JP2009280871A - Method for forming plasma-photo combined cvd film - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、プラズマ反応と光化学反応とを併用した化学蒸着法（ＣＶＤ法）により成膜を行うプラズマ−光複合ＣＶＤ成膜方法に関する。 The present invention relates to a plasma-photo composite CVD film forming method for forming a film by a chemical vapor deposition method (CVD method) using both a plasma reaction and a photochemical reaction.
化学蒸着法（ＣＶＤ）は、常温では反応の起こらない反応ガスを用いて、高温雰囲気での気相成長により、基体表面に反応生成物を膜状に析出させる技術であり、半導体の製造、金属やセラミックの表面改質等に広く採用されている技術であり、最近ではプラスチック成形体の表面改質にも用いられるようになりつつある。 Chemical vapor deposition (CVD) is a technology for depositing reaction products in the form of a film on the surface of a substrate by vapor phase growth in a high-temperature atmosphere using a reaction gas that does not react at room temperature. This technology is widely used for surface modification of ceramics and the like, and has recently been used for surface modification of plastic moldings.
ＣＶＤを利用した成膜技術としては、熱エネルギーによって反応ガスを分解し、反応させる熱ＣＶＤ法が広く知られているが、熱ＣＶＤ法は、熱による変形を伴うため、プラスチック成形体などの耐熱性に乏しい基板への成膜が困難である。このため、プラスチック成形体表面などへの成膜手段としては、低温での成膜が可能なプラズマ反応を利用したプラズマＣＶＤ法が種々提案されている。 As a film formation technique using CVD, a thermal CVD method in which a reaction gas is decomposed and reacted by thermal energy is widely known. However, since the thermal CVD method involves deformation due to heat, heat resistance of a plastic molded body or the like is known. It is difficult to form a film on a substrate having poor properties. For this reason, various plasma CVD methods using a plasma reaction capable of forming a film at a low temperature have been proposed as film forming means on the surface of a plastic molded body.
プラズマＣＶＤ法とは、プラズマを利用して薄膜成長を行うものであり、基本的には、減圧下において原料ガスを含むガスを高電界による電気的エネルギーで放電させ、分解させ、生成する物質を気相中或いは基板上での化学反応を経て、基板上に堆積させるプロセスから成る。プラズマ状態は、グロー放電によって実現されるものであり、このグロー放電の方式によって、直流グロー放電を利用する方法、高周波グロー放電を利用する方法、マイクロ波グロー放電を利用する方法などが知られている。 The plasma CVD method is a method in which a thin film is grown using plasma. Basically, a gas containing a source gas is discharged under a reduced pressure with electric energy by a high electric field, decomposed, and a substance to be generated is generated. It consists of a process of depositing on a substrate through a chemical reaction in the gas phase or on the substrate. The plasma state is realized by glow discharge. Depending on the glow discharge method, a method using a direct current glow discharge, a method using a high-frequency glow discharge, a method using a microwave glow discharge, and the like are known. Yes.
しかしながら、プラズマＣＶＤ法では、低温での成膜が可能であるといっても、高エネルギーによるイオン衝撃によって膜内への不純物の混入や膜の熱変形損傷などの問題があり、また成膜すべき基板近傍でのプラズマ密度が低くなるため、形成される膜厚が比較的薄く、また膜厚にバラツキを生じやすいという問題もある。 However, even though it is possible to form a film at a low temperature in the plasma CVD method, there are problems such as contamination of impurities into the film and thermal deformation damage of the film due to ion bombardment due to high energy. Since the plasma density in the vicinity of the power substrate is low, there is a problem that the formed film thickness is relatively thin and the film thickness tends to vary.
このような観点から、プラズマＣＶＤ法による上記の欠点を補うため、特許文献１では、光ＣＶＤ法をプラズマＣＶＤ法と併用したプラズマ−光複合ＣＶＤ成膜方法（以下、単に複合ＣＶＤ法と呼ぶことがある）が提案されている。
光ＣＶＤ法は、光エネルギーによって反応ガスを直接励起してガスの分解反応を促進するため、より低温での成膜が可能であり、且つ高純度で比較的厚く且つ均一な厚みの膜を形成することができるという利点を有している。即ち、特許文献１で提案されている複合ＣＶＤ法では、プラズマ反応によって反応ガスを活性にし、次いで光照射によって活性化された反応ガスの気相析出反応を促進させるものであり、上述したプラズマＣＶＤ法の欠点を、光ＣＶＤにより改善されている。 In the photo-CVD method, the reaction gas is directly excited by light energy to promote the decomposition reaction of the gas, so that the film can be formed at a lower temperature, and a high-purity, relatively thick and uniform film is formed. Has the advantage of being able to. That is, in the composite CVD method proposed in Patent Document 1, a reactive gas is activated by a plasma reaction and then promotes a vapor deposition reaction of the reactive gas activated by light irradiation. The disadvantages of the method are improved by photo-CVD.
しかしながら、特許文献１の方法で形成されるような複合ＣＶＤ法によっても、プラズマイオンによる熱衝撃を完全に回避することはできず、特に耐熱性の低いプラスチック成形品などへの成膜には、熱変形などが発生し、例えば薄いプラスチックフィルムなどへの成膜や、ガラス転移点の低いプラスチック成形品などへの成膜、或いは合成樹脂製レンズなどの形状の僅かな変化をも嫌う精密成形品などへの成膜に対しては、未だ改善の余地がある。 However, even by the combined CVD method formed by the method of Patent Document 1, it is not possible to completely avoid the thermal shock caused by plasma ions, and particularly for forming a film on a plastic molded product having low heat resistance. Precision molded products that are subject to thermal deformation, etc., such as film formation on thin plastic films, film formation on plastic molded products with a low glass transition point, or slight changes in the shape of synthetic resin lenses, etc. However, there is still room for improvement in film formation.
従って、本発明の目的は、プラズマＣＶＤ法を利用しながら、イオンによる熱損傷が有効に改善され、耐熱性が乏しく、熱変形を確実に防止することが必要な基板に対しても有効に成膜を行うことが可能なプラズマ−光複合ＣＶＤ成膜方法を提供することにある。 Therefore, the object of the present invention is to effectively improve the thermal damage caused by the ions while utilizing the plasma CVD method, the heat resistance is poor, and the substrate that is required to surely prevent the thermal deformation. An object of the present invention is to provide a plasma-photo composite CVD film forming method capable of forming a film.
本発明によれば、プラズマ発生領域に反応性ガスを供給し、該領域で発生したプラズマをプラズマ遮蔽板により形成された迂回路を通して基板が置かれた成膜室に導入せしめ、該成膜室において、光照射によりＣＶＤ反応を促進させながら該基板上に成膜することを特徴とするプラズマ−光複合ＣＶＤ成膜方法が提供される。
本発明によれば、また、プラズマ発生領域に反応性ガスを供給し、該領域で発生したプラズマを、導電性メッシュ板を通して基板が置かれた成膜室に導入せしめ、該成膜室において、光照射によりＣＶＤ反応を促進させながら該基板上に成膜することを特徴とするプラズマ−光複合ＣＶＤ成膜方法が提供される。
According to the present invention, the reactive gas is supplied to the plasma generation region, and the plasma generated in the region is introduced into the film formation chamber in which the substrate is placed through the detour formed by the plasma shielding plate. The method of forming a film on the substrate while accelerating the CVD reaction by light irradiation is provided.
According to the present invention, the reactive gas is supplied to the plasma generation region, and the plasma generated in the region is introduced into the film formation chamber in which the substrate is placed through the conductive mesh plate. There is provided a plasma-light composite CVD film forming method characterized in that a film is formed on the substrate while promoting a CVD reaction by light irradiation.
上記の方法においては、反応性ガスの一部を、前記成膜室に直接供給することが好適である。 In the above method, it is preferable to supply a part of the reactive gas directly to the film formation chamber.
本発明のプラズマ−光複合ＣＶＤ成膜方法には、プラズマ遮蔽板を利用した迂回法と導電性メッシュ板とを利用したフィルター法との２つの方法があるが、何れの方法によっても、成膜に際してのイオンによる熱衝撃を低減させ、一層低温での成膜が可能となり、耐熱性が低く、熱変形を嫌う各種の基板などに対しても有効に成膜を行うことができる。 The plasma-photo composite CVD film forming method of the present invention includes two methods, a detour method using a plasma shielding plate and a filter method using a conductive mesh plate. At this time, the thermal shock caused by ions can be reduced, film formation can be performed at a lower temperature, and film formation can be effectively performed even on various substrates that have low heat resistance and do not like thermal deformation.
即ち、上記の迂回法によれば、プラズマ発生領域でのプラズマ反応により活性化され、励起した反応性ガスのラジカルは、プラズマ遮蔽板によって迂回しながら成膜室に導入され、この成膜室での光照射によって気相析出反応が促進されて成膜される。このため、プラズマ発生領域で生成したプラズマイオンは、プラズマ遮蔽板に衝突しながら成膜室に導入されることとなり、この結果、プラズマ遮蔽板によってイオンの熱衝撃が吸収され、成膜すべき基板の熱変形等の熱損傷が有効に防止される。 That is, according to the detour method described above, radicals of the reactive gas that are activated and excited by the plasma reaction in the plasma generation region are introduced into the film formation chamber while being detoured by the plasma shielding plate. The gas phase deposition reaction is promoted by the light irradiation to form a film. For this reason, the plasma ions generated in the plasma generation region are introduced into the film formation chamber while colliding with the plasma shielding plate. As a result, the thermal shock of the ions is absorbed by the plasma shielding plate, and the substrate to be deposited is formed. Thermal damage such as thermal deformation is effectively prevented.
また、上記のフィルター法によれば、プラズマ発生領域で励起された反応性ガスのラジカルは、導電性メッシュ板の開口を通って成膜室に導入されるため、プラズマイオンのエネルギーが導電性メッシュ板により遮断されることとなり、従って、かかる方法によっても、成膜すべき基板の熱変形等の熱損傷が有効に防止される。 In addition, according to the filter method described above, the radicals of the reactive gas excited in the plasma generation region are introduced into the film formation chamber through the opening of the conductive mesh plate. Therefore, thermal damage such as thermal deformation of the substrate to be deposited can be effectively prevented even by such a method.
図１及び図２は、それぞれ、本発明のプラズマ−光複合ＣＶＤ成膜方法の実施に使用される装置の概略構造の一例を示すものであり、図１の装置は、特に迂回法の実施に適用され、図２の装置は、フィルター法の実施に適用される。 FIG. 1 and FIG. 2 each show an example of a schematic structure of an apparatus used for implementing the plasma-photo composite CVD film forming method of the present invention. The apparatus of FIG. Applied, the apparatus of FIG. 2 is applied to the implementation of the filter method.
先ず、迂回法を説明するための図１において、全体として１で示す成膜装置は、プラズマ発生領域であるプラズマ発生室３と成膜室５とを有しており、プラズマ発生室３と成膜室５とは、互いに連通しているが、プラズマ遮蔽板７によって区画されている。
First, in FIG. 1 for explaining the detouring method, a film forming apparatus denoted by 1 as a whole has a plasma generating chamber 3 and a
プラズマ発生室３には、高周波電源９及びインピーダンス整合のためのマッチングボックス１１に連なる高周波コイル（ＲＦコイル）１３が配置され、さらには、反応性ガスを供給するためのガス供給管１５が内部に延びている。
The plasma generation chamber 3 is provided with a high-frequency coil (RF coil) 13 connected to a high-frequency power source 9 and a
また、成膜室５には、基板ホルダー１７が配置されており、このホルダー１７の上には、成膜すべき基板１９が載置されている。また、このホルダー１７（基板１９）の上方には、光反応を行うための光源２１が設けられている。この光源は、エキシマレーザなどのレーザ照射源であってもよいし、また水銀ランプ、キセノンランプ等の紫外線照射源などであってもよく、光反応を行うための光を照射し得るものであればよい。
A
さらに、成膜室５の上部壁からは、反応性ガスを供給するためのガス供給管２３が内部に延びている。また、成膜室５のプラズマ発生室３とは反対側の壁には、排気管２５が設けられている。
Further, a
上記の装置において成膜を行うに当たって、プラズマ発生室３は、グロー放電が生じる程度の真空度に保持されており、このような真空度に保持しながら、所定の出力の電力がＲＦコイル１３に印加されて高周波が発生し且つプラズマ発生室３には、ガス供給管１５から所定の反応性ガスが供給される。これにより、プラズマ発生室３にはプラズマが発生し、プラズマ発生室３に供給された反応性ガスは、励起されてラジカルとなり、プラズマ遮蔽板３に衝突し、迂回して成膜室５に導入される。
When film formation is performed in the above-described apparatus, the plasma generation chamber 3 is maintained at a degree of vacuum at which glow discharge is generated, and a predetermined output power is applied to the
成膜室５では、光源２１から光が照射され、プラズマ発生室３から導入された反応性ガスのラジカルの気相析出反応を促進させ、さらには、この状態で反応性ガスがガス供給管２３から供給され、ガスについての光励起及び気相析出反応を促進させ、基板１９の表面への成膜が行われる。また、余剰のガスは、排気管２５より排出され、これにより、プラズマ発生室３及び成膜室５は所定の真空度（例えば１乃至１００Ｐａ程度）に保持される。
In the
上記の迂回法によれば、プラズマ発生室３で発生したプラズマのイオンのエネルギーは、プラズマ遮蔽板７との衝突によって吸収・緩和されるため、プラズマイオンによる基板１９への熱衝撃が有効に抑制され、この結果、成膜に際しての基板１９の熱変形等を有効に防止することができるのである。
According to the detour method described above, the energy of the plasma ions generated in the plasma generation chamber 3 is absorbed and relaxed by the collision with the plasma shielding plate 7, so that the thermal shock of the plasma ions to the
尚、図１の装置では、プラズマ遮蔽板７は、プラズマ発生室３の底壁から上方に延びているが、勿論、反応性ガスが成膜室５内に効果的に導入されるのであれば、このような態様に限定されるものではなく、例えば、上壁から下方に延びていてもよいし、さらに、底壁から上方に延びている遮蔽板７と上壁から下方に延びている遮蔽板７とが交互に配置された構造となっていてもよい。
In the apparatus of FIG. 1, the plasma shielding plate 7 extends upward from the bottom wall of the plasma generation chamber 3. Of course, if reactive gas is effectively introduced into the
上記のようなプラズマ遮蔽板７の材質は、耐熱性を有する材料であれば特に制限されず、例えば、各種セラミックスから形成されていてよい。 The material of the above plasma shielding board 7 will not be restrict | limited especially if it is a material which has heat resistance, For example, you may be formed from various ceramics.
また、フィルター法を実施するための装置の概略構造を示す図２において、この装置１は、プラズマ発生室３と成膜室５とが導電性メッシュ板３０で区画されている点を除けば、図１の装置と実質的には同じ構造を有している。
Further, in FIG. 2 showing a schematic structure of an apparatus for carrying out the filter method, this apparatus 1 has a plasma generating chamber 3 and a
即ち、この装置１では、図１の装置１と同様、所定の真空度に保持されたプラズマ発生室３内にガス供給管１５から反応性ガスが供給され且つＲＦコイル１３から所定の出力で高周波が供給され、反応性ガスは、励起されてラジカルとなり、導電性メッシュ板３０を通って成膜室５に導入される。また、成膜室５では、光源２１からの光照射により反応性ガスのラジカルの気相析出反応を促進させ、さらには、ガス供給管２３から供給されたガスについての光励起及び気相析出反応が促進され、基板１９の表面への成膜が行われることとなる。
That is, in this apparatus 1, as in the apparatus 1 of FIG. 1, reactive gas is supplied from the
このような装置で行われるフィルター法によれば、導電性メッシュ板３０がプラズマに対してフィルターとなり、プラズマ発生室３で発生したプラズマのイオンのエネルギーは、導電性メッシュ板３０に吸収・緩和されるため、プラズマイオンによる基板１９への熱衝撃が有効に抑制され、この結果、成膜に際しての基板１９の熱変形等を有効に防止することができるのである。
According to the filter method performed in such an apparatus, the conductive mesh plate 30 functions as a filter for the plasma, and the energy of plasma ions generated in the plasma generation chamber 3 is absorbed and relaxed by the conductive mesh plate 30. Therefore, thermal shock to the
尚、導電性メッシュ板３０は、一般に金属材料で形成されるが、特にイオン遮断性の高い導電性の高い金属材料、例えば、銅、アルミ、銀、金などで形成されていることが好ましく、さらに、これら高導電性金属がメッキされた材料で形成されていてもよい。メッシュ開口の大きさは、一般に、十分なイオン遮断性とガス透過性とを両立させるために、その直径乃至最大径が１００μｍ乃至１０ｍｍの範囲にあり、開口率が１０乃至９０％程度の範囲にあることが好適である。 The conductive mesh plate 30 is generally formed of a metal material, but is preferably formed of a highly conductive metal material having a particularly high ion barrier property, such as copper, aluminum, silver, gold, Further, these highly conductive metals may be formed of a plated material. The size of the mesh opening is generally in the range of 100 μm to 10 mm in diameter or maximum diameter in order to achieve both sufficient ion barrier properties and gas permeability, and the aperture ratio is in the range of about 10 to 90%. Preferably it is.
さらに、図２の例では、導電性メッシュ板３０によってプラズマ発生室３と成膜室５とが完全に区画されているが、基板１９の熱衝撃が有効に緩和される限りにおいて、この導電性メッシュ板３０を図１の遮蔽板７のように設けることも可能である。
Further, in the example of FIG. 2, the plasma generation chamber 3 and the
上述した本発明において、成膜すべき基板１９は、種々の材料で形成されていてよいが、本発明方法ではプラズマイオンの熱衝撃による熱変形等が有効に抑制されるため、特に耐熱性の低い熱可塑性プラスチックで基板１９が形成されている場合に本発明の効果が十分に発揮される。例えば、各種の熱可塑性プラスチックの中でもポリ乳酸はガラス転移点がポリエチレンテレフタレートの如きポリエステルに比して低く、この結果、プラズマＣＶＤによる成膜に際して熱変形を生じ易く、このような成膜による改質が制限されていたが、本発明では、このようなポリ乳酸からなる基板１９に対しても熱変形を生じさせることなく成膜を行うことができる。
In the present invention described above, the
また、基板１９の形状も特に制限されず、薄いフィルムなどであってよい。即ち、熱衝撃による熱歪によってシワの発生しやすいフィルムなどに成膜を行う場合にも、本発明方法を有効に適用することができる。さらに、各種のプラスチック製光学品、例えば合成樹脂製レンズなどでは、その表面形状については高い精度が要求されるため、熱による形状変化を生じ易いプラズマＣＶＤによる成膜（ハードコートの形成）は困難であったが、本発明では、熱変形が有効に抑制されているため、このような合成樹脂製レンズなどを基板１９として成膜を行うこともできる。
The shape of the
本発明方法において用いる反応性ガスも、従来からプラズマＣＶＤによる成膜に使用されているものを何ら制限なく使用することができる。例えば、各種のプラスチックについては、金属酸化物の皮膜を形成してガスに対するバリア性を高めることが行われているが、このような金属酸化物皮膜の形成のために、従来と全く同様、トリアルキルアルミニウムなどの有機アルミニウム化合物、テトラアルキルチタンなどの有機チタン化合物、各種有機ケイ素化合物などのガスを、適宜、酸素ガスと混合した混合ガスを反応性ガスとして使用することができ、さらに、必要により、反応ガス中の濃度調整等のために、アルゴンガスやヘリウムガスなどの不活性ガスを、キャリアーガスとして適宜使用することもできる。 As the reactive gas used in the method of the present invention, those conventionally used for film formation by plasma CVD can be used without any limitation. For example, for various plastics, a metal oxide film is formed to increase the gas barrier property. In order to form such a metal oxide film, a tri-oxide film is formed just as in the past. Gases such as organoaluminum compounds such as alkylaluminum, organotitanium compounds such as tetraalkyltitanium, and various organosilicon compounds can be used as a reactive gas, as appropriate, by mixing gas with oxygen gas. In addition, an inert gas such as argon gas or helium gas can be appropriately used as the carrier gas for adjusting the concentration in the reaction gas.
さらに、上述した図１及び図２で示した方法においては、プラズマイオンによる熱衝撃を有効に防止するという本発明の目的を損なわない限りにおいて種々設計変更を行うことができる。 Furthermore, in the method shown in FIG. 1 and FIG. 2 described above, various design changes can be made as long as the object of the present invention of effectively preventing thermal shock caused by plasma ions is not impaired.
例えば、図１及び図２の例では、反応性ガスの一部を、ガス供給管２３によって直接成膜室５内に供給しているが、成膜室５内への一部供給を行わず、反応性ガスの全量をガス供給管１５からプラズマ発生室３内に供給することもでき、成膜速度などを考慮して、反応性ガスの供給形態を適宜変更することができる。
For example, in the example of FIGS. 1 and 2, a part of the reactive gas is directly supplied into the
また、図１及び図２の例では、プラズマ発生室３にはＲＦコイル１３により高周波を供給してプラズマを発生させているが、マイクロ波の供給によりプラズマを発生せしめることも勿論可能である。この場合には、ＲＦコイル１３の代わりに、マイクロ波電源に接続された導波管をプラズマ発生室３内に配置すればよい。また、マイクロ波によりプラズマを発生する場合においても、プラズマ発生室３内は、グロー放電が生じ得る程度の真空度に保持されることとなる。
In the example of FIGS. 1 and 2, the plasma generation chamber 3 is supplied with a high frequency by the
上述した本発明の成膜方法では、プラズマＣＶＤと光ＣＶＤとの併用により成膜を行うため、従来のプラズマＣＶＤに比して成膜速度が速く、しかも、プラズマイオンによる熱衝撃が有効に抑制されているため、より低温で成膜を行うことができるため、基板１９の材質等に対する制限がなく、種々の材料乃至形状の基板１９に対して成膜可能であるばかりか、成膜される膜の厚みも厚くすることができる。
In the above-described film forming method of the present invention, since film formation is performed by using plasma CVD and photo CVD together, the film forming speed is higher than that of conventional plasma CVD, and thermal shock due to plasma ions is effectively suppressed. Therefore, the film can be formed at a lower temperature. Therefore, the material of the
本発明を次の例で説明するが、本発明はいかなる意味においても、次の例に制限されるものではない。 The present invention will be described in the following examples, but the present invention is not limited to the following examples in any way.
（実施例１）
図１の装置を用い成膜試験を行った。プラズマ遮蔽板として、一般構造用圧延鋼材(ＳＳ４１)製、板厚１ｍｍのものを用いた。原料ガスにはＨＭＤＳＯ（ヘキサメチルジシロキサン）２０ｓｃｃｍ、アンモニア２００ｓｃｃｍをガス供給管１５から供給し、高周波出力を１０００Ｗとして高周波プラズマを生成した。また、キセノンエキシマランプ２１による光ＣＶＤを併用し、出力４００Ｗ、ランプの照度５０ｍＷ／ｃｍ２の条件下で成膜を行った。成膜時間は２分間とした。
基板には１００μｍ厚さのＰＥＴフィルム（東レ製 ルミラーＳ１０グレード）を用いた。サイズは２００ｍｍ角とした。また、エキシマランプとＰＥＴ基板との距離を１５ｍｍとした。
その結果、ＰＥＴ基板に変形は生じなかった。また、排気管２５側のエキシマランプ直下部の膜厚は１７ｎｍであった。
Example 1
A film formation test was performed using the apparatus of FIG. As the plasma shielding plate, a general structural rolled steel (SS41) plate having a thickness of 1 mm was used. The source gas was supplied with 20 sccm of HMDSO (hexamethyldisiloxane) and 200 sccm of ammonia from the
A 100 μm thick PET film (Toray Lumirror S10 grade) was used as the substrate. The size was 200 mm square. The distance between the excimer lamp and the PET substrate was 15 mm.
As a result, no deformation occurred in the PET substrate. The film thickness immediately below the excimer lamp on the
（比較例１）
プラズマ遮蔽板７を設置しないことを除いて実施例１と同様に実験を行った。
その結果、プラズマ発生室３側寄りの部分においてＰＥＴ基板に熱変形が生じた。また、排気管２５側のエキシマランプ直下部の膜厚は２ｎｍであった。これは、プラズマ遮蔽板７による原料ガスの迂回効果が無くなったためである。
(Comparative Example 1)
The experiment was performed in the same manner as in Example 1 except that the plasma shielding plate 7 was not installed.
As a result, thermal deformation occurred in the PET substrate in the portion near the plasma generation chamber 3 side. The film thickness immediately below the excimer lamp on the
（実施例２）
図２の装置を用い成膜試験を行った。導電性メッシュ板として、一般構造用圧延鋼材(ＳＳ４１)製、板厚２ｍｍ、穴直径５ｍｍ、開口率３６％を用いた。原料ガスにはＨＭＤＳＯ（ヘキサメチルジシロキサン）２０ｓｃｃｍ、アンモニア２００ｓｃｃｍをガス供給管１５から供給し、高周波出力を１０００Ｗとして高周波プラズマを生成した。また、キセノンエキシマランプ２１による光ＣＶＤを併用し、出力４００Ｗ、ランプの照度５０ｍＷ／ｃｍ２の条件下で成膜を行った。成膜時間は２分間とした。
基板には１００μｍ厚さのＰＥＴフィルム（東レ製 ルミラーＳ１０グレード）を用いた。サイズは２００ｍｍ角とした。また、エキシマランプ２１とＰＥＴ基板との距離を１７０ｍｍとした。
その結果、ＰＥＴ基板に変形は生じなかった。また、排気管２５側のエキシマランプ直下部の膜厚２４．５ｎｍであった。
(Example 2)
A film formation test was performed using the apparatus shown in FIG. As the conductive mesh plate, a general structural rolled steel (SS41), a plate thickness of 2 mm, a hole diameter of 5 mm, and an aperture ratio of 36% was used. The source gas was supplied with 20 sccm of HMDSO (hexamethyldisiloxane) and 200 sccm of ammonia from the
A 100 μm thick PET film (Toray Lumirror S10 grade) was used as the substrate. The size was 200 mm square. The distance between the
As a result, no deformation occurred in the PET substrate. The film thickness was 24.5 nm immediately below the excimer lamp on the
（比較例２）
導電性メッシュ板３０を使用しないことを除いて実施例２と同様に実験を行った。その結果、プラズマ発生室３側寄りの部分においてＰＥＴ基板に熱変形が生じた。
(Comparative Example 2)
The experiment was performed in the same manner as in Example 2 except that the conductive mesh plate 30 was not used. As a result, thermal deformation occurred in the PET substrate in the portion near the plasma generation chamber 3 side.
３：プラズマ発生室
５：成膜室
７：プラズマ遮蔽板
１３：高周波コイル
２１：光源
３０：導電性メッシュ板
3: Plasma generation chamber 5: Film formation chamber 7: Plasma shielding plate 13: High frequency coil 21: Light source 30: Conductive mesh plate
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