JP2010028632A - Amplifier - Google Patents

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Tomosaburo Goto
友三郎 後藤
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an amplifier which saves energy by preventing efficiency reduction during low output. <P>SOLUTION: The amplifier includes: a distributor 46 for distributing an input signal to a plurality of distribution signals and outputting them; at least two amplifying elements 41 to 44 for inputting the distribution signals, amplifying the signals with predetermined amplification factors and outputting the amplified signals, respectively; and a combiner 47 for receiving input of the respective outputs and combining the inputs into one output signal to obtain a predetermined signal power. Each of the amplifying elements includes an operation ON/OFF control terminal 49, wherein an operation ON/OFF control signal is generated so as to correspond to the amount of a distortion component that is generated in an amplification process of the amplifying element and by adjusting the number of amplifying elements to be operated, efficiency reduction while the predetermined power is small is suppressed. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、増幅器の効率に関し、特に増幅素子を多段構成とした回路の制御に供して好適な増幅器に関する。   The present invention relates to the efficiency of an amplifier, and more particularly to an amplifier suitable for use in controlling a circuit having a multi-stage amplifier element.

携帯電話システムの基地局装置に備わる増幅器は、入力信号がマルチキャリアの広帯域信号なので、キャリアの出現数が少なくなる時または多くなる時があり、マルチキャリアの合成入力信号のレベルは、ネットワークの回線使用状況に応じて変化する。即ち、チャネルアクセスが少ないと、合成信号のレベルも小さくなり、チャネルアクセスが多いと、合成入力信号のレベルも大きくなる。更に、一つのキャリアに注目しても、エリアで必要な電力量が、それに見合う電力に、他の装置によって電力制御されるので、随時、入力される信号の電力量は、小から大へ、あるいは大から小への変化が生じている。   Since the input signal is a multi-carrier wideband signal, the amplifier provided in the base station apparatus of the cellular phone system may have a small or large number of appearances of the carrier, and the level of the multi-carrier combined input signal is the network line. It changes according to the usage situation. That is, when the channel access is small, the level of the combined signal is reduced, and when the channel access is large, the level of the combined input signal is increased. Furthermore, even if attention is paid to one carrier, the amount of power required in the area is controlled by other devices to match the amount of power, so that the power amount of the input signal is changed from small to large at any time. Or there is a change from large to small.

そのような、広帯域、かつ、レベル変化の大きい入力信号を高増幅し、低歪み、高出力とする増幅回路方式として、図10に示すフィードフォワード歪補償方式がある。   As such an amplifying circuit system that amplifies an input signal having a wide bandwidth and a large level change so as to have high distortion, low distortion, and high output, there is a feedforward distortion compensation system shown in FIG.

この増幅回路方式では、入力信号(波形1)をカプラAで分配し、主増幅器4(増幅器を指す。)を備えたルートAの回路にて規定出力まで増幅する。増幅した信号には波形2に示すように歪成分が発生している。カプラAで分配されたもう一方の入力信号は、遅延線5を通りカプラBへ波形3が出力される。カプラBでは、ルートAの信号(波形2)とルートBの信号(波形3)の入力信号が同振幅逆位相となるように合成され、ルートDへ歪成分(波形4)を出力する。ルートDの回路では、前記波形2から抽出された歪成分(波形4)が入力され、更に、前記波形2である主信号の歪成分と同振幅逆位相になるように歪成分(波形4)をベクトル調整器7と誤差増幅器8とを制御し、波形5のような信号を得る。ルートCの遅延ユニット9にて遅延された主信号(波形2)と歪成分の信号である波形5とがカプラCにて合成され(波形6)、主信号の歪成分は除去され、波形7で示される高出力かつ低歪の出力信号を実現している。   In this amplification circuit system, an input signal (waveform 1) is distributed by a coupler A, and is amplified to a specified output by a circuit of a route A including a main amplifier 4 (referring to an amplifier). A distortion component is generated in the amplified signal as shown by waveform 2. The other input signal distributed by the coupler A passes through the delay line 5 and the waveform 3 is output to the coupler B. The coupler B combines the input signals of the route A signal (waveform 2) and the route B signal (waveform 3) so as to have the same amplitude and opposite phase, and outputs a distortion component (waveform 4) to the route D. In the circuit of route D, the distortion component (waveform 4) extracted from the waveform 2 is input, and further, the distortion component (waveform 4) has the same amplitude and opposite phase as the distortion component of the main signal that is the waveform 2. The vector adjuster 7 and the error amplifier 8 are controlled to obtain a signal like the waveform 5. The main signal (waveform 2) delayed by the delay unit 9 of the route C and the waveform 5 which is the distortion component signal are synthesized by the coupler C (waveform 6), and the distortion component of the main signal is removed, and the waveform 7 The output signal with high output and low distortion shown in

主増幅器4は、図11に示すように、広帯域、かつ、レベル変化の大きい入力信号を高増幅して高出力信号とするために、複数個の増幅素子(例えば、FET;Field Effect Transistor;電界効果トランジスタ)による並列回路の構成とし、これらの出力を合成して出力信号としている。   As shown in FIG. 11, the main amplifier 4 has a plurality of amplifying elements (for example, FET; Field Effect Transistor; electric field) in order to amplify an input signal having a wide band and a large level change to a high output signal. A parallel circuit is formed by effect transistors), and these outputs are combined into an output signal.

FET−1からFET−Nのように複数個のFETを使用すると、1個あたりの出力が低く設定できるので、出力に含む歪成分のスペックを満足しながら、合成により、高い出力が可能になる。   When a plurality of FETs such as FET-1 to FET-N are used, the output per one can be set low, so that high output can be achieved by synthesis while satisfying the specifications of the distortion component included in the output. .

このように複数個のFETを常時全数稼働状態で動作させている従来の増幅器では、広帯域、高入力での高出力が可能になるが、一方で、低入力での低出力時にも各FETで電力消費を有し、増幅器全体の消費電力が出力の割に多くなり、効率が落ちるというデメリットもある。   In this way, the conventional amplifier in which a plurality of FETs are always operated in a fully operating state enables high output with a wide bandwidth and high input, but on the other hand, each FET even at low output with low input. There is also a demerit that the power consumption of the amplifier is large for the output and the efficiency is reduced.

例えば、最大出力がA(W)、Idle電流(待機電力)がB(A)の単体FETをN個合成する増幅器では、最大で、A(W/個)×N(個)=AN(W)となり、N倍の出力が可能だが、一方で待機電力も、B(A/個)×N(個)=BN(A)となりN倍になる。   For example, in an amplifier that synthesizes N single FETs having a maximum output of A (W) and an idle current (standby power) of B (A), A (W / piece) × N (pieces) = AN (W ) And N times output is possible, but the standby power is also N times as B (A / piece) × N (pieces) = BN (A).

ところが、最大出力AN(W)以下の動作においても、待機電力は、BN(A)となり、効率が低下する。   However, even in an operation below the maximum output AN (W), the standby power becomes BN (A), and the efficiency decreases.

本発明の先行技術として、増幅器をスリープモードにして、無駄な消費電力を発生させないようにする増幅装置の提案がある。(例えば、特許文献1参照)
特開2006−222828号公報(図1)
As a prior art of the present invention, there is a proposal of an amplifying apparatus that puts an amplifier into a sleep mode so as not to generate unnecessary power consumption. (For example, see Patent Document 1)
JP 2006-222828 A (FIG. 1)

図11の従来技術では、高出力時も低出力時も、同じIdle電流(待機電力)BN(A)
が消費される。低出力時での効率低下が問題であり、FETの稼働数、発生歪、出力、効率の適正値で動作させる増幅器とすることが課題である。
In the prior art of FIG. 11, the same Idle current (standby power) BN (A) at high output and low output
Is consumed. The reduction in efficiency at the time of low output is a problem, and it is a problem to provide an amplifier that operates with appropriate values of the number of operating FETs, generated distortion, output, and efficiency.

本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決し、低出力時での効率低下を防ぎ、省エネルギーとした増幅器を提供することである。   An object of the present invention is to provide an amplifier that solves the above-described problems of the prior art, prevents a reduction in efficiency at low output, and saves energy.

この目的を達成するために、本発明の増幅器は、入力信号を複数の分配信号に分配して出力とする分配器と、前記分配信号を入力とし、所定の増幅度で増幅し、それぞれの出力とする少なくとも2個の増幅素子と、前記それぞれの出力を入力とし、該入力を合成して1つの出力信号にし、所定の信号電力を得る合成器と、前記増幅素子の増幅過程で発生する歪成分量に対応して前記増幅素子のON/OFFを制御する信号を生成する制御部と、を備えたことを特徴とする。   In order to achieve this object, an amplifier according to the present invention distributes an input signal to a plurality of distribution signals and outputs them, and receives the distribution signals as input, amplifies them at a predetermined amplification degree, and outputs each of them. And at least two amplifying elements, a synthesizer that takes the respective outputs as inputs, synthesizes the inputs into one output signal, and obtains a predetermined signal power, and distortion that occurs during the amplification process of the amplifying elements And a control unit that generates a signal for controlling ON / OFF of the amplifying element corresponding to the component amount.

本発明によれば、最大出力がA(W)、Idle電流がB(A)の単体FETをN個合成する増幅器において、装置の出力が十分に低い場合には、該増幅器の増幅度は、例えば、FETを1個分の稼働で賄え、残りを稼働停止させることができるので、増幅器の消費電力はB(A)、即ち、1/Nに減らすことができる。このように、低出力時における消費電力を抑えた省エネルギーの増幅器が可能となる。   According to the present invention, in an amplifier that synthesizes N single FETs having a maximum output of A (W) and an Idle current of B (A), when the output of the device is sufficiently low, the amplification factor of the amplifier is For example, since the FET can be covered by one operation and the rest can be stopped, the power consumption of the amplifier can be reduced to B (A), that is, 1 / N. In this way, an energy saving amplifier with reduced power consumption at the time of low output becomes possible.

図1に、本発明の一実施形態である主増幅器のブロック図を示し、その構成について説明する。   FIG. 1 shows a block diagram of a main amplifier according to an embodiment of the present invention, and the configuration thereof will be described.

主増幅器40は次の構成により成り立つ。端子45より入力された入力信号は、分配器46へ供給され、ここでN分配された出力は、それぞれ増幅素子であるFET−1(41)、FET−2(42)、FET−3(43)、および、FET−N(44)へ供給され、所定の増幅度によって信号増幅される。   The main amplifier 40 has the following configuration. The input signal input from the terminal 45 is supplied to the distributor 46, and the N-distributed outputs here are FET-1 (41), FET-2 (42), and FET-3 (43) which are amplification elements, respectively. ) And FET-N (44), and the signal is amplified by a predetermined amplification degree.

FET−1(41)〜FET−N(44)それぞれの出力は、合成器47に入力されて、1つの信号に電力合成される。合成器47にて電力合成された出力信号である増幅信号aは端子48より出力される。   The outputs of the FET-1 (41) to the FET-N (44) are input to the combiner 47, and power is combined into one signal. An amplified signal a, which is an output signal obtained by combining the power in the combiner 47, is output from the terminal 48.

FET−1(41)〜FET−N(44)それぞれには、ゲート端子を有し、ON/OFFの制御信号が入力されることによって、FET単体に対して、稼働/非稼働の制御が行われる。   Each of FET-1 (41) to FET-N (44) has a gate terminal, and an ON / OFF control signal is input to control operation / non-operation of the FET alone. Is called.

端子49に制御信号であるFET・ON/OFF信号cが入力され、FET−1(41)〜FET−N(44)のゲート端子毎に供給し、FET単体毎の稼働/非稼働の制御が行われる。   The FET ON / OFF signal c, which is a control signal, is input to the terminal 49 and supplied to each gate terminal of the FET-1 (41) to FET-N (44), and the operation / non-operation control for each FET alone is controlled. Done.

図2に、本発明のFET増幅素子単体の出力信号スペクトラム図例を示し、その性質について説明する。   FIG. 2 shows an example of an output signal spectrum diagram of a single FET amplifying element of the present invention, and its properties will be described.

図2(イ)の出力信号スペクトラム図例は、キャリアの出現数が少なくなる時、即ち、FETが低い出力での動作であり、示されているスペクトラム(例示;キャリア1本)が本来の信号成分であり、示されていないが、歪成分スペクトラムが小さい、または、極小である。低出力であるにかかわらず、所定のIdle電流が流されるので、FETの電力効率が悪い。   The example of the output signal spectrum diagram of FIG. 2 (a) is an operation when the number of appearances of carriers decreases, that is, the FET is at a low output, and the spectrum shown (example: one carrier) is the original signal. Although it is a component and is not shown, the distortion component spectrum is small or minimal. Even if the output is low, a predetermined Idle current flows, so that the power efficiency of the FET is poor.

図2(ロ)の出力信号スペクトラム図例は、キャリアの出現数が多くなくなる時、即ち、FETが高出力での動作であり、高電力増幅に伴い、本来の信号成分スペクトラム(例示;キャリア4本)の両脇に歪成分のスペクトラムが発生している。この歪み成分は無視できない成分であり、歪補償回路のベクトルキャンセル動作によって削減される(詳細は、図4を参照して後述する)。この時も、低出力時と同様の所定のIdle電流が流れる。高出力であるので、FETの電力効率は良い。   The example of the output signal spectrum diagram of FIG. 2 (b) is when the number of appearances of carriers ceases, that is, the FET operates at a high output, and with the high power amplification, the original signal component spectrum (example: carrier 4). There is a spectrum of distortion components on both sides of the book. This distortion component is a component that cannot be ignored and is reduced by the vector cancellation operation of the distortion compensation circuit (details will be described later with reference to FIG. 4). Also at this time, a predetermined Idle current similar to that at the time of low output flows. Since the output is high, the power efficiency of the FET is good.

図3に、本発明のFET増幅素子単体の特性図例を示し、その特性について説明する。   FIG. 3 shows an example of a characteristic diagram of a single FET amplifying element of the present invention, and the characteristic will be described.

白四角形の測定点で結ばれた特性カーブは、出力値(dBm)に対する効率(%)の変化を示し、黒四角形の測定点で結ばれた特性カーブは、出力値(dBm)に対する歪み量(dBc)の変化を示す。   The characteristic curve connected at the white square measurement points shows a change in the efficiency (%) with respect to the output value (dBm), and the characteristic curve connected at the black square measurement points shows the distortion amount with respect to the output value (dBm) ( The change in dBc) is shown.

歪スペック値は、−40dBcであり、この−40dBcの線と歪特性カーブの交点であるk点によって、使用可能最大出力(約46dBm)が求められる。   The distortion specification value is −40 dBc, and the maximum usable output (about 46 dBm) is obtained by the k point that is the intersection of the −40 dBc line and the distortion characteristic curve.

次に、使用可能最大出力(約46dBm)の線と効率特性カーブの交点であるp点によって、約37%の効率であることが分かる。k点、p点によって求められた各値が、使用可能最大電力、最良効率、歪補償可能となる動作条件を示している。   Next, it can be seen that the efficiency is about 37% by the point p which is the intersection of the line of the maximum usable output (about 46 dBm) and the efficiency characteristic curve. Each value obtained by the k point and the p point indicates an operating condition in which the maximum usable power, the best efficiency, and the distortion can be compensated.

この効率特性カーブは出力と比例関係にあるので、出力が低下するに従い、効率も悪くなることを示している。   Since this efficiency characteristic curve is proportional to the output, it indicates that the efficiency decreases as the output decreases.

即ち、FET単体は、歪成分の上限値を超えない範囲で使用する必要があるため、歪成分のスペックを満足する最大出力で使用するのが理想的である。これであれば、歪成分を満足(歪補償可能)し、かつ、効率は良い。   That is, since the FET alone needs to be used within a range that does not exceed the upper limit value of the distortion component, it is ideal to use the FET with the maximum output satisfying the specification of the distortion component. In this case, the distortion component is satisfied (distortion compensation is possible), and the efficiency is good.

しかしながら、入力信号レベルが変化するので、増幅した結果として、低出力〜高出力の状態が存在し、FET単体においても、効率が低効率〜高効率の状態が存在する。本発明を適用すれば、以下に説明するFET稼働数制御により合成出力が低出力時の効率改善となる。   However, since the input signal level changes, as a result of amplification, there is a state of low output to high output, and even a single FET has a state of low efficiency to high efficiency. If the present invention is applied, the efficiency is improved when the combined output is low by the FET operation number control described below.

以上、FET増幅素子単体の特性図例を示し説明したが、この特性については、主増幅器および増幅器全体(装置)としても同様な特性として説明できる。   Although the characteristic diagram example of the FET amplifying element alone has been described above, this characteristic can be explained as the same characteristic for the main amplifier and the entire amplifier (device).

なお、装置としての歪み量は(-63dBc)未満である必要がある。誤差増幅器回路による歪補償量が30dBであるので、主増幅器回路で許容される歪み量は、前記値の差である(-33dBc)以下である必要があり、例として、主増幅器回路の出力歪み量が(-31dBc)であったときに、これに歪補償量が30dBが加わり、(-61dBc)となる。これでは、装置として、規格外れを起こす結果となる。   In addition, the distortion amount as an apparatus needs to be less than (−63 dBc). Since the amount of distortion compensation by the error amplifier circuit is 30 dB, the amount of distortion allowed in the main amplifier circuit needs to be equal to or less than (−33 dBc), which is the difference between the values. For example, the output distortion of the main amplifier circuit When the amount is (−31 dBc), a distortion compensation amount of 30 dB is added to the amount to be (−61 dBc). As a result, the device becomes out of specification.

図4に、本発明の増幅器が用いられた増幅装置のブロック図を示し、その構成について説明する。なお、図10と同じ符号は、同一又は同等物を示す。   FIG. 4 shows a block diagram of an amplifying apparatus in which the amplifier of the present invention is used, and the configuration thereof will be described. In addition, the same code | symbol as FIG. 10 shows the same or equivalent.

フィードフォワード方式の歪補償回路の基本的な動作は、従来技術の欄にその概要を記載したのでここでは省略する。   The basic operation of the feedforward type distortion compensation circuit has been described in the section of the prior art, and is omitted here.

以下では、本発明の主増幅器40のFET数可変の制御動作に関する説明を行う。誤差増幅器8には、主増幅器40で発生した歪成分b(波形4)が、ベクトル調整器7でベクトル調整されたのちに入力される。前記歪成分b(波形4)のレベルは主増幅器40のFET電力増幅の動作状況に対応するので、歪成分bのレベルをFET稼働数の制御に用いることができる。   Hereinafter, a description will be given of the control operation of the main amplifier 40 according to the present invention with variable number of FETs. The distortion component b (waveform 4) generated by the main amplifier 40 is input to the error amplifier 8 after vector adjustment by the vector adjuster 7. Since the level of the distortion component b (waveform 4) corresponds to the operation state of the FET power amplification of the main amplifier 40, the level of the distortion component b can be used for controlling the number of operating FETs.

歪成分bは、カプラD(12)によって分岐し、分岐された歪成分bが検波回路13に入力され、ここで歪成分bのレベルがDC電圧の変化量に変換され、制御部14に入力される。   The distortion component b is branched by the coupler D (12), and the branched distortion component b is input to the detection circuit 13, where the level of the distortion component b is converted into a change amount of the DC voltage and input to the control unit 14. Is done.

制御部14では、DC電圧の変化量に変換された歪成分bに対しての信号処理を行い、主増幅器40に備えたFET−1(41)〜FET−N(44)の稼働/非稼働の制御を行うFET・ON/OFF信号cを生成し、主増幅器40へ出力する。   The control unit 14 performs signal processing on the distortion component b converted into the change amount of the DC voltage, and activates / deactivates the FET-1 (41) to FET-N (44) included in the main amplifier 40. FET / ON / OFF signal c for controlling the above is generated and output to the main amplifier 40.

歪成分b(誤差増幅器8の入力相当)が小さい値である時は、主増幅器40で発生する歪も小さいので、主増幅器の各FETの出力も小さいのであり、各FETの効率も低い(悪い)。   When the distortion component b (corresponding to the input of the error amplifier 8) is a small value, since the distortion generated in the main amplifier 40 is also small, the output of each FET of the main amplifier is small, and the efficiency of each FET is low (bad). ).

一方、歪成分b(誤差増幅器8の入力相当)が大きい値である時は、主増幅器40の出力である増幅信号aに含む歪量も大きくなり、このことは、主増幅器40の各FETの出力も大きいのであり、各FETの歪成分の発生量も多く、各FETの効率も高い。従って、主増幅器40の効率も高い(良い)。なお、この時の歪成分は、歪補償回路の動作によって削減できる。   On the other hand, when the distortion component b (corresponding to the input of the error amplifier 8) is a large value, the distortion amount included in the amplified signal a that is the output of the main amplifier 40 also increases. The output is large, the amount of distortion components generated in each FET is large, and the efficiency of each FET is high. Therefore, the efficiency of the main amplifier 40 is also high (good). Note that the distortion component at this time can be reduced by the operation of the distortion compensation circuit.

本発明の増幅器は、歪成分の大小から得られた制御情報を用いて、複数のFETの稼働/非稼働の制御を行い、その時の電力における最良の効率となるように、主増幅器40に備えたFETの稼働数の最適化を図ることができる。   The amplifier according to the present invention uses the control information obtained from the magnitude of the distortion component to control operation / non-operation of a plurality of FETs, and is provided in the main amplifier 40 so as to obtain the best efficiency in power at that time. In addition, the number of operating FETs can be optimized.

図5と図6により、本発明の一実施例の動作経過について説明する。   The operation progress of one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

本実施例では、図5に示すように、先ず制御部14は、主増幅器40に備えたFET−1(41)〜FET−N(44)の全FETに対して入力されるFET・ON/OFF信号cの制御信号をON状態にし、全FETを稼働状態にすることから動作開始する。   In the present embodiment, as shown in FIG. 5, first, the control unit 14 performs FET · ON / ON input to all the FETs FET- 1 (41) to FET-N (44) included in the main amplifier 40. The operation starts when the control signal of the OFF signal c is turned on and all the FETs are put into operation.

図5は、図4に示されたフィードフォワード方式の回路構成から、主増幅器40とカプラB(6)とカプラD(12)と検波回路13を抽出して示した抜粋のブロック図である。   FIG. 5 is an excerpt block diagram showing the main amplifier 40, the coupler B (6), the coupler D (12), and the detector circuit 13 extracted from the feedforward circuit configuration shown in FIG.

なお、増幅器40の内部構成は、図1に示された分配器46、合成器47および端子48の記載を省略している。   In the internal configuration of the amplifier 40, the description of the distributor 46, the combiner 47, and the terminal 48 shown in FIG. 1 is omitted.

主増幅器40の出力である増幅信号aは、出力が“小”の動作状態とし、合成FETの出力は、波形2のスペクトラム波形で示すように、本来の信号成分dの両脇に歪成分が現れない、即ち、歪成分b(波形4)で示すように、検波回路13では、歪成分bのレベルがほとんど検出されない。   The amplified signal a, which is the output of the main amplifier 40, is in an operation state where the output is “small”, and the output of the synthetic FET has distortion components on both sides of the original signal component d as shown by the spectrum waveform of waveform 2. It does not appear, that is, as shown by the distortion component b (waveform 4), the detection circuit 13 hardly detects the level of the distortion component b.

このことは、各FETとも、出力が“小”の動作状態に制御され、合成後の出力も“小”の動作状態となっている。   This means that the output of each FET is controlled to the “small” operating state, and the combined output is also in the “small” operating state.

そこで、歪成分bのレベルは、微少または、なしとして制御部14の信号処理に用いられる。該制御部14によって制御される増幅器40の動作は、図6を参照して後述する。   Therefore, the level of the distortion component b is used in the signal processing of the control unit 14 as being minute or none. The operation of the amplifier 40 controlled by the control unit 14 will be described later with reference to FIG.

図5の増幅器40の動作をみると、FET−1(41)〜FET−N(44)の各FETの出力がA(W)、Idle電流がB(A)とすれば、FETをN個合成しているので、合成出力は、NA(W)、Idle電流はNB(A)となる。   Looking at the operation of the amplifier 40 in FIG. 5, if the output of each FET of FET-1 (41) to FET-N (44) is A (W) and the Idle current is B (A), N FETs. Since they are combined, the combined output is NA (W), and the idle current is NB (A).

また、各FETの稼働状況を見てみると、各FETとも、Idle電流を消費しながらの小出力での稼働であり、歪成分が微小であるが、効率が悪い状態にある。従って、合成後も同様に、所定の出力となるが、歪成分に関しては、微小であり、過剰スペックと云える。   Also, looking at the operating status of each FET, each FET is operating at a small output while consuming Idle current, and the distortion component is minute, but the efficiency is poor. Accordingly, a predetermined output is similarly obtained after the synthesis, but the distortion component is very small and can be said to be an excessive specification.

主増幅器40の出力が十分に小さい範囲でも、全FET稼働状態であれば、各FETの消費電流がIdle電流で占められるので、主増幅器40での消費電流がNB(A)となる。   Even if the output of the main amplifier 40 is sufficiently small, if all FETs are operating, the current consumption of each FET is occupied by the Idle current, so the current consumption in the main amplifier 40 is NB (A).

このような場合、任意の数のFETに対して、そのゲート電圧をOFFにして、FETの稼働数を減らして、残されたFETの増幅能力を上げ、所定の出力が得られるようにすればよい。こうすることで主増幅器の消費電流を相対的に減らすようにすることができる。   In such a case, for any number of FETs, if the gate voltage is turned off, the number of operating FETs is reduced, the amplification capability of the remaining FETs is increased, and a predetermined output can be obtained. Good. By doing so, it is possible to relatively reduce the current consumption of the main amplifier.

次に、図6の動作説明に入る。図6の動作は、制御部14の制御によりFETの動作を1個に縮減させ、増幅器40の消費電力の効率を改善するものである。   Next, the operation of FIG. 6 will be described. The operation of FIG. 6 is to reduce the operation of the FET to one by the control of the control unit 14 and improve the power consumption efficiency of the amplifier 40.

主増幅器40が小出力の場合には、歪成分が微小または、なしであることを検波回路13で検出し、これを基に制御部14はFETの稼働数を減少させるための信号処理を行う。   When the main amplifier 40 has a small output, the detection circuit 13 detects that the distortion component is minute or absent, and based on this, the control unit 14 performs signal processing for reducing the number of operating FETs. .

図6では、小電力としたNA(W)分の信号電力が、FET1個分の使用最大出力で賄え、所定の信号電力に到達できると制御部14にて判定され、FET−1(41)を稼働状態(ON)のままとし、FET−2(42)〜FET−N(44)がOFFにされて非稼働状態となる。この時、入力信号が非稼働FETへ回り込み、分配損が生じないようにしてあることは云うまでもない。   In FIG. 6, it is determined by the control unit 14 that the signal power for NA (W), which is a small power, can be covered by the maximum usable output for one FET and can reach a predetermined signal power, and FET-1 (41 ) Remains in the operating state (ON), and FET-2 (42) to FET-N (44) are turned OFF and become inoperative. At this time, it goes without saying that the input signal is routed to the non-operating FET and distribution loss does not occur.

こうすることにより、主増幅器40の出力である増幅信号aは、出力が“小”の動作範囲のままであり、図6波形2に示すように、FET1個分の使用最大出力に設定変更されたために、本来の信号成分dの両側に歪成分が現れ、即ち、歪成分b(波形4)で示すように、検波回路13では、歪成分bのレベルが無視できない小レベルとして発生し、検出される。なお、この程度の歪成分bのレベルであれば、歪補償回路にて削減される。   As a result, the amplified signal a, which is the output of the main amplifier 40, remains in the “small” operating range, and is set to the maximum usable output for one FET as shown in waveform 2 of FIG. Therefore, distortion components appear on both sides of the original signal component d, that is, as shown by the distortion component b (waveform 4), the detection circuit 13 generates the distortion component b as a small level that cannot be ignored. Is done. If the level of the distortion component b is about this level, it is reduced by the distortion compensation circuit.

ここで、主増幅器40の出力が十分に小さい範囲の所定の出力ではあるが、FET1個分の消費電流がIdle電流と同じ程度になるので、図6では主増幅器40での消費電流は、全FET稼働時に比べ1/N、即ち、B(A)で済むことになる。   Here, although the output of the main amplifier 40 is a predetermined output in a sufficiently small range, the current consumption for one FET is about the same as the Idle current, so in FIG. Compared to when the FET is operating, 1 / N, that is, B (A) is sufficient.

本発明の更なる一実施例として、図7に、1FET動作時のブロック図を示し、その動作について、および、その後の動作経過として、図8に、2FET動作時に変化させた際のブロック図を示し、それぞれの動作について説明する。   As a further embodiment of the present invention, FIG. 7 shows a block diagram at the time of 1FET operation, and FIG. 8 shows a block diagram when the operation is changed at the time of 2FET operation. Each operation will be described.

図7は、主増幅器40の出力が大きくなってFETの歪成分が大きくなってきた場合の動作例である。この状態は、前記図6に示した使用可能最大出力の動作状態に対し、入力信号のレベルが増加方向に変化した状態と考えてよい。   FIG. 7 is an operation example when the output of the main amplifier 40 increases and the distortion component of the FET increases. This state may be considered as a state in which the level of the input signal changes in the increasing direction with respect to the operating state of the maximum usable output shown in FIG.

入力信号が増加するものの、主増幅器40の出力である増幅信号aは、出力が依然“小”の動作範囲にある。   Although the input signal increases, the amplified signal a, which is the output of the main amplifier 40, is still in the “small” operating range.

これは、図7波形2に示すように本来の信号成分dの両脇に大きな歪成分が現れる状態である。即ち、歪成分b(波形4)で示すように、検波回路13では、歪成分bのレベルが大きく検出される。このような、大きな歪成分bでは、歪補償回路での歪削減が困難となる。このままでは、歪成分がスペックアウトしてしまう。(図3n点に相当)   This is a state in which large distortion components appear on both sides of the original signal component d as shown in waveform 2 in FIG. That is, as indicated by the distortion component b (waveform 4), the detection circuit 13 detects a large level of the distortion component b. With such a large distortion component b, it is difficult to reduce distortion in the distortion compensation circuit. If this is the case, the distortion component will be out of spec. (Corresponds to point n in Fig. 3)

そこで、検出した歪成分bのレベルが大きいことを基に、各FETの稼働状況を見てみると、非稼働のFETが十分の数を有し、FET数を増やして、合成後に所定の出力とする余裕があると制御部14にて判定される。   Therefore, based on the level of the detected distortion component b, looking at the operating status of each FET, there is a sufficient number of non-operating FETs, the number of FETs is increased, and a predetermined output is obtained after synthesis. The control unit 14 determines that there is a margin.

図8は、FETは、歪成分がスペックアウトするような出力で使用できないため、歪成分bが大きくなってきたらFETの稼働数を増やしてやり、出力である信号電力値は所定の電力値を保ち、かつ、歪成分を規格内に納めるように制御部14が制御すればよい。   FIG. 8 shows that the FET cannot be used with an output that causes the distortion component to be out of spec. Therefore, when the distortion component b increases, the number of operation of the FET is increased, and the output signal power value is a predetermined power value. The control unit 14 may control so that the distortion component is kept within the standard.

この場合、任意の数のFETゲート電圧をONに制御して、FETの稼働数を増やす。増やされたFETを含む稼働中のFETの増幅能力と、入力信号の分配損との特性により、合成後の信号電力が所定出力値となる。こうすることで主増幅器40の消費電流の増加分が最小限で済まされるようにできる。   In this case, an arbitrary number of FET gate voltages are controlled to be ON to increase the number of operating FETs. The combined signal power becomes a predetermined output value due to the characteristics of the amplification capability of the active FET including the increased FET and the distribution loss of the input signal. By doing so, an increase in current consumption of the main amplifier 40 can be minimized.

そこで、前記、入力増加、小出力での1FET動作時の歪成分が大であることを検波回路13で検出し、これを基に制御部14では、FETの稼働数を1つ増やす必要があるとの判定が行われる。   Therefore, the detection circuit 13 detects that the distortion component at the time of 1FET operation with increased input and small output is large, and based on this, the control unit 14 needs to increase the number of operating FETs by one. Is determined.

図8では、小電力としたNA(W)分の信号電力を得るには、FET2個分の使用による所定の出力(2×A(W)能力)にすることが適当であると制御部14にて判定し、FET−1(41)およびFET−2(42)がONし、2個の稼働状態とする。なお、FET−3(43)〜FET−N(44)は、OFFのままとし、非稼働状態となる。この時、入力信号が非稼働FETへ回り込み、分配損が生じないようにしてあることは云うまでもない。   In FIG. 8, in order to obtain signal power corresponding to NA (W) with small power, it is appropriate to set a predetermined output (2 × A (W) capacity) by using two FETs as appropriate. The FET-1 (41) and the FET-2 (42) are turned on to make two operating states. Note that FET-3 (43) to FET-N (44) remain OFF and become non-operating. At this time, it goes without saying that the input signal is routed to the non-operating FET and distribution loss does not occur.

これによって、FET1個当たりの所定の増幅度であるが、2個の稼働FETに対しての入力の分配損により、FET1個当たりの信号量が落とされ、発生する歪成分は、相当量の低下が見込まれる。   As a result, the predetermined amplification degree per FET is reduced, but the signal amount per FET is reduced due to the distribution loss of the input to the two active FETs, and the distortion component generated is considerably reduced. Is expected.

こうすることにより、入力信号が増加するものの、主増幅器40の出力である増幅信号aは、出力が“小”の動作範囲に収まり、波形2に示すように本来の信号成分dの両脇に適量の歪成分が残るように、FET数が制御される。即ち、図8歪成分b(波形4)で示すように、検波回路13では、歪成分bのレベルが適量に検出される。このような、適量な歪成分bであれば、歪補償回路側での歪削減が可能となる。この状態であれば、歪成分がスペックアウトしてしまうことがない。   As a result, the input signal increases, but the amplified signal a, which is the output of the main amplifier 40, falls within the operating range where the output is “small”, and on both sides of the original signal component d as shown in the waveform 2. The number of FETs is controlled so that an appropriate amount of distortion component remains. That is, as shown by the distortion component b (waveform 4) in FIG. 8, the detection circuit 13 detects the level of the distortion component b in an appropriate amount. With such an appropriate amount of distortion component b, distortion can be reduced on the distortion compensation circuit side. In this state, the distortion component does not spec out.

そこで、主増幅器40の出力が、FET2個稼働による合成後においても、十分に小さい範囲の所定の出力であり、および、適量の歪成分が残されるが、FET2個分の消費電流がIdle電流と同じ程度になるので、図8では主増幅器40での消費電流は、全FET稼働時に比べ2/N、即ち、2B(A)で済むことになる。   Therefore, the output of the main amplifier 40 is a predetermined output in a sufficiently small range even after the synthesis by operating two FETs, and an appropriate amount of distortion component remains, but the consumption current for the two FETs is the Idle current. Therefore, the current consumption in the main amplifier 40 in FIG. 8 is 2 / N, that is, 2B (A) compared to when all FETs are operating.

このようにして、更に、歪み量が増加すれば、稼働FETを更に増加させ、歪補償回路が十分に機能するようにFET数の制御を行う。   In this way, if the amount of distortion further increases, the number of active FETs is further increased, and the number of FETs is controlled so that the distortion compensation circuit functions sufficiently.

図9に、本発明の実施例として、2FET稼働に対し、FET数が増減する動作時の状態表および、歪み量判定表を示し、内容の対比について説明する。   FIG. 9 shows an operation state table in which the number of FETs increases and decreases and a distortion amount determination table for 2 FET operation as an embodiment of the present invention, and the comparison of the contents will be described.

図9(A)上欄は、次の動作状態である。主増幅器への入力信号レベルは定常である。即ち、歪補償回路が正常に歪削減可能な動作状態である。この時、主増幅器の出力(波形2,増幅信号a)は、所定の適量歪成分を含む所定電力の増幅信号である。検出される歪成分(波形4、歪成分b)も適量(閾値;2Y(W)超〜2X(W)未満)である。主増幅器のFET稼働数は、例として2個である。検出される歪成分量(閾値;2Y(W)超〜2X(W)未満)の状態が継続されたとすれば、主増幅器のFET稼働数は2個のままとなり、主増幅器のアイドル電流も2B/N(A)が継続される。   The upper column of FIG. 9A shows the next operation state. The input signal level to the main amplifier is steady. That is, this is an operation state in which the distortion compensation circuit can normally reduce distortion. At this time, the output of the main amplifier (waveform 2, amplified signal a) is an amplified signal having a predetermined power including a predetermined appropriate amount of distortion component. The detected distortion component (waveform 4, distortion component b) is also an appropriate amount (threshold value: greater than 2Y (W) to less than 2X (W)). The number of operating FETs of the main amplifier is two as an example. If the state of the detected distortion component amount (threshold value: greater than 2Y (W) to less than 2X (W)) is continued, the number of FET operations of the main amplifier remains two, and the idle current of the main amplifier is also 2B. / N (A) is continued.

図9(A)中欄は、次の動作状態である。主増幅器への入力信号レベルは、前記のレベル定常の記載欄に比べ、減少状態となる。この時、主増幅器の出力(波形2,増幅信号a)は、所定の微量歪成分を含む所定電力の増幅信号である。検出される歪成分(波形4、歪成分b)は微量(閾値;2Y(W)以下)である。この微量歪成分を判定根拠にして、主増幅器のFET稼働数は、前記、2個稼働では余裕があると判定され、例として2個から1個の稼働に削減する。削減後、歪成分量(閾値;2Y(W)超〜2X(W)未満)の状態に変化し、適量になる。更に、主増幅器のアイドル電流は、1B/N(A)に削減される。   The column in FIG. 9A shows the next operation state. The input signal level to the main amplifier is in a reduced state as compared to the above-mentioned level steady description column. At this time, the output of the main amplifier (waveform 2, amplified signal a) is an amplified signal having a predetermined power including a predetermined minute distortion component. The detected distortion component (waveform 4, distortion component b) is a very small amount (threshold value: 2Y (W) or less). Based on this trace distortion component, the number of FET operations of the main amplifier is determined to have a margin in the above-mentioned two operation, and is reduced from two to one as an example. After the reduction, the distortion component amount (threshold: greater than 2Y (W) to less than 2X (W)) is changed to an appropriate amount. Furthermore, the idle current of the main amplifier is reduced to 1 B / N (A).

図9(A)下欄は、次の動作状態である。主増幅器への入力信号レベルは、上欄記載のレベル定常に比べ、増加状態となる。この時、主増幅器の出力(波形2,増幅信号a)は、過量の歪成分を含む所定電力の増幅信号となる。検出される歪成分(波形4、歪成分b)は、(閾値;2Y(W)超〜2X(W)未満)から増加して過量(閾値;2X(W)以上)となる。主増幅器のFET稼働数は、前記、2個稼働では、歪補償が正常に行えないと判定され、例として2個から3個に増加する。増加後、歪成分量(閾値;2Y(W)超〜2X(W)未満)の状態に変化し、適量になる。更に、主増幅器のアイドル電流は、3B/N(A)に増加するものの、全FET稼働に比べれば、(N−3)B/N(A)の削減状態にある。   The lower column of FIG. 9A shows the next operation state. The input signal level to the main amplifier is in an increased state compared to the level steady state described in the upper column. At this time, the output of the main amplifier (waveform 2, amplified signal a) becomes an amplified signal having a predetermined power including an excessive amount of distortion components. The detected distortion component (waveform 4, distortion component b) increases from (threshold value: more than 2Y (W) to less than 2X (W)) and becomes an excessive amount (threshold value: 2X (W) or more). The number of operation of the FET of the main amplifier is determined that the distortion compensation cannot be normally performed when the two are operated, and increases from two to three as an example. After the increase, the distortion component amount (threshold value: greater than 2Y (W) to less than 2X (W)) is changed to an appropriate amount. Furthermore, although the idle current of the main amplifier increases to 3B / N (A), it is in a reduced state of (N-3) B / N (A) compared to the operation of all FETs.

本発明は、増幅器の増幅過程で発生する歪成分量を検出し、これを基に、増幅器のFETの稼働状況を調べて、その数を調整している。この制御を行うには、検出される歪成分量とFETの稼働数の相関関係を予め、測定し、これを、制御のための相関テーブルにしておき、制御部のメモリに記憶させ、増幅動作時の制御の際、読み出して用いる。   In the present invention, the amount of distortion component generated in the amplification process of the amplifier is detected, and based on this, the operating condition of the FET of the amplifier is examined and the number thereof is adjusted. In order to perform this control, the correlation between the amount of detected distortion component and the number of operating FETs is measured in advance, and this is stored in the control unit memory and stored in the memory of the control unit for amplification operation. Read out and use when controlling.

FETの稼働数に対応して、歪成分量の上限、下限の閾値を設け、上限に近付いたらFETの稼働数を増加させ、下限に近付いたらFETの稼働数を減少させる。(図9(B)参照)。   Corresponding to the number of operating FETs, upper and lower thresholds are set for the strain component amount. When the upper limit is approached, the FET operating number is increased, and when the lower limit is approached, the FET operating number is decreased. (See FIG. 9B).

この、相関テーブルは、稼働中の変化要素に適応するように、学習機能を持たせ、常に新たな相関テーブルに更新するようにしてもよい。   This correlation table may be provided with a learning function so as to adapt to the changing elements in operation, and may be constantly updated to a new correlation table.

なお、稼働させるFETは、各FETの稼働時間等の使用状況を考慮して、適宜選択するようにしてもよい。   The FET to be operated may be appropriately selected in consideration of usage conditions such as the operation time of each FET.

このようにして、歪成分量の変化により主増幅器のFET稼働数を調整することで低出力時における増幅器効率を改善する。   In this way, the amplifier efficiency at the time of low output is improved by adjusting the number of operating FETs of the main amplifier by changing the distortion component amount.

本発明は、移動通信に用いられる無線通信システムに適用されて、一例として、携帯電話システムの基地局装置として利用することができる。   The present invention is applied to a radio communication system used for mobile communication, and can be used as an example of a base station apparatus of a mobile phone system.

本発明の主増幅器のブロック図である。It is a block diagram of the main amplifier of this invention. 本発明のFET増幅素子の出力信号スペクトラム図である。It is an output signal spectrum figure of FET amplification element of the present invention. 本発明のFET増幅素子の特性図である。It is a characteristic view of the FET amplifying element of the present invention. 本発明の増幅装置のブロック図である。It is a block diagram of the amplification device of the present invention. 本発明の全FET動作時のブロック図である。It is a block diagram at the time of all FET operation | movement of this invention. 本発明の1FET動作時のブロック図である。It is a block diagram at the time of 1FET operation | movement of this invention. 本発明の1FET動作時のブロック図である。It is a block diagram at the time of 1FET operation | movement of this invention. 本発明の2FET動作時のブロック図である。It is a block diagram at the time of 2FET operation | movement of this invention. 本発明のFET増減動作時の状態表および歪み量判定表である。It is the state table | surface and distortion amount determination table | surface at the time of FET increase / decrease operation | movement of this invention. 従来技術の増幅装置のブロック図である。It is a block diagram of the amplifier of a prior art. 従来技術の主増幅器のブロック図である。It is a block diagram of the main amplifier of a prior art.

符号の説明Explanation of symbols

1、11、45、48、49・・・端子
2、6,10、12・・・カプラ
3,7・・・ベクトル調整器
5,9・・・遅延線、遅延ユニット
4、40・・・主増幅器
8・・・誤差増幅器
13・・・検波回路
14・・・制御部
41〜44・・・FET−1〜FET−N
46・・・分配器
47・・・合成器
a・・・増幅信号
b・・・歪成分
c・・・FET・ON/OFF信号
1, 11, 45, 48, 49 ... terminals 2, 6, 10, 12 ... coupler 3, 7 ... vector adjuster 5, 9 ... delay line, delay unit 4, 40 ... Main amplifier 8 ... Error amplifier 13 ... Detection circuit 14 ... Control unit 41-44 ... FET-1-FET-N
46 ... distributor 47 ... combiner a ... amplified signal b ... distortion component c ... FET ON / OFF signal

Claims (1)

入力信号を複数の分配信号に分配して出力とする分配器と、
前記分配信号を入力とし、所定の増幅度で増幅し、それぞれの出力とする少なくとも2個の増幅素子と、
前記それぞれの出力を入力とし、該入力を合成して1つの出力信号にし、所定の信号電力を得る合成器と、
前記増幅素子の増幅過程で発生する歪成分量に対応して前記増幅素子のON/OFFを制御する信号を生成する制御部と、
を備えたことを特徴とする増幅器。
A distributor that distributes an input signal to a plurality of distribution signals and outputs it;
At least two amplifying elements that receive the distribution signal as input, amplify the signal at a predetermined amplification level, and output the respective signals;
A synthesizer that takes each of the outputs as input, combines the inputs into one output signal, and obtains a predetermined signal power;
A control unit for generating a signal for controlling ON / OFF of the amplifying element in accordance with a distortion component amount generated in an amplifying process of the amplifying element;
An amplifier comprising:
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