JP2010016209A - Method of manufacturing resin-sealed semiconductor device, and resin-sealed semiconductor device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device, which can form resin burrs only at desired spots, and also to provide a resin-sealed semiconductor device. <P>SOLUTION: The method of manufacturing the resin-sealed semiconductor device 10 has connection leads 21 with a portion exposed from resin being bent. The method includes a step of preparing a lead frame 20 which is made by integrally forming a base 22, part of which is exposed from resin, a tie bar 23 provided at a position facing with the base, burr-bearing leads 24 which extend from the base to the tie bar and are formed in pairs, and connection leads, each of which extends from the base toward the tie bar but is not connected to the tie bar between the pair of burr-bearing leads 24; a step wherein the lead frame is placed in a metal mold and a portion of the base to be sealed is stored in a cavity of the metal mold, and a portion of the base to be exposed from the cavity is clamped vertically; a sealing step of supplying resin; and a step of cutting the burr-bearing leads from the base in the lead frame after the resin is hardened. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、樹脂封止半導体装置に関し、特に封止された樹脂から露出する接続リードを有する樹脂封止半導体装置の製造方法および該製造方法を用いた樹脂封止半導体装置に関するものである。   The present invention relates to a resin-encapsulated semiconductor device, and more particularly to a method for producing a resin-encapsulated semiconductor device having connection leads exposed from the encapsulated resin and a resin-encapsulated semiconductor device using the production method.

従来の樹脂封止半導体装置が、特許文献1に半導体装置として開示されている。この樹脂封止半導体装置は、リード(接続リード)7に沿ってレジンバリ(樹脂のバリ)12が形成されている。   A conventional resin-encapsulated semiconductor device is disclosed in Patent Document 1 as a semiconductor device. In this resin-encapsulated semiconductor device, a resin burr (resin burr) 12 is formed along a lead (connection lead) 7.

また、別の構造の樹脂封止半導体装置が図4および図5に示されている。この樹脂封止半導体装置は、基台の一部が樹脂で封止され、該基台から延在する接続端子が外部に接続される。   Another structure of the resin-encapsulated semiconductor device is shown in FIGS. In this resin-encapsulated semiconductor device, a part of the base is sealed with resin, and connection terminals extending from the base are connected to the outside.

この従来の樹脂封止半導体装置は樹脂封止を行う際、図6に示すように金型が用いている。この金型には、樹脂が注入される空間(キャビティ)から接続リードを導出するための溝が設けられており、導出する接続リードがクランプされる(図6に示す位置A)。これにより、金型内に供給される樹脂がクランプ位置から外部に流出することを防止している。
特開2003−17643号
In this conventional resin-encapsulated semiconductor device, a mold is used as shown in FIG. The mold is provided with a groove for leading out the connection lead from the space (cavity) into which the resin is injected, and the leading connection lead is clamped (position A shown in FIG. 6). This prevents the resin supplied into the mold from flowing out of the clamp position.
JP 2003-17643 A

しかしながら、従来の樹脂封止半導体装置は、図6に示す位置Aにおいて接続リードをクランプしているものの、図5に示す領域Bにおいて、接続リードに沿って樹脂バリが生じることがある。   However, although the conventional resin-encapsulated semiconductor device clamps the connection lead at the position A shown in FIG. 6, a resin burr may occur along the connection lead in the region B shown in FIG.

これは、クランプを行って樹脂漏れが生じないようにしているものの、金型のキャビティから導出する接続リードの屈曲形状に応じて形成する溝形状、すなわち屈曲形状に応じて形成する溝の逃げ加工によって生じる僅かな隙間により、圧入される樹脂が接続リードに沿って流出することが原因と思われる。   This is because the resin is not leaked by clamping, but the groove shape formed according to the bent shape of the connection lead derived from the mold cavity, that is, the groove relief formed according to the bent shape This is probably because the resin that is press-fitted flows out along the connection lead due to a slight gap caused by the above.

また、溝に逃げ加工を行うことなく接続リードの屈曲形状に応じて金型を精度良く形成しても、溝において金型の磨耗等による経時劣化の影響を受け易くなり、次第に樹脂バリを招くこととなる。   Also, even if the mold is accurately formed according to the bent shape of the connecting lead without performing relief processing in the groove, it becomes susceptible to deterioration over time due to wear of the mold in the groove and gradually causes resin burrs. It will be.

以上述べたように、樹脂バリの発生を防止することは困難であり、仮に樹脂バリが生じても、所望の位置にのみ形成されることが好ましく、このような樹脂封止半導体装置の製造方法が望まれていた。   As described above, it is difficult to prevent the occurrence of resin burrs, and even if the resin burrs are generated, it is preferable that the resin burrs are formed only at desired positions. A method for manufacturing such a resin-encapsulated semiconductor device Was desired.

上記した事情に鑑みて、本発明の目的は樹脂バリを所望の位置にのみ形成され得る樹脂封止半導体装置の製造方法および該製造方法を用いた樹脂封止半導体装置を提供することにある。   In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device in which a resin burr can be formed only at a desired position, and a resin-encapsulated semiconductor device using the manufacturing method.

本発明は、前記目的を達成するために創案されたものであり、樹脂から露出する部位が屈曲している接続リードを有する樹脂封止半導体装置の製造方法において、樹脂から一部を露出させる基台と、該基台と対向する位置に設けられたタイバーと、基台からタイバーまで延在しており樹脂のバリを受ける一対のバリ受けリードと、一対のバリ受けリード間において基台からタイバーに向かって該タイバーに接することなく延在する接続リードとが一体的に形成されたリードフレームを用意する工程と、リードフレームを金型に配置し、基台の封止させる部位を金型のキャビティ内に収容すると共にキャビティから露出する部位を上下からクランプする工程と、基台の一部を収容した状態で樹脂を供給する封止工程と、樹脂硬化後のリードフレームにおいて、基台からバリ受けリード間を切断する工程と、を備えることを特徴とする。   The present invention was devised to achieve the above object, and in a method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device having a connection lead in which a portion exposed from a resin is bent, a base that partially exposes the resin from the resin is disclosed. A base, a tie bar provided at a position facing the base, a pair of burr receiving leads extending from the base to the tie bar and receiving a resin burr, and a base to tie bar between the pair of burr receiving leads A step of preparing a lead frame integrally formed with a connection lead extending without contacting the tie bar toward the tie bar, and arranging the lead frame in the mold and sealing the portion of the base to the mold A process of clamping the part exposed from the cavity from above and below, a sealing process of supplying the resin in a state where a part of the base is accommodated, and a lead frame after the resin is cured In arm, characterized in that it comprises a step of cutting between receiving burrs from the base lead, the.

リードフレームは、隣接する前記一対のバリ受けリード間を連成するバリ受けバーを含むように一体的に形成されてもよい。
また、接続リードは、少なくとも一つ以上が基台から延在させてもよい。
The lead frame may be integrally formed so as to include a burr receiving bar that is continuous between the pair of adjacent burr receiving leads.
Further, at least one of the connection leads may be extended from the base.

封止のための樹脂から露出する接続リードを有する樹脂封止半導体装置において、樹脂から一部を露出させる基台と、該基台と対向する位置に設けられたタイバーと、基台からタイバーまで延在しており樹脂のバリを受ける一対のバリ受けリードと、一対のバリ受けリード間において基台からタイバーに向かって2該タイバーに接することなく延在する接続リードとが一体的に形成されたリードフレームを金型に配置して、基台の封止させる部位を金型のキャビティ内に収容すると共にキャビティから露出する部位を上下からクランプした状態で樹脂を供給し、樹脂硬化後のリードフレームにおいて、基台およびバリ受けリード間を切断して成ることを特徴とする。   In a resin-encapsulated semiconductor device having a connection lead exposed from a resin for sealing, a base that exposes a part from the resin, a tie bar provided at a position facing the base, and from the base to the tie bar A pair of burr receiving leads extending to receive the resin burr and a connecting lead extending from the base toward the tie bar without contacting the tie bar between the pair of burr receiving leads are integrally formed. The lead frame is placed in the mold, the part to be sealed of the base is accommodated in the mold cavity, and the resin is supplied with the part exposed from the cavity clamped from above and below, and the lead after resin curing The frame is formed by cutting between the base and the burr receiving lead.

本発明によれば、樹脂から一部を露出させる基台と、該基台と対向する位置に設けられたタイバーと、基台から前記タイバーまで延在しており樹脂のバリを受ける一対のバリ受けリードと、該一対のバリ受けリード間において基台からタイバーに向かって該タイバーに接することなく延在する接続リードとが一体的に形成されたリードフレームを金型に配置して、前記基台の封止させる部位を金型のキャビティ内に収容すると共にキャビティから露出する部位を上下からクランプした状態で樹脂を供給し、樹脂硬化後のリードフレームにおいて、基台およびバリ受けリード間を切断して樹脂封止半導体装置を形成する。   According to the present invention, a base that partially exposes the resin, a tie bar provided at a position facing the base, and a pair of burrs that extend from the base to the tie bar and receive the resin burr. A lead frame in which a receiving lead and a connecting lead extending without contacting the tie bar from the base toward the tie bar between the pair of burr receiving leads are integrally formed is disposed in the mold. Place the part to be sealed in the mold cavity and supply the resin with the part exposed from the cavity clamped from above and below, and cut between the base and the burr receiving lead in the lead frame after resin curing Thus, a resin-encapsulated semiconductor device is formed.

これにより、樹脂封止の際にクランプ効果を得にくい基台側面から樹脂が流出した場合であっても、流出した樹脂は基台から延在するバリ受けバーに沿うこととなる。そして、バリ受けリードに沿って流出した樹脂は、硬化してバリとなる。従って、本発明によれば、キャビティから樹脂が流出した場合には、所望の部位に限定的にバリを形成させることができ、例えば完成後の樹脂封止半導体装置において端子として機能する接続リードにバリが形成されることがなく、バリが起因する不具合を防止することができる。   As a result, even when the resin flows out from the side surface of the base where it is difficult to obtain a clamping effect during resin sealing, the resin that has flowed out follows the burr receiving bar extending from the base. The resin that has flowed out along the burr receiving lead is cured to become a burr. Therefore, according to the present invention, when the resin flows out from the cavity, it is possible to form a burr limitedly at a desired portion. For example, the connection lead functioning as a terminal in the completed resin-encapsulated semiconductor device. The burr is not formed, and a defect caused by the burr can be prevented.

以下、図面を用いて、本発明の実施形態を詳細に説明するが、以下の説明では、実施の形態に用いる図面について同一の構成要素は同一の符号を付し、かつ重複する説明は可能な限り省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the following description, the same components are denoted by the same reference numerals in the drawings used in the embodiments, and overlapping descriptions are possible. Omitted as much as possible.

本発明の樹脂封止半導体装置10は、図1および図2に示すように、封止のための樹脂部(樹脂)1から露出する接続リード21を備えており、該樹脂封止半導体装置10は、複数を一括的に形成するためのリードフレーム20を使って形成されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the resin-encapsulated semiconductor device 10 of the present invention includes connection leads 21 exposed from a resin portion (resin) 1 for encapsulation, and the resin-encapsulated semiconductor device 10. Are formed by using a lead frame 20 for forming a plurality at once.

リードフレーム20は、銅などの導電性の板部材をプレス形成したものであり、これにより、後述する接続リード21、基台22、タイバー23、バリ受けリード24、補強リード26などの部位が一体的に形成される。尚、プレス形成後にはメッキ処理が施される。   The lead frame 20 is formed by press-forming a conductive plate member such as copper, whereby parts such as a connection lead 21, a base 22, a tie bar 23, a burr receiving lead 24, and a reinforcing lead 26, which will be described later, are integrated. Formed. In addition, a plating process is performed after press formation.

リードフレーム20は、樹脂部1から一部が露出することとなる基台22と、露出する基台22と対向する位置に設けられたタイバー23と、基台22からタイバー23まで延在しており樹脂部1のバリを受ける一対のバリ受けリード24と、一対のバリ受けリード間において基台22からタイバー23に向かって該タイバー23に接することなく延在する接続リード21と、隣接する一対のバリ受けリード間を連成するバリ受けバー25と、バリ受けバー25およびタイバー23間に延在する補強リード26と、を含んでいる。   The lead frame 20 includes a base 22 that is partially exposed from the resin portion 1, a tie bar 23 provided at a position facing the exposed base 22, and extends from the base 22 to the tie bar 23. A pair of burr receiving leads 24 that receive burrs of the cage resin portion 1, a connecting lead 21 that extends from the base 22 toward the tie bar 23 without contacting the tie bar 23, and a pair of adjacent burr receiving leads 24 between the pair of burr receiving leads. The burr receiving bar 25 is formed between the burr receiving leads, and the reinforcing lead 26 extends between the burr receiving bar 25 and the tie bar 23.

基台22は、矩形状であり、その一方端が樹脂部1に封止され、他方端が樹脂部1から露出している。基台22は樹脂部1に封止される一方端において図示省略の半導体チップに電気的に接続されている。基台22の他方端の端面は、タイバー23およびバリ受けバー25における長手方向に延在する面と平行になるように形成されている。   The base 22 has a rectangular shape, one end of which is sealed by the resin portion 1 and the other end is exposed from the resin portion 1. The base 22 is electrically connected to a semiconductor chip (not shown) at one end sealed by the resin portion 1. The end surface of the other end of the base 22 is formed to be parallel to the surfaces extending in the longitudinal direction of the tie bar 23 and the burr receiving bar 25.

樹脂部1から露出する基台22の他方端の端面には、その端面の中央から延在するように接続リード21が形成されており、その先端は底面が樹脂封止半導体装置10の底面と同じ高さとなるように、途中で屈曲している。尚、接続リード21は、外部との電気的な接続のための端子として機能し、その接続には、はんだが用いられている。   A connection lead 21 is formed on the end surface of the other end of the base 22 exposed from the resin portion 1 so as to extend from the center of the end surface, and the bottom surface of the base 22 is the bottom surface of the resin-encapsulated semiconductor device 10. It is bent halfway so that it becomes the same height. The connection lead 21 functions as a terminal for electrical connection with the outside, and solder is used for the connection.

基台22から延在する接続リード21は、その先端の端面がタイバー23における長手方向と平行に、先端がタイバー23に達することなく、当該タイバー23と離間している。   The connection lead 21 extending from the base 22 has a tip end surface parallel to the longitudinal direction of the tie bar 23, and the tip does not reach the tie bar 23 and is separated from the tie bar 23.

従って接続リード21はタイバー23と離間していることから、全体に亘って予めメッキを施すことができる。つまり本発明の接続リード21は、図5に示すように従来の樹脂封止半導体装置のように切断工程を経て形成されることがないため、切断による被メッキ部位が露出することない。これにより、本発明の接続リード21は、はんだを用いた外部との接続において良好な接続を得ることができる。   Therefore, since the connection lead 21 is separated from the tie bar 23, the entire lead can be plated in advance. That is, since the connection lead 21 of the present invention is not formed through a cutting step as in the conventional resin-encapsulated semiconductor device as shown in FIG. 5, the portion to be plated due to the cutting is not exposed. Thereby, the connection lead 21 of this invention can obtain a favorable connection in the connection with the exterior using a solder.

樹脂部1から露出する基台22の他方端の端面には、その端面の両端からタイバー23に亘って延在する一対のバリ受けリード24が形成されている。より詳細には基台22の他方端の端面の中央から延在する接続リード21と、該接続リード21を間隔を置いて挟む基台22の他方端の端面の両側から延在するバリ受けリード24とは、共にタイバー23に向って互いに所定の間隔を有して平行に離間している。   A pair of burr receiving leads 24 extending from both ends of the end surface to the tie bar 23 are formed on the end surface of the other end of the base 22 exposed from the resin portion 1. More specifically, a connection lead 21 extending from the center of the end surface of the other end of the base 22 and a burr receiving lead extending from both sides of the end surface of the other end of the base 22 sandwiching the connection lead 21 at an interval. 24 and both are spaced in parallel toward the tie bar 23 with a predetermined distance from each other.

バリ受けバー25は、隣接する一対のバリ受けリード24間を連成すべく、対向するバリ受けリード24間にタイバー23と平行に延在しており、後述する製造方法における樹脂封止工程において、金型のクランプされていない部位から流出する樹脂を自らが受け、流出した樹脂が接続リード21に付着することを防止する。   The burr receiving bar 25 extends in parallel with the tie bar 23 between the opposite burr receiving leads 24 so as to form a pair of adjacent burr receiving leads 24. In the resin sealing step in the manufacturing method described later, The resin that flows out from the unclamped portion of the mold is received by itself, and the discharged resin is prevented from adhering to the connection lead 21.

バリ受けリード24は、前記したバリ受けバー25と同様に、樹脂封止工程において、金型のクランプされていない部位から流出する樹脂を自らが受け、流出した樹脂が接続リード21に付着することを防止する。   Similarly to the burr receiving bar 25 described above, the burr receiving lead 24 itself receives the resin flowing out from the unclamped portion of the mold in the resin sealing process, and the discharged resin adheres to the connection lead 21. To prevent.

また、複数の樹脂封止半導体装置10を一括的に形成するためのリードフレーム20において、その両端に位置するバリ受けリード24には流出した樹脂がバリ受けバー25を経て付着する場合もあるが、このような場合であっても流出する樹脂を自らが受け、その樹脂が接続リード21に付着することを防止する。   In addition, in the lead frame 20 for collectively forming a plurality of resin-encapsulated semiconductor devices 10, the resin that has flowed out may adhere to the burr receiving leads 24 located at both ends of the burr receiving bar 25. Even in such a case, the resin that flows out is received by itself and the resin is prevented from adhering to the connection lead 21.

更に、リードフレーム20において、その両端よりも内側に位置するバリ受けリード24にも流出した樹脂が付着する恐れもあるが、このような場合であっても、バリ受けリード24へ流出した樹脂は、接続リード21に到達するまでに距離があり、接続リード21に到達する前に樹脂は硬化し、樹脂が接続リード21に付着することを防止する。   Furthermore, in the lead frame 20, the resin that has flowed out may also adhere to the burr receiving leads 24 that are located on the inner side of the both ends. Even in such a case, the resin that has flowed out to the burr receiving leads 24 There is a distance until the connection lead 21 is reached, and the resin hardens before reaching the connection lead 21, thereby preventing the resin from adhering to the connection lead 21.

バリ受けバー25およびタイバー23間には、補強リード26が設けられており、当該補強リード26によって、バリ受けバー25や該バリ受けバー25が連成されているバリ受けリード24などの撓み防止を図っている。   A reinforcing lead 26 is provided between the burr receiving bar 25 and the tie bar 23, and the burr receiving bar 25 and the burr receiving lead 24 with which the burr receiving bar 25 is coupled are prevented by the reinforcing lead 26. I am trying.

樹脂部1は、従来から知られたエポキシ系の熱硬化性樹脂であり、絶縁性および耐湿性を有するものである。   The resin part 1 is a conventionally known epoxy-based thermosetting resin, and has insulating properties and moisture resistance.

樹脂部1は、図3に示すように例えば上下に2分割される金型40を用いて形成されている。
金型40には、所望形状のキャビティ41と称される空間を有しており、該キャビティ41内に樹脂が供給され、当該樹脂が硬化することで樹脂部1が形成される。また、金型40には、キャビティ41内にリードフレーム20の一部を収容すると共に、キャビティ41外へリードフレーム20の一部を導出するための溝42(切り欠き)が設けられている。
As shown in FIG. 3, the resin portion 1 is formed by using, for example, a mold 40 that is vertically divided into two.
The mold 40 has a space called a cavity 41 having a desired shape. Resin is supplied into the cavity 41 and the resin portion 1 is formed by curing the resin. The mold 40 is provided with a groove 42 (notch) for accommodating a part of the lead frame 20 in the cavity 41 and leading out a part of the lead frame 20 to the outside of the cavity 41.

金型40の溝42は、リードフレーム20の基台22の一部や該基台22から延在する接続リード21およびバリ受けリード24やバリ受けバー25の形状に対応するように形成されており、これらの部位はキャビティ41の外にあり、樹脂によって封止されない。   The groove 42 of the mold 40 is formed so as to correspond to a part of the base 22 of the lead frame 20 and the shape of the connection lead 21, the burr receiving lead 24 and the burr receiving bar 25 extending from the base 22. These portions are outside the cavity 41 and are not sealed with resin.

ところで、キャビティ41外にリードフレーム20の一部を導出するための溝42は、リードフレーム20の形状に応じて形成する必要がある。具体的には図2および図3に示すように接続リード21、バリ受けリード24およびバリ受けバー25は屈曲しており、この屈曲形状のために逃げと称する寸法的な余裕を加味して溝24が形成されている。   Incidentally, the groove 42 for leading a part of the lead frame 20 out of the cavity 41 needs to be formed according to the shape of the lead frame 20. Specifically, as shown in FIGS. 2 and 3, the connection lead 21, the burr receiving lead 24, and the burr receiving bar 25 are bent, and due to this bent shape, the groove is added with a dimensional margin called relief. 24 is formed.

尚、逃げが無い場合や、寸法的な余裕が少ない場合には、金型40を使用し続けることで磨耗を招き、これにより溝42と、当該溝42内に配置されるリードフレーム20との間に次第に隙間が生じる。   In the case where there is no clearance or there is little dimensional allowance, the use of the mold 40 causes wear, which causes the groove 42 and the lead frame 20 disposed in the groove 42 to be worn. A gap is gradually formed between them.

前記したような場合において、キャビティ41内に供給される樹脂は、溝42と該溝42内に配置されるリードフレーム20との隙間から流出する恐れがある。具体的には、キャビティ41内に高圧で供給される樹脂が、基台22の側面やバリ受けバー25などに沿って溝42との隙間から流出し、流出した樹脂が基台22の側面やバリ受けバー25に付着し、更に場合によっては基台22の他方端の端面から延在するバリ受けリード24の側面に付着する恐れもある。   In the case as described above, the resin supplied into the cavity 41 may flow out of the gap between the groove 42 and the lead frame 20 disposed in the groove 42. Specifically, the resin supplied at a high pressure into the cavity 41 flows out from the gap with the groove 42 along the side surface of the base 22 or the burr receiving bar 25, and the outflowed resin flows into the side surface of the base 22 or There is also a possibility that it adheres to the burr receiving bar 25 and possibly adheres to the side surface of the burr receiving lead 24 extending from the end surface of the other end of the base 22.

ところでリードフレーム20の一部は、金型40により図3に示す位置Aにおいて上下にクランプされている。   Incidentally, a part of the lead frame 20 is clamped up and down at a position A shown in FIG.

従って、キャビティ41内に供給される樹脂が当該キャビティ41から流出しても、クランプされている基台22表面および裏面に付着し難い。また、基台22の他方端の端面の両側から延在するバリ受けリード24においても、表面および裏面に樹脂が付着し難い。   Therefore, even if the resin supplied into the cavity 41 flows out of the cavity 41, it is difficult to adhere to the front and back surfaces of the base 22 being clamped. In addition, in the burr receiving leads 24 extending from both sides of the end surface of the other end of the base 22, the resin hardly adheres to the front and back surfaces.

これは、バリ受けリード24の表面および裏面においてクランプが成されていなくても、基台22の側面に沿ってバリ受けバー25やバリ受けリード24まで流出した樹脂はその勢いが低減することから、樹脂がバリ受けリード24の表面および裏面にまで回り込む勢いがなく、結果バリ受けリード24の表面および裏面に樹脂が付着し難くい。   This is because even if the front and back surfaces of the burr receiving lead 24 are not clamped, the resin flowing out to the burr receiving bar 25 and the burr receiving lead 24 along the side surface of the base 22 reduces its momentum. The resin does not have a momentum to reach the front and back surfaces of the burr receiving lead 24, and as a result, the resin hardly adheres to the front and back surfaces of the burr receiving lead 24.

次に、本発明の樹脂封止半導体装置10の製造方法を説明する。
先ず、前記した基台22から接続リード21、バリ受けリード24が延在し、一対のバリ受けリード24を連成するためのバリ受けバー25と、該バリ受けバー25と平行なタイバー23とが一体的に形成されたリードフレーム20を用意する。
Next, a method for manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device 10 of the present invention will be described.
First, the connection lead 21 and the burr receiving lead 24 extend from the base 22, and a burr receiving bar 25 for connecting the burr receiving lead 24 and a tie bar 23 parallel to the burr receiving bar 25 are provided. Is prepared integrally.

次に、用意したリードフレーム20を前記した金型40に配置する。このとき、基台22の一部がキャビティ41から導出されるように配置する。これにより、基台22の一部と、該基台22から延在する接続リード21およびバリ受けリード24と、タイバー23と、バリ受けバー25とがキャビティ41外に位置するように配置される。   Next, the prepared lead frame 20 is placed in the mold 40 described above. At this time, the base 22 is arranged so that a part of the base 22 is led out from the cavity 41. Thereby, a part of the base 22, the connection lead 21 and the burr receiving lead 24 extending from the base 22, the tie bar 23, and the burr receiving bar 25 are arranged so as to be located outside the cavity 41. .

尚、金型40に配置されたリードフレーム20は、図3に示す位置Aにおいて上下にクランプされている。   Note that the lead frame 20 disposed in the mold 40 is clamped up and down at a position A shown in FIG.

その後、金型内(キャビティ41内)に樹脂を供給する。
このとき、キャビティ41には、樹脂が10〜20MPaの高圧力で注入される。
Thereafter, the resin is supplied into the mold (inside the cavity 41).
At this time, the resin is injected into the cavity 41 at a high pressure of 10 to 20 MPa.

これにより、クランプされていない基台22の側面から高圧で供給される樹脂が流出してしまう恐れがある。この場合、流出した樹脂は基台22の側面に沿って流出し、更に基台22の側面から当該基台22の他方端の端面の両側から延在するバリ受けリード24の側面に沿って流出する。また、場合によっては流出した樹脂がバリ受けリード24の側面から更にバリ受けバー25の側面を伝うこともある。   Thereby, the resin supplied at a high pressure may flow out from the side surface of the base 22 that is not clamped. In this case, the resin that has flowed out flows along the side surface of the base 22, and further flows out along the side surface of the burr receiving lead 24 that extends from the side surface of the base 22 and both sides of the end surface of the other end of the base 22. To do. In some cases, the resin that has flowed out may further travel from the side surface of the burr receiving lead 24 to the side surface of the burr receiving bar 25.

しかしながら、流出した樹脂が基台22の側面、バリ受けリード24の側面およびバリ受けバー25の側面に付着することがあっても、接続リード21に付着することはない。これは、樹脂の流出経路と接続リード21の位置関係に起因している。   However, even if the resin that has flowed out adheres to the side surface of the base 22, the side surface of the burr receiving lead 24, and the side surface of the burr receiving bar 25, it does not adhere to the connection lead 21. This is due to the positional relationship between the resin outflow path and the connection lead 21.

すなわち、キャビティ41から流出した樹脂は、先ず基台22の他方端の側面に沿って流出し、その流出した樹脂は更に基台22の他方端に続くバリ受けバー25の側面に流出する。また、場合によっては基台22の他方端の端面から延在するバリ受けリード24の側面、より詳細には接続リード21を介して対向する一対のバリ受けリード24の外側の側面にも流出する恐れがある。しかし、流出した樹脂はいずれの位置においても接続リード21から離れているため、接続リード21に到達する前に硬化し、流出した樹脂が接続リード21に付着することはない。   That is, the resin that has flowed out of the cavity 41 first flows along the side surface of the other end of the base 22, and the flowed resin further flows out to the side surface of the burr receiving bar 25 that follows the other end of the base 22. Further, in some cases, it also flows out to the side surface of the burr receiving lead 24 extending from the end surface of the other end of the base 22, more specifically, to the outer side surface of the pair of burr receiving leads 24 facing each other via the connection lead 21. There is a fear. However, since the resin that has flowed out is away from the connection lead 21 at any position, the resin that has flowed out is cured before reaching the connection lead 21, and the resin that has flowed out does not adhere to the connection lead 21.

次に、金型40のキャビティ41内に注入された樹脂が硬化すると、金型40が取り外される。
その後、図7の破線によって示された箇所においてリードフレーム20から樹脂封止半導体装置10が切り離される。
Next, when the resin injected into the cavity 41 of the mold 40 is cured, the mold 40 is removed.
Thereafter, the resin-encapsulated semiconductor device 10 is separated from the lead frame 20 at a location indicated by a broken line in FIG.

ところで、本発明ではリードフレーム20から各樹脂封止半導体装置10を切離す際、接続リード21を切断する必要が無く、接続リード21において地金が露出してしまうことがない。従って、端子として機能する接続リード21は全体にわたってメッキが施されており、非メッキ状態となる部位が無いため、はんだを用いた外部との接続において良好な接続を得ることができる。   By the way, in the present invention, when the resin-encapsulated semiconductor devices 10 are separated from the lead frame 20, there is no need to cut the connection leads 21, and the metal bars are not exposed at the connection leads 21. Therefore, since the connection lead 21 functioning as a terminal is plated throughout and there is no portion that is not plated, a good connection can be obtained in connection with the outside using solder.

特に、基台22側における切断を詳細に説明すると、切断位置は基台22と該基台22の他方端の端面であり、この端面において基台22から延在するバリ受けリード24が切り離される。これにより、接続リード21に樹脂を付着(樹脂バリを形成)させることなく、樹脂封止半導体装置10を製造することができる。   In particular, the cutting on the base 22 side will be described in detail. The cutting position is the base 22 and the end surface of the other end of the base 22, and the burr receiving lead 24 extending from the base 22 is cut off at this end surface. . Thereby, the resin-encapsulated semiconductor device 10 can be manufactured without attaching the resin to the connection lead 21 (forming a resin burr).

本発明の樹脂封止半導体装置の斜視図である。1 is a perspective view of a resin-encapsulated semiconductor device of the present invention. 本発明の樹脂封止半導体装置の平面図である。It is a top view of the resin sealing semiconductor device of this invention. 本発明の樹脂封止半導体装置の製造方法を説明するための金型断面図である。It is metal mold | die sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the resin sealing semiconductor device of this invention. 従来の樹脂封止半導体装置の斜視図である。It is a perspective view of the conventional resin-encapsulated semiconductor device. 従来の樹脂封止半導体装置の平面図である。It is a top view of the conventional resin-encapsulated semiconductor device. 従来の樹脂封止半導体装置の製造方法に説明するための金型断面図である。It is metal mold | die sectional drawing for demonstrating to the manufacturing method of the conventional resin-encapsulated semiconductor device. 本発明の樹脂封止半導体装置を製造する際の切断箇所を示す平面図である。It is a top view which shows the cutting location at the time of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 樹脂部
10 樹脂封止半導体装置
20 リードフレーム
21 接続リード
22 基台
23 タイバー
24 バリ受けリード
25 バリ受けバー
40 金型
41 キャビティ
42 溝
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Resin part 10 Resin sealing semiconductor device 20 Lead frame 21 Connection lead 22 Base 23 Tie bar 24 Burr receiving lead 25 Burr receiving bar 40 Mold 41 Cavity 42 Groove

Claims (4)

樹脂から露出する部位が屈曲している接続リードを有する樹脂封止半導体装置の製造方法において、
樹脂から一部を露出させる基台と、該基台と対向する位置に設けられたタイバーと、前記基台から前記タイバーまで延在しており樹脂のバリを受ける一対のバリ受けリードと、前記一対のバリ受けリード間において前記基台から前記タイバーに向かって該タイバーに接することなく延在する前記接続リードとが一体的に形成されたリードフレームを用意する工程と、
前記リードフレームを金型に配置し、前記基台の封止させる部位を金型のキャビティ内に収容すると共にキャビティから露出する部位を上下からクランプする工程と、
前記基台の一部を収容した状態で樹脂を供給する封止工程と、
樹脂硬化後のリードフレームにおいて、前記基台から前記バリ受けリード間を切断する工程と、を備えることを特徴とする樹脂封止半導体装置の製造方法。
In the method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device having a connection lead where a portion exposed from the resin is bent,
A base that partially exposes the resin; a tie bar provided at a position facing the base; a pair of burr receiving leads that extend from the base to the tie bar and receive a burr of the resin; Preparing a lead frame integrally formed with the connection lead extending from the base toward the tie bar without contacting the tie bar between a pair of burr receiving leads;
Placing the lead frame in a mold, accommodating a part to be sealed of the base in a cavity of the mold and clamping a part exposed from the cavity from above and below;
A sealing step of supplying resin in a state in which a part of the base is accommodated;
A method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, comprising: a step of cutting between the burr receiving leads from the base in a lead frame after resin curing.
前記リードフレームは、隣接する前記一対のバリ受けリード間を連成するバリ受けバーを含むように一体的に形成されていることを特徴とする請求項1記載の樹脂封止半導体装置の製造方法。   2. The method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, wherein the lead frame is integrally formed so as to include a burr receiving bar that is connected between the pair of adjacent burr receiving leads. . 前記接続リードは、少なくとも一つ以上が前記基台から延在することを特徴とする請求項1乃至請求項2記載の樹脂封止半導体装置の製造方法。   The method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, wherein at least one of the connection leads extends from the base. 封止のための樹脂から露出する接続リードを有する樹脂封止半導体装置において、
樹脂から一部を露出させる基台と、該基台と対向する位置に設けられたタイバーと、前記基台から前記タイバーまで延在しており樹脂のバリを受ける一対のバリ受けリードと、前記一対のバリ受けリード間において前記基台から前記タイバーに向かって該タイバーに接することなく延在する前記接続リードとが一体的に形成されたリードフレームを金型に配置して、前記基台の封止させる部位を金型のキャビティ内に収容すると共にキャビティから露出する部位を上下からクランプした状態で樹脂を供給し、樹脂硬化後のリードフレームにおいて、前記基台および前記バリ受けリード間を切断して成ることを特徴とする樹脂封止半導体装置。
In a resin-encapsulated semiconductor device having a connection lead exposed from the resin for encapsulation,
A base that partially exposes the resin; a tie bar provided at a position facing the base; a pair of burr receiving leads that extend from the base to the tie bar and receive a burr of the resin; A lead frame formed integrally with the connection lead extending without contacting the tie bar from the base toward the tie bar between the pair of burr receiving leads is disposed in the mold, The part to be sealed is housed in the cavity of the mold and the part exposed from the cavity is clamped from above and below, and the resin is supplied, and in the lead frame after the resin is cured, the base and the burr receiving lead are cut. A resin-encapsulated semiconductor device comprising:
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