JP2010026350A - Top emission type organic el display device - Google Patents
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Description
本発明は有機EL表示装置に係り、特に、画面の輝度が均一で、かつ、表示領域周辺の額縁領域が小さいトップエミッション型有機EL表示装置に関する。 The present invention relates to an organic EL display device, and more particularly to a top emission type organic EL display device having a uniform screen luminance and a small frame area around the display area.
有機EL表示装置には、有機EL層から発光した光を、有機EL層等が形成されたガラス基板方向に取り出すボトムエミッション型と、有機EL層等が形成されたガラス基板と逆の方向に取り出すトップエミッション型とがある。トップエミッション型は有機EL層の面積を多く取ることが出来るのでディスプレイの明るさを大きくすることが出来るという利点がある。 In the organic EL display device, light emitted from the organic EL layer is extracted in the direction opposite to the glass substrate on which the organic EL layer is formed, and the bottom emission type in which the light is emitted toward the glass substrate on which the organic EL layer is formed. There is a top emission type. The top emission type has an advantage that the brightness of the display can be increased because a large area of the organic EL layer can be taken.
有機EL表示装置では下部電極と上部電極との間に有機EL層を挟持し、上部電極に一定電圧を印加し、下部電極にデータ信号電圧を印加して有機EL層の発光を制御することによって画像を形成する。下部電極へのデータ信号電圧の供給は薄膜トランジスタ(TFT)を介して行われる。トップエミッション型有機EL表示装置では、このTFT等の上にも有機EL層を形成することが出来るので発光面積を大きくすることが出来る。 In an organic EL display device, an organic EL layer is sandwiched between a lower electrode and an upper electrode, a constant voltage is applied to the upper electrode, and a data signal voltage is applied to the lower electrode to control light emission of the organic EL layer. Form an image. The data signal voltage is supplied to the lower electrode through a thin film transistor (TFT). In the top emission type organic EL display device, since the organic EL layer can be formed on the TFT and the like, the light emission area can be increased.
有機EL表示装置では上部電極から有機EL層に電流を供給する必要がある。トップエミッション型有機EL表示装置は上部電極を通して光を取り出す必要があるので、上部電極は透明でなければならない。透明電極としては、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、ZnO(酸化亜鉛)、SnO(酸化錫)等が存在するが、これらの金属酸化物導電膜は抵抗が高い。 In the organic EL display device, it is necessary to supply a current from the upper electrode to the organic EL layer. Since the top emission type organic EL display device needs to extract light through the upper electrode, the upper electrode must be transparent. As the transparent electrode, there are ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), ZnO (zinc oxide), SnO (tin oxide), etc., but these metal oxide conductive films have high resistance.
上部電極は、表示領域全体に共通に蒸着あるいはスパッタリング等によって形成される。上部電極の抵抗が大きいと、上部電極の電源を供給する端子部付近の電位と端子部から遠い部分の電位とが異なることになり、表示領域内で輝度傾斜を生ずる。すなわち、端子部に近い部分は明るく、端子部から遠い部分は暗くなるという現象を生ずる。 The upper electrode is formed by vapor deposition or sputtering in common over the entire display region. When the resistance of the upper electrode is large, the potential in the vicinity of the terminal portion that supplies power to the upper electrode is different from the potential in the portion far from the terminal portion, causing a luminance gradient in the display area. That is, a phenomenon occurs in which a portion near the terminal portion is bright and a portion far from the terminal portion is dark.
「特許文献1」には、上部電極の抵抗を減少させるための構成が記載されている。すなわち、有機EL表示装置は有機EL層等が形成された素子基板と、有機EL層を水分から保護するための封止基板を、周辺に形成されたシール材を介して、素子基板に対向させて配置している。「特許文献1」では、上部電極の電圧降下を小さくするために、封止基板側にも並列に電源線を形成している。
“
「特許文献1」に記載の技術は、封止基板あるいは封止キャップに上部電極を補助する電極を形成するが、この場合、トップエミッションタイプの有機EL表示装置では、画面輝度のムラを生ずるおそれがある。また、電源は素子基板に供給されるが、素子基板から封止基板への電気的な接続の構造が必要である。
The technology described in “
上部電極の抵抗を小さくするためには、上部電極の膜厚を大きくすれば良いが、上部電極の膜厚を大きくすると、トップエミッションにおいては、有機EL層からの光が上部電極に吸収されてしまい、画面の輝度が低下するという問題を生ずる。そこで、上部電極における電圧降下を小さくするために、表示領域周辺に電源線を配置し、表示領域周辺の電源線を上部電極の補助として用いて、上部電極における電圧降下を小さくすることが行われている。 In order to reduce the resistance of the upper electrode, the film thickness of the upper electrode may be increased. However, when the film thickness of the upper electrode is increased, light from the organic EL layer is absorbed by the upper electrode in the top emission. As a result, there arises a problem that the brightness of the screen is lowered. Therefore, in order to reduce the voltage drop in the upper electrode, a power line is arranged around the display area, and the power line around the display area is used as an auxiliary for the upper electrode to reduce the voltage drop in the upper electrode. ing.
一方、携帯電話やDSC(Digital Still Camera)等に使用される小型の液晶表示装置では、画像表示領域の所定の面積を保ったまま、外形を小さくしたいという要求が強い。そうすると、表示領域周辺の額縁の寸法を小さくする必要がある。 On the other hand, in a small-sized liquid crystal display device used for a mobile phone, a DSC (Digital Still Camera) or the like, there is a strong demand for reducing the outer shape while maintaining a predetermined area of the image display area. Then, it is necessary to reduce the frame size around the display area.
しかし、表示領域周辺に電源線を配置すると、額縁寸法が大きくなってしまい、上記のような要請に応えられない。本発明の課題は、画面の輝度傾斜を小さく保ちつつ、所定の表示領域面積を確保しつつ、有機EL表示装置の外形を小さくすることが出来る構成を実現することである。 However, if the power supply line is arranged around the display area, the frame size becomes large, and the above-mentioned demand cannot be met. An object of the present invention is to realize a configuration capable of reducing the outer shape of an organic EL display device while keeping a predetermined display area area while keeping a luminance gradient of a screen small.
本発明は上記課題を解決するものであり、具体的手段は次のとおりである。 The present invention solves the above-mentioned problems, and specific means are as follows.
(1)下部電極と上部電極によって有機EL層が挟持された画素と、前記上部電極に電流を供給するための電源線と、前記電源線に外部から電流を供給するための端子部を有する素子基板と、前記素子基板と対向して封止基板が配置され、前記素子基板と前記封止基板の周辺部をシール材によって接着封止したトップエミッション型有機EL表示装置であって、前記上部電極は前記シール材の下部を通って前記素子基板の端部にまで延在し、前記上部電極は前記電源線と前記シール材の外側において接続することを特徴とするトップエミッション型有機EL表示装置。 (1) An element having a pixel in which an organic EL layer is sandwiched between a lower electrode and an upper electrode, a power supply line for supplying current to the upper electrode, and a terminal portion for supplying current to the power supply line from the outside A top emission type organic EL display device, wherein a sealing substrate is disposed opposite to the substrate and the element substrate, and a peripheral portion of the element substrate and the sealing substrate is bonded and sealed with a sealing material, the upper electrode Extends through the lower part of the sealing material to the end of the element substrate, and the upper electrode is connected to the power line on the outside of the sealing material.
(2)前記シール材の外側に存在する前記上部電極と前記電源線は、前記素子基板の前記端子部が形成されている辺以外において、接続していることを特徴とする(1)に記載のトップエミッション型有機EL表示装置。 (2) The upper electrode and the power line existing outside the sealing material are connected to each other at a side other than the side where the terminal portion of the element substrate is formed. Top emission type organic EL display device.
(3)前記シール材の外側に存在する前記上部電極と前記電源線は、前記素子基板の、前記端子部が形成されている辺と対向する辺において、接続していることを特徴とする(1)に記載のトップエミッション型有機EL表示装置。 (3) The upper electrode and the power line existing outside the sealing material are connected to each other on a side of the element substrate opposite to a side where the terminal portion is formed ( A top emission type organic EL display device according to 1).
(4)前記電源線は、金属微粒子ペーストを塗布することによって形成されていることを特徴とする(1)に記載のトップエミッション型有機EL表示装置。 (4) The top emission type organic EL display device according to (1), wherein the power supply line is formed by applying a metal fine particle paste.
(5)前記電源線は、黒鉛ペーストを塗布することによって形成されていることを特徴とする(1)に記載のトップエミッション型有機EL表示装置。 (5) The top emission type organic EL display device according to (1), wherein the power line is formed by applying a graphite paste.
(6)下部電極と上部電極によって有機EL層が挟持された画素が複数形成され、前記画素と画素の間にはバンクが形成され、前記バンクの上には、前記上部電極と接続している金属による補助電極が形成され、前記上部電極に電流を供給するための電源線と、前記電源線に外部から電流を供給するための端子部を有する素子基板と、前記素子基板と対向して封止基板が配置され、前記素子基板と前記封止基板の周辺部をシール材によって接着封止したトップエミッション型有機EL表示装置であって、前記上部電極は前記シール材の下部を通って前記素子基板の端部にまで延在し、前記上部電極は前記電源線と前記シール材の外側において接続することを特徴とするトップエミッション型有機EL表示装置。 (6) A plurality of pixels in which the organic EL layer is sandwiched between the lower electrode and the upper electrode are formed, a bank is formed between the pixels, and the upper electrode is connected to the bank. An auxiliary electrode made of metal is formed, a power supply line for supplying a current to the upper electrode, an element substrate having a terminal portion for supplying a current to the power supply line from the outside, and a seal facing the element substrate. A top emission type organic EL display device in which a stop substrate is disposed, and a peripheral portion of the element substrate and the sealing substrate is bonded and sealed with a sealing material, wherein the upper electrode passes through a lower portion of the sealing material and the element A top emission type organic EL display device, which extends to an end portion of a substrate, and wherein the upper electrode is connected to the power supply line outside the sealing material.
(7)前記シール材の外側に存在する前記上部電極と前記電源線は、前記素子基板の前記端子部が形成されている辺以外において、接続していることを特徴とする(6)に記載のトップエミッション型有機EL表示装置。 (7) The upper electrode and the power line existing outside the sealing material are connected to each other at a side other than the side where the terminal portion of the element substrate is formed. Top emission type organic EL display device.
(8)下部電極と上部電極によって有機EL層が挟持された画素と、前記上部電極に電流を供給するための電源線と、前記電源線に外部から電流を供給するための端子部を有する素子基板と、前記素子基板をおおって、保護膜が形成されたトップエミッション型有機EL表示装置であって、前記上部電極は前記素子基板の端部にまで形成され、前記保護膜は前記素子基板の最外周には形成されておらず、前記最外周においては、前記上部電極は前記保護膜に覆われておらず、前記最外周において、前記電源線は前記上部電極を覆って前記上部電極と接続していることを特徴とするトップエミッション型有機EL表示装置。 (8) An element having a pixel in which an organic EL layer is sandwiched between a lower electrode and an upper electrode, a power supply line for supplying current to the upper electrode, and a terminal portion for supplying current to the power supply line from the outside A top emission organic EL display device in which a protective film is formed by covering a substrate and the element substrate, wherein the upper electrode is formed up to an end of the element substrate, and the protective film is formed on the element substrate. The upper electrode is not covered with the protective film at the outermost periphery, and the power line covers the upper electrode and connects to the upper electrode at the outermost periphery. A top emission type organic EL display device.
(9)前記電源線は、前記素子基板の前記端子部が形成されている辺以外において、前記上部電極を覆って前記上部電極と接続していることを特徴とする(8)に記載のトップエミッション型有機EL表示装置。 (9) The top according to (8), wherein the power line covers the upper electrode and is connected to the upper electrode, except for the side where the terminal portion of the element substrate is formed. Emission type organic EL display device.
(10)前記電源線は導電性ペーストを印刷によって塗布して形成されていることを特徴とする(8)に記載のトップエミッション型有機EL表示装置。 (10) The top emission organic EL display device according to (8), wherein the power line is formed by applying a conductive paste by printing.
本発明によれば、トップエミッション型有機EL表示装置において、上部電極をシール材の外側にまで延在させ、シール材の外側において、電源線とシール材を接続するので、額縁の寸法を小さく保ったまま、画面の輝度傾斜を抑制することが出来る。 According to the present invention, in the top emission type organic EL display device, the upper electrode is extended to the outside of the sealing material, and the power supply line and the sealing material are connected to the outside of the sealing material. The brightness gradient of the screen can be suppressed.
以下実施例に従い、本発明の内容を詳細に説明する。 The contents of the present invention will be described below in detail according to examples.
図1は本発明が適用されるトップエミッション型の有機EL表示装置の画素部の断面図である。トップエミッション型有機EL表示装置は、有機EL層22の上にアノードが存在するトップアノード型と、有機EL層22の上にカソードが存在するトップカソード型とが存在する。図1はトップアノード型の場合であるが、トップカソードの場合も本発明は同様に適用することが出来る。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a pixel portion of a top emission type organic EL display device to which the present invention is applied. The top emission type organic EL display device includes a top anode type in which an anode is present on the
図1において、素子基板10の上にはSiNからなる第1下地膜11と、SiO2からなる第2下地膜12が形成されている。ガラス基板からの不純物が半導体層13を汚染することを防止するためである。第2下地膜12の上には半導体層13が形成される。半導体層13はCVDによってa−Si膜が形成されたあと、レーザー照射によってpoly−Si膜に変換する。
In FIG. 1, on the
半導体層13を覆って、SiO2からなるゲート絶縁膜14が形成される。ゲート絶縁膜14を挟んで、半導体層13と対向する部分にゲート電極15が形成される。ゲート電極15をマスクにして、半導体層13にリンあるいはボロン等の不純物をイオンインプランテーションによって打ち込み、導電性を付与して、半導体層13にソース部あるいはドレイン部を形成する。
A
ゲート電極15を覆って層間絶縁膜16がSiO2によって形成される。ゲート配線とドレイン電極17を絶縁するためである。層間絶縁膜16の上にはドレイン電極17が形成される。ドレイン電極17は層間絶縁膜16およびゲート絶縁膜14のスルーホール65を介して半導体層13のドレイン部と接続する。
An
その後、TFTを保護するために、SiNからなる無機パッシベーション膜18が被着される。無機パッシベーション膜18の上には、有機パッシベーション膜19が形成される。有機パッシベーション膜19は無機パッシベーション膜18とともに、TFTをより完全に保護する役割を有するとともに、有機EL層22が形成される面を平坦にする役割を有する。したがって、有機パッシベーション膜19は1〜4μmと、厚く形成される。
Thereafter, an
有機パッシベーション膜19の上には反射電極がAlまたはAl合金によって形成される。AlまたはAl合金は反射率が高いので、反射電極として好適である。反射電極は有機パッシベーション膜19および無機パッシベーション膜18に形成されたスルーホール65を介してドレイン電極17と接続する。
A reflective electrode is formed of Al or an Al alloy on the
本実施例はトップアノード型の有機EL表示装置なので、有機EL層22の下部電極21はカソードとなる。したがって、反射電極として使用されるAlあるいはAl合金が有機EL層22の下部電極21を兼用することが出来る。AlあるいはAl合金は仕事関数が比較的小さいので、カソードとして機能することが出来るからである。
Since this embodiment is a top anode type organic EL display device, the
トップカソード型の場合は、下部電極21がアノードとなるので、下部電極21にITOを用いる。また、有機EL層22からの光の取り出し効率を上げるために、下部電極21であるITOの下に反射電極を形成する。この場合、反射電極は反射率の良い、AlまたはAl合金を用いる。反射電極の存在によって、有機EL層22から出た光は、図1の白抜きの矢印Lの方向に出射する。
In the case of the top cathode type, since the
下部電極21の上には有機EL層22が形成される。有機EL層22は複数の層によって形成される。本実施例では、下層から電子注入層、電子輸送層、発光層、ホール輸送層が形成されている。なお、ホール輸送層と上部電極23の間にホール注入層を設ける場合もある。有機EL層22の上にはアノードとなる上部電極23が形成される。本実施例では上部電極23としてはIZOを用いている。IZOはマスクを用いず、表示領域100全体に蒸着される。IZOの厚さは光の透過率を維持するために、30nm程度に形成される。IZOはアニールをしない状態においては、ITOよりも抵抗が低い。
An
有機EL層22は複数の層から成っているが、構成は次のとおりである。電子輸送層としては電子輸送性を示し、アルカリ金属と共蒸着することにより電荷移動錯体化しやすいものであれば特に限定は無く、例えばトリス(8−キノリノラート)アルミニウム、トリス(4-メチル-8-キノリノラート)アルミニウム、ビス(2-メチル−8−キノリノラート)−4−フェニルフェノラート−アルミニウム、ビス[2-[2-ヒドロキシフェニル]ベンゾオキサゾラート]亜鉛などの金属錯体や2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、1,3−ビス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン等を用いることができる。
The
電子注入層は電子輸送層に用いた物質に対して電子供与性を示す材料を共蒸着して形成した、例えば、リチウム、セシウムなどのアルカリ金属、マグネシウム、カルシウムなどのアルカリ土類金属、さらには希土類金属等の金属類、あるいはそれらの酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物等から選択して電子供与性を示す物質として用いてもかまわない。 The electron injection layer is formed by co-evaporation of a material having an electron donating property with respect to the substance used for the electron transport layer, for example, an alkali metal such as lithium and cesium, an alkaline earth metal such as magnesium and calcium, and They may be selected from metals such as rare earth metals, or their oxides, halides, carbonates, etc., and used as substances exhibiting electron donating properties.
ホール輸送層は、例えば、テトラアリールベンジシン化合物(トリフェニルジアミン:TPD)、芳香族三級アミン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサジアゾール誘導体、ポリチオフェン誘導体、銅フタロシアニン誘導体等を用いることができる。 The hole transport layer includes, for example, a tetraarylbenzidine compound (triphenyldiamine: TPD), an aromatic tertiary amine, a hydrazone derivative, a carbazole derivative, a triazole derivative, an imidazole derivative, an oxadiazole derivative having an amino group, a polythiophene derivative, Copper phthalocyanine derivatives and the like can be used.
発光層材料としては電子、ホールの輸送能力を有するホスト材料に、それらの再結合により蛍光もしくはりん光を発するドーパントを添加したもので共蒸着により発光層として形成できるものであれば特に限定は無く、例えば、ホストとしてはトリス(8−キノリノラト)アルミニウム、ビス(8−キノリノラト)マグネシウム、ビス(ベンゾ{f}−8−キノリノラト)亜鉛、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウムオキシド、トリス(8−キノリノラト)インジウム、トリス(5−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム、8−キノリノラトリチウム、トリス(5−クロロ−8−キノリノラト)ガリウム、ビス(5−クロロ−8−キノリノラト)カルシウム、5,7−ジクロル−8−キノリノラトアルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム、ポリ[亜鉛(II)−ビス(8−ヒドロキシ−5−キノリニル)メタン]のような錯体、アントラセン誘導体、カルバゾール誘導体、等であっても良い。 The light emitting layer material is not particularly limited as long as it can be formed as a light emitting layer by co-evaporation by adding a dopant that emits fluorescence or phosphorescence by recombination to a host material having electron and hole transport capability. For example, tris (8-quinolinolato) aluminum, bis (8-quinolinolato) magnesium, bis (benzo {f} -8-quinolinolato) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum oxide, tris ( 8-quinolinolato) indium, tris (5-methyl-8-quinolinolato) aluminum, 8-quinolinolatolithium, tris (5-chloro-8-quinolinolato) gallium, bis (5-chloro-8-quinolinolato) calcium, 5 , 7-dichloro-8-quinolinolato aluminum, tris ( , 7-dibromo-8-hydroxyquinolinolato) aluminum, poly [zinc (II) -bis (8-hydroxy-5-quinolinyl) methane] -like complexes, anthracene derivatives, carbazole derivatives, and the like. .
また、ドーパントとしてはホスト中で電子とホールを捉えて再結合させ発光するものであって、例えば赤ではピラン誘導体、緑ではクマリン誘導体、青ではアントラセン誘導体などの蛍光を発光する物質やもしくはイリジウム錯体、ピリジナート誘導体などりん光を発する物質であっても良い。 In addition, the dopant captures electrons and holes in the host to recombine and emits light. For example, a red light emitting substance such as a pyran derivative, a green coumarin derivative, a blue anthracene derivative, or an iridium complex. Further, a phosphorescent substance such as a pyridinate derivative may be used.
最上層である上部電極23は光を取り出すために透明導電膜である必要がある。本実施例では上部電極23はIZOであるが、光の透過率と電気抵抗との兼ね合いで他の透明導電膜を用いても良い。さらに、Au、Ag等の金属膜も薄くすると透明となるので、場合によっては上部電極23として使用することが出来る。
The
なお、有機EL層22が端部において段切れによって破壊することを防止するために、画素と画素の間にバンク20が形成される。バンク20は有機材料で形成する場合もあるし、SiNのような無機材料で形成する場合もある。有機材料を使用する場合は、一般にはアクリル樹脂によって形成される。
In addition, in order to prevent the
上部電極23は、有機EL層22の上およびバンク20の上等、有機EL表示装置の表示領域100全体に蒸着あるいはスパッタリング等によって形成される。上部電極23の上には空間を挟んでガラスによって形成された封止基板40が設置されている。有機EL層22は水分が存在すると発光効率が低下するので、水分から保護するために封止基板40が配置される。封止基板40は、端部において、TFT基板とシール材50によって接着している。封止基板40とシール材50によって素子基板10に形成された有機EL層22は水分から保護される。
The
図2は、本実施例による有機EL表示装置の平面図である。図2において、素子基板10と封止基板40が周辺において、シール材50によって接着しており、素子基板10に形成された有機EL層22を水分から保護する。シール材50は例えば、エポキシ樹脂によって形成される。シール材50の内側には表示領域100が形成されている。表示領域100とシール材50の間の素子基板10には、図示しない乾燥剤が配置されている。
FIG. 2 is a plan view of the organic EL display device according to this embodiment. In FIG. 2, the
素子基板10は封止基板40よりも大きく形成されており、図2における下側で、素子基板10が一枚となった部分には端子部70が形成されている。端子部70には、外部回路と接続するためのフレキシブル配線基板と接続する端子の他に、有機EL表示パネルを駆動するための図示しないICドライバが設置されている。
The
図2の特徴は、上部電極23が素子基板10と封止基板40を接着するシール材50の外側にまで形成されていることである。そして、シール材50の外側に電源線60を形成し、この電源線60から上部電極23に対して電流を供給する。電源線60は厚く形成することが出来るので、電流が流れることによる上部電極23の電圧降下は抑えられ、画面の輝度傾斜を抑制することが出来る。
The feature of FIG. 2 is that the
電源線60は図2の端子部70から供給される。電源線60は表面に配置されるので、フレキシブル配線基板等から直接電源を供給することもできるし、フレキシブル配線基板等からドレイン層と同層で形成された層に電流を供給し、スルーホールを介して電源線60に電流を供給してもよい。この場合のスルーホールは端子部70に形成するので、有機EL表示パネルの外形を大きくすることはない。
The
図2における電源線60はシール材50の長辺外側と、端子部70と反対側のシール材50の短辺外側に形成されている。図2では、端子側の短辺には電源線60は配置されていない。しかし、端子部70におけるフレキシブル配線基板等の接続に支障のない限りにおいて、端子部70側の短辺にも電源線60を配置してもよい。
2 is formed on the outer side of the long side of the sealing
図3は図2のA−A断面図である。図3において、有機EL層22等が形成された素子基板10と封止基板40とは周辺に形成されたシール材50を介して接着している。図3において、素子基板10には上部電極23が形成されている。図3においては、上部電極23の下の構成は省略されている。図3における上部電極23は、表示領域100全体を覆って形成され、さらに、シール材50の外側にまで存在している。上部電極23はIZOによって形成されているが、IZOは金属酸化物であり、化学的に安定な材料であるので、シール材50の外側に存在しても信頼性上問題となることはない。
3 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. In FIG. 3, the
図3において、シール材50の外側に上部電極23であるIZOが延在した部分には、電源線60が配置されている。この電源線60は、表示領域100の光透過とは関係がないので厚く形成することが出来る。また、電源線60は透明電極である必要は無い。電源線60を厚く形成することによって電源線60の抵抗を下げ、上部電極23の電圧降下を抑制する。
In FIG. 3, a
図3における電源線60の材料としては、銀ペースト等の導電性ペーストを使用することが出来る。銀ペーストはエポキシ樹脂に銀の微粒子が分散されたもので、抵抗を小さくすることが出来る。銀ペーストは塗布によって形成することが出来る。銀ペーストの母材(有機媒体)であるエポキシは紫外線硬化型のものを使用してもよいし、熱硬化型のものを使用してもよい。熱硬化型の場合は、100℃以下で硬化する材料とする必要がある。有機EL層22は高温になると破壊するからである。
As a material of the
図3における電源線60の材料は、銀ペーストの他にNiペースト、Alペースト等を使用することが出来る。Niペーストとは有機媒体にNiの微粒子を分散させたものである。また、Alペーストは有機媒体にAlの微粒子を分散させたものである。銀ペースト、Niペースト、Alペースト等を金属微粒子ペーストと呼ぶ。
As a material of the
さらに、電源線60の材料として、黒鉛ペーストを使用することが出来る。黒鉛としては、グラファイトが、抵抗率が小さいので好適である。黒鉛ペーストは化学的には非常に安定であるとう特徴がある。また、グラファイト等は、粒子が非常に微細であるので、細かな凹凸やピンホールにも入り込むことが出来るので、安定した導通を得ることが出来る。
Further, a graphite paste can be used as a material for the
以上の導電ペーストの有機媒体はエポキシであるとしたが、エポキシに限らず、アクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂等を使用することが出来る。ただし、これらの樹脂は、紫外線硬化型か、100℃以下で熱硬化するような材料であることが必要である。 Although the organic medium of the above conductive paste is epoxy, it is not limited to epoxy, and acrylic resin, phenol resin, silicon resin, or the like can be used. However, these resins are required to be ultraviolet curable or materials that can be thermally cured at 100 ° C. or lower.
図4は図2のコーナー部分拡大図である。図4において、シール材50の内側には点線で示す表示領域100が形成されている。上部電極23はシール材50の外側にまで存在している。シール材50の外側において、上部電極23に重ねて電源線60が形成されている。電源線60は、パネルの周辺を囲むように形成されている。したがって、表示領域100の周辺全体はほぼ同じ電位に保つことが出来る。
FIG. 4 is an enlarged view of a corner portion of FIG. In FIG. 4, a
図4の他の特徴は、表示領域100の端部から有機EL表示パネルの端部までの寸法である、いわゆる額縁寸法fを小さくすることが出来る点である。すなわち、本発明においては、電源線60をシール材50の外側に配置し、従来は使用していなかった、シール部の外側に電源線60を配置している。したがって、後に示す従来の構成で必要としている電源線60の幅、および、電源線60と上部電極23を接続するためのスルーホール65を省略することが出来るからである。
Another feature of FIG. 4 is that the so-called frame dimension f, which is the dimension from the end of the
図5〜図7は本発明に対する比較例としての従来例である。図5は従来例の平面図である。図5において、素子基板10と封止基板40がシール材50を介して接着している。シール材50の内部には点線で示す表示領域100が形成されている。上部電極23は表示領域100よりもやや大きな面積にベタで形成されている。上部電極23の電位の変化を緩和するために、電源線60が表示領域100の外側で、シール材50の内側に延在している。電源線60への電流は端子部70から供給される。
5 to 7 are conventional examples as comparative examples for the present invention. FIG. 5 is a plan view of a conventional example. In FIG. 5, the
図6は図5のB−B断面図である。図6において、有機EL層22等が形成された素子基板10と封止基板40とは周辺に形成されたシール材50を介して接着している。図6において、素子基板10には上部電極23が形成されている。図6においては、上部電極23の下の構成は省略されている。図6における上部電極23は、表示領域100よりやや大きな面積に形成されている。
6 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. In FIG. 6, the
シール材50の内側で、上部電極23の周辺部には電源線60が形成されている。図6では電源線60の上に直接上部電極23が重なったように記載しているが、実際には、電源と上部電極23の間には、無機パッシベーション膜および有機パッシベーション膜等の絶縁膜が存在している。したがって、電源線60と上部電極23は、無機パッシベーション膜および有機パッシベーション膜に形成したスルーホール65を介して接続している。
A
図7は図5のコーナー部分拡大図である。図7において、シール材50の内側には点線で示す表示領域100が形成されている。上部電極23はシール材50の内側で、表示領域100よりもやや大きい面積で形成されている。電源線60は上部電極23の端部に重なって形成されている。図7において、電源線60はドレイン電極と同層で形成されている。したがって、上部電極23と導通をとるためには、電源線60よりも上に形成されている無機パッシベーション膜および有機パッシベーション膜にスルーホール65を形成する必要がある。
FIG. 7 is an enlarged view of a corner portion of FIG. In FIG. 7, a
したがって、図7の構成では、表示領域100の外側で、シール材50の内側に電源線60およびスルーホール65のためのスペースを確保しておく必要がある。このために、表示領域100の端部から有機EL表示パネルの端部までの寸法である額縁寸法fは本発明である図4の構成に比較して大きくなっている。
Therefore, in the configuration of FIG. 7, it is necessary to secure a space for the
以上のように、本発明によれば、上部電極23の電圧降下を抑え、画面輝度の傾斜を抑制することが出来る。そして、輝度傾斜を抑制するための電源線60を、従来は使用されていなかった、シール材50の外側に形成するので、額縁の幅を小さく抑えることが出来る。
As described above, according to the present invention, the voltage drop of the
実施例の構成では、有機EL表示パネルの周辺に電源線60を形成しているので、画面の上下、あるいは左右の輝度の傾斜は抑えることが出来る。しかしながら、実施例1の構成では、画面の周辺と画面の中央の輝度差は依然存在する。すなわち、画面周辺には、抵抗の十分小さい電源線60を塗布によって形成するので、画面周辺の輝度はほぼ一定とすることが出来る。しかし、画面の中央は画面周辺から電流が供給されるので、上部電極23の抵抗が大きいと、画面の周辺と画面の中央とで電位が異なることになり、輝度傾斜を生ずる。
In the configuration of the embodiment, since the
図8はこのような、画面の周辺と画面の中央部との輝度傾斜を抑制する構成を与えるものである。図8において、赤画素101、緑画素102、青画素103がそれぞれ縦方向に配列している。図8において、画素と画素の間にはバンク20が形成されている。画素の縦方向の画素と画素の間隔s、すなわち、バンク20の幅は25μmから30μmである。
FIG. 8 provides such a configuration that suppresses the luminance gradient between the periphery of the screen and the center of the screen. In FIG. 8, a
図8では、縦方向の画素と画素の間隔sの部分に補助電極30を横方向に延在させてて、上部電極23の電圧降下を抑制している。補助電極30の幅wは10μmから15μmである。補助電極30はバンク20の上に形成するので、厚く形成することが出来る。また、透明である必要は無いので、抵抗率の低い、AlあるいはAl合金が使用される。
In FIG. 8, the
図9は、図8のA−A断面図である。図9における構成は補助電極30と除いて図1で説明した構成と同様である。図9において、補助電極30がバンク20の上に形成されている。補助電極30は、上部電極23の上に形成するだけで上部電極23の電圧降下を抑えることが出来る。したがって、上部電極23を形成しても、額縁部の寸法を小さくすることが出来るという、本発明の利点を享受することが出来る。
9 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. The configuration in FIG. 9 is the same as the configuration described in FIG. 1 except for the
実施例1および実施例2では、有機EL層22を水分から保護するために、封止基板40を用い、封止基板40と素子基板10を周辺においてシール材50によって接着し、外部からの水分の浸入を防止している。本実施例は封止基板40を使用せずに、有機ELを水分から保護する構成に対して本発明を適用した場合である。
In Example 1 and Example 2, in order to protect the
図10は本発明の第3の実施例である。図10において、素子基板10の表示領域100内には図示しない有機EL層22が形成されている。有機EL層22の上には上部電極23がIZOによって形成されている。上部電極23は端子部70を除き、素子基板10全面に形成されている。上部電極23を覆って、一点鎖線で示す保護膜200が形成されている。この保護膜200は、外気の水分から有機EL層22を保護するものである。保護膜200は、SiO2あるいはSiN、あるいはその両方によって形成される。さらに、低温で硬化する有機材料が使用されることもある。
FIG. 10 shows a third embodiment of the present invention. In FIG. 10, an organic EL layer 22 (not shown) is formed in the
保護膜200は、素子基板10の最外周までは形成されておらす、最外周においては、上部電極23は保護膜200によって覆われていない。しかし、IZO等の金属酸化物は化学的には安定であり、保護膜200で覆われていなくとも信頼性上は問題ない。最外周において、上部電極23が保護膜200によって覆われていない部分に電源線60が塗布によって形成される。保護膜200は端子部70までには形成する必要がない。端子部70に延在する走査線あるいは映像信号線は無機パッシベーション膜および有機パッシベーション膜によって保護されているからである。
The
図10における電源線60も実施例1で説明したような、銀ペースト、黒鉛ペースト等の導電ペーストを使用することが出来る。図10における電源線60は、素子基板10の上に形成するので、印刷によって容易に形成することが出来る。電源線60は端子部70まで、延在して端子部70から電流の供給を受ける。端子部70における電流の供給の仕方は、実施例1で説明したのと同様である。
The
図11は図10のD−D断面図である。図11において、上部電極23が素子基板10全体に形成されている。なお、図11においては、上部電極23より下層は省略されている。図11において、上部電極23の上には、保護膜200が形成されている。保護膜200は素子基板10の最外周までは形成されていない。
11 is a cross-sectional view taken along the line DD of FIG. In FIG. 11, the
最外周において、上部電極23が保護膜200によって覆われていない部分には電源線60が形成されている。電源線60は上部電極23と直接接している。この場合の電源線60は、印刷によって容易に形成することが出来る。
On the outermost periphery, a
本実施例においては、上部電極23を保護膜200よりも外側まで存在させ、保護膜200に対して電源線60を直接、印刷等で塗布することによって上部電極23における電圧降下を抑え、画面の輝度傾斜を抑制することが出来る。また、実施例3においても、実施例2で説明したような、補助電極30を用いることによって輝度傾斜の影響をさらに軽減することが出来る。
In the present embodiment, the
10…素子基板、 11…第1下地膜、 12…第2下地膜、 13…半導体層、 14…ゲート絶縁膜、 15…ゲート電極、 16…層間絶縁膜、 17…ドレイン電極、 18…無機パッシベーション膜、 19…有機パッシベーション膜、 20…バンク、 21…下部電極、 22…有機EL層、 23…上部電極、 30…補助電極、 40…封止基板、 50…シール材、 60…電源線、 65…スルーホール、 70…端子部、 100…表示領域、 101…赤画素、 102…緑画素、 103…青画素、 200…保護膜。
DESCRIPTION OF
Claims (10)
前記上部電極は前記シール材の部分を通って前記素子基板の端部にまで延在し、前記上部電極は前記電源線と前記シール材の外側において接続することを特徴とするトップエミッション型有機EL表示装置。 A pixel in which an organic EL layer is sandwiched between a lower electrode and an upper electrode; a power supply line for supplying power to the upper electrode; an element substrate having a terminal portion for supplying power to the power supply line from outside; and the element substrate; A top emission type organic EL display device in which a sealing substrate is disposed oppositely and the peripheral portion of the element substrate and the sealing substrate is bonded and sealed with a sealing material,
The top electrode extends to the end of the element substrate through the portion of the sealing material, and the top electrode is connected to the power line on the outside of the sealing material. Display device.
前記上部電極は前記シール材の部分を通って前記素子基板の端部にまで延在し、前記上部電極は前記電源線と前記シール材の外側において接続することを特徴とするトップエミッション型有機EL表示装置。 A plurality of pixels in which an organic EL layer is sandwiched between a lower electrode and an upper electrode are formed, a bank is formed between the pixels, and an auxiliary by a metal connected to the upper electrode is formed on the bank. An electrode is formed, a power supply line for supplying power to the upper electrode, an element substrate having a terminal portion for supplying power to the power supply line from the outside, and a sealing substrate disposed opposite the element substrate, A top emission type organic EL display device in which a peripheral portion of an element substrate and the sealing substrate is bonded and sealed with a sealing material,
The top electrode extends to the end of the element substrate through the portion of the sealing material, and the top electrode is connected to the power line on the outside of the sealing material. Display device.
前記上部電極は前記素子基板の端部にまで形成され、前記保護膜は前記素子基板の最外周には形成されておらず、前記最外周においては、前記上部電極は前記保護膜に覆われておらず、前記最外周において、前記電源線は前記上部電極を覆って前記上部電極と接続していることを特徴とするトップエミッション型有機EL表示装置。 A pixel in which an organic EL layer is sandwiched between a lower electrode and an upper electrode, a power supply line for supplying power to the upper electrode, an element substrate having a terminal portion for supplying power to the power supply line from the outside, and the element substrate Then, a top emission type organic EL display device in which a protective film is formed,
The upper electrode is formed up to the end of the element substrate, and the protective film is not formed on the outermost periphery of the element substrate, and the upper electrode is covered with the protective film on the outermost periphery. The top emission type organic EL display device is characterized in that, on the outermost periphery, the power line covers the upper electrode and is connected to the upper electrode.
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