JP2010002596A - Liquid crystal display - Google Patents

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Makiko Imabayashi
真紀子 今林
Masateru Morimoto
政輝 森本
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent a phenomenon of generating flickers by a flexoelectric effect when an IPS (in-plane switching) liquid crystal display is driven in a frame reversal mode. <P>SOLUTION: Four interdigital electrodes 1101 are present in one region of a pixel electrode 110, while three interdigital electrodes 1101 are present in the other region. A common electrode formed as a flat solid electrode is formed below the pixel electrode 110 interposing an insulating film. When the potential of the pixel electrode 110 is higher than that of the common electrode by a flexoelectric effect, dark lines appear on the interdigital electrodes 1101; and when the potential of the pixel electrode 110 is lower than that of the common electrode, dark lines appear in slit portions 112. By employing the feature of the pixel electrode shown in the figure, the number of dark lines is the same regardless to the relative potential between the pixel electrode 110 and the common electrode, which suppresses flickers. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は表示装置に係り、特に視野角特性の優れた横電界方式であって、バックライトの利用効率の良い、かつ、フリッカーの少ない液晶表示装置に関する。   The present invention relates to a display device, and more particularly, to a liquid crystal display device that is a horizontal electric field method with excellent viewing angle characteristics, has high backlight utilization efficiency, and has less flicker.

液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ(TFT)等がマトリクス状に形成されたTFT基板と、TFT基板に対向して、TFT基板の画素電極と対応する場所にカラーフィルタ等が形成された対向基板が配置され、TFT基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。   In a liquid crystal display device, there are a TFT substrate in which pixel electrodes and thin film transistors (TFTs) are formed in a matrix, and a counter substrate in which color filters are formed at locations corresponding to the pixel electrodes of the TFT substrate, facing the TFT substrate. The liquid crystal is sandwiched between the TFT substrate and the counter substrate. An image is formed by controlling the light transmittance of the liquid crystal molecules for each pixel.

液晶表示装置では視野角特性が問題である。視野角特性は、画面を正面から見た場合と、斜め方向から見た場合に、輝度が変化したり、色度が変化したりする現象である。視野角特性は、液晶分子を水平方向の電界によって動作させるIPS(In Plane Switching)方式が優れた特性を有している。   A viewing angle characteristic is a problem in a liquid crystal display device. The viewing angle characteristic is a phenomenon in which luminance changes or chromaticity changes when the screen is viewed from the front and when viewed from an oblique direction. The viewing angle characteristic is excellent in an IPS (In Plane Switching) system in which liquid crystal molecules are operated by a horizontal electric field.

一方、液晶には、フレクソエレクトリック効果という現象が存在する。従来、液晶分子の配向状態は、印加電圧の正負にはよらないと考えられてきたが、厳密には、フレクソエレクトリック効果のために、正負で異なる配向となる。液晶表示装置の動作は、液晶が電気分解することを避けるために、交流駆動を行い、直流分が生じないように設定されている。   On the other hand, the liquid crystal has a phenomenon called flexoelectric effect. Conventionally, it has been considered that the alignment state of liquid crystal molecules does not depend on whether the applied voltage is positive or negative, but strictly speaking, due to the flexoelectric effect, the alignment is different between positive and negative. The operation of the liquid crystal display device is set so that AC driving is performed and no DC component is generated in order to avoid electrolysis of the liquid crystal.

しかし、フレクソエレクトリック効果があると、液晶分子に対する印加電圧が完全な交流であっても、画素電圧に印加される電圧の正負によって明るさが異なることになる。液晶表示装置の駆動方法として、例えば、フレーム反転という駆動方法があるが、この場合は、画素電極に加わる電圧の極性がフレーム毎に反転する。そうすると、同じ明るさの映像を表示しても、フレクソエレクトリック効果のために、1フレーム毎に明るさが異なることになる。これは、人間の目にはフリッカーとして映り、画質を損ねる。   However, when there is a flexoelectric effect, even if the applied voltage to the liquid crystal molecules is a complete alternating current, the brightness varies depending on whether the voltage applied to the pixel voltage is positive or negative. As a driving method of the liquid crystal display device, for example, there is a driving method called frame inversion. In this case, the polarity of the voltage applied to the pixel electrode is inverted every frame. As a result, even if images having the same brightness are displayed, the brightness differs for each frame due to the flexoelectric effect. This appears to the human eye as flickering and impairs the image quality.

「特許文献1」には、ストライプ状の画素電極とストライプ状のコモン電極を平行に配置し、いずれかの電極の一方を透明電極とし、いずれかの電極の他方を遮光性の電極とした場合のフレクソエレクトリック効果に対する対策が記載されている。すなわち、「特許文献1」のような電極構成では、透明な電極が遮光性の電極に対して相対的に負の電位となる部分が相対的に正の電位となる部分よりも明るくなる。   In “Patent Document 1”, a stripe-shaped pixel electrode and a stripe-shaped common electrode are arranged in parallel, one of the electrodes is a transparent electrode, and the other of the electrodes is a light-shielding electrode Measures against flexoelectric effects are described. That is, in the electrode configuration as in “Patent Document 1”, a portion where the transparent electrode is relatively negative with respect to the light-shielding electrode is brighter than a portion where the transparent potential is relatively positive.

フレームごとに、明暗が生じてフリッカーとなることを防止するために、画素を分割し、一方では、透明な電極が遮光性の電極に対して負の電位となるようにし、他方では、透明な電極が遮光性の電極に対して正の電位となるようにして、画素内で、明るさの変動をキャンセルする構成が記載されている。   For each frame, pixels are divided in order to prevent light and darkness and flickering. On the one hand, the transparent electrode has a negative potential with respect to the light-shielding electrode. A configuration is described in which fluctuations in brightness are canceled in a pixel so that the electrode has a positive potential with respect to a light-shielding electrode.

特開2002−202736号公報JP 2002-202736 A

フレクソエレクトリック効果は、画素構造によって異なる現象となる。IPS方式の液晶表示装置も種々の形態のものが開発されているが、画面の輝度を大きくとることが出来る構成として現在最も使用されている方式は、コモン電極を平面状にベタで形成し、その上に絶縁膜を挟んで櫛歯状の画素電極を配置する方式である。コモン電極には基準電圧が印加され、画素電極には、映像信号が印加され、画素電極と映像信号の電位差によって液晶分子を回転させて、光の透過率を制御する。   The flexoelectric effect varies depending on the pixel structure. Various types of IPS liquid crystal display devices have been developed, but the most widely used method as a configuration capable of increasing the brightness of the screen is to form a common electrode in a flat plane, This is a system in which comb-like pixel electrodes are arranged with an insulating film interposed therebetween. A reference voltage is applied to the common electrode, a video signal is applied to the pixel electrode, and liquid crystal molecules are rotated by a potential difference between the pixel electrode and the video signal to control light transmittance.

このIPS方式は、画素電極、コモン電極のいずれも透明導電膜で形成される。この場合、フレクソエレクトリック効果は、コモン電極と画素電極の相対的な電位によって、櫛歯電極上に暗線が生じたり、あるいは、櫛歯電極と櫛歯電極の間のスリット部分に暗線が生じたりするという現象となって現れる。   In this IPS method, both the pixel electrode and the common electrode are formed of a transparent conductive film. In this case, the flexoelectric effect is caused by a dark line on the comb electrode due to a relative potential between the common electrode and the pixel electrode, or a dark line is generated in the slit portion between the comb electrode and the comb electrode. It appears as a phenomenon.

本発明の課題は、このような構造のIPS方式の液晶表示装置において、フレクソエレクトリック効果によるフリッカーを防止することである。   An object of the present invention is to prevent flicker due to a flexoelectric effect in an IPS liquid crystal display device having such a structure.

本発明は上記問題を克服するものであり、具体的な手段は次のとおりである。   The present invention overcomes the above problems, and specific means are as follows.

(1)第1の方向に延在し、第2の方向に配列した走査線と、第2の方向に延在し、第1の方向に配列した映像信号線とで囲まれた領域に画素が形成され、前記画素は、平面ベタで形成された第1の電極と、第1の電極の上に形成された層間絶縁膜と前記層間絶縁膜の上に形成された第2の電極を有し、前記第2の電極は、第1の領域と第2の領域を有し、前記第1の領域は第1の数の櫛歯電極を有し、前記第2の領域は第2の数の櫛歯電極を有し、前記第1の数と前記第2の数は異なることを特徴とする液晶表示装置。   (1) Pixels in a region surrounded by scanning lines extending in the first direction and arranged in the second direction and video signal lines extending in the second direction and arranged in the first direction The pixel includes a first electrode formed in a flat plane, an interlayer insulating film formed on the first electrode, and a second electrode formed on the interlayer insulating film. The second electrode has a first region and a second region, the first region has a first number of comb electrodes, and the second region has a second number. A liquid crystal display device, wherein the first number is different from the second number.

(2)前記第2の電極において、前記第1の数と前記第2の数の差は1であることを特徴とする(1)に記載の液晶表示装置。   (2) The liquid crystal display device according to (1), wherein in the second electrode, a difference between the first number and the second number is 1.

(3)前記第2の電極において、前記第1の領域の前記櫛歯電極の長さと幅、および、前記前記櫛歯電極の間隔は、前記第2の領域の前記櫛歯電極の長さと幅、および、前記櫛歯電極の間隔は、各々等しいことを特徴とする(1)に記載の液晶表示装置。   (3) In the second electrode, the length and width of the comb electrode in the first region, and the interval between the comb electrodes are the length and width of the comb electrode in the second region. The liquid crystal display device according to (1), wherein the intervals between the comb electrodes are equal to each other.

(4)前記第1の電極はコモン電極であり、前記第2の電極は画素電極であることを特徴とする(1)に記載の液晶表示装置。   (4) The liquid crystal display device according to (1), wherein the first electrode is a common electrode, and the second electrode is a pixel electrode.

(5)第1の方向に延在し、第2の方向に配列した走査線と、第2の方向に延在し、第1の方向に配列した映像信号線とで囲まれた領域に画素が形成され、前記画素は、平面ベタで形成された第1の電極と、第1の電極の上に形成された第1層間絶縁膜と前記第1層間絶縁膜の上に形成された第2の電極と、前記第2の電極の上に形成された第2層間絶縁膜と前記第2層間絶縁膜の上に形成された櫛歯電極を有する第3の電極を有し、前記第2の電極は櫛歯電極が形成された第1の領域と、平面ベタの電極が形成された第2の領域を有し、前記第2の電極の前記櫛歯電極が形成された領域は前記第1の電極と重なり、前記第2の電極の前記平面ベタの電極が形成された領域は前記第3の電極と重なり、前記第1の電極と前記第2の電極は同じ電位であることを特徴とする液晶表示装置。   (5) Pixels in a region surrounded by scanning lines extending in the first direction and arranged in the second direction and video signal lines extending in the second direction and arranged in the first direction The pixel includes a first electrode formed in a flat plane, a first interlayer insulating film formed on the first electrode, and a second electrode formed on the first interlayer insulating film. A third electrode having a comb-shaped electrode formed on the second interlayer insulating film and the second interlayer insulating film formed on the second interlayer insulating film, and the second electrode The electrode has a first region in which a comb electrode is formed and a second region in which a flat solid electrode is formed. The region of the second electrode in which the comb electrode is formed is the first region. The region where the flat electrode of the second electrode is formed overlaps with the third electrode, and the first electrode and the second electrode are the same The liquid crystal display device which is a position.

(6)前記第2の電極に形成された前記櫛歯電極の数と、前記第3の電極に形成された前記櫛歯電極の数は等しいことを特徴とする(5)に記載の液晶表示装置。   (6) The liquid crystal display according to (5), wherein the number of the comb electrodes formed on the second electrode is equal to the number of the comb electrodes formed on the third electrode. apparatus.

(7)前記第2の電極に形成された前記櫛歯電極の長さと幅、および、前記櫛歯電極の間隔は、前記第3の電極に形成された前記櫛歯電極の長さと幅、および、前記櫛歯電極の間隔は、各々等しいことを特徴とする(5)に記載の液晶表示装置。   (7) The length and width of the comb electrode formed on the second electrode, and the interval between the comb electrodes are the length and width of the comb electrode formed on the third electrode, and The liquid crystal display device according to (5), wherein the intervals between the comb electrodes are equal to each other.

(8)前記第2の電極は画素電極であり、前記第1の電極前記第3の電極はコモン電極であることを特徴とする(5)に記載の液晶表示装置。   (8) The liquid crystal display device according to (5), wherein the second electrode is a pixel electrode, and the first electrode and the third electrode are common electrodes.

本発明によれば、平面ベタで形成された第1の電極と櫛歯電極を有する第2の電極とで構成されるIPS方式の液晶表示装置において、フレクソエレクトリック効果によってフレーム毎に明るさが変動してフリッカーが生ずる現象を防止することが出来る。   According to the present invention, in an IPS liquid crystal display device composed of a first electrode formed of a flat solid and a second electrode having a comb electrode, the brightness of each frame is increased by a flexoelectric effect. It is possible to prevent a phenomenon in which flicker occurs due to fluctuation.

以下本発明の内容を実施例にしたがって詳細に説明する。   Hereinafter, the contents of the present invention will be described in detail according to examples.

図1は本発明が適用されるIPS方式の液晶表示装置の断面図である。図1において、ガラスで形成されるTFT基板100の上に、ゲート電極101が形成されている。ゲート電極101は走査線500と同層で形成されている。ゲート電極101はAlNd合金の上にMoCr合金が積層されている。   FIG. 1 is a cross-sectional view of an IPS liquid crystal display device to which the present invention is applied. In FIG. 1, a gate electrode 101 is formed on a TFT substrate 100 made of glass. The gate electrode 101 is formed in the same layer as the scanning line 500. The gate electrode 101 has a MoCr alloy laminated on an AlNd alloy.

ゲート電極101を覆ってゲート絶縁膜102がSiNによって形成されている。ゲート絶縁膜102の上に、ゲート電極101と対向する位置に半導体層103がa−Si膜によって形成されている。a−Si膜はプラズマCVDによって形成される。a−Si膜はTFTのチャネル部を形成するが、チャネル部を挟んでa−Si膜上にソース電極104とドレイン電極105が形成される。なお、a−Si膜とソース電極104あるいはドレイン電極105との間には図示しないn+Si層が形成される。半導体層103と、ソース電極104あるいはドレイン電極105とのオーミックコンタクトを取るためである。   A gate insulating film 102 is formed of SiN so as to cover the gate electrode 101. A semiconductor layer 103 is formed of an a-Si film on the gate insulating film 102 at a position facing the gate electrode 101. The a-Si film is formed by plasma CVD. The a-Si film forms the channel portion of the TFT, and the source electrode 104 and the drain electrode 105 are formed on the a-Si film with the channel portion interposed therebetween. Note that an n + Si layer (not shown) is formed between the a-Si film and the source electrode 104 or the drain electrode 105. This is to make an ohmic contact between the semiconductor layer 103 and the source electrode 104 or the drain electrode 105.

ソース電極104は映像信号線600が兼用し、ドレイン電極105は画素電極110と接続される。ソース電極104もドレイン電極105も同層で同時に形成される。本実施例では、ソース電極104あるいはドレイン電極105はMoCr合金で形成される。ソース電極104あるいはドレイン電極105の電気抵抗を下げたい場合は、例えば、AlNd合金をMoCr合金でサンドイッチした電極構造が用いられる。   The source electrode 104 is also used as the video signal line 600, and the drain electrode 105 is connected to the pixel electrode 110. The source electrode 104 and the drain electrode 105 are simultaneously formed in the same layer. In this embodiment, the source electrode 104 or the drain electrode 105 is made of a MoCr alloy. In order to reduce the electrical resistance of the source electrode 104 or the drain electrode 105, for example, an electrode structure in which an AlNd alloy is sandwiched between MoCr alloys is used.

TFTを覆って無機パッシベーション膜106がSiNによって形成される。無機パッシベーション膜106はTFTの、特にチャネル部を不純物から保護する。無機パッシベーション膜106の上には有機パッシベーション膜107が形成される。有機パッシベーション膜107はTFTの保護と同時に表面を平坦化する役割も有するので、厚く形成される。厚さは1μmから4μmである。   An inorganic passivation film 106 is formed of SiN so as to cover the TFT. The inorganic passivation film 106 protects the TFT, particularly the channel portion, from impurities. An organic passivation film 107 is formed on the inorganic passivation film 106. The organic passivation film 107 has a role of flattening the surface at the same time as protecting the TFT, and thus is formed thick. The thickness is 1 μm to 4 μm.

有機パッシベーション膜107には感光性のアクリル樹脂、シリコン樹脂、あるいはポリイミド樹脂等が使用される。有機パッシベーション膜107には、画素電極110とドレイン電極105が接続する部分にスルーホール111を形成する必要があるが、有機パッシベーション膜107は感光性なので、フォトレジストを用いずに、有機パッシベーション膜107自体を露光、現像して、スルーホール111を形成することが出来る。   A photosensitive acrylic resin, silicon resin, polyimide resin, or the like is used for the organic passivation film 107. In the organic passivation film 107, it is necessary to form a through hole 111 at a portion where the pixel electrode 110 and the drain electrode 105 are connected. However, since the organic passivation film 107 is photosensitive, the organic passivation film 107 is not used without using a photoresist. The through hole 111 can be formed by exposing and developing itself.

有機パッシベーション膜107の上にはコモン電極108が形成される。コモン電極108は透明導電膜であるITO(Indium Tin Oxide)を表示領域全体にスパッタリングすることによって形成される。すなわち、コモン電極108は面状に形成される。コモン電極108を全面にスパッタリングによって形成した後、画素電極110とドレイン電極105を導通するためのスルーホール111部だけはコモン電極108をエッチングによって除去する。   A common electrode 108 is formed on the organic passivation film 107. The common electrode 108 is formed by sputtering ITO (Indium Tin Oxide), which is a transparent conductive film, over the entire display region. That is, the common electrode 108 is formed in a planar shape. After the common electrode 108 is formed on the entire surface by sputtering, the common electrode 108 is removed by etching only in the through hole 111 portion for conducting the pixel electrode 110 and the drain electrode 105.

コモン電極108を覆って第1層間絶縁膜109がSiNによって形成される。第1層間絶縁膜109が形成された後、エッチングによってスルーホール111を形成する。この第1層間絶縁膜109をレジストにして無機パッシベーション膜106をエッチングしてスルーホール111を形成する。その後、第1層間絶縁膜109およびスルーホール111を覆って画素電極110となるITOをスパッタリングによって形成する。スパッタリングしたITOをパターニングして画素電極110を形成する。画素電極110となるITOはスルーホール111にも被着される。スルーホール111において、TFTから延在してきたドレイン電極105と画素電極110が導通し、映像信号が画素電極110に供給されることになる。   A first interlayer insulating film 109 is formed of SiN so as to cover the common electrode 108. After the first interlayer insulating film 109 is formed, a through hole 111 is formed by etching. The through hole 111 is formed by etching the inorganic passivation film 106 using the first interlayer insulating film 109 as a resist. Thereafter, an ITO film that covers the first interlayer insulating film 109 and the through hole 111 and becomes the pixel electrode 110 is formed by sputtering. The pixel electrode 110 is formed by patterning the sputtered ITO. ITO serving as the pixel electrode 110 is also deposited on the through hole 111. In the through hole 111, the drain electrode 105 extending from the TFT and the pixel electrode 110 become conductive, and a video signal is supplied to the pixel electrode 110.

画素電極110は櫛歯状の電極である。櫛歯状の電極と櫛歯状の電極の間はスリット112となっている。コモン電極108には基準電圧が印加され、画素電極110には映像信号による電圧が印加される。画素電極110に電圧が印加されると図1に示すように、電気力線が発生して液晶分子301を電気力線の方向に回転させてバックライト700からの光の透過を制御する。画素毎にバックライト700からの透過が制御されるので、画像が形成されることになる。なお、画素電極110の上には液晶分子301を配向させるための配向膜113が形成されている。   The pixel electrode 110 is a comb-like electrode. A slit 112 is formed between the comb-shaped electrode and the comb-shaped electrode. A reference voltage is applied to the common electrode 108, and a voltage based on a video signal is applied to the pixel electrode 110. When a voltage is applied to the pixel electrode 110, as shown in FIG. 1, the lines of electric force are generated, and the liquid crystal molecules 301 are rotated in the direction of the lines of electric force to control the transmission of light from the backlight 700. Since transmission from the backlight 700 is controlled for each pixel, an image is formed. Note that an alignment film 113 for aligning the liquid crystal molecules 301 is formed on the pixel electrode 110.

図1の例では、有機パッシベーション膜107の上に、面状に形成されたコモン電極108が配置され、第1層間絶縁膜109の上に櫛歯電極1101を有する画素電極110が配置されている。しかしこれとは逆に、有機パッシベーション膜107の上に面状に形成された画素電極110を配置し、第1層間絶縁膜109の上に櫛歯状のコモン電極108が配置される場合もある。ただし、以下の説明では、上側が櫛歯電極1101を有する画素電極110であり、下側が平面ベタ電極であるコモン電極108であるとして説明する。   In the example of FIG. 1, the common electrode 108 formed in a planar shape is disposed on the organic passivation film 107, and the pixel electrode 110 having the comb electrode 1101 is disposed on the first interlayer insulating film 109. . However, on the contrary, the pixel electrode 110 formed in a planar shape may be disposed on the organic passivation film 107, and the comb-shaped common electrode 108 may be disposed on the first interlayer insulating film 109. . However, in the following description, it is assumed that the upper side is the pixel electrode 110 having the comb-tooth electrode 1101 and the lower side is the common electrode 108 which is a flat solid electrode.

図1において、液晶層300を挟んで対向基板200が配置されている。対向基板200の内側には、カラーフィルタ201が形成されている。カラーフィルタ201は画素毎に、赤、緑、青のカラーフィルタ201が形成されており、カラー画像が形成される。カラーフィルタ201とカラーフィルタ201の間にはブラックマトリクス202が形成され、画像のコントラストを向上させている。なお、ブラックマトリクス202はTFTの遮光膜としての役割も有し、TFTに光電流が流れることを防止している。   In FIG. 1, a counter substrate 200 is disposed with a liquid crystal layer 300 interposed therebetween. A color filter 201 is formed inside the counter substrate 200. The color filter 201 is formed with red, green, and blue color filters 201 for each pixel, and a color image is formed. A black matrix 202 is formed between the color filters 201 to improve the contrast of the image. Note that the black matrix 202 also has a role as a light shielding film of the TFT, and prevents a photocurrent from flowing through the TFT.

カラーフィルタ201およびブラックマトリクス202を覆ってオーバーコート膜203が形成されている。カラーフィルタ201およびブラックマトリクス202の表面は凹凸となっているために、オーバーコート膜203によって表面を平らにしている。オーバーコート膜の上には、液晶の初期配向を決めるための配向膜113が形成されている。   An overcoat film 203 is formed to cover the color filter 201 and the black matrix 202. Since the surface of the color filter 201 and the black matrix 202 is uneven, the surface is flattened by the overcoat film 203. An alignment film 113 for determining the initial alignment of the liquid crystal is formed on the overcoat film.

図1に示すように、IPSでは、対向基板200の内側には導電膜が形成されていない。そうすると、対向基板200の電位が不安定になる。また、外部からの電磁ノイズが液晶層300に侵入し、画像に対して影響を与える。このような問題を除去するために、対向基板200の外側に表面導電膜210が形成される。表面導電膜210は、透明導電膜であるITOをスパッタリングすることによって形成される。   As shown in FIG. 1, in IPS, a conductive film is not formed inside the counter substrate 200. Then, the potential of the counter substrate 200 becomes unstable. Further, external electromagnetic noise enters the liquid crystal layer 300 and affects the image. In order to eliminate such a problem, a surface conductive film 210 is formed outside the counter substrate 200. The surface conductive film 210 is formed by sputtering ITO, which is a transparent conductive film.

図1のような画素電極110、TFT等がマトリクス状に形成されたTFT基板100と、カラーフィルタ等が形成された対向基板200との間に液晶を挟持する構成を液晶表示パネルという。また、図1において、TFT基板100の背面にはバックライト700が配置されている。   A structure in which liquid crystal is sandwiched between a pixel substrate 110, a TFT substrate 100 in which TFTs and the like are formed in a matrix as shown in FIG. 1, and a counter substrate 200 in which a color filter and the like are formed is referred to as a liquid crystal display panel. In FIG. 1, a backlight 700 is disposed on the back surface of the TFT substrate 100.

図1示すような電極配置においては、櫛歯状の画素電極110の電位が、平面ベタのコモン電極108の電位よりも高い場合と、低い場合とでは、同じ電位差であっても、フレクソエレクトリック効果のために、液晶層300の透過率が異なる。   In the electrode arrangement as shown in FIG. 1, even if the potential of the comb-like pixel electrode 110 is higher than the potential of the planar solid common electrode 108 and when it is lower, the flexoelectric is the same. Due to the effect, the transmittance of the liquid crystal layer 300 is different.

図2はフレーム反転駆動における画素電極110のコモン電極108に対する相対電位である。図2において、縦軸Vは白表示の場合に、コモン電極108を基準にして画素電極110に対して印加される電圧を示す。また、図2において、Fはフレーム周期である。   FIG. 2 shows the relative potential of the pixel electrode 110 with respect to the common electrode 108 in frame inversion driving. In FIG. 2, the vertical axis V indicates a voltage applied to the pixel electrode 110 with respect to the common electrode 108 in the case of white display. In FIG. 2, F is a frame period.

図2に示すように、画素電極110の電位はフレーム毎にコモン電極108に対してプラス電位となったりマイナス電位になったりする。そうするとフレクソエレクトリック効果によって、同じ画素がフレーム毎に明るくなったり、暗くなったりする。これは、人間の目にはフリッカーとして観測される。   As shown in FIG. 2, the potential of the pixel electrode 110 becomes a positive potential or a negative potential with respect to the common electrode 108 for each frame. Then, due to the flexoelectric effect, the same pixel becomes brighter or darker every frame. This is observed as flicker in the human eye.

図3は、画素電極110の電位がコモン電極108の電位よりも高い場合である。図3において、画素電極110は櫛歯状の電極である。画素電極110の下層には、第1層間絶縁膜109を介して平面ベタで形成されたコモン電極108が配置されている。画素電極110もコモン電極108も透明導電膜で形成されている。   FIG. 3 shows a case where the potential of the pixel electrode 110 is higher than the potential of the common electrode 108. In FIG. 3, the pixel electrode 110 is a comb-like electrode. Under the pixel electrode 110, a common electrode 108 formed in a flat plane with a first interlayer insulating film 109 interposed therebetween is disposed. Both the pixel electrode 110 and the common electrode 108 are formed of a transparent conductive film.

画素電極110の電位がコモン電極108の電位よりも高いと、図3の影で示すような暗線10が画素電極110の櫛歯電極1101上に現れる。暗線10部分の輝度は他の明るい部分の輝度に比べて10%〜70%程度である。図3においては、櫛歯電極1101が4本あるので、暗線10は4本生ずる。   When the potential of the pixel electrode 110 is higher than the potential of the common electrode 108, the dark line 10 as shown by the shadow in FIG. 3 appears on the comb electrode 1101 of the pixel electrode 110. The luminance of the dark line 10 portion is about 10% to 70% compared to the luminance of other bright portions. In FIG. 3, since there are four comb electrodes 1101, four dark lines 10 are generated.

図4は、画素電極110の電位がコモン電極108の電位よりも低い場合である。図4において、画素電極110は櫛歯状の電極である。図4における画素構成は図3で説明したのと同様である。画素電極110の電位がコモン電極108の電位よりも低いと、図4の影で示すような暗線10が画素電極110の櫛歯電極1101と櫛歯電極1101の間のスリット112上に現れる。この場合の暗線10部分の輝度も他の明るい部分の輝度に比べて10%〜70%程度である。図3においては、スリット112が3本あるので、暗線10は3本生ずる。   FIG. 4 shows a case where the potential of the pixel electrode 110 is lower than the potential of the common electrode 108. In FIG. 4, the pixel electrode 110 is a comb-like electrode. The pixel configuration in FIG. 4 is the same as that described in FIG. When the potential of the pixel electrode 110 is lower than the potential of the common electrode 108, the dark line 10 as shown by the shadow in FIG. 4 appears on the slit 112 between the comb electrode 1101 and the comb electrode 1101 of the pixel electrode 110. In this case, the luminance of the dark line 10 portion is also about 10% to 70% as compared with the luminance of other bright portions. In FIG. 3, since there are three slits 112, three dark lines 10 are generated.

このように、画素電極110の電位がコモン電極108の電位に対して高い場合と低い場合とでは、暗線10の数が異なり、画素の明るさが異なることになる。フレーム反転においては、フレーム毎に、画素電極110とコモン電極108の相対電位が入れ替わるので、フレーム毎に画素の明るさが異なることになる。これは、人間の目にはフリッカーとして観測される。   As described above, the number of the dark lines 10 is different and the brightness of the pixel is different depending on whether the potential of the pixel electrode 110 is higher or lower than the potential of the common electrode 108. In the frame inversion, since the relative potentials of the pixel electrode 110 and the common electrode 108 are switched for each frame, the brightness of the pixel is different for each frame. This is observed as flicker in the human eye.

図5は以上のような問題点を対策する本発明による画素電極110の形状である。図5は画素を対向基板200上から見た平面図である。図5において、画素の両側には対向基板200に形成されたブラックマトリクスが存在している。画素電極110は、櫛歯電極1101の数が異なる2つの領域に分かれている。図5における画素電極110の上側は4個の櫛歯電極1101が存在し、下側には3個の櫛歯電極1101が存在している。すなわち、画素の下側は櫛歯電極1101の数が1本少ない。   FIG. 5 shows the shape of the pixel electrode 110 according to the present invention which counters the above problems. FIG. 5 is a plan view of the pixel as viewed from above the counter substrate 200. In FIG. 5, the black matrix formed on the counter substrate 200 exists on both sides of the pixel. The pixel electrode 110 is divided into two regions having different numbers of comb electrodes 1101. In FIG. 5, four comb electrodes 1101 exist on the upper side of the pixel electrode 110, and three comb electrodes 1101 exist on the lower side. That is, the number of comb-tooth electrodes 1101 is one less on the lower side of the pixel.

図5において、画素電極110の上側の櫛歯電極1101も下側の櫛歯電極1101も幅w、長さlは同じである。また、スリット112の幅sも画素電極110の上側と下側において同じである。画素電極110の上側と下側の接続部にはスルーホール111が形成され、このスルーホール111を介して映像信号が画素電極110に供給される。図5において、画素電極110の下層には、第1層間絶縁膜109を介して平面ベタで形成されたコモン電極108が存在している。   In FIG. 5, the upper comb-tooth electrode 1101 and the lower comb-tooth electrode 1101 of the pixel electrode 110 have the same width w and length l. The width s of the slit 112 is the same on the upper side and the lower side of the pixel electrode 110. A through hole 111 is formed in the upper and lower connecting portions of the pixel electrode 110, and a video signal is supplied to the pixel electrode 110 through the through hole 111. In FIG. 5, a common electrode 108 formed in a flat plane is present below the pixel electrode 110 with a first interlayer insulating film 109 interposed therebetween.

図6は、図5で説明した画素電極110に対してコモン電極108よりも高い電位が供給された状態を示す平面図である。この場合は、画素電極110の櫛歯電極1101上に暗線10が現れる。画素電極110の上側には、4本の櫛歯電極1101があるので、4本の暗線10が生ずるが、画素電極110の下側には、3本の櫛歯電極1101があるので、3本の暗線10が生ずる。したがって、図6の場合の暗線10の数は7本である。   FIG. 6 is a plan view showing a state in which a higher potential than the common electrode 108 is supplied to the pixel electrode 110 described in FIG. In this case, the dark line 10 appears on the comb electrode 1101 of the pixel electrode 110. Since there are four comb electrodes 1101 on the upper side of the pixel electrode 110, four dark lines 10 are generated. However, on the lower side of the pixel electrode 110, there are three comb electrodes 1101, so there are three The dark line 10 is generated. Therefore, the number of dark lines 10 in the case of FIG. 6 is seven.

図7は、図5で説明した画素電極110に対してコモン電極108よりも低い電位が供給された状態を示す平面図である。この場合は櫛歯電極1101と櫛歯電極1101の間のスリット112上に暗線10が現れる。画素電極110の上側には、3本のスリット112があるので、3本の暗線10が生ずるが、画素電極110の下側には、4本のスリット112があるので、4本の暗線10が生ずる。したがって、図7の場合の暗線10の数も、図6の場合と同様に7本である。   FIG. 7 is a plan view showing a state in which a potential lower than that of the common electrode 108 is supplied to the pixel electrode 110 described with reference to FIG. In this case, the dark line 10 appears on the slit 112 between the comb electrode 1101 and the comb electrode 1101. Since there are three slits 112 on the upper side of the pixel electrode 110, three dark lines 10 are generated. However, on the lower side of the pixel electrode 110, there are four slits 112, so that four dark lines 10 are formed. Arise. Therefore, the number of dark lines 10 in the case of FIG. 7 is also seven as in the case of FIG.

つまり、図5のような画素電極110を使用することによって、フレーム反転駆動を行っても、フレーム毎の明るさの変化を防止することができ、フリッカーを防止することが出来る。   That is, by using the pixel electrode 110 as shown in FIG. 5, even if frame inversion driving is performed, a change in brightness for each frame can be prevented, and flicker can be prevented.

以上の説明では、上層に形成された画素電極110が櫛歯電極であるとして説明したが、これとは逆に、上層に櫛歯電極1101を有するコモン電極108を配置し、下層に平面ベタで形成された画素電極110を配置した場合でも、本発明を同様に適用することが出来る。   In the above description, the pixel electrode 110 formed in the upper layer has been described as a comb electrode, but conversely, the common electrode 108 having the comb electrode 1101 is disposed in the upper layer, and the planar electrode is in the lower layer. Even when the formed pixel electrode 110 is disposed, the present invention can be similarly applied.

図8は本発明の第2の実施例を示す平面透視図である。図8において、映像信号線600が縦方向に延在し、横方向に配列している。また、走査線500が横方向に延在し、縦方向に配列している。映像信号線600と走査線500で囲まれた領域が画素である。図8には2画素が記載されている。   FIG. 8 is a plan perspective view showing a second embodiment of the present invention. In FIG. 8, video signal lines 600 extend in the vertical direction and are arranged in the horizontal direction. Further, the scanning lines 500 extend in the horizontal direction and are arranged in the vertical direction. A region surrounded by the video signal line 600 and the scanning line 500 is a pixel. FIG. 8 shows two pixels.

図8において、最上層には櫛歯電極1101を有する上部コモン電極1082が配置されている。上部コモン電極1082の下層には、第2層間絶縁膜120を介して画素電極110が配置されている。図8における画素電極110は櫛歯電極1101が存在する領域と、平面ベタの領域に分かれている。画素電極110が上部コモン電極1082と重なる領域は、平面ベタの電極となっている。   In FIG. 8, an upper common electrode 1082 having a comb-tooth electrode 1101 is disposed on the uppermost layer. Below the upper common electrode 1082, the pixel electrode 110 is disposed via the second interlayer insulating film 120. The pixel electrode 110 in FIG. 8 is divided into a region where the comb electrode 1101 is present and a planar solid region. A region where the pixel electrode 110 overlaps the upper common electrode 1082 is a flat solid electrode.

画素電極110で、櫛歯電極1101が形成されている領域は、上部コモン電極1082とは重ならず、画素電極110よりも下層に形成されたコモン電極108と重なっている。図8において、画素電極110の下層には、第1層間絶縁膜109を介して平面ベタで形成された下部コモン電極1081が配置されている。平面ベタの下部コモン電極1081は上層に形成されている画素電極110を構成する櫛歯電極1101と重なっている。   In the pixel electrode 110, the region where the comb electrode 1101 is formed does not overlap the upper common electrode 1082 but overlaps the common electrode 108 formed below the pixel electrode 110. In FIG. 8, a lower common electrode 1081 formed in a flat plane is disposed below the pixel electrode 110 with a first interlayer insulating film 109 interposed therebetween. The lower flat common electrode 1081 overlaps with the comb electrode 1101 constituting the pixel electrode 110 formed in the upper layer.

図8において、上側に存在する液晶層300は、櫛歯状の画素電極110と平面ベタの下部コモン電極1081との間の電界によって駆動される。図8の下側に存在する液晶層300は、櫛歯電極1101を有する上部コモン電極1082と平面ベタの画素電極110との間の電界によって駆動される。   In FIG. 8, the liquid crystal layer 300 present on the upper side is driven by an electric field between the comb-like pixel electrode 110 and the flat common electrode 1081. The liquid crystal layer 300 present on the lower side of FIG. 8 is driven by an electric field between the upper common electrode 1082 having the comb electrode 1101 and the flat pixel electrode 110.

図8において、上部コモン電極1082と下部コモン電極1081とは、表示領域の外側において接続されている。画素電極110とコモン電極108との間に電圧を印加すると、画素電極110のうち、櫛歯を有する領域での液晶分子301に印加される電界と、平面ベタで形成された領域での液晶分子301に印加される電界とでは、向きが異なる。したがって、フレクソエレクトリック効果は画素電極110のうち、櫛歯を有する領域と平面ベタの領域とでは逆の効果となる。   In FIG. 8, the upper common electrode 1082 and the lower common electrode 1081 are connected outside the display area. When a voltage is applied between the pixel electrode 110 and the common electrode 108, the electric field applied to the liquid crystal molecules 301 in the region having the comb teeth of the pixel electrode 110 and the liquid crystal molecules in the region formed by a flat solid. The direction is different from the electric field applied to 301. Therefore, the flexoelectric effect is opposite in the pixel electrode 110 in the region having the comb teeth and the flat solid region.

次のフレームとなって、画素電極110とコモン電極108の電圧の関係が逆となった場合も、画素電極110における櫛歯電極1101部と平面ベタの部分とがフレクソエレクトリック効果が反転するだけで、1画素内で、フレクソエレクトリック効果が逆な領域が存在することには代わりが無い。したがって、本実施例においては、1画素内において、フレクソエレクトリック効果をキャンセルするので、フレームが変わっても輝度の変動は生じず、フリッカーは発生しない。   Even when the voltage relationship between the pixel electrode 110 and the common electrode 108 is reversed in the next frame, only the flexoelectric effect is reversed between the comb electrode 1101 portion and the flat solid portion of the pixel electrode 110. Thus, there is no substitute for the existence of a region having the opposite flexoelectric effect within one pixel. Therefore, in this embodiment, since the flexoelectric effect is canceled within one pixel, the luminance does not change even if the frame changes, and flicker does not occur.

図9は、本実施例の構造を示す断面図である。図9(a)は図8のA−A’断面であり、図9(b)は図B−B’断面である。図9(a)において、下部コモン電極1081より下側の構造は省略されている。下部コモン電極1081は平面ベタで形成されており、下部コモン電極1081の上には第1層間絶縁膜109が形成されている。第1層間絶縁膜109の上には画素電極110の櫛歯電極1101が形成されている。画素電極110を覆って第2層間絶縁膜120が形成されている。   FIG. 9 is a cross-sectional view showing the structure of this embodiment. 9A is a cross-sectional view taken along the line A-A ′ of FIG. 8, and FIG. 9B is a cross-sectional view taken along the line B-B ′. In FIG. 9A, the structure below the lower common electrode 1081 is omitted. The lower common electrode 1081 is a flat solid, and a first interlayer insulating film 109 is formed on the lower common electrode 1081. A comb electrode 1101 of the pixel electrode 110 is formed on the first interlayer insulating film 109. A second interlayer insulating film 120 is formed to cover the pixel electrode 110.

第2層間絶縁膜120の上には配向膜113が形成されるが、図9(a)では省略されている。このような構成のTFT基板100と対向基板200との間に液晶層300が挟持されている。櫛歯状の画素電極110と下部コモン電極1081との間に電圧が印加されると、画素電極110から櫛歯電極1101間のスリット112を通して平面ベタで形成された下部コモン電極1081へ電気力線が発生し、この電気力線によって液晶が回転し、光の透過量が制御される。   An alignment film 113 is formed on the second interlayer insulating film 120, but is omitted in FIG. The liquid crystal layer 300 is sandwiched between the TFT substrate 100 and the counter substrate 200 having such a configuration. When a voltage is applied between the comb-like pixel electrode 110 and the lower common electrode 1081, electric lines of force pass from the pixel electrode 110 to the lower common electrode 1081 formed by a plane plane through the slit 112 between the comb-teeth electrodes 1101. The liquid crystal rotates by the lines of electric force, and the amount of transmitted light is controlled.

図9(b)は図8のB−B’断面図である。図9(b)において、第1層間絶縁膜109より下側の構造は省略されている。第1層間絶縁膜109の上には、平面ベタの画素電極110が形成されている。画素電極110の上には第2層間絶縁膜120が形成されており、第2層間絶縁膜120の上には、櫛歯電極1101を有する上部コモン電極1082が形成されている。   FIG. 9B is a cross-sectional view taken along the line B-B ′ of FIG. In FIG. 9B, the structure below the first interlayer insulating film 109 is omitted. A flat solid pixel electrode 110 is formed on the first interlayer insulating film 109. A second interlayer insulating film 120 is formed on the pixel electrode 110, and an upper common electrode 1082 having a comb electrode 1101 is formed on the second interlayer insulating film 120.

上部コモン電極1082の上には、配向膜113が形成されるが、図9(b)では省略されている。図9(b)において、液晶層300がTFT基板100と対向基板200との間に挟持されている。櫛歯状の上部コモン電極1082と平面ベタで形成された画素電極110との間に電圧が印加されると、上部コモン電極1082から櫛歯電極1101間のスリット112を通して画素電極110へ図9(a)とは逆方向の電気力線が発生し、この電気力線によって液晶が回転し、光の透過量が制御される。   An alignment film 113 is formed on the upper common electrode 1082, but is omitted in FIG. In FIG. 9B, the liquid crystal layer 300 is sandwiched between the TFT substrate 100 and the counter substrate 200. When a voltage is applied between the comb-shaped upper common electrode 1082 and the pixel electrode 110 formed of a flat solid, the upper common electrode 1082 passes through the slit 112 between the comb-shaped electrodes 1101 to the pixel electrode 110 as shown in FIG. A line of electric force in the opposite direction to that of a) is generated, and the liquid crystal rotates by this line of electric force, and the amount of transmitted light is controlled.

このように、図9(a)と図9(b)とでは、液晶分子301の受ける電界の向きが逆であるので、フレクソエレクトリック効果も図9(a)と図9(b)とでは逆となる。すなわち、1画素中で、フレクソエレクトリック効果がキャンセルされることになる。   Thus, in FIGS. 9A and 9B, since the direction of the electric field received by the liquid crystal molecules 301 is opposite, the flexoelectric effect is also different in FIGS. 9A and 9B. The reverse is true. That is, the flexoelectric effect is canceled in one pixel.

図10は図8に示す電極構造の分解平面図である。図10において、上部コモン電極1082は櫛歯状の電極となっている。また、画素電極110は、櫛歯状の電極の領域と平面ベタで形成された電極の領域とから構成されている。上部コモン電極1082は第2層間絶縁膜120を介して画素電極110の平面ベタで形成された領域と重なる。上部コモン電極1082の動作面積は画素電極110動作面積の半分である。   FIG. 10 is an exploded plan view of the electrode structure shown in FIG. In FIG. 10, the upper common electrode 1082 is a comb-like electrode. The pixel electrode 110 includes a comb-shaped electrode region and a flat electrode region. The upper common electrode 1082 overlaps the region formed by the planar solid of the pixel electrode 110 with the second interlayer insulating film 120 interposed therebetween. The operation area of the upper common electrode 1082 is half of the operation area of the pixel electrode 110.

下部コモン電極1081は平面ベタで形成されており、第1層間絶縁膜109を介して画素電極110の櫛歯電極1101が形成された領域と重なる。下部コモン電極1081の動作面積は、画素電極110の動作面積の半分である。図10におけるA−A’断面は図9(a)に対応し、B−B’断面は図9(b)に対応する。   The lower common electrode 1081 is formed as a flat solid, and overlaps the region where the comb electrode 1101 of the pixel electrode 110 is formed via the first interlayer insulating film 109. The operation area of the lower common electrode 1081 is half of the operation area of the pixel electrode 110. The A-A ′ section in FIG. 10 corresponds to FIG. 9A, and the B-B ′ section corresponds to FIG. 9B.

図11は画素電極110に対して上部コモン電極1082あるいは下部コモン電極1081よりも相対的に正の電圧を印加した場合のフレクソエレクトリック効果を示すものである。この場合は上部コモン電極1082のスリット112部にフレクソエレクトリック効果による暗線10が生じ、画素電極110の櫛歯電極1101にフレクソエレクトリック効果による暗線10が生ずる。したがって、暗線10の数は5本である。なお、図11において、上部コモン電極1082、画素電極110、下部コモン電極1081は、実際は重なっているが、説明のために、分解平面図となっている。   FIG. 11 shows the flexoelectric effect when a relatively positive voltage is applied to the pixel electrode 110 relative to the upper common electrode 1082 or the lower common electrode 1081. In this case, the dark line 10 due to the flexoelectric effect is generated at the slit 112 portion of the upper common electrode 1082, and the dark line 10 due to the flexoelectric effect is generated at the comb electrode 1101 of the pixel electrode 110. Therefore, the number of dark lines 10 is five. In FIG. 11, the upper common electrode 1082, the pixel electrode 110, and the lower common electrode 1081 are actually overlapped, but are an exploded plan view for explanation.

図12は画素電極110に対して上部コモン電極1082あるいは下部コモン電極1081よりも相対的に負の電圧を印加した場合のフレクソエレクトリック効果を示すものである。この場合は上部コモン電極1082の櫛歯電極1101にフレクソエレクトリック効果による暗線10が生じ、画素電極110のスリット112部にフレクソエレクトリック効果による暗線10が生ずる。したがって、暗線10の数は5本である。なお、図11において、上部コモン電極1082、画素電極110、下部コモン電極1081は、実際は重なっているが、説明のために、分解平面図となっている。   FIG. 12 shows the flexoelectric effect when a relatively negative voltage is applied to the pixel electrode 110 relative to the upper common electrode 1082 or the lower common electrode 1081. In this case, the dark line 10 due to the flexoelectric effect is generated at the comb electrode 1101 of the upper common electrode 1082, and the dark line 10 due to the flexoelectric effect is generated at the slit 112 portion of the pixel electrode 110. Therefore, the number of dark lines 10 is five. In FIG. 11, the upper common electrode 1082, the pixel electrode 110, and the lower common electrode 1081 are actually overlapped, but are an exploded plan view for explanation.

このように、画素電極110に、上部コモン電極1082あるいは下部コモン電極1081よりも高い電圧を印加した場合も、低い電圧を印加した場合も、暗線10の数は等しい。したがって、フレーム反転駆動をした場合であっても、フレーム毎に輝度が変化することは無く、フリッカーは生じない。   As described above, the number of dark lines 10 is the same regardless of whether a higher voltage or a lower voltage is applied to the pixel electrode 110 than the upper common electrode 1082 or the lower common electrode 1081. Therefore, even when frame inversion driving is performed, the luminance does not change from frame to frame and flicker does not occur.

本実施例においては、液晶を駆動するための電極は、1層の画素電極110と2層のコモン電極108の計3層の電極が必要となる。このような構造を実現するために、例えば、図1において、画素電極110の上に第2層間絶縁膜120を形成し、その上に上部コモン電極1082を形成する構成とすることが出来る。   In this embodiment, the electrode for driving the liquid crystal requires a total of three layers of electrodes, that is, one pixel electrode 110 and two common electrodes 108. In order to realize such a structure, for example, in FIG. 1, the second interlayer insulating film 120 is formed on the pixel electrode 110, and the upper common electrode 1082 is formed thereon.

3層の電極構造を実現する他の方法としては、例えば、図1において、コモン電極108の位置に画素電極110を配置し、図1における画素電極110の位置に上部コモン電極1082を配置し、図1のソース電極あるいはドレイン電極と同じ層に下部コモン電極1081を形成する構成とすることが出来る。   As another method for realizing the three-layer electrode structure, for example, in FIG. 1, the pixel electrode 110 is disposed at the position of the common electrode 108, and the upper common electrode 1082 is disposed at the position of the pixel electrode 110 in FIG. The lower common electrode 1081 can be formed in the same layer as the source electrode or the drain electrode in FIG.

3層の電極構造を実現するさらに他の方法としては、例えば、図1において、コモン電極108の位置に画素電極110を配置し、図1における画素電極110の位置に上部コモン電極1082を配置し、図1のゲート電極と同じ層に下部コモン電極1081を形成する構成とすることが出来る。   As another method for realizing the three-layer electrode structure, for example, in FIG. 1, the pixel electrode 110 is disposed at the position of the common electrode 108, and the upper common electrode 1082 is disposed at the position of the pixel electrode 110 in FIG. The lower common electrode 1081 can be formed in the same layer as the gate electrode in FIG.

本発明が適用される液晶表示装置の断面図である。It is sectional drawing of the liquid crystal display device with which this invention is applied. フレーム反転駆動を示す図である。It is a figure which shows a frame inversion drive. フレクソエレクトリック効果を示す例である。It is an example which shows a flexoelectric effect. フレクソエレクトリック効果を示す他の例である。It is another example which shows a flexoelectric effect. 実施例1の画素電極の平面図である。3 is a plan view of a pixel electrode of Example 1. FIG. 実施例1の動作の例である。3 is an example of the operation of the first embodiment. 実施例1の動作の他の例である。6 is another example of the operation of the first embodiment. 実施例2の電極構造を示す透視図である。6 is a perspective view showing an electrode structure of Example 2. FIG. 実施例2の電極構造を示す断面図である。6 is a cross-sectional view showing an electrode structure of Example 2. FIG. 実施例2の電極構造を示す分解図である。6 is an exploded view showing an electrode structure of Example 2. FIG. 実施例2の動作の例である。10 is an example of the operation of the second embodiment. 実施例2の動作の他の例である。10 is another example of the operation of the second embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

10…暗線、 100…TFT基板、 101…ゲート電極、 102…ゲート絶縁膜、 103…半導体層、 104…ソース電極、 105…ドレイン電極、 106…無機パッシベーション膜、 107…有機パッシベーション膜、 108…コモン電極、 109…第1層間絶縁膜、 110…画素電極、 111…スルーホール、 112…スリット、 113…配向膜、 120…第2層間絶縁膜、 200…対向基板、 201…カラーフィルタ、 202…ブラックマトリクス、 203…オーバーコート膜、 210…表面導電膜、 300…液晶層、 301…液晶分子、 500…走査線、 600…映像信号線、 700…バックライト、 1081…下部コモン電極、 1082…上部コモン電極、 1101…櫛歯電極。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Dark line, 100 ... TFT substrate, 101 ... Gate electrode, 102 ... Gate insulating film, 103 ... Semiconductor layer, 104 ... Source electrode, 105 ... Drain electrode, 106 ... Inorganic passivation film, 107 ... Organic passivation film, 108 ... Common Electrode, 109 ... first interlayer insulating film, 110 ... pixel electrode, 111 ... through hole, 112 ... slit, 113 ... alignment film, 120 ... second interlayer insulating film, 200 ... counter substrate, 201 ... color filter, 202 ... black Matrix, 203 ... Overcoat film, 210 ... Surface conductive film, 300 ... Liquid crystal layer, 301 ... Liquid crystal molecule, 500 ... Scanning line, 600 ... Video signal line, 700 ... Back light, 1081 ... Lower common electrode, 1082 ... Upper common Electrode, 1101 ... Comb electrode.

Claims (8)

第1の方向に延在し、第2の方向に配列した走査線と、第2の方向に延在し、第1の方向に配列した映像信号線とで囲まれた領域に画素が形成され、
前記画素は、平面ベタで形成された第1の電極と、第1の電極の上に形成された層間絶縁膜と前記層間絶縁膜の上に形成された第2の電極を有し、
前記第2の電極は、第1の領域と第2の領域を有し、前記第1の領域は第1の数の櫛歯電極を有し、前記第2の領域は第2の数の櫛歯電極を有し、前記第1の数と前記第2の数は異なることを特徴とする液晶表示装置。
Pixels are formed in a region surrounded by the scanning lines extending in the first direction and arranged in the second direction and the video signal lines extending in the second direction and arranged in the first direction. ,
The pixel includes a first electrode formed in a flat plane, an interlayer insulating film formed on the first electrode, and a second electrode formed on the interlayer insulating film,
The second electrode has a first region and a second region, the first region has a first number of comb electrodes, and the second region has a second number of combs. A liquid crystal display device comprising tooth electrodes, wherein the first number and the second number are different.
前記第2の電極において、前記第1の数と前記第2の数の差は1であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。   2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a difference between the first number and the second number is 1 in the second electrode. 前記第2の電極において、前記第1の領域の前記櫛歯電極の長さと幅、および、前記前記櫛歯電極の間隔は、前記第2の領域の前記櫛歯電極の長さと幅、および、前記櫛歯電極の間隔は、各々等しいことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。   In the second electrode, the length and width of the comb electrode in the first region, and the interval between the comb electrodes are the length and width of the comb electrode in the second region, and The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the intervals between the comb electrodes are equal to each other. 前記第1の電極はコモン電極であり、前記第2の電極は画素電極であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the first electrode is a common electrode, and the second electrode is a pixel electrode. 第1の方向に延在し、第2の方向に配列した走査線と、第2の方向に延在し、第1の方向に配列した映像信号線とで囲まれた領域に画素が形成され、
前記画素は、平面ベタで形成された第1の電極と、第1の電極の上に形成された第1層間絶縁膜と前記第1層間絶縁膜の上に形成された第2の電極と、前記第2の電極の上に形成された第2層間絶縁膜と前記第2層間絶縁膜の上に形成された櫛歯電極を有する第3の電極を有し、
前記第2の電極は櫛歯電極が形成された第1の領域と、平面ベタの電極が形成された第2の領域を有し、
前記第2の電極の前記櫛歯電極が形成された領域は前記第1の電極と重なり、前記第2の電極の前記平面ベタの電極が形成された領域は前記第3の電極と重なり、
前記第1の電極と前記第2の電極は同じ電位であることを特徴とする液晶表示装置。
Pixels are formed in a region surrounded by scanning lines extending in the first direction and arranged in the second direction and video signal lines extending in the second direction and arranged in the first direction. ,
The pixel includes: a first electrode formed in a flat plane; a first interlayer insulating film formed on the first electrode; a second electrode formed on the first interlayer insulating film; A third electrode having a second interlayer insulating film formed on the second electrode and a comb electrode formed on the second interlayer insulating film;
The second electrode has a first region where a comb electrode is formed, and a second region where a flat solid electrode is formed,
The region of the second electrode where the comb electrode is formed overlaps with the first electrode, the region of the second electrode where the flat solid electrode is formed overlaps with the third electrode,
The liquid crystal display device, wherein the first electrode and the second electrode have the same potential.
前記第2の電極に形成された前記櫛歯電極の数と、前記第3の電極に形成された前記櫛歯電極の数は等しいことを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 5, wherein the number of the comb electrodes formed on the second electrode is equal to the number of the comb electrodes formed on the third electrode. 前記第2の電極に形成された前記櫛歯電極の長さと幅、および、前記櫛歯電極の間隔は、前記第3の電極に形成された前記櫛歯電極の長さと幅、および、前記櫛歯電極の間隔は、各々等しいことを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。   The length and width of the comb electrode formed on the second electrode, and the interval between the comb electrodes are the length and width of the comb electrode formed on the third electrode, and the comb. The liquid crystal display device according to claim 5, wherein intervals between the tooth electrodes are equal to each other. 前記第2の電極は画素電極であり、前記第1の電極前記第3の電極はコモン電極であることを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 5, wherein the second electrode is a pixel electrode, and the first electrode and the third electrode are common electrodes.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140138718A1 (en) * 2012-11-16 2014-05-22 Beijing Boe Display Technology Co., Ltd. Array Substrate and Fabrication Method Thereof, and Display Device
JP2014211463A (en) * 2013-04-17 2014-11-13 三菱電機株式会社 Liquid crystal display device and drive method thereof
US10073306B2 (en) 2014-04-25 2018-09-11 Sharp Kabushiki Kaisha LCD device

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140138718A1 (en) * 2012-11-16 2014-05-22 Beijing Boe Display Technology Co., Ltd. Array Substrate and Fabrication Method Thereof, and Display Device
US9252159B2 (en) * 2012-11-16 2016-02-02 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and fabrication method thereof, and display device
JP2014211463A (en) * 2013-04-17 2014-11-13 三菱電機株式会社 Liquid crystal display device and drive method thereof
US10073306B2 (en) 2014-04-25 2018-09-11 Sharp Kabushiki Kaisha LCD device

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