JP2009266846A - Flexible wiring unit, and electronic device - Google Patents

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昭 及川
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a flexible wiring unit capable of suppressing characteristic impedance fluctuation caused by the move of the front end of a flexible board. <P>SOLUTION: The flexible wiring unit 100 includes the longitudinally flexible board 50 having a signal interconnect 30 exchanging signals with an external circuit, a front insulating layer 20 and a back insulating layer 40 holding the signal interconnect 30 therebetween, and a shield layer 10 laminated on the upper surface of the front insulating layer 20, a non-conductive board spacer 62 set opposite to the undersurface of the back insulating layer 40, and a supporting member 61 which supports one of longitudinal end of the flexible board 50. The other longitudinal end of the flexible board 50 is allowed to move. When the flexible board 50 is set in contact with the front surface of the board spacer 62, the distance (Y) from the back surface of the board spacer 62 to the signal interconnect 30 is larger than the distance (X) from the undersurface of the shield layer 10 to the signal interconnect 30. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、長手方向に可撓性を有するフレキシブル基板を備えたフレキシブル配線ユニット、およびこれを用いた電子機器に関する。   The present invention relates to a flexible wiring unit including a flexible substrate having flexibility in a longitudinal direction, and an electronic apparatus using the flexible wiring unit.

この種のフレキシブル基板は、可動部をもつ電子機器の配線に広く用いられている。例えば、ディスクドライブ装置の光学ヘッド、フリップダウン式のモニター装置、プリンタヘッド、ヒンジ開閉式の携帯電話機やノート型パソコン、など多岐に亘る。   This type of flexible substrate is widely used for wiring of electronic devices having movable parts. For example, there are a wide variety of optical heads of disk drive devices, flip-down type monitor devices, printer heads, hinged mobile phones and notebook personal computers.

従来の電子機器の一例として、図６にディスクドライブ装置１２００の模式図を、図７にフリップダウンモニター装置１３００の模式図を、それぞれ示す。
従来のディスクドライブ装置の例としては、下記特許文献１に記載のものが知られている。また従来のフリップダウンモニター装置の例としては、下記特許文献２に記載のものが知られている。 As an example of a conventional electronic device, FIG. 6 shows a schematic diagram of a disk drive device 1200, and FIG. 7 shows a schematic diagram of a flip-down monitor device 1300.
As an example of a conventional disk drive device, one described in Patent Document 1 below is known. Further, as an example of a conventional flip-down monitor device, one disclosed in Patent Document 2 below is known.

図６（ａ）に示すディスクドライブ装置１２００は、上面が平坦な金属ベース１２１０にともにセットされたフレキシブル配線ユニット１１００およびディスク駆動機構１２２０を主要部として備えている。
フレキシブル配線ユニット１１００は、ディスク駆動機構１２２０により回転駆動されるドーナツ状のディスク１２２３に対してデータの読み書きをするヘッドユニット１１２０と、外部機器（図示せず）と接続される接続コネクタ１１１０と、ヘッドユニット１１２０と接続コネクタ１１１０とを接続する可撓性のフレキシブル基板１０５０と、フレキシブル基板１０５０の基端部および接続コネクタ１１１０を金属ベース１２１０に対して固定する支持部材１０６１と、を備えている。
フレキシブル基板１０５０と支持部材１０６１とは接着剤層１１３０で固着されることが一般的である。支持部材１０６１はＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate）やポリイミド、ガラスエポキシなどの非導電性材料により所定の板厚に形成されている。 The disk drive device 1200 shown in FIG. 6A includes a flexible wiring unit 1100 and a disk drive mechanism 1220 that are set together on a metal base 1210 having a flat upper surface as main parts.
The flexible wiring unit 1100 includes a head unit 1120 that reads / writes data from / to a donut-shaped disk 1223 that is rotationally driven by a disk drive mechanism 1220, a connection connector 1110 that is connected to an external device (not shown), a head A flexible flexible substrate 1050 that connects the unit 1120 and the connection connector 1110, and a support member 1061 that fixes the base end portion of the flexible substrate 1050 and the connection connector 1110 to the metal base 1210 are provided.
In general, the flexible substrate 1050 and the support member 1061 are fixed by an adhesive layer 1130. The support member 1061 is formed with a predetermined plate thickness from a non-conductive material such as PET (Polyethylene Terephthalate), polyimide, or glass epoxy.

ディスク駆動機構１２２０は、ディスク１２２３を保持するディスク保持部１２２２と、ディスク保持部１２２２を軸回転駆動する駆動モータ１２２１とを備えている。   The disk drive mechanism 1220 includes a disk holding unit 1222 that holds the disk 1223 and a drive motor 1221 that rotationally drives the disk holding unit 1222.

同図に例示する従来例の場合、支持部材１０６１は駆動モータ１２２１の近傍に配置され、接続コネクタ１１１０は駆動モータ１２２１に向けて支持部材１０６１に固定されている。このため、同図（ａ）に示すようにディスク１２２３の内周側のトラックにアクセスする場合には、フレキシブル基板１０５０の先端にあるヘッドユニット１１２０はヘッド移動機構（図示せず）により図中右側にあたる後方に移動して接続コネクタ１１１０の上方に案内される。このためフレキシブル基板１０５０は湾曲して横倒しのＵ字状をなす。   In the case of the conventional example illustrated in the drawing, the support member 1061 is disposed in the vicinity of the drive motor 1221, and the connection connector 1110 is fixed to the support member 1061 toward the drive motor 1221. Therefore, when accessing the track on the inner circumference side of the disk 1223 as shown in FIG. 6A, the head unit 1120 at the tip of the flexible substrate 1050 is moved to the right side in the drawing by a head moving mechanism (not shown). It moves to the rear corresponding to this and is guided above the connector 1110. For this reason, the flexible substrate 1050 is curved and forms a U-shaped sideways.

フレキシブル基板１０５０は、対向する表側および裏側絶縁層１０２０，１０４０の間に信号配線１０３０を挟み込み、それらの上面に任意でシールド層１０１０などの他層を積層してなる。
表側および裏側絶縁層１０２０，１０４０は同等の厚さとすることが一般的である。 The flexible substrate 1050 is formed by sandwiching a signal wiring 1030 between opposing front and back insulating layers 1020 and 1040 and optionally laminating other layers such as a shield layer 1010 on the upper surface thereof.
Generally, the front and back insulating layers 1020 and 1040 have the same thickness.

フレキシブル基板１０５０は所定の可撓性と剛性をバランスして有している。
したがって同図（ａ）のようにヘッドユニット１１２０が支持部材１０６１の上方、特に接続コネクタ１１１０の上方に位置している場合、Ｕ字状に変形した可撓性のフレキシブル基板１０５０はその剛性により金属ベース１２１０と接触せず宙に浮いた状態となる。このときフレキシブル基板１０５０のうち金属ベース１２１０と対向する前後長は僅かである。 The flexible substrate 1050 balances predetermined flexibility and rigidity.
Therefore, when the head unit 1120 is located above the support member 1061, particularly above the connection connector 1110 as shown in FIG. 5A, the flexible flexible substrate 1050 deformed into a U-shape is made of metal due to its rigidity. It does not contact the base 1210 and floats in the air. At this time, the length of the flexible substrate 1050 facing the metal base 1210 is slight.

一方、ヘッドユニット１１２０がディスク１２２３の外周側のトラックにアクセスする場合、同図（ｂ）に示すようにヘッドユニット１１２０はヘッド移動機構により図中左方にあたる前方に移動して、接続コネクタ１１１０の上方近傍を離れる。ヘッドユニット１１２０に先端が固定されたフレキシブル基板１０５０はこれに追随し、その可撓性によりＵ字状からＪ字状などに柔軟に変形する。これにより、金属ベース１２１０と対向するフレキシブル基板１０５０の前後長が長くなる。また、フレキシブル基板１０５０はその曲げ剛性によって、ヘッドユニット１１２０から離れる方向、すなわち図中下方に押し下げられて、長手方向の中間部が金属ベース１２１０に押し付けられる。   On the other hand, when the head unit 1120 accesses a track on the outer periphery side of the disk 1223, the head unit 1120 is moved forward by the head moving mechanism as shown in FIG. Leave the upper neighborhood. The flexible substrate 1050 whose tip is fixed to the head unit 1120 follows this, and is flexibly deformed from a U shape to a J shape due to its flexibility. Thereby, the front-rear length of the flexible substrate 1050 facing the metal base 1210 is increased. Further, the flexible substrate 1050 is pushed down in the direction away from the head unit 1120, that is, downward in the figure due to its bending rigidity, and the middle portion in the longitudinal direction is pressed against the metal base 1210.

一方、図７に示すフリップダウンモニター装置１３００は、自動車の後席用のディスプレイ等に広く用いられている。
同図（ａ）は、フリップダウンモニター装置１３００のモニター１３３０が、自動車の天井の一部を構成する凹状の金属ベース１３１０の内部に格納された状態を示す。
同図（ｂ）は、モニター１３３０がヒンジ１３３３を中心に図中時計回りに回転して開き、表示画面１３３２が露出した使用状態におけるフリップダウンモニター装置１３００を示す。 On the other hand, the flip-down monitor device 1300 shown in FIG. 7 is widely used in a display for a rear seat of an automobile.
FIG. 11A shows a state in which the monitor 1330 of the flip-down monitor device 1300 is stored in a concave metal base 1310 that constitutes a part of the ceiling of the automobile.
FIG. 5B shows the flip-down monitor device 1300 in a use state in which the monitor 1330 rotates around the hinge 1333 in the clockwise direction in the drawing and the display screen 1332 is exposed.

モニター１３３０は一般に、表示画面１３３２と、これを画素ごとに駆動するドライバ回路部１３３１とが金属筐体１３３５に搭載されてなる。
ドライバ回路部１３３１と外部機器（図示せず）との信号の授受はフレキシブル配線ユニット１１００を介して行う。金属筐体１３３５には配線孔１３３４が設けられており、ドライバ回路部１３３１に先端が接続されたフレキシブル基板１０５０の基端側が導出されている。 The monitor 1330 generally includes a display screen 1332 and a driver circuit unit 1331 that drives the display screen 1332 for each pixel mounted on a metal housing 1335.
Signal exchange between the driver circuit unit 1331 and an external device (not shown) is performed via the flexible wiring unit 1100. A wiring hole 1334 is provided in the metal casing 1335, and a base end side of the flexible substrate 1050 whose leading end is connected to the driver circuit portion 1331 is led out.

フレキシブル配線ユニット１１００は、かかるフレキシブル基板１０５０と、その基端部を金属ベース１３１０に固定する支持部材１０６１とを備えている。
フレキシブル基板１０５０は、自動車の天井裏側（金属ベース１３１０の上面側）に配置された外部機器から受け取った出力信号をドライバ回路部１３３１に伝達する。 The flexible wiring unit 1100 includes such a flexible substrate 1050 and a support member 1061 that fixes a base end portion thereof to the metal base 1310.
The flexible substrate 1050 transmits an output signal received from an external device arranged on the back side of the ceiling of the automobile (the upper surface side of the metal base 1310) to the driver circuit unit 1331.

同図に例示する従来例の場合、モニター１３３０が閉止状態（同図（ａ））から開放状態（同図（ｂ））に回転することにより、フレキシブル基板１０５０の先端が固定されたドライバ回路部１３３１が移動して、支持部材１０６１までの経路長が短くなる。
すると可撓性のあるフレキシブル基板１０５０はこれに追随して変形するが、上記経路長が短くなったことによりその中間部が膨出し、同図（ｂ）のように金属ベース１３１０にその一部が押し付けられる。 In the case of the conventional example illustrated in the figure, the driver circuit unit in which the tip of the flexible substrate 1050 is fixed by rotating the monitor 1330 from the closed state (FIG. 1A) to the open state (FIG. 2B). 1331 moves and the path length to the support member 1061 becomes shorter.
Then, the flexible flexible substrate 1050 is deformed following this, but the intermediate portion bulges due to the shortening of the path length, and a part of the flexible substrate 1050 is formed on the metal base 1310 as shown in FIG. Is pressed.

特開２０００−１７３２００号公報JP 2000-173200 A 特開２００７−１５３３０３号公報JP 2007-153303 A

上記従来のディスクドライブ装置１２００やフリップダウンモニター装置１３００において、フレキシブル配線ユニット１１００の基端と先端との間で信号の授受を行う場合、フレキシブル基板１０５０は金属ベース１２１０，１３１０との位置関係が変化することでその特性インピーダンスが変動するという問題がある。   In the conventional disk drive device 1200 and flip-down monitor device 1300, when signals are exchanged between the proximal end and the distal end of the flexible wiring unit 1100, the positional relationship between the flexible substrate 1050 and the metal bases 1210 and 1310 changes. Therefore, there is a problem that the characteristic impedance fluctuates.

例えば図６に示すディスクドライブ装置１２００の場合、ヘッドユニット１１２０が後方から前方に移動すると、フレキシブル基板１０５０のうち金属ベース１２１０に対向する前後長が変化し、またフレキシブル基板１０５０は金属ベース１２１０に押し付けられる。このとき、信号配線１０３０を挟み込む表側および裏側絶縁層１０２０，１０４０の厚さが同等である場合、金属ベース１２１０の表面から信号配線１０３０までの距離は、シールド層１０１０の下面から信号配線１０３０までの距離と同等となり、すなわち信号配線１０３０と金属ベース１２１０とはきわめて接近した状態となる。
すると、フレキシブル基板１０５０に含まれる導電性の信号配線と金属ベース１２１０との間の静電容量が増大し、フレキシブル基板１０５０の特性インピーダンス（Ｚ０）が一般に低下する。 For example, in the case of the disk drive device 1200 shown in FIG. 6, when the head unit 1120 moves from the rear to the front, the longitudinal length of the flexible substrate 1050 facing the metal base 1210 changes, and the flexible substrate 1050 is pressed against the metal base 1210. It is done. At this time, when the thicknesses of the front and back insulating layers 1020 and 1040 sandwiching the signal wiring 1030 are equal, the distance from the surface of the metal base 1210 to the signal wiring 1030 is from the lower surface of the shield layer 1010 to the signal wiring 1030. That is, the signal wiring 1030 and the metal base 1210 are very close to each other.
Then, the electrostatic capacitance between the conductive signal wiring included in the flexible substrate 1050 and the metal base 1210 increases, and the characteristic impedance (Z 0 ) of the flexible substrate 1050 generally decreases.

また図７に示すフリップダウンモニター装置１３００の場合についても同様である。モニター１３３０が開き、フレキシブル基板１０５０が金属ベース１３１０に押し付けられて信号配線１０３０と金属ベース１３１０との距離が小さくなることで、両者間の静電容量が増大し、フレキシブル基板１０５０の特性インピーダンスＺ０が一般に低下する。 The same applies to the flip-down monitor device 1300 shown in FIG. When the monitor 1330 is opened and the flexible substrate 1050 is pressed against the metal base 1310 to reduce the distance between the signal wiring 1030 and the metal base 1310, the capacitance between the two increases, and the characteristic impedance Z 0 of the flexible substrate 1050 increases. Generally decreases.

一方、フレキシブル基板は、これが接続される他の伝送線路やデバイス、電子機器との間で特性インピーダンスを整合させることが求められる。接続される電子機器との間でインピーダンス不整合が生じると、伝送される信号が接続部で反射され、その波形が乱れてＳ／Ｎ比が低下するためである。このためフレキシブル基板には特性インピーダンス設計が予め施されており、金属ベースとの位置関係が変化することで特性インピーダンスが変動することは極力避けなければならない。   On the other hand, the flexible substrate is required to match the characteristic impedance with other transmission lines, devices, and electronic devices to which the flexible substrate is connected. This is because when an impedance mismatch occurs between the electronic devices to be connected, the transmitted signal is reflected at the connecting portion, the waveform is disturbed, and the S / N ratio is lowered. For this reason, the characteristic impedance design is applied to the flexible substrate in advance, and it is necessary to avoid as much as possible that the characteristic impedance fluctuates as the positional relationship with the metal base changes.

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、すなわちフレキシブル基板の先端の移動による特性インピーダンスＺ０の変動を抑制することのできるフレキシブル配線ユニット、およびこれを用いた電子機器を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, namely to provide an electronic device using the flexible wiring unit, and it can suppress the fluctuation in characteristic impedance Z 0 by the movement of the tip of the flexible substrate Objective.

本発明のフレキシブル配線ユニットは、外部回路との間で信号を授受する信号配線と、前記信号配線を挟み込む表側絶縁層および裏側絶縁層と、前記表側絶縁層の上面に積層されて前記信号配線の少なくとも一部を覆う導電性のシールド層と、を備え、長手方向に可撓性を有するフレキシブル基板と、
前記裏側絶縁層の下面に対向して設けられた非導電性の基板スペーサ部材と、
前記フレキシブル基板の長手方向の一端側を支持する支持部材と、
を有し、前記フレキシブル基板の長手方向の他端側が移動可能に構成されたフレキシブル配線ユニットであって、
前記フレキシブル基板が前記基板スペーサ部材の表面に当接した状態における前記基板スペーサ部材の裏面から前記信号配線までの距離（Ｙ）が、前記シールド層の下面から前記信号配線までの距離（Ｘ）よりも大きいことを特徴とする。 The flexible wiring unit of the present invention includes a signal wiring that exchanges signals with an external circuit, a front-side insulating layer and a back-side insulating layer that sandwich the signal wiring, and an upper surface of the front-side insulating layer that is stacked on the signal wiring. A conductive shield layer covering at least a portion, and a flexible substrate having flexibility in the longitudinal direction;
A non-conductive substrate spacer member provided facing the lower surface of the back insulating layer;
A support member for supporting one end side of the flexible substrate in the longitudinal direction;
A flexible wiring unit configured such that the other end side in the longitudinal direction of the flexible substrate is movable,
The distance (Y) from the back surface of the substrate spacer member to the signal wiring in a state in which the flexible substrate is in contact with the surface of the substrate spacer member is greater than the distance (X) from the bottom surface of the shield layer to the signal wiring. Is also large.

なお上記本発明において、フレキシブル基板が基板スペーサ部材の表面に当接しているとは、両者が直接接触している場合のほか、他の介在層を介して間接的に両者が接触している場合を含む。
また上記本発明においては、表側／裏側絶縁層やシールド層が複数の層を積層して構成してもよい。また表側絶縁層の上面に複数の導電性の層が積層されている場合については、このうち信号配線にもっとも近接する層をシールド層と呼称し、当該シールド層の下面から信号配線までの距離をＸとする。 In the present invention, the flexible substrate is in contact with the surface of the substrate spacer member, in addition to the case where they are in direct contact with each other and the case where they are in contact indirectly through another intervening layer. including.
In the present invention, the front / back insulating layer and the shield layer may be formed by laminating a plurality of layers. When a plurality of conductive layers are stacked on the upper surface of the front insulating layer, the layer closest to the signal wiring is called the shield layer, and the distance from the lower surface of the shield layer to the signal wiring is Let X be.

そして本発明の電子機器は、金属ベースと、
外部回路との間で信号を授受する信号配線と、前記信号配線を挟み込む表側絶縁層および裏側絶縁層と、前記表側絶縁層の上面に積層されて前記信号配線の少なくとも一部を覆う導電性のシールド層と、を備え、長手方向に可撓性を有するフレキシブル基板と、
前記金属ベースにともに設けられた、前記裏側絶縁層の下面に対向する非導電性の基板スペーサ部材、および前記フレキシブル基板の長手方向の一端側を支持する支持部材と、
を有し、前記フレキシブル基板の長手方向の他端側が移動可能に構成されるとともに、
前記フレキシブル基板が前記基板スペーサ部材の表面に当接した状態における前記金属ベースから前記信号配線までの距離が、前記シールド層の下面から前記信号配線までの距離よりも大きいことを特徴とする。 And the electronic device of the present invention comprises a metal base,
A signal wiring for transmitting / receiving signals to / from an external circuit, a front-side insulating layer and a back-side insulating layer sandwiching the signal wiring, and a conductive layer that is stacked on an upper surface of the front-side insulating layer and covers at least a part of the signal wiring A flexible substrate comprising a shield layer and having flexibility in the longitudinal direction;
A non-conductive substrate spacer member that is provided on the metal base and faces the lower surface of the back-side insulating layer; and a support member that supports one longitudinal end of the flexible substrate;
And the other end side in the longitudinal direction of the flexible substrate is configured to be movable,
The distance from the metal base to the signal wiring in a state where the flexible substrate is in contact with the surface of the substrate spacer member is larger than the distance from the lower surface of the shield layer to the signal wiring.

なお、本発明の各種の構成要素は、必ずしも個々に独立した存在である必要はなく、複数の構成要素が一個の部材として形成されていること、一つの構成要素が複数の部材で形成されていること、ある構成要素が他の構成要素の一部であること、ある構成要素の一部と他の構成要素の一部とが重複していること、等でもよい。   The various components of the present invention do not necessarily have to be independent of each other. A plurality of components are formed as a single member, and a single component is formed of a plurality of members. It may be that a certain component is a part of another component, a part of a certain component overlaps with a part of another component, or the like.

また、本発明では前後、上下、または表裏の方向を規定しているが、これは本発明の構成要素の相対関係を簡単に説明するために便宜的に規定したものであり、本発明を実施する場合の製造時や使用時の方向を限定するものではない。   In the present invention, the front / rear, top / bottom or front / back direction is defined, but this is defined for convenience in order to briefly explain the relative relationship of the components of the present invention. The direction at the time of manufacture and use is not limited.

本発明のフレキシブル配線ユニットおよびこれを備える電子機器によれば、フレキシブル基板の先端が移動した場合の特性インピーダンスの変動が抑制されるため、信号配線を通じた信号の授受が高品質に行われる。   According to the flexible wiring unit and the electronic apparatus including the flexible wiring unit of the present invention, since the fluctuation of the characteristic impedance when the tip of the flexible substrate moves is suppressed, the transmission / reception of signals through the signal wiring is performed with high quality.

以下、本発明の実施形態について図面を用いて具体的に説明する。上述した従来のフレキシブル配線ユニットや、これを備えるディスクドライブ装置またはフリップダウンモニター装置と共通する箇所については適宜説明を省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings. A description of the portions common to the above-described conventional flexible wiring unit and the disk drive device or flip-down monitor device including the same is omitted as appropriate.

＜第一実施形態＞
図１は本発明の第一実施形態にかかるフレキシブル配線ユニット１００を示す模式的な側面図である。
はじめに、本実施形態のフレキシブル配線ユニット１００の概要について説明する。 <First embodiment>
FIG. 1 is a schematic side view showing a flexible wiring unit 100 according to the first embodiment of the present invention.
First, an outline of the flexible wiring unit 100 of the present embodiment will be described.

本実施形態のフレキシブル配線ユニット１００は、外部回路（図示せず）との間で信号を授受する信号配線３０と、信号配線３０を挟み込む表側絶縁層２０および裏側絶縁層４０と、表側絶縁層２０の上面に積層されて信号配線３０の少なくとも一部を覆う導電性のシールド層１０と、を備えるフレキシブル基板５０を有している。フレキシブル基板５０は、少なくとも長手方向に可撓性を有している。
またフレキシブル配線ユニット１００は、裏側絶縁層４０の下面に対向して設けられた非導電性の基板スペーサ部材６２と、フレキシブル基板５０の長手方向の一端側を支持する支持部材６１とを有し、フレキシブル基板５０の長手方向の他端側が移動可能に構成されている。
そしてフレキシブル配線ユニット１００は、フレキシブル基板５０が基板スペーサ部材６２の表面に当接した状態における基板スペーサ部材６２の裏面から信号配線３０までの距離（Ｙ）が、シールド層１０の下面から信号配線３０までの距離（Ｘ）よりも大きいことを特徴とする。 The flexible wiring unit 100 of the present embodiment includes a signal wiring 30 that exchanges signals with an external circuit (not shown), a front insulating layer 20 and a back insulating layer 40 that sandwich the signal wiring 30, and a front insulating layer 20. And the conductive shield layer 10 that covers at least a part of the signal wiring 30 and is laminated on the upper surface of the flexible substrate 50. The flexible substrate 50 has flexibility at least in the longitudinal direction.
The flexible wiring unit 100 includes a non-conductive substrate spacer member 62 provided to face the lower surface of the back insulating layer 40, and a support member 61 that supports one end of the flexible substrate 50 in the longitudinal direction. The other end side in the longitudinal direction of the flexible substrate 50 is configured to be movable.
In the flexible wiring unit 100, the distance (Y) from the back surface of the substrate spacer member 62 to the signal wiring 30 in a state where the flexible substrate 50 is in contact with the surface of the substrate spacer member 62 is such that the signal wiring 30 from the bottom surface of the shield layer 10. It is characterized by being larger than the distance (X).

フレキシブル基板５０は、シールド層１０、表側絶縁層２０、信号配線３０および裏側絶縁層４０をこの順に互いに積層してなる。
本実施形態においては、フレキシブル基板５０と対向して基板スペーサ部材６２の設けられる側が下面側にあたり、その反対側が上面側にあたる。 The flexible substrate 50 is formed by laminating the shield layer 10, the front side insulating layer 20, the signal wiring 30 and the back side insulating layer 40 in this order.
In the present embodiment, the side on which the substrate spacer member 62 is provided facing the flexible substrate 50 corresponds to the lower surface side, and the opposite side corresponds to the upper surface side.

裏側絶縁層４０はポリイミドなどの絶縁性材料からなるベースフィルムと、当該ベースフィルムと信号配線３０の下面とを接合する接着層とを組み合わせてなる。裏側絶縁層４０の厚さは、フレキシブル基板５０の先端の移動による特性インピーダンスの変動を好適に抑制するという観点からは５〜５０μｍとすることが好ましく、フレキシブル基板５０に良好な屈曲性を得るという観点からは５〜３５μｍの厚さとすることが好ましい。   The back-side insulating layer 40 is formed by combining a base film made of an insulating material such as polyimide and an adhesive layer that joins the base film and the lower surface of the signal wiring 30. The thickness of the back insulating layer 40 is preferably 5 to 50 μm from the viewpoint of suitably suppressing the fluctuation of the characteristic impedance due to the movement of the tip of the flexible substrate 50, and the flexible substrate 50 has good flexibility. From the viewpoint, the thickness is preferably 5 to 35 μm.

信号配線３０は、銅などの金属箔からなる１〜５０μｍ程度の厚さの配線パターンである。なお本実施形態において信号配線３０は単層に構成されている。   The signal wiring 30 is a wiring pattern having a thickness of about 1 to 50 μm made of a metal foil such as copper. In the present embodiment, the signal wiring 30 is configured as a single layer.

表側絶縁層２０は、裏側絶縁層４０と同様に絶縁性材料からなるフィルムと、当該フィルムと信号配線３０の上面とを接合する接着層とを組み合わせてなる。表側絶縁層２０の厚さは、フレキシブル基板５０に良好な屈曲性を得るという観点からは、裏側絶縁層４０の厚さに対して±３０％以内、さらに好ましくは±１０％以内とすることが好ましい。   The front-side insulating layer 20 is formed by combining a film made of an insulating material in the same manner as the back-side insulating layer 40 and an adhesive layer that joins the film and the upper surface of the signal wiring 30. From the viewpoint of obtaining good flexibility in the flexible substrate 50, the thickness of the front insulating layer 20 should be within ± 30%, more preferably within ± 10%, relative to the thickness of the back insulating layer 40. preferable.

シールド層１０は、例えば１０〜２０μｍ程度の厚さの樹脂フィルムの表面に銅、ニッケル、または銀などの金属材料を一層または二層以上に真空蒸着して得ることができる。このほか、表側絶縁層２０または他の樹脂フィルムに対して、導電性材料を印刷して塗布したり、導電性フィルムを貼着したりして得ることもできる。
また本発明において、シールド層１０は導電性の層（導電層）を意味する。したがって、表側絶縁層２０を構成する絶縁性のフィルムと当該導電層との間に、両者を接合する非導電性の接着層や、導電層の保護層などに例示される他の絶縁層が介在する場合、かかる絶縁層はシールド層１０に含めないものとする。言い換えると、かかる絶縁層の厚さは、シールド層１０の下面から信号配線３０までの距離（Ｘ）に含まれるものとする。 The shield layer 10 can be obtained by vacuum-depositing a metal material such as copper, nickel, or silver on one or more layers on the surface of a resin film having a thickness of about 10 to 20 μm, for example. In addition, it can also be obtained by printing and applying a conductive material to the front insulating layer 20 or another resin film, or attaching a conductive film.
In the present invention, the shield layer 10 means a conductive layer (conductive layer). Therefore, between the insulating film constituting the front-side insulating layer 20 and the conductive layer, there is a non-conductive adhesive layer that joins both, or another insulating layer exemplified as a protective layer for the conductive layer. In this case, the insulating layer is not included in the shield layer 10. In other words, the thickness of the insulating layer is included in the distance (X) from the lower surface of the shield layer 10 to the signal wiring 30.

またシールド層１０は、信号配線３０に対するグランド層である。すなわちシールド層１０は接続コネクタ１１０などを通じてアースされており、外部から侵入する電磁波ノイズから信号配線３０を保護するとともにフレキシブル基板５０から外部に放射される電磁波ノイズを抑制している。   The shield layer 10 is a ground layer for the signal wiring 30. That is, the shield layer 10 is grounded through the connection connector 110 and the like, and protects the signal wiring 30 from electromagnetic noise entering from the outside and suppresses electromagnetic noise radiated from the flexible substrate 50 to the outside.

フレキシブル基板５０は、先端側にヘッドユニット１２０が設けられ、基端側に接続コネクタ１１０が設けられている。そしてフレキシブル基板５０の基端側は所定長さに亘って、接続コネクタ１１０とともに、接着剤層１３０によって支持部材６１に固着されている。一方、ヘッドユニット１２０はヘッド移動機構（図示せず）によって前後方向に駆動される。すなわちフレキシブル基板５０はヘッド移動機構によって先端が移動可能である。   The flexible substrate 50 is provided with a head unit 120 on the distal end side and a connection connector 110 on the proximal end side. The base end side of the flexible substrate 50 is fixed to the support member 61 by the adhesive layer 130 together with the connection connector 110 over a predetermined length. On the other hand, the head unit 120 is driven in the front-rear direction by a head moving mechanism (not shown). That is, the tip of the flexible substrate 50 can be moved by the head moving mechanism.

本実施形態においては、支持部材６１と基板スペーサ部材６２とは一体に形成されて一個の平板部材６０を構成している。支持部材６１と基板スペーサ部材６２の境界は必ずしも明確に存在している必要はなく、接着剤層１３０が塗布された領域を支持部材６１と呼称し、その前方に伸びる領域を基板スペーサ部材６２と呼称する。   In the present embodiment, the support member 61 and the substrate spacer member 62 are integrally formed to constitute one flat plate member 60. The boundary between the support member 61 and the substrate spacer member 62 does not necessarily exist clearly. The region where the adhesive layer 130 is applied is referred to as the support member 61, and the region extending in front thereof is referred to as the substrate spacer member 62. Call it.

支持部材６１と基板スペーサ部材６２は非導電性の材料からなる。導電率の低さと耐久性、加工性などの観点から、ＰＥＴやポリイミド、ガラスエポキシなどの樹脂材料を用いることができる。また支持部材６１と基板スペーサ部材６２とは同種材料から構成されても、異種材料から構成されてもよい。   The support member 61 and the substrate spacer member 62 are made of a non-conductive material. Resin materials such as PET, polyimide, and glass epoxy can be used from the viewpoints of low conductivity, durability, workability, and the like. The support member 61 and the substrate spacer member 62 may be made of the same material or different materials.

同図（ａ）は、ヘッドユニット１２０が図中右方にあたる後方に移動して、接続コネクタ１１０の上方に位置した状態を示している。フレキシブル基板５０はその可撓性と剛性のバランスにより横倒しＵ字状をなし、長手方向の中間部は基板スペーサ部材６２から上方に乖離して保持されている。   FIG. 4A shows a state in which the head unit 120 is moved to the rear corresponding to the right side in the drawing and is positioned above the connection connector 110. The flexible substrate 50 is laid down in a U shape due to the balance between flexibility and rigidity, and the middle portion in the longitudinal direction is held away from the substrate spacer member 62 upward.

同図（ｂ）は、ヘッドユニット１２０が前方に移動して接続コネクタ１１０および支持部材６１の上方を離れた状態を示している。フレキシブル基板５０の先端と基端が前後方向に互いにずれあうことにより、フレキシブル基板５０はＵ字状からJ字状に変形する。このとき上述のようにフレキシブル基板５０はその曲げ剛性により中間部が押し下げられ、フレキシブル基板５０の裏面、すなわち裏側絶縁層４０の下面が、平板部材６０の表面と当接する。   FIG. 5B shows a state in which the head unit 120 moves forward and leaves the connection connector 110 and the support member 61. When the front end and the base end of the flexible substrate 50 are displaced from each other in the front-rear direction, the flexible substrate 50 is deformed from a U shape to a J shape. At this time, the intermediate portion of the flexible substrate 50 is pushed down by the bending rigidity as described above, and the back surface of the flexible substrate 50, that is, the bottom surface of the back-side insulating layer 40 comes into contact with the surface of the flat plate member 60.

このようにフレキシブル基板５０は、ヘッドユニット１２０の設けられた他端側が移動することにより、フレキシブル基板５０と基板スペーサ部材６２の表面とが当接または離反する。かかる当接部（同図に示す領域Ｃ）の拡大図を図２に示す。   As described above, when the other end side of the flexible substrate 50 on which the head unit 120 is provided moves, the flexible substrate 50 and the surface of the substrate spacer member 62 come into contact with or separate from each other. FIG. 2 shows an enlarged view of the contact portion (region C shown in FIG. 2).

図２に示すようにフレキシブル基板５０と基板スペーサ部材６２とが当接した状態における基板スペーサ部材６２の裏面から信号配線３０までの距離（Ｙ）は、本実施形態の場合、裏側絶縁層４０と基板スペーサ部材６２の合計厚さに相当する。
また信号配線３０からシールド層１０までの厚さ方向の距離（Ｘ）は、本実施形態の場合、表側絶縁層２０の厚さに相当する。
ただし本実施形態に代えて、信号配線３０と裏側絶縁層４０との間、または裏側絶縁層４０の下面に他層を設けてもよい。かかる場合は、当該他層の厚さを上記距離Ｙに含める。
同様に信号配線３０と表側絶縁層２０との間、または表側絶縁層２０とシールド層１０との間に他層を設ける場合は、当該他層の厚さを上記距離Ｘに含める。 As shown in FIG. 2, the distance (Y) from the back surface of the substrate spacer member 62 to the signal wiring 30 in a state where the flexible substrate 50 and the substrate spacer member 62 are in contact with each other in the case of this embodiment. This corresponds to the total thickness of the substrate spacer member 62.
In the present embodiment, the distance (X) in the thickness direction from the signal wiring 30 to the shield layer 10 corresponds to the thickness of the front insulating layer 20.
However, instead of this embodiment, another layer may be provided between the signal wiring 30 and the back side insulating layer 40 or on the lower surface of the back side insulating layer 40. In such a case, the thickness of the other layer is included in the distance Y.
Similarly, when another layer is provided between the signal wiring 30 and the front-side insulating layer 20 or between the front-side insulating layer 20 and the shield layer 10, the thickness of the other layer is included in the distance X.

本実施形態のフレキシブル基板５０は、信号配線３０と基板スペーサ部材６２との間には他の導電層を備えていない。すなわちフレキシブル基板５０は信号配線３０が単層に設けられた単層構造である。   The flexible substrate 50 of this embodiment does not include another conductive layer between the signal wiring 30 and the substrate spacer member 62. That is, the flexible substrate 50 has a single layer structure in which the signal wiring 30 is provided in a single layer.

そして本発明者の検討によれば、上記距離Ｙを上記距離Ｘよりも大きくすることにより、好ましくは上記距離Ｙを上記距離Ｘの三倍以上、さらに好ましくは五倍以上とすることにより、フレキシブル配線ユニット１００の特性インピーダンスＺ０の変動を十分に抑制できることが明らかとなっている。 According to the study of the present inventor, by making the distance Y larger than the distance X, preferably the distance Y is more than three times the distance X, and more preferably more than five times the flexible distance. It has become apparent that it is possible to sufficiently suppress the variation of the characteristic impedance Z 0 of the line unit 100.

図３は、本実施形態のフレキシブル配線ユニット１００を金属ベース２１０に設置した電子機器の例としてのディスクドライブ装置２００を示す模式的な側面図である。
ディスクドライブ装置２００の構成は、フレキシブル配線ユニット１００を除き図６に示す従来のディスクドライブ装置１２００と共通するため、繰り返しの説明は省略する。 FIG. 3 is a schematic side view showing a disk drive device 200 as an example of an electronic apparatus in which the flexible wiring unit 100 of this embodiment is installed on a metal base 210.
Except for the flexible wiring unit 100, the configuration of the disk drive device 200 is the same as that of the conventional disk drive device 1200 shown in FIG.

本実施形態の金属ベース２１０の形状は特に限定されるものではない。本実施形態のように平板状であってもよく、後述する第二・第三実施形態のように凹凸を有するものであってもよい。また金属ベース２１０のうちフレキシブル配線ユニット１００が設置される表面は導電性であっても、絶縁性の被膜や塗装などが施されていてもよい。   The shape of the metal base 210 of this embodiment is not specifically limited. A flat plate shape may be used like this embodiment, and it may have an unevenness | corrugation like 2nd and 3rd embodiment mentioned later. Further, the surface of the metal base 210 on which the flexible wiring unit 100 is installed may be conductive, or may be provided with an insulating coating or painting.

図３（ａ）は、駆動モータ２２１により回転するディスク２２３の内周側のトラックにヘッドユニット１２０がアクセスする状態を示し、Ｕ字状に湾曲したフレキシブル基板５０は基板スペーサ部材６２とは接触していない。
同図（ｂ）は、ヘッドユニット１２０が前方に移動してディスク２２３の外周側のトラックにアクセスする状態を示し、フレキシブル基板５０がＪ字状に変形するとともにその下面にあたる裏側絶縁層４０は基板スペーサ部材６２と当接する。 FIG. 3A shows a state in which the head unit 120 accesses the track on the inner peripheral side of the disk 223 rotated by the drive motor 221, and the flexible substrate 50 curved in a U shape makes contact with the substrate spacer member 62. Not.
FIG. 4B shows a state in which the head unit 120 moves forward to access a track on the outer peripheral side of the disk 223. The flexible substrate 50 is deformed into a J shape, and the back side insulating layer 40 corresponding to the lower surface of the flexible substrate 50 is a substrate. It contacts the spacer member 62.

かかる状態においても、フレキシブル基板５０は金属ベース２１０と接触することがなく、信号配線３０は距離Ｙ（図２を参照）を隔てて金属ベース２１０から離間している。
なお、ヘッドユニット１２０が再びディスク２２３の内周側のトラックにアクセスする場合は、フレキシブル基板５０はＵ字状に戻ってフレキシブル基板５０と基板スペーサ部材６２とは離反する。 Even in such a state, the flexible substrate 50 does not come into contact with the metal base 210, and the signal wiring 30 is separated from the metal base 210 with a distance Y (see FIG. 2).
When the head unit 120 accesses the track on the inner peripheral side of the disk 223 again, the flexible substrate 50 returns to the U shape and the flexible substrate 50 and the substrate spacer member 62 are separated from each other.

本実施形態のフレキシブル配線ユニット１００およびこれを備えるディスクドライブ装置２００の作用効果について説明する。
まず、信号配線３０の下面に対向して非導電性の基板スペーサ部材６２を設けたことにより、フレキシブル配線ユニット１００を金属ベース２１０に設置した場合も、フレキシブル基板５０の裏面が金属ベース２１０と当接することがなく、基板スペーサ部材６２の厚みによって金属ベース２１０と信号配線３０との距離が大きく確保される。
ここで、上述のようにフレキシブル配線ユニット１００の特性インピーダンスＺ０の変動要因としては、信号配線３０とこれが設置される金属ベース２１０との間の静電容量の変化が支配的である。そして当該静電容量は、上記のように信号配線３０と基板スペーサ部材６２との間に他の導電層を備えない本実施形態の場合、近似的に信号配線３０と基板スペーサ部材６２との距離Ｙの二乗に反比例することとなる。このため距離Ｙを大きくすることで当該静電容量自体を小さくし、これにより静電容量の変化を低減している。
したがって、フレキシブル基板５０の先端が移動して金属ベース２１０と対向する前後長が変動したり、その下面が基板スペーサ部材６２に押し付けられたりしても、フレキシブル配線ユニット１００の特性インピーダンスＺ０が変動することが抑えられる。 The effects of the flexible wiring unit 100 of this embodiment and the disk drive device 200 including the flexible wiring unit 100 will be described.
First, by providing the non-conductive substrate spacer member 62 so as to face the lower surface of the signal wiring 30, even when the flexible wiring unit 100 is installed on the metal base 210, the back surface of the flexible substrate 50 contacts the metal base 210. A large distance between the metal base 210 and the signal wiring 30 is ensured by the thickness of the substrate spacer member 62 without contact.
Here, the variation factors of the characteristic impedance Z 0 of the flexible wiring unit 100 as described above, the change in capacitance between the metal base 210 and the signal wiring 30 which is installed is dominant. In the present embodiment in which no other conductive layer is provided between the signal wiring 30 and the substrate spacer member 62 as described above, the capacitance is approximately the distance between the signal wiring 30 and the substrate spacer member 62. This is inversely proportional to the square of Y. For this reason, increasing the distance Y reduces the capacitance itself, thereby reducing the change in capacitance.
Thus, the front and rear length or change the tip of the flexible substrate 50 is opposed to the metal base 210 to move, even or pressed the lower surface of the substrate the spacer member 62, the characteristic impedance Z 0 of the flexible wiring unit 100 fluctuates Is suppressed.

また信号配線３０からシールド層１０までの距離Ｘを小さくすることで、特に本実施形態のようにシールド層１０がグランドレベルにアースされたグランド層である場合、信号配線３０の信号レベルが安定化する。
これにより、フレキシブル配線ユニット１００の特性インピーダンスＺ０の変動がさらに抑制される。 Further, by reducing the distance X from the signal wiring 30 to the shield layer 10, the signal level of the signal wiring 30 is stabilized particularly when the shield layer 10 is a ground layer grounded to the ground level as in the present embodiment. To do.
Thus, variations in the characteristic impedance Z 0 of the flexible wiring unit 100 is further suppressed.

したがって上記のように距離Ｙを距離Ｘよりも大きくすることが好ましく、かつ距離Ｘ，Ｙこそがフレキシブル配線ユニット１００の特性インピーダンスＺ０の変動抑制のための支配的なパラメータになるといえる。
なお、ＹをＸの三倍以上とすることで、本実施形態のようにシールド層１０がグランド層である場合にフレキシブル配線ユニット１００の特性インピーダンスＺ０の変動抑制の効果を更に十分に享受することができる。またこれを五倍以上とすることで、シールド層１０が接続コネクタ１１０などを通じてアースされていない場合についても、フレキシブル配線ユニット１００の特性インピーダンスＺ０の変動が十分に抑制される。 Therefore, it is preferable to make the distance Y larger than the distance X as described above, and it can be said that the distances X and Y are the dominant parameters for suppressing the fluctuation of the characteristic impedance Z 0 of the flexible wiring unit 100.
In addition, when Y is set to be three times as large as X, when the shield layer 10 is a ground layer as in the present embodiment, the effect of suppressing fluctuations in the characteristic impedance Z 0 of the flexible wiring unit 100 can be more fully enjoyed. be able to. Further, by setting this to five times or more, even when the shield layer 10 is not grounded through the connection connector 110 or the like, fluctuations in the characteristic impedance Z 0 of the flexible wiring unit 100 are sufficiently suppressed.

またフレキシブル基板５０は、信号配線３０が単層に構成されており、またシールド層１０を上面にのみ備え下面には備えていない。これによりフレキシブル基板５０は薄型化が可能であって良好な屈曲性を得ることができる。   In the flexible substrate 50, the signal wiring 30 is formed in a single layer, and the shield layer 10 is provided only on the upper surface and not on the lower surface. As a result, the flexible substrate 50 can be thinned and good flexibility can be obtained.

またシールド層１０をフレキシブル基板５０の上面に設けたことにより、シールド層１０を容易に接続コネクタ１１０に接続して電気的コンタクトをとることができ、また主としてヘッドユニット１２０の側から照射される電磁波を上面のシールド層１０で遮断することにより、信号配線３０への電磁波ノイズの影響を防いでいる。   Further, since the shield layer 10 is provided on the upper surface of the flexible substrate 50, the shield layer 10 can be easily connected to the connection connector 110 to make an electrical contact, and electromagnetic waves emitted mainly from the head unit 120 side. Is blocked by the shield layer 10 on the upper surface, thereby preventing the influence of electromagnetic noise on the signal wiring 30.

また、フレキシブル基板５０に特有の問題として、単層の信号配線３０を備える片面ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）の場合、信号配線３０を接続コネクタ１１０に電気的に接続するためのコネクタパッドと、信号配線３０のグランドであるシールド層１０に対して信号配線３０を接続するためのコンタクトパッドとは同一面に配置されることが好ましい。これらを反対面に設ける場合はフレキシブル基板５０の加工が困難となるためである。
したがって、本実施形態によれば、シールド層１０および接続コネクタ１１０をともに信号配線３０の上面側に設けることで良好な加工性を確保しつつ、下面側に基板スペーサ部材６２を設けることで特性インピーダンスＺ０の変動を抑制するという効果をバランスして享受することができる。 Further, as a problem peculiar to the flexible substrate 50, in the case of a single-sided FPC (Flexible Printed Circuit) having a single-layer signal wiring 30, a connector pad for electrically connecting the signal wiring 30 to the connection connector 110, and the signal wiring It is preferable that the contact pad for connecting the signal wiring 30 to the shield layer 10 as the ground 30 is disposed on the same plane. This is because when these are provided on the opposite surface, it becomes difficult to process the flexible substrate 50.
Therefore, according to the present embodiment, the shield layer 10 and the connection connector 110 are both provided on the upper surface side of the signal wiring 30, while ensuring good workability, and the substrate spacer member 62 is provided on the lower surface side, thereby providing the characteristic impedance. it can be enjoyed by balancing the effect of suppressing the variation of Z 0.

さらに、シールド層１０をフレキシブル基板５０の下面側のみに設けた場合は、信号配線３０が電磁波に対して露出する状態になるため、シールドの効果が限定的となって電磁波ノイズの影響を抑制することが困難となる。また、シールド層１０をフレキシブル基板５０の両面側に設けた場合は、フレキシブル配線ユニット１００のインピーダンスコントロールに際して信号配線３０の線幅を極めて細くする必要が生じる。
これに対し、本実施形態のようにフレキシブル基板５０の上面側にのみシールド層１０を設けることでこれらの問題を解決している。 Furthermore, when the shield layer 10 is provided only on the lower surface side of the flexible substrate 50, the signal wiring 30 is exposed to electromagnetic waves, so that the shielding effect is limited and the influence of electromagnetic noise is suppressed. It becomes difficult. In addition, when the shield layer 10 is provided on both sides of the flexible substrate 50, it is necessary to make the line width of the signal wiring 30 extremely narrow when controlling the impedance of the flexible wiring unit 100.
On the other hand, these problems are solved by providing the shield layer 10 only on the upper surface side of the flexible substrate 50 as in this embodiment.

なお、絶縁層を挟んで両面側に信号配線３０を備える両面ＦＰＣの場合、その一方側の面に設けられたコネクタパッドに対して両面の信号配線３０をともに電気的に接続するためには、絶縁層を貫通して設けられたビアを、他方面側の信号配線３０に接続する必要がある。ここで、ビアは一般にフレキシブル基板５０の電気特性を劣化させるおそれがあることが知られているところ、本実施形態のように信号配線３０を単層に構成することにより、かかる問題の発生を回避している。   In the case of a double-sided FPC having signal wirings 30 on both sides with an insulating layer in between, in order to electrically connect the signal wirings 30 on both sides to a connector pad provided on one side, A via provided through the insulating layer needs to be connected to the signal wiring 30 on the other side. Here, it is known that the via may generally deteriorate the electrical characteristics of the flexible substrate 50. By forming the signal wiring 30 in a single layer as in this embodiment, the occurrence of such a problem is avoided. is doing.

従来のフレキシブル配線ユニットにあっては、フレキシブル基板５０の下面にシールド層などの導電層を備えられない場合は、フレキシブル基板５０と、これが設置される金属ベース２１０との位置関係によって特性インピーダンスＺ０が変動するという問題が生じていた。これに対し本実施形態については裏側絶縁層４０の下面に対向する基板スペーサ部材６２を設けるとともに距離Ｘと距離Ｙの関係を上記所定とすることによりこの問題を解決し、そして上述のようにフレキシブル基板５０の下面に導電層を設けないことの利点を享受している。 In the conventional flexible wiring unit, when a conductive layer such as a shield layer is not provided on the lower surface of the flexible substrate 50, the characteristic impedance Z 0 depends on the positional relationship between the flexible substrate 50 and the metal base 210 on which the flexible substrate 50 is installed. There has been a problem of fluctuations. On the other hand, in the present embodiment, the substrate spacer member 62 facing the lower surface of the back insulating layer 40 is provided, and the problem is solved by setting the relationship between the distance X and the distance Y as described above, and flexible as described above. The advantage of not providing the conductive layer on the lower surface of the substrate 50 is enjoyed.

また本実施形態のフレキシブル配線ユニット１００では、支持部材６１と基板スペーサ部材６２とが一体に形成されている。これにより両部材の生産性に優れ、フレキシブル配線ユニット１００の設置時の位置決め作業が好適に行われる。   In the flexible wiring unit 100 of this embodiment, the support member 61 and the substrate spacer member 62 are integrally formed. Thereby, it is excellent in productivity of both members, and the positioning operation | work at the time of installation of the flexible wiring unit 100 is performed suitably.

＜第二実施形態＞
図４は、本発明の第二実施形態にかかるフレキシブル配線ユニット１００、およびこれを金属ベース３１０に設置した電子機器の例としてのフリップダウンモニター装置３００を示す模式的な側面図である。
フリップダウンモニター装置３００の構成は、フレキシブル配線ユニット１００を除き図７に示す従来のフリップダウンモニター装置１３００と共通するため、繰り返しの説明は省略する。 <Second embodiment>
FIG. 4 is a schematic side view showing the flexible wiring unit 100 according to the second embodiment of the present invention and a flip-down monitor device 300 as an example of an electronic apparatus in which the flexible wiring unit 100 is installed on a metal base 310.
Since the configuration of the flip-down monitor device 300 is the same as that of the conventional flip-down monitor device 1300 shown in FIG. 7 except for the flexible wiring unit 100, repeated description is omitted.

図４（ａ）は、モニター３３０が金属ベース３１０に格納された状態を示している。
また同図（ｂ）は、モニター３３０がヒンジ３３３まわりに時計回りに回転して開放され、表示画面３３２が露出した状態を示す。 FIG. 4A shows a state where the monitor 330 is stored in the metal base 310.
FIG. 5B shows a state where the monitor 330 is rotated clockwise around the hinge 333 and opened, and the display screen 332 is exposed.

本実施形態のフレキシブル配線ユニット１００は、金属ベース３１０上に、二つの基板スペーサ部材６２（基板スペーサ部材６２ａ，６２ｂ）が設けられていることを特徴とする。
具体的には、フレキシブル基板５０の基端部を固定する支持部材６１が搭載される金属ベース３１０の天井面３１２に、基板スペーサ部材６２ａが設けられている。一方、金属ベース３１０のうち表示画面３３２の露出時にドライバ回路部３３１が接近する立面３１４に、基板スペーサ部材６２ｂが設けられている。このように本発明においては、複数の基板スペーサ部材６２を備えることとしてもよい。 The flexible wiring unit 100 of this embodiment is characterized in that two substrate spacer members 62 (substrate spacer members 62 a and 62 b) are provided on a metal base 310.
Specifically, a substrate spacer member 62 a is provided on the ceiling surface 312 of the metal base 310 on which the support member 61 that fixes the base end portion of the flexible substrate 50 is mounted. On the other hand, the substrate spacer member 62b is provided on the vertical surface 314 of the metal base 310 where the driver circuit portion 331 approaches when the display screen 332 is exposed. Thus, in the present invention, a plurality of substrate spacer members 62 may be provided.

同図（ａ）に示すように、モニター３３０の格納状態においては、Ｕ字状に湾曲したフレキシブル基板５０は基板スペーサ部材６２ａ，６２ｂとは接触していない。
そして同図（ｂ）に示すように、モニター３３０の開放状態においては、配線孔３３４から導出されたフレキシブル基板５０はＬ字状に変形するとともに、金属筐体３３５より離れる方向に膨出して基板スペーサ部材６２ａ，６２ｂに押し付けられる。 As shown in FIG. 5A, in the retracted state of the monitor 330, the flexible substrate 50 curved in a U shape is not in contact with the substrate spacer members 62a and 62b.
As shown in FIG. 5B, when the monitor 330 is opened, the flexible substrate 50 led out from the wiring hole 334 is deformed into an L shape, and swells away from the metal housing 335 to expand the substrate. It is pressed against the spacer members 62a and 62b.

かかる状態においても、本実施形態のフレキシブル配線ユニット１００は裏側絶縁層４０の下面に対向して非導電性の基板スペーサ部材６２ａ，６２ｂが設けられていることにより、フレキシブル基板５０は金属ベース３１０と接触することがなく、信号配線３０は距離Ｙ（図２を参照）を隔てて金属ベース３１０から乖離している。
したがってモニター３３０の開閉動作によってフレキシブル配線ユニット１００の特性インピーダンスＺ０が変動することがなく、表示画面３３２に送られる出力信号がフレキシブル配線ユニット１００を通じて高品質で伝送される。
なお本実施形態において、フレキシブル基板５０の下面側とは金属ベース３１０の側を意味し、重力方向の上下を意味するものではない。 Even in such a state, the flexible wiring unit 100 of the present embodiment is provided with the non-conductive substrate spacer members 62a and 62b facing the lower surface of the back insulating layer 40, so that the flexible substrate 50 and the metal base 310 are provided. Without contact, the signal wiring 30 is separated from the metal base 310 by a distance Y (see FIG. 2).
Therefore, the characteristic impedance Z 0 of the flexible wiring unit 100 is not changed by the opening / closing operation of the monitor 330, and the output signal sent to the display screen 332 is transmitted through the flexible wiring unit 100 with high quality.
In the present embodiment, the lower surface side of the flexible substrate 50 means the metal base 310 side, and does not mean the vertical direction of the gravity direction.

このように基板スペーサ部材６２を複数に分割することにより、本実施形態のフレキシブル配線ユニット１００を平板以外の金属ベース３１０に設置する場合にも、フレキシブル基板５０と金属ベース３１０との接触を回避し、フレキシブル配線ユニット１００の特性インピーダンスＺ０の変動を抑制することができる。
なお本実施形態の変形例として、立面３１４をヒンジ３３３から離れるように湾曲させるなどして、モニター３３０が開放された状態（図４（ｂ）を参照）においても立面３１４とフレキシブル基板５０とが当接しないよう構成してもよい。かかる構成の場合、フレキシブル基板５０と立面３１４とが当接することを防止する基板スペーサ部材６２ｂを不要とすることができる。 Thus, by dividing the substrate spacer member 62 into a plurality of parts, contact between the flexible substrate 50 and the metal base 310 can be avoided even when the flexible wiring unit 100 of this embodiment is installed on a metal base 310 other than a flat plate. , it is possible to suppress the fluctuation in characteristic impedance Z 0 of the flexible wiring unit 100.
As a modification of the present embodiment, even when the monitor 330 is opened (see FIG. 4B), for example, by bending the vertical surface 314 away from the hinge 333, the vertical surface 314 and the flexible substrate 50 are used. And may not be in contact with each other. In such a configuration, the substrate spacer member 62b that prevents the flexible substrate 50 and the vertical surface 314 from coming into contact with each other can be eliminated.

＜第三実施形態＞
図５は本発明の第三実施形態にかかるフレキシブル配線ユニット１００およびこれを備えるフリップダウンモニター装置３００の模式的な側面図である。上記第二実施形態との重複箇所については説明を省略する。 <Third embodiment>
FIG. 5 is a schematic side view of the flexible wiring unit 100 according to the third embodiment of the present invention and the flip-down monitor device 300 including the same. The description of the overlapping parts with the second embodiment is omitted.

本実施形態のフレキシブル配線ユニット１００は、複数に分割された基板スペーサ部材６２の一方（基板スペーサ部材６２ｂ）の表面がフレキシブル基板５０の下面に接合されており、フレキシブル基板５０および基板スペーサ部材６２ｂが一体となって移動可能であることを特徴とする。   In the flexible wiring unit 100 of this embodiment, one surface (substrate spacer member 62b) of the substrate spacer member 62 divided into a plurality is joined to the lower surface of the flexible substrate 50, and the flexible substrate 50 and the substrate spacer member 62b are connected to each other. It is possible to move together.

同図（ａ）はモニター３３０の格納状態を示しており、基板スペーサ部材６２ｂの裏面は金属筐体３３５とは接触していない。また金属ベース３１０の天井面に設けられた基板スペーサ部材６２ａとフレキシブル基板５０もまた接触していない。
同図（ｂ）はモニター３３０の開放状態を示しており、基板スペーサ部材６２ｂの裏面が金属筐体３３５と接触している。また基板スペーサ部材６２ａとフレキシブル基板５０も互いに接触している。 FIG. 5A shows the storage state of the monitor 330, and the back surface of the substrate spacer member 62b is not in contact with the metal casing 335. Further, the substrate spacer member 62a provided on the ceiling surface of the metal base 310 and the flexible substrate 50 are not in contact either.
FIG. 4B shows the monitor 330 in an open state, and the back surface of the substrate spacer member 62 b is in contact with the metal housing 335. The substrate spacer member 62a and the flexible substrate 50 are also in contact with each other.

本実施形態の基板スペーサ部材６２ａ，６２ｂもまた上記第一および第二実施形態と同様に非導電性の材料からなる。また基板スペーサ部材６２ａ，６２ｂの裏面から、フレキシブル基板５０内部の信号配線３０（図１，２を参照）までの距離Ｙが、信号配線３０からシールド層１０（図１，２を参照）までの距離Ｘよりも大きく形成されている。   Similarly to the first and second embodiments, the substrate spacer members 62a and 62b of the present embodiment are also made of a non-conductive material. The distance Y from the back surface of the substrate spacer members 62a and 62b to the signal wiring 30 (see FIGS. 1 and 2) inside the flexible substrate 50 is from the signal wiring 30 to the shield layer 10 (see FIGS. 1 and 2). It is formed larger than the distance X.

本実施形態の場合は、金属筐体３３５と信号配線３０との間の静電容量の変動を基板スペーサ部材６２ｂで抑制し、金属ベース３１０と信号配線３０との間の静電容量の変動を基板スペーサ部材６２ａで抑制している。   In the case of the present embodiment, the variation in capacitance between the metal housing 335 and the signal wiring 30 is suppressed by the substrate spacer member 62b, and the variation in capacitance between the metal base 310 and the signal wiring 30 is suppressed. It is suppressed by the substrate spacer member 62a.

すなわち本実施形態のように基板スペーサ部材６２を複数設けることにより、フレキシブル配線ユニット１００が設置される金属ベース３１０のみならず、金属筐体３３５などの金属ベース３１０とは異なる金属部材との間で生じる静電容量の変動についても抑制することができる。   That is, by providing a plurality of substrate spacer members 62 as in this embodiment, not only between the metal base 310 on which the flexible wiring unit 100 is installed but also between metal members different from the metal base 310 such as the metal housing 335. It is also possible to suppress the fluctuation of the capacitance that occurs.

また本実施形態のように基板スペーサ部材６２の一部または全部をフレキシブル基板５０の裏面に接合して両者を一体化することにより、フレキシブル配線ユニット１００の取り扱いが容易となる。さらに、例えば金属筐体３３５の内面側など、金属部材の側に基板スペーサ部材６２を固定的に取り付けることが困難な場合であってもフレキシブル配線ユニット１００の特性インピーダンスＺ０の変動を抑制することができる。 In addition, the flexible wiring unit 100 can be easily handled by joining a part or all of the substrate spacer member 62 to the back surface of the flexible substrate 50 and integrating them together as in this embodiment. Furthermore, for example, the inner surface of the metal housing 335, to suppress the fluctuation in characteristic impedance Z 0 of the flexible wiring unit 100 even when it is difficult to attach to the side of the metal member to the substrate spacer member 62 fixedly Can do.

なお、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で各種の変形を許容する。
まず、フレキシブル配線ユニット１００が取り付けられる電子機器としては、ディスクドライブ装置２００やフリップダウンモニター装置３００などは一例であり、プリンタヘッド、ヒンジ開閉式の携帯電話機やノート型パソコン、ロボットや輸送機器など、金属ベースおよび可動部をもつものであれば特に限定されるものではない。
このうち開閉式の携帯電話機については、日常的に繰り返し開閉操作がなされ、かつ開閉速度が一秒程度と高速であることから、フレキシブル基板５０と金属ベースとの接触・非接触による特性インピーダンスＺ０の変動が抑制される本発明の効果を特に好適に享受することができる。また特に近年の開閉式の携帯電話機では、カメラ機能や音楽再生機能、通話機能などが閉止状態と開放状態とを問わず実現される場合が多いところ、かかる携帯電話機については、両状態における特性インピーダンスＺ０の差異が低減される本発明の効果がさらに好適に享受される。
またフレキシブル基板５０の変形態様も上記Ｕ字状、Ｊ字状、またはＬ字状などに限られない。 In addition, this invention is not limited to said each embodiment, A various deformation | transformation is accept | permitted in the range which does not deviate from the summary.
First, as an electronic device to which the flexible wiring unit 100 is attached, the disk drive device 200 and the flip-down monitor device 300 are examples, and a metal such as a printer head, a hinged mobile phone, a notebook personal computer, a robot or a transportation device. It does not specifically limit if it has a base and a movable part.
Among these, the open / close type mobile phone is repeatedly opened / closed on a daily basis, and the opening / closing speed is as fast as about one second. Therefore, the characteristic impedance Z 0 due to contact / non-contact between the flexible substrate 50 and the metal base is high. The effect of the present invention in which the fluctuation of the above is suppressed can be particularly suitably enjoyed. In particular, in recent mobile phones that can be opened and closed, camera functions, music playback functions, call functions, etc. are often realized regardless of whether they are closed or open. The effect of the present invention in which the difference in Z 0 is reduced is more favorably enjoyed.
Moreover, the deformation | transformation aspect of the flexible substrate 50 is not restricted to the said U shape, J shape, or L shape.

本発明のフレキシブル配線ユニット１００をこれらの電子機器に用いるにあたっては、現状のいずれの機器の場合についても、上述の理由により金属ベースの表面から信号配線までの距離Ｙを、シールド層の下面から信号配線までの距離Ｘの３倍以上とすることが好ましく、これを５倍以上とすることがさらに好ましい。   When using the flexible wiring unit 100 of the present invention for these electronic devices, the distance Y from the surface of the metal base to the signal wiring is determined from the lower surface of the shield layer for any of the current devices. The distance X to the wiring is preferably 3 times or more, and more preferably 5 times or more.

また上記各実施形態では、フレキシブル基板５０と金属ベース２１０，３１０とが、あるときは基板スペーサ部材６２を介しても互いに乖離しており（図３（ａ），図４（ａ），図５（ａ））、またあるときは基板スペーサ部材６２を介して互いに連接している（図３（ｂ），図４（ｂ），図５（ｂ））。ただし本発明においては、フレキシブル基板５０と金属ベース２１０，３１０とが、基板スペーサ部材６２および任意で他の介在層を介して、互いに常に乖離していてもよく、また常に連接していてもよい。   Further, in each of the above embodiments, the flexible substrate 50 and the metal bases 210 and 310 are separated from each other through the substrate spacer member 62 in some cases (FIGS. 3A, 4A, and 5). (A)), and in some cases, they are connected to each other via a substrate spacer member 62 (FIGS. 3B, 4B, and 5B). However, in the present invention, the flexible substrate 50 and the metal bases 210 and 310 may always be separated from each other via the substrate spacer member 62 and optionally other intervening layers, or may always be connected. .

また上記各実施形態では信号配線３０が単層構造の場合を例に説明したが、フレキシブル基板５０は複数層の信号配線３０を備える積層構造であってもよい。
かかる場合、信号配線３０から基板スペーサ部材６２の裏面までの距離Ｙとは、もっとも下面側に積層された信号配線３０から基板スペーサ部材６２の裏面までの距離を意味する。一方、信号配線３０からシールド層１０の下面までの距離Ｘとは、もっとも上面側に積層された信号配線３０からシールド層１０の下面までの距離を意味する。 In each of the above embodiments, the case where the signal wiring 30 has a single-layer structure has been described as an example. However, the flexible substrate 50 may have a multilayer structure including a plurality of signal wirings 30.
In this case, the distance Y from the signal wiring 30 to the back surface of the substrate spacer member 62 means the distance from the signal wiring 30 stacked on the lowermost surface side to the back surface of the substrate spacer member 62. On the other hand, the distance X from the signal wiring 30 to the lower surface of the shield layer 10 means the distance from the signal wiring 30 stacked on the uppermost side to the lower surface of the shield layer 10.

上記本実施形態のフレキシブル配線ユニット１００について、その先端が移動した場合の特性インピーダンス変動の抑制効果に関するシミュレーションを行い、上記の距離Ｙが、距離Ｘの２倍以上であることが好ましく、距離Ｘの３倍以上、より好ましくは５倍以上であることが更に好適であることを検証した。
ただし、以下のシミュレーションは、現状のフレキシブル配線ユニットの代表的な寸法や材料に基づいておこなったものである。したがって、将来的に薄膜構造の薄型化や信号配線の微細化、材料の電気的特性の改善などが進んだ場合には、距離Ｘと距離Ｙとの好ましい数値関係は変動する可能性がある。しかし、当業者であれば、フレキシブル配線ユニットを構成する各種材料の特性および寸法に基づき、本発明の趣旨の範囲内において、距離Ｘと距離Ｙとの好ましい関係を容易に導出することが可能である。
以下、フレキシブル配線ユニット１００，１１００の横断面とは、フレキシブル基板５０，１０５０の長手方向、すなわち信号配線３０，１０３０の延在方向に対して垂直に切った断面を意味する。
なお、このシミュレーション結果は、金属ベース２１０，１２１０と所定の距離にあるフレキシブル配線ユニット１００，１１００の横断面内における特性インピーダンスＺ０を二次元的に算出したものである。 About the flexible wiring unit 100 of the said embodiment, it simulates about the suppression effect of the characteristic impedance fluctuation | variation when the front-end | tip moves, It is preferable that said distance Y is 2 times or more of the distance X. It was verified that 3 times or more, more preferably 5 times or more is more preferable.
However, the following simulation was performed based on typical dimensions and materials of the current flexible wiring unit. Therefore, when the thin film structure is thinned, the signal wiring is miniaturized, and the electrical characteristics of the material are improved in the future, the preferable numerical relationship between the distance X and the distance Y may change. However, those skilled in the art can easily derive a preferable relationship between the distance X and the distance Y within the scope of the present invention based on the characteristics and dimensions of various materials constituting the flexible wiring unit. is there.
Hereinafter, the transverse cross section of the flexible wiring units 100 and 1100 means a cross section cut perpendicularly to the longitudinal direction of the flexible substrates 50 and 1050, that is, the extending direction of the signal wirings 30 and 1030.
This simulation result is obtained by two-dimensionally calculating the characteristic impedance Z 0 in the cross section of the flexible wiring units 100 and 1100 at a predetermined distance from the metal bases 210 and 1210.

（比較例１）
図８（ａ）は、比較例１のフレキシブル配線ユニット１１００が金属ベース１２１０に当接した状態を示す横断面模式図である。 (Comparative Example 1)
FIG. 8A is a schematic cross-sectional view showing a state in which the flexible wiring unit 1100 of Comparative Example 1 is in contact with the metal base 1210.

信号配線１０３０としては、厚さ３５μｍの銅箔を用いる。また、信号配線１０３０の周囲には非導電性の接着層１０３２が設けられている。
表側絶縁層１０２０（カバーレイ）および裏側絶縁層１０４０（ベースフィルム）としては、それぞれ厚さ２５μｍのポリイミドフィルムを用いる。
そして本比較例のフレキシブル配線ユニット１１００は、下層から順に裏側絶縁層１０４０、信号配線１０３０、表側絶縁層１０２０を積層したフレキシブル基板１０５０よりなる。
なお、表側絶縁層１０２０と信号配線１０３０との間、および裏側絶縁層１０４０と信号配線１０３０との間の接着層１０３２の厚さは１０μｍである。
金属ベース１２１０にはステンレス（ＳＵＳ）を用いる。
なお、表側絶縁層１０２０と裏側絶縁層１０４０の幅寸法は、信号配線１０３０の線幅よりも常に大きいものとしている。 As the signal wiring 1030, a copper foil having a thickness of 35 μm is used. In addition, a non-conductive adhesive layer 1032 is provided around the signal wiring 1030.
As the front side insulating layer 1020 (cover lay) and the back side insulating layer 1040 (base film), polyimide films having a thickness of 25 μm are used.
And the flexible wiring unit 1100 of this comparative example consists of the flexible substrate 1050 which laminated | stacked the back side insulating layer 1040, the signal wiring 1030, and the front side insulating layer 1020 in an order from the lower layer.
Note that the thickness of the adhesive layer 1032 between the front-side insulating layer 1020 and the signal wiring 1030 and between the back-side insulating layer 1040 and the signal wiring 1030 is 10 μm.
Stainless steel (SUS) is used for the metal base 1210.
Note that the width dimensions of the front-side insulating layer 1020 and the back-side insulating layer 1040 are always larger than the line width of the signal wiring 1030.

かかる状態で、信号配線１０３０の線幅Ｌを２０μｍから１００μｍまで変化させたときのフレキシブル配線ユニット１１００の特性インピーダンスＺ０のシミュレーション結果と、その近似曲線を同図（ｂ）に示す。同図に破線で示すように、Ｚ０＝５０Ωとなる線幅Ｌは、約４２μｍであった。 In this state, a simulation result of the characteristic impedance Z 0 of the flexible wiring unit 1100 when the line width L of the signal wiring 1030 is changed from 20 μm to 100 μm and an approximate curve thereof are shown in FIG. As indicated by a broken line in the figure, the line width L at which Z 0 = 50Ω was about 42 μm.

図９（ａ）は、本比較例にかかるフレキシブル配線ユニット１１００の先端側を金属ベース１２１０から離間させた状態を示す横断面模式図である。同図下部は、フレキシブル配線ユニット１１００の側面模式図である。したがって、同図上部は、同図下部を右方から見た拡大断面図に相当する。
図示のように、裏側絶縁層１０４０の下面と金属ベース１２１０との距離（空隙）をＹ１とする。 FIG. 9A is a schematic cross-sectional view showing a state where the distal end side of the flexible wiring unit 1100 according to this comparative example is separated from the metal base 1210. The lower part of the figure is a schematic side view of the flexible wiring unit 1100. Accordingly, the upper part of the figure corresponds to an enlarged sectional view of the lower part of the figure as viewed from the right side.
As shown in the figure, the distance (gap) between the lower surface of the back insulating layer 1040 and the metal base 1210 is Y1.

同図（ｂ）は、信号配線１０３０の線幅Ｌを１００μｍとし、空隙Ｙ１を０〜１００ｍｍまで変化させた場合の、フレキシブル配線ユニット１１００の特性インピーダンスＺ０を示す図である。
同図より、本比較例のフレキシブル配線ユニット１１００は、金属ベース１２１０に当接した状態（図８（ａ））と、十分に離間した状態（図９（ａ））とで、特性インピーダンスＺ０が２９Ωも変動している。かかる変動幅は、初期状態（当接状態：Ｙ１＝０μｍ）におけるＺ０（３４Ω）の８５％にあたる。 FIG. 5B is a diagram showing the characteristic impedance Z0 of the flexible wiring unit 1100 when the line width L of the signal wiring 1030 is 100 μm and the gap Y1 is changed from 0 to 100 mm.
From this figure, the flexible wiring unit 1100 of this comparative example has a characteristic impedance Z 0 in a state where it abuts on the metal base 1210 (FIG. 8A) and a state where it is sufficiently separated (FIG. 9A). Varies as much as 29Ω. This fluctuation range corresponds to 85% of Z 0 (34Ω) in the initial state (contact state: Y1 = 0 μm).

（比較例２）
図１０（ａ）は、比較例２のフレキシブル配線ユニット１１００が金属ベース１２１０に当接した状態を示す横断面模式図である。 (Comparative Example 2)
FIG. 10A is a schematic cross-sectional view showing a state in which the flexible wiring unit 1100 of Comparative Example 2 is in contact with the metal base 1210.

本比較例のフレキシブル配線ユニット１１００は、表側絶縁層１０２０の上面に銀ペーストが厚さ２０μｍで塗工されてシールド層１０１０が形成されている点でのみ、比較例１と相違する。   The flexible wiring unit 1100 of this comparative example is different from the comparative example 1 only in that a shield layer 1010 is formed by applying a silver paste with a thickness of 20 μm on the upper surface of the front insulating layer 1020.

同図（ｂ）は、フレキシブル配線ユニット１１００を金属ベース１２１０の表面に当接させた状態で、信号配線１０３０の線幅Ｌを１０から５０μｍまで変化させたときのフレキシブル配線ユニット１１００の特性インピーダンスＺ０のシミュレーション結果と、その近似曲線を示す図である。同図に破線で示すように、Ｚ０＝５０Ωとなる線幅Ｌは、約１７μｍであった。 FIG. 4B shows the characteristic impedance Z of the flexible wiring unit 1100 when the line width L of the signal wiring 1030 is changed from 10 to 50 μm with the flexible wiring unit 1100 in contact with the surface of the metal base 1210. It is a figure which shows the simulation result of 0 , and its approximation curve. As indicated by a broken line in the figure, the line width L at which Z 0 = 50Ω was about 17 μm.

図１１（ａ）は、本比較例にかかるフレキシブル配線ユニット１１００の先端側を金属ベース１２１０から離間させた状態を示す横断面模式図である。同図下部は、フレキシブル配線ユニット１１００の側面模式図である。したがって、同図上部は、同図下部を右方から見た拡大断面図に相当する。
図示のように、裏側絶縁層１０４０の下面と金属ベース１２１０との距離（空隙）をＹ２とする。 FIG. 11A is a schematic cross-sectional view illustrating a state in which the distal end side of the flexible wiring unit 1100 according to this comparative example is separated from the metal base 1210. The lower part of the figure is a schematic side view of the flexible wiring unit 1100. Accordingly, the upper part of the figure corresponds to an enlarged sectional view of the lower part of the figure as viewed from the right side.
As illustrated, the distance (gap) between the lower surface of the back insulating layer 1040 and the metal base 1210 is Y2.

同図（ｂ）は、信号配線１０３０の線幅Ｌを３０μｍとし、空隙Ｙ２を０〜１００ｍｍまで変化させた場合の、フレキシブル配線ユニット１１００の特性インピーダンスＺ０を示す図である。
同図より、本比較例のフレキシブル配線ユニット１１００は、金属ベース１２１０に当接した状態（図１０（ａ））と、十分に離間した状態（図１１（ａ））とで、特性インピーダンスＺ０が１０Ωだけ変動している。かかる変動幅は、初期状態（当接状態：Ｙ２＝０ｍｍ）におけるＺ０（４０Ω）の２５％にあたる。 FIG. 5B is a diagram showing the characteristic impedance Z0 of the flexible wiring unit 1100 when the line width L of the signal wiring 1030 is 30 μm and the gap Y2 is changed from 0 to 100 mm.
From this figure, the flexible wiring unit 1100 of this comparative example has a characteristic impedance Z 0 in a state where it is in contact with the metal base 1210 (FIG. 10A) and a state where it is sufficiently separated (FIG. 11A). Fluctuates by 10Ω. This fluctuation range corresponds to 25% of Z 0 (40Ω) in the initial state (contact state: Y2 = 0 mm).

（実施例１）
図１２（ａ）は、実施例１のフレキシブル配線ユニット１００が金属ベース２１０に
当接した状態を示す横断面模式図である。 Example 1
FIG. 12A is a schematic cross-sectional view illustrating a state in which the flexible wiring unit 100 according to the first embodiment is in contact with the metal base 210.

本実施例のフレキシブル配線ユニット１００は、裏側絶縁層４０の下面に、非導電性接着剤層（図示せず）を介して基板スペーサ部材６２（補強板：スティフナー）が接合されている点でのみ、比較例２と相違する。
基板スペーサ部材６２はＰＥＴからなり、非導電性接着剤層との合計厚さは１４５μｍとした。すなわち、フレキシブル配線ユニット１００は、基板スペーサ部材６２の裏面から信号配線３０までの距離（Ｙ）が、裏側絶縁層４０（２５μｍ）および接着層３２（１０μｍ）と合せて１８０μｍである。また、シールド層１０の下面から信号配線３０までの距離（Ｘ）は、表側絶縁層２０および接着層３２の厚さを合せて３５μｍである。したがって、本実施例においては、Ｙ≒５Ｘである。 The flexible wiring unit 100 of the present embodiment is only in that a substrate spacer member 62 (reinforcing plate: stiffener) is bonded to the lower surface of the back insulating layer 40 via a non-conductive adhesive layer (not shown). This is different from Comparative Example 2.
The substrate spacer member 62 was made of PET, and the total thickness with the non-conductive adhesive layer was 145 μm. That is, in the flexible wiring unit 100, the distance (Y) from the back surface of the substrate spacer member 62 to the signal wiring 30 is 180 μm including the back-side insulating layer 40 (25 μm) and the adhesive layer 32 (10 μm). Further, the distance (X) from the lower surface of the shield layer 10 to the signal wiring 30 is 35 μm including the thickness of the front insulating layer 20 and the adhesive layer 32. Therefore, in this embodiment, Y≈5X.

同図（ｂ）は、フレキシブル配線ユニット１００を金属ベース２１０の表面に当接させた状態で、信号配線３０の線幅Ｌを２０から１００μｍまで変化させたときのフレキシブル配線ユニット１００の特性インピーダンスＺ０のシミュレーション結果と、その近似曲線を示す図である。同図に破線で示すように、Ｚ０＝５０Ωとなる線幅Ｌは、約３７μｍであった。 FIG. 4B shows the characteristic impedance Z of the flexible wiring unit 100 when the line width L of the signal wiring 30 is changed from 20 to 100 μm with the flexible wiring unit 100 in contact with the surface of the metal base 210. It is a figure which shows the simulation result of 0 , and its approximation curve. As indicated by the broken line in the figure, the line width L at which Z 0 = 50Ω was about 37 μm.

図１３（ａ）は、本実施例にかかるフレキシブル配線ユニット１００の先端側を金属ベース２１０から離間させた状態を示す横断面模式図である。同図下部は、フレキシブル配線ユニット１００の側面模式図である。したがって、同図上部は、同図下部を右方から見た拡大断面図に相当する。
図示のように、基板スペーサ部材６２の下面と金属ベース２１０との距離（空隙）をＹ３とする。 FIG. 13A is a schematic cross-sectional view illustrating a state where the distal end side of the flexible wiring unit 100 according to the present embodiment is separated from the metal base 210. The lower part of the figure is a schematic side view of the flexible wiring unit 100. Accordingly, the upper part of the figure corresponds to an enlarged sectional view of the lower part of the figure as viewed from the right side.
As shown in the figure, the distance (gap) between the lower surface of the substrate spacer member 62 and the metal base 210 is Y3.

同図（ｂ）は、信号配線３０の線幅Ｌを３７μｍとし、空隙Ｙ３を０〜１００ｍｍまで変化させた場合の、フレキシブル配線ユニット１００の特性インピーダンスＺ０を示す図である。
同図より、本実施例のフレキシブル配線ユニット１００は、金属ベース２１０に当接した状態（図１２（ａ））と、十分に離間した状態（図１３（ａ））とにおける特性インピーダンスＺ０の変動幅は２Ωであった。かかる変動幅は、初期状態（当接状態：Ｙ３＝０ｍｍ）におけるＺ０（５０Ω）に対し、約４％である。 FIG. 4B is a diagram showing the characteristic impedance Z0 of the flexible wiring unit 100 when the line width L of the signal wiring 30 is 37 μm and the gap Y3 is changed from 0 to 100 mm.
From the figure, the flexible wiring unit 100 of the present example has a characteristic impedance Z 0 in a state of being in contact with the metal base 210 (FIG. 12A) and in a state of being sufficiently separated (FIG. 13A). The fluctuation range was 2Ω. The fluctuation range is about 4% with respect to Z 0 (50Ω) in the initial state (contact state: Y3 = 0 mm).

上記比較例１，２および実施例１より、以下の知見を得ることができる。
まず、シールド層１０１０をフレキシブル配線ユニット１１００の表面側に設けたことにより、金属ベース１２１０に当接したフレキシブル配線ユニット１１００の特性インピーダンスＺ０が大幅に低下することがわかる（比較例１，２）。例えばＺ０＝５０Ωに調整する場合、信号配線１０３０の線幅Ｌを４２μｍから１７μｍまで細線化する必要があり、加工性および耐久性に問題が生じる。
これに対し、実施例１によれば、所定の厚さの裏側絶縁層４０と金属ベース２１０との間に基板スペーサ部材６２を介在させたことにより、同じくＺ０＝５０Ωの特性インピーダンスを得るための信号配線３０の線幅Ｌが３７μｍと、ほぼ比較例１と同等の線幅とすることが可能になる。 The following knowledge can be obtained from Comparative Examples 1 and 2 and Example 1.
First, by providing the shield layer 1010 on the surface side of the flexible wiring unit 1100, the characteristic impedance Z 0 of the flexible wiring unit 1100 in contact with the metal base 1210 is seen to be significantly reduced (Comparative Examples 1 and 2) . For example, when adjusting to Z 0 = 50Ω, it is necessary to reduce the line width L of the signal wiring 1030 from 42 μm to 17 μm, which causes problems in workability and durability.
On the other hand, according to the first embodiment, the substrate spacer member 62 is interposed between the back-side insulating layer 40 having a predetermined thickness and the metal base 210 to obtain a characteristic impedance of Z 0 = 50Ω. The signal line 30 can have a line width L of 37 μm, which is substantially the same as that of the first comparative example.

また、フレキシブル配線ユニット１００，１１００の先端を移動させてその裏面を金属ベース２１０，１２１０に当接させたり離間させたりした場合、実施例１のように所定の厚さの基板スペーサ部材６２を介在させることで、特性インピーダンスＺ０の変動幅を大幅に抑制することができることがわかる。
実施例１のように、表側絶縁層２０の上面にシールド層１０を設け、裏側絶縁層４０と金属ベース２１０との間に基板スペーサ部材６２を設けることにより、まず、シールド層１０による電磁波の遮蔽機能を得ることができる。そして、所望の特性インピーダンスＺ０が太線の信号配線３０で実現され、さらに、フレキシブル配線ユニット１００の先端の移動による特性インピーダンスＺ０の変動が抑制される。 Further, when the leading ends of the flexible wiring units 100 and 1100 are moved and the back surfaces thereof are brought into contact with or separated from the metal bases 210 and 1210, a substrate spacer member 62 having a predetermined thickness is interposed as in the first embodiment. be to, it is understood that it is possible to significantly suppress the fluctuation band of the characteristic impedance Z 0.
As in the first embodiment, the shield layer 10 is provided on the upper surface of the front insulating layer 20, and the substrate spacer member 62 is provided between the back insulating layer 40 and the metal base 210. Function can be obtained. The desired characteristic impedance Z 0 is realized by the thick signal wiring 30, and the fluctuation of the characteristic impedance Z 0 due to the movement of the tip of the flexible wiring unit 100 is further suppressed.

図１４は、図１１（ｂ）の拡大図であり、空隙Ｙ２を０〜１ｍｍまで変化させた場合の、フレキシブル配線ユニット１１００の特性インピーダンスＺ０と、その近似曲線を示している。
図１１（ｂ）および図１４より、空隙Ｙ２を０ｍｍから０．０７ｍｍ＝７０μｍ程度まで変化させることでＺ０が４０Ωから４５Ωまで急激に増大し、以降は緩やかに増加する。そして、空隙Ｙ２＝０．４ｍｍ＝４００μｍ程度でＺ０＝５０Ωとなり、以降は空隙Ｙ２＝１００ｍｍにいたるまで、特性インピーダンスＺ０はほとんど変化しないことがわかる。
すなわち、空隙Ｙ２が７０μｍ程度となるよう、裏側絶縁層４０と金属ベース２１０との間に、非導電性すなわち誘電率が空気に近似される材料を、基板スペーサ部材６２として介在させることにより、フレキシブル配線ユニット１００の特性インピーダンスＺ０の変動を十分に抑制することができる。
この場合、基板スペーサ部材６２の裏面から信号配線３０までの距離（Ｙ）は、裏側絶縁層４０（厚さ２５μｍ）および接着層３２（厚さ１０μｍ）と合せて１０５μｍとなる。一方、実施例１および比較例２において、シールド層１０，１０１０の下面から信号配線３０，１０３０までの距離（Ｘ）は、上記のように３５μｍである。したがって、本実施例によれば、Ｙ≧３Ｘとすることにより、フレキシブル配線ユニット１００の先端の移動による特性インピーダンスＺ０の変動を特に好適に抑制することができるものといえる。 FIG. 14 is an enlarged view of FIG. 11B, and shows the characteristic impedance Z 0 of the flexible wiring unit 1100 and its approximate curve when the gap Y 2 is changed from 0 to 1 mm.
From FIG. 11B and FIG. 14, Z 0 increases rapidly from 40Ω to 45Ω by changing the gap Y2 from 0 mm to about 0.07 mm = 70 μm, and thereafter increases gradually. It can be seen that Z 0 = 50Ω when the gap Y 2 = 0.4 mm = 400 μm, and thereafter the characteristic impedance Z 0 hardly changes until the gap Y 2 = 100 mm.
In other words, a non-conductive material, that is, a material whose dielectric constant is approximated to air is interposed as the substrate spacer member 62 between the back side insulating layer 40 and the metal base 210 so that the gap Y2 is about 70 μm. the variation of the characteristic impedance Z 0 of the line unit 100 can be sufficiently suppressed.
In this case, the distance (Y) from the back surface of the substrate spacer member 62 to the signal wiring 30 is 105 μm including the back-side insulating layer 40 (thickness 25 μm) and the adhesive layer 32 (thickness 10 μm). On the other hand, in Example 1 and Comparative Example 2, the distance (X) from the lower surface of the shield layers 10 and 1010 to the signal wirings 30 and 1030 is 35 μm as described above. Therefore, according to this embodiment, by a Y ≧ 3X, it can be said that the can be particularly suitably suppressing the fluctuation in characteristic impedance Z 0 by the movement of the tip of the flexible wiring unit 100.

（実施例２）
図１５（ａ）は、実施例２のフレキシブル配線ユニット１００が金属ベース２１０に
当接した状態を示す横断面模式図である。 (Example 2)
FIG. 15A is a schematic cross-sectional view illustrating a state in which the flexible wiring unit 100 according to the second embodiment is in contact with the metal base 210.

本実施例のフレキシブル配線ユニット１００では、基板スペーサ部材６２（補強板：スティフナー）の板厚（Ｔ）を複数通りに変化させている点でのみ実施例１と相違する。したがって、本実施例についてもシールド層１０の下面から信号配線３０までの距離Ｘを３５μｍとしている。
ここで、基板スペーサ部材６２の裏面から信号配線３０までの距離（Ｙ）は、基板スペーサ部材６２の板厚（Ｔ）と、裏側絶縁層４０（２５μｍ）および接着層３２（１０μｍ）の厚さとを合わせたものに相当する。そして、本実施例では、裏側絶縁層４０と接着層３２との合計厚さは上記距離Ｘと等しい。したがって、Ｙ＝Ｔ＋Ｘの関係が成り立つ。 The flexible wiring unit 100 of the present embodiment differs from the first embodiment only in that the thickness (T) of the substrate spacer member 62 (reinforcing plate: stiffener) is changed in a plurality of ways. Therefore, also in this embodiment, the distance X from the lower surface of the shield layer 10 to the signal wiring 30 is set to 35 μm.
Here, the distance (Y) from the back surface of the substrate spacer member 62 to the signal wiring 30 is the thickness (T) of the substrate spacer member 62 and the thicknesses of the back insulating layer 40 (25 μm) and the adhesive layer 32 (10 μm). Is equivalent to In this embodiment, the total thickness of the back insulating layer 40 and the adhesive layer 32 is equal to the distance X. Therefore, the relationship Y = T + X is established.

同図（ｂ）は、基板スペーサ部材６２の板厚（Ｔ）を距離（Ｘ）の整数倍に変化させた場合の特性インピーダンスＺ０のシミュレーション結果と、その近似曲線を示す図である。ただし、特性インピーダンスＺ０は、フレキシブル配線ユニット１００を金属ベース２１０の表面に当接させた状態で算出している。 FIG (b) is the simulation result of the characteristic impedance Z 0 in the case of changing the thickness (T) is an integer multiple of the distance (X) of the substrate the spacer member 62 is a diagram showing the approximate curve. However, the characteristic impedance Z 0 is calculated in a state where the flexible wiring unit 100 is in contact with the surface of the metal base 210.

なお、本実施例の信号配線３０の線幅Ｌは３７μｍとしている。これは、距離Ｙを距離Ｘの約５倍とした上記実施例１において、特性インピーダンスＺ０が５０Ωとなった線幅Ｌを採用したものである。すなわち、図１５（ｂ）で、Ｔ＝Ｙ−Ｘ≒４Ｘとすることで、特性インピーダンスＺ０は５０Ωとなる。そして、図１３（ｂ）に示す実施例１において空隙Ｙ３＝∞とした場合の特性インピーダンスＺ０と、本実施例において板厚（Ｔ）＝∞とした場合の特性インピーダンスＺ０は、いずれも約５２Ωに漸近する。 Note that the line width L of the signal wiring 30 of the present embodiment is 37 μm. This employs a line width L in which the characteristic impedance Z 0 is 50Ω in the first embodiment in which the distance Y is about five times the distance X. That is, in FIG. 15B, by setting T = Y−X≈4X, the characteristic impedance Z 0 becomes 50Ω. Then, the characteristic impedance Z 0 of the case where the void Y3 = ∞ In the first embodiment illustrated in FIG. 13 (b), the characteristic impedance Z 0 of the case where the plate thickness (T) = ∞ In this embodiment, both Asymptotically approaches about 52Ω.

そして、図１５（ｂ）に示すように、板厚（Ｔ）を距離Ｘの整数倍とした場合の特性インピーダンスＺ０は、Ｔ＝Ｘで３９Ω、Ｔ＝２Ｘで４５Ω、Ｔ＝３Ｘで４８Ω、Ｔ＝４Ｘで４９Ωであった。すなわち、板厚Ｔ＝∞とした場合の特性インピーダンスＺ０（＝５２Ω）と比較して、Ｔ＝Ｘでは約２５％、Ｔ＝２Ｘでは約１３％、Ｔ＝３Ｘでは約８％、Ｔ＝４Ｘでは約５％の乖離で収まっている。 As shown in FIG. 15B, the characteristic impedance Z 0 when the thickness (T) is an integral multiple of the distance X is 39Ω at T = X, 45Ω at T = 2X, and 48Ω at T = 3X. , T = 4X and 49Ω. That is, compared with the characteristic impedance Z 0 (= 52Ω) when the plate thickness T = ∞, T = X is about 25%, T = 2X is about 13%, T = 3X is about 8%, T = In 4X, the difference is about 5%.

したがって、本実施例で採用したフレキシブル配線ユニット１００の特性および寸法に関しては、Ｔ≧Ｘ、すなわちＹ≧２Ｘとすることで、金属ベース２１０に設置した場合と、十分に離した場合とで、特性インピーダンスＺ０の変動幅を実用的なレベル以下に低減可能であることが理解される。
また、Ｔ≧２Ｘ、すなわちＹ≧３Ｘとすることで、かかる低減効果が顕著となり、さらに、Ｔ≧４Ｘ、すなわちＹ≧５Ｘとすることで、特性インピーダンスＺ０の変動を、誤差レベル以下にまで低減可能であることが理解される。 Therefore, with respect to the characteristics and dimensions of the flexible wiring unit 100 employed in this embodiment, T ≧ X, that is, Y ≧ 2X, the characteristics of the flexible wiring unit 100 when it is installed on the metal base 210 and when sufficiently separated. It will be understood that the fluctuation range of the impedance Z 0 can be reduced to a practical level or less.
Further, when T ≧ 2X, that is, Y ≧ 3X, such a reduction effect becomes remarkable. Further, when T ≧ 4X, that is, Y ≧ 5X, the variation of the characteristic impedance Z 0 is reduced to an error level or less. It is understood that it can be reduced.

第一実施形態のフレキシブル配線ユニットの示す模式的な側面図である。It is a typical side view which shows the flexible wiring unit of 1st embodiment. 図１に示す領域Ｃの拡大図である。It is an enlarged view of the area | region C shown in FIG. 電子機器の例としてのディスクドライブ装置を示す模式的な側面図である。It is a typical side view which shows the disk drive apparatus as an example of an electronic device. 第二実施形態のフレキシブル配線ユニットおよびこれを備える電子機器の例としてのフリップダウンモニター装置を示す模式的な側面図である。It is a typical side view which shows the flip-down monitor apparatus as an example of the flexible wiring unit of 2nd embodiment, and an electronic device provided with the same. 第三実施形態のフレキシブル配線ユニットおよびこれを備える電子機器の例としてのフリップダウンモニター装置を示す模式的な側面図である。It is a typical side view which shows the flip-down monitor apparatus as an example of the flexible wiring unit of 3rd embodiment, and an electronic device provided with the same. 従来の電子機器の一例としてのディスクドライブ装置の模式図である。It is a schematic diagram of a disk drive device as an example of a conventional electronic device. 従来の電子機器の一例としてのフリップダウンモニター装置の模式図である。It is a schematic diagram of the flip down monitor apparatus as an example of the conventional electronic device. （ａ）は比較例１のフレキシブル配線ユニットが金属ベースに当接した状態を示す横断面模式図であり、（ｂ）は信号配線の線幅を変化させたときのフレキシブル配線ユニットの特性インピーダンスのシミュレーション結果と、その近似曲線を示す図である。(A) is a cross-sectional schematic diagram which shows the state which the flexible wiring unit of the comparative example 1 contact | abutted to the metal base, (b) is characteristic impedance of a flexible wiring unit when the line width of signal wiring is changed. It is a figure which shows a simulation result and its approximated curve. （ａ）は比較例１にかかるフレキシブル配線ユニットの先端側を金属ベースから離間させた状態を示す横断面模式図であり、（ｂ）は空隙Ｙ１を変化させた場合のフレキシブル配線ユニットの特性インピーダンスを示す図である。(A) is a cross-sectional schematic diagram which shows the state which spaced apart the front end side of the flexible wiring unit concerning the comparative example 1 from a metal base, (b) is the characteristic impedance of the flexible wiring unit at the time of changing the space | gap Y1. FIG. （ａ）は比較例２のフレキシブル配線ユニットが金属ベースに当接した状態を示す横断面模式図であり、（ｂ）は信号配線の線幅を変化させたときのフレキシブル配線ユニットの特性インピーダンスのシミュレーション結果と、その近似曲線を示す図である。(A) is a cross-sectional schematic diagram which shows the state which the flexible wiring unit of the comparative example 2 contact | abutted to the metal base, (b) is characteristic impedance of the flexible wiring unit when the line width of signal wiring is changed. It is a figure which shows a simulation result and its approximated curve. （ａ）は比較例２にかかるフレキシブル配線ユニットの先端側を金属ベースから離間させた状態を示す横断面模式図であり、（ｂ）は空隙Ｙ２を変化させた場合のフレキシブル配線ユニットの特性インピーダンスを示す図である。(A) is a cross-sectional schematic diagram which shows the state which spaced apart the front end side of the flexible wiring unit concerning the comparative example 2 from a metal base, (b) is the characteristic impedance of the flexible wiring unit at the time of changing the space | gap Y2. FIG. （ａ）は実施例１のフレキシブル配線ユニットが金属ベースに当接した状態を示す横断面模式図であり、（ｂ）は信号配線の線幅を変化させたときのフレキシブル配線ユニットの特性インピーダンスのシミュレーション結果と、その近似曲線を示す図である。(A) is a cross-sectional schematic diagram which shows the state which the flexible wiring unit of Example 1 contact | abutted to the metal base, (b) is characteristic impedance of the flexible wiring unit when the line width of signal wiring is changed. It is a figure which shows a simulation result and its approximated curve. （ａ）は実施例１にかかるフレキシブル配線ユニットの先端側を金属ベースから離間させた状態を示す横断面模式図であり、（ｂ）は空隙Ｙ３を変化させた場合のフレキシブル配線ユニットの特性インピーダンスを示す図である。(A) is a cross-sectional schematic diagram which shows the state which separated the front end side of the flexible wiring unit concerning Example 1 from the metal base, (b) is the characteristic impedance of the flexible wiring unit at the time of changing the space | gap Y3. FIG. 図１１（ｂ）の拡大図である。It is an enlarged view of FIG.11 (b). （ａ）は実施例２のフレキシブル配線ユニットが金属ベースに当接した状態を示す横断面模式図であり、（ｂ）は基板スペーサ部材の厚さを変化させたときのフレキシブル配線ユニットの特性インピーダンスのシミュレーション結果と、その近似曲線を示す図である。(A) is a cross-sectional schematic diagram which shows the state which the flexible wiring unit of Example 2 contact | abutted to the metal base, (b) is the characteristic impedance of the flexible wiring unit when the thickness of a board | substrate spacer member is changed. It is a figure which shows the simulation result and its approximate curve.

符号の説明Explanation of symbols

１０ シールド層
２０ 表側絶縁層
３０ 信号配線
４０ 裏側絶縁層
５０ フレキシブル基板
６０ 平板部材
６１ 支持部材
６２ 基板スペーサ部材
１００ フレキシブル配線ユニット
１１０ 接続コネクタ
１２０ ヘッドユニット
２００ ディスクドライブ装置
２１０，３１０ 金属ベース
２２１ 駆動モータ
２２３ ディスク
３００ フリップダウンモニター装置
３３０ モニター
３３１ ドライバ回路部
３３２ 表示画面
３３３ ヒンジ
３３４ 配線孔
３３５ 金属筐体 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Shield layer 20 Front side insulating layer 30 Signal wiring 40 Back side insulating layer 50 Flexible substrate 60 Flat plate member 61 Support member 62 Substrate spacer member 100 Flexible wiring unit 110 Connection connector 120 Head unit 200 Disk drive device 210,310 Metal base 221 Drive motor 223 Disc 300 Flip down monitor device 330 Monitor 331 Driver circuit section 332 Display screen 333 Hinge 334 Wiring hole 335 Metal housing

Claims (9)

外部回路との間で信号を授受する信号配線と、前記信号配線を挟み込む表側絶縁層および裏側絶縁層と、前記表側絶縁層の上面に積層されて前記信号配線の少なくとも一部を覆う導電性のシールド層と、を備え、長手方向に可撓性を有するフレキシブル基板と、
前記裏側絶縁層の下面に対向して設けられた非導電性の基板スペーサ部材と、
前記フレキシブル基板の長手方向の一端側を支持する支持部材と、
を有し、前記フレキシブル基板の長手方向の他端側が移動可能に構成されたフレキシブル配線ユニットであって、
前記フレキシブル基板が前記基板スペーサ部材の表面に当接した状態における前記基板スペーサ部材の裏面から前記信号配線までの距離（Ｙ）が、前記シールド層の下面から前記信号配線までの距離（Ｘ）よりも大きいことを特徴とするフレキシブル配線ユニット。 A signal wiring for transmitting / receiving signals to / from an external circuit, a front-side insulating layer and a back-side insulating layer sandwiching the signal wiring, and a conductive layer that is stacked on an upper surface of the front-side insulating layer and covers at least a part of the signal wiring A flexible substrate comprising a shield layer and having flexibility in the longitudinal direction;
A non-conductive substrate spacer member provided facing the lower surface of the back insulating layer;
A support member for supporting one end side of the flexible substrate in the longitudinal direction;
A flexible wiring unit configured such that the other end side in the longitudinal direction of the flexible substrate is movable,
The distance (Y) from the back surface of the substrate spacer member to the signal wiring in a state in which the flexible substrate is in contact with the surface of the substrate spacer member is greater than the distance (X) from the bottom surface of the shield layer to the signal wiring. Flexible wiring unit characterized by being large. 前記シールド層が、前記信号配線に対するグランド層である請求項１に記載のフレキシブル配線ユニット。   The flexible wiring unit according to claim 1, wherein the shield layer is a ground layer for the signal wiring. 前記フレキシブル基板が、前記信号配線と前記基板スペーサ部材との間に導電層を備えていないことを特徴とする請求項１または２に記載のフレキシブル配線ユニット。   The flexible wiring unit according to claim 1, wherein the flexible substrate does not include a conductive layer between the signal wiring and the substrate spacer member. 前記距離（Ｙ）が、前記距離（Ｘ）の三倍以上である請求項１から３のいずれかに記載のフレキシブル配線ユニット。   The flexible wiring unit according to any one of claims 1 to 3, wherein the distance (Y) is at least three times the distance (X). 前記他端側が移動することにより、前記フレキシブル基板と前記基板スペーサ部材の表面とが当接または離反することを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のフレキシブル配線ユニット。   5. The flexible wiring unit according to claim 1, wherein the flexible substrate and a surface of the substrate spacer member come into contact with or separate from each other as the other end side moves. 前記支持部材と前記基板スペーサ部材とが一体に形成されている請求項１から５のいずれかに記載のフレキシブル配線ユニット。   The flexible wiring unit according to claim 1, wherein the support member and the substrate spacer member are integrally formed. 前記基板スペーサ部材の表面が前記フレキシブル基板の下面に接合されており、
前記他端側が移動することにより、前記フレキシブル基板および前記基板スペーサ部材が一体となって移動可能である請求項１から４のいずれかに記載のフレキシブル配線ユニット。 The surface of the substrate spacer member is bonded to the lower surface of the flexible substrate;
The flexible wiring unit according to any one of claims 1 to 4, wherein the flexible substrate and the substrate spacer member can move together by moving the other end side. 前記フレキシブル基板が、前記信号配線を一層のみ有する請求項１から７のいずれかに記載のフレキシブル配線ユニット。   The flexible wiring unit according to claim 1, wherein the flexible substrate has only one layer of the signal wiring. 金属ベースと、
外部回路との間で信号を授受する信号配線と、前記信号配線を挟み込む表側絶縁層および裏側絶縁層と、前記表側絶縁層の上面に積層されて前記信号配線の少なくとも一部を覆う導電性のシールド層と、を備え、長手方向に可撓性を有するフレキシブル基板と、
前記金属ベースにともに設けられた、前記裏側絶縁層の下面に対向する非導電性の基板スペーサ部材、および前記フレキシブル基板の長手方向の一端側を支持する支持部材と、
を有し、前記フレキシブル基板の長手方向の他端側が移動可能に構成されるとともに、
前記フレキシブル基板が前記基板スペーサ部材の表面に当接した状態における前記金属ベースから前記信号配線までの距離が、前記シールド層の下面から前記信号配線までの距離よりも大きいことを特徴とする電子機器。 A metal base,
A signal wiring for transmitting / receiving signals to / from an external circuit, a front-side insulating layer and a back-side insulating layer sandwiching the signal wiring, and a conductive layer that is stacked on an upper surface of the front-side insulating layer and covers at least a part of the signal wiring A flexible substrate comprising a shield layer and having flexibility in the longitudinal direction;
A non-conductive substrate spacer member that is provided on the metal base and faces the lower surface of the back-side insulating layer; and a support member that supports one longitudinal end of the flexible substrate;
And the other end side in the longitudinal direction of the flexible substrate is configured to be movable,
An electronic apparatus, wherein a distance from the metal base to the signal wiring in a state where the flexible substrate is in contact with a surface of the substrate spacer member is larger than a distance from a lower surface of the shield layer to the signal wiring. .
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