JP2010014894A - Light emitting apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、発光素子と発光素子から出射された光または発光素子へ入射する光を導波する光導波路とを備えた発光装置に関する。 The present invention relates to a light emitting device including a light emitting element and an optical waveguide that guides light emitted from the light emitting element or light incident on the light emitting element.
従来、半導体光増幅器や発光ダイオード等の発光素子と光ファイバ等の光導波路とを備えた発光装置が知られている。このような発光装置では、発光素子と光導波路とのアライメントが完成後の性能を大きく左右する。そこで、種々のアライメント方法が知られている。 Conventionally, a light emitting device including a light emitting element such as a semiconductor optical amplifier and a light emitting diode and an optical waveguide such as an optical fiber is known. In such a light emitting device, the alignment between the light emitting element and the optical waveguide greatly affects the performance after completion. Therefore, various alignment methods are known.
例えば、特許文献1には、フォトダイオードと光ファイバのアライメント方法が開示されている。この特許文献1のアライメント方法では、光ファイバの端面でフォトダイオードの端面を押圧させて、互いの端面を平行にする。その後、端面の平行関係を保った状態で、フォトダイオードから光ファイバを一定の距離後退させる。最後に、光ファイバを移動させて、互いの光軸を合わせてアライメントが終了する。
ここで、上述した特許文献1のようなアライメント方法を、フォトダイオードが半導体光増幅器や半導体発光ダイオード等の発光素子である装置に適用した場合、発光素子の光を用いて互いの光軸が一致するようにアライメントが行われる。しかしながら、これらの発光素子の光は、弱いため、検出することが難しく、アライメントが難しいといった課題がある。
Here, when the alignment method as described in
本発明は、上述した課題を解決するために創案されたものであり、光導波路と発光素子とのアライメントを容易にできる発光装置を提供することを目的としている。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a light-emitting device that can easily align an optical waveguide and a light-emitting element.
上記目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、光が入射または出射する第1光入出面を有し、光を増幅可能な発光素子と、前記発光素子から出射する光、または、前記発光素子へ入射させる光を導波するために一端部が前記第1光入出面に対向する位置に配置された第1光導波路とを備え、前記発光素子から出射された光をレーザ発振させたレーザ光により、前記発光素子と前記光導波路のアライメントが行われたことを特徴とする発光装置である。
In order to achieve the above-mentioned object, the invention according to
また、請求項2に記載の発明は、前記発光素子及び前記第1光導波路を挟み対向する位置に配置された第1反射部材及び第2反射部材によってレーザ発振させたレーザ光により、前記発光素子と前記第1光導波路のアライメントが行われることを特徴とする請求項1に記載の発光装置である。
According to a second aspect of the present invention, there is provided the light emitting device according to
また、請求項3に記載の発明は、前記第1反射部材は、一部の光を透過可能であることを特徴とする請求項2に記載の発光装置である。
The invention according to
また、請求項4に記載の発明は、前記第1反射部材を挟み、前記第1光導波路とは反対側の位置に配置された、光の出力を測定可能なパワーメータによってレーザ光を測定しつつ、前記発光素子と前記第1光導波路のアライメントが行われることを特徴とする請求項3に記載の発光装置である。
According to a fourth aspect of the present invention, the laser beam is measured by a power meter that can measure the output of light and is disposed at a position opposite to the first optical waveguide with the first reflecting member interposed therebetween. However, the light emitting device according to
また、請求項5に記載の発明は、前記発光素子は、前記第1光入出面と対向する第2光入出面を有し、前記第2光入出面に対向する位置に一端部が配置された第2光導波路を、更に備え、前記第2光導波路の他端部に配置された第3反射部材と前記第1光導波路の他端部に配置された前記第1反射部材とによってレーザ発振させたレーザ光により、前記発光素子と前記第2光導波路のアライメントが行われることを特徴とする請求項3または請求項4のいずれか1項に記載の発光装置である。
According to a fifth aspect of the present invention, the light emitting element has a second light input / output surface facing the first light input / output surface, and one end is disposed at a position facing the second light input / output surface. The second optical waveguide is further provided, and laser oscillation is performed by the third reflecting member disposed at the other end of the second optical waveguide and the first reflecting member disposed at the other end of the first optical waveguide. 5. The light emitting device according to
また、請求項6に記載の発明は、前記発光素子は、前記第1光入出面と対向する第2光入出面を有し、前記第1光導波路の他端部は、前記第2光入出面と対向する位置に配置され、前記発光素子から出射して前記第1光導波路の両端部から入射して導波する光を測定可能なパワーメータによってレーザ光が検出されるように、前記発光素子と前記第1光導波路のアライメントが行われることを特徴とする請求項1に記載の発光装置である。
According to a sixth aspect of the present invention, the light-emitting element has a second light input / output surface facing the first light input / output surface, and the other end of the first optical waveguide is connected to the second light input / output surface. The light emission is performed such that the laser light is detected by a power meter that is disposed at a position facing the exit surface and that can measure light that is emitted from the light emitting element and incident from both ends of the first optical waveguide and guided. The light-emitting device according to
また、請求項7に記載の発明は、前記レーザ光が最大となる位置に前記光導波路を配置したことを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の発光装置である。
The invention according to
また、請求項8に記載の発明は、レーザ発振させるための電流の閾値が最低になる位置に前記光導波路を配置したことを特徴とする請求項1〜請求項7のいずれか1項に記載の発光装置である。
The invention according to
本発明によれば、発光素子から出射された光をレーザ発振させたレーザ光により光導波路と発光素子とのアライメントを行っている。これにより、レーザ光でない発光素子の光をそのまま用いた場合に比べて、レーザ光は強いので容易に光を検出できる。この結果、光導波路と発光素子とのアライメントを容易に行うことができる。 According to the present invention, the alignment between the optical waveguide and the light emitting element is performed by the laser light obtained by lasing the light emitted from the light emitting element. Thereby, compared with the case where the light of the light emitting element which is not a laser beam is used as it is, a laser beam is strong and can detect light easily. As a result, alignment between the optical waveguide and the light emitting element can be easily performed.
(第1実施形態)
以下、図面を参照して本発明の第1実施形態による発光装置について説明する。図1は、第1実施形態による発光装置の平面図である。図2は、発光装置の内部側面図である。図3は、半導体光増幅器の斜視図である。図4は、光ファイバ及びファイバコネクタの拡大図である。尚、本発明による発光装置は、光の中継等に用いることができる。
(First embodiment)
Hereinafter, a light emitting device according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view of the light emitting device according to the first embodiment. FIG. 2 is an internal side view of the light emitting device. FIG. 3 is a perspective view of the semiconductor optical amplifier. FIG. 4 is an enlarged view of the optical fiber and the fiber connector. The light emitting device according to the present invention can be used for relaying light.
図1及び図2に示すように、発光装置1は、ペルチェ素子2と、配線台3と、サーミスタ4と、半導体光増幅器(SOA:semiconductor optical amplifier)5と、光ファイバ6、7と、ファイバコネクタ8、9と、リッド10aを含むパッケージ10とを備えている。尚、半導体光増幅器5が、請求項に記載の発光素子に相当する。光ファイバ6(7)が、請求項に記載の第1光導波路(第2光導波路)に相当する。
As shown in FIGS. 1 and 2, the light-
ペルチェ素子2は、発光装置1を冷却するためのものである。ペルチェ素子2は、パッケージ10の底面に固定されている。
The Peltier
配線台3は、ペルチェ素子2及び半導体光増幅器5と外部とを電気的に接続するためのものであるとともに、半導体光増幅器5及び光ファイバ6、7を固定するためのものである。配線台3は、ペルチェ素子2の上面に固定されている。
The
サーミスタ4は、発光装置1内の温度を測定するためのものである。サーミスタ4は、配線台3に固定されている。
The
半導体光増幅器5は、光ファイバ6、7を導波して入射してくる光を増幅して出射するためのものである。図3に示すように、半導体光増幅器5は、基板11と、基板11上に形成された半導体積層部12と、一対の電極13、14と、反射防止膜15、16とを有する。基板11は、導電性のn型GaAsからなる。半導体積層部12には、n型半導体層21と、活性層22と、p型半導体層23とが、基板11側から順に積層されている。各半導体層21〜23は、GaAs系半導体からなる。ここでいうGaAs系半導体とは、GaAsのみならずInGaAs、AlGaAs等のGaAsを含む半導体のことである。半導体積層部12の上面には、電流を狭窄させるためのストライプ部24が形成されている。
The semiconductor
半導体光増幅器5の端面のうち、ストライプ部24の延長線上の対向する端面が、光が入射及び出射される光入出面5a、5bである。尚、光入出面5aが、請求項に記載の第1光入出面に相当する。光入出面5bが、請求項に記載の第2光入出面に相当する。電極13は、基板11の裏面に形成されている。電極13は、サブマウント31に電気的に接続されている。電極14は、半導体積層部12の上面に形成されている。反射防止膜15、16は、半導体光増幅器5の光入出面5a、5bに設けられている。反射防止膜15、16は、誘電体膜からなる。半導体光増幅器5は、サブマウント31を介して配線台3に固定されている。
Out of the end faces of the semiconductor
光ファイバ6、7は、半導体光増幅器5に入射する光及び半導体光増幅器5から出射する光をA方向及びB方向に導波させるためのものである。光ファイバ6、7は、半導体光増幅器5から出射された光をレーザ発振させたレーザ光によりアライメントされている。光ファイバ6、7は、約1mの長さと、約0.125mm〜約0.900mmの太さを有する。光ファイバ6、7の表面には、最外層にAuを含む金属多層膜が被覆されている。
The
光ファイバ6の一端部6aは、半導体光増幅器5の一方の光入出面5aに対向する位置に配置されている。光ファイバ7の一端部7aは、半導体光増幅器5の他方の光入出面5bに対向する位置に配置されている。図4に示すように、光ファイバ6、7の一端部6a、7aの先端は、レンズとして機能させるために部分球状に形成されている。光ファイバ6(7)は、AuSn半田32(34)によりファイバ固定台33(35)に固定されている。尚、ファイバ固定台33、35は、配線台3に固定されている。また、光ファイバ6、7は、パッケージ10の側面に形成された開口部10b、10cに封止された封止材37によっても固定されている。
One
ファイバコネクタ8(9)は、光ファイバ6(7)を他の光ファイバと接続するためのものである。図4に示すように、ファイバコネクタ8(9)は、光ファイバ6(7)の他端部6b(7b)に設けられている。ファイバコネクタ8(9)の光入出面8a(9a)は、APC(Angled Physical Contact)研磨により、光ファイバ6(7)の光軸に対して傾斜(例えば、8°)させている。これにより、光入出面8a(9a)は、光の反射による損失を低減させている。
The fiber connector 8 (9) is for connecting the optical fiber 6 (7) to another optical fiber. As shown in FIG. 4, the fiber connector 8 (9) is provided at the
次に、上述した第1実施形態による発光装置1の動作を説明する。
Next, the operation of the
まず、発光装置1では、半導体光増幅器5の電極13、14の間に電圧が印加されると、反転分布状態となる。一方、光ファイバ6をA方向に導波する光は、端部6aから出射されて、光入出面5aから半導体光増幅器5に入射する。ここで、半導体光増幅器5は、反転分布状態となっているので、入射した光によって誘導放出が起こり、光が増幅される。増幅された光は、光入出面5bから出射され、端部7aから光ファイバ7に入射する。そして、光ファイバ7を増幅された光が導波する。尚、光ファイバ7をB方向に導波する光については、光ファイバ6をA方向に導波する光と方向が逆である以外は同じ動作をするので説明を省略する。
First, in the
次に、上述した発光装置1の組立工程を説明する。図5〜図10は、第1実施形態による発光装置の組立工程を説明するための図である。
Next, the assembly process of the
まず、図5に示すように、サーミスタ4と、半導体光増幅器5が装着されたサブマウント31と、ファイバ固定台33、35とを配線台3に固定する。
First, as shown in FIG. 5, the
次に、図6に示すように、半反射部材(請求項の第1反射部材に相当)52を、アダプタ51を介して光ファイバ6の他端部6bに設けられたファイバコネクタ8に接続する。半反射部材52は、ファイバコネクタ53と、光ファイバ54と、ファイバコネクタ55とを備えている。ファイバコネクタ55の光入出面55aは、光ファイバ54の光軸に対して直交している。これにより、ファイバコネクタ55の光入出面55aでは、一部(例えば、10%)の光を反射して戻し、一部(例えば、90%)の光を透過させる。ここで、ファイバコネクタ55の光入出面55aに誘電体多層膜をコーティングすることにより、半分の光を反射して戻し、半分の光を透過するように構成してもよい。
Next, as shown in FIG. 6, the semi-reflective member (corresponding to the first reflective member in the claims) 52 is connected to the
次に、ファイバコネクタ55の光入出面55aに対向するようにフォトダイオードを有するパワーメータ56を配置する。即ち、パワーメータ56は、半反射部材52を挟み光ファイバ6とは反対側に配置されている。パワーメータ56は、半導体光増幅器5から出射されて光ファイバ6、54を導波した光の出力を測定するためのものである。また、半導体光増幅器5の光入出面5bに対向するように、ファイバ固定台35上に全反射部材(請求項の第2反射部材に相当)57を設置する。即ち、半反射部材52と全反射部材57は、半導体光増幅器5と光ファイバ6を挟み対向する位置に配置される。全反射部材57は、半導体光増幅器5の光入出面5bから出射された光を半導体光増幅器5の光入出面5bへと反射して戻すためのものである。これにより、半反射部材52と全反射部材57によってレーザ発振させるための共振器が構成される。尚、光ファイバ6は、XYZ軸ステージ及び3軸回転方向ゴニオステージ(図示略)によって保持されている。
Next, a
この図6に示す状態で、半導体光増幅器5に電圧を印加する。これにより、半導体光増幅器5を反転分布状態にするとともに、光入出面5a、5bから光を出射させる。ここで、光ファイバ6の光軸と半導体光増幅器5の光軸がずれている場合、光入出面5aから出射された光が、光ファイバ6の端部6aに入射しないか、または、ほとんど入射しない。この場合、パワーメータ56では、光がほとんど検出されない。
In the state shown in FIG. 6, a voltage is applied to the semiconductor
一方、光ファイバ6の光軸と半導体光増幅器5の光軸が略一致して、光入出面5aから出射された光が、光ファイバ6の端部6aにある程度入射するとレーザ発振する。具体的には、光ファイバ6の端部6aから入射した光が、光ファイバ6、54をB方向に導波して、ファイバコネクタ55に達すると、一部の光は光入出面55aによって反射される。反射された光は、光ファイバ54、6をA方向に導波した後、半導体光増幅器5に入射する。その後、光は、半導体光増幅器5の光入出面5bから出射された後、全反射部材57に達する。全反射部材57に達した光は、反射されて、半導体光増幅器5に戻った後、光入出面5aから出射される。このように、半導体光増幅器5から出射された光が半反射部材52と全反射部材57との間を導波することによって、レーザ発振される。レーザ発振されて導波するレーザ光のうち、一部がファイバコネクタ55の光入出面55aを透過して、パワーメータ56に受光される。この結果、パワーメータ56にレーザ光に相当する出力が測定される。
On the other hand, when the optical axis of the
この後、更に、パワーメータ56によって測定されるレーザ光の出力が最大となるように、光ファイバ6の微調整が行われる。または、パワーメータ56によって測定されるレーザ光に必要な電流の閾値が最小になるように、光ファイバ6の微調整が行われる。
Thereafter, the
次に、図7に示すように、光ファイバ6がAuSn半田32によってファイバ固定台33に固定される。これによって、半導体光増幅器5との光ファイバ6との光の結合効率が最良の状態になる位置及び方向に、光ファイバ6が設置される。この後、XYZ軸ステージ及び3軸回転方向ゴニオステージを取り外す。これによって、光ファイバ6のアライメントが完了する。
Next, as shown in FIG. 7, the
次に、図8に示すように、光ファイバ7の他端部7bに設けられたファイバコネクタ9に、アダプタ61を介して半反射部材(請求項の第3反射部材に相当)62を接続する。半反射部材62は、ファイバコネクタ63と、光ファイバ64と、ファイバコネクタ65とを備えている。ファイバコネクタ65の光入出面65aは、光ファイバ64の光軸に対して直交している。これにより、光入出面65aでは、光ファイバ64を導波する光のうち、一部(例えば、10%)の光を反射して戻し、一部(例えば、90%)の光を透過させる。また、ファイバコネクタ65の光入出面65aに対向するように、パワーメータ56を配置する。尚、光ファイバ7は、XYZ軸ステージ及び3軸回転方向ゴニオステージ(図示略)によって保持されている。
Next, as shown in FIG. 8, a semi-reflective member (corresponding to a third reflective member in the claims) 62 is connected to a
この図8に示す状態で、半導体光増幅器5に電圧を印加する。これにより、半導体光増幅器5を反転分布状態にするとともに、光入出面5a、5bから光を出射させる。ここで、光ファイバ7の光軸と半導体光増幅器5の光軸がずれていると、光入出面5bから出射された光が、光ファイバ7の端部7aに入射しないか、または、ほとんど入射しない。この場合、パワーメータ56では、光がほとんど検出されない。
In the state shown in FIG. 8, a voltage is applied to the semiconductor
一方、光ファイバ7の光軸と半導体光増幅器5の光軸が略一致して、光入出面5bから出射された光が、光ファイバ7の端部7aにある程度入射するとレーザ発振する。具体的には、光ファイバ7の端部7aから入射した光が、光ファイバ7、64をA方向に導波して、ファイバコネクタ65に達すると、一部の光が光入出面65aによって反射される。反射された光は、光ファイバ64、7をB方向に導波した後、半導体光増幅器5に入射する。そして、光は、半導体光増幅器5の光入出面5aから出射された後、既にアライメントされている光ファイバ6、54を導波した後、ファイバコネクタ55に達する。ファイバコネクタ55の光入出面55aに達した光は、一部が反射されて、半導体光増幅器5に戻った後、光入出面5bから出射される。このように、半導体光増幅器5から出射された光が半反射部材62と半反射部材52との間を導波することによって、レーザ発振される。レーザ発振されて導波するレーザ光のうち、一部がファイバコネクタ65の光入出面65aを透過して、パワーメータ56に受光される。この結果、パワーメータ56にレーザ光に相当する出力が測定される。この後、更に、パワーメータ56によって測定されるレーザ光の出力が最大となるように、光ファイバ7の微調整が行われる。または、パワーメータ56によって測定されるレーザ光に必要な電流の閾値が最小になるように、光ファイバ7の微調整が行われる。
On the other hand, when the optical axis of the
次に、図9に示すように、光ファイバ7がAuSn半田32によってファイバ固定台33に固定される。これによって、半導体光増幅器5との光ファイバ7との光の結合効率が最良の状態になる位置及び方向に、光ファイバ7が設置される。これによって、光ファイバ7のアライメントが完了する。
Next, as shown in FIG. 9, the
次に、図10に示すように、半反射部材52、パワーメータ56、半反射部材62及びアダプタ51、61を取り外す。
Next, as shown in FIG. 10, the
その後、ペルチェ素子2、サーミスタ4等とともに、光ファイバ6、7が設置された配線台3がパッケージ10に装着されて、図1に示す発光装置1が完成する。
Thereafter, together with the
上述したように第1実施形態による発光装置1では、半導体光増幅器5により出射された光を半反射部材52及び全反射部材57の間でレーザ発振させてレーザ光にしている。そして、パワーメータ56により容易に検出することができるこのレーザ光を用いて光ファイバ6のアライメントを行っている。この結果、光ファイバ6と半導体光増幅器5とのアライメントを容易に行うことができる。
As described above, in the
更に、光ファイバ6のアライメントの後、半反射部材52を外すことなく、光ファイバ7の他端部7b側に半反射部材62を取り付けることによって、光ファイバ7をアライメントしている。これによって、光ファイバ7のアライメントを簡略化することができる。
Further, after the alignment of the
(第2実施形態)
次に、上述した第2実施形態による発光装置について説明する。図11は、第2実施形態による発光装置の概略構成図である。尚、第2実施形態による発光装置は、請求項6に記載の発光装置に相当する。第1実施形態と同じ構成には同じ符号を付けて説明を省略する。
(Second Embodiment)
Next, the light emitting device according to the second embodiment will be described. FIG. 11 is a schematic configuration diagram of a light emitting device according to the second embodiment. The light emitting device according to the second embodiment corresponds to the light emitting device according to
図11に示すように、第2実施形態による発光装置1Aでは、光ファイバ41の一端部41aが、半田32によってファイバ固定台33に固定されるとともに、光ファイバ41の他端部41bが、半田34によってファイバ固定台35に固定されている。これにより、光ファイバ41の一端部41aは、光入出面5aと対向する位置に配置される。また、光ファイバ41の他端部41bは、光入出面5bと対向する位置に配置される。
As shown in FIG. 11, in the
光ファイバ41の途中部には、カプラー42が設けられている。カプラー42は、光ファイバ41を導波する光の一部を分岐するためのものである。光ファイバ32を導波する光は、外部へと出力される。
A
第2実施形態による発光装置1Aでは、半導体光増幅器5から出射された光は、C方向及びD方向に導波して、再び、半導体光増幅器5に入射する。半導体光増幅器5に入射した光は、増幅された後、光ファイバ41へと入射して導波する。この動作が繰り返されることにより、半導体光増幅器5から出射された光が、増幅されてレーザ光となる。
In the
次に、第2実施形態による発光装置1Aの組立工程を説明する。図12〜図14は、第2実施形態による発光装置の組立工程を説明する図である。
Next, an assembly process of the
まず、図12に示すように、サーミスタ4と、半導体光増幅器5が装着されたサブマウント31と、ファイバ固定台33、35とを配線台3に固定する。次に、一端にパワーメータ72が装着された光ファイバ71をカプラー42に接続する。
First, as shown in FIG. 12, the
この図12に示す状態で、半導体光増幅器5に電圧を印加する。これにより、半導体光増幅器5を反転分布状態にするとともに、光入出面5a、5bから光を出射させる。ここで、光入出面5a、5bから出射された光が、光ファイバ41の端部41a、41bのいずれか一方にでも入射しない場合、パワーメータ72では、光がほとんど検出されない。具体的には、図12に示すように、光ファイバ41の端部41bが、光の入射しない位置に配置されている場合には、レーザ発振されることなく、光ファイバ41の端部41aから入射された光のみの小さい出力がパワーメータ72によって測定される。
In the state shown in FIG. 12, a voltage is applied to the semiconductor
一方、図13に示すように、光入出面5a、5bから出射された光が、光ファイバ41の両方の端部41a、41bへ入射すると、光ファイバ41を導波する光は、再び、半導体光増幅器5に戻る。これにより、反転分布状態の半導体光増幅器5の内部では誘導放出が生じて、光が増幅される。これにより、半導体光増幅器5から出射されて光ファイバ41を導波する光は、レーザ発振する。
On the other hand, as shown in FIG. 13, when the light emitted from the light entrance /
次に、図14に示すように、レーザ発振可能な位置に光ファイバ41の両端部41a、41bをファイバ固定台33、35を固定する。
Next, as shown in FIG. 14, the both ends 41a and 41b of the
上述したように、第2実施形態による発光装置1Aでは、半導体光増幅器5から出射された光がレーザ発振されて、パワーメータ72にレーザ光が検出されるように、光ファイバ41と半導体光増幅器5とのアライメントを行っている。このように、パワーメータ72により検出され易いレーザ光によってアライメントを行っているので、光ファイバ41と半導体光増幅器5とを容易にアライメントできる。
As described above, in the
また、第2実施形態による発光装置1Aでは、光ファイバ41の両端部41a、41bのアライメントを同時に行えるので、組立工程を簡略化することができる。
Further, in the
(第3実施形態)
次に、第2実施形態のアライメント方法を一部変更した第3実施形態について説明する。
(Third embodiment)
Next, a third embodiment in which the alignment method of the second embodiment is partially changed will be described.
第3実施形態の発光装置1Aの組立工程では、まず、第1実施形態によるアライメント方法により、光ファイバ41の一端部41aをアライメントして固定する。その後、半導体光増幅器5に電圧を印加して光を出射させる。そして、第2実施形態によるアライメント方法に基づいて、パワーメータ72により検出される光ファイバ41を導波する光がレーザ光となるように、光ファイバ41の他端部41bのアライメントを行う。
In the assembly process of the
以上、実施形態を用いて本発明を詳細に説明したが、本発明は本明細書中に説明した実施形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載及び特許請求の範囲の記載と均等の範囲により決定されるものである。以下、上記実施形態を一部変更した変更形態について説明する。 As mentioned above, although this invention was demonstrated in detail using embodiment, this invention is not limited to embodiment described in this specification. The scope of the present invention is determined by the description of the scope of claims and the scope equivalent to the description of the scope of claims. Hereinafter, modified embodiments in which the above-described embodiment is partially modified will be described.
例えば、上述した実施形態における各構成の材料、形状、数値等は、一例であり、適宜変更可能である。 For example, the material, shape, numerical value, and the like of each component in the above-described embodiment are examples and can be changed as appropriate.
また、上述した実施形態では、光導波路として光ファイバを採用したが、その他の基板上に形成された光導波路等を採用してもよい。 In the above-described embodiment, an optical fiber is used as the optical waveguide. However, an optical waveguide formed on another substrate may be used.
また、上述した実施形態では、発光素子として、半導体光増幅器を採用したが、半導体発光ダイオードや有機EL素子等を採用してもよい。 In the embodiment described above, a semiconductor optical amplifier is employed as the light emitting element, but a semiconductor light emitting diode, an organic EL element, or the like may be employed.
また、上述した実施形態では、フォトダイオードを含むパワーメータによってレーザ光を検出したが、レーザ光を目視により検出してもよい。 In the above-described embodiment, the laser light is detected by the power meter including the photodiode, but the laser light may be detected visually.
1、1A 発光装置
2 ペルチェ素子
2 半導体光増幅器
5 半導体光増幅器
5a、5b 光入出面
6、7 光ファイバ
6a、6b 端部
7a、7b 端部
8、9 ファイバコネクタ
8a、9a 光入出面
11 基板
12 半導体積層部
15、16 反射防止膜
21 n型半導体層
22 活性層
23 p型半導体層
24 ストライプ部
32 光ファイバ
32、34 AuSn半田
33、35 ファイバ固定台
41 光ファイバ
41a、41b 端部
42 カプラー
51 アダプタ
52 半反射部材
53、55 ファイバコネクタ
55a 光入出面
54 光ファイバ
56 パワーメータ
57 全反射部材
61 アダプタ
62 半反射部材
63、65 ファイバコネクタ
65a 光入出面
64 光ファイバ
71 光ファイバ
72 パワーメータ
DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記発光素子から出射する光、または、前記発光素子へ入射させる光を導波するために一端部が前記第1光入出面に対向する位置に配置された第1光導波路とを備え、
前記発光素子から出射された光をレーザ発振させたレーザ光により、前記発光素子と前記光導波路のアライメントが行われたことを特徴とする発光装置。 A light emitting element having a first light entrance / exit surface on which light is incident or emitted, and capable of amplifying the light;
A first optical waveguide having one end disposed at a position facing the first light entrance / exit surface in order to guide the light emitted from the light emitting element or the light incident on the light emitting element;
A light-emitting device, wherein the light-emitting element and the optical waveguide are aligned by a laser beam obtained by laser oscillation of light emitted from the light-emitting element.
前記第2光入出面に対向する位置に一端部が配置された第2光導波路を、更に備え、
前記第2光導波路の他端部に配置された第3反射部材と前記第1光導波路の他端部に配置された前記第1反射部材とによってレーザ発振させたレーザ光により、前記発光素子と前記第2光導波路のアライメントが行われることを特徴とする請求項3または請求項4のいずれか1項に記載の発光装置。 The light emitting element has a second light entrance / exit surface facing the first light entrance / exit surface,
A second optical waveguide having one end disposed at a position facing the second light entrance / exit surface;
The light emitting element and the light emitting element are generated by laser light that is laser-oscillated by the third reflecting member disposed at the other end of the second optical waveguide and the first reflecting member disposed at the other end of the first optical waveguide. The light-emitting device according to claim 3, wherein alignment of the second optical waveguide is performed.
前記第1光導波路の他端部は、前記第2光入出面と対向する位置に配置され、
前記発光素子から出射して前記第1光導波路の両端部から入射して導波する光を測定可能なパワーメータによってレーザ光が検出されるように、前記発光素子と前記第1光導波路のアライメントが行われることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。 The light emitting element has a second light entrance / exit surface facing the first light entrance / exit surface,
The other end of the first optical waveguide is disposed at a position facing the second light entrance / exit surface,
Alignment of the light emitting element and the first optical waveguide so that laser light is detected by a power meter capable of measuring light emitted from the light emitting element and incident and guided from both ends of the first optical waveguide. The light-emitting device according to claim 1, wherein:
Priority Applications (1)
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JP2008173678A JP2010014894A (en) | 2008-07-02 | 2008-07-02 | Light emitting apparatus |
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