JP2010025912A - 電子分光法 - Google Patents
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- 238000001941 electron spectroscopy Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 125000005575 polycyclic aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 claims abstract description 39
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 135
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- -1 polycyclic aromatic hydrocarbon ion Chemical class 0.000 claims description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 16
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 13
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 6
- 229910018194 SF 6 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 3
- 238000012284 sample analysis method Methods 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims 1
- 229920005547 polycyclic aromatic hydrocarbon Polymers 0.000 claims 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 24
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 19
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical group C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 6
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 6
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 5
- 229920001606 poly(lactic acid-co-glycolic acid) Polymers 0.000 description 5
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 5
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 5
- 238000000026 X-ray photoelectron spectrum Methods 0.000 description 4
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- 238000004838 photoelectron emission spectroscopy Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000004402 ultra-violet photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Natural products OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000329 molecular dynamics simulation Methods 0.000 description 1
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- LSQODMMMSXHVCN-UHFFFAOYSA-N ovalene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3C5=C6C(C=C3)=CC=C3C6=C6C(C=C3)=C3)C4=C5C6=C2C3=C1 LSQODMMMSXHVCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000001420 photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
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- G01N23/227—Measuring photoelectric effect, e.g. photoelectron emission microscopy [PEEM]
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- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
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- H01J37/295—Electron or ion diffraction tubes
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- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/08—Ion sources
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
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- H01J2237/08—Ion sources
- H01J2237/0815—Methods of ionisation
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
【解決手段】電子分光装置2は内部に試料台6を設置した超高真空容器4を備える。イオン銃8は超高真空容器4内に伸びており、多環式芳香族炭化水素イオンビーム10を供給する。イオンビームは使用の際、試料台の上の試料に向けられる。光子源12は、使用時に試料上に投射する光子ビーム14を供給するのに適合している。真空容器4の内部には光電子分光器16が設置され、使用時に試料から放射される電子18を検出する。
【選択図】図1
Description
Claims (52)
- 試料に照射する高エネルギー粒子源、試料から放出された電子を検出する電子検出システム、及び試料に多環式芳香族炭化水素(PAH)イオンビームを供給するイオン銃を含む電子分光装置であって、前記イオン銃は多環式芳香族炭化水素イオン源を有する電子分光装置。
- PAHがプリ・フォーム、即ち粉状又は繊維状の固体としてイオン源に供給される前記請求項に記載の電子分光装置。
- PAHが5〜20の芳香環を有する請求項1又は2に記載の電子分光装置。
- PAHが5〜15の芳香環を有する請求項2に記載の電子分光法装置。
- PAHが5〜10の芳香環を有する請求項4に記載の電子分光装置。
- PAHが6〜8の芳香環を有する請求項5に記載の電子分光装置。
- PAHがコロネンである請求項6に記載の電子分光装置。
- 先行する請求項のうちのいずれか1項に記載の電子分光装置であって、前記イオン源はPAHの気相分子を生成する気体発生器、及びPAHの気相分子をイオン化するイオン化装置を有するものである電子分光装置。
- 前記気体発生器は加熱室を有する、請求項8に記載の電子分光装置。
- 前記加熱室は100℃〜300℃の範囲で運転するのに適合している請求項8に記載の電子分光装置。
- 前記イオン化装置は電子衝撃イオン化装置を有する、請求項8又は9のいずれかに記載の電子分光装置。
- 前記イオン銃は気体をイオン化装置に供給する手段を有する請求項8〜11のいずれか1項に記載の電子分光装置。
- 前記気体はAr、O2、及びSF6の中から選択される、請求項12に記載の電子分光装置。
- 当該装置は第1のPAHイオンビームモードと第2の気体イオンビームモードとを切り替えるためのイオンビーム制御器を有する、先行する請求項のうちのいずれか1項に記載の電子分光装置。
- 前記イオン銃はイオンをイオン源から加速させるイオン引出装置を有する、先行する請求項のうちのいずれか1項に記載の電子分光装置。
- 前記イオン銃はイオンを収束、及び/又は軸合わせするためのイオン光学素子を有する、先行する請求項のうちのいずれか1項に記載の電子分光装置。
- 前記イオン銃は質量フィルタを有する先行する請求項のうちのいずれか1項に記載の電子分光装置。
- 前記質量フィルタがウィーンフィルタである、請求項17に記載の電子分光装置。
- 前記イオン銃は中性粒子を除去するイオン分離器を有する、先行する請求項のうちのいずれか1項に記載の電子分光装置。
- 前記イオン銃は質量フィルタリング、及び/又はイオン分離されたイオンを収束させる第2のイオン光学素子を有する、請求項17〜19のいずれか1項に記載の電子分光装置。
- 前記イオン銃はイオンを試料の異なる領域上に向けるイオン走査器を有する、先行する請求項のうちのいずれか1項に記載の電子分光装置。
- 前記イオン銃は異なる荷電状態のイオンを供給するのに適合している、先行する請求項のうちのいずれか1項に記載の電子分光装置。
- 前記電子検出システムは電子エネルギー分析器を有する、先行する請求項のうちのいずれか1項に記載の電子分光装置。
- 前記電子エネルギー分析器は半球型分析器を有する、請求項23に記載の電子分光装置。
- 前記電子エネルギー分析器は球面鏡分析器を有する、請求項23又は24に記載の電子分光装置。
- 前記電子検出システムはチャネルトロン又はマイクロチャネルプレート電子検出器を有する、先行する請求項のうちのいずれか1項に記載の電子分光装置。
- 前記検出器は遅延線検出器の読み出し器を有する、請求項26に記載の電子分光装置。
- 前記装置は真空室を有する、先行する請求項のうちのいずれか1項に記載の電子分光装置。
- 前記真空室は超高真空室である、請求項21に記載の電子分光装置。
- 前記電子検出システムは、運動エネルギー、及び/又は電子数を検出するのに適合している、先行する請求項のうちのいずれか1項に記載の電子分光装置。
- 当該装置はXPS装置である、先行する請求項のうちのいずれか1項に記載の電子分光装置。
- 当該装置はPES装置である、請求項1〜30のいずれか1項に記載の電子分光装置。
- 試料に高エネルギー粒子を照射する段階、及び試料から放出された電子を検出する段階を有する電子分光法であって、前記方法は多環式芳香族炭化水素イオンビームを試料上に向ける段階を有する電子分光法。
- 前記PAHイオンビームは2〜20keVのエネルギーを有する、請求項33に記載の電子分光法。
- 前記PAHイオンビームは5〜15keVのエネルギーを有する、請求項34に記載の電子分光法。
- 前記PAHイオンビームはPAHを加熱することによって発生する、請求項33〜35のいずれか1項に記載の電子分光法。
- 当該方法は、PAHイオンビームで試料から物質の表面層を除去する段階を有する、請求項33〜36のいずれか1項に記載の電子分光法。
- PAHイオンビームで試料から物質の表面層を繰り返し除去する段階を含む、請求項37に記載の電子分光法。
- 前記方法はスパッタを用いた深さ方向分析方法である、請求項33〜38のいずれか1項に記載の電子分光法。
- 前記方法はPAHイオンビームで試料表面を清浄する段階を含む、請求項33〜39のいずれか1項に記載の電子分光法。
- 前記高エネルギー粒子は光子である、請求項33〜40のいずれか1項に記載の電子分光法。
- 前記光子はX線及び紫外線放射から選択される、請求項41に記載の電子分光法。
- 請求項1〜32のいずれか1項に記載の装置で用いる多環式芳香族炭化水素イオン銃。
- 前記イオン銃は請求項1〜22のいずれか1項で定義された、請求項43に記載の多環式芳香族炭化水素イオン銃。
- 前記イオン銃はPAHイオンビーム及び気体イオンビームを供給するのに適合している、請求項43又は44に記載の多環式芳香族炭化水素イオン銃。
- 前記イオン銃は、PAHの気相を生成する加熱室と、PAHの気相をイオン化するイオン化装置と、室温の気体をイオン化装置に供給する気体供給手段とを有する、請求項43〜45のいずれか1項に記載の多環式芳香族炭化水素イオン銃。
- 前記の室温の気体は、Ar、O2、及びSF6の中から選択される、請求項46に記載の多環式芳香族炭化水素イオン銃。
- 電子分光法による試料分析方法における多環式芳香族炭化水素の利用。
- 請求項1〜32のいずれか1項で定義された装置の製造方法における多環式芳香族炭化水素の利用。
- 請求項43〜47のいずれか1項で定義されたイオン銃の製造方法における多環式芳香族炭化水素の利用。
- 請求項33〜42のいずれか1項に記載の方法を遂行できるように電子分光装置を修正する方法。
- 請求項51に記載の方法であって、当該方法は、請求項43〜47のいずれか1項に記載の多環式芳香族炭化水素イオン銃を装置に供給する段階を有する方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12920608P | 2008-06-11 | 2008-06-11 | |
| GB0810723.7 | 2008-06-11 | ||
| US61/129,206 | 2008-06-11 | ||
| GB0810723.7A GB2460855B (en) | 2008-06-11 | 2008-06-11 | Electron spectroscopy |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010025912A true JP2010025912A (ja) | 2010-02-04 |
| JP2010025912A5 JP2010025912A5 (ja) | 2011-01-27 |
| JP5386918B2 JP5386918B2 (ja) | 2014-01-15 |
Family
ID=39650856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008261565A Expired - Fee Related JP5386918B2 (ja) | 2008-06-11 | 2008-10-08 | 電子分光装置及び電子分光法並びに多環式芳香族炭化水素イオン銃 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8481931B2 (ja) |
| EP (1) | EP2133903B1 (ja) |
| JP (1) | JP5386918B2 (ja) |
| GB (1) | GB2460855B (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2484488B (en) | 2010-10-12 | 2013-04-17 | Vg Systems Ltd | Improvements in and relating to ion guns |
| US9496673B2 (en) * | 2011-03-18 | 2016-11-15 | Denka Company Limited | Enclosure and method for handling electron gun or ion gun |
| WO2013129390A1 (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-06 | 国立大学法人京都大学 | 固体の空準位測定方法及び装置 |
| US8772712B2 (en) * | 2012-04-24 | 2014-07-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Analysis apparatus and analysis method |
| GB201308505D0 (en) * | 2013-05-13 | 2013-06-19 | Ionoptika Ltd | Use of a gas cluster ion beam containing hydrocarbon for sample analysis |
| CN109765255B (zh) * | 2019-01-22 | 2021-09-14 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 近常压xps系统的检测与维护方法 |
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| JP2006221941A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン注入装置およびイオン注入方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| GB2244369A (en) | 1990-05-22 | 1991-11-27 | Kratos Analytical Ltd | Charged particle energy analysers |
| US5504366A (en) * | 1992-07-17 | 1996-04-02 | Biotechnology Research And Development Corp. | System for analyzing surfaces of samples |
| JP3041565B2 (ja) * | 1993-11-30 | 2000-05-15 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 試料加工方法 |
| US5877496A (en) * | 1995-11-21 | 1999-03-02 | Advantest Corporation | Apparatus and method for analysis of surface impurities in a very small region |
| US6268608B1 (en) * | 1998-10-09 | 2001-07-31 | Fei Company | Method and apparatus for selective in-situ etching of inter dielectric layers |
| US6335086B1 (en) * | 1999-05-03 | 2002-01-01 | Guardian Industries Corporation | Hydrophobic coating including DLC on substrate |
| US6265722B1 (en) * | 1999-08-31 | 2001-07-24 | Micron Technology, Inc. | Organic field ionization source |
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| AU2002353876A1 (en) * | 2001-10-26 | 2003-05-12 | Physical Electronics, Inc. | System and method for depth profiling and characterization of thin films |
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| EP1979925A2 (en) * | 2006-01-13 | 2008-10-15 | Technion Research And Development Foundation, Ltd. | Method and apparatus for generating ion beam |
| US20080105828A1 (en) * | 2006-11-08 | 2008-05-08 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for removing molecular fragments from an ion implanter |
| US8778804B2 (en) * | 2009-01-30 | 2014-07-15 | Fei Company | High selectivity, low damage electron-beam delineation etch |
-
2008
- 2008-06-11 GB GB0810723.7A patent/GB2460855B/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-10-08 JP JP2008261565A patent/JP5386918B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-06-11 US US12/482,577 patent/US8481931B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-06-11 EP EP09251534.5A patent/EP2133903B1/en not_active Not-in-force
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2133903B1 (en) | 2014-06-04 |
| US20090309023A1 (en) | 2009-12-17 |
| GB0810723D0 (en) | 2008-07-16 |
| JP5386918B2 (ja) | 2014-01-15 |
| US8481931B2 (en) | 2013-07-09 |
| EP2133903A3 (en) | 2011-10-26 |
| GB2460855B (en) | 2013-02-27 |
| GB2460855A (en) | 2009-12-16 |
| EP2133903A2 (en) | 2009-12-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20100928 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100930 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100928 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101118 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101207 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101207 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120806 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120828 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121024 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130507 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130807 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20130814 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130910 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |