JP2010000419A - Method for forming pattern - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for forming a pattern having a desired shape of a high aspect ratio while dispensing with complicated steps, and a method and an apparatus for manufacturing an electronic apparatus or an optical apparatus by using the method for forming the pattern. <P>SOLUTION: The method for forming the pattern comprises the steps of: applying an electric field and/or a magnetic field to a negative pattern consisting of two or more substances different in dielectric constant and/or magnetic susceptibility so that coarse and dense differences of lines of electric and/or magnetic force are made to arise near the negative pattern; and moving at least one fluid substance along the coarse and dense differences of the lines of electric and/or magnetic force to form a desired positive pattern; further making at least a part of the fluid substance intrude into the inside of the negative pattern to form the positive pattern; and solidifying the positive pattern formed from at least a part of the fluid substance. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、流動性のある物質に電場及び/又は磁場を印加することによって、所望の形状のパターン(固形物)を形成するパターン形成方法、並びに、このパターン形成方法を用いて電子装置または光学装置を製造する方法に関する。   The present invention provides a pattern forming method for forming a pattern (solid matter) having a desired shape by applying an electric field and / or a magnetic field to a fluid substance, and an electronic device or an optical device using the pattern forming method. The invention relates to a method of manufacturing a device.

従来のパターン形成方法としては、例えば、フォトリソグラフィー、エッチング等のパターン加工が広く用いられており、特に、半導体の分野においては、集積半導体回路に代表される電子装置の微細化が進み、多層構造の電子装置の必要性が高まっている。この多層構造をフォトソリグラフィー、エッチングで形成する場合、マスキングを始めとする非常に多くの工程が必要となるため、この工程を減らしてコスト削減を図るための様々な提案がなされている。例えば、特許文献1で提案された製造プロセスでは、必要なマスクの枚数を減らすことによってコスト削減を図っている。
また、光学装置においては、CCDカメラを構成するマイクロレンズパターンを、型やフォトリソグラフィーで製造する方法が用いられているが、微細で表面が鏡面状のパターンを型で形成するのはコストがかかり、またフォトリソグラフィーについては、上記のような問題点を有する。
As a conventional pattern forming method, for example, pattern processing such as photolithography and etching is widely used. In particular, in the field of semiconductors, miniaturization of electronic devices typified by integrated semiconductor circuits has progressed and multilayer structures have been developed. There is an increasing need for electronic devices. When this multilayer structure is formed by photolithography and etching, a large number of processes including masking are required, and various proposals have been made to reduce the cost by reducing this process. For example, in the manufacturing process proposed in Patent Document 1, the cost is reduced by reducing the number of necessary masks.
In addition, in an optical apparatus, a method of manufacturing a microlens pattern constituting a CCD camera by a mold or photolithography is used. However, it is costly to form a fine and specular pattern with a mold. Also, photolithography has the above-mentioned problems.

磁場を用いる技術については、強磁性体のように、磁場に対する相互作用が大きい物質については、磁石がFeやNi、Co等を引き付けることが知られており、従来から極めて多くの実用例が存在する。   Regarding the technology using a magnetic field, it is known that a magnet attracts Fe, Ni, Co, etc. for a substance having a large interaction with a magnetic field, such as a ferromagnetic material, and there have been many practical examples. To do.

一方、ガラス、紙、水のような弱磁性体は自発磁化が無く、磁場によって誘起される磁気相互作用も非常に小さいため、物質移動に利用できるほどの力は発生しない。従って、弱磁性体を磁場によって物質移動させて利用する技術は、ほとんど用いられていない。
しかし、強磁場を用いると、磁場中で誘起された磁気相互作用が大きくなるため、流動性のある物質に強磁場を印加する場合には、弱磁性体であっても自身の形状を変える駆動力になる。このような強磁場を用いた技術の例として、磁気アルキメデス効果を利用した結晶成長方法(特許文献2参照)、磁気異方性がある結晶を結晶軸がそろうように配向させる方法(特許文献3参照)、物質界面を変化させる方法(特許文献4参照)、磁場を用いて異種微粒子を同時配列させる方法(特許文献5参照)、等が提案されている。
特開平06−283525 特開平11−335200 特開2003−342100 特開平8−323192 特開2006−212616
On the other hand, weak magnetic materials such as glass, paper, and water have no spontaneous magnetization, and magnetic interaction induced by a magnetic field is very small, so that a force that can be used for mass transfer does not occur. Therefore, a technique of using a weak magnetic substance by transferring a substance by a magnetic field is hardly used.
However, when a strong magnetic field is used, the magnetic interaction induced in the magnetic field increases, so when a strong magnetic field is applied to a fluid substance, the drive changes its shape even for a weak magnetic material. helpful. Examples of such a technique using a strong magnetic field include a crystal growth method using a magnetic Archimedes effect (see Patent Document 2), and a method of aligning crystals having magnetic anisotropy so that crystal axes are aligned (Patent Document 3). And a method of changing the substance interface (see Patent Document 4), a method of simultaneously arranging different kinds of fine particles using a magnetic field (see Patent Document 5), and the like.
JP 06-283525 A JP 11-335200 A JP 2003-342100 A JP-A-8-323192 JP 2006-212616 A

特許文献1に開示された発明は、従来のフォトリソグラフィーやエッチングを用いたパターン形成方法のコスト削減を図るものであるが、あくまで従来技術の一部を改良したものである。従って、依然として、マスクの位置合わせ、露光、現像、洗浄等の各種の煩雑な工程が必要であり、パターン形成のためのコストが大幅に下がることは期待できない。また、これらの工程の結果生じる廃液の処理の問題も生じる。   The invention disclosed in Patent Document 1 is intended to reduce the cost of a conventional pattern formation method using photolithography or etching, but is merely an improvement of a part of the prior art. Therefore, various complicated processes such as mask alignment, exposure, development, and cleaning are still required, and it cannot be expected that the cost for pattern formation will be significantly reduced. There is also a problem with the treatment of waste liquid resulting from these steps.

一方、弱磁性体に磁場を印加する技術に関しては、特許文献2も特許文献3も、強磁場を用いて結晶の成長方向を制御するものであり、弱磁性体自体を物質移動させたり、変形させたりするものではない。   On the other hand, with regard to the technique for applying a magnetic field to a weak magnetic material, both Patent Document 2 and Patent Document 3 control the crystal growth direction using a strong magnetic field. It is not something to let you.

特許文献4には、磁場応答により流動性のある物質の界面の位置を変化させる技術が開示されているが、物質を流動性のある状態のまま扱うものであって、磁場の印加を停止させると、この界面の変化を維持することはできず、その界面の形状を保存することはできない。よって、この技術を適用するためには、常に磁場を印加し続ける必要があり、利用分野も限定される。   Patent Document 4 discloses a technique for changing the position of the interface of a fluid substance by a magnetic field response. However, the technique treats a substance in a fluid state and stops application of a magnetic field. The change of the interface cannot be maintained, and the shape of the interface cannot be preserved. Therefore, in order to apply this technique, it is necessary to always apply a magnetic field, and the application field is also limited.

特許文献5には、磁場を印加することにより、磁化率の異なる2以上の物質からなるネガパターンに近接した流動性のある粒子を、このネガパターン沿って任意の位置に配列させる方法が開示されている。しかし、この発明において、例えば、ネガパターンの位置から離れる方向に向かって粒子を高く積み上げた高アスペクト比のポジパターンを形成することはできず、形成可能な形状には限界がある。   Patent Document 5 discloses a method of arranging fluid particles close to a negative pattern made of two or more substances having different magnetic susceptibility by arranging a magnetic field at an arbitrary position along the negative pattern. ing. However, in the present invention, for example, a positive pattern with a high aspect ratio in which particles are stacked in a direction away from the position of the negative pattern cannot be formed, and there is a limit to the shape that can be formed.

従って、本発明の目的は、上述の課題を解決して、固化可能な流動性のある物質に磁場及び/又は電場の印加、あるいは重力及び磁場、重力及び電場、または重力、磁場及び電場の印加によって、各種の煩雑な工程を要せずに、アスペクト比の高い所望の形状のパターンを形成することのできるパターン形成方法、このパターン形成方法を用いた電子装置または光学装置の製造方法、並びに、このパターン形成方法を用いた電子装置または光学装置の製造装置を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and to apply a magnetic field and / or an electric field to a solidified fluid substance, or to apply a gravity and a magnetic field, a gravity and an electric field, or a gravity, a magnetic field and an electric field. The pattern forming method capable of forming a pattern having a desired shape with a high aspect ratio without requiring various complicated steps, a method for manufacturing an electronic device or an optical device using this pattern forming method, and An object of the present invention is to provide an apparatus for manufacturing an electronic device or an optical device using this pattern forming method.

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究を行った結果、誘電率及び/又は磁化率が異なる物質で形成したネガパターンに電場及び/又は磁場を印加することにより、固化可能な流動性のある物質を電気力及び/又は磁気力で移動させて所望の形状を形成し、かつネガパターンの内部に固化可能な流動性のある物質の少なくとも一部を進入させ、次いで、この流動性のある物質を固化させることによって、この流動性のある物質の形状を固定して、アスペクト比の高い所望の形状のパターンを形成することを知見し、本発明を完成させるに至った。
ここで、「ネガパターンの内部」としては、例えば、ネガパターンの凹部または空洞部を例示することができ、ネガパターンにより形作られ、開口部から流動性を有する物質の一部が入り込むことができる内部空間であれば任意の空間が該当する。
As a result of intensive research to solve the above problems, the present inventors can solidify by applying an electric field and / or a magnetic field to negative patterns formed of materials having different dielectric constants and / or magnetic susceptibility. The flowable substance is moved by electric and / or magnetic force to form a desired shape, and at least a part of the flowable substance that can be solidified enters the inside of the negative pattern. By solidifying the material having the property, it was found that the shape of the material having the fluidity was fixed to form a desired shape pattern having a high aspect ratio, and the present invention was completed.
Here, as the “inside of the negative pattern”, for example, a concave portion or a hollow portion of the negative pattern can be exemplified, and a part of a material having fluidity formed by the negative pattern and entering from the opening can enter. Any space is applicable if it is an internal space.

また、ネガパターンと流動性を有する物質との位置を変えながらポジパターンを形成することも可能で、例えばペン型に形成したネガパターンを、流動性を有する物質の表面で任意のパターンになるように動かし逐次固化させることで、任意の形状を自由に形成することができることを知見し、本発明を完成させるに至った。   It is also possible to form a positive pattern while changing the position of the negative pattern and the substance having fluidity. For example, the negative pattern formed in a pen shape is changed to an arbitrary pattern on the surface of the substance having fluidity. It has been found that an arbitrary shape can be freely formed by moving and solidifying sequentially, and the present invention has been completed.

また、空気よりもポジパターンを形成する流動性を有する物質との比重差が小さく、空気よりもポジパターンを形成する流動性を有する物質との誘電率及び/又は磁化率の差が大きい流動性のある物質を用いることで、ポジパターンを形成する流動性を有する物質の移動を浮力でアシストし、更に誘電率及び/又は磁化率の差を大きくすることで、電気力及び/又は磁気力を増強させてポジパターンを形成する流動性を有する物質の移動を増強し、所望のパターンの形状の変化を大きくし更に短時間でパターンを形成できることも知見し、本発明を完成させるに至った。
更に、上記のパターン形成方法を用いて電子装置や光学装置に所望のパターンを形成すること、及び電子装置や光学装置に所望のパターンを形成する製造装置も知見し、本発明を完成させるに至った。
In addition, the specific gravity difference with a fluid material that forms a positive pattern is smaller than that of air, and the fluidity has a larger difference in dielectric constant and / or magnetic susceptibility with the fluid material that forms a positive pattern than air. By using a certain material, buoyancy assists the movement of the fluid material that forms a positive pattern, and further increases the difference in dielectric constant and / or magnetic susceptibility, thereby reducing the electric force and / or magnetic force. It has been found that the transfer of a fluid substance that forms a positive pattern can be enhanced to increase the movement of the desired pattern, and the pattern can be formed in a shorter time, thereby completing the present invention.
Furthermore, the present inventors have also found out that a desired pattern is formed on an electronic device or an optical device using the pattern forming method described above, and a manufacturing device that forms a desired pattern on the electronic device or the optical device, thereby completing the present invention. It was.

本発明のパターン形成方法の1つの実施態様によれば、従来のフォトリソグラフィーやエッチングを用いたパターン形成方法に比べて、パターン形成のための煩雑な工程を必要とせず、低いコストで短時間に、所望の形状のパターン形成することができ、廃液処理の必要もなく、環境面においても有利である。
また、ネガパターンの内部に流動性を有する物質の少なくとも一部を進入させてパターンを形成するため、従来の流動性を有する物質を電場及び/又は磁場を用いてパターン形成する方法よりも、アスペクト比の高いパターンが形成できるため、作製できるパターンの幅が広がる。
According to one embodiment of the pattern forming method of the present invention, a complicated process for forming a pattern is not required and a low cost can be achieved in a short time compared with a conventional pattern forming method using photolithography or etching. A pattern having a desired shape can be formed, and there is no need for waste liquid treatment, which is advantageous in terms of environment.
In addition, since the pattern is formed by allowing at least a part of the fluid substance to enter the negative pattern, the aspect of the conventional pattern having the fluidity can be improved by using an electric field and / or a magnetic field. Since a pattern with a high ratio can be formed, the width of the pattern that can be manufactured is widened.

また、本発明のパターン形成方法のその他の実施態様によれば、空気よりもポジパターンを形成する流動性を有する物質との比重差が小さく、空気よりもポジパターンを形成する流動性を有する物質との誘電率及び/又は磁化率の差が大きい流動性のある物質を用いることによって、1つの流動性のある物質を用いるよりも弱い電場及び/又は磁場を用いて、弱誘電体または弱磁性体の流動性のある物質から、所望のパターンを得ることができ、設備、製造コストを低減でき、安全性においても有利なパターン形成方法である。
更に、本発明のパターン形成方法を用いた電子装置または光学装置の製造方法及び製造装置においても、上記と同様な効果を得ることができる。
Further, according to another embodiment of the pattern forming method of the present invention, the specific gravity difference with a fluid material that forms a positive pattern is smaller than air, and the fluid material that forms a positive pattern than air. By using a fluid material having a large difference in dielectric constant and / or magnetic susceptibility with a weak electric or magnetic field using a weaker electric field and / or magnetic field than using a single fluid material It is a pattern forming method that can obtain a desired pattern from a substance having fluidity in the body, can reduce equipment and manufacturing costs, and is advantageous in terms of safety.
Furthermore, also in the manufacturing method and manufacturing apparatus of an electronic device or an optical device using the pattern forming method of the present invention, the same effect as described above can be obtained.

全般的な説明
始めに、本発明のパターン形成方法、及びこのパターン形成方法を用いた電子装置または光学装置の製造方法の実施形態について、その全般的な説明を行なう。
本発明のパターン形成方法の第1の実施形態では、誘電率及び/又は磁化率が異なる2以上の物質からなるネガパターンに、電場及び/又は磁場を印加することで前記ネガパターン近傍に電気力線及び/又は磁力線の疎密差を形成し、前記電気力線及び/又は磁力線の疎密差に沿って流動性のある物質を電気力及び/又は磁気力によって移動させ、次いで、流動性のある物質を固化させることによって、所望の形状のポジパターン(固形物)を形成し、前記流動性を有する物質の少なくとも一部分が前記ネガパターンの内部に侵入することで、アスペクト比の高いパターンを形成することができる。
ここで、本明細書におけるA及び/又はBの記載は、Aだけの場合、Bだけの場合、A及びBの場合を含む。
General Description First, a general description of an embodiment of a pattern forming method of the present invention and a method for manufacturing an electronic device or an optical device using the pattern forming method will be given.
In the first embodiment of the pattern forming method of the present invention, an electric force and / or a magnetic field is applied to a negative pattern made of two or more substances having different dielectric constants and / or magnetic susceptibilities to thereby generate an electric force in the vicinity of the negative pattern. Forming a density difference between lines and / or lines of magnetic force, moving a fluid substance along the density difference between the lines of electric force and / or lines of magnetic force by electric force and / or magnetic force, and then flowing the substance Is formed into a positive pattern (solid matter) of a desired shape, and at least a part of the fluid material penetrates into the negative pattern to form a pattern with a high aspect ratio. Can do.
Here, the description of A and / or B in this specification includes the case of A alone, the case of B alone, and the case of A and B.

(電気力線及び/又は磁力線の疎密差を任意の分布にする方法)
電気力線及び/又は磁力線の疎密差は、誘電率及び/又は磁化率が異なる2以上の物質からなるネガパターンを用いて発生させることが可能であり、電気力線及び/又は磁力線が、誘電率及び/又は磁化率が相対的に大きい物質に吸い込まれる現象を利用した方法である。
ここで、図1は、物質1と物質2とからなるネガパターンに電場及び/又は磁場を印加したときの、電気力線及び/又は磁力線4の様子を横から見た図であり、物質1の誘電率及び/又は磁化率が、物質2の誘電率及び/又は磁化率がよりも相対的に大きい。
(Method of making the density difference of electric field lines and / or magnetic field lines arbitrary distribution)
The density difference between the electric lines of force and / or magnetic lines of force can be generated using a negative pattern made of two or more substances having different dielectric constants and / or magnetic susceptibility. This is a method using the phenomenon of being sucked into a material having a relatively high rate and / or magnetic susceptibility.
Here, FIG. 1 is a side view of the state of the electric lines of force and / or lines of magnetic force 4 when an electric field and / or magnetic field is applied to a negative pattern composed of the substances 1 and 2. The dielectric constant and / or magnetic susceptibility of the material 2 is relatively larger than the dielectric constant and / or magnetic susceptibility of the substance 2.

図1のように、誘電率及び/又は磁化率の異なる物質を交互に並べて作製したネガパターンに、法線方向である矢印3の方向から電場及び/又は磁場を印加すると、電気力線及び/又は磁力線4は、相対的に誘電率及び/又は磁化率の大きい物質1に吸い込まれる。図1において、色の濃い部分は電束密度及び/又は磁束密度の高い部分であり、色の薄い部分は電束密度及び/又は磁束密度の低い部分である。流動性を有する物質を、図1に示すように、電束密度及び/又は磁束密度に疎密差がある場に置くと、その疎密差に応じた電気力及び/又は磁気力を受けるため、電束密度及び/又は磁束密度の疎密差に概略沿った形に流動性を有する物質は移動する。   As shown in FIG. 1, when an electric field and / or magnetic field is applied to a negative pattern produced by alternately arranging substances having different dielectric constants and / or magnetic susceptibility from the direction of the arrow 3 which is the normal direction, Alternatively, the magnetic field lines 4 are sucked into the substance 1 having a relatively high dielectric constant and / or magnetic susceptibility. In FIG. 1, the dark part is a part with high electric flux density and / or magnetic flux density, and the light part is a part with low electric flux density and / or magnetic flux density. As shown in FIG. 1, when a substance having fluidity is placed in a field having a density difference in electric flux density and / or magnetic flux density, an electric force and / or magnetic force corresponding to the density difference is received. A substance having fluidity moves in a shape substantially along the density difference of the bundle density and / or the magnetic flux density.

(電気力線及び/又は磁力線の疎密差で流動性を有する物質をパターニングする方法)
図2は、ネガパターンの近傍に流動性を有する物質を静置したときの様子を模式的に示した図であり、流動性を有する物質の誘電率及び/又は磁化率が、空気の誘電率及び/又は磁化率よりも相対的に大きい場合(図2(a)参照)には、物質1上部の電束密度及び/又は磁束密度の高い部分5に引きつけられることにより、液面6に、物質1の領域で山になったうねりパターンが形成される。一方、流動性を有する物質誘電率及び/又は磁化率が、空気の誘電率及び/又は磁化率よりも相対的に小さい場合(図2(b)参照)には、流動性を有する物質は、物質1上部の電束密度及び/又は磁束密度の高い部分5から反発力を受けることにより、液面7に、物質1の領域で谷になったうねりパターンが形成される。
(Method of patterning a material having fluidity due to the difference in density between electric field lines and / or magnetic field lines)
FIG. 2 is a diagram schematically showing a state in which a substance having fluidity is left in the vicinity of the negative pattern, where the dielectric constant and / or magnetic susceptibility of the substance having fluidity is the dielectric constant of air. And / or when the magnetic susceptibility is relatively larger than the magnetic susceptibility (see FIG. 2 (a)), the liquid surface 6 is attracted to the portion 5 having a high electric flux density and / or magnetic flux density above the substance 1, In the region of the substance 1, a undulating pattern that forms a mountain is formed. On the other hand, when the material permittivity and / or magnetic susceptibility having fluidity is relatively smaller than the dielectric constant and / or magnetic susceptibility of air (see FIG. 2B), the material having fluidity is: By receiving a repulsive force from the portion 5 having a high electric flux density and / or high magnetic flux density above the substance 1, a undulation pattern having a valley in the area of the substance 1 is formed on the liquid surface 7.

以上のように、流動性を有する物体が空気よりも誘電率及び/又は磁化率が相対的に大きいか小さいかによって、概略逆転したパターンを形成することができる。   As described above, a substantially reversed pattern can be formed depending on whether an object having fluidity has a relatively higher dielectric constant and / or magnetic susceptibility than air.

また、流動性を有する物質が誘電率及び/又は磁化率が異なる3以上の粒子の混合物である場合、図22に示すように、ネガパターンを傾けて用いることで、重力と誘電率及び/又は磁化率とが釣り合う位置に3以上の粒子をパターニングすることができる。   Further, when the substance having fluidity is a mixture of three or more particles having different dielectric constants and / or magnetic susceptibility, as shown in FIG. 22, by using an inclined negative pattern, gravity and dielectric constant and / or Three or more particles can be patterned at positions where the magnetic susceptibility is balanced.

(高アスペクト比のパターンを形成する方法)
従来の誘電率及び/又は磁化率が異なる2以上の物質からなるネガパターンは、概略板状に形成されているため、流動性を有する物質が電気力及び/又は磁気力によって流動し、形成するパターンはネガパターンの表面上に形成される。また、電気力線及び/又は磁力線の疎密差は、ネガパターンから離れると緩和されるため、図3に示すように、ネガパターンのパターン幅8に対して、およそ1倍以上の距離9にパターンを形成することは困難である。
(Method of forming high aspect ratio pattern)
Since a conventional negative pattern made of two or more materials having different dielectric constants and / or magnetic susceptibility is formed in a substantially plate shape, a material having fluidity is formed by flowing by electric force and / or magnetic force. The pattern is formed on the surface of the negative pattern. Further, since the density difference between the electric lines of force and / or the lines of magnetic force is alleviated when they are separated from the negative pattern, as shown in FIG. 3, the pattern is formed at a distance 9 that is approximately 1 or more times the pattern width 8 of the negative pattern. Is difficult to form.

本発明に係るネガパターンでは、図4(a)に示すように、内部に空洞10を有し、かつ表面に対して開口部11を有しているため、図5(b)に示すように、流動性を有する物質を電気力及び/又は磁気力によって空洞内部に流動させ、空洞の形状に概略沿った形のパターン12を形成することができる。
例えば、細長い空洞を有するネガパターンを用いることで、従来の電場及び/又は磁場を用いた方法では作製できなかったアスペクト比の高いパターン12を形成することができる。なお、パターン12は、電気的及び/又は磁気的な反発力をネガパターンから受けるため、ネガパターンとパターン12は非接触であり、パターン12はネガパターンよりも小さいポジパターンになる。
As shown in FIG. 4A, the negative pattern according to the present invention has a cavity 10 inside and an opening 11 with respect to the surface. The material having fluidity can be caused to flow inside the cavity by an electric force and / or a magnetic force, thereby forming a pattern 12 having a shape substantially conforming to the shape of the cavity.
For example, by using a negative pattern having an elongated cavity, a pattern 12 having a high aspect ratio that cannot be produced by a conventional method using an electric field and / or a magnetic field can be formed. Since the pattern 12 receives electrical and / or magnetic repulsive force from the negative pattern, the negative pattern and the pattern 12 are not in contact with each other, and the pattern 12 is a positive pattern smaller than the negative pattern.

また、本発明に係るネガパターンでは、ネガパターンより小さいポジパターンが形成されることから、図5(a)に示すような逆テーパー形状のポジパターン12や、図5(b)に示すようなマッシュルーム形状のポジパターン12等の、従来の型では抜くことのできなかった形状を作製することもできる。   Further, in the negative pattern according to the present invention, since a positive pattern smaller than the negative pattern is formed, the reverse taper-shaped positive pattern 12 as shown in FIG. 5A or as shown in FIG. Shapes such as mushroom-shaped positive pattern 12 that could not be removed by conventional molds can also be produced.

以上のように、本発明においては、従来法では型抜きできなかった形状を一括形成することができる。   As described above, in the present invention, shapes that could not be punched by the conventional method can be collectively formed.

(ネガパターンに対する電場及び/又は磁場の印加方向を変えることによって異なる形状のパターンを形成する方法)
図1には、電気力線及び/又は磁力線とネガパターンとが概略直交する面に流動性のある物質が位置する例を示してあるが、図6には、電気力線及び/又は磁力線とネガパターンとが概略平行となる面に流動性のある物質が位置する例を示す。
(Method of forming patterns with different shapes by changing the direction of application of an electric field and / or magnetic field to a negative pattern)
FIG. 1 shows an example in which a fluid substance is located on a surface where electric lines of force and / or magnetic lines of force and a negative pattern are substantially orthogonal to each other, but FIG. 6 shows electric lines of force and / or magnetic lines of force. An example is shown in which a fluid substance is located on a surface that is substantially parallel to the negative pattern.

図6(a)に示すように、空気よりも相対的に誘電率及び/又は磁化率が小さい流動性を有する物質7は、電束密度及び/又は磁束密度が高い空洞10に入り込むことができない。一方、図6(b)に示すように、空気よりも相対的に誘電率及び/又は磁化率が大きい流動性を有する物質6は、空洞10に入り込むことができる。この場合、物質6は、ネガパターンから電気的及び/又は磁気的な反発力を受けないため、ネガパターンに付着する。   As shown in FIG. 6 (a), the substance 7 having fluidity having a dielectric constant and / or magnetic susceptibility relatively smaller than air cannot enter the cavity 10 having a high electric flux density and / or magnetic flux density. . On the other hand, as shown in FIG. 6B, the substance 6 having fluidity having a dielectric constant and / or a magnetic susceptibility relatively higher than that of air can enter the cavity 10. In this case, since the substance 6 does not receive an electric and / or magnetic repulsive force from the negative pattern, it adheres to the negative pattern.

以上のようなネガパターンを形成する誘電率及び/又は磁化率が異なる物質は、3以上用いることもでき、各々の物質の誘電率及び/又は磁化率の差とその形状に沿って、電気力線及び/又は磁力線が吸い込まれ、電気力線及び/又は磁力線の疎密差が形成される。   Three or more materials having different dielectric constants and / or magnetic susceptibility to form a negative pattern as described above can be used, and the electric force according to the difference in the dielectric constant and / or magnetic susceptibility of each material and its shape. Lines and / or magnetic field lines are sucked in, and a density difference between electric field lines and / or magnetic field lines is formed.

以上のような手法で電気力線及び/又は磁力線を集中させることによって、所望の電束密度及び/又は磁束密度分布を得ることができる。また、電場及び/又は磁場は任意の方向から印加することができ、電場及び/又は磁場を切り替えながらパターンの一部を逐次固化させたり、電場及び/又は磁場の印加方向や強度を時間変動させながらパターンを形成して、その一部又は全部を固化させることもできる。   A desired electric flux density and / or magnetic flux density distribution can be obtained by concentrating the electric lines of force and / or magnetic lines of force by the method as described above. In addition, an electric field and / or a magnetic field can be applied from any direction, and a part of the pattern is sequentially solidified while the electric field and / or the magnetic field is switched, or the application direction and intensity of the electric field and / or the magnetic field are changed over time. However, it is also possible to form a pattern and solidify part or all of it.

本発明においては、ポジパターンを形成する流動性を有する物質として、固化形成可能な任意の物質を利用可能であり、溶融状態の固体、粉体、液体、気体等の中から選択することができるし、2以上を組み合わせて用いることもできる。また、2以上を組み合わせる場合には、少なくとも1つを固化してパターンを得ることもできる。   In the present invention, any material that can be solidified can be used as the fluid material that forms a positive pattern, and can be selected from molten solids, powders, liquids, gases, and the like. Two or more can be used in combination. Moreover, when combining 2 or more, a pattern can also be obtained by solidifying at least one.

溶融状態の固体としては、ホットメルト型の樹脂や低融点金属等を利用することが可能で、低融点金属の場合、電子装置の導通接続用のはんだバンプ(金属突起)の形成に、好ましく応用することができる。   As the solid in the molten state, it is possible to use a hot-melt type resin, a low melting point metal, or the like. In the case of a low melting point metal, it is preferably applied to the formation of solder bumps (metal protrusions) for electrical connection of electronic devices. can do.

ポジパターンを形成する流動性を有する物質として、流動性を有する粉体を用いることも可能であり、粉体の摩擦抵抗によって固化したり、焼結して固化したり、粉体を固化可能な液体に分散させておき、粉体のみ、または粉体と液体とをパターニングした後、液体を固化することによりパターンを得ることもできる。   It is also possible to use a powder having fluidity as a material having fluidity to form a positive pattern, which can be solidified by frictional resistance of the powder, solidified by sintering, or solidified by powder. It is also possible to obtain a pattern by solidifying the liquid after patterning only the powder or the powder and the liquid after being dispersed in the liquid.

ポジパターンを形成する流動性を有する物質として、液体を用いることも可能であり、冷却して固化したり、液状のプレポリマーを用いたりすることが可能であり、中でも活性エネルギー線で固化するプレポリマーを用いる場合には、短時間に所望のパターンを得ることができる。この場合、短時間で固化できることから、磁場を印加し続ける時間を短縮でき、更に、特に加熱を必要としないため、非耐熱性材料への展開においても有利である。
また、活性エネルギー線の照射を遮蔽するマスクを用いることによって、所望の領域のみを固化させることもできる。
As a material having fluidity for forming a positive pattern, it is possible to use a liquid, which can be solidified by cooling or a liquid prepolymer, and in particular, a pre-solidified with active energy rays. When a polymer is used, a desired pattern can be obtained in a short time. In this case, since it can be solidified in a short time, the time during which the magnetic field is continuously applied can be shortened. Further, since heating is not particularly required, it is advantageous in the development to a non-heat resistant material.
Further, only a desired region can be solidified by using a mask that shields the irradiation of active energy rays.

ポジパターンを形成する流動性を有する物質として、気体を用いることも可能であり、冷却して固化したり、蒸着したりすることも可能である。   A gas can be used as the material having fluidity to form a positive pattern, and can be solidified by cooling or vapor deposition.

本発明のパターン形成方法のその他の実施形態として、流動性のある物質が2以上の流動性のある物質を含み、流動性のある物質に電場及び/又は磁場を印加して所望の形状のパターンを形成後、流動性のある物質の少なくとも1つを固化させることが考えられる。   As another embodiment of the pattern forming method of the present invention, the fluid substance includes two or more fluid substances, and an electric field and / or a magnetic field is applied to the fluid substance to form a pattern having a desired shape. It is conceivable to solidify at least one of the fluid substances after forming the film.

本実施形態においては、図7に示すように、誘電率及び/又は磁化率の異なる2以上の流動性のある物質を併用することによって、2以上の流動性のある物質の間に生じる電気的及び/又は磁気的な引力と斥力の相互作用の差が、流動性のある物質移動の駆動力として足し合わされる。   In the present embodiment, as shown in FIG. 7, by using two or more fluid substances having different dielectric constants and / or magnetic susceptibilities together, the electrical generated between the two or more fluid substances is generated. And / or the difference in the interaction between magnetic attraction and repulsion is added as the driving force for fluid mass transfer.

この場合、固化形成する流動性のある物質7との間の誘電率及び/又は磁化率の差が、空気の場合より大きい流動性のある物質11を、物質7と組み合わせることによって、空気中で実施するよりも、流動性のある物質の移動が増強される。流動性のある物質11として液体を用いる方法のほかに、誘電率及び/又は磁化率の相対的な差を大きくする方法として、高圧ガスを用いることも考えられる。この場合、空気よりもポジパターンを形成する流動性を有する物質との誘電率/及びまた磁化率の差が大きくなるガスを選ぶことによって、空気中で実施する場合よりも、流動性のある物質との間の誘電率及び/又は磁化率の差を大きくすることができる。
また、誘電率及び/又は磁化率が物質7とは異なる物質11が空洞10内に存在する態様の1つとしては、上記の液体、気体を用いる場合だけでなく、空洞10内が真空になっている(物質が存在しない)場合も含まれる。
In this case, by combining the substance 7 having a fluidity higher than that in the case of air with a difference in dielectric constant and / or magnetic susceptibility between the substance 7 and the fluidizing substance 7 to be solidified, Rather than doing, the flow of fluid material is enhanced. In addition to the method of using a liquid as the flowable substance 11, it is also conceivable to use a high-pressure gas as a method of increasing the relative difference in dielectric constant and / or magnetic susceptibility. In this case, by selecting a gas that has a larger difference in dielectric constant and / or magnetic susceptibility with a fluid material that forms a positive pattern than air, a material that is more fluid than in air The difference in dielectric constant and / or magnetic susceptibility can be increased.
In addition, as one of the modes in which the substance 11 having a dielectric constant and / or magnetic susceptibility different from that of the substance 7 exists in the cavity 10, not only the case of using the liquid or gas described above, but also the inside of the cavity 10 is evacuated. Is included (no substance is present).

上記の電場及び/又は磁場応答による流動性のある物質の移動の増強のほかに、流動性のある物質による浮力の効果も付加することができる。流動性のある物質間の比重差が小さいほど効果があり、流動性のある物質の移動をアシストすることができる。更に、パターンを形成する液体の上部に、物質の移動を増強する流動性を有する物質が位置する場合、パターンを形成する流動性のある物質と移動を増強する流動性のある物質の位置関係が逆転しない範囲内において、移動を増強する流動性のある物質の比重が大きいものを用いることが好ましい。   In addition to the enhancement of the movement of the fluid substance due to the electric field and / or magnetic field response, the effect of buoyancy by the fluid substance can also be added. The smaller the specific gravity difference between the fluid substances, the more effective, and the movement of the fluid substance can be assisted. Further, when a fluid substance that enhances the movement of the substance is located above the liquid that forms the pattern, there is a positional relationship between the fluid substance that forms the pattern and the fluid substance that enhances the movement. It is preferable to use a substance having a large specific gravity of a fluid substance that enhances movement within a range not reversing.

上記のような手法を用いることにより、誘電率及び/又は磁化率が小さい材料を永久磁石が発生する弱い磁場及び/又は通常の電源で発生できる弱い電場で移動させることができる。   By using the method as described above, a material having a low dielectric constant and / or magnetic susceptibility can be moved with a weak magnetic field generated by a permanent magnet and / or a weak electric field generated by a normal power source.

本発明のパターン形成方法のその他の実施形態として、図8に示すように、流動性のある物質が液体であり、かつパターンを形成するための土台となる基板と液体とが接している場合が考えられる。このとき、電気力及び/又は磁気力により液を集める部分の表面12と液体との間の接触角θaと、電気力及び/又は磁気力により液をはじく部分13の表面と液体との間の接触角θbとが、θa<θbの関係にあるとき、液の濡れ性によって、電場及び/又は磁場による液体の移動をアシストすることができる。   As another embodiment of the pattern forming method of the present invention, as shown in FIG. 8, there is a case where the fluid substance is a liquid and the substrate serving as a base for forming the pattern is in contact with the liquid. Conceivable. At this time, the contact angle θa between the surface 12 of the portion that collects the liquid by electric force and / or magnetic force and the liquid, and the surface between the surface of the portion 13 that repels the liquid by electric force and / or magnetic force and the liquid. When the contact angle θb is in a relationship of θa <θb, the movement of the liquid by an electric field and / or a magnetic field can be assisted by the wettability of the liquid.

更に、液体が2つの液体を含む場合において、第1の液体と電気力及び/又は磁気力により第1の液体を集める部分の基板表面との間の接触角をθc、第1の液体とそれ以外の部分の基板表面との間の接触角をθd、第2の液体と電気力及び/又は磁気力により第1の液体を集める部分の基板表面との間の接触角をθe、第2の液体とそれ以外の部分の基板表面との間の接触角をθfとするとき、θc、θd、θe、θfが、θc−θd<θe―θfのような関係にあるとき、第1の液体と第2の液体の電気力及び/又は磁気力による移動は、液の濡れ性によって有利に増強される。   Further, in the case where the liquid includes two liquids, the contact angle between the first liquid and the substrate surface of the portion that collects the first liquid by electric and / or magnetic force is θc, and the first liquid and The contact angle between the other portion of the substrate surface is θd, the contact angle between the second liquid and the portion of the substrate surface that collects the first liquid by electric and / or magnetic force is θe, When the contact angle between the liquid and the substrate surface of the other part is θf, when θc, θd, θe, θf are in a relationship of θc−θd <θe−θf, The movement of the second liquid by electric and / or magnetic forces is advantageously enhanced by the wettability of the liquid.

流動性のある物質が2つの液体を含む場合において、第1の液体を基板に塗布し、次いで、第2の液体を塗布する場合、第1の液体による層が基板の表面と接して界面張力により束縛されているときには、第1の液体による層と第2の液体による層とが基板面に対して反転しない範囲内において、第2の液体の比重は大きいほど好ましい。このような誘電率及び/又は磁化率χと比重ρとの関係については、液体移動の増強効果は、Δχ/Δρが大きいほど高い。この場合、第1の液と第2の液は概略不溶であるほうが好ましい。   When the flowable substance includes two liquids, when the first liquid is applied to the substrate and then the second liquid is applied, the layer of the first liquid is in contact with the surface of the substrate and the interfacial tension is applied. In the range in which the layer made of the first liquid and the layer made of the second liquid are not reversed with respect to the substrate surface, it is preferable that the specific gravity of the second liquid is larger. With regard to the relationship between the dielectric constant and / or magnetic susceptibility χ and the specific gravity ρ, the enhancement effect of liquid movement increases as Δχ / Δρ increases. In this case, it is preferable that the first liquid and the second liquid are substantially insoluble.

上記に例示した手法により、弱い電場及び/又は磁場を用いて流動性のある物質の移動を行うことができる。また、2以上の流動性のある物質を用いる場合、少なくとも1つの物質だけを固化してパターンを形成し、残りの流動性のある物質を取り除くこともできるし、すべての流動性のある物質を固化させてパターンを得ることもできる。固化後、本実施形態に示される手法で作製したパターンを基板より剥離して、パターンのみ得ることもできる。   By the method exemplified above, a fluid substance can be moved using a weak electric field and / or magnetic field. When two or more fluid substances are used, at least one substance can be solidified to form a pattern and the remaining fluid substances can be removed, or all fluid substances can be removed. It can be solidified to obtain a pattern. After solidification, the pattern produced by the method shown in this embodiment can be peeled from the substrate to obtain only the pattern.

本発明のパターン形成方法のその他の実施形態として、上記のパターン形成方法を繰り返すことによって、2以上の層を有するパターンを形成することが考えられる。本実施形態によれば、従来のような多くの工程を繰り返すことなく、複数の層を有するパターンを得ることができる。   As another embodiment of the pattern forming method of the present invention, it is conceivable to form a pattern having two or more layers by repeating the above pattern forming method. According to the present embodiment, a pattern having a plurality of layers can be obtained without repeating many conventional processes.

本発明のその他の実施形態として、上述のパターン形成方法を用いて、電子装置に所望のパターンを形成することが考えられる。
本実施形態によれば、上記のあらゆるパターン形成方法を用いることによって、電子製品上に所望のパターンを形成できる。形成するパターンとしては、任意のパターンが考えられるが、例えば、電子装置の製造方法においては、半導体を含む絶縁体を形成することも考えられるし、金属の電極や配線などの導電体や、めっき核をパターニングしそれを核にめっきすることで金属パターンを形成することも考えられる。
As another embodiment of the present invention, it is conceivable to form a desired pattern on an electronic device using the pattern forming method described above.
According to this embodiment, a desired pattern can be formed on an electronic product by using any of the above pattern forming methods. As a pattern to be formed, an arbitrary pattern is conceivable. For example, in an electronic device manufacturing method, an insulator including a semiconductor may be formed, a conductor such as a metal electrode or wiring, or plating. It is also conceivable to form a metal pattern by patterning a nucleus and plating it on the nucleus.

本発明のその他の実施形態として、上記のパターン形成方法を用いて、光学装置に所望のパターンを形成することが考えられる。
本実施形態によれば、上記のあらゆるパターン形成方法を用いることによって、光学装置上に所望のパターンを形成できる。形成するパターンとしては、任意のパターンが考えられるが、例えば、センサーの開口部や、導波路、拡散板、反射板などを形成することが考えられる。
As another embodiment of the present invention, it is conceivable to form a desired pattern on the optical device using the pattern forming method described above.
According to the present embodiment, a desired pattern can be formed on the optical device by using any of the above pattern forming methods. As the pattern to be formed, an arbitrary pattern is conceivable. For example, it is conceivable to form an opening of a sensor, a waveguide, a diffusion plate, a reflection plate, or the like.

また、上記のパターン形成方法を用いて、電子装置に所望のパターンを形成する電子装置の製造装置または製造システムや、上記のパターン形成方法を用いて、光学装置に所望のパターンを形成する光学装置の製造装置または製造システムを提供することもできる。この製造装置または製造システムでは、基板やネガパターンを配置するネガパターン配置部と、流動性ある物質を基板やネガパターンに供給する流動性物質供給手段と、ネガパターン配置部に配置された基板やネガパターンに所定の電場及び/又は磁場を印加する電場び/又は磁場印加手段と、必要に応じて、形成されたパターンを固化させるパターン固化手段とを備える。   Also, an apparatus or system for manufacturing an electronic device that forms a desired pattern on an electronic device using the pattern forming method described above, or an optical device that forms a desired pattern on an optical device using the pattern forming method described above. It is also possible to provide a manufacturing apparatus or a manufacturing system. In this manufacturing apparatus or manufacturing system, a negative pattern placement section for placing a substrate or a negative pattern, a fluid substance supply means for supplying a fluid substance to the substrate or the negative pattern, a substrate placed in the negative pattern placement section, An electric field / or magnetic field applying unit that applies a predetermined electric field and / or magnetic field to the negative pattern, and a pattern solidifying unit that solidifies the formed pattern as necessary.

(発明の効果)
上記の実施形態によれば、従来のフォトリソグラフィーやエッチングを用いたパターン形成方法に比べて、パターン形成のための煩雑な工程を必要とせずに、低いコストで短時間に、所望の形状のパターン形成することができる。また、上記の実施形態によれば、従来のフォトリソグラフィーやエッチングを用いたパターン形成方法のような廃液が生じないため、廃液処理の必要もなく、環境面においても有利である。
(The invention's effect)
According to the above-described embodiment, a pattern having a desired shape can be obtained at a low cost in a short time without requiring a complicated process for forming a pattern as compared with a conventional pattern formation method using photolithography or etching. Can be formed. In addition, according to the above-described embodiment, no waste liquid is generated unlike the conventional pattern forming method using photolithography or etching, so that there is no need for waste liquid treatment, which is advantageous in terms of environment.

また、上記の実施形態によれば、誘電率及び/又は磁化率の異なる流動性のある物質を用いることによって、1つの流動性のある物質を用いるよりも弱い磁場及び/又は電場を用いて、弱磁性体や弱誘電体の流動性のある物質から所望のパターンを得ることができるので、設備、製造コストを低減でき、安全性においても有利である。   In addition, according to the above-described embodiment, by using a fluid material having a different dielectric constant and / or magnetic susceptibility, a weaker magnetic field and / or electric field than using a single fluid material is used. Since a desired pattern can be obtained from a weak magnetic substance or a weak dielectric substance having fluidity, equipment and manufacturing costs can be reduced, which is advantageous in terms of safety.

また、上記の実施形態によれば、ネガパターンの内部に流動性を有する物質の少なくとも一部を進入させてパターンを形成するため、従来の流動性を有する物質を電場及び/又は磁場を用いてパターン形成する方法よりも、アスペクト比の高いパターンが形成できるため、作製できるパターンの幅が広がる。   In addition, according to the above-described embodiment, in order to form a pattern by allowing at least a part of a material having fluidity to enter the negative pattern, the conventional material having fluidity is used by using an electric field and / or a magnetic field. Since a pattern having a higher aspect ratio can be formed than the method of forming a pattern, the width of the pattern that can be manufactured is increased.

更に、上記のパターン形成方法を用いた電子装置または光学装置の製造方法によれば、上記と同様の効果が得られ、従来に比べて、コスト的、時間的メリットを有し、安全面や環境面においても有利である。   Furthermore, according to the method for manufacturing an electronic device or an optical device using the above pattern forming method, the same effects as described above can be obtained, and there are cost and time advantages as compared with the conventional method, as well as safety and environment. This is also advantageous in terms of the aspect.

具体的な実施形態の説明
次に、図面や表を用いながら、主に磁場を用いた場合を例にとって、本発明に係るパターン形成方法、このパターン形成方法を用いた電子装置または光学装置の製造方法、並びに、このパターン形成方法を用いた電子装置または光学装置の製造装置に関する具体的な実施形態の説明を行なう。なお、電場を用いたパターン形成法も同じように説明することができ、磁場を用いたパターン形成法における磁化率、磁力線、磁束密度、磁気力を、電場を用いたパターン形成方法における誘電率、電気力線、電束密度、電気力に置き換えることにより、同様に説明することができる。
また、パターン形成には磁場のみ、電場のみ、磁場及び電場の両方を適時組み合わせて用いることができる。すなわち、本発明は、電場及び/又は磁場を流動性のある物質に印加することによって、電気的及び/又は磁気的引力、斥力で流動性のある物質を所望の形状にし、次いで、この流動性のある物質を固化して所望の形状のパターンを得るパターン形成方法に関する。
Next, a pattern forming method according to the present invention, and an electronic device or an optical device using the pattern forming method will be described with reference to the drawings and tables. Specific embodiments relating to a method and an apparatus for manufacturing an electronic device or an optical device using the pattern forming method will be described. The pattern formation method using an electric field can be described in the same way, and the magnetic susceptibility, magnetic field lines, magnetic flux density, and magnetic force in the pattern formation method using a magnetic field are expressed by the dielectric constant in the pattern formation method using an electric field, The same explanation can be made by substituting with electric field lines, electric flux density, and electric force.
For pattern formation, only a magnetic field, only an electric field, or a combination of both a magnetic field and an electric field can be used in a timely manner. That is, the present invention applies an electric and / or magnetic field to a flowable substance to form the flowable substance in a desired shape by electrical and / or magnetic attraction and repulsion, and then this flowability. The present invention relates to a pattern forming method for solidifying a certain substance to obtain a pattern having a desired shape.

ここで、本発明で言う磁場(磁界)H(単位はAT/m=アンペア-ターン/メートル)とは、電荷が動くことによって生じる渦状の場を意味し、電荷の動きに力を及ぼす。磁場の強さは磁束密度B(単位はT=テスラ)で表され、磁界と垂直な面積S(m)を貫く磁束線の数φ(単位はWb=ウェーバー)を面積で割ったものである。
式1 B=φ/S (Wb/m=T)
Here, the magnetic field (magnetic field) H (unit: AT / m = ampere-turns / meter) referred to in the present invention means a vortex field generated by the movement of charges, and exerts a force on the movement of charges. The strength of the magnetic field is expressed by magnetic flux density B (unit: T = Tesla), which is obtained by dividing the number of magnetic flux lines φ (unit: Wb = Weber) penetrating the area S (m 2 ) perpendicular to the magnetic field by the area. is there.
Formula 1 B = φ / S (Wb / m 2 = T)

代表的な磁場の発生源と、その磁束密度を図9の表に示す。このような磁場は、電磁石のように電流を流すことで発生させたり、永久磁石のように物質が持つ電子スピンの磁気モーメントの方向を揃えることで発生させたりすることができる。また、磁束密度Bと磁場Hの関係は、真空中では以下の関係式が成り立つ。
式2 B=μ
The table of FIG. 9 shows typical magnetic field sources and their magnetic flux densities. Such a magnetic field can be generated by passing an electric current as in an electromagnet, or can be generated by aligning the direction of the magnetic moment of an electron spin of a substance as in a permanent magnet. The relationship between the magnetic flux density B and the magnetic field H is as follows in a vacuum.
Formula 2 B = μ 0 H

ここで、μは真空の透磁率で、有理単位で4π×10−7(ヘンリー/メートル=H/m)、非有理単位で1(無名数)であり、磁束密度Bと磁場強度Hとを結びつける係数である。また、磁場中に物質を置いた際の磁束密度Bと磁場の強さHとの比μをμで割ったものを透磁率K(ヘンリー/メートル=H/m)という。
式3 K=μ/μ
Here, μ 0 is the magnetic permeability of vacuum, which is 4π × 10 −7 (Henry / meter = H / m) in rational units, 1 (anonymous number) in non-rational units, magnetic flux density B and magnetic field strength H Is a coefficient that connects Further, the magnetic permeability K (Henry / meter = H / m) is obtained by dividing the ratio μ between the magnetic flux density B and the magnetic field strength H when a substance is placed in a magnetic field by μ 0 .
Formula 3 K = μ / μ 0

磁場による物質の相互作用の強さは磁化率χで示され、その絶対値が大きい方がより強く物質に磁場が誘起され、誘起した磁場と強い磁気的相互作用を起こす。そして、上記の透磁率Kとは非有理単位で以下の関係式が成り立つ。
式4 K=1+χ
The strength of the interaction of the material by the magnetic field is indicated by the magnetic susceptibility χ, and the larger the absolute value, the stronger the magnetic field is induced in the material, causing a strong magnetic interaction with the induced magnetic field. The above magnetic permeability K is a non-rational unit and the following relational expression holds.
Equation 4 K = 1 + χ

以下の説明においては、特に断りが無い限り、磁化率χは非有理単位で示す。   In the following explanation, unless otherwise specified, the magnetic susceptibility χ is shown in a non-rational unit.

次に、代表的な物質の非有理単位での磁化率χ(cgs・emu)を図10から図13の表に示す。図10の表は単体の磁化率を示し、図11の表は有機化合物のグラム磁化率を示し、図12の表は常磁性遷移元素のモル磁化率を示し、図13の表は強磁性体のモル磁化率を示す。   Next, the magnetic susceptibility χ (cgs · emu) in a non-rational unit of a typical substance is shown in the tables of FIGS. The table of FIG. 10 shows the susceptibility of a single substance, the table of FIG. 11 shows the gram susceptibility of an organic compound, the table of FIG. 12 shows the molar susceptibility of a paramagnetic transition element, and the table of FIG. The molar magnetic susceptibility of is shown.

上記のように、磁場と物質との相互作用は、磁場の強さ及び磁化率χの絶対値で決まり、磁場が強く磁化率χの絶対値が大きい方(つまり、強い磁場と磁化率χの絶対値が大きい物質の組み合わせ)がパターン形成に有利である。具体的には、例えば、一般的に入手できる永久磁石(0.5T程度)は、磁化率χの大きいFeやNi、Coを引き付けるが、磁化率χが小さいガラスやアルミ、紙やプラスティック、水を引き付けない。   As described above, the interaction between the magnetic field and the substance is determined by the strength of the magnetic field and the absolute value of the magnetic susceptibility χ, and the magnetic field is strong and the absolute value of the magnetic susceptibility χ is large (that is, the strong magnetic field and the magnetic susceptibility χ A combination of substances having a large absolute value is advantageous for pattern formation. Specifically, for example, a generally available permanent magnet (about 0.5 T) attracts Fe, Ni, and Co having a high magnetic susceptibility χ, but glass, aluminum, paper, plastic, water, etc. having a low magnetic susceptibility χ. Does not attract.

このような差は、FeやNi、Coのような磁化率χが大きい材料(強磁性体)は磁場によって強く磁化され、強く引き付けられるが、ガラスやアルミ、紙やプラスティック水は磁化率χが非常に小さいため、物質移動が行えるほど磁場と強い相互作用を起こさないことから説明できる。   This difference is due to the fact that materials with high magnetic susceptibility χ such as Fe, Ni, and Co (ferromagnets) are strongly magnetized and attracted strongly by magnetic fields, but glass, aluminum, paper, and plastic water have magnetic susceptibility χ. Since it is very small, it can be explained by the fact that it does not cause a strong interaction with the magnetic field to allow mass transfer.

一方、このような磁化率χが小さい物質(弱磁性体)に対しても、強磁場を用いれば物質移動を起こさせることが可能で、具体的には、磁束密度は2T(テスラ)以上であることが好ましく、更に好ましくは10T以上である。その効果は、磁場の強さの2乗に比例するため、より強力な磁場を用いることによって、強磁性体以外の物質に対する本発明の適応範囲が広がる。   On the other hand, even a substance having a low magnetic susceptibility χ (weak magnetic substance) can cause mass transfer by using a strong magnetic field. Specifically, the magnetic flux density is 2T (Tesla) or more. It is preferable that it is 10T or more. Since the effect is proportional to the square of the strength of the magnetic field, the scope of application of the present invention to substances other than ferromagnetic materials is expanded by using a stronger magnetic field.

また、図10から図13の表に、磁化率χ>0となる物質と、磁化率χ<0となる物質を例示したが、前者は常磁性体、後者は反磁性体と呼ばれている。磁化率χが負の値を示す反磁性体は、磁場により同じ極の磁化が誘起され、磁力線から遠ざかる方向に力が働く。ちょうど、磁石のN極とN極、S極とS極同士が反発するのと同じである。逆に、磁化率χが正の値を示す常磁性体は、磁場により逆の磁化が誘起され、磁力線に引き付けられる方向に力が働く。ちょうど、磁石のN極とS極が引き付け合うのと同じである。   10 to 13 exemplify materials having magnetic susceptibility χ> 0 and materials having magnetic susceptibility χ <0. The former is called a paramagnetic material and the latter is called a diamagnetic material. . In a diamagnetic material having a negative magnetic susceptibility χ, magnetization of the same pole is induced by a magnetic field, and a force acts in a direction away from the magnetic field lines. It is exactly the same as the repulsion between the north and north poles of the magnet and between the south and south poles. On the other hand, in a paramagnetic material in which the magnetic susceptibility χ has a positive value, reverse magnetization is induced by the magnetic field, and a force acts in a direction attracted to the magnetic field lines. Just like the N and S poles of the magnet attract each other.

流動性のある物質に対して印加する磁場は、あらゆる磁場源を利用して印加することが可能であり、磁場強度を変化させたり、磁場を移動させたり回転させたり、直流磁場を用いたり、交流磁場を用いたりすることもできる。   The magnetic field applied to a fluid substance can be applied using any magnetic field source, changing the magnetic field strength, moving or rotating the magnetic field, using a DC magnetic field, An alternating magnetic field can also be used.

<磁化率の異なる2つの液体を用いる場合>
次に、磁化率の異なる2つの流動性のある物質に磁場を印加する場合を考える。概略互いに混ざり合わない第1の流動性のある物質と第2の流動性のある物質とにおいて、もし、第1の流動性のある物質の磁化率χ1と第2の流動性のある物質の磁化率χ2とが、χ1>χ2の関係にある場合には、第1の流動性のある物質と第2の流動性のある物質とが2層になった系に磁場を印加すると、第1の流動性のある物質は磁場に引き寄せられ、第2の流動性のある物質は磁場からはじかれる。
<When using two liquids with different magnetic susceptibility>
Next, consider a case where a magnetic field is applied to two fluid substances having different magnetic susceptibility. In the first fluid substance and the second fluid substance that are not substantially mixed with each other, if the magnetic susceptibility χ1 of the first fluid substance and the magnetization of the second fluid substance When the ratio χ2 is in the relationship of χ1> χ2, when a magnetic field is applied to a system in which the first fluid substance and the second fluid substance are in two layers, The fluid material is attracted to the magnetic field, and the second fluid material is repelled from the magnetic field.

更に詳細に説明すると、第1の流動性のある物質及び第2の流動性のある物質のどちらが磁場へ集まるかという点に関しては、磁化率の相対的な差で定まる。上記の説明において、ただ一つの流動性のある物質を用いる場合には、磁化率χ>0となる流動性のある物質が磁場に引き寄せられると記載したが、第2の流動性のある物質が存在する場合には、χが大きいほうの流動性のある物質が相対的に引き寄せられる。仮に、第1の流動性のある物質の磁化率χ1が負の値であっても、第2の流動性のある物質の磁化率χ2がχ1より小さい場合は、第1の流動性のある物質が磁場へ集まる。つまり、第2の流動性のある物質が第1の流動性のある物質よりも強く磁場にはじかれることによって、第1の流動性のある物質が磁場へ集まるようになる。また、後述するように、磁力線を集中させる場合には、同様に、第1の流動性のある物質が磁束密度の高い部分に集まることになる。   More specifically, as to which of the first fluid substance and the second fluid substance is collected in the magnetic field, it is determined by a relative difference in magnetic susceptibility. In the above description, when only one fluid substance is used, it is described that the fluid substance having the magnetic susceptibility χ> 0 is attracted to the magnetic field. However, the second fluid substance is When present, the fluid material having the larger chi is relatively attracted. Even if the magnetic susceptibility χ1 of the first fluid substance is a negative value, if the magnetic susceptibility χ2 of the second fluid substance is smaller than χ1, the first fluid substance Gather in the magnetic field. That is, when the second fluid substance is repelled by the magnetic field more strongly than the first fluid substance, the first fluid substance gathers in the magnetic field. As will be described later, when the lines of magnetic force are concentrated, similarly, the first fluid substance is collected in a portion having a high magnetic flux density.

<磁場を集中させる方法>
磁場を所定の位置に集中させる方法としては、所定の形状に加工した磁石を所定の位置に設置して磁場を印加する方法や、磁力線がより磁化率χの大きい物質に集中することを利用することができる。前者の場合、永久磁石の微細加工が難しいこと、磁石の体積が小さくなると、磁場が弱くなること等が欠点として挙げられ、微細な領域に磁力線を絞るのは難しい。一方、電磁石についても、所望の磁束密度分布を微細化するには電磁石も小さくする必要があり、自ずと限界が生じる。
<Method of concentrating magnetic field>
As a method of concentrating the magnetic field at a predetermined position, a method of applying a magnetic field by placing a magnet processed into a predetermined shape at a predetermined position, or a method of concentrating magnetic lines of force on a substance having a higher magnetic susceptibility χ is used. be able to. In the former case, it is difficult to finely process the permanent magnet, and when the volume of the magnet is reduced, the magnetic field is weakened. Thus, it is difficult to narrow the magnetic field lines in a fine region. On the other hand, the electromagnet also needs to be made smaller in order to make the desired magnetic flux density distribution finer, and thus a limit naturally arises.

ここでは、磁場を更に微細な領域に選択的に集中させる方法を考える。つまり、相対的に磁化率χが大きい物質に対して、磁場を印加することによって、磁化率χが大きい物質に磁力線が集中することを応用する。   Here, a method of selectively concentrating the magnetic field in a finer region is considered. That is, it is applied that magnetic field lines are concentrated on a material having a high magnetic susceptibility χ by applying a magnetic field to the material having a relatively high magnetic susceptibility χ.

磁化率が異なる2以上の物質からなるネガパターンに磁場を印加することにより、ネガパターン近傍に磁力線の疎密差を形成することができる。磁力線の疎密差に沿って、流動性のある物質を磁気力によって移動させ、次いで、流動性のある物質を固化させることによって所望の形状のポジパターン(固形物)を形成することができる。このとき、流動性を有する物質の少なくとも一部分がネガパターンの内部に侵入することにより、スペクトラム比の高いパターンを形成することができる。   By applying a magnetic field to a negative pattern made of two or more substances having different magnetic susceptibility, it is possible to form a magnetic field line density difference in the vicinity of the negative pattern. A positive pattern (solid matter) having a desired shape can be formed by moving a fluid substance by a magnetic force along a density difference of magnetic field lines and then solidifying the fluid substance. At this time, a pattern having a high spectrum ratio can be formed by at least a part of the substance having fluidity entering the negative pattern.

磁力線の疎密差は、磁化率が異なる2以上の物質からなるネガパターンを用いて発生させることが可能で、磁化率が相対的に大きい物質に磁力線が吸い込まれる現象を利用した方法である。   The density difference between the magnetic lines of force can be generated using a negative pattern made of two or more substances having different magnetic susceptibility, and is a method using a phenomenon in which magnetic lines of force are absorbed into a substance having a relatively large magnetic susceptibility.

この、ネガパターンの近傍に流動性を有する物質を静置すると、空気よりも相対的に磁化率が大きい物質は、ネガパターンの磁化率の大きい物質上部の磁束密度の高い部分に引きつけられ、これによりパターンが形成され、逆に、空気よりも相対的に磁化率が小さい物質は、磁化率が低い物質上部の磁束密度の高い部分から反発力を受け、これによりパターンが形成される。   When a material having fluidity is left in the vicinity of the negative pattern, the material having a relatively high magnetic susceptibility than air is attracted to the high magnetic flux density portion above the material having a large negative magnetic susceptibility. On the other hand, a substance having a relatively low magnetic susceptibility than air receives a repulsive force from a portion having a high magnetic flux density above the substance having a low magnetic susceptibility, thereby forming a pattern.

従来の磁化率が異なる2以上の物質からなるネガパターンは、概略板状に形成されているため、流動性を有する物質が磁気力によって流動し形成するパターンは、ネガパターンの表面上に形成される。また、磁力線の疎密差は、ネガパターンから離れると緩和されるため、ネガパターンのパターン幅に対して、およそ1倍以上の距離にパターンを形成することは困難である。   Since the conventional negative pattern composed of two or more substances having different magnetic susceptibility is formed in a substantially plate shape, the pattern formed by the flowable substance flowing by magnetic force is formed on the surface of the negative pattern. The In addition, the density difference of the magnetic lines of force is alleviated when the pattern is separated from the negative pattern. Therefore, it is difficult to form a pattern at a distance of about 1 times or more the pattern width of the negative pattern.

本発明に係るネガパターンは内部に空洞を有し、かつ表面に対して開口部を有しているため、流動性を有する物質を、磁気力によってこの空洞内部に流動させ、空洞の形状に概略沿った形のパターンを形成することができる。例えば、細長い空洞を有するネガパターンを用いることにより、従来の磁場を用いた方法では作製できなかったアスペクト比の高いパターンを形成することができる。パターンは磁気的な反発力をネガパターンから受けるため、ネガパターンとパターンは非接触であり、パターンはネガパターンよりも小さいポジパターンになる。   Since the negative pattern according to the present invention has a cavity inside and an opening with respect to the surface, a material having fluidity is caused to flow inside the cavity by a magnetic force, and is roughly shaped into a cavity. A conformal pattern can be formed. For example, by using a negative pattern having an elongated cavity, it is possible to form a pattern with a high aspect ratio that cannot be produced by a conventional method using a magnetic field. Since the pattern receives a magnetic repulsive force from the negative pattern, the negative pattern and the pattern are non-contact, and the pattern becomes a positive pattern smaller than the negative pattern.

ネガパターンより小さいポジパターンが形成されることから、逆テーパー形状やマッシュルーム形状など、従来の型では抜くことのできなかった形状を作製することもできる。   Since a positive pattern smaller than the negative pattern is formed, it is also possible to produce a shape that could not be removed with a conventional mold, such as a reverse taper shape or a mushroom shape.

ネガパターンを形成する磁化率が異なる物質は、3以上用いることもでき、各々の物質の磁化率の差とその形状に沿って、磁力線が吸い込まれ磁力線の疎密差が形成される。   Three or more substances with different magnetic susceptibility forming a negative pattern can be used. The magnetic field lines are sucked along the difference in magnetic susceptibility and the shape of each substance, and a density difference of the magnetic field lines is formed.

以上のような手法で磁力線を集中させることによって、所望の磁束密度分布を得ることができる。   A desired magnetic flux density distribution can be obtained by concentrating the magnetic lines of force by the method as described above.

こうして少なくとも1以上の流動性のある物質を移動させて所望の形状が得られた後、これらの流動性のある物質のうち少なくとも1以上を熱、光、湿気硬化、エネルギー線の照射など任意の手段で固めて、所望のパターンを得ることができる。この場合、2以上の流動性のある物質を用いる場合には、流動性のある物質の少なくとも1つを固めてパターンを得ることもできるし、2以上の流動性のある物質を固めて、パターンを得ることもできる。更に、このパターンの上に固化可能な流動性のある物質を載せて、電場及び/又は磁場を印加して形状を作り、次いで固化させることによって、パターンを積層させることもできる。こうして得られたパターンを、磁力線を集中させるために用いた基板表面から取り外して、パターン単体として利用することもできる。   After the desired shape is obtained by moving at least one or more fluid substances in this manner, at least one or more of these fluid substances is arbitrarily heated, irradiated with light, moisture cured, or irradiated with energy rays. By hardening by means, a desired pattern can be obtained. In this case, when two or more fluid substances are used, the pattern can be obtained by solidifying at least one of the fluid substances, or the pattern can be obtained by solidifying two or more fluid substances. You can also get Furthermore, a pattern can be laminated | stacked by mounting the fluid substance which can be solidified on this pattern, applying an electric field and / or a magnetic field, making a shape, and making it solidify then. The pattern thus obtained can be removed from the surface of the substrate used for concentrating the lines of magnetic force and used as a single pattern.

<濡れに付いて>
流動性のある物質が液体であり、かつパターンを形成するための基板とこの液が接している場合において、電場及び/又は磁場応答により液体を集めてパターンを形成する位置の表面を濡れやすく改質することが考えられる。ここでいう改質とは、電場及び/又は磁場応答により液体を集めてパターンを形成する表面を濡れやすくすること、パターンを形成しない表面を濡れにくくすること、またはその両方を併用することを言う。また、界面自由エネルギーに関して言えば、改質とは、電場及び/又は磁場応答により液体を集めてパターンを形成する部分と液体との間の界面自由エネルギーが、電場及び/又は磁場応答により液体をはじく部分と液体との間の界面自由エネルギーよりも大きくすることを言う。基板表面の改質方法としては、例えば、濡れやすい材質を選ぶ、任意の部分が濡れ易くなるようにプラズマ処理を行う、シランカップリング剤で任意の部分の表面をコーティングする等の手法を実施することができる。
<With wetness>
When the fluid material is a liquid and the liquid is in contact with a substrate for forming a pattern, the surface of the position where the pattern is formed by collecting the liquid by an electric and / or magnetic field response is easily modified. It can be thought of as quality. The term “modification” as used herein means that a liquid is collected by an electric and / or magnetic field response to make a surface on which a pattern is formed easily wetted, a surface on which a pattern is not formed is made difficult to wet, or a combination of both. . In terms of the interfacial free energy, the modification means that the interfacial free energy between the portion where the liquid is collected by the electric field and / or magnetic field response to form the pattern and the liquid is changed by the electric field and / or the magnetic field response. It means making it larger than the interface free energy between the repelling part and the liquid. As a substrate surface modification method, for example, a material that easily wets is selected, a plasma treatment is performed so that an arbitrary part is easily wetted, or a surface of an arbitrary part is coated with a silane coupling agent. be able to.

例えば、液体と電気力及び/又は磁気力により液を集める部分の表面との間の接触角θaと、液体とその他の部分の表面との間の接触角θbとが、θa<θbの関係にあるとき、液の濡れ性によって、電場及び/又は磁場による液体の移動が増強される。 For example, the contact angle θa between the liquid and the surface of the part that collects the liquid by electric force and / or magnetic force and the contact angle θb between the liquid and the surface of the other part have a relationship of θa <θb. At some point, the wettability of the liquid enhances the movement of the liquid by an electric and / or magnetic field.

更に、液体が2つの液体を含む場合において、第1の液体と電気力及び/又は磁気力により第1の液体を集める部分の基板表面との間の接触角をθc、第1の液体とそれ以外の部分の基板表面との間の接触角をθd、第2の液体と電気力及び/又は磁気力により第1の液体を集める部分の基板表面との間の接触角をθe、第2の液体とそれ以外の部分の基板表面との間の接触角をθfとするとき、θc、θd、θe、θfが、θc−θd<θe―θfのような関係にあるとき、第1の液体と第2の液体の電気力及び/又は磁気力による移動は、濡れ性の差によって増強される。   Further, in the case where the liquid includes two liquids, the contact angle between the first liquid and the substrate surface of the portion that collects the first liquid by electric and / or magnetic force is θc, and the first liquid and The contact angle between the other portion of the substrate surface is θd, the contact angle between the second liquid and the portion of the substrate surface that collects the first liquid by electric and / or magnetic force is θe, When the contact angle between the liquid and the substrate surface of the other part is θf, when θc, θd, θe, θf are in a relationship of θc−θd <θe−θf, The movement of the second liquid due to electric and / or magnetic force is enhanced by the difference in wettability.

ここで、本発明に用いることができる液体の少なくとも1つに、界面張力及び濡れを調節するために、各種界面活性剤を配合することができる。このような界面活性剤としては、アニオン界面活性剤として、石ケン、ラウリル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテルリン酸、N−アシルアミノ酸塩、α−オレフィンスルホン酸塩、アルキル硫酸エステル塩、アルキルフェニルエーテル硫酸エステル塩、メチルタウリン酸塩等が挙げられ、両性界面活性剤としては、塩酸アルキルジアミノエチルグリシン、2−アルキル−N−カルボキシメチル−N−ヒドロキシエチルイミダゾリニウムベタイン、ラウリルジメチルアミノ酢酸ベタイン、ヤシ油脂肪酸アミドプロピルベタイン、脂肪酸アルキルベタイン、スルホベタイン、アミオキサイド等が挙げられ、非イオン(ノニオン)型界面活性剤としては、ポリエチレングリコールのアルキルエステル型化合物、トリエチレングリコールモノブチルエーテルなどのアルキルエーテル型化合物、ポリオキシソルビタンエステルなどのエステル型化合物、アルキルフェノール型化合物、フッ素型化合物、シリコーン型化合物等が挙げられる。これらの化合物は、1種類、または2種類以上を適宜組み合わせて使用することができる。   Here, in order to adjust interfacial tension and wetting, at least one of the liquids that can be used in the present invention, various surfactants can be blended. Examples of such surfactants include soaps, lauryl sulfate, polyoxyethylene alkyl ether sulfate, alkyl benzene sulfonate, polyoxyethylene alkyl ether phosphate, polyoxyethylene alkyl phenyl ether phosphate. Acid, N-acyl amino acid salt, α-olefin sulfonate, alkyl sulfate ester salt, alkyl phenyl ether sulfate ester salt, methyl taurate, and the like. Examples of amphoteric surfactants include alkyl diaminoethyl glycine hydrochloride, 2 -Alkyl-N-carboxymethyl-N-hydroxyethylimidazolinium betaine, lauryldimethylaminoacetic acid betaine, coconut oil fatty acid amidopropyl betaine, fatty acid alkyl betaine, sulfobetaine, amidoxide, etc. Nonionic (nonionic) surfactants include polyethylene glycol alkyl ester compounds, alkyl ether compounds such as triethylene glycol monobutyl ether, ester compounds such as polyoxysorbitan esters, alkylphenol compounds, fluorine compounds Examples thereof include silicone compounds and silicone type compounds. These compounds can be used alone or in combination of two or more.

<流動性のある物質について>
電場及び/又は磁場を用いたパターン形成で用いる流動性のある物質として、電場及び/又は磁場応答で所望の形状に流動性のある物質を動かした後、固化できる物質であればあらゆるものを用いることができる。
<About fluid substances>
As a fluid substance used in pattern formation using an electric field and / or a magnetic field, any substance can be used as long as it can solidify after moving the fluid substance into a desired shape by an electric field and / or magnetic field response. be able to.

特に、流動性のある物質が液体である場合が好ましく、液体の粘度が低いほど電場及び/又は磁場による移動をスムーズに行えるため、更に好ましい。これ以外にも、流動性がある粉体や、気体に対しても適応可能であり、物質の形態にはとらわれない。   In particular, the fluid substance is preferably a liquid, and the lower the viscosity of the liquid is, the more preferable it is because the movement by an electric field and / or a magnetic field can be performed smoothly. In addition to this, it can be applied to fluid powder and gas, and is not restricted by the form of the substance.

この流動性のある物質として、硬化性の有機成分及び無機成分を適宜用いることができる。これらのうち、有機成分としては、各種エポキシ化合物、シロキサン化合物等のほか、硬化性のモノマーやオリゴマーなどのプレポリマーを使用することができ、これらをポリマーの状態で融解させたり、溶媒に溶解させて使用したり、流動性のある微粉末を使用したりすることもできる。これらのうち、熱可塑性樹脂としては、酢酸ビニル、ビニルアルコール、ビニルブチラール、塩化ビニル、メタクリレート、アクリル酸、メタクリル酸、スチレン、エチレン、アミド、セルロース、イソブチレン、ビニルエーテル等からなるプレポリマーやポリマーを挙げることができる。また、熱硬化性樹脂としては、尿素、メラミン、フェノール、レゾルシノール、エポキシ、エピスルフィド、イソシアネート、イミド等からなるプレポリマーやポリマーを挙げることができる。これらの化合物は、1種類、または2種類以上を適宜組み合わせて使用することができる。   As this fluid substance, a curable organic component and an inorganic component can be used as appropriate. Among these, as the organic component, in addition to various epoxy compounds, siloxane compounds, etc., prepolymers such as curable monomers and oligomers can be used, and these can be melted in a polymer state or dissolved in a solvent. Or a fine powder with fluidity can be used. Of these, thermoplastic resins include prepolymers and polymers made of vinyl acetate, vinyl alcohol, vinyl butyral, vinyl chloride, methacrylate, acrylic acid, methacrylic acid, styrene, ethylene, amide, cellulose, isobutylene, vinyl ether, and the like. be able to. Examples of the thermosetting resin include prepolymers and polymers made of urea, melamine, phenol, resorcinol, epoxy, episulfide, isocyanate, imide and the like. These compounds can be used alone or in combination of two or more.

このような硬化性のプレポリマーを流動性のある物質に配合する際には、プレポリマーを硬化させるための硬化剤、重合開始剤を必要に応じて配合することもできる。これらの硬化剤、重合開始剤の種類は、配合するプレポリマーの種類に応じて適宜選択することができる。このような硬化剤、重合開始剤としてエネルギー線により反応を開始する化合物を好ましく用いることができる。例えば、アクリルモノマー・オリゴマーの光ラジカル重合型樹脂、ポリエン-チオール硬化系の光マイケル付加型樹脂、エポキシ、及びオキセタン及びビニルエーテルモノマー・オリゴマーの光カチオン重合型樹脂が例示できる。また、これら配合には各種公知の光反応増感剤を使用することもできる。   When blending such a curable prepolymer into a fluid substance, a curing agent or a polymerization initiator for curing the prepolymer can be blended as necessary. The kind of these hardening | curing agents and a polymerization initiator can be suitably selected according to the kind of prepolymer to mix | blend. As such a curing agent and polymerization initiator, a compound that initiates a reaction by energy rays can be preferably used. For example, photo radical polymerization type resin of acrylic monomer / oligomer, photo Michael addition type resin of polyene-thiol curing system, epoxy, and photo cationic polymerization type resin of oxetane and vinyl ether monomer / oligomer can be exemplified. Moreover, various well-known photoreaction sensitizers can also be used for these formulations.

活性エネルギー線としては、紫外線、電子線などが挙げられるが、特にこれらに制限されるものではない。また、活性エネルギー線を照射する際、その雰囲気に限定されるものではなく、大気、窒素やアルゴンなどの不活性ガス、真空中など様々な雰囲気下、温度環境下で照射することができる。   Examples of the active energy ray include ultraviolet rays and electron beams, but are not particularly limited thereto. Moreover, when irradiating an active energy ray, it is not limited to the atmosphere, It can irradiate in various atmospheres, such as air | atmosphere, inert gas, such as nitrogen and argon, and a vacuum, and temperature environment.

また、パターン形成するために使用できる無機成分としては、各種金属アルコキシド、各種金属塩化物、水ガラス、コロイダルシリカ、各種ケイ素酸化物、ケイ素窒化物、ケイ素フッ化物、金属酸化物、金属窒化物、金属ケイ化物、金属ホスフェートの溶液を使用したり、流動性のある微粉末を使用したりすることができる。   Examples of inorganic components that can be used for pattern formation include various metal alkoxides, various metal chlorides, water glass, colloidal silica, various silicon oxides, silicon nitrides, silicon fluorides, metal oxides, metal nitrides, A metal silicide or a metal phosphate solution can be used, or a fine powder having fluidity can be used.

このような無機成分を含む流動性のある物質は、ゾルゲル反応や高温焼付けなどを用いることで無機のパターンにすることができるが、この場合は、ゾルゲル反応の触媒も流動性のある物質に配合することができる。   A fluid substance containing such an inorganic component can be formed into an inorganic pattern by using a sol-gel reaction or high-temperature baking. In this case, a sol-gel reaction catalyst is also incorporated into the fluid substance. can do.

上記ゾルゲル反応の触媒としては、無機成分を加水分解し重縮合させる、塩酸のような酸;水酸化ナトリウムのようなアルカリ、アミン、あるいはジブチルスズジアセテ−ト、ジブチルスズジオクテ−ト、ジブチルスズジラウレート、ジブチルスズジマレート、ジオクチルスズジラウレート、ジオクチルスズジマレート、オクチル酸スズなどの有機スズ化合物;イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリス(ジオクチルパイロホスフェート)チタネート、ビス(ジオクチルパイロホスフェート)オキシアセテートチタネート、テトラアルキルチタネートなどの有機チタネート化合物;テトラブチルジルコネート、テトラキス(アセチルアセトナート)ジルコニウム、テトライソブチルジルコネート、ブトキシトリス(アセチルアセトナート)ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウムなどの有機ジルコニウム化合物;トリス(エチルアセトアセテート)アルミニウム、トリス(アセチルアセトナート)アルミニウムなどの有機アルミニウム化合物;ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸コバルトなどの有機金属触媒等を挙げることができる。これらの中でも、市販品としてジブチルスズ化合物(三共有機化学(株)製SCAT−24)を具体的に挙げることができる。これらの化合物は、1種類、または2種類以上を適宜組み合わせて使用することができる。これらの有機成分及び無機成分は、必要に応じて単体でも、有機・無機の組み合わせでも適宜組み合わせて使用することができる。   As the catalyst for the sol-gel reaction, an inorganic component is hydrolyzed and polycondensed, an acid such as hydrochloric acid; an alkali such as sodium hydroxide, an amine, or dibutyltin diacetate, dibutyltin dioctate, dibutyltin dilaurate, Organotin compounds such as dibutyltin dimaleate, dioctyltin dilaurate, dioctyltin dimaleate, tin octylate; isopropyl triisostearoyl titanate, isopropyl tris (dioctyl pyrophosphate) titanate, bis (dioctyl pyrophosphate) oxyacetate titanate, tetraalkyl titanate Organic titanate compounds such as: tetrabutyl zirconate, tetrakis (acetylacetonate) zirconium, tetraisobutyl zirconate, butoxytris ( Cetylacetonato) Zirconium, zirconium naphthenate, and other organic zirconium compounds; Tris (ethyl acetoacetate) aluminum, tris (acetylacetonato) aluminum, and other organic aluminum compounds; Zinc naphthenate, cobalt naphthenate, cobalt octylate, etc. A metal catalyst etc. can be mentioned. Among these, a dibutyltin compound (SCAT-24 manufactured by Sansha Machinery Chemical Co., Ltd.) can be specifically mentioned as a commercial product. These compounds can be used alone or in combination of two or more. These organic components and inorganic components can be used as needed alone or in combination of organic and inorganic as appropriate.

本発明で用いることができる流動性のある物質には、更に必要に応じて、溶媒を配合成分に応じて適宜選択することができる。このような溶媒としては、具体的には炭化水素(プロパン、n−ブタン、n−ペンタン、イソヘキサン、シクロヘキサン、n−オクタン、イソオクタン、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、アミルベンゼン、テレビン油、ピネンなど)、ハロゲン系炭化水素(塩化メチル、クロロホルム、四塩化炭素、塩化エチレン、臭化メチル、臭化エチル、クロロベンゼン、クロロブロモメタン、ブロモベンゼン、フルオロジクロロメタン、ジクロロジフルオロメタン、ジフルオロクロロエタンなど)、アルコール(メタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパノール、n−アミルアルコール、イソアミルアルコール、n−ヘキサノール、n−ヘプタノール、2−オクタノール、n−ドデカノール、ノナノール、シクロヘキサノール、グリシドールなど)、エーテル、アセタール(エチルエーテル、ジクロロエチルエーテル、イソプロピルエーテル、n−ブチルエーテル、ジイソアミルエーテル、メチルフェニルエーテル、エチルベンジルエーテル、フラン、フルフラール、2−メチルフラン、シネオール、メチラール)、ケトン(アセトン、メチルエチルケトン、メチル−n−プロピルケトン、メチル−n−アミルケトン、ジイソブチルケトン、ホロン、イソホロン、シクロヘキサノン、アセトフェノンなど)、エステル(ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸−n−アミル、酢酸メチルシクロヘキシル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸プロピル、ステアリン酸ブチルなど)、多価アルコールとその誘導体(エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメトキシエタノール、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノエチルエーテルなど)、脂肪酸及びフェノール(ギ酸、酢酸、無水酢酸、プロピオン酸、無水プロピオン酸、酪酸、イソ吉草酸、フェノール、クレゾール、o−クレゾール、キシレノールなど)、窒素化合物(ニトロメタン、ニトロエタン、1−ニトロプロパン、ニトロベンゼン、モノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、モノエチルアミン、ジアミルアミン、アニリン、モノメチルアニリン、o−トルイジン、o−クロロアニリン、ジクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、モノエタノールアミン、ホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、アセトニトリル、ピリジン、α−ピコリン、2,4−ルチジン、キノリン、モルホリンなど)、硫黄、リン、その他化合物(二硫化炭素、ジメチルスルホキシド、4,4−ジエチル−1,2−ジチオラン、ジメチルスルフィド、ジメチルジスルフィド、メタンチオール、プロパンスルトン、リン酸トリエチル、リン酸トフェニル、炭酸ジエチル、炭酸エチレン、ホウ酸アミル等)、無機溶剤(液体アンモニア、シリコーンオイルなど)、水等を挙げることができる。   For the fluid substance that can be used in the present invention, a solvent can be appropriately selected according to the blending components, if necessary. Specific examples of such solvents include hydrocarbons (propane, n-butane, n-pentane, isohexane, cyclohexane, n-octane, isooctane, benzene, toluene, xylene, ethylbenzene, amylbenzene, turpentine oil, pinene, and the like). , Halogenated hydrocarbons (methyl chloride, chloroform, carbon tetrachloride, ethylene chloride, methyl bromide, ethyl bromide, chlorobenzene, chlorobromomethane, bromobenzene, fluorodichloromethane, dichlorodifluoromethane, difluorochloroethane, etc.), alcohol (methanol , Ethanol, n-propanol, isopropanol, n-amyl alcohol, isoamyl alcohol, n-hexanol, n-heptanol, 2-octanol, n-dodecanol, nonanol, cyclohexa Ether, acetal (ethyl ether, dichloroethyl ether, isopropyl ether, n-butyl ether, diisoamyl ether, methylphenyl ether, ethylbenzyl ether, furan, furfural, 2-methylfuran, cineol, methylal) , Ketone (acetone, methyl ethyl ketone, methyl-n-propyl ketone, methyl-n-amyl ketone, diisobutyl ketone, phorone, isophorone, cyclohexanone, acetophenone, etc.), ester (methyl formate, ethyl formate, propyl formate, methyl acetate, ethyl acetate, Propyl acetate, acetic acid-n-amyl, methyl cyclohexyl acetate, methyl butyrate, ethyl butyrate, propyl butyrate, butyl stearate), polyhydric alcohols and their derivatives Glycol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether, methoxymethoxyethanol, ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol, diethylene glycol monomethyl ether, propylene glycol, propylene glycol monoethyl ether), fatty acids and phenols ( Formic acid, acetic acid, acetic anhydride, propionic acid, propionic anhydride, butyric acid, isovaleric acid, phenol, cresol, o-cresol, xylenol, etc., nitrogen compounds (nitromethane, nitroethane, 1-nitropropane, nitrobenzene, monomethylamine, dimethyl) Amine, trimethylamine, monoethylamine, diamylamine, aniline, monomethyl Aniline, o-toluidine, o-chloroaniline, dichloroamine, dicyclohexylamine, monoethanolamine, formamide, N, N-dimethylformamide, acetamide, acetonitrile, pyridine, α-picoline, 2,4-lutidine, quinoline, morpholine Etc.), sulfur, phosphorus, other compounds (carbon disulfide, dimethyl sulfoxide, 4,4-diethyl-1,2-dithiolane, dimethyl sulfide, dimethyl disulfide, methanethiol, propane sultone, triethyl phosphate, tophenyl phosphate, carbonic acid Diethyl, ethylene carbonate, amyl borate, etc.), inorganic solvents (liquid ammonia, silicone oil, etc.), water and the like.

本発明に用いる液体には、更に必要に応じて、安定剤、カップリング剤などを適宜選択して配合することができる。このような安定剤としては、具体的には2,6−ジ−tert−ブチル−フェノール、2,4−ジ−tert−ブチル−フェノール、2,6−ジ−tert−ブチル−4−エチル−フェノール、2,4−ビス−(n−オクチルチオ)−6−(4−ヒドロキシ−3,5−ジ−tert−ブチル−アニリノ)−1,3,5−トリアジンなどによって例示されるフェノール系酸化防止剤、アルキルジフェニルアミン、N,N′−ジフェニル−p−フェニレンジアミン、6−エトキシ−2,2,4−トリメチル−1,2−ジヒドロキノリン、N−フェニル−N′−イソプロピル−p−フェニレンジアミンなどによって例示される芳香族アミン系酸化防止剤、ジラウリル−3,3′−チオジプロピオネート、ジトリデシル−3,3′−チオジプロピオネート、ビス[2−メチル−4−{3−n−アルキルチオプロピオニルオキシ}−5−tert−ブチル−フェニル]スルフィド、2−メルカプト−5−メチル−ベンゾイミダゾールなどによって例示されるサルファイド系ヒドロペルオキシド分解剤、トリス(イソデシル)ホスファイト、フェニルジイソオクチルホスファイト、ジフェニルイソオクチルホスファイト、ジ(ノニルフェニル)ペンタエリトリトールジホスファイト、3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−ベンジルホスファートジエチルエステル、ナトリウムビス(4−tert−ブチルフェニル)ホスファートなどによって例示されるリン系ヒドロペルオキシド分解剤、フェニルサリチラート、4−tert−オクチルフェニルサリチラートなどによって例示されるサリチレート系光安定剤、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン−5−スルホン酸などによって例示されるベンゾフェノン系光安定剤、2−(2′−ヒドロキシ−5′−メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、2,2′−メチレンビス[4−(1,1,3,3−テトラメチルブチル)−6−(2N−ベンゾトリアゾール−2−イル)フェノール]などによって例示されるベンゾトリアゾール系光安定剤、フェニル−4−ピペリジニルカルボナート、セバシン酸ビス−[2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジニル]などによって例示されるヒンダードアミン系光安定剤、[2,2′−チオ−ビス(4−t−オクチルフェノラート)]−2−エチルヘキシルアミン−ニッケル−(II)によって例示されるNi系光安定剤、シアノアクリレート系光安定剤、シュウ酸アニリド系光安定剤などを挙げることができる。またこのようなカップリング剤としては、具体的にはフッ素系のシランカップリング剤として、((トリデカフルオロ−1,1,2,2−テトラヒドロオクチル)トリエトキシシラン、エポキシ変性シランカップリング剤として(信越化学工業株式会社製 KBM−403)、オキセタン変性シランカップリング剤として(東亞合成株式会社製 TESOX)、あるいは、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−(β−アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−(β−アミノエチル)−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシランなどのシランカップリング剤や、トリエタノールアミンチタネート、チタニウムアセチルアセトネート、チタニウムエチルアセトアセテート、チタニウムラクテート、チタニウムラクテートアンモニウム塩、テトラステアリルチタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、イソプロピルトリ(N−アミノエチル−アミノエチル)チタネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネート、イソプロピルトリオクタイノルチタネート、イソプロピルジメタクリイソステアロイルチタネート、チタニウムラクテートエチルエステル、オクチレングリコールチタネート、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、トリイソステアリルイソプロピルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、テトラ(2−エチルヘキシル)チタネート、ブチルチタネートダイマー、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ(ジオクチルホスフェート)チタネート、イソプロピルトリス(ジオクチルパイロホスフェート)チタネート、テトライソプロピルビス(ジオクチルホスファイト)チタネート、テトラオクチルビス(ジトリデシルホスファイト)チタネート、テトラ(2,2−ジアリルオキシメチル−1−ブチル)ビス(ジ−トリデシル)ホスファイトチタネート、ビス(ジオクチルパイロホスフェート)オキシアセテートチタネート、ビス(ジオクチルパイロホスフェート)エチレンチタネート、テトラ−i−プロピルチタネート、テトラ−n−ブチルチタネート、ジイソステアロイルエチレンチタネート等のチタン系カップリング剤を挙げることができる。これらの化合物は、1種類、または2種類以上を適宜組み合わせて使用することができる。   In the liquid used in the present invention, a stabilizer, a coupling agent and the like can be appropriately selected and blended as necessary. Specific examples of such stabilizers include 2,6-di-tert-butyl-phenol, 2,4-di-tert-butyl-phenol, 2,6-di-tert-butyl-4-ethyl- Phenol-based antioxidants exemplified by phenol, 2,4-bis- (n-octylthio) -6- (4-hydroxy-3,5-di-tert-butyl-anilino) -1,3,5-triazine and the like Agent, alkyldiphenylamine, N, N'-diphenyl-p-phenylenediamine, 6-ethoxy-2,2,4-trimethyl-1,2-dihydroquinoline, N-phenyl-N'-isopropyl-p-phenylenediamine, etc. Aromatic amine antioxidants, dilauryl-3,3'-thiodipropionate, ditridecyl-3,3'-thiodipropionate, bis [2-methyl Sulfide hydroperoxide decomposer exemplified by -4- {3-n-alkylthiopropionyloxy} -5-tert-butyl-phenyl] sulfide, 2-mercapto-5-methyl-benzimidazole, and the like, tris (isodecyl) phos Phyto, phenyl diisooctyl phosphite, diphenyl isooctyl phosphite, di (nonylphenyl) pentaerythritol diphosphite, 3,5-di-tert-butyl-4-hydroxy-benzyl phosphate diethyl ester, sodium bis (4 -Tert-butylphenyl) phosphate, etc., a phosphorus hydroperoxide decomposing agent, phenyl salicylate, a salicylate light stabilizer exemplified by 4-tert-octylphenyl salicylate, etc., 2,4-dihydroxy Benzophenone light stabilizers exemplified by cibenzophenone, 2-hydroxy-4-methoxybenzophenone-5-sulfonic acid, 2- (2′-hydroxy-5′-methylphenyl) benzotriazole, 2,2′-methylenebis Benzotriazole light stabilizers exemplified by [4- (1,1,3,3-tetramethylbutyl) -6- (2N-benzotriazol-2-yl) phenol] and the like, phenyl-4-piperidinyl Hindered amine light stabilizers exemplified by carbonates, bis- [2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidinyl sebacate] and the like, [2,2′-thio-bis (4-t-octylphenol) Lat)]-2-ethylhexylamine-nickel- (II) Over preparative based light stabilizers, and the like oxalic acid anilide-based light stabilizer. Further, as such a coupling agent, specifically, ((tridecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrooctyl) triethoxysilane, epoxy-modified silane coupling agent as a fluorine-based silane coupling agent) (KBM-403 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), as an oxetane-modified silane coupling agent (TESOX manufactured by Toagosei Co., Ltd.), or vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, γ-chloropropyltrimethoxysilane, γ -Aminopropyltriethoxysilane, N- (β-aminoethyl) -γ-aminopropyltrimethoxysilane, N- (β-aminoethyl) -γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane , Β-glycidoxypropylmethyl dimeth Silane coupling agents such as silane, γ-methacryloxyxypropyltrimethoxysilane, γ-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, triethanolamine titanate, titanium acetylacetonate, titanium ethylacetate Acetate, titanium lactate, titanium lactate ammonium salt, tetrastearyl titanate, isopropyl tricumyl phenyl titanate, isopropyl tri (N-aminoethyl-aminoethyl) titanate, dicumylphenyloxyacetate titanate, isopropyl trioctainol titanate, isopropyl dimethacryloiso Stearoyl titanate, titanium lactate ethyl ester, octylene glycol tita , Isopropyl triisostearoyl titanate, triisostearyl isopropyl titanate, isopropyl tridodecylbenzenesulfonyl titanate, tetra (2-ethylhexyl) titanate, butyl titanate dimer, isopropyl isostearoyl diacryl titanate, isopropyl tri (dioctyl phosphate) titanate, isopropyl Tris (dioctylpyrophosphate) titanate, tetraisopropylbis (dioctylphosphite) titanate, tetraoctylbis (ditridecylphosphite) titanate, tetra (2,2-diallyloxymethyl-1-butyl) bis (di-tridecyl) phos Phyto titanate, bis (dioctylpyrophosphate) oxyacetate titanate, bis (dio Examples include titanium coupling agents such as (octylpyrophosphate) ethylene titanate, tetra-i-propyl titanate, tetra-n-butyl titanate, and diisostearoyl ethylene titanate. These compounds can be used alone or in combination of two or more.

また、必要に応じて、流動性のある物質のパターン形成の状況を容易に確認するため、またはパターンに光学的な機能を付加するために、各種色素や顔料を流動性のある物質に配合することもできる。このような色素としては、アントラキノン系色素、アミニウム系色素、ポリメチン系色素、ジイモニウム系色素、シアニン系色素、フタロシアニン染料、ピラゾロン染料、ニグロシン染料、アントラキノン染料、アゾ染料、クロム錯塩染料等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、このような顔料としては、無色または有色の顔料が例示でき、具体的には、二酸化チタン、硫酸バリウム、炭酸カルシウム、磁性酸化鉄、ウルトラマリン、群青、紺青、亜鉛黄、ベンガラ、黄鉛、鉛白、チタン白、カーボンブラック、透明酸化鉄、アルミ粉等の無機顔料や、アゾ系、トリフェニルメタン系、キノリン系、アントラキノン系、フタロシアニン系、レーキ顔料、イソインドリン顔料、キナクリドン顔料等の有機顔料や、カーボンブラック、金属コロイド等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの色素や顔料は、1種類、または2種類以上を適宜組み合わせて使用することができる。   In addition, if necessary, various dyes and pigments are added to the flowable substance to easily check the pattern formation status of the flowable substance or add an optical function to the pattern. You can also. Examples of such dyes include anthraquinone dyes, aminium dyes, polymethine dyes, diimonium dyes, cyanine dyes, phthalocyanine dyes, pyrazolone dyes, nigrosine dyes, anthraquinone dyes, azo dyes, and chromium complex dyes. However, it is not limited to these. In addition, examples of such pigments include colorless or colored pigments. Specifically, titanium dioxide, barium sulfate, calcium carbonate, magnetic iron oxide, ultramarine, ultramarine, bitumen, zinc yellow, red rose, yellow lead. , Lead white, titanium white, carbon black, transparent iron oxide, aluminum powder and other inorganic pigments, azo, triphenylmethane, quinoline, anthraquinone, phthalocyanine, lake pigment, isoindoline pigment, quinacridone pigment, etc. Examples thereof include, but are not limited to, organic pigments, carbon black, and metal colloids. These dyes and pigments can be used alone or in combination of two or more.

本発明に用いる流動性のある物質には、形成されるパターンの機械的強度や熱的特性、電気的特性を向上させるために、必要に応じて各種のフィラーを配合することができる。絶縁性フィラーとしてはアルミナ、シリカ、ジルコニア、チタニアなどの金属酸化物の粉末や、コロイダルシリカやチタニアゾル、アルミナゾルなどのゾル、タルク、カオリナイト、スメクタイト等の粘土鉱物、炭化ケイ素、炭化チタンなどの炭化物、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化チタンなどの窒化物、窒化ホウ素、ホウ化チタン、酸化ホウ素などのホウ化物、ムライト等の複合酸化物、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の水酸化物などが挙げられる。導電性フィラーとしては、Ag、Cu、Au、Al、Mg、Rh、W、Mo、Co、Ni、Pt、Pd、Cr、Ta、Pb、V、Zr、Ti、In、Fe、Zn等の金属粉末やフレーク、あるいはコロイドを用いることができ、Sn−Pb系、Sn−In系、Sn−Bi系、Sn−Ag系、Sn−Zn系の合金粉末やフレーク、アセチレンブラック、ファーネスブラック、チャンネルブラック等のカーボンブラックやグラファイト、グラファイト繊維、グラファイトフィブリル、カーボンファイバー、活性炭、木炭、カーボンナノチューブ、フラーレン等の導電性炭素系材料、金属酸化物系導電性フィラーとしては、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム、酸化チタン(二酸化チタン、一酸化チタンなど)等のうち格子欠陥の存在により余剰電子が生成し導電性を示すフィラーが挙げられる。このようなフィラーは、1種類、または2種類以上を適宜組み合わせて使用することができ、更に表面をカップリング剤等で処理したフィラーを利用することも好ましい。   In order to improve the mechanical strength, thermal characteristics, and electrical characteristics of the pattern to be formed, various fillers can be blended with the fluid substance used in the present invention as necessary. Insulating fillers include powders of metal oxides such as alumina, silica, zirconia and titania, sols such as colloidal silica, titania sol and alumina sol, clay minerals such as talc, kaolinite and smectite, and carbides such as silicon carbide and titanium carbide. And nitrides such as silicon nitride, aluminum nitride and titanium nitride, borides such as boron nitride, titanium boride and boron oxide, complex oxides such as mullite, hydroxides such as aluminum hydroxide and magnesium hydroxide, etc. It is done. As the conductive filler, metals such as Ag, Cu, Au, Al, Mg, Rh, W, Mo, Co, Ni, Pt, Pd, Cr, Ta, Pb, V, Zr, Ti, In, Fe, Zn, etc. Powders, flakes, or colloids can be used. Sn—Pb, Sn—In, Sn—Bi, Sn—Ag, Sn—Zn alloy powders and flakes, acetylene black, furnace black, channel black Conductive carbon materials such as carbon black, graphite, graphite fiber, graphite fibril, carbon fiber, activated carbon, charcoal, carbon nanotube, fullerene, and metal oxide conductive fillers such as zinc oxide, tin oxide, indium oxide , Titanium oxide (titanium dioxide, titanium monoxide, etc.) etc. surplus due to the presence of lattice defects It includes fillers exhibiting conductivity generated by the child. Such fillers can be used alone or in combination of two or more, and it is also preferable to use a filler whose surface is treated with a coupling agent or the like.

上記の添加剤に磁気異方性があるものを用いることで、添加剤の磁場配向とパターニングを同時に行うこともできる。   By using the additive having magnetic anisotropy, the magnetic field orientation and patterning of the additive can be simultaneously performed.

また、本発明に用いる流動性のある物質には、誘電率及び/又は磁化率を調整するために(以上例示した物質以外にも)各種物質を配合することができる。このような物質は、流動性のある物質が液体である場合、液体に溶けていても良いし、溶けずに分散していても良い。あるいは、任意の溶媒に溶かしておき、この液体に乳化させて使用しても良い。このような磁化率を調整するための物質の内、磁化率を大きくする物質として、常磁性遷移元素化合物のほかに、Fe、Ni、Co等の強磁性体を液体に添加することができる。また、誘電率を大きくする材料として、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸鉛を例示することができる。この際、誘電率及び/又は磁化率を調整する添加剤のみが、電場及び/又は磁場と相互作用を起こし流動性のある物質と分離しないように、溶解して加えたり、100nm以下の微粒子で加えたりすることが好ましく、後者の場合には、その粒子径は20〜10nmの範囲が更に好ましい。   Moreover, in order to adjust a dielectric constant and / or a magnetic susceptibility, various substances can be mix | blended with the fluid substance used for this invention (in addition to the substance illustrated above). In the case where the fluid substance is a liquid, such a substance may be dissolved in the liquid or may be dispersed without being dissolved. Alternatively, it may be dissolved in an arbitrary solvent and emulsified in this liquid. Among the substances for adjusting the magnetic susceptibility, as a substance for increasing the magnetic susceptibility, a ferromagnetic material such as Fe, Ni, Co, etc. can be added to the liquid in addition to the paramagnetic transition element compound. Examples of materials that increase the dielectric constant include barium titanate and lead zirconate titanate. At this time, only the additive that adjusts the dielectric constant and / or magnetic susceptibility is dissolved or added so that it does not separate from the fluid substance by interacting with the electric field and / or magnetic field. In the latter case, the particle diameter is more preferably in the range of 20 to 10 nm.

また、磁化率を小さくする物質としては、超伝導体、ビスマス等が挙げられる。誘電率を低くする物質としては、ジルコン酸鉛、リン酸一アンモニウム等が挙げられる。また、これらの物質は、1種類、または2種類以上を適宜組み合わせて使用することができる。更に、流動性のある物質を構成する上記のような各種配合成分の配合割合は、配合成分に応じて適宜決定することができる。   In addition, examples of the substance that decreases the magnetic susceptibility include superconductors and bismuth. Examples of substances that lower the dielectric constant include lead zirconate and monoammonium phosphate. Moreover, these substances can be used alone or in appropriate combination of two or more. Furthermore, the blending ratio of the above various blending components constituting the fluid substance can be appropriately determined according to the blending components.

<電気力線及び/又は磁力線を集中させるための物質の構成>
電気力線及び/又は磁力線を集中させるためには、パターン形成したい形の電極及び/又は磁石を利用したり、相対的に誘電率及び/又は磁化率の大きい物質に、電気力線及び/又は磁力線が集中する原理を利用したりすることができる。後者の場合には、誘電率及び/又は磁化率の差が大きい物質を組み合わせて適宜選択することによって、選択した相対的に誘電率及び/又は磁化率の大きい物質に電気力線及び/又は磁力線を集中させ、任意の電束密度及び/又は磁束密度分布を持つ電場及び/又は磁場を形成し、パターン形成に利用することができる。このような電気力線及び/又は磁力線は、誘電率及び/又は磁化率が相対的に大きいほうに集まるので、誘電率及び/又は磁化率の差がある物質全てに適応できるが、特に、誘電率及び/又は磁化率の差が大きい物質の組み合わせを用いることが好ましい。また、基板に誘電率及び/又は磁化率の異なる物質を印刷することにより、誘電率及び/又は磁化率の異なる2以上の物質を含む基板を得て、パターン形成を行うことも可能である。
<Composition of substance for concentrating electric lines of force and / or lines of magnetic force>
In order to concentrate the electric field lines and / or magnetic field lines, an electrode and / or magnet having a shape to be patterned is used, or the electric field lines and / or the material having a relatively high dielectric constant and / or magnetic susceptibility is used. The principle of concentration of magnetic field lines can be used. In the latter case, the electric field lines and / or magnetic field lines are added to the selected substance having a relatively large dielectric constant and / or magnetic susceptibility by appropriately selecting a combination of substances having a large difference in dielectric constant and / or magnetic susceptibility. And an electric field and / or magnetic field having an arbitrary electric flux density and / or magnetic flux density distribution can be formed and used for pattern formation. Such electric field lines and / or magnetic field lines gather at a relatively large dielectric constant and / or magnetic susceptibility, and thus can be applied to all materials having a difference in dielectric constant and / or magnetic susceptibility. It is preferable to use a combination of substances having a large difference in the rate and / or magnetic susceptibility. It is also possible to perform pattern formation by obtaining a substrate containing two or more substances having different dielectric constants and / or magnetic susceptibility by printing substances having different dielectric constants and / or magnetic susceptibility on the substrate.

<電場及び/又は磁場応答を増強する流動性のある物質の組み合わせについて>
本発明のパターン形成方法において、電場及び/又は磁場応答を増強させる第2の流動性のある物質については、上記のように、第1の流動性のある物質に対して完全に溶解せず、第1の流動性のある物質からなる層と、第2の流動性のある物質からなる層の2層が形成される任意の流動性のある物質を適宜選択することができる。また、電場及び/又は磁場応答を増強するために、これらの流動性のある物質は、誘電率及び/又は磁化率の差が大きいものが好ましく、具体的には、空気よりも誘電率及び/又は磁化率の差が大きくなる組み合わせが好ましい。
<Combination of fluid substances that enhance electric and / or magnetic field response>
In the pattern formation method of the present invention, the second fluid substance that enhances the electric and / or magnetic field response is not completely dissolved in the first fluid substance as described above, An arbitrary fluid substance that forms two layers of the first fluid substance layer and the second fluid substance substance layer can be appropriately selected. In order to enhance the electric field and / or magnetic field response, these fluid substances are preferably those having a large difference in dielectric constant and / or magnetic susceptibility, specifically, dielectric constant and / or air than air. Alternatively, a combination that increases the difference in magnetic susceptibility is preferable.

上記の電場及び/又は磁場応答による液体移動の増強のほかに、第2の流動性のある物質によって、第1の流動性のある物質に対して重力による押し付けを行なうことができる効果がある。第2の流動性のある物質の比重が空気よりも重いと効果があり、第2の流動性のある物質が、第1の流動性のある物質を押し付けることにより、流動性のある物質体の移動がアシストされる。好ましくは、第1の流動性のある物質の比重を超えない範囲で、第2の流動性のある物質の比重が大きい方が良い。   In addition to the enhancement of liquid movement by the electric field and / or magnetic field response, there is an effect that the second fluid substance can press the first fluid substance by gravity. It is effective when the specific gravity of the second fluid substance is heavier than air, and the second fluid substance presses the first fluid substance, so that the fluid substance body Movement is assisted. Preferably, the specific gravity of the second fluid substance should be large as long as the specific gravity of the first fluid substance is not exceeded.

流動性のある物質が液体である場合において、第1の液体を基板に塗布した後に第2の液体を塗布して、第1の液体による層が基板の表面と接して界面張力により束縛されているときには、第1の液体による層と第2の液体による層が、基板面に対して反転しない範囲内において、第2の液体の比重は大きいほど好ましい。   When the fluid substance is a liquid, the second liquid is applied after the first liquid is applied to the substrate, and the layer of the first liquid comes into contact with the surface of the substrate and is bound by the interfacial tension. When the first liquid layer and the second liquid layer are not reversed with respect to the substrate surface, the specific gravity of the second liquid is preferably as large as possible.

このような誘電率及び/又は磁化率χと比重ρとの関係における液体移動の増強効果は、第1の流動性のある物質の磁化率の差Δχ、第2の流動性のある物質の比重の差Δρとの関係式Δχ/Δρが大きいほど有利になる。   The enhancement effect of the liquid movement in the relationship between the dielectric constant and / or the magnetic susceptibility χ and the specific gravity ρ includes the difference Δχ in the magnetic susceptibility of the first fluid substance, the specific gravity of the second fluid substance. The larger the relational expression Δχ / Δρ with respect to the difference Δρ, the more advantageous.

上記の成分を溶媒と合わせて、撹拌することによって溶液または懸濁液とすることができる。撹拌は、プロペラ式ミキサー、プラネタリーミキサー、ハイブリッドミキサー、ニーダー、乳化用ホモジナイザー、超音波ホモジナイザー等の各種撹拌装置を適宜選択して行うことができる。また、必要に応じて、加熱、または冷却しながら撹拌することもできる。   The above ingredients can be combined with a solvent and stirred to form a solution or suspension. Stirring can be performed by appropriately selecting various stirring devices such as a propeller mixer, a planetary mixer, a hybrid mixer, a kneader, a homogenizer for emulsification, and an ultrasonic homogenizer. Moreover, it can also stir, heating or cooling as needed.

以上のように、誘電率、磁化率、比重の異なる2以上の流動性のある物質を用いれば、引力と斥力の相互作用や重力によって流動性のある物質の移動力を高め、また、流動性のある物質が液体である場合には、界面自由エネルギーによって、更に磁場応答による物質移動を有利に進めることができる。このような磁場応答を増強させる手法を用いることによって、高価な強磁場発生装置を用いなくても、一般的な磁場発生装置を用いて弱磁性体を移動させることができる。そして、電場及び/又は磁場応答により得られた所望の形状の流動性のある物質を固化することによって、所望のパターンを得ることができる。以下に、本発明のパターン形成方法を用いた実施例を説明する。   As described above, if two or more fluid substances with different permittivity, magnetic susceptibility, and specific gravity are used, the mobility of the substance with fluidity is increased by the interaction between attractive force and repulsive force and gravity. In the case where a certain substance is a liquid, the mass transfer by the magnetic field response can be advantageously advanced by the interface free energy. By using such a technique for enhancing the magnetic field response, it is possible to move a weak magnetic material using a general magnetic field generator without using an expensive strong magnetic field generator. A desired pattern can be obtained by solidifying a fluid substance having a desired shape obtained by an electric field and / or magnetic field response. Examples using the pattern forming method of the present invention will be described below.

実施例1では、本発明のパターン形成方法を用いて、電化結合素子イメージセンサー(CCDイメージセンサー)の画素上に連続したレンズ形状を製造した。その製造方法の例を、CCDイメージセンサーの側面断面図である図14a〜図14eに示す。   In Example 1, using the pattern forming method of the present invention, a continuous lens shape was manufactured on a pixel of a charge coupled device image sensor (CCD image sensor). An example of the manufacturing method is shown in FIGS. 14a to 14e which are side sectional views of a CCD image sensor.

ここで、図14aに模式的に示す装置は、光学装置の一種のCCDイメージセンサーであり、本発明の説明に直接関係していない部品は省略して示している。参照番号14で示す部材はフォトディテクターであり、この部分に光を集光することにより、CCDイメージセンサーの光感度を向上させることができる。図14bは、高屈折率透明液状のUV硬化性樹脂(反磁性)15がCCDイメージセンサー表面に塗布された状態を示しており、更に強磁性体からなるネガパターン16を、CCDイメージセンサーの直上に位置するように配置する。この場合、空孔11がフォトディテクター14の上部に位置するように配置する。図14cは、更に常磁性を示す液体である塩化マンガン水溶液(2 mol/l)の層17を塗膜15上に形成した様子を示している。図14dは、磁場3をネガパターン15の法線方向から印加することにより(矢印参照)、ポジパターン18を形成した様子を示している。このようにして形成したポジパターン18にUVを照射して、ポジパターン18を固化した後、塩化マンガン水溶液層15を取り除くことにより、図14eに示すように、レンズ形状が表面に形成されたCCDイメージセンサーを製造することができる。F   Here, the apparatus schematically shown in FIG. 14a is a kind of CCD image sensor of an optical apparatus, and parts not directly related to the description of the present invention are omitted. The member indicated by reference numeral 14 is a photodetector, and the light sensitivity of the CCD image sensor can be improved by condensing light on this portion. FIG. 14B shows a state in which a high refractive index transparent liquid UV curable resin (diamagnetism) 15 is applied on the surface of the CCD image sensor, and a negative pattern 16 made of a ferromagnetic material is provided immediately above the CCD image sensor. Place it so that it is located in In this case, it arrange | positions so that the hole 11 may be located in the upper part of the photodetector 14. FIG. FIG. 14 c shows a state in which a layer 17 of an aqueous manganese chloride solution (2 mol / l), which is a paramagnetic liquid, is formed on the coating film 15. FIG. 14d shows a state in which the positive pattern 18 is formed by applying the magnetic field 3 from the normal direction of the negative pattern 15 (see arrow). The positive pattern 18 formed in this way is irradiated with UV to solidify the positive pattern 18, and then the manganese chloride aqueous solution layer 15 is removed, whereby a CCD having a lens shape formed on the surface as shown in FIG. 14e. An image sensor can be manufactured. F

なお、例えば、下記に示すような製造装置またはシステムを用いることにより、図14eに示すようなレンズ形状が表面に形成されたCCDイメージセンサー(光学装置)を、短時間に、低い製造コストで、安全に安定して製造することができる。
このCCDイメージセンサー(光学装置)の製造装置としては、図14a、14bに示すように、フォトディテクター14が装着された基板を設置し、その上部にネガパターン16を配置するネガパターン配置部と、図14b、14cに示すように、流動性ある物質(UV硬化性樹脂15、塩化マンガン水溶液17)を基板やネガパターン16に供給する流動性物質供給手段と、図14dに示すように、基板に所定の磁場3を印加する磁場印加手段と、形成されたパターン18にUVを照射して固化させ、図14eに示すような製品を得るパターン固化手段とを備えることが考えられる。
For example, by using a manufacturing apparatus or system as shown below, a CCD image sensor (optical apparatus) having a lens shape as shown in FIG. It can be manufactured safely and stably.
As a manufacturing apparatus of this CCD image sensor (optical device), as shown in FIGS. 14a and 14b, a negative pattern placement unit for placing a substrate on which a photodetector 14 is mounted and placing a negative pattern 16 thereon is provided. As shown in FIGS. 14b and 14c, fluid substance supplying means for supplying a fluid substance (UV curable resin 15 and manganese chloride aqueous solution 17) to the substrate or negative pattern 16, and as shown in FIG. It is conceivable to include a magnetic field applying means for applying a predetermined magnetic field 3 and a pattern solidifying means for irradiating and solidifying the formed pattern 18 with UV to obtain a product as shown in FIG. 14e.

(図15に示す光学装置の製造方法)
図15に示す光学装置は、下記のような方法で製造した。まず、反磁性を示すUV硬化性の高透明高屈折率の塗布液をCCDイメージセンサー表面に塗布し、次いで、CCDイメージセンサーに形成されたフォトディテクターの配置に沿って、空孔が形成された強磁性体からなるネガパターンを、この空孔が各フォトディテクター上に位置するように配置し、ネガパターンの法線方向から磁場を印加することによって、磁力線をネガパターンの強磁性体部分に集中させ、磁場応答により反磁性を持つ塗布液を空孔方向にはじいた。次に、塗布液を硬化させることによって、フォトディテクター上にレンズ構造を有するパターン18を作製した。以下に、更に詳細に説明する。
(Manufacturing method of the optical device shown in FIG. 15)
The optical device shown in FIG. 15 was manufactured by the following method. First, a UV curable highly transparent high refractive index coating solution showing diamagnetism was applied to the surface of the CCD image sensor, and then holes were formed along the arrangement of the photodetectors formed on the CCD image sensor. A negative pattern made of a ferromagnetic material is placed so that the holes are positioned on each photodetector, and a magnetic field is applied from the normal direction of the negative pattern to concentrate magnetic lines of force on the ferromagnetic part of the negative pattern. The coating solution having diamagnetism was repelled in the direction of the holes by the magnetic field response. Next, a pattern 18 having a lens structure on the photodetector was produced by curing the coating solution. This will be described in more detail below.

(UV硬化性の高透明高屈折率液状樹脂組成物)
ビスフェノールA型液状エポキシ樹脂(大日本インキ化学工業株式会社製 EPICLON 850S)100部、エポキシ変性シランカップリング剤(信越化学工業株式会社製 KBM−403)2部、光カチオン開始剤(旭電化工業株式会社製 アデカオプトマーSP−170)4部、オキセタン樹脂(東亞合成株式会社製OXT−211)30部を冷却ジャケット付きプラネタリーミキサーに投入し、均一な溶液体になるまで撹拌して、光硬化性樹脂組成物を得た。この際、撹拌時に発生する熱で塗布液が反応を起こさないように、液温が25℃を超えない範囲で冷却しながら撹拌した。
(UV curable highly transparent high refractive index liquid resin composition)
Bisphenol A type liquid epoxy resin (EPICLON 850S manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) 100 parts, epoxy-modified silane coupling agent (KBM-403 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), photocation initiator (Asahi Denka Kogyo Co., Ltd.) 4 parts of Adekaoptomer SP-170 manufactured by company and 30 parts of Oxetane resin (OXT-211 manufactured by Toagosei Co., Ltd.) are put into a planetary mixer with a cooling jacket and stirred until a uniform solution is obtained, and then photocured. A functional resin composition was obtained. At this time, stirring was performed while cooling the solution so as not to exceed 25 ° C. so that the coating solution did not react with heat generated during stirring.

(塗布)
上記で作製した塗布液を、図14aに示される電子装置上に10μmの液厚になるように塗布した。
(Application)
The coating solution prepared above was applied on the electronic device shown in FIG. 14a so as to have a liquid thickness of 10 μm.

(ネガパターンの作製)
25×25×0.05mmの純度99.998%の鉄箔にフェムト秒レーザーを用いて、φ0.02mmの貫通孔を100×100個空けて、ネガパターンを作製した。
(Negative pattern production)
Using a femtosecond laser on a 25.times.25.times.0.05 mm purity 99.998% iron foil, 100.times.100 through-holes of .phi.0.02 mm were made to produce a negative pattern.

(ネガパターンの位置決め)
上記で作製したネガパターンの貫通孔がCCDイメージセンサーの各フォトディテクターの直上に位置するように調整をし、更に塗布液表面から5μmの距離に位置するように近接させた。
(Positive pattern positioning)
Adjustment was made so that the through hole of the negative pattern produced above was positioned directly above each photo detector of the CCD image sensor, and further, the negative pattern was made close to the surface of the coating solution at a distance of 5 μm.

(磁化率の差を大きくする液の注入)
このネガパターンの貫通孔から塩化マンガン水溶液(2 mol/l)を注入し、貫通孔内が塩化マンガン水溶液で満たされるようにした。
(Liquid injection to increase the difference in magnetic susceptibility)
A manganese chloride aqueous solution (2 mol / l) was injected from the negative pattern through hole so that the inside of the through hole was filled with the manganese chloride aqueous solution.

(磁場の印加)
ネガパターンに対して垂直に0.5T(テスラ)の縦磁場を30秒印加して、UV硬化性樹脂を、ネガパターンの貫通孔の直下にレンズ形状を形成するようにパターニングした。
(Application of magnetic field)
A vertical magnetic field of 0.5 T (Tesla) was applied for 30 seconds perpendicularly to the negative pattern, and the UV curable resin was patterned to form a lens shape directly under the through hole of the negative pattern.

(塗布液体の硬化)
次に、上記の磁場を印加しながら、浜松ホトニクス社製メタルハライドランプ(LIGHTNINGCURE LC5)を用いて、波長365nmのUVを6000mJ/cm2照射し、塗膜を硬化させた後、磁場の印加を停止して、フォトディテクター上にレンズが形成されたCCDイメージセンサーを製造した。
(Curing application liquid)
Next, while applying the magnetic field, using a metal halide lamp (LIGHTNINGCURE LC5) manufactured by Hamamatsu Photonics, UV irradiation with a wavelength of 365 nm was irradiated at 6000 mJ / cm 2 to cure the coating film, and then the application of the magnetic field was stopped. Thus, a CCD image sensor having a lens formed on the photodetector was manufactured.

(レンズ形成状態の確認)
図15に示すように、UV硬化性樹脂の表面がうねりレンズ形状になっていることを確認した。
(Confirmation of lens formation)
As shown in FIG. 15, it was confirmed that the surface of the UV curable resin had a wavy lens shape.

実施例2では、本発明のパターン形成方法により、基板上にアスペクト比の高い突起パターンを形成した。その製造方法の実施例を、側面断面図である図16a〜図16eに示す。
ここで、図16aは、反磁性のUV硬化性樹脂塗膜15を形成したガラス基板19を示している。図16bは、強磁性体で作製したネガパターン16を、塗膜15に接近させた状態で固定した様子を示している。図16cは、常磁性かつ塗膜15に概略不溶の液体からなる層17を形成した様子を示している。図16dは、磁場をネガパターンの法線方向から印加し、塗膜の液面をうねらせてパターン12を形成した様子を示している。図16eは、パターン12をUV硬化した後、ネガパターンと常磁性体の層を取り除いて突起パターンを形成した様子を示している。
In Example 2, a projection pattern having a high aspect ratio was formed on the substrate by the pattern forming method of the present invention. An example of the manufacturing method is shown in FIGS. 16a to 16e which are side sectional views.
Here, FIG. 16a shows a glass substrate 19 on which a diamagnetic UV curable resin coating film 15 is formed. FIG. 16 b shows a state in which the negative pattern 16 made of a ferromagnetic material is fixed in a state where the negative pattern 16 is brought close to the coating film 15. FIG. 16 c shows a state in which a layer 17 made of a liquid that is paramagnetic and substantially insoluble in the coating film 15 is formed. FIG. 16d shows a state where the pattern 12 is formed by applying a magnetic field from the normal direction of the negative pattern and undulating the liquid surface of the coating film. FIG. 16e shows a state in which the negative pattern and the paramagnetic layer are removed to form a projection pattern after the pattern 12 is UV cured.

(塗布液体の作製)
オキセタン変性シルセスキオキサン(東亞合成(株)製 OX−SQH)50部、脂環型エポキシ樹脂(ダイセル化学工業(株)製 セロキサイド2021P)10部、光熱カチオン開始剤(SI-100)5部を冷却ジャケットつきプラネタリーミキサーに入れ、均一な溶液体になるまで攪拌し液体を得た。この際、攪拌時に発生する熱で塗布液が反応を起こさないように、液温が25℃を超えない範囲で冷却しながら攪拌し、塗布液を得た。この塗布液体の、概略の磁化率は−0.6(10-6cm3g-1)である。
(Preparation of coating liquid)
50 parts of oxetane-modified silsesquioxane (OX-SQH manufactured by Toagosei Co., Ltd.), 10 parts of alicyclic epoxy resin (Celoxide 2021P manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.), 5 parts of photothermal cation initiator (SI-100) Was put into a planetary mixer with a cooling jacket, and stirred until a uniform solution was obtained to obtain a liquid. At this time, the coating liquid was stirred while cooling in a range where the liquid temperature did not exceed 25 ° C. so that the coating liquid did not react with the heat generated during stirring to obtain a coating liquid. The approximate magnetic susceptibility of this coating liquid is −0.6 (10 −6 cm 3 g −1 ).

(塗布)
上記で作製した塗布液を、図16aに示されるガラス基板上に、50μmの液厚になるように塗布した。
(Application)
The coating solution prepared above was applied on the glass substrate shown in FIG. 16a so as to have a liquid thickness of 50 μm.

(ネガパターンの作製)
50×50×0.3mmの純度99.998%の鉄箔に、ドリルを用いて、φ0.1mmの貫通孔を10×10空けて、ネガパターンを作製した。
(Negative pattern production)
A negative pattern was produced by drilling a 10 × 10 through hole with a diameter of 0.1 mm in an iron foil of 50 × 50 × 0.3 mm with a purity of 99.998% using a drill.

(ネガパターンの設置)
上記で作製したネガパターンを、図16bに示すように、塗膜を形成した基板上に設置し、更に塗布液表面から10μmの距離に位置するように近接させた。
(Installation of negative pattern)
The negative pattern produced above was placed on a substrate on which a coating film was formed as shown in FIG. 16b, and was further brought close to the coating solution surface at a distance of 10 μm.

(磁化率の差を大きくする液の注入)
図16cに示すように、ネガパターンの貫通孔から塩化マンガン水溶液(2 mol/l)を注入し、貫通孔内が塩化マンガン水溶液で満たされるようにした。
(Liquid injection to increase the difference in magnetic susceptibility)
As shown in FIG. 16c, a manganese chloride aqueous solution (2 mol / l) was injected from the negative pattern through-hole so that the inside of the through-hole was filled with the manganese chloride aqueous solution.

(磁場の印加)
図16dに示すように、ネガパターンに対して垂直に0.5T(テスラ)の縦磁場を30秒印加して、UV硬化性樹脂をパターニングした。
(Application of magnetic field)
As shown in FIG. 16d, a vertical magnetic field of 0.5 T (Tesla) was applied for 30 seconds perpendicularly to the negative pattern to pattern the UV curable resin.

(塗布液体の硬化)
次に、上記の磁場を印加しながら、浜松ホトニクス社製メタルハライドランプ(LIGHTNINGCURE LC5)を用いて、波長365nmのUVを6000mJ/cm2照射し、塗膜を硬化させた後磁場の印加を停止し、図16eに示すように、アスペクト比の高いポジパターンを形成した。
(Curing application liquid)
Next, while applying the magnetic field, using a metal halide lamp (LIGHTNINGCURE LC5) manufactured by Hamamatsu Photonics, UV irradiation with a wavelength of 365 nm was irradiated at 6000 mJ / cm 2 to harden the coating film, and then application of the magnetic field was stopped. As shown in FIG. 16e, a positive pattern having a high aspect ratio was formed.

(パターン形成状態の確認)
以上の結果、図17に示すように、アスペクト比の高いパターンが形成されていることが確認できた。
(Confirmation of pattern formation)
As a result, as shown in FIG. 17, it was confirmed that a pattern having a high aspect ratio was formed.

実施例3では、本発明のパターン形成方法により、基板上に型抜きできないパターンを形成した。その製造方法の例を、側面断面図である図18a〜図18eに示す。
ここで、図18aは、反磁性のUV硬化性樹脂塗膜15を形成したガラス基板19を示している。図18bは、強磁性体で作製したネガパターン20を塗膜15に接近させた状態で固定した様子を示している。図18cは、常磁性かつ塗膜15に概略不溶の液体からなる層17を形成した様子を示している。図18dは、磁場をネガパターンの法線方向から印加し、塗膜の液面をうねらせパターン21を形成した様子を示している。図18eは、パターン21をUV硬化した後、ネガパターンと常磁性体の層を取り除き突起パターンを形成した様子を示している。
In Example 3, a pattern that could not be punched was formed on the substrate by the pattern forming method of the present invention. An example of the manufacturing method is shown in FIGS. 18a to 18e which are side sectional views.
Here, FIG. 18a shows a glass substrate 19 on which a diamagnetic UV curable resin coating film 15 is formed. FIG. 18 b shows a state in which the negative pattern 20 made of a ferromagnetic material is fixed in a state where the negative pattern 20 is brought close to the coating film 15. FIG. 18 c shows a state in which a layer 17 made of a liquid that is paramagnetic and substantially insoluble in the coating film 15 is formed. FIG. 18d shows a state in which a magnetic field is applied from the normal direction of the negative pattern and the liquid surface of the coating film is waved to form the pattern 21. FIG. FIG. 18e shows a state in which, after the pattern 21 is UV cured, the negative pattern and the paramagnetic layer are removed to form a projection pattern.

(塗布液体の作製)
実施例1と同じ塗布液を作製した。
(Preparation of coating liquid)
The same coating solution as in Example 1 was produced.

(塗布)
上記で作製した塗布液を、図18aに示されるガラス基板上に50μmの液厚になるように塗布した。
(Application)
The coating solution prepared above was applied on the glass substrate shown in FIG. 18a so as to have a thickness of 50 μm.

(ネガパターンの作製)
50×50×0.3mmの純度99.998%の鉄箔に、ドリルを用いて、φ0.1mmの貫通孔を10×10空けた後、φ0.15mmのドリルを用いて、この貫通孔を中心に一回り大きい孔を貫通しないように空けることにより、内部にテーパー形状を有するネガパターン20を作製した。
(Negative pattern production)
Use a drill to drill 10 × 10 through holes of φ0.1 mm in an iron foil of 50 × 50 × 0.3 mm purity 99.998%, and then drill this through hole using a drill of φ0.15 mm. A negative pattern 20 having a tapered shape inside was prepared by making a hole so as not to penetrate a hole that is slightly larger in the center.

(ネガパターンの設置)
図18bに示すように、上記で作製したネガパターンを前記塗膜を形成した基板上に設置し、更に塗布液表面から10μmの距離に位置するように近接させた。
(Installation of negative pattern)
As shown in FIG. 18b, the negative pattern produced above was placed on the substrate on which the coating film was formed, and was further brought close to the coating solution surface so as to be located at a distance of 10 μm.

(磁化率の差を大きくする液の注入)
図18cに示すように、ネガパターンの貫通孔から塩化マンガン水溶液(2 mol/l)を注入し、貫通孔内が塩化マンガン水溶液で満たされるようにした。
(Liquid injection to increase the difference in magnetic susceptibility)
As shown in FIG. 18c, a manganese chloride aqueous solution (2 mol / l) was injected from the negative pattern through-hole so that the inside of the through-hole was filled with the manganese chloride aqueous solution.

(磁場の印加)
図18dに示すように、ネガパターンに対して垂直に0.5T(テスラ)の縦磁場を30秒印加して、UV硬化性樹脂をパターニングした。
(Application of magnetic field)
As shown in FIG. 18d, a vertical magnetic field of 0.5 T (Tesla) was applied for 30 seconds perpendicularly to the negative pattern to pattern the UV curable resin.

(塗布液体の硬化)
次に、上記の磁場を印加しながら、浜松ホトニクス社製メタルハライドランプ(LIGHTNINGCURE LC5)を用いて、波長365nmのUVを6000mJ/cm2照射し、塗膜を硬化させた後磁場の印加を停止し、図18eに示すように、マッシュルーム形状のパターンを形成した。
(Curing application liquid)
Next, while applying the magnetic field, using a metal halide lamp (LIGHTNINGCURE LC5) manufactured by Hamamatsu Photonics, UV irradiation with a wavelength of 365 nm was irradiated at 6000 mJ / cm 2 to harden the coating film, and then application of the magnetic field was stopped. As shown in FIG. 18e, a mushroom-shaped pattern was formed.

(パターン形成状態の確認)
以上の結果、図19に示すように、従来法では型抜きできないマッシュルーム形状を形成することができた。
(Confirmation of pattern formation)
As a result, as shown in FIG. 19, a mushroom shape that could not be punched by the conventional method could be formed.

実施例4では、本発明のパターン形成方法により、基板上に、無電解めっき用の触媒核と絶縁膜とを一括形成した。その製造方法の例を、側面断面図である図20a〜図20eに示す。
ここで、図20aは、反磁性のホットメルト粒子22と、触媒核及び強磁性体のナノ粒子を練り込んだホットメルト粒子23とを溶媒24に分散させて作製した分散液を、ガラス基板に塗布した様子を示している。図20bは、強磁性体で作製したネガパターン20を、粒子22及び23に接近させた状態で固定した様子を示している。図20cは、磁場をネガパターンの法線方向から印加し、粒子22をネガパターンの孔の中に、粒子23をネガパターンを形成する強磁性体の下に集合させた様子を示している。図20dは、磁場印加を停止した後、ネガパターンを取り外し、次いで溶媒を蒸散させ、更に、過熱することでホットメルトを融着させることにより、パターンを形成した様子を示している。図20eは、無電解めっきを行うことにより、表面26に無電解めっきパターン27を形成した様子を示している。
In Example 4, a catalyst core and an insulating film for electroless plating were collectively formed on a substrate by the pattern forming method of the present invention. An example of the manufacturing method is shown in FIGS. 20a to 20e which are side sectional views.
Here, FIG. 20 a shows a dispersion prepared by dispersing diamagnetic hot melt particles 22 and hot melt particles 23 kneaded with catalyst nuclei and ferromagnetic nanoparticles in a solvent 24. It shows how it was applied. FIG. 20 b shows a state in which the negative pattern 20 made of a ferromagnetic material is fixed in a state where the negative pattern 20 is brought close to the particles 22 and 23. FIG. 20 c shows a state in which a magnetic field is applied from the normal direction of the negative pattern, and the particles 22 are aggregated in the negative pattern holes and the particles 23 are aggregated under the ferromagnetic material forming the negative pattern. FIG. 20d shows a state in which the pattern was formed by removing the negative pattern after the magnetic field application was stopped, then evaporating the solvent, and further fusing the hot melt by heating. FIG. 20e shows a state in which an electroless plating pattern 27 is formed on the surface 26 by performing electroless plating.

(分散液体の作製)
ポリビニルアルコール(株式会社クレハ製;PVA124)5部、酸化鉄ナノ粒子(シーアイ化成株式会社製;NanoTek Fe2O3) 1部、水100部を80℃×12時間超音波ホモジナイザー(株式会社エス・エム・テー製;UH-600S)を用いて分散させた後、室温まで冷却し、ピロメリト酸3部、六フッ化クロム0.2部、塩化パラジウム0.08部を加え室温で1時間攪拌した。このとき、液温が上がらないように冷却しながら攪拌した。これをテフロンシートに薄く広げて、乾燥させてフィルムを得た後、細かく砕いて約1μmの粉末23を作製した。この粉末23及びポリスチレン粒子22(モリテックス株式会社製5000シリーズ、粒子径1μm)を各10部ずつをエタノール100部に分散させ、分散液体を作製した。
(Preparation of dispersion liquid)
Polyvinyl alcohol (manufactured by Kureha Co., Ltd .; PVA124), iron oxide nanoparticles (manufactured by CI Kasei Co., Ltd .; NanoTek Fe 2 O 3 ), 100 parts of water at 80 ° C. for 12 hours using an ultrasonic homogenizer (S. (Met; UH-600S) and then cooled to room temperature, added with 3 parts pyromellitic acid, 0.2 part chromium hexafluoride and 0.08 part palladium chloride, and stirred at room temperature for 1 hour. . At this time, stirring was performed while cooling so that the liquid temperature did not rise. This was spread thinly on a Teflon sheet, dried to obtain a film, and then finely crushed to produce a powder 23 of about 1 μm. 10 parts of each of this powder 23 and polystyrene particles 22 (Mortex Co., Ltd. 5000 series, particle size 1 μm) were dispersed in 100 parts of ethanol to prepare a dispersion liquid.

(塗布)
上記で作製した分散液体を、図20aに示されるガラス基板上に、200μmの液厚になるように塗布し、各粒子が沈降するまで静置した。
(Application)
The dispersion liquid prepared above was applied on the glass substrate shown in FIG. 20a so as to have a liquid thickness of 200 μm and allowed to stand until each particle settled.

(ネガパターンの作製)
50×50×0.3mmの純度99.998%の鉄箔10枚を、50×25×0.3mmのPETフィルム9枚をギャップにして、2片を合わせて重ね合わせ、一辺にギャップ0.3mmの空間を有する鉄箔の積層体を作製し、これをネガパターン20とした。
(Negative pattern production)
10 sheets of 50 × 50 × 0.3 mm purity 99.998% iron foil, 9 pieces of 50 × 25 × 0.3 mm PET film as a gap, and two pieces are overlapped together, with a gap of 0.1 mm on one side. A laminate of iron foil having a space of 3 mm was produced, and this was used as a negative pattern 20.

(ネガパターンの設置)
図20bに示すように、上記で作製したネガパターンを、塗膜を形成した基板上に設置し、更に、沈降した粒子層から5μmの距離に位置するように近接させた。
(Installation of negative pattern)
As shown in FIG. 20b, the negative pattern prepared above was placed on the substrate on which the coating film was formed, and was further brought close to the settled particle layer at a distance of 5 μm.

(磁場の印加)
図20cに示すように、ネガパターンに対して垂直に0.5T(テスラ)の縦磁場を30秒印加して、粒子22をネガパターンのギャップの下に、粒子23を鉄箔の下に集合させた。
(Application of magnetic field)
As shown in FIG. 20c, a vertical magnetic field of 0.5 T (Tesla) is applied for 30 seconds perpendicularly to the negative pattern, and the particles 22 are gathered under the negative pattern gap and the particles 23 are gathered under the iron foil. I let you.

(粒子パターンの乾燥、固化)
次に、図20dに示すように、磁場の印加を停止した後、ネガパターン20をゆっくりと引き抜いた後、室温で24時間かけて粒子のパターンを乾燥させた。次いで、粒子からなるパターンを200℃で60分間加熱することにより、粒子同士を融着し、更に冷却することで固化した。
(Drying and solidification of particle pattern)
Next, as shown in FIG. 20d, after the application of the magnetic field was stopped, the negative pattern 20 was slowly pulled out, and then the particle pattern was dried at room temperature for 24 hours. Subsequently, the pattern which consists of particles was heated at 200 degreeC for 60 minutes, the particle | grains were fuse | melted, and it solidified by further cooling.

(無電解めっき)
水50部に硝酸銀3.7部を溶かした後、アンモニア水溶液(28%)をpHが9.5になるまで加えた溶液に、ブドウ糖水溶液(5%)を50部加えたものを作製した。そこに、希塩酸(0.5N)で30分間洗浄した後、純水で30分間洗浄したパターンを1時間浸漬し、図20eに示すように、パターン26表面に銀メッキ27を析出させた。
(Electroless plating)
After dissolving 3.7 parts of silver nitrate in 50 parts of water, a solution in which 50 parts of an aqueous glucose solution (5%) was added to a solution in which an aqueous ammonia solution (28%) was added until the pH reached 9.5 was prepared. Then, after washing with diluted hydrochloric acid (0.5N) for 30 minutes, the pattern washed with pure water for 30 minutes was immersed for 1 hour to deposit silver plating 27 on the surface of the pattern 26 as shown in FIG. 20e.

(パターン形成状態の確認)
作製したパターンを光学顕微鏡で観察した結果、図21に示すように、基板表面に銀メッキのライン28が形成されていることが確認できた。
(Confirmation of pattern formation)
As a result of observing the produced pattern with an optical microscope, it was confirmed that a silver plating line 28 was formed on the substrate surface as shown in FIG.

なお、例えば、下記に示すような製造装置またはシステムを用いることにより、図21に示すような電子部材(装置)を、短時間に、低い製造コストで、安全に安定して製造することができる。
電子部材(装置)の製造装置としては、図20a、20bに示すように、ガラス基板を設置し、その上部にネガパターン20を配置するネガパターン配置部と、図20aに示すように、分散液体22、23、24をガラス基板に供給する流動性物質供給手段と、図20cに示すように、ガラス基板に所定の磁場3を印加する磁場印加手段と、形成されたパターンを乾燥、融着させて固化させるパターン固化手段とを備えることが考えられる。
For example, by using a manufacturing apparatus or system as shown below, an electronic member (apparatus) as shown in FIG. 21 can be manufactured safely and stably at a low manufacturing cost in a short time. .
As an apparatus for manufacturing an electronic member (apparatus), as shown in FIGS. 20a and 20b, a glass substrate is placed, and a negative pattern placement portion for placing the negative pattern 20 on top thereof, and a dispersion liquid as shown in FIG. 20a. The flowable substance supplying means for supplying 22, 23, 24 to the glass substrate, the magnetic field applying means for applying a predetermined magnetic field 3 to the glass substrate as shown in FIG. 20c, and the formed pattern is dried and fused. It is conceivable to provide a pattern solidifying means for solidifying the film.

以上のように、本発明のパターン形成方法を用いることにより、ネガパターンとポジパターンを非接触で作製することが可能であり、離型の問題や型の磨耗に伴う寿命の問題を解決することができる。また、電場及び/又は磁場を用いたパターン形成法は、ネガパターンの極細かい傷を、電気力線及び/又は磁力線同士の反発に伴う緩和によって無効化させることができるので、比較的荒いパターンでも鏡面パターニングを行うことができる。また、電場及び/又は磁場を用いたパターン形成法は、電場及び/又は磁場の印加方向を変えることにより、ネガパターンよりも一回り小さいポジパターンを形成できるため、型抜き困難なアスペクト比の高いパターンや首周りが小さいマッシュルーム形状もパターニングすることができる。
また、ネガパターンの内部に電気力及び/又は磁気力で流動性を有する物質が押し込まれるため、細長いパターンでも液の入り込みが良く、パターンの転写性度を上げることができる。また、誘電率及び/又は磁化率の異なる物質を一括でパターニングすることも可能である。このような特性を利用することにより、マイクロレンズ形状や、LEDの透明封止剤の成型、マイクロサイズのマジックテープ(登録商標)、めっきパターンと絶縁膜との一括形成に好ましく応用することができる。
As described above, by using the pattern forming method of the present invention, it is possible to produce a negative pattern and a positive pattern in a non-contact manner, and solve the problem of mold release and the problem of lifetime due to mold wear. Can do. In addition, the pattern formation method using an electric field and / or a magnetic field can invalidate the fine flaws of the negative pattern by relaxation associated with the repulsion between the electric lines of force and / or the lines of magnetic force. Mirror patterning can be performed. Moreover, the pattern formation method using an electric field and / or a magnetic field can form a positive pattern that is slightly smaller than the negative pattern by changing the application direction of the electric field and / or magnetic field, and thus has a high aspect ratio that is difficult to die-cut. Patterns and mushroom shapes with a small neck circumference can also be patterned.
Further, since a substance having fluidity is pushed into the negative pattern by electric force and / or magnetic force, the liquid can be easily introduced even in an elongated pattern, and the pattern transferability can be increased. It is also possible to pattern materials having different dielectric constants and / or magnetic susceptibility all at once. By utilizing such characteristics, it can be preferably applied to the microlens shape, the molding of LED transparent sealant, the micro-sized magic tape (registered trademark), and the batch formation of the plating pattern and the insulating film. .

相対的に誘電率及び/又は磁化率が大きい物質1と相対的に誘電率及び/又は磁化率が小さい物質2とからなる概略板状のネガパターンに、法線方向から電場及び/又は磁場3を印加することで電気力線及び/又は磁力線4を1に吸い込ませ、電束及び/又は磁束密度の高い領域5をネガパターンに沿って発生させた様子を表す図である。An electric and / or magnetic field 3 from the normal direction into a substantially plate-like negative pattern comprising a material 1 having a relatively high dielectric constant and / or magnetic susceptibility and a material 2 having a relatively low dielectric constant and / or magnetic susceptibility. It is a figure showing a mode that electric field lines and / or lines of magnetic force 4 were sucked into 1, and field 5 with high electric flux and / or magnetic flux density was generated along a negative pattern by applying. (a)は、空気よりも相対的に誘電率及び/又は磁化率が大きい流動性を有する物質に、電場及び/又は磁場を印加したときの表面のうねりの形状を示す図であり、(b)は、空気よりも相対的に誘電率及び/又は磁化率が小さい流動性を有する物質に、電場及び/又は磁場を印加したときの表面のうねりの形状を示す図である。(A) is a figure which shows the shape of the wave | undulation of the surface when an electric field and / or a magnetic field are applied to the substance which has the fluidity | liquidity with a larger dielectric constant and / or magnetic susceptibility than air, (b) ) Is a diagram showing the shape of surface undulation when an electric field and / or magnetic field is applied to a material having fluidity having a dielectric constant and / or magnetic susceptibility relatively smaller than air. 誘電率及び/又は磁化率が異なる物質で作製したネガパターンに、電場及び/又は磁場を印加したときに発生する電束及び/又は磁束密度の粗密差からなるパターンの有効距離を示す模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram showing an effective distance of a pattern formed by a density difference of electric flux and / or magnetic flux density generated when an electric field and / or magnetic field is applied to a negative pattern made of a material having different dielectric constant and / or magnetic susceptibility. is there. (a)は、電場及び/又は磁場を印加する前の流動性を有する物質の表面と、ネガパターンの位置関係を示す図であり、(b)は、電場及び/又は磁場を印加した後の流動性を有する物質の表面形状の変化を示す図である。(A) is a figure which shows the positional relationship of the surface of the substance which has the fluidity before applying an electric field and / or a magnetic field, and a negative pattern, (b) is after applying an electric field and / or a magnetic field. It is a figure which shows the change of the surface shape of the substance which has fluidity | liquidity. (a)は、逆テーパーを有するネガパターンに沿って転写された空気よりも相対的に誘電率及び/又は磁化率が小さい流動性を有する物質の表面形状を示す図であり、(b)は、開口部が空孔よりも小さいネガパターンに沿って転写された空気よりも相対的に誘電率及び/又は磁化率が小さい流動性を有する物質の表面形状を示す図である。(A) is a figure which shows the surface shape of the substance which has the fluidity | liquidity whose dielectric constant and / or magnetic susceptibility are relatively smaller than the air transcribe | transferred along the negative pattern which has a reverse taper, (b) FIG. 5 is a diagram showing a surface shape of a substance having fluidity whose relative permittivity and / or magnetic susceptibility is relatively smaller than air transferred along a negative pattern in which an opening is smaller than a hole. (a)は、ネガパターン面に概略平行に電場及び/又は磁場を印加したときの電束及び/又は磁束密度分布と、空気よりも相対的に誘電率及び/又は磁化率が小さい流動性を有する物質の表面形状を示す図であり、(b)は、ネガパターン面に概略平行に電場及び/又は磁場を印加したときの電束及び/又は磁束密度分布と、空気よりも相対的に誘電率及び/又は磁化率が大きい流動性を有する物質の表面形状を示す図である。(A) shows the electric flux and / or magnetic flux density distribution when an electric field and / or magnetic field is applied substantially parallel to the negative pattern surface, and fluidity having a dielectric constant and / or magnetic susceptibility relatively smaller than air. FIG. 7B is a diagram showing the surface shape of a substance having the electric flux and / or magnetic flux density distribution when an electric field and / or magnetic field is applied substantially parallel to the negative pattern surface, and a dielectric relative to air. It is a figure which shows the surface shape of the substance which has the fluidity | liquidity with a large rate and / or magnetic susceptibility. 固化形成することでポジパターンを形成する流動性を有する物質と、誘電率及び/又は磁化率の異なる第二の流動性のある物質で二層構造を形成し、電気力及び/又は磁気力による流動性を有する物質の移動を増強する方法を示す図である。A two-layer structure is formed with a fluid material that forms a positive pattern by solidification and a second fluid material that has a different dielectric constant and / or magnetic susceptibility, and is based on electric and / or magnetic force. It is a figure which shows the method of enhancing the movement of the substance which has fluidity | liquidity. 流動性を有する物質が液体である場合、電気力及び/又は磁気力によるパターニンングを、基板表面との濡れ性の差によってアシストする方法を示す図である。It is a figure which shows the method of assisting the patterning by an electric force and / or a magnetic force by the difference in wettability with a substrate surface, when the substance which has fluidity | liquidity is a liquid. 代表的な磁場の発生源と、その磁束密度を表す表である。It is a table | surface showing the generation source of a typical magnetic field, and its magnetic flux density. 単体のグラム磁化率を示す表である。It is a table | surface which shows the gram magnetic susceptibility of a single-piece | unit. 有機化合物のグラム磁化率を示す表である。It is a table | surface which shows the gram magnetic susceptibility of an organic compound. 常磁性遷移元素のモル磁化率を示す表である。It is a table | surface which shows the molar magnetic susceptibility of a paramagnetic transition element. 強磁性体のモル磁化率を示す表である。It is a table | surface which shows the molar magnetic susceptibility of a ferromagnetic. CCDイメージセンサーの模式図である。It is a schematic diagram of a CCD image sensor. ネガパターンの開口部がCCDイメージセンサーのフォトディテクター部の直上に位置するように配した模式図である。It is the schematic diagram arrange | positioned so that the opening part of a negative pattern may be located just above the photo-detector part of a CCD image sensor. 磁気力によるパターニングをアシストする第二の液体の層を形成した様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the layer of the 2nd liquid which assists the patterning by a magnetic force was formed. 磁気力で流動性を有する物質と第二の液体の界面をレンズ形状にうねらせた様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the interface of the substance which has fluidity | liquidity with a magnetic force, and the 2nd liquid was made into the lens shape. 作製したレンズ形状を模式的に示した図である。It is the figure which showed the produced lens shape typically. CCDイメージセンサー表面に形成したマイクロレンズの光学顕微鏡写真である。2 is an optical micrograph of a microlens formed on the surface of a CCD image sensor. UV硬化性の透明液状樹脂を塗布したガラス基板を示す図である。It is a figure which shows the glass substrate which apply | coated UV curable transparent liquid resin. ネガパターンを塗膜に近接させた状態を示す図である。It is a figure which shows the state which made the negative pattern adjoin to the coating film. 磁気力によるパターニングをアシストする第二の液体の層を形成した様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the layer of the 2nd liquid which assists the patterning by a magnetic force was formed. 磁気力で流動性を有する物質と第二の液体の界面をうねらせ、ネガパターンの空孔内部まで侵入させた様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the interface of the substance which has fluidity | liquidity with a magnetic force, and the 2nd liquid was made to invade | invade to the inside of the void | hole of a negative pattern. 作製した高アスペクト比パターンを模式的に示した図である。It is the figure which showed the produced high aspect ratio pattern typically. 高アスペクト比パターンの光学顕微鏡写真である。It is an optical micrograph of a high aspect ratio pattern. 反磁性のUV硬化性樹脂塗膜を形成したガラス基板を示す図である。It is a figure which shows the glass substrate in which the diamagnetic UV curable resin coating film was formed. 強磁性体で作製したネガパターンを塗膜15に接近させた状態で固定した様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the negative pattern produced with the ferromagnetic material was fixed in the state made to approach the coating film 15. FIG. 常磁性かつ塗膜に概略不溶の液体からなる層を形成した様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the layer which consists of a paramagnetism and a substantially insoluble liquid in a coating film was formed. 磁場をネガパターンの法線方向から印加し、塗膜の液面をうねらせパターンを形成した様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the magnetic field was applied from the normal line direction of the negative pattern, and the liquid level of the coating film was swelled and the pattern was formed. パターンをUV硬化した後、ネガパターンと常磁性体の層を取り除き突起パターンを形成した様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the negative pattern and the paramagnetic layer were removed and the projection pattern was formed after UV-curing the pattern. マッシュルーム形状の突起パターンの光学顕微鏡写真である。It is an optical micrograph of a mushroom-shaped projection pattern. 反磁性のホットメルト粒子と、触媒核と、強磁性体のナノ粒子を練り込んだホットメルト粒子とを溶媒に分散させて作製した分散液を、ガラス基板に塗布した様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the dispersion liquid produced by disperse | distributing the diamagnetic hot-melt particle, the catalyst nucleus, and the hot-melt particle which knead | mixed the nanoparticle of ferromagnetic material to the solvent was applied to the glass substrate. 強磁性体で作製したネガパターンを粒子に接近させた状態で固定した様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the negative pattern produced with the ferromagnetic material was fixed in the state made to approach particle | grains. 磁場をネガパターンの法線方向から印加し、反磁性を示す粒子をネガパターンの孔の中に、強磁性を示す粒子をネガパターンを形成する強磁性体の下に集合させた様子を示す図である。A diagram showing a state in which a magnetic field is applied from the normal direction of the negative pattern, particles exhibiting diamagnetism are aggregated in the holes of the negative pattern, and particles exhibiting ferromagnetism are aggregated under the ferromagnetic material forming the negative pattern. It is. 磁場印加を停止した後ネガパターンを取り外し、次いで溶媒を蒸散させ、更に加熱することでホットメルトを融着させることにより、パターンを形成した様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the pattern was formed by removing a negative pattern after stopping a magnetic field application, then evaporating a solvent, and also fusing a hot melt by heating. 無電解めっきを行うことにより触媒核を練り込んだ樹脂の表面に無電解めっきパターンを形成した様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the electroless-plating pattern was formed in the surface of resin which kneaded the catalyst nucleus by performing electroless plating. 無電解めっきパターンの光学顕微鏡写真である。It is an optical microscope photograph of an electroless plating pattern. ネガパターンを傾けて用いることで、重力と誘電率及び/又は磁化率とが釣り合う位置に3以上の粒子をパターニングする場合を示す図である。It is a figure which shows the case where 3 or more particle | grains are patterned in the position where gravity, a dielectric constant, and / or a magnetic susceptibility balance by using a negative pattern inclined.

符号の説明Explanation of symbols

1 相対的に誘電率及び/又は磁化率が大きい物質
2 相対的に誘電率及び/又は磁化率が小さい物質
3 電場及び/又は磁場の印加方向
4 電気力線及び/又は磁力線
5 電束及び/又は磁束密度が相対的に高い領域
6 空気よりも相対的に誘電率及び/又は磁化率が大きい流動性を有する物質に電場及び/又は磁場を印加したときの表面のうねりの形状
7 空気よりも相対的に誘電率及び/又は磁化率が小さい流動性を有する物質に電場及び/又は磁場を印加したときの表面のうねりの形状
8 パターンの幅
9 電束及び/又は磁束密度の粗密差が緩和する距離
10 ネガパターンに形成された空孔
11 開口部
12 ネガパターンに形成された空孔に電気力及び/又は磁気力によって吸い込まれた相対的に空気よりも誘電率及び/又は磁化率が小さい流動性を有する物質の表面
13 ポジパターンを形成する流動性を有する物質と概略混ざらず、更に誘電率及び/又は磁化率が異なる流動性を有する物質
12 流動性を有する物質と相対的に濡れ易い基板
13 流動性を有する物質と相対的に濡れにくい基板
14 フォトディテクター
15 高屈折率で透明な液状のUV硬化性樹脂
16 強磁性体で形成したネガパターン
17 塩化マンガン水溶液
18 レンズ形状のポジパターン19 ガラス基板
20 開口部が狭くなった空孔を有する強磁性体で形成したネガパターン
21 マッシュルーム形状の突起パターン
22 ポリスチレン粒子(反磁性のホットメルト粒子)
23 酸化鉄ナノ粒子、塩化パラジウム、六フッ化クロム、ピロメリト酸が複合されたポリビニルアルコールの粒子(ナノ粒子を練り込んだホットメルト粒子)
24 エタノール(溶媒)
25 融着したポリスチレン
26 融着したポリビニルアルコール複合体
27 銀メッキ層
28 銀メッキ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Material with a relatively large dielectric constant and / or magnetic susceptibility 2 Material with a relatively small dielectric constant and / or magnetic susceptibility 3 Application direction of electric field and / or magnetic field 4 Electric field lines and / or magnetic field lines 5 Electric flux and / or Or the region 6 having a relatively high magnetic flux density 6 The shape of the surface undulation when an electric field and / or magnetic field is applied to a fluid material having a dielectric constant and / or magnetic susceptibility that is relatively higher than that of air 7 rather than air Surface waviness shape when an electric and / or magnetic field is applied to a fluid material having a relatively small dielectric constant and / or magnetic susceptibility 8 Pattern width 9 Pattern density and / or magnetic flux density difference is alleviated Distance 10 to be formed Hole 11 formed in the negative pattern 12 Opening portion 12 The dielectric constant and / or magnetic susceptibility is relatively smaller than the air sucked into the hole formed in the negative pattern by the electric force and / or the magnetic force. Flow The surface of the material having the property 13 The material having the fluidity which is not substantially mixed with the material having the fluidity forming the positive pattern and having a different dielectric constant and / or magnetic susceptibility 12 The substrate which is relatively easily wetted with the material having the fluidity 13 A substrate that is relatively difficult to wet with a substance having fluidity 14 A photodetector 15 A liquid UV curable resin 16 having a high refractive index and a transparent liquid 16 A negative pattern 17 made of a ferromagnetic material 17 A manganese chloride aqueous solution 18 A lens-shaped positive pattern 19 Glass Substrate 20 Negative pattern 21 formed of a ferromagnetic material having pores with a narrow opening portion Mushroom-shaped projection pattern 22 Polystyrene particles (diamagnetic hot melt particles)
23 Particles of polyvinyl alcohol in which iron oxide nanoparticles, palladium chloride, chromium hexafluoride and pyromellitic acid are combined (hot melt particles in which nanoparticles are kneaded)
24 Ethanol (solvent)
25 Fused polystyrene 26 Fused polyvinyl alcohol composite 27 Silver plating layer 28 Silver plating

Claims (9)

誘電率及び/又は磁化率が異なる2以上の物質からなるネガパターンに電場及び/又は磁場を印加して電気力線及び/又は磁力線の疎密差を前記ネガパターンの近傍に発生させ、前記電気力線及び/又は磁力線の疎密差に沿って少なくとも1以上の流動性のある物質を移動させて所望のポジパターンを形成する方法であって、前記ネガパターンの内部に前記流動性のある物質の少なくとも一部が進入することでポジパターンを形成し、更に該ポジパターンの少なくとも一部を固化形成することを特徴とするパターン形成方法。   An electric field and / or magnetic field is applied to a negative pattern made of two or more substances having different dielectric constants and / or magnetic susceptibility to generate a density difference between electric lines of force and / or lines of magnetic force in the vicinity of the negative pattern, and the electric force A method for forming a desired positive pattern by moving at least one or more fluid substances along a density difference between lines and / or lines of magnetic force, wherein at least one of the fluid substances is formed inside the negative pattern. A pattern forming method comprising: forming a positive pattern by partly entering, and further solidifying and forming at least a part of the positive pattern. 前記ネガパターンを形成する物質に1以上の開口部を有するネガパターンが形成されており、前記開口部を有するネガパターン内部に空気よりもポジパターンを形成する流動性を有する物質との比重差が小さく、空気よりもポジパターンを形成する流動性を有する物質との誘電率及び/又は磁化率の差が大きい流動性を有する物質が入っており、電場及び/又は磁場を印加することで前記開口部内部の流動性を有する物質とポジパターンを形成する流動性を有する物質の少なくとも一部が置換されることによりポジパターンを形成し、更に該ポジパターンの少なくとも一部を固化形成することを特徴とする請求項1記載のパターン形成方法。   A negative pattern having one or more openings is formed in the material forming the negative pattern, and there is a difference in specific gravity between the negative pattern having the openings and a fluid material that forms a positive pattern rather than air. It contains a material having a fluidity that is small and has a large difference in dielectric constant and / or magnetic susceptibility from the material having fluidity that forms a positive pattern than air, and the opening is applied by applying an electric field and / or magnetic field. Forming a positive pattern by substituting at least part of the substance having fluidity forming a positive pattern with the substance having fluidity inside the portion, and further solidifying and forming at least part of the positive pattern. The pattern forming method according to claim 1. 前記ネガパターンを固化形成可能な流動性を有する物質の表面で任意の方向に移動させることにより連続的にパターンを形成し、かつ連続的に前記パターンの少なくとも一部分を固化形成することを特徴とする請求項1または2記載のパターン形成方法。   A pattern is continuously formed by moving the negative pattern in an arbitrary direction on the surface of a material having fluidity that can be solidified, and at least a part of the pattern is continuously solidified. The pattern formation method of Claim 1 or 2. 前記流動性のある物質として液体を用いて基板表面にポジパターンを形成する場合に、前記液体と電気力及び/又は磁気力により前記液体を集める部分の基板表面との濡れ性を良くすることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項記載のパターン形成法。   When a positive pattern is formed on a substrate surface using a liquid as the fluid substance, the wettability between the liquid and a portion of the substrate that collects the liquid by electric force and / or magnetic force is improved. The pattern forming method according to claim 1, wherein the pattern forming method is a pattern forming method. 請求項1〜4の何れか1項記載のパターン形成方法を繰り返すことによって、2以上の層を有するパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。 A pattern forming method comprising: forming a pattern having two or more layers by repeating the pattern forming method according to claim 1. 電子装置の製造法であって、請求項1〜5の何れか1項記載のパターン形成方法を用いて電子製品に所望のパターンを形成することを特徴とする電子装置の製造方法。   An electronic device manufacturing method, wherein a desired pattern is formed on an electronic product using the pattern forming method according to claim 1. 光学装置の製造法であって、請求項1〜5の何れか1項記載のパターン形成方法を用いて光学装置に所望のパターンを形成することを特徴とする光学装置の製造方法。   A method for manufacturing an optical device, wherein a desired pattern is formed on the optical device using the pattern forming method according to claim 1. 電子装置の製造装置であって、請求項1〜5の何れか1項記載のパターン形成方法を用いて電子装置に所望のパターンを形成することを特徴とする電子装置の製造装置。   An apparatus for manufacturing an electronic apparatus, wherein a desired pattern is formed on the electronic apparatus using the pattern forming method according to any one of claims 1 to 5. 光学装置の製造装置であって、請求項1〜5の何れか1項記載のパターン形成方法を用いて光学装置に所望のパターンを形成することを特徴とする光学装置の製造装置。   An apparatus for manufacturing an optical apparatus, wherein a desired pattern is formed on the optical apparatus using the pattern forming method according to any one of claims 1 to 5.
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