JP2010021494A - チューナ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】グランド端子、回路基板及び鉛フリー半田の温度変化に伴う機械的なストレスを軽減させ、鉛フリー半田を使用しても当該鉛フリー半田のクラックを防止できるようにする。
【解決手段】チューナケース１０１の一部位から延在するグランド端子１０５Ａの一部分である湾曲部１１０Ａを、順送プレス加工を施して半田接合部１０８近傍のグランド端子の幅より狭い幅又はコイニング加工を施して半田接合部１０８近傍のグランド端子の板厚より薄い板厚にする。これにより、チューナ装置の駆動時にグランド端子１０５Ａ、回路基板１０２及び鉛フリー半田の熱膨張係数の差によって生じる応力を当該湾曲部１１０Ａで吸収することができ、当該鉛フリー半田のクラックを防止することができる。
【選択図】図２

Description

本発明は、地上波放送や衛星放送等のテレビジョン放送用のチューナ装置に関するものである。

詳しくは、チューナケースの一部位から延在するグランド端子の一部分である湾曲部が、半田接合部近傍のグランド端子の幅より狭い幅又は半田接合部近傍のグランド端子の板厚より薄い板厚を有する。その湾曲部を有したグランド端子が、鉛フリー半田を介して回路基板と接続される。これにより、チューナ装置の駆動時に生じるグランド端子、回路基板及び鉛フリー半田の熱膨張係数の差による応力を湾曲部で吸収し、グランド端子、回路基板及び鉛フリー半田の温度変化に伴う機械的なストレスを軽減させるようにしたものである。

現在、地球の環境汚染を防止するために電子・電気機器における特定有害物質の使用制限について、ＲｏＨＳ（Restriction of Hazardous Substances）規制が２００６年７月より施行されている。そのため、近年、錫を主成分として鉛を含有しない鉛フリー半田を使用した電子・電気機器等の開発が急速に進んでいる。

その電子・電気機器において、地上波放送や衛星放送等を受信するチューナ装置を備えているテレビジョン装置だけでも年間１億数千台も生産されており、ビデオレコーダ、ＤＶＤレコーダ及びハードディスクレコーダ等の録画装置に備えられているチューナ装置を含めると膨大な数のチューナ装置が生産されている。

それらのチューナ装置内は回路基板を収容しており、その回路基板は各種電子部品等と半田で接続されている。その半田を鉛フリー半田に代替することは地球の環境汚染を防止するためには非常に有効なことである。

チューナ装置には一般にチューナケースと一体のグランド端子が設けられており、当該グランド端子は当該チューナ装置を構成している回路基板と半田を介して電気的に接続される。グランド端子は電気的なグランド接合の役割を果たし、特にチューナケースにおいては接地電位を回路基板上に導く非常に重要な接続になる。

そのグランド端子と回路基板及び半田の熱膨張係数はそれぞれ異なるため、温度サイクル試験等（例えば、−４０℃〜８５℃の温度サイクル）の環境試験において、半田がクラックし、グランド端子と回路基板との接触性が低下するということがあった。

特に、近年のチューナ装置は、地上波放送のＶＨＦ（Very High Frequency）波やＵＨＦ（Ultra High Frequency）波を扱うのみならず、ＢＳ（Broadcasting Satellite；放送衛星）やＣＳ（Communication Satellite；通信衛星）のマイクロ波も扱うため、チューナ装置のＯＮ／ＯＦＦによる当該チューナ装置の温度変化が大きい。

また、鉛フリー半田は、鉛含有の半田に比べ熱膨張係数が半分しかないので、熱膨張係数の差を吸収することが完全にはできず、当該鉛フリー半田がクラックしてグランド端子と回路基板が接触不良になる可能性が高かった。グランド端子と回路基板が接触不良になった場合、各種ノイズの発生原因になってしまうことがある。

特許文献１にはグランド端子に切欠き部及び折り曲げ部を有したチューナ装置が開示されている。このチューナ装置によれば、チューナケースに切欠き部及び折り曲げ部を形成したグランド端子を設け、そのグランド端子と回路基板が半田を用いて接続されている。

これを前提にして、チューナ装置の駆動時、チューナケースに設けられているグランド端子、回路基板及び半田の熱膨張係数の差によって生じる応力を低減させるように、切欠き部及び折り曲げ部を形成したグランド端子に弾性効果を持たせることで、グランド端子と回路基板間の半田のクラックを防止できるというものである。

特許文献２にはプリント基板固定装置が開示されている。このプリント基板固定装置によれば、プリント基板の周辺部にスリットを設け、そのスリットの断面部に垂直方向に接続されチューナケースと一体のバネ性を持った形状のグランド端子と半田を用いて接触することで接続及び固定されている。

これにより、半田付け後のヒートショックにおいて、グランド端子とプリント基板の熱膨張係数が異なっていてもその差異を吸収し、半田のクラックを防止するというものである。

また、図１０は従来のグランド端子１０５の形状例を示す斜視図であり、図１１はその断面図、図１２はその正面図である。図１０に示すように、グランド端子１０５はチューナケース１０１の一部位（グランド端子他端部１０６）から延在する所定の幅と所定の板厚を有している。

そのグランド端子１０５を円弧形状に湾曲させ、グランド端子先端部１０７を下方にして、チューナケース１０１に収容されている回路基板１０２の所定の箇所に設けられた半田接合部１０８に向かって当該グランド端子１０５を貫通させている。

回路基板１０２の裏側の半田接合部１０８には、フロー半田、リフロー半田及びコテ半田等の半田付け方法で塗布された鉛フリー半田（図示せず）を介して、当該回路基板１０２とグランド端子１０５が接続されている。

図１１に示すように、回路基板１０２の板厚は１．２ｍｍであり、グランド端子１０５の板厚及びチューナケース１０１の板厚は０．６ｍｍである。また、回路基板１０２下方面からグランド端子先端部１０７までの距離及び鉛フリー半田１０９の厚みは１．５ｍｍである。また、図１２に示すように、グランド端子１０５の幅は０．９ｍｍである。

図１４（１）は応力がかかる前の応力の計算に係る構成例を示す斜視図であり、図１４（２）は応力がかかっているときの応力の計算に係る構成例を示す斜視図である。図１４（１）に示すように、上辺の幅をｂｏ、下辺の幅をｂ、高さをｌとした台形を底面にもつ厚みｈの板を考える。図１４（２）に示すように、その板の下辺ｂ側を固定し、上辺ｂｏ側に応力σがかかったときのたわみをδとする。以上の構成により、応力σは数１のようになる。

ここで、Ｅはヤング率であり、αはｂ＞ｂｏのときの台形バネ係数である。

図１３は、グランド端子１０５の応力の計算に係る展開寸法例を示す断面図である。図１３に示すように、図１０乃至図１２で湾曲していたグランド端子１０５を展開してある。グランド端子先端部１０７からグランド端子他端部１０６までの距離を６．０ｍｍとし、グランド端子他端部１０６から回路基板１０２の裏側までの距離（以下グランド端子の高さｌと称す）を４．５ｍｍとしてある。また、グランド端子の板厚ｈを０．６ｍｍとし、回路基板１０２の板厚を１．２ｍｍとしてある。

ここで、図１３に示すような寸法の、例えば鉛フリー環境適用型電子部品用の鋼板であるエコトリオ（登録商標）の応力を計算する。エコトリオ（登録商標）のヤング率Ｅは２１０００（kg/mm²）である。グランド端子の幅ｂを０．９ｍｍ、台形バネ係数αを１．０、グランド端子の高さｌを４．５ｍｍ、グランド端子の板厚ｈを０．６ｍｍとして、グランド端子他端部１０６に応力がかかったと考え、それらの値を数１に代入して応力の計算を行うと、その応力σは１１．２δ(kg/mm²)となる。

図１５は、温度サイクル試験の温度変化例を示すグラフである。温度サイクル試験とは電子部品や電子装置等各種試料の温度変化の信頼性を確認する試験である。図１５に示すように、例えば、環境温度が始め８５℃として、その１時間後に−４０℃となり、そのまた１時間後に８５℃となるような温度サイクルを有する恒温槽内に試料を入れ、当該試料の温度変化の信頼性を確認する。ここでは１サイクルを２時間としている。

その温度サイクル試験を、鉛フリー半田１０９を用いてグランド端子１０５と回路基板１０２を接続させたチューナケース１０１で行ったところ、５００サイクルで鉛フリー半田１０９がクラックし、グランド端子１０５と回路基板１０２が接触不良となった。

つまり、上述のグランド端子他端部１０６にかかる応力が１１．２δ(kg/mm²)以上であると、グランド端子１０５と回路基板１０２及び鉛フリー半田１０９の熱膨張係数の差を吸収できず、鉛フリー半田１０９がクラックしてしまい、グランド端子１０５と回路基板１０２が接触不良を起こす。

特開昭６３−１８５０９６号公報（第２頁、第１図、第２図） 特開平０７−１４２８８２号公報（第２頁、第１図）

特許文献１、特許文献２及び図１０乃至図１３に示したグランド端子の形状は、グランド端子、回路基板及び半田の熱膨張差を吸収するように、当該グランド端子にバネ性を持たせて、半田のクラック防止を図っているが、鉛フリー半田を使用した場合には適用できないという問題がある。特に、図１０乃至図１３に示したグランド端子は、当該グランド端子にかかる応力を１１．２δ(kg/mm²)より減少させる必要がある。

本発明はこのような課題を解決したものであって、従来に比べてグランド端子、回路基板及び半田の温度変化に伴う機械的なストレスを軽減させ、半田に鉛フリー半田を使用しても当該鉛フリー半田のクラックを防止し、環境汚染の防止に寄与した長寿命のチューナ装置を提供することを目的とする。

上述の課題は、チューナケースと、チューナケースに収容された回路基板と、回路基板と鉛フリー半田を介して接続され、チューナケースの一部位から延在する所定の幅と所定の板厚を有し、回路基板の所定箇所に設けられている半田接合部に向かって円弧形状に湾曲させた湾曲部を有したグランド端子とを備え、湾曲部は、半田接合部近傍のグランド端子の幅より狭い幅又は半田接合部近傍のグランド端子の板厚より薄い板厚を有するチューナ装置によって解決される。

本発明に係るチューナ装置によれば、チューナケースの一部位から延在するグランド端子の一部分である湾曲部は、半田接合部近傍のグランド端子の幅より狭い幅又は半田接合部近傍のグランド端子の板厚より薄い板厚にすることで、当該チューナ装置の駆動時にグランド端子、回路基板及び鉛フリー半田の熱膨張係数の差によって生じる応力を当該湾曲部で吸収することができる。

本発明に係るチューナ装置によれば、グランド端子の一部分である湾曲部を半田接合部近傍のグランド端子の幅より狭い幅又は半田接合部近傍のグランド端子の板厚より薄い板厚にすることで、当該チューナ装置の駆動時にグランド端子、回路基板及び鉛フリー半田の熱膨張係数の差によって生じる応力を当該湾曲部で吸収することができる。

これにより、グランド端子、回路基板及び鉛フリー半田の温度変化に伴う機械的なストレスを軽減させることができる。この結果、半田に鉛フリー半田を使用しても当該鉛フリー半田のクラックを防止することができ、環境汚染の防止に寄与した長寿命のチューナ装置を提供することができる。

［第１の実施の形態］
以下、図面を参照しながら、本発明に係るチューナ装置について説明する。図１は、本発明に係るチューナ装置１００の構成例を示す斜視図である。図１に示すように、チューナ装置１００は、チューナケース１０１、回路基板１０２、入力コネクタ１０３、インタフェース端子１０４及びグランド端子１０５Ａで構成されている。

チューナケース１０１には回路基板１０２が収容されている。回路基板１０２の所定の面にインタフェース端子１０４や各種電子部品（図示せず）が、フロー半田、リフロー半田及びコテ半田等の半田付け方法で塗布された鉛フリー半田（図示せず）を介して実装されている。

フロー半田の半田付け方法は、インタフェース端子１０４や各種電子部品を回路基板１０２に搭載して当該回路基板１０２にフラックスを塗布し、棒状の鉛フリー半田を高温で溶かし込んだ半田槽にフラックスが塗布された回路基板１０２を入れ、半田槽からその回路基板１０２を取り出すことで、鉛フリー半田を介してインタフェース端子１０４や各種電子部品と回路基板１０２を接続させる方法である。

リフロー半田の半田付け方法は、鉛フリー半田を各種溶剤でクリーム状にして、そのクリーム状の鉛フリー半田を印刷機等で回路基盤１０２に塗布し、インタフェース端子１０４や各種電子部品を回路基板１０２に搭載後、その回路基板１０２をリフロー炉（高温炉）でクリーム状の鉛フリー半田に含まれる各種溶剤をとばすことで、鉛フリー半田を介してインタフェース端子１０４や各種電子部品と回路基板１０２を接続させる方法である。

コテ半田の半田付け方法は、インタフェース端子１０４や各種電子部品を回路基板１０２に搭載後、充分に温められたコテ先に鉛フリー半田で形成された糸半田を供給し、その供給された半田を回路基板１０２に当接させることで、鉛フリー半田を介してインタフェース端子１０４や各種電子部品と回路基板１０２を接続させる方法である。

本発明に係る鉛フリー半田は、鉛を含まない半田であり、例えば、錫・銀・銅系、錫・亜鉛・ビスマス系、錫・銅系、錫・銀・インジウム・ビスマス系、錫・亜鉛・アルミニウム系及び錫・銅・ニッケル・ゲルマニウム系等が用いられる。

インタフェース端子１０４は、図示しない映像信号処理部や音声信号処理部等と接続する端子である。入力コネクタ１０３は、当該チューナケース１０１の所定の面でグランド端子１０５Ａ近傍にかしめ加工によって固定されており、放送電波を受信するアンテナから受信信号が伝送される同軸ケーブル（例えば、特性インピーダンスが７５Ω）と接続可能なコネクタである。

チューナケース１０１の一部位から延在する所定の幅と所定の板厚を有しているグランド端子１０５Ａは、上述の回路基板１０２と鉛フリー半田によって結合されており、電気的なグランド接合の役割を果たす。

図２は、第１の実施の形態に係るグランド端子１０５Ａの形状例を示す斜視図であり、図３は、その断面図であり、図４は、その正面図である。前述の図１０乃至図１２の従来のグランド端子１０５と同様な部分の説明は省略する。

図２に示すように、グランド端子１０５Ａは半田接合部１０８近傍の当該グランド端子１０５Ａの所定の幅より狭い幅の湾曲部１１０Ａを有している。ここで幅とは、グランド端子１０５Ａが延在しているチューナケース１０１の所定の面と平行な面にある当該グランド端子１０５Ａの横方向の距離を意味する。

図３に示すように、グランド端子１０５Ａの形状例を示す断面図は、図１１の断面図と同様となる。図４に示すように、湾曲部１１０Ａのグランド端子１０５Ａの幅は０．６ｍｍとなっている。

グランド端子１０５Ａの湾曲部１１０Ａを作製する順送プレス加工は、チューナケース１０１に使用される部材にプレス加工を行う。まず当該部材をプレス機でプレスし箱型に成形する。その後、各種端子を作製するために余分な箇所を切り落としたり、所定箇所に凹凸をつけたり、グランド端子１０５Ａを円弧形状に湾曲させたり、くびれ部分を切り出したりするため、複数回プレス機でプレスを行う。

この順送プレス加工は、チューナケース１０１に使用される部材をプレス機入口のフィーダにより各工程に移動させることにより、当該部材を連続的に加工できる。

これにより、グランド端子１０５Ａの一部分である湾曲部１１０Ａは、順送プレス加工を施すことで安価に半田接合部１０８近傍のグランド端子１０５Ａの幅より狭い幅にすることができる。

図５は、グランド端子１０５Ａの応力の計算に係る展開寸法例を示す断面図である。図１３に示した従来例と同様に、図５に示すように湾曲していたグランド端子１０５Ａを展開し、グランド端子先端部１０７からグランド端子他端部１０６までの距離を６．０ｍｍとし、グランド端子他端部１０６から回路基板１０２の裏側までの距離ｌを４．５ｍｍとしてある。また、グランド端子の板厚ｈを０．６ｍｍとし、回路基板１０２の板厚を１．２ｍｍとしてある。

ここで、図５に示すような寸法の、前述のエコトリオ（登録商標）の応力を計算する。ヤング率Ｅは２１０００（kg/mm²）であり、グランド端子の幅ｂを０．６ｍｍ、グランド端子の高さｌを４．５ｍｍ、グランド端子の板厚ｈを０．６ｍｍとする。また、湾曲部１１０Ａにおけるグランド端子１０５Ａの幅が０．６ｍｍとなっていることから数１に示した台形バネ係数αが関与してくる。ここではα＝１．１とした。

それらの値を数１に代入して、グランド端子他端部１０６に応力σがかかったときの当該応力σの計算を行うと、その応力σは６．８δ(kg/mm²)となり、従来例のグランド端子形状の応力（１１．２δ(kg/mm²)）を比較すると、約６１％の応力に減少する。

前述の温度サイクル試験を湾曲部１１０Ａを有するグランド端子１０５Ａを備えるチューナ装置１００で行ったところ、１０００サイクルまでチューナ装置１００に異常はみられず、グランド端子１０５Ａと回路基板１０２及び鉛フリー半田１０９の熱膨張係数の差で、鉛フリー半田１０９がクラックすることはなかった。

また、ＢＳやＣＳのマイクロ波を受信したチューナ装置１００のＯＮ／ＯＦＦによる当該チューナ装置１００の温度変化においても鉛フリー半田１０９がクラックすることはなかった。

これにより、グランド端子１０５Ａ、回路基板１０２及び鉛フリー半田１０９の温度変化に伴う機械的なストレスを軽減させることができ、鉛フリー半田１０９を使用しても当該鉛フリー半田１０９のクラックを防止することができる。

［第２の実施の形態］
図６は、第２の実施の形態に係るグランド端子１０５Ｂの形状例を示す斜視図であり、図７は、その断面図であり、図８は、その正面図である。前述の図１０乃至図１２の従来のグランド端子１０５と同様な部分の説明は省略する。

図６に示すように、グランド端子１０５Ｂは半田接合部１０８近傍の当該グランド端子１０５Ｂの所定の板厚より薄い板厚の湾曲部１１０Ｂを有している。ここで板厚とは、前述のグランド端子の幅と垂直方向の面において、当該グランド端子の横方向の距離を意味する。

図７に示すように、湾曲部１１０Ｂのグランド端子１０５Ｂの板厚は０．４ｍｍとなっている。その他の構成は図１１と同様である。図８に示すように、グランド端子１０５Ｂの形状を示す正面図は、図１２の正面図と同様である。

前述の順送プレス加工を施して作製されたチューナケース１０１のグランド端子１０５の所定部分にコイニング加工を施すことで、湾曲部１１０Ｂを有したグランド端子１０５Ｂを作製することができる。

これにより、グランド端子１０５Ｂの一部分である湾曲部１１０Ｂは、コイニング加工を施すことで安価に半田接合部１０８近傍のグランド端子１０５Ｂの板厚より薄い板厚にすることができる。

図９は、グランド端子１０５Ｂの応力の計算に係る展開寸法例を示す断面図である。図１３に示した従来例と同様に、図９に示すように、湾曲していたグランド端子１０５Ｂを展開し、グランド端子先端部１０７からグランド端子他端部１０６までの距離を６．０ｍｍとしてある。

グランド端子他端部１０６から回路基板１０２の裏側までの距離ｌは４．７ｍｍとなっている。これは、順送プレス加工を施してチューナケース１０１を作製した後、湾曲部１１０Ｂにコイニング加工を施したため、従来のチューナケースのグランド端子他端部１０６から回路基板１０２の裏側までの距離である４．５ｍｍより０．２ｍｍ長くなっている。また、湾曲部１１０Ｂの板厚ｈは、コイニング加工を施して薄くしたため０．４ｍｍとしてある。

ここで、図９に示すような寸法を有するグランド端子１０５Ｂの応力を計算する。板材は前述のようにエコトリオ（登録商標）を使用する。ヤング率Ｅは２１０００（kg/mm²）であり、グランド端子の幅ｂを０．９ｍｍ、台形バネ係数αを１．０、グランド端子の高さｌを４．７ｍｍとする。また、グランド端子の板厚ｈを０．４ｍｍとした。

上記の値を数１に代入して、グランド端子他端部１０６に応力がかかったときの応力σの計算を行うと、その応力σは２．９δ(kg/mm²)となり、従来例のグランド端子形状の応力（１１．２δ(kg/mm²)）を比較すると、約２６％の応力に減少する。

前述の温度サイクル試験を湾曲部１１０Ｂを有するグランド端子１０５Ｂを備えるチューナ装置で行ったところ、１０００サイクルまでチューナ装置に異常はみられず、グランド端子１０５Ｂと回路基板１０２及び鉛フリー半田１０９の熱膨張係数の差で、鉛フリー半田１０９がクラックすることはなかった。

また、ＢＳやＣＳのマイクロ波を受信したチューナ装置のＯＮ／ＯＦＦによる当該チューナ装置の温度変化においても鉛フリー半田１０９は全くクラックしなかった。

これにより、グランド端子１０５Ｂ、回路基板１０２及び鉛フリー半田１０９の温度変化に伴う機械的なストレスを軽減させることができ、鉛フリー半田１０９を使用しても当該鉛フリー半田１０９のクラックを防止することができる。

表１に従来例と本発明に係るチューナ装置に備えられているグランド端子にかかる応力をまとめる。

ひずみδを一定として、それぞれの応力σを比較すると、従来例は１１．２δ（kg/mm²）、第１の実施の形態は６．８δ（kg/mm²）、第２の実施の形態は２．９δ（kg/mm²）となった。また、従来例の応力を１００％としたときに、第１の実施の形態は約６１％に低下し、第２の実施の形態は約２６％に低下した。

第１の実施の形態及び第２の実施の形態のチューナ装置は、当該チューナ装置の駆動時にグランド端子１０５Ａ，１０５Ｂ、回路基板１０２及び鉛フリー半田１０９の熱膨張係数の差によって生じる応力を、半田接合部１０８近傍の所定の幅より狭い幅又は半田接合部１０８近傍の所定の板厚より薄い板厚の湾曲部１１０Ａ，１１０Ｂで吸収することで、グランド端子１０５Ａ，１０５Ｂ、回路基板１０２及び鉛フリー半田１０９の温度変化に伴う機械的なストレスを軽減させることができる。

この結果、鉛フリー半田１０９を使用しても当該鉛フリー半田１０９のクラックを防止することができ、環境汚染の防止に寄与した長寿命のチューナ装置を提供することができる。

本発明は、地上波放送や衛星放送等の各種テレビジョン放送用のチューナ装置に適用して極めて有効である。

本発明に係るチューナ装置１００の構成例を示す斜視図である。 第１の実施の形態に係るグランド端子１０５Ａの形状例を示す斜視図である。 グランド端子１０５Ａの形状例を示す断面図である。 グランド端子１０５Ａの形状例を示す正面図である。 グランド端子１０５Ａの応力の計算に係る展開寸法例を示す断面図である。 第２の実施の形態に係るグランド端子１０５Ｂの形状例を示す斜視図である。 グランド端子１０５Ｂの形状例を示す断面図である。 グランド端子１０５Ｂの形状例を示す正面図である。 グランド端子１０５Ｂの応力の計算に係る展開寸法例を示す断面図である。 従来のグランド端子１０５の形状例を示す斜視図である。 従来のグランド端子１０５の形状例を示す断面図である。 従来のグランド端子１０５の形状例を示す正面図である。 グランド端子１０５の応力の計算に係る展開寸法例を示す断面図である。 （１）は、応力がかかる前の応力の計算に係る構成例を示す斜視図である。（２）は、応力がかかっているときの応力の計算に係る構成例を示す斜視図である。 温度サイクル試験の温度変化例を示すグラフである。

符号の説明

１００・・・チューナ装置、１０１・・・チューナケース、１０２・・・回路基板、１０３・・・入力コネクタ、１０４・・・インタフェース端子、１０５，１０５Ａ，１０５Ｂ・・・グランド端子、１０６・・・グランド端子他端部、１０７・・・グランド端子先端部、１０８・・・半田接合部、１０９・・・鉛フリー半田、１１０Ａ，１１０Ｂ・・・湾曲部

Claims (3)

1. チューナケースと、
   前記チューナケースに収容された回路基板と、
   前記回路基板と鉛フリー半田を介して接続され、前記チューナケースの一部位から延在する所定の幅と所定の板厚を有し、前記回路基板の所定箇所に設けられている半田接合部に向かって円弧形状に湾曲させた湾曲部を有したグランド端子とを備え、
   前記湾曲部は、
   前記半田接合部近傍のグランド端子の幅より狭い幅又は前記半田接合部近傍のグランド端子の板厚より薄い板厚を有するチューナ装置。
2. 前記チューナケースにコイニング加工を施し、前記半田接合部近傍の前記グランド端子の板厚より薄い板厚を有する前記湾曲部を備えた請求項１記載のチューナ装置。
3. 前記チューナケースに使用される部材に順送プレス加工を施し、前記半田接合部近傍の前記グランド端子の幅より狭い幅を有する前記湾曲部を備えた請求項２記載のチューナ装置。

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