JP2009512998A - ドープトシリコンをエッチングするプロセス及びシステム - Google Patents
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Abstract
ドープトシリコン層を介して異方性ドライエッチングを行う方法及びシステムが開示される。プロセス化学は窒素含有ガス及びフッ化炭素ガスを含む。例えば、このプロセス化学は、CF4、C4F8、及びN2を含む。
Description
本発明は、ドライプラズマプロセスを用いて基板上のドープトシリコン層をエッチングする方法及びシステムに関し、より具体的には、窒素含有ガス及びフッ化炭素ガスを用いてドープトシリコン層をエッチングする方法及びシステムに関する。
半導体技術の当業者に知られているように、デバイス性能を向上させ、且つ電力消費を削減するためには、半導体デバイスの大きさの低減が欠かせない。例えば、最新技術の歩みと足並みを揃えて、例えば電界効果トランジスタ(FET)を含む集積回路(IC)は、今や、50nm未満のゲート長で形成されている。しかしながら、ゲート長が50nm未満で形成されるとき、FETのスケーリングは、その製造方法を含めてこれらデバイスの構成によって制限されるようになる。例えば、VLSI技術がスケーリング限界に近付くに連れ、検討されるデバイス構造が現時点で幾つか存在する。このようなデバイス構造は、バルクMOSFET(金属−酸化物−半導体FET)、デュアルゲートMOSFET、及びSOI(シリコン・オン・インシュレータ)MOSFETである。先端的な半導体デバイスの製造において、シリコン層は、その中に形成された造形部の限界寸法が維持されたままでエッチングされる。これは、多くの場合、浅いドープトシリコン領域のエッチングと、それに続く非ドープトシリコン領域のエッチングとを必要とし、それらの各々が、造形部の限界寸法を保存することの助けとなる最適なプロセス化学を有している。
本発明は、基板上のドープトシリコン層をエッチングする方法及びシステムを提供することを目的とする。この方法は、窒素含有ガス及びフッ化炭素ガスを含むプロセス組成を用いることを有する。
また、本発明は、シリコン層が該シリコン層の厚さの一部にわたって延在するドープトシリコンのサブレイヤーを有する場合に、このシリコン層をエッチングする方法及びシステムを提供することを目的とする。この方法は、ドープトシリコンのサブレイヤーを第1のプロセス組成を用いてエッチングする工程、及び必要に応じて、残存する非ドープトシリコン層を第2のプロセス組成を用いてエッチングする工程を有する。第1のプロセス組成は窒素含有ガス及びフッ化炭素ガスを有する。
一実施形態に従って、基板上のシリコン層をエッチングする方法が開示される。ドーパントを含むシリコン層を有する基板がプラズマ処理システム内に配置される。窒素含有ガス及びフッ化炭素ガスを含むプロセス組成がプラズマ処理システム内に導入される。プラズマ処理システム内でプロセス組成からプラズマが形成される。シリコン層をエッチングするためにプラズマに基板が晒される。また、他の一実施形態に従って、この方法を実行するためのプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能媒体が用いられる。
更なる他の一実施形態に従って、基板上のシリコン層をエッチングするためのプラズマ処理システムが開示される。このプラズマ処理システムは、シリコン層をエッチングするために、プロセス組成からのプラズマの形成を促進させるプラズマ処理チャンバーを含んでいる。ここで、このシリコン層はドーパントを有する。プラズマ処理チャンバーに結合されたコントローラが、プロセス組成を用いてプロセスレシピを実行するように構成される。このプロセス組成は窒素含有ガス及びフッ化炭素ガスを含む。
材料処理方法において、パターンエッチングは、例えばフォトレジスト等の感光性材料から成る薄い層を基板の上面に塗布することを含んでいる。この層は、続いて、エッチング中に下地の薄膜にパターンを転写するマスクを提供するようにパターニングされる。感光性材料のパターニングは、一般に、例えばマイクロリソグラフィシステムを用いて放射線源によってレチクルを介して該感光性材料を露光すること、及びそれに続く、現像液を用いて感光性材料の照射部分(ポジ型フォトレジストの場合)又は非照射部分(ネガ型レジストの場合)を除去することを含んでいる。
例えば、図1A−1Cに示されるように、従来のリソグラフィ技術を用いて形成されたパターン2を有する感光層3から成るエッチングマスク6は、シリコン層4をエッチングするためのマスクとして使用されることができ、エッチングプロセスにより感光層3内のマスクパターン2がシリコン層4に転写される。エッチングマスク6は更に、例えば感光層3の下に位置する反射防止膜(ARC)等の複数の層を有していてもよい。感光層3内のパターン2はエッチングプロセスによって下地のARCに転写されることができる。
シリコン層4は、シリコン層4の厚さの一部にわたって延在するドープトシリコンのサブレイヤー7を有している。パターン2をシリコン層4に転写するエッチングプロセスにおいて、ドープトシリコンのサブレイヤー7は第1のプロセス組成を用いてエッチングされる。このシリコンサブレイヤーのドーパント濃度は、実質的にドーパントが存在しない濃度から、シリコン内でドーパントが達成し得る最大濃度までの範囲とし得る。例えば、ドーパントはリンであってもよく、そのドーパント濃度は、リンドーパントがおよそ存在しない濃度から、約5×1021原子/cm3の最大濃度までの範囲とし得る。他の例では、濃度は約1×1020原子/cm3から約4×1020原子/cm3までの範囲であってもよい。第1のプロセス組成は、ドーピングされていない残存する非ドープトシリコンのサブレイヤー8をエッチングするために用いられてもよい。必要に応じて、残存する非ドープトシリコンのサブレイヤー8は第2のプロセス組成を用いてエッチングされる。
下に位置する基板5の層にエッチングプロセスが入り込むことを防止しながらエッチングプロセスを停止させることを容易にするため、シリコン層4の下にエッチング停止層(図示せず)が用いられてもよい。エッチング停止層は、例えば、シリコン処理においては窒化シリコン又は炭化シリコンを含むことができる。さらに、シリコン層4の下に誘電体層(図示せず)が位置していてもよい。この誘電体層は、例えば、二酸化シリコン(SiO2)層などの酸化物層、高誘電率(high−k)誘電体層、又はシリコン酸窒化物層などの酸窒化物層などを含み得る。エッチングプロセスが行われると、感光性材料の残部とエッチング後の残渣が造形部9の表面に残される。例えば、感光性材料の残部及びエッチング残渣が、平らな領域(又は基板の上表面)、造形部9の側壁、又は造形部9の底面に見られる。
一実施形態に従ってパターン2をシリコン層4に転写するため、ドープトシリコンのサブレイヤー7は、窒素含有ガス及びフッ化炭素ガスを含む第1のプロセス組成を導入することによってエッチングされる。フッ化炭素ガスは、x及びyを1以上の整数としてCxFyと表され得る。窒素含有ガスはN2、NO、NO2、N2O若しくはNH3、又はこれらの2つ以上の組み合わせを含むことができる。また、フッ化炭素ガスはCF4、C4F8、C5F8、C3F6、C4F6等のうちの何れか1つ、又はこれらの二つ以上の組み合わせを含むことができる。さらに、第1のプロセス組成は、希ガス(例えば、He、Ne、Ar、Kr、及び/又はXe)等の不活性ガスを含んでいてもよい。例えば、第1のプロセス組成は、CF4、C4F8、及びN2を含み得る。
残存する非ドープトシリコンのサブレイヤー8は、ハロゲン含有化合物を含む第2のプロセス組成を導入することによってエッチングされることができる。例えば、ハロゲン含有化合物はHBr、Cl2若しくはSF6、又はこれらの何らかの組み合わせを含み得る。また、第2のプロセス組成は、希ガス(例えば、He、Ne、Ar、Kr、及び/又はXe)等の不活性ガスを含んでいてもよい。また、第2のプロセス組成は、例えばCHF3及び/又はCHF2等の炭化水素を含んでいてもよい。さらに、第2のプロセス組成は、例えばO2、CO若しくはCO2等の酸素含有化合物、又はこれらの2つ以上の組み合わせ等を含んでいてもよい。このプロセスレシピは2工程プロセスとして表されているが、ドープトシリコンのサブレイヤー7及び非ドープトシリコンのサブレイヤー8の双方をエッチングするために第1のプロセス組成を用いる単一の工程のみを含んでいてもよい。
一実施形態に従ったプラズマ処理システム1が図2に示されており、これはプラズマ処理チャンバー10、プラズマ処理チャンバー10に結合された必要に応じての診断系12、及び必要に応じての診断系12とプラズマ処理チャンバー10とに結合されたコントローラ14を有している。コントローラ14は、ドープトシリコン層を第1のプロセス組成を用いてエッチングすること、及び、必要に応じて、下に位置する非ドープトシリコン層を第2のプロセス組成を用いてエッチングすること、を有するプロセスレシピを実行するように構成されている。また、コントローラ14は必要に応じて、診断系12から少なくとも1つの終点信号を受信し、このプロセス、このプロセスの第1部分、このプロセスの必要に応じての第2部分、又はこれらの組み合わせの終点を正確に決定するために、該少なくとも1つの終点信号を後処理するように構成されている。他の例では、コントローラ14は、このプロセス、このプロセスの第1部分、このプロセスの必要に応じての第2部分、又はこれらの組み合わせの終点を設定するために所定の時間を用いる。例示された実施形態においては、図2に示されたプラズマ処理システム1は材料の処理のためにプラズマを使用する。プラズマ処理システム1はエッチングチャンバーを有することができる。
図3に示された一実施形態によれば、プラズマ処理システム1aはプラズマ処理チャンバー10、処理されるべき基板25が上に添えられる基板ホルダー20、及び真空ポンプ系30を有している。基板25は、例えば、半導体基板、ウェハ又は液晶ディスプレーであり得る。プラズマ処理チャンバー10は、基板25の表面に隣接する処理領域15にプラズマを生成することを促進するように構成され得る。イオン化ガス又は混合ガスがガス注入系(図示せず)を介して導入されるとともに、処理圧力が調整される。例えば、真空ポンプ系30を絞るために制御機構(図示せず)が使用される。プラズマは、所定の材料プロセスに特有の材料を作り出し、且つ/或いは基板25の露出面から材料を除去することを助けるために利用され得る。プラズマ処理システム1aは、例えば200mm基板、300mm基板又は更に大きい基板など、任意の大きさの基板を処理するように構成され得る。
基板25は静電クランプ系によって基板ホルダー20に貼り付けられることができる。また、基板ホルダー20は更に、再循環冷却材流を含む冷却系を含むことができ、この冷却材流は基板ホルダー20から熱を受け取って熱交換器系(図示せず)まで熱伝達し、あるいは加熱時に熱交換器系から熱を伝達する。さらに、基板25と基板ホルダー20との間のガスギャップの熱伝導率を改善するために、基板25の裏面側にガスが供給されてもよい。このようなシステムは、上昇温度又は下降温度での基板の温度制御が要求されるときに利用され得る。例えば、裏面側のガス系は、基板25の中心部と端部との間でガスギャップ圧力を独立に変化させられ得る2区画のガス分配系を有していてもよい。他の実施形態において、例えば抵抗加熱素子又は熱電加熱器/冷却器などの加熱/冷却素子が、基板ホルダー20、プラズマ処理チャンバー10のチャンバー壁、及びプラズマ処理システム1a内のその他の部品に含められ得る。
図3に示された実施形態においては、基板ホルダー20は、処理空間15の処理プラズマに無線周波数(RF)電力を結合させる電極を有している。例えば、基板ホルダー20は、RF発生器40から該基板ホルダー20へのインピーダンス整合回路50を介したRF電力の伝送によって、あるRF電圧に電気的にバイアスされることができる。このRFバイアスは電子を加熱し、それによってプラズマを形成・維持するように作用する。この構成において、システムは反応性イオンエッチング(RIE)炉として動作し、チャンバー及び上側のガス供給電極は接地面として作用する。RFバイアスの典型的な周波数は約0.1MHzから約100MHzの範囲とし得る。プラズマ処理のためのRF系は当業者に周知である。
他の例では、RF電力は基板ホルダー電極に複数の周波数で印加される。さらに、インピーダンス整合回路50は、反射される電力を低減することによって、プラズマ処理チャンバー10内のプラズマへのRF電力の移送を改善するように作用する。整合回路トポロジー(例えば、L型、π型、T型など)及び自動制御方法は当業者に周知である。
真空ポンプ系30は、例えば、毎秒5000リットルの(及び、これより大きい)速度でポンプ可能なターボ分子真空ポンプ(TMP)と、チャンバー圧力を絞るための仕切り弁とを含み得る。ドライプラズマエッチングで使用される従来からのプラズマ処理装置においては、一般的に、毎秒1000から3000リットルのTMPが使用される。TMPは低圧処理、典型的には約50mTorr未満で有用である。高圧処理(すなわち、約100mTorrより高い)の場合には、機械的な増圧ポンプ及びドライ式の粗引きポンプが使用され得る。また、チャンバー圧力を監視する装置(図示せず)がプラズマ処理チャンバー10に結合されることができる。この圧力測定装置は、例えば、MKSインスツルメント社から市販されている628B型バラトロン(Baratron)絶対キャパシタンス式圧力計とし得る。
コントローラ14はマイクロプロセッサ、メモリ、及び、プラズマ処理システム1aからの出力を監視するとともにプラズマ処理システム1aへの入力を伝達し且つアクティブにするに十分な制御電圧を生成可能なデジタルI/Oポートを含んでいる。さらに、コントローラ14は、RF発生器40、インピーダンス整合回路50、ガス注入系(図示せず)、真空ポンプ系30、裏面側ガス注入系(図示せず)、基板/基板ホルダー温度測定系(図示せず)、及び/又は静電クランプ系(図示せず)に結合され、それらと情報を交換することが可能である。例えば、ドープトシリコン層をエッチングする方法を実行するため、プロセスレシピに従ってプラズマ処理システム1aの上述の構成要素への入力をアクティブにするように、メモリ内に格納されたプログラムが使用され得る。コントローラ14の一例は、デル社から入手可能なDELL PRECISION WORKSTATION610(登録商標)である。
コントローラ14は、プラズマ処理システム1aに対してローカルに配置されていてもよいし、インターネット又はイントラネットを介してプラズマ処理システム1aに対して遠隔に配置されていてもよい。故に、コントローラ14は、直接接続、イントラネット若しくはインターネット、又はこれらの何らかの組み合わせ、の何れかを用いてプラズマ処理システム1aとデータを交換することができる。コントローラ14は、顧客側(すなわち、デバイスメーカー等)のイントラネットに結合されていてもよいし、製造供給元(すなわち、装置製造者)のイントラネットに結合されていてもよい。さらに、他のコンピュータ(すなわち、コントローラ、サーバ等)が、直接接続、イントラネット若しくはインターネット、又はこれらの何らかの組み合わせ、の何れかを介してデータ交換するために、コントローラ14にアクセスしてもよい。
診断系12は光学式診断サブシステム(図示せず)を含み得る。光学式診断サブシステムは、プラズマから放射された光強度を測定する例えば(シリコン)フォトダイオードや光電管(PMT)等の検出器を有している。診断系12は更に、例えば狭帯域干渉フィルタ等の光学フィルタを含み得る。代替的な一実施形態においては、診断系12は、ラインCCD(電荷結合素子)、CID(電荷注入素子)アレイ、若しくは回折格子やプリズム等の光分散素子、又はこれらの何らかの組み合わせを含んでいてもよい。また、診断系12は所与の波長の光を測定する単色分光器(例えば、回折格子/検出器システム)、又は例えば米国特許第5888337号明細書に記載されている装置のような、光のスペクトルを測定する分光計(例えば、回転式回折格子)を含んでいてもよい。
診断系12は、例えばピークセンサーシステムズ社又はベリティインスツルメンツ社からのものなど、高分解能の発光分光(OES)センサーを含むことができる。このようなOESセンサーは、紫外(UV)、可視(VIS)及び近赤外(NIR)の光スペクトルに及ぶ広い帯域を有している。分解能はおよそ1.4Åであり、240nmから1000nmまでで5550波長を収集することが可能である。例えば、OESセンサーには高感度の小型光ファイバー式UV−VIS−NIR分光計が備えられ、この分光計は2048画素のリニアCCDアレイに一体化される。
分光計は単一あるいは束状の光ファイバーを介して伝送された光を受信し、光ファイバーから出力された光が固定式の回折格子を用いてラインCCDアレイ上に散らされる。上述の構成を用い、光学的な真空窓を通して伝送された光は凸面球状レンズを介して光ファイバーの入力端に集められる。そして、各々が所与のスペクトル範囲(UV、VIS及びNIR)に明確に同調された3つの分光計が処理チャンバー10用のセンサーを形成する。各分光計は独立したA/D変換器を含んでいる。そして最終的に、センサーの使用に応じて、完全な放射スペクトルが0.1秒から1.0秒ごとに記録される。
他の例では、診断系12はソープラ(SOPRA)社から市販されているSE3000モデルの分光偏光解析装置を含んでいてもよい。
図4に示された一実施形態において、プラズマ処理システム1bは、図2又は3の実施形態と同様であるが、図2及び3を参照して説明された構成要素に加えて更に、プラズマ密度を潜在的に高め、且つ/或いはプラズマ処理の均一性を向上させるために、静止しているか、機械的又は電気的に回転しているかの何れかである磁場系60を有している。また、回転速度及び磁場強度を調整するために磁場系60にコントローラ14が結合されている。回転磁場の設計及び実装は当業者に周知である。
図5に示された一実施形態において、プラズマ処理システム1cは、図2又は3の実施形態と同様であるが、更に、RF発生器72からインピーダンス整合回路74を介してRF電力が結合され得る上部電極70を有している。この上部電極へのRF電力印加の典型的な周波数は約0.1MHzから約200MHzの範囲とし得る。さらに、下部電極への電力印加の典型的な周波数は約0.1MHzから約100MHzの範囲とし得る。また、上部電極70へのRF電力の印加を制御するため、RF発生器72及びインピーダンス整合回路74にコントローラ14が結合されている。上部電極の設計及び実装は当業者に周知である。
図6に示された一実施形態において、プラズマ処理システム1dは、図2及び3の実施形態と同様であるが、更に、RF発生器82からインピーダンス整合回路84を介してRF電力が結合される誘導コイル80を有している。RF電力は誘導コイル80から誘電体窓(図示せず)を介してプラズマ処理領域15に誘導的に結合される。誘導コイル80へのRF電力印加の典型的な周波数は約10MHzから約100MHzの範囲とし得る。同様に、チャック電極への電力印加の典型的な周波数は約0.1MHzから約100MHzの範囲とし得る。さらに、誘導コイル80とプラズマとの間の容量結合を低減させるために、スロット式ファラデー遮蔽体(図示せず)が用いられ得る。また、誘導コイル80への電力印加を制御するため、RF発生器82及びインピーダンス整合回路84にコントローラ14が結合されている。代替的な一実施形態においては、誘導コイル80はトランス結合型プラズマ(TCP)炉においてのように上方からプラズマ処理領域15に作用する“螺旋状”コイル又は“パンケーキ型”コイルとし得る。誘導結合型プラズマ(ICP)源又はトランス結合型プラズマ(TCP)源の設計及び実装は当業者に周知である。
他の例では、プラズマは電子サイクロトロン共鳴(ECR)によって形成されてもよい。更に他の一実施形態においては、プラズマはヘリコン波の放射によって形成される。更に他の一実施形態においては、プラズマは伝播表面波によって形成される。これらの各プラズマ源は当業者に周知である。
以下の説明にて、ドープトシリコンのサブレイヤーを有するシリコン層を、プラズマ処理装置を用いてエッチングする方法が提示される。プラズマ処理装置は、例えば図2乃至6に関して説明された様々な要素、又はこれらの組み合わせを有し得る。
一実施形態において、例えばリンでドープされた層などのドープトシリコン層をエッチングする方法は、例えばN2等の窒素含有ガスと例えばCF4及びC4F8等のフッ化炭素ガスとを含むプロセス組成を用いる。例えば、プロセスパラメータ空間は、約5mTorrから約1000mTorrのチャンバー圧力、約10sccmから約500sccmの範囲のN2プロセスガス流量、約10sccmから約500sccmの範囲のC4F8プロセスガス流量、約10sccmから約500sccmの範囲のCF4プロセスガス流量、約0Wから約2000Wの範囲の上部電極(例えば、図5の要素70)のRFバイアス、及び約10Wから約1000Wの範囲の下部電極(例えば、図5の要素20)のRFバイアスを有し得る。また、上部電極のバイアス周波数は約0.1MHzから約200MHzの範囲とすることができ、例えば約60MHzである。さらに、下部電極のバイアス周波数は約0.1MHzから約100MHzの範囲とすることができ、例えば約2MHzである。
他の一例において、例えば図5にて説明された装置などのプラズマ処理装置を用いてドープトシリコンのサブレイヤーをエッチングする方法が提示される。しかしながら、ここで説明される方法の範囲はこの例示的な提示によって限定されるものではない。表2は、1つのプロセスレシピに関して、3つの相異なる構造上での限界寸法(critical dimension;CD)をまとめたものである。図7A及び7Bを参照するに、基板305、ドープトシリコン層304、及びマスク層303が例示されており、当初の限界寸法(DCD)を有する構造が、最終的な限界寸法(FCD)を有するドープトシリコン層304へと形成されている。表2は、1つのプロセスレシピに関して、当初のCD及び最終的なCD(それぞれ、DCD及びFCD)を提示している。表2はまた、これらプロセスレシピ及び構造に関して、DCD及びFCDの双方についての基板上305上でのCDの偏差(括弧内)と、減少量(DCDとFCDとの間の差、すなわち、DCD−FCD)とを提示している。さらに、表2は、離隔化された構造(空間的に広く離隔された造形部)とネスト化された構造(空間的に密接した造形部)との間での減少量のオフセットを提示している。60nmの目標FCDを有するp型ドープトシリコン(60nm構造)及び80nmの目標FCDを有するp型ドープトシリコン(80nm構造)、並びに、n型ドープトポリシリコン(Nfet、ポリSi構造)及びp型ドープトポリシリコン(Pfet、ポリSi構造)に関するデータが示されている。
典型的なプロセスレシピは以下を含んでいる:チャンバー圧力=約20mTorr;上部電極RF電力=約100W;下部電極RF電力=約60W;プロセスガス流量CF4/C4F8/N2=約50/12/50sccm;電極70(図5参照)の下側表面と基板ホルダー20上の基板25の上側表面との間の間隔=約140mm;下部電極(例えば、図5の基板ホルダー20)温度=約75℃;上部電極(例えば、図5の電極70)温度=約80℃;チャンバー壁温度=約60℃;中心部/端部での裏面側ヘリウム圧力=約3/3Torr;及びエッチング時間=約30s。
段階420にて、例えば、図2乃至6にて説明されたシステムの何れか又はそれらの組み合わせを用いて、プラズマ処理システム内で第1のプロセス組成からプラズマが形成される。
段階430にて、段階420で形成されたプラズマに、ドープトシリコン層を有する基板が晒され、ドープトシリコン層を貫くエッチングが行われる。
必要に応じて、段階440にて、ハロゲン含有ガスを含有する第2のプロセス組成がプラズマ処理システムに導入される。他の例では、第2のプロセス組成は更に、例えば希ガス等の不活性ガスを含むことができる。
必要に応じて、段階450にて、例えば、図2乃至6にて説明されたシステムの何れか又はそれらの組み合わせを用いて、プラズマ処理システム内で第2のプロセス組成からプラズマが形成される。
必要に応じて、段階460にて、段階450で形成されたプラズマに基板が晒され、残存する非ドープトシリコン層を貫くエッチングが行われる。
以上では本発明の特定の実施形態のみが詳細に説明されているが、当業者に容易に認識されるように、これらの実施形態には、本発明の新規な教示及び効果を実質的に逸脱することなく数多くの変更が為され得る。従って、全てのそのような変更は本発明の範囲に含まれるものである。
Claims (28)
- 基板上のシリコン層をエッチングする方法であって:
前記シリコン層を有する前記基板をプラズマ処理システム内に配置する段階であり、前記シリコン層はドーパントを有する、段階;
前記プラズマ処理システムに、窒素含有ガス及びフッ化炭素ガスを含むプロセス組成を導入する段階;
前記プラズマ処理システム内で前記プロセス組成からプラズマを形成する段階;及び
前記シリコン層をエッチングするために前記プラズマに前記基板を晒す段階;
を有する方法。 - 前記プロセス組成を導入する段階は更に、不活性ガスを導入する段階を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記不活性ガスを導入する段階は、希ガスを導入することを有する、請求項2に記載の方法。
- 前記フッ化炭素ガスを導入する段階は、x及びyを1以上の整数として、CxFyを含む組成を導入することを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記フッ化炭素ガスを導入する段階は、CF4、C4F8、C5F8、C3F6、若しくはC4F6、又はこれらの二つ以上の組み合わせを導入することを有する、請求項4に記載の方法。
- 前記フッ化炭素ガスを導入する段階は、少なくともCF4及びC4F8を導入することを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記窒素含有ガスを導入する段階は、N2、NO、NO2、N2O、若しくはNH3、又はこれらの二つ以上の組み合わせを導入することを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記プロセス組成を導入する段階は、少なくともN2、CF4及びC4F8を導入することを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記プロセス組成を導入する段階は、N2、CF4及びC4F8を導入することから成る、請求項1に記載の方法。
- 前記シリコン層は、前記ドーパントを有し且つ当該シリコン層の厚さの第1部分を占める第1のサブレイヤーと、前記ドーパントをより少ない量だけ有し且つ当該シリコン層の厚さの残りの部分を占める第2のサブレイヤーとを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記プラズマ処理システムに、ハロゲン含有ガスを含む第2のプロセス組成を導入する段階;
前記プラズマ処理システム内で前記第2のプロセス組成から第2のプラズマを形成する段階;及び
前記シリコン層をエッチングするために前記第2のプラズマに前記基板を晒す段階;
を更に有し、
前記プラズマに前記基板を晒す段階は、前記第1のサブレイヤーをエッチングするのに十分な第1の時間にわたって実行され、且つ前記第2のプラズマに前記基板を晒す段階は、前記第1の時間の後に、前記第2のサブレイヤーをエッチングするのに十分な第2の時間にわたって実行される、
請求項10に記載の方法。 - 前記第2のプロセス組成を導入する段階は、SF6、HBr、若しくはCl2、又はこれらの2つ以上の組み合わせを導入することを有する、請求項11に記載の方法。
- 前記第2のプロセス組成を導入する段階は更に、不活性ガスを導入する段階を有する、請求項11に記載の方法。
- 前記不活性ガスを導入する段階は、希ガスを導入することを有する、請求項13に記載の方法。
- 前記第2のプロセス組成を導入する段階は更に、CHF2若しくはCHF3、又はこれらの双方を導入する段階を有する、請求項11に記載の方法。
- 前記プラズマに前記基板を晒す段階、及び前記第2のプラズマに前記基板を晒す段階は、前記シリコン層の上に位置するエッチングマスクに形成されたパターンを前記シリコン層に転写することによって、前記シリコン層に造形部を形成することを容易にする、請求項11に記載の方法。
- 前記プラズマを形成する段階は、前記基板が置かれた基板ホルダーにRF電力を結合させることを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記プラズマを形成する段階は、前記基板が置かれた基板ホルダーに対向配置された電極にRF電力を結合させることを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記ドーパントは、リン、ボロン、若しくはヒ素、又はこれらの2つ以上の組み合わせを有する、請求項1に記載の方法。
- 基板上のシリコン層をエッチングするためのプラズマ処理システムであって:
前記シリコン層をエッチングするために、プロセス組成からのプラズマの形成を促進させるプラズマ処理チャンバーであり、前記シリコン層はドーパントを有する、プラズマ処理チャンバー;及び
前記プラズマ処理チャンバーに結合され、且つ前記プロセス組成を用いてプロセスレシピを実行するように構成されたコントローラであり、前記プロセス組成は窒素含有ガス及びフッ化炭素ガスを含む、コントローラ;
を有するプラズマ処理システム。 - 前記フッ化炭素ガスは、x及びyを1以上の整数として、CxFyを含む、請求項20に記載のプラズマ処理システム。
- 前記フッ化炭素ガスは、CF4、C4F8、C5F8、C3F6、若しくはC4F6、又はこれらの二つ以上の組み合わせを含む、請求項20に記載のプラズマ処理システム。
- 前記プロセス組成は更に不活性ガスを含む、請求項20に記載のプラズマ処理システム。
- 前記不活性ガスは希ガスを含む、請求項23に記載のプラズマ処理システム。
- 前記窒素含有ガスは、N2、NO、NO2、N2O、若しくはNH3、又はこれらの二つ以上の組み合わせを含む、請求項20に記載のプラズマ処理システム。
- 前記プロセス組成は、N2、CF4及びC4F8を含む、請求項20に記載のプラズマ処理システム。
- 前記プロセス組成は、N2、CF4及びC4F8から成る、請求項20に記載のプラズマ処理システム。
- コンピュータシステム上で実行されるプログラム命令を格納したコンピュータ読み取り可能媒体であって、該プログラム命令は該コンピュータシステムによって実行されたとき、該コンピュータシステムにプラズマ処理システムを制御させ:
シリコン層を有する基板を前記プラズマ処理システム内に配置する段階であり、該シリコン層はドーパントを有する、段階;
前記プラズマ処理システムに、窒素含有ガス及びフッ化炭素ガスを含むプロセス組成を導入する段階;
前記プラズマ処理システム内で前記プロセス組成からプラズマを形成する段階;及び
前記シリコン層をエッチングするために前記プラズマに前記基板を晒す段階;
を実行させる、コンピュータ読み取り可能媒体。
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