JP2009294364A - Residual dc measuring device, residual dc measuring system, residual dc measuring method, residual dc measuring device control program, computer readable recording medium - Google Patents

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洋平 仲西
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To measure residual DC within accurate and in a short period of measuring time, by calculating an offset voltage in the case that transmittance corresponding to the maximum amplitude of an amplitude voltage and transmittance corresponding to the minimum amplitude thereof are equal to each other. <P>SOLUTION: A residual DC measuring device 30 is equipped with: a signal acquiring section 31 which acquires a plurality of data of sets of transmittance at positive polarity time, being maximum transmittance when a rectangular voltage gets positive for each offset voltage, and the offset voltage at that time, and acquires a plurality of data of sets of transmittance at negative polarity time, being minimum transmittance when a rectangular voltage gets negative for each offset voltage, and the offset voltage at that time; and a linear approximation/intersection calculating section 33 which acquires an approximate straight line from a plurality of data sets of the transmittance at positive polarity time and the offset voltage acquired by the signal acquiring section 31, acquires an approximate straight line from a plurality of data sets of the transmittance at negative polarity time and the offset voltage, and acquires an offset voltage corresponding to an intersection of the two approximate straight lines. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、液晶パネルの評価に関するものであり、特に残留DCを評価することにより液晶パネルの品質の評価に関する。   The present invention relates to evaluation of a liquid crystal panel, and more particularly to evaluation of the quality of a liquid crystal panel by evaluating residual DC.

近年、液晶表示装置は、テレビ、パソコン、携帯電話、カーナビゲーション等幅広い分野で使用されている。一方で、動画の応答特性の向上、色度範囲の拡大、視野角特性の改善はもちろん、一度表示した映像が画面を切り替える映像情報を送っても残ってしまう、いわゆる「焼付き」の発生は許されない等、高い表示品位が求められている。   In recent years, liquid crystal display devices have been used in a wide range of fields such as televisions, personal computers, mobile phones, and car navigation systems. On the other hand, the improvement of the response characteristics of the video, the expansion of the chromaticity range, the improvement of the viewing angle characteristics, as well as the occurrence of so-called "burn-in", where the video once displayed remains even after sending video information to switch the screen. High display quality is required such as not allowed.

液晶表示装置は、液晶パネルおよびバックライト光源を有し、その液晶パネルにより、バックライト光源から発光される光を透過したり遮光したりして映像を表示している。この液晶パネルは、ある電圧を印加すれば、所定の光透過率を実現するよう設計されている。   The liquid crystal display device includes a liquid crystal panel and a backlight light source, and the liquid crystal panel displays an image by transmitting or blocking light emitted from the backlight light source. This liquid crystal panel is designed to realize a predetermined light transmittance when a certain voltage is applied.

しかしながら、液晶パネルに焼付きが発生すると、その焼付きが発生している箇所は、ある電圧を印加しても所定の光透過率が得られなくなる。このような焼付きは、例えば、数千時間以上に亘る非常に長時間、液晶パネルに同一表示をした後、視認されるようになる。   However, when image sticking occurs in the liquid crystal panel, a predetermined light transmittance cannot be obtained at a portion where the image sticking occurs even if a certain voltage is applied. Such image sticking becomes visible after, for example, the same display on the liquid crystal panel for a very long time of several thousand hours or more.

そこで、液晶パネルの焼付きの評価パラメータとして、残留DCというものがある。液晶パネルは、液晶層に、正極性および負極性が対称な矩形波を印加する機構を有している。しかし、実際には完璧に対称波形にすることは難しく、わずかにオフセット電圧がかかり、液晶パネル内の、例えば液晶層と配向膜との境界などに電荷が蓄積される。   Therefore, there is a residual DC as an evaluation parameter for image sticking of the liquid crystal panel. The liquid crystal panel has a mechanism for applying a rectangular wave having a positive polarity and a negative polarity to the liquid crystal layer. However, in practice, it is difficult to obtain a perfectly symmetrical waveform, a slight offset voltage is applied, and charges are accumulated in the liquid crystal panel, for example, at the boundary between the liquid crystal layer and the alignment film.

その結果、液晶層には、外から電極を通して印加される電圧と、上記液晶パネル内に蓄積された電荷による電圧とが加わることになる。このように、外から印加される電圧に液晶パネル内に蓄積された電荷による電圧が加わった場合、正極性と負極性とで液晶層にかかる電圧が異なるので、液晶パネルからはフリッカーが発生し、所定の透過率が得られなくなる。この液晶パネル内に蓄積された電荷による電圧を残留DCと呼ぶ。   As a result, a voltage applied from the outside through the electrode and a voltage due to charges accumulated in the liquid crystal panel are applied to the liquid crystal layer. In this way, when the voltage due to the charge accumulated in the liquid crystal panel is added to the voltage applied from the outside, the voltage applied to the liquid crystal layer differs depending on the positive polarity and the negative polarity, so flicker is generated from the liquid crystal panel. A predetermined transmittance cannot be obtained. The voltage due to the charges accumulated in the liquid crystal panel is called residual DC.

さらに、残留DCの評価方法には、非特許文献1に記載のフリッカー消去法という手段がある。まず、液晶パネルに一定のオフセット電圧を負荷として印加する。その直後に中間調程度の振幅の電圧を印加しつつオフセット電圧を変化させる。あるオフセット電圧になると液晶パネル内に蓄積された電荷による電圧と打ち消しあい、液晶パネルのフリッカーが最小となる。このときのオフセット電圧を残留DCと定義する。このように、残留DCを測定することにより焼付きの発生を評価することができる。   Furthermore, as a method for evaluating residual DC, there is a means called flicker elimination described in Non-Patent Document 1. First, a certain offset voltage is applied to the liquid crystal panel as a load. Immediately thereafter, the offset voltage is changed while applying a voltage having an amplitude of about halftone. When an offset voltage is reached, the voltage due to the charge accumulated in the liquid crystal panel cancels out, and the flicker of the liquid crystal panel is minimized. The offset voltage at this time is defined as residual DC. Thus, the occurrence of seizure can be evaluated by measuring the residual DC.

なお、液晶材料や配向膜材料、プロセス等を工夫することにより同じオフセット電圧が印加されても残留DCを非常に小さくすることができる。すなわち、焼付きを抑えることができる。   It should be noted that the residual DC can be made very small even if the same offset voltage is applied by devising the liquid crystal material, the alignment film material, the process and the like. That is, seizure can be suppressed.

また、他の残留DCの評価方法として、非特許文献2に記載の誘電吸収法という手段も公開されている。
N. Fukuoka, M. Okamoto, Y. Yamamoto, M. Hasegawa, Y. Tanaka, H. Hatoh, K. Mukai: Proc. of AM-LCD94, p. 216, 1994 井上、真鍋、中野渡:液晶討論会予稿集、p.216, 1997
In addition, as another evaluation method of residual DC, a means called a dielectric absorption method described in Non-Patent Document 2 is also disclosed.
N. Fukuoka, M. Okamoto, Y. Yamamoto, M. Hasegawa, Y. Tanaka, H. Hatoh, K. Mukai: Proc. Of AM-LCD94, p. 216, 1994 Inoue, Manabe, Wataru Nakano: Proceedings of Liquid Crystal Panel Discussion Meeting, p.216, 1997

しかしながら、上述のように、従来の残留DC評価方法では測定が不正確である。オフセット電圧を複数回変化させて、フリッカー強度が最小となるときのオフセット電圧を残留DCとしていた。しかし、この従来の方法ではオフセット電圧の変化幅の精度でしか残留DCを見積もれない。逆に、厳密に測定するためにオフセット電圧を非常に細かく変化させると、オフセット電圧を変化させる時間が長くなって測定に時間がかかり、系を乱してしまう。   However, as described above, the measurement by the conventional residual DC evaluation method is inaccurate. The offset voltage was changed a plurality of times, and the offset voltage when the flicker intensity was minimized was set as the residual DC. However, in this conventional method, the residual DC can be estimated only with the accuracy of the change width of the offset voltage. On the other hand, if the offset voltage is changed very finely for precise measurement, the time for changing the offset voltage becomes long and the measurement takes time, which disturbs the system.

本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、正確で短い測定時間で残留DCを測定することができる残留DC測定装置、残留DC測定システム、残留DC測定方法、残留DC測定装置制御プログラム、コンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and a residual DC measurement device, a residual DC measurement system, a residual DC measurement method, and a residual DC measurement device control program capable of measuring residual DC in an accurate and short measurement time. An object of the present invention is to provide a computer-readable recording medium.

上記課題を解決するため、本発明の残留DC測定装置は、液晶パネルに発生した残留DCを、液晶パネルに振幅電圧を印加して駆動しながら検出された、該液晶パネルの透過光の透過率を用いて測定する残留DC測定装置であって、前記振幅電圧には、所定の周期毎に異なるオフセット電圧が加えられており、前記検出された透過率のうち、1つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が最大振幅となった時の透過率である最大振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得するとともに、前記検出された透過率のうち、1つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が最小振幅となった時の透過率である最小振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得するデータ取得手段と、前記データ取得手段が取得した前記最大振幅時透過率および前記オフセット電圧の複数組のデータから、前記最大振幅時透過率と前記オフセット電圧との関係を示す近似直線を求めるとともに、前記データ取得手段が取得した前記最小振幅時透過率および前記オフセット電圧の複数組のデータから、前記最小振幅時透過率と前記オフセット電圧との関係を示す近似直線を求め、さらに、前記2本の近似直線の交点に対応するオフセット電圧を求める演算手段とを備えることを特徴とする。   In order to solve the above-mentioned problems, the residual DC measuring apparatus according to the present invention is configured to detect the residual DC generated in the liquid crystal panel while driving the liquid crystal panel by applying an amplitude voltage to the transmittance of the transmitted light of the liquid crystal panel. In the residual DC measuring device, the offset voltage is applied to the amplitude voltage every predetermined period, and one of the detected transmittances is in a period of the offset voltage. While acquiring a plurality of sets of data of the maximum amplitude transmittance, which is the transmittance when the amplitude voltage reaches the maximum amplitude, and the offset voltage at that time, one of the detected transmittances, the offset A data acquisition means for acquiring a plurality of sets of data of a minimum amplitude transmittance, which is a transmittance when the amplitude voltage becomes a minimum amplitude during a voltage period, and an offset voltage at that time; and the data From the plurality of sets of data of the maximum amplitude transmittance and the offset voltage acquired by the acquisition means, an approximate straight line indicating the relationship between the maximum amplitude transmittance and the offset voltage is obtained, and the data acquisition means acquires An approximate line indicating the relationship between the minimum amplitude transmittance and the offset voltage is obtained from a plurality of sets of data of the minimum amplitude transmittance and the offset voltage, and further corresponds to the intersection of the two approximate lines. And an arithmetic means for obtaining an offset voltage.

また、上記課題を解決するため、本発明の残留DC測定方法は、液晶パネルに発生した残留DCを、液晶パネルに振幅電圧を印加して駆動しながら検出された、該液晶パネルの透過光の透過率を用いて測定する残留DC測定方法であって、前記振幅電圧には、所定の周期毎に異なるオフセット電圧が加えられており、前記検出された透過率のうち、1つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が最大振幅となった時の透過率である最大振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得するとともに、前記検出された透過率のうち、1つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が最小振幅となった時の透過率である最小振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得するデータ取得ステップと、前記データ取得ステップで取得した前記最大振幅時透過率および前記オフセット電圧の複数組のデータから、前記最大振幅時透過率と前記オフセット電圧との関係を示す近似直線を求めるとともに、前記データ取得ステップで取得した前記最小振幅時透過率および前記オフセット電圧の複数組のデータから、前記最小振幅時透過率と前記オフセット電圧との関係を示す近似直線を求め、さらに、前記2本の近似直線の交点に対応するオフセット電圧を求める演算ステップとを含むことを特徴とする。   In order to solve the above-mentioned problem, the residual DC measurement method of the present invention is based on the residual DC generated in the liquid crystal panel detected by driving the liquid crystal panel while applying an amplitude voltage to the liquid crystal panel. In the residual DC measurement method for measuring using the transmittance, a different offset voltage is applied to the amplitude voltage for each predetermined period, and one of the detected transmittances of the offset voltage is added. A plurality of sets of data of a maximum amplitude transmittance that is a transmittance when the amplitude voltage becomes the maximum amplitude in a period and an offset voltage at that time, and one of the detected transmittances is acquired. A data acquisition step of acquiring a plurality of sets of data of a minimum amplitude transmittance that is a transmittance when the amplitude voltage becomes a minimum amplitude during the offset voltage period and an offset voltage at that time; An approximate straight line indicating the relationship between the maximum amplitude transmittance and the offset voltage is obtained from a plurality of sets of the maximum amplitude transmittance and the offset voltage acquired in the data acquisition step, and in the data acquisition step. An approximate line indicating the relationship between the minimum amplitude transmittance and the offset voltage is obtained from the acquired sets of data of the minimum amplitude transmittance and the offset voltage, and at the intersection of the two approximate lines. And calculating a corresponding offset voltage.

ここで、前記最大振幅時透過率とは、振幅電圧の1周期において、その正極性時に含まれる所定時の透過率であり、前記最小振幅時透過率とは、振幅電圧の1周期において、その負極性時に含まれる所定時の透過率である。   Here, the transmittance at the maximum amplitude is the transmittance at a predetermined time included in the positive polarity in one cycle of the amplitude voltage, and the transmittance at the minimum amplitude is the transmittance at one cycle of the amplitude voltage. The transmittance at a predetermined time included in the negative polarity.

前記構成によると、データ取得手段は、1つの前記オフセット電圧の期間に振幅電圧が最大振幅となった時の透過率である最大振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得する。また、前記データ取得手段は、1つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が最小振幅となった時の透過率である最小振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得する。   According to the above configuration, the data acquisition means includes a plurality of sets of data of the maximum amplitude transmittance, which is the transmittance when the amplitude voltage reaches the maximum amplitude during one offset voltage period, and the offset voltage at that time. get. In addition, the data acquisition means acquires a plurality of sets of data of the minimum amplitude transmittance, which is the transmittance when the amplitude voltage becomes the minimum amplitude during one offset voltage period, and the offset voltage at that time. To do.

そして、前記演算手段は、前記データ取得手段が取得した前記最大振幅時透過率および前記オフセット電圧の複数組のデータから、前記最大振幅時透過率と前記オフセット電圧との関係を示す近似直線を求める。さらに、前記演算手段は、前記データ取得手段が取得した前記最小振幅時透過率および前記オフセット電圧の複数組のデータから、前記最小振幅時透過率と前記オフセット電圧との関係を示す近似直線を求める。そして、前記演算手段は、前記2本の近似直線の交点に対応するオフセット電圧を求める。このように、前記演算手段が求めたオフセット電圧が、前記最大振幅時透過率と前記最小振幅時透過率とが等しくなるときのオフセット電圧である。このオフセット電圧が残留DCである。   Then, the calculation means obtains an approximate straight line indicating the relationship between the maximum amplitude transmittance and the offset voltage from the plurality of sets of data of the maximum amplitude transmittance and the offset voltage acquired by the data acquisition means. . Further, the calculation means obtains an approximate straight line indicating the relationship between the minimum amplitude transmittance and the offset voltage from a plurality of sets of data of the minimum amplitude transmittance and the offset voltage acquired by the data acquisition means. . And the said calculating means calculates | requires the offset voltage corresponding to the intersection of the said two approximate lines. As described above, the offset voltage obtained by the calculation means is an offset voltage when the maximum amplitude transmittance and the minimum amplitude transmittance are equal. This offset voltage is the residual DC.

ここで、上述したように従来は、複数回オフセット電圧を変化させて、フリッカーが最小となるオフセット電圧が残留DCであると推測していた。   Here, as described above, conventionally, the offset voltage is changed a plurality of times, and the offset voltage that minimizes flicker is estimated to be the residual DC.

フリッカーが最小となるとは、オフセット電圧が加わった振幅電圧の最大振幅時に対応する透過率と、前記オフセット電圧が加わった振幅電圧の最小振幅時に対応する透過率との差が最も小さくなることである。   The minimum flicker means that the difference between the transmittance corresponding to the maximum amplitude of the amplitude voltage to which the offset voltage is added and the transmittance corresponding to the minimum amplitude of the amplitude voltage to which the offset voltage is added is the smallest. .

一方、上記構成によると、2本の近似直線の交点を求めることにより、前記最大振幅時透過率と前記最小振幅時透過率とが等しくなるときのオフセット電圧を残留DCとして求めることができる。このため、従来の方法と比較して正確に残留DCを求めることができる。   On the other hand, according to the above configuration, by obtaining the intersection of two approximate lines, the offset voltage when the maximum amplitude transmittance and the minimum amplitude transmittance are equal can be obtained as the residual DC. For this reason, it is possible to accurately determine the residual DC as compared with the conventional method.

さらに、前記演算手段が前記2本の近似直線を求めることができる程度のデータ数分の回数だけオフセット電圧を変化させればよいので、オフセット電圧を変化させる回数が少なくて済む。このため、短い測定時間で残留DCを測定することができる。   Furthermore, since the offset voltage needs to be changed by the number of times corresponding to the number of data that allows the calculation means to obtain the two approximate lines, the number of times of changing the offset voltage can be reduced. For this reason, residual DC can be measured in a short measurement time.

このように、上記構成によると、振幅電圧の最大振幅時に対応する透過率と最小振幅時に対応する透過率とが等しくなる場合のオフセット電圧を算出することにより、正確で短い測定時間で残留DCを測定することができる。   Thus, according to the above configuration, by calculating the offset voltage when the transmittance corresponding to the maximum amplitude of the amplitude voltage is equal to the transmittance corresponding to the minimum amplitude, the residual DC can be obtained in an accurate and short measurement time. Can be measured.

さらに、上記構成によると、残留DCの測定時間が短くて済むため、前記液晶パネルの同一箇所で複数回の残留DCの測定を行ったとしても、時間的な負荷を大幅に低減することが可能である。   Further, according to the above configuration, since the measurement time of the residual DC is short, even if the residual DC is measured a plurality of times at the same location of the liquid crystal panel, the time load can be greatly reduced. It is.

このように、前記構成によると、振幅電圧の最大値に対応する透過率と最小値に対応する透過率とが等しくなる時のオフセット電圧を残留DCとして求めることにより、正確で短い測定時間で残留DCを求めることができる。   Thus, according to the above configuration, the residual voltage can be obtained in an accurate and short measurement time by obtaining the offset voltage when the transmittance corresponding to the maximum value of the amplitude voltage and the transmittance corresponding to the minimum value are equal as the residual DC. DC can be determined.

前記残留DC測定装置においては、前記最大振幅時透過率と、前記最小振幅時透過率との差が最小となるオフセット電圧を仮残留DCとして取得し、取得した前記仮残留DCを含む所定の電圧幅の範囲内でオフセット電圧を変化させるための信号を出力するオフセット電圧制御手段を備え、前記データ取得手段は、前記仮残留DCを含む所定の電圧幅の範囲内で最大振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得するとともに、最小振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得することが好ましい。   In the residual DC measuring device, an offset voltage that minimizes the difference between the maximum amplitude transmittance and the minimum amplitude transmittance is acquired as a temporary residual DC, and a predetermined voltage including the acquired temporary residual DC is obtained. Offset voltage control means for outputting a signal for changing the offset voltage within the range of the width, the data acquisition means, the transmittance at the maximum amplitude within the range of the predetermined voltage width including the temporary residual DC, It is preferable to acquire a plurality of sets of data with the offset voltage at that time and to acquire a plurality of sets of data with the transmittance at the minimum amplitude and the offset voltage at that time.

前記構成によると、前記オフセット電圧制御手段は、前記仮残留DCを含めて、所定の電圧幅の範囲内でオフセット電圧を変化させることができる。そして、前記データ取得手段は、前記仮残留DCを含む所定の電圧幅の範囲内で最大振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得する。さらに前記データ取得手段は、前記仮残留DCを含む所定の電圧幅の範囲内で最小振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得する。   According to the configuration, the offset voltage control means can change the offset voltage within a predetermined voltage range including the temporary residual DC. The data acquisition means acquires a plurality of sets of data of the maximum amplitude transmittance and the offset voltage at that time within a predetermined voltage range including the temporary residual DC. Further, the data acquisition means acquires a plurality of sets of data of the minimum amplitude transmittance and the offset voltage at that time within a predetermined voltage range including the temporary residual DC.

このため、前記演算手段が算出する2本の近似直線の交点は、前記オフセット電圧制御手段が変化させたオフセット電圧の範囲内に含まれることになる。このように、前記演算手段は、オフセット電圧制御手段が変化させたオフセット電圧の範囲内で前記2本の近似直線の交点を求めることができるので、正確に残留DCを求めることができる。   For this reason, the intersection of the two approximate straight lines calculated by the calculation means is included in the range of the offset voltage changed by the offset voltage control means. Thus, the arithmetic means can obtain the intersection of the two approximate lines within the range of the offset voltage changed by the offset voltage control means, so that the residual DC can be obtained accurately.

前記残留DC測定装置においては、前記オフセット電圧制御手段が変化させるオフセット電圧の前記所定の電圧幅の範囲は、前記仮残留DCの±100mVであることが好ましい。   In the residual DC measuring device, it is preferable that the range of the predetermined voltage width of the offset voltage changed by the offset voltage control means is ± 100 mV of the temporary residual DC.

ここで、前記オフセット電圧制御手段が変化させる所定の電圧幅の範囲を、例えば±200mVなどのように±100mVを超える範囲とすると、複数の正極性時透過率のデータ、および複数の負極性時透過率のデータのばらつきが大きくなり、前記演算手段は、正確な近似直線を算出することができない。そこで、前記構成のように、前記オフセット電圧制御手段が変化させるオフセット電圧の前記所定の電圧幅の範囲を±100mVとすることにより、複数の正極性時透過率のそれぞれ、および複数の負極性時透過率のそれぞれのデータのばらつきが小さくなる。このため、前記演算手段が複数の正極性時透過率、負極性時透過率のそれぞれから、誤差を小さく近似直線を算出することができるので、正確に残留DCを算出することができる。   Here, assuming that the range of the predetermined voltage width that is changed by the offset voltage control means is a range that exceeds ± 100 mV, for example, ± 200 mV, a plurality of positive-polarity transmittance data and a plurality of negative-polarity data The variation in the transmittance data becomes large, and the calculation means cannot calculate an accurate approximate straight line. Therefore, as in the above-described configuration, by setting the range of the predetermined voltage width of the offset voltage changed by the offset voltage control means to ± 100 mV, each of a plurality of positive transmittances and a plurality of negative polarity Variations in the transmittance data are reduced. For this reason, since the calculation means can calculate an approximate straight line with a small error from each of the plurality of positive transmittances and negative transmittances, the residual DC can be accurately calculated.

前記残留DC測定装置においては、前記最大振幅時透過率は、1つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が負極性から正極性に変化したときから正極性から負極性に変化する直前までの所定の時間に前記データ取得手段が取得する透過率であり、前記最小振幅時透過率は、1つの前記オフセット電圧の期間に正極性から負極性に変化したときから負極性から正極性に変化する直前までの所定の時間に前記データ取得手段が取得する透過率であることが好ましい。   In the residual DC measuring apparatus, the maximum amplitude transmittance is a predetermined value from when the amplitude voltage changes from negative polarity to positive polarity during one offset voltage period to immediately before it changes from positive polarity to negative polarity. The transmittance acquired by the data acquisition means at the time of, and the minimum-amplitude transmittance is just before changing from negative polarity to positive polarity from the change from positive polarity to negative polarity during one offset voltage period. It is preferable that the transmittance is acquired by the data acquisition means during a predetermined time until.

これは、液晶パネルの液晶は、前記振幅電圧に応じてが応答するにはある程度の時間が必要となる。そこで、前記データ取得手段は、1つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が負極性から正極性に変化したときから正極性から負極性に変化する直前までの所定の時間に液晶パネルの透過率を最大振幅時透過率として取得し、1つの前記オフセット電圧の期間に正極性から負極性に変化したときから負極性から正極性に変化する直前までの所定の時間に液晶パネルの透過率を最小振幅時透過率として取得する。このため、前記データ取得手段は、液晶パネルの液晶の応答が完了した透過率を取得するので、正確な値で、最大振幅時透過率および最小振幅時透過率を取得することができる。   This means that the liquid crystal of the liquid crystal panel requires a certain amount of time to respond depending on the amplitude voltage. Accordingly, the data acquisition means transmits the transmittance of the liquid crystal panel during a predetermined time from when the amplitude voltage changes from negative polarity to positive polarity until immediately before it changes from positive polarity to negative polarity during one offset voltage period. Is obtained as the maximum amplitude transmittance, and the transmittance of the liquid crystal panel is minimized during a predetermined time from the change from the positive polarity to the negative polarity during one offset voltage period until immediately before the change from the negative polarity to the positive polarity. Acquired as transmittance at amplitude. For this reason, since the data acquisition means acquires the transmittance at which the response of the liquid crystal of the liquid crystal panel is completed, the maximum amplitude transmittance and the minimum amplitude transmittance can be acquired with accurate values.

前記残留DC測定装置においては、前記所定の時間は、前記振幅電圧の0.4周期後から0.5周期後未満であることが好ましい。   In the residual DC measuring device, it is preferable that the predetermined time is from 0.4 period to less than 0.5 period after the amplitude voltage.

ここで、例えば、矩形電圧の極性の変化時から0.1周期程度では、液晶が応答途中であり、フリッカーの発生が小さくなりノイズの影響が大きくなる。一方、振幅電圧の変化時から0.4周期後では、液晶の応答がほぼ完了している(液晶の配向がほぼ完了している)と考えられ、ノイズの影響を小さくすることができる。   Here, for example, in about 0.1 period from the change of the polarity of the rectangular voltage, the liquid crystal is in the middle of response, the occurrence of flicker is reduced, and the influence of noise is increased. On the other hand, after 0.4 cycles from the change of the amplitude voltage, it is considered that the response of the liquid crystal is almost completed (the alignment of the liquid crystal is almost completed), and the influence of noise can be reduced.

上記構成のように、前記データ取得手段が1つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が負極性から正極性に変化時から0.4周期後の液晶パネルの透過率を最大振幅時透過率として取得し、1つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が正極性から負極性に変化時から0.4周期後の液晶パネルの透過率を最小振幅時透過率として取得することにより、前記データ取得手段は、確実に、液晶が前記振幅電圧に対応して応答した後の透過率を取得することができる。   As in the above configuration, the transmittance of the liquid crystal panel 0.4 cycles after the amplitude voltage changes from negative polarity to positive polarity during the one offset voltage period as the maximum amplitude transmittance. The data acquisition is performed by acquiring the transmittance of the liquid crystal panel 0.4 cycles after the amplitude voltage changes from positive polarity to negative polarity during one offset voltage period as the minimum amplitude transmittance. The means can reliably acquire the transmittance after the liquid crystal responds in response to the amplitude voltage.

さらに、前記データ取得手段が1つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が負極性から正極性に変化時から0.5周期未満の液晶パネルの透過率を最大振幅時透過率として取得し、1つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が正極性から負極性に変化時から0.5周期未満の液晶パネルの透過率を最小振幅時透過率として取得することにより、前記データ取得手段は前記振幅電圧のうち、最大振幅時透過率を含む半周期の中から最大振幅時透過率を取得することができる。また、前記データ取得手段は前記振幅電圧のうち、最小振幅時透過率を含む半周期の中から最小振幅時透過率を取得することができる。従って、前記データ取得手段は正確に最大振幅時透過率および最小振幅時透過率を取得することができる。   Further, the data acquisition means acquires, as the maximum amplitude transmittance, the transmittance of the liquid crystal panel having a period of less than 0.5 period from the time when the amplitude voltage changes from negative polarity to positive polarity during one offset voltage period. By acquiring the transmittance of the liquid crystal panel of less than 0.5 period from the time when the amplitude voltage changes from positive polarity to negative polarity during one offset voltage period as the minimum amplitude transmittance, the data acquisition means Among the voltages, the maximum amplitude transmittance can be acquired from a half cycle including the maximum amplitude transmittance. In addition, the data acquisition means can acquire the minimum amplitude transmittance from the half cycle including the minimum amplitude transmittance of the amplitude voltage. Therefore, the data acquisition means can accurately acquire the maximum amplitude transmittance and the minimum amplitude transmittance.

前記残留DC測定装置においては、前記演算手段は、前記所定の電圧幅の範囲外での2本の近似直線の交点である予測残留DCを求め、前記オフセット電圧制御手段に出力し、前記オフセット電圧制御手段は、前記演算手段から前記予測残留DCを取得すると、取得した前記仮残留DCを含む所定の電圧幅の範囲内でオフセット電圧を変化させるための指示を出力し、前記データ取得手段は、前記予測残留DCを含む所定の電圧幅の範囲内で最大振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得するとともに、最小振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得することが好ましい。   In the residual DC measuring device, the calculation means obtains a predicted residual DC that is an intersection of two approximate lines outside the range of the predetermined voltage width, outputs the predicted residual DC to the offset voltage control means, and outputs the offset voltage When the control unit acquires the predicted residual DC from the arithmetic unit, the control unit outputs an instruction to change the offset voltage within a predetermined voltage range including the acquired temporary residual DC, and the data acquisition unit includes: A plurality of sets of data of the maximum amplitude transmittance and the offset voltage at that time within a predetermined voltage range including the predicted residual DC are acquired, and the minimum amplitude transmittance and the offset voltage at that time are set. It is preferable to acquire a plurality of data.

前記構成によると、前記オフセット電圧制御手段が変化させたオフセット電圧の電圧幅の範囲内で前記2本の近似直線が交わらない場合でも、前記演算手段は、前記2本の近似直線が交わる位置を求め予測残留DCとして算出する。そして、前記オフセット電圧制御手段は、予測残留DCを前記演算手段から取得すると、再度、オフセット電圧を所定の電圧幅の範囲内で変化させるための指示を出力する。   According to the configuration, even when the two approximate lines do not intersect within the range of the voltage width of the offset voltage changed by the offset voltage control means, the calculation means determines the position where the two approximate lines intersect. Calculated as the calculated predicted residual DC. And the said offset voltage control means will output the instruction | indication for changing an offset voltage within the range of a predetermined voltage width again, if the prediction residual DC is acquired from the said calculating means.

また、前記データ取得手段は、前記予測残留DCを含む所定の電圧幅の範囲内で最大振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得する。さらに、前記データ取得手段は、前記予測残留DCを含む所定の電圧幅の範囲内で最小振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得する。   Further, the data acquisition means acquires a plurality of sets of data of a maximum amplitude transmittance and an offset voltage at that time within a predetermined voltage range including the predicted residual DC. Further, the data acquisition means acquires a plurality of sets of data of the minimum amplitude transmittance and the offset voltage at that time within a predetermined voltage range including the predicted residual DC.

これにより、前記演算手段は、確実に、前記オフセット電圧制御手段が変化させたオフセット電の範囲内で、前記2本の近似直線の交点を取得することができる。このため、前記演算手段は、正確に残留DCを測定することができる。   Thereby, the said calculating means can acquire the intersection of the said two approximate straight lines within the range of the offset electricity which the said offset voltage control means changed reliably. For this reason, the said calculating means can measure residual DC correctly.

本発明の残留DC測定システムは、前記残留DC測定装置、および前記液晶パネルに印加する振幅電圧を制御する指示信号を出力するシステム制御手段を含む演算・制御手段と、光源、前記光源からの光を透過する透過領域に複数の前記液晶パネルを搭載可能で、該搭載した前記液晶パネルを前記光源からの光の出射方向に対して垂直方向に移動可能なXYステージ、前記XYステージおよび前記液晶パネルを透過した前記光源からの光を受光し、電圧を出力する受光手段を含む光学手段と、前記受光手段から出力される電圧を電気信号として前記演算・制御手段に出力する電圧取得手段と、前記システム制御手段からの前記液晶パネルに印加する駆動電圧を制御する指示信号を取得し、前記液晶パネルに対して振幅電圧を印加する波形電圧発生手段とを備えることが好ましい。   The residual DC measurement system of the present invention includes a calculation / control means including a system control means for outputting an instruction signal for controlling an amplitude voltage applied to the liquid crystal panel, a light source, and light from the light source. A plurality of liquid crystal panels can be mounted in a transmission region that transmits light, and the mounted liquid crystal panel can be moved in a direction perpendicular to the light emission direction from the light source, the XY stage, and the liquid crystal panel Optical means including light receiving means for receiving light from the light source that has passed through and outputting a voltage, voltage acquisition means for outputting the voltage output from the light receiving means as an electrical signal to the calculation / control means, and A waveform voltage for obtaining an instruction signal for controlling a drive voltage applied to the liquid crystal panel from a system control means and applying an amplitude voltage to the liquid crystal panel It is preferable to provide a raw device.

前記構成によると、前記波形電圧発生手段は、前記XYステージ上に搭載された前記液晶パネルに対して振幅電圧を印加する。前記波形電圧発生手段から振幅電圧が印加される前記液晶パネルは、前記印加された振幅電圧に対応して駆動する。また、前記光源から発光される光は、前記XYステージ、および前記液晶パネルを透過し、前記受光手段により受光される。そして、前記液晶パネルを透過した光を受光した前記受光手段は、前記受光した光量に応じた電圧を前記電圧取得手段に出力する。そして、前記電圧取得手段は、前記受光手段から電圧が入力されると電気信号として前記演算・制御手段に出力する。また、前記演算・制御手段は、前記電圧取得手段から電気信号が入力されると前記液晶パネルの透過率を算出する。そして、前記残留DC測定装置により、残留DCを算出することが可能となる。   According to the said structure, the said waveform voltage generation means applies an amplitude voltage with respect to the said liquid crystal panel mounted on the said XY stage. The liquid crystal panel to which an amplitude voltage is applied from the waveform voltage generating means is driven according to the applied amplitude voltage. The light emitted from the light source passes through the XY stage and the liquid crystal panel and is received by the light receiving means. And the said light-receiving means which received the light which permeate | transmitted the said liquid crystal panel outputs the voltage according to the received light quantity to the said voltage acquisition means. When the voltage is input from the light receiving unit, the voltage acquisition unit outputs the voltage to the calculation / control unit as an electrical signal. The arithmetic / control means calculates the transmittance of the liquid crystal panel when an electric signal is input from the voltage acquisition means. The residual DC measurement device can calculate the residual DC.

本発明の残留DC測定システムは、前記液晶パネルに、負荷電圧であるストレス電圧を印加することを指示するストレス電圧指示信号を前記波形電圧発生手段に出力するストレス電圧指示手段を前記演算・制御手段が備え、前記ストレス電圧が印加される前後の透過率を示す電気信号を前記電圧取得手段から取得し、取得した前記電気信号から前記液晶パネルの焼付きを測定する焼付き測定手段を前記演算・制御手段が備えることが好ましい。   The residual DC measuring system according to the present invention includes: a stress voltage indicating unit that outputs a stress voltage indicating signal to the waveform voltage generating unit that instructs the liquid crystal panel to apply a stress voltage that is a load voltage; The burn-in measurement means for obtaining an electric signal indicating the transmittance before and after the stress voltage is applied from the voltage acquisition means and measuring the burn-in of the liquid crystal panel from the acquired electric signal. The control means is preferably provided.

前記構成によると、予め、前記焼付き測定手段は、前記液晶パネルにストレス電圧が印加される前の透過率を取得しておく。そして、前記波形電圧発生手段は、前記液晶パネルにストレス電圧を印加する。その後、前記焼付き測定手段は、前記液晶パネルにストレス電圧が印加された後の透過率を取得する。そして、前記焼付き測定手段は、ストレス電圧が印加される前後の前記液晶パネルの透過率から焼付きを算出することができる。   According to the above configuration, the image sticking measurement unit acquires in advance the transmittance before a stress voltage is applied to the liquid crystal panel. The waveform voltage generator applies a stress voltage to the liquid crystal panel. Thereafter, the burn-in measurement means acquires the transmittance after a stress voltage is applied to the liquid crystal panel. The burn-in measurement means can calculate burn-in from the transmittance of the liquid crystal panel before and after the stress voltage is applied.

また、前記演算・制御手段は、前記残留DC測定装置と、焼付き測定手段とを備えるので、前記光学パネルの残留DCと、焼付きとを両方測定することが可能となる。このため、前記液晶パネルに焼付きが発生している場合、その焼付きの原因が残留DCであるかを直接対応付けて判断することが可能となる。   In addition, since the calculation / control unit includes the residual DC measuring device and the seizure measuring unit, it is possible to measure both the residual DC and seizure of the optical panel. For this reason, when the image sticking occurs in the liquid crystal panel, it is possible to determine whether the cause of the image sticking is a residual DC in direct association.

また、前記焼付き測定手段は、前記ストレス電圧印加前の前記液晶パネルの透過率と、前記ストレス電圧印加後の前記液晶パネルの透過率との比から前記焼付き率を算出することが好ましい。これにより、前記液晶パネルの焼付きを評価することができる。   The burn-in measurement means preferably calculates the burn-in rate from a ratio between the transmittance of the liquid crystal panel before application of the stress voltage and the transmittance of the liquid crystal panel after application of the stress voltage. Thereby, the image sticking of the liquid crystal panel can be evaluated.

そして、ストレス電圧印加前の前記液晶パネルの透過率と、前記ストレス電圧印加後の前記液晶パネルの透過率とが等しければ(焼付き率が1であれば)、焼付きは残留DC起因のみであるが、ストレス電圧印加前の前記液晶パネルの透過率と、前記ストレス電圧印加後の前記液晶パネルの透過率とが等しくなければ(焼付き率が1でなければ)残留DC以外の要因もあると判定することができる。これにより、焼付きの原因が残留DCか否かを簡単に判定することができる。   If the transmittance of the liquid crystal panel before application of the stress voltage and the transmittance of the liquid crystal panel after application of the stress voltage are equal (if the image sticking rate is 1), the image sticking is only caused by residual DC. However, if the transmittance of the liquid crystal panel before application of the stress voltage and the transmittance of the liquid crystal panel after application of the stress voltage are not equal (if the burn-in rate is not 1), there are other factors other than residual DC. Can be determined. Thereby, it is possible to easily determine whether or not the cause of seizure is residual DC.

本発明の残留DC測定システムは、前記ストレス電圧の印加と、前記残留DCの測定とを複数回繰り返すことが好ましい。   In the residual DC measurement system of the present invention, it is preferable that the application of the stress voltage and the measurement of the residual DC are repeated a plurality of times.

これにより、液晶パネルの残留DCの時間変化を測定することが可能となる。従って、最終的に焼付きの発生が小さい液晶材料、配向膜材料等の組み合わせを特定することが可能となる。   As a result, it is possible to measure the time change of the residual DC of the liquid crystal panel. Accordingly, it is possible to finally specify a combination of a liquid crystal material, an alignment film material, and the like that are less likely to cause image sticking.

また、残留DCの緩和過程を測定することが可能となる。   It is also possible to measure the relaxation process of residual DC.

ここで、残留DCが起因する焼付きがどの程度の時間で消えるかは、残留DCの緩和速度と強い相関がある。そして、残留DCの緩和速度が遅い場合は焼付きが長く残ってしまうことになる。従って、焼付きが短い時間で消える液晶パネルを特定することが可能となる。   Here, how long the seizure caused by the residual DC disappears has a strong correlation with the relaxation rate of the residual DC. And when the relaxation rate of residual DC is slow, seizure will remain for a long time. Therefore, it is possible to specify a liquid crystal panel in which image sticking disappears in a short time.

さらに、前記XYステージは、搭載した複数の前記液晶パネルを、前記光源からの光の出射方向に対して垂直方向に移動することができる。このため、複数の液晶パネルのそれぞれで複数回の残留DCを測定する場合、残留DCを測定した液晶パネルにストレス電圧を印加し、続けて、測定点を移動して異なる液晶パネルの残留DCを測定することができる。このように、ストレス電圧の印加と、残留DCの測定とを複数の液晶パネルで並列処理を行うことができる。このため、残留DCの測定効率を大幅に向上させることが可能となる。   Furthermore, the XY stage can move the plurality of mounted liquid crystal panels in a direction perpendicular to the light emission direction from the light source. For this reason, when measuring the residual DC multiple times in each of the plurality of liquid crystal panels, a stress voltage is applied to the liquid crystal panel on which the residual DC is measured, and then the measurement points are moved to determine the residual DC of different liquid crystal panels. Can be measured. As described above, the application of the stress voltage and the measurement of the residual DC can be performed in parallel by a plurality of liquid crystal panels. For this reason, it becomes possible to greatly improve the measurement efficiency of residual DC.

さらに、複数箇所の残留DCを測定することができるので、それぞれの測定点で、各々独立して残留DCの時間変化、絶対値の解析が可能となる。また、1枚のサンプルの多点測定をする場合は、例えば注入口付近、シール材付近、中央部といった光学パネル内の残留DCの分布を測定することが可能である。   Furthermore, since the residual DC at a plurality of locations can be measured, it is possible to analyze the temporal change and absolute value of the residual DC independently at each measurement point. In addition, when performing multipoint measurement of one sample, it is possible to measure the distribution of residual DC in the optical panel, for example, near the inlet, near the seal material, and in the center.

本発明の残留DC測定システムにおいては、前記ストレス電圧の印加と、前記焼付きの測定とを複数回繰り返すことが好ましい。   In the residual DC measurement system of the present invention, it is preferable to repeat the application of the stress voltage and the measurement of seizure multiple times.

これにより、焼付きの時間変化を測定することが可能となり、最終的に焼付きが大きく発生する液晶材料、配向膜材料等の組み合わせを特定することが可能となる。   As a result, it is possible to measure a temporal change in image sticking, and it is possible to specify a combination of a liquid crystal material, an alignment film material, and the like that ultimately cause image sticking.

また、焼付きの緩和過程を測定することが可能となり、焼付きが長く残る液晶パネルを特定することが可能となる。   In addition, it becomes possible to measure the process of mitigating seizure, and it is possible to specify a liquid crystal panel in which seizure persists.

さらに、前記XYステージは、複数の前記液晶パネルを搭載し、前記搭載した複数の液晶パネルを、前記光源からの光の出射方向に対する垂直方向に移動することができるので、ストレス電圧の印加と、焼付きの測定とを複数の液晶パネルで並列処理を行うことができる。このため、焼付きの測定効率を大幅に向上させることが可能となる。   Furthermore, since the XY stage includes a plurality of the liquid crystal panels, and the plurality of mounted liquid crystal panels can be moved in a direction perpendicular to the light emission direction from the light source, Burn-in measurement can be performed in parallel on a plurality of liquid crystal panels. For this reason, it becomes possible to greatly improve the measurement efficiency of seizure.

なお、前記は、コンピュータによって実現してもよい。この場合、コンピュータを上記各手段として動作させることにより上記をコンピュータにおいて実現する残留DC測定装置制御プログラム、およびその残留DC測定装置制御プログラムが記録されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体も、本発明の範疇に入る。   The above may be realized by a computer. In this case, a residual DC measurement device control program for realizing the above in the computer by operating the computer as each of the above means, and a computer-readable recording medium on which the residual DC measurement device control program is recorded are also included in the scope of the present invention. to go into.

以上のように、本発明に係る残留DC測定装置は、振幅電圧には、所定の周期毎に異なるオフセット電圧が加えられており、検出された透過率のうち、1つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が最大振幅となった時の透過率である最大振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得するとともに、前記検出された透過率のうち、1つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が最小振幅となった時の透過率である最小振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得するデータ取得手段と、前記データ取得手段が取得した前記最大振幅時透過率および前記オフセット電圧の複数組のデータから、前記最大振幅時透過率と前記オフセット電圧との関係を示す近似直線を求めるとともに、前記データ取得手段が取得した前記最小振幅時透過率および前記オフセット電圧の複数組のデータから、前記最小振幅時透過率と前記オフセット電圧との関係を示す近似直線を求め、さらに、前記2本の近似直線の交点に対応するオフセット電圧を求める演算手段とを備える。   As described above, in the residual DC measuring device according to the present invention, an offset voltage different for each predetermined period is added to the amplitude voltage, and one of the detected transmittances is in the period of the offset voltage. While acquiring a plurality of sets of data of the maximum amplitude transmittance, which is the transmittance when the amplitude voltage reaches the maximum amplitude, and the offset voltage at that time, one of the detected transmittances, the offset A data acquisition unit for acquiring a plurality of sets of sets of transmittance at a minimum amplitude, which is a transmittance when the amplitude voltage becomes a minimum amplitude during a voltage period, and an offset voltage at that time; and the data acquisition unit acquires From the plurality of sets of data of the maximum amplitude transmittance and the offset voltage, an approximate straight line indicating the relationship between the maximum amplitude transmittance and the offset voltage is obtained, and An approximate straight line indicating the relationship between the minimum amplitude transmittance and the offset voltage is obtained from a plurality of sets of data of the minimum amplitude transmittance and the offset voltage acquired by the data acquisition means, and further, the two Computing means for obtaining an offset voltage corresponding to the intersection of the approximate lines.

また、本発明に係る残留DC測定方法は、振幅電圧に所定の周期毎に異なるオフセット電圧が加えられており、検出された透過率のうち、1つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が最大振幅となった時の透過率である最大振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得するとともに、前記検出された透過率のうち、1つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が最小振幅となった時の透過率である最小振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得するデータ取得ステップと、前記信号取得ステップで取得した前記最大振幅時透過率および前記オフセット電圧の複数組のデータから、前記最大振幅時透過率と前記オフセット電圧との関係を示す近似直線を求めるとともに、前記信号取得ステップで取得した前記最小振幅時透過率および前記オフセット電圧の複数組のデータから、前記最小振幅時透過率と前記オフセット電圧との関係を示す近似直線を求め、さらに、前記2本の近似直線の交点に対応するオフセット電圧を求める演算ステップとを含む。   Further, in the residual DC measurement method according to the present invention, an offset voltage different for each predetermined period is added to the amplitude voltage, and the amplitude voltage is maximized during one offset voltage period of the detected transmittance. While obtaining a plurality of sets of data of the maximum amplitude transmittance that is the transmittance at the time of the amplitude and the offset voltage at that time, of the detected transmittance, in the period of the one offset voltage A data acquisition step for acquiring a plurality of sets of data of a minimum amplitude transmittance that is a transmittance when the amplitude voltage becomes the minimum amplitude and an offset voltage at that time, and at the time of the maximum amplitude acquired in the signal acquisition step An approximate straight line showing the relationship between the maximum amplitude transmittance and the offset voltage is obtained from a plurality of sets of transmittance and offset voltage data, and the signal acquisition is performed. From the plurality of sets of data of the minimum amplitude transmittance and the offset voltage acquired in the step, an approximate line indicating the relationship between the minimum amplitude transmittance and the offset voltage is obtained, and further, the two approximate lines And calculating an offset voltage corresponding to the intersection.

それゆえ、振幅電圧の最大振幅時に対応する透過率と最小振幅時に対応する透過率とが等しくなるときのオフセット電圧を算出することにより、正確で短い測定時間で残留DCを測定することができるという効果を奏する。   Therefore, by calculating the offset voltage when the transmittance corresponding to the maximum amplitude of the amplitude voltage is equal to the transmittance corresponding to the minimum amplitude, the residual DC can be measured accurately and in a short measurement time. There is an effect.

〔残留DC測定システムの概略構成〕
本発明の一実施形態について図1〜図15に基づいて説明すると以下の通りである。
[Schematic configuration of residual DC measurement system]
An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

図2は、本実施の形態に係る残留DC測定装置30を適用する残留DC測定システム1の構成を表すブロック図である。   FIG. 2 is a block diagram illustrating a configuration of a residual DC measurement system 1 to which the residual DC measurement device 30 according to the present embodiment is applied.

図2に示すように、残留DC測定システム1は、光学系としての光学部(光学手段)2と、光学部2から出力される電圧信号を取得する信号取得部(データ取得手段)7と、光学部2に対して波形信号を出力する波形信号発生部(波形発生手段)8と、電圧取得部7から取得される信号の演算および波形電圧発生部8に対して波形信号の発生の指示を行う演算・制御部(演算・制御手段)9とを備える。   As shown in FIG. 2, the residual DC measurement system 1 includes an optical unit (optical unit) 2 as an optical system, a signal acquisition unit (data acquisition unit) 7 that acquires a voltage signal output from the optical unit 2, A waveform signal generation unit (waveform generation means) 8 that outputs a waveform signal to the optical unit 2, a calculation of a signal acquired from the voltage acquisition unit 7, and an instruction to generate a waveform signal to the waveform voltage generation unit 8 A calculation / control unit (calculation / control means) 9 is provided.

残留DC測定システム1は2種類の測定を行う。1種類目は残留DCの測定を行うことであり、2種類目は、焼付き率を測定することである。   The residual DC measurement system 1 performs two types of measurements. The first type is to measure residual DC, and the second type is to measure the seizure rate.

光学部2は、恒温層6内に配置されており、ハロゲンランプなどを用いた光源3、回転機構を有する2つの偏光板(偏光素子)4a,4b、2つの偏光板4a,4bの間に設けられ、残留DCを測定する液晶パネルなどを1つまたは複数のサンプルを搭載可能なXYステージ10、受光した光量を電圧信号に変換する受光部5とを有する。   The optical unit 2 is disposed in the thermostatic layer 6, and is provided between a light source 3 using a halogen lamp or the like, two polarizing plates (polarizing elements) 4a and 4b having a rotating mechanism, and two polarizing plates 4a and 4b. An XY stage 10 provided with a liquid crystal panel for measuring residual DC, on which one or a plurality of samples can be mounted, and a light receiving unit 5 that converts a received light amount into a voltage signal.

ただし、残留DC測定システム1を設置する部屋の温度が安定している場合、恒温層6を暗箱で代替してもよい。また、光学部2は調整可能なレンズを有し、サンプル上に焦点をあわせる機構(不図示)を有する。   However, when the temperature of the room where the residual DC measurement system 1 is installed is stable, the thermostatic layer 6 may be replaced with a dark box. The optical unit 2 has an adjustable lens and has a mechanism (not shown) for focusing on the sample.

電圧取得部7は、マルチメータやオシロスコープなどからなり、受光部5と接続される。電圧取得部7は、受光部5から出力される電圧をデジタルデータに変換し、電圧信号として演算・制御部9に出力する。   The voltage acquisition unit 7 includes a multimeter, an oscilloscope, and the like, and is connected to the light receiving unit 5. The voltage acquisition unit 7 converts the voltage output from the light receiving unit 5 into digital data, and outputs the digital data to the calculation / control unit 9.

演算・制御部9は、残留DC測定装置30と、システム制御装置40と、リファレンス測定部44と、焼付き測定装置(焼付き測定手段)45とからなる。   The calculation / control unit 9 includes a residual DC measurement device 30, a system control device 40, a reference measurement unit 44, and a seizure measurement device (seizure measurement means) 45.

残留DC測定装置30は、電圧取得部7から出力される電圧信号を受信し、受信した電圧信号から残留DCの演算を行う。なお、残留DC測定装置30の詳細は後述する。   The residual DC measurement device 30 receives the voltage signal output from the voltage acquisition unit 7 and calculates the residual DC from the received voltage signal. Details of the residual DC measuring device 30 will be described later.

また、システム制御装置40は、波形電圧発生部8に対して液晶パネル20の駆動電圧の発生および出力を指示する駆動制御信号を出力すると共に、残留DC測定システム1の制御を行う。さらにシステム制御装置40は、液晶パネルのフリッカーが最小となるオフセット電圧を算出し、仮残留DCを取得する。   Further, the system control device 40 outputs a drive control signal instructing generation and output of the drive voltage of the liquid crystal panel 20 to the waveform voltage generator 8 and controls the residual DC measurement system 1. Further, the system control device 40 calculates an offset voltage that minimizes the flicker of the liquid crystal panel, and obtains a temporary residual DC.

なお、残留DC測定装置30と、システム制御装置40と、リファレンス測定部44と、焼付き測定装置45とのそれぞれはパーソナルコンピューター(PC)からなり、1台のPCから成っていてもよい。   Each of the residual DC measurement device 30, the system control device 40, the reference measurement unit 44, and the image sticking measurement device 45 is composed of a personal computer (PC) and may be composed of one PC.

波形電圧発生部8は、演算・制御部9と接続されている。液晶パネルの接続端子に接続するためにXYステージ10上に設けられる電圧印加用端子(電圧印加用端子12)と接続されている。波形電圧発生部8は、演算・制御部9からの駆動制御信号を受信することにより、波形電圧を液晶パネルに印加する。すなわち、波形電圧発生部8は液晶パネルに、任意の周波数、振幅で、さらに任意のオフセット電圧が加わった矩形電圧を印加することができる任意波形発生装置である。波形電圧発生部8はXYステージ10に1つまたは複数搭載されている。この波形電圧発生部8は複数XYステージ10に搭載する場合は、専用ラックを用いて配線をまとめるなどを行う。また、配線や、上記電圧印加用端子をXYステージ10に貼り付けるか埋め込むなどの工夫を行うことが好ましい。なお、上記電圧印加用端子は、導電ゴムで液晶パネル20の接続端子(ITO等)に接触させ、バネ機構で軽く押し付けるなどの工夫を行うことが好ましい。さらに、複数の波形電圧発生部8は、GPIB等で独立制御可能である。   The waveform voltage generation unit 8 is connected to the calculation / control unit 9. A voltage application terminal (voltage application terminal 12) provided on the XY stage 10 for connection to a connection terminal of the liquid crystal panel is connected. The waveform voltage generator 8 applies the waveform voltage to the liquid crystal panel by receiving the drive control signal from the calculation / control unit 9. In other words, the waveform voltage generator 8 is an arbitrary waveform generator that can apply a rectangular voltage with an arbitrary frequency and amplitude and an arbitrary offset voltage to the liquid crystal panel. One or more waveform voltage generators 8 are mounted on the XY stage 10. When the waveform voltage generator 8 is mounted on the plurality of XY stages 10, the wiring is grouped by using a dedicated rack. In addition, it is preferable to devise such as bonding or embedding the wiring and the voltage application terminal on the XY stage 10. In addition, it is preferable that the voltage application terminal is brought into contact with a connection terminal (ITO or the like) of the liquid crystal panel 20 with a conductive rubber and devised such that it is lightly pressed with a spring mechanism. Further, the plurality of waveform voltage generators 8 can be independently controlled by GPIB or the like.

そして、光学部2として、顕微鏡の光学系を用いてもよい。この際、顕微鏡としては一般的な透過型顕微鏡でよく、例えばハロゲンランプとコンデンサレンズを有する透過照明系を有し、XYステージ10を有し、電動リボルバにより交換可能な1倍から100倍の対物レンズを有し、対物レンズとカメラ用の鏡筒を有する3眼式である。さらに、受光部5として、カメラ用の鏡筒にはCマウントのPMT(光電子増倍管)モジュールを有する。PMTなどからなる受光部5の出力は、マルチメータまたはオシロスコープなどからなる電圧取得部7で取り込み、PCからなる演算・制御部9で解析する。これにより、液晶パネルのどの部分で焼付きが発生しているかを観測できることが可能である。例えば、MVAモードの液晶パネルでは、画素がスリット構造やリブ構造を有しており、画素電極上、リブ上、スリット上各々の残留DCや焼付き率を測定することが可能である。   Then, an optical system of a microscope may be used as the optical unit 2. At this time, the microscope may be a general transmission microscope, for example, a transmission illumination system having a halogen lamp and a condenser lens, an XY stage 10, and a 1 × to 100 × objective that can be replaced by an electric revolver. It is a trinocular type having a lens and having an objective lens and a camera barrel. Further, as the light receiving unit 5, the lens barrel for the camera has a C-mount PMT (photomultiplier tube) module. The output of the light receiving unit 5 composed of a PMT or the like is taken in by a voltage acquisition unit 7 composed of a multimeter or an oscilloscope, and analyzed by a calculation / control unit 9 composed of a PC. Thereby, it is possible to observe in which part of the liquid crystal panel image sticking occurs. For example, in an MVA mode liquid crystal panel, a pixel has a slit structure or a rib structure, and it is possible to measure a residual DC and a burn-in rate on the pixel electrode, the rib, and the slit.

次に、図3(a)(b)を用い、XYステージ10の構成について説明する。   Next, the configuration of the XY stage 10 will be described with reference to FIGS.

図3(a)は、XYステージ10の構成を表す平面図であり、図3(b)は、XYステージ10の側面図である。   FIG. 3A is a plan view showing the configuration of the XY stage 10, and FIG. 3B is a side view of the XY stage 10.

図3(a)に示すように、XYステージ10は、XYステージ10上に液晶パネルの外枠を支持し、固定するための固定機構13と、光を遮光するための遮光領域aとからなる。   As shown in FIG. 3A, the XY stage 10 includes a fixing mechanism 13 for supporting and fixing the outer frame of the liquid crystal panel on the XY stage 10, and a light shielding region a for shielding light. .

固定機構13は、光を透過する透過部11と、液晶パネルに電圧を印加するための電圧印加用端子12とからなり、XYステージ10上に1つまたは複数併置されている。本実施の形態においては、XYステージ10上に6つの固定機構13が併置されている。そして、それぞれの固定機構13に電圧印加用端子12と接続された液晶パネル20が固定されている。   The fixing mechanism 13 includes a transmission portion 11 that transmits light and a voltage application terminal 12 for applying a voltage to the liquid crystal panel, and one or a plurality of fixing mechanisms 13 are arranged on the XY stage 10. In the present embodiment, six fixing mechanisms 13 are juxtaposed on the XY stage 10. A liquid crystal panel 20 connected to the voltage application terminal 12 is fixed to each fixing mechanism 13.

また、XYステージ10には、透過部11以外の領域に、リファレンス測定用の開口部14と、非開口部15とが設けられている。開口部14は、光源3から発光される光の100%の透過率の測定値を得るためのものであり、非開口部15は、光源3から発光される光の0%の透過率の測定値を得るためのものである。開口部14は、光源3からの光を透過する透明部材で構成されており、非開口部15は、光源3からの光を遮光する部材で構成されている。   The XY stage 10 is provided with a reference measurement opening 14 and a non-opening 15 in a region other than the transmission part 11. The opening 14 is used to obtain a measurement value of 100% transmittance of light emitted from the light source 3, and the non-opening portion 15 is used to measure 0% transmittance of light emitted from the light source 3. To get the value. The opening 14 is made of a transparent member that transmits light from the light source 3, and the non-opening 15 is made of a member that blocks light from the light source 3.

また、図3(b)に示すように、XYステージ10は、液晶パネル20を搭載および固定するための液晶パネル搭載部16と、この液晶パネル搭載部16の裏面側(光源3が設けられている側)に設けられ、着脱が可能で透明なホットステージ(ホットプレート)17とを備えている。   As shown in FIG. 3B, the XY stage 10 includes a liquid crystal panel mounting portion 16 for mounting and fixing the liquid crystal panel 20, and a back surface side of the liquid crystal panel mounting portion 16 (the light source 3 is provided). And a transparent hot stage (hot plate) 17 that can be attached and detached.

次に、図1を用い、演算・制御部9の詳細について説明する。   Next, details of the calculation / control unit 9 will be described with reference to FIG.

図1は、本実施の形態に係る演算・制御部9の構成を表すブロック図である。   FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the calculation / control unit 9 according to the present embodiment.

図1に示すように、演算・制御部9は、残留DC測定装置30と、システム制御装置40と、リファレンス測定部44と、焼付き測定装置45とを備える。   As shown in FIG. 1, the calculation / control unit 9 includes a residual DC measurement device 30, a system control device 40, a reference measurement unit 44, and a seizure measurement device 45.

そして、残留DC測定装置30は、信号取得部31と、記憶部32と、直線近似・交点演算部33と、残留DC出力部34と、オフセット電圧制御部(オフセット電圧制御手段)35とを備える。   The residual DC measurement device 30 includes a signal acquisition unit 31, a storage unit 32, a linear approximation / intersection calculation unit 33, a residual DC output unit 34, and an offset voltage control unit (offset voltage control means) 35. .

システム制御装置40は、残留DC測定システム1を制御すると共に、波形電圧発生部8に対して、液晶パネルを駆動するための振幅電圧出力させるための指示信号(駆動制御信号)を出力するとともに、上記指示信号に含まれるオフセット電圧の調整を行う。また、残留DC測定装置30で残留DCを測定するための、仮残留DCを算出する。   The system control device 40 controls the residual DC measurement system 1 and outputs an instruction signal (drive control signal) for outputting an amplitude voltage for driving the liquid crystal panel to the waveform voltage generator 8. The offset voltage included in the instruction signal is adjusted. In addition, a temporary residual DC for measuring the residual DC by the residual DC measuring device 30 is calculated.

リファレンス測定部44は、残留DC測定システム1の初期設定であるリファレンス測定、V−T特性の算出、階調と電圧と関係の計算などを行う。   The reference measurement unit 44 performs reference measurement, which is an initial setting of the residual DC measurement system 1, calculation of VT characteristics, calculation of a relationship between gradation and voltage, and the like.

焼付き測定装置45は、残留DC測定システム1で、液晶パネル20の焼付きを測定するためのものである。   The image sticking measuring device 45 is for measuring the image sticking of the liquid crystal panel 20 in the residual DC measuring system 1.

信号取得部31は、電圧取得部7から、液晶パネル20の透過率を示す信号(以下、単に透過率と称する)を取得する。また、前記取得した透過率のうち、システム制御装置40が出力する振幅電圧の指示信号の正極性の最大値に対応する透過率を正極性時透過率として、記憶部32および直線近似・交点演算部33に出力する。さらに、前記取得した透過率のうち、システム制御装置40が出力する振幅電圧の指示信号の負極性の最小値に対応する透過率を負極性時透過率として、記憶部32および直線近似・交点演算部33に出力する。   The signal acquisition unit 31 acquires a signal indicating the transmittance of the liquid crystal panel 20 (hereinafter simply referred to as transmittance) from the voltage acquisition unit 7. Of the acquired transmittances, the transmittance corresponding to the maximum value of the positive polarity of the instruction signal of the amplitude voltage output from the system control device 40 is defined as the positive transmittance at the time of the positive polarity, and the storage unit 32 and the linear approximation / intersection calculation To the unit 33. Further, among the acquired transmittances, the transmittance corresponding to the minimum negative polarity value of the amplitude voltage instruction signal output from the system control device 40 is set as the negative polarity transmittance, and the storage unit 32 and linear approximation / intersection calculation To the unit 33.

また、信号取得部31は、予測残留DCを含む所定の電圧幅の範囲内で最大振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得するとともに、最小振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得する。   Further, the signal acquisition unit 31 acquires a plurality of sets of data of the maximum amplitude transmittance and the offset voltage at that time within a predetermined voltage range including the predicted residual DC, and the minimum amplitude transmittance, A plurality of sets of data with the offset voltage at that time are acquired.

直線近似・交点演算部33は、信号取得部31から取得する複数の正極性時透過率のから近似直線を算出し、信号取得部31から取得する複数の負極性時透過率の値から近似直線を算出し、上記2本の近似直線の交点を算出する。そして、直線近似・交点演算部33は、算出した交点の値を残留DC出力部34に出力する。また、残留DC出力部34は、直線近似・交点演算部33から取得する上記交点の値を残留DCとして外部に出力する。   The straight line approximation / intersection calculator 33 calculates an approximate straight line from the plurality of positive polarity transmittances acquired from the signal acquisition unit 31, and approximates the straight line from the plurality of negative polarity transmittances acquired from the signal acquisition unit 31. And the intersection of the two approximate lines is calculated. Then, the straight line approximation / intersection calculator 33 outputs the calculated value of the intersection to the residual DC output unit 34. Further, the residual DC output unit 34 outputs the value of the intersection obtained from the straight line approximation / intersection calculator 33 to the outside as the residual DC.

また、直線近似・交点演算部33は、求めた2本の近似直線の交点に対応するオフセット電圧が所定の電圧幅の範囲外である場合、求めたオフセット電圧を予測残留DCとしてオフセット電圧制御部35に出力する。   Further, the straight line approximation / intersection calculation unit 33, when the offset voltage corresponding to the obtained intersection of the two approximate lines is outside the range of the predetermined voltage width, determines the calculated offset voltage as the predicted residual DC and the offset voltage control unit 35.

オフセット電圧制御部35は、残留DCを求めるためにオフセット電圧を調整するものであり、システム制御装置40が算出する仮残留DCを含む所定の電圧範囲でオフセット電圧を制御する旨のオフセット電圧制御信号をシステム制御装置40に出力する。また、オフセット電圧制御部35は、直線近似・交点演算部33から予測残留DCを取得すると、取得した仮残留DCを含む所定の電圧幅の範囲内でオフセット電圧を変化させるための指示を出力する。   The offset voltage control unit 35 adjusts the offset voltage in order to obtain the residual DC, and an offset voltage control signal for controlling the offset voltage within a predetermined voltage range including the temporary residual DC calculated by the system control device 40. Is output to the system controller 40. Further, when the predicted residual DC is acquired from the linear approximation / intersection calculator 33, the offset voltage control unit 35 outputs an instruction to change the offset voltage within a predetermined voltage range including the acquired temporary residual DC. .

(初期設定用測定)
次に、残留DC測定システム1による残留DC測定方法について説明する。
(Initial measurement)
Next, a residual DC measurement method by the residual DC measurement system 1 will be described.

初めに、残留DC測定システム1の初期設定を行うための測定について説明する。   First, measurement for performing the initial setting of the residual DC measurement system 1 will be described.

まず、残留DC測定前に、リファレンス測定を行う。   First, reference measurement is performed before residual DC measurement.

なお、本実施の形態においては、液晶パネル20は、1cm×1cm程度の大きな電極を有する単純な構造のテストセルを前提とするが、これに限定されるものではない。この液晶パネル20は、XYステージ10の固定機構13に設置される。すなわち、液晶パネル20は透過部11に設置され、電極は電圧印加用端子12と接続される。   In the present embodiment, the liquid crystal panel 20 is premised on a test cell having a simple structure having a large electrode of about 1 cm × 1 cm. However, the present invention is not limited to this. The liquid crystal panel 20 is installed on the fixing mechanism 13 of the XY stage 10. That is, the liquid crystal panel 20 is installed in the transmission part 11, and the electrode is connected to the voltage application terminal 12.

まず、光源3からの光の透過率100%と0%との基準となるリファレンス測定を行う。光源3から発光される光が開口部14を透過するように、XYステージ10を移動する。そして、光源3から発光され、開口部14を透過し、受光部5および電圧取得部7を介して演算・制御部9に入力される電圧信号を、信号取得部31が取得する。そして、信号取得部31は、上記取得した電圧信号をリファレンス測定部44へ出力する。   First, reference measurement is performed as a reference between the light transmittances 100% and 0% from the light source 3. The XY stage 10 is moved so that the light emitted from the light source 3 is transmitted through the opening 14. Then, the signal acquisition unit 31 acquires a voltage signal emitted from the light source 3, transmitted through the opening 14, and input to the calculation / control unit 9 via the light receiving unit 5 and the voltage acquisition unit 7. Then, the signal acquisition unit 31 outputs the acquired voltage signal to the reference measurement unit 44.

そして、リファレンス測定部44では、上記入力された電圧信号を透過率100%(最大透過率)の輝度の電圧信号(最大透過率電圧;V100)として設定される。 In the reference measurement unit 44, the input voltage signal is set as a voltage signal (maximum transmittance voltage; V 100 ) having a luminance of 100% (maximum transmittance).

次に、光源3から発光される光が非開口部15に照射されるように、XYステージ10を移動する。この非開口部15により、光源3から発光される光は遮光されるため、受光部5では光を受光しない。リファレンス測定部44では、この際の電圧信号を透過率0%(最小透過率)の輝度の電圧信号(最小透過率電圧;V)として設定される。 Next, the XY stage 10 is moved so that the light emitted from the light source 3 is irradiated to the non-opening 15. Since the light emitted from the light source 3 is blocked by the non-opening portion 15, the light receiving portion 5 does not receive the light. In the reference measurement unit 44, the voltage signal at this time is set as a voltage signal having a transmittance of 0% (minimum transmittance) (minimum transmittance voltage; V 0 ).

なお、このリファレンス測定を行う際、偏光板4a,4bによって光が遮光されないようにするため、偏光板4a,4bはパラニコルにするか、または、偏光板4a,4bにもXYステージ機構をつけて、光軸から偏光板4a,4bを外しておく。   When performing this reference measurement, in order to prevent light from being blocked by the polarizing plates 4a and 4b, the polarizing plates 4a and 4b are made paranicol, or the polarizing plates 4a and 4b are also provided with an XY stage mechanism. The polarizing plates 4a and 4b are removed from the optical axis.

次に、図10に示すような電圧‐透過率特性(V‐T特性)を測定する。   Next, voltage-transmittance characteristics (VT characteristics) as shown in FIG. 10 are measured.

システム制御装置40は、オフセット電圧が含まれない矩形電圧の振幅を徐々に大きくしながら、液晶パネル20に印加する。また、システム制御装置40は、矩形電圧の電圧値をリファレンス測定部44に出力する。   The system control device 40 applies the rectangular voltage not including the offset voltage to the liquid crystal panel 20 while gradually increasing the amplitude of the rectangular voltage. Further, the system control device 40 outputs the voltage value of the rectangular voltage to the reference measurement unit 44.

そして、信号取得部31は、電圧取得部7から入力される透過率の値をリファレンス測定部44に出力する。そして、リファレンス測定部44は、システム制御装置40から入力される上記矩形電圧の電圧値と、信号取得部31から入力される透過率の値とを対応付ける。これにより、V−T特性が得られる。   Then, the signal acquisition unit 31 outputs the transmittance value input from the voltage acquisition unit 7 to the reference measurement unit 44. Then, the reference measurement unit 44 associates the voltage value of the rectangular voltage input from the system control device 40 with the transmittance value input from the signal acquisition unit 31. Thereby, a VT characteristic is obtained.

なお、透過率は上述したリファレンス測定の結果を利用して校正する。   The transmittance is calibrated using the result of the reference measurement described above.

図10は、液晶パネル20のV−T特性を表すグラフである。横軸は、電圧Vであり、縦軸は透過率Tである。   FIG. 10 is a graph showing the VT characteristic of the liquid crystal panel 20. The horizontal axis is the voltage V, and the vertical axis is the transmittance T.

図10に示すように、オフセット電圧が含まれておらず正極性と負極性の振幅幅が対称な矩形電圧を液晶パネル20に印加し、この矩形電圧の振幅を徐々に大きくして、液晶パネル20の透過率を測定する。   As shown in FIG. 10, a rectangular voltage that does not include an offset voltage and has a positive and negative amplitude width symmetrical is applied to the liquid crystal panel 20, and the amplitude of the rectangular voltage is gradually increased. A transmittance of 20 is measured.

さらに、リファレンス測定部44では、上述のように測定したV−T特性から、階調−電圧特性を算出し、システム制御装置40に出力する。そして、システム制御装置40は、リファレンス測定部44から取得する階調−電圧特性から、液晶パネル20の最大透過率の半分の透過率(透過率T50)となる電圧(V50)を計算し、V50信号を算出する。そして、以下で説明する残留DCは、電圧V50の矩形電圧にオフセット電圧を加えて測定する。これにより、フリッカーをきれいに観察することが可能となる。 Further, the reference measurement unit 44 calculates a gradation-voltage characteristic from the VT characteristic measured as described above, and outputs it to the system control device 40. Then, the system control device 40 calculates a voltage (V 50 ) at which the transmittance (transmittance T 50 ) is half of the maximum transmittance of the liquid crystal panel 20 from the gradation-voltage characteristics acquired from the reference measurement unit 44. It calculates a V 50 signal. Then, the residual DC described below is measured by adding the offset voltage to a rectangular voltage of the voltage V 50. This makes it possible to observe flicker clearly.

(残留DC測定方法)
本実施の形態に係る残留DCの測定方法について、まず、図4(a)〜(d)を用い、仮残留DCの測定方法について説明し、次に、図5(a)〜(c)を用い、残留DCの測定方法について説明する。
(Residual DC measurement method)
Regarding the method for measuring residual DC according to the present embodiment, first, the method for measuring temporary residual DC will be described with reference to FIGS. 4 (a) to 4 (d), and then FIGS. 5 (a) to 5 (c). A method for measuring residual DC will be described.

本実施の形態においては、システム制御装置40は、液晶パネル20を駆動させるための振幅電圧として、矩形電圧を液晶パネル20に出力する。そして、信号取得部31は、上記矩形電圧に対応した液晶パネル20の透過率を取得する。上記矩形電圧と、この矩形電圧に対応する透過率の値との関係を図4(a)〜(d)に示す。   In the present embodiment, the system control device 40 outputs a rectangular voltage to the liquid crystal panel 20 as an amplitude voltage for driving the liquid crystal panel 20. And the signal acquisition part 31 acquires the transmittance | permeability of the liquid crystal panel 20 corresponding to the said rectangular voltage. 4A to 4D show the relationship between the rectangular voltage and the transmittance value corresponding to the rectangular voltage.

図4(a)は、オフセット電圧を変化させた矩形波電圧と、その際の液晶パネルの透過率を表すグラフであり、図4(b)は、ストレス電圧を加えた矩形波電圧と、その際の液晶パネルの透過率を表すグラフであり、図4(c)は、矩形波電圧と、焼付いた状態の液晶パネルの透過率を表すグラフであり、図4(d)は、オフセット電圧を変化させた矩形波電圧と、その際の液晶パネルの透過率を表すグラフである。   FIG. 4 (a) is a graph showing the rectangular wave voltage with the offset voltage changed and the transmittance of the liquid crystal panel at that time, and FIG. 4 (b) shows the rectangular wave voltage with the stress voltage applied thereto, 4C is a graph showing the transmittance of the liquid crystal panel at the time, FIG. 4C is a graph showing the rectangular wave voltage and the transmittance of the burned-up liquid crystal panel, and FIG. 4D is a graph showing the offset voltage. It is a graph showing the changed rectangular wave voltage and the transmittance | permeability of the liquid crystal panel in that case.

図4(a)〜(d)では、縦軸は透過率(%)または電圧(V)を表し、横軸は時間を表す。   4A to 4D, the vertical axis represents transmittance (%) or voltage (V), and the horizontal axis represents time.

図4(a)に示すように矩形波電圧(サ)は、液晶パネル20に印加される波形電圧であり、その1周期毎に、振幅中心sより大きい電圧値(正極性)と、振幅中心sより小さい電圧値(負極性)とからなる。そして、この矩形電圧(ア)にオフセット電圧を加える。   As shown in FIG. 4A, the rectangular wave voltage (sa) is a waveform voltage applied to the liquid crystal panel 20, and a voltage value (positive polarity) greater than the amplitude center s and the amplitude center for each period. It consists of a voltage value (negative polarity) smaller than s. Then, an offset voltage is added to this rectangular voltage (A).

ここで、オフセット電圧とは、矩形波電圧の1周期における振幅中心(振幅中心)sの電圧のことである。すなわち、矩形電圧(ア)で、1周期におけるオフセット電圧の期間に振幅電圧が最大幅となった時の電圧は正極性の電圧であり、1周期におけるオフセット電圧の期間に振幅電圧が最小幅となった時の電圧は、負極性の電圧である。   Here, the offset voltage is a voltage of the amplitude center (amplitude center) s in one cycle of the rectangular wave voltage. That is, in the rectangular voltage (A), the voltage when the amplitude voltage has the maximum width during the offset voltage period in one cycle is a positive voltage, and the amplitude voltage has the minimum width during the offset voltage period in one cycle. The voltage when it becomes is a negative voltage.

なお、システム制御装置40は、リファレンス測定部44からV50信号を取得し、この近傍でオフセット電圧を変化させる。これは、V−T特性は透過率T50近傍で、ほぼ線形の関係になり、残留DCを正確に求めることができるからである。詳細は後述する。 Note that the system control device 40 acquires the V 50 signal from the reference measurement unit 44 and changes the offset voltage in the vicinity thereof. This is because the VT characteristic has a substantially linear relationship in the vicinity of the transmittance T 50 and the residual DC can be accurately obtained. Details will be described later.

図4(a)に示すように、システム制御装置40が液晶パネル20に対して印加する矩形電圧は、その1周期毎に、振幅中心sより大きい電圧値(正極性)と、振幅中心sより小さい電圧値(負極性)とからなる。さらに、システム制御装置40は、この矩形電圧(サ)にオフセット電圧を加える。   As shown in FIG. 4A, the rectangular voltage applied to the liquid crystal panel 20 by the system control device 40 is greater than the voltage value (positive polarity) greater than the amplitude center s and the amplitude center s for each cycle. It consists of a small voltage value (negative polarity). Further, the system control device 40 adds an offset voltage to the rectangular voltage (s).

図4(a)に示すように、矩形電圧(サ)にオフセット電圧が加わると、矩形電圧(サ)の極性が変化した際に、液晶に印加される電圧の絶対値が異なることになる。このため、矩形波電圧の極性が変化するたびに、透過率が変化することになる。この透過率の変化がフリッカーとして視認される。   As shown in FIG. 4A, when the offset voltage is applied to the rectangular voltage (sa), the absolute value of the voltage applied to the liquid crystal differs when the polarity of the rectangular voltage (sa) changes. For this reason, every time the polarity of the rectangular wave voltage changes, the transmittance changes. This change in transmittance is visually recognized as flicker.

図4(a)に示すように、矩形電圧(サ)の1周期毎にオフセット電圧の値を変化させた場合、オフセット電圧が0となる箇所がある(破線(ス))。この際、矩形電圧(サ)にはオフセット電圧が印加されていないので、矩形電圧(サ)の正極性の電圧値と、負極性の電圧値とで絶対値が等しくなる(以下、対称波形と称する)。この場合、矩形電圧(サ)の電圧値が正極性から負極正へと変化したとしても、透過率(シ)は変化しない。すなわち、破線(ス)の領域ではフリッカーは視認されない。   As shown in FIG. 4A, when the value of the offset voltage is changed for each period of the rectangular voltage (sa), there is a portion where the offset voltage becomes 0 (broken line (su)). At this time, since the offset voltage is not applied to the rectangular voltage (sa), the absolute value is equal between the positive voltage value and the negative voltage value of the rectangular voltage (sa) (hereinafter referred to as a symmetrical waveform). Called). In this case, even if the voltage value of the rectangular voltage (sa) changes from the positive polarity to the negative polarity, the transmittance (g) does not change. That is, the flicker is not visually recognized in the broken line (s) region.

なお、本実施形態においては、矩形電圧(サ)の振幅はフリッカーが観測しやすいよう、液晶パネルの最大透過率(透過率100%)の約半分程度の電圧V50になるように設定している。なお、電圧は厳密に電圧V50に限定されるものではなく、フリッカーが最小となる場合に、矩形電圧(サ)がおおよそ対称波形となればよい。しかし上記のように電圧V50とすることにより画一的に評価が可能である。 In the present embodiment, the amplitude of the rectangular voltage (k) is such that the flicker is easily observed, and set to be the voltage V 50 of about half of the maximum transmittance of the liquid crystal panel (100% transmittance) Yes. Note that the voltage is not strictly limited to the voltage V 50 , and the rectangular voltage (sa) may be approximately symmetric when flicker is minimized. However, uniform evaluation is possible by setting the voltage V 50 as described above.

次に、図4(b)に示すように、一定のオフセット電圧が加わった矩形電圧(セ)を、波形電圧発生部8は液晶パネル20に印加する。   Next, as shown in FIG. 4B, the waveform voltage generator 8 applies a rectangular voltage (cell) to which a certain offset voltage is applied to the liquid crystal panel 20.

この矩形電圧(セ)は正極性の電圧と負極性の電圧とが非対称な電圧である(以下、非対称波形と称する)。このため、透過率(ソ)は、矩形電圧(セ)の正極性の電圧に対応する透過率の値と、負極性の電圧に対応する透過率の値とが異なっており、フリッカーが発生している状態を表す。   This rectangular voltage (C) is a voltage in which the positive voltage and the negative voltage are asymmetric (hereinafter referred to as an asymmetric waveform). For this reason, the transmittance (S) is different from the transmittance value corresponding to the positive voltage of the rectangular voltage (C) and the transmittance value corresponding to the negative voltage, and flicker occurs. Represents the state.

この矩形電圧(セ)のように、液晶パネルにフリッカーを発生させるために、一定期間、一定のオフセット電圧を加えた矩形電圧のことをストレス電圧と称する。なお、ストレス電圧は、液晶パネルにフリッカーを発生させることができればよく、測定に応じ任意に設定することができ、交流電圧に限定されず、DC(直流)電圧でもよく、0Vでもよい。   Like this rectangular voltage (C), a rectangular voltage to which a certain offset voltage is added for a certain period in order to generate flicker in the liquid crystal panel is referred to as a stress voltage. Note that the stress voltage is not limited to an AC voltage, and may be a DC (direct current) voltage or 0 V as long as it can generate flicker in the liquid crystal panel and can be arbitrarily set according to measurement.

このストレス電圧を一定時間、液晶パネルに印加すると、図4(c)に示すように、オフセット電圧が0、すなわち対称波形である矩形波電圧(タ)を印加しても、の透過率(チ)のようにフリッカーが発生する場合がある。このように、液晶パネルに対称波形電圧を印加しているにも関わらず、フリッカーが発生している状態を、液晶パネルが焼付いた状態と称する。   When this stress voltage is applied to the liquid crystal panel for a certain period of time, as shown in FIG. 4C, even if a rectangular wave voltage (ta) having an offset voltage of 0, that is, a symmetrical waveform, is applied, ) Flicker may occur. In this way, a state in which flicker is generated even though a symmetrical waveform voltage is applied to the liquid crystal panel is referred to as a state in which the liquid crystal panel is burned.

次に、図4(d)に示すように、システム制御装置40は、矩形電圧(ツ)の1周毎にオフセット電圧を変化させ、矩形電圧(ツ)の電圧変化に対応して、変化する透過率(テ)を測定し、フリッカーが最小となる時のオフセット電圧を測定する。このときのオフセット電圧を仮残留DCとする。すなわち、液晶パネル20に残留DCが発生している場合、破線部(ト)に示すように、オフセット電圧が0でない場合にフリッカーが最小となる。そこで、このフリッカーが最小になる際のオフセット電圧を仮残留DCとする。この仮残留DCの値をシステム制御装置40が算出する。   Next, as shown in FIG. 4D, the system control device 40 changes the offset voltage for each round of the rectangular voltage (tsu), and changes in accordance with the voltage change of the rectangular voltage (tsu). The transmittance (te) is measured, and the offset voltage when the flicker is minimized is measured. The offset voltage at this time is assumed to be temporary residual DC. That is, when the residual DC is generated in the liquid crystal panel 20, the flicker is minimized when the offset voltage is not 0 as shown by the broken line portion (g). Therefore, the offset voltage when the flicker is minimized is assumed to be temporary residual DC. The system controller 40 calculates the temporary residual DC value.

ここで、フリッカーが最小となるとは、矩形電圧(ツ)の正極性時に対応する透過率と、負極性時に対応する透過率との差が最小となる場合のことである。   Here, “flicker is minimized” means that the difference between the transmittance corresponding to the positive polarity of the rectangular voltage (tsu) and the transmittance corresponding to the negative polarity is minimized.

また、この際、上述したストレス電圧印加時のオフセット電圧をVとした場合、システム制御装置40は、仮残留DCを求めるためのオフセット電圧の印加範囲をVから−Vとすることにより、より確実に仮残留DCを求めることができる。 At this time, when the offset voltage at the time of applying the stress voltage is V s , the system control device 40 sets the application range of the offset voltage for obtaining the temporary residual DC from V s to −V s. Thus, the temporary residual DC can be obtained more reliably.

なお、ストレス電圧が大きくなると、同じ時間ストレス電圧を印加した場合に、フリッカーが最小になる電圧の絶対値は大きくなる傾向がある。すなわち、残留DCの絶対値が大きくなる傾向がある。ただし、液晶パネル20の液晶と配向膜等の組み合わせ(系)によって異なる。   As the stress voltage increases, the absolute value of the voltage at which flicker is minimized tends to increase when the stress voltage is applied for the same time. That is, the absolute value of residual DC tends to increase. However, it differs depending on the combination (system) of the liquid crystal of the liquid crystal panel 20 and the alignment film.

このように、フリッカーが最小となる時のオフセット電圧は、矩形電圧(ツ)の1周期のうち、正極性の電圧とオフセット電圧を足した電圧を液晶パネル20に印加した場合の透過率(テ)の値と、負極性の電圧とオフセット電圧を足した電圧を液晶パネル20に印加した場合の透過率(テ)の値との差が最も小さくなる際のオフセット電圧を、システム制御装置40が求めることにより算出される。   As described above, the offset voltage when the flicker is minimized is the transmittance when the voltage obtained by adding the positive polarity voltage and the offset voltage to the liquid crystal panel 20 in one cycle of the rectangular voltage (T) is applied. ) And the offset voltage when the difference between the transmittance (te) value when the voltage obtained by adding the negative voltage and the offset voltage is applied to the liquid crystal panel 20 is the smallest. It is calculated by obtaining.

しかし、矩形電圧の極性の変化に対して、液晶の応答に時間がかかるので、矩形電圧の負極性から正極性へ変化したときから正極性から負極性へ変化する直前までに信号取得部31が取得する透過率を正極性時透過率とする。また、矩形電圧の正極性から負極性へ変化したときから負極性から正極性へ変化する直前までに信号取得部31が取得する透過率を負極性時透過率とする。なお、この直前の時間は、本実施の形態においては、0.05周期とする。   However, since the response of the liquid crystal takes time with respect to the change in the polarity of the rectangular voltage, the signal acquisition unit 31 does not change until the change from the negative polarity to the positive polarity of the rectangular voltage until immediately before the change from the positive polarity to the negative polarity. The acquired transmittance is defined as the positive transmittance. Further, the transmittance acquired by the signal acquisition unit 31 from when the rectangular voltage is changed from the positive polarity to the negative polarity until immediately before the change from the negative polarity to the positive polarity is defined as the negative-polarity transmittance. In the present embodiment, the time immediately before this is set to 0.05 cycle.

換言すれば、正極性時透過率とは、矩形電圧(ツ)の1周期において、その前半の半周期に含まれる一時の透過率であり、負極性時透過率とは、矩形電圧(ツ)の1周期において、その前半の半周期に含まれる一時の透過率である。上記一時とは矩形電圧(ツ)の電圧が変化してから0.4周期後から0.5周期後未満である。本実施の形態においては、0.45周期の時間経過後とする。   In other words, the positive transmittance is the temporary transmittance included in the first half of one cycle of the rectangular voltage (tsu), and the negative transmittance is the rectangular voltage (tsu). Is a temporary transmittance included in the first half cycle. The term “temporary” refers to a period from 0.4 period to less than 0.5 period after the voltage of the rectangular voltage (tsu) changes. In this embodiment, it is assumed that 0.45 period has elapsed.

ここで、矩形電圧(ツ)の極性が正のときと負のときとで、液晶パネル20の液晶に加わる電位差が異なれば、液晶の応答速度が遅くても、ある程度液晶が応答するので、フリッカーが発生することになる。   Here, if the potential difference applied to the liquid crystal of the liquid crystal panel 20 differs depending on whether the polarity of the rectangular voltage (tsu) is positive or negative, the liquid crystal responds to some extent even if the response speed of the liquid crystal is slow. Will occur.

しかし、矩形電圧の極性が変化した時間と、前記正極性時透過率および前記負極性時透過率との関係においては、フリッカーが発生しないオフセット電圧を探すことができればよく、液晶のモードはVA、TN、IPS等いずれの液晶モードであってもよい。すなわち、液晶の応答速度はあまり考慮する必要がない。   However, in the relationship between the time when the polarity of the rectangular voltage changes and the positive transmittance and the negative transmittance, it is only necessary to find an offset voltage that does not cause flicker, and the liquid crystal mode is VA, Any liquid crystal mode such as TN or IPS may be used. That is, the response speed of the liquid crystal need not be considered much.

なお、液晶の応答速度があまりにも遅く、フリッカーの計測が困難である場合や、ノイズなどによりフリッカーが最小となるオフセット電圧の決定が困難な場合、矩形電圧(ツ)の周波数を落とすなどによって、対応することが可能である。本実施の形態においては、矩形電圧の周波数は30Hz程度である。   In addition, when the response speed of the liquid crystal is too slow and it is difficult to measure flicker, or when it is difficult to determine the offset voltage that minimizes flicker due to noise, etc., by reducing the frequency of the rectangular voltage (tu), etc. It is possible to respond. In the present embodiment, the frequency of the rectangular voltage is about 30 Hz.

また、正極性時透過率と、負極性時透過率との差がフリッカー(強度)であり、輝度差ΔTiとする。   Further, the difference between the positive transmittance and the negative transmittance is flicker (strength), which is a luminance difference ΔTi.

また、残留DC測定システム1(図2参照)にて液晶パネル20の残留DCを自動測定する場合、矩形波電圧の1周期毎に、オフセット電圧を所定の電圧内で変化させ、矩形電圧に対応する輝度または透過率などを測定する。   Further, when the residual DC of the liquid crystal panel 20 is automatically measured by the residual DC measurement system 1 (see FIG. 2), the offset voltage is changed within a predetermined voltage every cycle of the rectangular wave voltage to cope with the rectangular voltage. Measure brightness or transmittance.

本実施の形態に係る残留DC測定システム1では、以下のようにすることで、正確で短い測定時間で残留DCを見積もることができる。   In the residual DC measurement system 1 according to the present embodiment, it is possible to estimate the residual DC in an accurate and short measurement time as follows.

これについて、図5(a)〜(c)を用い、説明する。   This will be described with reference to FIGS.

図5(a)〜(c)は、本実施の形態に係る残留DC測定方法を表し、図5(a)は、オフセット電圧を変化させた矩形波電圧と、その際の液晶パネル20の透過率を表すグラフであり、図5(b)は、図5(a)の透過率を直線近似し、残留DCを求めるためのグラフを表し、図5(c)は、図5(a)の透過率を直線近似し、予測残留DCを求めるためのグラフを表す。   5A to 5C show a residual DC measurement method according to the present embodiment, and FIG. 5A shows a rectangular wave voltage in which an offset voltage is changed and transmission through the liquid crystal panel 20 at that time. 5 (b) is a graph for linearly approximating the transmittance of FIG. 5 (a) to obtain residual DC, and FIG. 5 (c) is a graph for FIG. 5 (a). A graph for obtaining a predicted residual DC by linearly approximating the transmittance is shown.

図5(a)に示すように、所定の周期毎に異なるオフセット電圧を含む矩形電圧(ア)が、液晶パネル20に加えられている。そして、透過率(イ)は、矩形電圧(ア)に応じて、信号取得部31が取得する液晶パネル20の透過率である。また、矩形電圧(ア)の1つのオフセット電圧の期間の透過率(イ)の最大値が正極性時透過率であり、矩形電圧(ア)の1つのオフセット電圧の期間の透過率(イ)の最小値が負極性時透過率である。   As shown in FIG. 5A, a rectangular voltage (A) including an offset voltage that is different every predetermined period is applied to the liquid crystal panel 20. The transmittance (A) is the transmittance of the liquid crystal panel 20 acquired by the signal acquisition unit 31 according to the rectangular voltage (A). The maximum value of the transmittance (i) during one offset voltage period of the rectangular voltage (a) is the positive transmittance, and the transmittance (a) during one offset voltage period of the rectangular voltage (a). The minimum value is the transmittance at the time of negative polarity.

システム制御装置40は、フリッカーが最小となるオフセット電圧である仮残留DCを求めると、求めた仮残留DCをオフセット電圧制御部35に出力する。そして、オフセット電圧制御部35は、図5(a)に示すように、この仮残留DC(破線(ウ))の近傍の所定の電圧範囲でオフセット電圧を複数回変化させるようオフセット電圧制御信号をシステム制御装置40に出力すると共に、信号取得部31にも出力する。システム制御装置40は、オフセット電圧制御部35から入力されるオフセット電圧制御信号に基づき、波形電圧発生部8にオフセット電圧の制御を指示する。   When the system control device 40 obtains the temporary residual DC that is the offset voltage that minimizes flicker, the system control device 40 outputs the obtained temporary residual DC to the offset voltage control unit 35. Then, as shown in FIG. 5A, the offset voltage control unit 35 generates an offset voltage control signal so as to change the offset voltage a plurality of times in a predetermined voltage range in the vicinity of the temporary residual DC (broken line (c)). In addition to being output to the system control device 40, it is also output to the signal acquisition unit 31. The system control device 40 instructs the waveform voltage generation unit 8 to control the offset voltage based on the offset voltage control signal input from the offset voltage control unit 35.

そして、信号取得部31は、オフセット電圧制御部35が変化させたオフセット電圧毎に正極性時透過率と負極性時透過率とを取得し、記憶部32に出力する。本実施の形態においては、システム制御装置40が変化させるオフセット電圧の範囲は、仮残留DCの±50mVとし、オフセット電圧が連続的に小さくなるように、正から負にかけて8回変化させた。なお、オフセット電圧制御部35が変化させることが可能なオフセット電圧の範囲については後述する。   The signal acquisition unit 31 acquires the positive-polarity transmittance and the negative-polarity transmittance for each offset voltage changed by the offset voltage control unit 35, and outputs it to the storage unit 32. In the present embodiment, the range of the offset voltage that is changed by the system controller 40 is set to ± 50 mV of the temporary residual DC, and is changed eight times from positive to negative so that the offset voltage continuously decreases. The range of the offset voltage that can be changed by the offset voltage control unit 35 will be described later.

また、信号取得部31が取得する正極性時透過率は、矩形電圧(ア)が正極性から負極性へ変化する直前(本実施の形態においては0.05周期)の透過率とした。信号取得部31が取得する負極性時透過率は、矩形電圧(ア)が負極性から正極性へ変化する直前(本実施の形態においては0.05周期)の透過率とした。   Further, the positive-polarity transmittance acquired by the signal acquisition unit 31 is the transmittance immediately before the rectangular voltage (A) changes from positive polarity to negative polarity (0.05 period in the present embodiment). The negative-polarity transmittance acquired by the signal acquisition unit 31 is the transmittance immediately before the rectangular voltage (A) changes from negative polarity to positive polarity (in this embodiment, 0.05 period).

換言すれば、正極性時透過率とは、矩形電圧(ア)の1周期において、その半周期に含まれる透過率であり、負極性時透過率とは、矩形電圧(ア)の1周期において、その残りの半周期に含まれる一時の透過率である。タイミングは、矩形電圧(ア)の電圧が変化してから0.45周期の時間経過時点が望ましい。   In other words, the positive transmittance is the transmittance included in one half cycle of the rectangular voltage (A), and the negative transmittance is one cycle of the rectangular voltage (A). , Is a temporary transmittance included in the remaining half cycle. The timing is preferably the time when 0.45 period elapses after the voltage of the rectangular voltage (a) changes.

なお、正極性時透過率および負極性時透過率は、上述のように矩形電圧の極性が変化してから0.45周期後の透過率に限定されるものではないが、矩形電圧の極性が変化時から0.4周期後以上0.5周期後未満であることが好ましい。これは、上述のように、矩形電圧の極性が変化後、液晶が応答するにはある程度の時間が必要である。例えば、矩形電圧の極性が変化時から0.1周期程度では、液晶が応答途中であり、フリッカーの発生が小さくなりノイズの影響が大きくなる。一方、矩形電圧の極性が変化時から0.4周期後以上0.5周期後未満では、液晶の応答がほぼ完了している(液晶の際は移行が一定程度進んでいる)と考えられ、ノイズの影響を小さくすることができる。   Note that the positive transmittance and the negative transmittance are not limited to the transmittance 0.45 cycles after the change in the polarity of the rectangular voltage as described above. It is preferable that it is 0.4 cycle or more and less than 0.5 cycle after the change. As described above, a certain amount of time is required for the liquid crystal to respond after the polarity of the rectangular voltage is changed. For example, when the polarity of the rectangular voltage changes from about 0.1 period, the liquid crystal is in the middle of response, the occurrence of flicker is reduced, and the influence of noise is increased. On the other hand, it is considered that the response of the liquid crystal is almost completed (in the case of liquid crystal, the transition is progressing to a certain extent) when the polarity of the rectangular voltage changes from 0.4 cycle to less than 0.5 cycle after the change. The influence of noise can be reduced.

そして、信号取得部31は、オフセット電圧制御部35が複数回変化させたオフセット電圧の1つのオフセット電圧の期間の正極性時透過率とその際のオフセット電圧との組みのデータと、オフセット電圧制御部35が複数回変化させたオフセット電圧の1つのオフセット電圧の期間の負極性時透過率とその際のオフセット電圧との組のデータとをオフセット電圧制御部35がオフセット電圧を変化させた回数分(本実施の形態においては8回)、記憶部32から取得する。   Then, the signal acquisition unit 31 sets data of a combination of the positive transmittance during one offset voltage period of the offset voltage changed by the offset voltage control unit 35 a plurality of times and the offset voltage at that time, and offset voltage control. The number of times the offset voltage control unit 35 has changed the offset voltage indicates the data of the set of the negative-polarity transmittance during one offset voltage period and the offset voltage at that time of the offset voltage changed by the unit 35 a plurality of times. Obtained from the storage unit 32 (8 times in the present embodiment).

ここで、オフセット電圧制御部35が残留DCを求めるためにオフセット電圧を変化させる回数は、複数の正極性時透過率から1本の近似直線を算出し、複数の負極性時透過率からさらにもう1本の近似直線を算出できる程度の回数であればよい。オフセット電圧制御部35がオフセット電圧を変化させる回数が多ければ、上記2本の近似直線を正確に算出することができ、より正確に残留DCを求めることができる。逆に、オフセット電圧制御部35がオフセット電圧を変化させる回数が少なければ、残留DCをより短い測定時間で算出することができる。   Here, the number of times the offset voltage control unit 35 changes the offset voltage in order to obtain the residual DC is calculated by calculating one approximate straight line from a plurality of positive transmittances, and further calculating from the plurality of negative transmittances. The number of times may be as long as one approximate straight line can be calculated. If the number of times the offset voltage control unit 35 changes the offset voltage is large, the two approximate straight lines can be accurately calculated, and the residual DC can be obtained more accurately. Conversely, if the number of times the offset voltage controller 35 changes the offset voltage is small, the residual DC can be calculated in a shorter measurement time.

そして、信号取得部31は、記憶部32から取得した前記正極性時透過率とオフセット電圧との組のデータと、前記負極性時透過率とオフセット電圧との組のデータとを直線近似・交点演算部33へ出力する。   Then, the signal acquisition unit 31 linearly approximates / intersections the data of the set of the positive-polarity transmittance and the offset voltage acquired from the storage unit 32 and the data of the negative-polarity transmittance and the offset voltage. The result is output to the calculation unit 33.

そして、図5(b)に示すように、直線近似・交点演算部33は、信号取得部31から入力される8つの正極性時透過率の値から、例えば最小二乗法などにより、近似直線(エ)を求める。また、直線近似・交点演算部33は、信号取得部31から入力される8つの負極性時透過率の値から、例えば最小二乗法などにより、近似直線(オ)を求める。   Then, as shown in FIG. 5 (b), the straight line approximation / intersection calculator 33 calculates the approximate straight line (from the eight positive-polarity transmittance values input from the signal acquisition unit 31 by, for example, the least square method. D) Further, the straight line approximation / intersection calculator 33 obtains an approximate straight line (e) from the eight negative transmittance values input from the signal acquisition unit 31 by, for example, the least square method.

さらに、直線近似・交点演算部33は、求めた近似直線(エ)と近似直線(オ)との交点を求める。この交点に対応するオフセット電圧が、正極性時透過率と負極性透過率とが等しくなる場合のオフセット電圧であり、このオフセット電圧が残留DCである。   Further, the straight line approximation / intersection calculator 33 obtains the intersection of the obtained approximate line (d) and the approximate line (e). The offset voltage corresponding to this intersection is an offset voltage when the positive transmittance and the negative transmittance are equal, and this offset voltage is the residual DC.

直線近似・交点演算部33は、この交点のオフセット電圧の値を残留DC出力部34に出力する。そして、残留DC出力部34は、直線近似・交点演算部33から入力された交点の値を、残留DCとして外部に出力する。   The linear approximation / intersection calculator 33 outputs the value of the offset voltage at this intersection to the residual DC output unit 34. Then, the residual DC output unit 34 outputs the value of the intersection input from the linear approximation / intersection calculator 33 to the outside as the residual DC.

また、図5(c)に示すように、仮残留DCの±50mVの範囲内で2本の直線が交わらない場合がある。このように、仮残留DCの±50mVの範囲内で2本の直線の交点を得られない場合、直線近似・交点演算部33は、複数の正極性時透過率から求めた近似直線(カ)と、複数の負極性時透過率のから求めた近似直線(キ)とが、上記±50mVの範囲外で交わる交点を求める。直線近似・交点演算部33は、この交点を予測残留DCとして、オフセット電圧制御部35に出力する。   Further, as shown in FIG. 5C, there are cases where the two straight lines do not intersect within the range of ± 50 mV of the temporary residual DC. As described above, when the intersection of two straight lines cannot be obtained within the range of ± 50 mV of the temporary residual DC, the linear approximation / intersection calculator 33 calculates an approximate straight line (f) obtained from a plurality of positive transmittances. And an intersection where the approximate straight line (ki) obtained from the plurality of negative transmittances intersects outside the range of ± 50 mV. The straight line approximation / intersection calculator 33 outputs the intersection as a predicted residual DC to the offset voltage controller 35.

オフセット電圧制御部35は、直線近似・交点演算部33から上記予測残留DCが入力されると、再度、予測残留DCの±50mVの範囲内で複数回オフセット電圧を変化させる旨のオフセット電圧制御信号をシステム制御装置40に出力する。   When the predicted residual DC is input from the linear approximation / intersection calculator 33, the offset voltage control unit 35 again changes the offset voltage within a range of ± 50 mV of the predicted residual DC. Is output to the system controller 40.

そして、信号取得部31は、オフセット電圧制御部35が再度変化させた複数のオフセット電圧に対応し、正極性時透過率および負極性時透過率を取得し、記憶部32に出力する。次に、信号取得部31は、オフセット電圧制御部35が変化させたオフセット電圧の回数分の正極性時透過率および負極性時透過率を記憶させると、記憶させた複数の正極性時透過率、および複数の負極性時透過率を記憶部32から取得し、直線近似・交点演算部33へ出力する。そして、直線近似・交点演算部33が、再度2本の直線近似の交点を求めることにより、残留DCを取得し、外部にその値を出力することができる。   Then, the signal acquisition unit 31 acquires the positive polarity transmittance and the negative polarity transmittance corresponding to the plurality of offset voltages changed again by the offset voltage control unit 35, and outputs them to the storage unit 32. Next, when the signal acquisition unit 31 stores the positive-polarity transmittance and the negative-polarity transmittance corresponding to the number of offset voltages changed by the offset voltage control unit 35, the stored plurality of positive-polarity transmittances are stored. , And a plurality of negative-polarity transmittances are acquired from the storage unit 32 and output to the straight line approximation / intersection calculation unit 33. Then, the straight line approximation / intersection calculator 33 obtains the residual DC by obtaining the two straight line intersections again, and can output the value to the outside.

上述のように、オフセット電圧制御部35が、仮残留DCの近傍で変化させた電圧の範囲が狭かったとしても自動的に、最適なオフセット電圧の範囲を探して測定することが可能となる。   As described above, even if the voltage range changed by the offset voltage control unit 35 in the vicinity of the temporary residual DC is narrow, it is possible to automatically search for and measure the optimum offset voltage range.

以上のように残留DC測定システム1によると、正確で短い測定時間で残留DCの測定が可能となる。   As described above, according to the residual DC measurement system 1, it is possible to measure the residual DC in an accurate and short measurement time.

また、本実施の形態においては、仮残留DCの近傍でシステム制御装置40が印加するオフセット電圧の所定の電圧範囲を±50mVとして説明したが、±50mVに限定されるものではない。   In the present embodiment, the predetermined voltage range of the offset voltage applied by the system control device 40 in the vicinity of the temporary residual DC has been described as ± 50 mV, but is not limited to ± 50 mV.

上記所定の電圧範囲としては、直線近似・交点演算部33が複数の正極性時透過率、負極性時透過率のそれぞれから、誤差を小さく近似直線を算出することができればよく、±100mVであってもよい。   The predetermined voltage range may be ± 100 mV as long as the linear approximation / intersection calculator 33 can calculate an approximate line with a small error from each of the plurality of positive transmittances and negative transmittances. May be.

また、仮残留DCの近傍でシステム制御装置40が印加するオフセット電圧の所定の電圧範囲は、V−T特性に依存し、駆動電圧が高い液晶パネルの場合は、V−T特性の直線近似できる電圧幅を広くとることができ、駆動電圧が低い液晶パネルの場合は、V−T特性が狭い電圧範囲で変化することになるため、電圧幅を狭くする必要がある。   In addition, the predetermined voltage range of the offset voltage applied by the system control device 40 in the vicinity of the temporary residual DC depends on the VT characteristic, and in the case of a liquid crystal panel having a high driving voltage, a linear approximation of the VT characteristic can be performed. In the case of a liquid crystal panel in which the voltage width can be widened and the driving voltage is low, the VT characteristics change in a narrow voltage range, and thus the voltage width needs to be narrowed.

従って、駆動電圧が低い場合はオフセット電圧の変化電圧を小さくして測定点を増やし、狭い電圧幅で直線近似を行う。これについて、実験結果を図6に示す。   Therefore, when the drive voltage is low, the change voltage of the offset voltage is reduced to increase the number of measurement points, and linear approximation is performed with a narrow voltage width. The experimental results are shown in FIG.

図6は、残留DCを求めるためのグラフを表す。   FIG. 6 shows a graph for determining the residual DC.

図6の横軸はオフセット電圧(mV)を表し、縦軸は輝度(a.u.)を表す。   6 represents the offset voltage (mV), and the vertical axis represents the luminance (au).

データ系列(ク)およびデータ系列(ケ)は、液晶パネル20の実際の正極性時透過率および負極性時透過率の測定結果である。正極性時透過率および負極性時透過率とも、図5(b)で示した正極性時透過率および負極性時透過率より測定点を増やしている。   The data series (K) and the data series (K) are measurement results of the actual positive transmittance and negative transmittance of the liquid crystal panel 20. For both the positive transmittance and the negative transmittance, the number of measurement points is increased from the positive transmittance and the negative transmittance shown in FIG.

データ系列(ク)は、オフセット電圧と、正極性時透過率との組のデータを複数プロットしたものであり、データ系列(ケ)は、オフセット電圧と、負極性時透過率との組のデータを複数プロットしたものである。   The data series (g) is a plot of a plurality of sets of offset voltage and positive polarity transmittance, and the data series (K) is a set of offset voltage and negative polarity transmittance. Are plotted.

上記正極性時透過率は、矩形電圧の極性変化後0.4周期経過後の輝度であり、上記負極性時透過率は、矩形電圧の極性変化後0.9周期経過後の輝度である。   The transmittance at the time of positive polarity is the luminance after the elapse of 0.4 cycles after the polarity change of the rectangular voltage, and the transmittance at the time of negative polarity is the luminance after the elapse of 0.9 cycles after the polarity change of the rectangular voltage.

そして、所定の電圧範囲として仮残留DC近傍の±100mVの範囲内でオフセット電圧を変化させた場合の、データ系列(ク)の近似直線(コ)と、データ系列(ケ)の近似直線(サ)を表す。   Then, when the offset voltage is changed within a range of ± 100 mV in the vicinity of the temporary residual DC as the predetermined voltage range, the approximate straight line (co) of the data series (c) and the approximate straight line (sub) of the data series (ke). ).

また、所定の電圧範囲として仮残留DC近傍の±200mVの範囲内でオフセット電圧を変化させた場合の、データ系列(ク)の近似直線(シ)と、データ系列(ケ)の近似直線(ス)を表す。   In addition, when the offset voltage is changed within a range of ± 200 mV in the vicinity of the temporary residual DC as the predetermined voltage range, an approximate straight line of the data series (K) and an approximate straight line (S) of the data series (K). ).

図6に示すように、±100mVの範囲内において、近似直線(コ)とデータ系列(ク)とは重なっており、誤差が小さいことがわかる。そして、同様に±100mVの範囲内において、近似直線(サ)とデータ系列(ケ)とは重なっており、誤差が小さいことがわかる。   As shown in FIG. 6, it can be seen that within the range of ± 100 mV, the approximate straight line (co) and the data series (ku) overlap, and the error is small. Similarly, in the range of ± 100 mV, the approximate line (sa) and the data series (ke) overlap, and it can be seen that the error is small.

一方、±200mVの範囲内において、近似直線(シ)とデータ系列(ク)とは重なっておらず、近似直線(シ)とデータ系列(ク)との誤差が大きい。同様に、±200mVの範囲内において、近似直線(ス)とデータ系列(ケ)とは重なっておらず、近似直線(ス)とデータ系列(ケ)との誤差が大きい。   On the other hand, within the range of ± 200 mV, the approximate line (S) and the data series (K) do not overlap, and the error between the approximate line (S) and the data series (K) is large. Similarly, within the range of ± 200 mV, the approximate straight line (su) and the data series (ke) do not overlap, and the error between the approximate straight line (su) and the data series (ke) is large.

このように、所定の電圧範囲として、仮残留DC近傍の±100mVの範囲内でオフセット電圧を変化させた場合、正確に近似直線を算出することができる。   Thus, when the offset voltage is changed within a range of ± 100 mV in the vicinity of the temporary residual DC as the predetermined voltage range, an approximate straight line can be accurately calculated.

なお、直線近似の方法として、本実施の形態においては、最小2乗法を用いたが、それ以外で一般的に用いられている方法により、直線近似を行ってもよい。例えば、透過率の極値にばらつきが小さい場合は、スプライン補間(各測定間を3次元曲線で結び、隣接する曲線の傾きを各測定点において等しくする方法)によって曲線による近似を行い、交点を求めることも可能である。   In this embodiment, the least square method is used as the method of linear approximation, but linear approximation may be performed by a method generally used in other cases. For example, when there is little variation in the extreme value of transmittance, approximation by a curve is performed by spline interpolation (a method in which each measurement is connected by a three-dimensional curve, and the slope of an adjacent curve is equalized at each measurement point). It is also possible to ask for it.

(残留DC測定フロー)
次に、図7を用い、残留DC測定の測定の流れについて説明する。
(Residual DC measurement flow)
Next, a measurement flow of residual DC measurement will be described with reference to FIG.

図7は、残留DC測定の流れを表すフローチャートである。   FIG. 7 is a flowchart showing the flow of residual DC measurement.

システム制御装置40が、仮残留DC近傍の所定の電圧範囲でオフセット電圧を複数回変化させると、S101で、オフセット電圧制御部35は、仮残留DCを含めた電圧範囲でオフセット電圧を複数回変化させるためのオフセット電圧制御信号をシステム制御装置40に出力する。   When the system control device 40 changes the offset voltage a plurality of times within a predetermined voltage range in the vicinity of the temporary residual DC, in S101, the offset voltage control unit 35 changes the offset voltage a plurality of times within the voltage range including the temporary residual DC. An offset voltage control signal for causing the system control device 40 to output is output to the system control device 40.

S102で、信号取得部31は、電圧取得部7から取得する電気信号から、オフセット電圧制御部35が変化させたオフセット電圧毎の正極性時透過率と負極性時透過率とを取得し、記憶部32に出力する。そして、信号取得部31は、オフセット電圧制御部35が変化させたオフセット電圧の回数分の正極性時透過率と負極性時透過率とを記憶部32に記憶すると、記憶部32に記憶されている複数の正極性時透過率と負極性時透過率との値を、記憶部32から取得し、直線近似・交点演算部33へ出力する。   In S102, the signal acquisition unit 31 acquires the positive-time transmittance and the negative-time transmittance for each offset voltage changed by the offset voltage control unit 35 from the electrical signal acquired from the voltage acquisition unit 7, and stores them. To the unit 32. The signal acquisition unit 31 stores the positive-polarity transmittance and the negative-polarity transmittance corresponding to the number of times of the offset voltage changed by the offset voltage control unit 35 in the storage unit 32, and is stored in the storage unit 32. The plurality of positive and negative transmittances are acquired from the storage unit 32 and output to the straight line approximation / intersection calculator 33.

S103で、直線近似・交点演算部33は、信号取得部31から取得する複数の正極性時透過率の値から、近似直線を算出する。さらに、直線近似・交点演算部33は、信号取得部31から取得する複数の負極性時透過率の値から、近似直線を算出する。   In S <b> 103, the straight line approximation / intersection calculator 33 calculates an approximate straight line from the plurality of positive transmittance values acquired from the signal acquisition unit 31. Further, the straight line approximation / intersection calculator 33 calculates an approximate straight line from the plurality of negative transmittance values acquired from the signal acquisition unit 31.

S104で、直線近似・交点演算部33は、S103で算出した2本の近似直線の交点を算出する。そして、直線近似・交点演算部33は、算出した交点の値を残留DC出力部34に出力する。   In S104, the straight line approximation / intersection calculator 33 calculates the intersection of the two approximate lines calculated in S103. Then, the straight line approximation / intersection calculator 33 outputs the calculated value of the intersection to the residual DC output unit 34.

S105で、残留DC出力部34は、直線近似・交点演算部33から取得した上記交点の値を残留DCとして外部に出力する。   In S105, the residual DC output unit 34 outputs the value of the intersection obtained from the straight line approximation / intersection calculator 33 to the outside as the residual DC.

このようにして、残留DC測定装置30は残留DCを算出し出力する。   In this way, the residual DC measuring device 30 calculates and outputs the residual DC.

〔実施の形態2〕
次に、残留DCの時間変化の測定を行う場合について、図8を用いて説明する。本実施の形態においては、液晶パネル20に変えて、異なる3種類のテストセルであるサンプルA、サンプルB、およびサンプルCの残留DCの時間変化の測定を行った結果を示す。
[Embodiment 2]
Next, the case of measuring the time change of the residual DC will be described with reference to FIG. In this embodiment, instead of the liquid crystal panel 20, the results of measuring the time variation of residual DC of three different types of test cells, sample A, sample B, and sample C are shown.

図8は、サンプルA、サンプルB、およびサンプルCの残留DCの時間変化を表すグラフである。   FIG. 8 is a graph showing the time change of the residual DC of Sample A, Sample B, and Sample C.

残留DCの測定系である残留DC測定システム1および残留DCの測定方法は、実施の形態1で説明したものと同じである。実施の形態1で説明したストレス電圧の印加と残留DCの測定とサンプルA、サンプルB、およびサンプルCのそれぞれで繰り返し行い、残留DCの時間変化をプロットしたグラフが図6である。なお、測定間隔は、任意に設定可能とした。   The residual DC measurement system 1 that is a residual DC measurement system and the residual DC measurement method are the same as those described in the first embodiment. FIG. 6 is a graph in which the application of the stress voltage, the measurement of the residual DC described in Embodiment 1, and the measurement of the residual DC are repeated for each of Sample A, Sample B, and Sample C, and the time variation of the residual DC is plotted. The measurement interval can be arbitrarily set.

残留DCの時間変化は、液晶材料、配向膜材料等の組み合わせによって傾向が異なる。図8に示すように、サンプルAはサンプルCに比べ残留DCの値が常に高い。このような関係であれば、サンプルAおよびサンプルCの残留DCの時間変化を測定する必要性は低いことが分かる。   The tendency of the time change of the residual DC varies depending on the combination of the liquid crystal material, the alignment film material, and the like. As shown in FIG. 8, sample A always has a higher residual DC value than sample C. If it is such a relationship, it turns out that the necessity of measuring the time change of the residual DC of sample A and sample C is low.

一方、サンプルBと、サンプルCとのように、ある経過時間までは残留DCが同程度の値であり、3回目の測定から6回目の測定にかけてサンプルBの方が残留DCの値が大きい。しかし、7回目の測定では、再びサンプルBとサンプルCとで残留DCの値が同程度になる。これは、サンプルCと比べ、サンプルBの方が残留DCの増加速度が速いが、サンプルBは、ある程度残留DCが増加した後、残留DCの値がほぼ一定となる。このように、サンプルBは、ある程度残留DCが増加した後、飽和していることが分かる。一方、サンプルCは、サンプルBと比べ、残留DCの増加速度は遅いが、サンプルCは残留DCが増加し続けている。このため、最終的には、サンプルCの方が焼付きが大きくなる。   On the other hand, as in sample B and sample C, the residual DC has a similar value until a certain elapsed time, and sample B has a larger residual DC value from the third measurement to the sixth measurement. However, in the seventh measurement, the value of the residual DC is again approximately the same between sample B and sample C. This is because the rate of increase in the residual DC is faster in the sample B than in the sample C. However, in the sample B, after the residual DC increases to some extent, the value of the residual DC becomes substantially constant. Thus, it can be seen that the sample B is saturated after the residual DC increases to some extent. On the other hand, sample C has a slower increase in residual DC than sample B, but sample C continues to increase in residual DC. For this reason, eventually, the sample C is more seized.

このように、残留DCの時間変化を測定することにより、最終的に焼付きが大きく発生する液晶材料、配向膜材料等の組み合わせを特定することが可能となる。
〔実施の形態3〕
次に、残留DCの緩和過程を測定する場合について図9を用い説明する。本実施の形態においては、実施の形態2とは異なるテストセルであるサンプルD、サンプルE、およびサンプルFの残留DCの緩和過程の測定を行った結果を示す。
Thus, by measuring the time variation of the residual DC, it becomes possible to specify a combination of a liquid crystal material, an alignment film material, and the like that will ultimately cause large image sticking.
[Embodiment 3]
Next, the case of measuring the relaxation process of residual DC will be described with reference to FIG. In the present embodiment, the results of measurement of the relaxation process of residual DC of sample D, sample E, and sample F, which are different test cells from the second embodiment, are shown.

図9は、サンプルD、サンプルE、およびサンプルFの残留DCの緩和過程を表すグラフである。残留DCの測定系である残留DC測定システム1および残留DCの測定方法は、実施の形態1で説明したものと同じである。   FIG. 9 is a graph showing the relaxation process of residual DC of Sample D, Sample E, and Sample F. The residual DC measurement system 1 that is a residual DC measurement system and the residual DC measurement method are the same as those described in the first embodiment.

まず、実施の形態1と同様に、サンプルD、サンプルE、およびサンプルFのそれぞれにストレス電圧を印加後、残留DCを測定する。その後、システム制御装置40は、サンプルD、サンプルE、およびサンプルFのそれぞれに0Vの駆動電圧を印加する。そして、残留DC測定装置30で残留DCの測定を行う。このように、サンプルD、サンプルE、およびサンプルFのそれぞれに0Vの駆動電圧を印加、それぞれの残留DCの測定を複数回繰り返し行い、その残留DCの測定結果をプロットしたグラフが図9である。なお、測定間隔は、任意に設定可能とした。   First, as in Embodiment 1, after applying a stress voltage to each of Sample D, Sample E, and Sample F, the residual DC is measured. Thereafter, the system control device 40 applies a driving voltage of 0 V to each of the sample D, the sample E, and the sample F. Then, the residual DC measurement device 30 measures the residual DC. Thus, FIG. 9 is a graph in which a driving voltage of 0 V is applied to each of Sample D, Sample E, and Sample F, each residual DC measurement is repeated a plurality of times, and the measurement results of the residual DC are plotted. . The measurement interval can be arbitrarily set.

図9に示すように、サンプルD、サンプルE、およびサンプルFの初期の残留DCは、ほぼ同程度である。   As shown in FIG. 9, the initial residual DC of sample D, sample E, and sample F is approximately the same.

しかし、サンプルEの残留DCの緩和速度が一番速く、4回目の測定時には、ほぼ、残留DCは0になっている。そして、サンプルFは、サンプルEの次に残留DCの緩和速度が速く、6回目の測定時には、ほぼ、残留DCが0となっている。サンプルDは、緩和速度が一番遅く、6回の測定では残留DCが0とならない。   However, the relaxation rate of the residual DC of sample E is the fastest, and the residual DC is almost zero at the time of the fourth measurement. Sample F has the fastest residual DC relaxation rate after sample E, and the residual DC is almost zero at the sixth measurement. Sample D has the slowest relaxation rate, and the residual DC does not become zero after six measurements.

残留DCが起因する焼付きがどの程度の時間で消えるかは、残留DCの緩和速度と強い相関がある。そして、残留DCの緩和速度が遅い場合は焼付きが長く残ってしまうことになる。そのため、一度発生した残留DCの緩和過程を測定する必要性がある。   How long the seizure caused by the residual DC disappears has a strong correlation with the relaxation rate of the residual DC. And when the relaxation rate of residual DC is slow, seizure will remain for a long time. Therefore, there is a need to measure the relaxation process of the residual DC once generated.

上述したように、サンプルD、サンプルE、およびサンプルFの残留DCの緩和速度を測定することにより、サンプルDが一番長く焼付きが残ることが分かる。   As described above, by measuring the relaxation rate of the residual DC of sample D, sample E, and sample F, it can be seen that sample D remains seized for the longest time.

〔実施の形態4〕
次に、残留DC測定システム1で、残留DCおよび焼付きの測定を、並列で複数箇所の測定を行うシステムおよび測定方法について、図2、3の残留DC測定システム1の構成を参考にしつつ図11を用い説明する。
[Embodiment 4]
Next, a system and a measurement method for measuring residual DC and seizure in parallel at a plurality of locations in the residual DC measurement system 1 with reference to the configuration of the residual DC measurement system 1 in FIGS. 11 will be described.

図11は、本実施の形態における多点測定システムにおける測定の流れを表す説明図である。   FIG. 11 is an explanatory diagram showing the flow of measurement in the multipoint measurement system in the present embodiment.

通常、焼付きは数十分から数時間以上観察する必要があり、残留DCも同様の時間をかけて測定する必要性がある。   Usually, seizure needs to be observed for several tens of minutes to several hours or more, and residual DC needs to be measured over the same time.

一方で、焼付きなどの信頼性試験は再現実験が必要であり、多数のサンプルを測定することが多い。従来の残留DC測定装置では一度に一点しか測定できないため、莫大な時間を要するか、同じ装置を複数台必要せざるを得なかった。   On the other hand, a reliability test such as seizure requires a reproduction experiment and often measures a large number of samples. Since the conventional residual DC measuring device can measure only one point at a time, enormous time is required or a plurality of the same devices must be required.

本実施の形態の多点測定システムでは、並列処理を可能にし、測定システムは1台で4点の測定を可能にした。なお、残留DCの測定方法は、実施の形態1〜3と原則同じである。   In the multipoint measurement system of the present embodiment, parallel processing is possible, and a single measurement system can measure four points. The method for measuring residual DC is basically the same as in the first to third embodiments.

まず、XYステージ10上に4つの液晶セルをセットする。各々の液晶セルには、独立に制御される波形発生器が接続されている。そして、各々の液晶セルの測定点を測定点S1,S2,S3,S4とする。   First, four liquid crystal cells are set on the XY stage 10. Each liquid crystal cell is connected to an independently controlled waveform generator. The measurement points of each liquid crystal cell are set as measurement points S1, S2, S3, and S4.

まず、全ての測定点S1〜S4には、駆動電圧0Vを印加する。そして測定点S1に光軸を合わせ、測定点S1の残留DCを実施の形態1と同様に測定する。   First, a drive voltage of 0 V is applied to all measurement points S1 to S4. Then, the optical axis is aligned with the measurement point S1, and the residual DC at the measurement point S1 is measured in the same manner as in the first embodiment.

すなわち、S11で、測定点S1にストレス電圧を印加する。そして、S12で、測定点S1の残留DCを測定する。この際、S21で測定点S2にストレス電圧を印加しておく。   That is, in S11, a stress voltage is applied to the measurement point S1. In S12, the residual DC at the measurement point S1 is measured. At this time, a stress voltage is applied to the measurement point S2 in S21.

そして、測定点S1の残留DC測定後、S22で、XYステージ10を移動し、測定点S2に光軸を合わせる。そして、測定点S2の残留DCの測定を開始すると共に、S13で、測定点S1にストレス電圧を印加する。また、この際、S31で測定点S3にはストレス電圧を印加しておく。   Then, after the residual DC measurement at the measurement point S1, the XY stage 10 is moved at S22 to align the optical axis with the measurement point S2. Then, the measurement of the residual DC at the measurement point S2 is started, and a stress voltage is applied to the measurement point S1 in S13. At this time, a stress voltage is applied to the measurement point S3 in S31.

次に、測定点S2の残留DC測定後、S32で、XYステージ10を移動し、測定点S3に光軸を合わせる。そして、測定点S3の残留DCの測定を開始すると共に、S23で、測定点S2にストレス電圧を印加する。また、この際、S41で測定点S4にはストレス電圧を印加しておく。   Next, after the residual DC measurement at the measurement point S2, the XY stage 10 is moved in S32, and the optical axis is aligned with the measurement point S3. Then, the measurement of the residual DC at the measurement point S3 is started, and a stress voltage is applied to the measurement point S2 in S23. At this time, a stress voltage is applied to the measurement point S4 in S41.

そして、測定点S3の残留DC測定後、S42で、XYステージ10を移動し、測定点S4に光軸を合わせる。そして、測定点S4の残留DCの測定を開始すると共に、S33で、測定点S3にストレス電圧を印加する。   Then, after the residual DC measurement at the measurement point S3, the XY stage 10 is moved at S42 to align the optical axis with the measurement point S4. Then, the measurement of the residual DC at the measurement point S4 is started, and a stress voltage is applied to the measurement point S3 in S33.

次に、測定点S4の残留DC測定後、S43で測定点S4にストレス電圧を印加し、所定時間経過するまで待つ。そして、所定時間経過後、S14でXYステージ10を移動し、測定点S1に光軸を合わせる。そして測定点S1の残留DCの測定を開始する。   Next, after measuring the residual DC at the measurement point S4, a stress voltage is applied to the measurement point S4 in S43, and the process waits until a predetermined time elapses. Then, after a predetermined time has elapsed, the XY stage 10 is moved in S14, and the optical axis is aligned with the measurement point S1. Then, the measurement of the residual DC at the measurement point S1 is started.

そして、これらのステップを繰り返す。所定の回数繰り返した後、ストレス電圧の変わりに、測定点S1〜S4のそれぞれに駆動電圧0Vを印加し、残留DCの緩和過程を並列に測定する。測定点S1〜S4それぞれでの残留DCの緩和過程の測定方法は、実施の形態3で説明した通りである。   Then, these steps are repeated. After repeating a predetermined number of times, instead of the stress voltage, a driving voltage 0 V is applied to each of the measurement points S1 to S4, and the relaxation process of the residual DC is measured in parallel. The method for measuring the relaxation process of residual DC at each of the measurement points S1 to S4 is as described in the third embodiment.

なお、測定点S1〜S4は4つ全てを使う必要はなく、また設計を変更して4点を超える並列測定を行えるようにしてもよい。測定点が多い場合は測定点ごとに波形発生器を用意するのではなく、測定波形とストレス波形を発生する波形発生器を設置してリレーで信号を切り替える方が実用的である。   Note that it is not necessary to use all four measurement points S1 to S4, and the design may be changed so that parallel measurement exceeding four points can be performed. When there are many measurement points, it is more practical not to prepare a waveform generator for each measurement point, but to install a waveform generator that generates a measurement waveform and a stress waveform and switch signals using a relay.

各々の測定点S1〜S4は独立して残留DCを測定できるので、各々独立して残留DCの時間変化、絶対値の解析ができる。1枚のサンプルの多点測定をする場合は、例えば注入口付近、シール材付近、中央部といったパネル内の残留DCの分布を測定することが可能である。   Since each of the measurement points S1 to S4 can independently measure the residual DC, each of the measurement points S1 to S4 can independently analyze the temporal change and absolute value of the residual DC. When performing multipoint measurement of one sample, it is possible to measure the distribution of residual DC in the panel, for example, near the inlet, near the sealing material, and in the center.

〔実施の形態5〕
次に図12を用い、テストセルである液晶パネル20の焼付きを直接測定するための測定方法について説明する。
[Embodiment 5]
Next, a measurement method for directly measuring the image sticking of the liquid crystal panel 20 as a test cell will be described with reference to FIG.

図12は、本実施の形態に係る焼付きの測定フローを表すフローチャートである。   FIG. 12 is a flowchart showing a measurement flow for image sticking according to the present embodiment.

焼付き測定を行うための測定装置は実施の形態1〜4に記載の残留DC測定システムと同じである。   The measurement apparatus for performing the seizure measurement is the same as the residual DC measurement system described in the first to fourth embodiments.

まず、予め残留DC測定システム1のV−T特性を測定しておく。このV−T特性の測定は、実施の形態1で説明した方法と同じである。   First, the VT characteristic of the residual DC measurement system 1 is measured in advance. The measurement of the VT characteristic is the same as the method described in the first embodiment.

S201で、実施の形態1で説明したように、リファレンス測定を行い、透過率0%と100%とを決定する。上述したように、透過率100%を測定するときには、偏光板4a・4bはクロスニコル状態しておくか、XYステージ10を偏光板4a・4bにもとりつけて光軸から離しておく。あるいは最初から偏光板4a・4bは液晶パネル20に添付し、残留DC測定システム1にはとりつけない。   In S201, as described in the first embodiment, reference measurement is performed to determine transmittances of 0% and 100%. As described above, when measuring the transmittance of 100%, the polarizing plates 4a and 4b are kept in a crossed Nicols state, or the XY stage 10 is attached to the polarizing plates 4a and 4b and separated from the optical axis. Alternatively, the polarizing plates 4 a and 4 b are attached to the liquid crystal panel 20 from the beginning, and are not attached to the residual DC measurement system 1.

次に、S202で、予め設定された液晶パネル20の測定点毎に、V‐T特性を測定する。そして、S202で、リファレンス測定部44は、階調-電圧特性を算出し、算出した階調-電圧特性をシステム制御装置40に出力する。システム制御装置40は、リファレンス測定部44から入力される階調-電圧特性から、最大透過率(透過率100%)の半分となる電圧V50を求め、透過率T50を測定する。なお、この場合の透過率T50はストレス電圧を印加しないで測定した初期透過率(透過率T0)と称する。そして、システム制御装置40は、液晶パネル20の焼付き測定の階調の電圧設定および残留DC測定時の矩形電圧の振幅を決定する。 Next, in S202, the VT characteristic is measured for each measurement point of the liquid crystal panel 20 set in advance. In step S <b> 202, the reference measurement unit 44 calculates a gradation-voltage characteristic and outputs the calculated gradation-voltage characteristic to the system control device 40. The system control device 40 obtains a voltage V 50 that is half of the maximum transmittance (transmittance 100%) from the gradation-voltage characteristics input from the reference measurement unit 44, and measures the transmittance T 50 . In this case, the transmittance T 50 is referred to as an initial transmittance (transmittance T0) measured without applying a stress voltage. Then, the system control device 40 determines the gradation voltage setting for the burn-in measurement of the liquid crystal panel 20 and the amplitude of the rectangular voltage during the residual DC measurement.

そして、システム制御装置40は、ストレス電圧を液晶パネル20に印加せず、S100で示したステップにより、液晶パネル20の初期残留DCを測定する。これにより、液晶パネル20に対してストレス電圧を印加する前の残留DC、すなわち初期残留DCが0であることを確認する。ここで、初期残留DCが0±10mVにない場合は、最初から液晶パネル20が焼付いている可能性があるとして、プログラム上から警告を発し測定実行か中止かの選択を可能にしておく。   Then, the system control device 40 does not apply the stress voltage to the liquid crystal panel 20, and measures the initial residual DC of the liquid crystal panel 20 according to the step shown in S100. Thereby, it is confirmed that the residual DC before applying the stress voltage to the liquid crystal panel 20, that is, the initial residual DC is zero. Here, when the initial residual DC is not 0 ± 10 mV, it is assumed that the liquid crystal panel 20 may be burned from the beginning, and a warning is issued from the program to make it possible to select whether to execute or stop the measurement.

次に、S204で、システム制御装置40は、波形電圧発生部8に対して、液晶パネル20にストレス電圧を一定時間加える指示信号を出力する。そして、波形電圧発生部8は、液晶パネル20にストレス電圧を一定時間加える。そして、S100で示したように、液晶パネル20の残留DCを測定する。なお、残留DCまたは透過率測定のみを選択できるようプログラミング上選択できるようにしている。   Next, in S <b> 204, the system control device 40 outputs an instruction signal for applying a stress voltage to the liquid crystal panel 20 for a certain period of time to the waveform voltage generator 8. Then, the waveform voltage generator 8 applies a stress voltage to the liquid crystal panel 20 for a certain period of time. Then, as shown in S100, the residual DC of the liquid crystal panel 20 is measured. It should be noted that programming can be selected so that only residual DC or transmittance measurement can be selected.

次に、実施の形態4で説明したように、他の測定点を測定し、並列処理を行なう。すなわち、S205で、他の測定点へXYステージ10を移動し、光軸を合わせる。そして、レファレンス測定を行う。   Next, as described in the fourth embodiment, other measurement points are measured and parallel processing is performed. That is, in S205, the XY stage 10 is moved to another measurement point and the optical axis is aligned. Then, reference measurement is performed.

S206で、リファレンス測定部44は、選択階調(V50)の透過率(透過率T50)を測定する旨の指示をシステム制御装置40に出力する。そして、システム制御装置40は、選択階調の矩形電圧を出力する旨の指示を波形電圧発生部8に出力する。波形電圧発生部8は、システム制御装置40から出力される選択階調の矩形電圧を出力する旨の指示を取得すると、選択階調の矩形電圧を液晶パネル20に出力する。そして、信号取得部31は、液晶パネル20のV50印加時の透過率である透過率T50を取得し、リファレンス測定部44に出力する。これにより、リファレンス測定部44は、V50と透過率T50とを対応付ける。 In S206, the reference measurement unit 44 outputs an instruction to measure the transmittance of the selected level (V 50) and (transmittance T 50) to the system controller 40. Then, the system control device 40 outputs an instruction to output the rectangular voltage of the selected gradation to the waveform voltage generator 8. When the waveform voltage generator 8 obtains an instruction to output the rectangular voltage of the selected gradation output from the system control device 40, the waveform voltage generator 8 outputs the rectangular voltage of the selected gradation to the liquid crystal panel 20. Then, the signal acquisition unit 31 acquires a transmittance T 50 that is a transmittance when the V 50 is applied to the liquid crystal panel 20 and outputs it to the reference measurement unit 44. Thus, the reference measuring unit 44 associates the transmission T 50 and V 50.

そして、上述したS204、S100、S205、S206を繰り返す。   Then, S204, S100, S205, and S206 described above are repeated.

残留DC測定システム1では、プログラム上、ストレス電圧の印加時間、および残留DCの測定回数が任意で設定できる。   In the residual DC measurement system 1, the application time of the stress voltage and the number of times of measurement of the residual DC can be arbitrarily set on the program.

そして、S204、S100、S205、S206を任意回数繰り返したあと、実施の形態3で説明したように残留DCの緩和過程を測定する。   Then, after repeating S204, S100, S205, and S206 an arbitrary number of times, the relaxation process of residual DC is measured as described in the third embodiment.

すなわち、S207で、液晶パネル20に対して任意のストレス条件を加える。任意のストレス条件とは、オフセット電圧を加えない矩形電圧であるストレス電圧を加えたり、液晶パネル20に接続されている電極を短絡したりする。そして、一定時間経過後、S100、S205、S206の処理を行う。すなわち、残留DC測定と透過率測定とを繰り返す。   That is, an arbitrary stress condition is applied to the liquid crystal panel 20 in S207. The arbitrary stress conditions include applying a stress voltage which is a rectangular voltage to which no offset voltage is applied, or short-circuiting the electrodes connected to the liquid crystal panel 20. Then, after a predetermined time has elapsed, the processes of S100, S205, and S206 are performed. That is, the residual DC measurement and the transmittance measurement are repeated.

このように、残留DC測定および残留DCの緩和過程を測定することができる。   In this way, residual DC measurement and residual DC relaxation process can be measured.

また、上述したステップにより、焼付き率を測定することもできる。ここで、焼付き率は所定の電圧における初期透過率T、ストレス印加後の同じ電圧における透過率をT’としたとき、T’/Tで表される。 Moreover, the image sticking rate can also be measured by the steps described above. Here, the seizure rate is represented by T ′ / T 0, where T ′ is the initial transmittance T 0 at a predetermined voltage, and T ′ is the transmittance at the same voltage after stress application.

焼付き測定装置45は、リファレンス測定部44から透過率Tおよび透過率T50を取得する。そして、焼付き測定装置45は、T’/Tを算出し、焼付き率として出力する。なお、ストレス電圧がない印加電圧0Vの画素の焼付き率測定を一緒に行い、データの再現性を確認することが望ましい。 The seizure measuring device 45 acquires the transmittance T 0 and the transmittance T 50 from the reference measurement unit 44. Then, the seizure measuring device 45 calculates T ′ / T 0 and outputs it as a seizure rate. Note that it is desirable to confirm the reproducibility of the data by simultaneously measuring the burn-in rate of a pixel having an applied voltage of 0 V with no stress voltage.

T’/T≠1の場合、液晶パネル20は焼付きが発生している。この場合、残留DC=0Vであれば焼付きは残留DC以外が原因であることが分かる。そして、残留DC≠0Vのときは、焼付きの原因は残留DCと他の要因が重なっている可能性がある。そこで、フリッカーが最小になるオフセット電圧を加えて、焼付き率を測定する階調の透過率T’(本実施の形態においては透過率T50)を再度測定する。T’/T=1となれば焼付きは残留DC起因のみであるが、T’/T≠1となれば残留DC以外の要因もあると判定することができる。 When T ′ / T 0 ≠ 1, the liquid crystal panel 20 is seized. In this case, if the residual DC = 0V, it is understood that the seizure is caused by other than the residual DC. When the residual DC is not 0 V, there is a possibility that the cause of seizure overlaps with the residual DC and other factors. Therefore, an offset voltage at which the flicker is minimized is applied, and the transmittance T ′ of the gradation for measuring the burn-in rate (transmittance T 50 in this embodiment) is measured again. If T ′ / T 0 = 1, seizure is only due to residual DC, but if T ′ / T 0 ≠ 1, it can be determined that there are other factors than residual DC.

このように、リファレンス測定をした後、焼付きを測定したい階調の透過率を測定し、それを初期の透過率で除算して焼付き率を求める。   In this way, after performing the reference measurement, the transmittance of the gradation for which the image sticking is to be measured is measured, and the image is divided by the initial transmittance to obtain the image sticking rate.

上述したようにストレス電圧を印加するなどして、液晶パネル20に負荷をかけ、その後、液晶パネル20の残留DCまたは焼付き率を測定するという作業を一定時間繰り返し行い、液晶パネル20の焼付きの総合的な評価をすることができる。   As described above, stress is applied to the liquid crystal panel 20 by applying a stress voltage, and thereafter, the operation of measuring the residual DC or the image sticking rate of the liquid crystal panel 20 is repeatedly performed for a certain time. A comprehensive evaluation can be made.

なお、必要に応じて、残留DCのみ、あるいは焼付き率のみの測定をすることもできるよう、システム制御装置40に記憶される測定プログラムに選択肢を設けておく。   Note that options are provided in the measurement program stored in the system control device 40 so that only the residual DC or only the burn-in rate can be measured as necessary.

また、一定時間付加をかけて液晶パネル20を焼付かせた後、液晶パネル20に接続される上下の電極を短絡して付加をなくし、残留DCおよび焼付き率の緩和を測定することも可能である。   It is also possible to measure the relaxation of residual DC and seizure rate by short-circuiting the upper and lower electrodes connected to the liquid crystal panel 20 after the liquid crystal panel 20 has been baked over a certain period of time, thereby eliminating the addition. is there.

〔実施例〕
次に、液晶パネル20として、例えば、テレビなどに用いられるTFTパネルの焼付き率を測定する例を示す。
〔Example〕
Next, an example of measuring the burn-in rate of a TFT panel used for a television or the like as the liquid crystal panel 20 will be described.

測定装置は残留DC測定システム1を用いた。また測定方法は、実施の形態で示した通りである。測定装置は残留DC測定システム1の電圧取得部7としてマルチメータを用いた。そして、残留DC測定システム1は、上記マルチメータからの出力を、PCからなる演算・制御部9で取り込むシステムを有する。XYステージ10には液晶パネル20を1枚または複数枚置いて固定する機構を有する。   The residual DC measurement system 1 was used as the measurement device. The measuring method is as described in the embodiment. The measurement apparatus used a multimeter as the voltage acquisition unit 7 of the residual DC measurement system 1. The residual DC measurement system 1 has a system that takes in the output from the multimeter by a calculation / control unit 9 composed of a PC. The XY stage 10 has a mechanism for placing and fixing one or more liquid crystal panels 20.

XYステージ10には、TFTを有する液晶パネル20を置く。そして、図13のようなフローに従い、焼付き率を測定する。   A liquid crystal panel 20 having TFTs is placed on the XY stage 10. Then, the image sticking rate is measured according to the flow shown in FIG.

図13は、本実施例に係る焼付き率測定の一例を示すフローチャートである。   FIG. 13 is a flowchart illustrating an example of the seizure rate measurement according to the present embodiment.

まず、リファレンス測定を行い、V−T特性、階調−電圧特性の算出を行う(S201〜S203参照)。次に、S301で、システム制御装置40から指示することにより、液晶パネル20に電圧V50を印加し、中間調表示させた。そして、XYステージ10を一方向に所定の速度で移動させつつ、連続的に液晶パネル20の透過率を測定した。 First, reference measurement is performed to calculate VT characteristics and gradation-voltage characteristics (see S201 to S203). Next, in S301, by an instruction from the system controller 40, the voltage V 50 is applied to the liquid crystal panel 20, was displayed halftone. Then, the transmittance of the liquid crystal panel 20 was continuously measured while moving the XY stage 10 in one direction at a predetermined speed.

そして、S204と同様、液晶パネル20に対して、ストレス電圧を印加した。   Then, as in S204, a stress voltage was applied to the liquid crystal panel 20.

図14は、液晶パネル20に印加されるストレス電圧の様子を表す概略図である。   FIG. 14 is a schematic diagram showing the state of the stress voltage applied to the liquid crystal panel 20.

図14に示すように、液晶パネル20に、白表示のパターンと、黒表示のパターンとが市松模様となるような映像信号をストレス電圧として印加した。   As shown in FIG. 14, a video signal in which a white display pattern and a black display pattern have a checkered pattern is applied to the liquid crystal panel 20 as a stress voltage.

次に、S302で、再び液晶パネル20に電圧V50を印加し、中間調表示させた。そして、XYステージ10を一方向に所定の速度で移動させつつ、液晶パネル20にストレス電圧印加前に透過率を測定した箇所と同じ箇所の透過率を測定した。その後、S207とS302とを任意回数繰り返した。 Next, in S302, the voltage V 50 is applied to the liquid crystal panel 20 again, it was displayed halftone. And the transmittance | permeability of the same location as the location which measured the transmittance | permeability before applying the stress voltage to the liquid crystal panel 20 was measured, moving the XY stage 10 to predetermined direction. Thereafter, S207 and S302 were repeated an arbitrary number of times.

図15(a)に示すのは、市松模様のストレス電圧を印加後の中間調表示させた液晶パネル20の表示状態を表す概略図であり、図15(b)に示すのは図15(a)に示す測定方向の透過率の測定結果を表すグラフである。   FIG. 15A is a schematic diagram showing a display state of the liquid crystal panel 20 displayed in halftone after applying a checkered stress voltage, and FIG. 15B shows the display state of FIG. It is a graph showing the measurement result of the transmittance | permeability of the measurement direction shown to).

図15(a)(b)に示すように、液晶パネル20に市松模様のストレス電圧を印加後、全面に同一の電圧を印加することにより中間調表示をさせても、濃いグレーの領域と、薄いグレーの領域とが市松模様に表示されている。すなわち、液晶パネル20で、図14に示す白を表示させていた領域は薄いグレーで表示され、黒を表示させていた領域は濃いグレーで表示されている。   As shown in FIGS. 15 (a) and 15 (b), after applying a checkered stress voltage to the liquid crystal panel 20, even if halftone display is performed by applying the same voltage to the entire surface, a dark gray region, A light gray area is displayed in a checkered pattern. That is, in the liquid crystal panel 20, the area where white is displayed as shown in FIG. 14 is displayed in light gray, and the area where black is displayed is displayed in dark gray.

そして、焼付き測定装置45は、上記濃いグレーで表示される領域の透過率(輝度)Tと、上記薄いグレーで表示される領域の透過率(輝度)T’とを信号取得部31から取得し、比(T’/T)を焼付き率として算出した。 Then, the burn-in measurement device 45 obtains the transmittance (luminance) T 0 of the region displayed in the dark gray and the transmittance (luminance) T ′ of the region displayed in the light gray from the signal acquisition unit 31. Obtained, and the ratio (T ′ / T 0 ) was calculated as a seizure rate.

なお、液晶パネル20に面内輝度ムラがある場合は、白を表示していた領域と黒を表示していた領域の境界近傍で輝度比を複数点算出し、最大値、最小値、平均を求める。測定箇所については、事前にシステム制御装置40に記憶させておいた、測定箇所を任意に設定できるように作成された測定プログラムから設定した。さらに、中間調は、必要に応じて焼付き率を測定したい階調を、測定プログラムで選択できるようにしておいた。   If the liquid crystal panel 20 has in-plane luminance unevenness, a plurality of luminance ratios are calculated near the boundary between the region displaying white and the region displaying black, and the maximum value, minimum value, and average are calculated. Ask. About the measurement location, it set from the measurement program created so that the measurement location could be arbitrarily set memorize | stored in the system control apparatus 40 beforehand. Further, for the halftone, the gradation for which the burn-in rate is to be measured can be selected by the measurement program as necessary.

また、残留DC測定システム1の光学部2をとして、顕微鏡の光学系を用いた。これにより、液晶パネル20がMVAモードの場合で、リブとスリットの間隙、スリットの上、リブの上などの微小領域の残留DCと焼付き率を測定することができた。   In addition, a microscope optical system was used as the optical unit 2 of the residual DC measurement system 1. As a result, when the liquid crystal panel 20 is in the MVA mode, the residual DC and seizure rate in a minute region such as the gap between the rib and the slit, the slit, and the rib can be measured.

以上説明したように、本発明によれば、液晶パネルの複数点あるいは複数枚の液晶パネルの残留DCを同時に正確に測定することができ、測定直前に黒輝度と白輝度のレファレンス測定を行えるためテストセルの焼付き率を透過率という形で直接測定することが可能である。更に、任意の時間毎に焼付き率、残留DCを測定することが可能であるので、焼付き率と残留DCの時間変化を測定することが可能である。また、焼付き率と残留DCを同時に測定可能であるので、焼付きの原因を残留DCと残留DCでないものに切り分けることができる。   As described above, according to the present invention, residual DC of a plurality of liquid crystal panels or a plurality of liquid crystal panels can be accurately measured simultaneously, and a reference measurement of black luminance and white luminance can be performed immediately before the measurement. It is possible to directly measure the seizure rate of the test cell in the form of transmittance. Furthermore, since it is possible to measure the image sticking rate and the residual DC every arbitrary time, it is possible to measure the time change of the image sticking rate and the residual DC. In addition, since the seizure rate and the residual DC can be measured simultaneously, the cause of seizure can be divided into a residual DC and a non-residual DC.

その結果、液晶セルの開発を効率よく行える。   As a result, the liquid crystal cell can be developed efficiently.

(プログラム、コンピュータ読み取り可能な記録媒体)
また、実施の形態1から5および実施例で説明した残留DC測定装置の各ブロック、特に直線近似・交点演算部33は、ハードウェアロジックによって構成してもよいし、次のようにCPUを用いてソフトウェアによって実現してもよい。
(Program, computer-readable recording medium)
In addition, each block of the residual DC measuring device described in the first to fifth embodiments and the examples, in particular, the linear approximation / intersection calculator 33 may be configured by hardware logic, or a CPU is used as follows. It may be realized by software.

すなわち、直線近似・交点演算部33は、各機能を実現する制御プログラムの命令を実行するCPU(central processing unit)、上記プログラムを格納したROM(read only memory)、上記プログラムを展開するRAM(random access memory)、上記プログラムおよび各種データを格納するメモリ等の記憶装置(記録媒体)などを備えている。そして、本発明の目的は、上述した機能を実現するソフトウェアである直線近似・交点演算部33の制御プログラムのプログラムコード(実行形式プログラム、中間コードプログラム、ソースプログラム)をコンピュータで読み取り可能に記録した記録媒体を、上記直線近似・交点演算部33に供給し、そのコンピュータ(またはCPUやMPU)が記録媒体に記録されているプログラムコードを読み出し実行することによっても、達成可能である。   That is, the straight line approximation / intersection calculator 33 has a central processing unit (CPU) that executes instructions of a control program that realizes each function, a read only memory (ROM) that stores the program, and a RAM (random) that expands the program. access memory), a storage device (recording medium) such as a memory for storing the program and various data. The object of the present invention is to record the program code (execution format program, intermediate code program, source program) of the control program of the linear approximation / intersection calculator 33, which is software that realizes the above-described functions, in a computer-readable manner. This can also be achieved by supplying the recording medium to the linear approximation / intersection calculator 33 and reading out and executing the program code recorded on the recording medium by the computer (or CPU or MPU).

上記記録媒体としては、例えば、磁気テープやカセットテープ等のテープ系、フロッピー(登録商標)ディスク/ハードディスク等の磁気ディスクやCD−ROM/MO/MD/DVD/CD−R等の光ディスクを含むディスク系、ICカード(メモリカードを含む)/光カード等のカード系、あるいはマスクROM/EPROM/EEPROM/フラッシュROM等の半導体メモリ系などを用いることができる。   Examples of the recording medium include a tape system such as a magnetic tape and a cassette tape, a magnetic disk such as a floppy (registered trademark) disk / hard disk, and an optical disk such as a CD-ROM / MO / MD / DVD / CD-R. Card system such as IC card, IC card (including memory card) / optical card, or semiconductor memory system such as mask ROM / EPROM / EEPROM / flash ROM.

また、直線近似・交点演算部33を通信ネットワークと接続可能に構成し、上記プログラムコードを通信ネットワークを介して供給してもよい。この通信ネットワークとしては、特に限定されず、例えば、インターネット、イントラネット、エキストラネット、LAN、ISDN、VAN、CATV通信網、仮想専用網(virtual private network)、電話回線網、移動体通信網、衛星通信網等が利用可能である。また、通信ネットワークを構成する伝送媒体としては、特に限定されず、例えば、IEEE1394、USB、電力線搬送、ケーブルTV回線、電話線、ADSL回線等の有線でも、IrDAやリモコンのような赤外線、Bluetooth(登録商標)、802.11無線、HDR、携帯電話網、衛星回線、地上波デジタル網等の無線でも利用可能である。なお、本発明は、上記プログラムコードが電子的な伝送で具現化された、搬送波に埋め込まれたコンピュータデータ信号の形態でも実現され得る。   Alternatively, the straight line approximation / intersection calculator 33 may be configured to be connectable to a communication network, and the program code may be supplied via the communication network. The communication network is not particularly limited. For example, the Internet, intranet, extranet, LAN, ISDN, VAN, CATV communication network, virtual private network, telephone line network, mobile communication network, satellite communication. A net or the like is available. Also, the transmission medium constituting the communication network is not particularly limited. For example, even in the case of wired such as IEEE 1394, USB, power line carrier, cable TV line, telephone line, ADSL line, etc., infrared rays such as IrDA and remote control, Bluetooth ( (Registered trademark), 802.11 wireless, HDR, mobile phone network, satellite line, terrestrial digital network, and the like can also be used. The present invention can also be realized in the form of a computer data signal embedded in a carrier wave in which the program code is embodied by electronic transmission.

なお、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

また、本発明の残留DC測定装置、残留DC測定システム、残留DC測定方法、残留DC測定装置制御プログラム、コンピュータ読み取り可能な記録媒体以下のようにも表現できる。   Further, the present invention can also be expressed as a residual DC measuring device, a residual DC measuring system, a residual DC measuring method, a residual DC measuring device control program, and a computer-readable recording medium according to the present invention.

(1)フリッカー消去法による残留DC測定方法であって、矩形波に加えるオフセット電圧を1周期毎に単調に大きくまたは小さくしてフリッカーが最小になるオフセット電圧を求め、その最小になるオフセット電圧近傍±100mVの範囲で矩形波の極性が正のときの透過率とオフセット電圧の関係、および矩形波の極性が負のときの透過率とオフセット電圧の関係、各々を線形近似しその交点を残留DCとする残留DCの測定方法および残留DC測定プログラム。   (1) A residual DC measurement method using a flicker elimination method, in which the offset voltage applied to a rectangular wave is monotonously increased or decreased for each cycle to obtain an offset voltage that minimizes flicker, and in the vicinity of the minimum offset voltage The relationship between transmittance and offset voltage when the polarity of the square wave is positive in the range of ± 100 mV, and the relationship between transmittance and offset voltage when the polarity of the square wave is negative. A residual DC measurement method and a residual DC measurement program.

(2)オフセット電圧との関係を線形近似する透過率は、矩形波の半周期毎に電圧変化後0.4T以上0.5T未満での透過率である(1)の残留DCの測定方法及び残留DC測定プログラム。   (2) The transmittance for linearly approximating the relationship with the offset voltage is the transmittance at 0.4T or more and less than 0.5T after voltage change every half cycle of the rectangular wave. Residual DC measurement program.

(3)オフセット電圧変化内で前記近似直線が交わらない場合は、前記近似直線の延長線の交点を予測残留DCとし、その周辺で再度オフセット電圧を変化させて残留DCを測定する(1)または(2)の残留DCの測定方法および残留DC測定プログラム
(4)(1)〜(3)において任意時間のストレス印加と残留DC測定を任意回数繰り返すことができる残留DC測定プログラムおよび残留DCの測定方法。
(3) If the approximate line does not intersect within the offset voltage change, the intersection of the extension line of the approximate line is set as the predicted residual DC, and the residual voltage is measured by changing the offset voltage again in the vicinity (1) or (2) Residual DC measurement method and residual DC measurement program (4) Residual DC measurement program and residual DC measurement capable of repeating arbitrary time stress application and residual DC measurement any number of times in (1) to (3) Method.

(5)光源、回転機構を有する2つの偏光素子、2つの偏光素子の間にあるXYステージ、受光部からなる光学系を有し、この光学系は外光を遮光可能な恒温槽内に配置されており、受光部の信号を電圧に変換してパーソナルコンピューターに取り込むシステムを有し、任意波形発生装置を有し、XYステージには1乃至複数のセルを固定できる機構と、それらセルに前記任意波形発生装置より電圧を印加できる端子を設けてある焼付き評価装置。   (5) An optical system comprising a light source, two polarizing elements having a rotation mechanism, an XY stage between the two polarizing elements, and a light receiving unit, and this optical system is arranged in a thermostatic chamber capable of shielding external light A system that converts the signal of the light receiving unit into a voltage and takes it into a personal computer, has an arbitrary waveform generator, a mechanism capable of fixing one or more cells to the XY stage, and the cells A seizure evaluation apparatus provided with a terminal to which a voltage can be applied from an arbitrary waveform generator.

(6)ストレス印加と残留DC測定を、事前に指定した測定点毎にXYステージを移動しながら測定する(5)の焼付き評価装置を用いた残留DC測定方法。   (6) A residual DC measurement method using the seizure evaluation apparatus according to (5), wherein stress application and residual DC measurement are measured while moving the XY stage for each measurement point designated in advance.

(7)ストレス印加と残留DC測定を繰り返す(6)の残留DCの測定方法。   (7) The method for measuring residual DC in (6), in which stress application and residual DC measurement are repeated.

(8)最初に透過率のレファレンスを測定した後、電圧-透過率特性を測定して階調-電圧特性を計算し、の後ストレス印加と任意の階調の透過率を、事前に指定した測定点毎にXYステージを移動しながら測定する(5)の焼きつき評価装置を用いた焼付き測定方法。   (8) First, after measuring the transmittance reference, measure the voltage-transmittance characteristics to calculate the gradation-voltage characteristics, and specify the post-stress application and the transmittance of any gradation in advance. A burn-in measurement method using the burn-in evaluation apparatus (5) that measures while moving the XY stage for each measurement point.

(9)ストレス印加と焼付き測定を繰り返す(8)の焼きつき測定方法。   (9) The burn-in measurement method according to (8), in which stress application and burn-in measurement are repeated.

(10)ストレス印加後の透過率Tと初期の透過率T0の比(T/T0)を焼付き率とする(8)(9)の残留DCの測定方法。   (10) The residual DC measurement method according to (8) or (9), wherein a ratio (T / T0) between the transmittance T after application of stress and the initial transmittance T0 is a seizure rate.

(11)ストレス印加と残留DC測定および透過率測定を繰り返す(5)の焼付き評価装置を用いた焼付きの測定方法。   (11) A seizure measurement method using the seizure evaluation apparatus according to (5), in which stress application, residual DC measurement, and transmittance measurement are repeated.

(12)(10)(11)において、残留DC電圧をオフセット電圧として印加しつつ透過率T’を測定し、T’/T0を求めて、T’/T0=1のときは焼付きの原因は残留DCのみ、そうでないときは残留DC以外にもやきつきの原因があるとする、焼付きの原因が残留DC以外にあるかどうかを判定する焼付き評価方法。   (12) In (10) and (11), the transmittance T ′ is measured while applying the residual DC voltage as an offset voltage, T ′ / T0 is obtained, and when T ′ / T0 = 1, the cause of seizure Is a seizure evaluation method for determining whether there is a cause of seizure other than the residual DC.

(13)光学系が顕微鏡である(5)の焼付き評価装置。   (13) The burn-in evaluation apparatus according to (5), wherein the optical system is a microscope.

液晶パネルの残留DCを光学的に測定し、品質評価を行うことができ、残留DCまたは焼付きの測定を行う液晶パネルに適用することができる。   The residual DC of the liquid crystal panel can be optically measured for quality evaluation, and can be applied to a liquid crystal panel for measuring residual DC or image sticking.

本発明の残留DC測定装置の構成を表すブロック図である。It is a block diagram showing the structure of the residual DC measuring apparatus of this invention. 本発明の残留DC測定システムの要部構成を表すブロック図である。It is a block diagram showing the principal part structure of the residual DC measurement system of this invention. (a)は、本発明の残留DC測定システムのXYステージの構成を表す平面図であり、(b)は(a)の側面図である。(A) is a top view showing the structure of the XY stage of the residual DC measuring system of this invention, (b) is a side view of (a). (a)は、オフセット電圧を変化させた矩形電圧と透過率との関係を表すグラフであり、(b)は、ストレス電圧を印加時の矩形電圧と透過率との関係を表すグラフであり、(c)は、液晶パネルが焼付いた状態を表す矩形電圧と透過率との関係を表すグラフであり、(d)は、仮残留DC測定の際の矩形電圧と透過率との関係を表すグラフである。(A) is a graph showing the relationship between the rectangular voltage with the offset voltage changed and the transmittance, and (b) is a graph showing the relationship between the rectangular voltage and the transmittance when the stress voltage is applied, (C) is a graph showing the relationship between the rectangular voltage representing the state where the liquid crystal panel is burned and the transmittance, and (d) is a graph showing the relationship between the rectangular voltage and the transmittance at the time of temporary residual DC measurement. It is. (a)は、オフセット電圧を変化させた矩形電圧と透過率との関係を表すグラフであり、(b)は、(a)に示す複数の正極性時透過率の近似直線と、複数の負極性時透過率の近似直線とから残留DCを求めるためのグラフであり、(c)は、(a)に示す複数の正極性時透過率の近似直線と、複数の負極性時透過率の近似直線とから予測残留DCを求めるためのグラフである。(A) is a graph showing the relationship between the rectangular voltage in which the offset voltage is changed and the transmittance, and (b) is a plurality of approximate straight lines of positive transmittance shown in (a) and a plurality of negative electrodes. It is a graph for calculating | requiring residual DC from the approximate straight line of the transmissivity at the time of sex, (c) is the approximate line of the transmissivity at the time of several positive polarity shown in (a), and the approximate of the transmissivity at the time of negative polarity. It is a graph for calculating | requiring predicted residual DC from a straight line. 本発明の残留DC測定方法を表し、複数の正極性時透過率の近似直線と、複数の負極性時透過率の近似直線とから残留DCを求めるための実験結果を表すグラフである。It is a graph showing the residual DC measuring method of this invention, and showing the experimental result for calculating | requiring residual DC from the some approximate line of the transmittance | permeability at the time of positive polarity, and the some approximate line of the transmittance | permeability at the time of negative polarity. 本発明の残留DC測定方法の流れを表すフローチャートである。It is a flowchart showing the flow of the residual DC measuring method of this invention. 本発明の残留DC測定方法により測定した残留DCの時間変化を表すグラフである。It is a graph showing the time change of residual DC measured by the residual DC measuring method of this invention. 本発明の残留DC測定方法により、残留DCの緩和過程を表すグラフである。It is a graph showing the relaxation process of residual DC by the residual DC measuring method of this invention. 本発明の実施の形態に係る液晶パネルのV−T特性の一例を表すグラフである。It is a graph showing an example of the VT characteristic of the liquid crystal panel which concerns on embodiment of this invention. 本発明の多点測定システムにおける測定の流れを表す説明図である。It is explanatory drawing showing the flow of the measurement in the multipoint measuring system of this invention. 本発明の焼付きの測定フローを表すフローチャートである。It is a flowchart showing the measurement flow of image sticking of the present invention. 本発明の焼付き率測定の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of the image sticking rate measurement of this invention. 本発明の本実施の形態に係る液晶パネルに印加するストレス電圧一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the stress voltage applied to the liquid crystal panel which concerns on this Embodiment of this invention. (a)は、本発明の実施の形態に係る液晶パネルの焼きつきの様子を表す概略図であり、(b)は、(a)の透過率の測定結果を表すグラフである。(A) is the schematic showing the state of the burning of the liquid crystal panel which concerns on embodiment of this invention, (b) is a graph showing the measurement result of the transmittance | permeability of (a).

符号の説明Explanation of symbols

1 残留DC測定システム
2 光学部(光学手段)
3 光源
4a,4b 偏光板
5 受光部
6 恒温層
7 電圧取得部(電圧取得手段)
8 波形電圧発生部(波形電圧発生手段)
9 演算・制御部(演算・制御手段)
10 XYステージ
11 透過部
12 電圧印加用端子
13 固定機構
20 液晶パネル(光学パネル)
30 残留DC測定装置
31 信号取得部(データ取得手段)
32 記憶部
33 直線近似・交点演算部(演算手段)
34 残留DC出力部
35 オフセット電圧制御部(オフセット電圧制御手段)
40 システム制御装置
44 リファレンス測定部
45 焼付き測定装置
a 遮光領域
1 Residual DC measurement system 2 Optical part (optical means)
3 Light source 4a, 4b Polarizing plate 5 Light receiving part 6 Constant temperature layer 7 Voltage acquisition part (voltage acquisition means)
8 Waveform voltage generator (waveform voltage generator)
9 Calculation / control section (calculation / control means)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 XY stage 11 Transmission part 12 Voltage application terminal 13 Fixing mechanism 20 Liquid crystal panel (optical panel)
30 Residual DC measuring device 31 Signal acquisition unit (data acquisition means)
32 storage unit 33 straight line approximation / intersection calculation unit (calculation means)
34 Residual DC output unit 35 Offset voltage control unit (offset voltage control means)
40 System Controller 44 Reference Measurement Unit 45 Seizure Measuring Device a Light-shielding area

Claims (14)

液晶パネルに発生した残留DCを、液晶パネルに振幅電圧を印加して駆動しながら検出された、該液晶パネルの透過光の透過率を用いて測定する残留DC測定装置であって、
前記振幅電圧には、所定の周期毎に異なるオフセット電圧が加えられており、
前記検出された透過率のうち、1つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が最大振幅となった時の透過率である最大振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得するとともに、
前記検出された透過率のうち、1つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が最小振幅となった時の透過率である最小振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得するデータ取得手段と、
前記データ取得手段が取得した前記最大振幅時透過率および前記オフセット電圧の複数組のデータから、前記最大振幅時透過率と前記オフセット電圧との関係を示す近似直線を求めるとともに、
前記データ取得手段が取得した前記最小振幅時透過率および前記オフセット電圧の複数組のデータから、前記最小振幅時透過率と前記オフセット電圧との関係を示す近似直線を求め、さらに、
前記2本の近似直線の交点に対応するオフセット電圧を求める演算手段とを備えることを特徴とする残留DC測定装置。
A residual DC measuring device that measures residual DC generated in a liquid crystal panel using a transmittance of light transmitted through the liquid crystal panel, which is detected while driving by applying an amplitude voltage to the liquid crystal panel,
A different offset voltage is added to the amplitude voltage every predetermined period,
Among the detected transmittances, a plurality of sets of data including a maximum amplitude transmittance which is a transmittance when the amplitude voltage reaches a maximum amplitude during one offset voltage period and an offset voltage at that time With getting
Among the detected transmittances, a plurality of sets of data of a set of the minimum amplitude transmittance that is the transmittance when the amplitude voltage becomes the minimum amplitude during one offset voltage period and the offset voltage at that time Data acquisition means for acquiring;
From the plurality of sets of data of the maximum amplitude transmittance and the offset voltage acquired by the data acquisition means, an approximate straight line indicating the relationship between the maximum amplitude transmittance and the offset voltage is obtained,
From the plurality of sets of data of the minimum amplitude transmittance and the offset voltage acquired by the data acquisition means, an approximate straight line indicating the relationship between the minimum amplitude transmittance and the offset voltage is obtained, and
A residual DC measuring device comprising: an operation means for obtaining an offset voltage corresponding to an intersection of the two approximate lines.
前記最大振幅時透過率と、前記最小振幅時透過率との差が最小となるオフセット電圧を仮残留DCとして取得し、取得した前記仮残留DCを含む所定の電圧幅の範囲内でオフセット電圧を変化させるための信号を出力するオフセット電圧制御手段を備え、
前記データ取得手段は、前記仮残留DCを含む所定の電圧幅の範囲内で最大振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得するとともに、最小振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得することを特徴とする請求項1に記載の残留DC測定装置。
An offset voltage that minimizes the difference between the maximum amplitude transmittance and the minimum amplitude transmittance is acquired as a temporary residual DC, and the offset voltage is within a predetermined voltage range including the acquired temporary residual DC. An offset voltage control means for outputting a signal for changing,
The data acquisition means acquires a plurality of sets of data of the maximum amplitude transmittance and the offset voltage at that time within a predetermined voltage range including the temporary residual DC, and the minimum amplitude transmittance, The residual DC measuring device according to claim 1, wherein a plurality of sets of data with an offset voltage of a plurality of sets are acquired.
前記オフセット電圧制御手段が変化させるオフセット電圧の前記所定の電圧幅の範囲は、前記仮残留DCの±100mVであることを特徴とする請求項2に記載の残留DC測定装置。   3. The residual DC measuring apparatus according to claim 2, wherein a range of the predetermined voltage width of the offset voltage changed by the offset voltage control means is ± 100 mV of the temporary residual DC. 前記最大振幅時透過率は、1つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が負極性から正極性に変化したときから正極性から負極性に変化する直前までの所定の時間に前記データ取得手段が取得する透過率であり、
前記最小振幅時透過率は、1つの前記オフセット電圧の期間に正極性から負極性に変化したときから負極性から正極性に変化する直前までの所定の時間に前記データ取得手段が取得する透過率であることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の残留DC測定装置。
The maximum amplitude transmittance is determined by the data acquisition means during a predetermined time from when the amplitude voltage changes from negative polarity to positive polarity until immediately before it changes from positive polarity to negative polarity during one offset voltage period. The transmittance to obtain,
The transmittance at the time of the minimum amplitude is the transmittance acquired by the data acquisition unit during a predetermined time from when the polarity changes from the positive polarity to the negative polarity during one offset voltage period to immediately before the change from the negative polarity to the positive polarity. The residual DC measuring device according to any one of claims 1 to 3, wherein
前記所定の時間は、前記振幅電圧の0.4周期後から0.5周期後未満であることを特徴とする請求項4に記載の残留DC測定装置。   The residual DC measuring apparatus according to claim 4, wherein the predetermined time is from 0.4 cycles to less than 0.5 cycles after the amplitude voltage. 前記演算手段は、前記求めた2本の近似直線の交点に対応するオフセット電圧が前記所定の電圧幅の範囲外である場合、求めた前記オフセット電圧を予測残留DCとして前記オフセット電圧制御手段に出力し、
前記オフセット電圧制御手段は、前記演算手段から前記予測残留DCを取得すると、取得した前記仮残留DCを含む所定の電圧幅の範囲内でオフセット電圧を変化させるための指示を出力し、
前記データ取得手段は、前記予測残留DCを含む所定の電圧幅の範囲内の最大振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得するとともに、最小振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得することを特徴とする請求項2に記載の残留DC測定装置。
When the offset voltage corresponding to the intersection of the obtained two approximate lines is outside the range of the predetermined voltage width, the calculation means outputs the obtained offset voltage as a predicted residual DC to the offset voltage control means. And
When the predicted residual DC is acquired from the computing means, the offset voltage control means outputs an instruction for changing the offset voltage within a predetermined voltage width including the acquired temporary residual DC,
The data acquisition means acquires a plurality of sets of data of the maximum amplitude transmittance within a predetermined voltage range including the predicted residual DC and the offset voltage at that time, and the minimum amplitude transmittance, The residual DC measuring device according to claim 2, wherein a plurality of sets of data with the offset voltage is acquired.
請求項1〜6の何れか1項に記載の残留DC測定装置、および前記液晶パネルに印加する振幅電圧を制御する指示信号を出力するシステム制御手段を含む演算・制御手段と、
光源、前記光源からの光を透過する透過領域に複数の前記液晶パネルを搭載可能で、該搭載した前記液晶パネルを前記光源からの光の出射方向に対して垂直方向に移動可能なXYステージ、前記XYステージおよび前記液晶パネルを透過した前記光源からの光を受光し、電圧を出力する受光手段を含む光学手段と、
前記受光手段から出力される電圧を電気信号として前記演算・制御手段に出力する電圧取得手段と、
前記システム制御手段からの前記液晶パネルに印加する駆動電圧を制御する指示信号を取得し、前記液晶パネルに対して振幅電圧を印加する波形電圧発生手段とを備えることを特徴とする残留DC測定システム。
Calculation / control means including residual DC measurement device according to any one of claims 1 to 6, and system control means for outputting an instruction signal for controlling an amplitude voltage applied to the liquid crystal panel;
An XY stage capable of mounting a plurality of liquid crystal panels on a light source, a transmission region that transmits light from the light sources, and capable of moving the mounted liquid crystal panels in a direction perpendicular to the direction of light emission from the light sources; Optical means including light receiving means for receiving light from the light source transmitted through the XY stage and the liquid crystal panel and outputting a voltage;
Voltage acquisition means for outputting the voltage output from the light receiving means to the calculation / control means as an electrical signal;
A residual DC measurement system comprising: an instruction signal for controlling a driving voltage applied to the liquid crystal panel from the system control means; and a waveform voltage generating means for applying an amplitude voltage to the liquid crystal panel. .
前記液晶パネルに、負荷電圧であるストレス電圧を印加することを指示するストレス電圧指示信号を前記波形電圧発生手段に出力するストレス電圧指示手段を前記演算・制御手段が備え、
前記ストレス電圧が印加される前後の透過率を示す電気信号を前記電圧取得手段から取得し、取得した前記電気信号から前記液晶パネルの焼付きを測定する焼付き測定手段を前記演算・制御手段が備えることを特徴とする請求項6に記載の残留DC測定システム。
The calculation / control means includes a stress voltage instruction means for outputting a stress voltage instruction signal for instructing the liquid crystal panel to apply a stress voltage that is a load voltage to the waveform voltage generation means,
The calculation / control unit includes a burn-in measurement unit that acquires an electric signal indicating the transmittance before and after the stress voltage is applied from the voltage acquisition unit, and measures the burn-in of the liquid crystal panel from the acquired electric signal. The residual DC measurement system according to claim 6, further comprising:
前記焼付き測定手段は、前記ストレス電圧印加前の前記液晶パネルの透過率と、前記ストレス電圧印加後の前記液晶パネルの透過率との比から前記焼付き率を算出することを特徴とする請求項8に記載の残留DC測定システム。   The burn-in measurement means calculates the burn-in rate from a ratio between the transmittance of the liquid crystal panel before the stress voltage is applied and the transmittance of the liquid crystal panel after the stress voltage is applied. Item 9. The residual DC measurement system according to Item 8. 前記ストレス電圧の印加と、前記残留DCの測定とを複数回繰り返すことを特徴とする請求項8に記載の残留DC測定システム。   9. The residual DC measurement system according to claim 8, wherein the application of the stress voltage and the measurement of the residual DC are repeated a plurality of times. 前記ストレス電圧の印加と、前記焼付きの測定とを複数回繰り返すことを特徴とする請求項8または9に記載の残留DC測定システム。   The residual DC measurement system according to claim 8 or 9, wherein the application of the stress voltage and the measurement of seizure are repeated a plurality of times. 液晶パネルに発生した残留DCを、液晶パネルに振幅電圧を印加して駆動しながら検出された、該液晶パネルの透過光の透過率を用いて測定する残留DC測定方法であって、
前記振幅電圧には、所定の周期毎に異なるオフセット電圧が加えられており、
前記検出された透過率のうち、1つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が最大振幅となった時の透過率である最大振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得するとともに、
前記検出された透過率のうち、1つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が最小振幅となった時の透過率である最小振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得するデータ取得ステップと、
前記データ取得ステップで取得した前記最大振幅時透過率および前記オフセット電圧の複数組のデータから、前記最大振幅時透過率と前記オフセット電圧との関係を示す近似直線を求めるとともに、
前記データ取得ステップで取得した前記最小振幅時透過率および前記オフセット電圧の複数組のデータから、前記最小振幅時透過率と前記オフセット電圧との関係を示す近似直線を求め、さらに、
前記2本の近似直線の交点に対応するオフセット電圧を求める演算ステップとを含むことを特徴とする残留DC測定方法。
A residual DC measurement method for measuring residual DC generated in a liquid crystal panel using a transmittance of light transmitted through the liquid crystal panel, which is detected while driving by applying an amplitude voltage to the liquid crystal panel,
A different offset voltage is added to the amplitude voltage every predetermined period,
Among the detected transmittances, a plurality of sets of data including a maximum amplitude transmittance which is a transmittance when the amplitude voltage reaches a maximum amplitude during one offset voltage period and an offset voltage at that time With getting
Among the detected transmittances, a plurality of sets of data of a set of the minimum amplitude transmittance that is the transmittance when the amplitude voltage becomes the minimum amplitude during one offset voltage period and the offset voltage at that time A data acquisition step to acquire;
From the plurality of sets of data of the maximum amplitude transmittance and the offset voltage acquired in the data acquisition step, an approximate straight line indicating the relationship between the maximum amplitude transmittance and the offset voltage is obtained,
From a plurality of sets of data of the minimum amplitude transmittance and the offset voltage acquired in the data acquisition step, an approximate straight line indicating the relationship between the minimum amplitude transmittance and the offset voltage is obtained,
And a calculation step of obtaining an offset voltage corresponding to the intersection of the two approximate lines.
請求項1〜6までの何れか1項に記載の残留DC測定装置を動作させるための残留DC測定装置制御プログラムであって、コンピュータを前記の各手段として機能させるための残留DC測定装置制御プログラム。   A residual DC measurement device control program for operating the residual DC measurement device according to any one of claims 1 to 6, wherein the residual DC measurement device control program causes a computer to function as each of the means. . 請求項13に記載の残留DC測定装置制御プログラムが記録されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体。   A computer-readable recording medium on which the residual DC measuring device control program according to claim 13 is recorded.
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