JP2010026350A - Top emission type organic el display device - Google Patents

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浩 大岡
Hirotsugu Sakamoto
博次 坂元
Toshiyuki Matsuura
利幸 松浦
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a top emission type organic EL (electroluminescent) display device capable of reducing inclination of luminance on screen without increasing the dimension of a frame region. <P>SOLUTION: In the top emission type organic EL display device, a sealing substrate 40 is stuck onto an element substrate 10 having many pixels through a sealing material 50 formed in its peripheral part. In the pixel, an organic EL layer is nipped and held between a lower electrode and an upper electrode 23. The upper electrode 23 exists up to an end part of the element substrate 10 on an outer side of the sealing material 50. A power supply line 60 formed by electrical conductive paste is connected with the upper electrode 23 on the outer side of the sealing material 50 to prevent electric potential of the upper electrode 23 from dropping and suppress inclination of luminance. Since the power supply line 60 is formed on the outer side of the sealing material 50, the dimension of a frame can be reduced. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は有機EL表示装置に係り、特に、画面の輝度が均一で、かつ、表示領域周辺の額縁領域が小さいトップエミッション型有機EL表示装置に関する。   The present invention relates to an organic EL display device, and more particularly to a top emission type organic EL display device having a uniform screen luminance and a small frame area around the display area.

有機EL表示装置には、有機EL層から発光した光を、有機EL層等が形成されたガラス基板方向に取り出すボトムエミッション型と、有機EL層等が形成されたガラス基板と逆の方向に取り出すトップエミッション型とがある。トップエミッション型は有機EL層の面積を多く取ることが出来るのでディスプレイの明るさを大きくすることが出来るという利点がある。   In the organic EL display device, light emitted from the organic EL layer is extracted in the direction opposite to the glass substrate on which the organic EL layer is formed, and the bottom emission type in which the light is emitted toward the glass substrate on which the organic EL layer is formed. There is a top emission type. The top emission type has an advantage that the brightness of the display can be increased because a large area of the organic EL layer can be taken.

有機EL表示装置では下部電極と上部電極との間に有機EL層を挟持し、上部電極に一定電圧を印加し、下部電極にデータ信号電圧を印加して有機EL層の発光を制御することによって画像を形成する。下部電極へのデータ信号電圧の供給は薄膜トランジスタ(TFT)を介して行われる。トップエミッション型有機EL表示装置では、このTFT等の上にも有機EL層を形成することが出来るので発光面積を大きくすることが出来る。   In an organic EL display device, an organic EL layer is sandwiched between a lower electrode and an upper electrode, a constant voltage is applied to the upper electrode, and a data signal voltage is applied to the lower electrode to control light emission of the organic EL layer. Form an image. The data signal voltage is supplied to the lower electrode through a thin film transistor (TFT). In the top emission type organic EL display device, since the organic EL layer can be formed on the TFT and the like, the light emission area can be increased.

有機EL表示装置では上部電極から有機EL層に電流を供給する必要がある。トップエミッション型有機EL表示装置は上部電極を通して光を取り出す必要があるので、上部電極は透明でなければならない。透明電極としては、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、ZnO(酸化亜鉛)、SnO(酸化錫)等が存在するが、これらの金属酸化物導電膜は抵抗が高い。   In the organic EL display device, it is necessary to supply a current from the upper electrode to the organic EL layer. Since the top emission type organic EL display device needs to extract light through the upper electrode, the upper electrode must be transparent. As the transparent electrode, there are ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), ZnO (zinc oxide), SnO (tin oxide), etc., but these metal oxide conductive films have high resistance.

上部電極は、表示領域全体に共通に蒸着あるいはスパッタリング等によって形成される。上部電極の抵抗が大きいと、上部電極の電源を供給する端子部付近の電位と端子部から遠い部分の電位とが異なることになり、表示領域内で輝度傾斜を生ずる。すなわち、端子部に近い部分は明るく、端子部から遠い部分は暗くなるという現象を生ずる。   The upper electrode is formed by vapor deposition or sputtering in common over the entire display region. When the resistance of the upper electrode is large, the potential in the vicinity of the terminal portion that supplies power to the upper electrode is different from the potential in the portion far from the terminal portion, causing a luminance gradient in the display area. That is, a phenomenon occurs in which a portion near the terminal portion is bright and a portion far from the terminal portion is dark.

「特許文献1」には、上部電極の抵抗を減少させるための構成が記載されている。すなわち、有機EL表示装置は有機EL層等が形成された素子基板と、有機EL層を水分から保護するための封止基板を、周辺に形成されたシール材を介して、素子基板に対向させて配置している。「特許文献1」では、上部電極の電圧降下を小さくするために、封止基板側にも並列に電源線を形成している。   “Patent Document 1” describes a configuration for reducing the resistance of the upper electrode. That is, in the organic EL display device, an element substrate on which an organic EL layer or the like is formed and a sealing substrate for protecting the organic EL layer from moisture are opposed to the element substrate through a sealing material formed in the periphery. Arranged. In “Patent Document 1”, in order to reduce the voltage drop of the upper electrode, a power supply line is also formed in parallel on the sealing substrate side.

特開平11−354272号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-354272

「特許文献1」に記載の技術は、封止基板あるいは封止キャップに上部電極を補助する電極を形成するが、この場合、トップエミッションタイプの有機EL表示装置では、画面輝度のムラを生ずるおそれがある。また、電源は素子基板に供給されるが、素子基板から封止基板への電気的な接続の構造が必要である。   The technology described in “Patent Document 1” forms an electrode for assisting the upper electrode on the sealing substrate or the sealing cap. In this case, the top emission type organic EL display device may cause unevenness of screen luminance. There is. Further, although power is supplied to the element substrate, a structure for electrical connection from the element substrate to the sealing substrate is necessary.

上部電極の抵抗を小さくするためには、上部電極の膜厚を大きくすれば良いが、上部電極の膜厚を大きくすると、トップエミッションにおいては、有機EL層からの光が上部電極に吸収されてしまい、画面の輝度が低下するという問題を生ずる。そこで、上部電極における電圧降下を小さくするために、表示領域周辺に電源線を配置し、表示領域周辺の電源線を上部電極の補助として用いて、上部電極における電圧降下を小さくすることが行われている。   In order to reduce the resistance of the upper electrode, the film thickness of the upper electrode may be increased. However, when the film thickness of the upper electrode is increased, light from the organic EL layer is absorbed by the upper electrode in the top emission. As a result, there arises a problem that the brightness of the screen is lowered. Therefore, in order to reduce the voltage drop in the upper electrode, a power line is arranged around the display area, and the power line around the display area is used as an auxiliary for the upper electrode to reduce the voltage drop in the upper electrode. ing.

一方、携帯電話やDSC(Digital Still Camera)等に使用される小型の液晶表示装置では、画像表示領域の所定の面積を保ったまま、外形を小さくしたいという要求が強い。そうすると、表示領域周辺の額縁の寸法を小さくする必要がある。   On the other hand, in a small-sized liquid crystal display device used for a mobile phone, a DSC (Digital Still Camera) or the like, there is a strong demand for reducing the outer shape while maintaining a predetermined area of the image display area. Then, it is necessary to reduce the frame size around the display area.

しかし、表示領域周辺に電源線を配置すると、額縁寸法が大きくなってしまい、上記のような要請に応えられない。本発明の課題は、画面の輝度傾斜を小さく保ちつつ、所定の表示領域面積を確保しつつ、有機EL表示装置の外形を小さくすることが出来る構成を実現することである。   However, if the power supply line is arranged around the display area, the frame size becomes large, and the above-mentioned demand cannot be met. An object of the present invention is to realize a configuration capable of reducing the outer shape of an organic EL display device while keeping a predetermined display area area while keeping a luminance gradient of a screen small.

本発明は上記課題を解決するものであり、具体的手段は次のとおりである。   The present invention solves the above-mentioned problems, and specific means are as follows.

(1)下部電極と上部電極によって有機EL層が挟持された画素と、前記上部電極に電流を供給するための電源線と、前記電源線に外部から電流を供給するための端子部を有する素子基板と、前記素子基板と対向して封止基板が配置され、前記素子基板と前記封止基板の周辺部をシール材によって接着封止したトップエミッション型有機EL表示装置であって、前記上部電極は前記シール材の下部を通って前記素子基板の端部にまで延在し、前記上部電極は前記電源線と前記シール材の外側において接続することを特徴とするトップエミッション型有機EL表示装置。   (1) An element having a pixel in which an organic EL layer is sandwiched between a lower electrode and an upper electrode, a power supply line for supplying current to the upper electrode, and a terminal portion for supplying current to the power supply line from the outside A top emission type organic EL display device, wherein a sealing substrate is disposed opposite to the substrate and the element substrate, and a peripheral portion of the element substrate and the sealing substrate is bonded and sealed with a sealing material, the upper electrode Extends through the lower part of the sealing material to the end of the element substrate, and the upper electrode is connected to the power line on the outside of the sealing material.

(2)前記シール材の外側に存在する前記上部電極と前記電源線は、前記素子基板の前記端子部が形成されている辺以外において、接続していることを特徴とする(1)に記載のトップエミッション型有機EL表示装置。   (2) The upper electrode and the power line existing outside the sealing material are connected to each other at a side other than the side where the terminal portion of the element substrate is formed. Top emission type organic EL display device.

(3)前記シール材の外側に存在する前記上部電極と前記電源線は、前記素子基板の、前記端子部が形成されている辺と対向する辺において、接続していることを特徴とする(1)に記載のトップエミッション型有機EL表示装置。   (3) The upper electrode and the power line existing outside the sealing material are connected to each other on a side of the element substrate opposite to a side where the terminal portion is formed ( A top emission type organic EL display device according to 1).

(4)前記電源線は、金属微粒子ペーストを塗布することによって形成されていることを特徴とする(1)に記載のトップエミッション型有機EL表示装置。   (4) The top emission type organic EL display device according to (1), wherein the power supply line is formed by applying a metal fine particle paste.

(5)前記電源線は、黒鉛ペーストを塗布することによって形成されていることを特徴とする(1)に記載のトップエミッション型有機EL表示装置。   (5) The top emission type organic EL display device according to (1), wherein the power line is formed by applying a graphite paste.

(6)下部電極と上部電極によって有機EL層が挟持された画素が複数形成され、前記画素と画素の間にはバンクが形成され、前記バンクの上には、前記上部電極と接続している金属による補助電極が形成され、前記上部電極に電流を供給するための電源線と、前記電源線に外部から電流を供給するための端子部を有する素子基板と、前記素子基板と対向して封止基板が配置され、前記素子基板と前記封止基板の周辺部をシール材によって接着封止したトップエミッション型有機EL表示装置であって、前記上部電極は前記シール材の下部を通って前記素子基板の端部にまで延在し、前記上部電極は前記電源線と前記シール材の外側において接続することを特徴とするトップエミッション型有機EL表示装置。   (6) A plurality of pixels in which the organic EL layer is sandwiched between the lower electrode and the upper electrode are formed, a bank is formed between the pixels, and the upper electrode is connected to the bank. An auxiliary electrode made of metal is formed, a power supply line for supplying a current to the upper electrode, an element substrate having a terminal portion for supplying a current to the power supply line from the outside, and a seal facing the element substrate. A top emission type organic EL display device in which a stop substrate is disposed, and a peripheral portion of the element substrate and the sealing substrate is bonded and sealed with a sealing material, wherein the upper electrode passes through a lower portion of the sealing material and the element A top emission type organic EL display device, which extends to an end portion of a substrate, and wherein the upper electrode is connected to the power supply line outside the sealing material.

(7)前記シール材の外側に存在する前記上部電極と前記電源線は、前記素子基板の前記端子部が形成されている辺以外において、接続していることを特徴とする(6)に記載のトップエミッション型有機EL表示装置。   (7) The upper electrode and the power line existing outside the sealing material are connected to each other at a side other than the side where the terminal portion of the element substrate is formed. Top emission type organic EL display device.

(8)下部電極と上部電極によって有機EL層が挟持された画素と、前記上部電極に電流を供給するための電源線と、前記電源線に外部から電流を供給するための端子部を有する素子基板と、前記素子基板をおおって、保護膜が形成されたトップエミッション型有機EL表示装置であって、前記上部電極は前記素子基板の端部にまで形成され、前記保護膜は前記素子基板の最外周には形成されておらず、前記最外周においては、前記上部電極は前記保護膜に覆われておらず、前記最外周において、前記電源線は前記上部電極を覆って前記上部電極と接続していることを特徴とするトップエミッション型有機EL表示装置。   (8) An element having a pixel in which an organic EL layer is sandwiched between a lower electrode and an upper electrode, a power supply line for supplying current to the upper electrode, and a terminal portion for supplying current to the power supply line from the outside A top emission organic EL display device in which a protective film is formed by covering a substrate and the element substrate, wherein the upper electrode is formed up to an end of the element substrate, and the protective film is formed on the element substrate. The upper electrode is not covered with the protective film at the outermost periphery, and the power line covers the upper electrode and connects to the upper electrode at the outermost periphery. A top emission type organic EL display device.

(9)前記電源線は、前記素子基板の前記端子部が形成されている辺以外において、前記上部電極を覆って前記上部電極と接続していることを特徴とする(8)に記載のトップエミッション型有機EL表示装置。   (9) The top according to (8), wherein the power line covers the upper electrode and is connected to the upper electrode, except for the side where the terminal portion of the element substrate is formed. Emission type organic EL display device.

(10)前記電源線は導電性ペーストを印刷によって塗布して形成されていることを特徴とする(8)に記載のトップエミッション型有機EL表示装置。   (10) The top emission organic EL display device according to (8), wherein the power line is formed by applying a conductive paste by printing.

本発明によれば、トップエミッション型有機EL表示装置において、上部電極をシール材の外側にまで延在させ、シール材の外側において、電源線とシール材を接続するので、額縁の寸法を小さく保ったまま、画面の輝度傾斜を抑制することが出来る。   According to the present invention, in the top emission type organic EL display device, the upper electrode is extended to the outside of the sealing material, and the power supply line and the sealing material are connected to the outside of the sealing material. The brightness gradient of the screen can be suppressed.

以下実施例に従い、本発明の内容を詳細に説明する。   The contents of the present invention will be described below in detail according to examples.

図1は本発明が適用されるトップエミッション型の有機EL表示装置の画素部の断面図である。トップエミッション型有機EL表示装置は、有機EL層22の上にアノードが存在するトップアノード型と、有機EL層22の上にカソードが存在するトップカソード型とが存在する。図1はトップアノード型の場合であるが、トップカソードの場合も本発明は同様に適用することが出来る。   FIG. 1 is a cross-sectional view of a pixel portion of a top emission type organic EL display device to which the present invention is applied. The top emission type organic EL display device includes a top anode type in which an anode is present on the organic EL layer 22 and a top cathode type in which a cathode is present on the organic EL layer 22. Although FIG. 1 shows a case of a top anode type, the present invention can be similarly applied to a case of a top cathode.

図1において、素子基板10の上にはSiNからなる第1下地膜11と、SiOからなる第2下地膜12が形成されている。ガラス基板からの不純物が半導体層13を汚染することを防止するためである。第2下地膜12の上には半導体層13が形成される。半導体層13はCVDによってa−Si膜が形成されたあと、レーザー照射によってpoly−Si膜に変換する。 In FIG. 1, on the element substrate 10 and the first base film 11 made of SiN, the second base film 12 made of SiO 2 is formed. This is to prevent impurities from the glass substrate from contaminating the semiconductor layer 13. A semiconductor layer 13 is formed on the second base film 12. The semiconductor layer 13 is converted to a poly-Si film by laser irradiation after an a-Si film is formed by CVD.

半導体層13を覆って、SiOからなるゲート絶縁膜14が形成される。ゲート絶縁膜14を挟んで、半導体層13と対向する部分にゲート電極15が形成される。ゲート電極15をマスクにして、半導体層13にリンあるいはボロン等の不純物をイオンインプランテーションによって打ち込み、導電性を付与して、半導体層13にソース部あるいはドレイン部を形成する。 A gate insulating film 14 made of SiO 2 is formed so as to cover the semiconductor layer 13. A gate electrode 15 is formed in a portion facing the semiconductor layer 13 with the gate insulating film 14 interposed therebetween. Using the gate electrode 15 as a mask, an impurity such as phosphorus or boron is implanted into the semiconductor layer 13 by ion implantation to impart conductivity, thereby forming a source portion or a drain portion in the semiconductor layer 13.

ゲート電極15を覆って層間絶縁膜16がSiOによって形成される。ゲート配線とドレイン電極17を絶縁するためである。層間絶縁膜16の上にはドレイン電極17が形成される。ドレイン電極17は層間絶縁膜16およびゲート絶縁膜14のスルーホール65を介して半導体層13のドレイン部と接続する。 An interlayer insulating film 16 is formed of SiO 2 so as to cover the gate electrode 15. This is because the gate wiring and the drain electrode 17 are insulated. A drain electrode 17 is formed on the interlayer insulating film 16. The drain electrode 17 is connected to the drain portion of the semiconductor layer 13 through the interlayer insulating film 16 and the through hole 65 of the gate insulating film 14.

その後、TFTを保護するために、SiNからなる無機パッシベーション膜18が被着される。無機パッシベーション膜18の上には、有機パッシベーション膜19が形成される。有機パッシベーション膜19は無機パッシベーション膜18とともに、TFTをより完全に保護する役割を有するとともに、有機EL層22が形成される面を平坦にする役割を有する。したがって、有機パッシベーション膜19は1〜4μmと、厚く形成される。   Thereafter, an inorganic passivation film 18 made of SiN is deposited to protect the TFT. An organic passivation film 19 is formed on the inorganic passivation film 18. The organic passivation film 19 has a role of protecting the TFT more completely together with the inorganic passivation film 18 and a function of flattening the surface on which the organic EL layer 22 is formed. Therefore, the organic passivation film 19 is formed as thick as 1 to 4 μm.

有機パッシベーション膜19の上には反射電極がAlまたはAl合金によって形成される。AlまたはAl合金は反射率が高いので、反射電極として好適である。反射電極は有機パッシベーション膜19および無機パッシベーション膜18に形成されたスルーホール65を介してドレイン電極17と接続する。   A reflective electrode is formed of Al or an Al alloy on the organic passivation film 19. Since Al or Al alloy has a high reflectance, it is suitable as a reflective electrode. The reflective electrode is connected to the drain electrode 17 through a through hole 65 formed in the organic passivation film 19 and the inorganic passivation film 18.

本実施例はトップアノード型の有機EL表示装置なので、有機EL層22の下部電極21はカソードとなる。したがって、反射電極として使用されるAlあるいはAl合金が有機EL層22の下部電極21を兼用することが出来る。AlあるいはAl合金は仕事関数が比較的小さいので、カソードとして機能することが出来るからである。   Since this embodiment is a top anode type organic EL display device, the lower electrode 21 of the organic EL layer 22 serves as a cathode. Therefore, Al or an Al alloy used as the reflective electrode can also serve as the lower electrode 21 of the organic EL layer 22. This is because Al or an Al alloy has a relatively small work function and can function as a cathode.

トップカソード型の場合は、下部電極21がアノードとなるので、下部電極21にITOを用いる。また、有機EL層22からの光の取り出し効率を上げるために、下部電極21であるITOの下に反射電極を形成する。この場合、反射電極は反射率の良い、AlまたはAl合金を用いる。反射電極の存在によって、有機EL層22から出た光は、図1の白抜きの矢印Lの方向に出射する。   In the case of the top cathode type, since the lower electrode 21 serves as an anode, ITO is used for the lower electrode 21. Further, in order to increase the light extraction efficiency from the organic EL layer 22, a reflective electrode is formed under the ITO which is the lower electrode 21. In this case, the reflective electrode is made of Al or Al alloy having good reflectivity. Due to the presence of the reflective electrode, the light emitted from the organic EL layer 22 is emitted in the direction of the white arrow L in FIG.

下部電極21の上には有機EL層22が形成される。有機EL層22は複数の層によって形成される。本実施例では、下層から電子注入層、電子輸送層、発光層、ホール輸送層が形成されている。なお、ホール輸送層と上部電極23の間にホール注入層を設ける場合もある。有機EL層22の上にはアノードとなる上部電極23が形成される。本実施例では上部電極23としてはIZOを用いている。IZOはマスクを用いず、表示領域100全体に蒸着される。IZOの厚さは光の透過率を維持するために、30nm程度に形成される。IZOはアニールをしない状態においては、ITOよりも抵抗が低い。   An organic EL layer 22 is formed on the lower electrode 21. The organic EL layer 22 is formed by a plurality of layers. In this embodiment, an electron injection layer, an electron transport layer, a light emitting layer, and a hole transport layer are formed from the lower layer. A hole injection layer may be provided between the hole transport layer and the upper electrode 23 in some cases. An upper electrode 23 serving as an anode is formed on the organic EL layer 22. In this embodiment, IZO is used as the upper electrode 23. IZO is deposited on the entire display region 100 without using a mask. The thickness of IZO is formed to be about 30 nm in order to maintain the light transmittance. IZO has a lower resistance than ITO when not annealed.

有機EL層22は複数の層から成っているが、構成は次のとおりである。電子輸送層としては電子輸送性を示し、アルカリ金属と共蒸着することにより電荷移動錯体化しやすいものであれば特に限定は無く、例えばトリス(8−キノリノラート)アルミニウム、トリス(4-メチル-8-キノリノラート)アルミニウム、ビス(2-メチル−8−キノリノラート)−4−フェニルフェノラート−アルミニウム、ビス[2-[2-ヒドロキシフェニル]ベンゾオキサゾラート]亜鉛などの金属錯体や2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、1,3−ビス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン等を用いることができる。   The organic EL layer 22 is composed of a plurality of layers, and the configuration is as follows. The electron transporting layer is not particularly limited as long as it exhibits electron transporting properties and can be easily formed into a charge transfer complex by co-evaporation with an alkali metal. Quinolinolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) -4-phenylphenolate-aluminum, bis [2- [2-hydroxyphenyl] benzoxazolate] zinc and other metal complexes and 2- (4-biphenylyl) ) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, 1,3-bis [5- (p-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole- 2-yl] benzene or the like can be used.

電子注入層は電子輸送層に用いた物質に対して電子供与性を示す材料を共蒸着して形成した、例えば、リチウム、セシウムなどのアルカリ金属、マグネシウム、カルシウムなどのアルカリ土類金属、さらには希土類金属等の金属類、あるいはそれらの酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物等から選択して電子供与性を示す物質として用いてもかまわない。   The electron injection layer is formed by co-evaporation of a material having an electron donating property with respect to the substance used for the electron transport layer, for example, an alkali metal such as lithium and cesium, an alkaline earth metal such as magnesium and calcium, and They may be selected from metals such as rare earth metals, or their oxides, halides, carbonates, etc., and used as substances exhibiting electron donating properties.

ホール輸送層は、例えば、テトラアリールベンジシン化合物(トリフェニルジアミン:TPD)、芳香族三級アミン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサジアゾール誘導体、ポリチオフェン誘導体、銅フタロシアニン誘導体等を用いることができる。   The hole transport layer includes, for example, a tetraarylbenzidine compound (triphenyldiamine: TPD), an aromatic tertiary amine, a hydrazone derivative, a carbazole derivative, a triazole derivative, an imidazole derivative, an oxadiazole derivative having an amino group, a polythiophene derivative, Copper phthalocyanine derivatives and the like can be used.

発光層材料としては電子、ホールの輸送能力を有するホスト材料に、それらの再結合により蛍光もしくはりん光を発するドーパントを添加したもので共蒸着により発光層として形成できるものであれば特に限定は無く、例えば、ホストとしてはトリス(8−キノリノラト)アルミニウム、ビス(8−キノリノラト)マグネシウム、ビス(ベンゾ{f}−8−キノリノラト)亜鉛、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウムオキシド、トリス(8−キノリノラト)インジウム、トリス(5−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム、8−キノリノラトリチウム、トリス(5−クロロ−8−キノリノラト)ガリウム、ビス(5−クロロ−8−キノリノラト)カルシウム、5,7−ジクロル−8−キノリノラトアルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム、ポリ[亜鉛(II)−ビス(8−ヒドロキシ−5−キノリニル)メタン]のような錯体、アントラセン誘導体、カルバゾール誘導体、等であっても良い。   The light emitting layer material is not particularly limited as long as it can be formed as a light emitting layer by co-evaporation by adding a dopant that emits fluorescence or phosphorescence by recombination to a host material having electron and hole transport capability. For example, tris (8-quinolinolato) aluminum, bis (8-quinolinolato) magnesium, bis (benzo {f} -8-quinolinolato) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum oxide, tris ( 8-quinolinolato) indium, tris (5-methyl-8-quinolinolato) aluminum, 8-quinolinolatolithium, tris (5-chloro-8-quinolinolato) gallium, bis (5-chloro-8-quinolinolato) calcium, 5 , 7-dichloro-8-quinolinolato aluminum, tris ( , 7-dibromo-8-hydroxyquinolinolato) aluminum, poly [zinc (II) -bis (8-hydroxy-5-quinolinyl) methane] -like complexes, anthracene derivatives, carbazole derivatives, and the like. .

また、ドーパントとしてはホスト中で電子とホールを捉えて再結合させ発光するものであって、例えば赤ではピラン誘導体、緑ではクマリン誘導体、青ではアントラセン誘導体などの蛍光を発光する物質やもしくはイリジウム錯体、ピリジナート誘導体などりん光を発する物質であっても良い。   In addition, the dopant captures electrons and holes in the host to recombine and emits light. For example, a red light emitting substance such as a pyran derivative, a green coumarin derivative, a blue anthracene derivative, or an iridium complex. Further, a phosphorescent substance such as a pyridinate derivative may be used.

最上層である上部電極23は光を取り出すために透明導電膜である必要がある。本実施例では上部電極23はIZOであるが、光の透過率と電気抵抗との兼ね合いで他の透明導電膜を用いても良い。さらに、Au、Ag等の金属膜も薄くすると透明となるので、場合によっては上部電極23として使用することが出来る。   The upper electrode 23 as the uppermost layer needs to be a transparent conductive film in order to extract light. In this embodiment, the upper electrode 23 is IZO, but another transparent conductive film may be used in consideration of the light transmittance and the electric resistance. Furthermore, since a metal film made of Au, Ag, or the like becomes thin when it is thinned, it can be used as the upper electrode 23 in some cases.

なお、有機EL層22が端部において段切れによって破壊することを防止するために、画素と画素の間にバンク20が形成される。バンク20は有機材料で形成する場合もあるし、SiNのような無機材料で形成する場合もある。有機材料を使用する場合は、一般にはアクリル樹脂によって形成される。   In addition, in order to prevent the organic EL layer 22 from being broken at the end portion due to disconnection, the bank 20 is formed between the pixels. The bank 20 may be formed of an organic material or an inorganic material such as SiN. When using an organic material, it is generally formed of an acrylic resin.

上部電極23は、有機EL層22の上およびバンク20の上等、有機EL表示装置の表示領域100全体に蒸着あるいはスパッタリング等によって形成される。上部電極23の上には空間を挟んでガラスによって形成された封止基板40が設置されている。有機EL層22は水分が存在すると発光効率が低下するので、水分から保護するために封止基板40が配置される。封止基板40は、端部において、TFT基板とシール材50によって接着している。封止基板40とシール材50によって素子基板10に形成された有機EL層22は水分から保護される。   The upper electrode 23 is formed on the entire display region 100 of the organic EL display device, such as on the organic EL layer 22 and the bank 20, by vapor deposition or sputtering. A sealing substrate 40 made of glass is installed on the upper electrode 23 with a space in between. Since the luminous efficiency of the organic EL layer 22 decreases when moisture is present, the sealing substrate 40 is disposed to protect it from moisture. The sealing substrate 40 is bonded to the TFT substrate and the sealing material 50 at the end. The organic EL layer 22 formed on the element substrate 10 by the sealing substrate 40 and the sealing material 50 is protected from moisture.

図2は、本実施例による有機EL表示装置の平面図である。図2において、素子基板10と封止基板40が周辺において、シール材50によって接着しており、素子基板10に形成された有機EL層22を水分から保護する。シール材50は例えば、エポキシ樹脂によって形成される。シール材50の内側には表示領域100が形成されている。表示領域100とシール材50の間の素子基板10には、図示しない乾燥剤が配置されている。   FIG. 2 is a plan view of the organic EL display device according to this embodiment. In FIG. 2, the element substrate 10 and the sealing substrate 40 are bonded to each other by a sealing material 50 to protect the organic EL layer 22 formed on the element substrate 10 from moisture. The sealing material 50 is formed of, for example, an epoxy resin. A display area 100 is formed inside the sealing material 50. A desiccant (not shown) is disposed on the element substrate 10 between the display region 100 and the sealing material 50.

素子基板10は封止基板40よりも大きく形成されており、図2における下側で、素子基板10が一枚となった部分には端子部70が形成されている。端子部70には、外部回路と接続するためのフレキシブル配線基板と接続する端子の他に、有機EL表示パネルを駆動するための図示しないICドライバが設置されている。   The element substrate 10 is formed larger than the sealing substrate 40, and a terminal portion 70 is formed on the lower side in FIG. 2 where the element substrate 10 is a single sheet. The terminal unit 70 is provided with an IC driver (not shown) for driving the organic EL display panel in addition to a terminal connected to a flexible wiring board for connecting to an external circuit.

図2の特徴は、上部電極23が素子基板10と封止基板40を接着するシール材50の外側にまで形成されていることである。そして、シール材50の外側に電源線60を形成し、この電源線60から上部電極23に対して電流を供給する。電源線60は厚く形成することが出来るので、電流が流れることによる上部電極23の電圧降下は抑えられ、画面の輝度傾斜を抑制することが出来る。   The feature of FIG. 2 is that the upper electrode 23 is formed even outside the sealing material 50 that bonds the element substrate 10 and the sealing substrate 40 together. Then, a power line 60 is formed outside the sealing material 50, and current is supplied from the power line 60 to the upper electrode 23. Since the power supply line 60 can be formed thick, the voltage drop of the upper electrode 23 due to the current flowing can be suppressed, and the luminance gradient of the screen can be suppressed.

電源線60は図2の端子部70から供給される。電源線60は表面に配置されるので、フレキシブル配線基板等から直接電源を供給することもできるし、フレキシブル配線基板等からドレイン層と同層で形成された層に電流を供給し、スルーホールを介して電源線60に電流を供給してもよい。この場合のスルーホールは端子部70に形成するので、有機EL表示パネルの外形を大きくすることはない。   The power supply line 60 is supplied from the terminal unit 70 of FIG. Since the power supply line 60 is arranged on the surface, power can be supplied directly from a flexible wiring board or the like, or current can be supplied from the flexible wiring board or the like to a layer formed in the same layer as the drain layer, so that a through hole is formed. A current may be supplied to the power supply line 60 via the power supply line 60. Since the through hole in this case is formed in the terminal portion 70, the outer shape of the organic EL display panel is not increased.

図2における電源線60はシール材50の長辺外側と、端子部70と反対側のシール材50の短辺外側に形成されている。図2では、端子側の短辺には電源線60は配置されていない。しかし、端子部70におけるフレキシブル配線基板等の接続に支障のない限りにおいて、端子部70側の短辺にも電源線60を配置してもよい。   2 is formed on the outer side of the long side of the sealing material 50 and on the outer side of the short side of the sealing material 50 on the side opposite to the terminal portion 70. In FIG. 2, the power supply line 60 is not disposed on the short side on the terminal side. However, as long as there is no hindrance to the connection of the flexible wiring board or the like in the terminal portion 70, the power supply line 60 may be arranged on the short side on the terminal portion 70 side.

図3は図2のA−A断面図である。図3において、有機EL層22等が形成された素子基板10と封止基板40とは周辺に形成されたシール材50を介して接着している。図3において、素子基板10には上部電極23が形成されている。図3においては、上部電極23の下の構成は省略されている。図3における上部電極23は、表示領域100全体を覆って形成され、さらに、シール材50の外側にまで存在している。上部電極23はIZOによって形成されているが、IZOは金属酸化物であり、化学的に安定な材料であるので、シール材50の外側に存在しても信頼性上問題となることはない。   3 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. In FIG. 3, the element substrate 10 on which the organic EL layer 22 and the like are formed and the sealing substrate 40 are bonded via a sealing material 50 formed in the periphery. In FIG. 3, the upper electrode 23 is formed on the element substrate 10. In FIG. 3, the configuration below the upper electrode 23 is omitted. The upper electrode 23 in FIG. 3 is formed so as to cover the entire display region 100, and further exists outside the sealing material 50. The upper electrode 23 is made of IZO. However, since IZO is a metal oxide and is a chemically stable material, there is no problem in reliability even if it exists outside the sealing material 50.

図3において、シール材50の外側に上部電極23であるIZOが延在した部分には、電源線60が配置されている。この電源線60は、表示領域100の光透過とは関係がないので厚く形成することが出来る。また、電源線60は透明電極である必要は無い。電源線60を厚く形成することによって電源線60の抵抗を下げ、上部電極23の電圧降下を抑制する。   In FIG. 3, a power supply line 60 is disposed in a portion where IZO which is the upper electrode 23 extends outside the sealing material 50. Since the power supply line 60 is not related to the light transmission of the display region 100, it can be formed thick. Further, the power line 60 does not have to be a transparent electrode. By forming the power supply line 60 thick, the resistance of the power supply line 60 is lowered and the voltage drop of the upper electrode 23 is suppressed.

図3における電源線60の材料としては、銀ペースト等の導電性ペーストを使用することが出来る。銀ペーストはエポキシ樹脂に銀の微粒子が分散されたもので、抵抗を小さくすることが出来る。銀ペーストは塗布によって形成することが出来る。銀ペーストの母材(有機媒体)であるエポキシは紫外線硬化型のものを使用してもよいし、熱硬化型のものを使用してもよい。熱硬化型の場合は、100℃以下で硬化する材料とする必要がある。有機EL層22は高温になると破壊するからである。   As a material of the power supply line 60 in FIG. 3, a conductive paste such as a silver paste can be used. Silver paste is an epoxy resin in which fine particles of silver are dispersed, and can reduce resistance. Silver paste can be formed by coating. The epoxy that is the base material (organic medium) of the silver paste may be an ultraviolet curable type or a thermosetting type. In the case of the thermosetting type, it is necessary to use a material that cures at 100 ° C. or lower. This is because the organic EL layer 22 is destroyed at a high temperature.

図3における電源線60の材料は、銀ペーストの他にNiペースト、Alペースト等を使用することが出来る。Niペーストとは有機媒体にNiの微粒子を分散させたものである。また、Alペーストは有機媒体にAlの微粒子を分散させたものである。銀ペースト、Niペースト、Alペースト等を金属微粒子ペーストと呼ぶ。   As a material of the power supply line 60 in FIG. 3, Ni paste, Al paste, etc. can be used in addition to silver paste. Ni paste is obtained by dispersing Ni fine particles in an organic medium. Further, the Al paste is obtained by dispersing Al fine particles in an organic medium. Silver paste, Ni paste, Al paste, etc. are called metal fine particle paste.

さらに、電源線60の材料として、黒鉛ペーストを使用することが出来る。黒鉛としては、グラファイトが、抵抗率が小さいので好適である。黒鉛ペーストは化学的には非常に安定であるとう特徴がある。また、グラファイト等は、粒子が非常に微細であるので、細かな凹凸やピンホールにも入り込むことが出来るので、安定した導通を得ることが出来る。   Further, a graphite paste can be used as a material for the power supply line 60. As graphite, graphite is preferable because of its low resistivity. Graphite paste is chemically very stable. In addition, since graphite and the like have very fine particles, they can enter fine irregularities and pinholes, so that stable conduction can be obtained.

以上の導電ペーストの有機媒体はエポキシであるとしたが、エポキシに限らず、アクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂等を使用することが出来る。ただし、これらの樹脂は、紫外線硬化型か、100℃以下で熱硬化するような材料であることが必要である。   Although the organic medium of the above conductive paste is epoxy, it is not limited to epoxy, and acrylic resin, phenol resin, silicon resin, or the like can be used. However, these resins are required to be ultraviolet curable or materials that can be thermally cured at 100 ° C. or lower.

図4は図2のコーナー部分拡大図である。図4において、シール材50の内側には点線で示す表示領域100が形成されている。上部電極23はシール材50の外側にまで存在している。シール材50の外側において、上部電極23に重ねて電源線60が形成されている。電源線60は、パネルの周辺を囲むように形成されている。したがって、表示領域100の周辺全体はほぼ同じ電位に保つことが出来る。   FIG. 4 is an enlarged view of a corner portion of FIG. In FIG. 4, a display region 100 indicated by a dotted line is formed inside the sealing material 50. The upper electrode 23 exists even outside the sealing material 50. A power line 60 is formed on the outer side of the sealing material 50 so as to overlap the upper electrode 23. The power supply line 60 is formed so as to surround the periphery of the panel. Therefore, the entire periphery of the display region 100 can be maintained at substantially the same potential.

図4の他の特徴は、表示領域100の端部から有機EL表示パネルの端部までの寸法である、いわゆる額縁寸法fを小さくすることが出来る点である。すなわち、本発明においては、電源線60をシール材50の外側に配置し、従来は使用していなかった、シール部の外側に電源線60を配置している。したがって、後に示す従来の構成で必要としている電源線60の幅、および、電源線60と上部電極23を接続するためのスルーホール65を省略することが出来るからである。   Another feature of FIG. 4 is that the so-called frame dimension f, which is the dimension from the end of the display region 100 to the end of the organic EL display panel, can be reduced. That is, in the present invention, the power supply line 60 is disposed outside the seal member 50, and the power supply line 60 is disposed outside the seal portion, which has not been conventionally used. Therefore, it is possible to omit the width of the power supply line 60 and the through hole 65 for connecting the power supply line 60 and the upper electrode 23 required in the conventional configuration described later.

図5〜図7は本発明に対する比較例としての従来例である。図5は従来例の平面図である。図5において、素子基板10と封止基板40がシール材50を介して接着している。シール材50の内部には点線で示す表示領域100が形成されている。上部電極23は表示領域100よりもやや大きな面積にベタで形成されている。上部電極23の電位の変化を緩和するために、電源線60が表示領域100の外側で、シール材50の内側に延在している。電源線60への電流は端子部70から供給される。   5 to 7 are conventional examples as comparative examples for the present invention. FIG. 5 is a plan view of a conventional example. In FIG. 5, the element substrate 10 and the sealing substrate 40 are bonded via a sealing material 50. A display area 100 indicated by a dotted line is formed inside the sealing material 50. The upper electrode 23 is solid and has a slightly larger area than the display area 100. In order to alleviate the change in potential of the upper electrode 23, the power line 60 extends outside the display region 100 and inside the sealing material 50. A current to the power supply line 60 is supplied from the terminal unit 70.

図6は図5のB−B断面図である。図6において、有機EL層22等が形成された素子基板10と封止基板40とは周辺に形成されたシール材50を介して接着している。図6において、素子基板10には上部電極23が形成されている。図6においては、上部電極23の下の構成は省略されている。図6における上部電極23は、表示領域100よりやや大きな面積に形成されている。   6 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. In FIG. 6, the element substrate 10 on which the organic EL layer 22 and the like are formed and the sealing substrate 40 are bonded via a sealing material 50 formed in the periphery. In FIG. 6, the upper electrode 23 is formed on the element substrate 10. In FIG. 6, the configuration below the upper electrode 23 is omitted. The upper electrode 23 in FIG. 6 is formed in a slightly larger area than the display region 100.

シール材50の内側で、上部電極23の周辺部には電源線60が形成されている。図6では電源線60の上に直接上部電極23が重なったように記載しているが、実際には、電源と上部電極23の間には、無機パッシベーション膜および有機パッシベーション膜等の絶縁膜が存在している。したがって、電源線60と上部電極23は、無機パッシベーション膜および有機パッシベーション膜に形成したスルーホール65を介して接続している。   A power line 60 is formed in the periphery of the upper electrode 23 inside the sealing material 50. In FIG. 6, the upper electrode 23 is described as directly overlapping the power supply line 60, but actually, an insulating film such as an inorganic passivation film and an organic passivation film is provided between the power supply and the upper electrode 23. Existing. Therefore, the power supply line 60 and the upper electrode 23 are connected via the through hole 65 formed in the inorganic passivation film and the organic passivation film.

図7は図5のコーナー部分拡大図である。図7において、シール材50の内側には点線で示す表示領域100が形成されている。上部電極23はシール材50の内側で、表示領域100よりもやや大きい面積で形成されている。電源線60は上部電極23の端部に重なって形成されている。図7において、電源線60はドレイン電極と同層で形成されている。したがって、上部電極23と導通をとるためには、電源線60よりも上に形成されている無機パッシベーション膜および有機パッシベーション膜にスルーホール65を形成する必要がある。   FIG. 7 is an enlarged view of a corner portion of FIG. In FIG. 7, a display region 100 indicated by a dotted line is formed inside the sealing material 50. The upper electrode 23 is formed in an area slightly larger than the display region 100 inside the sealing material 50. The power line 60 is formed so as to overlap the end portion of the upper electrode 23. In FIG. 7, the power supply line 60 is formed in the same layer as the drain electrode. Therefore, in order to conduct with the upper electrode 23, it is necessary to form the through hole 65 in the inorganic passivation film and the organic passivation film formed above the power supply line 60.

したがって、図7の構成では、表示領域100の外側で、シール材50の内側に電源線60およびスルーホール65のためのスペースを確保しておく必要がある。このために、表示領域100の端部から有機EL表示パネルの端部までの寸法である額縁寸法fは本発明である図4の構成に比較して大きくなっている。   Therefore, in the configuration of FIG. 7, it is necessary to secure a space for the power supply line 60 and the through hole 65 inside the sealing material 50 outside the display region 100. For this reason, the frame dimension f, which is the dimension from the end of the display region 100 to the end of the organic EL display panel, is larger than that of the configuration of FIG. 4 according to the present invention.

以上のように、本発明によれば、上部電極23の電圧降下を抑え、画面輝度の傾斜を抑制することが出来る。そして、輝度傾斜を抑制するための電源線60を、従来は使用されていなかった、シール材50の外側に形成するので、額縁の幅を小さく抑えることが出来る。   As described above, according to the present invention, the voltage drop of the upper electrode 23 can be suppressed, and the inclination of the screen luminance can be suppressed. And since the power supply line 60 for suppressing a brightness | luminance inclination is formed in the outer side of the sealing material 50 which was not used conventionally, the width | variety of a frame can be restrained small.

実施例の構成では、有機EL表示パネルの周辺に電源線60を形成しているので、画面の上下、あるいは左右の輝度の傾斜は抑えることが出来る。しかしながら、実施例1の構成では、画面の周辺と画面の中央の輝度差は依然存在する。すなわち、画面周辺には、抵抗の十分小さい電源線60を塗布によって形成するので、画面周辺の輝度はほぼ一定とすることが出来る。しかし、画面の中央は画面周辺から電流が供給されるので、上部電極23の抵抗が大きいと、画面の周辺と画面の中央とで電位が異なることになり、輝度傾斜を生ずる。   In the configuration of the embodiment, since the power supply line 60 is formed around the organic EL display panel, the inclination of the luminance on the top and bottom or the left and right of the screen can be suppressed. However, in the configuration of the first embodiment, the luminance difference between the periphery of the screen and the center of the screen still exists. That is, since the power supply line 60 having a sufficiently small resistance is formed around the screen by coating, the luminance around the screen can be made almost constant. However, since the current is supplied to the center of the screen from the periphery of the screen, if the resistance of the upper electrode 23 is large, the potential is different between the periphery of the screen and the center of the screen, resulting in a luminance gradient.

図8はこのような、画面の周辺と画面の中央部との輝度傾斜を抑制する構成を与えるものである。図8において、赤画素101、緑画素102、青画素103がそれぞれ縦方向に配列している。図8において、画素と画素の間にはバンク20が形成されている。画素の縦方向の画素と画素の間隔s、すなわち、バンク20の幅は25μmから30μmである。   FIG. 8 provides such a configuration that suppresses the luminance gradient between the periphery of the screen and the center of the screen. In FIG. 8, a red pixel 101, a green pixel 102, and a blue pixel 103 are arranged in the vertical direction. In FIG. 8, a bank 20 is formed between pixels. The interval s between the pixels in the vertical direction of the pixels, that is, the width of the bank 20 is 25 μm to 30 μm.

図8では、縦方向の画素と画素の間隔sの部分に補助電極30を横方向に延在させてて、上部電極23の電圧降下を抑制している。補助電極30の幅wは10μmから15μmである。補助電極30はバンク20の上に形成するので、厚く形成することが出来る。また、透明である必要は無いので、抵抗率の低い、AlあるいはAl合金が使用される。   In FIG. 8, the auxiliary electrode 30 is extended in the horizontal direction at the portion of the vertical pixel-to-pixel spacing s to suppress the voltage drop of the upper electrode 23. The width w of the auxiliary electrode 30 is 10 μm to 15 μm. Since the auxiliary electrode 30 is formed on the bank 20, it can be formed thick. Moreover, since it does not need to be transparent, Al or Al alloy with low resistivity is used.

図9は、図8のA−A断面図である。図9における構成は補助電極30と除いて図1で説明した構成と同様である。図9において、補助電極30がバンク20の上に形成されている。補助電極30は、上部電極23の上に形成するだけで上部電極23の電圧降下を抑えることが出来る。したがって、上部電極23を形成しても、額縁部の寸法を小さくすることが出来るという、本発明の利点を享受することが出来る。   9 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. The configuration in FIG. 9 is the same as the configuration described in FIG. 1 except for the auxiliary electrode 30. In FIG. 9, the auxiliary electrode 30 is formed on the bank 20. The auxiliary electrode 30 can suppress the voltage drop of the upper electrode 23 only by being formed on the upper electrode 23. Therefore, even if the upper electrode 23 is formed, the advantage of the present invention that the size of the frame portion can be reduced can be enjoyed.

実施例1および実施例2では、有機EL層22を水分から保護するために、封止基板40を用い、封止基板40と素子基板10を周辺においてシール材50によって接着し、外部からの水分の浸入を防止している。本実施例は封止基板40を使用せずに、有機ELを水分から保護する構成に対して本発明を適用した場合である。   In Example 1 and Example 2, in order to protect the organic EL layer 22 from moisture, the sealing substrate 40 is used, and the sealing substrate 40 and the element substrate 10 are bonded together by the sealing material 50 in the periphery, and moisture from the outside Preventing the intrusion of In this embodiment, the present invention is applied to a configuration in which the organic EL is protected from moisture without using the sealing substrate 40.

図10は本発明の第3の実施例である。図10において、素子基板10の表示領域100内には図示しない有機EL層22が形成されている。有機EL層22の上には上部電極23がIZOによって形成されている。上部電極23は端子部70を除き、素子基板10全面に形成されている。上部電極23を覆って、一点鎖線で示す保護膜200が形成されている。この保護膜200は、外気の水分から有機EL層22を保護するものである。保護膜200は、SiOあるいはSiN、あるいはその両方によって形成される。さらに、低温で硬化する有機材料が使用されることもある。 FIG. 10 shows a third embodiment of the present invention. In FIG. 10, an organic EL layer 22 (not shown) is formed in the display region 100 of the element substrate 10. An upper electrode 23 is formed on the organic EL layer 22 by IZO. The upper electrode 23 is formed on the entire surface of the element substrate 10 except for the terminal portion 70. A protective film 200 indicated by a one-dot chain line is formed so as to cover the upper electrode 23. The protective film 200 protects the organic EL layer 22 from moisture from the outside air. Protective film 200 is formed by SiO 2 or SiN, or both. In addition, organic materials that cure at low temperatures may be used.

保護膜200は、素子基板10の最外周までは形成されておらす、最外周においては、上部電極23は保護膜200によって覆われていない。しかし、IZO等の金属酸化物は化学的には安定であり、保護膜200で覆われていなくとも信頼性上は問題ない。最外周において、上部電極23が保護膜200によって覆われていない部分に電源線60が塗布によって形成される。保護膜200は端子部70までには形成する必要がない。端子部70に延在する走査線あるいは映像信号線は無機パッシベーション膜および有機パッシベーション膜によって保護されているからである。   The protective film 200 is formed up to the outermost periphery of the element substrate 10. In the outermost periphery, the upper electrode 23 is not covered with the protective film 200. However, metal oxides such as IZO are chemically stable, and there is no problem in reliability even if they are not covered with the protective film 200. On the outermost periphery, the power line 60 is formed by coating in a portion where the upper electrode 23 is not covered with the protective film 200. The protective film 200 need not be formed up to the terminal portion 70. This is because the scanning line or video signal line extending to the terminal portion 70 is protected by the inorganic passivation film and the organic passivation film.

図10における電源線60も実施例1で説明したような、銀ペースト、黒鉛ペースト等の導電ペーストを使用することが出来る。図10における電源線60は、素子基板10の上に形成するので、印刷によって容易に形成することが出来る。電源線60は端子部70まで、延在して端子部70から電流の供給を受ける。端子部70における電流の供給の仕方は、実施例1で説明したのと同様である。   The power supply line 60 in FIG. 10 can also use a conductive paste such as a silver paste or a graphite paste as described in the first embodiment. Since the power supply line 60 in FIG. 10 is formed on the element substrate 10, it can be easily formed by printing. The power supply line 60 extends to the terminal portion 70 and receives supply of current from the terminal portion 70. The method of supplying current in the terminal unit 70 is the same as that described in the first embodiment.

図11は図10のD−D断面図である。図11において、上部電極23が素子基板10全体に形成されている。なお、図11においては、上部電極23より下層は省略されている。図11において、上部電極23の上には、保護膜200が形成されている。保護膜200は素子基板10の最外周までは形成されていない。   11 is a cross-sectional view taken along the line DD of FIG. In FIG. 11, the upper electrode 23 is formed on the entire element substrate 10. In FIG. 11, the lower layer than the upper electrode 23 is omitted. In FIG. 11, a protective film 200 is formed on the upper electrode 23. The protective film 200 is not formed up to the outermost periphery of the element substrate 10.

最外周において、上部電極23が保護膜200によって覆われていない部分には電源線60が形成されている。電源線60は上部電極23と直接接している。この場合の電源線60は、印刷によって容易に形成することが出来る。   On the outermost periphery, a power line 60 is formed in a portion where the upper electrode 23 is not covered with the protective film 200. The power line 60 is in direct contact with the upper electrode 23. In this case, the power supply line 60 can be easily formed by printing.

本実施例においては、上部電極23を保護膜200よりも外側まで存在させ、保護膜200に対して電源線60を直接、印刷等で塗布することによって上部電極23における電圧降下を抑え、画面の輝度傾斜を抑制することが出来る。また、実施例3においても、実施例2で説明したような、補助電極30を用いることによって輝度傾斜の影響をさらに軽減することが出来る。   In the present embodiment, the upper electrode 23 exists outside the protective film 200, and the power supply line 60 is directly applied to the protective film 200 by printing or the like, thereby suppressing the voltage drop in the upper electrode 23, and the screen. The luminance gradient can be suppressed. Also in the third embodiment, the influence of the luminance gradient can be further reduced by using the auxiliary electrode 30 as described in the second embodiment.

有機EL表示装置の断面図である。It is sectional drawing of an organic electroluminescence display. 本発明の有機EL表示装置の平面図である。It is a top view of the organic electroluminescence display of this invention. 図2のA−A断面図である。It is AA sectional drawing of FIG. 図2のコーナー部拡大図である。It is a corner part enlarged view of FIG. 従来例の有機EL表示装置の平面図である。It is a top view of the organic electroluminescence display of a prior art example. 図5のB−B断面図である。It is BB sectional drawing of FIG. 図5のコーナー部拡大図である。It is a corner part enlarged view of FIG. 実施例2の表示領域の平面図である。FIG. 10 is a plan view of a display area in Example 2. 図8のC−C断面図である。It is CC sectional drawing of FIG. 実施例3の有機EL表示装置の平面図である。6 is a plan view of an organic EL display device according to Example 3. FIG. 図10のD−D断面図である。It is DD sectional drawing of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

10…素子基板、 11…第1下地膜、 12…第2下地膜、 13…半導体層、 14…ゲート絶縁膜、 15…ゲート電極、 16…層間絶縁膜、 17…ドレイン電極、 18…無機パッシベーション膜、 19…有機パッシベーション膜、 20…バンク、 21…下部電極、 22…有機EL層、 23…上部電極、 30…補助電極、 40…封止基板、 50…シール材、 60…電源線、 65…スルーホール、 70…端子部、 100…表示領域、 101…赤画素、 102…緑画素、 103…青画素、 200…保護膜。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Element substrate, 11 ... 1st base film, 12 ... 2nd base film, 13 ... Semiconductor layer, 14 ... Gate insulating film, 15 ... Gate electrode, 16 ... Interlayer insulating film, 17 ... Drain electrode, 18 ... Inorganic passivation Membrane, 19 ... Organic passivation film, 20 ... Bank, 21 ... Lower electrode, 22 ... Organic EL layer, 23 ... Upper electrode, 30 ... Auxiliary electrode, 40 ... Sealing substrate, 50 ... Sealing material, 60 ... Power line, 65 DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Through-hole 70 ... Terminal part 100 ... Display area 101 ... Red pixel 102 ... Green pixel 103 ... Blue pixel 200 ... Protective film

Claims (10)

下部電極と上部電極によって有機EL層が挟持された画素と、前記上部電極に給電するための電源線と、前記電源線に外部から給電するための端子部を有する素子基板と、前記素子基板と対向して封止基板が配置され、前記素子基板と前記封止基板の周辺部をシール材によって接着封止したトップエミッション型有機EL表示装置であって、
前記上部電極は前記シール材の部分を通って前記素子基板の端部にまで延在し、前記上部電極は前記電源線と前記シール材の外側において接続することを特徴とするトップエミッション型有機EL表示装置。
A pixel in which an organic EL layer is sandwiched between a lower electrode and an upper electrode; a power supply line for supplying power to the upper electrode; an element substrate having a terminal portion for supplying power to the power supply line from outside; and the element substrate; A top emission type organic EL display device in which a sealing substrate is disposed oppositely and the peripheral portion of the element substrate and the sealing substrate is bonded and sealed with a sealing material,
The top electrode extends to the end of the element substrate through the portion of the sealing material, and the top electrode is connected to the power line on the outside of the sealing material. Display device.
前記シール材の外側に存在する前記上部電極と前記電源線は、前記素子基板の前記端子部が形成されている辺以外において、接続していることを特徴とする請求項1に記載のトップエミッション型有機EL表示装置。   2. The top emission according to claim 1, wherein the upper electrode and the power line existing outside the sealing material are connected to each other at a side other than the side where the terminal portion of the element substrate is formed. Type organic EL display device. 前記シール材の外側に存在する前記上部電極と前記電源線は、前記素子基板の、前記端子部が形成されている辺と対向する辺において、接続していることを特徴とする請求項1に記載のトップエミッション型有機EL表示装置。   The upper electrode and the power line existing outside the sealing material are connected to each other on a side of the element substrate opposite to a side where the terminal portion is formed. The top emission type organic EL display device described. 前記電源線は、金属微粒子ペーストを塗布することによって形成されていることを特徴とする請求項1に記載のトップエミッション型有機EL表示装置。   2. The top emission type organic EL display device according to claim 1, wherein the power line is formed by applying a metal fine particle paste. 前記電源線は、黒鉛ペーストを塗布することによって形成されていることを特徴とする請求項1に記載のトップエミッション型有機EL表示装置。   The top emission type organic EL display device according to claim 1, wherein the power line is formed by applying a graphite paste. 下部電極と上部電極によって有機EL層が挟持された画素が複数形成され、前記画素と画素の間にはバンクが形成され、前記バンクの上には、前記上部電極と接続している金属による補助電極が形成され、前記上部電極に給電するための電源線と、前記電源線に外部から給電するための端子部を有する素子基板と、前記素子基板と対向して封止基板が配置され、前記素子基板と前記封止基板の周辺部をシール材によって接着封止したトップエミッション型有機EL表示装置であって、
前記上部電極は前記シール材の部分を通って前記素子基板の端部にまで延在し、前記上部電極は前記電源線と前記シール材の外側において接続することを特徴とするトップエミッション型有機EL表示装置。
A plurality of pixels in which an organic EL layer is sandwiched between a lower electrode and an upper electrode are formed, a bank is formed between the pixels, and an auxiliary by a metal connected to the upper electrode is formed on the bank. An electrode is formed, a power supply line for supplying power to the upper electrode, an element substrate having a terminal portion for supplying power to the power supply line from the outside, and a sealing substrate disposed opposite the element substrate, A top emission type organic EL display device in which a peripheral portion of an element substrate and the sealing substrate is bonded and sealed with a sealing material,
The top electrode extends to the end of the element substrate through the portion of the sealing material, and the top electrode is connected to the power line on the outside of the sealing material. Display device.
前記シール材の外側に存在する前記上部電極と前記電源線は、前記素子基板の前記端子部が形成されている辺以外において、接続していることを特徴とする請求項6に記載のトップエミッション型有機EL表示装置。   The top emission according to claim 6, wherein the upper electrode and the power supply line existing outside the sealing material are connected to each other at a side other than the side where the terminal portion of the element substrate is formed. Type organic EL display device. 下部電極と上部電極によって有機EL層が挟持された画素と、前記上部電極に給電するための電源線と、前記電源線に外部から給電するための端子部を有する素子基板と、前記素子基板をおおって、保護膜が形成されたトップエミッション型有機EL表示装置であって、
前記上部電極は前記素子基板の端部にまで形成され、前記保護膜は前記素子基板の最外周には形成されておらず、前記最外周においては、前記上部電極は前記保護膜に覆われておらず、前記最外周において、前記電源線は前記上部電極を覆って前記上部電極と接続していることを特徴とするトップエミッション型有機EL表示装置。
A pixel in which an organic EL layer is sandwiched between a lower electrode and an upper electrode, a power supply line for supplying power to the upper electrode, an element substrate having a terminal portion for supplying power to the power supply line from the outside, and the element substrate Then, a top emission type organic EL display device in which a protective film is formed,
The upper electrode is formed up to the end of the element substrate, and the protective film is not formed on the outermost periphery of the element substrate, and the upper electrode is covered with the protective film on the outermost periphery. The top emission type organic EL display device is characterized in that, on the outermost periphery, the power line covers the upper electrode and is connected to the upper electrode.
前記電源線は、前記素子基板の前記端子部が形成されている辺以外において、前記上部電極を覆って前記上部電極と接続していることを特徴とする請求項8に記載のトップエミッション型有機EL表示装置。   9. The top emission organic material according to claim 8, wherein the power line covers the upper electrode and is connected to the upper electrode at a side other than the side where the terminal portion of the element substrate is formed. EL display device. 前記電源線は導電性ペーストを印刷によって塗布して形成されていることを特徴とする請求項8に記載のトップエミッション型有機EL表示装置。   9. The top emission type organic EL display device according to claim 8, wherein the power line is formed by applying a conductive paste by printing.
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