JP2009266719A - Manufacturing method of organic electroluminescent element, and organic electroluminescent element - Google Patents

Manufacturing method of organic electroluminescent element, and organic electroluminescent element Download PDF

Info

Publication number
JP2009266719A
JP2009266719A JP2008116952A JP2008116952A JP2009266719A JP 2009266719 A JP2009266719 A JP 2009266719A JP 2008116952 A JP2008116952 A JP 2008116952A JP 2008116952 A JP2008116952 A JP 2008116952A JP 2009266719 A JP2009266719 A JP 2009266719A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nozzle
substrate
coating
layer
organic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008116952A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5120050B2 (en
Inventor
Akio Kaiho
昭雄 海保
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Co Ltd filed Critical Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority to JP2008116952A priority Critical patent/JP5120050B2/en
Publication of JP2009266719A publication Critical patent/JP2009266719A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5120050B2 publication Critical patent/JP5120050B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of an organic electroluminescent element capable of forming an organic functional layer uniform in film thickness by using a coating method capable of forming a coating uniform in film thickness by reducing the distance from the coating start to a point with film thickness set constant; and an organic electroluminescent element manufactured by the manufacturing method. <P>SOLUTION: This manufacturing method of an organic EL element is used for manufacturing an organic EL element by laminating, on a substrate, at least a positive electrode, a negative electrode, and one or more organic functional layers located between the positive electrode and the negative electrode. The manufacturing method includes a process of bringing a nozzle arranged by directing a slit upward close to a substrate from the lower side in a state where a coating liquid containing a material becoming the organic functional layer(s) is pushed out from the nozzle, and forming coatings by relatively moving the nozzle and the substrate with the coating liquid adhered to the substrate side to form the organic functional layers, wherein the rise velocity of the nozzle is 0.7 m/min in bringing the nozzle close to the substrate from the lower side. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing an organic electroluminescent element and an organic electroluminescent element.

電圧を印加することで発光する素子の一つとして、発光部が有機物によって構成される有機EL(Electro Luminescence)素子がある。有機EL素子は、通常、陽極と、陰極と、陽極および陰極の間に位置する1または複数の有機機能層とが、基板上に積層されて形成される。有機EL素子は、前記有機機能層として少なくとも発光層を備え、電圧を印加することで陽極から正孔が注入されるとともに、陰極から電子が注入され、これら正孔と電子とが結合することで発光する。   As one of elements that emit light when voltage is applied, there is an organic EL (Electro Luminescence) element in which a light emitting portion is made of an organic substance. An organic EL element is usually formed by laminating an anode, a cathode, and one or more organic functional layers located between the anode and the cathode on a substrate. The organic EL element includes at least a light emitting layer as the organic functional layer, and by applying a voltage, holes are injected from the anode, electrons are injected from the cathode, and these holes and electrons are combined. Emits light.

有機機能層は、たとえば有機機能層となる材料を含む塗布液を塗布法で成膜し、さらに乾燥させることで形成される。塗布液を塗布する方法の一つに、毛管現象を利用したキャピラリーコート法がある。キャピラリーコート法では、スリットを上方に向けて配置されるノズルから塗布液が押出された状態で、前記ノズルを下方から基板に近接させることで前記塗布液を基板側に付着させ、塗布液が基板に付着した状態のまま、ノズルと基板とを相対的に移動させることによって塗膜を形成している(例えば特許文献1参照)。   The organic functional layer is formed, for example, by forming a coating solution containing a material to be the organic functional layer by a coating method and further drying. One method for applying a coating solution is a capillary coating method using capillary action. In the capillary coating method, the coating liquid is attached to the substrate side by bringing the nozzle close to the substrate from below in a state where the coating liquid is extruded from a nozzle disposed with the slit facing upward, and the coating liquid is attached to the substrate side. The coating film is formed by relatively moving the nozzle and the substrate while adhering to the substrate (see, for example, Patent Document 1).

特開2004−164873号公報JP 2004-164873 A

キャピラリーコート法を用いた塗布では、塗り始めは所期の膜厚よりも膜厚が厚くなり、塗布をさらに進めることで所期の膜厚に漸近し、最終的に所期の膜厚となるのが通常である。従来から通常用いられているキャピラリーコート法では、塗り始めから塗膜の膜厚が一定になるまでの距離が長くなるという問題がある。このようなキャピラリーコート法を用いて例えば前述の発光層を形成すると、膜厚の厚い部分と膜厚の均一な部分とで発光強度に違いが生じ、また膜厚の厚い塗り始め部分が製品として使用されない場合もあるので、塗り始めから塗膜の膜厚が一定になるまでの距離を短くすることのできる塗布法が求められている。   In the application using the capillary coating method, the film thickness becomes thicker than the initial film thickness at the beginning of application, and as the application proceeds further, it gradually approaches the desired film thickness, and finally reaches the desired film thickness. It is normal. In the conventionally used capillary coating method, there is a problem that the distance from the start of coating to the film thickness of the coating film becomes long. For example, when the above-described light emitting layer is formed by using such a capillary coating method, a difference in emission intensity occurs between a thick part and a uniform part, and a thick coating start part is a product. Since it may not be used, there is a need for a coating method that can shorten the distance from the beginning of coating until the film thickness of the coating film becomes constant.

従って本発明の目的は、塗り始めから塗膜の膜厚が一定になるまでの距離を短くし、均一な膜厚の塗膜を形成することのできる塗布方法を用いて、膜厚が均一な有機機能層を形成することのできる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法およびこの製法によって製造される有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することである。   Therefore, the object of the present invention is to reduce the distance from the start of coating until the film thickness of the coating film becomes constant, and to use a coating method that can form a coating film with a uniform film thickness. It is providing the manufacturing method of the organic electroluminescent element which can form an organic functional layer, and the organic electroluminescent element manufactured by this manufacturing method.

本発明は、少なくとも陽極と、陰極と、陽極および陰極の間に位置する1または複数の有機機能層とを基板上に積層して、有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する方法であって、
スリットを上方に向けて配置されるノズルから前記有機機能層となる材料を含む塗布液が押出された状態で、前記ノズルを下方から基板に近接させ、前記塗布液が基板側に付着した状態で、ノズルと基板とを相対的に移動することによって塗膜を形成し、前記有機機能層を成膜する工程を含み、
前記ノズルを下方から基板に近接させる際の上昇速度が0.7m/min(分)以上であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
The present invention is a method for producing an organic electroluminescence device by laminating at least an anode, a cathode, and one or a plurality of organic functional layers located between the anode and the cathode,
In a state where the coating liquid containing the material to be the organic functional layer is extruded from a nozzle arranged with the slit facing upward, the nozzle is brought close to the substrate from below, and the coating liquid is attached to the substrate side. Forming a coating film by relatively moving the nozzle and the substrate, and forming the organic functional layer,
An organic electroluminescence element manufacturing method characterized in that an ascending speed when the nozzle is brought close to the substrate from below is 0.7 m / min (min) or more.

また本発明は、前記ノズルを下方から基板に近接させた後、ノズルと基板とを相対的に移動する前に、0.7m/min以上の速さで前記ノズルを下降させることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。   Further, the present invention is characterized in that after the nozzle is brought close to the substrate from below, the nozzle is lowered at a speed of 0.7 m / min or more before the nozzle and the substrate are relatively moved. It is a manufacturing method of an organic electroluminescent element.

また本発明は、前記ノズルと基板とを相対的に移動する際の相対速度が、0.7m/min以上であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。   Moreover, this invention is a manufacturing method of the organic electroluminescent element characterized by the relative speed at the time of moving relatively the said nozzle and a board | substrate being 0.7 m / min or more.

また本発明は、前記ノズルと基板とを相対的に移動する際のノズルと基板との間隔が200μm以上であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
また本発明は、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法で製造された有機エレクトロルミネッセンス素子である。
The present invention is also the method for producing an organic electroluminescent element, characterized in that a distance between the nozzle and the substrate when the nozzle and the substrate are relatively moved is 200 μm or more.
Moreover, this invention is an organic electroluminescent element manufactured with the manufacturing method of the said organic electroluminescent element.

本発明によれば、有機機能層を成膜する工程において、ノズルの上昇速度を所定の範囲にすることで、塗り始めから塗膜の膜厚が一定になるまでの距離を短くすることができ、これによって膜厚が均一な有機機能層を形成することができる。   According to the present invention, in the step of forming the organic functional layer, the distance from the start of coating until the film thickness of the coating film becomes constant can be shortened by setting the rising speed of the nozzle within a predetermined range. Thus, an organic functional layer having a uniform film thickness can be formed.

本実施の形態の有機EL素子の製造方法は、少なくとも陽極と、陰極と、陽極および陰極の間に位置する1または複数の有機機能層とを基板上に積層して、有機EL素子を製造する方法であって、スリットを上方に向けて配置されるノズルから前記有機機能層となる材料を含む塗布液が押出された状態で、前記ノズルを下方から基板に近接させ、前記塗布液が基板側に付着した状態で、ノズルと基板とを相対的に移動することによって塗膜を形成し、前記有機機能層を成膜する工程を含み、前記ノズルを下方から基板に近接させる際の上昇速度が0.7m/minであることを特徴とする。   In the method of manufacturing an organic EL element according to the present embodiment, an organic EL element is manufactured by laminating at least an anode, a cathode, and one or more organic functional layers located between the anode and the cathode on a substrate. In the method, a coating liquid containing a material to be the organic functional layer is extruded from a nozzle disposed with a slit facing upward, and the nozzle is brought close to the substrate from below, so that the coating liquid is on the substrate side. A step of forming a coating film by relatively moving the nozzle and the substrate while adhering to the substrate, and forming the organic functional layer, wherein the nozzle has a rising speed when approaching the substrate from below. It is 0.7 m / min.

有機EL素子は、少なくとも陽極と、陰極と、陽極および陰極の間に位置する有機機能層として発光層とを備える。陽極と陰極との間には、1層の発光層に限らずに、複数の発光層、及び/又は発光層とは異なる1または複数の有機機能層、並びに無機層を備えていてもよい。以下、本実施の形態の塗布方法を用いて発光層を成膜する工程について説明する。   The organic EL element includes at least an anode, a cathode, and a light emitting layer as an organic functional layer positioned between the anode and the cathode. Between the anode and the cathode, not only one light emitting layer, but also a plurality of light emitting layers, and / or one or a plurality of organic functional layers different from the light emitting layer, and an inorganic layer may be provided. Hereinafter, a process of forming a light emitting layer using the coating method of the present embodiment will be described.

図1は、発光層を形成するために用いられるキャップコーターシステム1を模式的に示す図である。有機EL素子が例えば陽極、発光層および陰極が基板上にこの順で積層される素子構造の場合には、陽極が成膜された基板上に発光層が成膜される。以下、本明細書において「上方」および「下方」は、それぞれ「鉛直方向の上方」および「鉛直方向の下方」を意味する。   FIG. 1 is a diagram schematically showing a cap coater system 1 used for forming a light emitting layer. In the case where the organic EL element has an element structure in which, for example, an anode, a light emitting layer, and a cathode are laminated in this order on the substrate, the light emitting layer is formed on the substrate on which the anode is formed. Hereinafter, in the present specification, “upward” and “downward” mean “upward in the vertical direction” and “downward in the vertical direction”, respectively.

キャップコーターシステム1は、主に定盤2、ノズル3、およびタンク4を含んで構成される。定盤2は、鉛直方向の下方の面に設けられた基板を保持する。基板の保持方法としては、真空吸着を挙げることができる。定盤2は、図示しない電動機および油圧機などの変位駆動手段によって水平方向に往復運動する。以下、定盤2の移動する方向を塗布方向Xという場合がある。   The cap coater system 1 mainly includes a surface plate 2, a nozzle 3, and a tank 4. The surface plate 2 holds a substrate provided on a lower surface in the vertical direction. An example of a method for holding the substrate is vacuum suction. The surface plate 2 reciprocates in the horizontal direction by displacement driving means such as an electric motor and a hydraulic machine (not shown). Hereinafter, the direction in which the surface plate 2 moves may be referred to as a coating direction X.

ノズル3は、スリットを上方に向けて配置される。ノズル3は、鉛直方向Zおよび塗布方向Yにそれぞれ垂直な幅方向Yに延びる開口を上端に有し、該開口に連なる板状の塗布液供給孔5が形成されている。該塗布液供給孔5は、前記開口から下方に延びて形成されている。ノズル3の開口は、例えば塗布方向Xの幅が296mm程度であり、幅方向Yの幅が260mm程度である。ノズル3は、鉛直方向Zに変位可能に支持され、電動機および油圧機などの変位駆動手段によって鉛直方向Zに変位駆動される。   The nozzle 3 is arranged with the slit facing upward. The nozzle 3 has an opening at the upper end extending in the width direction Y perpendicular to the vertical direction Z and the application direction Y, and is formed with a plate-like application liquid supply hole 5 connected to the opening. The coating liquid supply hole 5 extends downward from the opening. The opening of the nozzle 3 has, for example, a width in the coating direction X of about 296 mm and a width in the width direction Y of about 260 mm. The nozzle 3 is supported so as to be displaceable in the vertical direction Z, and is driven to be displaced in the vertical direction Z by displacement driving means such as an electric motor and a hydraulic machine.

タンク4は、塗布液7を収容する。タンク4に収容される塗布液7は、基板8に塗布される塗布液7であり、本実施の形態では発光層となる材料を含む液体である。具体的には後述する発光材料が溶媒に溶解した溶液である。前記ノズル3の塗布液供給孔5とタンク4とは塗布液供給管6で連通している。すなわちタンク4に収容される塗布液7は、塗布液供給管6を通して塗布液供給孔5に供給され、さらには基板9に塗布される。タンク4は、鉛直方向Zに変位可能に支持され、電動機および油圧機などの変位駆動手段によって鉛直方向Zに変位駆動される。タンク4は、塗布液7の液面を検出する液面センサー8をさらに備える。この液面センサー8によって、塗布液7の液面の鉛直方向Zの高さが検出される。液面センサー8は、例えば光学式センサーや超音波振動式センサーによって実現される。   The tank 4 stores the coating liquid 7. The coating liquid 7 accommodated in the tank 4 is a coating liquid 7 applied to the substrate 8 and is a liquid containing a material that becomes a light emitting layer in the present embodiment. Specifically, it is a solution in which a light emitting material described later is dissolved in a solvent. The coating liquid supply hole 5 of the nozzle 3 and the tank 4 communicate with each other through a coating liquid supply pipe 6. That is, the coating liquid 7 accommodated in the tank 4 is supplied to the coating liquid supply hole 5 through the coating liquid supply pipe 6 and further applied to the substrate 9. The tank 4 is supported so as to be displaceable in the vertical direction Z, and is displaced in the vertical direction Z by displacement driving means such as an electric motor and a hydraulic machine. The tank 4 further includes a liquid level sensor 8 that detects the liquid level of the coating liquid 7. The liquid level sensor 8 detects the height in the vertical direction Z of the liquid level of the coating liquid 7. The liquid level sensor 8 is realized by, for example, an optical sensor or an ultrasonic vibration sensor.

塗布液供給管6を介してタンク4から塗布液供給孔5に供給される塗布液7は、タンク4内の液面の高さに応じて生じる圧力と、塗布液供給孔5で生じる毛管現象による力と応じて、ノズル3の開口から押出される。したがってタンク4を上下の位置を調整してタンク4内の液面を制御することで、ノズル3内の塗布液7の高さ、またはノズル3の開口から押出される塗布液7の高さを制御することができる。   The coating liquid 7 supplied from the tank 4 to the coating liquid supply hole 5 via the coating liquid supply pipe 6 is pressure generated according to the height of the liquid level in the tank 4 and capillary action generated in the coating liquid supply hole 5. According to the force by, it is extruded from the opening of the nozzle 3. Therefore, the height of the coating liquid 7 in the nozzle 3 or the height of the coating liquid 7 extruded from the opening of the nozzle 3 can be adjusted by adjusting the vertical position of the tank 4 to control the liquid level in the tank 4. Can be controlled.

キャップコーターシステム1は、マイクロコンピュータなどによって実現される制御部をさらに備え、該制御部が、前述した変位駆動手段などを制御する。制御部が変位駆動手段を制御することで、ノズル3およびタンク4の鉛直方向Zの位置、および定盤2の塗布方向Xの変位が制御される。塗布液7を塗布すると、塗布液7が消費されてタンク4内の塗布液7の液面は経時的に低下するが、液面センサー8の検出結果に基づいて制御部が変位駆動手段を制御し、タンク4の鉛直方向Zの位置を調整することで、ノズル3の開口から押出される塗布液7の高さを制御することができる。   The cap coater system 1 further includes a control unit realized by a microcomputer or the like, and the control unit controls the displacement driving means described above. When the control unit controls the displacement driving means, the position of the nozzle 3 and the tank 4 in the vertical direction Z and the displacement of the surface plate 2 in the coating direction X are controlled. When the coating liquid 7 is applied, the coating liquid 7 is consumed and the liquid level of the coating liquid 7 in the tank 4 decreases with time, but the control unit controls the displacement driving means based on the detection result of the liquid level sensor 8. And the height of the coating liquid 7 extruded from the opening of the nozzle 3 can be controlled by adjusting the position of the tank 4 in the vertical direction Z.

図2は、定盤2、タンク4およびノズル3の各位置の時間変化を示すタイムチャートである。図2のタイムチャートに沿って、塗布液を塗布するときの定盤2、タンク4およびノズル3の各位置の制御について説明する。   FIG. 2 is a time chart showing temporal changes of the positions of the surface plate 2, the tank 4 and the nozzle 3. As shown in FIG. The control of each position of the surface plate 2, the tank 4, and the nozzle 3 when applying the coating liquid will be described along the time chart of FIG.

まず時刻t1では、ノズル3は基板9の下方に所定の間隔をあけて配置されており、タンク4は、塗布位置(塗布を開始するときのタンクの位置)よりも下方に位置する。時刻t1から時刻t2では、定盤2が塗布方向Xの一方(以下、左という場合がある)へ移動し、ノズル3が待機位置まで上昇し、さらにタンク4が接液位置まで上昇する。タンク4が接液位置まで上昇することで、ノズルの開口から塗布液7が押出された状態となる。   First, at time t1, the nozzle 3 is disposed below the substrate 9 with a predetermined interval, and the tank 4 is positioned below the application position (tank position when application is started). From time t1 to time t2, the surface plate 2 moves in one of the application directions X (hereinafter sometimes referred to as left), the nozzle 3 rises to the standby position, and the tank 4 rises to the liquid contact position. By raising the tank 4 to the liquid contact position, the coating liquid 7 is pushed out from the nozzle opening.

時刻t2から時刻t3では、定盤2が塗布開始位置までさらに左に移動し、ノズル3およびタンク4は、時刻2の位置を保持する。なお時刻t3以後、塗布が開始される時刻t7まで、定盤2は時刻t3での位置を保持する。   From time t2 to time t3, the surface plate 2 moves further leftward to the application start position, and the nozzle 3 and the tank 4 hold the position of time 2. Note that the surface plate 2 maintains the position at the time t3 after the time t3 until the time t7 when the application is started.

時刻t3から時刻t4ではノズル3が接液位置まで上昇し、タンク4は時刻t3の位置を保持する。このようにノズル3が基板に近接することで、塗布液が基板側に付着した状態になる。時刻t4でのノズル3と基板9との間隔は、5μm以上50μm以下が好ましく、5μm以上10μm以下がさらに好ましく、たとえば8μmである。   From time t3 to time t4, the nozzle 3 rises to the liquid contact position, and the tank 4 maintains the position at time t3. Thus, when the nozzle 3 is close to the substrate, the coating liquid is attached to the substrate side. The distance between the nozzle 3 and the substrate 9 at time t4 is preferably 5 μm or more and 50 μm or less, more preferably 5 μm or more and 10 μm or less, for example, 8 μm.

時刻t5から時刻t6では、タンク4およびノズル3が塗布位置まで下降する。タンク4およびノズル3は下降するが、ノズル3から押出された塗布液は、基板8側に付着した状態を維持している。時刻t6から時刻t7までは、タンク4およびノズル3は、時刻t6の位置を保持する。   From time t5 to time t6, the tank 4 and the nozzle 3 descend to the application position. Although the tank 4 and the nozzle 3 are lowered, the coating liquid extruded from the nozzle 3 is kept attached to the substrate 8 side. From time t6 to time t7, the tank 4 and the nozzle 3 hold the position at time t6.

時刻t7から時刻t8では、塗布開始位置から塗布終了位置まで定盤2が一定の速度で左に移動するとともに、タンク4が塗布位置から塗布終了位置まで上昇する。この期間中においてタンク4が上昇するのは、塗布液7が消費されることでタンク4中の塗布液7の液面が低下するので、この液面を一定に保つためである。このようにノズル3から押出された塗布液7が基板8側に付着した状態で、定盤2とともに移動する基板が移動することで、基板に塗布液が塗布される。   From time t7 to time t8, the surface plate 2 moves to the left at a constant speed from the application start position to the application end position, and the tank 4 rises from the application position to the application end position. The reason why the tank 4 rises during this period is that the liquid level of the coating liquid 7 in the tank 4 decreases due to the consumption of the coating liquid 7, so that this liquid level is kept constant. Thus, the coating liquid is applied to the substrate by moving the substrate that moves together with the surface plate 2 with the coating liquid 7 extruded from the nozzle 3 attached to the substrate 8 side.

時刻t8において塗布が終了すると、ノズル3およびタンク4が下降するとともに、基板8が右に移動する。   When the application is completed at time t8, the nozzle 3 and the tank 4 are lowered and the substrate 8 is moved to the right.

本実施の形態では、時刻t3から時刻t4の間において、スリットを上方に向けて配置されるノズルから前記有機機能層となる材料を含む塗布液が押出された状態で、前記ノズル3を下方から基板8に近接させる際の上昇速度を0.7m/min以上とする。該ノズル3の上昇速度は、高い方が好ましく、1.0m/min以上3.0m/minが好ましい。   In the present embodiment, between time t3 and time t4, the nozzle 3 is moved from below in a state in which the coating liquid containing the material serving as the organic functional layer is extruded from the nozzle disposed with the slit facing upward. The ascending speed when being brought close to the substrate 8 is set to 0.7 m / min or more. The higher rising speed of the nozzle 3 is preferable, and 1.0 m / min or more and 3.0 m / min is preferable.

従来は時刻t3から時刻t4の間において、ノズルを0.2m/min程度で上昇させていたところ、塗布の開始時刻は時刻t7であり、それ以前の工程(時刻t3からt4)においてノズル3の上昇速度を調整したとしても、この調整が塗膜の膜厚に影響を与えることは予想し難いが、実施例で効果を示すようにノズル3の上昇速度を所定の範囲に設定することで、塗り始めから塗膜の膜厚が一定になるまでの距離を短くすることができる。   Conventionally, when the nozzle is raised at about 0.2 m / min between time t3 and time t4, the application start time is time t7, and in the previous process (time t3 to t4) Even if the rising speed is adjusted, it is difficult to expect that this adjustment will affect the film thickness of the coating film, but by setting the rising speed of the nozzle 3 to a predetermined range as shown in the example, The distance from the start of coating until the film thickness of the coating film becomes constant can be shortened.

また時刻t5からt6において、前記ノズルを下方から基板に近接させた後、ノズルと基板とを相対的に移動する前に、0.7m/min以上の速さで前記ノズルを下降させることが好ましい。該ノズル3の下降速度は、高い方が好ましく、1.0m/min以上3.0m/min以下がさらに好ましい。   In addition, from time t5 to t6, it is preferable that the nozzle is lowered at a speed of 0.7 m / min or more after the nozzle is brought close to the substrate from below and before the nozzle and the substrate are relatively moved. . The lowering speed of the nozzle 3 is preferably higher, and more preferably 1.0 m / min to 3.0 m / min.

従来は時刻t5から時刻t6の間において、ノズルを0.2m/min程度で下降させていたところ、塗布の開始時刻は時刻t7であり、それ以前の工程(時刻t5からt6)においてノズル3の下降速度を調整したとしても、この調整が塗膜の膜厚に影響を与えることは予想し難いが、実施例で効果を示すようにノズル3の下降速度を所定の範囲に設定することで、塗り始めから塗膜の膜厚が一定になるまでの距離を短くすることができる。   Conventionally, when the nozzle is lowered at about 0.2 m / min between time t5 and time t6, the start time of application is time t7, and in the previous process (time t5 to t6) Even if the lowering speed is adjusted, it is difficult to expect that this adjustment will affect the film thickness of the coating film, but by setting the lowering speed of the nozzle 3 to a predetermined range as shown in the example, The distance from the start of coating until the film thickness of the coating film becomes constant can be shortened.

また、ノズル3と基板とを相対的に移動する際の相対速度が、0.7m/min以上であることが好ましく、1.0m/min以上3.0m/min以下であることがさらに好ましい(時刻t7からt8)。このようにノズル3と基板とを相対的に移動する際の相対速度を所定の範囲に設定することで、塗り始めから塗膜の膜厚が一定になるまでの距離を短くすることができる。   Further, the relative speed when the nozzle 3 and the substrate are relatively moved is preferably 0.7 m / min or more, and more preferably 1.0 m / min or more and 3.0 m / min or less ( Time t7 to t8). Thus, by setting the relative speed when the nozzle 3 and the substrate are relatively moved within a predetermined range, the distance from the start of coating until the film thickness of the coating film becomes constant can be shortened.

また前記ノズル3と基板8とを相対的に移動する際(時刻t7から時刻t8)のノズル3と基板との間隔が200μm以上であることが好ましく、また300μm以上350μm以下であることがさらに好ましく、300μm以上320μm以下であることがさらに好ましい。このような間隔に設定することで、塗り始めから塗膜の膜厚が一定になるまでの距離を短くすることができる。   In addition, the distance between the nozzle 3 and the substrate when the nozzle 3 and the substrate 8 are relatively moved (from time t7 to time t8) is preferably 200 μm or more, and more preferably 300 μm or more and 350 μm or less. More preferably, it is 300 μm or more and 320 μm or less. By setting such an interval, it is possible to shorten the distance from the start of coating until the film thickness of the coating film becomes constant.

本実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子は、前述の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法によって製造される。
本実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子は、前述の実施の形態の製造方法を用いることによって、均一な膜厚の素子を実現することができる。
以下に、有機EL素子の層構造、各層の構成、および各層の製法について説明する。
前述したように、有機EL素子は、少なくとも陽極と、陰極と、陽極および陰極の間に配置される発光層とを含んで構成されるが、陽極と発光層との間、及び/又は発光層と陰極との間に、発光層とは異なる他の層を有していてもよく、また陽極と陰極との間には、一層の発光層に限らずに、複数の発光層が配置されてもよい。
The organic electroluminescent element of this Embodiment is manufactured by the manufacturing method of the above-mentioned organic electroluminescent element.
The organic electroluminescent element of this embodiment can realize an element having a uniform film thickness by using the manufacturing method of the above-described embodiment.
Below, the layer structure of an organic EL element, the structure of each layer, and the manufacturing method of each layer are demonstrated.
As described above, the organic EL element includes at least an anode, a cathode, and a light emitting layer disposed between the anode and the cathode, and is provided between the anode and the light emitting layer and / or the light emitting layer. There may be another layer different from the light emitting layer between the cathode and the cathode, and a plurality of light emitting layers are arranged between the anode and the cathode, not limited to a single light emitting layer. Also good.

陰極と発光層との間に設けられる層としては、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層などを挙げることができる。陰極と発光層との間に電子注入層と電子輸送層との両方の層が設けられる場合、陰極に近い層を電子注入層といい、発光層に近い層を電子輸送層という。   Examples of the layer provided between the cathode and the light emitting layer include an electron injection layer, an electron transport layer, and a hole blocking layer. When both the electron injection layer and the electron transport layer are provided between the cathode and the light emitting layer, the layer close to the cathode is called an electron injection layer, and the layer close to the light emitting layer is called an electron transport layer.

電子注入層は、陰極からの電子注入効率を改善する機能を有する層である。電子輸送層は、陰極、電子注入層または陰極により近い電子輸送層からの電子注入を改善する機能を有する層である。正孔ブロック層は、正孔の輸送を堰き止める機能を有する層である。なお電子注入層、及び/又は電子輸送層が正孔の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が正孔ブロック層を兼ねることがある。   The electron injection layer is a layer having a function of improving electron injection efficiency from the cathode. The electron transport layer is a layer having a function of improving electron injection from the cathode, the electron injection layer, or the electron transport layer closer to the cathode. The hole blocking layer is a layer having a function of blocking hole transport. In the case where the electron injection layer and / or the electron transport layer have a function of blocking hole transport, these layers may also serve as the hole blocking layer.

正孔ブロック層が正孔の輸送を堰き止める機能を有することは、例えばホール電流のみを流す素子を作製し、その電流値の減少で堰き止める効果を確認することが可能である。   The fact that the hole blocking layer has a function of blocking hole transport makes it possible, for example, to produce an element that allows only a hole current to flow, and confirm the blocking effect by reducing the current value.

陽極と発光層との間に設けられる層としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層などを挙げることができる。正孔注入層と正孔輸送層との両方の層が設けられる場合、陽極に近い層を正孔注入層といい、発光層に近い層を正孔輸送層という。   Examples of the layer provided between the anode and the light emitting layer include a hole injection layer, a hole transport layer, and an electron block layer. When both the hole injection layer and the hole transport layer are provided, a layer close to the anode is referred to as a hole injection layer, and a layer close to the light emitting layer is referred to as a hole transport layer.

正孔注入層は、陽極からの正孔注入効率を改善する機能を有する層である。正孔輸送層は、陽極、正孔注入層または陽極により近い正孔輸送層からの正孔注入を改善する機能を有する層である。電子ブロック層は、電子の輸送を堰き止める機能を有する層である。なお正孔注入層、及び/又は正孔輸送層が電子の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が電子ブロック層を兼ねることがある。   The hole injection layer is a layer having a function of improving hole injection efficiency from the anode. The hole transport layer is a layer having a function of improving hole injection from the anode, the hole injection layer, or the hole transport layer closer to the anode. The electron blocking layer is a layer having a function of blocking electron transport. In the case where the hole injection layer and / or the hole transport layer has a function of blocking electron transport, these layers may also serve as an electron blocking layer.

電子ブロック層が電子の輸送を堰き止める機能を有することは、例えば、電子電流のみを流す素子を作製し、その電流値の減少で堰き止める効果を確認することが可能である。   The fact that the electron blocking layer has a function of blocking electron transport makes it possible, for example, to produce an element that allows only electron current to flow and confirm the blocking effect by reducing the current value.

なお、電子注入層および正孔注入層を総称して電荷注入層と言う場合があり、電子輸送層および正孔輸送層を総称して電荷輸送層と言う場合がある。   The electron injection layer and the hole injection layer may be collectively referred to as a charge injection layer, and the electron transport layer and the hole transport layer may be collectively referred to as a charge transport layer.

本実施の形態の有機EL素子のとりうる層構成の具体的な一例を以下に示す。
a)陽極/発光層/陰極
b)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
c)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
d)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
e)陽極/電荷注入層/発光層/陰極
f)陽極/発光層/電荷注入層/陰極
g)陽極/電荷注入層/発光層/電荷注入層/陰極
h)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/陰極
i)陽極/正孔輸送層/発光層/電荷注入層/陰極
j)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電荷注入層/陰極
k)陽極/電荷注入層/発光層/電荷輸送層/陰極
l)陽極/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
m)陽極/電荷注入層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
n)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電荷輸送層/陰極
o)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
p)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
(ここで、記号「/」は、記号「/」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。)
本実施の形態の有機EL素子は、2層以上の発光層を有していてもよく、2層の発光層を有する有機EL素子としては、以下のq)に示す層構成を挙げることができる。
q)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/電荷発生層/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
また、3層以上の発光層を有する有機EL素子としては、具体的には、(電荷発生層/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注入層)を一つの繰り返し単位として、以下のr)に示す前記繰り返し単位を2つ以上含む層構成を挙げることができる。
r) 陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/(該繰り返し単位)/(該繰り返し単位)/・・・/陰極
上記層構成p)およびq)において、陽極、電極、陰極、発光層以外の各層は必要に応じて削除することができる。
A specific example of the layer structure that the organic EL element of the present embodiment can take is shown below.
a) Anode / light emitting layer / cathode b) Anode / hole transport layer / light emitting layer / cathode c) Anode / light emitting layer / electron transport layer / cathode d) Anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode e) Anode / charge injection layer / light emitting layer / cathode f) Anode / light emitting layer / charge injection layer / cathode g) Anode / charge injection layer / light emitting layer / charge injection layer / cathode h) Anode / charge injection layer / hole Transport layer / light emitting layer / cathode i) anode / hole transport layer / light emitting layer / charge injection layer / cathode j) anode / charge injection layer / hole transport layer / light emitting layer / charge injection layer / cathode k) anode / charge Injection layer / light emitting layer / charge transport layer / cathode l) anode / light emitting layer / electron transport layer / charge injection layer / cathode m) anode / charge injection layer / light emitting layer / electron transport layer / charge injection layer / cathode n) anode / Charge injection layer / hole transport layer / light emitting layer / charge transport layer / cathode o) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / charge injection layer / cathode ) Anode / charge injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / charge injection layer / cathode (here, the symbol “/” indicates that the layers sandwiching the symbol “/” are stacked adjacent to each other) The same shall apply hereinafter.)
The organic EL device of the present embodiment may have two or more light emitting layers, and examples of the organic EL device having two light emitting layers include the layer configuration shown in q) below. .
q) Anode / charge injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / charge injection layer / charge generation layer / charge injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / charge injection layer / cathode Specifically, as an organic EL device having three or more light-emitting layers, (charge generation layer / charge injection layer / hole transport layer / light-emitting layer / electron transport layer / charge injection layer) is one repeating unit. Examples of the layer structure include two or more repeating units shown in the following r).
r) Anode / charge injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / charge injection layer / (the repeating unit) / (the repeating unit) /... / cathode In the above layer structures p) and q) The layers other than the anode, the electrode, the cathode, and the light emitting layer can be deleted as necessary.

ここで、電荷発生層とは電界を印加することにより、正孔と電子を発生する層である。電荷発生層としては、例えば酸化バナジウム、インジウムスズ酸化物(Indium Tin Oxide:略称ITO)、酸化モリブデンなどから成る薄膜を挙げることができる。   Here, the charge generation layer is a layer that generates holes and electrons by applying an electric field. Examples of the charge generation layer include a thin film made of vanadium oxide, indium tin oxide (abbreviated as ITO), molybdenum oxide, or the like.

また有機EL素子は、封止のための封止膜または封止板などの封止部材で覆われてもよい。また基板に有機EL素子を設ける場合、通常基板側に陽極が配置されるが、基板側に陰極を配置するようにしてもよい。   The organic EL element may be covered with a sealing member such as a sealing film for sealing or a sealing plate. When an organic EL element is provided on a substrate, an anode is usually disposed on the substrate side, but a cathode may be disposed on the substrate side.

本実施の形態の有機EL素子は、発光層からの光を外に取出すために、通常、発光層を基準にして光が取出される側に配置される全ての層を透明なものとしている。一例として基板/陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極/封止部材という層構成を有する有機EL素子について説明すると、発光層からの光を基板側から取出す所謂ボトムエミッション型の有機EL素子の場合には、基板、陽極、電荷注入層及び正孔輸送層の全てを透明なものとし、発光層からの光を封止部材側から取出す所謂トップエミッション型の有機EL素子の場合には、電子輸送層、電荷注入層、陰極及び封止部材の全てを透明なものとする。また一例として基板/陰極/電荷注入層/電子輸送層/発光層/正孔輸送層/電荷注入層/陽極/封止部材という構成を有する有機EL素子について説明すると、ボトムエミッション型の素子の場合には、基板、陰極、電荷注入層および電子輸送層の全てを透明なものとし、トップエミッション型の有機EL素子の場合には、正孔輸送層、電荷注入層、陰極および封止部材の全てを透明なものとする。ここで透明の程度としては、光の取出される側の有機EL素子の最表面と、発光層との間の可視光透過率が40%以上のものが好ましい。紫外領域または赤外領域の発光が求められる有機EL素子の場合には、当該領域において40%以上の光透過率を示すものが好ましい。   In the organic EL element of the present embodiment, in order to extract light from the light emitting layer to the outside, all the layers arranged on the side from which light is extracted are usually transparent with respect to the light emitting layer. As an example, an organic EL device having a layer structure of substrate / anode / charge injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / charge injection layer / cathode / sealing member will be described. In the case of a so-called bottom emission type organic EL element that is taken out from the side, the substrate, the anode, the charge injection layer, and the hole transport layer are all transparent, and the so-called top that takes out light from the light emitting layer from the sealing member side. In the case of an emission type organic EL element, the electron transport layer, the charge injection layer, the cathode, and the sealing member are all transparent. As an example, an organic EL device having a structure of substrate / cathode / charge injection layer / electron transport layer / light emitting layer / hole transport layer / charge injection layer / anode / sealing member will be described. In the case of a bottom emission type device In the case of a top emission type organic EL element, all of the hole transport layer, the charge injection layer, the cathode and the sealing member are made transparent. Shall be transparent. Here, the degree of transparency is preferably such that the visible light transmittance between the outermost surface of the organic EL element on the light extraction side and the light emitting layer is 40% or more. In the case of an organic EL element that is required to emit light in the ultraviolet region or infrared region, one that exhibits a light transmittance of 40% or more in the region is preferable.

本実施の形態の有機EL素子は、さらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入性の改善のために、電極に隣接して膜厚2nm以下の絶縁層を設けてもよい。また界面での密着性向上や混合の防止などのために、前述した各層間に薄いバッファー層を挿入してもよい。   In the organic EL element of the present embodiment, an insulating layer having a thickness of 2 nm or less may be provided adjacent to the electrode in order to further improve the adhesion to the electrode and the charge injection property from the electrode. In addition, a thin buffer layer may be inserted between the above-mentioned layers in order to improve adhesion at the interface or prevent mixing.

積層する層の順序、層数、および各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜設定することができる。   The order of the layers to be laminated, the number of layers, and the thickness of each layer can be appropriately set in consideration of the light emission efficiency and the element lifetime.

次に、有機EL素子を構成する各層の材料および形成方法について、より具体的に説明する。   Next, the material and forming method of each layer constituting the organic EL element will be described more specifically.

<基板>
基板は、有機EL素子を製造する工程において変化しないものが好適に用いられ、例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、およびシリコン基板、並びにこれらを積層したものなどが用いられる。前記基板としては、市販のものが使用可能であり、また公知の方法により製造することができる。
<Board>
As the substrate, one that does not change in the process of manufacturing the organic EL element is suitably used. For example, glass, plastic, a polymer film, a silicon substrate, and a laminate of these are used. A commercially available substrate can be used as the substrate, and it can be produced by a known method.

<陽極>
陽極は、陽極を通して発光層からの光を取出す構成の有機EL素子の場合、透光性を示す電極が用いられる。透光性を示す電極としては、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物および金属などの薄膜を用いることができ、光透過率の高いものが好適に用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ITO、インジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide:略称IZO)、金、白金、銀、および銅などから成る薄膜が用いられ、これらの中でもITO、IZO、または酸化スズから成る薄膜が好適に用いられる。陽極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法などを挙げることができる。また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
<Anode>
In the case of an organic EL element configured to extract light from the light emitting layer through the anode, an electrode exhibiting translucency is used as the anode. As the electrode exhibiting translucency, thin films of metal oxides, metal sulfides, metals, and the like having high electrical conductivity can be used, and those having high light transmittance are preferably used. Specifically, a thin film made of indium oxide, zinc oxide, tin oxide, ITO, indium zinc oxide (abbreviated as IZO), gold, platinum, silver, copper, or the like is used. Among these, ITO, A thin film made of IZO or tin oxide is preferably used. Examples of a method for producing the anode include a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, and a plating method. Further, an organic transparent conductive film such as polyaniline or a derivative thereof, polythiophene or a derivative thereof may be used as the anode.

陽極には、光を反射する材料を用いてもよく、該材料としては、仕事関数3.0eV以上の金属、金属酸化物、金属硫化物が好ましい。   A material that reflects light may be used for the anode, and the material is preferably a metal, metal oxide, or metal sulfide having a work function of 3.0 eV or more.

陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができ、例えば10nm〜10μmであり、好ましくは20nm〜1μmであり、さらに好ましくは50nm〜500nmである。   The film thickness of the anode can be appropriately selected in consideration of light transmittance and electrical conductivity, and is, for example, 10 nm to 10 μm, preferably 20 nm to 1 μm, and more preferably 50 nm to 500 nm. .

<正孔注入層>
正孔注入層を構成する正孔注入材料としては、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、および酸化アルミニウムなどの酸化物や、フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、アモルファスカーボン、ポリアニリン、およびポリチオフェン誘導体などを挙げることができる。
<Hole injection layer>
As the hole injection material constituting the hole injection layer, oxides such as vanadium oxide, molybdenum oxide, ruthenium oxide, and aluminum oxide, phenylamine type, starburst type amine type, phthalocyanine type, amorphous carbon, polyaniline, And polythiophene derivatives.

正孔注入層の成膜方法としては、例えば正孔注入材料を含む溶液からの成膜を挙げることができる。溶液からの成膜に用いられる溶媒としては、正孔注入材料を溶解させるものであれば特に制限はなく、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタンなどの塩素系溶媒、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテートなどのエステル系溶媒、および水を挙げることができる。   Examples of the method for forming the hole injection layer include film formation from a solution containing a hole injection material. The solvent used for film formation from a solution is not particularly limited as long as it dissolves the hole injection material. Chlorine solvents such as chloroform, methylene chloride, dichloroethane, ether solvents such as tetrahydrofuran, toluene, xylene And aromatic hydrocarbon solvents such as acetone, ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone, ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate and ethyl cellosolve acetate, and water.

溶液からの成膜方法としては、前述した本実施の形態の塗布方法を用いて成膜することが好ましく、本実施の形態の塗布方法以外には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法などの塗布法を挙げることができる。   As a film-forming method from a solution, it is preferable to form a film using the coating method of this Embodiment mentioned above, In addition to the coating method of this Embodiment, a spin coat method, a casting method, a micro gravure coat method And coating methods such as gravure coating method, bar coating method, roll coating method, wire bar coating method, dip coating method, spray coating method, screen printing method, flexographic printing method, offset printing method, and inkjet printing method. .

正孔注入層の膜厚は、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように適宜設定され、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなるので好ましくない。従って正孔注入層の膜厚は、例えば1nm〜1μmであり、好ましくは2nm〜500nmであり、さらに好ましくは5nm〜200nmである。   The film thickness of the hole injection layer varies depending on the material used, and is set as appropriate so that the drive voltage and light emission efficiency are appropriate. If it is thick, the driving voltage of the element increases, which is not preferable. Therefore, the film thickness of the hole injection layer is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.

<正孔輸送層>
正孔輸送層を構成する正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)若しくはその誘導体、又はポリ(2,5−チエニレンビニレン)若しくはその誘導体などを挙げることができる。
<Hole transport layer>
As the hole transport material constituting the hole transport layer, polyvinylcarbazole or a derivative thereof, polysilane or a derivative thereof, a polysiloxane derivative having an aromatic amine in a side chain or a main chain, a pyrazoline derivative, an arylamine derivative, a stilbene derivative, Triphenyldiamine derivative, polyaniline or derivative thereof, polythiophene or derivative thereof, polyarylamine or derivative thereof, polypyrrole or derivative thereof, poly (p-phenylene vinylene) or derivative thereof, or poly (2,5-thienylene vinylene) or Examples thereof include derivatives thereof.

これらの中で正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)若しくはその誘導体、又はポリ(2,5−チエニレンビニレン)若しくはその誘導体などの高分子正孔輸送材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。   Among these, hole transport materials include polyvinyl carbazole or derivatives thereof, polysilane or derivatives thereof, polysiloxane derivatives having aromatic amine compound groups in the side chain or main chain, polyaniline or derivatives thereof, polythiophene or derivatives thereof, poly Polymeric hole transport materials such as arylamine or derivatives thereof, poly (p-phenylene vinylene) or derivatives thereof, or poly (2,5-thienylene vinylene) or derivatives thereof are preferred, and polyvinylcarbazole or derivatives thereof are more preferred. , Polysilane or a derivative thereof, and a polysiloxane derivative having an aromatic amine in the side chain or main chain. In the case of a low-molecular hole transport material, it is preferably used by being dispersed in a polymer binder.

正孔輸送層の成膜方法としては、特に制限はないが、低分子の正孔輸送材料では、高分子バインダーと正孔輸送材料とを含む混合液からの成膜を挙げることができ、高分子の正孔輸送材料では、正孔輸送材料を含む溶液からの成膜を挙げることができる。   The method for forming the hole transport layer is not particularly limited, but in the case of a low molecular hole transport material, film formation from a mixed solution containing a polymer binder and a hole transport material can be exemplified. Examples of molecular hole transport materials include film formation from a solution containing a hole transport material.

溶液からの成膜に用いられる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであれば特に制限はなく、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタンなどの塩素系溶媒、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、トルエン、キシレン、アニソール、テトラリン、シクロヘキシルベンゼンなどの芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテートなどのエステル系溶媒などを挙げることができる。   The solvent used for film formation from a solution is not particularly limited as long as it can dissolve a hole transport material. Chlorine solvents such as chloroform, methylene chloride, dichloroethane, ether solvents such as tetrahydrofuran, toluene, xylene And aromatic hydrocarbon solvents such as anisole, tetralin and cyclohexylbenzene, ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone, and ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate and ethyl cellosolve acetate.

溶液からの成膜方法としては、前述した本実施の形態の塗布方法を用いて成膜することが好ましく、本実施の形態の塗布方法以外には、前述した正孔中注入層の成膜法と同様の塗布法を挙げることができる。   As a film forming method from a solution, it is preferable to form a film using the above-described coating method of the present embodiment. Besides the coating method of the present embodiment, the above-described film forming method of the in-hole injection layer The same coating method can be mentioned.

混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収の弱いものが好適に用いられ、例えばポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサンなどを挙げることができる。   As the polymer binder to be mixed, those that do not extremely inhibit charge transport are preferable, and those that weakly absorb visible light are preferably used. For example, polycarbonate, polyacrylate, polymethyl acrylate, polymethyl methacrylate, polystyrene, poly Examples thereof include vinyl chloride and polysiloxane.

正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように適宜設定され、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層の膜厚は、例えば1nm〜1μmであり、好ましくは2nm〜500nmであり、さらに好ましくは5nm〜200nmである。   As the film thickness of the hole transport layer, the optimum value varies depending on the material to be used, the drive voltage and the light emission efficiency are appropriately set so as to have an appropriate value, and at least a thickness that does not cause pinholes is required. If the thickness is too thick, the drive voltage of the element becomes high, which is not preferable. Therefore, the film thickness of the hole transport layer is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.

<発光層>
発光層は、通常、主として蛍光及び/又はりん光を発光する有機物、または該有機物とこれを補助するドーパントとから形成される。ドーパントは、発光効率の向上や発光波長を変化させるなどの目的で加えられる。なお、有機物は、低分子化合物でも高分子化合物でもよい。発光層を構成する発光材料としては、例えば以下の色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料、ドーパント材料を挙げることができる。
(色素系材料)
色素系材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体などを挙げることができる。
(金属錯体系材料)
金属錯体系材料としては、例えば中心金属に、Al、Zn、Beなど、またはTb、Eu、Dyなどの希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを有する金属錯体を挙げることができ、例えばイリジウム錯体、白金錯体などの三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体などを挙げることができる。
(高分子系材料)
高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素系材料や金属錯体系発光材料を高分子化したものなどを挙げることができる。
<Light emitting layer>
The light emitting layer is usually formed of an organic substance that mainly emits fluorescence and / or phosphorescence, or an organic substance and a dopant that assists the organic substance. The dopant is added for the purpose of improving the luminous efficiency and changing the emission wavelength. The organic substance may be a low molecular compound or a high molecular compound. Examples of the light emitting material constituting the light emitting layer include the following dye materials, metal complex materials, polymer materials, and dopant materials.
(Dye material)
Examples of dye-based materials include cyclopentamine derivatives, tetraphenylbutadiene derivative compounds, triphenylamine derivatives, oxadiazole derivatives, pyrazoloquinoline derivatives, distyrylbenzene derivatives, distyrylarylene derivatives, pyrrole derivatives, thiophene ring compounds. Pyridine ring compounds, perinone derivatives, perylene derivatives, oligothiophene derivatives, trifumanylamine derivatives, oxadiazole dimers, pyrazoline dimers, quinacridone derivatives, coumarin derivatives, and the like.
(Metal complex materials)
Examples of the metal complex material include Al, Zn, Be, etc. as a central metal, or rare earth metals such as Tb, Eu, Dy, etc., and oxadiazole, thiadiazole, phenylpyridine, phenylbenzimidazole, as a ligand, Examples include metal complexes having a quinoline structure, such as metal complexes having light emission from triplet excited states such as iridium complexes and platinum complexes, aluminum quinolinol complexes, benzoquinolinol beryllium complexes, benzoxazolyl zinc complexes, benzoates. Examples include a thiazole zinc complex, an azomethyl zinc complex, a porphyrin zinc complex, and a europium complex.
(Polymer material)
As polymer materials, polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, polyparaphenylene derivatives, polysilane derivatives, polyacetylene derivatives, polyfluorene derivatives, polyvinylcarbazole derivatives, the above dye materials and metal complex light emitting materials are polymerized. The thing etc. can be mentioned.

上記発光性材料のうち、青色に発光する材料としては、ジスチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、およびそれらの重合体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体やポリフルオレン誘導体などが好ましい。   Among the light-emitting materials, materials that emit blue light include distyrylarylene derivatives, oxadiazole derivatives, and polymers thereof, polyvinylcarbazole derivatives, polyparaphenylene derivatives, and polyfluorene derivatives. Of these, polymer materials such as polyvinyl carbazole derivatives, polyparaphenylene derivatives, and polyfluorene derivatives are preferred.

また、緑色に発光する材料としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが好ましい。   Examples of materials that emit green light include quinacridone derivatives, coumarin derivatives, and polymers thereof, polyparaphenylene vinylene derivatives, polyfluorene derivatives, and the like. Of these, polymer materials such as polyparaphenylene vinylene derivatives and polyfluorene derivatives are preferred.

また、赤色に発光する材料としては、クマリン誘導体、チオフェン環化合物、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが好ましい。   Examples of materials that emit red light include coumarin derivatives, thiophene ring compounds, and polymers thereof, polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, and polyfluorene derivatives. Among these, polymer materials such as polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, and polyfluorene derivatives are preferable.

(ドーパント材料)
ドーパント材料としては、例えばペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンなどを挙げることができる。なお、このような発光層の厚さは、通常約2nm〜200nmである。
(Dopant material)
Examples of the dopant material include perylene derivatives, coumarin derivatives, rubrene derivatives, quinacridone derivatives, squalium derivatives, porphyrin derivatives, styryl dyes, tetracene derivatives, pyrazolone derivatives, decacyclene, phenoxazone, and the like. In addition, the thickness of such a light emitting layer is usually about 2 nm-200 nm.

<発光層の成膜方法>
発光層の成膜方法としては、発光材料を含む溶液を塗布する方法、真空蒸着法、転写法などを用いることができる。溶液からの成膜に用いる溶媒としては、前述の溶液から正孔輸送層を成膜する際に用いられる溶媒と同様の溶媒を挙げることができる。
<Method for forming light emitting layer>
As a method for forming the light emitting layer, a method of applying a solution containing a light emitting material, a vacuum deposition method, a transfer method, or the like can be used. Examples of the solvent used for film formation from a solution include the same solvents as those used for forming a hole transport layer from the above solution.

発光材料を含む溶液を塗布する方法としては、前述した本実施の形態の塗布方法を用いて成膜することが好ましく、本実施の形態の塗布方法以外には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法およびノズルコート法などのコート法、並びにグラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法などの塗布法を挙げることができる。パターン形成や多色の塗分けが容易であるという点で、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法などの印刷法が好ましい。また、昇華性を示す低分子化合物の場合には、真空蒸着法を用いることができる。さらには、レーザーによる転写や熱転写により、所望のところのみに発光層を形成する方法も用いることができる。   As a method for applying a solution containing a light emitting material, it is preferable to form a film using the above-described application method of this embodiment. Besides the application method of this embodiment, spin coating, casting, micro Gravure coating method, gravure coating method, bar coating method, roll coating method, wire bar coating method, dip coating method, slit coating method, capillary coating method, coating method such as spray coating method and nozzle coating method, and gravure printing method, Application methods such as a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, a reverse printing method, and an inkjet printing method can be given. A printing method such as a gravure printing method, a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, a reverse printing method, and an ink jet printing method is preferable in that pattern formation and multicolor coating are easy. In the case of a low molecular compound exhibiting sublimability, a vacuum deposition method can be used. Furthermore, a method of forming a light emitting layer only at a desired place by laser transfer or thermal transfer can be used.

<電子輸送層>
電子輸送層を構成する電子輸送材料としては、公知のものを使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、又は8−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体などを挙げることができる。
<Electron transport layer>
As the electron transport material constituting the electron transport layer, known materials can be used, such as oxadiazole derivatives, anthraquinodimethane or derivatives thereof, benzoquinone or derivatives thereof, naphthoquinone or derivatives thereof, anthraquinones or derivatives thereof, tetracyanoanthra Quinodimethane or derivatives thereof, fluorenone derivatives, diphenyldicyanoethylene or derivatives thereof, diphenoquinone derivatives, or metal complexes of 8-hydroxyquinoline or derivatives thereof, polyquinoline or derivatives thereof, polyquinoxaline or derivatives thereof, polyfluorene or derivatives thereof, etc. Can be mentioned.

これらのうち、電子輸送材料としては、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、又は8−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体が好ましく、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス(8−キノリノール)アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。   Among these, as an electron transport material, an oxadiazole derivative, benzoquinone or a derivative thereof, anthraquinone or a derivative thereof, a metal complex of 8-hydroxyquinoline or a derivative thereof, a polyquinoline or a derivative thereof, a polyquinoxaline or a derivative thereof, a polyfluorene Or a derivative thereof is preferable, and 2- (4-biphenylyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, benzoquinone, anthraquinone, tris (8-quinolinol) aluminum, and polyquinoline are further included. preferable.

電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子の電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、または溶液若しくは溶融状態からの成膜を挙げることができ、高分子の電子輸送材料では溶液または溶融状態からの成膜を挙げることができる。なお溶液または溶融状態からの成膜する場合には、高分子バインダーを併用してもよい。溶液から電子輸送層を成膜する方法としては、前述した本実施の形態の塗布方法を用いて成膜することが好ましく、本実施の形態の塗布方法以外には、前述の溶液から正孔輸送層を成膜する方法と同様の成膜法を挙げることができる。   There are no particular restrictions on the method for forming the electron transport layer, but for low molecular weight electron transport materials, vacuum deposition from powder or film formation from a solution or a molten state can be used. Examples of the material include film formation from a solution or a molten state. In the case of forming a film from a solution or a molten state, a polymer binder may be used in combination. As a method of forming an electron transport layer from a solution, it is preferable to form a film using the coating method of the present embodiment described above. In addition to the coating method of the present embodiment, hole transport from the above solution is performed. A film formation method similar to the method of forming a layer can be given.

電子輸送層の膜厚は、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように適宜設定され、少なくともピンホールが発しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って該電子輸送層の膜厚としては、例えば1nm〜1μmであり、好ましくは2nm〜500nmであり、さらに好ましくは5nm〜200nmである。   The film thickness of the electron transport layer varies depending on the material used, and is set appropriately so that the drive voltage and the light emission efficiency are appropriate, and at least a thickness that does not cause pinholes is required, and is too thick. In such a case, the driving voltage of the element increases, which is not preferable. Therefore, the film thickness of the electron transport layer is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.

<電子注入層>
電子注入層を構成する材料としては、発光層の種類に応じて最適な材料が適宜選択され、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属およびアルカリ土類金属のうちの1種類以上含む合金、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物、またはこれらの物質の混合物などを挙げることができる。アルカリ金属、アルカリ金属の酸化物、ハロゲン化物、および炭酸化物の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、酸化ルビジウム、フッ化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化セシウム、炭酸リチウムなどを挙げることができる。また、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物の例としては、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、フッ化ストロンチウム、炭酸マグネシウムなどを挙げることができる。電子注入層は、2層以上を積層した積層体で構成されてもよく、例えばLiF/Caなどを挙げることができる。電子注入層は、蒸着法、スパッタリング法、印刷法などにより形成される。電子注入層の膜厚としては、1nm〜1μm程度が好ましい。
<Electron injection layer>
As the material constituting the electron injecting layer, an optimum material is appropriately selected according to the type of the light emitting layer, and an alloy containing at least one of alkali metal, alkaline earth metal, alkali metal and alkaline earth metal, alkali A metal or alkaline earth metal oxide, halide, carbonate, or a mixture of these substances can be given. Examples of alkali metals, alkali metal oxides, halides, and carbonates include lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, lithium oxide, lithium fluoride, sodium oxide, sodium fluoride, potassium oxide, potassium fluoride , Rubidium oxide, rubidium fluoride, cesium oxide, cesium fluoride, lithium carbonate, and the like. Examples of alkaline earth metals, alkaline earth metal oxides, halides and carbonates include magnesium, calcium, barium, strontium, magnesium oxide, magnesium fluoride, calcium oxide, calcium fluoride, barium oxide, Examples thereof include barium fluoride, strontium oxide, strontium fluoride, and magnesium carbonate. The electron injection layer may be composed of a laminate in which two or more layers are laminated, and examples thereof include LiF / Ca. The electron injection layer is formed by vapor deposition, sputtering, printing, or the like. The thickness of the electron injection layer is preferably about 1 nm to 1 μm.

<陰極>
陰極の材料としては、仕事関数の小さく、発光層への電子注入が容易で、電気伝導度の高い材料が好ましい。また陽極側から光を取出す有機EL素子では、発光層からの光を陰極で陽極側に反射するために、陰極の材料としては可視光反射率の高い材料が好ましい。陰極には、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属およびIII−B族金属などを用いることができる。陰極の材料としては、例えばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、前記金属のうちの2種以上の合金、前記金属のうちの1種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの1種以上との合金、またはグラファイト若しくはグラファイト層間化合物などが用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などを挙げることができる。また、陰極としては導電性金属酸化物および導電性有機物などから成る透明導電性電極を用いることができる。具体的には、導電性金属酸化物として酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ITO、およびIZOを挙げることができ、導電性有機物としてポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などを挙げることができる。なお、陰極は、2層以上を積層した積層体で構成されていてもよい。なお、電子注入層が陰極として用いられる場合もある。
<Cathode>
As a material for the cathode, a material having a small work function, easy electron injection into the light emitting layer, and high electrical conductivity is preferable. Moreover, in the organic EL element which takes out light from the anode side, since the light from the light emitting layer is reflected to the anode side by the cathode, a material having a high visible light reflectance is preferable as the cathode material. For the cathode, for example, an alkali metal, an alkaline earth metal, a transition metal, a group III-B metal, or the like can be used. Examples of the cathode material include lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, beryllium, magnesium, calcium, strontium, barium, aluminum, scandium, vanadium, zinc, yttrium, indium, cerium, samarium, europium, terbium, ytterbium, and the like. A metal, two or more alloys of the metals, one or more of the metals, and one or more of gold, silver, platinum, copper, manganese, titanium, cobalt, nickel, tungsten, tin An alloy, graphite, or a graphite intercalation compound is used. Examples of alloys include magnesium-silver alloys, magnesium-indium alloys, magnesium-aluminum alloys, indium-silver alloys, lithium-aluminum alloys, lithium-magnesium alloys, lithium-indium alloys, calcium-aluminum alloys, and the like. it can. As the cathode, a transparent conductive electrode made of a conductive metal oxide, a conductive organic material, or the like can be used. Specifically, examples of the conductive metal oxide include indium oxide, zinc oxide, tin oxide, ITO, and IZO, and examples of the conductive organic substance include polyaniline or a derivative thereof, polythiophene or a derivative thereof, and the like. The cathode may be composed of a laminate in which two or more layers are laminated. In some cases, the electron injection layer is used as a cathode.

陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して適宜設定され、例えば10nm〜10μmであり、好ましくは20nm〜1μmであり、さらに好ましくは50nm〜500nmである。   The film thickness of the cathode is appropriately set in consideration of electric conductivity and durability, and is, for example, 10 nm to 10 μm, preferably 20 nm to 1 μm, and more preferably 50 nm to 500 nm.

陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法などを挙げることができる。   Examples of the method for producing the cathode include a vacuum deposition method, a sputtering method, and a laminating method in which a metal thin film is thermocompression bonded.

<絶縁層>
絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料などを挙げることができる。膜厚2nm以下の絶縁層を設けた有機EL素子としては、陰極に隣接して膜厚2nm以下の絶縁層を設けたもの、陽極に隣接して膜厚2nm以下の絶縁層を設けたものを挙げることができる。
<Insulating layer>
Examples of the material for the insulating layer include metal fluorides, metal oxides, and organic insulating materials. As an organic EL element provided with an insulating layer having a thickness of 2 nm or less, an organic EL element having an insulating layer having a thickness of 2 nm or less adjacent to the cathode and an insulating layer having a thickness of 2 nm or less adjacent to the anode are provided. Can be mentioned.

本実施の形態の有機EL素子は、面状光源、セグメント表示装置およびドットマトリックス表示装置の光源、並びに液晶表示装置のバックライトとして用いることができる。   The organic EL element of the present embodiment can be used as a planar light source, a light source of a segment display device and a dot matrix display device, and a backlight of a liquid crystal display device.

本実施の形態の有機EL素子を面状光源として用いる場合には、例えば面状の陽極と陰極とを積層方向の一方から見て重なり合うように配置すればよい。またセグメント表示装置の光源としてパターン状に発光する有機EL素子を構成するには、光を通す窓がパターン状に形成されたマスクを前記面状光源の表面に設置する方法、消光すべき部位の有機物層を極端に厚く形成して実質的に非発光とする方法、陽極および陰極のうちの少なくともいずれか一方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらの方法でパターン状に発光する有機EL素子を形成するとともに、いくつかの電極に対して選択的に電圧を印加できるように配線を施すことによって、数字や文字、簡単な記号などを表示可能なセグメントタイプ表示装置を実現することができる。ドットマトリックス表示装置の光源とするためには、陽極と陰極とをそれぞれストライプ状に形成して、積層方向の一方からみて互いに直交するように配置すればよい。部分カラー表示、マルチカラー表示が可能なドットマトリックス表示装置を実現するためには、発光色の異なる複数の種類の発光材料を塗り分ける方法、並びにカラーフィルターおよび蛍光変換フィルターなどを用いる方法を用いればよい。ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動してもよく、TFTなどと組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダーなどの表示装置として用いることができる。   When the organic EL element of the present embodiment is used as a planar light source, for example, a planar anode and a cathode may be arranged so as to overlap each other when viewed from one side in the stacking direction. In order to construct an organic EL element that emits light in a pattern as a light source of a segment display device, a method of installing a mask having a light-transmitting window formed in a pattern on the surface of the planar light source, There are a method in which the organic layer is formed extremely thick to make it substantially non-light-emitting, and a method in which at least one of the anode and the cathode is formed in a pattern. By forming organic EL elements that emit light in a pattern using these methods and wiring to selectively apply voltage to several electrodes, numbers, letters, simple symbols, etc. can be displayed. A segment type display device can be realized. In order to use the light source of the dot matrix display device, the anode and the cathode may be formed in stripes and arranged so as to be orthogonal to each other when viewed from one side in the stacking direction. In order to realize a dot matrix display device capable of partial color display and multi-color display, a method of separately coating a plurality of types of light emitting materials having different emission colors and a method using a color filter, a fluorescence conversion filter, and the like are used. Good. The dot matrix display device may be passively driven or may be actively driven in combination with a TFT or the like. These display devices can be used as display devices for computers, televisions, mobile terminals, mobile phones, car navigation systems, video camera viewfinders, and the like.

さらに、前記面状光源は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト、あるいは面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。   Furthermore, the planar light source is a self-luminous thin type and can be suitably used as a backlight of a liquid crystal display device or a planar illumination light source. If a flexible substrate is used, it can be used as a curved light source or display device.

塗布方向Xの長さが200mm、幅方向Yの長さが200mm、厚みが0.7mmのガラス基板上に塗布液を塗布した。塗布液の溶媒としては、アニソールとシクロヘキシルベンゼンとを重量比1:1で混合した混合溶媒を用い、発光材料としては、サメイション製のSW006を用いた。この発光材料は、白色光を発光する材料である。塗布液における発光材料の割合を0.8重量%とした。   The coating solution was applied on a glass substrate having a length in the coating direction X of 200 mm, a length in the width direction Y of 200 mm, and a thickness of 0.7 mm. As a solvent for the coating solution, a mixed solvent in which anisole and cyclohexylbenzene were mixed at a weight ratio of 1: 1 was used, and as a luminescent material, SW006 manufactured by Summation was used. This luminescent material is a material that emits white light. The ratio of the luminescent material in the coating solution was 0.8% by weight.

定盤、タンクおよびノズルの変位は、それぞれ図2のタイムチャートに示す順序で行った。時刻t1から時刻t2までのタンクの上昇速度を0.1m/minとし、時刻t5から時刻t6までのタンクの下降速度を0.25m/minとした。また時刻t3からt4までのノズルの上昇速度を1.0m/minとし、時刻t5から時刻t6までのノズルの下降速度を1.0m/minとした。さらに時刻t7から時刻t8までの定盤の速度を、0.5m/minとした。また時刻t7において、定盤の速度が0m/minから0.5m/minに達するまでの加速時間を、3sec(秒)とした。また時刻t4から時刻t5までの基板とノズルとの間隔を8μmとし、時刻t7から時刻t8までの基板とノズルとの間隔を220μmとした。   The displacement of the surface plate, the tank and the nozzle was performed in the order shown in the time chart of FIG. The tank rising speed from time t1 to time t2 was 0.1 m / min, and the tank lowering speed from time t5 to time t6 was 0.25 m / min. The nozzle ascending speed from time t3 to t4 was 1.0 m / min, and the nozzle descending speed from time t5 to time t6 was 1.0 m / min. Furthermore, the speed of the surface plate from time t7 to time t8 was set to 0.5 m / min. Further, at time t7, the acceleration time until the speed of the surface plate reaches from 0 m / min to 0.5 m / min was set to 3 sec (seconds). The interval between the substrate and the nozzle from time t4 to time t5 was 8 μm, and the interval between the substrate and the nozzle from time t7 to time t8 was 220 μm.

(比較例1)
比較例1として、ノズルの上昇速度および下降速度のみを異ならせたこと以外は実施例1と同様にして塗布液を塗布した。時刻t3から時刻t4までのノズルの上昇速度を0.25m/minとし、時刻t5から時刻t6までのノズルの下降速度を0.05m/minとした。
(Comparative Example 1)
As Comparative Example 1, the coating liquid was applied in the same manner as in Example 1 except that only the nozzle ascending speed and descending speed were changed. The nozzle rising speed from time t3 to time t4 was 0.25 m / min, and the nozzle lowering speed from time t5 to time t6 was 0.05 m / min.

(参考例1)
参考例1として、タンクの上昇速度および下降速度のみを異ならせたこと以外は比較例1と同様にして塗布液を塗布した。時刻t1から時刻t2までのタンクの上昇速度を3.0m/minとし、時刻t5から時刻t6までのタンクの下降速度を3.0m/minとした。
(Reference Example 1)
As Reference Example 1, the coating solution was applied in the same manner as in Comparative Example 1 except that only the ascending speed and descending speed of the tank were changed. The ascending speed of the tank from time t1 to time t2 was set to 3.0 m / min, and the descending speed of the tank from time t5 to time t6 was set to 3.0 m / min.

(参考例2)
参考例2として、時刻t7における定盤の加速度のみを異ならせたこと以外は比較例1と同様にして塗布液を塗布した。時刻t7において、定盤の速度が0m/minから0.5m/minに達するまでに要する加速時間を、0.1secとした。
(Reference Example 2)
As Reference Example 2, the coating solution was applied in the same manner as Comparative Example 1 except that only the acceleration of the surface plate at time t7 was changed. At time t7, the acceleration time required for the platen speed to reach 0.5 m / min from 0 m / min was set to 0.1 sec.

(評価)
光干渉膜厚計((株)菱化システム社製「三次元非接触表面形状計測システム」MM557N-M100型)を用いて、実施例1、比較例1、参考例1、参考例2で塗布した塗膜の膜厚を測定した。測定結果を図3に示す。図3では、横軸は基板の塗布方向の長さを表し、縦軸は塗膜の膜厚を表す。基板の塗布方向の一端を0mmとした。
(Evaluation)
Coating was performed in Example 1, Comparative Example 1, Reference Example 1, and Reference Example 2 using an optical interference film thickness meter (“3-dimensional non-contact surface shape measurement system MM557N-M100 type” manufactured by Ryoka Systems Co., Ltd.). The film thickness of the coated film was measured. The measurement results are shown in FIG. In FIG. 3, the horizontal axis represents the length of the substrate in the coating direction, and the vertical axis represents the film thickness of the coating film. One end of the substrate in the coating direction was set to 0 mm.

図3に示すように、比較例1に比べると、実施例1では塗布開始位置から急激に膜厚が薄くなり、塗り始めから可及的速やかに塗膜の膜厚が一定になることを観測した。このように、塗布の開始する時刻t7以前の工程においてノズルの上昇速度および下降速度を調整することで、塗り始めから塗膜の膜厚が一定になるまでの距離が短くなることを確認した。また参考例1および参考例2の膜厚の変化から、タンクの上昇速度および下降速度、並びに定盤の加速度を変更することで、塗り始めから塗膜の膜厚が一定になるまでの距離が短くなることを確認した。   As shown in FIG. 3, in comparison with Comparative Example 1, it was observed that in Example 1, the film thickness suddenly decreased from the application start position, and the film thickness of the coating film became constant as soon as possible from the start of application. did. Thus, it was confirmed that the distance from the start of coating to the film thickness of the coating film becomes shorter by adjusting the rising speed and the lowering speed of the nozzle in the process before time t7 when the application starts. Moreover, the distance from the start of coating to the film thickness of the coating film becomes constant by changing the ascending speed and descending speed of the tank and the acceleration of the surface plate from the change in the film thickness of Reference Example 1 and Reference Example 2. It was confirmed that it became shorter.

(参考例3)
参考例3として比較例1と同様にして塗布液を塗布した。なお図4に示す参考例3の結果は比較例1の結果とは異なるが、この差異は、装置をセッティングする際に生じる初期設定の微妙な差異に起因するものと思われる。
(Reference Example 3)
As Reference Example 3, the coating solution was applied in the same manner as Comparative Example 1. Although the result of Reference Example 3 shown in FIG. 4 is different from the result of Comparative Example 1, this difference seems to be caused by a subtle difference in the initial setting that occurs when setting the apparatus.

(参考例4)
参考例4として、塗布液を塗布する際のノズルと基板との間隔を異ならせたこと以外は参考例3と同様にして塗布液を塗布した。時刻t7からt8までの基板とノズルとの間隔を320μmとした。
(Reference Example 4)
As Reference Example 4, the coating solution was applied in the same manner as in Reference Example 3 except that the distance between the nozzle and the substrate when applying the coating solution was varied. The distance between the substrate and the nozzle from time t7 to t8 was 320 μm.

(参考例5)
参考例5として、塗布液を塗布する際のノズルと基板との間隔を異ならせたこと以外は参考例3と同様にして塗布液を塗布した。時刻t7から時刻t8までの基板とノズルとの間隔を70μmとした。
(Reference Example 5)
As Reference Example 5, the coating solution was applied in the same manner as Reference Example 3 except that the distance between the nozzle and the substrate when applying the coating solution was changed. The interval between the substrate and the nozzle from time t7 to time t8 was 70 μm.

(参考例6)
参考例6として、塗布液を塗布する際の定盤の速度およびタンク4の塗布位置のみを異ならせたこと以外は参考例3と同様にして塗布液を塗布した。時刻t7から時刻t8までの定盤の速度を1.0m/minとし、タンク塗布位置を2mm下降させた。なおタンク4の塗布位置を変更したのは、速度を高くすると膜厚が厚くなるので、膜厚を参考例3と同程度にするためである。
(Reference Example 6)
As Reference Example 6, the coating solution was applied in the same manner as Reference Example 3 except that only the speed of the platen when applying the coating solution and the application position of the tank 4 were changed. The speed of the surface plate from time t7 to time t8 was 1.0 m / min, and the tank application position was lowered by 2 mm. The reason why the application position of the tank 4 is changed is that the film thickness becomes thicker when the speed is increased.

(評価)
前述の光干渉膜厚計によって、参考例3〜6で塗布した塗膜の膜厚を測定した。測定結果を図4に示す。図4では、横軸は基板の塗布方向の長さを表し、縦軸は塗膜の膜厚を表す。基板の塗布方向の一端を0mmとした。
(Evaluation)
The film thickness of the coating film applied in Reference Examples 3 to 6 was measured with the above-described optical interference film thickness meter. The measurement results are shown in FIG. In FIG. 4, the horizontal axis represents the length in the coating direction of the substrate, and the vertical axis represents the film thickness of the coating film. One end of the substrate in the coating direction was set to 0 mm.

図4に示すように、参考例3〜5では、塗布液を塗布する際のノズルと基板との間隔がそれぞれ異なるのみであるが、基板とノズルとの間隔を3つのなかで最も広い320μmにすると(参考例4)、塗り始めから塗膜の膜厚が一定になるまでの距離が短くなることを確認した。また参考例6のように、塗布液を塗布する際の定盤の速度を1.0m/minと高くすると、塗り始めから塗膜の膜厚が一定になるまでの距離が短くなることを確認した。   As shown in FIG. 4, in Reference Examples 3 to 5, only the distance between the nozzle and the substrate when applying the coating liquid is different, but the distance between the substrate and the nozzle is the widest 320 μm among the three. Then (Reference Example 4), it was confirmed that the distance from the beginning of coating until the film thickness of the coating film became constant was shortened. Also, as in Reference Example 6, when the speed of the platen when applying the coating liquid was increased to 1.0 m / min, it was confirmed that the distance from the start of coating until the film thickness of the coating film became constant was shortened did.

実施例1と同じガラス基板上に、実施例1と同じ塗布液を塗布した。定盤、タンクおよびノズルの変位は、図2のタイムチャートに示す順序で行った。時刻t1から時刻t2までのタンクの上昇速度を3.0m/minとし、時刻t5から時刻t6までのタンクの下降速度を3.0m/minとした。また時刻t3から時刻t4までのノズルの上昇速度を1.0m/minとし、時刻t5から時刻t6までのノズルの下降速度を1.0m/minとした。さらに時刻t7からt8までの定盤の速度を、1.0m/minとした。また時刻t7において、定盤の速度が0m/minから1.0m/minに達するまでの加速時間を、0.1 secとした。また時刻t7から時刻t8までの基板とノズルとの間隔を320μmとした。   On the same glass substrate as in Example 1, the same coating solution as in Example 1 was applied. The displacement of the surface plate, the tank and the nozzle was performed in the order shown in the time chart of FIG. The ascending speed of the tank from time t1 to time t2 was set to 3.0 m / min, and the descending speed of the tank from time t5 to time t6 was set to 3.0 m / min. The nozzle ascending speed from time t3 to time t4 was 1.0 m / min, and the nozzle descending speed from time t5 to time t6 was 1.0 m / min. Furthermore, the speed of the surface plate from time t7 to t8 was 1.0 m / min. Further, at time t7, the acceleration time until the speed of the surface plate reaches from 0 m / min to 1.0 m / min was set to 0.1 sec. The distance between the substrate and the nozzle from time t7 to time t8 was 320 μm.

(比較例2)
比較例2として比較例1と同様にして塗布液を塗布した。なお図5に示す比較例2の結果は比較例1の結果とは異なるが、この差異は、装置をセッティングする際に生じる初期設定の微妙な差異に起因するものと思われる。
(Comparative Example 2)
As Comparative Example 2, the coating solution was applied in the same manner as Comparative Example 1. Although the result of Comparative Example 2 shown in FIG. 5 is different from the result of Comparative Example 1, this difference seems to be caused by a subtle difference in the initial setting that occurs when setting the apparatus.

(評価)
前述の光干渉膜厚計を用いて、実施例2、比較例2で塗布した塗膜の膜厚を測定した。測定結果を図5に示す。図5では、横軸は基板の塗布方向の長さを表し、縦軸は塗膜の膜厚を表す。基板の塗布方向の一端を0mmとした。
(Evaluation)
The film thickness of the coating film applied in Example 2 and Comparative Example 2 was measured using the above-described optical interference film thickness meter. The measurement results are shown in FIG. In FIG. 5, the horizontal axis represents the length of the substrate in the coating direction, and the vertical axis represents the film thickness of the coating film. One end of the substrate in the coating direction was set to 0 mm.

図5に示すように、実施例2の条件とすることで、塗り始めから塗膜の膜厚が一定になるまでの距離が短くなることを確認した。   As shown in FIG. 5, it was confirmed that the distance from the start of coating until the film thickness of the coating film became constant was shortened by using the conditions of Example 2.

発光層を形成するために用いられるキャップコーターシステム1を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the cap coater system 1 used in order to form a light emitting layer. 定盤2、タンク4およびノズル3の各位置の時間変化を示すタイムチャートである。4 is a time chart showing temporal changes in positions of the surface plate 2, the tank 4 and the nozzle 3. 実施例1、比較例1、参考例1、参考例2で塗布した塗膜の膜厚を示す図である。It is a figure which shows the film thickness of the coating film applied in Example 1, Comparative Example 1, Reference Example 1, and Reference Example 2. 参考例3〜6で塗布した塗膜の膜厚を示す図である。It is a figure which shows the film thickness of the coating film apply | coated by the reference examples 3-6. 実施例2、比較例2で塗布した塗膜の膜厚を示す図である。It is a figure which shows the film thickness of the coating film apply | coated in Example 2 and Comparative Example 2. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1 キャップコーターシステム
2 定盤
3 ノズル
4 タンク
5 塗布液供給孔
6 塗布液供給管
7 塗布液
8 液面センサー
9 基板
X 塗布方向
Y 幅方向
Z 鉛直方向
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Cap coater system 2 Surface plate 3 Nozzle 4 Tank 5 Coating liquid supply hole 6 Coating liquid supply pipe 7 Coating liquid 8 Liquid level sensor 9 Substrate X Coating direction Y Width direction Z Vertical direction

Claims (5)

少なくとも陽極と、陰極と、陽極および陰極の間に位置する1または複数の有機機能層とを基板上に積層して、有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する方法であって、
スリットを上方に向けて配置されるノズルから前記有機機能層となる材料を含む塗布液が押出された状態で、前記ノズルを下方から基板に近接させ、前記塗布液が基板側に付着した状態で、ノズルと基板とを相対的に移動することによって塗膜を形成し、前記有機機能層を成膜する工程を含み、
前記ノズルを下方から基板に近接させる際の上昇速度が0.7m/min以上であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
A method for producing an organic electroluminescent device by laminating at least an anode, a cathode, and one or more organic functional layers positioned between the anode and the cathode,
In a state where the coating liquid containing the material to be the organic functional layer is extruded from a nozzle arranged with the slit facing upward, the nozzle is brought close to the substrate from below, and the coating liquid is attached to the substrate side. Forming a coating film by relatively moving the nozzle and the substrate, and forming the organic functional layer,
A method for producing an organic electroluminescent element, wherein an ascending speed when the nozzle is brought close to the substrate from below is 0.7 m / min or more.
前記ノズルを下方から基板に近接させた後、ノズルと基板とを相対的に移動する前に、0.7m/min以上の速さで前記ノズルを下降させることを特徴とする請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   2. The nozzle according to claim 1, wherein the nozzle is lowered at a speed of 0.7 m / min or more after the nozzle is brought close to the substrate from below and before the nozzle and the substrate are relatively moved. Manufacturing method of organic electroluminescent element. 前記ノズルと基板とを相対的に移動する際の相対速度が、0.7m/min以上であることを特徴とする請求項1または2記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   The method for producing an organic electroluminescent element according to claim 1, wherein a relative speed when the nozzle and the substrate are relatively moved is 0.7 m / min or more. 前記ノズルと基板とを相対的に移動する際のノズルと基板との間隔が200μm以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   The method for manufacturing an organic electroluminescence element according to claim 1, wherein a distance between the nozzle and the substrate when the nozzle and the substrate are relatively moved is 200 μm or more. 請求項1〜4のいずれか1つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法で製造された有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic electroluminescent element manufactured with the manufacturing method of the organic electroluminescent element as described in any one of Claims 1-4.
JP2008116952A 2008-04-28 2008-04-28 Method for manufacturing organic electroluminescent element and organic electroluminescent element Expired - Fee Related JP5120050B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008116952A JP5120050B2 (en) 2008-04-28 2008-04-28 Method for manufacturing organic electroluminescent element and organic electroluminescent element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008116952A JP5120050B2 (en) 2008-04-28 2008-04-28 Method for manufacturing organic electroluminescent element and organic electroluminescent element

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009266719A true JP2009266719A (en) 2009-11-12
JP5120050B2 JP5120050B2 (en) 2013-01-16

Family

ID=41392276

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008116952A Expired - Fee Related JP5120050B2 (en) 2008-04-28 2008-04-28 Method for manufacturing organic electroluminescent element and organic electroluminescent element

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5120050B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011125517A1 (en) * 2010-03-31 2011-10-13 住友化学株式会社 Method of manufacturing light-emitting device
CN112289964A (en) * 2020-10-30 2021-01-29 合肥维信诺科技有限公司 Preparation method of display substrate and preparation method of display panel

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003001171A (en) * 2001-06-20 2003-01-07 Hirano Tecseed Co Ltd Coating device
JP2004164873A (en) * 2002-11-08 2004-06-10 Hirano Tecseed Co Ltd Apparatus and method for manufacturing organic el panel using coating nozzle by capillarity
JP2006122891A (en) * 2004-10-01 2006-05-18 Hirano Tecseed Co Ltd Coating device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003001171A (en) * 2001-06-20 2003-01-07 Hirano Tecseed Co Ltd Coating device
JP2004164873A (en) * 2002-11-08 2004-06-10 Hirano Tecseed Co Ltd Apparatus and method for manufacturing organic el panel using coating nozzle by capillarity
JP2006122891A (en) * 2004-10-01 2006-05-18 Hirano Tecseed Co Ltd Coating device

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011125517A1 (en) * 2010-03-31 2011-10-13 住友化学株式会社 Method of manufacturing light-emitting device
JP2011216251A (en) * 2010-03-31 2011-10-27 Sumitomo Chemical Co Ltd Method for manufacturing light-emitting device
CN103098550A (en) * 2010-03-31 2013-05-08 住友化学株式会社 Method of manufacturing light-emitting device
CN112289964A (en) * 2020-10-30 2021-01-29 合肥维信诺科技有限公司 Preparation method of display substrate and preparation method of display panel

Also Published As

Publication number Publication date
JP5120050B2 (en) 2013-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4775493B2 (en) Light emitting device
JP5090227B2 (en) Organic electroluminescence element, lighting device and display device
JP4661971B2 (en) Light emitting device
KR101690806B1 (en) Ink-jet printing ink for organic electroluminescent element, and process for production of organic electroluminescent element
JP5192828B2 (en) Organic electroluminescence display element and manufacturing method thereof
JP5314393B2 (en) Organic electroluminescence device
KR20100095512A (en) Electronic device, display apparatus and method for manufacturing electronic device
JP4983890B2 (en) Manufacturing method of organic EL element
JP2010033971A (en) Organic electroluminescent element and its manufacturing method
JP4788828B2 (en) Method for manufacturing light emitting device
JP2010033931A (en) Method of manufacturing organic electroluminescent element, light emitting device and display
JP2009238709A (en) Method and apparatus for manufacturing organic electroluminescent element
JP5120050B2 (en) Method for manufacturing organic electroluminescent element and organic electroluminescent element
JP2010055864A (en) Organic electroluminescent device and its manufacturing method
JP5249075B2 (en) Organic electroluminescence device
JP2009205985A (en) Organic electroluminescent element, and its manufacturing method
JP2010146894A (en) Organic electroluminescence element
JP2010160945A (en) Method for manufacturing organic electroluminescence device
JP2010160946A (en) Method for manufacturing organic electroluminescence device
KR20110000734A (en) Method for manufacturing organic electroluminescence element, organic electroluminescence element and display device
WO2011065288A1 (en) Manufacturing method of light emitting device
JP2010146895A (en) Organic electroluminescence element
JP5184938B2 (en) Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same
JP2013157171A (en) Manufacturing method of light-emitting device
JP2013157170A (en) Light-emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20101013

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120120

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120124

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120220

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120925

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121008

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151102

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151102

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees