JP2009289383A - Manufacturing method of magnetic recording medium, and magnetic recording medium - Google Patents

Manufacturing method of magnetic recording medium, and magnetic recording medium Download PDF

Info

Publication number
JP2009289383A
JP2009289383A JP2008144016A JP2008144016A JP2009289383A JP 2009289383 A JP2009289383 A JP 2009289383A JP 2008144016 A JP2008144016 A JP 2008144016A JP 2008144016 A JP2008144016 A JP 2008144016A JP 2009289383 A JP2009289383 A JP 2009289383A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
magnetic recording
recording medium
gripper
magnetic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008144016A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Motoki Fukuura
基 福浦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hoya Corp
Original Assignee
Hoya Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hoya Corp filed Critical Hoya Corp
Priority to JP2008144016A priority Critical patent/JP2009289383A/en
Publication of JP2009289383A publication Critical patent/JP2009289383A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance the quality of a magnetic recording medium by devising a carrier holding a substrate included in a vacuum film-depositing device, thereby making the temperature of the substrate close to the temperature suitable for each film deposition process in a film-deposition process of the magnetic recording medium. <P>SOLUTION: In the manufacturing method of the perpendicular magnetic recording medium 100 including the film-deposition process for film-depositing at least a magnetic recording layer 122 on the disk substrate 110 using a DC magnetron sputtering device 200 as the vacuum film-depositing device, gripper 216 attached to the carrier 208 is brought into contact with the disk substrate to hold the disk substrate in the film-deposition process, the gripper has a layered structure of a plurality of metals and a metal which constitutes an upper layer 216a of the gripper has a thermal conductivity higher than that of a metal which constitutes a lower layer 216b of the gripper. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、HDD(ハードディスクドライブ)などに搭載される磁気記録媒体の製造方法および磁気記録媒体に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a magnetic recording medium mounted on an HDD (hard disk drive) or the like, and a magnetic recording medium.

近年の情報処理の大容量化に伴い、各種の情報記録技術が開発されている。特に磁気記録技術を用いたHDDの面記録密度は年率100%程度の割合で増加し続けている。最近では、HDD等に用いられる2.5インチ径磁気記録媒体にして、1枚あたり160GBを超える情報記録容量が求められるようになってきており、このような要請にこたえるためには1平方インチあたり250GBitを超える情報記録密度を実現することが求められる。   Various information recording techniques have been developed with the recent increase in information processing capacity. In particular, the surface recording density of HDDs using magnetic recording technology continues to increase at an annual rate of about 100%. Recently, an information recording capacity exceeding 160 GB has been required for a 2.5-inch diameter magnetic recording medium used for HDDs and the like, and in order to meet such a demand, 1 square inch is required. It is required to realize an information recording density exceeding 250 GBit per unit.

HDD等に用いられる磁気記録媒体において高記録密度を達成するために、近年、垂直磁気記録方式の磁気記録媒体(垂直磁気記録ディスク)が提案されている。従来の面内磁気記録方式は磁気記録層の磁化容易軸が基板面の平面方向に配向されていたが、垂直磁気記録方式は磁化容易軸が基体面に対して垂直方向に配向するよう調整されている。垂直磁気記録方式は面内記録方式に比べて磁性粒が微細化するほど反磁界(Hd)が大きくなって保磁力Hcが向上し、熱揺らぎ現象を抑制することができるので、高記録密度化に対して好適である。   In order to achieve a high recording density in a magnetic recording medium used for an HDD or the like, a perpendicular magnetic recording type magnetic recording medium (perpendicular magnetic recording disk) has recently been proposed. In the conventional in-plane magnetic recording method, the easy axis of magnetization of the magnetic recording layer is oriented in the plane direction of the substrate surface, but in the perpendicular magnetic recording method, the easy magnetization axis is adjusted to be oriented in the direction perpendicular to the substrate surface. ing. In the perpendicular magnetic recording method, the demagnetizing field (Hd) increases and the coercive force Hc improves as the magnetic grains become finer than the in-plane recording method, and the thermal fluctuation phenomenon can be suppressed. It is suitable for.

上記垂直磁気記録方式においては、単磁極型垂直ヘッドが用いられ磁気記録層に対して垂直方向の磁界を生じさせている。しかし、単に単磁極型垂直ヘッドを用いるのみでは、単磁極端部を出た磁束が直ぐに反対側のリターン磁極に戻ろうとするため十分な強度の磁界を磁気記録層に印加することができない。そこで、垂直磁気記録ディスクの磁気記録層の下に軟磁性層を設け、軟磁性層に磁路を形成することで磁気記録層に垂直方向の強い磁界を印加している。すなわち軟磁性層は、書き込むときの磁場によって磁化方向が整列し、動的に磁路を形成する層である。   In the perpendicular magnetic recording system, a single pole type perpendicular head is used to generate a magnetic field perpendicular to the magnetic recording layer. However, simply using a single magnetic pole type vertical head makes it impossible to apply a sufficiently strong magnetic field to the magnetic recording layer because the magnetic flux exiting the single magnetic pole end immediately returns to the return magnetic pole on the opposite side. Therefore, a strong magnetic field in the perpendicular direction is applied to the magnetic recording layer by providing a soft magnetic layer under the magnetic recording layer of the perpendicular magnetic recording disk and forming a magnetic path in the soft magnetic layer. That is, the soft magnetic layer is a layer in which the magnetization direction is aligned by a magnetic field when writing and dynamically forms a magnetic path.

軟磁性層は書き込む時に利用される層であり、書き込むときの磁場に沿って磁化方向が整列する。しかし読み出す際には軟磁性層に磁化方向を整列させる磁場はかからないので、原則として磁化方向は不規則な方向に散乱している。この不規則な方向は3次元方向であり、軟磁性層の磁化方向に垂直成分が含まれていると、磁気ヘッドで読み出す際に磁気記録層の信号と共にノイズとして拾ってしまうおそれがある。   The soft magnetic layer is a layer used at the time of writing, and the magnetization direction is aligned along the magnetic field at the time of writing. However, since a magnetic field that aligns the magnetization direction is not applied to the soft magnetic layer when reading, the magnetization direction is scattered in an irregular direction in principle. This irregular direction is a three-dimensional direction, and if a perpendicular component is included in the magnetization direction of the soft magnetic layer, it may be picked up as noise together with the signal of the magnetic recording layer when reading by the magnetic head.

そこで軟磁性層については、2層に分割し、間に非磁性のスペーサ層を介在させたAFC(Antiferro-magnetic exchange coupling:反強磁性交換結合)構造が提案され(例えば特許文献1)、実施されている。AFC構造においては、下層と上層で磁化方向が逆転し、相互に引き合うことで結合して固定される(RKKY的交換結合)。したがって磁場がかかっていないときの各軟磁性層の磁化方向は互いに反平行(平行かつ互いに逆向き)となり、すなわち基板主表面と平行になる。これにより、磁化の垂直成分が極めて少なくなることで軟磁性層からから生じるノイズを低減することができる。   Therefore, an AFC (Antiferromagnetic exchange coupling) structure in which a soft magnetic layer is divided into two layers and a nonmagnetic spacer layer is interposed between them is proposed (for example, Patent Document 1). Has been. In the AFC structure, the magnetization direction is reversed between the lower layer and the upper layer, and they are coupled and fixed by attracting each other (RKKY-like exchange coupling). Therefore, the magnetization directions of the soft magnetic layers when no magnetic field is applied are antiparallel to each other (parallel and opposite to each other), that is, parallel to the main surface of the substrate. As a result, the noise generated from the soft magnetic layer can be reduced because the perpendicular component of magnetization is extremely reduced.

また、上述した情報記録密度の増加に伴い、円周方向の線記録密度(BPI:Bit Per Inch)、半径方向のトラック記録密度(TPI:Track Per Inch)のいずれも増加の一途を辿っている。さらに、磁気ディスクの磁性層と、磁気ヘッドの記録再生素子との間隙(磁気的スペーシング)を狭くしてシグナルノイズ比(Signal-Noise Ratio:SNR)を向上させる技術も検討されている。近年望まれる磁気ヘッドの浮上量は6nm以下である。   As the information recording density increases, both the circumferential linear recording density (BPI: Bit Per Inch) and the radial track recording density (TPI: Track Per Inch) are steadily increasing. . Further, a technique for improving a signal-to-noise ratio (SNR) by narrowing a gap (magnetic spacing) between a magnetic layer of a magnetic disk and a recording / reproducing element of a magnetic head has been studied. In recent years, the flying height of a magnetic head desired is 6 nm or less.

上記のように磁気ヘッドが低浮上量化してきたことに伴い、外部衝撃や飛行の乱れによって磁気ヘッドがディスク表面に接触する可能性が高まっている。このため垂直磁気記録媒体では、磁気ヘッドが垂直磁気記録媒体に衝突した際、磁気記録層の表面が傷つかないように保護する媒体保護層が設けられる。媒体保護層は、カーボンオーバーコート(COC)、即ち、カーボン皮膜によって高硬度な皮膜を形成する。媒体保護層には、カーボンの硬いダイヤモンドライク結合と、柔らかいグラファイト結合とが混在しているものもある(例えば、特許文献2)。また、ダイヤモンドライク結合保護膜を、CVD (Chemical Vapour Deposition)法によって製造する技術も開示されている(例えば、特許文献3)。
特開2003−45015号公報 特開平10−11734号公報 特開2006−114182号公報
As the magnetic head has been reduced in flying height as described above, the possibility that the magnetic head comes into contact with the disk surface due to external impact or flight disturbance is increasing. Therefore, the perpendicular magnetic recording medium is provided with a medium protective layer that protects the surface of the magnetic recording layer from being damaged when the magnetic head collides with the perpendicular magnetic recording medium. The medium protective layer forms a high hardness film by a carbon overcoat (COC), that is, a carbon film. Some medium protective layers contain a mixture of hard diamond-like bonds of carbon and soft graphite bonds (for example, Patent Document 2). Also disclosed is a technique for producing a diamond-like bond protective film by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method (for example, Patent Document 3).
JP 200345015 A Japanese Patent Laid-Open No. 10-11734 JP 2006-114182 A

上述した特許文献1に記載されたAFC構造を有する軟磁性層を成膜する際にはDCマグネトロンスパッタリング装置(以下、スパッタ装置と称する。)が用いられ、非磁性のスペーサ層の膜厚は、上層と下層の膜厚よりも薄く成膜される。したがって、上層および下層を成膜する場合、スペーサ層を成膜する場合と比較してスパッタ装置に入力する電力を高くして成膜を行う。   When the soft magnetic layer having the AFC structure described in Patent Document 1 described above is formed, a DC magnetron sputtering apparatus (hereinafter referred to as a sputtering apparatus) is used, and the film thickness of the nonmagnetic spacer layer is as follows: The film is formed thinner than the upper and lower layers. Therefore, when the upper layer and the lower layer are formed, the power input to the sputtering apparatus is increased as compared with the case where the spacer layer is formed.

スパッタ装置に入力する電力が高くなると基板の温度が高くなり、近接する層に影響を与えることとなる。特に軟磁性層の間に形成されるスペーサ層等の薄膜においては、次に成膜される上層の膜厚を厚く成膜する場合に発生する熱が、上層の直下に成膜された層(スペーサ層)に拡散し影響を受けやすいという問題があった。   When the power input to the sputtering apparatus is increased, the temperature of the substrate is increased, which affects adjacent layers. In particular, in a thin film such as a spacer layer formed between soft magnetic layers, the heat generated when the upper layer to be formed next is made thick, the layer formed immediately below the upper layer ( There is a problem that the spacer layer is easily diffused and influenced.

一方、スパッタ装置を用いて磁気記録層を成膜する際には、成膜材料の基板表面への拡散を促進するため基板表面の温度を成膜材料(ターゲット)の融点まで上昇させる必要がある。   On the other hand, when forming a magnetic recording layer using a sputtering apparatus, it is necessary to raise the temperature of the substrate surface to the melting point of the film forming material (target) in order to promote the diffusion of the film forming material to the substrate surface. .

さらに、媒体保護層を成膜する際には、高硬度の膜を得るために反応ガスの反応性を高める必要があるため、あらかじめ基板の温度を上昇させたいという要望がある。   Furthermore, when the medium protective layer is formed, it is necessary to increase the reactivity of the reaction gas in order to obtain a high hardness film, and thus there is a demand to increase the temperature of the substrate in advance.

本発明は、磁気記録媒体の成膜工程が有する問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、スパッタ装置やCVD装置といった真空成膜装置に含まれる基体を保持するキャリアを工夫することで、磁気記録媒体の成膜工程において基体の温度をそれぞれの成膜工程に適した温度に近づけることが可能な磁気記録媒体の製造方法および磁気記録媒体を提供することである。   The present invention has been made in view of the problems of the film forming process of a magnetic recording medium, and the object of the present invention is to devise a carrier for holding a substrate included in a vacuum film forming apparatus such as a sputtering apparatus or a CVD apparatus. Thus, it is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a magnetic recording medium and a magnetic recording medium capable of bringing the temperature of a substrate close to a temperature suitable for each film forming process in the film forming process of the magnetic recording medium.

上記課題を解決するために、本発明の発明者らが鋭意検討したところ、真空成膜装置に含まれ基体を保持するキャリアの熱容量(熱伝導率)に着目し、さらに研究を重ねることにより、本発明を完成するに到った。   In order to solve the above-mentioned problems, the inventors of the present invention diligently studied. By paying attention to the heat capacity (thermal conductivity) of a carrier that is included in the vacuum film forming apparatus and holds the substrate, further research is performed. The present invention has been completed.

すなわち、上記課題を解決するために、本発明の磁気記録媒体の製造方法の代表的な構成は、真空成膜装置を用いて、基体上に少なくとも磁気記録層を成膜する成膜工程を含む磁気記録媒体の製造方法であって、成膜工程では、真空成膜装置が有する基体を保持するためのキャリアに取り付けられたグリッパを基体に接触させて当該基体を保持し、グリッパは複数の金属からなる積層構造であって、当該グリッパの表層を構成する金属は当該グリッパの下層を構成する金属より熱伝導率が高いことを特徴とする。   That is, in order to solve the above-described problems, a typical configuration of the method for manufacturing a magnetic recording medium of the present invention includes a film forming process for forming at least a magnetic recording layer on a substrate using a vacuum film forming apparatus. A method of manufacturing a magnetic recording medium, wherein in a film forming step, a gripper attached to a carrier for holding a substrate included in a vacuum film forming apparatus is brought into contact with the substrate to hold the substrate, and the gripper is made of a plurality of metals. The metal which comprises the surface layer of the said gripper is higher in heat conductivity than the metal which comprises the lower layer of the said gripper.

上記構成により、グリッパを構成する下層はばね性(弾性)を有し、基体に接触する表層は熱伝導率を高くすることが可能となる。したがって、基体を保持するために必要なばね性を確保しつつ熱伝導率を向上させたグリッパを提供することができる。これにより、スパッタ装置に入力する電力の上昇に伴い基体に発生する熱をグリッパを介してキャリアへ放出させることができ、基体に与える熱の影響(熱応力)を最小限に抑えることが可能となる。   With the above configuration, the lower layer constituting the gripper has springiness (elasticity), and the surface layer in contact with the substrate can increase the thermal conductivity. Therefore, it is possible to provide a gripper with improved thermal conductivity while securing the spring property necessary for holding the base. As a result, it is possible to release heat generated in the substrate to the carrier through the gripper as the power input to the sputtering apparatus increases, and to minimize the influence of heat (thermal stress) on the substrate. Become.

上記グリッパの表層を構成する金属は、アルミニウム、銅、銀、金から選択される元素の単体、もしくは当該元素を含む合金で構成されてもよい。   The metal constituting the surface layer of the gripper may be composed of a single element selected from aluminum, copper, silver, and gold, or an alloy containing the element.

特にアルミニウムは熱伝導率が高く安価であるため基体に発生した熱を効率よくキャリアに伝達することができる。   In particular, since aluminum has a high thermal conductivity and is inexpensive, heat generated in the substrate can be efficiently transmitted to the carrier.

上記グリッパの下層を構成する金属は、主成分をニッケルとし、鉄、クロム、ニオブ、モリブデンから選択される元素を含む合金で構成されるとよい。   The metal constituting the lower layer of the gripper is preferably composed of an alloy containing nickel as a main component and an element selected from iron, chromium, niobium, and molybdenum.

主成分をニッケルとし、鉄、クロム、ニオブ、モリブデンから選択される元素を含む合金は、融点高く、高温になってもばね性(弾性)を維持することができるため高温になったとしても基体を確実に安定して保持することが可能となる。   An alloy containing nickel as its main component and an element selected from iron, chromium, niobium, and molybdenum has a high melting point and can maintain spring properties (elasticity) even at high temperatures. Can be reliably and stably held.

上記真空成膜装置は、スパッタリング装置、CVD装置、エッチング装置、イオン注入装置、の群のいずれかであってもよい。   The vacuum film forming apparatus may be one of a group of a sputtering apparatus, a CVD apparatus, an etching apparatus, and an ion implantation apparatus.

スパッタリング装置、CVD装置、エッチング装置及びイオン注入装置を用いて基体を成膜する際には、成膜工程ごとに基体の最適温度が異なるため、本発明を好適に用いることができる。   When a substrate is formed using a sputtering apparatus, a CVD apparatus, an etching apparatus, and an ion implantation apparatus, the optimum temperature of the substrate is different for each film forming process, and thus the present invention can be preferably used.

また本発明に係る磁気記録媒体の代表的な構成は、上記磁気記録媒体の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする。   Further, a typical configuration of the magnetic recording medium according to the present invention is characterized by being manufactured using the above-described method for manufacturing a magnetic recording medium.

磁気記録媒体は複数の層を成膜によって積層するため、それぞれの成膜工程ごとに基体の最適温度も異なる。したがって本発明を好適に用いることができる。   Since the magnetic recording medium is formed by laminating a plurality of layers, the optimum temperature of the substrate is different for each film forming process. Therefore, the present invention can be preferably used.

上述した磁気記録媒体の製造方法の技術的思想に基づく構成要素やその説明は、当該磁気記録媒体にも適用可能である。   The components based on the technical idea of the magnetic recording medium manufacturing method described above and the description thereof can be applied to the magnetic recording medium.

以上、説明したように、本発明の磁気記録媒体の製造方法によれば、真空成膜装置に含まれる基体を保持するキャリアを工夫することで、磁気記録媒体の成膜工程において基体の温度をそれぞれの成膜工程に適した温度に近づけることが可能となるため、磁気記録媒体の品質の向上を図ることができる。   As described above, according to the method for manufacturing a magnetic recording medium of the present invention, the temperature of the substrate can be reduced in the film forming process of the magnetic recording medium by devising the carrier for holding the substrate included in the vacuum film forming apparatus. Since it becomes possible to approach the temperature suitable for each film forming process, the quality of the magnetic recording medium can be improved.

以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。かかる実施形態に示す寸法、材料、その他具体的な数値などは、発明の理解を容易とするための例示にすぎず、特に断る場合を除き、本発明を限定するものではない。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能、構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略し、また本発明に直接関係のない要素は図示を省略する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The dimensions, materials, and other specific numerical values shown in the embodiment are merely examples for facilitating understanding of the invention, and do not limit the present invention unless otherwise specified. In the present specification and drawings, elements having substantially the same function and configuration are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted, and elements not directly related to the present invention are not illustrated. To do.

(実施形態)
本発明にかかる磁気ディスクとしての垂直磁気記録媒体の製造方法の実施形態について説明する。図1は本実施形態にかかる垂直磁気記録媒体100の構成を説明する図である。図1に示す垂直磁気記録媒体100は、基体としてのディスク基体110、付着層112、第1軟磁性層114a、スペーサ層114b、第2軟磁性層114c、前下地層116、第1下地層118a、第2下地層118b、非磁性グラニュラー層120、第1磁気記録層122a、第2磁気記録層122b、連続層124、媒体保護層126、潤滑層128で構成されている。なお第1軟磁性層114a、スペーサ層114b、第2軟磁性層114cは、あわせて軟磁性層114を構成する。第1下地層118aと第2下地層118bはあわせて下地層118を構成する。第1磁気記録層122aと第2磁気記録層122bとはあわせて磁気記録層122を構成する。
(Embodiment)
An embodiment of a method for producing a perpendicular magnetic recording medium as a magnetic disk according to the present invention will be described. FIG. 1 is a diagram illustrating the configuration of a perpendicular magnetic recording medium 100 according to the present embodiment. A perpendicular magnetic recording medium 100 shown in FIG. 1 includes a disk substrate 110 as a substrate, an adhesion layer 112, a first soft magnetic layer 114a, a spacer layer 114b, a second soft magnetic layer 114c, a pre-underlayer 116, and a first underlayer 118a. , A second underlayer 118b, a nonmagnetic granular layer 120, a first magnetic recording layer 122a, a second magnetic recording layer 122b, a continuous layer 124, a medium protective layer 126, and a lubricating layer 128. The first soft magnetic layer 114a, the spacer layer 114b, and the second soft magnetic layer 114c together constitute the soft magnetic layer 114. The first base layer 118a and the second base layer 118b together constitute the base layer 118. The first magnetic recording layer 122a and the second magnetic recording layer 122b together constitute the magnetic recording layer 122.

(基体製造工程)
ディスク基体110は、アモルファスのアルミノシリケートガラスをダイレクトプレスで円板状に成型したガラスディスクを用いることができる。なおガラスディスクの種類、サイズ、厚さ等は特に制限されない。ガラスディスクの材質としては、例えば、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ソーダアルミノケイ酸ガラス、アルミノボロシリケートガラス、ボロシリケートガラス、石英ガラス、チェーンシリケートガラス、又は、結晶化ガラス等のガラスセラミックなどが挙げられる。このガラスディスクに研削、研磨、化学強化を順次施し、化学強化ガラスディスクからなる平滑な非磁性のディスク基体110を得ることができる。
(Substrate manufacturing process)
As the disk substrate 110, a glass disk obtained by forming amorphous aluminosilicate glass into a disk shape by direct pressing can be used. The type, size, thickness, etc. of the glass disk are not particularly limited. Examples of the material of the glass disk include aluminosilicate glass, soda lime glass, soda aluminosilicate glass, aluminoborosilicate glass, borosilicate glass, quartz glass, chain silicate glass, or glass ceramic such as crystallized glass. It is done. The glass disk is subjected to grinding, polishing, and chemical strengthening sequentially to obtain a smooth non-magnetic disk base 110 made of a chemically strengthened glass disk.

(成膜工程)
得られたディスク基体110上に、真空成膜装置としてのスパッタリング装置であるDCマグネトロンスパッタリング装置を用いて、Ar雰囲気中で付着層112から連続層124まで順次成膜を行い、媒体保護層126は真空成膜装置としてのCVD装置により成膜することができる。この後、潤滑層128をディップコート法により形成することができる。
(Film formation process)
Using the DC magnetron sputtering apparatus, which is a sputtering apparatus as a vacuum film forming apparatus, on the obtained disk substrate 110, films were sequentially formed from the adhesion layer 112 to the continuous layer 124 in an Ar atmosphere. A film can be formed by a CVD apparatus as a vacuum film forming apparatus. Thereafter, the lubricating layer 128 can be formed by dip coating.

なお、本実施形態において、生産性が高いという点で、インライン型成膜方法を用いることも好ましい。以下、DCマグネトロンスパッタリング装置の構成と、各層の構成および製造方法について説明する。   In the present embodiment, it is also preferable to use an in-line film forming method in terms of high productivity. Hereinafter, the configuration of the DC magnetron sputtering apparatus, the configuration of each layer, and the manufacturing method will be described.

図2は、本実施形態にかかるDCマグネトロンスパッタリング装置を説明するための説明図である。図2に示すようにDCマグネトロンスパッタリング装置200は、真空室を形成するチャンバ202と、チャンバ202に設けられ外部からガスとしてのArを導入するガス導入口204と、チャンバ202から真空排気を行うための排気口206と、ディスク基体110を保持するキャリア208と、ディスク基体110を成膜する成膜材料であるターゲット210と、ターゲット210から放出される成膜材料をディスク基体110にフォーカスしディスク基体110以外への飛散を防止するシールド212と、成膜速度を上げ、低温成膜を行うためのマグネット214と、を含んで構成される。   FIG. 2 is an explanatory diagram for explaining the DC magnetron sputtering apparatus according to the present embodiment. As shown in FIG. 2, the DC magnetron sputtering apparatus 200 performs vacuum evacuation from a chamber 202 that forms a vacuum chamber, a gas inlet 204 that is provided in the chamber 202 and introduces Ar as a gas from the outside, and the chamber 202. Exhaust port 206, carrier 208 for holding disk base 110, target 210 as a film forming material for forming disk base 110, and film forming material discharged from target 210 by focusing on disk base 110, the disk base It includes a shield 212 for preventing scattering to other than 110 and a magnet 214 for increasing the film formation speed and performing low-temperature film formation.

DCマグネトロンスパッタリング装置200を用いた付着層112から連続層124までの成膜では、まず、ガス導入口204からガスが導入され、流路218を通ってシールド212に設けられた複数のガス噴出口214からガスが噴出し、チャンバ202内を所定の圧力に保つ。次に、チャンバ202内で、ターゲット210とシールド212の間にプラズマを発生させる。そして、プラズマにより発生したArイオンを電界で加速し、成膜材料からなるターゲット210に照射する。Arイオンはターゲット210表面の原子または分子を表面から弾きだす。弾き出された成膜材料の原子および/または分子は、ディスク基体110に堆積し、薄膜(層)を形成する。各層におけるターゲット210は、以下に詳述する。   In film formation from the adhesion layer 112 to the continuous layer 124 using the DC magnetron sputtering apparatus 200, first, a gas is introduced from the gas introduction port 204, and a plurality of gas ejection ports provided in the shield 212 through the flow path 218. Gas is ejected from 214 and the inside of the chamber 202 is maintained at a predetermined pressure. Next, plasma is generated between the target 210 and the shield 212 in the chamber 202. Then, Ar ions generated by the plasma are accelerated by an electric field and irradiated to the target 210 made of a film forming material. Ar ions repel atoms or molecules on the surface of the target 210 from the surface. The ejected atoms and / or molecules of the film forming material are deposited on the disk substrate 110 to form a thin film (layer). The target 210 in each layer will be described in detail below.

図3は、本実施形態にかかるキャリアおよびグリッパを説明するための説明図であり、特に図3(a)はキャリアの斜視図を、図3(b)はグリッパの拡大図を示す。図3(a)に示すようにキャリア208は、当該キャリア208に取り付けられディスク基体110に接触するグリッパ216を有している。本実施形態では、2つのグリッパ216で1のディスク基体110を支持している。   3A and 3B are explanatory views for explaining the carrier and the gripper according to the present embodiment. In particular, FIG. 3A is a perspective view of the carrier, and FIG. 3B is an enlarged view of the gripper. As shown in FIG. 3A, the carrier 208 has a gripper 216 that is attached to the carrier 208 and contacts the disk base 110. In this embodiment, one disc base 110 is supported by two grippers 216.

本実施形態においてキャリア208は熱容量の大きい材質で構成される。これにより、新たに真空成膜装置内に室温(低温)のディスク基体110が導入されたとしても、キャリア208の熱容量が大きいためチャンバ202内が室温程度まで冷却されることがなく、成膜の温度と室温の差が小さくなり、成膜された層とディスク基体110の熱膨張率の違いから生じる熱応力を最小限に抑えることが可能となる。   In the present embodiment, the carrier 208 is made of a material having a large heat capacity. As a result, even if a room temperature (low temperature) disk substrate 110 is newly introduced into the vacuum film formation apparatus, the chamber 202 is not cooled to about room temperature because the heat capacity of the carrier 208 is large, and film formation is not performed. The difference between the temperature and the room temperature is reduced, and the thermal stress caused by the difference in thermal expansion coefficient between the deposited layer and the disk substrate 110 can be minimized.

図3(b)に示すように、本実施形態において、グリッパ216は2種類の金属からなる3層積層構造であり、グリッパ216の表層216aを構成する金属はグリッパ216の下層216bを構成する金属より熱伝導率および熱膨張係数が高い。   As shown in FIG. 3B, in this embodiment, the gripper 216 has a three-layer laminated structure made of two kinds of metals, and the metal constituting the surface layer 216a of the gripper 216 is the metal constituting the lower layer 216b of the gripper 216. Higher thermal conductivity and coefficient of thermal expansion.

本実施形態において、グリッパ216の表層216a(ディスク基体110と接触する層)を構成する金属は、アルミニウムであり、グリッパ216の下層216bを構成する金属は、主成分をニッケルとし、鉄、クロム、ニオブ、モリブデンを含む合金(例えばインコネル(登録商標))である。   In the present embodiment, the metal constituting the surface layer 216a of the gripper 216 (the layer in contact with the disk base 110) is aluminum, and the metal constituting the lower layer 216b of the gripper 216 is mainly composed of nickel, iron, chromium, An alloy containing niobium and molybdenum (for example, Inconel (registered trademark)).

これにより、グリッパ216を構成する下層216bはばね性(弾性)を有し、ディスク基体110に接触する表層216aは熱伝導率を高くすることが可能となる。したがって、ディスク基体110を保持するために必要なばね性を確保しつつ熱伝導率を向上させたグリッパ216を提供することができる。   As a result, the lower layer 216b constituting the gripper 216 has a spring property (elasticity), and the surface layer 216a contacting the disk base 110 can increase the thermal conductivity. Therefore, it is possible to provide the gripper 216 having improved thermal conductivity while ensuring the spring property necessary for holding the disk base 110.

すなわち、スペーサ層114b等の薄膜を成膜する際には、DCマグネトロンスパッタリング装置200に入力する電力の上昇に伴い基体に発生する熱をグリッパ216を介してキャリア208へ放出させることができ、ディスク基体110に与える熱の影響(熱応力)を最小限に抑えることが可能となる。   That is, when a thin film such as the spacer layer 114b is formed, heat generated in the base body as the electric power input to the DC magnetron sputtering apparatus 200 is increased can be released to the carrier 208 via the gripper 216. It becomes possible to minimize the influence of heat (thermal stress) on the substrate 110.

また、磁気記録層122等のある程度厚みのある層を成膜する際には、ディスク基体110表面の温度を成膜材料(ターゲット)の融点まで容易かつ安定して上昇させることができるため、成膜材料(ターゲット)のディスク基体110表面への拡散を促進することができる。   Further, when a layer having a certain thickness such as the magnetic recording layer 122 is formed, the temperature of the surface of the disk substrate 110 can be easily and stably raised to the melting point of the film forming material (target). Diffusion of the film material (target) to the surface of the disk substrate 110 can be promoted.

さらに表層216aの金属は下層216bの金属より熱膨張係数を高くし、下層216bの両側を表層216aで挟み込む構造とする構成により、グリッパ216が高温になったとしても変形するおそれがなくなる。   Further, the metal of the surface layer 216a has a higher coefficient of thermal expansion than the metal of the lower layer 216b, and the structure in which both sides of the lower layer 216b are sandwiched by the surface layer 216a eliminates the possibility that the gripper 216 will be deformed even when the temperature is high.

付着層112は非晶質の下地層であって、ディスク基体110に接して形成され、この上に成膜される軟磁性層114とディスク基体110との剥離強度を高める機能と、この上に成膜される各層の結晶グレインを微細化及び均一化させる機能を備えている。付着層112は、ディスク基体110がアモルファスガラスからなる場合、そのアモルファスガラス表面に対応させる為にアモルファスの合金膜とすることが好ましい。   The adhesion layer 112 is an amorphous underlayer, which is formed in contact with the disk substrate 110 and has a function of increasing the peel strength between the soft magnetic layer 114 formed on the disk substrate 110 and the disk substrate 110. It has a function of miniaturizing and homogenizing the crystal grain of each layer to be formed. When the disk substrate 110 is made of amorphous glass, the adhesion layer 112 is preferably an amorphous alloy film so as to correspond to the amorphous glass surface.

付着層112としては、例えばCrTi系非晶質層、CoW系非晶質層、CrW系非晶質層、CrTa系非晶質層、CrNb系非晶質層から選択することができる。中でもCoW系合金膜は、微結晶を含むアモルファス金属膜を形成するので特に好ましい。付着層112は単一材料からなる単層でも良いが、複数層を積層して形成してもよい。例えばCrTi層の上にCoW層またはCrW層を形成してもよい。またこれらの付着層112は、二酸化炭素、一酸化炭素、窒素、又は酸素を含む材料によってスパッタを行うか、もしくは表面層をこれらのガスで暴露したものであることが好ましい。   The adhesion layer 112 can be selected from, for example, a CrTi amorphous layer, a CoW amorphous layer, a CrW amorphous layer, a CrTa amorphous layer, and a CrNb amorphous layer. Among these, a CoW alloy film is particularly preferable because it forms an amorphous metal film containing microcrystals. The adhesion layer 112 may be a single layer made of a single material, or may be formed by laminating a plurality of layers. For example, a CoW layer or a CrW layer may be formed on the CrTi layer. These adhesion layers 112 are preferably formed by sputtering with a material containing carbon dioxide, carbon monoxide, nitrogen, or oxygen, or the surface layer is exposed with these gases.

軟磁性層114は、垂直磁気記録方式において記録層に垂直方向に磁束を通過させるために、記録時に一時的に磁路を形成する層である。軟磁性層114は第1軟磁性層114aと第2軟磁性層114cの間に非磁性のスペーサ層114bを介在させることによって、AFC(Antiferro-magnetic exchange coupling:反強磁性交換結合)を備えるように構成することができる。これにより軟磁性層114の磁化方向を高い精度で磁路(磁気回路)に沿って整列させることができ、磁化方向の垂直成分が極めて少なくなるため、軟磁性層114から生じるノイズを低減することができる。第1軟磁性層114a、第2軟磁性層114cの組成としては、CoTaZrなどのコバルト系合金、CoCrFeBなどのCo−Fe系合金、[Ni−Fe/Sn]n多層構造のようなNi−Fe系合金などを用いることができる。   The soft magnetic layer 114 is a layer that temporarily forms a magnetic path during recording in order to pass magnetic flux in a direction perpendicular to the recording layer in the perpendicular magnetic recording method. The soft magnetic layer 114 is provided with AFC (Antiferro-magnetic exchange coupling) by interposing a nonmagnetic spacer layer 114b between the first soft magnetic layer 114a and the second soft magnetic layer 114c. Can be configured. As a result, the magnetization direction of the soft magnetic layer 114 can be aligned along the magnetic path (magnetic circuit) with high accuracy, and the vertical component of the magnetization direction is extremely reduced, so that noise generated from the soft magnetic layer 114 is reduced. Can do. The compositions of the first soft magnetic layer 114a and the second soft magnetic layer 114c include a Co-based alloy such as CoTaZr, a Co-Fe based alloy such as CoCrFeB, and a Ni-Fe such as a [Ni-Fe / Sn] n multilayer structure. A system alloy or the like can be used.

前下地層116は非磁性の合金層であり、軟磁性層114を防護する作用と、この上に成膜される下地層118に含まれる六方細密充填構造(hcp構造)の磁化容易軸をディスク垂直方向に配向させる機能を備える。前下地層116は面心立方構造(fcc構造)の(111)面、または体心立方構造(bcc構造)の(110)面がディスク基体110の主表面と平行となっていることが好ましい。また前下地層116は、これらの結晶構造とアモルファスとが混在した構成としてもよい。前下地層の材質としては、Ni、Cu、Pt、Pd、Zr、Hf、Nb、Taから選択することができる。さらにこれらの金属を主成分とし、Ti、V、Ta、Cr、Mo、Wのいずれか1つ以上の添加元素を含む合金としてもよい。例えばfcc構造としてはNiW、CuW、CuCr、bcc構造としてはTaを好適に選択することができる。   The pre-underlayer 116 is a non-magnetic alloy layer, and acts to protect the soft magnetic layer 114 and the easy magnetization axis of the hexagonal close packed structure (hcp structure) included in the underlayer 118 formed thereon is a disk. A function for aligning in the vertical direction is provided. The pre-underlayer 116 preferably has a (111) plane having a face-centered cubic structure (fcc structure) or a (110) plane having a body-centered cubic structure (bcc structure) parallel to the main surface of the disk substrate 110. Further, the pre-underlayer 116 may have a configuration in which these crystal structures and amorphous are mixed. The material of the front ground layer can be selected from Ni, Cu, Pt, Pd, Zr, Hf, Nb, and Ta. Furthermore, it is good also as an alloy which contains these metals as a main component and contains any one or more additional elements of Ti, V, Ta, Cr, Mo, and W. For example, NiW, CuW, CuCr as the fcc structure, and Ta as the bcc structure can be suitably selected.

下地層118はhcp構造であって、磁気記録層122のCoのhcp構造の結晶をグラニュラー構造として成長させる作用を有している。したがって、下地層118の結晶配向性が高いほど、すなわち下地層118の結晶の(0001)面がディスク基体110の主表面と平行になっているほど、磁気記録層22の配向性を向上させることができる。下地層の材質としてはRuが代表的であるが、その他に、RuCr、RuCoから選択することができる。Ruはhcp構造をとり、また結晶の格子間隔がCoと近いため、Coを主成分とする磁気記録層を良好に配向させることができる。   The underlayer 118 has an hcp structure, and has a function of growing a Co hcp crystal of the magnetic recording layer 122 as a granular structure. Therefore, the higher the crystal orientation of the underlayer 118, that is, the more the (0001) plane of the crystal of the underlayer 118 is parallel to the main surface of the disk substrate 110, the more the orientation of the magnetic recording layer 22 is improved. Can do. Ru is a typical material for the underlayer, but in addition, it can be selected from RuCr and RuCo. Since Ru has an hcp structure and the lattice spacing of crystals is close to Co, a magnetic recording layer containing Co as a main component can be well oriented.

下地層118をRuとした場合において、スパッタ時のガス圧を変更することによりRuからなる2層構造とすることができる。具体的には、上層側の第2下地層118bを形成する際に、下層側の第1下地層118aを形成するときよりもArのガス圧を高くする。ガス圧を高くするとスパッタリングされるプラズマイオンの自由移動距離(平均自由工程)が短くなるため、成膜速度が遅くなり、結晶配向性を改善することができる。また高圧にすることにより、結晶格子の大きさが小さくなる。Ruの結晶格子の大きさはCoの結晶格子よりも大きいため、Ruの結晶格子を小さくすればCoのそれに近づき、Coのグラニュラー層の結晶配向性をさらに向上させることができる。   When the underlayer 118 is made of Ru, a two-layer structure made of Ru can be obtained by changing the gas pressure during sputtering. Specifically, when forming the second base layer 118b on the upper layer side, the Ar gas pressure is set higher than when forming the first base layer 118a on the lower layer side. When the gas pressure is increased, the free movement distance (mean free process) of the plasma ions to be sputtered is shortened, so that the film formation rate is reduced and the crystal orientation can be improved. Further, by increasing the pressure, the size of the crystal lattice is reduced. Since the size of the Ru crystal lattice is larger than that of the Co crystal lattice, if the Ru crystal lattice is made smaller, it approaches that of Co, and the crystal orientation of the Co granular layer can be further improved.

非磁性グラニュラー層120は非磁性のグラニュラー層である。下地層118のhcp結晶構造の上に非磁性のグラニュラー層を形成し、この上に第1磁気記録層122aのグラニュラー層を成長させることにより、磁性のグラニュラー層を初期成長の段階(立ち上がり)から分離させる作用を有している。非磁性グラニュラー層120の組成は、Co系合金からなる非磁性の結晶粒子の間に、非磁性物質を偏析させて粒界を形成することにより、グラニュラー構造とすることができる。特にCoCr−SiO、CoCrRu−SiOを好適に用いることができ、さらにRuに代えてRh(ロジウム)、Pd(パラジウム)、Ag(銀)、Os(オスミウム)、Ir(イリジウム)、Au(金)も利用することができる。また非磁性物質とは、磁性粒(磁性グレイン)間の交換相互作用が抑制、または、遮断されるように、磁性粒の周囲に粒界部を形成しうる物質であって、コバルト(Co)と固溶しない非磁性物質であればよい。例えば酸化珪素(SiOx)、クロム(Cr)、酸化クロム(CrO)、酸化チタン(TiO)、酸化ジルコン(ZrO)、酸化タンタル(Ta)を例示できる。 The nonmagnetic granular layer 120 is a nonmagnetic granular layer. A nonmagnetic granular layer is formed on the hcp crystal structure of the underlayer 118, and the granular layer of the first magnetic recording layer 122a is grown thereon, so that the magnetic granular layer can be grown from the initial growth stage (rise). Has the effect of separating. The composition of the nonmagnetic granular layer 120 can be a granular structure by forming a grain boundary by segregating a nonmagnetic substance between nonmagnetic crystal grains made of a Co-based alloy. In particular, CoCr—SiO 2 and CoCrRu—SiO 2 can be preferably used, and Rh (rhodium), Pd (palladium), Ag (silver), Os (osmium), Ir (iridium), Au (in addition to Ru) Gold) can also be used. A nonmagnetic substance is a substance that can form a grain boundary around magnetic grains so that exchange interaction between magnetic grains (magnetic grains) is suppressed or blocked, and is cobalt (Co). Any non-magnetic substance that does not dissolve in solution can be used. Examples thereof include silicon oxide (SiOx), chromium (Cr), chromium oxide (CrO 2 ), titanium oxide (TiO 2 ), zircon oxide (ZrO 2 ), and tantalum oxide (Ta 2 O 5 ).

磁気記録層122は、Co系合金、Fe系合金、Ni系合金から選択される硬磁性体の磁性粒の周囲に非磁性物質を偏析させて粒界を形成した柱状のグラニュラー構造を有した強磁性層である。この磁性粒は、非磁性グラニュラー層120を設けることにより、そのグラニュラー構造から継続してエピタキシャル成長することができる。本実施形態では組成および膜厚の異なる第1磁気記録層122aと、第2磁気記録層122bとから構成されている。第1磁気記録層122aと第2磁気記録層122bは、いずれも非磁性物質としてはSiO、Cr、TiO、B、Fe等の酸化物や、BN等の窒化物、B等の炭化物を好適に用いることができる。 The magnetic recording layer 122 has a columnar granular structure in which a nonmagnetic substance is segregated around magnetic grains of a hard magnetic material selected from a Co-based alloy, an Fe-based alloy, and a Ni-based alloy to form a grain boundary. It is a magnetic layer. By providing the nonmagnetic granular layer 120, the magnetic grains can be continuously epitaxially grown from the granular structure. In the present embodiment, the first magnetic recording layer 122a and the second magnetic recording layer 122b having different compositions and film thicknesses are used. The first magnetic recording layer 122a and the second magnetic recording layer 122b are all non-magnetic materials such as oxides such as SiO 2 , Cr 2 O 3 , TiO 2 , B 2 O 3 , Fe 2 O 3 , BN, etc. Nitride and carbides such as B 4 C 3 can be preferably used.

連続層124はグラニュラー構造を有する磁気記録層122の上に、面内方向に磁気的に連続した層(連続層とも呼ばれる)である。連続層124は必ずしも必要ではないが、これを設けることにより磁気記録層122の高密度記録性と低ノイズ性に加えて、逆磁区核形成磁界Hnの向上、耐熱揺らぎ特性の改善、オーバーライト特性の改善を図ることができる。   The continuous layer 124 is a layer (also referred to as a continuous layer) that is magnetically continuous in the in-plane direction on the magnetic recording layer 122 having a granular structure. The continuous layer 124 is not always necessary, but by providing it, in addition to the high density recording property and low noise property of the magnetic recording layer 122, the reverse domain nucleation magnetic field Hn is improved, the heat-resistant fluctuation property is improved, and the overwrite property is improved. Can be improved.

なお連続層124として、単一の層ではなく、高い垂直磁気異方性かつ高い飽和磁化MSを示す薄膜(連続層)を形成するCGC構造(Coupled Granular Continuous)としてもよい。なおCGC構造は、グラニュラー構造を有する磁気記録層と、PdやPtなどの非磁性物質からなる薄膜のカップリング制御層と、CoBとPdとの薄膜を積層した交互積層膜からなる交換エネルギー制御層とから構成することができる。   The continuous layer 124 may not be a single layer but may be a CGC structure (Coupled Granular Continuous) that forms a thin film (continuous layer) exhibiting high perpendicular magnetic anisotropy and high saturation magnetization MS. The CGC structure is an exchange energy control layer comprising a magnetic recording layer having a granular structure, a thin film coupling control layer made of a nonmagnetic material such as Pd or Pt, and an alternating laminated film in which thin films of CoB and Pd are laminated. It can consist of.

媒体保護層126は、真空を保ったままカーボンをCVD法により成膜して形成することができる。媒体保護層126は、磁気ヘッドの衝撃から垂直磁気記録層を防護するための保護層である。一般にCVD法によって成膜されたカーボンはスパッタ法によって成膜したものと比べて膜硬度が向上するので、磁気ヘッドからの衝撃に対してより有効に磁気記録層122を防護することができる。   The medium protective layer 126 can be formed by forming a carbon film by a CVD method while maintaining a vacuum. The medium protective layer 126 is a protective layer for protecting the perpendicular magnetic recording layer from the impact of the magnetic head. In general, carbon deposited by the CVD method has improved film hardness as compared with that deposited by the sputtering method, so that the magnetic recording layer 122 can be more effectively protected against the impact from the magnetic head.

本実施形態において、CVD装置を構成するキャリアに含まれるグリッパは、上述したDCマグネトロンスパッタリング装置200と同様に、複数の金属からなる積層構造であって、グリッパの表層を構成する金属は当該グリッパの下層を構成する金属より熱伝導率が高い構成を採用することができる。   In the present embodiment, the gripper included in the carrier constituting the CVD apparatus is a laminated structure made of a plurality of metals, like the DC magnetron sputtering apparatus 200 described above, and the metal constituting the surface layer of the gripper is the gripper of the gripper. A configuration having higher thermal conductivity than the metal constituting the lower layer can be employed.

これにより、グリッパを構成する下層はばね性(弾性)を有し、ディスク基体110に接触する表層は熱伝導率を高くすることが可能となる。したがって、ディスク基体110を保持するために必要なばね性を確保しつつ熱伝導率を向上させたグリッパを提供することができる。これにより、あらかじめディスク基体110の温度を容易に上昇させることができ、反応ガスの反応性を高めることが可能となり、高硬度の媒体保護層126を得ることができる。   As a result, the lower layer constituting the gripper has springiness (elasticity), and the surface layer in contact with the disk base 110 can increase the thermal conductivity. Therefore, it is possible to provide a gripper with improved thermal conductivity while ensuring the spring property necessary for holding the disk base 110. As a result, the temperature of the disk substrate 110 can be easily raised in advance, the reactivity of the reaction gas can be increased, and the medium protective layer 126 with high hardness can be obtained.

潤滑層128は、PFPE(パーフロロポリエーテル)をディップコート法により成膜することができる。PFPEは長い鎖状の分子構造を有し、媒体保護層126表面のN原子と高い親和性をもって結合する。この潤滑層128の作用により、垂直磁気記録媒体100の表面に磁気ヘッドが接触しても、媒体保護層126の損傷や欠損を防止することができる。   The lubricating layer 128 can be formed of PFPE (perfluoropolyether) by dip coating. PFPE has a long chain molecular structure and binds with high affinity to N atoms on the surface of the medium protective layer 126. Due to the action of the lubricating layer 128, even if the magnetic head comes into contact with the surface of the perpendicular magnetic recording medium 100, damage or loss of the medium protective layer 126 can be prevented.

以上の製造工程により、垂直磁気記録媒体100の成膜工程においてディスク基体110の温度をそれぞれの成膜工程に適した温度に近づけることが可能となり、高品質の垂直磁気記録媒体100を得ることができる。   Through the above manufacturing process, the temperature of the disk substrate 110 can be brought close to a temperature suitable for each film forming process in the film forming process of the perpendicular magnetic recording medium 100, and a high quality perpendicular magnetic recording medium 100 can be obtained. it can.

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。   Although the preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, it goes without saying that the present invention is not limited to such examples. It will be apparent to those skilled in the art that various changes and modifications can be made within the scope of the claims, and these are naturally within the technical scope of the present invention. Understood.

例えば、上記実施形態においては、磁気ディスクとして垂直磁気記録媒体100を用いているが、面内磁気ディスクを用いてもよい。   For example, in the above embodiment, the perpendicular magnetic recording medium 100 is used as the magnetic disk, but an in-plane magnetic disk may be used.

また、上記実施形態において、真空成膜装置として、スパッタリング装置200およびCVD装置を用いているがこれに限定されず、エッチング装置、イオン注入装置を用いてもよい。   Moreover, in the said embodiment, although the sputtering apparatus 200 and CVD apparatus are used as a vacuum film-forming apparatus, it is not limited to this, You may use an etching apparatus and an ion implantation apparatus.

本発明は、HDDなどに搭載される磁気記録媒体の製造方法および磁気記録媒体として利用することができる。   The present invention can be used as a method of manufacturing a magnetic recording medium mounted on an HDD or the like and as a magnetic recording medium.

垂直磁気記録媒体の構成を説明する図である。It is a figure explaining the structure of a perpendicular magnetic recording medium. 本実施形態にかかるDCマグネトロンスパッタリング装置を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the DC magnetron sputtering apparatus concerning this embodiment. 本実施形態にかかるキャリアおよびグリッパを説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the carrier and gripper concerning this embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

100 …垂直磁気記録媒体
110 …ディスク基体
112 …付着層
114 …軟磁性層
114a …第1軟磁性層
114b …スペーサ層
114c …第2軟磁性層
116 …前下地層
118 …下地層
118a …第1下地層
118b …第2下地層
120 …非磁性グラニュラー層
122 …磁気記録層
122a …第1磁気記録層
122b …第2磁気記録層
124 …連続層
126 …媒体保護層
128 …潤滑層
200 …DCマグネトロンスパッタリング装置
202 …チャンバ
204 …ガス導入口
206 …排気口
208 …キャリア
210 …ターゲット
212 …シールド
214 …マグネット
216 …グリッパ
216a …グリッパの表層
216b …グリッパの下層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Perpendicular magnetic recording medium 110 ... Disk base | substrate 112 ... Adhesion layer 114 ... Soft magnetic layer 114a ... First soft magnetic layer 114b ... Spacer layer 114c ... Second soft magnetic layer 116 ... Pre-underlayer 118 ... Underlayer 118a ... First Underlayer 118b ... second underlayer 120 ... nonmagnetic granular layer 122 ... magnetic recording layer 122a ... first magnetic recording layer 122b ... second magnetic recording layer 124 ... continuous layer 126 ... medium protective layer 128 ... lubricating layer 200 ... DC magnetron Sputtering apparatus 202 ... Chamber 204 ... Gas inlet 206 ... Exhaust outlet 208 ... Carrier 210 ... Target 212 ... Shield 214 ... Magnet 216 ... Gripper 216a ... Gripper surface layer 216b ... Gripper lower layer

Claims (5)

真空成膜装置を用いて、基体上に少なくとも磁気記録層を成膜する成膜工程を含む磁気記録媒体の製造方法であって、
前記成膜工程では、
前記真空成膜装置が有する前記基体を保持するためのキャリアに取り付けられたグリッパを前記基体に接触させて該基体を保持し、
前記グリッパは複数の金属からなる積層構造であって、該グリッパの表層を構成する金属は該グリッパの下層を構成する金属より熱伝導率が高いことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
A method of manufacturing a magnetic recording medium including a film forming step of forming at least a magnetic recording layer on a substrate using a vacuum film forming apparatus,
In the film forming step,
A gripper attached to a carrier for holding the substrate of the vacuum film forming apparatus is brought into contact with the substrate to hold the substrate;
The method of manufacturing a magnetic recording medium, wherein the gripper has a laminated structure composed of a plurality of metals, and the metal constituting the surface layer of the gripper has higher thermal conductivity than the metal constituting the lower layer of the gripper.
前記グリッパの表層を構成する金属は、アルミニウム、銅、銀、金から選択される元素の単体、もしくは前記元素を含む合金で構成されることを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体の製造方法。   2. The magnetic recording medium according to claim 1, wherein the metal constituting the surface layer of the gripper is composed of a single element selected from aluminum, copper, silver, and gold, or an alloy containing the element. Production method. 前記グリッパの下層を構成する金属は、主成分をニッケルとし、
鉄、クロム、ニオブ、モリブデンから選択される元素を含む合金で構成されることを特徴とする請求項1または2に記載の磁気記録媒体の製造方法。
The metal constituting the lower layer of the gripper is nickel as a main component,
3. The method of manufacturing a magnetic recording medium according to claim 1, wherein the magnetic recording medium is made of an alloy containing an element selected from iron, chromium, niobium, and molybdenum.
前記真空成膜装置は、スパッタリング装置、CVD装置、エッチング装置、イオン注入装置、の群のいずれかであることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の磁気記録媒体の製造方法。   4. The manufacturing of a magnetic recording medium according to claim 1, wherein the vacuum film forming apparatus is one of a group of a sputtering apparatus, a CVD apparatus, an etching apparatus, and an ion implantation apparatus. Method. 請求項1から4に記載の磁気記録媒体の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする磁気記録媒体。   A magnetic recording medium manufactured using the method for manufacturing a magnetic recording medium according to claim 1.
JP2008144016A 2008-06-02 2008-06-02 Manufacturing method of magnetic recording medium, and magnetic recording medium Pending JP2009289383A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008144016A JP2009289383A (en) 2008-06-02 2008-06-02 Manufacturing method of magnetic recording medium, and magnetic recording medium

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008144016A JP2009289383A (en) 2008-06-02 2008-06-02 Manufacturing method of magnetic recording medium, and magnetic recording medium

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009289383A true JP2009289383A (en) 2009-12-10

Family

ID=41458446

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008144016A Pending JP2009289383A (en) 2008-06-02 2008-06-02 Manufacturing method of magnetic recording medium, and magnetic recording medium

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009289383A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2009119635A1 (en) Method for manufacturing perpendicular magnetic recording medium and perpendicular magnetic recording medium
JP5638814B2 (en) Single-sided perpendicular magnetic recording medium
US9047903B2 (en) Perpendicular magnetic recording medium and process for manufacture thereof
JP5645443B2 (en) Perpendicular magnetic recording medium
WO2009119708A1 (en) Vertical magnetic recording medium and method for making vertical magnetic recording medium
WO2010064724A1 (en) Magnetic disk and method for manufacturing same
JP2009245490A (en) Method for manufacturing perpendicular magnetic recording medium, and perpendicular magnetic recording medium
JP5261001B2 (en) Perpendicular magnetic recording medium
JPWO2010035810A1 (en) Perpendicular magnetic recording medium and method for manufacturing perpendicular magnetic recording medium
JP5524464B2 (en) Perpendicular magnetic recording medium
JP2010244666A (en) Magnetic recording medium, and method of manufacturing the same
WO2009119636A1 (en) Vertical magnetic recording medium
JP5620071B2 (en) Perpendicular magnetic recording medium
JP2011192320A (en) Perpendicular magnetic recording medium
JP5620118B2 (en) Perpendicular magnetic recording medium
JP5519962B2 (en) Perpendicular magnetic recording medium and manufacturing method thereof
JP2009099242A (en) Perpendicular magnetic recording medium
JP2009289383A (en) Manufacturing method of magnetic recording medium, and magnetic recording medium
JP2009230837A (en) Method for manufacturing vertical magnetic recording medium
JP2010086585A (en) Method of manufacturing magnetic recording medium, and magnetic recording medium
JP2009245477A (en) Vertical magnetic recording medium
JP2009093710A (en) Method of manufacturing magnetic recording medium and magnetic recording medium
JP2008276916A (en) Magnetic recording medium and its manufacturing method
JP2009245482A (en) Method of manufacturing vertical magnetic recording medium
JP2009238326A (en) Method for manufacturing perpendicular magnetic recording medium, and perpendicular magnetic recording medium

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20100706

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20100927