JP2009289778A - Silicon wafer cleaning method and device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cleaning method and a cleaning device that prevent the device from becoming huge excessively even in the case of a silicon wafer having an increased aperture, also reduce the amount of used chemical with respect to the aperture. <P>SOLUTION: In the cleaning method of a silicon wafer, the silicon wafer is floated and moved in a cleaning liquid by a stream of water blown out from a lower portion to an upper oblique portion for cleaning during movement. In the silicon wafer cleaning device, a cleaning tank and a plurality of supply openings provided at the bottom of the cleaning tank for blowing out a stream of water in the direction of travel of the silicon wafer are arranged at least in a row in the travelling direction of the silicon wafer, and the silicon wafer is floated and moved from the inlet side to the outlet side of the silicon wafer for cleaning. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、シリコンウェーハの洗浄方法および洗浄装置に関する。本発明の洗浄方法および洗浄装置は、特に直径400mmを超える大口径のシリコンウェーハ基板の洗浄に適した方法および装置である。   The present invention relates to a silicon wafer cleaning method and a cleaning apparatus. The cleaning method and cleaning apparatus of the present invention are particularly suitable for cleaning a silicon wafer substrate having a large diameter exceeding 400 mm in diameter.

シリコン単結晶から切り出されるシリコンウェーハのサイズは、約10年のサイクルで大口径化している。デバイスメーカーでは、シリコンウェーハのサイズを大口径化することで、デバイスの製造効率を挙げることが望まれている。このような状況から、近い将来現状の直径300mmの1.5倍程度の直径を有する約450mmのシリコンウェーハを製造することが計画されている。   The size of a silicon wafer cut out from a silicon single crystal has become larger in a cycle of about 10 years. In device manufacturers, it is desired to increase device manufacturing efficiency by increasing the size of silicon wafers. Under such circumstances, it is planned to manufacture a silicon wafer of about 450 mm having a diameter of about 1.5 times the current diameter of 300 mm in the near future.

従来用いられているシリコンウェーハの洗浄技術は、キャリア式バッチ洗浄方式、キャリアレス式バッチ洗浄方式および自転方式枚葉洗浄方式である(非特許文献1、2)。
「超精密ウェーハ表面制御技術」、(株)サイエンスフォーラム (2000年2月28日発刊 第9章:洗浄技術) 「新版シリコンウェーハ表面のクリーン化技術」、(株)リアライズ理工センター(2000年5月28日発刊 第6章:シリコンウェーハの洗浄技術)
Conventionally used silicon wafer cleaning techniques are a carrier batch cleaning system, a carrierless batch cleaning system, and a rotating single wafer cleaning system (Non-Patent Documents 1 and 2).
"Ultra-precision wafer surface control technology", Science Forum, Inc. (Chapter 9: Cleaning Technology, Published February 28, 2000) "Cleaning technology for the new silicon wafer surface", Realize Science and Technology Center Co., Ltd. (May 28, 2000, Chapter 6: Silicon wafer cleaning technology)

ところが、従来のバッチ方式の洗浄方式を、そのまま大口径化したシリコンウェーハに適用すると、装置が巨大化し、かつ処理槽の巨大化に伴う使用薬液の増大が必須となり、必然的にコスト問題が発生する。そこで、装置の過剰な巨大化ならびに使用薬液量の低減を考慮した洗浄方法および装置が必要になっている。   However, if the conventional batch cleaning method is applied to a silicon wafer with a large diameter as it is, the apparatus becomes enormous and an increase in the amount of chemicals used due to the enlargement of the processing tank is essential, which inevitably causes cost problems. To do. Therefore, there is a need for a cleaning method and apparatus that take into account the excessive enlargement of the apparatus and the reduction in the amount of chemicals used.

さらに、基板の大口径化に伴い、各種加工装置の寸法も巨大化することか避けられないため、クリーンルームの有効活用の観点からは、ウェーハの搬送と洗浄を同時に実施することができる技術が必要になると、本発明者らは考えた。   In addition, as the substrate size increases, the dimensions of various processing equipment must be increased, and from the viewpoint of effective use of the clean room, a technology that can simultaneously carry and clean wafers is necessary. Then, the present inventors considered.

そこで本発明の目的は、例えば、直径約450mmに大口径化したシリコンウェーハであっても、装置が過剰に巨大化せず、かつ使用薬液量も口径の割には低減できる洗浄方法および装置を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a cleaning method and apparatus capable of reducing the amount of chemical solution to be used for the diameter of the apparatus without excessively enlarging the apparatus even for a silicon wafer having a large diameter of about 450 mm. It is to provide.

上記課題を解決し本発明の目的を達成するために、本発明者らが種々検討した、洗浄槽下部より斜め方向に水流を発生させ、この水流によりウェーハを移動させ、かつこの移動中にウェーハを洗浄することで、ウェーハ洗浄とウェーハ搬送を両立させることができることを見出して本発明を完成させた。   In order to solve the above problems and achieve the object of the present invention, the present inventors have studied variously, a water flow is generated obliquely from the lower part of the cleaning tank, the wafer is moved by this water flow, and the wafer is moved during this movement. The present invention has been completed by finding that it is possible to achieve both wafer cleaning and wafer conveyance by cleaning.

本発明の第1の態様は、下方から斜め上方へ吹き出す水流によりシリコンウェーハを洗浄液中で浮遊かつ移動させて、移動の間に洗浄することを特徴とするシリコンウェーハの洗浄方法である。   According to a first aspect of the present invention, there is provided a silicon wafer cleaning method, wherein a silicon wafer is floated and moved in a cleaning liquid by a water flow blown obliquely upward from below, and cleaned during the movement.

本発明の第2態様は洗浄槽と該洗浄槽の底部に水流をシリコンウェーハの移動方向に吹き出す、複数の吹き出し口を、シリコンウェーハの移動方向に少なくとも一列に配して有し、
シリコンウェーハの入口側から出口側にシリコンウェーハを浮遊移動させながら洗浄するためのシリコンウェーハ洗浄装置である。
The second aspect of the present invention has a plurality of blowout ports arranged in at least one row in the movement direction of the silicon wafer, and blows out a water flow in the movement direction of the silicon wafer at the bottom of the washing tank and the washing tank,
A silicon wafer cleaning apparatus for cleaning a silicon wafer while floating and moving from the inlet side to the outlet side of the silicon wafer.

本発明によれば、ウェーハ搬送を水流にて実施するため、ウェーハの洗浄処理を搬送と同時に実施することが可能となり、従って、各種加工プロセス前後にワークを滞留させるバッファもしくはストッカー類を必要としない洗浄処理が可能である。合わせて、洗浄中のウェーハ搬送に外部駆動手段(ローラー、ベルト、ロボット等)を必要としない洗浄方法および装置を提供できる。   According to the present invention, since wafer transfer is carried out in a water stream, it becomes possible to carry out wafer cleaning processing simultaneously with the transfer, and therefore there is no need for buffers or stockers for retaining workpieces before and after various processing processes. Cleaning treatment is possible. In addition, it is possible to provide a cleaning method and apparatus that do not require external drive means (rollers, belts, robots, etc.) for wafer transfer during cleaning.

本発明のシリコンウェーハの洗浄方法は、シリコンウェーハの下方から斜め上方へ吹き出す水流によりシリコンウェーハを洗浄液中で浮遊かつ移動させて、移動の間に洗浄することを特徴とする。   The silicon wafer cleaning method of the present invention is characterized in that the silicon wafer is floated and moved in the cleaning liquid by a water flow blown obliquely upward from below the silicon wafer, and is cleaned during the movement.

この本発明のシリコンウェーハの洗浄方法は、例えば、以下の本発明のシリコンウェーハ洗浄装置により実施できる。本発明のシリコンウェーハ洗浄装置は、洗浄槽と該洗浄槽の底部に水流をシリコンウェーハの移動方向に吹き出す、複数の吹き出し口を、シリコンウェーハの移動方向に少なくとも一列に配して有し、シリコンウェーハの入口側から出口側にシリコンウェーハを浮遊移動させながら洗浄するための装置である。   This silicon wafer cleaning method of the present invention can be implemented, for example, by the following silicon wafer cleaning apparatus of the present invention. The silicon wafer cleaning apparatus of the present invention has a plurality of outlets arranged in at least one line in the moving direction of the silicon wafer, and has a plurality of outlets for blowing a water flow in the moving direction of the silicon wafer at the bottom of the cleaning tank and the cleaning tank. This is an apparatus for cleaning while floatingly moving a silicon wafer from the entrance side to the exit side of the wafer.

本発明のシリコンウェーハ洗浄装置を図1に示す、本発明の洗浄装置の概略断面説明図に基づいて説明する。   The silicon wafer cleaning apparatus of the present invention will be described with reference to the schematic sectional view of the cleaning apparatus of the present invention shown in FIG.

洗浄装置1は、洗浄槽10と洗浄槽10の底部11に水流をシリコンウェーハSWの移動方向(矢印の方向)に吹き出す、複数の吹き出し口20を有する。洗浄槽10は、シリコンウェーハ洗浄用の、例えば、高純水、超高純水、あるいは洗浄剤含有液等の洗浄液を保持するためのものである。洗浄槽の材質は、例えば、石英、テフロン類、パイレックスガラス等を挙げることができる。   The cleaning apparatus 1 has a plurality of outlets 20 for blowing a water flow in the moving direction (in the direction of the arrow) of the silicon wafer SW to the cleaning tank 10 and the bottom 11 of the cleaning tank 10. The cleaning tank 10 is for holding cleaning liquid for cleaning silicon wafers, such as high pure water, ultra high pure water, or a cleaning agent-containing liquid. Examples of the material of the cleaning tank include quartz, Teflon, and Pyrex glass.

洗浄槽10の平面形状は、帯状である。平面形状が帯状である洗浄槽10の幅は、1枚の被洗浄シリコンウェーハを順次洗浄する場合には、少なくとも被洗浄シリコンウェーハの直径より大きく、好ましくは被洗浄シリコンウェーハの直径の1.1倍〜2倍の範囲であることができる。また、2枚の被洗浄シリコンウェーハを並列的に順次洗浄することもでき、その場合には、洗浄槽10の幅は、例えば、被洗浄シリコンウェーハの直径の1.5倍〜2.5倍の範囲であることができる。2枚の被洗浄シリコンウェーハを並列的に洗浄する場合、2枚の被洗浄シリコンウェーハを同時に洗浄槽10に搬入することができる。あるいは、2枚の被洗浄シリコンウェーハの搬送レーンが一部重なる状態になるように、交互に洗浄槽10に搬入することもできる。この場合、洗浄槽10の幅は、例えば、被洗浄シリコンウェーハの直径の2倍未満であってもよい。同様に、3枚以上の被洗浄シリコンウェーハを同時に洗浄槽10に搬入することができる。あるいは、3枚の被洗浄シリコンウェーハの搬送レーンが一部重なる状態になるように、順次に洗浄槽10に搬入することもできる。   The planar shape of the cleaning tank 10 is a belt shape. The width of the cleaning tank 10 having a strip shape in the plan view is at least larger than the diameter of the silicon wafer to be cleaned, preferably 1.1 of the diameter of the silicon wafer to be cleaned, when sequentially cleaning one silicon wafer to be cleaned. It can be in the range of 2 to 2 times. Further, two silicon wafers to be cleaned can be sequentially cleaned in parallel. In this case, the width of the cleaning tank 10 is, for example, 1.5 to 2.5 times the diameter of the silicon wafer to be cleaned. Can range. When two silicon wafers to be cleaned are cleaned in parallel, the two silicon wafers to be cleaned can be simultaneously loaded into the cleaning tank 10. Alternatively, the two cleaning silicon wafers can be alternately carried into the cleaning tank 10 so that the transport lanes partially overlap each other. In this case, the width of the cleaning tank 10 may be less than twice the diameter of the silicon wafer to be cleaned, for example. Similarly, three or more silicon wafers to be cleaned can be simultaneously loaded into the cleaning tank 10. Or it can also be carried in to the washing tank 10 sequentially so that the conveyance lanes of three silicon wafers to be cleaned may partially overlap.

吹き出し口20は、洗浄槽10の底部11にシリコンウェーハの移動方向に、複数連続的に設けられる。一連の吹き出し口20は、一列または複数列設けられ、一連の吹き出し口20の間隔は、等間隔であっても、一部または全部の吹き出し口20間で、非等間隔であってもよい。また、一連の吹き出し口20が複数列設けられる場合には、各列によって、吹き出し口20の配置や間隔が異なってもよい。   A plurality of outlets 20 are continuously provided in the bottom 11 of the cleaning tank 10 in the moving direction of the silicon wafer. The series of blowout ports 20 is provided in one or a plurality of rows, and the intervals between the series of blowout ports 20 may be equal intervals or may be non-equal intervals between some or all of the blowout ports 20. Moreover, when a series of the blowout ports 20 are provided in a plurality of rows, the arrangement and intervals of the blowout ports 20 may be different depending on each row.

本発明の方法および装置では、洗浄槽10の入口側12からシリコンウェーハSWを洗浄液を満たした洗浄槽10内に搬入し、吹き出し口20からの水流によって、洗浄槽10の入口側12から出口側13にシリコンウェーハSWを浮遊移動させながら洗浄する。シリコンウェーハSWの洗浄槽10内への搬入は、ロボットアーム等を既存の手段を利用できる。シリコンウェーハSWを浮遊移動させながら洗浄するため、吹き出し口20からの水流は、入口側12から出口側13に向かって流れを生じるように生成することか適当である。そのため、図2に示すように、吹き出し口20からの水流の吹き出し角度θが、シリコンウェーハの移動方向に対して30〜60°の範囲になるように、吹き出し口20を設ける。この場合の角度θは、シリコンウェーハの移動方向に対して垂直断面視したときのものである。   In the method and apparatus of the present invention, the silicon wafer SW is carried into the cleaning tank 10 filled with the cleaning liquid from the inlet side 12 of the cleaning tank 10, and the water flow from the outlet 20 causes the inlet side 12 to the outlet side of the cleaning tank 10. In FIG. 13, the silicon wafer SW is washed while floating. For bringing the silicon wafer SW into the cleaning tank 10, existing means such as a robot arm can be used. In order to perform cleaning while floating the silicon wafer SW, it is appropriate that the water flow from the blow-out port 20 is generated so as to generate a flow from the inlet side 12 toward the outlet side 13. Therefore, as shown in FIG. 2, the blowout port 20 is provided so that the blowout angle θ of the water flow from the blowout port 20 is in the range of 30 to 60 ° with respect to the moving direction of the silicon wafer. In this case, the angle θ is a value as viewed in a vertical section with respect to the moving direction of the silicon wafer.

但し、一連の吹き出し口20が複数列設けられる場合には、吹き出し口20の列の洗浄槽10内での位置によって、吹き出し口20からの水流の吹き出し角度と異なる角度と方向にすることもできる。例えば、洗浄槽10の中央付近に設けられた吹き出し口20については、水流の吹き出し角度は、洗浄槽10を平面視したときのシリコンウェーハの移動方向と並行とし、かつ、上記垂直断面視したときの角度は、上記30〜60°の範囲内とするが、比較的小さい角度として推進力を多く付与することができる。   However, in the case where a plurality of rows of the blowout ports 20 are provided, the angle and direction can be different from the blowout angle of the water flow from the blowout ports 20 depending on the position of the row of the blowout ports 20 in the cleaning tank 10. . For example, for the air outlet 20 provided in the vicinity of the center of the cleaning tank 10, the water flow outlet angle is parallel to the moving direction of the silicon wafer when the cleaning tank 10 is viewed in plan and the vertical cross section is viewed. The angle is within the range of 30 to 60 °, but a relatively small angle can impart a large amount of driving force.

一方、洗浄槽10の両サイド付近に設けられた吹き出し口20については、水流の吹き出し角度は、平面視したときのシリコンウェーハの移動方向と並行でもよいが、中央方向に、例えば、1〜20°傾けて、シリコンウェーハSWが洗浄槽10の内壁から接触しにくいような水流とすることもできる。その場合の上記垂直断面視したときの角度は、上記30〜60°の範囲内とすることができる。   On the other hand, for the air outlets 20 provided near both sides of the cleaning tank 10, the water flow outlet angle may be parallel to the moving direction of the silicon wafer when viewed in plan, but in the central direction, for example, 1 to 20 It is possible to tilt the water flow so that the silicon wafer SW does not easily come into contact with the inner wall of the cleaning tank 10. In this case, the angle when viewed in the vertical section can be within the range of 30 to 60 °.

吹き出し口20の口径および口の形状は、特に制限はないが、シリコンウェーハSWの洗浄槽10内での移動と浮遊が良好な状態に維持できることを考慮して適宜決定される。一連の吹き出し口20について、同一の口径および口の形状を有する吹き出し口20を設けることもできるが、位置によって異なる口径および口の形状を有する吹き出し口20を設けることもできる。さらに、吹き出し口20の口径および口の形状は、吹き出す水流の流速にも影響を与える。吹き出す水流の流速は、シリコンウェーハSWの洗浄槽10内での移動と浮遊が良好な状態に維持できることを考慮して適宜決定されるが、例えば、0.1〜10L/分の範囲であることができる。従って、吹き出し口20の口径および口の形状は、上記吹き出す水流の流速が得られるように適宜設定される。   The diameter and shape of the blowout port 20 are not particularly limited, but are appropriately determined in consideration that the movement and floating of the silicon wafer SW in the cleaning tank 10 can be maintained in a good state. For the series of outlets 20, the outlets 20 having the same diameter and shape can be provided, but the outlets 20 having different diameters and shapes can be provided depending on positions. Furthermore, the diameter and the shape of the mouth of the outlet 20 also affect the flow velocity of the water stream to be blown out. The flow rate of the water flow to be blown out is appropriately determined in consideration of the fact that the movement and floating of the silicon wafer SW in the cleaning tank 10 can be maintained in a good state, and is, for example, in the range of 0.1 to 10 L / min. Can do. Accordingly, the diameter and shape of the outlet 20 are appropriately set so as to obtain the flow velocity of the water stream to be blown out.

吹き出し口20からの水流は、洗浄槽10内の洗浄液を循環させることで生成させることができる。洗浄液の循環は、例えば、洗浄槽10の出口側13の近傍に洗浄液の排出口14を設け、排出された洗浄液を洗浄槽10の外部に設けられたポンプPにより加圧し、吹き出し口20に供給することで実施できる。その際、排出口14から排出された洗浄液は、そのまま、または、精製した後に循環することもできる。また、循環する洗浄液は、一部を系外に排出し、それを補うためにフレッシュな洗浄液を補充することもできる。   The water flow from the outlet 20 can be generated by circulating the cleaning liquid in the cleaning tank 10. For example, the cleaning liquid is circulated by providing a cleaning liquid discharge port 14 in the vicinity of the outlet side 13 of the cleaning tank 10, pressurizing the discharged cleaning liquid with a pump P provided outside the cleaning tank 10, and supplying it to the outlet 20. This can be done. At this time, the cleaning liquid discharged from the discharge port 14 can be circulated as it is or after purification. In addition, a part of the circulating cleaning liquid can be discharged out of the system, and a fresh cleaning liquid can be replenished to supplement it.

図1には2つの洗浄槽を示した。複数の洗浄槽を順次設けて、連続してシリコンウェーハSWを洗浄することもできる。洗浄槽10内へのシリコンウェーハSWの搬入は、前述のようにロボットアーム等を既存の手段を利用できる。洗浄槽10からのシリコンウェーハSWの搬出は、例えば、洗浄槽10内の出口側13に設けた搬出手段によって行うことができる。図1には2つの洗浄槽を示したが、3つ以上の洗浄槽を連続して設けて、異なる洗浄液で順次洗浄することもできる。   FIG. 1 shows two cleaning tanks. A plurality of cleaning tanks can be sequentially provided to continuously clean the silicon wafer SW. The silicon wafer SW can be carried into the cleaning tank 10 by using existing means such as a robot arm as described above. The silicon wafer SW can be unloaded from the cleaning tank 10 by, for example, unloading means provided on the outlet side 13 in the cleaning tank 10. Although two cleaning tanks are shown in FIG. 1, three or more cleaning tanks may be provided in succession and cleaned sequentially with different cleaning liquids.

被洗浄シリコンウェーハSWは、シリコンウェーハ以外の半導体からなるものでよく、また、サイズは、φ200mm、φ300mm、その他、φ450mm等どのような口径のウェーハにも適応可能である。しかし、特に、大型化した、直径400〜500mmの範囲にあるシリコンウェーハの洗浄に、本発明の方法および装置は好適である。   The silicon wafer SW to be cleaned may be made of a semiconductor other than a silicon wafer, and the size can be applied to a wafer of any diameter such as φ200 mm, φ300 mm, and φ450 mm. However, the method and apparatus of the present invention is particularly suitable for cleaning large silicon wafers having a diameter in the range of 400 to 500 mm.

以下、本発明を実施例に基づいて説明する。   Hereinafter, the present invention will be described based on examples.

図1に示す洗浄槽下部に複数の斜め方向噴出口を並列に設けたシリコンウェーハ洗浄装置を用いて、ポンプ等にて陽圧した水流を噴射することで形成される水流に乗せてφ450mmシリコンウェーハを搬送しつつ洗浄した。   Using a silicon wafer cleaning apparatus in which a plurality of oblique jet nozzles are provided in parallel at the lower part of the cleaning tank shown in FIG. 1, a φ450 mm silicon wafer placed on the water stream formed by spraying a positively pressurized water stream with a pump or the like Washed while transporting.

洗浄槽のサイズは、幅500mm×長さ2000mm×深さ30mmである。   The size of the cleaning tank is 500 mm wide × 2000 mm long × 30 mm deep.

洗浄槽に設けた噴出口数、角度、面積は以下のとおりである。
噴出し角度[θ]45°にて直径1cmの円状噴出口を槽下部に配列した。
配列ピッチはX-Y方向で5cm間隔とした。
同噴出口より、1L/minの流量にて液流が形成される様に、ポンプ等の手段を使って液噴射を実施した。
The number, angle, and area of the jet nozzles provided in the cleaning tank are as follows.
Circular outlets with a diameter of 1 cm were arranged in the lower part of the tank at an ejection angle [θ] of 45 °.
The arrangement pitch was 5 cm in the XY direction.
From the same outlet, liquid injection was performed using means such as a pump so that a liquid flow was formed at a flow rate of 1 L / min.

シリコンウェーハ製造分野に有用である。   Useful in the field of silicon wafer production.

本発明のシリコンウェーハ洗浄装置の概略断面説明図。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a schematic cross-sectional explanatory view of a silicon wafer cleaning apparatus of the present invention. 本発明のシリコンウェーハ洗浄装置の吹き出し口付近の拡大概略断面説明図。The expanded schematic sectional explanatory drawing of the blower outlet vicinity of the silicon wafer cleaning apparatus of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

10 洗浄槽
11 底部
12 入口側
13 出口側
14 排出口
20 吹き出し口
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Washing tank 11 Bottom part 12 Inlet side 13 Outlet side 14 Outlet 20 Outlet

Claims (7)

下方から斜め上方へ吹き出す水流によりシリコンウェーハを洗浄液中で浮遊かつ移動させて、移動の間に洗浄することを特徴とするシリコンウェーハの洗浄方法。 A silicon wafer cleaning method, wherein a silicon wafer is floated and moved in a cleaning solution by a water flow blown obliquely upward from below, and is cleaned during the movement. 水流の吹き出し角度は、移動方向に対して30〜60°の範囲である請求項1に記載の方法。 The method according to claim 1, wherein a water flow blowing angle is in a range of 30 to 60 ° with respect to a moving direction. 前記水流は、前記洗浄液を循環させることで生成させる請求項1または2に記載の方法。 The method according to claim 1, wherein the water stream is generated by circulating the cleaning liquid. 前記吹き出す水流の流速は、0.1〜10L/分の範囲である請求項1〜3のいずれかに記載の方法。 The method according to any one of claims 1 to 3, wherein a flow rate of the water stream to be blown is in a range of 0.1 to 10 L / min. シリコンウェーハの直径は400〜650mmの範囲である請求項1〜4のいずれかに記載の方法。 The method according to claim 1, wherein the diameter of the silicon wafer is in the range of 400 to 650 mm. 洗浄槽と該洗浄槽の底部に水流をシリコンウェーハの移動方向に吹き出す、複数の吹き出し口を、シリコンウェーハの移動方向に少なくとも一列に配して有し、
シリコンウェーハの入口側から出口側にシリコンウェーハを浮遊移動させながら洗浄するためのシリコンウェーハ洗浄装置。
A plurality of outlets that blow out a water stream in the moving direction of the silicon wafer at the bottom of the cleaning tank and the cleaning tank, and arranged in at least one row in the moving direction of the silicon wafer,
A silicon wafer cleaning apparatus for cleaning a silicon wafer while floating and moving from the inlet side to the outlet side of the silicon wafer.
前記吹き出し口の水流の吹き出し角度は、シリコンウェーハの移動方向に対して30〜60°の範囲である請求項6に記載の洗浄装置。 The cleaning apparatus according to claim 6, wherein a blowing angle of the water flow at the blowing port is in a range of 30 to 60 ° with respect to a moving direction of the silicon wafer.
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