and the mixture was stirred at room temperature under a stream of Ar. 0.0223 g of a 2% divinyltetramethyldisiloxane platinum complex xylene solution (manufactured by GELEST INC.) (The weight of platinum metal was 1000 ppm of the raw material charged) was added little by little. After stirring at room temperature for 2 hours, unreacted allyl methacrylate and the solvent were distilled off under reduced pressure to obtain the desired product. From the difference between the total mass of the raw materials and the mass of the target product obtained, it was found that 30% of allyl methacrylate was unreacted. The ratio of the cage silsesquioxane skeleton portion in the obtained target product was 28.7% by mass.

得られた目的物をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに、目的物濃度10質量%になるように溶解した。   The obtained target product was dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate so as to have a target product concentration of 10% by mass.

得られた溶液に光ラジカル重合開始剤2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン(Darocure 1173 チバ・スペシャリティ・ケミカルズ(
株)社製)を目的物100質量部に対し、3質量部添加し溶解した後、0.2μmのフィ
ルターでろ過し、得られた硬化性組成物0.5mlをスピンコーター内にセットしたガラス基板上に滴下した。ガラス基板を500rpmで5秒間回転させ、次いで3000rpmで2秒間回転させ、さらに5000rpmで20秒間回転させることによりガラス基板上に薄膜を形成した。窒素気流下、硬化性組成物を塗布したガラス基板に紫外線を照射した。得られた硬化薄膜のCF4ガスと酸素ガスとによる反応性イオンエッチング速度を、
以下に示す方法により測定した。当該測定結果を表1に示す。
The resulting solution was subjected to photo radical polymerization initiator 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one (Darocur 1173 Ciba Specialty Chemicals (
3 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the target product, dissolved, and then filtered through a 0.2 μm filter, and 0.5 ml of the resulting curable composition set in a spin coater It was dripped on the substrate. The glass substrate was rotated at 500 rpm for 5 seconds, then rotated at 3000 rpm for 2 seconds, and further rotated at 5000 rpm for 20 seconds to form a thin film on the glass substrate. Under a nitrogen stream, the glass substrate coated with the curable composition was irradiated with ultraviolet rays. Reactive ion etching rate of CF 4 gas and oxygen gas of the obtained cured thin film
It measured by the method shown below. The measurement results are shown in Table 1.

(エッチング速度測定方法)
硬化した薄膜上にガラス小片を貼り付け、以下の条件の反応性イオンエッチング装置でエッチング処理を実施した。ガラス小片を取り外し、ガラス小片に保護された薄膜部分とエッチングされた薄膜部分との段差を測定し、以下の式によりエッチング速度を算出した。
(Etching rate measurement method)
A small piece of glass was pasted on the cured thin film, and an etching process was performed with a reactive ion etching apparatus under the following conditions. The glass piece was removed, the step between the thin film portion protected by the glass piece and the etched thin film portion was measured, and the etching rate was calculated by the following equation.

エッチング速度(nm/sec)=段差(nm)÷処理時間(sec)
反応性イオンエッチングの条件
(フッ素系ガス)
エッチングガス : 四フッ化炭素
圧力 : 0.5Pa
ガス流量 : 40sccm
プラズマ電圧 : 200W
バイアス電圧 : 20W
処理時間 : 30sec
(酸素ガス)
エッチングガス : 酸素
圧力 : 0.5Pa
ガス流量 : 40sccm
プラズマ電圧 : 200W
バイアス電圧 : 20W
処理時間 : 600sec。
Etching rate (nm / sec) = step difference (nm) ÷ processing time (sec)
Conditions for reactive ion etching (fluorine gas)
Etching gas: Carbon tetrafluoride Pressure: 0.5Pa
Gas flow rate: 40sccm
Plasma voltage: 200W
Bias voltage: 20W
Processing time: 30 sec
(Oxygen gas)
Etching gas: Oxygen Pressure: 0.5Pa
Gas flow rate: 40sccm
Plasma voltage: 200W
Bias voltage: 20W
Processing time: 600 sec.

[実施例2]
温度計と冷却管とを取り付けた3口フラスコに、オクタキス(ジメチルシリルオキシ)シルセスキオキサン(東亞合成製:Q−2)3.0g(2.94mmol)、メタクリル酸アリル2.86g(22.7mmol)、オクタビニルシルセスキオキサン(アルドリッチ製:PSS−Octavinyl Substitued)0.5597g(0.88mmol)、およびトルエン40mlを加えて、Ar気流下、室温で撹拌した。2%ジビニルテトラメチルジシロキサン白金錯体キシレン溶液(GELEST INC.製)0.0223g(白金金属の重量は原料仕込みの1000ppm)を少しずつ添加した。2時間室温で撹拌した後、未反応のメタクリル酸アリルと溶媒とを減圧で留去し、目的物を得た。原料の合計質量と得られた目的物の質量との差から3割のメタクリル酸アリルが未反応であることがわかった。得られた目的物中の篭状シルセスキオキサン骨格部分の割合は28.7質量%であった。
[Example 2]
To a three-necked flask equipped with a thermometer and a condenser tube, 3.0 g (2.94 mmol) of octakis (dimethylsilyloxy) silsesquioxane (manufactured by Toagosei Co., Ltd .: Q-2), 2.86 g of allyl methacrylate (22 0.7 mmol), 0.5597 g (0.88 mmol) of octavinylsilsesquioxane (manufactured by Aldrich: PSS-Octaviny Substituted), and 40 ml of toluene were added, and the mixture was stirred at room temperature under a stream of Ar. 0.0223 g of a 2% divinyltetramethyldisiloxane platinum complex xylene solution (manufactured by GELEST INC.) (The weight of platinum metal was 1000 ppm of the raw material charged) was added little by little. After stirring at room temperature for 2 hours, unreacted allyl methacrylate and the solvent were distilled off under reduced pressure to obtain the desired product. From the difference between the total mass of the raw materials and the mass of the target product obtained, it was found that 30% of allyl methacrylate was unreacted. The ratio of the cage silsesquioxane skeleton portion in the obtained target product was 28.7% by mass.

得られた目的物をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに、目的物濃度5%になるように溶解した。   The obtained target product was dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate so as to have a target product concentration of 5%.

得られた溶液に光ラジカル重合開始剤2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパンー1−オン(Darocure 1173 チバ・スペシャリティ・ケミカルズ(
株)社製)を目的物100質量部に対し、3質量部添加し溶解させた後、0.2μmのフ
ィルターでろ過し、得られた硬化性組成物0.5mlをスピンコーター内にセットしたガラス基板上に滴下した。ガラス基板を500rpmで5秒間回転させ、次いで3000rpmで2秒間回転させ、さらに5000rpmで20秒間回転させることによりガラス基板上に薄膜を形成した。
The resulting solution was subjected to photo radical polymerization initiator 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one (Darocur 1173 Ciba Specialty Chemicals (
3 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the target product was dissolved and then filtered through a 0.2 μm filter, and 0.5 ml of the resulting curable composition was set in a spin coater. It was dripped on the glass substrate. The glass substrate was rotated at 500 rpm for 5 seconds, then rotated at 3000 rpm for 2 seconds, and further rotated at 5000 rpm for 20 seconds to form a thin film on the glass substrate.

次に、前記硬化性組成物膜が形成されたガラス基板(円盤形状である)の硬化性組成物を塗布した面に、図2に示すような、半径方向に沿って凹凸形状がパターニングされた型(石英ガラス製の円板)を、パターニングされた面を下にして載せた。型の載った基板を、UVナノインプリントプレス装置ST200(東芝機械(株)社製)にセットしてプレスした。次に型の載った基板に波長365nm、強度6.5mWの紫外光を照射した。型の載った基板をプレス装置から取り出し、型をはずしてガラス基板上の被膜を観察したところ、パターンの抜けや塗膜のムラなどの塗膜の状態不良は見られなかった。パターンが転写された基板の断面SEM測定結果を図3に示す。また、ガラス基板上の被膜の表面の様子を、Optical Surface Analyzer(OSA)で観察した。結果を図6に示す。   Next, on the surface of the glass substrate (in the shape of a disk) on which the curable composition film was formed, the concavo-convex shape was patterned along the radial direction as shown in FIG. A mold (quartz glass disc) was placed with the patterned side down. The substrate on which the mold was placed was set in a UV nanoimprint press apparatus ST200 (manufactured by Toshiba Machine Co., Ltd.) and pressed. Next, the substrate on which the mold was placed was irradiated with ultraviolet light having a wavelength of 365 nm and an intensity of 6.5 mW. When the substrate on which the mold was placed was taken out of the press device, the mold was removed, and the coating on the glass substrate was observed, no defects in the coating such as missing patterns or uneven coating were observed. FIG. 3 shows a cross-sectional SEM measurement result of the substrate onto which the pattern was transferred. Further, the appearance of the surface of the coating on the glass substrate was observed with an optical surface analyzer (OSA). The results are shown in FIG.

[参考例1]
温度計と冷却管とを取り付けた3口フラスコに、オクタキス(ジメチルシリルオキシ)シルセスキオキサン(東亞合成製:Q−2)1.0g(0.98mmol)、メタクリル酸アリル1.98g(15.7mmol)、およびトルエン30mlを加えて、Ar気流下、室温で撹拌した。2%ジビニルテトラメチルジシロキサン白金錯体キシレン溶液(GELEST INC.製)0.093g(白金金属の重量は原料仕込みの1000ppm)を少しずつ添加した。2時間室温で撹拌した後、未反応のメタクリル酸アリルと溶媒とを減圧で留去し、生成物を得た。得られた生成物中の篭状シルセスキオキサン骨格部分の割合は、20.6質量%であった。
[Reference Example 1]
In a three-necked flask equipped with a thermometer and a condenser tube, 1.0 g (0.98 mmol) of octakis (dimethylsilyloxy) silsesquioxane (manufactured by Toagosei Co., Ltd .: Q-2), 1.98 g of allyl methacrylate (15 0.7 mmol) and 30 ml of toluene were added, and the mixture was stirred at room temperature under an Ar stream. 0.093 g of a 2% divinyltetramethyldisiloxane platinum complex xylene solution (manufactured by GELEST INC.) (The weight of platinum metal was 1000 ppm of the raw material charged) was added little by little. After stirring at room temperature for 2 hours, unreacted allyl methacrylate and the solvent were distilled off under reduced pressure to obtain a product. The ratio of the cage silsesquioxane skeleton portion in the obtained product was 20.6% by mass.

得られた生成物をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに、生成物濃度10質量%になるように溶解した。   The obtained product was dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate to a product concentration of 10% by mass.

得られた溶液に光ラジカル重合開始剤2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン(Darocure 1173 チバ・スペシャリティ・ケミカルズ(
株)社製)を生成物100質量部に対し、3質量部添加し溶解させた後、0.2μmのフ
ィルターでろ過し、得られた硬化性組成物0.5mlをスピンコーター内にセットしたガラス基板上に滴下した。ガラス基板を500rpmで5秒間回転させ、次いで3000rpmで2秒間回転させ、さらに5000rpmで20秒間回転させることによりガラス基板上に薄膜を形成した。窒素気流下、硬化性組成物を塗布したガラス基板に紫外線を照射した。得られた硬化薄膜のCF4ガスと酸素ガスとによる反応性イオンエッチング速度を
実施例1同様にして測定した。当該測定結果を表1に示す。また、実施例2と同様にして、ガラス基板上の被膜の表面の様子を、Optical Surface Analyzer(OSA)で観察した。結果を図7に示す。
The resulting solution was subjected to photo radical polymerization initiator 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one (Darocur 1173 Ciba Specialty Chemicals (
3 parts by mass was added to 100 parts by mass of the product and dissolved, and then filtered through a 0.2 μm filter, and 0.5 ml of the resulting curable composition was set in a spin coater. It was dripped on the glass substrate. The glass substrate was rotated at 500 rpm for 5 seconds, then rotated at 3000 rpm for 2 seconds, and further rotated at 5000 rpm for 20 seconds to form a thin film on the glass substrate. Under a nitrogen stream, the glass substrate coated with the curable composition was irradiated with ultraviolet rays. The reactive ion etching rate by CF 4 gas and oxygen gas of the obtained cured thin film was measured in the same manner as in Example 1. The measurement results are shown in Table 1. Further, in the same manner as in Example 2, the state of the surface of the coating film on the glass substrate was observed with an optical surface analyzer (OSA). The results are shown in FIG.

[実施例1〜2と、参考例1との対比]
実施例1および参考例1における硬化性組成物は共に、酸素ガスによるエッチング速度が遅く、酸素エッチング耐性が高いことがわかった。また、実施例1および参考例1における硬化性組成物は共に、CF4ガスによるエッチング速度が速く、容易にCF4ガスによるエッチングで剥離できることがわかった。特に、加工において重要である酸素エッチング耐性に関して、実施例1における硬化性組成物の方が、参考例1における硬化性組成物に比べて、顕著に酸素エッチング耐性を有していることがわかった。以上より、実施例1における硬化性組成物は、レジスト材料として非常に好適に用いることができることがわかった。
[Comparison between Examples 1 and 2 and Reference Example 1]
Both the curable compositions in Example 1 and Reference Example 1 were found to have a low etching rate with oxygen gas and high oxygen etching resistance. Further, the curable composition in Example 1 and Reference Example 1 together, CF 4 fast etching rate by gas, easily was able to be peeled by etching with CF 4 gas. In particular, with respect to oxygen etching resistance, which is important in processing, it was found that the curable composition in Example 1 was significantly more resistant to oxygen etching than the curable composition in Reference Example 1. . As mentioned above, it turned out that the curable composition in Example 1 can be used very suitably as a resist material.

また、ガラス基板上の被膜の表面の様子を、Optical Surface Analyzer(OSA)で観察したところ、参考例1における硬化性組成物ではUVナノインプリントに用いられる射出成型樹脂スタンパーおよびフィルムスタンパーの微細なムラやパターン以外の微小な凹凸などを転写してしまい、平滑ではなかった(図7参照)。これに対して実施例2における硬化性組成物では射出成型樹脂スタンパーおよびフィルムスタンパーの微細なムラやパターン以外の微小な凹凸などは見られなかった(図6参照)。つまり、実施例2における硬化性組成物を用いることで、UVナノインプリントに用いられる射出成型樹脂スタンパーおよびフィルムスタンパーの微細なムラやパターン以外の微小な凹凸などの転写を抑えることができることが示唆された。   Further, when the appearance of the surface of the coating on the glass substrate was observed with an optical surface analyzer (OSA), the curable composition in Reference Example 1 showed fine unevenness of the injection molded resin stamper and film stamper used for UV nanoimprinting. Small irregularities other than the pattern were transferred, and it was not smooth (see FIG. 7). On the other hand, in the curable composition in Example 2, no fine unevenness of the injection-molded resin stamper and film stamper, and fine irregularities other than the pattern were observed (see FIG. 6). That is, it was suggested that by using the curable composition in Example 2, it is possible to suppress the transfer of fine unevenness and fine irregularities other than the pattern of the injection molded resin stamper and film stamper used for UV nanoimprint. .

[実施例3]
温度計と冷却管とを取り付けた3口フラスコに、オクタキス(ジメチルシリルオキシ)シルセスキオキサン(東亞合成製:Q−2)1.0g(0.98mmol)、アリルグリシジルエーテル0.86g(7.56mmol)、オクタビニルシルセスキオキサン(アルドリッチ製:PSS−Octavinyl Substitued)0.19g(0.29mmol)、およびトルエン10mlを加えて、Ar気流下、室温で撹拌した。2%ジビニルテトラメチルジシロキサン白金錯体キシレン溶液(GELEST INC.製)0.011g(白金金属の重量:2.2×10-4g)を少しずつ添加した。2時間室温で撹拌した後、未反応のアリルグリシジルエーテルと溶媒とを減圧で留去し、目的物を得た。原料の合計質量と得られた目的物の質量との差から3割のアリルグリシジルエーテルが未反応であることがわかった。得られた目的物中の篭状シルセスキオキサン骨格部分の割合は26.0質量%であった。
[Example 3]
To a three-necked flask equipped with a thermometer and a condenser tube, 1.0 g (0.98 mmol) of octakis (dimethylsilyloxy) silsesquioxane (manufactured by Toagosei Co., Ltd .: Q-2), 0.86 g of allyl glycidyl ether (7 .56 mmol), octavinylsilsesquioxane (manufactured by Aldrich: 0.19 g (0.29 mmol) of PSS-Octaviny Substituted), and 10 ml of toluene were added and stirred at room temperature under an Ar stream. 0.011 g (platinum metal weight: 2.2 × 10 −4 g) of 2% divinyltetramethyldisiloxane platinum complex xylene solution (manufactured by GELEST INC.) Was added little by little. After stirring at room temperature for 2 hours, unreacted allyl glycidyl ether and the solvent were distilled off under reduced pressure to obtain the desired product. From the difference between the total mass of the raw materials and the mass of the obtained target product, it was found that 30% of allyl glycidyl ether was unreacted. The ratio of the cage silsesquioxane skeleton part in the obtained target product was 26.0% by mass.

得られた目的物をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに、目的物濃度10質量%になるように溶解した。   The obtained target product was dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate so as to have a target product concentration of 10% by mass.

得られた溶液に光カチオン重合開始剤ジフェニル[4−(フェニルチオ)フェニル]スル
ホニウムヘキサフルオロアンチモネート(CPI−101A サンアアプロ(株)社製)を目的物100質量部に対し、3質量部添加し溶解した後、0.2μmのフィルターでろ過し、得られた硬化性組成物0.5mlをスピンコーター内にセットしたガラス基板上に滴下した。ガラス基板を500rpmで5秒間回転させ、次いで3000rpmで2秒間回転させ、さらに5000rpmで20秒間回転させることによりガラス基板上に薄膜を形成した。窒素気流下、硬化性組成物を塗布したガラス基板に紫外線を照射した。得られた硬化薄膜のCF4ガスと酸素ガスとによる反応性イオンエッチング速度を、以下に示す
方法により測定した。当該測定結果を表1に示す。
3 parts by mass of the photocationic polymerization initiator diphenyl [4- (phenylthio) phenyl] sulfonium hexafluoroantimonate (CPI-101A manufactured by San Aapro Co., Ltd.) is added to 100 parts by mass of the target product and dissolved. Then, the mixture was filtered through a 0.2 μm filter, and 0.5 ml of the obtained curable composition was dropped onto a glass substrate set in a spin coater. The glass substrate was rotated at 500 rpm for 5 seconds, then rotated at 3000 rpm for 2 seconds, and further rotated at 5000 rpm for 20 seconds to form a thin film on the glass substrate. Under a nitrogen stream, the glass substrate coated with the curable composition was irradiated with ultraviolet rays. The reactive ion etching rate by CF 4 gas and oxygen gas of the obtained cured thin film was measured by the method shown below. The measurement results are shown in Table 1.

(エッチング速度測定方法)
硬化した薄膜上にガラス小片を貼り付け、以下の条件の反応性イオンエッチング装置でエッチング処理を実施した。ガラス小片を取り外し、ガラス小片に保護された薄膜部分とエッチングされた薄膜部分との段差を測定し、以下の式によりエッチング速度を算出した。
(Etching rate measurement method)
A small piece of glass was pasted on the cured thin film, and an etching process was performed with a reactive ion etching apparatus under the following conditions. The glass piece was removed, the step between the thin film portion protected by the glass piece and the etched thin film portion was measured, and the etching rate was calculated by the following equation.

エッチング速度(nm/sec)=段差(nm)÷処理時間(sec)
反応性イオンエッチングの条件
(フッ素系ガス)
エッチングガス : 四フッ化炭素
圧力 : 0.5Pa
ガス流量 : 40sccm
プラズマ電圧 : 200W
バイアス電圧 : 20W
処理時間 : 30sec
(酸素ガス)
エッチングガス : 酸素
圧力 : 0.5Pa
ガス流量 : 40sccm
プラズマ電圧 : 200W
バイアス電圧 : 20W
処理時間 : 600sec。
Etching rate (nm / sec) = step difference (nm) ÷ processing time (sec)
Conditions for reactive ion etching (fluorine gas)
Etching gas: Carbon tetrafluoride Pressure: 0.5Pa
Gas flow rate: 40sccm
Plasma voltage: 200W
Bias voltage: 20W
Processing time: 30 sec
(Oxygen gas)
Etching gas: Oxygen Pressure: 0.5Pa
Gas flow rate: 40sccm
Plasma voltage: 200W
Bias voltage: 20W
Processing time: 600 sec.

[実施例4]
温度計と冷却管とを取り付けた3口フラスコに、オクタキス(ジメチルシリルオキシ)シルセスキオキサン(東亞合成製:Q−2)1.0g(0.98mmol)、アリルグリシジルエーテル0.86g(7.56mmol)、オクタビニルシルセスキオキサン(アルドリッチ製:PSS−Octavinyl Substitued)0.19g(0.29mmol)、およびトルエン10mlを加えて、Ar気流下、室温で撹拌した。2%ジビニルテトラメチルジシロキサン白金錯体キシレン溶液(GELEST INC.製)0.011g(白金金属の重量:2.2×10-4g)を少しずつ添加した。2時間室温で撹拌した後、未反応のアリルグリシジルエーテルと溶媒とを減圧で留去し、目的物を得た。原料の合計質量と得られた目的物の質量との差から3割のアリルグリシジルエーテルが未反応であることがわかった。得られた目的物中の篭状シルセスキオキサン骨格部分の割合は26.0質量%であった。
[Example 4]
To a three-necked flask equipped with a thermometer and a condenser tube, 1.0 g (0.98 mmol) of octakis (dimethylsilyloxy) silsesquioxane (manufactured by Toagosei Co., Ltd .: Q-2), 0.86 g of allyl glycidyl ether (7 .56 mmol), octavinylsilsesquioxane (manufactured by Aldrich: 0.19 g (0.29 mmol) of PSS-Octaviny Substituted), and 10 ml of toluene were added and stirred at room temperature under an Ar stream. 0.011 g (platinum metal weight: 2.2 × 10 −4 g) of 2% divinyltetramethyldisiloxane platinum complex xylene solution (manufactured by GELEST INC.) Was added little by little. After stirring at room temperature for 2 hours, unreacted allyl glycidyl ether and the solvent were distilled off under reduced pressure to obtain the desired product. From the difference between the total mass of the raw materials and the mass of the obtained target product, it was found that 30% of allyl glycidyl ether was unreacted. The ratio of the cage silsesquioxane skeleton part in the obtained target product was 26.0% by mass.

得られた目的物をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに、目的物濃度5%になるように溶解した。   The obtained target product was dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate so as to have a target product concentration of 5%.

得られた溶液に光カチオン重合開始剤ジフェニル[4−(フェニルチオ)フェニル]スルホニウムヘキサフルオロアンチモネート(CPI−101A サンアアプロ(株)社製)
を目的物100質量部に対し、3質量部添加し溶解させた後、0.2μmのフィルターでろ過し、得られた硬化性組成物0.5mlをスピンコーター内にセットしたガラス基板上に滴下した。ガラス基板を500rpmで5秒間回転させ、次いで3000rpmで2秒間回転させ、さらに5000rpmで20秒間回転させることによりガラス基板上に薄膜を形成した。
Photocationic polymerization initiator diphenyl [4- (phenylthio) phenyl] sulfonium hexafluoroantimonate (CPI-101A, San Aapro Co., Ltd.) was added to the resulting solution.
3 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the target product, dissolved, filtered through a 0.2 μm filter, and 0.5 ml of the resulting curable composition was dropped on a glass substrate set in a spin coater did. The glass substrate was rotated at 500 rpm for 5 seconds, then rotated at 3000 rpm for 2 seconds, and further rotated at 5000 rpm for 20 seconds to form a thin film on the glass substrate.

次に、前記硬化性組成物膜が形成されたガラス基板(円盤形状である)の硬化性組成物を塗布した面に、図2に示すような、半径方向に沿って凹凸形状がパターニングされた型(石英ガラス製の円板)を、パターニングされた面を下にして載せた。型の載った基板を、UVナノインプリントプレス装置ST200(東芝機械(株)社製)にセットしてプレスした。次に型の載った基板に波長365nm、強度6.5mWの紫外光を照射した。型の載った基板をプレス装置から取り出し、型をはずしてガラス基板上の被膜を観察したところ、パターンの抜けや塗膜のムラなどの塗膜の状態不良は見られなかった。パターンが転写された基板の断面SEM測定結果を図8に示す。また、ガラス基板上の被膜の表面の様子を、Optical Surface Analyzer(OSA)で観察した。結果を図9に示す。   Next, on the surface of the glass substrate (in the shape of a disk) on which the curable composition film was formed, the concavo-convex shape was patterned along the radial direction as shown in FIG. A mold (quartz glass disc) was placed with the patterned side down. The substrate on which the mold was placed was set in a UV nanoimprint press apparatus ST200 (manufactured by Toshiba Machine Co., Ltd.) and pressed. Next, the substrate on which the mold was placed was irradiated with ultraviolet light having a wavelength of 365 nm and an intensity of 6.5 mW. When the substrate on which the mold was placed was taken out of the press device, the mold was removed, and the coating on the glass substrate was observed, no defects in the coating such as missing patterns or uneven coating were observed. FIG. 8 shows a cross-sectional SEM measurement result of the substrate onto which the pattern was transferred. Further, the appearance of the surface of the coating on the glass substrate was observed with an optical surface analyzer (OSA). The results are shown in FIG.

[参考例2]
温度計と冷却管とを取り付けた3口フラスコに、オクタキス(ジメチルシリルオキシ)シルセスキオキサン(東亞合成製:Q−2)1.0g(0.98mmol)、アリルグリシジルエーテル1.79g(15.7mmol)、およびトルエン10mlを加えて、Ar気流下、室温で撹拌した。2%ジビニルテトラメチルジシロキサン白金錯体キシレン溶液(GELEST INC.製)0.011g(白金金属の重量:2.2×10-4)を少しずつ添加した。2時間室温で撹拌した後、未反応のアリルグリシジルエーテルと溶媒とを減圧で留去し、生成物を得た。得られた生成物中の篭状シルセスキオキサン骨格部分の割合は、21.6質量%であった。
[Reference Example 2]
In a three-necked flask equipped with a thermometer and a condenser tube, 1.0 g (0.98 mmol) of octakis (dimethylsilyloxy) silsesquioxane (manufactured by Toagosei Co., Ltd .: Q-2), 1.79 g of allyl glycidyl ether (15 0.7 mmol) and 10 ml of toluene were added, and the mixture was stirred at room temperature under an Ar stream. 0.011 g (weight of platinum metal: 2.2 × 10 −4 ) of 2% divinyltetramethyldisiloxane platinum complex xylene solution (manufactured by GELEST INC.) Was added little by little. After stirring at room temperature for 2 hours, unreacted allyl glycidyl ether and the solvent were distilled off under reduced pressure to obtain a product. The ratio of the cage silsesquioxane skeleton portion in the obtained product was 21.6% by mass.

得られた生成物をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに、生成物濃度10質量%になるように溶解した。   The obtained product was dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate to a product concentration of 10% by mass.

得られた溶液に光カチオン重合開始剤ジフェニル[4−(フェニルチオ)フェニル]スルホニウムヘキサフルオロアンチモネート(CPI−101A サンアアプロ(株) 社
製)を生成物100質量部に対し、3質量部添加し溶解させた後、0.2μmのフィルターでろ過し、得られた硬化性組成物0.5mlをスピンコーター内にセットしたガラス基板上に滴下した。ガラス基板を500rpmで5秒間回転させ、次いで3000rpmで2秒間回転させ、さらに5000rpmで20秒間回転させることによりガラス基板上に薄膜を形成した。窒素気流下、硬化性組成物を塗布したガラス基板に紫外線を照射した。得られた硬化薄膜のCF4ガスと酸素ガスとによる反応性イオンエッチング速度を実施例
3同様にして測定した。当該測定結果を表1に示す。
3 parts by mass of a photocationic polymerization initiator diphenyl [4- (phenylthio) phenyl] sulfonium hexafluoroantimonate (CPI-101A manufactured by San Aapro Co., Ltd.) is added to 100 parts by mass of the resulting solution and dissolved. Then, the mixture was filtered through a 0.2 μm filter, and 0.5 ml of the obtained curable composition was dropped onto a glass substrate set in a spin coater. The glass substrate was rotated at 500 rpm for 5 seconds, then rotated at 3000 rpm for 2 seconds, and further rotated at 5000 rpm for 20 seconds to form a thin film on the glass substrate. Under a nitrogen stream, the glass substrate coated with the curable composition was irradiated with ultraviolet rays. The reactive ion etching rate by CF 4 gas and oxygen gas of the obtained cured thin film was measured in the same manner as in Example 3. The measurement results are shown in Table 1.

また、実施例4と同様にしてガラス基板上の被膜の表面の様子を、Optical Surface Analyzer(OSA)で観察した。結果を図10に示す。   Further, the surface state of the coating film on the glass substrate was observed with an optical surface analyzer (OSA) in the same manner as in Example 4. The results are shown in FIG.

[実施例3〜4と、参考例2との対比]
実施例3および参考例2における硬化性組成物は共に、酸素ガスによるエッチング速度が遅く、酸素エッチング耐性が高いことがわかった。また、実施例3および参考例2における硬化性組成物は共に、CF4ガスによるエッチング速度が速く、容易にCF4ガスによるエッチングで剥離できることがわかった。特に、加工において重要である酸素エッチング耐性に関して、実施例3における硬化性組成物の方が、参考例2における硬化性組成物に比べて、顕著に酸素エッチング耐性を有していることがわかった。以上より、実施例3における硬化性組成物は、レジスト材料として非常に好適に用いることができることがわかった。
[Comparison between Examples 3 to 4 and Reference Example 2]
Both the curable compositions in Example 3 and Reference Example 2 were found to have a low etching rate with oxygen gas and high oxygen etching resistance. Further, the curable composition in Example 3 and Reference Example 2 are both, CF 4 fast etching rate by gas, easily was able to be peeled by etching with CF 4 gas. In particular, with respect to oxygen etching resistance, which is important in processing, it was found that the curable composition in Example 3 was significantly more resistant to oxygen etching than the curable composition in Reference Example 2. . As mentioned above, it turned out that the curable composition in Example 3 can be used very suitably as a resist material.

また、ガラス基板上の被膜の表面の様子を、Optical Surface Analyzer(OSA)で観察したところ、参考例2における硬化性組成物ではUVナノインプリントに用いられる射出成型樹脂スタンパーおよびフィルムスタンパーの微細なムラやパターン以外の微小な凹凸などを転写してしまい、平滑ではなかった(図10参照)。これに対して実施例4における硬化性組成物では射出成型樹脂スタンパーおよびフィルムスタンパーの微細なムラやパターン以外の微小な凹凸などは見られなかった(図9参照)。つまり、実施例4における硬化性組成物を用いることで、UVナノインプリントに用いられる射出成型樹脂スタンパーおよびフィルムスタンパーの微細なムラやパターン以外の微小な凹凸などの転写を抑えることができることが示唆された。   Further, when the appearance of the surface of the coating on the glass substrate was observed with an optical surface analyzer (OSA), the curable composition in Reference Example 2 was found to have fine unevenness in the injection molded resin stamper and film stamper used for UV nanoimprinting. Fine irregularities other than the pattern were transferred, and the surface was not smooth (see FIG. 10). On the other hand, in the curable composition in Example 4, no fine unevenness of the injection-molded resin stamper and film stamper and fine irregularities other than the pattern were observed (see FIG. 9). In other words, it was suggested that by using the curable composition in Example 4, it is possible to suppress the transfer of fine irregularities other than the pattern and fine irregularities of the injection molded resin stamper and film stamper used for UV nanoimprint. .

12 型
14 本発明の転写材料用硬化性組成物からなる塗膜
16 基板
12 type 14 coating film 16 made of curable composition for transfer material of the present invention 16 substrate

Claims (16)

以下の式(1)で表されるSi−H結合含有基を有する篭状シルセスキオキサン化合物(A)と、
硬化性官能基及び該硬化性官能基以外の炭素−炭素不飽和結合含有基を有する化合物(B)と、
以下の式(2)で表される炭素−炭素不飽和結合含有基を有する篭状シルセスキオキサン化合物(C)とを反応させて得られることを特徴とするヒドロシリル化反応物。
(式(1)中、R2およびR3は、それぞれ独立に炭素原子数1〜10の脂肪族炭化水素基
または炭素原子数6〜14の芳香族炭化水素基を表し、Yは、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数1〜10の脂肪族炭化水素基または炭素原子数6〜14の芳香族炭化水素基を表し、8つのYのうち、少なくとも1つは、水素原子である。)
(式(2)中、それぞれ独立にR1は、-OSiR23Z、-OSiR23CH=CH2または-CH=CH2を示し、8つのR1のうち、少なくとも1つは、-OSiR23CH=CH2または-CH=CH2であり、Zは、それぞれ独立に炭素原子数1〜10の脂肪族炭化水
素基または炭素原子数6〜14の芳香族炭化水素基を表し、R2およびR3はそれぞれ独立に炭素原子数1〜10の脂肪族炭化水素基または炭素原子数6〜14の芳香族炭化水素基を表す。)
A cage silsesquioxane compound (A) having a Si-H bond-containing group represented by the following formula (1);
A compound (B) having a curable functional group and a carbon-carbon unsaturated bond-containing group other than the curable functional group;
A hydrosilylation reaction product obtained by reacting a caged silsesquioxane compound (C) having a carbon-carbon unsaturated bond-containing group represented by the following formula (2):
(In formula (1), R 2 and R 3 each independently represent an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms, and Y represents independently Represents a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms, and at least one of the eight Ys is a hydrogen atom.)
(In formula (2), each R 1 independently represents —OSiR 2 R 3 Z, —OSiR 2 R 3 CH═CH 2 or —CH═CH 2 , and at least one of the eight R 1 is , —OSiR 2 R 3 CH═CH 2 or —CH═CH 2 , wherein Z is independently an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms. R 2 and R 3 each independently represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms.)
以下の(x)に示す篭状シルセスキオキサン骨格部分の割合が、15〜45質量%の範囲にあることを特徴とする請求項1に記載のヒドロシリル化反応物。
2. The hydrosilylation reaction product according to claim 1, wherein the ratio of the cage silsesquioxane skeleton shown in the following (x) is in the range of 15 to 45 mass%.
前記化合物(B)が有する硬化性官能基が、活性エネルギー線硬化性官能基である請求
項1または2に記載のヒドロシリル化反応物。
The hydrosilylation reaction product according to claim 1 or 2, wherein the curable functional group of the compound (B) is an active energy ray-curable functional group.
前記活性エネルギー線硬化性官能基が、(メタ)アクリロイルオキシ基またはエポキシ基である請求項3に記載のヒドロシリル化反応物。   The hydrosilylation reaction product according to claim 3, wherein the active energy ray-curable functional group is a (meth) acryloyloxy group or an epoxy group. 前記化合物(B)が、以下に示す化合物(a)、化合物(b)および化合物(c)からなる群より選ばれる少なくとも1種である請求項1または2に記載のヒドロシリル化反応物;
(上記化合物(a)〜(c)において、R4−は下記(i)〜(iv)式のいずれかで表される基であり、R5は水素原子またはメチル基である。)
(上記(i)式中、R6は水素原子またはメチル基であり、上記(ii)式中、R7は水素原
子またはメチル基であり、上記(iii)式中、R8は水素原子またはメチル基であり、R9
は炭素原子数が2〜8のアルキレン基である)。
The hydrosilylation reaction product according to claim 1 or 2, wherein the compound (B) is at least one selected from the group consisting of the following compound (a), compound (b) and compound (c);
(In the above compounds (a) to (c), R 4 — is a group represented by any of the following formulas (i) to (iv), and R 5 is a hydrogen atom or a methyl group.)
(In the formula (i), R 6 is a hydrogen atom or a methyl group. In the formula (ii), R 7 is a hydrogen atom or a methyl group. In the formula (iii), R 8 is a hydrogen atom or a methyl group. A methyl group, R 9
Is an alkylene group having 2 to 8 carbon atoms).
請求項1〜5のいずれか一に記載のヒドロシリル化反応物と、重合開始剤または硬化剤とを含む転写材料用硬化性組成物。   A curable composition for transfer materials, comprising the hydrosilylation reaction product according to claim 1 and a polymerization initiator or a curing agent. 請求項1〜5のいずれか一に記載のヒドロシリル化反応物が有する硬化性官能基がエポキシ基であり、前記硬化剤が酸無水物である請求項6に記載の転写材料用硬化性組成物。   The curable composition for transfer materials according to claim 6, wherein the curable functional group of the hydrosilylation reaction product according to claim 1 is an epoxy group, and the curing agent is an acid anhydride. . さらにポリチオール化合物を含み、請求項1〜5のいずれか一に記載のヒドロシリル化反応物が有する硬化性官能基が(メタ)アクリロイルオキシ基である請求項6に記載の転写材料用硬化性組成物。   The curable composition for transfer materials according to claim 6, further comprising a polythiol compound, wherein the curable functional group of the hydrosilylation reaction product according to any one of claims 1 to 5 is a (meth) acryloyloxy group. . さらにビニルエーテル基を有する化合物を含み、請求項1〜5のいずれか一に記載のヒドロシリル化反応物が有する硬化性官能基がエポキシ基である請求項6に記載の転写材料用硬化性組成物。   The curable composition for transfer materials according to claim 6, further comprising a compound having a vinyl ether group, wherein the curable functional group of the hydrosilylation reaction product according to claim 1 is an epoxy group. 請求項1に記載のヒドロシリル化反応物の製造方法であって、
以下の式(1)で表されるSi−H結合含有基を有する篭状シルセスキオキサン化合物(A)と、
硬化性官能基及び該硬化性官能基以外の炭素−炭素不飽和結合含有基を有する化合物(B)と、
以下の式(2)で表される炭素−炭素不飽和結合含有基を有する篭状シルセスキオキサン化合物(C)とを混合して、ヒドロシリル化反応させる工程を含むことを特徴とするヒドロシリル化反応物の製造方法。
(式(1)中、R2およびR3は、それぞれ独立に炭素原子数1〜10の脂肪族炭化水素基
または炭素原子数6〜14の芳香族炭化水素基を表し、Yは、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数1〜10の脂肪族炭化水素基または炭素原子数6〜14の芳香族炭化水素基を表し、8つのYのうち、少なくとも1つは、水素原子である。)
(式(2)中、それぞれ独立にR1は、-OSiR23Z、-OSiR23CH=CH2または-CH=CH2を示し、8つのR1のうち、少なくとも1つは、-OSiR23CH=CH2または-CH=CH2であり、Zは、それぞれ独立に炭素原子数1〜10の脂肪族炭化水
素基または炭素原子数6〜14の芳香族炭化水素基を表し、R2およびR3はそれぞれ独立に炭素原子数1〜10の脂肪族炭化水素基または炭素原子数6〜14の芳香族炭化水素基を表す。)
A method for producing a hydrosilylation reaction product according to claim 1,
A cage silsesquioxane compound (A) having a Si-H bond-containing group represented by the following formula (1);
A compound (B) having a curable functional group and a carbon-carbon unsaturated bond-containing group other than the curable functional group;
Hydrosilylation characterized by including the process of mixing with the cage silsesquioxane compound (C) which has a carbon-carbon unsaturated bond containing group represented by the following formula | equation (2), and carrying out a hydrosilylation reaction, A method for producing a reactant.
(In formula (1), R 2 and R 3 each independently represent an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms, and Y represents independently Represents a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms, and at least one of the eight Ys is a hydrogen atom.)
(In formula (2), each R 1 independently represents —OSiR 2 R 3 Z, —OSiR 2 R 3 CH═CH 2 or —CH═CH 2 , and at least one of the eight R 1 is , —OSiR 2 R 3 CH═CH 2 or —CH═CH 2 , wherein Z is independently an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms. R 2 and R 3 each independently represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms.)
前記化合物(A)が有するSi−H結合の平均モル数をAとし、前記化合物(B)および前記化合物(C)が有する炭素−炭素不飽和結合の平均モル数を順にBおよびCとした場合、
A/(B+C)が1/1〜1/10の範囲にあり、かつB/Cが1〜79の範囲にある請求項10に記載のヒドロシリル化反応物の製造方法。
When the average number of moles of Si-H bonds of the compound (A) is A, and the average number of moles of carbon-carbon unsaturated bonds of the compound (B) and the compound (C) is B and C in this order ,
The method for producing a hydrosilylation reaction product according to claim 10, wherein A / (B + C) is in the range of 1/1 to 1/10 and B / C is in the range of 1 to 79.
凹凸パターンを有する転写層の製造方法であって、
請求項1〜5のいずれか一に記載のヒドロシリル化反応物または請求項6〜9のいずれか一に記載の転写材料用硬化性組成物を基板上に塗布して転写材料用硬化性組成物層を形成する工程と、
該転写材料用硬化性組成物層の表面に、凹凸パターンを有する型を押し付ける工程と、
前記型を押し付けた状態で転写材料用硬化性組成物層を硬化させて、転写層を形成する工程とを含むことを特徴とする転写層の製造方法。
A method for producing a transfer layer having a concavo-convex pattern,
The curable composition for transfer materials by applying the hydrosilylation reaction product according to any one of claims 1 to 5 or the curable composition for transfer materials according to any one of claims 6 to 9 onto a substrate. Forming a layer;
A step of pressing a mold having a concavo-convex pattern onto the surface of the curable composition layer for transfer material;
And a step of curing the curable composition layer for a transfer material in a state where the mold is pressed to form a transfer layer.
前記転写材料用硬化性組成物層を硬化する工程を、転写材料用硬化性組成物層に対する加熱および/または活性エネルギー線照射により行うことを特徴とする請求項12に記載
の転写層の製造方法。
13. The method for producing a transfer layer according to claim 12, wherein the step of curing the curable composition layer for transfer material is performed by heating and / or irradiation with active energy rays to the curable composition layer for transfer material. .
基体上に磁性膜を備えた基板上に、請求項12または13に記載の転写層の製造方法に
より、凹凸パターンを有する転写層を形成する工程と、
前記転写層に形成された凹凸の凹部をエッチングして、前記磁性膜表面の一部を露出させる工程と、
前記転写層をマスクとして用いて、前記磁性膜の露出部を除去または前記磁性膜の露出部を非磁性化する工程とを、この順序で含むことを特徴とするインプリント方法。
Forming a transfer layer having a concavo-convex pattern on a substrate provided with a magnetic film on a substrate by the transfer layer manufacturing method according to claim 12 or 13,
Etching the concave and convex recesses formed in the transfer layer to expose a part of the surface of the magnetic film;
A step of removing the exposed portion of the magnetic film or demagnetizing the exposed portion of the magnetic film in this order using the transfer layer as a mask.
請求項14に記載のインプリント方法で得られる磁気記録媒体。   A magnetic recording medium obtained by the imprint method according to claim 14. 請求項15に記載の磁気記録媒体を備えた磁気記録再生装置。   A magnetic recording / reproducing apparatus comprising the magnetic recording medium according to claim 15.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010254814A (en) * 2009-04-24 2010-11-11 Chisso Corp Organosilicon compound and thermosetting resin composition containing the same
WO2012039322A1 (en) * 2010-09-22 2012-03-29 株式会社カネカ Modified product of polyhedral structure polysiloxane, polyhedral structure polysiloxane composition, cured product, and optical semiconductor device
US9035009B2 (en) 2007-04-17 2015-05-19 Kaneka Corporation Polyhedral polysiloxane modified product and composition using the modified product
KR20170053132A (en) * 2015-11-05 2017-05-15 다우 코닝 코포레이션 Branched polyorganosiloxanes and related curable compositions, methods, uses and devices
US9688851B2 (en) 2010-05-28 2017-06-27 Kaneka Corporation Polysiloxane composition, hardened material and optical device
CN112739787A (en) * 2018-09-13 2021-04-30 迈图高新材料有限责任公司 Functional polysiloxanes

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9422405B2 (en) 2007-04-17 2016-08-23 Kaneka Corporation Polyhedral polysiloxane modified product and composition using the modified product
US9035009B2 (en) 2007-04-17 2015-05-19 Kaneka Corporation Polyhedral polysiloxane modified product and composition using the modified product
US9416231B2 (en) 2007-04-17 2016-08-16 Kaneka Corporation Polyhedral polysiloxane modified product and composition using the modified product
JP2010254814A (en) * 2009-04-24 2010-11-11 Chisso Corp Organosilicon compound and thermosetting resin composition containing the same
US9822248B2 (en) 2010-05-28 2017-11-21 Kaneka Corporation Polysiloxane composition, hardened material and optical device
US9688851B2 (en) 2010-05-28 2017-06-27 Kaneka Corporation Polysiloxane composition, hardened material and optical device
US9698320B2 (en) 2010-09-22 2017-07-04 Kaneka Corporation Modified product of polyhedral structure polysiloxane, polyhedral structure polysiloxane composition, cured product, and optical semiconductor device
WO2012039322A1 (en) * 2010-09-22 2012-03-29 株式会社カネカ Modified product of polyhedral structure polysiloxane, polyhedral structure polysiloxane composition, cured product, and optical semiconductor device
KR20170053132A (en) * 2015-11-05 2017-05-15 다우 코닝 코포레이션 Branched polyorganosiloxanes and related curable compositions, methods, uses and devices
JP2017088853A (en) * 2015-11-05 2017-05-25 ダウ コーニング コーポレーションDow Corning Corporation Branched polyorganosiloxanes and related curable compositions, methods, uses, and devices
KR102642599B1 (en) 2015-11-05 2024-03-05 다우 실리콘즈 코포레이션 Branched polyorganosiloxanes and related curable compositions, methods, uses and devices
CN112739787A (en) * 2018-09-13 2021-04-30 迈图高新材料有限责任公司 Functional polysiloxanes
CN112739787B (en) * 2018-09-13 2023-07-25 迈图高新材料有限责任公司 Functional polysiloxanes

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