JP2009544996A - 可飽和吸収キャビティによる高レベルの全光再生用受動部品 - Google Patents
可飽和吸収キャビティによる高レベルの全光再生用受動部品 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009544996A JP2009544996A JP2009521299A JP2009521299A JP2009544996A JP 2009544996 A JP2009544996 A JP 2009544996A JP 2009521299 A JP2009521299 A JP 2009521299A JP 2009521299 A JP2009521299 A JP 2009521299A JP 2009544996 A JP2009544996 A JP 2009544996A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mirror
- component
- reflectivity
- optical
- reflectance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/3523—Non-linear absorption changing by light, e.g. bleaching
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/17—Multi-pass arrangements, i.e. arrangements to pass light a plurality of times through the same element, e.g. by using an enhancement cavity
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2202/00—Materials and properties
- G02F2202/10—Materials and properties semiconductor
- G02F2202/108—Materials and properties semiconductor quantum wells
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
Description
《式1》
を可能な限り満たすように部品の構成を配列することによって得られる。
《式2》
のように記述される。
《式3》
を満たすことによって判断可能である。
−高レベルの信号を受動的に再生するための、本発明による部品を備える電気通信光信号処理デバイス;
−低レベルの信号を受動的に再生するための第2の部品少なくとも1つにより先行される、高レベルの電気通信光信号を受動的に再生するための、本発明による第1の部品少なくとも1つを備える電気通信光信号処理デバイスであって、前記第2の部品が、反射率Rbのリアミラーと反射率Rfのフロントミラー間に挿入される、吸収率α0Lの吸収体によって形成される少なくとも1つの可飽和吸収体キャビティ(absorber cavity)を備えており、前記反射率は、インピーダンス適合関係Rf=exp(−2α0L)Rbに実質的に準拠している、前記電気通信光信号処理デバイス;
−高レベル及び低レベルの信号を受動的に再生するための、本発明による少なくとも1つのモノリシックコンポーネントを備える電気通信光信号処理デバイス。
Claims (23)
- 第1のいわゆるリアミラー(M1)と、入射信号側に位置する第2のミラー(M2)との間に形成される可飽和吸収共振キャビティ(C1)における反射によって動作する光信号を処理するための光学部品であって、前記第2のミラーの反射率が前記リアミラーの反射率以上である前記光学部品。
- 金属タイプであって基板側に位置する第1のいわゆるリアミラー(M1)と、第2のミラー(M2)との間の基板に形成される可飽和吸収共振キャビティ(C1)における反射によって動作する光信号を処理するための光学部品であって、前記第2のミラーの反射率が前記リアミラーの反射率以上である前記光学部品。
- 第2のミラー(M2)の反射率が厳密には前記リアミラー(M1)の反射率より大きいことを特徴とする、請求項1又は2に記載の部品。
- 第2のミラー(M2)と、前記第2のミラーに対する入射信号側に位置する第3のミラー(M3)との間に形成される第2の可飽和吸収共振キャビティ(C2)を備えることを特徴とする、請求項1又は3に記載の部品。
- 第2のミラー(M2)の反射率が第3のミラー(M3)の反射率以上であることを特徴とする、請求項4に記載の部品。
- 可飽和吸収体(αL1、αL2)が、バリア層(BA)と、量子井戸を生成する層(QW)との少なくとも1つの交互配列を備えることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載の部品。
- 少なくとも1つの量子井戸層(QW)が半導体から生成され、その化学組成が、そこへ隣接する少なくとも1つのバリア層(BA)と共通の少なくとも1つの原子又はアニオンを有することを特徴とする、請求項6に記載の部品。
- 可飽和吸収体(αL1、αL2)が、量子ドット又はボックスの平面を生成する少なくとも1つの層を備えることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか一項に記載の部品。
- ミラー(M1、M2)のうちの少なくとも一方が、反射しない電磁エネルギーの大部分を通過させるように生成されることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか一項に記載の部品。
- リアミラー(M1)が、反射しない電磁エネルギーの大部分を通過させるように生成され、そして、前記リアミラーが、部品の動作波長で、基板により受信される電磁エネルギーの大部分を通過させる前記基板(S)上に戴置されることを特徴とする、請求項1又は3〜8のいずれか一項に記載の部品。
- ミラー(M1、M2、M3)のうちの少なくとも1つが、ブラッグミラーを形成する半導体層のエピタキシーによって生成されることを特徴とする、請求項1〜10のいずれか一項に記載の部品。
- ミラー(M1、M2、M3)のうちの少なくとも1つが、ブラッグミラーを形成する誘電層を堆積することによって生成されることを特徴とする、請求項1〜11のいずれか一項に記載の部品。
- 請求項1〜12のいずれか一項に記載の少なくとも1つの部品を備える、電気通信光信号を処理するためのデバイス。
- 請求項1〜12のいずれか一項に記載の少なくとも1つの部品(Regen1、Regen10)を備える、マルチチャネル電気通信光信号を処理するためのデバイス。
- 少なくとも1つの第2の部品(Regen0)により先行される、請求項1〜12のいずれか一項に記載の少なくとも1つの第1の部品(Regen1、Regen10)を備える電気通信光信号を処理するためのデバイスであって、
前記第2の部品が、反射率Rbのリアミラーと反射率Rfのフロントミラーとの間に挿入される吸収率α0Lの吸収体によって形成される少なくとも1つの可飽和吸収体キャビティを備えており、前記反射率が、インピーダンス適合関係Rf=exp(−2α0L)Rbに実質的に準拠する前記デバイス。 - 請求項4〜12のいずれか一項に記載の少なくとも1つのモノリシックコンポーネント(Regen10)を備える、電気通信光信号を処理するためのデバイス。
- 請求項1〜12のいずれか一項に記載の光信号を処理するための光学部品を生成する方法であって、
第1のいわゆるリアミラー(M1)と、入射信号側に位置する第2のミラー(M2)との間に可飽和吸収共振キャビティ(C1)を形成する層を積層することを含み、そして、前記第2のミラーの反射率が前記リアミラーの反射率以上であることを含む、前記方法。 - 少なくとも1つの層が低温エピタキシャル成長によって形成されることを特徴とする、請求項17に記載の方法。
- 少なくとも1つの層への不純物の組み込みを含むことを特徴とする、請求項17又は18に記載の方法。
- 少なくとも1つの層のイオン照射を含むことを特徴とする、請求項17〜19のいずれか一項に記載の方法。
- 高レベルの前記信号の再生を実行するための、請求項1〜16のいずれか一項に記載の少なくとも1つの部品又はデバイスを使用する、電気通信信号を処理するための方法。
- 請求項17〜20のいずれか一項に記載の方法を実施する製造システム。
- 請求項1〜16のいずれか一項に記載の少なくとも1つの部品又はデバイスを備える電気通信システム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0606845A FR2904438B1 (fr) | 2006-07-26 | 2006-07-26 | Composant passif de regeneration tout optique des niveaux hauts par cavite a absorbants saturables. |
FR0606845 | 2006-07-26 | ||
PCT/FR2007/001282 WO2008012437A1 (fr) | 2006-07-26 | 2007-07-25 | Composant passif de régénération tout optique des niveaux hauts par cavité à absorbants saturables |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009544996A true JP2009544996A (ja) | 2009-12-17 |
JP5089692B2 JP5089692B2 (ja) | 2012-12-05 |
Family
ID=37684428
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009521299A Expired - Fee Related JP5089692B2 (ja) | 2006-07-26 | 2007-07-25 | 可飽和吸収キャビティによる高レベルの全光再生用受動部品 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090279901A1 (ja) |
EP (1) | EP2052291B1 (ja) |
JP (1) | JP5089692B2 (ja) |
AT (1) | ATE538410T1 (ja) |
CA (1) | CA2659146A1 (ja) |
FR (1) | FR2904438B1 (ja) |
WO (1) | WO2008012437A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USRE45559E1 (en) | 1997-10-28 | 2015-06-09 | Apple Inc. | Portable computers |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
PL388056A1 (pl) * | 2009-05-18 | 2010-11-22 | Instytut Technologii Elektronowej | Sposób skrócenia czasu relaksacji absorberów SESAM |
FR3016743B1 (fr) * | 2014-01-20 | 2016-03-04 | Centre Nat Rech Scient | Procede de fabrication de miroirs a absorbant saturable semiconducteur |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005525588A (ja) * | 2002-01-22 | 2005-08-25 | サントル・ナショナル・ドゥ・ラ・レシェルシュ・サイエンティフィーク−セ・エン・エール・エス− | 可飽和吸収素子及び可飽和吸収素子の製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5237577A (en) * | 1991-11-06 | 1993-08-17 | At&T Bell Laboratories | Monolithically integrated fabry-perot saturable absorber |
US6741619B1 (en) * | 2000-04-03 | 2004-05-25 | Massachusetts Institute Of Technology | Semiconductor elements for stabilizing laser output |
US6697548B2 (en) * | 2000-12-18 | 2004-02-24 | Evident Technologies | Fabry-perot opitcal switch having a saturable absorber |
FR2888430B1 (fr) * | 2005-07-08 | 2007-10-26 | Alcatel Sa | Structure a absorbant optique saturable pour dispositif de regeneration de signaux optiques |
-
2006
- 2006-07-26 FR FR0606845A patent/FR2904438B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-07-25 AT AT07823339T patent/ATE538410T1/de active
- 2007-07-25 EP EP07823339A patent/EP2052291B1/fr not_active Not-in-force
- 2007-07-25 WO PCT/FR2007/001282 patent/WO2008012437A1/fr active Application Filing
- 2007-07-25 CA CA002659146A patent/CA2659146A1/fr not_active Abandoned
- 2007-07-25 US US12/374,945 patent/US20090279901A1/en not_active Abandoned
- 2007-07-25 JP JP2009521299A patent/JP5089692B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005525588A (ja) * | 2002-01-22 | 2005-08-25 | サントル・ナショナル・ドゥ・ラ・レシェルシュ・サイエンティフィーク−セ・エン・エール・エス− | 可飽和吸収素子及び可飽和吸収素子の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USRE45559E1 (en) | 1997-10-28 | 2015-06-09 | Apple Inc. | Portable computers |
USRE46548E1 (en) | 1997-10-28 | 2017-09-12 | Apple Inc. | Portable computers |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA2659146A1 (fr) | 2008-01-31 |
FR2904438A1 (fr) | 2008-02-01 |
US20090279901A1 (en) | 2009-11-12 |
WO2008012437A1 (fr) | 2008-01-31 |
FR2904438B1 (fr) | 2008-10-24 |
EP2052291A1 (fr) | 2009-04-29 |
ATE538410T1 (de) | 2012-01-15 |
JP5089692B2 (ja) | 2012-12-05 |
EP2052291B1 (fr) | 2011-12-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Moody et al. | Chip-scale nonlinear photonics for quantum light generation | |
Bekele et al. | In‐Plane Photonic Crystal Devices Using Fano Resonances | |
Skogen et al. | Monolithically integrated active components: a quantum-well intermixing approach | |
Rizzo et al. | Petabit-scale silicon photonic interconnects with integrated kerr frequency combs | |
Guzzon et al. | Integrated InP-InGaAsP tunable coupled ring optical bandpass filters with zero insertion loss | |
US20040175174A1 (en) | Method and apparatus for ultrafast serial-to-parallel conversion and analog sampling | |
Xia et al. | Photonic integration using asymmetric twin-waveguide (ATG) technology: part I-concepts and theory | |
Yoo et al. | Terahertz information and signal processing by RF-photonics | |
JP5089692B2 (ja) | 可飽和吸収キャビティによる高レベルの全光再生用受動部品 | |
James et al. | Scaling comb-driven resonator-based DWDM silicon photonic links to multi-Tb/s in the multi-FSR regime | |
Fitsios et al. | High-gain 1.3 μm GaInNAs semiconductor optical amplifier with enhanced temperature stability for all-optical signal processing at 10 Gb/s | |
LeGrange et al. | Cascaded all-optical operations in a hybrid integrated 80-Gb/s logic circuit | |
Alipour-Banaei et al. | Important Effect of Defect Parameters on the Characteristics of Thue‐Morse Photonic Crystal Filters | |
EP0992842B1 (fr) | Dispositif de régénération d'un signal multiplexé en longueurs d'onde comprenant un absorbant saturable | |
Leuthold et al. | Linear and nonlinear semiconductor optical amplifiers | |
You et al. | Theoretical comparative analysis of BER in multi-channel systems with strip and photonic crystal silicon waveguides | |
Bonk et al. | Linear semiconductor optical amplifiers | |
Broeke | A wavelength converter integrated with a discretely tunable laser for wavelength division multiplexing networks | |
Kurczveil et al. | Innovative DWDM silicon photonics for high-performance computing | |
John et al. | Low-Loss Photonic Integration: Applications in Datacenters | |
Oudar | Ultrafast semiconductor all-optical processing devices for telecommunications applications | |
CN101399615B (zh) | 半导体光器件以及时钟恢复方法和装置 | |
McGeough | Semiconductor optical amplifiers to extend the reach of passive optical networks | |
Monteagudo‐Lerma et al. | III‐nitride‐based waveguides for ultrafast all‐optical signal processing at 1.55 μm | |
Moss | Design of integrated ring resonators with graphene oxide 2D films for four wave mixing |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100713 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110607 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110905 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110912 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111207 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120828 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120911 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150921 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |